CN1560843A - 光记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种光记录介质，包括一基底和经由至少中间层被层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的至少一个包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体。根据此结构的光记录介质，有可能以预期的方式在离光入射面最远的记录层中记录数据和再现数据，并且有可能以预期的方式在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中记录数据和再现数据。

Description

光记录介质
                        技术领域
本发明涉及一种光记录介质，特别是涉及一种光记录介质，其包括多个记录层，并且其中数据能够以一种预期的方式从离光入射面最远的记录层被记录和再现，并且数据能够以一种预期的方式从除了离光入射面最远的记录层之外的记录层被记录和再现。
                       背景技术
光记录介质例如CD、DVD等已经被广泛地用作用于记录数字数据的记录介质。此光记录介质要求在记录大量数据的能力方面得到改善，并且已经提供各种建议以便提高其数据记录容量。
这些中的一种是具有两个记录层的光记录介质，并且此光记录介质已经被实际用作适合于仅仅能够数据读取的光记录介质，例如DVD视频和DVD-ROM。
仅仅适合于读取数据并且提供具有两个记录层的光记录介质是经过中间层，通过层压两个基底而形成的，其中每个基底在其表面上具有组成记录层的预置凹坑。
此外，最近已经提出关于光记录介质，其中数据能够通过用户被记录的具有两个记录层的光记录介质(见日本专利申请公开号No.2001-243655等)。
在日本专利申请公开号为No.2001-243655的申请中所公开的光记录介质中，每一个记录层包括一记录薄膜和把记录薄膜夹在中间的电介质膜(保护膜)，并且每一个具有此结构的两个记录层通过一中间层被层压。
在数据将要被记录在具有多个其中数据能够通过用户被记录的记录薄膜的光记录介质中的情况下，一激光光束被聚焦到其中一个记录层上并且被照射在上面，其中此激光光束的功率已经被调制到等于记录功率Pw，其高于再现功率Pr，因此改变了包括在使用激光光束照射的记录层中的记录薄膜的状态，并且在记录薄膜中形成记录标记。
由于其中形成记录标记的记录薄膜区域和其中没有形成记录标记的记录薄膜空白区域之间的反射系数不同，所以通过照射一激光光束到记录层并且检测由记录层反射的激光光束的数量，数据能够被再现，其中此激光光束的功率被设定为再现功率Pr。
在包括多个记录层的光记录介质中，在离光入射面最远的记录层中进行数据记录和数据再现是通过经过比离光入射面最远的记录层更接近于光入射面的记录层而把激光光束照射到该记录层上来实现的。
所以，为了以预期的方式在离光入射面最远的记录层中记录和再现数据，比最远记录层更接近于光入射面的每一记录层具有足够高的透光度是必需的。
另一方面，为了再现记录在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的数据，以便获得具有高C/N比率的信号，必需选择一种物质，用于形成除了离光入射面最远的记录层之外的每一个记录层，因此其中形成记录标记的区域和其中没有形成记录标记的空白区域之间的反射系数的区别变得很大。
然而，尚末开发一种包括多个记录层的光记录介质，并且该光记录介质被形成以便数据通过用户被记录其中，除了离光入射面最远的记录层之外的记录层对于激光束具有充足足够高的透光度，并且其中形成记录标记的区域和其空白区域之间的反射系数的区别是很大的。
                            发明内容
所以本发明的一个目的是提供一种光记录介质，其中包括多个记录层，并且其中数据以一种预期的方式在离光入射面最远的记录层中被记录和再现，并且数据能够以一种预期的方式在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中被记录和再现。
通过一种光记录介质，能够实现本发明上述和其它的目的，其中此光记录介质包括一基底和经由至少中间层被层压的多个记录层，至少在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的一个包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体。
在本发明发明者所做的研究中，发现在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的至少一个包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，其中此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X与金属M化合物的晶体的情况下，记录层关于激光光束具有很高的透光度。
所以，根据本发明，由于在激光光束到达离光入射面最远的记录层所需的期间，有可能把激光光束的功率的减小抑制到最小，所以有可能以一种预期的方式把数据记录在离光入射面最远的记录层中。另一方面，当数据将要从离光入射面最远的记录层中被再现时，由于在通过最远记录层反射的激光光束到达光入射面所需的期间，有可能把激光光束的功率的减小抑制到最小，所以有可能以一种预期的方式再现记录在离光入射面最远的记录层中的数据。
此外，根据本发明，由于通过照射用于记录数据的激光光束以及化合金属M和元素X以便形成金属M和元素X的化合物的晶体可把数据记录在包括金属M和元素X的记录层中，所以有可能增加其中金属M和元素X的化合物被结晶的区域和其它区域之间的关于激光光束的反射系数的差别，因此有可能以一种预期的方式不但在离光入射面最远的记录层而且在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中记录和再现。
在本发明的一个优选方面中，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X和金属M的化合物的晶体。
根据本发明的此优选方面，有可能总体上大大地改善除了离光入射面最远的记录层之外的记录层的透光率。
在本发明的一个进一步优选方面中，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物的晶体，并且以此方法形成以致接近于光入射面的记录层变薄。
根据本发明的此优选方面，由于有可能总体上大大改善除了离光入射面最远的记录层之外的记录层的透光率，所以有可能以预期方式在离光入射面最远的记录层中记录和再现数据。
此外，在本发明发明者所做的研究中，发现在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，其中此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X与金属M化合物的晶体，并且以如此方式形成以致接近于入射面的记录层变薄的情况下，远离光入射面的记录层的关于激光光束的反射系数变高，因此有可能以一种预期的方式再现来自除了离光入射面最远的记录层之外的记录层的数据。
在本发明的一个进一步优选方面中，光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.40至0.70。
在本发明发明者所做的研究中，发现在光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.40至0.70的情况下，由第二记录层吸收的激光光束的数量与由第三记录层吸收的激光光束的数量实质上彼此相等，并且此数量能够被设定为充分高的水平，也就是10％至30％。所以根据本发明的此优选方面，有可能以预期的方式通过照射实质上具有相同功率的激光光束来在第二记录层和第三记录层上记录数据。
此外，本发明发明者的研究显示，在光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.40至0.70的情况下，关于激光光束的第二记录层的反射系数与第三记录层的反射系数实质上彼此相等，并且此反射系数能够被设定为实质上很高。所以，根据本发明的优选方面，有可能以一种预期的方式再现来自第二记录层和第三记录层的数据。
在本发明中，更优选地形成第三记录层和第二记录层以致第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.46至0.69，并且最优选地是形成第二记录层和第三记录层以致第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.50至0.63。
在本发明的进一步优选的方面中，光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层，并且第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成以致第二记录层具有20nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.48至0.93，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.39至0.70。
在本发明发明者所做的研究中，发现在记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层，并且第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成以致第二记录层具有20nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.48至0.93，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.39至0.70的情况下，由第二记录层吸收的激光光束的数量、由第三记录层吸收的激光光束的数量以及由第四记录层吸收的激光光束的数量实质上彼此相等，并且此数量被设定为充分高的水平，即10％至20％。所以根据本发明的此优选方面，有可能以预期的方式通过照射实质上具有相同功率的激光光束来在第二记录层、第三记录层和第四记录层上记录数据。
此外，在本发明发明者所做的研究中，发现在记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层，并且第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成以致第二记录层具有20nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.48至0.93，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.39至0.70的情况下，关于激光光束的第二记录层的反射系数、第三记录层的反射系数以及第四记录层的反射系数实质上彼此相等，并且此反射系数被设定为实质上很高。所以，根据本发明的该优选方面，有可能以预期方式再现来自第二记录层、第三记录层和第四记录层的数据。
在本发明中，更优选地是形成第二记录层、第三记录层和第四记录层以致第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.50至0.90，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.39至0.65，最优选地是形成第二记录层、第三记录层和第四记录层以致第三记录层的厚度与第四记录层的厚度的比率为0.57至0.80，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.42至0.54。
在本发明的进一步优选的方面中，元素X至少由从S、O、C和N组成的组中选择的一个元素组成。
S、O、C和N对于由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一个金属M是高活性的，并且能够被优选地用作元素X。特别地，被包括在第六族元素中的O和S对于金属M具有充足的活性，不像被包括在第七族元素中的F或Cl，在没有使用用于记录数据的激光光束的照射下，与金属M不起反应，因此O和S被特别优选地用于元素X。
在本发明进一步的优选方面中，包括金属M和元素X的至少一个记录层进一步包括从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。
在本发明中，在包括金属M和元素X的至少一个记录层进一步包括Mg的情况下，对于至少一个记录层更优选地包括18.5原子％至33.7原子％的Mg，并且对于至少一个记录层更优选地包括20.0原子％至33.5原子％的Mg。
另一方面，在本发明中，在包括金属M和元素X的至少一个记录层进一步包含Al的情况下，对于至少一个记录层更优选地包括11原子％至40原子％的Al，并且对于至少一个记录层更优选地包括18原子％至32原子％的Al。
此外，在本发明中，在包括金属M和元素X的至少一个记录层进一步包括Ti的情况下，对于至少一个记录层更优选地包括8原子％的Ti至34原子％的Ti，并且对于至少一个记录层更优选地包括10原子％至26原子％的Ti。
在本发明的进一步优选的方面中，在多个记录层中的最远的记录层包括包含作为基本成分的Cu的第一记录薄膜和包含作为基本成分的Si的第二记录薄膜。
根据本发明的此优选方面，由于在多个记录层中的最远记录层包括包含作为基本成分的Cu的第一记录薄膜和作为基本成分的Si的第二记录薄膜，所以有可能抑制信号的噪音水平到一个很低的水平，其中此信号是通过再现记录在离光入射面最远的记录层中数据而获得的，并且可增加在数据记录前后之间反射系数方面的变化。此外，即使当光记录介质已经被存放很久，所记录的数据也能够被阻止退化，并且光记录介质的可靠性得到提高。
在本发明的进一步优选的方面中，反射薄膜形成在离光入射面最远的记录层和基底之间。
根据本发明的此优选方面，当记录在离光入射面最远的记录层中的数据将要被再现时，由于经过光入射面被照射在最远记录层的激光光束通过反射薄膜的表面被反射，并且由反射薄膜反射的激光光束和由离光入射面最远的记录层反射的激光光束彼此干涉，所以能够增加在数据记录前后之间的反射系数方面的变化，并且记录在离光入射面最远的记录层中的数据能够高灵敏度地被再现。
在本发明的进一步优选方面中，包括金属M和元素X的至少一个记录层被组成，以致数据能够被记录其中，并且所记录的数据能够使用具有380nm至450nm波长的激光光束被再现。
由于包括金属M和元素X的至少一个记录层对于具有380nm至450nm波长的激光光束呈现卓越的光学性质，所以更优选地是使用具有380nm至450nm波长的激光光束记录数据和再现已记录的数据。
本发明的上述和其它目的通过光记录介质能够被实现，其中此光记录介质包括一个基底和经过至少中间层层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的至少一个记录层包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一个元素，并且此记录层被增加从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。
根据本发明发明者的研究，发现在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的至少一个记录层包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一个元素，并且此记录层被增加从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的情况下，记录层对于激光光束具有充分高的透光度。
所以根据本发明，有可能以一种预期的方式在离光入射面最远的记录层中记录和再现数据，并且还可能在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中记录和再现数据。
在本发明中，对于在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层更优选地是包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一个元素，并且此记录层被增加从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。
在本发明的优选方面中，包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一个元素，并且被增加从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的记录层通过汽相生长处理而形成，其中此汽相生长处理使用包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一种元素的靶和包括作为基本成分的从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的靶。
在本发明的进一步优选方面中，包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一个元素，并且被增加从由Mg、Al和Ti组成的组中选择至少一种金属的记录层通过汽相生长处理而形成，其中此汽相生长处理使用包括作为基本成分的ZnS和SiO2的混合物或La2O3、SiO2和Si3N4的混合物的靶和包括作为基本成分的从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的靶。
在本发明的进一步优选方面中，包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的一个元素，并且被增加从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的记录层通过汽相生长处理而形成，其中此汽相生长处理使用包括由ZnS和SiO2的混合物或La2O3、SiO2和Si3N4的混合物组成的靶和包括从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的靶。
在本发明中，在使用包括ZnS和SiO2混合物的靶的情况下，优选地是设定ZnS与SiO2的摩尔比为50∶50至90∶10，并且更优选地是设定大约为80∶20。
在ZnS和SiO2混合物中ZnS的摩尔比等于或者大于50％的情况下，记录层对于激光光束的反射系数和透光率能够同时得到改善，并且在ZnS和SiO2混合物中ZnS的摩尔比等于或者小于90％的情况下，有可能有效地防止由于应力在记录层中产生的裂缝。此外，在ZnS和SiO2混合物中的ZnS与SiO2的摩尔比大约为80∶20的情况下，记录层对于激光光束的反射系数和透光率两者能够大大地得到改善，同时有可能更有效地防止在记录层中产生裂缝。
此外，在发明中，在使用包括La2O3、SiO2和Si3N4混合物的靶的情况下，优选地是设定SiO2与La2O3和Si3N4的摩尔比率为10∶90至50∶50，并且更优选地是设定La2O3、SiO2和Si3N4的摩尔比为20∶30∶50。
在La2O3、SiO2和Si3N4混合物中的SiO2的摩尔比等于或者小于10％的情况下，裂缝在记录层中产生，并且在La2O3、SiO2和Si3N4混合物中SiO2的摩尔比超过50％的情况下，记录层的折射率变得更低，由此记录层的反射系数变得更低。另一方面，在La2O3和Si3N4的摩尔比是50％至90％的情况下，有可能增加记录层的折射率，并且防止在记录层中产生裂缝。
参考附图，通过下面的描述，本发明的上述以及其它目的和特征将变得更加清楚。
                            附图说明
图1是表示本发明最优方案的光记录介质的示意透视图。
图2是由在图1中的A表示的光记录介质的局部放大示意剖视图。
图3是表示第一记录层的放大示意剖视图。
图4表示用于制造本发明最优方案的光记录介质的步骤。
图5表示用于制造本发明最优方案的光记录介质的步骤。
图6表示用于制造本发明最优方案的光记录介质的步骤。
图7表示用于制造本发明最优方案的光记录介质的步骤。
图8表示用于制造本发明最优方案的光记录介质的步骤。
图9表示当数据将要被记录到光记录介质中时，用于控制激光光束功率的激光功率控制信号的脉冲串图案的图形。
图10是表示在数据被记录其中之前第一记录层的示意放大剖视图。
图11是表示在数据被记录其中之后的第一记录层的示意放大剖视图。
图12是表示本发明另一个最优方案的光记录介质的示意透视图。
图13是由在图12中的B表示的光记录介质的局部放大示意剖视图。
                         具体实施方式
图1是表示本发明最优方案的光记录介质的示意透视图，并且图2是表示图1中A的示意放大剖视图。
如图1所示，根据此具体实施方式的光记录介质10形成盘状，并且其外径大约为120mm以及厚度大约为1.2mm。
如图2所示，根据此具体实施方式的光记录介质10包括支撑基底11、第一记录层20、第一中间层12、第二记录层30、第二中间层13、第三记录层40和光传输层15。
第一记录层20、第二记录层30和第三记录层40是其中数据被记录的记录层，也就是根据此具体实施方式的光记录介质10包括三个记录层。
如图2所示，根据此具体实施方式的光记录介质10被组成，使得激光光束L被投射到光传输层15上，并且光入射面15a由光传输层15的一个表面组成。
如图2所示，第一记录层20组成离光入射面15a最远的记录层，并且第三记录层40组成最接近于光入射面15a的记录层。
当数据将要被记录在第一记录层20、第二记录层30或第三记录层40或者当记录在第一记录层20、第二记录层30或第三记录层40中的数据将要被再现时，具有波长λ为380nm至450nm的蓝色激光光束L从光入射面15a被投射并且聚焦在第一记录层20、第二记录层30和第三记录层40中的一个记录层上。
所以，当数据将要被记录在第一记录层20或当记录在第一记录层20中的数据将要被再现时，第一记录层20使用激光光束L经过第二记录层30和第三记录层40被照射，并且当数据将要被记录在第二记录层30或者当记录在第二记录层30中的数据将要被再现时，第二记录层30使用激光光束L经过第三记录层40被照射。
支撑基底11充当用于确保光记录介质10所需要的机械强度的支撑。
用于形成支撑基底11的物质并不特别地被限制在支撑基底11能够充当光记录介质10的支撑的范围内。支撑基底11可以由玻璃、陶瓷、树脂等等形成。在这些物质中间，树脂是更优选地被用于形成支撑基底11，因为树脂能够容易地被成形。适合于形成支撑基底11的说明性的例子包括聚碳酸酯树酯、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅酮树脂、含氟聚合物、丙烯腈二乙烯丁二烯树脂、聚氨酯树脂等等。在这些物质中间，从易于加工、光学特性等等观点出发，聚碳酸酯树脂是最优选地被用于形成支撑基底11，并且在此具体实施方式中，支撑基底11由聚碳酸酯树脂形成。在此具体实施方式中，由于激光光束L经过位于与支撑基底11相对的光入射面15a被投射，所以对于支撑基底11没有必要具有透光特性。
在此具体实施方式中，支撑基底11具有的厚度大约为1.1mm。
如图2所示，凹槽11a和凸起11b是交替地并且成螺旋形地形成在支撑基底11的表面上。当数据将要被记录在第一记录层20和数据从第一记录层20被再现时，凹槽11a和/或凸起11b充当激光光束L的导轨。
凹槽11a的深度并不特别地被限制，并且更优选地被设定为10nm至40nm。凹槽11a的坑距并不特别地被限制，并且更优选地被设定为0.2μm至0.4μm。
如图2所示，第一记录层20被形成在支撑基底11的表面上。
图3是表示第一记录层20的放大示意剖视图。
如图3所示，第一记录层20通过层压反射薄膜21、第二电介质膜22、第一记录薄膜23a、第二记录薄膜23b和第一电介质膜24而组成。
反射薄膜21用于反射进入光入射面15a的激光光束L，以致从光入射面15a发射该激光束，并且有效地发散通过照射激光光束L在第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b中产生的热量。
用于形成反射薄膜21的物质并不特别地被限制在能够反射激光光束的范围内，并且反射薄膜21能够由Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等等形成。在这些物质中，更优选地由Al、Au、Ag、Cu或它们的合金形成反射薄膜21，因为它们具有高的反射系数和高导热率。
反射薄膜21更优选地被形成，以致具有的厚度为20nm至200nm。当反射薄膜21薄于20nm时，很难形成具有很高反射系数的反射薄膜21，并且反射薄膜21不容易发散在第一记录层20中产生的热量。另一方面，当反射薄膜21厚于200nm时，光记录介质10的生产率被降低，因为形成反射薄膜21需要很长的一段时间并且由于存在内应力等，所以有使反射薄膜21产生裂缝的危险。
如图3所示，第二电介质薄膜22形成在反射薄膜21的表面上。
第二电介质膜22用于防止支撑基底11由于热量而变形，并且还与第一电介质膜24一起用作保护第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b的保护膜。
用于形成第二电介质膜22的电介质物质并不特别地被限制在该第二电介质膜在激光光束L的波长范围内是透明的范围内，并且第二电介质膜22由包括氧化物、氮化物、硫化物、氟化物或它们的化合物作为主成分的电介质物质形成。第二电介质膜22更优选地由包括至少一种金属的氧化物、氮化物、硫化物、氟化物或它们的化合物形成，其中此金属从由Si、Ge、Zn、Al、Ta、Ti、Co、Zr、Pb、Ag、Sn、Ca、Ce、V、Cu、Fe和Mg组成的组中选择。ZnS和SiO2的混合物特别更可取的用作形成第二电介质膜22的电介质物质，并且ZnS与SiO2的摩尔比优选地是50∶50至85∶15，并且更优选地大约为80∶20。
如图3所示，第一记录薄膜23a被形成在第二电介质膜22的表面上，并且第二记录薄膜23b进一步被形成在第一记录薄膜23a的表面上。
第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b是其中数据被记录的记录薄膜。
在此具体实施方式中，第一记录薄膜23a包含作为基本成分的Cu，并且第二记录薄膜23b包括作为基本成分的Si。
在此说明中，记录薄膜包括作为基本成分的某一元素的叙述意味着元素的含量是50原子％至100原子％。
对于第一记录薄膜23a优选地是包括作为基本成分的Cu，其中加入有从由Al、Zn、Sn、Mg和Au组成的组中选择的至少一种元素。在从由Al、Zn、Sn、Mg和Au组成的组中选择的至少一种元素被增加到包含作为基本成分Cu的第一记录薄膜23a的情况下，有可能减小再现信号中的噪音水平并且改善长期储存的可靠性。
优选地是形成第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b，使其总共的厚度为2nm至40nm。
在第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b的总共厚度薄于2nm的情况下，在激光光束L照射前后之间的反射系数方面的变化很小，以致不能够获得具有高C/N比率的再现信号。另一方面，当第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b的总共厚度超过40nm时，第一记录层20的记录特性被降低。
第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b的各个厚度并不特别地被限制，但是优选地定义第一记录薄膜23a的厚度与第二记录薄膜23b的厚度的比率，即第一记录层31的厚度/第二记录层32的厚度为从0.2至5.0。
如图3所示，第一电介质膜24被形成在第二记录薄膜23b的表面上。
第一电介质膜24能够由用于形成第二电介质膜22的物质形成。
如图2所示，第一中间层12被形成在第一记录层20的表面上。
第一中间层12用于在物理上和光学上隔开第一记录层20和第二记录层30充足的距离。
如图2所示，凹槽12a和凸起12b交替地形成在第一中间层12的表面上。当数据被记录在第二记录层30或当数据从第二记录层30被再现时，形成在第一中间层12的表面上的凹槽12a和/或凸起12b用作激光光束L的导轨。
如图2所示，第二记录层30被形成在第一中间层12上，并且第二中间层13被形成在第二记录层30的表面上。
第二中间层13用于在物理上和光学上隔开第二记录层30和第三记录层40充足的距离。
如图2所示，凹槽13a和凸起13b被交替地形成在第二中间层13的表面上。当数据被记录在第三记录层40或当数据从第三记录层40被再现时，形成在第二中间层13的表面上的凹槽13a和/或凸起13b用作激光光束L的导轨。
凹槽12a、13a的深度和凹槽12a、13a的坑距能够被设定成与形成在支撑基底11表面上的凹槽11a的深度和坑距实质上相同。
对于第一中间层12具有充足地高透光度是必须的，因为当数据被记录在第一记录层20中以及记录在第一记录层20中的数据被再现时，激光光束L穿过第一中间层12，并且对于第二中间层13具有充足地高透光度是必须的，因为当数据被记录在第一记录层20中以及记录在第一记录层20中的数据被再现并且当数据被记录在第二记录层30中以及记录在第二记录层30中的数据被再现时，激光光束L穿过第二中间层13。
用于形成第一中间层12和第二中间层13的每一个的物质并不特别地局限在具有对于激光光束L的高透光度，并且紫外线固化丙烯酸树脂被优选地用于形成第一中间层12和第二中间层13的每一个。
优选地形成第一中间层12和第二中间层13的每一个，使其具有的厚度为5μm至50μm，并且更优选的形成使其具有的厚度为10μm至40μm。
第二记录层30是其中数据被记录的记录层，并且在此具体实施方式中，第二记录层30被组成为单一薄膜。
如图2所示，第三记录层40被形成在第二中间层13的表面上。
第三记录层40是其中数据被记录的记录层，并且在此具体实施方式中，第三记录层40被组成作为单一薄膜。
在此具体实施方式中，第二记录层30和第三记录层40的每一个包含Zn、Si、S和O作为基本成分和从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂。
具体地，第二记录层30通过汽相生长处理被形成在第一中间层12的表面上，其中此汽相生长处理例如使用由ZnS和SiO2混合物组成的靶和由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属组成的靶的溅射处理。在形成第二记录层30的处理期间，从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作用于作为还原剂的ZnS和SiO2混合物上，结果，Zn从S中被分离出来，并且单个物质Zn均匀地分散在第二记录层30中。
在此具体实施方式中，第三记录层30具有与第二记录层30相同的成分，所以第三记录层40通过汽相生长处理被形成在第二中间层13的表面上，其中此汽相生长处理例如使用由ZnS和SiO2混合物组成的靶和由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属组成的靶的溅射处理。
此外，在此具体实施方式中，第二记录层30被形成使其具有的厚度为15nm至50nm，并且第三记录层40被形成以致第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.40至0.70。
由于当数据被记录或者记录在第一记录层20中的数据被再现时，激光光束L穿过第二记录层30，所以对于第二记录层30有必要具有充足地高透光度，以便当记录在第一记录层30中的数据被再现时，能够获得具有高电平的信号。此外，由于当数据记录在第一记录层20或者记录在第一记录层20中的数据被再现或者当数据被记录在第二记录层30或者记录在第二记录层30中的数据被再现时，激光光束L穿过第三记录层40，所以对于第三记录层40有必要具有充足地高透光度，以便当记录在第一记录层20中的数据或者当记录在第二记录层30中的数据被再现时，能够获得具有高电平的信号。
另一方面，由于当记录在第二记录层30中的数据被再现时，由第二记录层30反射并且通过光入射面15a发射的激光光束L被检测，并且当记录在第三记录层40中的数据被再现时，由第三记录层40反射并且通过光入射面15a发射的激光光束L被检测，所以第二记录层30和第三记录层40的每一个具有充足地高光反射系数，以便当记录在它们每一个中的数据被再现时，能够获得具有高电平的信号。
在此具体实施方式中，第二记录层30和第三记录层40的每一个包含Zn、Si、S和O作为基本成分和从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂。在本发明发明者所做的研究中，发现在第二记录层30和第三记录层40的每一个包含Zn、Si、S和O作为基本成分和从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂的情况下，它们中的每一个对于激光光束L具有高透光度，其中此激光光束L具有380nm至450nm的波长。
此外，在此具体实施方式中，第二记录层30和第三记录层40被形成，以便第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.40至0.70。由本发明发明者进行的研究显示，在第二记录层30和第三记录层40被形成以致第二记录层30的厚度D2大于第三记录层40的厚度D3的情况下，它们中的每一个对于激光光束L具有更加高的透光度，其中此激光光束L具有380nm至450nm的波长。
所以，根据此具体实施方式，在数据被记录在第一记录层20中的情况下，由于在激光光束L到达第一记录层20所需的期间，有可能抑制激光光束L的功率减少到最小，所以有可能以预期的方式在第一记录层中记录数据。另一方面，当记录在第一记录层20中的数据被再现时，由于在由第一记录层20反射的激光光束L到达光入射面15a所需的期间，有可能抑制激光光束L功率减少到最小，所以有可能以预期的方式再现记录在第一记录层20中的数据。
此外，在本发明发明者所做的研究中，发现在第二记录层30和第三记录层40的每一个包含Zn、Si、S和O作为基本成分和从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂并且第二记录层30的厚度D2大于第三记录层40的厚度D3的情况下，关于激光束L的远离光入射面15a的记录层的反射系数能够被增加。所以，根据此具体实施方式，有可能以预期的方式不但从第一记录层20而且从第二记录层30和第三记录层40中再现数据。
此外，优选地是由第二记录层30吸收的激光光束L的数量和由第三记录层40吸收的激光光束L的数量实质上彼此相等，从而用于记录数据的实质上具有相同功率的激光光束L被投射到第二记录层30和第三记录层40上，并且数据能够被类似地记录在其中。
此外，为了类似地再现记录在第二记录层30和第三记录层40中的数据，优选地是第二记录层30关于聚焦在第二记录层20上并且经过第三记录层40投射到其上的激光光束L的反射系数和第三记录层40关于聚焦并且投射到第三记录层40上的激光光束L的反射系数实质上是相等的。
在本发明发明者所做的研究中，发现在第二记录层30和第三记录层40被形成以致第二记录层30具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.40至0.70的情况下，第二记录层30和第三记录层40能够被形成以致由第二记录层30吸收的激光光束L的数量和由第三记录层吸收的激光束L的数量实质上彼此相等，并且第二记录层30关于具有功率并且投射到其上的激光光束L的吸收系数和第三记录层关于具有功率并且投射到其上的激光光束L的吸收系数都十分高，即10％至30％。所以，根据此具体实施方式，有可能以预期方式在第二记录层和第三记录层中记录数据。
在本发明发明者所做的进一步研究中，发现在第二记录层30和第三记录层40的每一个包含Zn、Si、S和O作为基本成分和从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂，第二记录层30具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.40至0.70的情况下，第二记录层30和第三记录层40能够被形成以致第二记录层30的反射系数和第三记录层40的反射系数实质上彼此相等，并且它们中每一个都具有十分高的反射系数。所以，根据此具体实施方式，有可能以预期方式从第二记录层30和第三记录层40中再现数据。
如图2所示，光传输层15被形成在第三记录层40的表面上。
光传输层15用于传输激光光束L，并且光入射面15a由其中的一个表面组成。
优选地是形成光传输层15使其具有的厚度为30μm至200μm。
用于形成光传输层15的物质并不特别地被限制，类似第一中间层12和第二中间层13，紫外线固化丙烯酸树脂更优选地被用于形成光传输层15。
光传输层15可以通过使用粘合剂把由光可传输树脂组成的薄片粘着在第三记录层40的表面来形成。
对于光传输层15有必要具有充足地高透光度，因为当数据被记录在第一记录层20、第二记录层30或第三记录层40并且记录在第一记录层20、第二记录层30或第三记录层40中的数据被再现时，激光光束L穿过光传输层15。
具有上述结构的光记录介质10可以例如以下述方式制造。
图4至8表示用于制造光记录介质10的步骤。
如图4所示，在其表面上具有槽11a和凸起11b的支撑基底11通过使用模具60注入模制而被首先制造。
然后，如图5所示，使用汽相生长处理，反射薄膜21、第二电介质膜22、第一记录薄膜23a、第二记录薄膜23b和第一电介质膜24被顺序地形成在由凹槽11a和凸起11b形成的支撑基底11的表面上，从而形成第一记录层20，其中此汽相生长处理例如溅射处理。
此外，如图6所示，紫外线固化树脂通过旋涂方法被施加到第一记录层20上，以便形成涂层，并且当涂层的表面被模具61覆盖时，此涂层表面使用紫外线经过模具61被照射，从而形成在其表面上形成有凹槽12a和凸起12b的第一中间层12，并且具有的厚度为5μm至50μm。
然后第二记录层30被形成在第一中间层12的表面上。
此外，具有厚度为15nm至50nm的第二记录层30通过汽相生长处理被形成在第一中间层12的表面上，其中此汽相生长处理例如使用由ZnS和SiO2混合物组成的靶和由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属组成的靶的溅射处理。在形成第二记录层30的处理期间，从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作用于作为还原剂的ZnS和SiO2混合物上，结果，Zn从S中被分离出来，并且单个物质Zn被均匀地分散在第二记录层30中。
另一方面，虽然没有完全清楚，但是能够合理地推断得出，从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属结合从Zn中分离出的S或包含在ZnS中的S的一部分，以便形成化合物。
在此具体实施方式中，包含在靶中的ZnS和SiO2混合物的ZnS与SiO2的摩尔比优选地被设定为50∶50至90∶10，并且更优选地被设定为大约80∶20，其中此靶被用于形成第二记录层30。
在ZnS和SiO2混合物中ZnS的摩尔比被设定为等于或者大于50％的情况下，第二记录层30对于激光光束的反射系数和透光率能够同时得到改善，并且在ZnS和SiO2混合物中ZnS的摩尔比被设定为等于或者小于90％的情况下，可能有效地防止由于压力在第二记录层30中产生的裂缝。
此外，在ZnS和SiO2混合物中的ZnS与SiO2的摩尔比被设定为大约80∶20的情况下，第二记录层30对于激光光束的反射系数和透光率两者能够大大地得到改善，同时可能更有效地防止在第二记录层30中产生裂缝。
在此具体实施方式中，在Mg被包含在第二记录层30中的情况下，Mg的含量优选地为18.5原子％至33.7原子％，并且更优选地是20原子％至33.5原子％。
另一方面，在Al被包含在第二记录层30中的情况下，Al的含量优选地为11原子％至40原子％，并且更优选地是18原子％至32原子％。
此外，在Ti被包含在第二记录层30中的情况下，Ti的含量优选地为8原子％至34原子％，并且更优选地是10原子％至26原子％。
然后，如图8所示，紫外线固化树脂通过旋涂方法被施加到第二记录层30上，以便形成涂层，并且当涂层表面被模具覆盖时，涂层表面使用紫外线经过模具(未显示)被照射，从而形成在其表面上形成有凹槽13a和凸起13b的第二中间层13。
此外，如图8所示，第三记录层40通过汽相生长处理被形成在第二中间层13的表面上，其中此汽相生长处理例如使用由ZnS和SiO2混合物组成的靶和由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属组成的靶的溅射处理，以便第三记录层40的厚度D3与第二记录层40的厚度D2的比率D3/D2是0.40至0.70。
在此具体实施方式中，使用与用于形成第二记录层30的相同的靶，因此第三记录层40具有与第二记录层30相同的成分。
最终，紫外线固化树脂通过旋涂方法被施加到第三记录层40上，以便形成涂层，并且涂层表面使用紫外线被照射，从而形成具有厚度为30μm至200μm的光传输层15。
这就完成了光记录介质10的制造。
根据如下的具体实施方式，数据被记录在由此组成的光记录介质10中。
在此具体实施方式中，当数据被记录在光记录介质10中时，光传输层15的光入射面15a使用具有波长为380nm至450nm的激光光束L进行照射，并且激光光束L被聚焦在第一记录层20、第二记录层30和第三记录层40中的一个记录层上。
图9是表示当数据被记录在第一记录层20、第二记录层30或第三记录层40中时，用于控制激光光束L功率的激光功率控制信号的脉冲串图案的图形。
如图9所示，用于在第一记录层20、第二记录层30或第三记录层40中记录数据的激光功率控制信号的脉冲串图案包括多个脉冲，其电平在对应于记录功率Pw的电平、对应于中间功率Pm的电平和对应于接地功率Pb的电平之间被调制。
记录功率Pw、中间功率Pm和接地功率Pb被设定，使得记录功率Pw高于中间功率Pm，并且中间功率Pm等于或高于接地功率Pb，并且上述脉冲串图案的三个级别被相应地确定。
当数据被记录在第一记录层20中时，其功率按照具有图9中所示脉冲串图案的激光功率控制信号被调制的激光光束L被聚焦到第一记录层20上，并且经过光传输层15、第三记录层40和第二记录层30被投射其中。
图10为表示在数据被记录到其中之前的第一记录层20的示意放大剖视图，图11表示在数据被记录到其中之后的第一记录层20的示意放大剖视图。
当激光光束L被投射到第一记录层20时，包括在第一记录层20中的第一记录薄膜23a和第二记录薄膜23b被加热，因此作为基本成分的包含在第一记录薄膜23a中的Cu和包含在第二记录薄膜23b中的Si被混合，以形成混合的区域M。由于混合区域M关于激光光束的反射系数不同于其它区域的反射系数，所以混合区域M能够被用作记录标记。
在此具体实施方式中，由于第二记录层30和第三记录层40的每一个包括作为基本成分的Zn、Si、S和O以及从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂，第二记录层30具有厚度为15nm至50nm并且第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.40至0.70，第二记录层30和第三记录层40关于激光光束L具有充足地高透光度。所以，由于当激光光束L穿过第三记录层40和第二记录层30时，有可能抑制激光光束L功率减少到最小，所以数据能够以预期的方式记录在第一记录层20中。
另一方面，在记录在第一记录层20中的数据被再现的情况下，由于当激光光束L穿过第三记录层40和第二记录层30时，有可能抑制激光光束L功率减少到最小，并且当激光光束L穿过第二记录层30和第三记录层40时，有可能抑制由第一记录层20反射的激光光束L的功率减小到最小，所以记录在第一记录层20中的数据能够以预期的方式被再现。
此外，在此具体实施方式中，由于在支撑基底11和第一记录层20之间形成反射薄膜21，所以由反射薄膜21反射的激光光束L和由第一记录层20反射的激光光束L彼此打扰，因此能够增加在记录数据前后之间的反射系数的变化。所以，记录在第一记录层20中的数据能够以高灵敏度再现。
另一方面，当数据被记录在第二记录层30中时，其功率按照具有图9中所示的脉冲串图案的激光功率控制信号被调制的激光光束L被聚焦到第二记录层30上，并且经过光传输层15和第三记录层40被投射其中。
当其功率被调制到记录功率Pw的激光光束L被投射到第二记录层30时，第二记录层被加热，并且以单个物质形式包含在第二记录层30的受热区域中的Zn与S起反应，所以形成晶体ZnS颗粒。结果，晶体ZnS颗粒成核，并且出现在晶体ZnS颗粒周围的非晶体ZnS进行晶化。  由于其中以此方式已经形成晶体ZnS颗粒的区域关于激光光束具有与第二记录层30的其它区域不同的反射系数，其中此激光光束具有波长为380nm至450nm，因此此区域能够被用作记录标记，并且数据被记录在第二记录层30中。
当数据被记录在第三记录层40中时，其功率按照具有图9中所示脉冲串图案的激光功率控制信号被调制的激光光束L被聚焦到第三记录层40上，并且经过光传输层15被投射其中。
在此具体实施方式中，由于第三记录层40具有与第二记录层30相同的成分，所以当激光光束L被投射到第三记录层40上时，使用激光光束L照射的第三记录层40的一个区域被结晶，并且类似于第二记录层30，数据被记录在第三记录层40。
在此具体实施方式中，由于第二记录层30和第三记录层40的每一个包括作为基本成分的Zn、Si、S和O以及从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂，第二记录层30具有厚度为15nm至50nm并且第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.40至0.70，所以第二记录层30和第三记录层40能够被形成以致由第二记录层30吸收的激光光束L的数量和由第三记录层40吸收的激光束的数量实质上彼此相等，并且第二记录层30关于具有功率并且被投射其中的激光光束L的吸收系数和第三记录层关于具有功率并且被投射其中的激光光束L的吸收系数都十分高，即10％至30％。所以，根据此具体实施方式，有可能以预期方式把数据记录在第二记录层30和第三记录层40中。
在此具体实施方式中，激光光束L的记录功率PW被设定用于其中数据被记录的第一记录层20、第二记录层30和第三记录层40中的每一个。
更具体地说，当数据被记录在第一记录层20中时，记录功率Pw被设定为这样一个级别：以致通过把激光光束L投射到第一记录层20，包含在第一记录薄膜23a中的作为基本成分的Cu和包含在第二记录薄膜23b中的作为基本成分的Si能被可靠地混合，因此形成混合区域M。另一方面，当数据被记录在第二记录层30或第三记录层40中时，记录功率Pw被设定为这样一个级别：以致通过把激光光束L投射到第二记录层30或第三记录层40，把包含在第二记录层30或第三记录层40中的Zn和S能可靠地化合，从而形成ZnS。
类似地，激光光束L的中间功率Pm和接地功率Pb被设定用于其中数据被记录的第一记录层20、第二记录层30和第三记录层40中的每一个。
更具体地说，当数据被记录在第一记录层20中时，中间功率Pm或接地功率Pb被设定为这样一个级别，以致即使当中间功率Pm或接地功率Pb的激光光束L被投射到第一记录层20上时，包含在第一记录薄膜23a中的作为基本成分的Cu和包含在第二记录薄膜23b中的作为基本成分的Si不能够被混合。另一方面，当数据被记录到第二记录层30或第三记录层40时，中间功率Pm或接地功率Pb被设定为这样一个级别，以致即使当中间功率Pm或接地功率Pb的激光光束L被投射到第一记录层20上时，包含在第二记录层30或第三记录层40中的Zn和S不能够被化合。
特别地，接地功率Pb被设定为一个极低的级别，以便由其功率被设定为记录功率Pw的激光光束L加热的区域能够通过将激光光束L的级别从记录功率Pw转换到接地功率Pb来快速冷却。
图12是表示本发明另一个最优方案的光记录介质的示意透视图，并且图13是在图12中由B表示的光记录介质的一部分的放大示意剖视图。
如图13所示，根据此具体实施方式的光记录介质100包括支撑基底11、形成在支撑基底11表面上的第一记录层20、形成在第一记录层20表面上的第一中间层12、形成在第一中间层12表面上的第二记录层30、形成在第二记录层30表面上的第二中间层13、形成在第二中间层13表面上的第三记录层40、形成在第三记录层40表面上的第三中间层14、形成在第三中间层14表面上的第四记录层50和形成在第四记录层50表面上的光传输层15，并且除了形成第三中间层14和第四记录层50以及具有四个记录层之外，此记录介质具有与图1和2所示的光记录介质相类似的结构。
第三中间层14用于在物理上和光学上隔开第三记录层40和第四记录层50充足的距离。
如图13所示，凹槽14a和凸起14b被交替地形成在第三中间层14的表面上。当数据被记录在第四记录层50或当数据从第四记录层50被再现时，形成在第三中间层14表面上的凹槽14a和/或凸起14b用作激光光束L的导轨。
用于形成第三中间层14的物质并不特别地局限在其对于激光光束L具有高透光度的范围，并且紫外线固化丙烯酸树脂被更优选地用于形成类似于第一中间层12和第二中间层13的第三中间层14。
优选地形成第四中间层14，以使其具有的厚度为5μm至50μm，并且更优选地形成以使其具有的厚度为10μm至40μm。
第四记录层50通过汽相生长处理被形成在第三中间层14的表面上，其中此汽相生长处理例如使用由ZnS和SiO2混合物组成的靶和由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属组成的靶的溅射处理。
在此具体实施方式中，使用与用于形成第二记录层30和第三记录层40的相同的靶，因此第四记录层50具有与第二记录层30和第三记录层40的每一个相同的成分。
第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50被形成，以致第二记录层30具有厚度为20nm至50nm、第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度的比率D3/D2是0.48至0.93，第四记录层50的厚度D4与第二记录层30的厚度D2的比率D4/D2是0.39至0.70，并且第二记录层30的厚度D2、第三记录层40的厚度D3和第四记录层50的厚度D4满足D2＞D3＞D4。
本发明发明者实施的研究所涉及的情况是，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50的每一个包括作为基本成分的Zn、Si、S和O以及从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂，第二记录层30的厚度D2、第三记录层40的厚度D3和第四记录层50的厚度D4满足D2＞D3＞D4。结果，发现在此情况下，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50的每一个具有关于激光光束L的充足地高透光度。所以，根据此具体实施方式，由于当激光光束L穿过第四记录层50、第三记录层40和第二记录层30时，有可能抑制激光光束L的功率减少到最小，所以数据能够以预期的方式记录在第一记录层20中。另一方面，在记录在第一记录层20中的数据被再现的情况下，由于当激光光束L穿过第三记录层40、第二记录层30和第四记录层50时，有可能抑制激光光束L的功率减少到最小，并且当激光光束L穿过第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50时，有可能抑制由第一记录层20反射的激光光束L的功率减小到最小，所以记录在第一记录层20中的数据能够以预期的方式被再现。
此外，本发明发明者实施的研究所涉及的情况是，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50的每一个包括作为基本成分的Zn、Si、S和O以及从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂，并且第二记录层30的厚度D2、第三记录层40的厚度D3和第四记录层50的厚度D4满足D2＞D3＞D4。结果，发现在此情况下，关于激光光束L的远离光入射面15a的记录层的反射系数能够被增加。所以，根据此具体实施方式，有可能以预期的方式不但从第一记录层20而且从第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中再现数据。
此外，本发明发明者实施的研究所涉及的情况是，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50的每一个包含Zn、Si、S和O作为基本成分和从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂，并且第二记录层30具有的厚度为20nm至50nm，第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.48至0.93，第四记录层50的厚度D4与第二记录层30的厚度D2的比率D4/D2是0.39至0.70。结果发现，在此情况下，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50能够被形成，以致由第二记录层30吸收的激光光束L的数量、由第三记录层40吸收的激光光束L的数量和由第四记录层50吸收的激光光束L的数量在实质上是彼此相等的，并且第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50关于激光光束L的每一吸收系数是十分高的，即10％至20％，其中此激光光束L具有一功率并且经过光传输层15被投射至各记录层中。所以，根据此具体实施方式，有可能以预期方式把数据记录在第二记录层、第三记录层和第四记录层50中。
此外，本发明发明者实施的研究所涉及的情况是，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50的每一个包含Zn、Si、S和O作为基本成分和从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一个金属作为添加剂，并且第二记录层30具有的厚度为20nm至50nm，第三记录层40的厚度D3与第二记录层30的厚度D2的比率D3/D2是0.48至0.93，第四记录层50的厚度D4与第二记录层30的厚度D2的比率D4/D2是0.39至0.70。结果发现，在此情况下，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50能够被形成，以致第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50的反射系数实质上彼此相等，并且，它们中的每一个具有十分高的反射系数。所以，根据此具体实施方式，有可能以预期方式从第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中再现数据。
工作实例
以下将陈述工作实例，以便进一步澄清本发明的优点。
工作实例1
以下面方式制造光记录盘样本#1。
具有厚度为1.1mm、直径为120mm并且在其表面上形成有凹槽和凸起的聚碳酸酯基底通过注入模制处理被首次制造，以使槽距等于0.32μm。
然后，聚碳酸酯基底在溅射装置中被设定，并且使用溅射处理，在其中形成有凹槽和凸起的聚碳酸酯基底的表面上顺序地形成由Ag、Pd和Cu合金组成并且具有厚度为100nm的反射薄膜、包含ZnS和SiO2混合物并且具有厚度为39nm的第二电介质膜、包含Cu作为基本成分并且加入23原子％的Al和13原子％的Au并具有厚度为5nm的第一记录薄膜、包含Si作为基本成分并且具有厚度为5nm的第二记录薄膜以及包含ZnS和SiO2混合物并且具有厚度为20nm的第一电介质膜，从而在聚碳酸酯基底的表面上形成第一记录层。
在包含于第一介质层和第二介质层中的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
此外，第一记录层被形成在其表面上的聚碳酸酯基底在旋涂装置中被设定，并且在溶剂中通过溶解丙烯紫外线固化树脂制备的树脂溶液涂抹于第三电介质膜表面，以便在聚碳酸酯基底被旋转的同时形成涂层。然后，形成凹槽和凸起的模具被置于涂层的表面，并且涂层的表面使用紫外线经过模具而被照射，从而固化丙烯紫外线固化树脂。具有厚度为10μm并且在其表面上形成有凹槽和凸起以致槽距等于0.32μm的透明中间层通过移除模具而形成。
然后，在其表面上形成有第一中间层的聚碳酸酯基底在溅射装置中被设定，并且具有厚度为32nm的第二记录层通过溅射处理而形成，其中此溅射处理使用由ZnS和SiO2混合物组成的混合物靶和由Mg组成的靶。
在包含于靶中的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
第二记录层的成分通过FP方法来测量，此FP方法使用由Rigaku公司制造的荧光X射线装置″RIX2000″(产品名称)，在Rh管的X射线管电压为50kV并且X射线管电流为50mA的条件下来产生X射线。结果发现，第二记录层包含21.5原子％的Zn、10.1原子％的Si、20.8原子％的Mg、20.1原子％的O和27.5原子％的S。由于O被包含在聚碳酸酯基底中，所以O的含量被确定为Si含量的两倍，假定O化合Si以便形成SiO2。
然后，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为10μm的第二中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为24nm的第三记录层通过溅射处理形成在第二中间层上。
此外，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为10μm的第三中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为18nm的第四记录层通过溅射处理形成在第三中间层上。
最终，第四记录层使用旋涂方法涂抹通过在溶剂中溶解丙烯紫外线固化树脂制备的树脂溶液，以便形成涂层，并且该涂层使用紫外线照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂，以便形成具有厚度为85μm的保护层。
因此，制造出光记录盘样本#1。
然后，光记录盘样本#1被放置在由Pulstec工业公司制造的光记录介质评估装置″DDU1000″(产品名称)中，并且数据按照如下被记录。
具有波长为405nm的蓝色激光光束被用作记录数据的激光光束，并且激光光束使用物镜经过光传输层被会聚在第一记录层上，其中此物镜具有数值孔径为0.85，从而在下列信号记录条件下，形成以(1，7)RLL调制码的每一个具有的长度为2T的记录标记，并且形成每一个具有的长度为8T的记录标记。
此外，激光光束经过光传输层被会聚在第一记录层上，并且通过随机结合具有长度为2T至8T的记录标记，数据被记录其中。
作为用于控制激光光束功率的激光功率控制信号，使用在图9中所示的脉冲串图案，以致激光光束的记录功率Pw被设定为5mW，中间功率Pm被设定为4mW并且接地功率Pb被设定为3mW。
此外，通过在5mW至12mW的范围内逐渐地提高激光光束的记录功率Pw，数据被顺序地记录在第一记录层中。
调制码：(1，7)RLL
线性记录速度：5.3米/秒
信道比特长度：0.12μm
信道时钟：66MHz
记录轨迹：在凹槽上记录
然后，其功率被设定为再现功率的激光光束使用上述光记录介质评估装置被投射到光记录盘样本#1的第一记录层上，从而再现记录在其中数据被记录的两个轨道之间的轨道中的数据，并且测量其中没有形成记录标记的区域的反射系数，通过再现由形成记录标记而被记录的数据所获得的信号的C/N比率，其中此记录标记的每一个具有长度为2T，并测量通过再现由形成记录标记而被记录的数据所获得的信号的C/N比率，其中此记录标记的每一个具有长度为8T，以及通过再现由随机形成其长度为2T至8T的记录标记而被记录的数据所获得的信号的时钟抖动。
由于光记录盘样本#1具有四个记录层，并且被投射到第一记录层上以及从光记录盘样本#1反射的激光光束除了包括由第一记录层反射的激光光束外，还包括由第二记录层、第三记录层和第四记录层反射的激光光束，以及由第二记录、第三记录层和第四记录层层反射的激光光束的影响，以下面方式被移除并且测量第一记录层的反射系数。
特别地，制备包括仅有单个记录层的光记录盘样本和包括经过中间层被层压的具有不同厚度的两个记录层的光记录盘样本，并且测量包括单个记录层的光记录盘样本的单个记录层的反射系数。然后，测量具有两个记录层的每一个光记录盘样本的离光入射面较远的记录层的反射系数，并且与光记录盘样本的反射系数进行比较。
结果发现，在中间层具有厚度为10mm的情况下，通过较近的记录层反射到光入射面的激光光束将使离光入射面较远的记录层的反射系数为8％，并且在中间层具有厚度为15mm的情况下，通过较近的记录层反射到光入射面的激光光束将使离光入射面较远的记录层的反射系数为2％。基于此结果，计算光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层的关于第一记录层的反射系数的影响，并且当激光光束被投射到第一记录层上时，通过从由光记录盘样本#1反射的激光光束的数量中减去这些记录层的影响来计算第一记录层的反射系数。
使用由Advantest公司制造的频谱分析仪″频谱分析仪XK180″(产品名称)来测量再现信号的C/N比率。
使用时间间隔分析器来测量再现信号的波动σ，并且时钟抖动被计算为σ/Tw，其中Tw是一个时钟周期。当时钟抖动被测量时，使用限制均衡器并且抖动被测量为4ms。
当数据被再现时，使用具有波长为405nm的激光光束和具有数值孔径为0.85的物镜，并且激光光束的再现功率被设定为0.7mW。
此外，测量其信号的C/N比率是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#1的第一记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比率和抖动，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在光记录盘样本#1的第一记录层中的数据而获得的。
测量结果显示在表格1中。
然后，激光光束使用上述光记录介质评估装置而被顺序地投射到光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层上，从而以(1，7)RLL调制码形成其每一个长度为2T的记录标记，并且形成其每一个长度为8T的记录标记。
此外，使用上述光记录介质评估装置，激光光束被顺序地投射到光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层上，从而随机地形成具有长度为2T至8T的记录标记，以便把数据记录其中。
作为用于控制激光光束功率的激光功率控制信号，使用在图9中所示的脉冲串图案，同时其激光光束的记录功率Pw被设定为5mW，中间功率Pm被设定为4mW并且接地功率Pb被设定为3mW。
此外，类似于把数据记录在光记录盘样本#1的第一记录层中的情况，通过在5mW至12mW的范围内逐渐地提高激光光束的记录功率Pw，数据被顺序地记录在光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层中。
然后，其功率被设定为再现功率的激光光束使用上述光记录介质评估装置被连续投射到光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层上，从而其中没有形成记录标记的区域的反射系数、通过再现由形成记录标记被记录的数据所获得的信号的C/N比率，其中此记录标记的每一个具有长度为2T、通过再现由形成记录标记被记录的数据所获得的信号的C/N比率，其中此记录标记的每一个具有长度为8T、以及通过再现由随机形成其长度为2T至8T的记录标记被记录的数据所获得的信号的时钟抖动被测量。
当数据被再现时，类似于再现记录在第一记录层中的数据的情况，再现记录在其中数据被记录的两个轨迹之间的轨迹中的数据。
类似于计算第一记录层的反射系数的情况，计算光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层的反射系数。
此外，测量其信号的C/N比率是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比率和抖动，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在光记录盘样本#1的第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个中的数据而获得的。
测量结果显示在表格1中。
表格1
反射系数(％)  2T：C/N(dB)  8T：C/N(dB)  抖动(％) 记录功率(mW)
第四记录层 4.7  41.2  49.6  10.5 12
第三记录层 5.4  44.0  49.8  9.8 12
第二记录层 3.7  44.3  53.5  9.8 10
第一记录层 4.6  39.4  53.0  10.7 9
如表格1所示，其中没有形成记录标记的光记录盘样本#1的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的区域的反射系数分别是4.6％、3.7％、5.4％和4.7％，并且发现光记录盘样本#1的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的各区域的反射系数等于或高于3.0％并且足够高。
此外，如表格1所示，发现信号的C/N比率等于或高于39dB，其中此信号是通过再现由在光记录盘样本#1的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个中形成每一个具有长度为2T记录标记而被记录的数据获得的，并且信号的C/N比率等于或高于49dB，其中此信号是通过再现由在光记录盘样本#1的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个中形成每一个具有长度为8T的记录标记而被记录的数据获得的，并且能够获得具有高的C/N比率的所述再现的信号。
此外，如表格1所示，信号的抖动等于或低于11％，其中此信号是通过再现由在光记录盘样本#1的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个中随机地形成每一个具有长度为2T至8T的记录标记而被记录的数据而获得的，并且能够获得具有低抖动的所述再现的信号。
然后，如同下述检查光记录盘样本#1的第四记录层的状态。
首先，按照光记录盘样本#1的方式制造光记录盘样本#1-1、#1-2和#1-3，并且类似于把数据记录在光记录盘样本#1中的情况，数据被记录在光记录盘样本#1-1、#1-2和#1-3的每一个中的部分第四记录层中。
使用刀具切割光记录盘样本#1-1，以便剥落光传输层，从而把第四记录层暴露在外面。然后，具有厚度为20nm并且包含Al2O3作为基本成分的电介质膜和具有厚度为100nm并且包含Al作为基本成分的金属薄膜通过溅射处理顺序地被形成在所暴露的第四记录层上。
然后，通过局部溅射金属薄膜的表面，在光记录盘样本#1-1的电介质膜和金属薄膜中形成具有直径大约为2mm的孔，从而把第四记录层暴露在外面。
此外，在下列测量条件之下，使用由ALVAC-PHI公司制造的Auger光谱分析装置″SAM680 ″(产品名称)，测量在其中形成记录标记的光记录盘样本#1-1的第四记录层的区域和其中没有形成记录标记的区域中的能量谱。
加速电压：5kV
倾斜：30度
采样电流：10nA
Ar离子束溅射蚀刻加速电压：2kV
在其中没有形成记录标记的区域处，测量其中金属能量谱和化合物能量谱可能被混合的能量谱，另一方面在其中形成记录标记的区域处，仅仅测量化合物能量谱。
然后，使用刀具切割光记录盘样本#1-2，以便移除光传输层、第四记录层和第三中间层，因此使用紫外线固化树脂以这样一种方式把由此移除的光传输层、第四记录层和第三中间层结合到载片上，以使光传输层接触到载片。
此外，使用由steag ETA-OPTIK Co，Ltd制造的光学膜厚测定装置″ETA-RT″(产品名称)测量其中形成记录标记的光记录盘样本#1-2的第四记录层的区域和其中没有形成记录标记的区域的关于具有波长为405nm的激光光束的光吸收系数。
其中没有形成记录标记区域的光吸收系数是17％，并且其中形成记录标记区域的光吸收系数是13％。
合理地推断得出，其中形成记录标记区域的光吸收系数低于其中没有形成记录标记区域的光吸收系数，因为Zn的自由电子吸收更多光并且与S化合，以便形成化合物，因此Zn的自由电子的数目在其中形成记录标记的区域中被降低。
然后，使用切片机切割光记录盘样本#1-3，以便形成用于透射电子显微镜的样本，并且使用由JEOL LTD制造的透射电子显微镜″JEM-3010″(产品名称)测量第四记录层的电子衍射图样。加速电压被设定为300kV。
结果，在其中没有形成记录标记的光记录盘样本#1-3的第四记录层的区域中观察到ZnS的宽衍射环，另一方面，在其中形成记录标记区域中观察少量的ZnS。
从上述实验可以合理地推断得出，在其中没有形成记录标记的的第四记录层的区域中，即数据被记录之前的第四记录层，Zn以单质和与S的化合物的形式存在，并且由Zn和S化合形成的ZnS晶体存在于其中形成有记录标记的第四记录层的区域，即在数据被记录之后的第四记录层。
工作实例2
具有厚度为1.1mm并且直径为120mm的聚碳酸酯基底在溅射装置中被设定，并且具有厚度为18nm的记录层通过溅射处理形成在聚碳酸酯基底上，其中此溅射处理使用由ZnS和SiO2混合物组成的混合物靶和由Mg组成的靶，从而制造光记录盘样本#2。
在包含于该靶的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
类似于在工作实例1中，测量光记录盘样本#2的记录层的成分。结果发现，记录层包含21.5原子％的Zn、10.1原子％的Si、20.8原子％的Mg、20.1原子％的O和27.5原子％的S。
然后，具有厚度为1.1mm并且直径为120mm的聚碳酸酯基底在溅射装置中被设定，并且具有厚度为24nm的记录层通过溅射处理形成在聚碳酸酯基底上，其中此溅射处理使用由ZnS和SiO2混合物组成的混合物靶和由Mg组成的靶，从而制造光记录盘样本#3。
在包含于靶的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
类似于在工作实例1中，测量光记录盘样本#3的记录层的成分。结果发现，记录层包含21.5原子％的Zn、10.1原子％的Si、20.8原子％的Mg、20.1原子％的O和27.5原子％的S。
此外，具有厚度为1.1mm并且直径为120mm的聚碳酸酯基底在溅射装置中被设定，并且具有厚度为32nm的记录层通过溅射处理形成在聚碳酸酯基底上，其中此溅射处理使用由ZnS和SiO2混合物组成的混合物靶和由Mg组成的靶，从而制造光记录盘样本#4。
在包含于靶的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
类似于在工作实例1中，测量光记录盘样本#4的记录层的成分。结果发现，记录层包含21.5原子％的Zn、10.1原子％的Si、20.8原子％的Mg、20.1原子％的O和27.5原子％的S。
使用上述光学膜厚测定装置，激光光束顺序地被投射到光记录盘样本#2至#4，并且测量光记录盘样本#2的记录层的透光率T1、光记录盘样本#3的记录层的透光率T2和光记录盘样本#4的记录层的透光率T3。
测量结果显示在表格2中。
表格2
光线透光率(％)
sample#2 80
sample#3 69
sample#4 63
如表2中所示，光记录盘样本#2的记录层的透光率T1、光记录盘样本#3的记录层的透光率T2和光记录盘样本#4的记录层的透光率T3分别是80％、69％和63％，并且它们都超过了60％并且都非常高。
工作实例3
除了当形成第二记录层、第三记录层和第四记录层时，使用由其摩尔比为20∶30∶50的La2O3、SiO2和Si3N4混合物组成的靶而不是使用由ZnS和SiO2为80∶20的混合物组成的靶，以光记录盘样本#1的方式制造光记录盘样本#5，以致第二记录层具有厚度为28nm、第三记录层具有厚度为18nm和第四记录层具有厚度为15nm。
类似于在工作实例1中，测量光记录盘样本#5的第二记录层、第三记录层和第四记录层的成分。结果发现，第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个包含6.2原子％的La、24.1原子％的Si、23.1原子％的Mg、24.6原子％的O和22.0原子％的N。
由于O包含于聚碳酸酯基底中，所以O的含量如下被确定。基于包含于光记录盘样本#5中的N含量，首先计算在Si3N4中与N化合的Si的含量，因此从包含于光记录盘样本#5中的Si的含量中减去由此计算的Si含量，从而计算在SiO2中的Si含量。通过加倍SiO2中的Si含量，计算在SiO2中的O含量。然后，基于包含于光记录盘样本#5的La的含量，计算在La2O3中与La化合的O含量，并且通过把在SiO2中的与Si化合的O含量加入到在La2O3中的与La化合的O含量，计算包含于光记录盘样本#5中的O含量。
然后，上述光记录介质评估装置被用于顺序地把激光光束投射到光记录盘样本#5的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层，其中此激光光束的功率被设定为再现功率，并且测量其中没有形成记录标记的区域的反射系数。激光光束的再现功率被设定为0.7mW。
以工作实例1的方式测量光记录盘样本#5的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的反射系数。
测量结果显示在表格3中。
表格3
反射系数(％)
    第四记录层 3.6
    第三记录层 4.8
    第二记录层 4.3
    第一记录层 3.3
如表格3所示，其中没有形成记录标记的光记录盘样本#5的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的反射系数分别是3.3％、4.3％、4.8％和3.3％，并且发现光记录盘样本#5的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个反射系数等于或高于3.0％并且足够高。
然后，类似于工作实例1，检测光记录盘样本#5的第四记录层。在第四记录层的区域中，观察La和O的化合物，其中用于记录数据的激光光束被投射到此第四记录层区域，并且在此第四记录层区域中形成有记录标记。
工作实例4
以下面方式制造光记录盘样本#6。
类似于在工作实例1中，聚碳酸酯基底被制造，并且在该聚碳酸酯基底上连续形成第一记录层和第一中间层。
然后，在其表面上形成有第一记录层和第一中间层的该聚碳酸酯基底被设定在一溅射装置中，并且具有35nm厚度的第二记录层通过溅射处理而被形成在该第一中间层的表面上，该溅射处理使用由ZnS构成的靶和由Mg构成的靶。
与在工作实例1中类似的检测第二记录层的组成。发现该第二记录层包含39.1原子％的Zn，47.0原子的S，和13.9原子％的Mg。
然后，与在第一记录层上形成第一中间层的方式类似，通过溅射处理在第二记录层上形成具有10μm厚度的第二中间层，并且与在第一中间层上形成第二记录层的方式类似，通过溅射处理在第二中间层上形成具有21nm厚度的第三记录层。
与在工作实例1中类似的检测第三记录层的组成。发现第三记录层包含39.1原子％的Zn，47.0原子的S，和13.9原子％的Mg。
此外，与在第一记录层上形成第一中间层的方式类似，通过溅射处理在第二记录层上形成具有10μm厚度的第三中间层，并且与在第一中间层上形成第二记录层的方式类似，通过溅射处理在第三中间层上形成具有17nm厚度的第四记录层。
然后，与在工作实例1中类似的检测第四记录层的组成。发现第四记录层包含39.1原子％的Zn，47.0原子的S，和13.9原子％的Mg。
最后，第四记录层使用旋涂方法涂抹通过在溶剂中溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液，以便形成涂层，并且该涂层使用紫外线照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂，以便形成具有70μm厚度的保护层。
因此，制造出光记录盘样本#1。
然后，除了在溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#7，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成，使其它们中的每一个包含34.8原子％的Zn，44.2原子％的S，和20.0原子％的Mg。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#8，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使其它们中的每一个包含32.9原子％的Zn，42.8原子％的S，和24.3原子％的Mg。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#9，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成，使其它们中的每一个包含28.9原子％的Zn，37.6原子％的S，和33.5原子％的Mg。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#10，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成，使其它们中的每一个包含29.9原子％的Zn，30.2原子％的S，和39.9原子％的Mg。
然后，上述光记录介质评估装置用于经过光传输层将激光束聚焦到光记录盘样本#6的第四记录层上，并且形成其每一个具有8T长度的记录标记，从而在其中记录数据。激光束的记录功率Pw被设定为5mW。
此外，通过在5mW至12mW的范围内逐渐增加激光束的记录功率可将数据连续记录到光记录盘样本#6的第四记录层中。
然后，使用上述的光记录介质评估装置可将其功率被设定为再现功率的激光束投射到光记录盘样本#6的第四记录层上，由此记录在第四记录层上的数据被再现，并且该再现信号的C/N比被测量。该激光束的再现功率被设定为1.0mW。
此外，测量其信号的C/N比是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#6的第四记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在光记录盘样本#6的第四记录层中的数据而获得的。
测量结果显示在表4中。
然后，使用上述的光记录介质评估装置将激光束顺序的聚焦到光记录盘样本#6的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且可以以预期的方式判断激光束是否聚焦到第一记录层、第二记录层和第三记录层中的每一个上。
判断结果显示在表4中。
在表4中，评估“好的”表示激光束可聚焦到光记录盘样本#6的所有第一记录层、第二记录层和第三记录层上，并且评估“坏的”表示激光束不能聚焦到光记录盘样本#6的第一记录层、第二记录层和第三记录层的至少一个上。
然后，上述的光记录介质评估装置用于将其记录功率Pw被设定为5mW的激光束投射到光记录盘样本#7至#10的并且其每个记录标记具有8T长度的第四记录层上，从而将数据记录于其中。
此外，通过在5mW至12mW的范围内逐渐增加激光束的记录功率Pw可将数据记录到光记录盘样本#7至#10的每一个的第四记录层中。
然后，使用上述的光记录介质评估装置再现记录在光记录盘样本#7至#10的第四记录层中的数据，并且测量该再现信号的C/N比。此外，上述的光记录介质评估装置被用于将激光束顺序的聚焦到光记录盘样本#7至#10的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，并且以预期的方式判断激光束是否能聚焦到第一记录层、第二记录层和第三记录层的每一个上。
此外，测量其信号的C/N比是最小的激光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#7至#10的每一个的第四记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在光记录盘样本#7至#10的每一个的第四记录层中的数据而获得的。
测量和判断结果显示在表4中。
表格4
        组成(原子％)     记录功率(mW)   8T：C/N(dB)    聚焦
  Zn   S   Mg
    样本#6   39.1   47.0   13.9     12   10.6    好
    样本#7   34.8   44.2   20.0     12   40.7    好
    样本#8   32.9   42.8   24.3     10   49.1    好
    样本#9   28.9   37.6   33.5     7   48.8    好
    样本#10   29.9   30.2   39.9     7   43.4    坏
如表4所示，发现在包含20原子％至35原子％的Mg的光记录盘样本#7至#9中，信号的C/N比等于或高于40dB，其中此信号是通过再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据获得的，并且激光束能够以预期的方式聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
与此相反，发现在包含少于20原子％Mg的光记录盘样本#6中，信号的C/N比低于40dB，其中此信号是通过再现记录在其中的第四记录层中的数据获得的，并且在包含多于35原子％Mg的光记录盘样本#10中，激光束不能以预期的方式聚焦到其第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
工作实例5
除了使用由Al构成的靶代替由Mg构成的靶来形成第二记录层、第三记录层和第三记录层外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#11。
与工作实例1类似的测量光记录盘样本#11的第二记录层、第三记录层和第四记录层的组成。发现第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个包含39.7原子％的Zn，50.3原子％的S，和10.0原子％的Al。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#11的方式制造光记录盘样本#12，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成，使其它们中的每一个包含35.7原子％的Zn，45.4原子％的S，和18.9原子％的Al。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#11的方式制造光记录盘样本#13，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成，使其它们中的每一个包含32.8原子％的Zn，41.6原子％的S，和25.6原子％的Al。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#11的方式制造光记录盘样本#14，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成，使其它们中的每一个包含29.7原子％的Zn，39原子％的S，和31.3原子％的Al。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#11的方式制造光记录盘样本#15，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成，使其它们中的每一个包含25.3原子％的Zn，33.5原子％的S，和41.2原子％的Al。
此外，类似于工作实例4，上述光记录介质评估装置用于经过光传输层将激光束聚焦到光记录盘样本#11至#15每一个的第四记录层上，并且形成其每一个具有8T长度的记录标记，从而在其中记录数据。激光束的记录功率Pw被设定为5mW。
进一步，通过在5mW至12mW的范围内逐渐增加激光束的记录功率Pw可将数据连续记录到光记录盘样本#11至#15的每一个的第四记录层中。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置可再现被记录在光记录盘样本#11至#15的每一个的第四记录层上的数据，并且测量从它们的每一个再现的信号的C/N比。
此外，测量其信号的C/N比是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#11至#15的每一个的第四记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据而获得的。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置将激光束聚焦到光记录盘样本#11至#15的每一个的的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且可以预期的方式判断激光束是否能聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
测量和判断结果显示在表5中。
表5
       组成(原子％)     记录功率(mW)    8T：C/N(dB)     聚焦
  Zn   S   Al
    样本#11   39.7   50.3   10.0     12    30.8     好
    样本#12   35.7   45.4   18.9     12    42.9     好
    样本#13   32.8   41.6   25.6     12    47.7     好
    样本#14   29.7   39.0   31.3     8    47.8     好
    样本#15   25.3   33.5   41.2     5    42.2     坏
如表5所示，发现在包含18原子％至32原子％的Al的光记录盘样本#12至#14中，信号的C/N比等于或高于40dB，其中此信号是通过再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据获得的，并且激光束能够以预期的方式聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
与此相反，发现在包含少于18原子％Al的光记录盘样本#11中，信号的C/N比低于40dB，其中此信号是通过再现记录在其中的第四记录层中的数据获得的，并且在包含多于32原子％Al的光记录盘样本#15中，激光束不能以预期的方式聚焦到其第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
工作实例6
除了使用由Ti构成的靶代替由Mg构成的靶来形成具有30nm的第二记录层、具有18nm的第三记录层和具有14nm的第四记录层外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#16。
与工作实例1类似的测量光记录盘样本#16的第二记录层、第三记录层和第四记录层的组成。发现第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个包含43.6原子％的Zn，48.8原子％的S，和7.6原子％的Ti。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#16的方式制造光记录盘样本#17，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使它们中的每一个包含41.8原子％的Zn，47.9原子％的S，和10.3原子％的Ti。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#16的方式制造光记录盘样本#18，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使它们中的每一个包含38.3原子％的Zn，46.6原子％的S，和14.8原子％的Ti。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#16的方式制造光记录盘样本#19，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使它们中的每一个包含35.7原子％的Zn，42.2原子％的S，和22.1原子％的Ti。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#16的方式制造光记录盘样本#20，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含33.9原子％的Zn，40.1原子％的S，和26.0原子％的Ti。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#16的方式制造光记录盘样本#21，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含30.8原子％的Zn，33.8原子％的S，和35.4原子％的Ti。
然后，类似于工作实例4，上述光记录介质评估装置用于经过光传输层将激光束聚焦到光记录盘样本#16至#21的每一个的第四记录层上，并且形成其每一个具有8T长度的记录标记，从而在其中记录数据。激光束的记录功率Pw被设定为5mW。
进一步，通过在5mW至12mW的范围内逐渐增加激光束的记录功率Pw可将数据连续记录到光记录盘样本#16至#21的每一个的第四记录层中。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置可再现记录到光记录盘样本#16至#21的每一个的第四记录层上的数据，并且测量从它们的每一个再现的信号的C/N比。
此外，测量其信号的C/N比是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#16至#21的每一个的第四记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据而获得的。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置将激光束聚焦到光记录盘样本#16至#21的每一个的的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且可以预期的方式判断激光束是否能聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
测量和判断结果显示在表6中。
表6
       组成(原子％)     记录功率(mW)     8T：C/N(dB)     聚焦
  Zn   S   Ti
    样本#16   43.6   48.8   7.6     12     18.9     好
    样本#17   41.6   47.9   10.3     12     41.7     好
    样本#18   38.3   46.6   14.8     8     46.7     好
    样本#19   35.7   42.2   22.1     7     49.9     好
    样本#20   33.9   40.1   26.0     6     51.3     好
    样本#21   30.8   33.8   35.4     5     43.0     坏
如表6所示，发现在包含10原子％至26原子％的Ti的光记录盘样本#17至#20中，信号的C/N比等于或高于40dB，其中此信号是通过再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据获得的，并且激光束能够以预期的方式聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
与此相反，发现在包含少于10原子％Ti的光记录盘样本#16中，信号的C/N比低于40dB，其中此信号是通过再现记录在其中的第四记录层中的数据获得的，并且在包含多于26原子％Ti的光记录盘样本#21中，激光束不能以预期的方式聚焦到其第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
工作实施例7
除了在形成第二记录层、第三记录层和第四记录层时使用由摩尔比为80∶20的ZnS和SiO2的混合物构成的靶来代替由ZnS构成的靶外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#22，使得第三记录层具有24nm的厚度。
与工作实例1类似的测量光记录盘样本#22的第二记录层、第三记录层和第四记录层的组成。发现第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个包含21.8原子％的Zn，10.8原子％的Si，和18.3原子％的Mg，21.6原子％的O，和27.5原子％的S。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#22的方式制造光记录盘样本#23，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含21.5原子％的Zn，10.1原子％的Si，和20.8原子％的Mg，20.1原子％的O，和27.5原子％的S。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#22的方式制造光记录盘样本#24，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含20.0原子％的Zn，9.7原子％的Si，和23.6原子％的Mg，19.4原子％的O，和27.3原子％的S。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#22的方式制造光记录盘样本#25，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含20.3原子％的Zn，9.1原子％的Si，和25.6原子％的Mg，18.2原子％的O，和27.0原子％的S。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#22的方式制造光记录盘样本#26，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含19.6原子％的Zn，8.3原子％的Si，和30.8原子％的Mg，16.6原子％的O，和24.7原子％的S。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#22的方式制造光记录盘样本#27，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含19.1原子％的Zn，8.0原子％的Si，和33.9原子％的Mg，16.0原子％的O，和23.0原子％的S。
然后，类似于工作实例4，上述光记录介质评估装置用于经过光传输层将激光束聚焦到光记录盘样本#22至#27的每一个的第四记录层上，并且形成其每一个具有8T长度的记录标记，从而在其中记录数据。激光束的记录功率Pw被设定为5mW。
进一步，通过在5mW至12mW的范围内逐渐增加激光束的记录功率Pw可将数据连续记录到光记录盘样本#22至#27的每一个的第四记录层中。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置可再现记录到光记录盘样本#22至#27的每一个的第四记录层上的数据，并且测量从它们的每一个再现的信号的C/N比。
此外，测量其信号的C/N比是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#22至#27的每一个的第四记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据而获得的。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置将激光束聚焦到光记录盘样本#22至#27的每一个的的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且可以预期的方式判断激光束是否能聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
测量和判断结果显示在表7中。
表7
                组成(原子％)     记录功率(mW)   8T：C/N(dB)   聚焦
 Zn  Si  Mg   O  S
  样本#22  21.8  10.8  18.3  21.6  27.5     12   30.0   好
  样本#23  21.5  10.1  20.8  20.1  27.5     11   48.8   好
  样本#24  20.0  9.7  23.6  19.4  27.3     12   46.4   好
  样本#25  20.3  9.1  25.6  18.2  27.0     11   50.3   好
  样本#26  19.6  8.3  30.8  16.6  24.7     8   52.4   好
  样本#27  19.1  8.0  33.9  16.0  23.0     6   53.8   坏
如表7所示，发现在包含20原子％至31原子％的Mg的光记录盘样本#23至#26中，信号的C/N比等于或高于40dB，其中此信号是通过再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据获得的，并且激光束能够以预期的方式聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
与此相反，发现在包含少于20原子％Mg的光记录盘样本#22中，信号的C/N比低于40dB，其中此信号是通过再现记录在其中的第四记录层中的数据获得的，并且在包含多于31原子％Mg的光记录盘样本#27中，激光束不能以预期的方式聚焦到其第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
工作实例8
除了在形成第二记录层、第三记录层和第四记录层时使用由摩尔比为50∶50的ZnS和SiO2的混合物构成的靶来代替由ZnS构成的靶外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#28，使得第三记录层具有24nm的厚度。
与工作实例1类似的测量光记录盘样本#28的第二记录层、第三记录层和第四记录层的组成。发现第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个包含14.5原子％的Zn，16.6原子％的Si，17.8原子％的Mg，33.2原子％的O，和17.9原子％的S。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#28的方式制造光记录盘样本#29，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含13.1原子％的Zn，15.9原子％的Si，和23.3原子％的Mg，31.8原子％的O，和16.9原子％的S。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#28的方式制造光记录盘样本#30，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含12.9原子％的Zn，15.0原子％的Si，和26.1原子％的Mg，30.0原子％的O，和16.0原子％的S。
此外，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#28的方式制造光记录盘样本#31，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含11.8原子％的Zn，13.2原子％的Si，和32.8原子％的Mg，26.4原子％的O，和15.8原子％的S。
然后，除了溅射处理中使用的电功率被改变外，以光记录盘样本#28的方式制造光记录盘样本#32，且第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成使得它们中的每一个包含9.7原子％的Zn，10.7原子％的Si，和46.2原子％的Mg，21.4原子％的O，和12.2原子％的S。
然后，类似于工作实例4，上述光记录介质评估装置用于经过光传输层将激光束聚焦到光记录盘样本#28至#32的每一个的第四记录层上，并且形成其每一个具有8T长度的记录标记，从而在其中记录数据。激光束的记录功率Pw被设定为5mW。
进一步，通过在5mW至12mW的范围内逐渐增加激光束的记录功率Pw可将数据连续记录到光记录盘样本#28至#32的每一个的第四记录层中。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置可再现记录到光记录盘样本#28至#32的每一个的第四记录层上的数据，并且从它们的每一个再现的信号的C/N比被测量。
此外，测量其信号的C/N比是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#28至#32的每一个的第四记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据而获得的。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置将激光束聚焦到光记录盘样本#28至#32的每一个的的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且可以预期的方式判断激光束是否能聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
测量和判断结果显示在表8中。
表8
                组成(原子％)     记录功率(mW)   8T：C/N(dB)   聚焦
 Zn  Si  Mg  O  S
样本#28  14.5  16.6  17.8  33.2  17.9     12   16.6   好
样本#29  13.1  15.9  22.3  31.8  16.9     12   43.6   好
样本#30  12.9  15.0  26.1  30.0  16.0     10   48.6   好
样本#31  11.8  13.2  32.8  26.4  15.8     7   46.1   好
样本#32  9.5  10.7  46.2   21.4  12.2     6   36.3   坏
如表8所示，发现在包含20原子％至33原子％的Mg的光记录盘样本#29至#31中，信号的C/N比等于或高于40dB，其中此信号是通过再现记录在它们中的每一个的第四记录层中的数据获得的，并且激光束能够以预期的方式聚焦到它们中的每一个的第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
与此相反，发现在包含少于20原子％Mg的光记录盘样本#28中，信号的C/N比低于40dB，其中此信号是通过再现记录在其中的第四记录层中的数据获得的，并且在包含多于33原子％Mg的光记录盘样本#32中，激光束不能以预期的方式聚焦到其第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
工作实例9
除了在形成第二记录层、第三记录层和第四记录层时使用由摩尔比为20∶30∶50的La2O3、SiO2和Si3N4的混合物构成的靶来代替由ZnS构成的靶外，以光记录盘样本#6的方式制造光记录盘样本#33，使得第二记录层具有40nm的厚度，第三记录层具有24nm的厚度，和第四记录层具有19nm的厚度。
与工作实例1类似的测量光记录盘样本#33的第二记录层、第三记录层和第四记录层的组成。发现第二记录层、第三记录层和第四记录层的每一个包含6.2原子％的La，24.1原子％的Si，23.1原子％的Mg，24.6原子％的O，和22.0原子％的N。
然后，类似于工作实例4，上述光记录介质评估装置用于经过光传输层将激光束聚焦到光记录盘样本#33的第四记录层上，并且形成其每一个具有8T长度的记录标记，从而在其中记录数据。激光束的记录功率Pw被设定为5mW。
进一步，通过在5mW至12mW的范围内逐渐增加激光束的记录功率Pw可将数据连续记录到光记录盘样本#33的第四记录层中。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置可再现记录到光记录盘样本#33的第四记录层上的数据，并且测量从其再现的信号的C/N比。
此外，测量其信号的C/N比是最小的激光光束的记录功率Pw，其中此信号是通过从5mW至12mW改变激光光束的记录功率Pw并且再现记录在光记录盘样本#33的第四记录层中的数据而获得的，并且测量信号的C/N比，其中此信号是通过在记录功率Pw处再现记录在其第四记录层中的数据而获得的。
然后，类似于工作实例4，使用上述的光记录介质评估装置将激光束聚焦到光记录盘样本#33的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且可以预期的方式判断激光束是否能聚焦到其第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
测量和判断结果显示在表9中。
表9
               组成(原子％) 记录功率(mW)    8T：C/N(dB)   聚焦
La  Si  Mg  O  N
样本#32 6.2  24.1  23.1  24.6  22.0 12    50.5   好
如表9所示，发现信号的C/N比等于或高于40dB，其中此信号是通过再现记录在光记录盘样本#33的第四记录层中的数据获得的，并且激光束能够以预期的方式聚焦到其第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
工作实例10
类似于工作实例1，聚碳酸酯基底被制造并且在该聚碳酸酯基底上形成第一记录层。
然后，在其表面上形成有第一记录层的聚碳酸酯基底在旋涂装置中被设定，并且在溶剂中通过溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液涂抹于第三电介质膜，以便在聚碳酸酯基底被旋转的同时形成涂层。然后，形成有凹槽和凸起的模具被置于涂层的表面，并且涂层的表面使用紫外线经过模具而被照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂。具有厚度为15μm并且在其表面上形成有凹槽和凸起以致槽距等于0.32μm的透明中间层通过移除模具而形成。
然后，在其表面上形成有第一中间层的聚碳酸酯基底在溅射装置中被设定，并且具有厚度为35nm的第二记录层通过溅射处理而形成，其中此溅射处理使用由ZnS和SiO2混合物组成的混合物靶和由Mg组成的靶。
在包含于靶的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
类似于工作实例，测量第二记录层的组成。发现第二记录层包含21.5原子％的Zn、10.1原子％的Si、20.8原子％的Mg、20.1原子％的O和27.5原子％的S。
然后，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第二中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为16nm的第三记录层通过溅射处理形成在第二中间层上。
第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.46。
最后，第三记录层使用旋涂方法涂抹通过在溶剂中溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液，以便形成涂层，并且涂层使用紫外线照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂，以便形成具有厚度为70μm的保护层。
因此，制造出光记录盘样本#34。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为19nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.54之外，以制造光记录盘样本#34的方法制造光记录盘样本#35。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为22nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.63之外，以制造光记录盘样本#34的方法制造光记录盘样本#36。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为24nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.69之外，以制造光记录盘样本#34的方法制造光记录盘样本#37。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为10nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.29之外，以制造光记录盘样本#34的方法制造光记录盘比较样本#1。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为13nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.37之外，以制造光记录盘样本#34的方法制造光记录盘比较样本#2。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为27nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.77之外，以制造光记录盘样本#34的方法制造光记录盘比较样本#3。
然后，光记录盘样本#34被设定于上述的光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到广记录盘样本#34的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，从而测量第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、和第三记录层的反射系数R2。
激光束的功率被设定为1.0mW，并且使用数值孔径为0.85的物镜将激光束投射到第一记录层、第二记录层和第三记录层上。
类似于工作实例1计算第一记录层的反射系数R0和第二记录层的反射系数R1。
此外，通过从光记录盘样本#34的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2中的最大反射系数中减去它们中的最小反射系数来计算反射系数中的差。
测量和计算结果显示在表10中。
类似于上述，光记录盘样本#35至#37和光记录盘比较样本#1至#3被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表10中。
表10
  D3/D2   R2(％)   R1(％)   R0(％)     反射系数的差(％)
  样本#34   0.46   4.7   7.1   7.2     2.6
  样本#35   0.54   6.1   6.5   6.6     0.5
  样本#36   0.63   7.4   6.0   6.1     1.3
  样本#37   0.69   8.2   5.7   5.8     2.5
  比较样本#1   0.29   2.2   8.5   8.7     6.5
  比较样本#2   0.37   3.4   7.7   7.9     4.5
  比较样本#3   0.77   9.4   5.3   5.4     4.1
如表10所示，发现在光记录盘样本#34至#37的每一个中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.40至0.70，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#34至#37的反射系数之差分别为2.6％、0.5％、1.3％、2.5％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2实质上彼此相等。
与此相反，发现在每个光记录盘比较样本#1至#3中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2在范围0.40至0.70之外，光记录盘比较样本#1的第三记录层的反射系数R2低于3％，而且光记录盘比较样本#1至#3的反射系数之差分别为6.5％、4.5％和4.1％，且超过了3％。因此，发现第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2彼此不同。
工作实例11
类似于工作实例1制造聚碳酸酯基底。
然后，该聚碳酸酯基底被设置在溅射装置上，并且使用溅射装置，在其上形成有凹槽和凸起的聚碳酸酯基底的表面上顺序形成由Ag、Pd和Cu合金构成并且具有100nm的厚度的反射薄膜、包含ZnS和SiO2混合物并且具有37nm厚度的第二电解质膜、包括作为基本成分的Cu并且具有5nm厚度的第一记录薄膜、包含作为基本成分的Si并且具有5nm厚度的第二记录薄膜以及包含ZnS和SiO2混合物并且具有20nm厚度的第一电介质膜，从而在聚碳酸酯基底的表面上形成第一记录层。
在包含于第一电介质层和第二电介质层中的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
此外，在其表面上形成有第一记录层的聚碳酸酯基底在旋涂装置中被设定，并且在溶剂中通过溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液涂抹于第三电介质膜，以便在聚碳酸酯基底被旋转的同时形成涂层。然后，形成有凹槽和凸起的模具被置于涂层的表面上，并且涂层的表面使用紫外线经过模具而被照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂。具有厚度为15μm并且在其表面上形成有凹槽和凸起以致槽距等于0.32μm的透明中间层通过移除模具而形成。
然后，在其表面上形成有第一记录层和第一中间层的聚碳酸酯基底在溅射装置中被设定，并且具有厚度为35nm的第二记录层通过溅射处理而形成，其中此溅射处理使用由ZnS和SiO2混合物组成的混合物靶和由Mg组成的靶。
在包含于靶的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
类似于工作实例1，测量第二记录层的组成。发现第二记录层包含21.5原子％的Zn、10.1原子％的Si、20.8原子％的Mg、20.1原子％的O和27.5原子％的S。
然后，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第二中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为17nm的第三记录层通过溅射处理形成在第二中间层上。
第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.49。
此外，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第三中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为15nm的第四记录层通过溅射处理形成在第三中间层上。
最后，第四记录层使用旋涂方法涂抹通过在容剂中溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液，以便形成涂层，并且涂层使用紫外线照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂，以便形成具有厚度为70μm的保护层。
因此，制造出光记录盘样本#38。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为20nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.57之外，以制造光记录盘样本#38的方法制造光记录盘样本#39。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为24nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.69之外，以制造光记录盘样本#38的方法制造光记录盘样本#40。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为28nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.80之外，以制造光记录盘样本#38的方法制造光记录盘样本#41。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为10nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.29之外，以制造光记录盘样本#38的方法制造光记录盘比较样本#4。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为13nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.37之外，以制造光记录盘样本#38的方法制造光记录盘比较样本#5。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为33nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.94之外，以制造光记录盘样本#38的方法制造光记录盘比较样本#6。
然后，类似于工作实例10，光记录盘样本#38至#41和光记录盘比较样本#4至#6被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表11中。
表11
  D3/D2   R3(％)   R2(％)   R1(％)   R0(％)     反射系数的差(％)
样本#38   0.49   4.1   3.3   4.4   4.5     1.2
样本#39   0.57   4.1   4.2   4.1   4.2     0.1
样本#40   0.69   4.1   5.3   3.7   3.7     1.6
样本#41   0.80   4.1   6.2   3.3   3.4     2.9
比较样本#4   0.29   4.1   1.4   5.5   5.6     4.2
比较样本#5   0.37   4.1   2.2   5.0   5.1     2.9
比较样本#6   0.94   4.1   6.8   3.1   3.2     3.7
如表11所示，在使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Mg构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#38至#41的每一个中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.49至0.70，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#38至#41的反射系数之差分别为1.2％、0.1％、1.6％、2.9％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上彼此相等。
与此相反，发现在每个光记录盘比较样本#4至#6中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2在范围0.49至0.70之外，光记录盘比较样本#4和#5的每个的第三记录层的反射系数R2低于3％，而且光记录盘比较样本#4和#6的反射系数之差为4.2％和3.7％，且超过了3％。因此，发现第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
工作实例12
除了第三记录层和第四记录层被形成使第三记录层具有的厚度D3为20nm和第四记录层的厚度D4为14nm之外，以制造光记录盘样本#38的方法制造光记录盘样本#42。
第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.40。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D3为15nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.43之外，以制造光记录盘样本#42的方法制造光记录盘样本#43。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为19nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.54之外，以制造光记录盘样本#42的方法制造光记录盘样本#44。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为10nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.29之外，以制造光记录盘样本#42的方法制造光记录盘比较样本#7。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为25nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.71之外，以制造光记录盘样本#42的方法制造光记录盘比较样本#8。
然后，光记录盘样本#42至#44和光记录盘比较样本#7和#8被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表12中。
表12
  D4/D2   R3(％)   R2(％)   R1(％)   R0(％)   反射系数的差(％)
  样本#42   0.40   3.8   4.3   4.2   4.4   0.5
  样本#43   0.43   4.3   4.1   4.0   4.1   0.3
  样本#44   0.54   6.1   3.7   3.6   3.7   2.5
  比较样本#7   0.29   2.2   4.8   4.7   4.8   2.7
  比较样本#8   0.71   8.6   3.2   3.0   3.1   5.6
如表12所示，在使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Mg构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#42至#44的每一个中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.40至0.54，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#42至#44的反射系数之差分别为0.5％、0.3％、2.5％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上彼此相等。
与此相反，发现在每个光记录盘比较样本#7和#8中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2在范围0.40至0.54之外，光记录盘比较样本#7的第四记录层的反射系数R3低于3％，并且光记录盘比较样本#8的反射系数之差为5.6％，且超过了3％。因此，发现每个光记录盘比较样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
工作实例13
类似于工作实例11，制造聚碳酸酯基底并且在该聚碳酸酯基底的表面上顺序形成第一记录层和第一中间层。
然后，在其上形成有第一记录层和第一中间层的聚碳酸酯基底被设置在溅射装置上，并且通过溅射装置使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Al构成的靶形成具有28nm厚度的第二记录层。
在包含于靶中的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
类似于工作实例1，测量第二记录层的组成。发现第二记录层包含22.2原子％的Zn、9.8原子％的Si、19.3原子％的Al、19.6原子％的O和29.1原子％的S。
然后，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第二中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为15nm的第三记录层通过溅射处理形成在第二中间层上。
第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.54。
此外，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第三中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为12nm的第四记录层通过溅射处理形成在第三中间层上。
最后，第四记录层使用旋涂方法涂抹通过在溶剂中溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液，以便形成涂层，并且涂层使用紫外线照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂，以便形成具有厚度为70μm的保护层。
因此，制造出光记录盘样本#45。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为18nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.64之外，以制造光记录盘样本#45的方法制造光记录盘样本#46。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为22nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.79之外，以制造光记录盘样本#45的方法制造光记录盘样本#47。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为10nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.36之外，以制造光记录盘样本#45的方法制造光记录盘比较样本#9。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为27nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.96之外，以制造光记录盘样本#45的方法制造光记录盘比较样本#10。
然后，类似于工作实例10，光记录盘样本#45至#47和光记录盘比较样本#9和#10被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表13中。
表13
  D3/D2   R3(％)   R2(％)   R1(％)   R0(％)     反射系数的差(％)
  样本#45   0.54   3.6   3.2   3.9   3.8     0.7
  样本#46   0.64   3.6   4.2   3.5   3.4     0.8
  样本#47   0.79   3.6   5.4   3.0   3.0     2.4
  比较样本#9   0.36   3.6   1.7   4.7   4.6     3.0
  比较样本#10   0.96   3.6   6.7   2.6   2.6     4.1
如表13所示，在使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Al构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#45至#47的每一个中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.54至0.79，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#45至#47的反射系数之差分别为0.7％、0.8％和2.4％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上被此相等。
与此相反，发现在光记录盘比较样本#9和#10中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2在范围0.54至0.79之外，光记录盘比较样本#9的第三记录层的反射系数R2低于3％，而光记录盘比较样本#10的反射系数之差为4.2％，超过了3％。因此，发现每个光记录盘比较样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
工作实例14
除了第三记录层和第四记录层被形成使第三记录层的厚度D3等于16.4nm和第四记录层的厚度D4等于11nm之外，以制造光记录盘样本#45的方法制造光记录盘样本#48。
第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.39。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为13nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.46之外，以制造光记录盘样本#48的方法制造光记录盘样本#49。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为16nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.57之外，以制造光记录盘样本#48的方法制造光记录盘样本#50。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为10nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.36之外，以制造光记录盘样本#48的方法制造光记录盘比较样本#11。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为21nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.75之外，以制造光记录盘样本#48的方法制造光记录盘比较样本#12。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为25nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.89之外，以制造光记录盘样本#48的方法制造光记录盘比较样本#13。
然后，类似于工作实例10，光记录盘样本#48至#50和光记录盘比较样本#11和#13被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表14中。
表14
   D4/D2   R3(％)     R2(％)   R1(％)     R0(％)     反射系数的差(％)
样本#48    0.39   3.1     3.8   3.8     3.7     0.7
样本#49    0.46   4.1     3.5   3.5     3.5     0.6
样本#50    0.57   5.7     3.2   3.2     3.1     2.6
比较样本#11    0.36   2.7     4.0   4.0     3.9     1.3
比较样本#12    0.75   8.2     2.7   2.7     2.6     5.6
比较样本#13    0.89   10.0     2.3   2.3     2.3     7.7
如表14所示，在使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Al构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#48至#50的每一个中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.39至0.57，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#48至#50的反射系数之差分别为0.7％、0.6％和2.6％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上彼此相等。
与此相反，发现在每个光记录盘比较样本#11至#13中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2在范围0.39至0.57之外，光记录盘比较样本#11的第四记录层的反射系数R3、光记录盘比较样本#12的第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R2、以及光记录盘比较样本#13的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1和第三记录层的反射系数R3都低于3％，并且光记录盘比较样本#12和#13的反射系数之差为5.6％和7.7％，且超过了3％。因此，发现每个光记录盘比较样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
工作实例15
类似于工作实例11，制造聚碳酸酯基底并且在该聚碳酸酯基底的表面上顺序形成第一记录层和第一中间层。
然后，在其表面上形成有第一记录层和第一中间层的聚碳酸酯基底被设置在溅射装置上，并且通过溅射装置使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Zn构成的靶形成具有21.2nm厚度的第二记录层。
在包含于靶中的ZnS和SiO2混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
类似于工作实例1，测量第二记录层的组成，结果发现第二记录层包含42.1原子％的Zn、9.7原子％的Si、18.4原子％的O和29.8原子％的S。
然后，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第二中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为12nm的第三记录层通过溅射处理形成在第二中间层上。
第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.57。
此外，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第三中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为10.8nm的第四记录层通过溅射处理形成在第三中间层上。
最后，第四记录层使用旋涂方法涂抹通过在溶剂中溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液，以便形成涂层，并且涂层使用紫外线照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂，以便形成具有厚度为70μm的保护层。
因此，制造出光记录盘样本#51。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为14nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.66之外，以制造光记录盘样本#51的方法制造光记录盘样本#52。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为16nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.75之外，以制造光记录盘样本#51的方法制造光记录盘样本#53。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚D3为19nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.90之外，以制造光记录盘样本#51的方法制造光记录盘样本#54。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为10nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.47之外，以制造光记录盘样本#51的方法制造光记录盘比较样本#14。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为21nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.99之外，以制造光记录盘样本#51的方法制造光记录盘比较样本#15。
此外，类似于工作实例10，光记录盘样本#51至#54和光记录盘比较样本#14至#15被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表15中。
表15
  D3/D2   R3(％)   R2(％)   R1(％)   R0(％)   反射系数的差(％)
  样本#51   0.57   4.0   3.1   4.3   4.3   1.2
  样本#52   0.66   4.0   4.0   4.0   4.0   0.0
  样本#53   0.75   4.0   4.8   3.7   3.7   1.1
  样本#54   0.90   4.0   6.1   3.3   3.3   2.8
  比较样本#14   0.47   4.0   2.3   4.7   4.7   2.4
  比较样本#15   0.99   4.0   6.9   3.1   3.1   3.8
如表15所示，在使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Zn构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#51至#54的每一个中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.57至0.90，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#51至#54的反射系数之差分别为1.2％、0.0％、1.1％和2.8％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上彼此相等。
与此相反，发现在光记录盘比较样本#14和#15中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2在范围0.57至0.90之外，光记录盘比较样本#14的第三记录层的反射系数R2低于3％，而光记录盘比较样本#15的反射系数之差为3.8％，超过了3％。因此，发现每个光记录盘比较样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
工作实例16
除了第三记录层和第四记录层被形成使第三记录层的厚度D3等于14nm和第四记录层的厚度D4等于9nm之外，以制造光记录盘样本#51的方法制造光记录盘样本#55。
第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.42。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为11nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.52之外，以制造光记录盘样本#55的方法制造光记录盘样本#56。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为14.5nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.68之外，以制造光记录盘样本#55的方法制造光记录盘样本#57。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为8nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.38之外，以制造光记录盘样本#55的方法制造光记录盘比较样本#16。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为16nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.75之外，以制造光记录盘样本#55的方法制造光记录盘比较样本#17。
然后，类似于工作实例10，光记录盘样本#55至#57和光记录盘比较样本#16和#17被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表16中。
表16
  D4/D2   R3(％)   R2(％)   R1(％)   R0(％)     反射系数的差(％)
  样本#55   0.42   3.0   4.3   4.3   4.3     1.3
  样本#56   0.52   4.2   3.9   4.0   4.0     0.3
  样本#57   0.68   6.4   3.5   3.5   3.5     2.9
  比较样本#16   0.38   2.7   4.4   4.4   4.4     1.7
  比较样本#17   0.75   7.5   3.2   3.3   3.3     4.3
如表16所示，在使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由Zn构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#55至#57的每一个中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.42至0.68，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#55至#57的反射系数之差分别为1.3％、0.3％和2.9％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上彼此相等。
与此相反，发现在每个光记录盘比较样本#16和#17中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2在范围0.42至0.68之外，光记录盘比较样本#16的第四记录层的反射系数R3低于3％，并且光记录盘比较样本#17的反射系数之差为4.3％，超过了3％。因此，发现每个光记录盘比较样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
工作实例17
类似于工作实例11，制造聚碳酸酯基底并且在该聚碳酸酯基底的表面上顺序形成第一记录层和第一中间层。
然后，在其表面上形成有第一记录层和第一中间层的聚碳酸酯基底被设置在溅射装置上，并且通过溅射处理使用由SiO2、Si3N4和La2O3混合物构成的混合物靶和由Mg构成的靶形成具有21.2nm厚度的第二记录层。
在包含于靶中的SiO2、Si3N4和La2O3的摩尔比是30∶50∶20。
类似于工作实例1，测量第二记录层的组成。结果发现第二记录层包含6.2％原子％的La、24.1原子％的Si、23.1原子％的Mg、24.6原子％的O和22.0原子％的N。
然后，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第二中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为20nm的第三记录层通过溅射处理形成在第二中间层上。
第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.50。
此外，类似于在第一记录层上形成第一中间层的方法，具有厚度为15μm的第三中间层通过溅射处理形成在第二记录层上，并且类似于在第一中间层上形成第二记录层的方法，具有厚度为19nm的第四记录层通过溅射处理形成在第三中间层上。
最后，第四记录层使用旋涂方法涂抹通过在溶剂中溶解丙烯酸紫外线固化树脂制备的树脂溶液，以便形成涂层，并且涂层使用紫外线照射，从而固化丙烯酸紫外线固化树脂，以便形成具有厚度为70μm的保护层。
因此，制造出光记录盘样本#58。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为25nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.63之外，以制造光记录盘样本#58的方法制造光记录盘样本#59。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为30nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.75之外，以制造光记录盘样本#58的方法制造光记录盘样本#60。
然后，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为37nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.93之外，以制造光记录盘样本#58的方法制造光记录盘样本#61。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为13nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.33之外，以制造光记录盘样本#58的方法制造光记录盘比较样本#18。
此外，除了第三记录层被形成使其具有的厚度D3为42nm并且其厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为1.05之外，以制造光记录盘样本#58的方法制造光记录盘比较样本#19。
此外，类似于工作实例10，光记录盘样本#58至#61和光记录盘比较样本#18至#19被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表17中。
表17
  D3/D2   R3(％)   R2(％)   R1(％)   R0(％)     反射系数的差(％)
  样本#58   0.50   4.1   3.1   4.3   4.3     1.2
  样本#59   0.63   4.1   4.2   3.9   4.0     0.3
  样本#60   0.75   4.1   5.2   3.6   3.6     1.6
  样本#61   0.93   4.1   6.1   3.2   3.3     2.9
  比较样本#18   0.33   4.1   1.5   5.0   5.0     3.5
  比较样本#19   1.05   4.1   6.5   3.1   3.1     3.4
如表17所示，在使用由SiO2、Si3N4和La2O3混合物构成的靶和由Mg构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#58至#61的每一个中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2为0.50至0.95，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#58至#61的反射系数之差分别为1.2％、0.3％、1.6％和2.9％，都低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上彼此相等。
与此相反，发现在光记录盘比较样本#18和#19的每一个中，第三记录层的厚度D3与第二记录层的厚度D2的比D3/D2在范围0.50至0.95之外，光记录盘比较样本#18的第三记录层的反射系数R2低于3％，而光记录盘比较样本#18和#19的反射系数之差为3.5％，超过了3.4％。因此，发现每个光记录盘比较样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
工作实例18
除了第三记录层和第四记录层被形成使第三记录层的厚度D3等于24nm和第四记录层的厚度D4等于16nm之外，以制造光记录盘样本#58的方法制造光记录盘样本#62。
第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.40。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为19nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.48之外，以制造光记录盘样本#62的方法制造光记录盘样本#63。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为22nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.55之外，以制造光记录盘样本#62的方法制造光记录盘样本#64。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为26nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.65之外，以制造光记录盘样本#62的方法制造光记录盘样本#65。
此外，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为13nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.33之外，以制造光记录盘样本#62的方法制造光记录盘比较样本#20。
然后，除了第四记录层被形成使其具有的厚度D4为30nm并且其厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.75之外，以制造光记录盘样本#62的方法制造光记录盘比较样本#21。
然后，类似于工作实例10，光记录盘样本#62至#65和光记录盘比较样本#20和#21被连续设置在上述光记录介质评估装置中，并且具有405nm波长的激光束被投射到每个样本的第一记录层、第二记录层和第三记录层上，由此其第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3被测量，并且其反射系数之间的差被计算。
测量和计算结果显示在表18中。
表18
  D4/D2   R3(％)   R2(％)   R1(％)   R0(％)     反射系数的差(％)
样本#62   0.40   3.1   4.2   4.3   4.3     1.2
样本#63   0.48   4.1   4.0   4.0   4.0     0.1
样本#64   0.55   5.1   3.7   3.8   3.8     1.3
样本#65   0.65   6.3   3.5   3.5   3.5     2.9
比较样本#20   0.33   2.2   4.5   4.5   4.5     2.3
比较样本#21   0.75   7.4   3.3   3.3   3.3     4.2
如表18所示，在使用由SiO2、Si3N4和La2O3混合物构成的靶和由Mg构成的靶形成第二记录层、第三记录层和第四记录层的情况下，发现在光记录盘样本#62至#65的每一个中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2为0.40至0.65，每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3都超过了3％并且足够高。此外，发现光记录盘样本#62至#65的反射系数之差分别为1.2％、0.1％、1.3％和2.9％，并且低于3.0％，并且每个光记录盘样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3实质上彼此相等。
与此相反，发现在每个光记录盘比较样本#20和#21中，第四记录层的厚度D4与第二记录层的厚度D2的比D4/D2在范围0.40至0.65之外，光记录盘比较样本#20的第四记录层的反射系数R3低于3％，并且光记录盘比较样本#21的反射系数之差为4.2％，超过了3％。因此，发现每个光记录盘比较样本的第一记录层的反射系数R0、第二记录层的反射系数R1、第三记录层的反射系数R2和第四记录层的反射系数R3彼此不同。
虽然参照特定的实施例和工作实例示出并描述了本发明。然而，应该注意本发明不局限于所述结构的细节，而是在不脱离后附权利要求的范围的情况下，可对本发明产生变化和修改。
例如，在上述实施例中，光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个通过汽相生长处理形成，该处理例如使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属构成的靶的溅射处理。然而，对于光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个不是绝对必须由汽相生长处理来形成，所述汽相生长处理例如使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属构成的靶的溅射处理，光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个可由汽相生长处理来形成，该汽相生长处理例如使用包含ZnS和SiO2的混合物作为基本成分的靶和由从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为基本成分的靶的溅射处理。
此外，在上述的实施例中，光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个通过汽相生长处理形成，该处理例如使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属构成的靶的溅射处理，结果记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个包含Zn、Si、O和S作为基本成分和从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂。然而，对于光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个不是绝对必须由汽相生长处理来形成，所述汽相生长处理例如使用由ZnS和SiO2混合物构成的靶和由从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属构成的靶的溅射处理，并且光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个可通过汽相生长处理形成，该处理例如使用由作为基本成分的La2O3、SiO2和Si3N4的混合物构成的靶和包含从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为基本成分的靶的溅射处理。在记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个以这种方式形成时，第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个包含La、Si、O和S作为基本成分和从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂。
更进一步，在上述实施例中，虽然光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50具有相同的组成，但也可使从Zn、Si、O和S构成的组中选择的一种金属的含量差等于或小于5％原子，并且光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50具有相同的组成也不是绝对必须的。
此外，虽然在图1和2所示的实施例中，光记录介质10的第二记录层30和第三记录层40中的每一个包含Zn、Si、O和S作为基本成分和从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂，但光记录介质10的第二记录层30和第三记录层40中的每一个包含Zn、Si、O和S作为基本成分和从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂不是绝对必须的。可使光记录介质10的第二记录层30和第三记录层40中的每一个包含从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和元素X，其中元素X在用激光束进行照射记录数据时可与金属M结合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体，并且光记录介质10的第二记录层30和第三记录层40中至少一个包含从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和从S、O、C和N构成的组中选择的至少一种金属作为基本成分，以及从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂。
此外，虽然在图12和13所示的实施例中，光记录介质100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个包含Zn、Si、O和S作为基本成分和从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂，但光记录介质100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个包含Zn、Si、O和S作为基本成分和从Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂并不是绝对必须的。可使光记录介质100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的至少一个包含从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和元素X，其中元素X在用激光束进行照射记录数据时可与金属M结合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体，并且光记录介质100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的至少一个包含从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和从S、O、C和N构成的组中选择的至少一种元素作为基本成分，以及从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂。
另外，在上述实施例中，虽然光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个是使用从由Mg、Al和Ti构成的组中选择的至少一种金属构成的靶形成，但光记录介质10、100的第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50中的每一个可通过使用包含Zn或La作为基本成分的靶形成。
此外，在上述实施例中，虽然光记录介质10、100的第一记录层20包括含有Cu作为基本成分的第一记录膜23a和含有Si作为基本成分的第二记录膜23b，但光记录介质10、100的第一记录层20包括含有Cu作为基本成分的第一记录膜23a和含有Si作为基本成分的第二记录膜23b不是绝对必须的。光记录介质10、100的第一记录层20可被形成包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和从S、O、C和N构成的组中选择的至少一种元素作为基本成分，以及从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属作为添加剂，并且此外，光记录介质10、100的第一记录层20可被形成包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属M和元素X，其中元素X在用激光束进行照射记录数据时可与金属M结合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体。
此外，在上述实施例中，虽然光记录介质10、100的第一记录层20包括含有Cu作为基本成分的第一记录膜23a和含有Si作为基本成分的第二记录膜23b，但代替第一记录层20，通过在支撑基底11或第一中间层12的表面上形成凹坑并在其中记录数据，可利用支撑基底11或第一中间层12作为用于仅能够进行数据读取的记录层。
此外，在上述实施例中，虽然光记录介质10、100包括光传输层15，但代替光传输层15，可形成包含作为基本成分的硬涂层成分的硬涂层或者在光传输层15上形成包含作为基本成分的硬涂层成分的硬涂层。另外，可将润滑剂加入到硬涂层中，或者可在硬涂层上形成一润滑剂层，从而使得光记录介质的表面具有润滑特性并能防止污染。
此外，虽然在图1和2所示的实施例中，激光束L是通过光传输层15投射到第一记录层20、第二记录层30和第三记录层40上，并且激光束L通过光传输层15投射到第一记录层20、第二记录层30、第三记录层40和第四记录层50上，但本发明不局限于具有过种结构的光记录介质，并且光记录介质在由光透射材料性的基底和保护层之间可包括两个或多个记录层，并且该介质被构成使得激光束L通过基底投射到记录层上。
根据本发明，可提供一种包括多个记录层的光记录介质，并且数据能以预期的方式记录在离光入射面最远的记录层中并从中再现数据，同时数据能够以预期的方式记录在除离光入射面最远的记录层之外的其它记录层上并能从其中再现数据。

Claims (16)

1.一种光记录介质，包括一基底和经由至少中间层被层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的至少一个包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X和金属M的化合物的晶体。
3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物的晶体，并且以这样的一种方法形成，以致较接近于光入射面的记录层较薄。
4.根据权利要求3所述的光记录介质，其中此光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.40至0.70。
5.根据权利要求3所述的光记录介质，其中此光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层，并且第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成以致第二记录层具有20nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.48至0.93，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.39至0.70。
6.根据权利要求1-5所述的任何一种光记录介质，其中元素X至少由从S、O、C和N组成的组中选择的一种元素组成。
7.根据权利要求1-6所述的任何一种光记录介质，其中包括金属M和元素X的至少一个记录层进一步包括从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。
8.一种光记录介质，包括一个基底和经过至少中间层被层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的至少一个记录层包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的一个元素，并且此记录层被加入了从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。
9.根据权利要求8所述的光记录介质，其中在多个记录层中除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一个元素，并且此记录层被加入了从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。
10.根据权利要求8所述的光记录介质，其中在多个记录层中除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一种元素，并且此记录层被加入了从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属，并且以这样一种方法形成，以致较接近于光入射面的记录层较薄。
11.根据权利要求8-10任何一个所述的光记录介质，其中包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一种元素，并且被加入了从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的记录层通过汽相生长处理而形成，其中此汽相生长处理使用包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一种元素的靶和包括作为基本成分的从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的靶。
12.根据权利要求11所述的光记录介质，其中包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的至少一种元素，并且被加入了从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的记录层通过汽相生长处理而形成，其中此汽相生长处理使用包括作为基本成分的ZnS和SiO2的混合物或La2O3、SiO2和Si3N4的混合物的靶和包括作为基本成分的从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属的靶。
13.根据权利要求10-12任何一个所述的光记录介质，其中此光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.40至0.70。
14.根据权利要求10-12任何一个所述的光记录介质，其中此光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层，并且第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成以致第二记录层具有20nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.48至0.93，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.39至0.70。
15.根据权利要求1或8所述的光记录介质，其中在多个记录层中的离光入射面最远的记录层包括作为基本成分的包含Cu的第一记录薄膜和作为基本成分的包含Si的第二记录薄膜。
16.根据权利要求1或8所述的光记录介质，其中组成多个记录层，以致使用具有波长为380nm至450nm的激光光束把数据记录其中并且从中再现数据。
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DE (1) DE602004002305T2 (zh)
TW (1) TW200421336A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11837265B2 (en) 2019-12-26 2023-12-05 Sony Group Corporation Optical recording medium

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030190551A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording information in the same
TWI254934B (en) * 2002-04-26 2006-05-11 Tdk Corp Optical recording medium and method for optically recording data in the same
US20040038080A1 (en) * 2002-07-01 2004-02-26 Tdk Corporation Optical recording medium and method for recording data in the same
JP4092147B2 (ja) * 2002-07-04 2008-05-28 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録方法
JP4282285B2 (ja) * 2002-08-12 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US20040076907A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-22 Tdk Corporation Optical recording medium and method for manufacturing the same
US7781146B2 (en) * 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
US7932015B2 (en) 2003-01-08 2011-04-26 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4090377B2 (ja) * 2003-03-28 2008-05-28 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
US20040202097A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Tdk Corporation Optical recording disk
JP2005044396A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005044395A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071408A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071403A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071402A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
KR100677114B1 (ko) * 2004-04-27 2007-02-02 삼성전자주식회사 정보 저장 매체, 이 정보 저장 매체의 데이터 기록/재생방법 및 장치
KR100694047B1 (ko) * 2004-05-17 2007-03-12 삼성전자주식회사 정보저장매체 및 정보기록재생장치
JPWO2006049301A1 (ja) * 2004-11-08 2008-05-29 松下電器産業株式会社 光情報記録媒体およびその情報記録再生方法、並びに情報記録再生装置
JP2007048420A (ja) * 2005-07-15 2007-02-22 Tdk Corp 光記録媒体
US20080056088A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Multiple Recording Structures for Optical Recording
US20080057256A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Micro-Resonant Structure for Optical Recording
US20080056089A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Generating Optical Contrast Using Thin Layers
US20070092681A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Shuy Geoffrey W Generating optical contrast using thin layers
US20080057257A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Contrast Enhancement for Optical Recording
KR100689926B1 (ko) * 2005-11-10 2007-03-09 엘지전자 주식회사 광기록매체
JP4793313B2 (ja) 2007-04-16 2011-10-12 ソニー株式会社 光情報記録媒体ならびにその記録および／または再生方法
WO2009040239A1 (en) * 2007-09-24 2009-04-02 Thomson Licensing Recordable optical recording medium
JP2011204307A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Tdk Corp 光記録媒体、光記録方法

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3959799A (en) 1974-09-09 1976-05-25 International Business Machines Corporation Information storage by laser beam initiated reactions
JPS54133134A (en) * 1978-04-06 1979-10-16 Canon Inc Recording medium
US4357616A (en) 1979-03-26 1982-11-02 Hitachi, Ltd. Recording medium
JPS56124134A (en) * 1980-03-04 1981-09-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Light storage medium and its production
US4529991A (en) * 1981-05-20 1985-07-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for copying optical information
JPS57205192A (en) * 1981-06-12 1982-12-16 Fuji Photo Film Co Ltd Optical information recording medium
JPS57208299A (en) * 1981-06-19 1982-12-21 Fuji Photo Film Co Ltd Recording method of optical information
DE3364607D1 (en) 1982-03-15 1986-08-28 Toshiba Kk Optical type information recording medium
US4477819A (en) 1982-06-14 1984-10-16 International Business Machines Corporation Optical recording medium
JPS6028045A (ja) 1983-07-25 1985-02-13 Sony Corp 情報記録媒体
JPS6099699A (ja) * 1983-11-07 1985-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd 光情報記録媒体
JPS60160036A (ja) * 1984-01-28 1985-08-21 Toshiba Corp 光デイスク
JPS60187933A (ja) 1984-03-07 1985-09-25 Toshiba Corp 光学的記録再生装置
JPS60219097A (ja) * 1984-04-16 1985-11-01 Fuji Photo Film Co Ltd 光情報記録媒体
DE3671122D1 (de) 1985-02-22 1990-06-13 Asahi Chemical Ind Informationsaufzeichnungsmedium.
JPH0695388B2 (ja) 1985-06-14 1994-11-24 株式会社東芝 情報記録媒体
JPS62226440A (ja) * 1986-03-26 1987-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 情報記録媒体
JPS62226442A (ja) * 1986-03-26 1987-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 情報記録媒体
WO1988003310A1 (en) 1986-10-29 1988-05-05 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Draw type optical recording medium
JPH01191351A (ja) 1988-01-25 1989-08-01 Fuji Photo Film Co Ltd 情報記録媒体の製造方法
JP2909913B2 (ja) * 1990-03-08 1999-06-23 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体およびその製造方法および光学的情報記録方法
US5194363A (en) 1990-04-27 1993-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium and production process for the medium
JPH05169819A (ja) 1990-09-06 1993-07-09 Hitachi Maxell Ltd 光情報記録媒体及び情報の記録再生方法並びに情報記録装置
US5325351A (en) 1990-10-22 1994-06-28 Tdk Corporation Optical recording medium having a reflective layer made of Cu-Ag or Cu-Au alloy
JP2813844B2 (ja) 1990-11-22 1998-10-22 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体
JP3266627B2 (ja) 1991-10-11 2002-03-18 株式会社日立製作所 情報再生装置
US5328813A (en) 1992-06-30 1994-07-12 The Dow Chemical Company Method for the preparation of optical recording media containing overcoat
JPH0677510A (ja) 1992-08-24 1994-03-18 Canon Inc 光起電力素子
JPH06139621A (ja) 1992-10-29 1994-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体
JPH06262854A (ja) 1993-03-15 1994-09-20 Konica Corp 光記録媒体
KR0153033B1 (ko) 1993-06-18 1998-12-15 가나이 쯔또무 정보기록용 박막 및 정보기록매체
US5458941A (en) 1994-06-09 1995-10-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical recording medium exhibiting eutectic phase equilbria
JPH08235641A (ja) 1995-02-27 1996-09-13 Sony Corp 光学記録媒体とその製法
KR100402169B1 (ko) * 1995-04-27 2004-03-10 닛폰콜롬비아 가부시키가이샤 다층구조광정보매체
US6821707B2 (en) 1996-03-11 2004-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
TW337017B (en) 1996-09-06 1998-07-21 Ricoh Kk Optical recording medium
JPH10143919A (ja) 1996-11-08 1998-05-29 Kao Corp 光記録媒体
US5914214A (en) 1996-12-06 1999-06-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing an optical information recording medium
CN1294568C (zh) 1996-12-19 2007-01-10 松下电器产业株式会社 光盘记录再生装置
US6033752A (en) 1997-05-22 2000-03-07 Kao Corporation Optical recording medium and method for recording optical information
WO1999013465A1 (fr) 1997-09-09 1999-03-18 Hitachi, Ltd. Support d'enregistrement d'information
DE69808240T2 (de) 1997-10-17 2003-06-26 Toyota Chuo Kenkyusho Aichi Kk Speicherungselement
JPH11240252A (ja) 1997-12-22 1999-09-07 Tdk Corp 光記録媒体
JPH11227334A (ja) 1998-02-17 1999-08-24 Sony Corp 光記録媒体
DE69928190T2 (de) 1998-02-24 2006-07-27 Sony Corp. Optisches aufzeichnungsmedium
US6210860B1 (en) 1998-04-09 2001-04-03 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Recording medium
US6544616B2 (en) * 2000-07-21 2003-04-08 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6254966B1 (en) 1998-08-04 2001-07-03 Victor Company Of Japan, Ltd. Information recording mediums, supporter used in the mediums, manufacture methods of the supporter, manufacturing apparatus of the supporter and stampers for producing the mediums
US6355326B1 (en) 1998-09-30 2002-03-12 Skc Limited Phase change optical disk
JP2000182274A (ja) 1998-10-06 2000-06-30 Tdk Corp 光記録媒体および光記録方法
US6636477B1 (en) 1998-10-07 2003-10-21 Hitachi, Ltd. Information recording medium and information recording device
US6449239B1 (en) 1998-11-25 2002-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium with thermal diffusion layer
US6660451B1 (en) 1999-06-18 2003-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
WO2001004888A1 (fr) 1999-07-12 2001-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Support d'enregistrement d'information optique et procede d'initialisation correspondant
CA2344926C (en) 1999-07-22 2009-10-20 Sony Corporation Optical recording medium, optical recording method, optical reproducing method, optical recording device, optical reproducing device, and optical recording/reproducing device
WO2001016947A1 (fr) 1999-08-31 2001-03-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Disque optique, procede et appareil de lecture de donnees dudit disque
JP4339999B2 (ja) 1999-12-20 2009-10-07 パナソニック株式会社 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置
TW527585B (en) 2000-02-21 2003-04-11 Ind Tech Res Inst Compact disk device, access method of compact disk, and the compact disk
JP3666854B2 (ja) 2000-03-10 2005-06-29 松下電器産業株式会社 情報記録媒体およびその製造方法
JP2001344824A (ja) 2000-03-30 2001-12-14 Tdk Corp 光記録媒体の製造方法および光記録媒体
JP2001307393A (ja) 2000-04-25 2001-11-02 Canon Inc 光磁気再生装置
TW575873B (en) 2000-07-13 2004-02-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Information recording medium, method for producing the same, and recording/reproducing method using the same
US6741547B2 (en) 2000-08-10 2004-05-25 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium having short wobble period length
JP2002074742A (ja) 2000-08-25 2002-03-15 Hitachi Ltd 情報記録媒体
TWI233098B (en) 2000-08-31 2005-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Data recoding medium, the manufacturing method thereof, and the record reproducing method thereof
JP2002074772A (ja) 2000-09-01 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光磁気記録媒体と光磁気記録媒体の再生方法と再生装置
EP1193696B1 (en) 2000-09-28 2007-01-03 Ricoh Company, Ltd. Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information
JPWO2002029787A1 (ja) 2000-09-29 2004-02-12 松下電器産業株式会社 光学情報記録媒体とその記録再生方法
JP2002117576A (ja) 2000-10-03 2002-04-19 Tdk Corp 光記録媒体および光学的情報記録方法
US6700862B2 (en) 2000-10-03 2004-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical disc and manufacturing method for the same
TWI246681B (en) 2000-12-15 2006-01-01 Koninkl Philips Electronics Nv Optical information medium and its use
JP2003077185A (ja) 2001-06-21 2003-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光情報記録媒体
US6699591B2 (en) 2001-06-04 2004-03-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical information recording medium
JP2003054135A (ja) * 2001-06-05 2003-02-26 Tdk Corp 光記録媒体および光記録方法
US7088666B2 (en) 2001-07-05 2006-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. High density optical disk having capacity of 25GB
JP2003203338A (ja) 2001-12-28 2003-07-18 Tdk Corp 光記録媒体の記録方法及び光記録媒体
US6899938B2 (en) 2002-02-22 2005-05-31 Energy Conversion Devices, Inc. Phase change data storage device for multi-level recording
JP2003260874A (ja) 2002-03-08 2003-09-16 Ricoh Co Ltd 光記録媒体
ES2252567T3 (es) 2002-03-22 2006-05-16 Ricoh Company, Ltd. Soporte optico de grabacion y procedimiento de grabacion optica que lo utiliza.
JP2003281780A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Toshiba Corp 光記録媒体
US20030190551A1 (en) 2002-04-05 2003-10-09 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording information in the same
TWI254934B (en) 2002-04-26 2006-05-11 Tdk Corp Optical recording medium and method for optically recording data in the same
JP2003326848A (ja) 2002-05-10 2003-11-19 Ricoh Co Ltd 追記型光記録媒体
JP2003331461A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Pioneer Electronic Corp 追記型光記録媒体
JP2004013947A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録担体、再生装置、記録装置、記録再生装置、再生方法、記録方法及び記録再生方法
TWI317516B (en) 2002-06-07 2009-11-21 Fujifilm Corp Photo-data recording media
US20040038080A1 (en) 2002-07-01 2004-02-26 Tdk Corporation Optical recording medium and method for recording data in the same
JP4092147B2 (ja) 2002-07-04 2008-05-28 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US6809859B2 (en) * 2002-07-31 2004-10-26 Semrock, Inc. Optical filter and fluorescence spectroscopy system incorporating the same
JP4282285B2 (ja) 2002-08-12 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US20040076907A1 (en) 2002-10-22 2004-04-22 Tdk Corporation Optical recording medium and method for manufacturing the same
JP2004158134A (ja) 2002-11-07 2004-06-03 Ricoh Co Ltd 光記録媒体、光記録方法及び光記録装置
US7781146B2 (en) 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
US7932015B2 (en) 2003-01-08 2011-04-26 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4084674B2 (ja) 2003-01-28 2008-04-30 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
JP2004265561A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Tdk Corp 光記録媒体
JP2004284241A (ja) 2003-03-24 2004-10-14 Tdk Corp 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
JP4090377B2 (ja) 2003-03-28 2008-05-28 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
US20040202097A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Tdk Corporation Optical recording disk
US6965245B2 (en) 2003-05-01 2005-11-15 K&S Interconnect, Inc. Prefabricated and attached interconnect structure
JP2004355743A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP3868406B2 (ja) 2003-07-07 2007-01-17 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体へのデータの記録方法および光記録媒体へのデータの記録装置
JP2005044397A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005044396A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005044395A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071405A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071407A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071408A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071404A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071403A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071406A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071402A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
ITVR20030049U1 (it) 2003-10-01 2005-04-02 Montresor & C Srl Dispositivo a dima per il controllo della movimentazione di frese diam antate o simili, applicabile su macchine lucidacoste di lastre in mate riale lapideo.
US20050118530A1 (en) * 2003-10-02 2005-06-02 Tdk Corporation Optical recording medium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11837265B2 (en) 2019-12-26 2023-12-05 Sony Group Corporation Optical recording medium

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