CN1806339A - 用于微结构和半导体器件的新封装方法 - Google Patents

用于微结构和半导体器件的新封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种封装电子器件(例如接收或发送电子信号的任何器件)的新方法，上述电子器件包括微机电器件、半导体器件、发光器件、光调制器件及光检测器件。电子器件被置于两个衬底之间，其中的至少一个衬底具有一个用于容纳所述电子器件的空腔。随后，两个衬底被结合在一起，并用密封介质对它们进行气密密封。密封介质对衬底的粘附力，特别是当两个衬底中的一个为陶瓷时，可通过对该衬底的表面施加一个金属化层而得到改善。

Description

用于微结构和半导体器件的新封装方法
相关申请的交叉参考
本专利申请是2003年5月22日提交的、属于Tarn的美国专利申请序列号10/443,318的部分继续申请，在此以引用方式将该专利申请的主题并入本文。
技术领域
本发明一般涉及电子器件封装方法的技术，上述电子器件(例如接收或发送电子信号的任何器件)包括微机电器件、半导体器件、发光器件、光调制器件、或光检测器件，而且本发明特别是涉及在封装期间对温度敏感的那些器件的封装方法。
背景技术
微结构(例如微机电器件)在基本信号转换中有许多用途。例如，基于微机电器件(MEMS)的空间光调制器会响应电信号或光信号来调制光束。这种调制器可以是通信器件或信息显示器的一部分。例如，微镜或微反射镜(micromirror)是基于MEMS的空间光调制器的关键部件。典型的基于MEMS的空间光调制器通常包括微型反射式可偏转微反射镜阵列。这些微反射镜能够响应静电力而被选择性地偏转，从而通过各个独立微反射镜来反射入射光，从而产生数字图像。然而，这些微反射镜对温度及污染(例如湿气和灰尘)敏感。这种污染会对微反射镜表面的毛细凝聚(capillary-condensation)和释放后静摩擦(post-release stiction)直到劣化微反射镜造成不同的影响，这会导致微反射镜器件在工作中的机械故障。由于这一原因和其它原因，通常是在释放后才对微反射镜器件进行封装。
无论目前开发的微反射镜阵列器件的封装方法之间存在何种差异，它们都使用了两个衬底——一个用来支撑器件而另一个用来覆盖器件，以及一种或多种用于结合或粘结(bond)这两个衬底的密封介质。大多数密封介质在结合和密封期间都要求进行加热。然而如果应用不当，热量可能使得微反射镜阵列器件恶化(degrade)，特别是对那些温度敏感的微结构和半导体器件而言。例如，应用不当的热量可使微结构的期望性能改变。热活性颗粒(thermally activate particles)，例如杂质和构成微结构的功能部件的颗粒，将促使这些活性颗粒在微结构内扩散，从而加剧微结构的恶化。或者，热量可削弱封装内的抗静摩擦(anti-stiction)材料。
因此，需要一种用于封装微结构、半导体、发光器件、光调制器件、或光检测器件(特别是那些在封装期间对温度敏感的器件)的方法和装置。
发明内容
鉴于上文所述，本发明提供了一种对封装期间温度敏感的微结构进行封装的方法。
作为本发明的一个示例，提供了一种微机电器件的封装件。该封装件包括：两个衬底，其中的至少一个衬底具有一个容纳所述微机电器件的空腔；其中所述两个衬底是利用它们之间的至多一个气密密封层进行结合和气密密封的。
作为本发明的另一个示例，公开了一种封装微反射镜阵列器件的方法。该方法包括：将所述微反射镜阵列器件附着到两个衬底中一个衬底的空腔内的支撑表面上，其中一个所述衬底的至少一部分可透射可见光；在所述两个衬底中至少一个衬底的一个表面上沉积金属化材料，以使该表面金属化；在所述两个衬底中一个衬底的一个表面上沉积气密密封材料，其中所述气密密封材料的焊接或软焊温度(solderingtemperature)等于或高于180℃；以及使所述两个衬底结合，并对它们进行气密密封。
作为本发明的再一示例，提供了一种半导体器件的封装件，该封装件包括：至少两个衬底，其中的至少一个衬底具有一个容纳所述半导体器件的空腔，所述两个衬底是利用它们之间的至多一个气密密封层结合在一起并进行气密密封的。
作为本发明的另一实施例，公开了一种封装半导体器件的方法，该方法包括：将所述微反射镜阵列器件附着到两个衬底中一个衬底的空腔内的支撑表面上，其中一个衬底的至少一部分可透射可见光；在所述两个衬底中至少一个衬底的一个表面上沉积金属化材料，以使该表面金属化；在所述两个衬底中一个衬底的表面上沉积气密密封材料，其中所述气密密封材料的焊接温度等于或高于180℃；以及使所述两个衬底结合，并对它们进行气密密封。
作为本发明的又一示例，提供了一种用于封装半导体器件的方法，该方法包括：在第一衬底和第二衬底上沉积由Ti、Cr、TiOx或CrOx制成的第一层；由Ni或Pt制成的第二层；以及由金制成的第三层；用焊接或软焊材料(solder material)将所述第一和第二衬底结合在一起，该焊接材料的焊接温度为至少180℃。
本发明的方法可实施于在封装期间对温度敏感的微结构和半导体器件。
附图说明
虽然所附权利要求给出了本发明中带有特殊性的特征，但是根据下文结合附图所作的详细描述，可以更好地理解本发明以及本发明的目的和优点，在附图中：
图1是一个示意图，其示意性地说明根据本发明的实施例的一示例性微反射镜阵列封装件；
图2是图1的剖视图；
图3示意性地说明一个封装衬底，其具有一个用于图1中封装件的嵌入式加热器；
图4是图3中的封装衬底的剖视图；
图5是一个示意图，其示意性地说明用于封装一个微反射镜阵列器件的另一种封装衬底，其所具有的加热器是沿该封装衬底的上表面的周边形成的；
图6是图5中的封装衬底的剖视图；
图7是一个已封装的微反射镜阵列器件的透视图；
图8a是一个简化的显示系统，其采用了图7中的已封装微反射镜阵列器件；
图8b是一个方框图，其说明了一个显示系统的示例性操作，该显示系统采用了图7中的三个已封装微反射镜阵列器件；
图9a是一个示意图，其示意性地说明一个示例性微反射镜阵列的微反射镜；
图9b是一个示意图，其示意性地说明一示例性微反射镜阵列，该微反射镜阵列由图9a中的微反射镜组成；
图10a是一个示意图，其示意性地说明另一示例性微反射镜阵列的微反射镜；且
图10b是一个示意图，其示意性地说明一示例性微反射镜阵列，该微反射镜阵列由图10a中的微反射镜组成。
具体实施方式
下面将参考微反射镜阵列器件的封装件及其封装过程来讨论本发明。下面的描述是基于本发明的选择示例，不应根据本说明书未曾明确描述的替换性实施例，将其解释为对本发明的限定。特别地，尽管不限于此，本发明对封装微结构、半导体器件特别有用，诸如形成于半导体衬底上的电路，诸如LED和OLED之类的发光器件，诸如基于MEMS的微反射镜、LCD、LCOS及光开关之类的光调制器，诸如图像传感器或探测器(例如CCD)的光检测器件。也可采用不脱离本发明精神的其它变型。
参考图1，其中示出了根据本发明的一种微反射镜阵列器件的一个示例性封装件。该封装件包括封装衬底102和盖衬底110。在这一特定示例中，封装衬底具有一个用于容纳微反射镜阵列器件(例如微反射镜阵列器件105)的空腔，而盖衬底是玻璃板或石英板或优选透射可见光的其它板。在另一示例中，盖衬底可以是一个凹面罩盖(图中未示出)，其中盖衬底的下表面朝向盖衬底的相对表面(例如上表面)延伸。在此例中，罩盖与封装衬底能够构成一个容纳微反射镜阵列器件的空间。
为结合和密封(优选为气密密封)盖衬底与封装衬底，在衬底之间设置密封介质106。密封介质优选为这样一种材料：其稳定、可靠、成本低，且具有良好的热学特性(例如热膨胀系数(CTE)、热导率等)，与其它部件如封装衬底和/或盖衬底兼容。密封材料可以是无机材料，如金属、金属合金、金属化合物(例如金属或类金属(metalloid)氧化物)或玻璃粉或玻璃料(glass frit)。优选地，为得到可靠的密封质量，密封介质的熔化温度为160℃或更高，或180℃或更高，或甚至是200℃或更高。或者优选的是，密封介质的焊接温度为190℃或更高，或210℃或更高，或甚至是230℃或更高。使用具有高熔化(或焊接)温度的密封介质的一个优点就是密封质量不会恶化，特别是在后续的封装处理如封装烘焙中不会退化。示例性的密封介质包括玻璃料，如KyoceraKC-700、Bilnx、AuSnx、Au、BiSnx、InAgx、PbSnx、及铜。优选的是，密封介质包括锡或铅。此外，玻璃料如Kyocera KC-700也可被用作密封介质。然而对通常构成衬底(例如封装衬底和盖衬底)表面的氧化物材料而言，大多数可焊接或可软焊(solderable)金属材料的粘附力不佳。为解决这一问题，可在应用可焊接金属密封介质之前，向衬底的衬底结合表面设置金属化层。
如本图所示，金属化层104被施加到封装衬底的上表面，从而使所述上表面金属化。由于多种原因，此金属化层优选由具有高焊接温度如180℃或更高温度的材料构成。例如，密封材料的焊接温度通常高于170℃。在焊接之后，如果需要，可在高于100℃，如140℃或更高、优选在120℃到160℃的温度下对封装件进行烘焙。示例性的金属化材料是铝、金、镍，或两种或更多种适当金属元素的合成物，如AuNix。这些材料可利用适当的沉积方法，如溅射印制(sputteringprinting)或粘贴(pasting)，被沉积在所述表面上成为厚膜或薄膜。在本发明的一个示例中，金属化介质层是诸如金之类的贵金属材料制成的薄层。此金属化介质层优选作为一层膜溅射到盖衬底的下表面上。
金属化层104使得封装衬底102的上表面金属化，从而增强密封介质106对封装衬底的上表面的粘附力。出于同样的原因，可在密封介质与盖衬底110之间设置另一金属化层108，以增强密封介质对盖衬底的下表面的粘附力。金属化层108可以与金属化层104相同或者不同，这取决于所选择的密封介质和盖衬底。
在本发明的另一示例中，每个金属化层104和108均可以是多层结构，例如包含金属氧化物(例如CrO2和TiO2)和/或元素金属(elemental metal)(例如Cr、Au、Ni、及Ti)。如图1所示，金属化层可包括层122和126；而金属化层可包括层128和132。这些金属化层(104和108)可同时是或不是多层结构。具体地说，上述两个金属化层中的一个可以是单层，而另一个则可以是多层结构。或者两个金属化层都可以是单层或多层结构。
当金属化层包括金属氧化物和金属层时，金属氧化物层被首先沉积到非金属衬底(如陶瓷或玻璃)的表面上，因为该层对于通常被氧化的非金属衬底的表面具有强粘附力。随后，金属层被附着到金属氧化物层上。作为另一示例，金属化层(104和/或108)可各自包括一个CrOx层(例如层112)，继之以一个Cr层(或Ti层)，又继之以一个Ni层(或Pt层)，且随后又继之以一个Au层。CrO2层是作为光阻框架设置的，用于吸收散射光，设置Cr层是为了增强后续的金属层对CrO2层的粘附力。Ni层是作为金属化层来设置的，因为Ni层易于被氧化，设置Au层是为了防止这种氧化。Ni层可被沉积成一个厚层，以强化焊接层对衬底(或盖衬底)的结合。然而，厚Ni层可能给封装系统造成额外的应力或变形。为避免这一问题，可在厚Ni层内插入一个或多个Au层，从而产生交替的Ni、Au、Ni、Au层。同样，可通过形成Cr层，并且其后使所形成的Cr层氧化(此层后也可再加上Ni(或Pt)层)来形成CrO2层。
除了光阻框架之外，可在玻璃盖衬底上或者能透射光的窗口上(当该盖衬底不能透射光时)用抗反射(AR)膜来改善光透射度。AR膜可被沉积到玻璃衬底(或玻璃窗口，或者玻璃衬底和玻璃窗口二者)的任一表面。当在玻璃衬底的下表面上覆盖AR膜时，优选的是，AR膜不覆盖要施加金属化材料(108)的周边部分，因为AR膜可能使金属化材料对盖衬底表面的粘附力降低。在制造中，可在沉积金属化材料之前或之后，将AR膜沉积到玻璃衬底的下表面上。
在结合过程中，可对盖衬底施加外力(如外部压力)、热、或辐射，如图2所示。在盖衬底与封装衬底被牢固结合一段预定时间后，可撤去外力，但不必同时撤去外力。如图2所示，可在所述封装件内设置用于吸收气体、水分和/或杂质颗粒(例如有机颗粒)的吸气剂118a，以及用于润滑微结构(例如微反射镜阵列器件)表面的润滑剂118b。
因一个或多个金属化层(104和/或108)以及密封介质(106)优选具有高焊接或熔化温度(例如180℃或更高)，可沿一个或多个衬底的周边设置一个局部加热装置。该局部加热装置的显著优点是，热量被局限于衬底的周边附近，且在所述封装中的温度敏感微结构不会受到热干扰。能够以许多方式形成所述局部加热装置，如2003年5月22日提交的、属于Tarn的美国专利申请序列号10/443,318中所述的，在此以引用方式将该专利申请的主题并入本文。作为本发明的一个示例，局部加热装置是处于封装衬底(102)上或之内的整体式或嵌入式加热器，下面将参考图3至图6来讨论该局部加热装置。
参考图3，图中所示的是一个具有用于图1封装件的整体式加热器的封装衬底。封装衬底102包括衬底层134和衬底层136。衬底层134具有一个形成空腔的凹面，微结构(例如微反射镜阵列器件)或半导体器件可被置于该空腔中。在衬底层134上，加热器140是沿衬底层134的凹面的周边形成的。来自外部电源的电流可经两个引线138引入加热器中，从而产生热。加热器被层叠在衬底层134和136之间。图4示出了封装衬底200的剖视图。
在这个特定示例中，加热器具有曲折形(zigzag)边缘。或者，加热器可采用任何其它合适的形式，例如一组依次连接的直线线路(或各自在每端带有引线的断开线路)、线圈、或线路与线圈或曲折形线路的组合。而且，除了在衬底层140上形成加热器之外(衬底层140包括容纳微反射镜阵列器件的空腔)，也可在衬底136上形成加热器。特别是可在衬底136上和在面向衬底134的表面上形成加热器。由图5可见，衬底136可以不是必需的，而且如果不设置衬底136，那么就在衬底134上图案化或形成(patterned)加热器，或者以其它方式使加热器与衬底134成为一体。加热器可用任何合适的材料制成，如钨，且可通过任何制造薄膜的合适方法(例如溅射和电镀)以及标准方法(例如打印)来形成，从而制出厚膜。为产生热，电流被驱动通过两个引线。或者，电流也可通过形成于衬底层134上并被分别连接到上述两个引线的引线，引入加热器中。
衬底层134和136可以是任何适当的优选非导电材料，优选为陶瓷或玻璃，而更优选则为陶瓷(例如A102)。也可采用其它材料(例如有机或有机-无机混合材料)，这取决于它们的熔点。在本发明的另一实施例中，衬底层134和136均可是多层结构，此多层结构进一步包括多个衬底层。在此情况下，衬底134的顶层(此顶层上设置有加热器)和衬底136的底层(此底层面向加热器)优选是不导电的。其它层，包括衬底134的顶层之下的衬底层以及衬底136的底层之上的衬底层，可以由任何需要的材料制成，如陶瓷、玻璃和金属材料。
除了将加热器嵌入于封装衬底的表面下方之外，加热器可形成于封装衬底的表面上，如图5和图6所示。参考图5，加热器是沿衬底134的表面形成的，且在该表面上不形成其它衬底层。衬底134可以是多层结构。加热器直接暴露给其它材料如密封介质，且暴露给其它结构如其它封装衬底。在此情况下，沉积到加热器的密封介质优选为非导电材料如玻璃料。若选择金属密封材料，因加热器暴露于封装衬底表面上，希望以非导电层来覆盖此表面，该非导电层优选具有高热导率。
再次参考图1，在结合过程中，电流被驱动经由两条加热器引线(114)通过整体式加热器从而产生热。电压的幅值是由下列因素决定的：加热器的电学特性(例如加热器材料、加热器形状的电学特性)，封装衬底102的衬底层的热学特性和几何结构，以及封装衬底表面上用以熔化金属化层(例如层104)和密封介质(例如密封介质层106)的所需温度。例如，密封介质106的熔化温度，还有封装衬底的表面上的所需温度是从100到300℃，优选为180℃或更高，或270℃或更高。加热器被嵌入封装衬底的表面之下，距该表面距离优选从1毫米到10毫米，优选约7毫米。在此示例中，封装衬底是陶瓷。此时这两个加热器引线114间产生的电压优选从40到100伏，优选约70伏。换言之，这一电压导致加热器产生热量，此热量使封装衬底的表面温度上升至密封介质层的熔化温度。结果，密封介质被熔化并用于结合盖衬底与封装衬底。同时，在微反射镜器件处的温度远低于导致微反射镜器件中的微反射镜发生机械故障的温度。在本发明的实施例中，在结合期间微反射镜器件处的温度优选低于70℃。
在本发明的另一实施例中，盖衬底(110)也可具有一加热器。盖衬底中的加热器可沿盖衬底的表面边缘形成，且嵌入于盖衬底的该表面之下。这个盖衬底中的加热器可被用来结合盖衬底和封装衬底。且它在焊接金属化介质层(例如层108)和密封介质层时是特别有用的。
为进一步避免作用在被封装微结构或半导体器件上的热效应，可用一外部冷却装置如冷却板来使来自封装的热量散失。例如，可将冷却板附着到封装衬底上。
本发明的封装件具有多种应用(例如：微结构，半导体，诸如LED和OLED之类的发光器件，诸如LCOS器件、LCD器件、等离子体器件、以及微反射镜器件之类的光调制器，诸如CCD之类的光检测器件等等)，其中一种应用是显示系统。图7示出了根据本发明一个实施例的示例性微反射镜阵列封装件。微反射镜阵列器件被结合在封装件内，以便保护。入射光能够穿过盖衬底并照射到微反射镜阵列器件中的微反射镜上。此封装随后便可用于各种实际应用中，其中一种实际应用就是显示系统。
参考图8a，其中示出了一个采用图7中微反射镜阵列器件封装件的典型显示系统。在其最基本的配置中，显示系统包括光源144、光学器件(例如光管148、透镜150和154)、色轮146、显示目标156、及使用图7中的微反射镜阵列器件封装的空间光调制器152。光源(例如弧光灯)引导入射光穿过色轮和光学器件(例如光管和物镜)而照射到空间光调制器上。空间光调制器选择性地向光学器件154反射入射光，并在显示目标上产生图像。该显示系统能够以许多方式工作，如那些在美国专利6,388,661以及在2003年1月10日提交的美国专利申请序列号10/340,162(均属于Richards)中提出的方式，在此以引用方式将上述专利申请的主题并入本文。
参考图8b，其为一方框图，示出了一个采用三个空间光调制器的显示系统，每个空间光调制器具有一个图7中微反射镜阵列器件封装件，其中每个空间光调制器预定用于分别调制三原色(即红、绿和蓝)光束。如图所示，来自光源144的光158穿过滤光器175并且被分成三个原色光束，即红光160、绿光162及蓝光164。每种颜色的光束照射一个空间光调制器，并因此而被调制。具体地说，红光160、绿光162及蓝光164分别照射空间光调制器(SLM)166、168和170且被调制。调制红光172、绿光174、及蓝光176在光组合器194处被重新组合，从而形成调制的彩色图像。组合彩色光178被导向(例如通过投影透镜)到显示目标上，以便观看。
参考图9a，其中示出了微反射镜阵列器件中的一个示例性微反射镜器件。如图所示，微反射镜板204被附着到铰链206。该铰链是由在衬底210上形成的支柱202来固定。借助此配置，微反射镜板能够在衬底上沿铰链转动。作为一个替换性特征，可形成两个停止器以控制微反射镜板的转动。衬底优选是玻璃制成的。另一方面，衬底210可以是半导体晶片，在该半导体晶片上可构造标准DRAM电路和电极。在本发明的又一实施例中，微反射镜衬底可形成于能透射光的转迁衬底(transfer substrate)上。具体地说，可在转迁衬底上形成微反射镜板，且随后将微反射镜衬底连同转迁衬底附着到另一衬底如能透射光的衬底，其后除去转迁衬底并使微反射镜衬底图案化从而形成微反射镜。图9b示出了一个微反射镜阵列的一部分，该微反射镜阵列包括多个图9a中的微反射镜器件。该阵列形成在上层衬底上，该上层衬底是由透光玻璃制成的。下层衬底优选为半导体晶片，其上形成有电极与电路阵列，用于以静电方式控制上层衬底中的微反射镜的转动。除了如上所述在不同的衬底上形成微反射镜阵列和电极与电路阵列之外，也可在同一衬底上形成微反射镜阵列和电极与电路阵列。
图9a和图9b示出了一个示例性微反射镜器件，其具有带曲折形边缘的微反射镜板。该微反射镜板可具有任何所需形状。另一示例性的微反射镜器件示于图10a中，其具有不同结构。参考图10a，微反射镜板具有“钻石或菱形(diamond)”形状。铰链被设置成平行但偏离微反射镜板的一个对角线。值得指出的是，该铰链结构具有一个臂，该臂朝向微反射镜板的一端延伸。整个铰链结构和铰链形成于微反射镜板的下方。这种结构具有许多优点，例如通过铰链和铰链结构减少了入射光的折射。图10b示出了一个示例性的微反射镜阵列器件，其含有多个图10a中的微反射镜器件。
本领域技术人员将会意识到，本文已描述了一种对微结构和半导体器件进行封装的、新颖有用的方法。然而鉴于可应用本发明原理的许多可能的实施例，应认识到，此处参照附图所描述的实施例仅用于说明，而不应被视为对发明范围的限定。例如本领域技术人员会认识到，在不脱离本发明精神的情况下，可对所述实施例的配置和细节进行修改。特别是在所述封装衬底和盖衬底所形成的空间中，可填充其它保护材料，例如惰性气体。再例如，封装衬底，以及盖衬底和隔离物，可以是其它合适的材料，如二氧化硅、碳化硅、氮化硅、及玻璃陶瓷。再例如，其它合适的辅助性方法和部件也是可应用的，例如在结合时用红外辐射来焊接密封介质层，以及用柱形物或其它结构来对准衬底。而且，其它所需材料，如抗静摩擦材料(其优选处于气态以减小微反射镜阵列器件中的微反射镜的静摩擦)，也可沉积在封装内部。可在结合盖衬底与下层衬底之前沉积抗静摩擦材料。若盖衬底是透射可见光的玻璃，可将其与微反射镜阵列器件和封装衬底平行地放置。另一方面，盖衬底可被设置成与微反射镜阵列器件或封装衬底形成一定角度。因此，本文所描述的发明考虑到了落入所附权利要求及其等效方案范围内的所有此类实施例。

Claims (91)

1.一种封装电子器件的方法，包括：
在两个衬底中一个衬底的空腔内，将发射、调制或检测可见光的所述电子器件附着到一支撑表面上，其中一个衬底的至少一部分可透射可见光；
在所述两个衬底中至少一个衬底的一个表面上沉积金属化材料，以使该表面金属化；
在所述两个衬底中一个衬底的一个表面上沉积气密密封材料，其中所述气密密封材料是在等于或高于190℃的焊接温度被焊接的；以及
对所述两个衬底进行结合和气密密封。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述密封材料所具有的熔化温度为150℃或更高。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述密封材料所具有的熔化温度为180℃或更高。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述密封介质包含锡。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述密封介质包含铅。
6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述电子器件附着到所述支撑表面上的步骤进一步包括：
将LED器件附着到所述支撑表面上。
7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述电子器件附着到所述支撑表面上的步骤进一步包括：
将OLED器件附着到所述支撑表面上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述电子器件附着到所述支撑表面上的步骤进一步包括：
将CCD器件附着到所述支撑表面上。
9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述电子器件附着到所述支撑表面上的步骤进一步包括：
将LCD器件附着到所述支撑表面上。
10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述电子器件附着到所述支撑表面上的步骤进一步包括：
将LCOS器件附着到所述支撑表面上。
11.根据权利要求1所述的方法，其中将所述电子器件附着到所述支撑表面上的步骤进一步包括：
将微反射镜阵列器件附着到所述支撑表面上。
12.根据权利要求1所述的方法，其中沉积气密密封材料的步骤进一步包括：
在所述衬底的所述表面上沉积焊接材料。
13.根据权利要求1所述的方法，所述沉积气密密封材料的步骤进一步包括：
在所述衬底的所述表面上沉积玻璃料。
14.根据权利要求12所述的方法，其中沉积所述焊接材料的步骤进一步包括：
在所述表面上沉积一个BiSnx层。
15.根据权利要求12所述的方法，其中沉积所述焊接材料的步骤进一步包括：
在所述表面上沉积一个AuSnx层。
16.根据权利要求12所述的方法，其中沉积所述焊接材料的步骤进一步包括：
沉积焊接温度等于或高于180℃的焊接材料。
17.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
设置所述两个衬底，其中所述两个衬底中的一个为平面形的。
18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：
设置所述两个衬底，其中所述平面形的衬底是透光玻璃。
19.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
设置所述两个衬底，其中具有所述空腔的衬底是陶瓷的。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述陶瓷是氧化铝。
21.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属化层为多层结构，其进一步包括由不同金属化材料制成的至少两个金属化层。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述金属化层包括一个金层及一个镍层。
23.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
沿另一所述衬底的表面的周边沉积另一金属化层。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述另一金属化层为多层结构，其包括由不同金属化材料制成的至少两层。
25.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
在所述透光衬底的一个表面上沉积一个光吸收框架。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述光吸收框架是由早期过渡金属氧化物或早期过渡金属构成的。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述早期过渡金属是铬。
28.根据权利要求26所述的方法，其中所述早期过渡金属氧化物是氧化铬。
29，根据权利要求18所述的方法，其中所述透光衬底还具有一个表面，该表面上覆盖有一个抗反射层。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述抗反射层并不全部覆盖其上设置有抗反射层的表面。
31.根据权利要求30所述的方法，其中未被所述抗反射层覆盖的那部分表面上设置有一个金属化层。
32.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
环绕具有所述空腔的衬底的一个表面的周边，形成一个加热器。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述加热器被置于具有所述空腔的衬底的所述表面的下方。
34.根据权利要求32所述的方法，进一步包括：
环绕所述另一衬底的一个表面的周边，形成另一加热器。
35.一种用于封装MEMS器件的方法，包括：
在第一衬底和第二衬底上沉积由Ti、Cr、TiOx或CrOx制成的第一层；Ni或Pt制成的第二层；以及金制成的第三层；
用焊接材料将所述第一和第二衬底结合在一起，该焊接材料是在焊接温度至少为180℃被焊接的。
36.根据权利要求35所述的方法，进一步包括：
在所述结合步骤之前，沉积一个由Ni或Pt制层的附加层，继之以一个由金制成的附加层。
37.根据权利要求35所述的方法，其中所述焊料是BiSnx或AuSnx。
38.根据权利要求35所述的方法，其中所述第二层是Ni。
39.根据权利要求35所述的方法，其中所述第一层是Cr。
40.根据权利要求35所述的方法，其中在沉积由Ni或Pt制成的所述层之前，由Cr制成的所述层被氧化成CrOx。
41.根据权利要求35所述的方法，其中所述第一层是CrOx。
42.根据权利要求35所述的方法，其中所述MEMS器件是基于微反射镜阵列的空间光调制器
43.根据权利要求42所述的方法，其中所述微反射镜阵列中的微反射镜是基本正方形的。
44.根据权利要求42所述的方法，其中所述微反射镜阵列的微反射镜具有铰链和反射镜板，且其中所述铰链被置于一个不同于所述反射镜板的板中。
45.根据权利要求42所述的方法，其中所述微反射镜是二元反射镜，并且是以脉宽调制技术操作的。
46.根据权利要求35所述的方法，其中所述微反射镜包括一个有机的、或有机-无机混合的抗静摩擦镀层。
47.根据权利要求35所述的方法，其中所述第一衬底是玻璃或石英。
48.根据权利要求35所述的方法，其中所述第一衬底是平面形衬底。
49.根据权利要求35所述的方法，其中所述第二衬底是陶瓷衬底。
50.根据权利要求35所述的方法，其中所述第二衬底具有一个空腔，在结合之后，所述MEMS器件被置于所述空腔中。
51.根据权利要求35所述的方法，其中所述由CrOx制成的层是以不透明框架的形式沉积在玻璃衬底上的，该框架具有矩形形状。
52.根据权利要求35所述的方法，其中所述MEMS器件是一个微反射镜阵列，该微反射镜阵列的长边不平行于所述由CrOx制成的矩形框架的侧边。
53.根据权利要求35所述的方法，其中所述MEMS器件是由至少1百万个微反射镜构成的阵列。
54.根据权利要求35所述的方法，其中所述结合步骤是在惰性气体环境中进行的。
55.根据权利要求53所述的方法，其中所述环境是惰性气体和抗静摩擦有机蒸气。
56.一种用于封装电子器件的方法，该电子器件发射、调制或检测可见光，所述方法包括：
在第一衬底和第二衬底上沉积一个CrOx层，或一个Cr层并且随后将所述Cr层氧化成CrOx；一个Ni或Pt层；以及一个金层；且
用气密密封材料将所述第一和第二衬底结合在一起。
57.一种微机电器件的封装件，包括：
至少两个衬底，其中至少一个衬底具有一个容纳所述微机电器件的空腔；其中所述两个衬底是利用它们之间的至多一个气密密封层结合在一起并进行气密密封的。
58.根据权利要求57所述的封装件，其中所述气密密封材料是金属焊料。
59.根据权利要求57所述的封装件，其中所述气密密封材料是玻璃料。
60.根据权利要求58所述的封装件，其中所述焊料包括BiSnx。
61.根据权利要求58所述的封装件，其中所述焊料包括AuSnx。
62.根据权利要求58所述的封装件，其中所述焊料的焊接温度等于或高于180℃。
63.根据权利要求57所述的封装件，其中所述两个衬底中的一个为平面形。
64.根据权利要求63所述的封装件，其中所述平面形衬底是透光玻璃。
65.根据权利要求57所述的封装件，其中具有所述空腔的所述衬底是陶瓷。
66.根据权利要求65所述的封装件，其中所述陶瓷是氧化铝。
67.根据权利要求57所述的封装件，进一步包括：一个金属化层，其沿所述两个衬底中一个衬底的一个表面的周边设置，所述表面面向另一所述衬底。
68.根据权利要求67所述的封装件，其中所述金属化层为多层结构，其进一步包括由不同金属化材料制成的至少两个金属化层。
69.根据权利要求68所述的封装件，其中所述金属化层包括一个金层及一个镍层。
70.根据权利要求67所述的封装件，进一步包括：沿所述另一衬底的一个表面的周边设置的另一金属化层。
71.根据权利要求70所述的封装件，其中所述另一金属化层为多层结构，其包括由不同金属化材料制成的至少两层。
72.根据权利要求64所述的封装件，其中所述透光衬底进一步包括：
一个光吸收框架，其位于所述透光衬底的一个表面上。
73.根据权利要求72所述的封装件，其中所述光吸收框架是由早期过渡金属氧化物或早期过渡金属构成的。
74.根据权利要求73所述的封装件，其中所述早期过渡金属是铬。
75.根据权利要求73所述的封装件，其中所述早期过渡金属氧化物是氧化铬。
76.根据权利要求64所述的封装件，其中所述透光衬底还具有一个表面，该表面上覆盖有一个抗反射层。
77.根据权利要求76所述的封装件，其中所述抗反射层并不全部覆盖其上设置有抗反射层的表面。
78.根据权利要求77所述的封装件，其中未被所述抗反射层覆盖的那部分表面上设置有一个金属化层。
79.根据权利要求57所述的封装件，进一步包括：
一个加热器，其环绕具有所述空腔的衬底的一个表面的周边布置。
80.根据权利要求79所述的封装件，其中所述加热器被置于具有所述空腔的衬底的所述表面的下方。
81.根据权利要求79所述的封装件，进一步包括：另一加热器，其环绕另一所述衬底的一个表面的周边布置。
82.一种微机电器件的封装件，包括：
至少两个衬底，其中至少一个衬底具有一个容纳所述微机电器件的空腔；其中所述两个衬底是利用它们之间的至多一个气密密封层结合在一起并进行气密密封的，其中密封层是金属焊料或玻璃料。
83.根据权利要求82所述的封装件，其中所述半导体器件是一个微反射镜阵列器件。
84.一种封装半导体器件的方法，包括：
在两个衬底中一个衬底的空腔内，将所述微反射镜阵列器件附着到一个支撑表面上，其中所述两个衬底中一个衬底的至少一部分可透射可见光；
在所述两个衬底中至少一个衬底的一个表面上沉积金属化材料，以使该表面金属化；
在所述两个衬底中一个衬底的一个表面上沉积气密密封材料，其中所述气密密封材料的焊接温度等于或高于180℃；且
对所述两个衬底进行结合和气密密封。
85.一种封装半导体器件的方法，包括：
在第一衬底和第二衬底上沉积由Ti或TiOx制成的第一层；Ni或Pt制成的第二层；以及金制成的第三层；
用焊接材料将所述第一和第二衬底结合在一起，该焊接材料的焊接温度至少为180℃。
86.一种封装件，包括：
至少两个衬底，其中一个衬底包括一个具有支撑表面的空腔，该支撑表面上放置有电子器件，而另一衬底的至少一部分可透射可见光；
处于所述两个衬底中至少一个衬底的一个表面上的金属化材料，用于使该表面金属化；
处于所述两个衬底中一个衬底的一个表面上的气密密封材料，其中所述气密密封材料的熔化温度为160℃或更高。
87.根据权利要求86所述的封装件，其中所述密封材料的熔化温度为180℃或更高。
88.根据权利要求86所述的封装件，其中所述密封材料包含锡。
89.根据权利要求86所述的封装件，其中所述密封材料包含铅。
90.根据权利要求86所述的封装件，其中所述电子器件是空间光调制器。
91.根据权利要求90所述的封装件，其中所述空间光调制器包括微反射镜阵列。
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