CN1670829A - 信息记录介质的记录再生法 - Google Patents

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Abstract

提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。

Description

信息记录介质的记录再生法
本申请是下述申请的分案申请：
发明名称：信息记录介质及其制造方法和记录再生法
申请日：2001年8月31日
申请号：01135703.7
技术领域
本发明是关于用光学或电学方式记录、消除、改写、再生信息的信息记录介质及其制造方法和其记录再生方法。
背景技术
采用激光束记录、消除、改写、再生信息的信息记录介质，有相变形信息记录介质，利用其记录层在晶相和非晶相之间发生可逆性相变的现象，向相变形信息记录介质上述录、消除、改写、再生信息。一般情况下，在记录信息时，由于激光束照射，记录层熔融后，急剧冷却，使被照射部分，变成了非晶相，从而记录了信息。消除信息时，照射使用比记录时功率低的激光束，使记录层升温后，缓慢冷却，被照射部分，变成了晶相，从而消除了以前的信息。因此，用相变形信息记录介质，通过调制照射在记录层上的激光束的功率的高低，可以一边消除被记录的信息，一边记录新的信息，或者改写信息(例如，参照角田义人等，[光盘存储的基础和应用]，电子信息通信学会编，1995年，第2章)。
近几年以来，已经研制出各种各样的实现信息记录介质大容量化的技术。例如，由于采用短波长的青紫光激光，使激光束入射侧的衬底厚度变薄，又由于使用孔径数NA大的透镜，使激光束的光点的直径更小，从而实现高密度记录。这样的技术已经被探讨；另外，使用配置有两个信息层的信息记录介质，利用从单侧入射激光束进行两个信息层的记录再生，这样的技术也已经被探讨，(参照特开平12-36130号公报)。这种技术由于使用了两个信息层，所以可使记录密度几乎扩大一倍。
从单侧记录再生两个信息层的信息记录介质(以下有时也称两层信息记录介质)，利用透过激光束入射侧的信息层(以下称第1信息层)的激光束，进行跟激光束入射侧相反的信息层(以下称第2信息层)的记录再生，因此，希望第1信息层的透射率高于40％。对第2信息层，有关记录特性，希望具有高的记录敏感度(即使用低功率的激光，也能形成记录符号)；有关再生特性，希望有高的反射率。
为了使第1信息层激光束的透射率高于40％，则必须使第1记录层的厚度薄到6nm左右，但是，记录层一变薄，在记录层晶相化时，被形成的晶核减少，另外原子可移动的距离变短，因此，即使用相同材料所形成的记录层，薄的记录层的结晶化速度有相对变低的倾向。所以记录层越薄，越难以形成晶相，消除率越下降。迄今为止，作为记录层的材料(相变化材料)采用了结晶化速度快，反复改写性能好，而且可靠性高的GeSbTe系列材料。用这些材料形成的计算机数字记录用光盘和图片记录光盘，已实现商品化。在GeSbTe系列材料中，GeTe-Sb2Te3系列上的拟二元系组成结晶化速度最快，发明者们用波长660nm的红色激光进行了记录再生实验，其结果在以9m/秒高线速记录中，有GeTE-Sb2Te3所形成的记录层即使薄到6nm，也可以得到30分贝这样良好的消除率。发现用这种技术，有可能实现使用红色激光的二层信息记录介质。另外，以前还对通过外加电流，使采用相变材料所形成的记录层，发生相变化的信息记录介质进行了探讨。这种信息记录介质，记录层被夹在两个电极之间。这种信息记录介质，把电流慢慢的流向非晶相状态的记录层时，在某1个阈电流下，记录层相变化为晶相，电阻急剧下降。通过向晶相状态的记录层外加脉冲幅度小的大电流脉冲，可使记录层熔融，急速冷却，返回到高电阻的非晶相。电阻不符时，通常可以简单地用电气手段，检测出来。通过使用这样的记录层可以得到，可能改写的信息记录介质。
发明内容
为了实现信息介质的大容量化，希望使用短波的兰紫色激光进行记录再生的二层信息记录介质能够达到实用化。通过使用短波长的激光束以及孔径大的物镜，可以使激光束的光点直径变小，从而实现更高密度的记录。为了使用短波长的激光束进行记录，则需要有一种即便对小的记录符号也能形成良好形状的信息记录介质。当使用兰紫色激光时，记录层被激光束照射时间相对变短，为形成小的记录符号，则必须用结晶化速度快的材料形成记录层；另外为了即便是小的记录符号，也能得到足够的信号振幅，则希望采用晶相和非晶相间光学特性变化大的材料形成记录层。
在发明者的实验中，当把使用红色激光的从前的二层激光信息记录介质，原样的作为兰紫色激光用的信息记录介质使用时，在第1和第2信息层所形成的记录符号变小，其结果不能得到足够的信号振幅。另外，有关第1信息层，为了确保足够的透射率，当使记录层的厚度为6nm左右时，消除率为不满15分贝的不充分的值。发明者在实验中弄清，为了得到大的信号振幅，在GeTe-Sb2Te3系列上的拟二元系组成中，需要加大GeTe所占的比例，但是GeTe所占的比例大，材料的熔点有变高的倾向，所以GeTe所占的比例越大，形成非晶相需要的激光功率(记录功率)就更大。现在可以得到的兰紫色激光的输出比红色激光的输出还小，因此，在使用透过第1信息层的激光束进行记录再生的第2信息层，在采用了GeTe组成比例大的材料情况下，记录功率不足，不能得到饱和的信号振荡。
由上可以明确，利用兰紫色激光的二层信息记录介质，确保其第1信息层的消除率和实现第2信息层的高记录敏感度是重要的研究课题。
在使用兰紫色激光的二层信息记录介质的实用化中，必须有透射率高、具有良好记录消除性能的第1信息层，和反射率、记录敏感度高的具有良好的记录消除性能的第2信息层。因此为了达到使用化，有必要对第1以及第2记录层的材料和第1及第2信息层的结构进行研究。
另外，作为由于外加电流而发生相变化的记录层材料，以Te为主要成分的正在实用化。但是，以前的材料，晶化所用的时间为微妙(μs)级。而记录消除性能好，并且配置二层记录层的电学相变化型的信息记录介质尚未实用化。
本发明，以提供具有二层记录层，而且记录消除性能良好的信息记录介质及其制造方法、记录再生方法为目的。
为达到上述目的，本发明信息记录介质，是配备有第1和第2信息层的信息记录介质。所述的第1信息层，包括有，由于激光照射或外加电流所产生的焦耳热而导致的晶相与非晶相之间发生可逆性相变的第1记录层，所述的第2信息层，包括有，由于所述激光照射或所述外加电流所产生的焦耳热而导致的晶相与非晶相之间发生可逆性相变的第2记录层，所述第1记录层，由第1材料构成，所述第2记录层，由第2材料构成。把所述第1材料和所述第2材料的不同点作为特征。利用本发明信息记录介质，可以用各自的信息层得到良好的记录再生特性。
本发明信息记录介质，所述第1材料包括Ge，Sb，Te，所述第2材料可以是从Ag，In，Ge，Sn，Se，Bi，Au，Mn中选择至少一种元素的M1和Sb，Te所构成的材料。用这种结构的材料，对于用激光束记录信息的记录介质(以下有时称光学信息记录介质)，可以得到配置有透射率及消除率高的第1信息层和反射率及记录敏感度高的第2信息层的信息记录介质。这种光学信息记录介质特别适用于使用兰紫色激光的高密度记录。另外，对于用电流记录信息的记录介质(以下有时称电学信息记录介质)，能使第1记录层、第2记录层或者两者选择性地在晶相和非晶相之间很容易发生相变化。
本发明信息记录介质，所述第1材料可用下式表示。
               GeaSbbTe3+a(0＜a≤10，1.5≤b≤4)
用这种组成的材料，即使第1记录层极薄，也能得到良好的记录再生特性。
本发明信息记录介质中，所述第1材料可用下式表示，
               (Ge-M2)aSbbTe3+a
(M2，是从Sn，Pb中选择至少一种的元素，0＜a≤10，1.5≤b≤4)
利用这种组成的材料，置换了Ge-Sb-Te3元系组成中的Ge的Sn或者Pb能提高结晶化性能，即使即使第1记录层极薄，也能得到良好的消除率。
本发明信息记录介质中，所述第1材料可用下式表示，
               (GeaSbbTe3+a)100-cM3c
(M3是从Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Se，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Pd，Ag，In，Sn，Ta，W，Os，Ir，Pt，Au，Bi中选出的至少1个元素，0＜a≤10，1.5≤b≤4，0＜c≤20)。
利用这种组成的材料，在Ge-Sb-Te3元系组成中添加的元素M3能够提高记录层的熔点及结晶化温度，提高了记录层的热稳定性。
本发明信息记录介质中，所述第2材料可用下列组成式表示。
         (SbxTe100-x)100-yM1y(50≤x≤95，0＜y≤20)
利用这种组成的材料，由于第2记录层的熔点低而且晶相与非晶相的折射率差大，因此可以得到记录敏感度高，而且晶相与非晶相的折射率差大的第2信息层。
本发明信息记录介质，所述第1及第2记录层，是由所述激光束照射而导致可逆性相变的层，所述第1信息层比所述第2信息层被配置在所述激光束入射侧，所述第2材料的熔点可以比所述第1材料的熔点低。采用这种结构，可以得到记录敏感度高的第2信息层。
本发明信息记录介质中，所述第1和第2记录层是由于所述激光束照射而导致可逆性相变的层，所述第1信息层可以比所述第2信息层被配置在所述激光束入射侧。用这种结构可以得到光学信息记录介质。
上述光学信息记录介质中，所述第1记录层的厚度可小于9nm。利用这种结构，可以提高第1信息层的透射率，使第2信息层进行记录再生所需要的激光量很容易到达第2信息层。
上述光学信息记录介质中，所述第2记录层的厚度可为6nm～15nm。利用这种结构，可特别提高第2记录层的记录敏感度。通过使厚度大于6nm，可使记录层的光吸收量增大。又通过使厚度小于15nm，在形成记录符号时，能使熔融部分的体积变小，从而可防止记录敏感度的下降。
上述光学信息记录介质中，当所述第1记录层为晶相时的所述第1信息层的透射率Tc(％)，和所述第1记录层为非晶相时的所述第1信息层的透射率Ta(％)，对于波长为390nm以上430nm以下的所述激光束而言，能满足
40≤(Tc+Ta)/2的关系即可。用这种结构，关于第2信息层可以得到特别良好的记录消除特性。
上述的光学信息记录介质中，还具有在所述第1信息层和所述第2信息层之间配置的光学分离层，所述第1信息层又包括了第1衬底、第1下侧保护层、第1上侧保护层和第1反射层，所述第2信息层还包括第2下侧保护层、第2上侧保护层、第2反射层和第2衬底，所述第1衬底、所述第1下侧保护层、所述第1记录层、所述第1上侧保护层、所述第1反射层、所述光学分离层、所述第2下侧保护层、所述第2记录层、所述第2上侧保护层、所述第2反射层以及所述第2衬底，可从所述激光束入射侧开始依次配置。利用这种结构，对于第1和第2信息层，各自的反射率、记录敏感度、消除敏感度及透射率(特别是第1信息层)，能按记录、消除、再生的条件最佳化。而且，通过光学分离层，能从光学角度分离第1信息层和第2信息层。
上述光学信息记录介质中，还可以包括在所述第1衬底和所述第1下侧保护层之间配置的透明层。
上述光学信息记录介质，还可以包括配置在从所述第1下侧保护层与所述第1记录层之间和所述第1上侧保护层与所述第1记录层之间的两个界面中所选出的至少1个界面上的界面层。而且，上述光学信息记录介质，还可以包括配置在从所述第2下侧保护层与所述第2记录层之间和所述第2上侧保护层与所述第2记录层之间的两个界面中所选出的至少1个界面上的界面层。而且，上述光学信息记录介质，还可以包括配置在从所述第1上侧保护层与所述第1反射层之间和所述第2上侧保护层与所述第2反射层之间的两个界面中所选出的至少1个界面上的界面层。利用具有界面层的这些结构，可以防止相邻层之间的原子扩散，能够得到性能及可靠性特别高的信息记录介质。
上述光学信息记录介质，还可以在所述的第1反射层和所述光学分离层之间，配置为调整所述第1信息层的透射率的透射率调整层。利用这种结构，能够大大提高第1信息层的透射率。
上述光学信息记录介质，还可以具有配置在所述的第1反射层和所述透射率调整层之间的界面层。利用这种结构，可以防止第1反射层和透射率调整层之间的原子扩散，可以得到可靠性特别高的信息记录介质。
上述光学信息记录介质中，所述第1衬底的厚度可在10μm～800μm的范围内。利用这种结构，通过变化物镜的孔径数(NA)，可以按第1衬底的槽的形状及记录、消除、再生条件，使记录符号的长度、宽度、间隔最佳化。例如，第1衬底的厚度为100μm时，当NA＝0.85，可以得到良好的记录、消除性能。而且，第1衬底的厚度为600μm时，当NA＝0.6，可以得到良好的记录、消除性能。
上述光学信息记录介质中，所述第2衬底的厚度，可在400μm～1300μm的范围内。利用这种结构，通过变化物镜的孔径数(NA)，按第2衬底的槽的形状及记录、消除、再生条件，能使记录符号的长度、宽度、间隔最佳化。理想的是，选择信息记录介质的厚度约为1200μm的第1和第2衬底的厚度，即如当第1衬底的厚度约为100μm时第2衬底的厚度就选为1100μm，第1衬底的厚度约为600μm时第2衬底的厚度也选为600μm。
本发明信息记录介质中，还包括有第1和第2电极，所述第1及第2记录层是因外加前述电流而导致可逆性相变换层，在所述第1电极上，可以依次将所述第1记录层、所述第2记录层及所述第2电极层叠起来。利用这种结构可以得到电学性信息记录介质。
上述电学性信息记录介质中，还可以具有在所述第1和第2记录层之间配置的中间电极。利用这种结构可防止第1记录层和第2记录层之间的原子扩散，所以能够提高重复特性和可靠性。而且，利用这种结构可以只在第1记录层或第2记录层的任意一层外加电流。
本发明的制造方法，是具有第1和第2信息层的信息记录介质的制造方法，其特征在于：包括
(a)形成所述第1信息层的工序，
(b)形成所述第2信息层的工序，
所述第1信息层，包括因激光束照射或外加电流所产生的焦耳热而在晶相和非晶相之间发生可逆性相变的第1记录层，
所述第2信息层，包括因所述激光束照射或外加所述电流所产生的焦耳热而发生晶相和非晶相之间可逆性相变的第2记录层，
所述(a)工序包括使用含Ge，Sb，Te的原材料形成所述第1记录层的工序，
所述(b)工序包括使用含Ag，In，Ge，Sn，Se，Bi，Au，Mn中选出的至少一种元素M1和Sb，Te的原材料形成所述第2记录层的工序。利用这种方法，很容易制造出本发明信息记录介质。
本发明的制造方法中，所述第1、第2记录层可以利用含氩气或氪气的喷射气体的喷镀法形成。这种喷射气体还可以含有从氮气或氧气中选出的至少一种气体。利用这种结构可以形成重复记录性能好的信息层。
本发明制造方法中，所述第1记录层的厚度小于9nm，在所述(a)工序中可以0.1nm/秒～3nm/秒范围内的成膜速率形成所述第1记录层。利用这种结构，可高效率地制造出具有厚度偏差小的第1记录层的光学信息记录介质。
本发明制造方法中，所述第2记录层的厚度在6nm～15nm范围内，在所述(b)工序中，可以0.3nm/秒～10nm/秒范围内的成膜速率形成所述第2记录层。利用这种结构，可高效率地制造出具有记录敏感度高的第2记录层的光学信息记录介质。
本发明制造方法中，在所述(a)工序之前进行所述(b)工序，在(b)之后，(a)工序之前还包括
(c)在前述第2信息层上形成光学分离层的工序，
所述(a)工序中，在所述光学分离层上，可以形成所述第1信息层。
而且，为记录再生信息记录介质的本发明的第1方法，有如下特征：所述信息记录介质是上述本发明信息记录介质，对所述信息记录介质的第1信息层是利用从所述第1信息层侧入射的激光束进行信息的记录再生，对所述信息记录介质的第2信息层，是利用从所述第1信息层透过的所述激光束进行信息的记录再生，所述激光束的波长大于390nm小于430nm。利用这种第1记录再生方法，对光学信息记录介质的第1及第2信息层，可进行高密度地可靠性好地记录再生。
本发明的第1记录再生方法中，记录再生信息时的所述信息记录介质的线速高于3m/秒低于30m/秒。
本发明的第1记录再生方法中，所述激光束是由物镜聚焦了的激光束，所述物镜的孔径数NA可以大于0.5小于1.1。利用这种结构，按第1和第2衬底的厚度、槽的形状以及记录、再生的条件，可使记录符号的长、宽、间隔最佳化。
为记录再生信息记录介质的本发明的第2方法，有如下特征：所述信息记录介质是上述本发明信息记录介质，所述信息记录介质的所述第1、第2记录层是由外加电流而产生的焦耳热而导致在晶相与非晶相间产生可逆性相变的层，把所述第1或第2记录层从非晶相变为晶相时外加在所述第1或第2记录层上的电流脉冲的振幅Ic及脉冲幅度tc，把所述第1记录层从晶相变成非晶相时外加在所述第1记录层上的电流脉冲的振幅Ia1及脉冲幅度ta1，把所述第2记录层从晶相变成非晶相时外加在所述第2记录层上的电流脉冲的振幅Ia2及脉冲幅度ta2，它们之间满足Ic＜Ia2＜Ia1以及ta1≤tc或ta2≤tc的关系。利用这个第2记录再生方法，在电学信息记录介质中，能使第1记录层，第2记录层或者其双方选择性地发生晶相或非晶相的相变化。另外，本发明的电学信息记录介质，能产生因相变化而导致的电阻的变化，所以可以作为可变的可编程电路的构成组件来使用。
附图说明
图1示出有关本发明信息记录介质的1个例子的部分截面图。
图2示出有关本发明信息记录介质的另1个例子的部分截面图。
图3示出有关本发明信息记录介质的其它例子的部分截面图。
图4示出有关用于本发明记录再生方法的记录再生装置的部分结构模式图。
图5示出有关本发明信息记录介质的其它例子及其记录再生装置的例子的结构模式图。
图6示出有关本发明信息记录介质的其它例子的部分结构模式图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式予以说明。下面的实施方式是1个例子，必须指出，本发明不只限于下面的实施方式。另外，在以下的实施方式中，相同部分标有相同符号有时省略重复说明。
实施方式1
在实施方式1中，是说明本发明信息记录介质的1个例子。关于实施方式1的信息记录介质22，在图1示出了一部分截面图。在信息记录介质22中，由激光束23的照射而进行记录再生。
参照图1，信息记录介质22，具有光学分离层21、夹着光学分离层21配置的第1信息层11和第2信息层20。第1信息层11比第2信息层20被配置在激光束23的入射侧。
第1信息层11，从激光束23入射侧开始，依次配置有第1衬底1、第1下侧保护层2、第1下侧界面层3、第1记录层4、第1上侧界面层5、第1上侧保护层6、第1界面层7、第1反射层8、第1最上界面层9及透射率调整层10。
第2信息层20，从激光束23入射侧开始，依次配置有第2下侧保护层12、第2下侧界面层13、第2记录层14、第2上侧界面层15、第2上侧保护层16、第2界面层17、第2反射层18、第2衬底19。另外，在界面层及保护层的名称中，下侧是意味比记录层还靠近激光束23的入射侧，上侧是意味相对记录层而言是激光束23入射侧的相反侧。
激光束23，是从第1衬底1侧入射，第2信息层20，是由透过第1信息层11及光学分离层21的激光束23进行记录再生的。
第1衬底1和第2衬底19，是透明的圆盘状衬底。第1衬底1和第2衬底19，例如，可用聚碳酸酯、非结晶聚烯烃、PMMA的树脂或玻璃形成。另外，第1衬底1也可以在第1下侧保护层2上涂上树脂之后，使其树脂硬化而形成。
在第1衬底1和第2衬底19内侧(光学分离层21侧)的表面上，根据需要，也可以形成为了引导激光束的引导槽。理想的是，这些衬底的外侧表面光滑。理想的是，在短波长区域，这些衬底光学复折射小。作为这些衬底材料要具有好的复制性和批量生产性，且成本低，因此聚碳酸酯特别适合。第1衬底1的厚度是在例如10μm～800μm(最好是50μm～150μm或550μm～650μm)的范围内。第2衬底1 9的厚度是在例如400μm～1300μm(最好是550μm～650μm或1050μm～1150μm)的范围内。
对在第1衬底1和第2衬底19的双方，形成了为了引导激光束的引导槽的信息记录介质，图2示出1例。图2的信息记录介质22a中，第1信息层11a包括第1衬底1a，第2信息层20a包括第2衬底19a。在第1衬底1a和第2衬底19a上，形成了槽(凹槽)1b。信息记录介质22a中，可以将信息记录在激光束23的入射侧槽面即槽1b的部分上，也可以记录在槽1b之间的部分(离激光束23入射侧远的槽面。下面有时称凸缘1c)。并且，也可以将信息同时记录在槽1b和凸缘1c的双方。
第1下侧保护层2、第1上侧保护层6、第2下侧保护层12、第2上侧保护层16，都由电介质形成。这些保护层，具有调节光学距离，提高记录层的光吸收率和增大记录前后的反射光量变化而使信号振幅变大的作用。这些保护层可以采用，例如SiOx(x为0.5～2.5)，Al2O3，TiO2，Ta2O5，ZrO2，ZnO或Te-O等氧化物。另外还可以采用Si-N，Al-N，Ti-N，Ta-N，Zr-N或Ge-N等氮化物。而且，也可以采用ZnS等硫化物或SiC等碳化物。而且可以采用上述材料的混合物。其中ZnS和SiO2的混和物ZnS-SiO2，作为保护层材料是最合适的。ZnS-SiO2是非晶质材料，折射率高，成膜速率快，机械特性和耐湿性良好。
第1下侧保护层2、第1上侧保护层6的厚度必须严格确定，以使得第1记录层4为晶相和非晶相时的反射光量变化大、而且第1信息层11的透射率变大、并且使第1记录层4的光吸收率变大。具体讲，它们的厚度例如可用基于矩阵算法的计算来决定。
第2下侧保护层12、第2上侧保护层16的厚度，同样必须严格确定，以使得第2记录层14为晶相和非晶相时的反射光量变化大、并且使第2记录层14的光吸收率变大。第1下侧保护层2、第1上侧保护层6、第2下侧保护层12、第2上侧保护层16，可以分别用不同的材料、组成来形成，也可以用相同的材料、组成来形成。
透射率调整层10，具有调整第1信息层11的透射率的功能。通过透射率调整层10可同时提高第1记录层4为晶相时的第1信息层11的透射率Tc(％)和第1记录层4为非晶相时的第1信息层11的透射率Ta(％)。具体而言，配置有透射率调整层10的信息记录介质22与没有透射率调整层10的相比，第1信息层11的透射率可上升2％～6％。透射率调整层10可以由关于保护层说明了的材料形成。信息记录介质22中，最好是40≤(Tc+Ta)/2(更理想的是45≤(Tc+Ta)/2)(实施方式2的信息记录介质26也如此)。
第1下侧界面层3、第1上侧界面层5、第2下侧界面层13及第2上侧界面层15，分别在第1下侧保护层2和第1记录层4之间、第1上侧保护层6和第1记录层4之间、第2下侧保护层12和第2记录层14之间以及第2上侧保护层16和第2记录层14之间防止物质移动。这些界面层特别防止了由于反复记录所产生的物质移动。这些界面层可由例如Si-N，Al-N，Ti-N，Ta-N，Zr-N，Ge-N等氮化物、含有这些的氮化氧化物或SiC等碳化物形成。其中Ge-N为最好。Ge-N最容易用反应性喷镀法形成，而且机械性能及耐湿性好。如果界面层厚，则信息层的反射率和吸收率变化大，进而影响记录、消除性能。因此，希望界面层的厚度在1nm～10nm范围内，最好在2nm～5nm范围内。
第1界面层7、第1最上界面层9以及第2界面层17，分别在第1上侧保护层6和第1反射层8之间、透射率调整层10和第1反射层8之间，以及第2上侧保护层16和第2反射层18之间防止物质移动。这些界面层特别能防止在高温、高湿环境下由于记录所产生的物质移动。这些界面层可由关于第1下侧界面层3、第1上侧界面层5、第2下侧界面层13及第2上侧界面层15所说明的材料形成。这些界面层的厚度希望在1nm～10nm范围内，最好在2nm～5nm范围内。
第1记录层4，由因激光束照射在晶相及非晶相之间发生可逆性相变的材料形成。第1记录层4例如可用含有例如Ge，Sb，Te的材料形成。具体讲，第1记录层4可用组成式GeaSbbTe3+a所表示的材料形成。这种材料在a＝0时，晶相非常稳定，非晶相的稳定性差。另一方面，在10＜a时，信号振幅虽然变大，但是在熔点上升的同时，晶化速度下降。因此，最好a能满足0＜a≤10的关系，若满足1≤a≤9则最理想。而且，该材料在b＜1.5时，晶相非常稳定，非晶相稳定性差。另一方面，4＜b时信号振幅虽然变大，但晶化速度下降。为此，希望b能满足1.5≤b≤4的关系，能满足1.5≤b≤3的关系更好。
而且，第1记录层4可以用以组成式(Ge-M2)aSbbTe3+a(M2是从Sn、Pb中选择出的至少一种元素)表示的材料来形成。这个组成式意味着Ge和元素M2合计只包含100a/(3+2a+b)原子％。这种材料的组成，就是用元素M2，置换由组成式GeaSbbTe3+a所表示的材料的Ge部分的组成。使用这种材料时，置换Ge的元素M2，能够提高结晶化能，所以，即便第1记录层4极薄时也能得到足够的消除率。作为元素M2，从无毒的角度考虑，Sn更理想。使用这种材料时，也希望0＜a≤10(最好是1≤a≤9)，并且希望1.5≤b≤4(最好1.5≤b≤3)。
第1记录层4还可用以组成式(GeaSbbTe3+a)100-cM3c表示的材料形成(其中M3是从Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Se，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Pd，Ag，In，Sn，Ta，W，Os，Ir，Pt，Au，Bi中选出的至少1个元素)。这种材料组成是在用组成式GeaSbbTe3+a表示的材料中，添加元素M3的组成。此时，由于添加了元素M3，使得记录层的熔点及结晶化温度增高，从而能提高记录层的热稳定性，其结果是增进第1信息层11的记录再生性能。这种材料在20＜C时结晶化速度不充分，因此最好0＜C≤20，更理想的是2≤C≤10。同样0＜a≤10(最好1≤a≤9)，并且最好1.5≤b≤4(更理想的是1.5≤b≤3)。
第2记录层14，是由用激光束照射，在晶相和非晶相之间发生可逆性相变的材料组成。第2记录层14由与第1记录层4的不同材料形成。理想的是，第2记录层14由比第1记录层4材料的熔点低的材料组成。
第2记录层14可由从Ag，In，Ge，Sn，Se，Bi，Au，Mn中选择的至少一种元素M1和Sb，Te所组成的材料形成。具体讲，可用由组成式(SbxTe100-x)100-yM1y表示的材料形成。该材料是通过在Sb70Te30共结晶附近的Sb-Te的合金中添加元素M1得到的。x，y分别满足50≤x≤95，0＜y≤20时，这种材料的熔点低且折射率高。因此，通过采用这种范围组成的材料形成第2记录层14，可得到记敏感度高且反射率也高的第2信息层20。
当65≤x时，结晶化速度特别快，能得到特别好的消除率。而且，当x≤85时，因能控制多相的出现，所以可以抑制因反复记录造成的特性劣化现象。因此65≤x≤85时为最理想。为得到良好的记录再生性能，最好添加能够调节结晶速度的元素M1。其中y最好为1≤y≤10。当y≤10时，因能控制多相的出现，从而可抑制因反复进行记录所造成的特性劣化。
关于(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11，(Sb0.7Te0.3)95Ge5，(Sb0.7Te0.3)90Ag5In5的折射率、衰减系数及熔点的调查结果列于表1。折射率、衰减系数是通过利用分光器测定在石英衬底上形成由上述材料组成的厚度为10nm的层的样品而得到的。熔点是用微分扫描热量测定法(differentialscanning calorimeter DSC法)来测定的。
[表1]
表1中，nc表示样品层为晶相时的折射率。na表示样品层为非晶相时的折射率。Δn由Δn＝nc-na表示，示出当层为晶相和非晶相时的折射率的变化。kc表示样品层为晶相时的衰减系数。ka表示样品层为非晶相时的衰减系数。ΔK由ΔK＝kc-ka表示，示出当层为晶相和非晶相时的衰减系数的变化。
如表1所示，无论样品层是晶相还是非晶相，(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11衰减系数，比(Sb0.7Te0.3)95Ge5及(Sb0.7Te0.3)90Ag5In5衰减系数都小约0.3。另外，在Sb70Te30共晶组成附近的Sb-Te合金中添加了元素M1的组成(Sb0.7Te0.3)95Ge5及(Sb0.7Te0.3)90Ag5In5与用Sn置换了Ge-Sb-Te三元系组成中的Ge而得到的(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11相比，熔点约低50℃，而且折射率的变化Δn的绝对值也大。
从上面的结果看出，第1记录层4的材料，最好使用能够因为衰减系数小而增大透射率的Ge-Sb-Te三元系组成，或把它作为衬底的组成。第2记录层14的材料，最好用因熔点低而能提高记录敏感度，并且因折射率变化Δn大，而增大反射率变化的(Sb-Te)-M1系组成的材料。第1记录层4/第2记录层14的具体的组合可列举如下：Ge6Sb2Te9/(Sb0.7Te0.3)95Ge5，Ge8Sb2Te11/(Sb0.7Te0.3)95Ge5，Ge8Sb2Te11/(Sb0.7Te0.3)90Ag5In5等。
为了提高第1信息层11的透射率，使进行第2信息层20的记录再生时所必须的激光量能够到达第2信息层20，第1记录层4的厚度最好低于9nm，如果为5nm～7nm范围，则更为理想。
为了提高第2信息层20的记录敏感度，第2记录层14的厚度最好在6nm～15nm之间。考虑到当第2记录层14的厚度厚时的由于热向着面内方向的扩散而导致的向相邻区域的热影响和当第2记录层14的厚度薄时的第2信息层20的反射率的下降，第2记录层14的厚度最好在8nm～12nm之间。
第1反射层8和第2反射层18，具有能使被第1记录层4或第2记录层14所吸收的光量增大的光学功能。另外，这些反射层还具有能使第1记录层4或第2记录层14所生成的热迅速扩散，具有使记录层容易非晶化的热功能。同时这些反射层还具有从使用环境保护多层膜的功能。
第1反射层8和第2反射层18的材料，可用例如Al，Au，Ag，Cu的热传导率高的单体金属。另外，为了提高耐湿性或调整热传导率，还可以使用把这些金属元素的一种或多种作为主要成分，添加一种或多种其他元素的合金。具体讲，可用Al-Cr，Al-Ti，Au-Pd，Au-Cr，Ag-Pd，Ag-Pd-Cu，Ag-Pd-Ti，Ag-Ru-Au或Cu-Si的合金。这些合金都是具有强的耐腐蚀性，而且可满足急剧冷却条件的优秀材料。特别是Ag合金，热传导率高，光透射率也高，作为第1反射层8的材料最理想。
为了使第1信息层11的透射率Tc及Ta尽量高，第1反射层8的厚度最好在5nm～15nm之间，如果为8nm～12nm，则更理想。如果第1反射层8的厚度比5nm还薄时，则其热扩散功能不足，而且第1信息层11的反射率也下降。如果第1反射层8的厚度比15nm还厚时，则第1信息层11的透射率不足。然而第2信息层20，不需要高的透射率。为此，第2反射层18的厚度最好为30nm～150nm之间，如果在70nm～90nm范围内就更理想。当第2反射层18的厚度比30nm还薄时，其热扩散功能不足，第2记录层14难以非晶化。当第2反射层18的厚度比150nm还厚时，其热扩散功能过高，第2信息层20的记录敏感度下降。
光学分离层21，是为了区别第1信息层11的聚焦位置和第2信息层20的聚焦位置而设置的。光学分离层21的材料可以使用光硬化性树脂或迟效性树脂，最好使用对于记录再生中的激光束23的波长而言，光吸收小的材料。光学分离层21的厚度必须大于根据物镜的孔径NA和激光束波23的波长λ所决定的焦点深度ΔZ。把焦点的强度标准设定为无象差时的80％时，ΔZ可近似为ΔZ＝λ/{2(NA)2}。当λ＝400nm，NA＝0.6时，ΔZ＝0.556μm，±0.6μm以内为焦点深度内。为此，这时的光学分离层2 1的厚度必须大于1.2μm。第1信息层11和第2信息层20之间的距离，必须在利用物镜使激光束23可能聚光的范围内。因此，光学分离层21的厚度和第1衬底1的厚度的合计厚度，设在物镜能允许的衬底厚度的公差内为好。为此，光学分离层21的厚度最好在1μm～50μm范围内。
实施方式1的信息记录介质22，可用在实施方式3说明的方法来制造。
实施方式2
实施方式2，说明有关本发明信息记录介质的另1个例子。实施方式2的信息记录介质26的一部分截面图示于图3。信息记录介质26，是通过激光束23的照射而进行记录再生的。
参照图3，信息记录介质26具有光学分离层21、将光学分离层21夹起来的第1信息层25和第2信息层20。
第1信息层25，从激光束23的入射侧依次配置有第1衬底1、透明层24、第1下侧保护层2、第1下侧界面层3、第1记录层4、第1上侧界面层5、第1上侧保护层6、第1界面层7、第1反射层8、第1最上界面层9及透射率调整层10。
第2信息层20，从激光束23的入射侧依次配置有第2下侧保护层12、第2下侧界面层13、第2记录层14、第2上侧界面层15、第2上侧保护层16、第2界面层17、第2反射层18、及第2衬底19。
像下面的实施方式4所说明的那样，在制作信息记录介质26时，首先在第2衬底19上依次层叠，第2反射层18～第2下侧保护层12、光学分离层21、透射率调整层10～第1下侧保护层2。然后，用透明层24把第1下侧保护层2和第1衬底1贴合起来。另外，也可以不形成透明层24，而是通过涂敷树脂，并使之硬化而形成第1衬底1。
光学分离层21及透明层24的材料，可用光硬化性树脂或者迟效性树脂形成。这种材料最好是对用于记录再生的激光束23的波长的光吸收小的材料。根据实施方式1说明的理由，光学分离层21及透明层24的厚度最好在1μm～50μm之间。
在光学分离层21的表面内，第1信息层25侧的表面上，也可以形成为导入激光束23用的引导槽。与实施方式1的信息记录介质22一样，激光束23也是从第1衬底1侧入射的。而且第2信息层20，是利用透过第1信息层25及光学分离层21的激光束，进行记录再生的。
第1衬底1、第1下侧保护层2、第1下侧界面层3、第1记录层4、第1上侧界面层5、第1上侧保护层6、第1界面层7、第1反射层8、第1最上界面层9及透射率调整层10、第2下侧保护层12、第2下侧界面层13、第2记录层14、第2上侧界面层15、第2上侧保护层16、第2界面层17、第2反射层18、及第2衬底19可用实施方式1已经说明了的相同材料制作。它们的形状及功能，也与实施方式1已经说明了的相同。
实施方式3
实施方式3，是对制作本发明信息记录介质22的方法予以说明。实施方式3的制造方法，包括形成第1信息层11的工序(工序(a))。具体讲，首先准备1个带有为导入激光束23的引导槽的第1衬底1(厚度如为0.1mm)，再将第1衬底1放置到成膜装置内，在其上成膜，生成下侧保护层2。这时，当在第1衬底1上形成引导槽时，在引导槽侧形成第1下侧保护层2，第1下侧保护层2，可以在Ar气和反应气混合的气氛下，通过喷镀构成第1下侧保护层2的金属所组成的母材形成。第1下侧保护层2，还可以在Ar气氛下或者Ar气与反应气混合气氛下，通过喷镀由化合物构成的母材来形成。
接着，在第1下侧保护层2上成膜生成第1下测界面层3，第1下测界面层3，可在Ar气与反应气混合气氛下，利用喷镀作为构成第1下测界面层3的金属组成的母材来形成。另外，第1下测界面层3，也可在Ar气氛下或者Ar气与反应气混合气氛下，通过喷镀由化合物构成的母材来形成。
接着，在第1下测界面层3上，成膜生成第1记录层4。第1记录层4，依其组成，使用同一电源选择喷镀Ge-Sb-Te、Ge-Sb-Te-M2或者Ge-Sb-Te-M3合金构成的母材来形成。即，第1记录层4是由包括Ge、Sb、Te的母材形成。
喷镀可以使用的气体有，Ar气、Ke气、Ar和反应气(从氧和氮中至少选择一种)、或Ke和反应气的混合气。另外第1记录层4，可以使用多个电源，同时喷镀Ge、Sb、Te、M2或M3的各种母材来形成。第1记录层4，还可以使用多个电源，同时喷镀Ge、Sb、Te、M2或M3中任意组合的二元系和三元系母材来形成。在这种情况下，喷镀也可以在Ar气、Ke气、Ar和反应气、或Ke和反应气的混合气气氛下进行。
第1记录层4成膜速率最好在0.1nm/秒～3nm/秒，如实施方式1中所说明的那样，第1记录层4的厚度，最好小于9nm(最理想为7nm以下)。成膜速率可由电源的功率控制，当成膜速率过低时，成膜时间变长，成膜气氛使用的气体将高于所允许的量混入到记录层中。当成膜速率高时，虽然能使成膜时间变短，但很难正确控制记录层的厚度，因此第1记录层4的成膜速率，最好在1nm/秒～3nm/秒。
接着，在第1记录层4上，形成第1上侧界面层5。第1上侧界面层5可用与第1记录层3相同的方法形成(以下的界面层也是一样)。形成这些界面层所用母材的组成，可以根据界面层的组成、喷镀用气体的组成来选择(形成其他层的工序也是一样)。也就是说，有时可用组成相同的母材，有时也可用组成不相同的母材形成这些界面层(形成其他层的工序也是一样)。
接着，在第1上侧界面层5上，形成第1上侧保护层6。第1上侧保护层6，可用与第1下侧保护层2相同的方法形成(以下的保护层也一样)。
接着，在第1上侧保护层6上，依次形成第1界面层7和第1反射层8。第1反射层8可在Ar气氛中，喷镀由构成第1反射层8的金属或合金组成的母材来形成。
在第1反射层8上，依次形成第1最上界面层9和透射率调整层10。透射率调整层10可用与第1下侧保护层2相同的方法形成。
这样就形成了第1信息层11。根据需要，在形成透射率调整层10之后，也可以进行使第1记录层4全面结晶化的早期化工序。第1记录层4的结晶化的早期化工序，是通过激光束照射进行的。
在进行工序(a)的前后或同时，形成第2信息层20(工序(b))。具体讲，首先准备第2衬底19(厚度例如为1.1mm)，再将第2衬底19放置到成膜装置中，在第2衬底19上形成第2反射层18。当第2衬底19带有引导槽时，则在引导槽侧形成第2反射层18。第2反射层18可以在Ar气氛中，喷镀构成第2反射层18的金属或合金所组成的母材形成。
接着，在第2反射层18上，依次形成第2界面层17、第2上侧保护层16、第2上侧界面层15。
接着，在第2上侧界面层15上，形成第2记录层14。第2记录层14可用1个电源，喷镀Sb-Te-M1合金所组成的母材形成，即，第2记录层14是用包含Sb、Te、M1的母材形成。喷镀所用的气体，可以用Ar，Ke，Ar和反应气(从氧和氮中至少选出一种)的混合气或Ke和反应气的混合气。另外，第2记录层14，还可以使用多个电源，同时喷镀Sb、Te、M1的各种母材来形成。第2记录层14，也可以使用多个电源，同时喷镀Sb、Te、M1中任意组合的二元系母材来形成。在这种情况下，喷镀也可以在Ar气、Ke气、Ar和反应气、或Ke和反应气的混合气气氛下进行。
第2记录层14的成膜速率，最好在0.3nm/秒～10nm/秒范围内，如实施方式1中所说明的那样，第2记录层14的厚度，最好在6nm～15nm范围内。成膜速率可由电源的功率控制，当成膜速率过低时，成膜时间变长，成膜气氛使用的气体将高于所允许的量混入到记录层中。当成膜速率高时，虽然能使成膜时间变短，但很难正确控制记录层的厚度，因此第2记录层14的成膜速率，最好在0.3nm/秒～10nm/秒范围内。
接着，在第2记录层14上，依次形成第2下侧界面层13和第2下侧保护层12。
这样就形成了第2信息层20。在形成第2下侧保护层12之后，根据需要，也可以进行使第2记录层14全面结晶化的早期化工序。第2记录层14的结晶化的早期化工序，是通过激光束照射进行的。
最后，通过光学分离层21，将第1信息层11和第2信息层20粘合起来，具体讲，是在透射率调整层10，或在第2下侧保护层12上，把光学分离层的材料—紫外线硬化树脂转涂在透射率调整层10，或第2下侧保护层12上，之后再把第1信息层11和第2信息层20粘合起来。然后从第1信息层11侧照射紫外线，使光学分离层21硬化。这样就形成了信息记录介质22。采用迟效性树脂作为光学分离层21的材料时，则不需紫外线照射。
实施方式4
实施方式4是说明有关信息记录介质26的制造方法。
实施方式4的制造方法，首先形成第2信息层20(工序(b))，具体讲，就是首先准备第2衬底(厚度例如为1，1mm)，把它放置到成膜装置中。
接着，在第2衬底19上，形成第2反射层18。如果第2衬底19上带有引导槽，则在引导槽侧形成第2反射层18。而后在第2反射层19上，依次形成第2界面层17、第2上侧保护层16、第2上侧界面层15、第2记录层14、第2下侧界面层13及第2下侧保护层12。这些层都可以用实施方式3所说明的方法形成。
这样也就形成了第2信息层20。在形成第2下侧保护层12之后，根据需要，可进行第2记录层14的全晶化的初期化工序。
接着，在第2信息层20下侧保护层12上，形成光学分离层21(工序(c))。光学分离层21，是通过将光硬化性树脂或者迟效性树脂，转涂在第2下侧保护层12上，之后使树脂硬化而形成。光学分离层21，要在激光束入射侧的表面形成引导槽时，把形成槽的模子与硬化前的树脂粘合，在树脂硬化后，将模子剥离下来，则可形成引导槽。
接着，在光学分离层21上，形成第1信息层25(工序(a))。具体讲，就是首先在光学分离层21上，依次形成透射率调整层10、第1最上界面层9、第1反射层8、第1界面层7、第1上侧保护层6、第1上侧界面层5、第1记录层4、第1下侧界面层3以及第1下侧保护层2。这些层可用实施方式3所说明的方法形成。第1下侧保护层2，形成之后，根据需要，也可进行使第1记录层4全面晶化的早期化工序。
最后，利用透明层24，把第1下侧保护层2和第1衬底1粘合起来。具体讲，就是在第1衬底1或第1下侧保护层2上，转涂上透明层2 4的材料—紫外线硬化性树脂后，把第1衬底1和第1下侧保护层2粘合。而后，从第1信息层25侧照射紫外线，使树脂硬化，就形成了配置在光学分离层21上的第1信息层25。透明层24由迟效性树脂形成时，则不需进行紫外线照射。这样就形成了信息记录介质26。
实施方式5
实施方式5，涉及实施方式1、2所说明的本发明信息记录介质的记录再生方法。
有关本发明的记录再生方法的记录再生装置50的一部分结构示如图4。由图4可见，记录再生装置50，配置有使信息记录介质51旋转的自旋马达27、具有半导体激光29的光学头30、聚焦从半导体激光29发出的激光束23的物镜28。信息记录介质51，就是实施方式1或2所说明的信息记录介质。配置有第1记录层4、第2记录层14。物镜28将激光束23聚焦在第1记录层4和第2记录层14上。
物镜28的孔径数NA，最好大于0.5，小于1.1(最理想是大于0.6，小于1.0)。激光束23的波长，最好大于350nm，小于500nm(最理想的是大于390nm，小于430nm)。信息记录介质记录信息时的线速度最好大于3m/秒，小于30m/秒(更理想的是大于4m/秒，小于15m/秒)。
信息的记录是通过调制激光束23的功率为高功率的峰值功率(Pp(Mw))和低功率的偏压功率(Pb(mW))进行。当激光束23为照射峰值功率时，形成非晶相，其非晶相成为记录符号。激光束23在记录符号间照射偏压功率时，则形成晶相。
在对第1信息层11或第1信息层25进行记录时，将激光束23的焦点与第1记录层4相一致，在第1记录层4上记录信息。再生是用从第1记录层4反射来的激光束23进行的。在进行第2信息层20的记录时，将激光束23的焦点与记录层14相一致，利用透过第1信息层11或25以及光学分离层21的激光束23记录信息。再生是利用由第2记录层14反射而且透过光学分离层21和第1信息层11或25的激光束23进行。
当作为记录再生对象的信息记录介质的第1衬底1、光学分离层21及第2衬底19都有槽(凹槽)1b时，信息可记录在槽1b上，也可以记录在凸缘1c上。另外，还可将信息记录在槽1b与凸缘1c两处。第1信息层11或25和第2信息层20，可将信息一起记录在同一部分(槽、凸缘、或槽与凸缘)，也可以在不同部分记录信息。
实施方式6
实施方式6对本发明信息记录介质的另1个例子予以说明。图5示出了实施方式6的信息记录介质41的一部分截面图。信息记录介质41，是由外加电能，亦即外加电流脉冲进行信息记录的。
由图5可以看到，信息记录介质41配置有衬底31、和在衬底31上依次叠积的第1电极32、第1记录层33、中间电极34、第2记录层35、第2电极36。第1记录层33构成第1信息层，第2记录层35构成第2信息层。
衬底31可以是由聚碳酸酯形成的树脂衬底、玻璃衬底、由Al2O3等形成的陶瓷衬底、硅衬底或各种各样的金属(例如铜)所形成的金属衬底。如衬底31，具有导电性时，可把衬底31作为电极32使用。下面对衬底31为绝缘性衬底时的情况予以说明。
信息记录介质41，通过在衬底31上，依次将第1电极32、第1记录层33、中间电极34、第2记录层35以及第2电极36叠积来制造。第1记录层33的组成及形成方法，与实施方式1及3已经说明了的第1记录层4的组成和形成方法相同。第2记录层35的组成及形成方法，与实施方式1及3已经说明了的第2记录层14的组成和形成方法相同。第1记录层33以及第2记录层35，是因外加电流产生的焦耳热，导致在晶相与非晶相之间发生可逆性相变。
第1电极32、中间电极34以及第2电极36的材料，可以使用Al，Au，Ag，Cu，Pt，Ti，W单体金属。为提高耐湿性或调整热传导率，还可以使用以这些金属中的一种或几种为主要成分而添加了一种或多种元素的合金材料。第1电极32、中间电极34以及第2电极36，可以在Ar气氛下喷镀构成这些电极的金属或合金组成的母材而形成。
下面对信息记录介质41的记录再生方法予以说明。在第1电极32和第2电极36之间、中间电极34和第2电极36之间，通过开关39、脉冲电源37相连接。在第1电极32和第2电极36之间，通过开关40，使电阻测量器被连接。
信息记录介质41，是使第1记录层31和第2记录层35分别在非晶相和晶相之间发生相变化，记录信息。信息再生是通过处于非晶相时记录层的电阻，比处于晶相时记录层的电阻高的特性进行的。具体讲，就是通过测定第1记录层33及第2记录层35的电阻值进行信息再生。
将处于非晶相(高电阻状态)的第1记录层33，变化成晶相(低电阻状态)时，把开关39闭向端子39a(开关40开)，向第1电极32和第2电极36之间外加电流脉冲。这时，因第1记录层33的材料的晶化温度比第2记录层35的材料的晶化温度低，晶化时间长，可通过调整外加电流脉冲的振幅和宽度，而只使第1记录层33发生相变化。
将处于非晶相的第2记录层35变成晶相时，把开关39闭向39b(开关40开)，向中间电极34和第2电极36之间外加电流脉冲。当使记录层从晶相再次变回到非晶相时，用更短的时间，外加比晶化时还相对高的振幅(电流值)的电流脉冲。
具体讲就是，当使第1记录层3(或第2记录层35)从非晶相变为晶相时，向第1记录层33(或第2记录层35)外加振幅为Ic、宽度为tc的电流脉冲。而当使第1记录层33从晶相变为非晶相时，向第1记录层33外加振幅为Ia1、宽度为ta1的电流脉冲。在使第2记录层35，从晶相变为非晶相时，向第2记录层35外加振幅为Ia2、宽度为ta2的电流脉冲。这些振幅和脉冲宽度最好满足Ic＜Ia2＜Ia1及ta1≤tc或ta2≤tc的关系。
第1记录层33及第2记录层35的电阻值，在关闭开关40的情况下(开关39开)，利用电阻测量器38测定。通过测定第1记录层33和第2记录层35的电阻值，可以读出已经被记录的信息。
将这种信息记录介质矩阵式地配置数个，则可得到大容量的重写型存储。这样的信息记录介质的1个例子的结构，示如图6的模式图。
下面参照图6进行说明。信息记录介质42，配置有带状式分布的多个字线43(word line)和带状分布的多个位线44(bit line)以及多个存储元件45。字线43、位线44是为测定外加电流脉冲和电阻用的电气布线。字线43和位线44被直交配置。存储元件45，位于字线43和位线44的交点(图6中用阴影线表示)，并夹在字线43和位线44之间。可以使用省略了中间电极34的信息记录介质41，作为存储元件45。
信息记录介质42，可以通过变化字线43和位线44之间的电压，和在存储元件上外加电流脉冲，进行信息的记录。
下面，对省略了中间电极34时的记录再生法进行说明。当使第1记录层33变化为晶相时，外加振幅为Ic1、宽度为tc1的电流脉冲；当使第2记录层35变化为晶相时，外加振幅为Ic2、宽度为tc2的电流脉冲。使第1记录层33变化为非晶相时，外加振幅为Ia1、宽度为ta1的电流脉冲；当使第2记录层35变化为非晶相时，外加振幅为Ia2、宽度为ta2的电流脉冲。
第1记录层33的材料，从非晶相变为晶相时的温度Tx1，比第2记录层35的材料，从非晶相变化为晶相时的温度Tx2还低(Tx1＜Tx2)；第1记录层33的材料，从非晶相变为晶相时，所需要的时间tx1，比第2记录层35的材料，从非晶相变化为晶相时，所需要的时间tx2还长(tx2＜tx1)，因此通过使脉冲振幅Ic1、宽度tc1，振幅Ic2、宽度tc2满足Ic1＜Ic2、tc1＞tc2这样的关系，则可以使各记录层选择性地晶化。如果把振幅Ic2、宽度tc1的电流脉冲，外加在第1记录层33以及第2记录层35上，能使两个记录层同时结晶化。
第1记录层33材料的熔点比第2记录层35材料的熔点高，因此，通过使ta2变短、使Ia1＞Ia2，可以只使第2记录层35非结晶化。在脉冲宽度ta1窄的情况下，当外加振幅为Ia1，宽度为ta1的电流脉冲时，两个记录层一起成为非晶相。这时由于只使第2记录层35结晶化，而可能只使第1记录层33为非晶相。
下面对各记录层的状态的辨别方法进行说明。设第1记录层33为非晶相时的电阻为Ra1、第1记录层33为晶相时的电阻为Rc1、第2记录层35为非晶相时的电阻为Ra2、第2记录层35为晶相时的电阻为Rc2，与两个记录层的状态相对应，2个记录层的电阻和为Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2或Rc1+Rc2。当把Ra1和Ra2设为不同值，并Rc1、Rc2比这些值还小得多时，根据电阻值，则很容易地辨别各个记录层的状态。这样，记录层的4个不同状态，即2个值的信息，可用电阻值的依次测定来检测。
实施例
下面用实施例来更详细地说明本发明。
实施例1
实施例1是如何测定图1所示的信息记录介质22的第1信息层11的透射率、考查透射率调整层10的效果。
首先，制作透射率测量样品。具体讲，就是制作第1信息层11，通过光学分离层21，把第1信息层11和第2衬底19粘合起来而得到测量样品。
还要制作没有透射率调整层10的样品，作为比较用。其制作如下：首先准备聚碳酸酯树脂(直径为120mm，厚为0.6mm)，作为第1衬底。在这个衬底上，用喷镀方法，依次层叠作为第1下侧保护层2的ZnS-SiO2层(SiO2：20mol％)、作为第1下侧界面层3的GeN层(厚为5nm)、作为第1记录层4的(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11层(厚度为6nm)、作为第1上侧界面层5的GeN层(厚度为5nm)、作为第1上侧保护层6的ZnS-SiO2层(SiO2：20mol％)、作为第1界面层7的GeN层(厚度为5nm)以及作为第1反射层8的Ag合金层(厚度为10nm)。如此制作出比较例样品。
在制作配置有透射率调整层10的样品时，用喷镀法在第1反射层8上，再依次层叠作为第1最上界面层9的GeN层(厚度为3nm)、作为透射率调整层10的Zn-SiO2层(厚度约为30nm，SiO2占20mol％)，并在第2衬底19上涂上作为光学分离层21的材料的紫外线硬化性树脂，再在树脂的上面粘接第1信息层11，用紫外线照射，使树脂硬化。这样就制作出了透射率测定用的样品。
在这里，第1下侧保护层2及第1上侧保护层6的厚度，基于矩阵法(例如，参照久保田广著，[波动光学]，岩波书店，1971年，第3章)的计算，严格地予以控制。具体讲，它的厚度像如下所述那样来决定：使得当第1记录层4为晶相和非晶相时，对波长405nm的反射光量变化最大、第1信息层的透射率最大、第1记录层4的光吸收效率最高。透射率调整层10的厚度这样来决定，即，使得第1记录层4为晶相和非晶相时的反射光量差和光吸收率不被降低，而且可以使第1信息层11的透射率更大。
对于这样形成的样品，最初测定第1记录层4为非晶相时的透射率Ta(％)，然后进行使第1记录层4晶化的初期化工序，测定第1记录层4在晶相时的透射率Tc(％)。测定时使用分光器，测量波长为405nm时的透射率值，计算(Tc+Ta)/2的值。
透射率的测定结果列于表2。表2中的样品2-1及2-3的第1信息层11，记录层为晶相时的反射率比记录层为非晶相时的反射率还高。样品2-1和2-3，记录层为晶相时的反射率几乎相等。样品2-2和2-4的第1信息层11，记录层为非晶相时的反射率比记录层为晶相时的反射率高，样品2-2和2-4，记录层为非晶相时的反射率几乎相等。
[表2]
如表中所示，设计有透射率调整层10的样品2-3及2-4的第1信息层11，与没有透射率调整层10的样品2-1及2-2的第1信息层11相比较，反射率不会下降，(Tc+Ta)/2的值提高2％～6％左右。因此，第1信息层11最好包括透射率调整层10。
图2中的信息记录介质26的第1信息层25使用相同的方法测定，结果指出，透射率调整层10具有同样的效果。
实施例2
实施例2，考查了第1信息层11的特性与第1记录层4的厚度之间的关系。具体讲，改变第1记录层4的厚度，制作第1信息层11，通过光学分离层21，将第1信息层11和第2衬底贴合起来，形成样品。对形成的样品进行第1信息层11的消除率、振幅噪声比(Carrier toNoise Ritio：CNR)及透射率的测定。
样品的制作方法。首先准备作为第1衬底的聚碳酸酯衬底(直径，120mm，厚度0.6mm)然后在聚碳酸酯衬底上，采用喷镀法，依次层叠作为第1下侧保护层2的ZnS-SiO2层(厚度约40nm，SiO2占20mol％)、作为第1下侧界面层3的GeN层(厚度5nm)、作为第1记录层4的(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11层(厚度为4nm～10nm)、作为第1上侧界面层5的GeN层(厚度为5nm)、作为第1上侧保护层6的ZnS-SiO2层(厚度约5nm，SiO2占20mo1％)、作为第1界面层7的GeN层(厚度为5nm)、作为第1反射层8的Ag合金层(厚度10nm)、作为第1最上界面层9的GeN层(厚度为5nm)以及作为透射率调整层10的ZnS-SiO2层(厚度约30nm，SiO2占20mol％)。之后进行第1记录层4的全面晶化的初期化工序，这样就形成了第1信息层11。
接着，在第2衬底19上，涂上光学分离层21的材料—紫外线硬化性树脂，再把第1信息层11紧贴在树脂上，用紫外线照射，使树脂硬化，这样就制作出第1记录层4的厚度不同的多个样品。
对制作出的样品，用与实施例1的相同方法，测定第1信息层11的透射率，用图4所示的装置，测定第1信息层11的消除率以及CNR。这时，激光束23的波长为405nm、物镜28的NA为0.65、测定样品的线速度为8.6m/s，最短符号长为0.294μm。此时信息记录在凹槽上。
CNR，是在记录10次(8-16)调制的3T信号之后，用光谱分析仪测定的。消除性能，是通过记录10次3T信号，测量振幅，而后将11T信号重写一次，再测定3T信号的振幅，计算3T信号的减衰率来评价。以下把3T信号的衰减率称为消除率。
第1信息层11的消除率和CNR的测定结果以及(Tc+Ta)/2的计算结果列于表3。
[表3]
表3中，A～D表示(Tc+Ta)/2的值、CNR及消除率的值。具体而言，有关(Tc+Ta)/2的值，为D＜30％，30％≤C＜40％，40％≤B＜50％，50％≤A。有关CNR为40(dB)≤C＜50(dB)，50(dB)≤B。有关消除率为20(dB)≤C＜30(dB)，30(dB)≤B。第1信息层11的(Tc+Ta)/2的值要大于30％，大于40％则最好。CNR要为40dB以上，最好高于50dB，消除率要大于20dB，最好为30dB以上。
如表3所示，样品3-1(第1记录层的厚度为4nm)，透射率很足，而CNR及消除率不足。样品3-4(第1记录层4的厚度为10nm)，CNR及消除率高，但透射率不满30％。样品3-2(第1记录层4的厚度为6nm)及样品3-3(第1记录层4的厚度为9nm)，可以得到透射率为35％～40％、CNR为50dB、消除率为3dB的好结果。上述结果说明，第1记录层4的膜厚，最好小于9nm。
图2所示的信息记录介质26的第1信息层25，也可以用同样的方法，测定消除率、CNR及透射率。得到同样的结果。
实施例3
实施例3，考查了第1信息层11的特性与第1记录层4的材料之间的关系。具体讲，改变第1记录层4的组成，制作第1信息层11，通过光学分离层21，使第1信息层11和第2信息层19贴合起来形成样品。对所形成的样品，测定其第1信息层11的CNR、消除率和透射率。
下面对样品的制作方法进行说明。首先准备作为第1衬底的聚碳酸酯衬底(直径，120mm，厚度0.6mm)然后在聚碳酸酯衬底上，采用喷镀法，依次层叠作为第1下侧保护层2的ZnS-SiO2层(厚度约40nm，SiO2占20mol％)、作为第1下侧界面层3的GeN层(厚度5nm)、第1记录层4(厚度为6nm)、作为第1上侧界面层5的GeN层(厚度为5nm)、作为第1上侧保护层6的ZnS-SiO2层(厚度约5nm，SiO2占20mol％)、作为第1界面层7的GeN层(厚度为5nm)、作为第1反射层8的Ag合金层(厚度10nm)、作为第1最上界面层9的GeN层(厚度为5nm)以及作为透射率调整层10的ZnS-SiO2层(厚度约30nm，SiO2占20mol％)。这里第1记录层4是使用了(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11、(Sb0.7Te0.3)95Ge5或(Sb0.7Te0.3)90Ag5In5组成式表示的材料。在形成透射率调整层10之后，进行使第1记录层4全面晶化的初期化工序。这样就形成了第1记录层4的组成不同的三种第1信息层11。
接着，在第2衬底19上，涂上光学分离层21的材料—硬化前的紫外线硬化性树脂，再把第1信息层11紧贴在树脂上，用紫外线照射，使树脂硬化，这样就制作出第1记录层4的组分不同的多个样品。
对制作出的样品，用与实施例1的相同方法，测定第1信息层11的透射率；用与实施例2的相同方法，测定第1信息层11的CNR及消除率。
第1信息层11的消除率、CNR、(Tc+Ta)/2的计算结果示于表4。
[表4]
表4中，B～D表示(Tc+Ta)/2的值、CNR及消除率的值。具体而言，(Tc+Ta)/2的值，为30％≤C＜40％，40％≤B＜50％，CNR为D＜40(dB)，50(dB)≤B。消除率为20(dB)≤C＜30(dB)，30(dB)≤B。
如表4所示，样品4-2及4-3，透射率、CNR及消除率都不足。样品4-1可以得到透射率为45％、CNR为50dB、消除率为30dB的好结果。上述结果说明，作为第1记录层4的材料，最好使用(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11组成式所表示的材料。
图2所示的信息记录介质26的第1信息层25，也可以用同样的方法，测定消除率、CNR及透射率，得到同样的结果。
实施例4
实施例4，考查了第2信息层20的特性与第2记录层14的材料之间的关系。具体讲，改变第2记录层14的材料组成，制作第2信息层20，通过光学分离层21，使第1衬底1和第2信息层20贴合起来形成样品。对所形成的样品，测定其第2信息层20的记录敏感度、CNR、反射率。
下面对样品的制作方法进行说明。首先准备作为第2衬底19的聚碳酸酯衬底(直径，120mm，厚度0.6mm)然后在聚碳酸酯衬底上，采用喷镀法，依次层叠作为第2反射层18的Al合金层(厚度约80nm)、作为第2上侧保护层16的ZnS-SiO2层(厚度约10nm，SiO2占20mol％)、作为第2上侧界面层15的GeN层(厚度为5nm)、第2记录层14(厚度为10nm)、作为第2下侧界面层13的GeN层(厚度5nm)、作为第2下侧保护层12的ZnS-SiO2层(厚度约60nm)。这里第2记录层14是使用了(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11、(Sb0.7Te0.3)95Ge5或(Sb0.7Te0.3)90Ag5In5组成式表示的材料。
第2下侧保护层12、第2上侧保护层16的厚度，可用矩阵法计算。它们的厚度像如下所述那样来决定：在405nm的波长下，使第2记录层14为晶相时的反射光量，比非晶相时的反射光量还大、且第2记录层14为晶相与非晶相时的反射光量变化大、以及使第2记录层14的光吸收率是大的。
接着，使第2记录层14进行全面晶化的初期化工序。接着，再在第1衬底1上，涂上光学分离层21的材料—紫外线硬化性树脂，然后将第2信息层20紧密贴在该树脂上。用紫外线照射，使树脂硬化，这样就制作出第2记录层14的组成不同的多个样品。
对制作出的样品，测定衬底的镜面部的反射率，另外用图4所示的装置，对这些样品，测定第2信息层20的记录敏感度及CNR。这时，激光束23的波长为405nm、物镜28的NA为0.65、测定样品的线速度为8.6m/s，最短符号长为0.294μm。此时信息记录在凹槽上。本文中记录敏感度是，用比振幅(dBm)的饱和值只低3dBm的振幅的峰值功率Pp(mW)的1.3倍的值来定义的(以下的实施例中也一样)。记录敏感度值小，说明用更低的激光功率就可以进行记录。第1信息层11的透射率的平均值(Tc+Ta)/2为40％左右，入射到第1衬底1上的，半导体激光29的最大功率约为12mW，所以，到达第2信息层20的激光功率约为5mW，因此，第2信息层20的记录敏感度，最好在5mW以下。
第2信息层20的记录敏感度CNR及第2记录层14为晶相时反射率的测定结果列于表5。
[表5]
表5中，B～D表示记录敏感度、CNR及反射率的值。具体而言，记录敏感度、CNR为5mW＜D，B≤5mW，CNR为50(dB)≤B，反射率为10％≤C＜20％，20％≤B＜30％。第2信息层20的CNR最好为40(dB)以上，大于50(dB)更理想。反射率最好大于10％，大于20％更理想。
如表5所示，样品5-1，当用5mW以下功率的激光束时，CNR不饱和，记录敏感度不足，反射率也不足。从表5看出，使用低熔点材料-(Sb0.7Te0.3)95Ge5或(Sb0.7Te0.3)90Ag5In5的样品5-2和5-3，可以使5mW以下功率的记录敏感度和高的CNR兼容。图3示出的信息记录介质26的第2信息层20，也可用同样的方法测定记录敏感度，得到同样的结果。
实施例5
实施例5是基于实施例3、实施例4，来制造图1的信息记录介质22。对所制造的信息记录介质22，进行第1信息层11的透射率CNR及消除率和第2信息层20的记录敏感度、反射率及CNR的测定。
实施例5设第1记录层4、第2记录层14的材料组成为(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11或(Sb0.7Te0.3)95Ge5、第1记录层4的厚度为6nm、第2记录层14的厚度为10nm。
在成膜得到各个层以后，对第1信息层11进行初期化工序，测定初期化前后的透射率，第2信息层20，也在成膜后进行初期化工序，然后在第2下侧保护层12上，转涂上光学分离层21的材料—硬化前紫外线硬化性树脂，使第2信息层20与第1信息层11紧密贴合，用紫外线照射，使树脂硬化。这样就制作出配备有第1信息层11和第2信息层20的样品(信息记录介质22)。除记录层、光学分离层以外，其它结构及制作方法与实施例3、4相同。
对这样形成的样品，进行第1信息层11的CNR、消除率的测定；第2信息层20的记录敏感度、反射率及CNR的测定。测定方法与上述实施例中所说明的方法相同，测定结果列于表6。
[表6]
表6，B～D表示各测定结果，(Tc+Ta)/2的值为30％≤C＜40％，40％≤B＜50％。CNR为D＜40(dB)，40(dB)≤C＜50(dB)，50(dB)≤B。消除率为20(dB)≤C＜30(dB)，30(dB)≤B。记录敏感度为12(mW)＜D，B≤12(mW)。表6所示的反射率是第2记录层14为晶相时的第2信息层20的反射率，为10％≤C＜20％，20％≤B＜30％。
样品6-1的第1记录层4和第2记录层14的材料组成，都为(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11，样品6-2的第1记录层4的材料组成为(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11，第2记录层14的材料组成为(Sb0.7Te0.3)95Ge5，样品6-3的第1记录层4和第2记录层14的材料组成，都为(Sb0.7Te0.3)95Ge5。
如表6所示，样品6-1与实施例4的结果一样，第2信息层20的记录敏感度、反射率不足，样品6-3与实施例3一样，透射率、CNR及消除率不足，而且，由于第1信息层11的透射率不足，而使第2信息层20的记录敏感度、反射率及CNR下降。与此相反，样品6-2的第1信息层11、第2信息层20，都能得到CNR高于50dB、消除率高于30dB的好结果。
上面是对把信息记录在凹槽时的情况进行了说明，下面是在凹槽表面和在凹槽与凹槽表面同时记录信息的情况下，进行同样测定，得到同样的结果。
实施例6
实施例6，是采用实施方式4制作方法制作图3的信息记录介质26，然后对制作出来的信息记录介质26，测定第1信息层25的CNR、消除率和第2信息层20的消除率、CNR。
下面对样品的制作方法进行说明。首先准备作为第2衬底19的聚碳酸酯衬底(直径，120mm，厚度1.1mm)，然后在聚碳酸酯衬底上，采用喷镀法，依次层叠作为第2反射层18的Al合金层(厚度约80nm)、作为第2上侧保护层16的ZnS-SiO2层(厚度约10nm，SiO2占20mol％)、作为第2上侧界面层15的GeN层(厚度为5nm)、作为第2记录层14的(Sb0.7Te0.3)95Ge5层(厚度为10nm)、作为第2下侧界面层13的GeN层(厚度5nm)、作为第2下侧保护层12的ZnS-SiO2层(厚度约60nm，SiO2占20mol％)。接着，进行使第2记录层14全面晶化的初期化工序。
接着，在第2下侧保护层12上，涂上紫外线硬化性树脂，再覆盖上带有引导槽的衬底(模子)，使树脂硬化后，将模子剥离下来。通过这样的工序，就制作出了在第1信息层25侧带有引导激光束23的引导槽的光学分离层21。然后利用喷镀法，在光学分离层21上，依次层叠作为透射率调整层10的ZnS-SiO2层(厚度约30nm，SiO2占20mol％)、作为第1最上界面层9的GeN层(厚度为3nm)、作为第1反射层8的Ag合金层(厚度10nm)、作为第1界面层7的GeN层(厚度为5nm)、第1上侧保护层6的ZnS-SiO2层(厚度约5nm，SiO2占20mol％)、作为第1上侧界面层5的GeN层(厚度为5nm)、作为第1记录层4的(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11层(厚度6nm)、作为第1下侧界面层3的GeN层(厚度5nm)、作为第1下侧保护层2的ZnS-SiO2层(厚度约40nm，SiO2占20mol％)。而后进行使第1记录层4全面晶化的初期化工序。
接着，准备作为第1衬底1的聚碳酸酯衬底(直径，120mm，厚度0.1mm)，然后在第1衬底1上涂上作为透明层24的材料—紫外线硬化性树脂，将第1下侧保护层2紧贴在该树脂上，再用紫外线照射，使树脂硬化，这样就制作出了样品(信息记录介质26)。
用图4的装置，对所形成的样品的第1信息层25与第2信息层20的CNR、消除率进行测定。这时，激光束23的波长为405nm、物镜28的NA为0.85、测定样品的线速度为5.0m/s，最短符号长为0.206μm。此时信息记录在凹槽上。结果，第1信息层25与第2信息层20都能得到CNR高于50dB，消除率高于30dB的好结果。
实施例7
实施例7在第2记录层14的材料中，作为添加用元素的M1，当以Sn，Se，Bi，Au，Mn替代Ag，In，Ge，时，进行与实施4、5、6一样的测定，得到一样的效果。
实施例8
实施例8制造图5的信息记录介质41，确认因外加电能(电流脉冲)所引起的记录层的相变化。
首先准备作为衬底31，表面经过氮化处理的硅衬底，用喷镀法依次层叠作为第1电极32的Au层(面积：1.0mm×1.0mm，厚度，0.1μm)、作为第1记录层33的(Ge0.74Sn0.26)8Sb2Te11层(面积：0.6mm×0.6mm，厚度，0.5μm)、作为中间电极34的Au层(面积：0.6mm×0.6mm，厚度，0.1μm)、作为第2记录层35的(Sb0.7Te0.3)95Ge5层(面积：0.2mm×0.2mm，厚度，0.5μm)、作为第2电极36的Au层(面积：0.2mm×0.2mm，厚度，0.1μm)。然后在第1电极32、中间电极34、第2电极36上搭接金引线，在第1电极32与第2电极36之间，以及在中间电极34与第2电极36之间，通过开关39与脉冲电源37相接。因第1记录层33与第2记录层35的相变化，导致电阻值的变化。将第1电极32和第2电极36通过开关40与电阻测量仪38相连接，进行检测。
在第1记录层33、第2记录层35都为高电阻状态(非晶相)时，当在第1电极32和第2电极36之间，外加振幅为50mA、宽度为100ns的电流脉冲时，两个记录层都变为低电阻状态(晶相)，接着，当在第1电极32和第2电极36之间，外加振幅为150mA、宽度为50ns的电流脉冲时，只有第2记录层35从低电阻状态变为高电阻状态。另外，在第1记录层33及第2记录层35都为低电阻状态时，在第1电极32和第2电极36之间，外加振幅为200mA、宽度为50ns的电流脉冲时，两个记录层都从低电阻状态变为高电阻状态。在第1记录层33、第2记录层35都为高电阻状态(非晶相)时，在中间电极34和第2电极36之间，外加振幅为50mA、宽度为100ns的电流脉冲时，只有第2记录层35从高电阻状态变为低电阻状态。
如上所述，图5的信息记录介质41可使第1记录层33、第2记录层35在晶相和非晶相之间发生电学性的可逆相变化。结果，可实现如下四种状态，即，第1记录层33和第2记录层35都为高电阻状态；第1记录层33为低电阻状态、第2记录层35为高电阻状态；第1记录层33为高电阻状态、第2记录层35为低电阻状态；第1记录层33和第2记录层35都为低电阻状态。
以上对本发明的实施方式的例子进行了说明，但本发明不仅只限于上述实施方式，还能适用于基于本发明技术思想的其它实施方式。
如上所述，利用本发明信息记录介质及其制造方法，可以得到具有2层记录层，而且记录、消除性能好的信息记录介质。
而且，利用本发明的记录再生方法，可以实现高密度记录。

Claims (3)

1.一种信息记录介质的记录再生方法，其特征在于：
所述信息记录介质是具有第1信息层和第2信息层的信息记录介质，
其中，所述第1信息层，包括因激光照射或外加电流所发生的焦耳热而导致的晶相和非晶相之间发生可逆性相变的第1记录层，
所述第2信息层，包括因所述激光照射或所述外加电流所发生的焦耳热而导致的晶相和非晶相之间发生可逆性相变的第2记录层，
所述第1记录层由第1材料形成，
所述第2记录层由第2材料形成，
所述第1材料和所述第2材料不同，
针对所述信息记录介质的第1信息层，利用从所述第1信息层侧入射的激光束来进行信息的记录再生，
针对所述信息记录介质的第2信息层，利用透过所述第1信息层的所述激光束来进行信息的记录再生，
所述激光束的波长大于390nm小于430nm。
2.权利要求1中记载的信息记录介质的记录再生法，其中，
记录再生信息时的所述信息记录介质的线速高于3m/秒小于30m/秒。
3.权利要求1中记载的信息记录介质的记录再生法，其中，
所述激光束是由物镜聚焦的激光束，
所述物镜的孔径数NA大于0.5小于1.1。
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