CN1573570A - 元件的制备方法、制备的元件、光刻装置以及器件制造方法 - Google Patents

元件的制备方法、制备的元件、光刻装置以及器件制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于光刻装置的真空腔的元件的制备方法。该方法包括首先在所述元件上涂覆非金属、非塑料材料，接着处理涂层以固化该涂层。优选的涂覆材料是氢化倍半硅氧烷(HSQ)，可以用各种方法(喷射、涂刷、旋布)施加或用电子束加热，或用辐射。在真空环境的条件下，得到的元件极大地减少了水或烃的释气。

Description

元件的制备方法、制备的元件、光刻装置以及器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于光刻投影装置的元件的制备方法，此光刻投影装置包括：
辐射系统，用于提供辐射的投影束；
支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于根据需要的图案对投影束构图。
基底台，用于支持基底；
投影系统，用于将构图的光束投影到基底的靶部上。
背景技术
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括：
一掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型和衰减的相移类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，如果需要，该台会相对光束移动。
一程控反射镜阵列。这种器件的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，以使可寻址的反射镜以不同的方向将入射的辐射束反射到非可寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的可寻址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图部件包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US 5,296,891和美国专利US 5,523,193、和PCT专利申请WO98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。
一程控LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻装置是，通过一次曝光靶部上的全部掩模图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻装置的更多信息可以从例如美国专利US 6,046,792中获得，这里引入该文献作为参考。
在利用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分覆盖有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆、涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的装置的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的其它技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的 “微型集 成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里引入作为参考。
为了简单起见，投影系统在下文称为“透镜”；可是，该术语应广意地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置、反射光学装置和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US 5,969,441和WO 98/40791中描述的二级光刻装置，在这里一并引入作为参考。
远紫外线光刻需要在超高真空环境中进行，因为所有物质，包括空气，在几毫米(气体)到几毫微米(固体)范围内强烈吸收的远紫外线。即使光刻不使用远紫外线，为了减少光吸收也需要真空或部分真空。真空的必要意味着光刻系统需要全部标准元件，例如镜台、光学部件和传感器都需要在真空环境中操作。每一个元件都彼此相连接，并通过很多电缆和管道连接到外部，这些电缆和管道在整个系统中传送电能、电信号和冷却水。
因此必须在腔体中保持真空，所述腔体包括由广泛的材料制成的元件，所述材料的范围包括不锈钢和软塑料。此外，真空腔中的所有元件的总表面积可以非常大，因为许多元件为电线或类似物。
在自然形态下的所述元件具有表面粗糙度和表面孔隙率，允许在生产过程中在大气情况下原子和分子附在其上。当这种元件置于真空时，这些原子和分子被释放，从而减少真空度，并因此增加了用于使真空腔产生真空的真空泵系统(例如涡轮泵和低温泵系统)的负荷。此外，软塑料发出源自大量原料的塑化剂。因此，设置在真空腔内部的元件能够增加众所周知的“释气性”。释气性是由于一些分子从这些元件的表面上释放，这些分子会进入真空。操作时真空泵系统被抽走这些分子。此外，在光刻系统操作期间，在外来的新晶片、辐射前和辐射后由保护层散发的烃以及扫描系统的所有移动部分的磨损和破损的作用下，使得在真空泵系统上的负荷将变得更繁重。
类似的释气问题出现在不需要真空的光刻投影装置中，例如157nm机器中，其中光传送腔充满了氮。尽管没有出现真空，释气依然存在(例如通过扩散)，氮因而被沾染，减低了曝光的可靠性。
发明内容
因此希望提供一种方法来减少腔内元件释气的问题。
本发明针对这些问题，第一方面提供了元件的制备方法，以减少光刻投影装置中的释气，该方法包括在所述元件的表面上涂覆非金属材料。
将非金属材料涂覆在元件上，可减少源自元件的污染，因为涂层可以阻止位于元件表面的任何释放分子的逃逸。使用非金属材料是因为金属材料可以降低附近致动装置(例如直线电机)的效率且成为能够衰减致动信号的涡电流。优选使用非塑料材料，因为塑料材料是一种释气源，且本发明的目的是减少释气。也可以使用适当的塑料材料(例如Teflon)，只要它们不引起不可接受的释气负荷。
所述材料优选为玻璃或类似玻璃材料，因为这种材料是电绝缘体而且它们被发现可以有效地阻止污染物从元件表面上的逃逸。玻璃或类似玻璃材料的涂覆能够被用来保护聚合物元件避免由于直接EUV照明产生的老化或电子感应老化。如果没有涂覆，这两个机构能引起大量的释气。因此，这种涂覆可以有效阻止如电缆和连接器的元件释气。尽管在需要的时候也可以使用磷酸盐玻璃和其他类型的玻璃，但优选地，涂覆材料是硅玻璃。
氢化倍半硅氧烷(hydrogen silsesquioxane，简称HSQ)是用于涂覆的特别优选的前体材料。施加的方式可以包括以液体组合喷射、涂刷或旋布，然后加工，使得它变得坚硬和类似玻璃，也就是说，在施加之后它变得电绝缘、无定形，并不显示任何水和/或烃的释气。除了HSQ，也可以使用有一个或多个烃族的倍半硅氧烷(SQ)前体材料。使用所述前体材料形成的涂层被称为“混合涂层”，它具有部分有机和部分无机的特征。
其它施加技术，也可以利用如喷射或蒸发作用的PVD技术或CVD技术来涂覆这些元件。
处理可以包括热处理或电子照射。当使用HSQ时，液体组合物的类似笼形结构被分解为固态无定形类似石英结构，该结构被认为可以更有效阻止释气。
根据本发明的另一优点是如此涂覆的光刻装置的元件不会受化学品影响，例如用于清洁光学元件的化学品。例如在远紫外线光刻中的卤化物气体可以被用来清洁光学元件上的污染或源碎屑。为了保护易受所述卤化物气体破坏的电子元件，这些元件可以被压缩入环氧型材料，根据本发明的方法其可以涂覆上所述的玻璃或类似玻璃的材料。
在第二方面，本发明提供一用于光刻投影装置中的元件，所述元件涂覆有30nm或更多的玻璃或类似玻璃的材料。
根据本发明的第三方面，提供一光刻投影装置，其包括：
用于提供辐射投影束的辐射系统；
用于支撑构图部件的支撑结构，构图部件用于根据期望的图案构造投影束。
用于支持基底的基底台；
用于将构图的光束投影到基底的靶部上的投影系统，
其特征在于所述包括至少一个根据本发明第一方面制备的元件或根据本发明第二方面制备的元件。
根据本发明的第四方面，提供一种包括以下步骤的装置制造方法：
-提供至少部分地被辐射敏感材料覆盖的基底；
-提供使用辐射系统的辐射的投影束；
-使用构图部件以在其横截面赋予投影束构图；
-将辐射的构图光束投影到辐射敏感材料的层的靶部，
其特征在于使用一个根据本发明第一方面或根据本发明第二方面制备的元件。
尽管本文对根据本发明的装置在IC制造中使用的具体实例进行了特殊说明，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于集成光学系统的制造，用于磁畴存储器的引导和探测模块、液晶显示板、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“划线板”，“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365、248、193、157或者126nm波长)和远紫外线(EUV)(例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
现在仅通过一个例子描述本发明的实施例，其参考附图如下：
图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻投影装置；及
图2至图13示出了当本发明在所述光刻投影装置中应用在致动装置系统中的可选择的涂覆装置。
具体实施方式
光刻装置
图1图示出包含真空腔的光刻投影装置1，该真空腔使用一个或多个根据本发明的任何实施例的制备好的元件。该装置包括：
用于提供辐射(EUV辐射)投影束的辐射系统Ex，IL，在特殊例子中也包括辐射源LA；
第一目标台(掩模台)MT，其具有用于支撑掩模MA(即分划板)的掩模支撑台，且连接到用来根据零件PL精确定位掩模的第一定位装置PM；
第二目标台(基底片)WT，具有用于支撑W(如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底支撑台，并且连接用来根据及PL精确地定位基底的第二定位装置PW；
投影系统(“透镜”)PL(例如镜组)，用于将辐照的掩模MA的部分成像到基底W的靶部C(例如包括一个或多个小片)上。
如这里所示，所述装置是反射型的(即具有反射掩模)。然而，总的来说，它也可以是透射型的(即具有透射掩模)。可选择地，所述装置可以使用另外一种构图部件，例如如上面提到类型的程控反射镜阵列。
源LA(例如激光产生或放电等离子源)产生一辐射束。直接或在穿过调节装置后，例如光束扩展器Ex，该光束被加入到照明系统(发光装置)IL中。发光装置IL可以包括调节装置AM用于设定光束中亮度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，它通常包括各种其他元件，例如积分器IN和聚光器CO。按此方法，在掩模MA上照射的光束PB在其横截面具有期望的均匀性和的亮度分布。
值得注意的是，图1的源LA可以在光刻投影装置(象经常的例子一样，例如源LA是汞灯)的壳体的内部，但是它也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射束被引入到所述装置(例如借助适当的导引镜)中；当源LA是受激准分子激光器时，后面的情况是经常的情况。目前的发明和权利要求包含这两种情况。
光束PB随后相交于支持在掩模台MT上的掩模MA。通过掩模MA选择性地反射，光束PB穿过透镜PL，其将光束PB聚焦到基底W的靶部C上。借助于第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)，能够精确地移动基底台WT到光束PM的通道上不同于目标位置C的位置。同样地，第一定位装置能够用于相对于光束PM的通道精确地定位掩模MA，例如在掩模MA从掩模库的机械取回之后，或在扫描期间。通常，目标台MT、WT的移动借助于长行程模件(粗略定位)和短行程模件(精确定位)实现，这没有在图1明确示出。然而，在晶片分档器(相对于步进扫描装置)的情况下，掩模台MT可以连接到短程致动装置上或可以被固定。掩模MA和基底W可以使用掩模定位标记M1、M2和标记基底定位标记P1、P2排列。
所示的装置可以以两种不同的模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT保持基本不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB辐射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是透镜PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相较大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
在光刻投影装置的实际例子中，EUV辐射束行程通过的空间将被真空泵系统抽空。保持真空的腔将通常包括许多由各种材料制成的元件。例如，用来传输电流的电线将经常真空腔以及这样的电线被制造成塑料材料围绕着内部金属芯线。通常用于电线的软塑料材料随着时间发射分子，产生需要真空泵系统消除的释气性负荷。同样，用来定位各种台的致动装置系统的线圈和磁体能够导致释气。因此本发明包括在他们被设置在真空环境之前以及在他们被制造之后制备元件的方法。该发明也可以被用在需要释气性缩减的其他情形，例如用于157nm波长光刻装置的中充氮腔的涂覆元件。优选的方法包括以下两个阶段：
1.用非金属液体组合物涂覆元件；及
2.处理具有涂层的元件以加固该涂层并使之有效地阻止释气。
本发明特别适用于涂覆用于移动光刻装置的台的线性致动装置的线圈。优选地涂覆US6,271,606中公开的腔壁(20)，由于它是不锈钢材料，因此对于涡流非常敏感并且由于磁体之间需要配合不锈钢板的增加的缝隙导致线性电机的效率损失。此外，本发明具有超过EP1,233,501公开的金属膜的优点，其同样遭受涡流问题并不能有效地阻止释气。金属涂覆也同样难实现因为必须小心地控制沉淀过程以控制晶体结构和避免小孔。
1. 涂覆阶段
可以使用任何非金属材料，材料优选为非塑料材料，最好是玻璃或类似玻璃的材料，它们特别有效。这种材料包括钻石和类属名为倍半硅氧烷(SQ)的一族材料。这些化学品具有通用的化学式RSiO1.5，这里取代基R是可以结合硅的原子或分子，例如如氢化物、缩水甘油基、甲基、乙烯基、丙基、甲基丙烯酸盐、环己烯基、环己基环氧化物的聚合有机基。这些分子通常表现为在每一个立体角具有硅原子的立方结构。该立方结构具有基本公式(RSi)8O12，其每一个硅原子与三个氧原子和取代基R结合。
氢化倍半硅氧烷(HSQ)过去被用作电子束构图部件的抗蚀材料来使用，但是它作为释气阻止装置材料在此之前没有被提出过。它特别适合，因为它能应用于使用各种方便的方法的元件。例如，它可以简单地被喷射或涂刷到元件上以覆盖所有的潜在释气表面并通过足够厚的材料层阻塞所有释气微孔。更优选地，可以利用旋布处理，如利用具有盖子的Karl Suss旋转器施加液体组合物。施加该材料不仅填满表面微孔，也可以减少表面粗糙度，从而平整该材料。一旦经过这种处理，具有涂层的材料有效减少水和烃的释气，否则在从元件的多孔表面和塑料表面上会发生释气。可以使用任何SQ的前体，最好具有一个或多个烃族的SQ的前体。
该方法能用于任何元件，只要它不阻碍该元件本身的功能。例如，印刷电路板、电缆、支持表面、致动装置和类似物都可以被涂覆。
优选用于涂覆的HSQ材料在商业上是存在的，例如DOW-Corning公司的FOX-12。该材料最初表现出类似液状特性，其能够涂覆释气表面和部件，以覆盖这些表面且填充微孔。
涂层的厚度可以根据实际需要，但厚度最好至少30nm，以确保良好的释气阻止能力。大约100nm到1微米之间的厚度将允许该元件保持它固有弹性，而厚度大会使元件上的涂层变得刚硬，混合涂层可能比较厚，但它仍然保持弹性。
2. 处理步骤
可以用两种方法处理具有涂层的元件，使得涂层变硬并永久减低该元件释气的能力。
第一种方法是热处理，将元件的表面加热，这会改变涂层的化学结构，使它加固。可以将元件放置在100到500℃的烤炉中，更优选的是200到400℃，以实现理想的效果。
第二种方法是用具有一波长的辐射线照射该元件的表面，这会导致理想的变形。可以用红外线辐射将表面加热，这种处理方法与热处理的方法类似。或者，可以利用电子束改变涂覆材料的化学结构(特别涂覆材料为HSQ时)，即把类似笼形结构变成无定形、类似石英的结构。
即使元件被放置在真空中，这种结构上的变化导致元件上的硬表面，有效地减少释气。
当完成上述涂覆和处理步骤后，就可以在光刻投影装置中使用这些元件。如果需要，涂覆-显影循环可以重复一次或多次，以进一步减少这些元件的潜在的释气性。如果需要，这些元件可以作进一步处理，或马上在光刻装置中使用。
聚合物涂层有利于粘附所述元件，但在降低释气性方面不太成功。因此，可以进行两个或更多步骤的处理，即首先使用聚合物涂覆接着进行类玻璃物顶涂覆可以具备两种类型涂覆的长处，同时保持卓越的低释气性。
可以理解的是，这里描述所使用的术语“真空”指光刻投影装置中的真空度。并不是理解为需要纯真空。部分真空就足够了。
实施例
图2至图13示出了应用于致动装置系统中的元件的本发明的各种实施例。
图2和3示出了一个封闭的致动装置系统，其中包括线圈30的中心元件在垂直于附图平面的方向上相对于磁轭20运动。内腔保持在真空内，用于减小释气性，线圈30能被涂层100如上所述涂覆(参见图2和3)。每个实施例中的线圈30都被使用环氧基树脂粘合到它的支撑元件上，因此涂层最好能使用低温步骤(例如低于200摄氏度)应用和处理。如图3所示，磁轭20的内部和磁体10也能被涂层。
图4至6中示出了致动装置的第二种类型。此处，中间元件固定在腔壁40上，磁轭部件20在垂直于附图的平面的方向上绕其运动。图7和图8示出了除存在两个线圈30和磁体10外的一种相似的结构，其允许在附图中的左右方向上的相对运动。如图4至8所示，在腔壁40的右侧保持真空。线圈部分30由图4和图5中的支撑件50支撑在腔壁40中，同时磁体部件10由图6、7、8中的腔壁40支撑。在每种情形中，两个线圈单元30中的任一个都能被涂覆(见图4、5和8)或者是磁体部件10能被涂覆(见图5、6、7和8)，或者两者都被涂覆(见图5和8)。在图2至13中涂层为附图标记100。
图9至13中示出了第三种类型的致动装置。在图10、12和13中，磁轭元件20被固定在腔壁40上，中间元件在垂直于附图的平面的方向上在腔壁40内运动。在图9和11中，磁轭元件20固定到腔壁40，中间元件在附图的平面中的左右方向上在腔壁内运动。在每种情形中，如图9至13所示，真空维持在腔壁40的左侧。在图9、10、11中，具有一个或多个线圈30的磁轭单元20被腔壁40支撑，在图12和13中示出了具有一个或多个磁体的磁轭部件20。在每种情形中，两个单元30中的任一个能被涂覆(见图10、11、12和13)或磁体部件10能被涂覆(见图9、10、11和13)，或两者都能被涂覆(见图10、11、13)。
虽然上面已经对本发明的特殊实施例进行了描述，但是显然本发明可以被以另外的方式实现。该描述并不是为了限定该发明。

Claims (21)

1.一种元件的制备方法，以减少光刻投影装置内的释气，所述方法包括：
用一种非金属材料涂覆所述元件的表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料是非塑料材料。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述材料是玻璃或类似玻璃的材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述材料是硅玻璃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述材料是有一个或多个烃族的氢化倍半硅氧烷(HSQ)或倍半硅氧烷前体。
6.根据权利要求1至5中任何一种方法，其特征在于：所述涂覆步骤包括：
将所述材料的流体组合物施加到所述元件的表面上。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述涂覆步骤包括：
将所述材料的流体组合物喷射到所述元件的表面上。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述涂覆步骤包括：
将所述材料的流体组合物涂刷到所述元件的表面上。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述涂覆步骤包括：
将所述材料的流体组合物旋布到所述元件的表面。
10.根据权利要求6至9所述的方法，其特征在于：进一步包括：
处理所述涂覆过的元件以固化涂层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述处理过的涂层是电绝缘材料的硬、无定形层。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：所述处理步骤包括：
加热所述涂层表面。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述加热在100到500摄氏度下持续至少一分钟。
14.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：所述处理步骤包括：用电子束照射涂层表面。
15.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：所述处理步骤包括：用具有一个波长的辐射照射涂层表面，所述辐射使涂层固化。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述辐射是红外线辐射。
17.根据前面权利要求任何一个所述的方法，其特征在于：所述材料被涂覆至30nm或更厚的厚度。
18.根据权利要求1至17任何一个所述的方法，其特征在于：所述元件是一个包括至少一线圈和至少一磁体的致动装置。
19.一种用于光刻投影装置的元件，其特征在于：所述元件具有涂覆了30nm或更厚的玻璃或类似玻璃物的表面。
20.一种光刻投影装置，包括：
用于提供辐射投影束的辐射系统；
用于支持构图部件的支撑构件，该构图部件用于根据需要的构图对投影束构图；
用于支持基底的基底台；
用于将构图光束投影到基底的靶部的投影系统，
其特征在于：所述装置包括至少一根据权利要求1至18中任何一项或根据权利要求19的制备的元件。
21.一种器件的制造方法，包括以下步骤：
提供一至少部分用辐射敏感材料覆盖的基底；、
使用辐射系统提供一辐射投影束；
利用构图部件将投影束赋予带图案的截面；
将辐射的构图光束投影到辐射敏感材料层的靶部上，
其特征在于：使用根据权利要求1至18之任何一项或根据权利要求19的制备的元件。
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