CN1755493B - 用于干涉式调制中的多级亮度的系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种具有复数个反射性显示元件的显示器。在一实施例中，所述显示元件包括至少一个具有复数个有效区域的电极。在一实施例中，至少两个有效区域的尺寸彼此不同，例如其尺寸不均匀。所述干涉式调制器具有复数种状态，其中所述干涉式调制器中所选的干涉式调制器配置成根据干涉式调制器中不同的静电力而受到激励。所述干涉式调制器中的静电力至少部分地因电极的有效区域的尺寸的变化而不同。

Description

用于干涉式调制中的多级亮度的系统及方法
技术领域
本发明的技术领域涉及微机电系统(MEMS)。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激励器及电子元件。微机械元件可采用沉积、蚀刻或其他可蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的若干部分或可添加若干层以形成电和机电装置的微机械加工工艺制成。一种类型的MEMS装置被称为干涉式调制器。干涉式调制器可包含一对导电板，其中之一或二者均可全部或部分地透明及/或为反射性，且在施加一个适当的电信号时能够相对运动。其中一个板可包含一沉积在一衬底上的静止层，另一个板可包含一通过一空气间隙与该静止层隔开的金属隔板。上述装置具有广泛的应用范围，且在此项技术中，利用及/或修改这些类型装置的特性、以使其性能可用于改善现有产品及制造目前尚未开发的新产品将颇为有益。
发明内容
本发明的系统、方法及装置均具有多个方面，任一单个方面均不能单独决定其所期望特性。现在，对其更主要的特性进行简要论述，此并不限定本发明的范围。在查看这一论述，尤其是在阅读了标题为“具体实施方式”的部分之后，人们即可理解本发明的特征如何提供优于其他显示装置的优点。
一个实施例包括一种显示元件。所述显示元件包括复数个干涉式调制器。每一干涉式调制器均经配置以通过改变所述干涉式调制器中的静电力来激励。所述显示元件进一步包括至少一个具有复数个有效区域的电极。每一有效区域均对应于所述复数个干涉式调制器之一。所述有效区域中的至少两个具有相互不同的尺寸。所述干涉式调制器中的静电力至少部分地因所述干涉式调制器中电极的有效区域的尺寸变化而变化。
另一实施例包括一种显示元件。所述显示元件包括复数个用于调制光的构件。每一调制构件均经配置以通过改变所述调制构件中的静电力来受到激励。所述显示元件进一步包括至少一个用于导电的构件。所述导电构件具有复数个有效区域。每一有效区域均对应于所述复数个调制构件中的一个。所述有效区域中的至少两个具有相互不同的尺寸。所述调制构件中的静电力至少部分地因所述调制构件中导电构件的有效区域的尺寸变化而变化。
另一实施例包括一种显示器。所述显示器包括复数个反射性显示元件。每一显示元件均具有一第一电极及一第二电极。所述第二电极具有基本不均匀的宽度并跨越至少两个显示元件。
另一实施例包括一种显示器。所述显示器包括复数个用于反射光的构件。每一反射构件均包括一用于导电的第一构件及一用于导电的第二构件。所述第二导电构件具有一基本不均匀的宽度并跨越至少两个反射构件。
另一实施例包括一种显示元件。所述显示元件包括一具有一不均匀宽度的第一电极。所述显示元件进一步包括一第二电极。所述第一电极经配置以响应于所述第一电极与所述第二电极之间一电压差的改变而激活所述显示元件的所选部分。
另一实施例包括一种显示元件。所述显示元件包括用于导电的第一构件。所述第一导电构件具有不均匀的宽度。所述显示元件进一步包括用于导电的第二构件。所述第一导电构件经配置以响应于改变所述第一导电构件与所述第二导电构件之间的电压差而激活所述显示元件的所选部分。
另一实施例包括一种激励一显示元件的方法。所述方法包括提供复数个干涉式调制器。每一干涉式调制器均经配置以由所述干涉式调制器中的静电力来激励。所述方法进一步包括提供至少一个具有复数个有效区域的电极。每一有效区域均对应于所述复数个干涉式调制器之一。所述有效区域中的至少两个具有相互不同的尺寸。所述方法进一步包括改变所述干涉式调制器中的静电力。
另一实施例包括一种方法。所述方法包括向一具有基本不均匀的宽度的电极提供电压。所述方法进一步包括响应于所提供的电压而激活复数个反射性显示元件中所选的反射性显示元件。
另一实施例包括一种激励一显示元件的方法。所述方法包括：改变一第一电极与一第二电极之间的一电压差。所述第一电极与所述第二电极中的至少一个具有不均匀的形状。被改变的电压差引起一干涉式调制器的光学特性的变化。所述方法进一步包括响应于被改变的电压差而将所述显示元件的小部分选择性地激活或去激活。
附图说明
图1为一等轴图，其显示一干涉式调制器显示器的一实施例的一部分，其中一第一干涉式调制器的一可移动反射层处于一释放位置，且一第二干涉式调制器的一可移动反射层处于一受激励位置。
图2为一系统方框图，其显示一包含一3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一实施例。
图3为图1所示干涉式调制器的一实例性实施例的可移动镜位置与所施加电压的关系图。
图4为一组可用于驱动干涉式调制器显示器的行和列电压的示意图。
图5A显示在图2所示的3x3干涉式调制器显示器中的一个实例性显示数据帧。
图5B显示可用于写入图5A所示帧的行信号及列信号的一个实例性时序图。
图6A为一图1所示装置的剖面图。
图6B为一干涉式调制器的一替代实施例的一剖面图。
图6C为一干涉式调制器的另一替代实施例的一剖面图。
图7显示电极区域尺寸对一无用于使释放特性固定不变的锁存电极的调制器的光学特性的影响。
图8显示电极区域尺寸对一具有用于使释放特性固定不变的锁存电极的调制器的光学特性的影响。
图9A为图1所示干涉式调制器的一实施例的自上向下的剖面图。
图9B为图1所示干涉式调制器的另一实施例的自上向下的剖面图。
图10为图9A及9B所示干涉式调制器的光学响应曲线。
图11为一实例性的干涉式调制器子阵列。
图12a更详细地显示图9A及9B所示干涉式调制器的光学响应曲线。
图12b为一表，其描述图9所示干涉式调制器的所施加电压与激励及释放。
图13A-13F为时序图，其显示用于驱动图11所示干涉式调制器的信号。
图14为一干涉式调制器的另一实施例的自上向下的剖面图。
图15为图14所示干涉式调制器的光学响应曲线。
图16A及16B为系统方块图，其显示一包含复数个干涉式调制器的视觉显示装置的一实施例。
具体实施方式
下文说明是针对本发明的某些具体实施例。不过，本发明可通过许多种不同的方式实施。在本说明中，会参照附图，在附图中，相同的部件自始至终使用相同的编号标识。根据以下说明容易看出，本发明可在任一构造用于显示图像-无论是动态图像(例如视频)还是静态图像(例如静止图像)，无论是文字图像还是图片图像-的装置中实施。更具体而言，本发明可在例如(但不限于)以下等众多种电子装置中实施或与这些电子装置相关联：移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式计算机或便携式计算机、GPS接收器/导航器、照像机、MP3播放器、摄录机、游戏机、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如里程表显示器等)、驾驶舱控制装置及/或显示器、照像机景物显示器(例如车辆的后视照像机显示器)、电子照片、电子告示牌或标牌、投影仪、建筑结构、包装及美学结构(例如一件珠宝的图像显示器)。与本文所述MEMS装置具有类似结构的MEMS装置也可用于非显示应用，例如用于电子切换装置。
本发明的一个实施例涉及一种干涉式调制器阵列。提供一具有不均匀宽度的电极来选择性地激活阵列中的某些干涉式调制器。某些干涉式调制器的电极的有效区域的尺寸大于其他干涉式调制器的电极的有效区域。因此，通过改变提供至电极的电压及对应的静电力，可控制受激励的干涉式调制器的数量。
图1中显示一个含有一干涉式MEMS显示元件的干涉式调制器显示器实施例。在这些装置中，像素处于亮状态或暗状态。在亮(“开(on)”或“打开(open)”)状态下，显示元件将入射可见光的大部分反射至用户。在处于暗(“关(off)”或“关闭(closed)”)状态下时，显示元件几乎不向用户反射入射可见光。视不同的实施例而定，可颠倒“开”与“关”状态的光反射性质。MEMS像素可构造成主要在所选色彩下反射，以除黑色和白色之外还可实现彩色显示。
图1为一等轴图，其显示一视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素，其中每一像素均包含一MEMS干涉式调制器。在某些实施例中，一干涉式调制器显示器包含一由这些干涉式调制器构成的行/列阵列。每一干涉式调制器都包括一对反射层，该对反射层定位成彼此相距一可变且可控的距离，以形成一至少具有一个可变尺寸的光学谐振空腔。在一实施例中，其中一个反射层可在两个位置之间移动。在本文中称为释放状态的第一位置上，该可移动层的位置距离一固定的局部反射层相对远。在第二位置上，该可移动层的位置更近地靠近该局部反射层。根据可移动反射层的位置而定，从这两个层反射的入射光会以相长或相消方式干涉，从而形成各像素的总体反射或非反射状态。
在图1中显示的像素阵列部分包括两个相邻的干涉式调制器12a和12b。在左侧的干涉式调制器12a中，显示一可移动的高度反射层14a处于一释放位置，该释放位置距一固定的局部反射层16a一预定距离。在右侧的干涉式调制器12b中，显示该可移动的高度反射层14b处于一受激励位置处，该受激励位置靠近固定的局部反射层16b。
固定层16a、16b可导电、局部透明且局部为反射性，并可通过(例如)在一透明衬底20上沉积一个或多个各自为铬及氧化铟锡的层而制成。所述各层被图案化成平行条带，且可形成一显示装置中的行电极，如将在下文中所进一步说明。可移动层14a、14b可形成为由沉积在支柱18顶部上的一或多个沉积金属层(与行电极16a、16b正交)及一沉积在支柱18之间的中间牺牲材料构成的一系列平行条带。在蚀刻掉牺牲材料以后，这些可变形的金属层与固定的金属层通过一规定的气隙19隔开。这些可变形层可使用一具有高度导电性及反射性的材料(例如铝)，且该些条带可形成一显示装置中的列电极。
在未施加电压时，空腔19保持位于层14a、16a之间，且可变形层处于如图1中像素12a所示的一机械弛豫状态。然而，在向一所选行和列施加电位差之后，在所述行和列电极相交处的对应像素处形成的电容器被充电，且静电力将这些电极拉向一起。如果电压足够高，则可移动层发生形变，并被压到固定层上(可在固定层上沉积一介电材料(在该图中未示出)，以防止短路，并控制分隔距离)，如图1中右侧的像素12b所示。无论所施加的电位差极性如何，该行为均相同。由此可见，可控制反射与非反射像素状态的行/列激励与传统的LCD及其他显示技术中所用的行/列激励在许多方面相似。
图2至图5显示一个在一显示应用中使用一干涉式调制器阵列的实例性过程及系统。图2为一系统方框图，该图显示一可体现本发明各方面的电子装置的一个实施例。在该实例性实施例中，所述电子装置包括一处理器21-其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器，例如ARM、
Figure S051A5054520051009D000061
Figure S051A5054520051009D000063
Figure S051A5054520051009D000065
Pro、8051、
Figure S051A5054520051009D000067
Figure S051A5054520051009D000068
，或任何专用微处理器，例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列。按照业内惯例，可将处理器21配置成执行一个或多个软件模块。除执行一个操作系统外，还可将该处理器配置成执行一个或多个软件应用程序，包括网页浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一实施例中，处理器21还配置成与一阵列控制器22进行通信。在一实施例中，该阵列控制器22包括向一像素阵列30提供信号的一行驱动电路24及一列驱动电路26。图1中所示的阵列剖面图在图2中以线1-1示出。对于MEMS干涉式调制器，所述行/列激励协议可利用图3所示的这些装置的滞后性质。其可能需要例如一10伏的电位差来使一可移动层自释放状态变形至受激励状态。然而，当所述电压自该值降低时，在所述电压降低回至10伏以下时，所述可移动层将保持其状态。在图3的实例性实施例中，在电压降低至2伏以下之前，可移动层不会完全释放。因此，在图3所示的实例中，存在一大约为3-7伏的电压范围，在该电压范围内存在一施加电压窗口，在该窗口内所述装置稳定在释放或受激励状态。在本文中将其称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于一具有图3所示滞后特性的显示阵列而言，行/列激励协议可设计成在行选通期间，向所选通行中将被激励的像素施加一约10伏的电压差，并向将被释放的像素施加一接近0伏的电压差。在选通之后，向像素施加一约5伏的稳态电压差，以使其保持在行选通使其所处的任何状态。在被写入之后，在该实例中，每一像素均承受一处于3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。该特性使图1所示的像素设计在相同的所施加电压条件下稳定在一既有的激励状态或释放状态。由于干涉式调制器的每一像素，无论处于激励状态还是释放状态，实质上均是一由所述固定反射层及移动反射层所构成的电容器，因此，该稳定状态可在一滞后窗口内的电压下得以保持而几乎不消耗功率。如果所施加的电位恒定，则基本上没有电流流入像素。
在典型应用中，可通过根据第一行中所期望的一组受激励像素确定一组列电极而形成一显示帧。此后，将一行脉冲施加于第1行的电极，从而激励与所确定的列线对应的像素。此后，将所确定的一组列电极变成与第二行中所期望的一组受激励像素对应。此后，将一脉冲施加于第2行的电极，从而根据所确定的列电极来激励第2行中的相应像素。第1行的像素不受第2行的脉冲的影响，因而保持其在第1行的脉冲期间所设定到的状态。可按顺序性方式对全部系列的行重复上述步骤，以形成所述的帧。通常，通过以某一所期望帧数/秒的速度连续重复该过程来用新显示数据刷新及/或更新这些帧。还有很多种用于驱动像素阵列的行及列电极以形成显示帧的协议亦为人们所熟知，且可用于本发明。
图4及图5显示一种用于在图2所示的3×3阵列上形成一显示帧的可能的激励协议。图4显示一组可用于具有图3所示滞后曲线的像素的可能的行及列电压电平。在图4的实施例中，激励一像素包括将相应的列设定至-Vbias，并将相应的行设定至+ΔV，其可分别对应于-5伏及+5伏。释放像素则是通过将相应的列设定至+Vbias并将相应的行设定至相同的+ΔV、由此在所述像素两端形成一0伏的电位差来实现。在那些其中行电压保持0伏的行中，像素稳定于其最初所处的状态，而与该列处于+Vbias还是-Vbias无关。同样如在图4中所示，应了解，可使用极性与上述极性相反的电压，例如激励一像素可包括将相应的列设定至+Vbias、并将相应的行设定至-ΔV。在该实施例中，释放像素是通过将相应的列设定至-Vbias并将相应的行设定至相同的-ΔV、由此在所述像素两端形成一0伏的电位差来实现。
图5B为一显示一系列行及列信号的时序图，该些信号施加于图2所示的3×3阵列，其将形成图5A所示的显示布置，其中受激励像素为非反射性。在写入图5A所示的帧之前，像素可处于任何状态，在该实例中，所有的行均处于0伏，且所有的列均处于+5伏。在这些所施加电压下，所有的像素稳定于其现有的受激励状态或释放状态。
在图5A所示的帧中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)受到激励。为实现这一效果，在第1行的一“行时间”期间，将第1列及第2列设定为-5伏，将第3列设定为+5伏。此不会改变任何像素的状态，因为所有像素均保持处于3-7伏的稳定窗口内。此后，通过一自0伏上升至5伏然后又下降回至0伏的脉冲来选通第1行。由此激励像素(1，1)和(1，2)并释放像素(1，3)。阵列中的其它像素均不受影响。为将第2行设定为所期望状态，将第2列设定为-5伏，将第1列及第3列设定为+5伏。此后，向第2行施加相同的选通脉冲将激励像素(2，2)并释放像素(2，1)和(2，3)。同样，阵列中的其它像素均不受影响。类似地，通过将第2列和第3列设定为-5伏，并将第1列设定为+5伏对第3行进行设定。第3行的选通脉冲将第3行像素设定为图5A所示的状态。在写入帧之后，行电位为0，而列电位可保持在+5或-5伏，且此后显示将稳定于图5A所示的布置。应了解，可对由数十或数百个行和列构成的阵列使用相同的程序。还应了解，用于实施行和列激励的电压的时序、顺序及电平可在以上所述的一般原理内变化很大，且上述实例仅为实例性，任何激励电压方法均可用于本发明。
按照上述原理运行的干涉式调制器的详细结构可千变万化。例如，图6A-6C显示移动镜结构的三种不同实施例。图6A为图1所示实施例的剖面图，其中在正交延伸的支撑件18上沉积一金属材料条带14。一锁存电极12构造成携带一锁存电压以使金属材料14在受到激励后保持处于受激励状态。在一实施例中，在不同干涉式调制器各自的金属材料14下方将电极15图案化成具有不同的有效区域尺寸，例如如参照图9A及9B所示。
在图6B中，可移动的反射材料14仅在隅角处在系链32上附接至支撑件。在图6C中，可移动的反射材料14悬吊在一可变形层34上。由于反射材料14的结构设计及所用材料可在光学特性方面得到优化，且可变形层34的结构设计和所用材料可在所期望机械特性方面得到优化，因此该实施例具有若干优点。在许多公开文件中，包括例如第2004/0051929号美国公开申请案中，描述了各种不同类型干涉装置的生产。可使用很多种人们所熟知的技术来制成上述结构，包括一系列材料沉积、图案化及蚀刻步骤。
图7显示图6A所示调制器的光学响应随施加于金属材料14与行电极16之间的电位的变化。在所显示的该组曲线中，未向锁存电极12施加电压。激励电压与释放电压为电极16的面积的函数。随着电极16的面积的减小，光学响应曲线向外移动。滞后曲线100代表一具有图案化为一第一面积值的电极16的调制器的光学响应。如果电极16的面积减小，则调制器的光学响应由曲线102来表示。如果电极16的面积进一步减小，则调制器的光学响应由曲线104表示。
图8还显示调制器的光学响应随施加于金属材料14与行电极16之间的电位的变化。然而在本实例中，向锁存电极12施加一锁存电压。在本实例中，激励电压仍随电极16的面积而变化，但是施加至锁存电极12的电位会使释放电压保持恒定。这是因为外围电位支配干涉式调制器的释放特性。这在图8中通过一与电极16的面积无关的公共释放曲线200来显示。然而，激励曲线202、204及206并不随电极16的面积而变化。随着电极的有效区域的增大，电极16与金属材料14之间的对应的静电力也会增大。光学响应曲线202为具有为第一面积的电极16的调制器的激励曲线。随着电极16的面积的减小，光学响应曲线向外移动。随着电极16的面积的减小，激励曲线移至曲线204，且随着电极16的面积的进一步减小，激励曲线移至光学响应曲线206。
图9显示一干涉式调制器的一实例性实施例的自上向下的视图。如图所示，图中显示行电极302a、302b及302c。每一电极302a、302b及302c对应于图6A、6B及6C中的金属材料14。图9A及9B中的电极304对应于图6A、6B及6C中的电极16，并可用于这些图中所示的实施例中。
如图所示，电极304具有一阶梯形状。视实施例而定，可在该形状中提供额外的“台阶”，且可为每一额外的台阶提供额外的电极302。此外，在一实施例中，为该形状中的每一台阶提供多个电极。此外，可对电极使用其他构造。如图9B所示，电极304具有非线性边缘。
在该实施例中，由三个单独的所施加电压来决定调制器300的光学响应。一锁存电压施加至锁存电极306，所提供的该锁存电压用于控制调制器300的释放特性，如上文所述。一第二电压施加至经图案化的电极304，且一第三电压电平施加至行电极302。在一实施例中，每一电极302a、302b及302c均连接至一共用电压。在另一实施例中，可将每一电极302a、302b及302c分别驱动至一所选电压。在所示实例中，位于电极302a之下的电极304的有效区域相对于电极302a、302b及302c为最大。因此，随着电极304与302之间的电压差的增大，电极302a将最先被下拉至电极304，从而引起一第一亮度级变化。随着电极302与电极304之间的电位差的进一步增大，电极302b成为调制器300中受到激励的第二部分，从而引起调制器300的一第二亮度级变化，其中电极302a及电极302b二者均处于受激励位置且这些电极与电极304之间的空腔凹下。类似地，如果电位差进一步增大，则其将达到一使电极302c受到激励的水平，由此使电极302a、302b及302c均接触电极304，从而引起一第三光学变化。
在图10中显示调制器300的光学响应。如图所示，图中绘示光学响应随电极302与电极304之间的电位差的变化。当在电极302a、302b及302c与304之间不存在电位差时，光学响应处于其最大亮度且电极302a、302b及302c与电极304之间的空腔打开，即光强I较高、1/I的值较低。随着电极304与电极302a、302b及302c之间的电位差增大，其将在一第一电压V1处激励电极302a。电极302a具有最大的有效面积。随着电位差进一步增大，其将在一第二电压V2处激励电极302b。然后，随着电极304与302之间的电位差进一步增大，其将在一第三电压V3处激励电极302c。
图11显示一由多级调制器400构成的3×3阵列，其中每一调制器均为一能够具有如上文参照图9及10所述的四种透射状态的调制器。在行R1、R2及R3上提供一选通信号，同时在列C1、C2及C3上提供一四级电压数据信号。当存在选通信号时，列数据信号可写至该行的调制器。例如，当存在行R1的选通脉冲(且在行R2及R3上不存在选通脉冲)时，在列C1、C2及C3上提供的信号可改变调制器402a、402b及402c的光学响应，但将不会影响行R2上的调制器(调制器404a、404b及404c)及行R3上的调制器(调制器406a、406b及406c)的光学响应。
图12A显示图9中所示的多级调制器的光学响应。在其中干涉式调制器如图4所示设置成一阵列的实例性实施例中，通过向行电极302施加电压+VB或-VB来选择一行。
在一实施例中，当通过向电极302施加-VB电压来选择行时，电极304可呈以下有效电压值：-VB，VB，VB+Δ1及VB+Δ2。此将使电极302与304之间的电位差分别取以下可能值：0，2VB，2VB+Δ1，2VB+Δ2。每一电极对(例如，电极202a与电极304或者电极302b与电极304)之间的电位差为0将使所有电极处于释放位置，在释放位置上，电极302a、302b及302c与电极304之间的间隙完全打开。在一实施例中，电极302a与304之间的电位差为2VB会引起激励，同时使电极302b及302c处于释放位置。电极302a与304之间及电极302b与304之间的电位差为2VB+Δ1会使电极302a及302b受到激励，同时使电极302c处于释放位置。电极302与304之间的电位差为2VB+Δ2将使电极302a、302b及302c受到激励。该种利用光学响应曲线的对称性的能力可提供若干运行优点，例如可使电荷平衡从而向调制器反复施加电场不会导致在结构中积聚永久性的电荷。
在一实施例中，当通过向其中一个电极302a，302b或302c施加+VB电压来选择行时，电极304可呈以下有效电压值：+VB，-VB，-VB-Δ1及-VB-Δ2。此将使电极302与304之间的电位差分别取以下可能值：0，-2VB，-2VB-Δ1，-2VB-Δ2。每一电极对之间的电位差将使所有电极302a、302b及302c处于释放位置，在释放位置上，电极302a、302b及302c与电极304之间的间隙完全打开。在一实施例中，电极302a与304之间的电位差为-2VB将使电极302a受到激励，同时使电极302b及302c处于释放位置。电极302a与304之间的电位差为-2VB-Δ1将使电极302a及302b受到激励，同时使电极302c处于释放位置。电极302与304之间的电位差为-2VB-Δ2将使电极302a，302b及302c受到激励。[0045]当未选择一行时，向电极302a、302b及302c施加一低电压，例如0伏。在此种情形中，在一实施例中，在电极302与304之间产生的电位差可取以下值：-VB，VB，VB+Δ1，VB+Δ2，+VB，-VB，-VB-Δ1及-VB-Δ2。在该实施例中，这些电位不足以激励或释放任一电极302，这是因为这些电位处于滞后区域中，在滞后区域中，如果调制器处于释放状态，则其将因电极释放而保持打开，而如果调制器处于受激励状态，则其将保持受激励。图12B提供一归纳上面所提供的信息的表。在图12B中，所选行表示电极302与电极304之间的电压差，且下一行表示哪些电极(即电极302a(M1)、电极302b(M2)、电极302c(M3))将受到激励。
图13A-13F为时序图，其显示用于驱动调制器阵列400的信号。在时间间隔t1中，选择阵列的行1中的调制器(402a、402b及402c)，以通过在列线C1、C2及C3上提供的数据信号来选择性地修改其光学响应。在t1时刻，向行1施加一电位-VB。施加至列C1的电压为-VB，因而调制器402a的行电极与列电极之间的电位为0，所有三个电极302a、302b及302c均将处于释放位置。施加至列C2的电压为VB+Δ2，因而调制器402b的行电极与列电极之间的电位为2VB+Δ2，所有三个电极302a、302b及302c均将处于受激励位置。施加至列3的电压为VB+Δ1，因而调制器402c的行电极与列电极之间的电位为2VB+Δ1，电极302a、302b将处于受激励位置且电极302c将处于释放位置。
在时间间隔t2中，选择阵列的行2中的调制器(404a、404b及404c)，以通过在列线C1、C2及C3上提供的数据信号来选择性地修改其光学响应。在t2时刻，向行2施加-VB。施加至列1的数据电压为VB+Δ2，因而调制器404a的行电极与列电极之间的电位为2VB+Δ2，所有三个电极302a，302b及302c均将被设定至受激励位置。施加至列C2的数据电压为-VB，因而调制器404b的行电极与列电极之间的电位为0，所有三个电极302a、302b及302c均将处于释放位置。施加至列C3的数据电压为VB，因而调制器404c的行电极与列电极之间的电位为2VB，电极302a将处于受激励位置、同时电极302b及302c将处于释放位置。
在时间间隔t3中，选择阵列的行3中的调制器(406a、406b及406c)，以通过在列线C1、C2及C3上提供的数据信号来选择性地修改其光学响应。在t2时刻，向行3施加-VB。施加至列C1的数据电压为VB，因而调制器406a的行电极与列电极之间的电位为2VB，电极302a将受到激励、同时电极302b及302c将被设定至释放位置。施加至列C2的数据电压为VB，因而调制器406b的行电极与列电极之间的电位为2VB，电极302a将受到激励、同时电极302b及302c将被设定至释放位置。施加至列C3的数据电压为-VB，因而行电极与列电极之间的电位为0，电极302a、302b及302c将被设定至释放位置。
在时间间隔t4中，再次选择阵列的行1中的调制器(402a、402b及402c)，以通过在列线C1、C2及C3上提供的数据信号来选择性地修改其光学响应。在t4时刻，向行1施加+VB。施加至列C1的数据电压为-VB-Δ2，因而调制器402a的行电极与列电极之间的电位为-2VB-Δ2，电极302a、302b及302c将受到激励。施加至列C2的数据电压为-VB-Δ1，因而调制器402b的行电极与列电极之间的电位为-2VB-Δ1，电极302a将受到激励、同时电极302b及302c将被设定至释放位置。施加至列C3的数据电压为VB，因而调制器402c的行电极与列电极之间的电位为0，电极302a、302b及302c将被设定至释放位置。
在时间间隔t5中，选择阵列的行2中的调制器(404a、404b及404c)，以通过在列线C1、C2及C3上提供的数据信号来选择性地修改其光学响应。在t5时刻，向行2施加+VB。施加至列C1的数据电压为VB，因而调制器404a的行电极与列电极之间的电位为-0，电极302a、302b及302c将被设定至释放位置。施加至列C2的数据电压为-VB-Δ2，因而调制器404b的行电极与列电极之间的电位为-2VB-Δ1，电极302a及302b将受到激励、同时电极302c被设定至释放位置。施加至列C3的数据电压为-VB-Δ2，因而调制器404c的行电极与列电极之间的电位为-2VB-Δ2，且电极302a、302b及302c将被设定至受激励位置。
在时间间隔t6中，选择阵列的行3中的调制器(406a、406b及406c)，以通过在列线C1、C2及C3上提供的数据信号来选择性地修改其光学响应。在t6时刻，向行3施加-VB。施加至列C1的数据电压为-VB-Δ1，因而调制器406a的行电极与列电极之间的电位为-2VB-Δ1，电极302a及302b将受到激励、同时电极302c将被设定至释放位置。施加至列C2的数据电压为VB，因而调制器406b的行电极与列电极之间的电位为0，电极302a、302b及302c将被设定至释放位置。施加至列C3的数据电压为-VB-Δ2，因而调制器406c的行电极与列电极之间的电位为-VB-Δ1，电极302a及302b将受到激励、同时电极302c将被设定至释放位置。
图14显示一模拟调制器结构的实例。如前所述，为设定调制器的释放特性，向锁存电极506施加一锁存电压。在列电极504与行电极502之间施加一模拟电压。通过将列电极504图案化成其宽度变化，可通过在列电极504与行电极502之间施加一模拟电压而以一种可预测的方式激励该电极的一可预测的部分。可以了解，随着电位差的增大，电极504的最大部分(例如，图14中的电极504的最上面的部分)将在电极504的其他部分受到激励之前使电极502的与其靠近的部分受到激励。图15显示模拟调制器500的光学响应。
通过目视观察图15可见，可通过在电极502与504之间提供正确的模拟电位差来实现调制器结构的所有所需的光学响应。该所施加的电压差将使电极504及502的某些部分相互接触。可以看到，在提供电压差V1之后，干涉式调制器的亮度会随电位差的进一步增大而逐渐变暗。受到激励的干涉式调制器部分决定所反射的光的量，而所反射的光的量又直接决定所显示的像素的亮度。可按与上述多级调制器阵列相同的方式对由模拟调制器500构成的阵列进行寻址。一个差别在于，在此情况中的数据电压为模拟电压，其可取任意值并可提供任意所需的光学响应。
图16A及16B为显示一显示装置2040的一实施例的系统方块图。显示装置2040可为(例如)蜂窝式电话或移动电话。然而，显示装置2040的相同组件或其稍作变化的形式也可作为例如电视及便携式媒体播放器等各种类型的显示装置的例证。
显示装置2040包括一外壳2041、一显示器2030、一天线2043、一扬声器2045、一输入装置2048及一麦克风2046。外壳2041通常由所属领域的技术人员所熟知的众多种制造工艺中的任一种工艺制成，包括注射成型及真空成形。此外，外壳2041可由众多种材料中的任一种材料制成，包括(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷、或其组合。在一实施例中，外壳2041包括可拆式部分(未图示)，这些可拆式部分可与其他具有不同颜色、或包含不同标识、图片或符号的可拆式部分换用。
实例性显示装置2040的显示器2030可为众多种显示器中的任一种，包括本文所述的双稳显示器。在其他实施例中，显示器2030包括例如上文所述的等离子体显示器、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD等平板显示器、或例如CRT或其他管式装置等非平板显示器，这些显示器为所属领域的技术人员所熟知。然而，为便于说明本实施例，显示器2030包含一如本文所述的干涉式调制器显示器。
图16B示意性地显示实例性显示装置2040的一实施例中的组件。所示实例性显示装置2040包括一外壳2041，并可包括其他至少部分地封闭于其中的组件。例如，在一实施例中，实例性显示装置2040包括一网络接口2027，该网络接口2027包括一耦接至一收发器2047的天线2043。收发器2047连接至处理器2021，处理器2021又连接至调节硬件2052。调节硬件2052可配置成对一信号进行调节(例如对一信号进行滤波)。调节硬件2052连接至一扬声器2045及一麦克风2046。处理器2021还连接至一输入装置2048及一驱动控制器2029。驱动控制器2029耦接至一帧缓冲器2028并耦接至阵列驱动器2022，阵列驱动器2022又耦接至一显示阵列2030。一电源2050根据具体实例性显示装置2040的设计的要求为所有组件供电。
网络接口2027包括天线2043及收发器2047，以使实例性显示装置2040可通过网络与一个或多个装置进行通信。在一实施例中，网络接口2027还可具有某些处理功能，以降低对处理器2021的要求。天线2043是所属领域的技术人员所知的用于发射及接收信号的任一种天线。在一实施例中，该天线根据IEEE802.11标准(包括IEEE 802.11(a)，(b)，或(g))来发射及接收RF信号。在另一实施例中，该天线根据蓝牙(BLUETOOTH)标准来发射及接收RF信号。倘若为蜂窝式电话，则该天线被设计成接收CDMA、GSM、AMPS或其他用于在无线移动电话网络中进行通信的已知信号。收发器2047对自天线2043接收的信号进行预处理，以使其可由处理器2021接收及进一步处理。收发器2047还处理自处理器2021接收到的信号，以使其可通过天线2043自实例性显示装置2040发射。
在一替代实施例中，可由一接收器取代收发器2047。在又一替代实施例中，可由一图像源取代网络接口2027，该图像源可存储或产生拟发送至处理器2021的图像数据。例如，该图像源可为一含有图像数据的数字视频光盘(DVD)或硬盘驱动器、或一产生图像数据的软件模块。
处理器2021通常控制实例性显示装置2040的总体运行。处理器2021自网络接口2027或一图像源接收数据(例如压缩的图像数据)，并将该数据处理成原始图像数据或处理成一种易于处理成原始图像数据的格式。然后，处理器2021将处理后的数据发送至驱动控制器2029或发送至帧缓冲器2028进行存储。原始数据通常是指可识别一图像内每一位置处的图像特性的信息。例如，所述图像特性可包括颜色、饱和度及灰度级。
在一实施例中，处理器2021包括一微控制器、CPU、或用于控制实例性显示装置2040的运行的逻辑单元。调节硬件2052通常包括用于向扬声器2045发送信号及用于自麦克风2046接收信号的放大器及滤波器。调节硬件2052可为实例性显示装置2040内的离散组件，或者可并入处理器2021或其他组件内。
驱动控制器2029直接自处理器2021或自帧缓冲器2028接收由处理器2021产生的原始图像数据，并适当地将原始图像数据重新格式化以便高速传输至阵列驱动器2022。具体而言，驱动控制器2029将原始图像数据重新格式化成一具有光栅状格式的数据流，以使其具有一适合于扫描显示阵列2030的时间次序。然后，驱动控制器2029将格式化后的信息发送至阵列驱动器2022。尽管驱动控制器2029(例如LCD控制器)通常是作为一独立的集成电路(IC)与系统处理器2021相关联，然而这些控制器也可按许多种方式进行构建。其可作为硬件嵌入于处理器2021中、作为软件嵌入于处理器2021中、或以硬件形式与阵列驱动器2022完全集成在一起。
通常，阵列驱动器2022自驱动控制器2029接收格式化后的信息并将视频数据重新格式化成一组平行的波形，该组平行的波形每秒许多次地施加至来自显示器的x-y像素矩阵的数百条、有时数千条引线。
在一实施例中，驱动控制器2029、阵列驱动器2022、及显示阵列2030适用于本文所述的任一类型的显示器。举例而言，在一实施例中，驱动控制器2029是一传统的显示控制器或一双稳显示控制器(例如一干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器2022是一传统驱动器或一双稳显示驱动器(例如一干涉式调制器显示器)。在一实施例中，一驱动控制器2029与阵列驱动器2022集成在一起。这种实施例在例如蜂窝式电话、手表及其他小面积显示器等高度集成的系统中很常见。在又一实施例中，显示阵列2030是一典型的显示阵列或一双稳显示阵列(例如一包含一干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置2048使用户能够控制实例性显示装置2040的运行。在一实施例中，输入装置2048包括一小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、一按钮、一开关、一触敏屏幕、一压敏或热敏薄膜。在一实施例中，麦克风2046是实例性显示装置2040的输入装置。当使用麦克风2046向该装置输入数据时，可由用户提供语音命令来控制实例性显示装置2040的运行。
电源2050可包括所属领域中众所周知的各种各样的能量存储装置。例如，在一实施例中，电源2050为可再充电的蓄电池，例如镍-镉蓄电池或锂离子蓄电池。在另一实施例中，电源2050是一可再生能源、电容器或太阳能电池，包括塑料太阳能电池及太阳能电池漆。在另一实施例中，电源2050构造成自墙上的插座接收电力。
在某些实施方案中，控制可编程性如上文所述存在于一驱动控制器中，该驱动控制器可位于电子显示系统中的数个位置上。在某些情形中，控制可编程性存在于阵列驱动器2022中。所属领域的技术人员将知，可在任意数量的硬件及/或软件组件中及在不同的构造中实施上述优化。
尽管上文详细说明是显示、说明及指出本发明的适用于各种实施例的新颖特征，然而应了解，所属领域的技术人员可在形式及细节上对所示装置或工艺的作出各种省略、替代及改变，此并不背离本发明的精神。应知道，由于某些特征可与其他特征相独立地使用或付诸实践，因而可在一并不提供本文所述的所有特征及优点的形式内实施本发明。

Claims (37)

1.一种显示装置，其包括：
复数个干涉式调制器，每一干涉式调制器均经配置以通过改变所述干涉式调制器中的静电力而受到激励，
挑选的干涉式调制器包括至少一个具有复数个不同尺寸的有效区域的电极，其中所述干涉式调制器中的所述静电力至少部分地因所述挑选的干涉式调制器中所述至少一个电极的所述有效区域的所述尺寸的变化而变化，其中每一所述挑选的干涉式调制器包括一空腔，且由所述空腔和所述至少一个电极干涉式地调制光。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中从所述显示装置的一观看透视图看，所述至少一个电极具有一呈阶梯的形状。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中从所述显示装置的一观看透视图看，所述至少一个电极具有一金字塔形状。
4.如权利要求1所述的显示装置，其另外包括一用于修改所述干涉式调制器中至少一个干涉式调制器的一激活电压阈值的锁存电极。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中所述锁存电极靠近所述干涉式调制器的一有效区域的一端部布置。
6.一种显示装置，其包括：
复数个用于调制光的构件，每一调制构件均经配置以通过改变所述调制构件中的静电力而受到激励，
所述调制构件包括至少一个用于导电的构件，所述导电构件具有复数个不同尺寸的有效区域，其中所述调制构件中的所述静电力至少部分地因所述调制构件中所述至少一个导电构件的所述有效区域的所述尺寸的变化而变化，其中每一所述调制构件都包括空腔，且由所述空腔和所述至少一个导电的构件干涉式地调制光。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中每一调制构件均包括一干涉式调制器。
8.如权利要求6所述的显示装置，其中所述导电构件包括一电极。
9.一种显示设备，其包括：
复数个反射性显示元件，每一所述显示元件具有：
一第一电极；及
一具有不均匀的宽度的第二电极，其中所述第二电极跨越至少两个显示元件；及
一空腔，其位于所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述空腔和所述第一和第二电极干涉式地调制光。
10.如权利要求9所述的设备，其中所述第一电极沿一第一方向延伸，且所述第二电极沿一垂直于所述第一方向的第二方向延伸。
11.如权利要求9所述的设备，其中在所述第二电极相对于所述第一电极处于一未受激活状态时，所述显示元件具有一第一光学性质，且其中在所述第二电极相对于所述第一电极处于一受激活状态时，所述显示元件具有一第二光学性质。
12.如权利要求9所述的设备，其中从所述显示设备的一观看透视图看，所述第二电极具有一呈阶梯的形状。
13.如权利要求9所述的设备，其中从所述显示设备的一观看透视图看，所述第二电极具有一金字塔形状。
14.如权利要求9所述的设备，其另外包括一用于修改所述反射性显示元件中至少一个显示元件的一激活电压阈值的锁存电极。
15.如权利要求14所述的设备，其中所述锁存电极靠近所述反射性显示元件的一有效区域的一端部布置。
16.如权利要求9所述的设备，其进一步包括：
一与所述第一电极及所述第二电极中的至少一个电极电连通的处理器，所述处理器经配置以处理图像数据；及
一与所述处理器电连通的存储装置。
17.如权利要求16所述的设备，其进一步包括一驱动电路，所述驱动电路经配置以向所述第一电极与所述第二电极中的至少一个电极发送至少一个信号。
18.如权利要求17所述的设备，其进一步包括一控制器，所述控制器经配置以向所述驱动电路发送所述图像数据的至少一部分。
19.如权利要求16所述的设备，其进一步包括一图像源模块，所述图像源模块经配置以向所述处理器发送所述图像数据。
20.如权利要求19所述的设备，其中所述图像源模块包括一接收器、收发器及发射器中的至少一个。
21.如权利要求16所述的设备，其进一步包括一输入装置，所述输入装置经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送至所述处理器。
22.一种显示设备，其包括：
复数个反射性显示元件，每一所述显示元件具有：
一用于导电的第一构件；及
一用于导电的第二构件，所述第二导电构件具有一不均匀的宽度，其中所述第二导电构件跨越至少两个反射构件；及
一空腔，其位于所述第一和所述第二导电构件之间，其中由所述空腔和所述第一和第二导电构件干涉式地调制光。
23.如权利要求22所述的显示设备，其中所述第一导电构件包括一电极。
24.如权利要求22所述的显示设备，其中所述第二导电构件包括一电极。
25.一种显示元件，其包括：
一具有一不均匀宽度的第一电极；及
一第二电极，其中所述第一电极的挑选部分经配置以响应于改变所述第一电极与所述第二电极之间的电压差而激活，所述第一和第二电极包含在一干涉式调制器中，且在其间形成一空腔，其中所述空腔和所述第一和第二电极干涉式地调制光。
26.如权利要求25所述的显示元件，其中所述第一电极沿一第一方向延伸，且所述第二电极沿一垂直于所述第一方向的第二方向延伸。
27.如权利要求25所述的显示元件，其另外包括一用于修改所述显示元件中至少一个显示元件的一激活电压阈值的锁存电极。
28.一种显示元件，其包括：
用于导电的第一构件，所述第一导电构件具有一不均匀的宽度；及
用于导电的第二构件，其中所述第一导电构件的挑选部分经配置以响应于改变所述第一导电构件与所述第二导电构件之间的电压差而激活，所述第一和第二导电构件包含在一干涉式调制器中，且在其间形成一空腔，其中所述空腔和所述第一和第二导电构件干涉式地调制光。
29.如权利要求28所述的显示元件，其中所述第一导电构件包括一电极。
30.如权利要求28所述的显示元件，其中所述第二导电构件包括一电极。
31.一种激励一显示元件的方法，所述方法包括：
提供复数个干涉式调制器，每一干涉式调制器均包含一空腔，所述干涉式调制器经配置以由所述干涉式调制器中的静电力来激励；
提供至少一个具有复数个有效区域的电极，每一有效区域均对应于所述复数个干涉式调制器中的一个干涉式调制器，所述有效区域中的至少两个有效区域具有相互不同的尺寸；及
改变所述干涉式调制器中的所述静电力以由所述空腔和所述至少一个电极干涉式地调制光。
32.一种操作一显示器的方法，所述方法包括：
向一具有一不均匀宽度的第一电极提供一电压；及
响应于所述提供的电压而激活复数个反射性显示元件中所选的反射性显示元件，所述反射性显示元件包含一干涉式调制器，所述干涉式调制器在包含一第二电极，且在不均匀宽度所述第一电极和所述第二电极之间包含一空腔；且由所述空腔和所述第一和第二电极干涉式地调制光。
33.如权利要求32所述的方法，其另外包括提供一锁存电压以修改所述反射性显示元件中至少一个反射性显示元件的一激活电压阈值。
34.如权利要求32所述的方法，其中从所述显示器的一观看透视图看，所述电极具有一呈阶梯的形状。
35.如权利要求32所述的方法，其中从所述显示器的一观看透视图看，所述电极具有一金字塔形状。
36.一种激励一显示元件的方法，所述方法包括：
改变一第一电极与一第二电极之间的电压差，其中所述第一电极与所述第二电极中至少一个电极具有一不均匀的形状，且其中所述被改变的电压差引起一干涉式调制器的一光学特性的变化；及
响应于所述被改变的电压差而选择性地激活或去激活所述显示元件的小部分；及
由所述干涉式调制器的一空腔和所述第一和第二电极干涉式地调制光，所述干涉式调制器的所述空腔位于所述第一和第二电极之间。
37.如权利要求36所述的方法，其另外包括提供一锁存电压，以使所述显示元件的所述受激励部分保持处于一受激励状态。
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Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US7532377B2 (en) * 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7884989B2 (en) 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7460292B2 (en) * 2005-06-03 2008-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator with internal polarization and drive method
KR100713301B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-04 동부일렉트로닉스 주식회사 다중 병렬 구조의 에프피지에이 구조 및 그 형성 방법
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US8194056B2 (en) * 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US20070268201A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Sampsell Jeffrey B Back-to-back displays
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7471442B2 (en) * 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
WO2008017978A2 (en) * 2006-08-09 2008-02-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Self-locking micro electro mechanical device
US7629197B2 (en) 2006-10-18 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator
US20080111834A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Mignard Marc M Two primary color display
US8115987B2 (en) * 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US7742220B2 (en) * 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7715085B2 (en) * 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US8111262B2 (en) * 2007-05-18 2012-02-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator displays with reduced color sensitivity
US7782517B2 (en) * 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7630121B2 (en) * 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
KR20100066452A (ko) 2007-07-31 2010-06-17 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 간섭계 변조기의 색 변이를 증강시키는 장치
US8072402B2 (en) * 2007-08-29 2011-12-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics
US7773286B2 (en) * 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US7847999B2 (en) 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
US20090078316A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Qualcomm Incorporated Interferometric photovoltaic cell
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
WO2009052326A2 (en) 2007-10-19 2009-04-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display with integrated photovoltaics
CN101836137A (zh) 2007-10-23 2010-09-15 高通Mems科技公司 基于微机电系统的可调整透射装置
US20090293955A1 (en) * 2007-11-07 2009-12-03 Qualcomm Incorporated Photovoltaics with interferometric masks
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7715079B2 (en) 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
KR20100109924A (ko) * 2007-12-21 2010-10-11 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 다중접합 광기전력 전지
US8164821B2 (en) 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US8094358B2 (en) * 2008-03-27 2012-01-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dimming mirror
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
CN102037390A (zh) * 2008-04-23 2011-04-27 萨曼·达尔马蒂拉克 可变光学系统和部件
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7746539B2 (en) 2008-06-25 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for packing a display device and the device obtained thereof
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7859740B2 (en) 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7855826B2 (en) 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US20100096011A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules
US20100096006A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
KR20120030460A (ko) 2009-05-29 2012-03-28 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 조명장치 및 그의 제조방법
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
JP5310529B2 (ja) * 2009-12-22 2013-10-09 株式会社豊田中央研究所 板状部材の揺動装置
JP2013524287A (ja) 2010-04-09 2013-06-17 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法
CN102918435A (zh) 2010-04-16 2013-02-06 弗莱克斯照明第二有限责任公司 包括膜基光导的标志
CA2796519A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Flex Lighting Ii, Llc Illumination device comprising a film-based lightguide
KR20130091763A (ko) 2010-08-17 2013-08-19 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 디스플레이 장치에서의 전하 중성 전극의 작동 및 교정
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US8988440B2 (en) * 2011-03-15 2015-03-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Inactive dummy pixels
US8780104B2 (en) 2011-03-15 2014-07-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of updating drive scheme voltages
US20120274666A1 (en) * 2011-03-15 2012-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for tuning multi-color displays
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
US20130135269A1 (en) * 2011-11-30 2013-05-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Two state three electrode drive scheme
US8736538B2 (en) 2012-03-16 2014-05-27 Apple Inc. Devices and methods for reducing a voltage difference between VCOMs of a display
US20130321433A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Frontlight device with integrated electrical wiring
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1115067A (zh) * 1993-07-27 1996-01-17 德克萨斯仪器股份有限公司 微型单片可变电气器件以及含有这类器件的装置
JP2000306515A (ja) * 1999-02-19 2000-11-02 Fujitsu Ltd プラズマディスプレイパネル
US6449084B1 (en) * 1999-05-10 2002-09-10 Yanping Guo Optical deflector

Family Cites Families (303)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
US3037189A (en) * 1958-04-23 1962-05-29 Sylvania Electric Prod Visual display system
US3210757A (en) 1962-01-29 1965-10-05 Carlyle W Jacob Matrix controlled light valve display apparatus
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
FR1603131A (zh) 1968-07-05 1971-03-22
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
DE10127319B4 (de) * 2001-06-06 2004-03-18 Andrea Burkhardt Wellnessgerät
US3728030A (en) 1970-06-22 1973-04-17 Cary Instruments Polarization interferometer
US3725868A (en) 1970-10-19 1973-04-03 Burroughs Corp Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications
JPS4946974A (zh) * 1972-09-11 1974-05-07
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4196396A (en) 1976-10-15 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
US4377324A (en) * 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) * 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) * 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
JPS60159731A (ja) 1984-01-30 1985-08-21 Sharp Corp 液晶表示体
US4566935A (en) * 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4655554A (en) * 1985-03-06 1987-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4859060A (en) 1985-11-26 1989-08-22 501 Sharp Kabushiki Kaisha Variable interferometric device and a process for the production of the same
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
DE3716485C1 (de) 1987-05-16 1988-11-24 Heraeus Gmbh W C Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe
US5091983A (en) 1987-06-04 1992-02-25 Walter Lukosz Optical modulation apparatus and measurement method
US4857978A (en) 1987-08-11 1989-08-15 North American Philips Corporation Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization
US4900136A (en) * 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
JPH0212218A (ja) * 1988-06-30 1990-01-17 Sharp Corp 可変干渉フィルターの製造方法
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
JP2700903B2 (ja) 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5079544A (en) * 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US5192946A (en) * 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5287096A (en) * 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US4900395A (en) * 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
JP2910114B2 (ja) 1990-01-20 1999-06-23 ソニー株式会社 電子機器
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) * 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
EP0467048B1 (en) * 1990-06-29 1995-09-20 Texas Instruments Incorporated Field-updated deformable mirror device
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5099353A (en) * 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5062689A (en) 1990-08-21 1991-11-05 Koehler Dale R Electrostatically actuatable light modulating device
US5192395A (en) * 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5136669A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Sperry Marine Inc. Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element
CA2063744C (en) 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
US5179274A (en) * 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5287215A (en) 1991-07-17 1994-02-15 Optron Systems, Inc. Membrane light modulation systems
US5170283A (en) 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5240818A (en) 1991-07-31 1993-08-31 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5358601A (en) 1991-09-24 1994-10-25 Micron Technology, Inc. Process for isotropically etching semiconductor devices
US5315370A (en) 1991-10-23 1994-05-24 Bulow Jeffrey A Interferometric modulator for optical signal processing
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US5296950A (en) * 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
EP0562424B1 (en) 1992-03-25 1997-05-28 Texas Instruments Incorporated Embedded optical calibration system
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
WO1993021663A1 (en) * 1992-04-08 1993-10-28 Georgia Tech Research Corporation Process for lift-off of thin film materials from a growth substrate
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
TW245772B (zh) 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5345328A (en) 1992-08-12 1994-09-06 Sandia Corporation Tandem resonator reflectance modulator
US5293272A (en) * 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
FI96450C (fi) 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) * 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US5559358A (en) 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5510824A (en) * 1993-07-26 1996-04-23 Texas Instruments, Inc. Spatial light modulator array
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
ITFI940032A1 (it) 1994-02-17 1995-08-17 Carlo Pennatini Attrezzatura per la pulizia di superfici elevate dal suolo quali super fici verticali, volte, anche a profilo complesso, ad esempio pareti di
FI94804C (fi) 1994-02-17 1995-10-25 Vaisala Oy Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
GB9407116D0 (en) * 1994-04-11 1994-06-01 Secr Defence Ferroelectric liquid crystal display with greyscale
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7852545B2 (en) * 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7738157B2 (en) * 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US20010003487A1 (en) 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7808694B2 (en) * 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8081369B2 (en) * 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5920418A (en) 1994-06-21 1999-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5485304A (en) 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
FR2726960B1 (fr) 1994-11-10 1996-12-13 Thomson Csf Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs
JPH08153700A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5661592A (en) 1995-06-07 1997-08-26 Silicon Light Machines Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve
US6046840A (en) * 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US6324192B1 (en) 1995-09-29 2001-11-27 Coretek, Inc. Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same
JPH09127551A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US5999306A (en) 1995-12-01 1999-12-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5838484A (en) 1996-08-19 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic
GB9619781D0 (en) 1996-09-23 1996-11-06 Secr Defence Multi layer interference coatings
US6028689A (en) 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5786927A (en) 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US6384952B1 (en) 1997-03-27 2002-05-07 Mems Optical Inc. Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method
EP0877272B1 (en) * 1997-05-08 2002-07-31 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
US5867302A (en) 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6285424B1 (en) 1997-11-07 2001-09-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Black mask, color filter and liquid crystal display
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
WO1999036824A1 (fr) 1998-01-20 1999-07-22 Seiko Epson Corporation Dispositif de commutation optique et dispositif d'affichage d'images
US5914804A (en) * 1998-01-28 1999-06-22 Lucent Technologies Inc Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors
US6100861A (en) 1998-02-17 2000-08-08 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel display with improved color gamut
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6262697B1 (en) 1998-03-20 2001-07-17 Eastman Kodak Company Display having viewable and conductive images
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
US6046659A (en) * 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
GB2341476A (en) 1998-09-03 2000-03-15 Sharp Kk Variable resolution display device
JP4074714B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
JP3919954B2 (ja) 1998-10-16 2007-05-30 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6171945B1 (en) * 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6465956B1 (en) * 1998-12-28 2002-10-15 Pioneer Corporation Plasma display panel
US6358021B1 (en) * 1998-12-29 2002-03-19 Honeywell International Inc. Electrostatic actuators for active surfaces
US6242932B1 (en) * 1999-02-19 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interposer for semiconductor components having contact balls
US6062689A (en) * 1999-03-29 2000-05-16 Harper; Deanna Sun screen and method of use
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6862029B1 (en) * 1999-07-27 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color display system
US6525310B2 (en) * 1999-08-05 2003-02-25 Microvision, Inc. Frequency tunable resonant scanner
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6674090B1 (en) * 1999-12-27 2004-01-06 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in active
US6307663B1 (en) 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
JP2001221913A (ja) 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計
JP2003524215A (ja) * 2000-02-24 2003-08-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光導波路を具える表示装置
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6698295B1 (en) 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
DE60142452D1 (de) * 2000-07-03 2010-08-05 Sony Corp Optische Mehrschicht-Struktur, optische Schalteinrichtung und Bildanzeigevorrichtung
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
JP2002062490A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc 干渉性変調素子
US6466354B1 (en) 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
US6556338B2 (en) * 2000-11-03 2003-04-29 Intpax, Inc. MEMS based variable optical attenuator (MBVOA)
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US6433917B1 (en) 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
CN1479964A (zh) * 2000-12-11 2004-03-03 ���¡���ɣ����� 静电设备
US6614576B2 (en) 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
DE10064616C2 (de) * 2000-12-22 2003-02-06 Ovd Kinegram Ag Zug Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie
WO2002058089A1 (en) * 2001-01-19 2002-07-25 Massachusetts Institute Of Technology Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications
JP2002221678A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Seiko Epson Corp 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置
WO2002079853A1 (en) 2001-03-16 2002-10-10 Corning Intellisense Corporation Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
US6661561B2 (en) 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6657832B2 (en) 2001-04-26 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes
JP2004045445A (ja) * 2001-06-15 2004-02-12 Ngk Insulators Ltd 表示装置
JP3740444B2 (ja) * 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
KR100452112B1 (ko) * 2001-07-18 2004-10-12 한국과학기술원 정전 구동기
US6862022B2 (en) * 2001-07-20 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor
US6632698B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6661562B2 (en) 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
EP1291570A3 (en) * 2001-09-07 2004-06-30 Avon Polymer Products Limited Noise and vibration suppressors
US20030053078A1 (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
US6787438B1 (en) * 2001-10-16 2004-09-07 Teravieta Technologies, Inc. Device having one or more contact structures interposed between a pair of electrodes
US6870581B2 (en) * 2001-10-30 2005-03-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US6608268B1 (en) 2002-02-05 2003-08-19 Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. Proximity micro-electro-mechanical system
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
WO2003077013A2 (en) 2002-03-13 2003-09-18 The University Of British Columbia High dynamic range display devices
US9953590B2 (en) * 2002-04-11 2018-04-24 Samsung Display Co., Ltd. Color display devices and methods with enhanced attributes
US6972882B2 (en) 2002-04-30 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with light angle amplification
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
JP2003340795A (ja) 2002-05-20 2003-12-02 Sony Corp 静電駆動型ｍｅｍｓ素子とその製造方法、光学ｍｅｍｓ素子、光変調素子、ｇｌｖデバイス及びレーザディスプレイ
JP3801099B2 (ja) 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6822798B2 (en) 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
US7085121B2 (en) 2002-10-21 2006-08-01 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
FR2846318B1 (fr) 2002-10-24 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression
US7370185B2 (en) * 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6983135B1 (en) 2002-11-11 2006-01-03 Marvell International, Ltd. Mixer gain calibration method and apparatus
US6958846B2 (en) 2002-11-26 2005-10-25 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6844959B2 (en) * 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
JP2004212638A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び平面表示素子
TW594155B (en) 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
JP2004212680A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子アレイ及びその製造方法
US6808953B2 (en) * 2002-12-31 2004-10-26 Robert Bosch Gmbh Gap tuning for surface micromachined structures in an epitaxial reactor
JP2004219843A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 光変調器、表示装置及びその製造方法
US7079154B2 (en) 2003-01-18 2006-07-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sub-pixel assembly with dithering
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW557395B (en) 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
US7250930B2 (en) 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
TW200417806A (en) 2003-03-05 2004-09-16 Prime View Int Corp Ltd A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate
KR100925195B1 (ko) 2003-03-17 2009-11-06 엘지전자 주식회사 대화형 디스크 플레이어의 이미지 데이터 처리장치 및처리방법
TWI226504B (en) 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
TW567355B (en) * 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7447891B2 (en) * 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
US6829132B2 (en) * 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
US6940630B2 (en) 2003-05-01 2005-09-06 University Of Florida Research Foundation, Inc. Vertical displacement device
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TWI223855B (en) 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
US7190380B2 (en) * 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
JP3786106B2 (ja) * 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US20050057442A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
JP3979982B2 (ja) * 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI230801B (en) 2003-08-29 2005-04-11 Prime View Int Co Ltd Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US7027204B2 (en) * 2003-09-26 2006-04-11 Silicon Light Machines Corporation High-density spatial light modulator
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
TW593126B (en) * 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US20050068583A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image
US6861277B1 (en) * 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
JP2005121906A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射型光変調アレイ素子及び露光装置
US7198873B2 (en) * 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
US7161728B2 (en) * 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7142346B2 (en) * 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
TWI235345B (en) 2004-01-20 2005-07-01 Prime View Int Co Ltd A structure of an optical interference display unit
JP2005235403A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・ｅｌ表示装置
TWI256941B (en) 2004-02-18 2006-06-21 Qualcomm Mems Technologies Inc A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI261683B (en) 2004-03-10 2006-09-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference reflective element and repairing method thereof
JP4581453B2 (ja) 2004-03-29 2010-11-17 ソニー株式会社 Ｍｅｍｓ素子、光学ｍｅｍｓ素子、回折型光学ｍｅｍｓ素子、並びにレーザディスプレイ
US7245285B2 (en) 2004-04-28 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pixel device
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
TWI270722B (en) * 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
ATE397759T1 (de) * 2004-09-01 2008-06-15 Barco Nv Prismenanordnung
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7198500B1 (en) 2006-03-28 2007-04-03 Chia-Kuan Lin Non-detachable bulb adapter for an energy saving bulb

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1115067A (zh) * 1993-07-27 1996-01-17 德克萨斯仪器股份有限公司 微型单片可变电气器件以及含有这类器件的装置
JP2000306515A (ja) * 1999-02-19 2000-11-02 Fujitsu Ltd プラズマディスプレイパネル
US6449084B1 (en) * 1999-05-10 2002-09-10 Yanping Guo Optical deflector

Also Published As

Publication number Publication date
US20080013154A1 (en) 2008-01-17
TWI411813B (zh) 2013-10-11
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RU2005129944A (ru) 2007-04-10
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US7492503B2 (en) 2009-02-17
CN1755493A (zh) 2006-04-05
TW200624863A (en) 2006-07-16
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US7302157B2 (en) 2007-11-27
EP1640773A2 (en) 2006-03-29
JP2006099103A (ja) 2006-04-13
US20090135465A1 (en) 2009-05-28
CA2520388A1 (en) 2006-03-27

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