CN1483239A - 调幅广播用放大电路 - Google Patents

调幅广播用放大电路 Download PDF

Info

Publication number
CN1483239A
CN1483239A CNA018213529A CN01821352A CN1483239A CN 1483239 A CN1483239 A CN 1483239A CN A018213529 A CNA018213529 A CN A018213529A CN 01821352 A CN01821352 A CN 01821352A CN 1483239 A CN1483239 A CN 1483239A
Authority
CN
China
Prior art keywords
effect transistor
field effect
channel mos
semiconductor field
mos semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA018213529A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100490306C (zh
Inventor
池田毅
宫城弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Electronic Devices Co Ltd
Original Assignee
NIIGATO PRECISION CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIIGATO PRECISION CO Ltd filed Critical NIIGATO PRECISION CO Ltd
Publication of CN1483239A publication Critical patent/CN1483239A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100490306C publication Critical patent/CN100490306C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/1935—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/324—An amplitude modulator or demodulator being used in the amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Circuits Of Receivers In General (AREA)

Abstract

一种AM广播用放大电路，是用场效应晶体管对所输入的AM广播信号进行放大并输出的AM广播用放大电路，以闪变噪声较小的P沟道MOS半导体场效应晶体管(4、5)构成该信号放大用场效应晶体管，以实现不仅可以尽可能抑制闪变噪声的发生，还可以将AM广播用射频放大器与其他电路一起集成于一个芯片上，从而实现整体电路的小型化与低噪声化。

Description

调幅广播用放大电路
发明领域
本发明涉及AM(调幅)广播用放大电路，特别适宜于接收AM广播信号的收音机等广播信号输入级所用RF(射频，Radio Frequency)放大器。
技术背景
图1表示以往AM广播信号接收电路的构成。图1a表示调谐电路形式的构成，图1b表示非调谐电路形式的构成。如图1a所示，以往调谐电路的AM广播信号接收电路是由电容器101、电阻102、信号放大用场效应晶体管(Field Effect Transistor)103、调谐电路104及集成电路106所构成。其中由电容器101、电阻102、信号放大用场效应晶体管103及调谐电路104构成射频放大器。
在此，电容器101用于隔断图中未标示的天线所输入的AM广播信号的直流成分，电阻10上用于对信号放大用场效应晶体管103给予适当偏流。信号放大用场效应晶体管103用于放大所输入的AM广播信号，它由结型场效应晶体管(Junction Field Effect Transistor)所构成。
调谐电路104将信号放大用场效应晶体管103所输出的射频信号加以高频放大后输给集成电路106，它由调谐电容器C1及调谐线圈L1、L2所构成。此调谐电路104的一端接在电源Vcc。集成电路106被输入调谐电路104所输出的射频放大信号，并进行包括混频、频率转换等接收AM广播所必需的后级信号处理。
另外，如图1b所示，非调谐电路形式的AM广播接收电路，是由电容器101、电阻102、信号放大用场效应晶体管103、耦合电容器105、集成电路106及线圈107所构成。其中射频放大器是由电容器101、电阻102、信号放大用场效应晶体管103、耦合电容器105及线圈107所构成。
近年，在处理2.4GHz带或5GHz带等高频信号的无线电终端中，随着射频电路的集成化的不断发展，通过CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor)技术已开发出了一种将至今为止以模拟式的单个零件而安装在芯片外的射频电路集成于一个芯片的LSI。同样，在使用76M～90MHz带的FM广播接收机中，通过CMOS技术也开发出了将射频电路集成的LSI。在这些集成于一个芯片的射频电路中，也包含射频放大器。
与此相反，在AM广播接收机中，如图1所示，由于射频放大器使用了结型(双极型)的结型场效应晶体管103，其制造过程不同于CMOS技术，所以AM广播用射频放大器依然被当做单个零件而安装在集成电路106之外。这是考虑到在CMOS半导体内部所发生的闪变噪声(1/f噪声)的影响的缘故。
换言之，由于闪变噪声的噪声电平与频率成反比，所以在处理高频率信号的无线电终端的情况下，即使使用CMOS半导体电路来构成射频放大器，也几乎不会发生闪变噪声。然而在使用530K～1710KHz的中波段，153K～279KHz的长波段等低频率信号的AM广播接收机中，由于其频带还在闪变噪声成分较大的区域内，所以射频放大器不宜由CMOS半导体电路构成。
因此，以往的射频放大器一直采用结型场效应晶体管103。另外也使用，在结型场效应晶体管103上，加装双极型晶体管所构成的射频放大器。然而，这些以往技术无法将射频放大器与其他射频电路等一起集成于同一个芯片中，其结果是造成无法像高频率无线电终端那样，将电路全体小型化的问题。
发明内容
本发明就是解决这种问题的，其目的在于不仅可以尽可能抑制闪变噪声的发生，还可以将AM广播用射频放大器与其他电路一起集成于一个芯片上，从而实现整体电路的小型化与低噪声化。
本发明的AM广播用放大电路的特征，在将输入的AM广播信号以场效应晶体管加以放大后输出的AM广播用放大电路中，其场效应晶体管是由P沟道MOS半导体场效应晶体管所构成。
本发明其他形态的特征，为上记P沟道MOS半导体场效应晶体管含有用以放大上记输入的AM广播信号的第一P沟道MOS半导体场效应晶体管与用以对上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以自动增益控制(Auto Gain Control)的第二P沟道MOS半导体场效应晶体管。
本发明其他形态的特征，为将上记输入的AM广播信号加以放大的第一P沟道MOS半导体场效应晶体管及上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以自动增益控制的第二P沟道MOS半导体场效应晶体管以及将上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以高频率放大后输出的调谐电路。
本发明其他形态的特征，为具备用以截断所输入AM广播信号的直流成分的电容器、将上记电容器所输出的AM广播信号加以放大的第一P沟道MOS半导体场效应晶体管、对于上记第一P沟道MOS半导体场效电磊体提供适当偏流的电阻、对上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出的信号加以自动增益控制的第二P沟道MOS半导体场效应晶体管、对上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以高频率放大后输出的调谐电路。
本发明其他形态的特征，为将上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管与上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管加以栅地(cascode)连接。
本发明其他形态的特征，为将上记P沟道MOS半导体场效应晶体管的沟道面积设定为大于指定值。
如上记所构成的本发明，在低于N沟道CMOS半导体场效应晶体管的低频区域也可由闪变噪声小的P沟道MOS半导体场效应晶体管构成AM广播用射频放大器，所以可在尽量压低闪变噪声电平状态下，以CMOS半导体构造将多于AM广播用射频放大器的电路集成在一个芯片中，实现电路的小型化与低噪声化。
另外，依本发明的其他特征，为可将P沟道MOS半导体场效应晶体管的沟道面积加大，将闪变噪声电平再加以压低。
附图说明
图1表示以往AM广播信号接收用电路的构成图。
图2表示本实施例的AM广播用放大电路构成例。
图3表示闪变噪声的特性图。图中：1-电容器；2、3-电阻；4、5-P沟道MOS半导体场效应晶体管；6-调谐电路；101-电容器；102-电阻；103-场效应晶体管。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的一实施例。
图2表示本实施例的AM广播用放大电路的构成。如图2所示，本实施例的AM广播用放大电路具备电容器1、电阻2与3、第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4、第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5及调谐电路6并由此诸件所构成。
其中，电容器1用于隔断由未图示的天线输入的AM广播信号中的直流成分。另外，电阻2、3用于对第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4提供适当的偏置，它们串联连接在电源Vcc与地线之间，其中间结点连接电容器1。
第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4用于放大由电容器1所输出的AM广播信号。其栅极连接在电阻2、3中间结点的电容器1上，源极连接电源Vcc，漏极则连接第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5的源极。
第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5是用于对第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4所输出的射频信号加以自动增益控制(Auto GainControl)。其栅极连接自动增益控制电压的电源，源极连接第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4的漏极，漏极连接调谐电路6。另外，连接第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5的栅极的电源并不需限定为自动增益控制电压的电源，固定电压的电源也可。
调谐电路6用于对由第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5所输出的经自动增益控制的射频信号加以高频放大并输出，它是由调谐电容器C1及调谐线圈L1、L2所构成。此调谐电路6的一端连接在第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5的漏极，另一端则连接在地线上。
由以上所构成的本实施例AM的广播用放大电路，是与包括混频、频率转换等AM广播信号接收所必需的后级信号处理的电路一起集成在一个芯片内，调谐电路6的输出信号供给到例如未加图示的混频器级。
以下就上述构成的AM广播电路的动作加以说明。首先、将图中未表示的天线所输入的AM广播信号的直流成分通过电容器1隔断后，用第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4加以放大。由第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4输出的射频信号经第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5加以自动增益控制为一定电平后，输出到调谐电路6。
如上所述，在本实施例中，将信号放大用第一P沟道MOS半导体场效应晶体管4与自动增益控制用第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5加以“共发共基”(cascode)连接，对AM广播信号加以“共发共基”放大。这样，可减少电极间静电电容，而大幅减少输出向输入的反馈，从而获得优良高频特性。另外，此栅地连接，不但适合自动增益控制，还可提高电路的稳定性。
另外，调谐电路6将第二P沟道MOS半导体场效应晶体管5所输出的一定电平的射频信号加以高频放大，向图中未表示的混频器输出。在包括混频器、频率转换部的后级信号处理电路(未加图示)中，进行AM广播信号接收上所必要的其他处理，进行输入信号的选台，在输出级进行放大、检波等最后以声音信号输出。
图3表示本实施例所使用的AM广播用放大电路的P沟道MOS半导体场效应晶体管及其他MOS半导体场效应晶体管的闪变噪声特性。
如图3所示，作为MOS半导体内部噪声的闪变噪声，其噪声电平与频率成反比例增大。因此，当所处理的信号是如AM广播等低频率信号的情况下如以MOS电路构成射频放大器时，噪声电平比使用结型场效应晶体管时大。
但是，N沟道MOS半导体场效应晶体管与P沟道MOS半导体场效应晶体管相比较时，在低频率区域中，P沟道MOS半导体场效应晶体管的噪声电平比N沟道MOS半导体场效应晶体管低。在本实施例中，由于既不采用N沟道MOS半导体也不采用CMOS半导体，而只采用P沟道MOS半导体场效应晶体管来构成信号放大用及自动增益控制用的场效应晶体管4、5，所以可将闪变噪声电平压到较低。
而且，因P沟道MOS技术与CMOS技术的制程过程相同，所以能将包括本实施的放大电路在内的AM广播用射频电路全部集成于一个芯片中，实现电路整体的小型化。另外，因可以以相同MOS制造过程制造整个射频电路，所以也简化工艺以削减制造成本。当然不限于射频电路，其后级的基带电路等也可集成于一个芯片内加以集成化。
以下就减少闪变噪声的进一步改良办法加以说明。在第1及第2的P沟道MOS半导体场效应晶体管4、5中，通过增大作为电流(或载流子)流经通路的沟道面积，可以进一步减小闪变噪声。
此时，虽然任意增大场效应晶体管的沟道宽度或沟道长度中的一方即可，但以加宽与延长并用较佳。目前以CMOS半导体电路组装处理高频率信号的无线电终端的射频放大器时，所使用的MOS半导体场效应晶体管的沟道宽度、沟道长度虽然采用的是0.7μm×1.5μm，0.6μm×1.4μm，0.2μm×1.0μm左右，但本实施例的AM广播用射频放大器，最好使用沟道面积大于它们的P沟道MOS半导体场效应晶体管4、5。例如可以使沟道宽度为1000μm，长度为2μm。
另外，以上说明的实施例只表示实施本发明具体例之一，不能据此对本发明的技术范围，作限定性的解释。换言之，本发明可在不脱离其精神或其主要特征下，以各种形式加以实施。例如本发明不但可以适用于调谐电路形式，也可适用于非调谐电路形式。
本发明不仅可以尽可能抑制闪变噪声的发生，还可以将AM广播用射频放大器与其他电路一起集成于一个芯片上，从而实现整体电路的小型化与低噪声化。

Claims (10)

1.一种AM广播用放大电路，是将输入的AM广播信号以场效应晶体管加以放大后输出的AM广播用放大电路，其特征为：
上记场效应晶体管是由P沟道MOS半导体场效应晶体管所构成。
2.如权利要求1所述的AM广播用放大电路，其中上记P沟道MOS半导体场效应晶体管包括用以放大上记输入的AM广播信号的第一P沟道MOS半导体场效应晶体管，及
对于上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以自动增益控制(Auto Gain Control)的第二P沟道MOS半导体场效应晶体管。
3.一种AM广播用放大电路，其特征为：
具备将输入的AM广播信号加以放大的第一P沟道MOS半导体场效应晶体管，及
将上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以自动增益控制的第二P沟道MOS半导体场效应晶体管，及
将上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以高频率放大后输出的调谐电路。
4.一种AM广播用放大电路，其特征为：
具备用以截断所输入AM广播信号的直流成分的电容器，及
将上记电容器所输出的AM广播信号加以放大的第一P沟道MOS半导体场效应晶体管，及
对于上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管提供适当偏流的电阻，及
对上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出的信号加以自动增益控制的第二P沟道MOS半导体场效应晶体管，及
对上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管所输出信号加以高频率放大后输出的调谐电路。
5.如权利要求2所述的AM广播用放大电路，其中将上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管与上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管加以栅地(cascode)连接。
6.如权利要求3所述的AM广播用放大电路，其中将上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管与上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管加以栅地连接。
7.如权利要求4所述的AM广播用放大电路，其中将上记第一P沟道MOS半导体场效应晶体管与上记第二P沟道MOS半导体场效应晶体管加以栅地连接。
8.如权利要求1所述的AM广播用放大电路，其中将上记P沟道MOS半导体场效应晶体管的沟道面积设定为大于指定值。
9.如权利要求3所述的AM广播用放大电路，其中将上记P沟道MOS半导体场效应晶体管的沟道面积设定为大于指定值。
10.如权利要求4所述的AM广播用放大电路，其中将上记P沟道MOS半导体场效应晶体管的沟道面积设定为大于指定值。
CNB018213529A 2000-12-28 2001-12-27 调幅广播用放大电路 Expired - Fee Related CN100490306C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000400737A JP2002204129A (ja) 2000-12-28 2000-12-28 Ａｍ放送用増幅回路
JP400737/00 2000-12-28
JP400737/2000 2000-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1483239A true CN1483239A (zh) 2004-03-17
CN100490306C CN100490306C (zh) 2009-05-20

Family

ID=18865267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB018213529A Expired - Fee Related CN100490306C (zh) 2000-12-28 2001-12-27 调幅广播用放大电路

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6753736B2 (zh)
EP (1) EP1349267B1 (zh)
JP (1) JP2002204129A (zh)
CN (1) CN100490306C (zh)
DE (1) DE60127453T2 (zh)
TW (1) TW522662B (zh)
WO (1) WO2002054582A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040150457A1 (en) * 2001-06-29 2004-08-05 Hiroshi Miyagi Frequency mixing circuit
JP2004040735A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Toyota Industries Corp 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法
US20040232982A1 (en) * 2002-07-19 2004-11-25 Ikuroh Ichitsubo RF front-end module for wireless communication devices
KR100733981B1 (ko) 2005-07-05 2007-07-02 삼성전자주식회사 튜너 및 이를 포함하는 방송처리장치
JP2009206554A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Nsc Co Ltd Ａｍ放送受信回路
JP5200927B2 (ja) * 2008-12-29 2013-06-05 セイコーエプソン株式会社 アナログ回路及び電子機器
WO2015190030A1 (ja) * 2014-06-12 2015-12-17 富士電機株式会社 演算増幅器及びこれを使用したチャージアンプ

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3510788A (en) * 1967-01-09 1970-05-05 Motorola Inc Self-oscillating fm detector using field-effect transistors
JPS4424965B1 (zh) * 1967-08-02 1969-10-22
US4037167A (en) * 1975-08-13 1977-07-19 Hastings Kingsley N Automatic gain control amplifier
US4277757A (en) * 1979-12-05 1981-07-07 General Motors Corporation Two stage RF amplifier
JPS5733841A (en) * 1980-08-07 1982-02-24 Fujitsu Ten Ltd Antenna inputting circuit
US4409557A (en) * 1981-04-23 1983-10-11 Rca Corporation Bandpass filter with an active element
US4520324A (en) * 1983-03-11 1985-05-28 National Semiconductor Corporation MOS Gain controlled amplifier
JPS6022904A (ja) * 1983-07-19 1985-02-05 Tsuchiya Mfg Co Ltd 流体処理用の精密フイルタ
US4590613A (en) * 1983-12-23 1986-05-20 Rca Corporation Bipolar AGC with RF transistor DC bias point stabilization
JPS60229430A (ja) * 1984-04-26 1985-11-14 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Ａｍ受信機
JPH0621842A (ja) * 1992-06-29 1994-01-28 Mitsumi Electric Co Ltd Ａｍ電子同調チューナ
JP2810601B2 (ja) * 1992-09-24 1998-10-15 ローム株式会社 Ｆｍ／ａｍ受信回路
US5339048A (en) * 1993-05-03 1994-08-16 Motorola, Inc. Radio frequency amplifier
JPH08186253A (ja) * 1994-12-27 1996-07-16 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 低雑音半導体装置およびその製造方法
JP3384207B2 (ja) * 1995-09-22 2003-03-10 株式会社デンソー 差動増幅回路
JP2956637B2 (ja) * 1997-02-18 1999-10-04 日本電気株式会社 半導体装置のノイズ低減方法
CN1199960A (zh) * 1998-05-11 1998-11-25 韩京德 高效节能自感应全波段收音机
US6587670B1 (en) * 1998-12-22 2003-07-01 Harris Corporation Dual mode class D amplifiers
US6417734B1 (en) * 2000-06-26 2002-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. High-frequency amplifier circuit with negative impedance cancellation
US6509799B1 (en) * 2000-11-09 2003-01-21 Intel Corporation Electrically tuned integrated amplifier for wireless communications
US6636119B2 (en) * 2000-12-21 2003-10-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Compact cascode radio frequency CMOS power amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
DE60127453D1 (de) 2007-05-03
US20040066237A1 (en) 2004-04-08
DE60127453T2 (de) 2007-07-12
JP2002204129A (ja) 2002-07-19
WO2002054582A1 (fr) 2002-07-11
TW522662B (en) 2003-03-01
US6753736B2 (en) 2004-06-22
CN100490306C (zh) 2009-05-20
EP1349267B1 (en) 2007-03-21
EP1349267A1 (en) 2003-10-01
US7038548B2 (en) 2006-05-02
EP1349267A4 (en) 2004-10-06
US20040164806A1 (en) 2004-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8427240B2 (en) Low-noise amplifier with gain enhancement
JP5512731B2 (ja) ２段のマイクロ波のｅ級電力増幅器
EP1155496B1 (en) Radiofrequency amplifier with reduced intermodulation distortion
US7215201B2 (en) Integrated circuit having a low power, gain-enhanced, low noise amplifying circuit
US6850753B2 (en) Tunable low noise amplifier and current-reused mixer for a low power RF application
US6351188B1 (en) Variable gain amplifier circuit and gain control method
JP2005520372A (ja) 高性能ＢｉＦＥＴ低雑音増幅器
CN106253855A (zh) 下变频装置
EP0895350A1 (en) Low power gain controlled amplifier with high dynamic range
KR20080010747A (ko) 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기
CN1483239A (zh) 调幅广播用放大电路
US6801088B2 (en) Dual gate low noise amplifier
CN101297477B (zh) 跨导级装置
CN113904635B (zh) 一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器
US7109795B2 (en) Amplifier-mixer device
JP3806617B2 (ja) テレビジョンチューナ
CN1666410A (zh) 半导体集成电路及半导体集成电路的制造方法
JP2894004B2 (ja) 周波数変換回路
CN1650531A (zh) 接受机
JP2004072625A (ja) 高周波電力増幅回路
JPH07273557A (ja) 周波数変換回路
JP2004297277A (ja) 高周波増幅回路およびそれを用いた送信機、受信機ならびに送受信機
JPS5818818B2 (ja) コンゴウカイロ
JP2007235524A (ja) 可変利得増幅回路
JP2003224439A (ja) 低雑音増幅器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.; APPLICANT

Free format text: FORMER OWNER: NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.

Effective date: 20070928

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20070928

Address after: Japan's Niigata Prefecture

Applicant after: NIIGATA SEIMITSU Co.,Ltd.

Co-applicant after: Ricoh Co.,Ltd.

Address before: Japan's Niigata Prefecture

Applicant before: NIIGATA SEIMITSU Co.,Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: RICOH CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: NSC CO., LTD.

Effective date: 20091106

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: NSC CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Tokyo, Japan

Co-patentee after: Ricoh Co.,Ltd.

Patentee after: NSC Corp.

Address before: Japan's Niigata Prefecture

Co-patentee before: Ricoh Co.,Ltd.

Patentee before: NIIGATA SEIMITSU Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20091106

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Ricoh Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Co-patentee before: Ricoh Co.,Ltd.

Patentee before: NSC Corp.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: RICOH MICROELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: RICOH CO. LTD.

Effective date: 20150402

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150402

Address after: Osaka

Patentee after: RICOH ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Ricoh Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090520

Termination date: 20171227

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee