CN1719320A - 显示器及生产显示器的方法 - Google Patents

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Abstract

显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子％的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。

Description

显示器及生产显示器的方法
技术领域
本发明涉及薄膜形式的显示器以及该显示器的生产方法。更具体而言，本发明涉及其组成包括透明导电膜和铝合金膜的新显示器和生产该显示器的方法，该透明导电膜和铝合金膜用于有源或无源矩阵式的平板显示器(如液晶显示器)、反射膜和光学元件。
背景技术
有源矩阵式的液晶显示器由两个相反的基材和固定在这两个基材之间的液晶层构成。液晶显示器依赖于作为开关器件的薄膜晶体管(TFT)。第一基材具有透明导电膜以及一列连接扫描线和信号线的TFT。第二基材与第一基材相隔一定距离，而且具有共用电极(common electrode)。相反，无源矩阵式的液晶显示器也由两个相反的基材以及固定在这两个基材之间的液晶层构成。用于布线的第一基材具有扫描线和信号线，而第二基材与第一基材相隔一定距离并具有共用电极。透明导电膜由氧化铟锡(ITO)形成，所述氧化铟锡是掺杂有约10重量％的氧化锡(SnO)的氧化铟(In2O3)。
信号线由纯铝或铝合金(如Al-Nd)形成，而且该信号线通过耐火阻挡层金属如Mo、Cr、Ti和W与透明导电膜电连接。然而，现在正在研究省略阻挡层金属以使信号线与透明导电膜直接连接。
在专利文献1中可看出，如果透明导电膜由IZO(掺杂有约10重量％的氧化锌的氧化铟)形成，则信号线和透明导电膜之间的直接连接是可以的。
已经证实即使省略上述耐火金属，只要通过暴露于等离子中或通过离子植入对漏极进行表面处理(如专利文献公开2的那样)或者门、源和漏极具有两层结构，其中第二层包含如N、O、Si和C之类的杂质(如专利文献3公开的那样)，则信号线和透明导电膜之间的接触电阻就可保持较小。
专利文献1：
日本专利文献公开平-11-337976
专利文献2：
日本专利文献公开平-11-283934
专利文献3：
日本专利文献公开平-11-284195
发明内容
上述的传统技术需要存在阻挡层金属，以避免信号线(由铝或铝合金形成)和透明导电膜之间的直接接触，这是因为直接接触会增加接触电阻并使显示质量变差。导致该问题的原因是铝在大气中容易被氧氧化，而且也会被在透明导电膜(金属氧化物的形式)形成时所释放或添加的氧所氧化。这种氧化作用形成了高电阻的氧化铝的表面层。由此在信号线和透明导电膜之间的界面中形成的绝缘层增加了信号线和透明导电膜之间的接触电阻，并使显示质量变差。
阻挡层金属最初是倾向于保护铝合金免受表面氧化作用，并且倾向于在铝合金膜和透明导电膜之间获得良好的接触。传统的结构(具有在接触界面上形成的阻挡层金属)不可避免地需要阻挡层金属的形成步骤。这意味着生产设施除了形成门、源、漏极的溅射设备外还需要一个形成阻挡层金属膜的室。该种添加的仪器在大量生产低价格液晶面板中会增加生产成本并使生产率降低到不可忽视的程度。
为此，最近对于可省略阻挡层金属的新材料和方法的需求增加。然而，在上述专利文献2和3中所公开的技术并不能这种需求。专利文献2需要表面处理的另外步骤，而尽管专利文献3可以在相同室中连续地形成门、源和漏极，但是该文献3也需要另外的步骤。这种优势由于在连续生产一定时间后需要频繁停止以清洁维护该室而被抵消了。(粘附到室内部的膜剥落，这是由于其热膨胀系数根据杂质含量而变化的缘故)。在专利文献1中公开的技术需要由IZO膜代替ITO膜(当前最普遍的膜)，而这会导致材料成本的增加。
对于上述观点，本发明人进行了广泛研究并形成了一种新技术，该新技术可以在铝合金膜和透明导电膜之间以简单方法直接、可靠接触，而不存在阻挡层金属，并且该新技术也提供了一种兼备优良的电气特性(低电阻值和低接触电阻)和优良的蚀丘及空穴电阻(hillock and voidresistance)的材料，所述材料在显示器中通常共用于反射电极和TAB连接电极。结果，本发明人发展了一种在布线与透明导电膜之间可以不插入难熔金属而直接接触的新技术，并且它们已经申请了专利(日本专利申请号：2002-368786)。
本发明人从不同的观点进一步改善了它们的研究。本发明目的是提供一种用于铝合金布线的技术，该技术将实现在稳定性和长期可靠性方面优于先前申请技术的接触。
开发以解决上面提到问题的本发明显示器是由基材、在基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使薄膜晶体管和透明导电膜电连接的铝合金膜组成。在铝合金膜和透明导电膜之间是所述铝合金的氧化物膜。该氧化物膜的厚度为1～10nm并且含有不超过44原子％数量的氧。
以上提到的铝合金膜应该优选包含从Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge和Bi中选择的至少一种合金组分，该合金组分含量为0.1～6原子％，Ni是最理想的。
以上提到的铝合金膜可额外包含从Nd、Y、Fe、Co、Ti、Ta、Cr、Zr和Hf中选择的至少一种合金组分，该合金组分含量为0.1～6原子％。
包含Ni(作为一种合金组分)的铝合金膜应该使Ni含量在不同厚度上有变化。在它的表面层(0.5～10nm厚)内，Ni含量应当高于平均Ni含量的两倍。
铝合金膜在显示器中有效地起着反射膜或TAB连接电极的作用。透明导电膜应该优选由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)组成。
本发明的另一个目的是提供无源矩阵式的显示器，其由基材和在基材上形成的透明导电膜组成。透明导电膜经由铝合金膜电连接。在铝合金膜和透明导电膜之间的界面中的是厚度为1～10nm并且含有数量上不超过44原子％的氧的铝合金的氧化物膜。
本发明的显示器可以分两个步骤顺利制备，即在基材上形成铝合金膜，然后在铝合金膜上形成透明导电膜。第一步在非氧化气氛下使基材保持高温而进行。第二步在含氧气氛下进行。
本发明在稳定控制下在铝合金膜和透明导电膜之间实现了直接接触(没有阻挡层金属)。因此，可以经济地供给在性能和长期可靠性方面优异的显示器。
附图说明
图1所示为本发明液晶显示器中使用的液晶面板结构的示意性放大横截面图。
图2所示为在基材上形成的薄膜晶体管结构(根据本发明的第一实施方案)的示意性放大横截面图。
图3所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图4所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图5所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图6所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图7所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图8所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图9所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图10所示为制备图2所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图11所示为接触电阻和电阻率相对于在氧化物膜中的氧含量所画的图，所述氧化物是在铝合金膜和ITO透明导电膜之间的界面上形成的。
图12所示为储存在大气期间，在纯铝或含2原子％Ni的铝合金上的氧化物膜在厚度上如何变化的图。
图13所示为氧化物层和Ni-富集层的TEM照片，所述Ni-富集层在ITO透明导电膜和含有2原子％Ni的铝合金之间的直接接触的界面上形成的图。
图14所示为接触电阻和氧化物膜厚度如何根据在Ni-富集层的Ni含量变化的图。
图15所示为接触电阻和氧含量如何根据在Ni-富集层中的Ni含量变化的图。
图16所示为在基材上形成的薄膜晶体管结构(根据本发明的另一个实施方案)的示意性放大横截面图。
图17所示为制备图16所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图18所示为制备图16所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图19所示为制备图16所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图20所示为制备图16所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图21所示为制备图16所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图22所示为制备图16所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图23所示为制备图16所示在基材上的晶体管阵列的步骤图。
图24所示为用于测定铝合金膜和透明导电膜之间的接触电阻的开尔文图案的图。
具体实施方式
本发明通过降低氧化铝层的电阻率(或增加了电导率)，实现了在透明导电膜和铝合金膜之间的直接接触，所述氧化铝层是在使透明导电膜和铝合金膜之间彼此接触时形成的。通过控制界面处的厚度和氧含量，有效地实现了铝合金氧化物层的电阻率的降低。
顺便提及，传统技术设计是将纯铝或Al-Nd合金与透明导电膜之间直接接触。结果是具有高接触电阻的非欧姆连接。原因是在接触界面上形成的氧化铝膜较厚，并且该氧化铝膜具有与化学计量比组成的氧化铝(Al2O3)一样高的电阻。
本发明与上述的传统技术不同之处在于：铝合金层包含从由Au，Ag，Zn，Cu，Ni，Sr，Sm，Ge和Bi组成的组中选择的至少一种元素(作为合金组分)，尤其是含有适量的Ni。透明导电膜形成并使铝合金氧化物层具有导电性时，这些合金组分保护铝免于氧化。这些合金组分应该优选集中在接触界面处。对于具有不同组成的合金，这有助于高稳定、可靠的接触性质(或低接触电阻)。结果得到高质量的液晶显示器，并且相当显著地减少了生产成本和制造步骤。
参考附图，更详细地描述本发明的显示器，但这并不是要限制本发明的范围。本发明可以在其范围之内改变和改进。
在本发明中指定的铝合金膜也可以应用到无源矩阵式(它没有薄膜晶体管)的显示器、用于反射式的液晶显示器的反射电极和用于信号输入和输出的TAB连接电极。然而，下面省略了这些实施方案的描述。
图1所示为用于本发明液晶显示器的液晶面板结构的示意性放大横截面图。
图1所示的液晶面板是由基材1(带TFT阵列)、反向基材2(与基材1相反)以及液晶层3(固定在两个基材1和2之间，并且起光调制层的作用)。基材1(带TFT阵列)由绝缘玻璃基材1a、安置在基材上的薄膜晶体管(TFT)4、透明导电膜5以及包括扫描线和信号线的布线元件6组成。
反向基材2是由共用电极7(在带有TFT阵列的基材1的整个表面上形成)，与透明导电膜5相反的滤色片8和与TFT 4(在基材1上)和布线元件6相反的光屏蔽膜9构成。
在基材1(带有TFT阵列)和反向基材2的外部安置有起偏器10和10。在反向基材2的内部上安置有定向层(alignment layer)11，该层在液晶层3中使液晶分子定向。
液晶面板以下列方式构成上述构件。在反向电极2和透明导电膜5之间形成电场。该电场控制在液晶层3中液晶分子的排列方向，由此调节穿过在基材1(带TFT阵列)和反向基材2之间的液晶层3的光。由此调节的光产生了图像。
TFT阵列由激励电路13和由TAB带12导向外部的控制电路14驱动。
图1所示为隔离物15、密封材料16、保护膜17、扩散器18、棱镜片19、光导板20、发射器21、背光22、支撑框架23和印刷电路板24。这些元件将在下面解释。
图2所示为在基材1上形成的薄膜晶体管结构(根据本发明的第一实施方案)的示意性放大横截面图。如图2所示，在玻璃基材1a上形成铝合金膜的扫描线25。一部分扫描线25起着门电极26的功能，以控制(或开关)薄膜晶体管。形成铝合金膜的信号线，以便信号线利用插入信号线之间的门绝缘膜27与扫描线25相交。一部分信号线起着薄膜晶体管的源极28的功能。该结构通常称作底部门极类。
在门绝缘膜27上是像素区域，在该区域中安置有由ITO形成的透明导电膜5(该膜是掺杂有SnO的In2O3)。薄膜晶体管的漏极29是由铝合金膜形成，而且它电连接(通过直接接触)到透明导电膜5上。
该薄膜晶体管的门电极26经由扫描线25供应门电压，以使薄膜晶体管被打开。在这种状态，预先施用到信号线上的驱动电压经由漏极29供应到透明导电膜5上。当透明导电膜5供应有在预定程度的驱动电压时，在反向电极2之间出现电势差，这正如上述参考图1解释的那样。该电势差使液晶层3中的液晶分子定向，由此实现光调制。
与第一实施方案一致并在图2所示的基材1(带TFT阵列)以下列方式制备，该方式参考图3～10进行简述。顺便提及，作为开关器件的薄膜晶体管TFT是无定形硅TFT，在TFT中半导体层由氢化无定形硅形成。
首先，玻璃基材1a通过溅射覆盖上铝合金薄膜(约200nm厚)。如图3所示，该铝合金薄膜形成图案(通过蚀刻)，以形成门电极26和扫描线25。应当进行蚀刻，以使门电极26和扫描线25具有成45～60度锥形的边缘。(这使得如下面所述的门电极膜27的覆盖更容易)。门绝缘膜27(约300nm厚)通过等离子体CVD由氧化硅(SiOx)形成。在门绝缘电极27上形成氢化无定形硅膜(a-Si:H)(约50nm厚)和氮化硅膜(SiNx)(约300nm厚)。
其次，如图5所示，氮化硅膜(SiNx)经由穿过作为掩膜的门电极26的背部曝光而形成图案。形成图案之后的氮化硅膜变成通道保护膜。在该通道保护膜上形成n+-式的氢化无定形硅膜(n+a-Si:H)(约50nm厚)，该膜掺杂有磷。如图6所示，在氢化无定形硅膜(a-Si:H)和n+-式的氢化无定形硅膜(n+a-Si:H)上都进行图案形成。
在形成有图案的膜上面，形成铝合金膜(约300nm厚)，随后如图7所示，进行图案形成。以这种方式，形成源极28(与信号线构成整体)和漏极29。(下面，漏极29要与透明导电膜5接触。)在通道保护膜(SiNx)上的n+-式的氢化无定形硅膜(n+a-Si:H)经由穿过作为掩膜的源极28和漏极29的蚀刻而除去。
如图8所示，氮化硅膜30(约30nm厚)在约260℃通过等离子体CVD而形成。该氮化硅膜起着保护膜的作用。在这种氮化硅膜30上形成光致抗蚀剂层31，并在穿过光致抗蚀剂层31在氮化硅膜30上进行干蚀刻形成图案，以便形成接触孔32。同时利用该步骤，在与面板边缘处门电极上的TAB接触的部分上形成另一个接触孔(未示出)。
如图9所示，光致抗蚀剂层31通过用氧等离子体灰化并随后用胺溶液清洗而除去。在静置的8小时内，形成了ITO膜(约40nm厚)，然后使该膜形成图案，以形成透明导电膜5，如图10所示。同时，ITO膜形成图案，以使其与面板边缘上的门电极TAB结合。以这种方式，可以完成基材(带TFT阵列)。
根据本发明，构成透明导电膜5的ITO膜通过在构成漏极29等的铝合金膜上溅射而成。以这种方式，在铝合金膜和透明导电膜5之间的界面上形成导电氧化物膜。为此，需要以下列方式在两个或多个阶段形成ITO膜。利用保持在100～200℃的基材，构成透明导电膜5的ITO膜(5～20nm厚，优选约10nm厚)通过在非氧化气体气氛(如无氧氩气)中溅射而形成，以便该铝合金膜的表面不会被氧化。所得ITO膜(低氧浓度)具有低导电性；然而，如果该基材在处理过程中以合适温度加热，则ITO膜结晶性增加，以补偿导电性的降低。
通过使基材保持在上述温度，膜形成过程继续在含氧气体中进行直到膜厚达到约20～200nm(优选约40nm)。该含氧气体应当优选由1～5mTorr(优选约3mTorr)的氩气和10～50μTorr(优选约20μTorr)的氧构成。已证实，在这种条件下形成的ITO膜具有最低的电阻(约1×10-4Ω·cm或更低)。即使当氧由氢代替时，也可以产生如上的相同效果。变化大气中的氧含量，以两个阶段(或多个阶段)进行通过溅射形成ITO膜的过程。以这种方式，可以形成具有足够高电导性的ITO膜，同时在ITO膜形成的初始阶段这种方式可防止铝合金膜被氧化。
顺便提及，在低温形成的ITO膜是无定型的，但是在高温形成的ITO膜是多晶的且具有高导电性。而且，在含氧气氛气体中，后面的成膜阶段有助于高的导电性。
同时，本发明人发现，Al-Ni合金和纯铝在通过自然氧化形成的氧化物膜的氧含量和厚度的差异并不是很大(如图12所示)。然而，它们之间的差异是在它们上面形成ITO膜之后才出现的。这种情况表明当ITO膜(构成透明导电膜)形成时，在铝合金膜上氧化物膜的氧化作用最终状态是确定的。而且，似乎氧化物膜的形态根据所添加到铝中的合金元素(如Ni)变化。因此，如果合金元素适当选择以及ITO膜在合适条件下形成，从而使氧化物层具有合适的氧含量和合适的厚度，那么就可以实现低且稳定的接触电阻。
顺便提及，已发现当ITO膜在上述条件下形成时，在ITO膜和Al-Ni合金膜(含2原子％Ni)之间的接触电阻为2～17Ω，而当ITO膜在基材没有加热的情况下在一个阶段中形成时(换句话说，从开始到ITO膜形成都使用含氧气氛气体)，接触电阻高于750Ω。这种情况表明上述的两阶段膜形成方法在降低接触电阻方面是非常有效的。
上述效果也可以通过使用除Ni之外的其它合金元素如Au，Ag，Zn，Cu，Sr，Sm，Ge和Bi而产生。使用上述元素中的一种以上的元素并与上述两阶段方法结合，从而使接触电阻显著降低。
顺便提及，在日本专利申请2002-368786(本发明人申请的)所公开的发明是与本发明不相同，它是在具有高的氧含量(相当于Al2O3中氧的化学计量量)的接触界面内形成铝合金氧化物膜，因此，由于在其中的氧含量不能有利控制而具有高的接触电阻。因此，前者方法需要在氧化物膜上进行过蚀刻、通过剥离溶液除去氧化物膜或者将金属化合物在与ITO膜接触的界面上分离出去的其它步骤，以便降低界面上的接触电阻。然而，本发明并不需要这些步骤，这是因为本发明设计的意图是通过控制存在于界面上的氧化物膜中的氧含量来降低接触电阻。
如果在ITO膜形成时加热基材，则在初始阶段中使用含氧气氛获得的接触电阻减少量将被提高。事实上，接触电阻从750Ω(基材没有加热)减少到250Ω(基材加热)。虽然如果ITO膜在基材没有加热且无氧气氛中形成，则ITO膜使接触电阻降低了约3～33Ω，但是ITO膜自身具有约8×10-4Ω·cm的高电阻率。
本发明使用上述的两阶段膜形成方法，以使铝合金膜和在其上形成的ITO膜之间的界面的接触电阻减少，并保持ITO膜自身的低电阻率。一种用于改善ITO膜导电性的可想到的方法是将带有蒸汽或氢的气氛气体代替氧。蒸汽在特殊加热条件下用作氧化气体，因而像氧气那样有效氧化铝合金膜。
如上所述，为了改善氧化物膜(接触界面处)和ITO膜的特征性质，本发明规定了在铝合金膜中合金元素的种类，并控制了用于在铝合金膜上形成ITO膜的膜形成条件。本发明可以直接接触，而不需要将氧化物膜从接触界面上除去。
如下面详述的那样，本发明需要在接触界面上的铝合金氧化物膜应当包含不超过44原子％含量的氧、优选不超过42原子％，并且具有1～10nm的厚度、优选2～8nm、尤其是5nm左右。这样规定的氧含量和厚度使接触电阻最小。为此，本发明在合适选择构成铝合金膜的合金元素和控制ITO膜形成的条件上非常重要。
以前述方式制备的基材(含TFT阵列)在其上具有两者彼此直接接触的漏极29和透明导电膜5，该基材在其上还具有两者彼此直接接触的门电极26和ITO膜(用于TAB连接)。
如果构成漏极29的铝合金膜由Al-Ni合金(上述)或任何其它铝合金(含有0.1～6原子％的从Au，Ag，Zn，Cu，Sr，Sm，Ge和Bi中选择的一种或一种以上合金元素)形成，则在透明导电膜5和构成漏极29的铝合金膜之间的接触电阻可以通过适当控制漏极29形成时的条件以使其显著降低。
顺便提及，如果在铝合金膜中的合金元素含量小于0.1原子％，则本发明想要的接触电阻的减少是不能获得的，在该情况下中，在与透明导电膜5接触的界面上形成的氧化物层中氧含量不够低。相反，如果合金元素的含量超过6原子％，则铝合金膜自身电阻增加，这样会降低像素的响应速度，从而导致能力消耗以及显示质量劣化。用于平衡调节的合金元素的适当含量应该不小于0.1原子％、优选不小于0.2原子％，以及不大于6原子％、优选不超过5原子％。
根据本发明，合金元素也可以从除上述合金元素之外的Nd，Y，Fe，Co，Ti，Ta，Cr，Zr和Hf中选择。这些合金元素应该以0.1～6原子％、优选0.2～2原子％的量使用，以便这些合金元素可以防止蚀丘和空穴，因而增加耐热性(高达300℃或更高)、机械强度和耐腐蚀性。在这些合金元素中，特别理想的是Nd、Y、Fe和Co。作为在300℃热处理的结果，这些合金元素充分降低了铝合金布线的电阻率。
本发明可以以另一个方式具体表现为还减小了铝合金膜和透明导电膜5之间的接触电阻。根据这个实施方案，减少接触电阻的目的通过在靠近透明导电膜5的含Ni铝合金膜侧形成Ni-富集层有效地获得。Ni-富集层的厚度应当不小于0.5nm，优选不小于1.0nm，并且不大于10nm，优选不大于5nm。在Ni-富集层中的镍浓度应当超过在铝合金膜中的平均镍浓度的两倍、优选超过2.5倍。如果在铝合金膜包含除Ni以外的任何其它合金元素(如Au，Ag，Zn，Cu，Sr，Sm和Bi)，则Ni-富集层可以由含上述高浓度的该合金元素的层代替。
如果在铝合金中Ni含量超出了可溶性的极限(0.1％)，则在热处理时，含有作为合金元素的Ni的铝合金膜会使Ni在铝合金的晶界上析出。部分析出的镍扩散并且聚集在铝合金膜的表面上，由此在其中形成了Ni-富集层。另外，镍卤化物(具有低蒸气压力，因此其挥发性比铝小)在蚀刻产生接触孔的时候残留在铝合金膜的表面上。因此，在铝合金膜表面层中的Ni浓度变得比在大块形式的铝合金中更高。因此可以通过在适当条件下进行蚀刻来控制在表面层的Ni浓度以及控制Ni集中层的厚度。
当如上述制备的基材(带有TFT阵列)用于显示器如液晶显示器时，它呈现出了其优点。这种优点就是在透明导电膜和连接布线部件之间的接触电阻是最小的。该优点导致显示质量的改善。
同时，当纯铝或Al-Nd合金布线根据常规方法开始直接接触透明导电膜时，在接触界面上形成具有高电阻的氧化铝膜(或形成非欧姆接触)。从TEM对横截面的观察以及EDX对组成的分析可知，在接触界面上形成的氧化铝膜中的氧含量几乎等同于那些具有化学计量组成的氧化铝(Al2O3)的氧含量。换句话说，在氧化铝层中的氧含量为60原子％(Al∶O＝1∶1.5)，而氧化铝层的厚度大约为6.5～7nm。通过一个80μm2的接触孔的接触电阻约为150kΩ。这表明鉴于具有化学计量组成的Al2O3是电阻率约为1014Ω·cm的绝缘体这一事实，因此6.5～7nm这样薄的氧化铝膜起着高电阻绝缘膜的功能。
从含40.2原子％的氧(Al∶O＝1∶0.67)并且厚度为4～4.5nm的铝合金氧化物膜形成12Ω接触电阻这一事实进行推断，本发明不同于上述传统技术。换句话说，铝富集并且氧含量低的铝合金氧化物层体现了n型半导体的属性，因此表现出类似于金属铝的电导性。膜厚度的变化(大约几个纳米)对接触电阻影响不是很大，但更小的厚度对接触电阻是有利的；因此，铝合金氧化物膜的厚度应当优选小于约10nm。
图11所示为在铝合金氧化物膜中的氧含量如何影响电阻率和接触电阻的图。从图11明显看出，当铝合金氧化物膜中的氧含量超过40原子％时(O/Al＝0.67)，接触电阻和电阻率两者都急剧地增加。也就是说，44原子％(O/Al＝0.79)时为200Ω，而49原子％(O/Al＝0.96)时为150KΩ。在56原子％及以上时(O/Al＝1.27)，欧姆接触变成非欧姆接触。使用高于200Ω的接触电阻，显示器将在质量和产量上较差；因此，氧含量应当优选低于44原子％。
顺便提及，在大气中静置期间铝合金膜表面会进行自发氧化作用，并且当ITO膜形成时氧化作用进一步进行，由此会产生厚的氧化物膜。由于自发氧化而使氧化铝膜生长的速率通过XPS(X射线光电子光谱法)来测量。结果在图12中示出。注意到在纯铝和包含2原子％Ni的铝合金(能够直接接触)之间没有实质的差异。换句话说，纯铝和铝合金这两者都是在大气中静置16小时之后产生了氧化物膜(3nm厚)，并且该氧化物膜包含大约60原子％的氧，这相当于化学计量含量(Al∶O＝1∶1.5)。
为了研究影响氧含量的因素，在铝合金膜(包含2原子％的Ni)的表面上以上述相同方法(根据本发明的两阶段方法)形成ITO膜，并且在TEM下观察接触部分的横截面。观察到，氧化物膜的厚度为4～4.5nm，该厚度比那些自然形成的氧化物膜厚4/3～4.5/3倍(或1.3～1.5倍)，并且在氧化物膜中的氧含量为40.2原子％。因为在ITO膜形成之后，在不吸收氧的情况下，氧化物膜的体积增加1.3～1.5倍，因此前述结果表明ITO膜形成之前的氧含量从大约60原子％减少到大约40原子％(等于60原子％除以1.5)。
从上述试验可以推断，为了降低铝合金氧化物膜中的氧含量，重要的是在ITO膜形成时防止发生铝氧化作用。为了获得这个目的，至少初期阶段必须在无氧的非氧化气氛中形成ITO膜。从图11判断，所得到的氧化物膜认为是其电阻率大约为200μΩ·cm，其接触电阻大约为12Ω。显然，在ITO膜形成期间控制吸收的氧含量有效地降低了接触电阻。
下面描述的事实是：包含在铝合金氧化物膜中的杂质可有效地改善导电性。
众所周知，在掺入作为杂质的碱金属如钠和钾之后，β-Al2O3成为了离子-导电材料(具有大约102Ω·cm的导电率)。这个现象可归因于这种事实，就是碱金属离子比Al2O3的晶格小得多，因此能够在晶格之间自由运动。然而，在进入半导体材料如TFT中时，碱金属离子因为它们在TFT中的移动而产生了麻烦。
增加导电性的另一个可行方法就是在氧化铝膜中混合对半导体元件的损害比碱金属小的镍。制备直接接触包含2原子％镍的铝合金膜的ITO膜样品，使用TEM横截面样品通过EDX进行分析。发现在Ni-富集层中的Ni含量为4～8原子％，然而在氧化铝层中Ni含量至少为2原子％。
如图13所示，当ITO膜在Al-Ni合金膜上形成时，在两层膜之间的界面上出现氧化铝(AlOx)层和Ni-富集层(大约1nm厚)，该图是TEM显微照片，它显示了在ITO膜和Al-Ni合金膜之间直接接触的界面上出现的氧化铝层和Ni-富集层。这表明铝朝氧化物膜的扩散，而Ni朝Al-Ni合金膜扩散，并且在干蚀刻产生接触孔期间残留Ni比铝多。一旦Ni-富集层出现，就阻止了铝从铝合金膜中的扩散，由此阻止了铝氧化。
图14所示为氧化物膜的厚度(nm)和接触电阻(Ω)如何取决于Ni-富集层中的Ni含量而变化的图。从图14明显可见，随着Ni-富集层中的Ni含量增加，氧化铝层的厚度(在ITO膜形成之后观察)在减小。同时，如图15所示，氧含量减小并且接触电阻也减小。这表明Ni-富集层起着重要的作用。
由于Ni-富集层产生了如上所述的作用，因此需要Ni-富集层厚度应当在1～10nm范围内，且Ni-富集层中的Ni含量应该超过在Al-Ni合金层中Ni含量的两倍。
顺便提及，如果在ITO膜上(对应于图2所示结构)形成在界面上具有抑制氧化作用的纯铝层或Al-Ni合金层，就可能出现欧姆接触。这是由于在界面上没有出现具有高电阻氧化铝膜的事实。
在氧化时，Al-Ni合金通过下列机理形成Ni-富集层。铝扩散通过氧化铝，到达表面，在该表面处与氧结合以继续氧化。相反，在氧化铝中具有低可溶性的Ni扩散进入到铝合金本体中形成Ni-富集层。含受控Ni含量的Ni-富集层也可能通过加热或干蚀刻(在铝表面上以镍残留在表面上的方式进行)形成。在150～300℃下加热1小时可使Ni含量从3.1原子％增加到5.1原子％，而干蚀刻使Ni含量增加到10.2原子％。这些结果通过俄歇电子能谱证实以确定深度剖面。
因此，通过上述方法可以形成具有期望厚度和期望Ni含量的Ni-富集层，所述方法包括基材加热形成绝缘，用等离子体或蚀刻溶液(如酸和碱)表面处理铝布线，以及在铝表面上轻微蚀刻。
顺便提及，在ITO膜和纯铝布线之间的直接接触产生了1.5×105Ω的接触电阻，而在ITO膜和Al-Nd合金布线(作为典型铝合金)之间的直接接触产生了8.4×105Ω的接触电阻。在ITO膜和AL-Nd合金布线之间插入有阻挡层金属(Mo)的间接接触(传统结构)产生1.0×101Ω的接触电阻。然而，Al-Ni合金布线的接触电阻为1.2×101Ω，Al-Ni-Nd合金布线的接触电阻为1.5×101Ω，而Al-Ni-Y合金布线的接触电阻为1.3×101Ω。这些数值都近似等于使用Mo作为阻挡层金属的传统结构的接触电阻。
以下是关于检验设备耐用性的试验结果。表示在ITO和铝合金之间直接接触的样品在80℃和80％相对湿度的恒温器中保持大约120小时或240小时。在比较样品上进行上述相同测试，所述比较样品通过在铝合金上用CVD法形成SiN膜、用干蚀刻产生接触孔以及最终形成ITO膜进行制备，或所述比较样品通过在铝合金布线上没有进行热处理(150℃以上)或干蚀刻的情况下直接在铝合金布线上形成ITO膜进行制备。发现那些进行了热处理(150℃以上)或干蚀刻的样品在测试前后的接触电阻没有改变。这发现对于含有2原子％Ni和0.6原子％Nd的铝合金来说是正确的。
以下是通过观察连接部件在长期应用高密度的脉冲电流之后出现的接触电阻变化来检验设备可靠性的试验结果。测试样品是由互相之间直接接触的铝合金和ITO组成的接触孔(80μm见方)。这次测试包括连续地施加5mA的脉冲电流(具有恒定脉冲宽度)到样品上，电流方向为从铝合金到ITO。5mA的电流是相当大的值，根据通过接触面积的电流密度计，该值相当于78A/cm2。包含2原子％Ni和0.6原子％Nd并且进行了热处理或干蚀刻的铝合金样品，以上述相同方法测试14小时之后，其保持15Ω的初始接触电阻。
从上述已知，包含彼此直接接触的ITO膜和纯铝布线的样品具有1.5×105Ω的接触电阻，然而由彼此直接接触的ITO膜和铝合金布线(根据本发明)组成的样品具有低得多的接触电阻(大约所述接触电阻的1/104)。
在液晶显示器的试用产品中应用上面提到的实施方案，与含有结合了阻挡层金属(如Mo)的ITO膜的传统设备相比，该试用产品在收率和显示质量方面相当。换句话说，本发明免除了必需的阻挡层金属，而制备出比得上传统显示器的显示器。这有助于简化生产步骤和降低生产成本。上述的铝合金膜可用作代替传统纯铝膜、铝合金膜或Mo-W膜的电极，从而与透明导电膜直接接触。这有助于简化生产步骤和降低生产成本。
以下涉及应用上述基材(带有TFT阵列)的无源矩阵式的显示器。
利用每条驱动像素的线，无源矩阵式的显示器具有运行在垂直和水平方向的电极线。在这种显示器中，即使在没有夹层绝缘膜的情况下用于电极(或者即使在电极布线没有进行形成如本发明人申请的前述专利申请文献中所描述金属间化合物的热处理的情况下)，在铝合金膜(用作电极布线)和ITO膜之间具有低接触电阻的直接接触也是可能的。在这种情况下，对于铝合金而言该方法没有涉及在铝合金表面上退火、接触蚀刻和蚀刻。然而，上述实施方案涉及在铝合金表面上的加热(由CVD产生而形成SiNx)和轻微蚀刻(由接触蚀刻SiNx而产生)。
另一方面，即使铝合金膜没有进行加热和蚀刻，本发明也可以直接接触。在ITO膜(组成透明电极)和包含2原子％Ni的铝合金之间直接接触的接触电阻为9Ω。对此的可能原因是当基材受热或暴露于等离子中而形成ITO膜时，合金元素(如Ni)由于加热、表面蚀刻以及自然氧化作用而富集在接触界面上，此外Ni至少在铝合金膜的最外层表面的晶界上分离出来。Ni的分离是由于Ni在铝中的低溶解度(小于0.1原子％)导致的。即使在这个情况下，因为增加了厚度(引起了氧浓度下降)而使铝合金氧化层保持相同的氧含量，并且少量Ni进入氧化物膜中，由此增加了其导电性。
图16是说明在基材上形成的薄膜晶体管结构(根据本发明的另一个实施方案)的示意性放大横截面图。在这个实施方案中的薄膜晶体管是顶端-门极型(top-gate type)。
如图16所示，在玻璃基材1a上形成的薄膜晶体管具有铝合金薄膜的扫描线。该扫描线的一部分起着控制薄膜晶体管(开和关)的门电极26的作用。存在与所述扫描线交叉的铝合金的信号线，在扫描线和信号线之间插入SiOx夹层绝缘膜。这些信号线的一部分起着薄膜晶体管的源电极28的作用。
在SiOx的夹层绝缘膜的像素区域上安置ITO(ITO是掺杂有SnO的In2O3)的透明导电膜5。薄膜晶体管也具有与透明导电膜5电连接的铝合金漏极29。
薄膜晶体管以参照图2的上述解释的相同方法工作。也就是说，当门电极26通过扫描线提供门极电压时薄膜晶体管打开，以使驱动电压(预先提供给信号线)通过漏极29从源电极28供给到透明导电膜5。在这种状态下，在各个相反的电极10(如参照图1所解释的那样)之间出现电势差，由此引起液晶分子在液晶层3中定向(用于光调制)。
图16所示基材(带有TFT阵列)用如下方式生产。顺便提及，在基材上的薄膜晶体管是顶端-门极类型的，其中半导体层由多晶硅(poly-Si)形成。图17～23简略地示出了根据本发明第二实施方案制造基材(带有TFT阵列)的步骤。
第一步，通过等离子CVD方法，在玻璃基材1a上按顺序涂敷具有氮化硅薄膜(SiNx)(大约50nm厚)、氧化硅膜(SiOx)(大约100nm厚)以及氢化无定型硅膜(a-Si:H)(大约50nm厚)，对该基材加热到约300℃。进行热处理以及激光退火使氢化无定型硅膜(a-Si:H)转化为多晶硅膜。热处理在大约470℃的大气中进行大约1小时用于脱氢。然后，如图17所示，该氢化非晶硅膜(a-Si:H)用准分子激光器光束(大约230mJ/cm2)照射以使其转变成多晶硅膜(poly-Si)(大约0.3μm厚)。
接着，如图18所示，多晶硅膜(poly-Si)通过等离子体蚀刻形成图案。然后，如图19所示，形成氧化硅膜(SiOx)(大约100nm厚)。这个氧化硅膜起着门极绝缘膜27的作用。在门极绝缘膜27上通过如下方法形成：溅射铝合金膜(大约200nm厚)，接着通过等离子体蚀刻铝合金膜形成图案去形成集成有扫描线的门电极26。
光致抗蚀剂31的掩膜如图20所示形成。在大约50keV下使用离子注入体系进行掺杂磷(大约1×1015原子/cm2)，以使在多晶硅膜(poly-Si)的一部分上形成n+-型多晶硅膜(n+-poly-Si)。光致抗蚀剂剥落并清除。然后，磷在大约500℃下通过热处理进行扩散。
如图21所示，通过使用等离子体CVD装置，基材保持大约300℃上，形成氧化硅膜(SiOx)(大约500nm厚)。这种氧化硅膜起着夹层绝缘膜的作用。为了形成接触孔，在氧化硅的夹层绝缘膜和氧化硅的门极绝缘膜27上通过形成有图案的光致抗蚀剂进行干蚀刻(以上述相同的方法形成)。铝合金膜(大约450nm厚)通过喷溅形成，然后将其形成图案，从而形成源电极28(集成有信号线)和漏极29。因此，源电极28和漏极29穿过它们各自的接触孔都与n+-多晶硅膜接触。
如图22所示，利用保持在大约300℃的基材，使用等离子体CVD装置形成氮化硅膜(SiNx)(大约500nm厚)。这种氮化硅膜起着夹层绝缘膜的作用。该氮化硅膜(SiNx)通过干蚀刻穿过在其上形成的光致抗蚀剂层31形成图案，以使在其中形成接触孔32。
如图23所示，经由氧等离子体灰化以及用如上所述的胺-基剥离溶液处理而除去光致抗蚀剂。以上述的两个阶段形成ITO膜(大约100nm厚)。也就是说，在初始阶段，利用非氧化气氛中加热来形成，而在第二阶段，在含氧气氛中形成。ITO膜通过湿蚀刻形成图案，以形成透明导电膜5。二阶段法在漏极29(其为铝合金膜)和透明导电膜5之间界面上形成含有小于44原子％氧的氧化物膜(1～10nm厚)，漏极29和透明导电膜5彼此间直接接触。该氧化物膜降低了它们之间的接触电阻。
最后，在大约350℃下进行退火约1个小时以稳定晶体管的特征性能。这样基材(带有TFT阵列)就完成了。
根据第二实施方案的基材(带有TFT阵列)以及结合有这种基材的显示器产生了与上述第一实施方案所产生作用相同的作用。顺便提及，在第一和第二实施方案中的铝合金层可都可以用作用于反射式显示器的反射电极。
顺便提及，上述透明导电膜5优选由氧化铟锡或氧化铟锌形成。以上提到的铝合金膜将通过部分或全部地溶解在非平衡态中的合金成分成为包含在富集层中的这种方式来形成，以使它的电阻率减少到低于8μΩ·cm，优选低于5μΩ·cm。另外，如果在铝合金膜和透明导电膜之间界面上存在包含小于44原子％氧的氧化物膜(1～10nm厚)，则该接触电阻可以显著地降低。
以上提到的铝合金膜可由汽相沉积或喷溅形成，优选后者。
如上所述完成的基材(带有TFT阵列)并入到如图1所示的平板显示器(液晶显示器)中。
基材(带有TFT阵列)的表面涂敷有聚酰亚胺。干燥之后，该聚酰亚胺涂层通过磨光制成定向层(alignment layer)。
反向基材2是玻璃板，其具有带矩阵图案的铬屏蔽膜9。在邻近屏蔽膜9之间的缝隙内形成了一个红、绿、或蓝色的塑料滤色镜8。在屏蔽膜9和滤色镜上形成共用电极7，其是ITO透明导电膜。用这种方法完成反向电极(opposing electrode)。反向电极用聚酰亚胺涂敷。干燥之后，该聚酰亚胺膜通过磨光制成定向层11。
基材1(带有TFT阵列)和反向基材2装配在一起，使它们的定向层彼此面对。在这两种基材之间插入隔离物15，以使在这两种基材之间维持一定程度的缝隙。除了液晶输入开口外，用塑料密封胶16密封缝隙。
将所得空元件放置在真空容器中，将这个开口浸泡在液晶中。在容器中的压力逐渐地恢复到大气压力下，以使空元件充满液晶，并密封开口。最后，偏振器10粘附在被填满元件的两侧上。用这种方法完成了液晶面板。
如图1所示，液晶面板电连接到驱动电路上以驱动液晶显示器。该驱动电路安置在液晶面板侧面或背后。液晶面板装配到框架23中，该框架具有一个开口以限定液晶面板的显示区域，而且它还具有背光22和用于表面光源的光导板20。用这种方法完成了液晶显示器。
实施例
表1示出透明导电膜5(在带有TFT阵列的基材上)和铝合金膜之间的接触电阻的测定值，所述透明导电膜5和铝合金膜相互直接接触。
测定实验以下列方式进行。
(1)透明导电膜的组成：由氧化铟和10重量％氧化锡构成的氧化铟锡(ITO)；或由氧化铟和10重量％氧化锌构成的氧化铟锌(IZO)。在这两种情况下，膜厚都为200nm。
(2)铝合金膜的组成：含2原子％Ni的铝合金；或含2原子％Ni和0.6原子％Nd的铝合金。
(3)透明导电膜的形成：
在形成的初始阶段的条件A。
气氛气体：氩
压力：3mTorr
喷溅能量密度：1.9W/cm2
膜厚：20nm
在形成后面阶段的条件B：
气氛气体：氩/氧混合气体
压力：3mTorr(氩分压：2.98mTorr；氧分压：0.02mTorr)
喷溅能量密度：1.9W/cm2
膜厚：180nm
(4)加热条件：当ITO膜形成时，控制加热，以使基材在室温或150℃。
顺便提及，实验号10进行的方式是在已经形成图案的铝合金膜上直接形成ITO膜，然后使ITO膜形成图案，以便形成80m见方的接触。在该实验中，没有形成SiN膜，并且没有进行使用氟等离子体的蚀刻。
(5)接触电阻的测定：用图24所示的开尔文图案，通过四端子测量法(four terminal measurement)进行。电流I通过I1和I2(或者通过ITO(或IZO)和铝合金)，并监控横过V1和V2(或者ITO(或IZO)和铝合金)的电压降V。在接触C上的接触电阻R由R＝(V2-V1)/I计算。所述开尔文图案以下列方式制备。
铝合金中的Ni含量由ICP(感应耦合等离子体)发射分析确定。Ni-富集层和氧化物膜的厚度在TEM下观察横截面而测定。在Ni-富集层的Ni含量和在氧化物层中的氧含量通过EDX对用于在TEM下观察横截面的相同样品进行测定。
为绝缘，在硅晶片(代替玻璃基材)上涂敷SiO2的热氧化物膜(400nm厚)。在该氧化物膜上由喷溅形成铝合金膜(300nm厚)。形成图案之后，在其上由CVD法形成SiNx的绝缘膜(300nm厚)。所涂敷的硅晶片在膜形成真空室中进行1小时热处理。用于接触孔的图案(80μm见方)通过光刻技术形成。接触孔用氟等离子体蚀刻制备。根据上述的两阶段法，8小时内在铝合金膜上喷溅形成ITO膜或IZO膜(200nm厚)。将ITO膜或IZO膜形成图案。
使用四端子手动探测器(four terminal manual prober)和半导体参数分析仪“HP4156A”(来自Hewlett Packard)测定铝合金膜和ITO膜(或IZO膜)之间的接触电阻。通过这种方法测定的接触电阻R由R＝(V2-V1)/I表示。该测定方法给出ITO膜(或IZO膜)和铝合金之间的接触的纯电阻，消除了布线电阻的作用。
表1
  样品号   铝合金中的元素(原子％)   ITO膜形成条件  ITO膜形成温度(℃)   Ni-富集层的厚度(nm)   Ni-富集层中的Ni含量(原子％)   氧化物膜的厚度(μm)   氧化物膜中的氧含量(原子％)   接触电阻(Ω)   ITO的电导率(mΩ.cm)
  1   2％Ni   A和B  室温   1.5   8.1   4-4.5   39.8   13   0.25
  2   2％Ni   只有A  150   1.5   7.9   4   39.6   3-33   0.8
  3   2％Ni   只有B  RT   1.5   8   5.5   44.6   750   0.25
  4   2％Ni   只有B  150   1.5-2   8.3   5   42.6   250   0.1
  5   2％Ni   A和B  150   1.5-2   8.1   4-4.5   40.2   12   0.1
  6   0.1％Ni   A和B  150   1-1.5   1.7   3.5-4   41.8   317   0.1
  7   0.1％Ni   只有A  150   1-1.5   1.7   5.5   46   3620   0.8
  8   2％Ni-0.6％Nd   A和B  室温   1.5   7.7   4   40   17   0.25
  9   2％Ni-0.6％Nd   A和B  150   1-1.5   8.2   4   40.2   15   0.1
  10   2％Ni-0.6％Y   A和B  150   1-1.5   8.4   4.5   39.2   18   0.1
  11   2％Ni-0.6％Fe   A和B  150   1-1.5   7.9   4   40.1   21   0.1
  12   2％Ni-0.6％Co   A和B  150   1-1.5   8.1   4   40.4   20   0.1
  13   2％Ni   A和B  室温   --   --   5   43   100   0.25
样品号13的制备采用SiN膜形成步骤，并省略了干蚀刻步骤。
同时，ITO膜和纯铝之间的直接接触电阻为1.5×105Ω，而ITO膜和Al-Nd合金(尤其是用于布线的铝合金)之间的直接接触电阻为8.4×104Ω。然而，在其间插入有阻挡层金属Mo的ITO膜和Al-Nd合金之间的间接接触电阻为1.0×101Ω(在传统结构中)。
在本发明的前面实例中，在接触孔(80μm见方)上的Al-Ni合金布线的接触电阻为1.2×101Ω，而Al-Ni-Y合金布线的接触电阻为1.3×101Ω，在接触界面上形成的每个合金布线都具有氧缺乏的氧化物膜。这些电阻值几乎都等于具有Mo阻挡层金属的传统结构的电阻值。
安置有本发明实施方案的基材的液晶显示器在生产率和显示质量上与其中具有含阻挡层金属的ITO膜的显示器相当。因此，根据本发明，在不需要阻挡层金属的条件下，可以生产与传统显示器相媲美的液晶显示器。
省略阻挡层金属可以简化生产步骤和降低生产成本。
根据本发明，晶体管电极由代替纯铝或传统铝合金(或Mo-W膜)的含特殊元素铝合金形成，以使在接触界面上存在含有限氧含量的氧化物膜。这种结构可以与透明导电膜直接接触，简化生产步骤，并大大降低生产成本。

Claims (10)

1.一种显示器，它包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间的界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子％的氧。
2.如权利要求1所限定的显示器，其中所述铝合金膜含有从Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge和Bi中选择的至少一种合金组分，该至少一种合金组分含量为0.1～6原子％。
3.如权利要求2所限定的显示器，其中所述铝合金膜至少含有Ni。
4.如权利要求3所限定的显示器，其中在所述铝合金膜和所述氧化物膜之间界面处存在厚度为0.5～10nm的Ni-富集层，而所述Ni-富集层的平均Ni浓度大于在所述铝合金膜中平均Ni浓度的两倍。
5.如权利要求1所限定的显示器，其中所述铝合金膜另外含有从Nd、Y、Fe、Co、Ti、Ta、Cr、Zr和Hf中选择的至少一种合金组分，所述至少一种合金组分的含量为0.1～6原子％。
6.如权利要求1所限定的显示器，其中所述透明导电膜由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。
7.如权利要求1所限定的显示器，其中所述铝合金膜起反射膜的作用。
8.如权利要求1所限定的显示器，其中所述铝合金膜上涂敷有透明导电膜，以便所得层制品起着翼片连接电极的作用。
9.一种无源矩阵式的显示器，其包括基材、透明导电膜以及电连接所述透明导电膜的铝合金膜，以便在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子％的氧。
10.一种用于制备显示器的方法，它包括如下步骤：在初始阶段于非氧化气体气氛中和在第二阶段于含氧气体气氛中在基材上形成铝合金，随后在所述铝合金膜上形成透明导电膜(用于电极)，从而在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面上形成所述铝合金的氧化物膜，所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子％的氧。
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