CN1738064A - 光感测器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区位于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的角落。本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。

Description

光感测器及其制造方法
技术领域
本发明是有关于感光二极管结构，且特别是有关于与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构。
背景技术
近来，形成于浅沟渠绝缘区(shallow trench isolation；STI)之下N型光感测器/P型基板(N-type photo sensor/P-sub；NPS/P-sub)感光二极管已由于其低暗电流(dark current)与高量子效率(quantum efficiency)而被广泛地使用；相反地，在传统的影像感测器中，夹止式感光二极管结构是利用在基板的表面附近形成埋入式接面(buried junction)，而改善暗电流以及短波长的响应(blue response)。
一般而言，于侦测来自一物体的光线时，夹止式感光二极管(pinned photodiode；PPD)已广泛地被用为产生并累积影像感测器产生的光电荷(photoelectric charge)的元件，同时亦由于其是由埋于基板内的PNP型接面或NPN型接面所形成，故称为“埋入式感光二极管”，与其他结构的感光二极管相较之下，夹止式感光二极管有各种好处，其中之一为有较宽的空乏区宽度(depletion width)，使得可在入射的光子转变为电荷时，产生较高的量子效率，亦即在包括一PNP型接面结构的夹止式感光二极管中，N型区域完全被空乏(fully depleted)，且空乏区因具有较宽的空乏区宽度而延伸至两P型区域，因此，此空乏区宽度的纵向延伸可增加量子效率，并因此而具有较佳的光敏感度。
然而，夹止式感光二极管由于难以控制浅源/漏极接面的形成，且在传统制程中不能涵盖浅沟渠绝缘结构的角落的缘故，故不相容于传统的浅沟渠绝缘技术(STI technology)。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该夹止式感光二极管提供较佳的暗电流与短波长的响应。
本发明的提供一种光感测器，具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区形成于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆不会延伸超过沟渠的角落。
本发明所述的光感测器，该第一导电型与第二导电型的掺杂区的边缘到沟渠转角的距离为0.1微米至0.3微米。
本发明所述的光感测器，至少一该第一导电型掺杂区有一部分未与对应的该第二导电型掺杂区重叠。
本发明所述的光感测器，该第一导电型的掺杂区到第二导电型的掺杂区的距离为0.1微米至0.3微米。
本发明所述的光感测器，更包括一该第一导电型的阱区以及一该第二导电型的阱区，该第一导电型的阱区与该第一导电型的掺杂区耦接，该第二导电型的阱区与该第二导电型的掺杂区耦接。
本发明所述的光感测器，更包括一转移晶体管，有该第二导电型的源/漏极区。
本发明所述的光感测器，该第二导电型的阱区与该第二导电型的源/漏极区耦接。
本发明另提供一种制造光感测器的方法，所述制造光感测器的方法包括：形成至少一沟渠，该沟渠位于一第一导电型的基板内；形成至少一该第二导电型的掺杂区，位于一对应的沟渠下；形成至少一第一导电型的掺杂区，使对应的该第二导电型掺杂区位于该第一导电型的掺杂区与该基板之间；其中，该第一导电型与第二导电型的掺杂区未与沟渠的转角连接。
本发明所述的制造光感测器的方法，该第一导电型与第二导电型的掺杂区的边缘到沟渠转角的距离为0.1微米至0.3微米。
本发明所述的制造光感测器的方法，至少一该第一导电型掺杂区有一部分未与对应的该第二导电型掺杂区重叠。
本发明所述的制造光感测器的方法，该第一导电型的掺杂区到第二导电型的掺杂区的距离为0.1微米至0.3微米。
本发明所述的制造光感测器的方法，更包括一该第一导电型的阱区以及一该第二导电型的阱区，该第一导电型的阱区与该第一导电型的掺杂区耦接，该第二导电型的阱区与该第二导电型的掺杂区耦接。
本发明所述的制造光感测器的方法，更包括一转移晶体管，有该第二导电型的源/漏极区。
本发明所述的制造光感测器的方法，该第二导电型的阱区与该第二导电型的源/漏极区耦接。
本发明所述的制造光感测器的方法，至少一该第一导电型的基板内的沟渠是由至少一垫介电层所定义，且对该第一导电型的基板进行干蚀刻所形成。
本发明所述的制造光感测器的方法，更包括于该沟渠的表面形成一衬氧化层。
本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。
附图说明
图1绘示依据本发明一实施例的光感测器；
图2绘示依据本发明另一实施例的光感测器；
图3A至图3E绘示依据本发明一实施例的光感测器的制程。
具体实施方式
以下将对依据本发明的实施例的光感测器的建构加以叙述，虽然揭露的实施例中为NPN型的夹止式感光二极管结构，这些实施例亦适用于PNP型的夹止式感光二极管结构。
图1绘示一依据本发明的实施例的光感测器，该光感测器100包括一P型基板110、至少一形成于该基板内的沟渠120、至少一P型的浓掺杂区122以及至少一N型的淡掺杂区124，每一P型的浓掺杂区122形成于一对应的沟渠120下，每一N型的淡掺杂区位于对应的P型掺杂区122与基板110之间，P型的浓掺杂区122或N型的淡掺杂区124皆不会延伸超过沟渠的角落126，更明确地说，一掺杂区的边缘至对应沟渠角落126的距离125介于0.1至0.3微米之间；由于在高温退火(thermalannealing)之后，在沟渠角落126的附近仍会有一些错位(dislocation)，因此需要避免PNP夹止式感光二极管结构与沟渠角落126的重叠，以降低暗电流，再者，如图1所示，有一部分P型的浓掺杂区122未与N型的淡掺杂区124重叠，更明确地说，N型的淡掺杂区124到对应的P型的浓掺杂区122之间的间隔127为0.1微米至0.3微米。一P型阱区128与P型的浓掺杂区122耦接，并透过间隔127提供偏压给P型的浓掺杂区122，相同地，一N型阱区130耦接到N型的淡掺杂区124，产生在N型的淡掺杂区124的空乏区里的电荷会被N型阱区130接收，其后，电荷会通过N型的浓掺杂区131与一金属连线132被转移到转移晶体管134的源/漏极区133。
图2绘示光感测器的另一实施例，光感测器200包括一P型基板210、至少一形成于该P型基板210内的沟渠220以及至少一P+/N-接面223，每一P+/N-接面223位于对应的沟渠220之下，每一N型的淡掺杂区224位于对应的P型的浓掺杂区222与该P型基板210之间，该P型的浓掺杂区222与N型的淡掺杂区224皆未延伸至沟渠的转角226，更明确地说，从掺杂区的边缘到对应的沟渠转角226的距离225为0.1微米至0.3微米，如图2所示，有一部分P型的浓掺杂区222未与N型的淡掺杂区224重叠，更明确地说，N型的淡掺杂区224到对应的P型的浓掺杂区222之间的间隔227为0.1微米至0.3微米。一P型阱区228耦接至P型的浓掺杂区222，并透过间隔227提供偏压给P型的浓掺杂区222，相同地，一N型阱区230耦接到N型的淡掺杂区224，产生在N型的淡掺杂区224的空乏区里的电荷会被N型阱区230接收，其后，电荷会被转移到转移晶体管234的源/漏极区233。
图3A至图3E绘示一光感测器的制程的实施例，首先，如图3A所示，以干蚀刻制程于一P型基板300中形成至少一沟渠311，该沟渠311由一垫氧化层312与垫氮化层314所定义，较佳而言，可以干氧化制程形成一衬氧化层以减少对沟渠表面所造成的伤害，接着，进行微影与离子布植制程，一光致抗蚀剂层317将垫氧化层312、垫氮化层314以及沟渠311的所有表面覆盖，沟渠转角315亦被光致抗蚀剂层317所覆盖，如图3B所示，以离子布植320于该P型基板300中形成一N型的淡掺杂区318，在形成N型的淡掺杂区318之后，便进行微影与离子布植制程，如图3C所示，光致抗蚀剂层323的开口比光致抗蚀剂层317的开口要大，另一离子布植制程于P型基板300中形成一P型的浓掺杂区322，在图3C中，N型的淡掺杂区318夹在P型的浓掺杂区322与P型基板300之间，再者，部分P型的浓掺杂区322未与N型的淡掺杂区318重叠，在形成PNP夹止式感光二极管之后，于沟渠中填入绝缘介电质，再以化学机械研磨(CMP)进行回蚀(etch back)，其后，再进行与标准逻辑制程相容的P型阱区形成制程，如图3D所示，以微影与离子布植制程形成的P型阱区326与P型的浓掺杂区322耦接，以便于在操作时可对P型的浓掺杂区322提供一偏压，相同地，在P型阱区326形成后，再进行与标准逻辑制程相容的N型阱区形成制程，如图3E所示，以微影与离子布植制程形成的N型阱区328与N型的淡掺杂区318耦接，以便于在操作时可对N型的淡掺杂区318提供一偏压，最后，可以标准逻辑制程形成晶体管，以建构主动像素感测器(active pixelsensor)内的感测器电路。
本发明的实施例所提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
附图中符号的简单说明如下：
100：光感测器
110：P型基板
120：沟渠
122：P型的浓掺杂区
124：N型的淡掺杂区
125：距离
126：角落
127：间隔
130：N型阱区
131：N型的浓掺杂区
132：金属连线
133：源/漏极区
134：转移晶体管
200：光感测器
210：P型基板
220：沟渠
222：P型的浓掺杂区
223：P+/N-接面
224：N型的淡掺杂区
225：距离
226：角落
227：间隔
228：P型阱区
230：N型阱区
233：源/漏极区
234：转移晶体管
300：P型基板
311：沟渠
312：垫氧化层
314：垫氮化层
315：沟渠转角
317：光致抗蚀剂层
318：N型的淡掺杂区
320：离子布植
322：P型的浓掺杂区
323：光致抗蚀剂层
326：P型阱区
328：N型阱区

Claims (16)

1、一种光感测器，所述光感测器包括：
一第一导电型的基板；
至少一位于该基板内的沟渠；
至少一该第一导电型的掺杂区，位于一对应的沟渠下；以及
至少一第二导电型的掺杂区，位于对应的该第一导电型掺杂区与该基板之间；
其中，该第一导电型与第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的转角。
2、根据权利要求1所述的光感测器，其特征在于：该第一导电型与第二导电型的掺杂区的边缘到沟渠转角的距离为0.1微米至0.3微米。
3、根据权利要求1所述的光感测器，其特征在于：至少一该第一导电型掺杂区有一部分未与对应的该第二导电型掺杂区重叠。
4、根据权利要求3所述的光感测器，其特征在于：该第一导电型的掺杂区到第二导电型的掺杂区的距离为0.1微米至0.3微米。
5、根据权利要求1所述的光感测器，其特征在于：更包括一该第一导电型的阱区以及一该第二导电型的阱区，该第一导电型的阱区与该第一导电型的掺杂区耦接，该第二导电型的阱区与该第二导电型的掺杂区耦接。
6、根据权利要求5所述的光感测器，其特征在于：更包括一转移晶体管，有该第二导电型的源/漏极区。
7、根据权利要求6所述的光感测器，其特征在于：该第二导电型的阱区与该第二导电型的源/漏极区耦接。
8、一种制造光感测器的方法，所述制造光感测器的方法包括：
形成至少一沟渠，该沟渠位于一第一导电型的基板内；
形成至少一该第二导电型的掺杂区，位于一对应的沟渠下；
形成至少一第一导电型的掺杂区，使对应的该第二导电型掺杂区位于该第一导电型的掺杂区与该基板之间；
其中，该第一导电型与第二导电型的掺杂区未与沟渠的转角连接。
9、根据权利要求8所述的制造光感测器的方法，其特征在于：该第一导电型与第二导电型的掺杂区的边缘到沟渠转角的距离为0.1微米至0.3微米。
10、根据权利要求8所述的制造光感测器的方法，其特征在于：至少一该第一导电型掺杂区有一部分未与对应的该第二导电型掺杂区重叠。
11、根据权利要求10所述的制造光感测器的方法，其特征在于：该第一导电型的掺杂区到第二导电型的掺杂区的距离为0.1微米至0.3微米。
12、根据权利要求8所述的制造光感测器的方法，其特征在于：更包括一该第一导电型的阱区以及一该第二导电型的阱区，该第一导电型的阱区与该第一导电型的掺杂区耦接，该第二导电型的阱区与该第二导电型的掺杂区耦接。
13、根据权利要求12所述的制造光感测器的方法，其特征在于：更包括一转移晶体管，有该第二导电型的源/漏极区。
14、根据权利要求13所述的制造光感测器的方法，其特征在于：该第二导电型的阱区与该第二导电型的源/漏极区耦接。
15、根据权利要求8所述的制造光感测器的方法，其特征在于：至少一该第一导电型的基板内的沟渠是由至少一垫介电层所定义，且对该第一导电型的基板进行干蚀刻所形成。
16、根据权利要求8所述的制造光感测器的方法，其特征在于：更包括于该沟渠的表面形成一衬氧化层。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7145190B2 (en) * 2004-08-16 2006-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pinned photodiode integrated with trench isolation and fabrication method
KR100718876B1 (ko) * 2005-06-23 2007-05-17 (주)실리콘화일 이미지 센서의 픽셀 및 그 제조방법
US7271025B2 (en) * 2005-07-12 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Image sensor with SOI substrate
KR100718880B1 (ko) * 2005-08-13 2007-05-17 (주)실리콘화일 이미지 센서 픽셀 및 그 제조방법
KR20090035262A (ko) * 2007-10-05 2009-04-09 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그의 제조 방법
WO2010106800A1 (ja) * 2009-03-18 2010-09-23 国立大学法人豊橋技術科学大学 分光装置及びその制御方法
JP5428479B2 (ja) * 2009-04-13 2014-02-26 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および電子機器
CN107946359B (zh) * 2017-05-02 2024-02-06 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种带电荷收集槽的功率mosfet器件及其制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100298178B1 (ko) * 1998-06-29 2001-08-07 박종섭 이미지센서의포토다이오드
TW466780B (en) * 2000-03-17 2001-12-01 Taiwan Semiconductor Mfg Method to accurately control the manufacturing of high performance photodiode
KR100558530B1 (ko) * 2003-09-23 2006-03-10 동부아남반도체 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7232697B2 (en) * 2003-12-23 2007-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having enhanced photo sensitivity and method for manufacture thereof
US7145190B2 (en) * 2004-08-16 2006-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pinned photodiode integrated with trench isolation and fabrication method

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Publication number Publication date
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US7145190B2 (en) 2006-12-05
US7479403B2 (en) 2009-01-20

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