发明内容
本发明正是基于上述问题而提出的,其第一目的在于,提供一种用来以晶片的状态对在作为检查对象的晶片上形成的各个集成电路进行电气检查的各向异性导电性连接器及其制造方法,通过这种各向异性导电性连接器,即使晶片具有诸如直径大于8英寸的大面积,且形成的集成电路中的被检查电极之间的间距较小,也可以很容易地对晶片进行定位、固定和安装,并且,对于所有连接用导电部分可以保证实现良好的导电性,并保证在相邻的导电部分之间实现绝缘性。
除了上述目的,本发明的第二目的在于,提供即使在诸如温度变化而产生热作用的环境变化的情况下也可以保持良好的电气连接状态的各向异性导电性连接器。
本发明的第三目的在于提供探针构件,当电路装置中被检查电极的间距较小时,通过该探针构件,可以很容易地对作为检查对象的电路装置进行定位、固定和安装,并且,该探针构件与各被检查电极的连接具有较高的可靠性。
因此,根据本发明的各向异性导电性连接器用来以晶片的状态对在晶片上形成的各个集成电路进行电气连接,它包含:
框板和多个弹性各向异性导电膜,在该框板中,与电极区域相对应形成分别沿厚度方向延伸的多个各向异性导电膜配置用孔,在该电极区域中,已形成了作为检查对象的晶片上的集成电路的被检查电极,而该弹性各向异性导电膜配置于该框板中的各个各向异性导电膜配置用孔中并且由用于配置各向异性导电膜的周边部分支撑,
每个弹性各向异性导电膜包含功能部分和被支撑部分,该功能部分包含多个连接用导电部分和绝缘部分,每个连接用导电部分包含高密度的表现出磁性的导电性粒子,它沿膜的厚度方向延伸并与作为检查晶片中的集成电路的被检查电极相对应而配置,该绝缘部分使这些连接用导电部分相互绝缘,并且,该被支撑部分在功能部分的周缘上一体化连接形成并固定于该框板中的各向异性导电膜配置用孔的周边部分上,且该被支撑部分包含表面出磁性的导电性粒子。
在本发明的各向异性导电性连接器中,框板优选至少在其各向异性导电膜配置用孔的内周缘具有0.1Wb/m2以上的饱和磁化。
在这种各向异性导电性连接器中,可以通过饱和磁化0.1Wb/m2以上的磁性物质形成整个框板。
本发明中所用的术语“饱和磁化”是在20℃的环境下测定的。
另外,在本发明的各向异性导电性连接器中,优选在框板中形成沿框板的厚度方向延伸的各个定位孔。
另外,在本发明的各向异性导电性连接器中,优选在框板中形成沿框板的厚度方向延伸的各个空气流通孔。
另外,在本发明的各向异性导电性连接器中,框板的线性热膨胀系数优选为3×10-5/K以下。
这种各向异性导电性连接器可以适用于预烧试验中。
另外,在本发明的各向异性导电性连接器中,除了连接用导电部分以外,优选在各个弹性各向异性导电膜的功能部分中形成用于沿厚度方向延伸的非连接用导电部分,该非连接用导电部分不与作为检查对象的晶片中的集成电路的任何被检查电极电极电气连接,并且,非连接用导电部分包含表现出高密度的表现出磁性的导电性粒子,并通过绝缘部分与连接用导电部分相互绝缘。
根据本发明,还提供上述各向异性导电性连接器的制造方法,其包含下列步骤:
准备框板,在该框板中,与电极区域相对应形成分别沿厚度方向延伸的多个各向异性导电膜配置用孔,在该电极区域中,已形成了作为检查对象的在晶片上的集成电路的被检查电极;
在框板的各个各向异性导电膜配置用孔中及其周边部分中形成弹性各向异性导电膜用的成形材料层,在该成形材料层中,表现出磁性的导电性粒子分散于通过硬化处理可变为弹性高分子物质的液态高分子形成材料中;以及
在变为连接用导电部分和变成被支撑部分的部分中对成形材料层施加高强度的磁场,由此将成形材料层中的导电性粒子聚集在变为连接用导电部分的部分中,并使得至少存在于成形材料层中变为被支撑部分的部分中的导电性粒子保留在这些部分中,并且使导电性粒子沿厚度方向取向,并且,在这种状态下,对成形材料层进行硬化处理,以形成弹性各向异性导电膜。
在各向异性导电性连接器的这种制造方法中,可以优选通过下述方法在框板的各个各向异性导电膜配置用孔及其周边部分中形成成形材料层;
准备包含上模和下模的模具,在该上模和下模上,根据待形成的弹性各向异性导电膜中的连接用导电部分的图案所对应的图案形成了铁磁性物质,
通过丝网印刷,用表现出磁性的导电性粒子分散于液态高分子形成材料中的成形材料对模具的上模和下模中的一个或两个成形表面进行涂敷,其中,液态高分子形成材料通过硬化处理可变为弹性高分子物质;以及
通过框板使上模和下模相互重叠配置。
根据本发明,进一步提供上述各向异性导电性连接器的制造方法,其包括下列步骤:
准备框板,在该框板中,与电极区域相对应形成了沿框板的厚度方向延伸的多个各向异性导电膜配置用孔,在该电极区域中,已形成了作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极;
配置隔板,在该隔板中,在框板的一个面或两个表面上与所述弹性各向异性导电膜相对应形成沿框板的厚度方向延伸且形状与待形成的各个弹性各向异性导电膜的平面形状相适应的通孔;并在框板的各向异性导电膜配置用孔和隔板的通孔中形成弹性各向异性导电膜用的成形材料层,在该成形材料中,表现出磁性的导电性粒子分散于通过硬化处理可变为弹性高分子物质的液态高分子形成材料中;以及
在变为连接用导电部分和变成被支撑部分的部分上对成形材料层施加高强度的磁场,由此在变为连接用导电部分的部分上的成形材料层中聚集导电性粒子,并使得至少存在于成形材料层中的变为被支撑部分的部分中的导电性粒子保留在这些部分中,并且使导电性粒子沿厚度方向取向,并且,在这种状态中,对成形材料层进行硬化处理以形成弹性各向异性导电膜。
在各向异性导电性连接器的这种制造方法中,优选通过下述方法在框板的各个各向异性导电膜配置用孔以及隔板的通孔中形成成形材料层:
准备包含上模和下模的模具,在该上模和下模上,已根据待形成的弹性各向异性导电膜中的连接用导电部分的图案所对应的图案分别形成了铁磁性物质;
通过丝网印刷,用表现出磁性的导电性粒子分散于液态高分子形成材料中的成形材料对模具的上模和下模中的一个或两个的成形表面进行涂敷,其中,液态高分子形成材料将通过硬化处理可变为弹性高分子物质;以及
通过框板和配置于框板的一个表面或两个表面上的隔板使上模和下模相互重叠配置。
根据本发明,还进一步提供具有非连接用导电部分的上述各向异性导电性连接器的制造方法,其包含下列步骤:
准备框板,在该框板中,与电极区域相对应形成了沿框板的厚度方向延伸的多个各向异性导电膜配置用孔,在该电极区域中,已形成了作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极;
在框板的各个各向异性导电膜配置用孔及其周边部分形成弹性各向异性导电膜用的成形材料层,在该成形材料层中,表现出磁性的导电性粒子分散于通过硬化处理可变为弹性高分子物质的液态高分子形成材料中;以及
在变为连接用导电部分、非连接用导电部分和被支撑部分的部分上对成形材料层施加高强度的磁场,由此在变为连接用导电部分和非连接用导电部分的部分上的成形材料层中聚集导电性粒子,并使得至少存在于成形材料层中的变为被支撑部分的部分中的导电性粒子保留在这些部分中,并使导电性粒子沿厚度方向取向,并且,在这种状态中,对成形材料层进行硬化处理以形成弹性各向异性导电膜。
在各向异性导电性连接器的这种制造方法中,优选通过下述方法在框板的各个各向异性导电膜配置用孔及其周边部分中形成成形材料层:
准备包含上模和下模的模具,在该上模和下模上,已根据待形成的弹性各向异性导电膜中的连接用导电部分和非连接用导电部分的图案所对应的图案分别形成了铁磁性物质;
通过丝网印刷,用表现出磁性的导电性粒子分散于液态高分子形成材料中的成形材料对模具的上模和下模中的一个或两个成形表面进行涂敷,其中,液态高分子形成材料将通过硬化处理可变为弹性高分子物质;以及
通过框板使上模和下模相互重叠配置。
根据本发明,还进一步提供具有非连接用导电部分的上述各向异性导电性连接器的制造方法,其包含下列步骤:
准备框板,在该框板中,与电极区域相对应形成了沿框板的厚度方向延伸的多个各向异性导电膜配置用孔,在该电极区域中,已形成了作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极;
配置隔板,在该隔板中,在框板的一个面或两个表面上与所述弹性各向异性导电膜相对应形成沿框板的厚度方向延伸且形状与待形成的各个弹性各向异性导电膜的平面形状相适应的通孔;并在框板的各向异性导电膜配置用孔和隔板的通孔中形成弹性各向异性导电膜用的成形材料层,在该成形材料中,表现出磁性的导电性粒子分散于通过硬化处理可变为弹性高分子物质的液态高分子形成材料中;以及
在变为连接用导电部分、非连接用导电部分和变成被支撑部分的部分上对成形材料层施加高强度的磁场,由此在变为连接用导电部分和非连接用导电的部分上的成形材料层中聚集导电性粒子,并使得至少存在于成形材料层中的变为被支撑部分的部分中的导电性粒子保留在这些部分中,并且使导电性粒子沿厚度方向取向,并且,在这种状态中,对成形材料层进行硬化处理,以形成弹性各向异性导电膜。
在各向异性导电性连接器的这种制造方法中,可以优选通过下述方法在框板的各个各向异性导电膜配置用孔以及隔板的通孔中形成成形材料层:
准备包含上模和下模的模具,在该模具上,根据与待形成的弹性各向异性导电膜中的非连接用导电部分的图案相对应的图案形成铁磁性物质;
通过丝网印刷,用表现出磁性的导电性粒子分散于液态高分子形成材料中的成形材料对模具的上模和下模中的一个或两个成形表面进行涂敷,其中,液态高分子形成材料通过硬化处理可变为弹性高分子物质,以及,
通过框板以及配置于框板的一个或两个表面上的隔板使上模和下模相互重叠配置。
根据本发明,还进一步提供探针构件,该探针构件用于以晶片的状态对形成于晶片上的各个集成电路进行电气检查,该探针构件包含:
检查用电路板,在该电路板的表面上,根据作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极的图案所对应的图案形成检查电极;以及在检查用电路板的表面上配置的上述各向异性导电性连接器。
在本发明的探针构件中,框板的线性热膨胀系数优选为3×10-5/K以下,形成检查用电路板的基板材料的线性热膨胀系数优选为3×10-5/K以下。
在本发明的探针构件中,可以在各向异性导电性连接器上配置板状连接器,该板状连接器包含绝缘板和多个电极结构,每个电极结构沿绝缘板的厚度方向延伸并根据被检查电极的图案所对应的图案进行配置。
由于在这样一种状态下通过对成形材料进行硬化处理而获得上述各向异性导电性连接器,在该状态中,通过对成形材料层中的变为被支撑部分的部分施加磁场,使得导电性粒子保留在这些部分中,因而存在于成形材料层中的变为被支撑部分的部分中的导电性粒子,即存在于框板中的各向异性导电膜配置用孔的上面和下面的部分中的导电性粒子不在变为连接用导电部分的部分中聚集,使得可以防止在连接用导电部分中,特别是位于所得到的弹性各向异性导电膜的最外侧的位置上的连接用导电部分中含有过量的导电性粒子。因此,不必降低成形材料层中的导电性粒子的含量,使得对于弹性各向异性导电膜中的所有连接用导电部分都可以保证得到良好的导电性,并且,可以保证在相邻的连接用导电部分之间以及框板和与其相邻的连接用导电部分之间获得满意的绝缘性能。
由于与电极区域相对应形成各框板中各个各向异性导电膜配置用孔,在该电极区域中已形成作为对象的晶片中的集成电路的被检查电极,并且配置于各个各向异性导电膜配置用孔中的弹性各向异性导电膜的面积较小,所以很容易形成单个的弹性各向异性导电膜。另外,对于面积较小的弹性各向异性导电膜,即使它受到热作用,其沿弹性各向异性导电膜的平面方向的热膨胀的绝对量也十分小,通过使用线性热膨胀系数较小的材料形成框板,可以确保限制弹性各向异性导电膜沿平面方向的热膨胀。因此,即使对大面积的晶片进行WLBI试验,也能保证稳定的电气连接状态。
在框板中形成定位孔,从而可以很容易地对作为检查对象的晶片或检查用电路板上进行定位。
在框板中形成空气流通孔,当将减压系统用作将晶片的检查装置中的探针构件进行压紧的装置时,如果室构件中的压力降低,则存在于各向异性导电性连接器和检查用电路板之间的空气通过空气流通孔而排出,从而可以保证各向异性导电性连接器与检查用电路板紧密接触,进而确保实现所需的电气连接。
具体实施方式
下面,对本发明的实施例进行详细说明。
[各向异性导电性连接器]
图1为本发明的各向异性导电性连接器的一个实例的平面图,
图2为图1所示的各向异性导电性连接器的一部分放大后的平面图,
图3为图1所示的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜放大后的平面图,图4为图1所示的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜放大后的断面图。
图1中所示的各向异性导电性连接器用于以晶片的状态对形成于晶片上并具有框板10的各个集成电路进行电气连接,在该框板10中,如图2所示形成沿厚度方向延伸的多个各向异性导电膜配置用孔11(由虚线表示)。该框板10中的各向异性导电膜配置用孔11根据电极区域的图案而形成,在该电极区域中,已形成了作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极。在框板10中的各个各向异性导电膜配置用孔11中配置沿厚度方向具有导电性的弹性各向异性导电膜20,并使得其被框板10的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分支撑,并与相邻的各向异性导电膜20保持相互独立。另外,在本实施例的框板10中形成于空气流通孔15,当在后面所述的晶片检查装置中使用减压系统的加压装置时,它可使空气在各向异性导电性连接器和与其相邻的构件之间流通。另外,形成用于对作为检查对象的晶片和检查用电路板进行定位的定位孔16。
如图3所示,由弹性高分子物质组成的各个弹性各向异性导电膜20的基板材料具有包含多个连接用导电部分22和绝缘部分23的功能部分21,该连接用导电部分22沿膜的厚度方向(与图3中的纸面垂直的方向)延伸,而该绝缘部分23分别沿连接用导电部分22的周围形成并使这些连接用导电部分22相互绝缘。在配置功能部分21时,使得其位于框板10中的各向异性导电膜配置用孔11的位置。根据作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极的图案所对应的图案配置功能部分21中的连接用导电部分22,并使其在对该晶片进行检查时与被检查电极电气连接。
在功能部分21的外缘与该功能部分21一体化连续形成被支撑部分25,并通过框板10中的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分对该被支撑部分25进行固定和支撑。更具体而言,本实施例中的被支撑部分25形成两股状并以紧密接触的状态被固定和支撑,使得其可以紧紧夹住框板10中的各向异性导电膜配置用孔11。
如图4所示,在弹性各向异性导电膜20的功能部分21中的连接用导电部分22中,包含高密度的表现出磁性的导电性粒子P,该导电性粒子P呈现出取向的状态从而沿厚度方向排列。另一方面,绝缘部分23完全不含或基本不含导电性粒子P。弹性各向异性导电膜20中的被支撑部分25包含导电性粒子P。
在图示的例子中,在弹性各向异性导电膜20中的功能部分21的两面上形成从连接用导电部分22及其周边部分的位置外面的表面上凸出的凸出部分24。
框板10的厚度可根据其材料而有不同,但优选为20-600微米,更优选为40-400微米。
如果该厚度小于20微米,那么在使用所得到的各向异性导电性连接器时不能得到所需的强度,并且各向异性导电性连接器的耐久性趋于变低。另外,如果保持框板的形状的刚度不够,各向异性导电性连接器的操作性能就会变低。另一方面,如果该厚度超过600微米,在各向异性导电膜配置用孔11中形成的弹性各向异性导电膜20就会变得太厚,在一些情况下可能难于在连接用导电部分22中实现良好的导电性,以及难于在相邻的连接用导电部分22之间实现良好的绝缘性。
根据作为检查对象的晶片中的被检查电极的尺寸、间距和图案对框板10中的各向异性导电膜配置用孔11的形状和尺寸进行设计。
除了要求一定的刚度以使所得到的框板10不易变形并可稳定地保持其形状外,对于形成框板10的材料没有特别的限定,例如,可以使用诸如金属材料、陶瓷材料和树脂材料的各种材料。例如,当通过金属材料形成框板10时,可在框板10的表面上形成绝缘性涂层膜。
用于形成框板10的金属材料的具体例诸如:铁、铜、镍、铬、钴、镁、锰、钼、铟、铅、钯、钛、钨、铝、金、铂和银等金属、或其两种以上组合的合金或合金钢。
形成框板10的树脂材料的具体例包含液晶聚合物和聚酰亚胺树脂。
因为通过下面所述的方法,可以很容易使导电性粒子P包含于弹性各向异性导电膜20中的被支撑部分25中,所以,框板10至少在其各向异性导电膜配置用孔的周边部分即支撑弹性各向异性导电膜20的部分上优选表现出磁性。具体而言,这些部分可以优选具有0.1Wb/m2以上的饱和磁化。特别地,从框板10易于制造上看,优选由磁性物质形成整个框板10。
形成这种框板10的磁性物质的具体例包含铁、镍、钴、或这些磁性金属的合金,或这些磁性金属与任意其它金属的合金或合金钢。
当在WLBI试验中使用各向异性导电性连接器时,用于形成框板10的材料的线性热膨胀系数优选为3×10-5/K以下,更优选为-1×10-7~1×10-5/K,最优选为1×10-6~8×10-6/K。
这种材料的具体例包含包含磁性金属的合金或合金钢,诸如:因瓦(Invar)等的因瓦型合金、铁镍铬恒弹性钢(Elinvar)等的铁镍铬合金、超因瓦合金、柯伐(Covar)合金以及42合金等。
弹性各向异性导电膜20的整体厚度(图示的实例中的连接用导电部分22的厚度)优选为50-3000微米,更优选为70-2500微米,最优选为100-2000微米。当该厚度大于50微米时,可以保证提供具有足够强度的弹性各向异性导电膜20。另一方面,当该厚度小于3000微米时,可以保证提供具有所需的导电性能的连接用导电部分22。
各凸出部分24的整个凸出高度优选为凸出部分24的至少10%,更加优选至少20%。形成具有这种凸出高度的凸出部分24,可通过较小的压力将连接用导电部分22充分压缩,从而可以保证实现良好的导电性。
凸出部分24的凸出高度优选为凸出部分24的最小宽度或直径的100%以下,更优选为70%以下。形成具有这种凸出高度的凸出部分24,使得凸出部分在受到压力时不会被压弯,从而可以保证实现良好的导电性。
被支撑部分25的厚度(图示的实例中的两部分的其中之一的厚度)优选为5-600微米,更优选为10-500微米,最优选为20-400微米。
必须以两股状形成被支撑部分25,并且仅可将它固定于框板10的一个表面上。
形成各向异性导电膜20的弹性高分子物质优选为具有交联结构的耐热性高分子物质。对于可得到这种交联高分子物质的可硬化的高分子物质形成材料,可以使用各种材料。其具体例包含硅橡胶、聚丁二烯橡胶、天然橡胶、聚异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯共聚物橡胶和丙烯腈-丁二烯共聚物橡胶等的共轭二烯橡胶及它们的氢化产物;诸如苯乙烯-丁二烯-二烯块状共聚物橡胶和苯乙烯-异戊二烯块状共聚物等的嵌段共聚物橡胶及它们的氢化产物;以及氯丁二烯橡胶,尿烷橡胶、聚脂橡胶、环氧氯丙烷橡胶、乙烯-丙烯共聚物橡胶、乙烯-丙烯-二烯共聚物橡胶以及软质液态环氧树脂橡胶等。
在这些材料中,出于成形加工性以及电气特性的考虑,优选硅橡胶。
作为硅橡胶,优选由液态硅橡胶交联或缩合获得。液态硅橡胶在10-1秒的剪切速率的条件下测量得到的粘度优选为105泊以下,并且其可以为缩合型、添加型和具有乙烯基或羟基的硅橡胶中的任意一种。其具体例可举出二甲基硅酮生橡胶、甲基乙基硅酮生橡胶和甲基苯基乙基硅酮生橡胶等。
对于这些材料,通常通过下述方法得到包含乙烯基的液态硅酮橡胶(包含乙烯基的二甲基聚硅氧烷):在存在二甲基乙基氯硅烷和二甲基乙基烷氧基硅烷的情况下对二甲基二氯甲硅烷或二甲基二烃基硅烷进行水解或缩合反应,然后通过反复分解-沉淀等的方法对反应产物进行分馏。
通过下述方法得到在其两端具有乙烯基的液态硅酮橡胶:使用二甲基二乙基硅氧烷等作为聚合终止剂并适当地选择其它反应条件(例如环硅氧烷的量和聚合终止剂的量),在有催化剂的情况下对八甲基环四硅氧烷等的环硅氧烷进行负阴离子聚合。作为负阴离子聚合的催化剂,可以使用诸如四甲基铵的氢氧化物、n型丁基磷的氢氧化物等的碱或其硅醇盐溶液。在诸如80-130℃的温度下进行该反应。
这种包含乙烯基的二甲基聚硅氧烷的分子量Mw(由标准聚苯乙烯换算的重量平均分子量,以下同)优选为10000-40000,并且,出于对所得到的弹性各向异性导电膜20的耐热性的考虑,其分子量分布指数(由标准聚苯乙烯换算的重量平均分子量Mw与由标准聚苯乙烯换算的数量平均分子量Mn之间的比值Mw/Mn;以下同)优选为小于2。
另一方面,通常用下述方法得到包含羟基的液态硅酮橡胶(包含羟基的二甲基聚硅氧烷):在存在二甲基乙基氯硅烷和二甲基乙基烷氧基硅烷的情况下对二甲基二氯甲硅烷或二甲基二烃基硅烷进行水解或缩合,然后通过反复分解-沉淀等的方法对反应产物进行分馏。
还可通过下述方法得到含有羟基的液态硅酮橡胶:使用二甲基氢化氯硅烷、甲基二氢化氯硅烷或二甲基氢化烷氧基硅烷等作为聚合终止剂,并适当地选择其它反应条件(例如环硅氧烷的量和聚合终止剂的量),在存在催化剂的情况下对八甲基环四硅氧烷等的环硅氧烷进行负阴离子聚合。作为负阴离子聚合的催化剂,可以使用诸如四甲基铵的氢氧化物、n型丁基磷的氢氧化物等的碱或其硅醇盐溶液。在诸如80-130℃的温度下进行该反应。
这种包含羟基的二甲基聚硅氧烷的分子量Mw优选为10000-40000,并且,出于对所得到的弹性各向异性导电膜20的耐热性的考虑,其分子量分布指数优选为小于2。
在本发明中,可以使用上述包含乙烯基的二甲基聚硅氧烷和包含羟基的二甲基聚硅氧烷中的一种,或者对两者进行组合使用。
可以在高分子物质形成材料中包含用于对高分子物质形成材料进行硬化的硬化催化剂。对于这种硬化催化剂,可以使用有机过氧化物、脂肪酸偶氮基化合物、氢化硅烷化催化剂等。
用作硬化催化剂的有机过氧化物的具体例可举出:过氧化二苯、重二环苯甲酰基(bisdicyclobenzoyl)过氧化物、二枯基(dicumyl)过氧化物和二-三-丁基(di-tert-butyl)过氧化物等。
用作硬化催化剂的脂肪酸偶氮基化合物的具体例可举出偶氮双异丁腈(azobisisobutyronitrile)等。
用作氢化硅烷化反应的催化剂的具体例,可举出许多公知的催化剂,诸如:氯铂酸及氯铂酸盐、含有铂-不饱和基的硅氧烷络合物、乙烯基硅-铂络合物、铂-1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物、三有机磷或亚磷酸盐与铂的络合物、乙酰基醋酸铂螯合物,以及环二烯-铂络合物。
根据高分子物质形成物质的种类、硬化催化剂的种类以及其它硬化处理条件适当选择所用的硬化催化剂的量。但是,该量通常为高分子物质形成材料的3-15wt%。
对于各个弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部分22和被支撑部分25中的导电性粒子P,优选使用那些表现出磁性的物质,这是因为,这种导电性粒子P易于在下述方法用于形成弹性各向异性导电膜20的成形材料中移动。表现出磁性的这种导电性粒子P的具体例包含:诸如铁、镍和钴等表现出磁性的金属的粒子与或其合金的粒子;或包含这些金属的粒子;或用这些粒子作为芯粒子并在该芯粒子的表面镀金、银、钯或铑等具有良好导电性的金属而得到的粒子;或使用玻璃珠等无机物质粒子或聚合物粒子作为芯粒子并在该芯粒子的表面镀镍或钴的导电性磁性物质得到的粒子;或用导电性磁性物质和具有良好导电性的金属这两者对芯粒子进行涂敷而得到的粒子。
在这些物质中,优选使用以镍粒子作为芯粒子并用金或银等具有良好导电性的金属对其表面进行涂敷而得到的粒子。
对于用导电性金属在粒子的表面进行涂敷的手段没有特别限制。但可以使用例如,化学镀(无电解镀)的方法进行涂敷。
为了实现良好的导电性,当将用导电性金属对芯粒子的表面进行涂敷而得到的粒子用作导电性粒子P时,导电性金属在粒子表面的涂敷率(导电性金属的涂敷面积与芯粒子的表面积之比)优选为40%以上,更加优选为45%以上,最优选为47-95%。
另外,导电性金属的涂敷量优选为芯粒子的2.5-50wt%,更优选为芯粒子的3-45wt%,特别优选为芯粒子的3.5-40wt%,最优选为芯粒子的5-30wt%。
另外,导电性粒子P的粒径优选为1-500微米,更优选为2-400微米,特别优选为5-300微米,最优选为10-150微米。
另外,导电性粒子P的粒径分布(Dw/Dn)优选为1-10,更优选为1-7,特别优选为1-5,最优选为1-4。
当使用满足这些条件的导电性粒子P时,所得到的弹性各向异性导电膜20在压力条件下容易变形,另外,在弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部分22中的导电性粒子P之间可以实现充分的电气接触。
对于导电性粒子P的形状没有特别的限定。但是为了使其易于在高分子物质形成材料中分散,其形状优选为球状、星形状或这些粒子聚集后的二次粒子的块状。
导电性粒子P中的含水率优选5%以下,更优选为3%以下,特别优选为2%以下,最优选1%以下。如果使用满足这些条件的导电性粒子P,在制造过程中对成形材料层进行硬化处理时就可以防止或抑制成形材料层内气泡的产生,这将下面进行说明。
可以使用诸如硅烷耦合剂等的耦合剂对导电性粒子P的表面进行适当的处理。使用耦合剂对导电性粒子P的表面进行处理,可以提高该导电性粒子P与弹性高分子物质之间的粘着性,使得所得到的弹性各向异性导电膜20在反复使用时的耐久性提高。
可以在不影响导电性粒子P的导电性的范围内适当选择耦合剂的用量。但是,该用量优选为耦合剂在导电性粒子P表面上的涂敷率(导电性金属的涂敷面积对芯粒子的表面积之比)大于5%,更优选为7-100%,特别优选为10-100%,最优选为20-100%。
在功能部分21中的连接用导电部分22中的导电性粒子P的含量比例优选为10-60体积%,更优选为15-50体积%。如果该比例小于10%,可能不会得到电阻值足够小的连接用导电部分22。另一方面,如果该比例超过60%,所得到的连接用导电部分22易于变脆,使得不能实现接连用导电部分22所需的弹性。
被支撑部分25中的导电性粒子P的含量比例,随用于形成弹性各向异性导电膜20的成形材料中的导电性粒子的含有比例而改变。但是其优选等于或大于成形材料中的导电性粒子的含量比例,因为这样可以确保防止弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部分22中位于最外侧的连接用导电部分22中含有过量的导电性粒子P。另外,为了得到足够强度的被支撑部分25,其体积百分比优选为30%以下。
如果需要,高分子物质形成材料中可以包含硅石粉、硅胶、气凝胶硅石或矾土等常规无机填充材料。通过包含这些无机填充材料,可以保证触变性能(thixotropic property),并使得其粘度提高,也使导电性粒子P的分散稳定性提高,并使得通过硬化处理得到的弹性各向异性导电膜20的强度提高。
对于这种无机填充材料的用量不做特别限定。但是,由于用量过高会抑制通过磁场产生的导电性粒子P的移动,所以用量过大不优选,这将在后面进行说明。
例如,可以通过下述方法制造上述各向异性导电性连接器。
首先,制作由磁性金属构成的框板10,在该框板10中,与电极区域的图案相对应已形成了各向异性导电膜配置用孔11,该电极区域已形成了作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极。例如,可以使用蚀刻方法等形成框板10的各向异性导电膜配置用孔11。
然后,制备弹性各向异性导电膜形成用的成形材料,在该成形材料中,表现出磁性的导电性粒子分散于通过硬化处理可变成弹性高分子物质的高分子物质形成材料中。如图5所示,设置弹性各向异性导电膜成形用的模具60,并根据规定的图案,即所要形成的弹性各向异性导电性膜的配置图案,在模具60的上模61和下模65的成形表面上涂敷成形材料,由此形成成形材料层20A。
这里对模具60进行具体说明。通过上模和与之相对置的下模65对向配置而构成该模具60。
如图6放大所示,在上模61中,根据与所要成形的弹性各向异性导电膜20的连接用导电部分22的配置图案所对应的图案在基板62的下表面上形成铁磁性物质63,并且在铁磁性物质63以外的其它区域中形成非磁性物质64。通过这些铁磁性物质63和非磁性物质64形成成形表面。在所要成形的弹性各向异性导电膜20中的凸出部分24所对应的上模61的成形表面上形成凹槽64a。
另一方面,在下模65中,根据所要成形的弹性各向异性导电膜20的连接用导电部分22的配置图案所对应的相同图案在基板66的上表面上形成铁磁性物质67,并且在铁磁性物质67以外的其它区域中形成非磁性物质68。通过这些铁磁性物质67和非磁性物质68形成成形表面。在所要成形的弹性各向异性导电膜20中的凸出部分24所应的下模65的成形表面上形成凹槽68a。
优选地,由铁磁性物质分别形成上模61和下模65中的基板62和基板66。该铁磁性物质的具体例包含铁、铁-镍合金、铁-钴合金、镍和钴等的铁磁性金属。基板62、66的厚度优选为0.1-50mm,并优选其表面光滑且经过化学脱脂处理或机械研磨处理。
对于用于形成上模61和下模65中的铁磁性物质63、67的材料,可以使用铁、铁-镍合金、铁-钴合金、镍或钴等的铁磁性金属。铁磁性物质63、67的厚度优选为大于10微米。当该厚度大于10微米时,可以将具有足够强度分布的磁场施加于成形材料层20A中。结果,可以在该成形材料层20A中的成为连接用导电部分22的部分中高密度地聚集导电性粒子,从而可以提供具有良好导电性的连接用导电部分22。
对于用于形成上模61和下模65中的非磁性物质64、68的材料,可以使用铜等非磁性金属和耐热性高分子物质等。但是,优选使用可通过放射线而硬化的高分子物质,因为它可以很容易地通过光刻技术而形成非磁性物质64、68。对于其材料,例如,可以使用诸如丙烯酸型干膜抗蚀剂、环氧型液态抗蚀剂或聚酰亚胺型液态抗蚀剂等的光刻胶。
对于用成形材料对上模61和下模65的成形表面进行涂敷的方法,优先使用丝网印刷方法。根据这种方法,可以很容易地根据所需图案涂敷成形材料,并可以涂敷适量的成形材料。
如图7所示,在已形成了成形材料层20A的下模65的成形表面上,夹着隔板69a定位配置框板10,并且,在框板10上,夹着隔板69b定位配置形成了成形材料层20A的上模61.并如图8所示,把上模和下模相互重叠,由此在上模61和下模65之间形成的所需形状(所要形成的弹性各向异性导电膜20的形状)的成形材料层20A。
如图9所示,导电性粒子P分散于整个成形材料层20A中。
分别在框板10和下模65之间,以及框板10和上模61之间配置隔板69a、69b,以形成所需的弹性各向异性导电膜,并可以防止相邻的弹性各向异性导电膜相互连接,从而确保形成多个相互独立的各向异性导电膜。
然后,在上模61的基板62的上表面以及下模65的基板66的下表面上配置例如,一对电磁体,并使该电磁体动作,由于上模61和下模65分别具有铁磁性物质63、67,所以在上模61的铁磁性物质63与相应的下模65的铁磁性物质67之间以及周边部分形成高强度的磁场。结果,如图10所示,在成形材料层20a中,分散于成形材料层20A中的导电性粒子P在上模61的铁磁性物质63与相应的下模65的铁磁性物质67之间变为连接用导电部分22的部分中发生聚集,并沿成形材料层的厚度方向取向。在上述方法中,由于框板10包含磁性金属,所以在框板10和上模61与下模65之间及其周边部分中形成高强度的磁场,结果,存在于成形材料层20A中的框板10的上方和下方的导电性粒子P不在上模61的铁磁性物质63和下模65的铁磁性物质67之间聚集,而是保持在框板10的上方和下方。
在这种状态中,对成形材料层20A进行硬化处理,由此形成包含功能部分21和被支撑部分25的弹性各向异性导电膜20,使得被支撑部分25被固定于框板10的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分上,在该功能部分21中,通过由其中不含或基本不含导电性粒子P的弹性高分子物质组成的绝缘部分23在相互绝缘的状态下配置弹性高分子物质中包含沿厚度方向排列取向状态的导电性粒子P的多个导电部分22,并且,该被支撑部分25在功能部分21的周边部分上一体化连续形成且其弹性高分子物质中包含导电性粒子P,从而制成各向异性导电性连接器。
在上述方法中,施加于成形材料层20A中变为连接用导电部分22的部分中以及变为被支撑部分25的部分中的外部磁场的强度优选为平均0.1-2.5T。
根据所用材料适当选择成形材料层20A的硬化处理方法。但一般通过加热处理进行该处理。当通过加热对成形材料层20A进行硬化处理时,只须在电磁体中设置加热器即可。根据高分子物质形成材料等、导电性粒子P的移动所需的时间等适当选择特定的加热温度和加热时间。
对于上述各向异性导电性连接器,由于在具有连接用导电部分22的功能部分21的周边部分中形成被支撑部分25,且该被支撑部分25被固定于框板10的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分中,所以该各向异性导电性连接器不易变形并易于操作,因而,在对晶片进行电气连接的操作时可以很容易地在作为检查对象的晶片上进行定位、固定和安装。
在形成各向异性导电膜20的过程中,通过诸如对成形材料层20A中变为被支撑部分25的部分施加磁场,使导电性粒子P保留在这些部分中,在这种状态下,对成形材料层20A进行硬化处理,从而得到各向异性导电性连接器,所以存在于成形材料层20A中的变为被支撑部分25的部分中,即存在于框板10中的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分的上面和下面的部分中的导电性粒子P不在变为连接用导电部分22的部分中聚集,从而可以防止在所得到的弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部分22最外侧的连接用导电部分22中含有过量的导电性粒子P。因此,无须减少成形材料层20A中的导电性粒子P的含量,从而确保弹性各向异性导电膜20的整个连接用导电部分22都具有良好的导电性,并且可以确保实现相邻的导电部分22之间的绝缘性能。
由于与电极区域相对应而形成框板10中的各向异性导电膜配置用孔11,在该电极区域中,已形成了作为检查对象的晶片中的集成电路的被检查电极,并且配置于各个各向异性导电膜配置用孔11中的弹性各向异性导电膜20的面积可以很小,所以易于形成单个的弹性各向异性导电膜20。另外,对于面积较小的弹性各向异性导电膜,即使其受到热作用,沿弹性各向异性导电膜20的平面方向的热膨胀的绝对量也很小,所以,通过使用低线性热膨胀系数的材料形成框板10,可以确保限制弹性各向异性导电膜20沿平面方向的热膨胀。因此,即使对面积较大的晶片进行WLBI试验,也能稳定地保证良好的电气连接状态。
由于在框板10中形成定位孔16,从而可以很容易地对作为检查对象的晶片或检查用电路板进行定位。
由于在框板10中形成空气流通孔10,当使用减压系统作为将后面所述的晶片检查装置中的探针构件进行压紧的装置时,如果室构件中的压力降低,那么存在于各向异性导电性连接器和检查用电路板之间的空气通过空气流通孔15而排出,从而可以保证各向异性导电性连接器与检查用电路板紧密接触,进而确保实现所需的电气连接。
[晶片检查装置]
图11为断面图,用于说明使用本发明的各向异性导电性连接器的晶片检查装置的一个实例的结构。该检查装置用于以晶片的状态对形成于晶片上的各个集成电路进行电气检查。
图11所示的晶片检查装置具有探针构件1,该探针构件用于将作为检查对象的晶片6的各个被检查电极7与检验器电气连接。如图12的放大图所示,探针构件1具有检查用电路板30,在该电路板的表面(图11中的下表面)上,已根据作为检查对象的晶片的被检查电极7的图案所对应的图案形成了多个检查电极31。在检查用电路板30的表面上具有图1-4中所示结构的各向异性导电性连接器2,使得连接器的弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部分22分别与检查用电路板30的检查电极31相对并接触。各向异性导电性连接器2的表面(图11中的下表面)具有板状连接器40,在该板状连接器40中,已根据作为检查对象的晶片6的被检查电极7的图案所对应的图案在绝缘板41中配置了多个电极结构42,使得电极结构42分别与各向异性导电性连接器2的弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部分22相对并接触。
在探针构件1中的检查用电路板30的内面(图11中的上表面)上具有用于对探针构件1向下加压的加压板3。在探针构件1的下面设置其上安装有作为检查对象的晶片6的晶片载置台4。加热器5分别与加压板3和晶片载置台4相连。
对于形成检查用电路板30的基板材料,可以使用各种公知的基板材料。其具体例包含诸如玻璃纤维增强的环氧树脂、玻璃纤维增强的酚醛树脂、玻璃纤维增强的聚酰亚胺树脂以及玻璃纤维增强的双顺二烯二酰亚胺双氮杂苯(bismaleimidotriazine)树脂等的复合树脂材料和玻璃、诸如二氧化硅和氧化铝等的陶瓷材料。
当制造WLBI试验中的晶片检查装置时,用作基板材料的材料的线性热膨胀系数优选3×10-5/K以下,更加优选为1×10-7-1×10-5/K,最优选为1×10-6-6×10-6/K。
这种基板材料的具体例包含:派累克斯玻璃(Pyrex glass)、石英玻璃、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化铝和氮化硼。
下面对探针构件1中的板状连接器40进行具体说明。板状连接器40具有柔性绝缘板41,并且在该绝缘板41中,根据作为检查对象的晶片的被检查电极7的图案所对应的图案沿绝缘板41的平面方向相互间以一定的间隔配置沿绝缘板41的厚度方向延伸的金属形成的多个电极结构42。
通过沿绝缘板41的厚度方向延伸的短路部分45,使从绝缘板41的表面(图12中的下表面)露出的突起状表面电极部分43与从绝缘板41的内面露出的板状内面电极部分44相互一体化连接,从而形成各个电极结构42。
除了要求具有绝缘性和柔性,对绝缘板41不另作特别限定。例如,它可以使用由聚酰亚胺树脂、液晶聚合物、聚酯、氟树脂等形成的树脂板或由上述树脂对由纤维编织的布进行浸渍而得到的板。
除了要求能保证该绝缘板41是柔性的,对绝缘板41的厚度不作特别限定。但是,其厚度优选为10-50微米,更加优选为10-25微米。
对于形成电极结构42的金属,可以使用镍、铜、金、银、钯、铁等。电极结构42在整体上可以由单一金属形成,也可以由两种以上的金属的合金或两种以上的金属的叠层形成。
优选在电极结构42中的表面电极部分43和内面电极部分44的表面上形成诸如金、银或钯等的导电性高且化学稳定的金属的膜,以防止电极部分的氧化,并得到接触电阻较小的电极部分。
电极结构42中的表面电极部分43的凸出高度优选为15-50微米,更加优选为15-30微米,使得其与晶片6的被检查电极7之间可以实现稳定的电极连接。根据晶片6的被检查电极的尺寸和间距对表面电极部分43的直径进行设定,例如该直径为30-80微米,优选为30-50微米。
电极结构42中的内面电极部分44的直径可以大于短路部分45的直径并小于电极结构42的配置间距,并且优选尽可能大,由此确保实现与各向异性导电膜20中的连接用导电部分22之间稳定的电气连接。内面部分44的厚度优选为20-50微米,更加优选为30-50微米,以使得其强度足够高,并实现优良的对于反复操作的耐久性。
电极结构42中的短路部分45的直径优选为30-80微米,更加优选为30-50微米,以实现足够高的强度。
例如,可以用下述方法制造板状连接器40。
提供在绝缘板41上对金属层进行层叠而得到的叠层材料,并通过激光加工、干蚀加工等根据所形成的电极结构的图案所对应的图案在叠层材料的绝缘板41中形成沿绝缘板41的厚度方向延伸的多个通孔。然后,对该叠层材料进行光刻处理和镀层处理,从而在绝缘板41中的通孔中形成整体与金属层相连的短路部分45,同时,在绝缘板41的表面上形成整体与各自的短路部分45相连的突出状表面电极部分43。然后,对叠层材料的金属层进行光刻处理以去除其一部分,由此形成用于形成电极结构42的内面电极部分44,从而得到板状连接器40。
在这种电气检查装置中,在晶片载置台4上安装作为检查对象的晶片6,然后通过加压板3对探针构件1向下加压,从而使得电极结构42中的表面电极部分43分别与晶片6的相应被检查电极7接触,并且通过表面电极部分43进一步对晶片6的各个被检查电极7进行加压。在这种状态下,通过检查用电路板30的检查电极31以及板状连接器40的电极结构42中的表面电极部分43固定压紧并沿弹性各向异性导电膜20的厚度方向压缩各向异性导电性连接器2的弹性各向异性导电膜20中的各个连接用导电部分22,从而在各个连接用导电部分22上沿其厚度方向形成导电通路。这样就实现了晶片6的被检查电极7与检查用电路板30的检查电极31之间的电气连接。然后,通过晶片载置台4和加压板3由加热器5以规定的温度对晶片6进行加热。在这种状态下,对晶片6中的各个集成电路进行所需的电气检查。
根据这种晶片检查装置,通过具有上述各向异性导电性连接器2的探针构件1,实现了与作为检查对象的晶片的被检查电极7的电气连接。因而,即使当被检查电极7的间距很小,也可以很容易地对晶片进行定位、固定和安装,并且可以实现与各被检查电极的可靠性连接。
由于各向异性导电膜2中的各个弹性各向异性导电膜20的面积较小,所以即使它受到热作用,其沿弹性各向异性导电膜20的平面方向的热膨胀的绝对量也十分小,通过使用低线性热膨胀系数的材料形成框板10,可以保证限制弹性各向异性导电膜20沿平面方向的热膨胀。因此,即使对面积较大的晶片进行WLBI试验,也能保证稳定的电气连接。
图13为断面图,用于说明使用本发明的各向异性导电性连接器的晶片检查装置的另一个实例的结构。
该晶片检查装置具有在其顶部形成的箱型室构件50,在该室构件50中包含作为检查对象的晶片6。在该室构件50的侧壁中设置用于排出室构件50中的空气的排气管51,并且排气管51与诸如真空泵的排气装置(图中未示出)相连。
在室构件50中配置与如图11所示的晶片检查装置中的探针构件1的结构相同的探针构件1,以气密性地封闭堵塞室构件50的开口。更具体而言,配置与室构件50中的侧壁的上端面紧密接触的弹性O形环55,并且在各向异性导电性连接器2和其板状连接器40相连的状态下,在室构件50中配置探针构件1,并使其检查用电路板30的周边部分与O形环55紧密接触。另外,通过其内面(图13中的上表面)上的加压板3使检查用电路板30收存于室构件5中,并保持向下加压的状态。
加热器5与室构件50和加压板3相连。
在这种晶片检查装置中,通过驱动与室构件50的排气管51相连的排气装置,室构件50中的压力降低到诸如1000Pa以下。结果,探针构件1被大气压力向下加压,使得O形环55产生弹性变形,并使探针构件1向下移动。结果,分别通过板状连接器40的电极结构42中相应的表面电极部分43对晶片6的各个被检查电极7进行加压。在这种状态中,通过检查用电路板30的检查电极31以及板状连接器40的电极结构42中的表面电极部分43分别固定压紧并其厚度方向压缩各向异性导电性连接器2的弹性各向异性导电膜20中的各个连接用导电部分22,从而在各个连接用导电部分22上沿其厚度方向形成导电通路。这样就实现了晶片6的被检查电极7与检查用电路板30的检查电极31之间的电气连接。然后,通过晶片载置台4和加压板3由加热器5以规定的温度对晶片6进行加热。在这种状态下,对晶片6中的各个集成电路进行所需的电气检查。
根据这种晶片检查装置,可以获得与图11所示的晶片检查装置同样的效果。另外,由于不需任何大尺寸的加压机构,所以可以使整个检查装置微型化,并且,即使晶片6为具有直径为诸如大于约8英寸的大面积的晶片,也可以对作为检查对象的整个晶片进行均匀加压。另外,由于在各向异性导电性连接器2中的框板10中形成空气流通孔15,那么当室构件50中的压力降低时,存在于各向异性导电性连接器2与检查用电路板30之间的空气通过各向异性导电性连接器2中的框板10的空气流通孔15而排出,从而可以确保各向异性导电性连接器2与检查用电路板30之间紧密接触,进而确保实现所需的电气连接。
[其它实施例]
本发明不限于上述实施例,对其可做如下所述的各种修改。
(1)在各向异性导电性连接器中,除了连接用导电部分22,还可在弹性各向异性导电膜20中形成不与晶片中的任何被检查电极电气连接的非连接用导电部分。下面对具有其中形成有非连接用导电部分的各向异性导电膜的各向异性导电性连接器进行说明。
图14为本发明另一实施例的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜在放大后的平面图。在该各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜20中,根据被检查电极的图案所对应的图案沿两列配置多个连接用导电部分22,并使其与作为检查对象的晶片中的被检查电极电气连接并沿膜的厚度方向(与图14中的纸面垂直的方向)延伸。这些连接用导电部分22包含高密度的表现出磁性的导电性粒子,该导电性粒子沿厚度方向取向并通过其中完全不含或基本不含导电性粒子的绝缘部分23而相互绝缘。
在沿配置连接用导电部分22的方向上位于最外侧的连接用导电部分22和框板10之间形成不与作为检查对象的晶片中的任意被检查电极相连的非连接用导电部分26,并使该非连接用导电部分26沿厚度方向延伸。该非连接用导电部分26包含高密度的表现出磁性的导电性粒子,该导电性粒子沿厚度方向取向并通过其中完全不含或基本不含导电性粒子的绝缘部分23与连接用导电部分22之间相互绝缘。
在图示的实施例中,在弹性各向异性导电膜20中的功能部分21的两侧,形成从接连用导电部分22及其周边部分所处位置和非连接用导电部分26及其部分所处位置外面的表面上突出的凸出部分24和凸出部分27。
在功能部分21的周缘上,与功能部分21一体化连续形成由框板10中的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分固定支撑的被支撑部分25,并且被支撑部分25包含导电性粒子。
其它构成与图1-4中所示的各向异性导电性连接器的构成基本相同。
图15为本发明又一实施例的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜在放大后的平面图。在该各向异性导电性连接器的弹性各向异性导电膜20中。根据被检查电极的图案所对应的图案沿两列配置多个连接用导电部分22,并使其与作为检查对象的晶片中的被检查电极电气连接并沿膜的厚度方向(与图15中的纸面垂直的方向)延伸。这些连接用导电部分22包含高密度的表现出磁性的导电性粒子,该导电性粒子沿厚度方向取向并通过其中完全不含或基本不含导电性粒子的绝缘部分23而相互绝缘。
以大于其它相邻的连接用导电部分22的间距的间距配置位于这些连接用导电部分22的中心并相互邻近的两个连接用导电部分22。在位于中心并相互邻近的2个连接用导电部分22之间形成不与作为检查对象的晶片中的任意被检查电极相连并沿厚度方向延伸的非连接用导电部分26。非连接用导电部分26包含高密度的表现出磁性的导电性粒子,该导电性粒子沿厚度方向取向并通过其中完全不含或基本不含导电性粒子的绝缘部分23与连接用导电部分22之间相互绝缘。
在图示的实施例中,在弹性各向异性导电膜20中的功能部分21的两侧,形成从接连用导电部分22及其周边部分所处位置和非连接用导电部分26及其周边部分所处位置外面的表面上突出的凸出部分24和凸出部分27。
在功能部分21的周缘上,与功能部分21一体化连续形成由框板10中的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分固定支撑的被支撑部分25,并且被支撑部分25包含导电性粒子。
其特定构成与图1-4中所示的各向异性导电性连接器的构成基本相同。
通过使用包含上模和下模的模具以代替图6中所示的模具,可以以与图1-4中所示的各向异性导电性连接器的制造方法相同的方法制造图14中所示的各向异性导电性连接器和图15中所示的各向异性导电性连接器,在该上模和下模中,根据待形成的弹性各向异性导电膜20的连接用导电部分22和非连接用导电部分26的配置图案所对应的图案形成了铁磁性物质,并在该铁磁性物质以外的位置上形成非磁性物质。
即,根据这种模具,在上模的基板的上表面以及下模的基板的下表面上配置例如一对电磁体,并使该电磁体动作,从而在上模和下模之间形成的成形材料层中,分散于成形材料层中的变为功能部分21的部分中的导电性粒子在变为连接用部分22的部分以及变为非连接用导电部分26的部分中聚集并取向,从而沿成形材料层的厚度方向排列。另一方面,成形材料层中位于框板10的上方和下方的导电性粒子仍然保留在框板10的上方和下方。
在这种状态中,对成形材料层进行硬化处理,由此形成分别包含功能部分21和被支撑部分25的各个弹性各向异性导电膜20,使得被支撑部分25固定于框板10的各个各向异性导电膜配置用孔11的周边部分,在该功能部分21中,通过包含完全不含或基本不含导电性粒子的弹性高分子物质的绝缘部分23在相互绝缘的状态下配置了在弹性高分子物质中包含沿厚度方向取向的导电性粒子的多个连接用导电部分22和非连接用导电部分26,并且该被支撑部分25在功能部分21的周边部分一体化连续形成,且该被支撑部分25中,弹性高分子物质中包含了导电性粒子,从而制成各向异性导电性连接器。
在形成弹性各向异性导电膜20时,通过对成形材料层中变为非连接用导电部分26的部分施加磁场,并在这种状态下对成形材料层进行硬化处理,从而得到图14中所示的各向异性导电性连接器中的非连接用导电部分26。因此,在形成弹性各向异性导电膜20时,可防止变为连接用导电部分22的成形材料层的最外侧的部分中包含过量的导电性粒子。因此,即使待形成的各个弹性各向异性导电膜20具有相对较多的连接用导电部分22,也可确保防止位于弹性各向异性导电膜20中的最外侧的连接用导电部分22中含有过量的导电性粒子。
在形成弹性各向异性导电膜20时,通过对成形材料层中变为非连接用导电部分26的部分施加磁场,并在这种状态下对成形材料层进行硬化处理,从而得到图15中所示的各向异性导电性连接器中的非连接用导电部分26。因此,在形成弹性各向异性导电膜20时,可防止变为在形成材料层中以较大间距配置的两个相邻的变为连接用导电部分22的部分中包含过量的导电性粒子。因此,即使待形成的各个弹性各向异性导电膜20具有以较大间距配置的两个以上的连接用导电部分22,也可能确保防止这些连接用导电部分22中含有过量的导电性粒子。
(2)在各向异性导电性连接器中,弹性各向异性导电膜20中的凸出部分24不是必需的,并且其一个表面或两个表面可以为平面,或可以形成凹槽部分。
(3)可在弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部分22的表面上形成金属层。
(4)在各向异性导电性连接器的制造过程中,当将非磁性物质用作框板10的基板材料时,可以使用下述装置作为对成形材料层20A中的变为被支撑部分25的部分施加磁场的装置,即用磁性物质对框板10中的各向异性导电膜配置用孔11的周边部分进行镀层或用磁性涂料对其涂敷以对其施加磁场的装置,或根据弹性各向异性导电膜20的被支撑部分25在模具60中形成铁磁性物质以对其施加磁场的装置。
(5)在形成成形材料层时,隔板的使用不是必需的,也可以使用其它装置确保上模、下模和框板之间用于形成弹性各向异性导电膜的间距。
(6)在探针构件中,板状连接器40不是必需的,它也可以具有这样一种结构,该结构使得各向异性导电性连接器2中的弹性各向异性导电膜20与作为检查对象的晶片接触,以实现电气连接。
下面,通过下面的实施例对本发明进行详细说明。但是本发明并不仅限于这些实施例。
[试验用晶片的制作]
如图16所示,在由硅(线性热膨胀系数为3.3×10-6/K)制成且直径为8英寸的晶片6上总共形成40个正方形集成电路L,每个集成电路L的尺寸为20mm×20mm。如图17所示,形成于晶片6上的各集成电路L共有被检查电极的19个区域A1-A19。在被检查电极的区域A1-A7以及A9-A19中的每个区域中配置一列在沿垂直方向的间距为120微米的13个被检查矩形电极(未示出),每个被检查矩形电极在垂直方向(图17中的上下方向)上的尺寸为80微米,在侧向(图17的左右方向)上的尺寸为200微米。在被检查电极的区域A8中配置一列在沿垂直方向的间距为120微米的26个被检查电极(未示出),每个被检查电极在垂直方向上的尺寸为80微米,在侧向上的尺寸为200微米。每个集成电路L中的被检查电极的总数为260个,且晶片中被检查电极的总数为10400个。以下将该晶片称为“试验用晶片W”
<实施例1>
(1)框板
根据图18和19所示的结构,在下列条件下制作根据上述试验用晶片W中的被检查电极的区域而形成的直径为8英寸的框板和多个各向异性导电膜配置用孔。
该框板的材料为柯伐合金(饱和磁化:1.4Wb/m2;线性热膨胀系数:5×10-6/K),且其厚度为60微米。
被检查电极的区域A1-A7以及A9-A19所对应的各个各向异性导电膜配置用孔(图19中由B1-B7以及B9-B19表示)在垂直方向(图19中的上下方向)的尺寸为1700微米,在侧向(图19中的左右方向)上的尺寸为600微米,并且被检查电极的区域A8所对应的各向异性导电膜配置用孔(图19中由符号B8表示)在垂直方向的尺寸为3260微米,在侧向上的尺寸为600微米。
矩形空气流通孔的尺寸为1500微米×7500微米。
图19中所示的d1-d10的尺寸如下:d1为2550微米,d2为2400微米,d3为3620微米,d4为2600微米,d5为2867微米,d6为18500微米,d7为250微米,d8为18500微米,d9为1000微米,d10为1000微米。
(2)隔板
在下述条件下,制作弹性各向异性导电膜成形用的2块隔板,每块隔板具有根据试验用晶片W中的被检查电极区域而形成的多个通孔。
这些隔板的材料是厚度为20微米的不锈钢(SUS304)。
与被检查电极的A1-A7以及A9-A19区域对应的各个通孔在垂直方向的尺寸为2500微米,在侧向上的尺寸为1400微米。并且与被检查电极的A8区域对应的通孔在垂直方向的尺寸为4060微米,在侧向上的尺寸为1400微米。相邻的通孔在侧向上的间隔为1800微米,且相邻的通孔在垂直方向的间隔为1500微米。
(3)模具
在下述条件下形成结构如图6所示的弹性各向异性导电膜成形用的模具。
每个模具中的上模和下模具有由铁制成且厚度为6mm的基板。根据试验用晶片W中的被检查电极的图案所对应的图案在该基板上配置由镍形成的铁磁性物质。更具体而言,各铁磁性物质的尺寸为60微米(垂直方向)×200微米(侧向)×100微米(厚度)。配置了一列在沿垂直方向的间距为120微米的13个铁磁性物质的区域(被检查电极的A1-A7以及A9-A19区域对应的区域)的数量为18个,并且,配置了一列在沿垂直方向的间距为120微米的26个铁磁性物质的区域(被检查电极的A8区域对应的区域)的数量为1个。在整个基板中共形成10400个铁磁性物质。
通过对干膜光刻胶进行硬化处理而形成非磁性物质。各凹槽部分的尺寸为70微米(垂直方向)×210微米(侧向)×25微米(深度方向),且凹槽部分以外的其它部分的厚度为75微米(凹槽部分的厚度:50微米)。
(4)弹性各向异性导电膜:
通过使用上述框板、隔板和模具以下述方法在框板中形成弹性各向异性导电膜。
将35重量份的平均粒径为12微米的导电性粒子添加入100重量份的添加型液态硅酮橡胶中并进行混合。然后,通过减压的方法对所得到的混合物进行脱泡处理,由此制成弹性各向异性导电膜成形用的成形材料。在上述方法,通过金涂敷由镍形成的芯粒子而形成导电性粒子(平均涂敷量:芯粒子重量的20重量%)。
通过丝网印刷,将制成的成形材料涂敷于模具的上模和下模的表面上,由此根据待形成的弹性各向异性导电膜的图案形成成形材料层,并通过下模侧的隔板在下模的成形表面上沿直线叠置框板。并且,通过上模侧的隔板在框板上沿直线叠置上模。
当通过电磁体对位于相应铁磁性物质之间的部分施加沿厚度方向的2T的磁场时,在100℃和1小时的条件下,对在上模和下模之间形成的成形材料层进行硬化处理,由此在框板的各向异性导电膜配置用孔中形成弹性各向异性导电膜,从而制成各向异性导电性连接器。以下,将该各向异性导电性连接器称为“各向异性导电性连接器C1”。
下面对这样得到的弹性各向异性导电膜进行详细说明。试验用晶片W中的被检查电极的A1-A7以及A9-A19区域对应的各个弹性各向异性导电膜在垂直方向的尺寸为2500微米,在侧向上的尺寸为1400微米。在各个弹性各向异性导电膜中的功能部分中配置一列在垂直方向的间距为120微米的13个连接用导电部分。各连接用导电部分在垂直方向的尺寸为60微米,在侧向上的尺寸为200微米,且其厚度为150微米。功能部分中的各绝缘部分的厚度为100微米。各个弹性各向异性导电膜中的被支撑部分的厚度(两股部分中其中之一的厚度)为20微米。
另一方向,与试验用晶片W中的被检查电极的区域A8相对应的弹性各向异性导电膜在垂直方向的尺寸为4060微米,在侧向上的尺寸为1400微米。在各个弹性各向异性导电膜的功能部分中配置一列在垂直方向的间距为120微米的26个连接用导电部分。各连接用导电部分在垂直方向的尺寸为60微米,在侧向上的尺寸为200微米,且其厚度为150微米。功能部分中的各绝缘部分的厚度为100微米。各个弹性各向异性导电膜中的被支撑部分的厚度(两股部分中其中之一的厚度)为20微米。
对这样得到的各向异性导电性连接器C1的各个弹性各向异性导电膜中的连接用导电部分中的导电粒粒子的含量比例进行分析。结果表明,其含量约为连接用导电部分的总体积的30%。
对弹性各向异性导电膜的功能部分中的被支撑部分和绝缘部分进行观察。结果表明,被支撑部分中存在导电性粒子,而功能部分中的绝缘部分中基本不存在导电性粒子。
(5)检查用电路板
使用氧化铝陶瓷(线性热膨胀系数:4.8×10-6/K)作为基板材料,以制成检查用电路板,在该检查用电路板中,已根据试验用晶片W中的被检查电极的图案所对应的图案形成了检查电极。该检查用电路板在整体上为矩形,尺寸为30cm×30cm。其各个检查电极在垂直方向的尺寸为60微米,在侧向上的尺寸为200微米。以下,将该检查用电路板称为“检查用电路板T”。
(6)板状连接器
提供通过在由聚酰亚胺形成且厚度为20微米的绝缘板上层叠厚度为15微米的铜层而得到的叠层材料,通过对绝缘板进行激光加工,根据试验用晶片W中的被检查电极的图案所对应的图案在叠层材料的绝缘板中形成10400个通孔,每个通孔沿绝缘板的厚度方向延伸且直径为30微米。然后,对叠层材料进行光刻处理并通过镍进行涂敷处理,由此在绝缘板中的孔通中形成与铜层整体相连的短路部分,同时,在绝缘板的表面上形成与各自的短路部分整体相连的突起状表面电极部分。表面电极部分的直径为40微米,且从绝缘板的表面的高度为20微米。然后,叠层材料的铜层进行光蚀刻处理,以去除其一部分,由此形成尺寸为70微米×210微米的矩形内面电极部分。并且,用金对表面电极部分和内面电极部分进行涂敷处理,由此形成电极结构,并制成板状连接器。以下,将该板状连接器称为“板状连接器M”。
(7)试验1
在配置有电热器的试验台上配置由厚度为2mm直径为8英寸的圆形铜构件组成的电极板,并在该电极板上配置各向异性导电性连接器C1。然后,在该各向异性导电性连接器C1上排列固定检查用电极板T,使得其检查电极位于各向异性导电性连接器C1的各个连接用导电部分上。并且,对检查用电路板T施加向下的100kg的载荷。
在室温(25℃)下从检查用电路板T中的10400个检查电极中选出一个检查电极,然后,依次测定被选出的检查电极与任意其它检查电极之间的电阻,以对于各向异性导电性连接器C1中的连接用导电部分之间的电阻(以下称“导电电阻”)记录所测定的电阻值的一半,并统计导电电阻为2欧以上的连接用导电部分的数量。如果连接用导电部分间的导电电阻为3欧以上,就很难用于对于在晶片上形成的集成电路的电气检查。
另外,将试验台加热到120℃并保温1小时,然后,以与上述同样的方式对各向异性导电性连接器C1中的连接用导电部分之间的导电电阻进行测量,以统计导电电阻为2欧以上的连接用导电部分的数量。
结果如下面的表1所示。
(8)试验2
在配置有电热器的试验台上配置试验用晶片W,并在试验用晶片W上,沿直线配置各向异性导电性连接器C1,使得其连接用导电部分位于试验用晶片W的各个被检查电极上。然后,在该各向异性导电性连接器C1上沿直线排列固定检查用电路板T,使得其检查电极位于各向异性导电性连接器C1的各个连接用导电部分上。并且对检查用电路板T施加向下的100kg的载荷。
在室温(25℃)下依次对检查用电路板中的各个检查电极施加电压,并测量施加了电压的检查电极与任意其它检查电极之间的电阻,将其作为各向异性导电性连接器C1中的连接用导电部分之间的电阻(以下称“绝缘电阻”),以统计绝缘电阻为10MΩ以下的连接用导电部分的数量。如果连接用导电部分间的绝缘电阻为10MΩ以下,就很难用于对于在晶片上形成的集成电路的电气检查。
另外,将试验台加热到120℃并保温1小时,然后,以与上述同样的方式对各向异性导电性连接器C1中的连接用导电部分之间的绝缘电阻进行测量,以统计绝缘电阻为10MΩ以下的连接用导电部分的数量。
结果如下面的表1所示。
(9)试验3
在配置有电热器的试验台上配置由厚度为2mm直径为8英寸的圆形铜构件组成的电极板。在电极板上配置板状连接器M,以使其表面电极部分与电极板相接触。在该板状连接器上沿直线配置各向异性导电性连接器C1,使得其连接用导电部分位于板状连接器M中的各个内面电极部分上。在该各向异性导电性连接器上沿直线固定检查用电路板T,使得其各个检查电极位于各向异性导电性连接器C1的各个连接用导电部分上。并且对检查用电路板T施加向下的100kg的载荷。
以与(7)试验1相同的方式在将试验台加热到120℃的状态下,在室温(25℃)下对各向异性导电性连接器C1中的连接用导电部分之间的导电电阻进行测量,以统计导电电阻为2欧以上的连接用导电部分的数量。
结果如下面的表1所示。
(10)试验4
在配置有电热器的试验台上配置由厚度为2mm直径为8英寸的圆形铜构件组成的电极板。在该电极板上配置板状连接器M,以使其表面电极部分与电极板相接触。在该板状连接器上沿直线配置各向异性导电性连接器C1,使得其连接用导电部分位于板状连接器M中的各个内面电极部分上。在该各向异性导电性连接器上以直线固定检查用电路板T,使得其检查电极位于各向异性导电性连接器C1的各个连接用导电部分上。并且对检查电路板T施加向下的100kg的载荷。
以与(7)试验1相同的方式在将试验台加热到120℃的状态下,在室温(25℃)下对各向异性导电性连接器C1中的连接用导电部分之间的绝缘电阻进行测量,以统计绝缘电阻为10MΩ以下的连接用导电部分的数量。
结果如下面的表1所示。
(11)试验5
制作圆形箱型室构件,该箱型室构件上面设有开口,且内径为230mm深度为2.2mm。在该室构件的侧壁上设有排气管,在侧壁的上端面上设置具有弹性的O形环。
在该室构件中配置电极板,该电极板由厚度为2mm直径为8英寸的圆形铜构件构成。然后在电极板上配置板状连接器M,使得其表面电极部分与电极板接触。在该板状连接器上沿直线配置各向异性导电性连接器C1,使得其连接用导电部分位于板状连接器M中的各个内面电极部分上。并且在该各向异性导电性连接器上沿直线配置检查用电路板T,使得其检查电极位于各向异性导电性连接器C1的各个连接用导电部分上。并且,在检查用电路板T上设置并固定加压板。在这种状态下,电极板、板状连接器M和各向异性导电性连接器C1收存于室构件中,室构件的开口通过O形环被检查用电路板T封闭,通过加压板对电极板和板状连接器M、板状连接器M和各向异性导电性连接器C1、以及各向异性导电性连接器C1与连接用电路板进行调整,使得它们相互接触或以较小的压力进行压接。
在室温(25℃)下,通过真空泵经由排气管将室构件中的空气排出,以将室构件中的压力降至1000Pa。从检查用电路板T的10400个检查电极中选出一个检查电极,然后,依次测定被选出的检查电极与任意其它检查电极之间的电阻,以对于各向异性导电性连接器C1中的连接用导电部分之间的电阻(以下称“连接电阻”)记录所测定的电阻值的一半,并统计导电电阻为2欧以下的连接用导电部分的数量。
在完成以上操作后,将检查用电路板T、各向异性导电性连接器C1和板状连接器M从室构件中取出,然后再进行上述操作,并统计出导电电阻为2欧以下的连接用导电部分的数量。
结果如下面的表1所示。
<比较例1>
以与实施例1相同的方法制作各向异性导电性连接器,只是框板的材料由柯伐合金变为不锈钢(SUS304,饱和磁化:0.01Wb/m2;线性热膨胀系数:1.7×10-5/K)。以下将该各向异性导电性连接器称为“各向异性导电性连接器C2”。
对各向异性导电性连接器C2中的弹性各向异性导电膜(20)中的被支撑部分(25)和功能部分(21)的绝缘部分(23)进行观察。结果表明,在被支撑部分(25)中基本不存在导电性粒子,而在功能部分(21)的绝缘部分(23)中存在导电性粒子。
以与实施例1相同的方式进行实施例1中的试验1和试验2,只是其中将各向异性导电性连接器C1换成各向异性导电性连接器C2。
结果如下面的表1所示。
<比较例2>
制作模具,该模具的结构与实施例1中的模具基本相同,只是在下模中的非磁性物质中没有形成凹槽部分;并制作隔板,该隔板由不锈钢(SUS304)组成,其厚度为100微米,直径为8英寸。
将35重量份的平均粒径为12微米的导电性粒子添加入100重量份的添加型液态硅酮橡胶中并进行混合。然后,通过减压的方法对所得到的混合物进行脱泡处理,由此制成弹性各向异性导电膜成形用的成形材料。在上述方法中,通过金涂敷由镍形成的芯粒子而形成导电性粒子(平均涂敷量:芯粒子重量的20重量%)。
在模具中的下模的成形表面上配置上述隔板,将成形材料填充入隔板中的通孔中以形成成形材料层,并进一步沿直线在成形材料层和隔板上叠置上模。
当通过电磁体对位于相应的铁磁性物质之间的部分施加沿厚度方向的2T的磁场时,在100℃和1小时的条件下,对在上模和下模之间形成的成形材料层进行硬化处理,由此制成各向异性异电性板。以下,将该各向异性异电性板称为“各向异性异电性板S”。
下面对各向异性异电性板S进行详细说明。在根据试验用晶片W中的被检查电极的区域A1-A7以及A9-A19所对应的各区域中,配置一列在垂直方向的间距为120微米的13个连接用导电部分。每个连接用导电部分在垂直方向上的尺寸为60微米,在侧向上的尺寸为200微米,且其厚度为150微米。另一方面,在根据试验用晶片W中的被检查电极的区域A8所对应的区域中,配置一列在垂直方向的间距为120微米的26个连接用导电部分。各连接用导电部分在垂直方向上的尺寸为60微米,在侧向上的尺寸为200微米,且其厚度为150微米。各绝缘部分的厚度为100微米。
对由此得到的各向异性异电性板S进行观察。结果表明,在绝缘部分中存在导电性粒子。
然后,在检查用电路板T的表面上的检查电极以外的区域上涂敷耐热性粘接剂,并且,在该检查用电路板T上沿直线配置各向异性异电性板S,使得其连接用导电部分位于检查用电路板T的各个检查电极上,以将各向异性异电性板S与检查用电路板T整体粘接在一起,从而制成了探针构件。
以与实施例1相同的方式进行实施例1中的试验1和试验2,只是用上述探针构件代替了各向异性导电性连接器C1和检查用电路板T。
结果如下面的表1所示。
<比较例3>
制作由柯伐合金制成的框板,该框板的厚度为60微米,直径为8英寸,其具有圆形的各向异性导电膜配置用孔;并制作两块隔板,每块隔板由不锈钢(SUS304)组成且具有圆形通孔,其厚度为20微米,直径为8.5英寸。
然后,将35重量份的平均粒径为12微米的导电性粒子添加入100重量份的添加型液态硅酮橡胶中并进行混合。然后,通过减压的方法对所得到的混合物进行脱泡处理,由此制成弹性各向异性导电膜成形用的成形材料。在上述方法中,通过金涂敷由镍形成的芯粒子而形成导电性粒子(平均涂敷量:芯粒子重量的20重量%)。
将所制成的成形材料涂敷于实施例1中所用的模具的上模和下模的表面上,由此形成成形材料层,并且通过下模侧的隔板在下模的成形表面上沿直线叠置框板。并且,通过上模侧的隔板在框板上沿直线叠置上模。
当通过电磁体对位于相应的铁磁性物质之间的部分施加沿厚度方向的2T的磁场时,在100℃和1小时的条件下对在上模和下模之间形成的成形材料层进行硬化处理,由此制成框板的各个各向异性导电膜配置用孔中的弹性各向异性导电膜,从而制成各向异性导电性连接器。以下,将该各向异性导电性连接器称为“各向异性导电性连接器C3”。
下面对由此得到的弹性各向异性导电膜进行详细说明。在根据试验用晶片W中的被检查电极的区域A1-A7以及A9-A19所对应的各区域中,配置一列在垂直方向的间距为120微米的13个连接用导电部分。每个连接用导电部分在垂直方向上的尺寸为60微米,在侧向上的尺寸为200微米,且其厚度为150微米。另一方面,在根据试验用晶片W中的被检查电极的区域A8所对应的区域中,配置一列在垂直方向的间距为120微米的26个连接用导电部分。各连接用导电部分在垂直方向上的尺寸为60微米,在侧向上的尺寸为200微米,且其厚度为150微米。功能部分中的各绝缘部分的厚度为100微米。被支撑部分的厚度(两股部分的其中之一的厚度)为20微米。
对由此得到的各向异性导电性连接器C3中的弹性各向异性导电膜进行观察。结果表明,在功能部分中的绝缘部分中存在导电性粒子。
以与实施例1相同的方式进行实施例1中的试验1、试验2和试验5,只是用各向异性导电性连接器C3代替了各向异性导电性连接器C1。
结果如下面的表1所示。
表1
|
试验1(导电电阻2Ω以上的连接用导电部分的数量) |
试验2(绝缘电阻100MΩ以下的连接用导电部分的数量) |
试验3(导电电阻2Ω以上的连接用导电部分的数量) |
试验4(绝缘电阻100MΩ以下的连接用导电部分的数量) |
试验5(导电电阻2Ω以上的连接用导电部分的数量) |
25℃ |
120℃ |
25℃ |
120℃ |
25℃ |
120℃ |
25℃ |
120℃ |
第1次 |
第2次 |
实施例1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
比较例1 |
5 |
115 |
98 |
167 |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
比较例2 |
55 |
118 |
414 |
923 |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
比较例3 |
1634 |
4597 |
1845 |
5126 |
- |
- |
- |
- |
2934 |
3256 |
表1中的结果表明,根据实施例1的各向异性导电性连接器,在弹性各向异性导电膜中,即使连接用导电部分的间距很小,也可以在连接用导电部分中实现良好的导电性,并在相邻的连接用导电部分之间实现所需的绝缘性,并且,即使在由于温度变化而导致产生热作用等环境变化的情况下,也可以确保良好的电气连接状态。