CN1497870A - 带有多个本地振荡器的低噪声块下变频器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低噪声块下变频器(3),其将两个本地振荡器(13a、13b)容纳在金属屏蔽盒(20)的同一屏蔽室(20a)内;并具有一导电杆(25),该导电杆被设置在分别属于两本地振荡器(13a、13b)的两介电质谐振器(21a、21b)之间。导电杆(25)可防止两介电质谐振器(21a、21b)之间发生电磁耦合。因而,相比于用一金属挡壁(40c)将两本地振荡器(13a、13b)相互完全隔离开的常规情形,本发明可将装置制成更小的尺寸。
Description
技术领域
本发明总体上涉及一种低噪声块下变频器。更具体来讲,本发明涉及一种用于卫星接收系统的低噪声块下变频器。
背景技术
在带有多个本地振荡器的常规低噪声块下变频器(下文将称之为“LNB”)中,每个本地振荡器都通过金属挡壁与其它的振荡器完全地隔离开,以此来防止在每个本地振荡器中的介电质谐振器与其它本地振荡器中的介电质谐振器之间发生电磁耦合。
图7A和图7B中的剖视图表示了普通LNB的主要部分。图7A是沿图7B中的VIIA-VIIA线所作的剖面图,而图7B则是沿图7A中的VIIB-VIIB线所作的剖面图。
在图7A和图7B中,LNB的两个本地振荡器41a和41b分别被设置到一金属屏蔽盒40的两个屏蔽室40a和40b中,并利用金属挡壁40c实现了电磁屏蔽。本地振荡器41a包括一介电质谐振器42a、一振荡装置43a、一微带线(microstrip line)44a、以及一基底45a。本地振荡器41a输出具有特定频率(例如9.75GHz)的信号。本地振荡器41b包括一介电质谐振器42b、一振荡装置43b、一微带线44b、以及一基底45b。本地振荡器41b输出具有另一频率(例如10.6GHz)的信号。在图7B中,图中虚线圈表示了从介电质谐振器42a、42b发出的电磁场。
如上所述,在普通的低噪声块下变频器中,利用金属挡壁40c将金属屏蔽盒40分隔成两室,以防止在两介电质谐振器42a和42b之间发生电磁耦合。因而,很难作到减小金属屏蔽盒40的尺寸、进而减小低噪声块下变频器的尺寸。
发明内容
本发明的目的是提供一种紧凑的低噪声块下变频器。
根据本发明的一种低噪声块下变频器包括:多个本地振荡器,每个本地振荡器都包括一介电质谐振器,且具有互不相同的振荡频率;一防电磁耦合器件,其可防止在某个介电质谐振器与另一个介电质谐振器之间发生电磁耦合;以及一金属屏蔽盒,其包括一个用于容纳多个本地振荡器和防电磁耦合器件的屏蔽室。因而,相比于用一金属挡壁将多个本地振荡器完全隔离开的常规设计情形,本发明中金属屏蔽盒的尺寸可被制得很小,进而使低噪声块下变频器的尺寸紧凑。
优选地是,防电磁耦合器件包括一导电杆,其一端在任何两个介电质谐振器之间延伸,并接收基准电势(reference potential)。在此情况下,导电条可防止在这两个介电质谐振器之间发生电磁耦合。
优选地是,低噪声块下变频器包括一基底,该基底的一个表面上安装了多个本地振荡器。防电磁耦合器件包括一导电布图,该布图被制在基底的该表面上,并位于任何的两介电质谐振器之间,其接收基准电势。在此情况下,导电布图可防止在这两个介电质谐振器之间发生电磁耦合。
优选地是,防电磁耦合器件还包括一金属板,其被设置在任何的两介电质谐振器之间,并接收基准电势。在此情况下,金属板可防止在这两个介电质谐振器之间发生电磁耦合。
从下文结合附图对本发明的详细描述,能更清楚地理解本发明上述的、以及其它的目的、特征、方式以及优点。
附图说明
图1是框图,表示了根据本发明一实施例的卫星接收系统的总体结构;
图2中的电路框图表示了图1中所示的通用LNB3的构造;
图3A和图3B中的剖视图表示了图2所示两本地振荡器13a和13b的构造;
图4A和图4B中的剖视图表示了本发明的一种对比实例;
图5A和图5B中的剖视图表示了本实施例一种变型形式;
图6A和图6B中的剖视图表示了本实施例的另一种变型形式;以及
图7A和图7B中的剖视图表示了普通LNB的主要部分。
具体实施方式
在图1中,根据本发明一实施例的卫星接收系统包括一广播卫星1、一天线2、一LNB3、一IF(中频)电缆4、一DBS(直播卫星)调谐器5、以及电视机6。
下文将对图1所示卫星接收系统的工作过程进行描述。从广播卫星1发出的12GHz波段无线电波(10.70-12.75GHz)被天线2接收到。接收到的无线电波被安装在天线2上的LNB3执行变频,而变为1GHz波段(950-2150MHz)的中频信号,并被其执行低噪声放大。LNB3输出的IF信号通过IF电缆4引入到室内,并被DBS调谐器5解调为视频信号和音频信号,然后再被传送给电视机6。
在图2中,通用的LNB3包括一波导管10、一低噪声放大器(下文称之为“LNA”)11、一带通滤波器(下文称之为“BPF”)12、两本地振荡器13a和13b、一混频器14、一中频放大器15、一电源单元16、电容器17a和17b、一个线圈18、以及一输出端19。
下面将对图2所示的通用LNB3的工作过程进行描述。广播卫星1所发射12GHz波段(10.70-12.75)电波中的垂直极化波信号(polarized wavesignal)和水平极化波信号分别被波导管10中的两天线探针接收到。接收到的信号经过LNA11的低噪声放大后被输入给BPF12。在BPF12中,除去位于图像频率波段的信号而形成一个处于理想频率波段的信号。利用混频器14将从BPF12输出的信号与本地振荡器13a输出的本地振荡信号(9.75GHz)或本地振荡器13b输出的本地振荡信号(10.6GHz)进行混频,从而将信号变频为1GHz波段(950-2150MHz)的IF信号。可在两本地振荡器13a和13b之间进行转换使用。利用IF放大器15、电容17a和17b、以及线圈18对混频器14输出的IF信号进行放大,使其具有合适的噪声特性和增益特性,然后从输出端19将信号输出。需要指出的是:LNA11、本地振荡器13a和13b、以及IF放大器15都是由电源单元16供电的。
图3A和图3B中的剖视图表示了图2中两本地振荡器13a和13b的构造。图3A是沿图3B中的IIIA-IIIA线所作的剖视图,图3B是沿图3A中的IIIB-IIIB线所作的剖视图。
在图3A和图3B中,在一金属屏蔽盒20的屏蔽室20a内设置了一块基底24,该基底上安装有两个本地振荡器13a、13b和一导电杆25。本地振荡器13a包括一介电质谐振器21a、一振荡装置22a、以及一微带线23a。本地振荡器13a输出频率为9.75GHz的信号。本地振荡器13b包括一介电质谐振器21b、一振荡装置22b、以及一微带线23b。本地振荡器13b输出频率为10.6GHz的信号。导电杆15的近端被粘接到金属屏蔽盒20顶壁的中央。导电杆25的远端在两介电质谐振器21a和21b之间延伸。导电杆25和金属屏蔽盒20是接地的。导电杆25可防止两介电质谐振器21a和21b发出的电磁场(如图3B中的虚线圈所示)发生耦合。
图4A和图4B中的剖面图表示了本实施例的一对比实例。图4A是沿图4B中的IVA-IVA线所作的剖视图,而图4B则是沿图4A中的IVB-IVB线所作的剖视图。图4A和图4B所示结构与图3A、3B所示结构的区别在于:在介电质谐振器21a和21b之间未设置导电杆25。在此情况下,两介电质谐振器21a和21b产生的电磁场(见图4B中的虚线圈)互相发生了耦合。这将导致本地振荡器13a和13b相互干扰,从而将不能产生具有所需频率(即9.75GHz和10.GHz)的信号。
在本实施例中,利用导电杆25阻止了两介电质谐振器21a、21b之间产生电磁耦合。因而,相比于常规的情形:即利用金属挡壁40c来防止两介电质谐振器21a、21b之间发生电磁耦合,该实施例可使金属屏蔽盒20的尺寸变得更小、进而使LNB的尺寸变得更小。在本实施例中,在金属屏蔽盒20的一个屏蔽室20a内设置了两个介电质谐振器13a和13b。但是,不难领会:只要在相邻的本地振荡器之间的各个空间内设置了导电杆,则即使在屏蔽室20a内设置了多个本地振荡器,也能防止出现电磁耦合。
图5A和图5B中的剖面图表示了本实施例的一种变型形式。图5A和图5B所示结构与图4A、4B所示结构的不同之处在于:在介电质谐振器21a和21b之间,基底24上制有一接地布图26,且该接地布图26通过一个通孔27与金属屏蔽盒20相连接。在此情况下,接地布图26和通孔27可防止两介电质谐振器21a、21b产生的电磁场(见图5B中的虚线圈)之间发生耦合。
图6A和图6B中的剖视图表示了本实施例的另一种变型形式。图6A和图6B所示结构与图5A、5B所示结构的不同之处在于:在接地布图26上设置了一金属板28。在此情况下,接地布图26、通孔27、以及金属板28可阻止两介电质谐振器21a、21b产生的电磁场(见图6B中的虚线圈)之间发生耦合。因而,可进一步确保对两介电质谐振器21a、21b之间电磁耦合现象的阻止作用。
尽管在上文已对本发明作了详细的描述和展示,但很显然:这些描述和展示只是示例性的,而并非用于进行限定,本发明的设计思想和保护范围将只能由所附权利要求书中的语句进行限定。
Claims (4)
1、一种低噪声块下变频器,包括:
多个本地振荡器(13a、13b),每个本地振荡器都包括一介电质谐振器(21a、21b),且具有互不相同的振荡频率;
一防电磁耦合器件(25-28),其可防止在某个所述介电质谐振器与另一个所述介电质谐振器之间发生电磁耦合;以及
一金属屏蔽盒(20),其包括一个用于容纳所述多个本地振荡器(13a、13b)和所述防电磁耦合器件(25-28)的屏蔽室(20a)。
2、根据权利要求1所述的低噪声块下变频器,其特征在于:所述防电磁耦合器件(25-28)包括一导电杆(25),其一端在任何两个所述介电质谐振器(21a、21b)之间延伸,并接收基准电势。
3、根据权利要求1所述的低噪声块下变频器,其特征在于:还包括一基底(24),该基底的表面上安装了所述的多个本地振荡器(13a、13b);
并且,其中,所述防电磁耦合器件(25-28)包括一导电布图(26),该布图被制在所述基底(24)的所述表面上,并位于任何两个所述介电质谐振器(21a、21b)之间,并且接收基准电势。
4、根据权利要求1所述的低噪声块下变频器,其特征在于:所述防电磁耦合器件(25-28)包括一金属板(28),其被竖直设置在任何两个所述介电质谐振器(21a、21b)之间,并接收基准电势。
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