CN1574916A - 固态成像设备，驱动该成像设备的方法以及照相机装置 - Google Patents

固态成像设备，驱动该成像设备的方法以及照相机装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1574916A
CN1574916A CNA2004100639242A CN200410063924A CN1574916A CN 1574916 A CN1574916 A CN 1574916A CN A2004100639242 A CNA2004100639242 A CN A2004100639242A CN 200410063924 A CN200410063924 A CN 200410063924A CN 1574916 A CN1574916 A CN 1574916A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
transistor
state imaging
solid
imaging apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100639242A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100448272C (zh
Inventor
马渕圭司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1574916A publication Critical patent/CN1574916A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100448272C publication Critical patent/CN100448272C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Abstract

具有非选择晶体管的三晶体管象素结构的固态成像设备会出现非选择热载流子白点的问题，该问题专门针对这种装置。在象素的非读取周期内，使得偏置电流流到与前一个选择象素相关的象素，例如前一个选择象素本身。结果是，暗电流仅出现在一条线的每个象素中，并且一条线本身的暗电流也显著减小。因此，实际上能消除由于非选择热载流子白点导致的缺损象素。

Description

固态成像设备，驱动该成像设备 的方法以及照相机装置
技术领域
本发明涉及一种固态成像设备，驱动固态成像设备的方法及一种照相机装置。尤其是，本发明涉及一种X-Y寻址型固态成像设备，以MOS型固态成像设备为代表，以及一种照相机装置(图像获取装置)，其使用该固态成像设备作为图像获取设备。
背景技术
在X-Y寻址型固态成像设备中，例如，MOS型固态成像设备，为了微制造单位象素，省略了用于选择象素的选择晶体管，象素通过控制浮动扩散部分(以下称为“FD部分”)的电压进行选择，该控制过程通过复位FD部分的复位晶体管实现，这样使得单位象素通过三个晶体管实现(例如，参见日本未审专利申请公开No.2002-51263，特别是，第0010到0012段及附图1)。
三个晶体管的象素电路的结构示于图15中。如图15所示，单位象素100包括一个光电转换器(这里为光电二极管)101，一转移晶体管102，一放大晶体管103以及一复位晶体管104。多个单位象素100在半导体基底上的矩阵中二维地排列。
从上述结构清楚可清楚的看到，在三个晶体管的象素电路中，不存在选择晶体管，象素由复位晶体管104通过控制FD部分105的电平来进行选择。也就是说，对非选择象素，FD部分105的电平为低电平(以下称为“L”电平)，对选择象素，FD部分105的电平为高电平(以下称为“H”电平)，由此输出选择象素的信号给垂直信号线107。此后，通过将选择象素的FD部分105的电平返回到“L”电平，象素返回到非选择状态。该操作对在一条线上的所有象素上同时执行。
在上述结构的三个晶体管的象素电路中，放大晶体管103的漏极完全连接到电源线上，复位晶体管104的漏极连接到漏极线108上，该漏极线在行方向(水平方向)上延伸。如图16所示，比较发现采用放大晶体管103的漏极和复位晶体管104的漏极都连接到漏极线上的结构，其结果是象素100的触点，扩散层，及线路都减少了。从而，对更好的形成象素100是有利的。
虽然漏极线未示于图16中，但行方向延伸漏极线的情况与图15的情况相同，在行方向上延伸的线路数目是三个，在列方向(垂直方向)上延伸的线路数目为一个。结果是，很难使一个用来接收将光入射到象素的孔成为接近于正方形的形状。此外，由于所有垂直信号线107的电流是从一条漏极线中供给，并且大电流流过该漏极线，所以出现了线路阻抗和线路可靠性的问题。这些问题可以通过在垂直方向上形成的线作为漏极线或以点阵形式的线作为漏极线而避免。
现在描述驱动图16的象素结构的固态成像设备的情况。在象素读取以外的周期(非读取周期)，具有漏极线为“H”电平和“L”电平的情况。当漏极线为“L”电平时，存在有电子通过复位晶体管104和转移晶体管102从漏极线泄漏到光电转换器101的问题。因此，在象素读取以外的周期，常常采用漏极线为“H”电平的驱动方法。
如上所述，在象素读取以外的周期采用漏极线为“H”电平的驱动方法的情况下，驱动脉冲之间的时序关系，即象素读取周期内选择行的漏极电压DRN，复位脉冲RST，转移脉冲TRF示于图17。在图17的时序图中，时间t101表示接收复位电平时的时序，时间t102表示接收信号电平时的时序。
在非选择行中，漏极电压DRN共同被提供，但不提供复位脉冲RST和转移脉冲TRF。漏极电压DRN通常设置在“H”电平(电源电压)。对所有行来说FD部分105的电平为低电平。当复位脉冲RST提供给选择行时，复位晶体管104导通，使得选择行的FD部分105的电平设置为“H”电平。随后，当选择行被复位时的电平，即复位电平，通过放大晶体管103输出到垂直信号线107上。该复位电平在下一级电路上被接收。
接着，当提供转移脉冲TRF时，转移晶体管102导通，使得光电子从光电转换器101转移到选择行的FD部分105上。然后，与光电子对应的FD部分105电平，即信号电平，通过放大晶体管103输出到垂直信号线107上。该信号电平在下一级的电路上被接收。
此后，漏极线电压被置为0V，在选择行的FD部分105通过提供的复位脉冲RST返回到“L”电平之后，漏极线返回“H”电平(此后称为“回充操作”)。使象素以这种方式操作的一系列周期以下称为读取周期。在该读取周期内，通过计算下级电路的复位电平和信号电平之差，得到了与由光电转换器101接收的光子的数量相对应的信号(象素信号)。
本发明的发明人通过试验制成了图2所示的象素结构的固态成像设备。发明人发现，在这种固态成像设备中，在所获取的图像上出现了许多具有暗电流的象素。此外，通过分析这种现象，发明人阐明上述现象的大部分如下所述。
在象素读取周期以外的一个特定周期内一个偏置电流流过垂直信号线107。图4为其实例。在图4中，水平无效周期主要是对象素进行操作使得该信号在下级电路上接收的周期。水平有效周期主要是象素信号依次从下级电路输出的周期。
为了读取一特定行的象素，需要使得偏置电流流动。在图4中，第n行读取期间为上面描述的第n行的读取周期。周期A和B为在读取周期之前和之后不读取任何行时偏置电流流过的时间。在第n行的象素信号读取到下级电路中时，该偏置电流被切断。此外，在经过一个线路的信号依次从下级电路输出的水平有效周期后，下一行的读取同样执行。
这里，在周期A和B中，任何行都不在读取状态。此时，由于放大晶体管103和复位晶体管104的阈值的变化关系，在与垂直信号线107连接的大量的象素中偏置电流流到具有放大晶体管103的最低通道电压的象素中(以下称为低通道象素)。以这种连接，在放大晶体管103和复位晶体管104中，由于阈值被降低以确保操作裕度，因此相对于至少一种变化存在电流不能完全切断的象素。
图18示出了在象素部分中每列的低通道象素的分布的例子。在周期A和B中，电流流过这些低通道象素。象素的放大晶体管103的电平示于图19中。放大晶体管103的栅极电平为“L”电平。此时，电子从垂直信号线107流进漏极线中，并且由于放大晶体管103的栅极电平为“L”电平，所以漏极端的电压差很大，从而提供了高电场。
当在该大电压差上流过电子时，电子获得很大的能量(这些电子一般称为“热载流子”)，其部分发散到P阱中，产生光电子。电子和光电子一起跃入附近的光电转换器101中，形成暗电流。也就是说，与图18对应的象素的暗电流大，并且该暗电流在图像获取平面作为白点显示。实际中，依据变化的分布和界面的状态存在多个白点出现的列和没有明显白点出现的列。
在所有行上进行象素的读取，同时对每一行依次扫描。在周期A和B中，前述现象出现在与每行相对的每列的低通道象素中。因此，低通道的暗电流变得特别大。也就是说，对于低通道象素，因为当象素本身不是一个选择行时就会产生这种现象，从而暗电流变得很大。由于上述原因出现的白点在此称作“非选择热载流子白点”。
在选择晶体管与放大晶体管103串联连接的这种象素中，由于电流的供给被选择晶体管在周期A和B内完全切断，因此非选择热载流子白点的问题不会出现。换句话说，非选择热载流子白点的问题是针对没有选择晶体管的三晶体管型象素结构的固态成像设备的。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种固态成像设备，一种驱动该固态成像设备的方法，以及一种照相机装置，其中当固态成像设备采用没有非选择晶体管的三晶体管型象素结构时，可使非选择热载流子白点消失。
在第一方面，本发明提供一种固态成像设备，其包括：以如下方式形成的一个象素部分，在该方式中，排列一种单位象素，其具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于输出浮动扩散部分的信号到信号线，一个复位晶体管用于复位该放大晶体管和该浮动扩散部分；以及驱动装置，用于通过控制复位晶体管的漏极和栅极的电压选择象素部分的每个象素，并用于在象素的非读取周期使得提供给信号线的偏置电流立即流到与前一个选择象素相关的象素上。
在第二方面，本发明提供了一种固态成像设备，包括：一个象素部分以如下方式形成，其中一个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于输出该浮动扩散部分信号到信号线上，一个复位晶体管用于复位该放大晶体管和该浮动扩散部分；用于通过控制复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择象素部分的每个象素的驱动装置；和用于在象素的非读取周期使得提供给信号线的偏置电流流到象素部分的其他每个象素中的装置。
在第三方面，本发明提供了一种固态成像设备，其包括：以如下方式形成的一个象素部分，其中一个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于输出该浮动扩散部分的信号到信号线上，一个复位晶体管用于将放大晶体管和浮动扩散部分进行复位；用于通过控制复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择象素部分的每个象素的驱动装置；用于在象素的非读取周期切断信号线的偏置电流供给的装置。
在第四方面，本发明提供了一种固态成像设备，其包括：一个以如下方式形成的象素部分，其中一个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于输出该浮动扩散部分的信号到信号线上，一个复位晶体管用于将放大晶体管和浮动扩散部分进行复位；和用于通过控制复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择象素部分的每个象素的驱动装置，该驱动装置还用于使复位晶体管的漏极电压在象素的非读取周期内处于电源电压电平和地电平之间的一中间电压。
在第五方面，本发明提供了一种固态成像设备，其包括：一个以如下方式形成的象素部分，其中一个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于输出该浮动扩散部分的信号到信号线上，一个复位晶体管用于将放大晶体管和浮动扩散部分进行复位；用于通过控制复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择象素部分的每个象素的驱动装置，该驱动装置还用于提供一个复位脉冲给复位晶体管的栅极，该复位脉冲的高电平侧的电压值比电源电压的电压值高。
在第六方面，本发明提供了一种固态成像设备，其包括：在成像区域内排列的多个象素，其中象素包括一个光电转换器，一个放大晶体管，在放大晶体管栅极上施加一个来自光电转换器的充电信号，一个复位晶体管用于对光电转换器的充电进行复位，在读取周期内，当放大晶体管的栅极电压改变到一个预定电平之后，放大晶体管放大并输出来自光电转换器的充电信号，在紧接此后的读取周期和非读取周期内，放大晶体管的栅极不再受电压调节的影响。
在第七方面，本发明提供了一种固态成像设备，其包括：在成像区域内排列的多个象素；用于引导来自象素的信号到成像区域以外的信号线；用于为该信号线提供偏置电流的电流源；以及用于改变偏置电流流动的开关装置。按照本发明的每一方面该固态成像设备用作照相机装置(图像获取装置)中的图像获取设备。
附图说明
图1是X-Y寻址型固态成像设备的结构的概述的框图；
图2是单位象素的象素电路的一个实施例的电路图；
图3是根据本发明的第一实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图；
图4是固态成像设备操作的例图；
图5是根据第一实施例的当采用该驱动固态成像设备的方法时放大晶体管的电位图；
图6是当耗尽型晶体管不用作复位晶体管时的时序图；
图7是在一个水平无效周期内读取两行时执行的操作的例图；
图8是根据本发明的第二实施例的固态成像设备的主要部分的框图；
图9是根据本发明第二实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图；
图10是根据本发明第三实施例的固态成像设备的主要部分的结构框图；
图11示出了根据本发明第三实施例的驱动固态成像设备方法的时序图；
图12是根据本发明第四实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图；
图13示出了根据本发明第五实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图；
图14是根据本发明的一个照相机装置结构的概述的框图；
图15是三晶体管结构的象素电路的第一实施例的电路图；
图16是三晶体管结构的象素电路的第二实施例的电路图；
图17是根据传统实施例的驱动脉冲的时序图；
图18示出了低沟道象素分布的一个实施例；
图19是根据传统实施例的当采用固态成像设备驱动方法时放大晶体管的电位图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本发明的实施例。
图1是以MOS型固态成像设备为代表的X-Y寻址型固态成像设备的结构概述的框图。如图1所示，X-Y寻址型固态成像设备用这样方式进行设置，在象素部分12周围，设置一个垂直解码器13，一个垂直驱动电路14，一个列电路15，一个水平解码器16，一个水平驱动电路17，一个输出电路18，以及一个定时产生电路(TG)19。在该象素部分12中，在一个矩阵平面上二维地设置有大量的单位象素11。
垂直解码器13通过在垂直方向(列方向)上扫描而选择各行单元中的象素部分12的每个象素11，并选择电子快门的行。垂直驱动电路14驱动由垂直解码器13选择的行上的每个象素11。列电路15，其由对应于象素部分12的每个垂直象素列的方式进行设置，用来接收由垂直解码器13所选择的行的每个象素11的复位电平和信号电平，并计算这些电平之间的差，从而得到一个线路的象素信号，并执行各种信号处理，如用于消除象素11的固定图形噪声的处理，以及AD转换。
水平解码器16通过在水平方向(行方向)上扫描依次选择每个列电路15。水平驱动电路17读取一条线的象素信号，该象素信号在每个列电路15上得到，并从由水平解码器16依次选择的列电路15进入到水平信号线20中。输出电路18依次输出一条线的象素信号，其中读取这些象素信号到水平信号线20上。在该输出电路18中，也执行AD转换，另外，也要进行各种信号处理，如信号放大处理，彩色信号相关处理，以及信号压缩处理。
定时产生电路19产生对每部分，例如垂直解码器13、垂直驱动电路14、列电路15、水平解码器16、以及水平驱动电路17操作所需的驱动脉冲，并产生驱动象素部分12的每一象素11所用的各种驱动脉冲(漏极电压DRN，复位脉冲RST，转移脉冲TRF等)(以下将描述)。即，定时产生电路19作用是作为驱动象素部分12的每一象素11的驱动装置。
图2是单位象素11的象素电路的一个实施例的电路图。如图2所示，根据该实施例，单位象素11具有三晶体管的象素结构，该结构具有一光电转换器(此处，为光电二极管)21，一转移晶体管22，一放大晶体管23，以及一复位晶体管24。该转移晶体管22，放大晶体管23，复位晶体管24中的每一个由MOS晶体管形成。作为复位晶体管24，使用耗尽型晶体管。
在该象素电路中，转移晶体管22的源极连接到光电转换器21的阴极上，其漏极连接到FD部分25，其栅极连接到转移线26上。转移晶体管22转移光电子给FD部分25，这些光电子由光电转换器21执行光电转换得到。这里，FD部分25为一具有寄生电容的扩散层。放大晶体管23的栅极连接到FD部分25上，其漏极连接到漏极线(未示出)上，并且其源极连接到垂直信号线27上，这样与FD部分25的电压(复位电平/信号电平)对应的信号可以输出到垂直信号线27上。复位晶体管24的源极连接到FD部分25上，其漏极与放大晶体管23的漏极一起连接到漏极线上，其栅极连接到复位线28，这样就控制了FD部分25的电压。
放大晶体管23的漏极和复位晶体管24的漏极共同连接的漏极线一般与象素部分12的大多数象素11连接。那么，漏极线在列方向(垂直方向)上延伸并在象素部分12的末端共用，或者漏极线以点阵的形式布线，其中在光电转换器21中开有一个孔。也许有一些象素，诸如虚拟象素，其漏极线与有效象素(用于获取图像的象素)的漏极线分开。漏极电压DRN施加到漏极线上，转移脉冲TRF施加到转移线26上，并且复位脉冲RST施加到复位线28上。
在MOS型固态成像设备中，上述三晶体管结构的象素11在矩阵中二维排列并且每一象素11由控制复位晶体管24的漏极和栅极电压进行选择，为了解决针对三晶体管型所具有的非选择热载流子白点问题，采用下面描述的根据每一实施例的驱动方法。根据每一实施例的驱动方法由定时产生电路19在定时控制下实现，该定时产生电路19用作驱动象素部分12的每个象素11的驱动装置。下面将专门描述根据每一实施例的驱动方法。
[第一实施例]
本发明的第一实施例的特征是驱动图1结构的固态成像设备的方法。图3的时序图示出了根据本发明第一实施例的驱动固态成像设备的方法。同时图3也示出了一个象素读取周期内选择行(假定为第n行)的驱动脉冲即漏极电压DRN，复位脉冲RST和转移脉冲TRF之间的脉冲波形关系。在图3的时序图中，时间t11表示接收到复位电平的时刻，时间t12表示接收到信号电平的时刻。
在非选择行中，漏极电压DRN一起被提供，然而不提供复位脉冲RST和转移脉冲TRF。通常，如果负极性脉冲(“L”电平)施加到“H”电平的漏极线上，则所有行的FD部分25复位成“L”电平。即，所有行的FD部分25回充。这里，FD部分25的“L”电平由复位晶体管24的阈值确定，不一定为0V。当复位晶体管24为耗尽型晶体管时，“L”电平可为0.5V等。
接着，当复位脉冲RST施加到选择行时，复位晶体管24导通，使得选择行的FD部分25设置为“H”电平。结果是，当选择行进行复位时，其电平，即复位电平，通过放大晶体管23输出到垂直信号线27上。这里，FD部分25的“H”电平不是电源电压，由于诸如阈值偏移的影响变成低于电源电压的电压，例如-0.5V的电源电压。该复位电平在时间t11的时刻在列电路15被接收。
接着，当转移脉冲TRF施加到选择行时，转移晶体管22导通，使得光电子从光电转换器21转移到选择行的FD部分25。然后，与光电子对应的FD部分25的电平即信号电平通过放大晶体管23输出到垂直信号线27上。该信号电平在时间t12的时刻在列电路15被接收。
列电路15计算复位电平和信号电平之间的差值，该复位电平和信号电平在时间t11和t12的时刻被接收，对于每一线路的象素，该差值作为去掉噪声成分的实际信号电平，即，输入信号电平。此后，如图4所示，下一行的驱动在经过周期B和水平有效周期后执行，其中保持在每一列的垂直驱动电路14中的信号依次通过水平信号线20输出。
这里，第一实施例与上述常规技术的区别在于回充操作仅在读取前执行。因此，在读取象素后，第n行的FD部分25不在周期B、水平有效周期、和下一行的周期A中进行回充。因此，在周期A和B中，偏置电流流过第n行。根据传统实施例，在驱动三晶体管象素的方法中，由于偏置电流经常流到每一列确定的低沟道象素中，例如当在象素部分12中存在1000行时，1000个象素的暗电流在每列的低沟道象素上产生。
比较起来，在根据该实施例的驱动固态成像设备的方法中，当象素本身被选择时，对于每一象素就会引起一条线一个象素(实际上，之所以是一个象素是因为在列单元中)的暗电流。图5示出了在采用根据该实施例的驱动固态成像设备的方法的情况下的第n行的放大晶体管23的电压。如图5所示，由于FD部分25不进行回充，因此放大晶体管23的栅极电压不是“L”电平。因此，当偏置电流的电子流到漏极线时的电压差比常规技术情况下的电压差更小。因此，不可能发生热载流子。由于发生热载流子的可能性随着该电压差的指数函数增加，从而产生热载流子的暗电流由于该电压差小而显著减小。
如上所述，在根据第一实施例的固态成像设备中，当象素本身被选择时，对于每一象素就会引起一条线(一个象素)的暗电流，从而导致施加给垂直信号线27的偏置电流在象素的非读取周期内流到与前一个选择象素相关的象素中，如前一个选择象素本身。并且导致对于一条线本身的暗电流能显著减少。因此，由于非选择热载流子白点，所以能实际消除损坏象素。
在该实施例中，作为一个优选实例，采用耗尽型晶体管作为复位晶体管24。然而，当不采用耗尽型晶体管时，如图6所示，本领域的技术人员很容易知道在漏极电压DRN为“L”电平周期内，仅需要将复位脉冲RST施加到至少前一行。
此外，如果在信号电平读取后立即再次将复位脉冲RST施加到选择行，该选择行的FD部分25的电平不管入射光的多少通常总是变为“H”电平并且也不管该象素而变成常数，这是令人满意的。此外，很明显，在信号电平接收后，即使选择行进行回充，FD部分25也通过向与选择行相关的另一行(如，下一行)提供复位脉冲RST而被置成“H”电平，从而使得偏置电流流到其他行。
此外，存在多个行读取结构，在这种结构里，多个行的信号进行集中读取。在这种情况下，例如，如图7所示，读取按照第n行和第(n+1)行的顺序执行。这里，第n行的读取顺序为“回充→读取”，同样，第(n+1)行的读取顺序为“回充→读取”。因此，在第(n+2)行读取之前的周期B和A内，电流流到第(n+1)行，并且与前述相同，导致热载流子出现的暗电流不再是个问题。
在上述的方式中，本领域的技术人员很容易从至此所描述的内容中知道应用于读取多行结构。同样用于电子快门操作。对于包括电子快门在内的该方法的执行存在多种变化，这些对于本领域的技术人员也是很明显的。
[第二实施例]
图8是根据本发明第二实施例的固态成像设备的主体部分结构的框图。在该实施例的固态成像设备中，在象素部分12的有效象素(用于拾取图像的象素)区域以外的区域中，设置一个装置，该装置用来使施加在垂直信号线27的偏置电流在象素的非读取周期内流到象素部分12的每个象素11以外的象素中，例如，叠加到每个垂直信号线27的虚拟象素31(一条线的虚拟行)中。
在图8中，虚拟象素31由单MOS晶体管32形成。MOS晶体管32的源极连接到垂直信号线27上，其栅极连接到虚拟线33上，其漏极连接到电源Vdd上。在根据第二实施例的固态成像设备中，其虚拟象素31以该方式连接到每一条垂直信号线27上，并以下列方式进行驱动。
图9是根据本发明第二实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图。图9也示出了在象素读取周期内一个选择行(假定为第n行)的驱动脉冲即漏极电压DRN、复位脉冲RST、转移脉冲TRF、虚拟脉冲DMY之间的时间关系。这里，虚拟脉冲DMY是一个驱动脉冲，通过虚拟线33提供到虚拟象素31，即MOS晶体管32的栅极。
在图9的时序图中，驱动电压DRN、复位脉冲RST以及转移脉冲TRF之间的时间关系与常规技术(见图17)的情况基本相同。时间t21表示接收复位电平的时刻，时间t22表示接收信号电平的时刻。第二实施例与常规技术的区别在于，在选择行读取周期以外的周期内，虚拟象素31导通，使得偏置电流流到虚拟象素31中。
更详细地说，在选择行的读取周期内，虚拟象素31的MOS晶体管32由于虚拟脉冲DMY被设置为“L”电平而关断，而在选择行的读取周期以外的周期(非读取周期)中，MOS晶体管32由于虚拟脉冲DMY被设置为“H”电平而导通。作为在非读取周期内MOS晶体管32导通的结果是，由偏置电流源34供给的偏置电流通过虚拟象素31流到电源Vdd。
如上所述，在根据第二实施例的固态成像设备中，在象素部分12的有效象素区域以外的区域中，设置一个装置，该装置用来使得施加给垂直信号线27的偏置电流在象素的非读取周期内流到象素部分12的每个象素11以外的象素中，如叠加到每个垂直信号线27的虚拟象素中。其结果是，偏置电流不流到象素部分12的每个象素11上，特别是低沟道象素上，并且非选择热载流子白点的出现集中在虚拟象素31上。因此，由有效象素的非选择热载流子白点所导致的缺损象素能实际消除。
在该实施例中，虚拟象素31由单个MOS晶体管32形成。另外，虚拟象素31可构造成与有效象素区域的象素11相同的结构，即，形成为三晶体管象素结构，这样，当在任意一行中都不进行读取时，选择虚拟象素，并且流过偏置电流。因此，可实际消除由于非选择热载流子白点所致的缺损象素。
作为构造虚拟象素31与有效象素区域的象素11相同结构的结果，其优点是虚拟象素31可与象素11经过相同的过程而产生。然而，由单个MOS晶体管构成虚拟象素31使得可非常精确地形成虚拟象素31。从而，与将虚拟象素31构造成与象素11相同的结构情况相比，其存在的优点是，由于非选择热载流子白点导致的缺损象素能消除而不扩展到象素部分12的区域。
[第三实施例]
图10是根据本发明第三实施例的固态成像设备主体部分的结构框图。在根据该实施例的固态成像设备中，设置一个与偏置电流源34串联的装置，例如开关元件35，其用来在象素的非读取周期内关断偏置电流的供给。
在图10中，偏置电流源34(与图8的偏置电流源34相同)由源极接地和栅极接至负载线36的负载MOS晶体管37形成。负载MOS晶体管37确定偏置电流的电流值，由于接近1V的电压施加在负载线36上，使得该电流流到垂直信号线27中。
用于关断偏置电流供给的开关元件35由MOS晶体管39形成，例如，其源极连接到负载MOS晶体管37的漏极，其漏极连接到垂直信号线27上，其栅极连接到开关线38上，开关元件35与偏置电流源34串联连接。MOS晶体管39的沟道宽度W以这样的方式设定：栅极电压在0V和电源电压之间摆动时，都令人满意地执行开关操作。
图11是根据第三实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图。图11也示出了在象素读取周期内一个选择行(假定为第n行)的驱动脉冲，即漏极电压DRN、复位脉冲RST、转移脉冲TRF、以及开关脉冲LSW之间的时间关系。这里，开关脉冲LSW为一个驱动脉冲，通过开关线38提供到开关元件35，即晶体管39的栅极。
在图11的时序图中，驱动电压DRN、复位脉冲RST以及转移脉冲TRF之间的时间关系与常规技术(见图17)的情况基本相同。时间t31表示接收复位电平的时刻，时间32表示接收信号电平的时刻。为了使得偏置电流供给垂直信号线27，开关元件35仅在选择行的读取周期导通(闭合)，在选择行的读取周期以外的周期(非读取周期)，开关元件关断(打开)以切断偏置电流的供给。因此，图4的周期A和B消失或变的足够短。
如上所述，在根据第三实施例的固态成像设备中，设置一个装置在读取前后切断偏置电流，该装置用来在象素的非读取周期内切断对垂直信号线27的偏置电流供应。结果，由于导致非选择热载流子白点出现的偏置电流不流过低沟道象素，所以由非选择热载流子白点所导致的缺损象素能实际消除。
在该实施例中，使用连接在负载晶体管37和垂直信号线27之间的MOS晶体管39作为用于切断偏置电流供给的装置。另外，负载晶体管37本身也作为那种装置。也就是说，通过在象素的非读取周期内使得负载MOS晶体管37的栅极电压变为0V以及使得负载MOS晶体管37关断而切断偏置电流的供给。由于同时使用负载MOS晶体管37作为切断偏置电流供给的装置，其优点是与以专用的方式设置该装置的情况相比，可减少元件的数目。然而，当采用该技术时，需要操作速度以确保当偏置电流启动时所需的用于稳定偏置电流的时间。
[第四实施例]
本发明第四实施例的特点是在图2的象素结构中使用的驱动固态成像设备的方法。图12是根据第四实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图。图12也示出了在象素读取周期内一个选择行(假定为第n行)的驱动脉冲即漏极电压DRN，复位脉冲RST以及转移脉冲TRF之间的时间关系。在图12的时序图中，时间t41表示接收复位电平的时刻，时间t42表示接收信号电平的时刻。
从图12所示的时序图可以看出，在根据该实施例的驱动固态成像设备方法中，复位晶体管24的漏极电压DRN仅在读取周期设置为“H”电平(＝电源电压)，对该读取周期以外的周期，漏极电压设置为中间电压(电源电压电平和地电平之间的电压)，其接近0V。漏极电压DRN设置为中间电压的原因是为了防止电子从漏极线泄漏到光电转换器21中。此外，优先选择接近于0.2到0.7V的电压作为接近0V的中间电压。此时，在图4的周期A和B中，由于漏极电压DRN不为“H”电平，或者由于“H”电平的时间太短，因此抑制了热载流子的产生，并且暗电流变得相当小。
如上所述，在根据第四实施例的固态成像设备中，由于在象素的非读取周期内复位晶体管24的漏极电压被设为中间电压优选为0.2V到0.7V，从而能抑制热载流子的发生，暗电流也能有效的减小。因此，由非选择热载流子白点所致的缺损象素能实际上消除。
[第五实施例]
在本发明的第五实施例中，特点为在图2的象素结构中使用的驱动固态成像设备的方法。图13是根据第五实施例的驱动固态成像设备的方法的时序图。图13也示出了在象素读取周期内选择行(假定为第n行)的驱动脉冲即漏极电压DRN、复位脉冲RST、以及转移脉冲TRF之间的时间关系。
在图13的时序图中，漏极电压DRN、复位脉冲RST、以及转移脉冲TRF之间的时间关系与常规技术(见图17)的情况基本相同。时间t51表示接收复位电平的时刻，时间t52表示接收信号电平的时刻。
此外，在根据该实施例的驱动固态成像设备的方法中，由于在复位脉冲RST的“H”电平侧设置的电压值比在漏极电压DRN的“H”电平侧设置的电压值(＝电源电压的电压)高，从而不用降低改大晶体管23和复位晶体管24的阈值，就确保了操作裕度，在非选择周期的电流也可靠地切断。在这种情况下，由于对所有象素的电流被切断，垂直信号线27的电平为如0V的一电压，在该电压下，偏置电流源34(见图8)不会使得偏置电流流动。
如果放大晶体管23和复位晶体管24的阈值每一个都大于或等于0.2V，最好是接近于0.4V到0.5V，就能切断电流。此外，当复位脉冲RST的“H”电平侧设定的电压值比漏极电压DRN的“H”电平侧的电压值高时，在固态成像设备内部，可通过使用升压电路升高电源电压值或由外部提供电压而产生该电压。
如上所述，在根据第五实施例的固态成像设备中，由于将放大晶体管23和复位晶体管24的阈值设定为大于或等于0.2V并且将复位脉冲RST的“H”电平侧的电压值设定为比漏极电压DRN“H”电平侧的电压值高，所以在非选择时间内的电流能被可靠地切断，并且偏置电流不会流到垂直信号线27上。结果是，由非选择热载流子白点所致的缺损象素能实际消除。
作为一个例子，该实施例已经讨论了一种情况，在这种情况中，驱动方法用于如图2所示的象素结构，也就是说在这种结构的象素中，放大晶体管的漏极侧和复位晶体管的漏极测共同地连接到漏极线上。然而，该驱动方法并不限于该实施例，其也能使用于图15所示的象素结构，也就是说，在这种结构象素中，放大晶体管的漏极侧连接到电源线上并且复位晶体管的漏极侧连接到漏极线上。
也就是说，在这种类型的象素中，在根据常规技术的驱动方法(基于图17所示时序图的驱动方法)的驱动中，非选择热载流子白点出现的原因与在其中放大晶体管和复位晶体管共同连接到漏极线的结构的象素的情况相同。通过应用每一个上述实施例的驱动方法，能够抑制非选择热载流子白点的出现。
放大晶体管的漏极侧连接到电源线且复位晶体管的漏极侧连接到漏极线上的这种类型的象素的大小比图2所示结构的象素要大。然而，由于不必在象素部分的整个表面上驱动线路，所以这样的优点是增加了象素视点的数目。同样，当驱动方法应用于这种象素时，通过和根据上述实施例的每一实施例的驱动方法相同的驱动方法都能执行驱动。也就是说，与图2所示象素的漏极电压DRN相同的脉冲电压可以施加到漏极线上，该漏极线仅仅与复位晶体管相连，并在行方向上延伸。然而，仅对于选择行，漏极电压才提供给漏极线。
图14是根据本发明的照相机装置(图像获取装置)的结构的概述的框图。如图14所示，照相机装置包括图像获取设备41；用于引导入射光进入到象素获取设备41的象素区域的光学系统，例如，用于将入射光(图像光)在图像获取板上形成图像的透镜42；用于控制图像获取设备41和用于处理来自图像获取设备41的信号的照相机IC43；以及其他。
在该照相机装置中，作为图像获取设备41，采用根据第一到第五实施例的固态成像设备，即三晶体管结构的MOS型固态成像设备，其中单位象素11除具有光电转换器21(如光电二极管)外，还具有转移晶体管22，放大晶体管23和复位晶体管24。
照相机IC43与图像获取设备41进行通讯并控制图像获取设备41。例如，执行电子快门的控制和读取模式的控制。此外，照相机IC43处理来自图像获取设备41的信号。例如，执行与色彩有关的处理如白色平衡以及信号的压缩。在该实施例中，用于图像处理的帧存储器和ROM包含在照相机IC43中。也可选择其他芯片形成。
如上所述，根据该照相机装置，由于使用根据第一到第五实施例的MOS型固态成像设备作为图像获取设备41并且使用驱动图像获取设备的照相机IC(驱动电路)43，在MOS型固态图像设备中，由非选择热载流子白点所致的缺损象素能实际消除。因此，能得到具有高图像质量的获取图像。
根据本发明的上述结构的照相机装置可用作与电子设备如便携带式电话和PCS(个人电脑)合成一体的照相机模块。

Claims (37)

1.一种固态成像设备，包括：
以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，和一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；以及
驱动装置，通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压，用来选择所述象素部分的每一象素，并且在象素的非读取周期内使得供给所述信号线的偏置电流流到与前一个选择象素相关的象素上。
2.根据权利要求1的固态成像设备，其中所述与前一个选择象素相关的象素为前一个象素本身。
3.根据权利要求1的固态成像设备，其中，在象素的非读取周期内，当所述复位晶体管的漏极电压为高电平时，所述驱动装置使得所述象素的浮动扩散部分在读取选择象素的信号前为低电平，并且在读取之后不立即将被读取象素的浮动扩散部分返回到低电平。
4.根据权利要求3的固态成像设备，其中所述驱动装置使得与被读取象素相关的象素的扩散浮动部分在读取后立即为高电平。
5.根据权利要求4的固态成像设备，其中与所述被读取象素相关的象素为被读取象素本身。
6.一种固态成像设备，包括：
以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；
驱动装置，通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压用来选择所述象素部分的每一象素；以及
在象素的非读取周期内使供给所述信号线的偏置电流流到所述象素部分的每一象素以外的其他象素上的装置。
7.根据权利要求6的固态成像设备，其中用来使偏置电流流到每一象素以外的其他象素上的所述装置为在所述象素部分的有效象素区域以外的区域中的虚拟象素。
8.根据权利要求7的固态成像设备，其中所述虚拟象素连接到所述信号线和电源之间，并且包括一个在象素的非读取周期内导通的晶体管。
9.根据权利要求7的固态成像设备，其中所述虚拟象素具有与所述象素部分的每一象素相同的结构。
10.一种固态成像设备，包括：
以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；
通过所述信号线，提供偏置电流给每一象素的偏置电流源；
驱动装置，通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压用来选择所述象素部分的每一象素；以及
在象素的非读取周期用来切断所述偏置电流向所述信号线提供的装置。
11.根据权利要求10的固态成像设备，其中所述切断装置为一开关元件，其与所述偏置电流源串联连接，并且在象素的非读取周期内关断。
12.根据权利要求10的固态成像设备，其中所述偏置电流源和所述切断装置包括一用于确定所述偏置电流的晶体管，并且该晶体管在象素的非读取期间关断。
13.一种固态成像设备，包括：
以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；以及
驱动装置，通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压用来选择所述象素部分的每一象素，并且用于在象素的非读取周期使所述复位晶体管的漏极电压为电源电压电平和地电平之间的一中间电压。
14.根据权利要求13的固态成像设备，其中所述中间电压约为0.2V到0.7V。
15.一种固态成像设备，包括：
以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；以及
驱动装置，通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压用来选择所述象素部分的每一象素，并且提供一个复位脉冲给所述复位晶体管的栅极，该复位脉冲在高电平侧的电压值比电源电压的电压值高。
16.根据权利要求15的固态成像设备，其中所述放大晶体管和所述复位晶体管的每一阈值为0.2V。
17.一种驱动固态成像设备的方法，包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；所述驱动方法包括步骤：
通过控制所述复位晶体管漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素；以及
在象素的非读取周期内使供给所述信号线的偏置电流流到与前一个选择象素相关的象素上。
18.根据权利要求17的驱动固态成像设备的方法，其中所述与前一个选择象素相关的象素为前一个象素本身。
19.根据权利要求17的驱动固态成像设备的方法，其中所述象素的浮动扩散部分在读取被选择象素的信号前为低电平，并且在读取后该读取象素的浮动扩散部分不立即返回到低电平。
20.根据权利要求17的驱动固态成像设备的方法，其中所述象素的浮动扩散部分在读取被选择象素的信号前为低电平，并且在读取后与该读取象素相关的象素的扩散浮动部分立即为高电平。
21.根据权利要求20的驱动固态成像设备的方法，其中与该读取象素相关的所述象素为该读取象素本身。
22.一种驱动固态成像设备的方法，包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分，所述驱动方法包括步骤：
通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素；以及
在象素的非读取周期内使供给所述信号线的偏置电流流到所述象素部分的每一象素以外的其他象素上。
23.一种驱动固态成像设备的方法，包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分，所述驱动方法包括步骤：
通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压选择所述象素部分的每一象素；以及
在象素的非读取周期内停止将偏置电流提供到所述信号线上。
24.一种驱动固态成像设备的方法，包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分，所述驱动方法包括步骤：
通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素；以及
在象素的非读取周期内使所述复位晶体管的漏极电压为电源电压电平和地电平之间的一中间电压。
25.根据权利要求24的驱动固态成像设备的方法，其中所述中间电压约为0.2到0.7V。
26.一种驱动固态成像设备的方法，包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分，所述驱动方法包括步骤：
通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素；以及
提供一个复位脉冲给所述复位晶体管的栅极，该复位脉冲高电平侧的电压值比电源电压的电压值高。
27.根据权利要求26的驱动固态成像设备的方法，其中所述放大晶体管和所述复位晶体管的每一阈值大于或等于0.2V。
28.一种照相机装置，包括：
一个固态成像设备，该固态成像设备包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；
一个用于引导入射光进入到所述固态成像设备的所述象素部分中的光学系统；以及
驱动装置，用于通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素，并在象素的非读取周期内使供给所述信号线的偏置电流流到与前一个选择象素相关的象素上。
29.一种照相机装置，包括
一个固态成像设备，该固态成像设备包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分，还包括一个用来使供给所述信号线的偏置电流在象素的非读取周期内流到所述象素部分的每一象素以外的其他象素上的装置；
一个用于引导入射光进入到所述固态成像设备的所述象素部分中的光学系统；以及
驱动装置，用于通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素。
30.一种照相机装置，包括
一个固态成像设备，该固态成像设备包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分，还包括用于将偏置电流通过所述信号线供给每一象素的偏置电流源，以及用于在象素的非读取周期内切断所述信号线的所述偏置电流的装置；
一个用于引导入射光进入到所述固态成像设备的所述象素部分的光学系统；以及
驱动装置，用于通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素。
31.一种照相机装置，包括：
一个固态成像设备，该固态成像设备包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；
一个用于引导入射光进入到所述固态成像设备的所述象素部分中的光学系统；以及
驱动装置，用于通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素，并且在象素的非读取周期内使所述复位晶体管的漏极电压为电源电压电平和地电平之间的一中间电压。
32.一种照相机装置，包括
一个固态成像设备，该固态成像设备包括以这样的方式形成的象素部分，其中每个单位象素具有三个晶体管，一个转移晶体管用于转移光电转换器的信号到浮动扩散部分，一个放大晶体管用于将所述浮动扩散部分的信号输出到信号线，一个复位晶体管用于复位所述的放大晶体管和所述的浮动扩散部分；
一个用于引导入射光进入到所述固态成像设备的所述象素部分中的光学系统；以及
驱动装置，用于通过控制所述复位晶体管的漏极和栅极的电压来选择所述象素部分的每一象素，并在复位时间内提供一个复位脉冲给所述复位晶体管的栅极，其中复位脉冲高电平侧的电压值比电源电压的电压值高。
33.一种固态成像设备，包括：
多个设置在成像区域内的象素，其中所述象素包括一个光电转换器，一个放大晶体管，将来自所述光电转换器的充电信号供给该放大晶体管的栅极，以及一个复位晶体管，用于将来自所述光电转换器的充电进行复位，
在读取周期内，在所述放大晶体管的栅极电压改变到预定电平之后，所述放大晶体管放大并输出来自所述光电转换器的充电信号，以及
在此后的读取周期和非读取周期内，所述放大晶体管的栅极不受电压调节的影响。
34.一种固态成像设备，包括：
多个设置在成像区域内的象素，其中所述象素包括一个光电转换器，一个放大晶体管，将来自所述光电转换器的充电信号提供给该放大晶体管的栅极，以及一个复位晶体管，用于将来自所述光电转换器的充电进行复位，
在读取周期内，在所述放大晶体管的栅极电压改变到预定电平之后，所述放大晶体管放大并输出来自所述光电转换器的充电信号，以及
在此后的读取周期和非读取周期内，所述放大晶体管的栅极返回到所述预定电压。
35.一种固态成像设备，包括：
多个设置在成像区域内的象素；
用于引导信号从所述象素到所述成像区域外部的信号线；
一个用于给所述信号线提供偏置电流的电流源；以及
用于改变所述偏置电流的流动的开关装置。
36.根据权利要求35的固态成像设备，其中所述开关元件为与所述信号线相关的虚拟象素部分。
37.根据权利要求35的固态成像设备，其中所述开关元件为用于切断偏置电流的开关部分，所述开关部分与所述电流源分别形成。
CNB2004100639242A 2003-05-16 2004-05-17 固态成像设备，驱动该成像设备的方法以及照相机装置 Expired - Fee Related CN100448272C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003138947A JP4207659B2 (ja) 2003-05-16 2003-05-16 固体撮像装置およびその駆動方法、ならびにカメラ装置
JP138947/03 2003-05-16
JP138947/2003 2003-05-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810003771.0A Division CN101272447B (zh) 2003-05-16 2004-05-17 固态成像设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1574916A true CN1574916A (zh) 2005-02-02
CN100448272C CN100448272C (zh) 2008-12-31

Family

ID=33528175

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100639242A Expired - Fee Related CN100448272C (zh) 2003-05-16 2004-05-17 固态成像设备，驱动该成像设备的方法以及照相机装置
CN200810003771.0A Active CN101272447B (zh) 2003-05-16 2004-05-17 固态成像设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810003771.0A Active CN101272447B (zh) 2003-05-16 2004-05-17 固态成像设备

Country Status (5)

Country Link
US (5) US7187020B2 (zh)
JP (1) JP4207659B2 (zh)
KR (2) KR101010731B1 (zh)
CN (2) CN100448272C (zh)
TW (1) TWI255139B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100420282C (zh) * 2005-03-09 2008-09-17 索尼株式会社 固态成像设备与用于驱动其的方法以及成像装置
CN101719972B (zh) * 2008-10-09 2012-02-29 佳能株式会社 图像拾取装置
CN101822041B (zh) * 2007-10-09 2012-06-20 株式会社尼康 摄影装置
CN101123671B (zh) * 2006-08-08 2012-08-22 佳能株式会社 光电转换装置、成像装置和成像系统
CN101212581B (zh) * 2006-12-28 2012-12-12 佳能株式会社 固态图像传感器及成像系统
CN103179356A (zh) * 2011-12-09 2013-06-26 索尼公司 固态图像拍摄装置、其驱动方法以及电子设备
CN105075242A (zh) * 2013-04-18 2015-11-18 奥林巴斯株式会社 摄像元件、摄像装置、内窥镜、内窥镜系统以及摄像元件的驱动方法
CN105308952A (zh) * 2013-06-11 2016-02-03 浜松光子学株式会社 固体摄像装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8235919B2 (en) * 2001-01-12 2012-08-07 Celleration, Inc. Ultrasonic method and device for wound treatment
JP4298282B2 (ja) * 2002-12-13 2009-07-15 キヤノン株式会社 表示制御装置およびその制御方法
JP4207659B2 (ja) 2003-05-16 2009-01-14 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、ならびにカメラ装置
KR100997977B1 (ko) * 2004-01-12 2010-12-02 삼성전자주식회사 광센서 및 이를 이용한 표시 장치
JP4641166B2 (ja) * 2004-09-15 2011-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置の電荷転送デバイスおよび固体撮像装置の電荷転送デバイスの駆動方法
JP4602889B2 (ja) * 2005-10-03 2010-12-22 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
JP2008042347A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Canon Inc 撮像素子及びその制御方法、及び撮像装置
KR100866635B1 (ko) * 2006-09-25 2008-11-03 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 촬상장치 및 촬상방법
KR101344441B1 (ko) * 2007-07-16 2013-12-23 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7858914B2 (en) * 2007-11-20 2010-12-28 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus for reducing dark current and hot pixels in CMOS image sensors
US7807955B2 (en) * 2008-05-30 2010-10-05 Eastman Kodak Company Image sensor having reduced well bounce
JP2010050710A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Nikon Corp 固体撮像素子
TW201216138A (en) * 2010-10-13 2012-04-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for driving photosensor array panel
JP5646420B2 (ja) 2011-09-14 2014-12-24 株式会社東芝 固体撮像装置
KR20160047314A (ko) * 2014-10-22 2016-05-02 삼성전자주식회사 방사선 검출기 및 방사선 검출기 구동 방법
JP6480768B2 (ja) * 2015-03-17 2019-03-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
KR20210012555A (ko) * 2019-07-25 2021-02-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 동작 방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0955887A (ja) * 1995-08-15 1997-02-25 Nikon Corp 光電変換装置およびこれを用いた固体撮像装置
JP3529190B2 (ja) * 1995-04-03 2004-05-24 オリンパス株式会社 固体撮像装置
US5739562A (en) * 1995-08-01 1998-04-14 Lucent Technologies Inc. Combined photogate and photodiode active pixel image sensor
JP3859294B2 (ja) 1997-03-05 2006-12-20 オリンパス株式会社 固体撮像装置
DE69841968D1 (de) * 1997-08-15 2010-12-09 Sony Corp Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Steuerverfahren dafür
JP3918248B2 (ja) * 1997-09-26 2007-05-23 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JP3466886B2 (ja) * 1997-10-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
SG70128A1 (en) * 1997-10-06 2000-01-25 Canon Kk Method of driving image sensor
US6801256B1 (en) * 1998-06-02 2004-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba High-speed solid-state imaging device capable of suppressing image noise
US6507365B1 (en) * 1998-11-30 2003-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device
US6333205B1 (en) * 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
JP2001208538A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Seiko Precision Inc 測距装置
JP3750502B2 (ja) 2000-08-03 2006-03-01 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラシステム
JP2002330349A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Fujitsu Ltd Ｘｙアドレス型固体撮像装置
JP3734717B2 (ja) * 2001-04-26 2006-01-11 富士通株式会社 イメージセンサ
JP4831892B2 (ja) * 2001-07-30 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6734413B2 (en) * 2001-11-06 2004-05-11 Omnivision Technologies, Inc. Zero DC current readout circuit for CMOS image sensor using a precharge capacitor
JP3944829B2 (ja) * 2002-01-17 2007-07-18 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
EP1341377B1 (en) * 2002-02-27 2018-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Signal processing device for image pickup apparatus
JP3950715B2 (ja) * 2002-03-05 2007-08-01 富士フイルム株式会社 固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置
JP4207659B2 (ja) * 2003-05-16 2009-01-14 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、ならびにカメラ装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100420282C (zh) * 2005-03-09 2008-09-17 索尼株式会社 固态成像设备与用于驱动其的方法以及成像装置
CN101123671B (zh) * 2006-08-08 2012-08-22 佳能株式会社 光电转换装置、成像装置和成像系统
CN101212581B (zh) * 2006-12-28 2012-12-12 佳能株式会社 固态图像传感器及成像系统
CN101822041B (zh) * 2007-10-09 2012-06-20 株式会社尼康 摄影装置
CN101719972B (zh) * 2008-10-09 2012-02-29 佳能株式会社 图像拾取装置
CN102572324A (zh) * 2008-10-09 2012-07-11 佳能株式会社 图像拾取装置
CN103179356A (zh) * 2011-12-09 2013-06-26 索尼公司 固态图像拍摄装置、其驱动方法以及电子设备
CN105075242A (zh) * 2013-04-18 2015-11-18 奥林巴斯株式会社 摄像元件、摄像装置、内窥镜、内窥镜系统以及摄像元件的驱动方法
CN105075242B (zh) * 2013-04-18 2018-01-30 奥林巴斯株式会社 摄像元件、摄像装置、内窥镜、内窥镜系统以及摄像元件的驱动方法
CN105308952A (zh) * 2013-06-11 2016-02-03 浜松光子学株式会社 固体摄像装置
CN105308952B (zh) * 2013-06-11 2018-10-26 浜松光子学株式会社 固体摄像装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101010731B1 (ko) 2011-01-24
US9386244B2 (en) 2016-07-05
US7187020B2 (en) 2007-03-06
US20110279719A1 (en) 2011-11-17
JP4207659B2 (ja) 2009-01-14
US8013336B2 (en) 2011-09-06
US20070097241A1 (en) 2007-05-03
JP2004343529A (ja) 2004-12-02
US20070076110A1 (en) 2007-04-05
CN100448272C (zh) 2008-12-31
KR20100088595A (ko) 2010-08-09
KR101060711B1 (ko) 2011-08-30
TW200511844A (en) 2005-03-16
US9560295B2 (en) 2017-01-31
TWI255139B (en) 2006-05-11
US20050023532A1 (en) 2005-02-03
US20160134823A1 (en) 2016-05-12
CN101272447A (zh) 2008-09-24
KR20040099165A (ko) 2004-11-26
US8076697B2 (en) 2011-12-13
CN101272447B (zh) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1574916A (zh) 固态成像设备，驱动该成像设备的方法以及照相机装置
CN1150748C (zh) 固态图象传感器和驱动该传感器的方法
CN1601753A (zh) 半导体器件及驱动其单元组件的控制方法和装置
CN1174352C (zh) 有源矩阵型显示设备和有机电致发光显示设备及其驱动方法
CN1507743A (zh) 固态成像设备及其驱动方法
CN101064788A (zh) 固态成像装置、驱动固态成像装置的方法和图像拾取设备
CN1691347A (zh) 固态成像器件及其驱动方法
CN1591104A (zh) 电子电路、电光学装置、电子装置以及这些的驱动方法
CN1527394A (zh) 固体摄像器件、制造方法及行间传递型ccd图像传感器
CN1791185A (zh) 互补金属氧化物半导体图像传感器及其操作方法
CN1960448A (zh) 物理量检测装置和成像设备
CN1383320A (zh) Xy地址型固体摄象装置
CN1856042A (zh) 固态图像拾取设备、其驱动方法和图像拾取装置
CN1905635A (zh) 固态图像拾取装置及其驱动方法和成像设备
CN1363916A (zh) 显示器件中的有源矩阵方法的驱动电路
CN1703901A (zh) 固体摄像装置、其驱动方法及使用它的照相机
CN1877667A (zh) 像素驱动电路及其驱动方法
WO2011104794A1 (ja) 固体撮像装置及び駆動方法
CN1879402A (zh) 固态成像装置以及照相机系统
CN1959479A (zh) 液晶显示器驱动器及使用该驱动器的液晶显示装置
JP4692262B2 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
CN1832539A (zh) 摄像设备
CN1627802A (zh) 放大固态图像拾取设备及其驱动方法
CN1573877A (zh) 显示装置
CN1708099A (zh) 具有改善信噪比的有源像素传感器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081231

Termination date: 20200517

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee