CN1484378A - 声表面波元件、声表面波器件及其制造方法 - Google Patents

声表面波元件、声表面波器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种SAW元件，包括在压电基片上形成的多个叉指换能器电极、在其两侧配置的反射器电极以及从多个叉指换能器电极和多个反射器电极导引出的多个焊盘电极，多个焊盘电极具有不与SAW元件的外周区域直接对向的孤立焊盘电极和与外周区域直接对向的邻接焊盘电极，通过至少在切割工序前刻蚀除去连接了孤立焊盘电极与邻接焊盘电极的连接电极，防止因热电效应导致的放电的发生，防止电极的损伤。

Description

声表面波元件、声表面波器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及在通信设备等中采用的声表面波器件(以下称为SAW器件)及在该器件中使用的声表面波元件(以下称为SAW元件)及其制造方法。
背景技术
现有的SAW器件一般是利用以下那样的方法来制造的。作为压电基片，例如使用钽酸锂(LiTaO3)单晶基片等。在该压电基片上形成铝(Al)等的金属薄膜，利用光刻法和刻蚀法形成叉指换能器电极(Inter DigitalTransduser electrode，以下称为IDT电极)和反射器电极(GratingReflector electrode)。以这种方式在压电基片上形成了多个SAW元件后，切割成单个片。通过将成为单个片的SAW元件安装在陶瓷等的封装体中来制作SAW器件。再有，大多用引线键合或倒装键合来进行SAW元件与封装体的焊盘的连接。为了提高该连接的可靠性，还在SAW元件的焊盘电极上形成增强电极。此外，在倒装键合中，在增强电极上还必须形成凸点。
图8是在压电基片上形成的状态的现有的结构的SAW元件的平面图。再有，在图8中，是在压电基片上形成的状态、即切割前的形状，图中只示出被切割线包围的1个SAW元件。
作为压电基片1，可使用LiTaO3单晶基片或铌酸锂(LiNbO3)单晶基片等的具有压电性的单晶基片。在该压电基片1上设置由Al等构成的切割线2，在切割线2的内侧形成SAW元件。在该例中，SAW元件由3个IDT电极31、32、33和在其两侧设置的2个反射器电极41、42构成。在两外侧的IDT电极31、33的输入侧设置了接地端子5和连接到这些接地端子5上的焊盘电极61。此外，在中央部的IDT电极32的输入侧设置了输入侧端子8和连接到该输入侧端子8上的焊盘电极62。将该焊盘电极62作成用接地端子5和焊盘电极61包围其周围的结构。再者，在除了焊盘电极62的其它的焊盘电极61、63、64、65、66、67上设置了连接到切割线2上的短路电极7。再有，在焊盘电极61、62、63、64、65、66、67上分别形成了凸点21。
通过作成这样的结构，可利用连接到切割线2上的电极使制造工序中在压电基片1上发生的电荷的电位变得均匀，可防止IDT电极31、32、33之间的放电。在作成了SAW元件时，通过在切割线2上进行切割，可消除切割线2，使IDT电极31、32、33呈电开路状态。
在SAW元件的制造工序中，在IDT电极或反射器电极或增强电极等的形成或光刻、刻蚀等的加工时，大多对压电基片施加热。因此，由于压电基片所具有的热电效应的缘故，产生了在压电基片上发生、蓄积电荷的现象。如果被蓄积的电荷超过某一定值，则IDT电极等的电极间引起放电，电极图形受到损伤，特性变坏。
但是，在图8中示出的现有的结构中，由于用接地端子5和焊盘电极61包围输入侧端子8和焊盘电极62的周围，故不能设置与切割线2连接的连接电极。因此，这些部分呈电开路状态，因IDT电极32上发生的电荷的缘故而引起放电，存在电极图形受到损伤的问题。不仅在图8中示出的SAW元件结构中存在不能使焊盘电极与切割线连接的IDT电极，而且在其它的元件结构中也大多存在。
作为解决该问题的方法，已知有在特开平3-293808号公报中记载的方法。该方法中，对于成为图8中示出的呈开路状态的IDT电极，作成IDT电极的最外侧的电极指与邻接的IDT电极的电极指连接的结构。由于用连接线将连接到该邻接的IDT电极上的焊盘电极与切割线连接，故消除了图8中示出的呈电开路状态的IDT电极。其结果，可抑制IDT电极间的放电。但是，在该方法中，对于在作成了SAW元件的状态下也呈开路状态的IDT电极来说，不得不依旧利用电极指相互间导电性地连接邻接的IDT电极。因此，作为SAW器件，难以进行实现作为目标的滤波器功能的设计。再者，由于IDT电极指的宽度较小，故阻抗较大，不能充分地使电位变得均匀，如果发生大的电荷，则有时产生放电。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题而进行的，其目的在于提供通过在制造工序中特别是在电荷被蓄积而容易放电的工序阶段为止消除呈电开路状态的电极以使压电基片上发生的电荷变得均匀而抑制放电从而不产生电极的损伤的SAW器件及其制造方法。
本发明的SAW元件是包含以下结构的声表面波元件：
压电基片、在上述压电基片上形成的多个叉指换能器电极、在其两侧配置的反射器电极、从多个上述叉指换能器电极和多个上述反射器电极导引出的多个焊盘电极以及在多个上述焊盘电极上形成的焊盘增强电极，
多个上述焊盘电极具有不与上述声表面波元件的外周区域直接对向的孤立焊盘电极和与上述外周区域直接对向的邻接焊盘电极，
由至少残留了连接上述孤立焊盘电极与上述邻接焊盘电极的连接电极的一部分的结构构成。
此外，本发明的SAW元件的制造方法包含以下的工序：
形成多个声表面波元件、在上述声表面波元件的各自的外周边上形成的切割线、连接上述焊盘电极中不能直接连接到上述切割线上的孤立焊盘电极与能直接连接到上述切割线上的邻接焊盘电极的连接电极和将上述邻接焊盘电极连接到上述切割线上的短路电极，其中，上述声表面波元件包含在压电基片上形成的多个叉指换能器电极、在其两侧配置的反射器电极以及从多个上述叉指换能器电极和多个上述反射器电极导引出的多个焊盘电极；
在上述焊盘电极上形成焊盘增强电极；
在上述焊盘增强电极上形成凸点；
去除上述连接电极的至少一部分，使上述孤立焊盘电极和上述邻接焊盘电极呈电开路状态；以及
在上述切割线上且以比上述切割线的宽度宽的宽度切断上述切割线和上述压电基片。
如上所述，按照本发明，通过使用连接电极和短路电极直接地、间接地连接全部的电极图形以消除电游离的状态的电极，在整个压电基片上使由压电基片上发生的电荷引起的电位变得均匀，通过消除电位差可防止因静电放电导致的电极的损伤。
附图说明
图1是示出本发明的第1实施例的SAW元件的形状的平面图。
图2是对该实施例中的SAW元件进行封装作成了SAW器件的状态的剖面图。
图3A是示出在该实施例的制造方法中在压电基片上形成了SAW元件的图形的状态的剖面图。
图3B是示出在该实施例的制造方法中在焊盘电极上形成了焊盘增强电极的状态的剖面图。
图3C是示出在该实施例的制造方法中刻蚀了孤立焊盘电极与邻接焊盘电极间的连接电极的状态的剖面图。
图3D是示出在该实施例的制造方法中在焊盘增强电极上形成了凸点的状态的剖面图。
图3E是示出在该实施例的制造方法中利用切割锯进行切割使SAW元件成为单个片的状态的剖面图。
图4A是示出在该实施例的制造方法中在压电基片上形成了SAW元件的图形的状态的平面图。
图4B是示出在该实施例的制造方法中在焊盘电极上形成了焊盘增强电极的状态的平面图。
图4C是示出在该实施例的制造方法中刻蚀了孤立焊盘电极与邻接焊盘电极间的连接电极的状态的平面图。
图4D是示出在该实施例的制造方法中在焊盘增强电极上形成了凸点的状态的平面图。
图4E是示出在该实施例的制造方法中利用切割锯进行切割使SAW元件成为单个片的状态的平面图。
图5A是示出在本发明的第2实施例的制造方法中在压电基片上形成了SAW元件的图形的状态的剖面图。
图5B是示出在该实施例的制造方法中在焊盘电极上形成了焊盘增强电极的状态的剖面图。
图5C是示出在该实施例的制造方法中在焊盘增强电极上形成了凸点的状态的剖面图。
图5D是示出在该实施例的制造方法中刻蚀了孤立焊盘电极与邻接焊盘电极间的连接电极和邻接焊盘电极与切割线间的短路电极的状态的剖面图。
图5E是示出在该实施例的制造方法中利用切割锯进行切割使SAW元件成为单个片的状态的剖面图。
图6A是示出在该实施例的制造方法中在焊盘增强电极上形成了凸点的状态的平面图。
图6B是示出在该实施例的制造方法中刻蚀了孤立焊盘电极与邻接焊盘电极间的连接电极和邻接焊盘电极与切割线间的短路电极的状态的平面图。
图7A是该实施例中的制造方法的变形例，是示出在与光致抗蚀剂的显影同时地刻蚀连接电极的方法中对光致抗蚀剂进行了曝光的状态的剖面图。
图7B是该实施例中的制造方法的变形例，是示出在与光致抗蚀剂的显影同时地刻蚀连接电极的方法中以最佳显影时间溶解了光致抗蚀剂的感光部分的状态的剖面图。
图7C是该实施例中的制造方法的变形例，是示出在与光致抗蚀剂的显影同时地刻蚀连接电极的方法中刻蚀了构成连接电极的金属薄膜的状态的剖面图。
图8是在压电基片上形成的状态的现有的结构的SAW元件的平面图。
具体实施方式
以下使用附图说明本发明的实施例。再有，对于相同的构成要素附以相同的标号。
(第1实施例)
图1是本发明的第1实施例中的SAW元件的电极图形的结构，是示出对压电基片进行切割后成为单个片的状态的平面图。
在由LiTaO3单晶基片等构成的压电基片11上形成由Al、Al合金或钛(Ti)等的单层膜或其层叠膜构成的金属薄膜，经过光刻工艺和刻蚀工艺，形成了包含规定的IDT电极、在其两侧的反射器电极以及从该IDT电极和反射器电极导引出的焊盘电极的SAW元件。
在本实施例中，形成了由外侧IDT电极131、135、内侧IDT电极132、134和中央IDT电极133构成的IDT电极。此外，从这些电极分别引出了端子电极15。
外侧IDT电极131、135的一侧经各自的端子电极15连接到焊盘电极(未图示)和在该焊盘电极上形成的焊盘增强电极203上。此外，外侧IDT电极131、135的另一侧经端子电极15分别连接到焊盘电极(未图示)和在该焊盘电极上形成的焊盘增强电极206、207上。
内侧IDT电极132、134的一侧经端子电极15分别连接到焊盘电极(未图示)和在该焊盘电极上形成的焊盘增强电极201、202上。此外，内侧IDT电极132、134的另一侧经端子电极15共同地连接到焊盘电极(未图示)和在该焊盘电极上形成的焊盘增强电极204上。
中央IDT电极133的一侧经端子电极15连接到焊盘电极(未图示)和在该焊盘电极上形成的焊盘增强电极203上。再有，外侧IDT电极131、135的一侧也经端子电极15连接到该焊盘增强电极203上。此外，中央IDT电极133的另一侧经端子电极15连接到焊盘电极(未图示)和在该焊盘电极上形成的焊盘增强电极205上。
反射器电极141、142经分别在两侧设置的引出电极17分别连接到焊盘电极(未图示)和在该焊盘电极上形成的焊盘增强电极206、207上。再有，外侧IDT电极131、135的另一侧经端子电极15分别连接到焊盘增强电极206、207上。
再有，在焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207上也形成了凸点21。特别是在两侧的大的焊盘增强电极206、207上形成了2个凸点21。该凸点21例如也可使用金(Au)电镀层或Au线以引线凸点的方式来形成。
根据以上所述，构成作为SAW元件所必要的电极，但在本实施例的SAW元件中，为了进一步防止制造工序中因热电效应发生的电荷导致的放电，设置了以下叙述的电极。
即，从焊盘增强电极203、204、205、206、207起形成了连接到切割线上的短路电极181、182、183、184、185、186。在将SAW元件切割为单个片之前，由于该短路电极181、182、183、184、185、186连接到切割线上，故消除了电荷的偏置，可防止因放电引起的IDT电极的破损。在作为制造工序的最终工序的切割工序中，如果在每条切割线上切断压电基片，则如图1中所示，可使短路电极181、182、183、184、185、186呈电开路状态。
此外，在制造工序中特别是经过容易发生热电效应的的工序为止，利用连接电极191、192、193将焊盘增强电极201、202、205分别连接到焊盘增强电极203、204上。在该工序结束后，如图1中所示，刻蚀连接电极191、192、193的一部分以便对于焊盘增强电极203、204呈电开路状态。
通过作成这样的SAW元件的结构，可抑制IDT电极因热电效应引起的放电而破损，可制作滤波特性好、成品率高的SAW元件。
图2是使用以这种方式得到的SAW元件38进行封装作成了SAW器件40的状态的剖面图。在图2中，在箱状的基体构件51中有以从该箱的底面部贯通侧壁部地设置的布线导体52。再者，设置了连接到该布线导体52上从侧壁部起在外侧的底面部上形成的连接端子电极53。此外，以连接到基体构件51的中央区域的布线导体52上的方式形成了连接用焊盘电极44。
通过涂敷例如导电性粘接剂或施加超声波来连接在SAW元件38上形成的凸点21和连接用焊盘电极44，将SAW元件38电气地且机械性地连接、固定在基体构件51上。
其后，使用密封装置以连接构件47与基体构件51的箱状的周缘部对向的方式配置并加热安装了SAW元件38的基体构件51和预先安放了连接构件47的盖体46。由此进行密封，构成SAW器件40。再有，作为连接构件47，例如可使用Au-Sn或焊料。
再有，作为SAW器件40的制造方法，不仅可采用上述的方法，而且也可利用其它的方法、例如利用引线键合等电连接SAW元件38与连接用焊盘电极44。
以下使用图3A至图3E和图4A至图4E说明具体的制造工序。
图3A至图3E是说明本实施例中的SAW元件38的制造工序的剖面图。此外，图4A至图4E是与图3A至图3E对应的平面图。再有，图3A至图3E的剖面图是沿图4A中示出的A-A线的剖面图。再有，实际上在压电基片上一并地形成多个SAW元件，但在这些图中只示出了被切割线包围的1个SAW元件。此外，图3E和图4E示出了切割后成为单个片的SAW元件的状态。
最初，例如利用溅射法在由LiTaO3单晶基片等构成的压电基片11上形成Ti、Al或Al合金等的金属薄膜。该金属薄膜可以是单层结构，根据需要也可以是层叠结构。例如，通过层叠Ti膜与Al合金膜，可大幅度地提高IDT电极的耐功率的性能，而本发明可以是这样的电极结构。
其次，在该金属薄膜上涂敷光致抗蚀剂，在以规定的形状进行了曝光后，通过利用干法刻蚀装置等进行刻蚀，形成图3A和图4A中示出的SAW元件的图形。
外侧IDT电极131、135的一侧经各自的端子电极15连接到邻接焊盘电极163上。此外，其另一侧经端子电极15连接到邻接焊盘电极166、167上。
内侧IDT电极132、134的一侧经各自的端子电极15连接到各自的孤立焊盘电极161、162上。此外，其另一侧经各自的端子电极15共同地连接到邻接焊盘电极164上。
再者，中央IDT电极133的一侧经端子电极15连接到邻接焊盘电极163上。再有，外侧IDT电极131、135的一侧也经各自的端子电极15连接到该邻接焊盘电极163上。另一方面，中央IDT电极133的另一侧经端子电极15连接到孤立焊盘电极165上。
反射器电极141、142经分别在两侧设置的引出电极17分别连接到邻接焊盘电极166、167上。再有，外侧IDT电极131、135的另一侧经端子电极15分别连接到邻接焊盘电极166、167上。
再者，从邻接焊盘电极163、164、166、167引出短路电极181、182、183、184、185、186，分别连接到切割线12上。此外，从孤立焊盘电极161、162、165引出连接电极191、192、193，分别连接到邻接焊盘电极163、164上。
接着，如图3B和图4B中所示，在压电基片上将光致抗蚀剂加工为规定的图形形状后，利用蒸镀法等形成膜厚约为500nm的Al等的金属薄膜，剥离不需要的部分的金属薄膜。由此，在邻接焊盘电极163、164、166、167和孤立焊盘电极161、162、165上分别形成焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207。这些焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207在以后的工序中吸收形成凸点的情况的变形，具有改善凸点的密接性的作用。
但是，由于必须将焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207用的金属薄膜形成得比较厚，故在蒸镀时压电基片11被加热而发生热电效应。但是，由于在该阶段中因经切割线12电连接了压电基片11上的全部的电极图形而使电位变得均匀，故可防止因放电引起的IDT电极等的损伤。
再有，焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207不仅可由Al构成，也可由Au或铜(Cu)或其层叠结构来构成。此外，在本实施例中，在邻接焊盘电极163、164、166、167和孤立焊盘电极161、162、165的整个面上形成了焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207，但也可只在形成凸点21的区域的一部分的表面上形成。
接着，如图3C和图4C中所示，利用光刻工艺和干法刻蚀刻蚀压电基片11上的连接电极191、192、193的规定的部分。由此，分别连接到内侧IDT电极132、134和中央IDT电极133上的焊盘增强电极201、202、205与在这些电极的外侧设置的焊盘增强电极203、204之间呈电开路状态。在图3C和图4C中，示出刻蚀了一部分的状态，但也可刻蚀全部。
再其后，如图3D和图4D中所示，在各自的焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207上形成由Au等构成的凸点21。再有，对于两侧的大的焊盘增强电极206、207，分别形成了2个凸点21，但也可以是1个或3个以上。在该凸点21的形成中，可以是使用了Au线的引线凸点方式，也可以利用Au电镀层来形成。
接着，如图3E和图4E中所示，利用切割锯等切割压电基片11，使SAW元件38分割为单个片。此时通过在上述切割线12上且以比该切割线12的宽度宽的宽度进行切割，在SAW元件38上成为不存在切割线12。其结果，短路电极181、182、183、184、185、186全部呈电开路状态。因而，连接到其上的焊盘增强电极203、204、206、207也呈电开路状态。再有，图4E与图1相同。
利用这样的制造工序，可得到在IDT电极上难以产生损伤的、而且容易进行滤波器特性的设计的SAW器件40。
再有，在本实施例中，在切割压电基片11时同时切割除去短路电极181、182、183、184、185、186，但本发明不限定于此。例如，也可在连接电极191、192、193的刻蚀时同时刻蚀除去。在该方法的情况下，也可在切割前的压电基片11上测定SAW元件38的电特性。
再有，在本实施例中，分别将连接到两侧的大的邻接焊盘电极166、167和在其上形成的焊盘增强电极206、207上的短路电极181、183、184、186连接到平行地设置的切割线12上。除此以外，还可设置连接到与上述的切割线12垂直的方向的切割线12上的短路电极。此外。关于所连接的短路电极的条数，可在1个部位上设置多条。此外，设置短路电极和连接电极的位置希望是在焊盘电极上且电位容易提高的位置、例如角部等，但也可以是除此以外的位置。
此外，关于短路电极和连接电极的宽度和厚度，只要是至少在切割线的宽度和厚度以上就可以。
再者，作为除去连接电极191、192、193的全部或一部分的方法，除了干法刻蚀外，可使用湿法刻蚀。这些干法刻蚀或湿法刻蚀能以纳米数量级的精度来加工电极，同时不管在压电基片11的哪个位置上都可进行加工。
此外，也可在焊盘增强电极形成和凸点形成之后来进行连接电极191、192、193的全部或一部分的除去。
(第2实施例)
以下使用附图说明本发明的第2实施例。
图5A至图5E是说明本发明的第2实施例中的SAW元件的制造工序的剖面图。再有，对于与图1至图4E的要素相同的要素，附以相同的标号。
本实施例的制造方法与第1实施例的制造方法不同点是，在形成焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207进而在其后形成了凸点21后，除去连接电极191、192、193的全部和短路电极181、182、183、184、185、186的全部。除此以外与第1实施例相同。
即，在本实施例中，图5A至图5B与第1实施例相同，但如图5C中所示，在形成了焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207后，接着形成凸点21。在图6A中示出其平面形状。从图6A和图5C中可知，即使在形成凸点21后，仍按原样留下连接电极191、192、193和短路电极181、182、183、184、185、186。
接着，如图5D中所示，同时除去连接电极191、192、193的全部和短路电极181、182、183、184、185、186的全部。在图6B中示出其平面形状。关于这些除去，可用一般的光刻工艺和刻蚀工艺来进行，但在本实施例中，如后述那样，可采用更简单的方法。
接着，如图5E中所示，如果在切割线12上进行切割，则可得到与第1实施例的SAW元件相同的形状的SAW元件。如果以与第1实施例相同的方式来封装该SAW元件，则可得到SAW器件，但由于该制造工序与第1实施例相同，故省略其说明。
如果进行从焊盘增强电极201、202、203、204、205、206、207的形成到凸点21的形成，则制作了作为SAW元件所必要的电极和图形形状。因此，即使由于在成为IDT电极的金属薄膜、成为焊盘增强电极膜和凸点的金属膜的形成工序中施加的热的缘故在压电基片11上发生了热电效应，由于SAW元件的全部的电极导电性地连接到切割线上，故电位也变得均匀。此外，即使因这些图形形成用的光刻工艺和刻蚀工艺中的加热而发生热电效应，电位也同样地变得均匀。因而，不产生因放电等引起的电极的损伤。
以下叙述除去连接电极191、192、193和短路电极181、182、183、184、185、186的全部用的简单的方法。最初，在压电基片11上涂敷光致抗蚀剂，使用规定的光掩摸进行曝光。其后，在对光致抗蚀剂进行显影的情况下，以与由该光致抗蚀剂的厚度等决定的最佳显影时间相比为1.5倍以上的时间进行显影。由此，对光致抗蚀剂进行显影，同时利用该显影液也同时对连接电极191、192、193和短路电极181、182、183、184、185、186进行刻蚀。因而，在与光致抗蚀剂的显影作业的同时，也可进行电极膜的刻蚀。
图7A至图7C是说明同时进行光致抗蚀剂的显影、连接电极和短路电极的刻蚀的方法用的图，是连接图6A中示出的2个焊盘增强电极204、205间的连接电极193附近的剖面图。
图7A是利用光掩摸(未图示)对连接电极193的光致抗蚀剂54进行了曝光的状态的图。光致抗蚀剂54的曝光部分541产生化学变化，在显影液中变得可溶。再有，在感光部分541只是被曝光的情况下，由于是潜像，故用肉眼不能识别，但在图7A中，为了说明的方便起见，将其与其它部分区别开来进行了图示。
在该状态下对光致抗蚀剂54进行显影。其显影液一般是碱性类的显影液，用与最佳显影时间相比为1.5倍以上的时间进行显影。在最佳显影时间中，如图7B中所示，利用显影液溶解光致抗蚀剂54的感光部分541，露出构成基底的连接电极193的金属薄膜。
如果继续浸在显影液中，则在光致抗蚀剂54的感光部分541的下部，构成已露出的连接电极193的金属薄膜因该显影液而被刻蚀。因而，可在相同的显影液中连续地进行光致抗蚀剂54的显影作业和构成连接电极193的金属薄膜的刻蚀作业。再有，由于未感光部分在显影液中不溶解，故即使超过最佳显影时间，也没有特别的问题。在图7C中示出该刻蚀后的状态。
通过进行这样的刻蚀方法，就没有必要在另外的工序中对构成连接电极的金属薄膜进行干法刻蚀或湿法刻蚀，可简化工序。
再有，在该刻蚀方法中，如果是由在SAW元件中使用得最多的Al或Al合金构成的金属薄膜，则在显影时间、即金属薄膜的刻蚀时间方面产生差异，但大体上还是能使用的。此外，该金属薄膜的膜厚越薄，刻蚀作业越容易。因而，作为构成连接电极或短路电极的金属薄膜的膜厚，希望比1μm薄。
再有，在本实施例中，与光致抗蚀剂同时地刻蚀全部连接电极和短路电极，但由于只要呈电开路状态即可，故不一定需要在全部的区域中进行刻蚀。
此外，也可在形成了焊盘增强电极后利用上述的方法一并地进行光致抗蚀剂的显影作业和连接电极和短路电极的刻蚀作业，其后进行凸点形成的工序。此外，在本实施例中，说明了进行到凸点形成为止的例子，但本发明也可不一定包含凸点形成工序。例如，可以是形成了焊盘增强电极的状态，此时与封装体的连接用焊盘电极进行引线键合即可。
此外，在该方法中，可在切割前使短路电极对于切割线呈电开路状态。因而，即使在切割时留下压电基片上的切割线的一部分也没有特别的问题。因此，可降低切割的精度。
再有，在本发明的SAW器件的制造方法中，也可成为在形成焊盘增强电极的工序后刻蚀连接电极的全部或一部分的工序。由此，即使因形成焊盘增强电极时的热在压电基片上发生热电效应，由于可使电荷变得均匀，故在该工序中也可防止IDT电极的损伤。
此外，在本发明的SAW器件的制造方法中，也可成为在形成凸点的工序后刻蚀连接电极的全部或一部分的工序。由此，即使因形成凸点时的热在压电基片上发生热电效应，由于可使电荷变得均匀，故在该工序中也可防止IDT电极的损伤。
再者，在本发明的SAW器件的制造方法中，也可利用湿法刻蚀或干法刻蚀来进行连接电极的全部或一部分的除去。由此，由于即使在压电基片上的哪个位置上都能容易地刻蚀连接电极的全部或一部分，故也可在切割工序前进行刻蚀。再有，作为连接电极的除去加工法，也有激光照射刻蚀或用施加电流引起的熔断等的方法，但由于这些方法中都产生局部的加热而容易发生热电效应，故是不理想的。
此外，在本发明的SAW器件的制造方法中，也可同时刻蚀短路电极和连接电极的全部或一部分。
此外，在本发明的SAW器件的制造方法中，也可使刻蚀短路电极的全部或一部分的工序与刻蚀连接电极的全部或一部分的工序成为相同的工序。由此，由于可使工序的方法成为共同的方法，故可简化工序。
再有，在第1实施例和第2实施例中，说明了由5个IDT电极和在其两侧设置的反射器电极构成的结构，但本发明不限定于此。即，可具有更多的IDT电极，也可以是包含多个上述结构的滤波器结构。

Claims (12)

1.一种声表面波元件，是包含压电基片、在上述压电基片上形成的多个叉指换能器电极、在其两侧配置的反射器电极、从多个上述叉指换能器电极和多个上述反射器电极导引出的多个焊盘电极以及在多个上述焊盘电极上形成的焊盘增强电极的声表面波元件，其构成为：
多个上述焊盘电极具有不与上述声表面波元件的外周区域直接对向的孤立焊盘电极和与上述外周区域直接对向的邻接焊盘电极，
至少残留有连接了上述孤立焊盘电极与上述邻接焊盘电极间的连接电极的一部分。
2.一种声表面波器件，包括以下构成：
具有从底面部贯通侧壁部地设置的布线导体和连接上述布线导体、从侧壁部到外侧的底面部形成的连接端子电极的箱状的基体构件；用于在上述基体构件的周缘部进行连接密封的盖体；和连接在上述基体构件的上述布线导体上的声表面波元件，上述声表面波元件由权利要求1中所述的声表面波元件构成。
3.一种声表面波元件的制造方法，包括以下工序：
形成多个声表面波元件，该声表面波元件包含在压电基片上形成的多个叉指换能器电极、在其两侧配置的反射器电极以及从多个上述叉指换能器电极和多个上述反射器电极导引出的多个焊盘电极，在上述声表面波元件的各个外周部上形成的切割线，连接上述焊盘电极中不能直接连接到上述切割线上的孤立焊盘电极与能直接连接到上述切割线上的邻接焊盘电极的连接电极，和将上述邻接焊盘电极连接到上述切割线上的短路电极；
在上述焊盘电极上形成焊盘增强电极；
除去上述连接电极的至少一部分，使上述孤立焊盘电极和上述邻接焊盘电极呈电开路状态；以及
沿上述切割线切断上述压电基片。
4.如权利要求3中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
还包含在上述焊盘增强电极上形成凸点的工序。
5.如权利要求3中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
沿上述切割线切断上述压电基片的方法由在上述切割线上且以比上述切割线的宽度宽的宽度切割上述压电基片的方法构成。
6.如权利要求3中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
在形成上述焊盘增强电极的工序后，进行除去上述连接电极的至少一部分以使上述孤立焊盘电极和上述邻接焊盘电极间呈电开路状态的工序。
7.如权利要求4中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
在形成上述凸点的工序后，进行除去上述连接电极的至少一部分以使上述孤立焊盘电极和上述邻接焊盘电极呈电开路状态的工序。
8.如权利要求3中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
除去上述连接电极的至少一部分的方法是用湿法刻蚀或干法刻蚀的某一种方法来进行的。
9.如权利要求3中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
构成上述连接电极的金属薄膜在光致抗蚀剂的显影液中是可溶性的，
除去上述连接电极的至少一部分的方法由以下的方法构成：
对在压电基片上已涂敷的光致抗蚀剂进行曝光，将与上述连接电极的至少一部分相对的上述光致抗蚀剂取为在显影液中是可溶性的；以及
用显影液对上述光致抗蚀剂进行显影，同时用上述显影液刻蚀上述连接电极的至少一部分。
10.如权利要求3中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
在除去上述连接电极的至少一部分的工序中，同时除去上述短路电极的至少一部分，使上述邻接焊盘电极和上述切割线电开路。
11.如权利要求3中所述的声表面波元件的制造方法，其中，
除去上述短路电极的至少一部分以便使上述邻接焊盘电极和上述切割线电开路的方法与除去上述连接电极的至少一部分的方法是相同的。
12.一种声表面波器件的制造方法，包括以下的工序：
在具有从底面部贯通侧壁部地设置的布线导体和连接上述布线导体、从侧壁部到外侧的底面部形成的连接端子电极的箱状的基体构件的上述布线导体上连接声表面波元件；
和将盖体在上述基体构件的周缘部上对准位置后，通过连接构件将上述盖体和上述基体构件固定密封，
上述声表面波元件是由权利要求3中所述的方法制造的。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101034083B (zh) * 2007-03-12 2011-01-26 清华大学 声表面波气体传感器的制造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8896397B2 (en) * 2003-04-16 2014-11-25 Intellectual Ventures Fund 77 Llc Surface acoustic wave device and method of adjusting LC component of surface acoustic wave device
JP4381714B2 (ja) * 2003-04-16 2009-12-09 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 表面弾性波デバイス、表面弾性波装置、及び表面弾性波デバイスの製造方法
JP2006060565A (ja) 2004-08-20 2006-03-02 Alps Electric Co Ltd Ｓａｗフィルタ、及びその製造方法
JP2006287881A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波ディバイスの製造方法
JP2007166461A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Epson Toyocom Corp 弾性表面波素子、及びこれを用いた弾性表面波デバイス
US8143681B2 (en) * 2006-04-20 2012-03-27 The George Washington University Saw devices, processes for making them, and methods of use
US20100007444A1 (en) * 2006-04-20 2010-01-14 Anis Nurashikin Nordin GHz Surface Acoustic Resonators in RF-CMOS
US20090124513A1 (en) * 2007-04-20 2009-05-14 Patricia Berg Multiplex Biosensor
US8018010B2 (en) * 2007-04-20 2011-09-13 The George Washington University Circular surface acoustic wave (SAW) devices, processes for making them, and methods of use
US8960004B2 (en) 2010-09-29 2015-02-24 The George Washington University Synchronous one-pole surface acoustic wave resonator

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03293808A (ja) * 1990-04-11 1991-12-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JPH0426211A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
US5701645A (en) * 1994-04-06 1997-12-30 Motorola, Inc. Acoustic wave device manufacturing method
JP2000013165A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Toshiba Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
JP4203152B2 (ja) 1998-09-11 2008-12-24 株式会社日立メディアエレクトロニクス 弾性表面波装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101034083B (zh) * 2007-03-12 2011-01-26 清华大学 声表面波气体传感器的制造方法

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