CN1630057A - 插座/或转接器装置及将对应半导体组件加载插座/或转接器装置的装置及方法 - Google Patents

插座/或转接器装置及将对应半导体组件加载插座/或转接器装置的装置及方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及将加载对应半导体组件(3a，11a)插座及/或转接器装置(12a)的方法、插座及/或转接器装置(12a)、精密调准装置(19)、以及将对应半导体组件(3a，11a)加载插座及/或转接器装置(12a)的机构，其中该机构包括装置(18a)，特别是用于调准与该插座及/或转接器装置(12a)有关的机构的一机械装置(18a)。

Description

插座/或转接器装置及将对应半导体组件加载插座/或转接器装置 的装置及方法
技术领域
本发明涉及插座及/或转接器装置，特别是用于半导体组件的插座及/或转接器装置，以及将插座及/或转接器装置加载对应半导体组件的装置和方法，和要用于此性质之工艺方法的精密调准装置。
背景技术
半导体组件(举例来说，对应积体(模拟及/或数字)计算机电路)、半导体存储器组件(举例来说，功能存储器组件(PLA、PAL等等)、表存储器组件(举例来说ROM或者RAM，尤指SRAM和DRAM)在制程中经历广泛测试。
对于许多(大致相同)半导体组件的同时一起制造，使用所谓的晶片(也就是说薄圆盘的单晶硅)。
晶片适当处理(举例来说，连续承受许多镀膜、曝光、蚀刻、扩散、植入处理步骤等等)，然后切片，因而可使用各个组件。
在晶片切片后，各别可用的组件各自独立装入特殊壳体或者封装(举例来说，所谓的TSOP或者FBGA壳体等等)，然后，通过适当托盘，输送至对应的另一站，特别是测试站(及/或连续至几个不同测试站)。
上述测试站可以是例如所谓的预烧测试站(在该处，通过产生极端条件，进行所谓的预烧测试工艺方法，也就是说，在极端条件下完成测试(举例来说，增高的温度，例如高于80℃或者100℃，增高的操作电压等等)。
借助一个或者数个适当加载装置(“载具”)之助，(预烧)插座及/或转接器可以加载要测试的组件。
为此，举例来说，设在适当加载装置(载具)的抓取器装置可以在载具头产生部分真空，借助于此，组件可以从托盘移除，然后，通过抓取器装置及/或“载具头”的适当运动(举例来说，旋转或者平移)，位于所谓的精密调准装置上。
然后通过降低真空，位于精密调准装置上的组件可以被抓取器装置的载具丢入精密调准装置上之设有适当截锥引导表面的其中一个凹部。
通过截锥引导表面，组件及/或组件壳体可以丢入对应精密调准凹部而(预先或者约略)调准。
接着组件可以由上述加载装置(及/或由任何另外加载装置)从设在上述或者任何另外加载装置之精密调准装置的凹部再度移除(举例来说，在抓取器装置(及/或载具头)产生部分真空)。
接着组件可以通过抓取器装置及/或载具头的适当运动(举例来说，旋转或者平移)位于对应(预烧)转接器及/或插座上。
举例来说，传统(预烧)转接器及/或插座可以由底座组件和通过附在底座组件的对应弹簧区域而在垂直方向可相对于底座组件调整的盖组成。
在转接器及/或插座概上通过适当向下压力，转接器及/或插座可以“打开”，其后由载具的抓取器装置悬挂在转接器及/或插座上的组件可以通过降低真空而丢入转接器及/或插座。
适当截锥引导表面可以设在转接器及/或插座内，其目的是在落入转接器时，确实调准组件及/或组件壳体。
然后，当转接器及/或插座盖释放时，再度由上述弹簧区域驱策向上，其中设在对应组件(及/或组件壳体)上的接点接触设在对应转接器及/或插座上的接点，使得转接器及/或插座“关闭”，因而可以在组件上进行上述测试工艺方法。
发明内容
本发明针对制造新颖插座及/或转接器装置，尤指用于半导体组件的插座及/或转接器装置，以及将插座及/或转接器装置加载对应半导体组件的新颖装置和新颖方法，和要用于对应方法的精密调准装置，特别是可以比传统技术更便宜将插座及/或转接器装置加载对应半导体组件装置和方法。
本发明通过权利要求1、7、11、17的实质内容达成此目的和其它目的。
本发明的其它有利特性包含在附属项中。
就本发明的一个观点来看，装置(特别是载具头)用来将插座及/或转接器装置加载对应半导体组件，其中该装置包括相对于插座及/或转接器装置调准该装置的装置，尤指机械装置。
为了相对于插座及/或转接器装置调准该装置，配合设在该装置之调准装置而工作的装置(尤指(另一)机械装置)设在插座及/或转接器装置。
在本发明的特别有利的实施例中，设在该装置的调准装置另外用来相对于精密调准装置调准该装置。
附图说明
下文中，通过实施例和附图更仔细说明本发明。附图中：
图1是对应半导体组件制造时通过之各种站的示意图；
图2是用于图1所显示之″预烧″测试系统之加载机之抓取器和装置精密调准装置的示意透视图；
图3是从图2下方所显示之抓取器装置的示意图；
图4是图2和图3所显示之抓取器装置及图2所显示之精密调准装置调准的示意剖面图；
图5是抓取器装置和转接器及/或插座的示意透视图。
具体实施方式
在图1中，示意呈现半导体组件3a、3b、3c、3d制造时对应半导体组件3a、3b、3c、3d通过的一些站A、B、C、D(此处未显示其它几个站)。
站A用以使仍然留在硅晶片2上的半导体组件3a、3b、3c、3d进行一个以上的测试工艺方法(举例来说，通过适当测试系统5，例如由测试装置6和半导体组件测试卡8及/或探针卡8(设有接触针脚9以接触半导体组件3a、3b、3c、3d上的对应接点))。
在此处未显示并且在图1所显示之站A、B、C、D上游的站，晶片2经历对应的传统镀膜、曝光、蚀刻、扩散、植入处理步骤等等。
举例来说，半导体组件3a、3b、3c、3d可以是对应积体(模拟及/或数字)计算机电路或者半导体存储器组件，举例来说，功能存储器组件(也就是PLA、PAL等等)和表存储器组件(举例来说，ROM或者RAM)，尤指SRAM或者DRAM(此处例如是DRAM(动态随机存取存储器及/或动态读写存储器)，具有双倍资料速率(DDR DRAM＝双倍资料速率-DRAM)，最好是高速DDR DRAM)。
当测试工艺方法在上述站A成功完成时，晶片2(全自动)输送至下一站B(见箭号F)，(在晶片2以已知方式胶合后)在该处通过适当机器7切片，因而可使用各个半导体组件3a、3b、3c、3d。
在晶片2在站B切片后，组件3a、3b、3c、3d(再度全自动，举例来说通过适当运送机)(输送至下一测试站(此处为加载站C)，例如直接(及/或各别)或者交替通过对应托盘)(见箭号G)。
在加载站C，借助适当机器10(加载机)，组件3a、3b、3c、3d以全自动方式各别装入对应壳体11a、11b、11c、11d及/或封装(见箭号Ka、Kb、Kc、Kd)，然后壳体11a、11b、11c、11d以已知方式关闭，因而设在半导体组件3a、3b、3c、3d上的半导体组件接点接触设在每一壳体11a、11b、11c、11d的对应壳体接点。
传统TSOP壳体或者例如传统FBGA壳体等等可以用于壳体11a、11b、11c、11d。
接着，举例来说，通过对应运送器和适当使用对应托盘17(例如图2所显示的)，壳体11a、11b、11c、11d连同半导体组件3a、3b、3c、3d再度全自动送到另一站D，例如测试站(见箭号H)，及/或连续至其它几个站，特别是测试站(此处未显示)。
举例来说，站D(或者一个以上的上述其它站，此处未显示)可以是所谓的预烧站，特别是预烧测试站。
在预烧站，产生的极端条件(举例来说，增高的温度)造成组件3a、3b、3c、3d的人工老化。
除此之外，可以在预烧站进行一个以上的预烧测试工艺方法，也就是在说在极端条件(举例来说，增高的温度，例如高于80℃或者100℃，及/或增大的操作电压等等)下完成的测试。
在站D，如下所详述，借助一个以上的适当机器(例如加载机13，“载具”)(和另一加载机(“载具”，此处未显示)之助，壳体11a、11b、11c、11d装入对应(预烧)插座及/或(预烧))转接器12a、12b、12c、12d。
如图1和图2所显示，加载机13(和对应提供的另一加载机)具有抓取器装置13a及/或载具头13a。
为了将(预烧)插座及/或(预烧)转接器12a加载对应组件3a及/或组件壳体11a，举例来说，如图2所显示，抓取器装置13a先直接位于对应托盘17上(及/或直接位于对应组件3a及/或组件壳体11a上)，类似于传统加载机，因此在抓取器装置13a及/或载具头13a(及/或在抓取器装置13a及/或载具头13a下)产生适当真空。
依此方式，设在对应壳体11a并且置于托盘17(类似于传统托盘)上的组件3a在箭号N的方向向上移动，如图3所显示，被抓取器装置13的下侧13b紧紧固持(大致在几个定心装置18a、18b、18c、18d的中间，详述如下)，也就是组件3a从托盘17移除。
接着，保持真空时，通过抓取器装置13a及/或载具头13的适当移动(例如旋转或者滑动)(举例来说，先在图2所显示之箭号M的方向向上移动，然后在图2所显示之箭号L的方向横向移动等等)，抓取器装置13a连同保持在抓取器装置13a之下侧13b的组件3a及/或组件壳体11a位于精密调准装置19上，显示于图2的右侧(详言之，在精密调准装置19的对应定心凹部22上)。
精密调准装置19类似于传统精密调准装置，然而如图2和图4所显示，在抓取器装置13的下侧13b设有几个定心孔20a、20b、20c、20d以容纳上述定心装置18a、18b、18c、18d。
定心孔20a、20b、20c、20d的剖面大致是圆形，内径大致恒定，从精密调准装置19的上侧在垂直方向向下部分或者完全穿过整个精密调准装置19。
如图2和图4所显示，设在抓取器装置13a上的定心装置18a、18b、18c、18d从抓取器装置的下侧垂直向下。从例如图3可知，每一定心装置18a、18b、18c、18d(此处是四个，可以是例如两个或者三个等等)具有大致圆形的剖面。
从例如图2和图4可知，每一定心装置18a、18b、18c、18d具有大致圆柱形的上区域21和连接到上区域21a的下区域21b(截锥向下成为锥形)。
如图4所显示，被抓取器装置13a调准时，中心穿过定心装置18a、18b、18c、18d之锥形剖面之定心装置18a、18b、18c、18d的垂直轴精确调准精密调准装置19之对应定心开口20a、20b、20c、20d的中心垂直轴。
每一定心开口20a、20b、20c、20d的内径与每一定心装置18a、18b、18c、18d之对应圆锥形区域21b的最大外径(在对应圆锥形区域21b的顶端)(也就是每一定心装置18a、18b、18c、18d之对应圆柱形区域21a的外径)大致相同，或者稍小。
抓取器装置13a及/或载具头13a相对于加载机13的其它部分支持于“浮动”轴承上。
当抓取器装置13a在箭号O的方向从图2所显示的位置垂直向下移动到精密调准装置19上方(及/或精密调准装置19之定心凹部22上方)的位置，例如图4所显示的位置(或者甚至更下方)时，设在抓取器装置13a上的定心装置18a、18b、18c、18d(及/或其圆锥形区域21b)引入精密调准装置19的每一对应定心开口20a、20b、20c、20d。
归因于抓取器装置13a的上述“浮动”轴承(也就是归因于其横向挠性)，在精密调准装置19及/或其定心凹部22上尚未准确定心及/或调准的抓取器装置13a被定心及/或调准(也就是横向稍微移动如图2之箭号Q和R所显示)，因而一旦定心装置18a、18b、18c、18d插入每一对应定心开口20a、20b、20c、20d，则定心装置18a、18b、18c、18d的中心轴与精密调准装置19之定心开口20a、20b、20c、20d的对应中心轴确实一致。
通过在抓取器装置13a释放真空，使悬挂在精密调准装置19及/或其定心凹部22上方的组件3a及/或组件壳体11a掉入定心凹部22(举例来说，见图2和图4的箭号P)。
举例来说，如图4所显示，定心凹部具有对应截锥侧22a、22b。
截锥侧22a、22b从精密调准装置19之上侧上之定心凹部22的内缘以一角度向下且向内延伸。
在定心凹部22内的某些较低点，定心凹部22的尺寸大致对应于组件3a及/或组件壳体11a的尺寸(举例来说，上述较低点之定心凹部22之图4所显示的宽度大致对应于组件3a及/或组件壳体11a的宽度，定心凹部22的长度大致对应于组件3a及/或组件壳体11a的长度)。
通过截锥引导边缘22a、22b，组件3a及/或组件壳体11a以及抓取器装置13a可以相对于精密调准装置19适当调准及/或定心(也就是当落入定心凹部22时，在横向稍微移动，因而在落入定心凹部22后，组件3a及/或组件壳体11a的中心轴a与定心凹部22的中心轴b完全一致)。
接着，举例来说，在图4所显示之抓取器装置13a的设定，或者在抓取器装置13a进一步向下移动后，上述加载机13的抓取器装置13a(或者举例来说，诸如一个上述另一加载机的对应抓取器装置)可以从设在精密调准装置19的定心凹部22再度移除组件3a及/或组件壳体11a(举例来说，在抓取器装置13a及/或载具头13a(再度)产生真空，详言之，在抓取器装置13a及/或载具头13a之下)。
因此，插入定心凹部22的组件3a及/或组件壳体11a再度在图2和图4所显示之箭号P的方向向上拉，如图3所显示，再度保持在抓取器装置13a的下侧13b(至此，归因于组件3a相对于精密调准装置19的定心和抓取器装置13a相对于精密调准装置19的定心，确实在上述定心装置18a、18b、18c、18d之间的中间，也就是确实相对于抓取器装置13a定心)。
接着，通过适当移动(举例来说，通过旋转及/或平移)抓取器装置13a及/或载具头13a(举例来说，起初在图2所显示之箭号S的方向向上，然后在图2和图5所显示之箭号T的方向横向移动等等)，维持真空时，举例来说，抓取器装置13a连同定心及/或调准的组件3a及/或组件壳体11a保持在抓取器装置13a的下侧13b，在对应(预烧)插座及/或(预烧)转接器12a、12b、12c、12d之上定位置(见图5)。
插座及/或转接器12a、12b、12c、12d可以大致类似于传统“预烧”插座及/或“预烧”转接器(例如对应TSOP或者FBGA“预烧”插座)，除了相较于传统插座及/或转接器，类似于图2和图4所显示的精密调准装置19，具有几个定心开口23a、23b、23c、23d，再度相较于传统插座及/或转接器，没有截锥表面及/或其它″引导″装置。
从图5可知，(预烧)转接器及/或插座12a、12b、12c、12d各有底座组件24和在诸如垂直方向可相对于底座组件24移动的盖25(通过活动轴承附在底座组件24而弹簧组件在其间)。
(在图5所显示之箭号的方向)通过转接器及/或插座盖及/或盖25上的适当向下压力，类似于传统转接器及/或插座的转接器及/或插座112a、12b、12c、12d可以打开，如下所详述，在转接器及/或插座盖25释放后，可以再度关闭。
类似于设在精密调准装置19的定心开口20a、20b、20c、20d，定心开口23a、23b、23c、23d具有大致圆形的剖面，内径大致恒定，从插座及/或转接器之底座组件24的上侧垂直向下部分或者完全穿过整个底座组件24。
从图5可知，当抓取器装置13a适当调准时，各自通过定心装置18a、18b、18c、18d、18b、18c、18d之圆锥形区域21a之中间的定心装置18a的中心垂直轴a与垂直通过转接器及/或插座12a之对应定心开口23a、23b、23c、23d的对应中心轴完全一致。
如同精密调准装置19之定心开口20a、20b、20c、20d的情形，每一定心开口23a、23b、23c、23d的内径大致符合设在每一定心装置18a、18b、18c、18d上(在对应圆锥形区域21b的顶端)之圆锥形区域21b之外径的最大尺寸，也就是每一定心装置18a、18b、18c、18d之对应圆柱形区域21a的外径。
如上所述，抓取器装置13a及/或载具头13a相对于机器13的其它组件通过“浮动”轴承而附着。
当抓取器装置13a在箭号U的方向在转接器及/或插座12a上方从图3所显示的设定垂直向下移动时，设在抓取器装置13a之底部的定心装置18a、18b、18c、18d插入精密调准装置19的每一定心开口23a、23b、23c、23d。
抓取器装置13a之上述“浮动”附着的结果(也就是其横向移动的能力)，尚未全然定心及/或调准的抓取器装置13a相对于转接器及/或插座12a被定心及/或调准，如图5的箭号X和Y所显示，例如横向移动某一程度，因而一旦定心装置18a、18b、18c、18d插入每一情形的定心开口23a、23b、23c、23d，定心装置18a、18b、18c、18d的中心轴全然符合插座及/或转接器12a之定心开口23a、23b、23c、23d的对应中心轴。
抓取器装置13a在箭号U的方向从图3所显示的设定在转接器及/或插座12a上方垂直向下移动，因而抓取器装置13a的大致平坦下侧13b从上往下压住盖25的上缘26，然后在图5所显示之箭号V的方向向下，因而打开插座及/或转接器12a。
借助以向下驱策抓取器装置13a(箭号U)，因而维持真空所保持的组件3a及/或组件壳体11a在抓取器装置13a的下侧13b碰触底座组件24的顶部；然后释放真空并且释放组件3a及/或组件壳体11a。
换句话说，组件3a及/或组件壳体11a轻轻置入转接器及/或插座12a，如同传统抓取器装置，不借助设在插座及/或转接器的对应截锥引导表面之助来调准，掉入转接器及/或插座。
因为组件3a及/或组件壳体11a已经通过上述处理(也就是通过精密调准装置19)相对于抓取器装置13a相当准确调准，所以此置放行动是可能的，通过将抓取器装置13a的定心装置18a、18b、18c、18d插入设在插座及/或转接器12a的定心开口23a、23b、23c、23d，抓取器装置13a另外也相对于插座及/或转接器12a以相当高的准确度调准。
接着，抓取器装置13a垂直向上缩回，再度释放转接器及/或插座12a的盖25，也就是通过上述弹簧组件向上驱策，造成设在每一组件3a(及/或组件壳体11a)的接点接触设在转接器及/或插座12a的对应接点，也就是转接器及/或插座12a被“锁定”。
以类似方式，抓取器装置13a(或者上述另一抓取器装置)可以将多个其它转接器及/或插座12b、12c、12d及/或组件壳体11b、11c、11d等等(类似于图5所显示的插座及/或转接器12a)加载对应组件3b、3c、3d等等(举例来说，以每小时大于100或者1,000个转接器及/或插座的速率)。
在每一情形，从图1可以看出，几个这些插座及/或转接器12a、12b、12c、12d(举例来说，超过50、100或者200个插座及/或转接器12a、12b、12c、12d)在测试站D连接到同一卡14及/或板14(及/或同一测试卡及/或测试板14)。
如图1所显示，借助适当机器，测试板14(以及装入插座及/或转接器12a、12b、12c、12d的半导体组件3a、3b、3c、3d及/或壳体11a、11b、11c、11d)装入可以关闭的“炉”(及/或装入装置15，借助此可以对于上述半导体组件3a、3b、3c、3d产生极端条件(举例来说，增高的温度，例如高于70℃、100℃、或者150℃，及/或增大的组件操作电压等等)。
以传统方式，在每一情形的测试卡14及/或测试板14通过对应线16连接到测试装置4。
这造成测试装置4所产生的测试信号通过例如上述线16中继到测试卡14，并且通过对应卡接点27b从该处中继到插座12a、12b、12c、12d和其插座接触针脚27a。
然后从插座12a、12b、12c、12d，对应测试信号经由上述插座接点和其封闭壳体接点中继到壳体11a、11b、11c、11d，从该处经由上述壳体接点和其封闭半导体组件接点中继到要测试的半导体组件3a、3b、3c、3d。
然后，响应于施加于对应半导体组件接点之测试信号而发出的信号由对应壳体接点(与其接获)所扫瞄，引导至插座12a、12b、12c、12d和卡14，经由线16引导至可以评估对应信号的测试装置4。
因此，含有测试装置4、卡14、插座12a、12b、12c、12d的测试系统1可以进行对应的传统测试工艺方法，例如传统“预烧”测试(或者连续几个类似测试)，其中举例来说，可以评估半导体组件3a、3b、3c、3d的功能(举例来说，在半导体组件于上述“炉”15或者装置15中经历上述极端条件相当长的期间(举例来说，超过30分钟及/或超过1小时)当中或者其后)。
附图标记
1    测试系统
2    晶片
3a   半导体组件
3b   半导体组件
3c   半导体组件
3d   半导体组件
4    测试装置
5    测试系统
6    测试装置
7    切片机
8    探针卡
9    接触针脚
10   加载机
11a  壳体
11b  壳体
11c  壳体
11d  壳体
12a  插座
12b  插座
12c  插座
12d  插座
13   加载机
13a  抓取器
13b  下侧
14   测试板
15   炉
16    线
17    托盘
18a   定心装置
18b   定心装置
18c   定心装置
18d   定心装置
19    精密调准装置
20a   定心孔
20b   定心孔
20c   定心孔
20d   定心孔
22    定心凹部
22a   引导截锥
22b   引导截锥
23a   定心孔
23b   定心孔
23c   定心孔
23d   定心孔
24    底座组件
25    盖
26    盖边缘
27a   插座连接针脚
27b   插座连接针脚

Claims (20)

1.一种将对应半导体组件(3a，11a)加载插座及/或转接器装置(12a)的机构，
其特征在于：
该机构具有一装置(18a)，尤指用于调准与插座及/或转接器装置(12a)有关的该机构的一机械装置。
2.如权利要求1所述的机构，其中，装置(18a)是设在该机构上的附属物(18a)，特别是设有一对应截锥区域的附属物(18a)。
3.如权利要求2所述的机构，其中，附属物(18a)具有圆锥形区域(21b)。
4.如权利要求2所述的机构，其中，装置(18a)是设在该机构的一凹部，特别是一钻孔。
5.如权利要求1至4中任一项所述的机构，其中，为了调准于插座及/或转接器装置(12a)有关的机构，在插座及/或转接器装置(12a)上乃提供一设施(23a)，尤指一与设在机构(13a)之调准装置(18a)相结合而工作的机械设施，尤指一对应凹部(23a)或一对应附属物。
6.如上述权利要求中任一项所述的机构，其中，设在该机构的装置(18a)也用来调准与一精密调准装置(19)有关的机构。
7.一种插座及/或转接器装置(12a)，尤指用于半导体组件(3a)的插座及/或转接器装置，
其特征在于：
所述插座及/或转接器装置(12a)包括一用以调准与所述插座及/或转接器装置(12a)有关的一机构的设施(23a)，其用来将对应半导体组件(3a，11a)加载插座及/或转接器装置(12a)。
8.如权利要求7所述的插座及/或转接器装置(12a)，其中，所述设施(23a)是设在插座及/或转接器装置(12a)的一凹部，特别是一钻孔。
9.如权利要求7所述的插座及/或转接器装置(12a)，其中所述设施(23a)是设在插座及/或转接器装置(12a)的一附属物，尤指适当截锥附属物，特别是圆锥形附属物。
10.如权利要求7至9中任一项所述的插座及/或转接器装置(12a)，其中，为了调准与所述插座及/或转接器装置(12a)有关的机构(13a)，机构(13a)设有一装置(18a)，特别是适当凹部或者附属物(18a)，其与设在插座及/或转接器装置(12a)的调准设施(23a)相结合而工作。
11.一种将对应半导体组件(3a，11a)加载插座及/或转接器装置(12a)的工艺方法，
其特征在于：
该工艺方法包括下列步骤：
借助设在机构的一调准装置(18a)而调准一与所述插座及/或转接器装置(12a)有关的机构，该机构用来加载所述插座及/或转接器装置(12a)。
12.如权利要求11所述的工艺方法，其中，所述装置(18a)是该机构的一附属物(18a)，尤指设有适当截锥的附属物(18a)，特别是包括一圆锥形区域(21b)的附属物(18a)。
13.如权利要求11所述的工艺方法，其中，所述装置(18a)是设在机构(13a)的一凹部，特别是一钻孔。
14.如权利要求12至14中任一项所述的工艺方法，其中，为了调准与插座及/或转接器装置(12a)有关的一机构(13a)，所述插座及/或转接器装置(12a)另外设有一设施(18a)，尤指一适当凹部或者一附属物，其与设在机构(13a)的一调准装置(23a)相结合而工作。
15.如权利要求12至14中任一项所述的工艺方法，其中，该工艺方法另外包括下列步骤：
沿插座及/或转接器装置(12a)的方向移动所述机构(13a)；以及
将设在机构(13a)的附属物(18a)插入设在插座及/或转接器装置(12a)的凹部(23a)，或者将设在插座及/或转接器装置(12a)的附属物插入设在机构(13a)的凹部。
16.如权利要求11至15中任一项所述的工艺方法，其中，该工艺方法另外包括下列步骤：
借助设在机构(13a)的调准装置(18a)而调准与一精密调准装置(19)有关的机构(13a)。
17.一种精密装置(19)，特别是用于如权利要求11至16中任一项所述的工艺方法中的精密调准装置，
其特征在于：
所述精密调准装置(19)包括一装置(20a)，特别是一用以调准与所述精密调准装置(19)有关的机构(13a)的一机械装置，其用以将对应半导体组件(3a，11a)加载插座及/或转接器装置(12a)。
18.如权利要求17所述的精密调准装置(19)，其中，设在所述精密调准装置(19)的所述装置(20a)是一凹部(20a)，尤指一钻孔。
19.如权利要求17所述的精密调准装置(19)，其中，设在所述精密调准装置(19)的所述装置(20a)是一附属物，尤指设有适当截锥的一附属物，特别是一圆锥形附属物。
20.如权利要求17至19中任一项所述的精密调准装置(19)，其中为了调准与所述精密调准装置(19)相关的一机构(13a)，所述机构(13a)另外设有一装置(18a)，尤指适当凹部或者附属物(18a)，其与设在所述精密调准装置的所述调准装置(20a)相结合而工作。
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