CN1808342B

CN1808342B - 用于维持性能的系统和方法

Info

Publication number: CN1808342B
Application number: CN200610006424.4A
Authority: CN
Inventors: S·D·纳夫齐格; C·A·普瓦里耶
Original assignee: Hewlett Packard Development Co LP
Current assignee: Hewlett Packard Enterprise Development LP
Priority date: 2005-01-21
Filing date: 2006-01-20
Publication date: 2014-10-29
Anticipated expiration: 2026-01-20
Also published as: GB2422461B; US20060167657A1; GB2422461A; GB0601112D0; CN1808342A; US7661003B2

Abstract

本发明公开了用于维持集成电路(70)的性能的系统和方法。系统(10)的一个实施例可以包括工作功率极限求值器(18，32)，其确定工作功率极限作为与影响集成电路(70)的性能的变化有关的至少一个性能因子的函数。该系统还可以包括功率管理系统(12，72)，其根据工作功率极限和集成电路(70)的实际功率改变集成电路(70)的功率以维持基本恒定的性能。

Description

用于维持性能的系统和方法

背景技术

在集成电路(IC)的设计中，尤其对于超大规模集成(VLSI)芯片设计，功耗正变得越来越受关注。功耗的增加超过了硅技术中按比例发展的优点和降低电源电压的益处。功率管理已经被认为是和VLSI(超大规模集成)芯片的设计和运行相关的重要因素以减轻与VLSI芯片相关的功耗。例如，功耗正在变成用于高速微处理器的严重性能限制物。例如，用于微处理系统的关键设计目标是提供对于计算机增强码的最大可能的峰值性能，同时降低微处理器系统的功耗。

因此，为了保持芯片的功耗低于供所给系统(例如，在桌上型电脑、工作站或者便携式设备内)使用能接受的一定水平，已经使用改变处理器频率和/或电源电压的功率管理系统。但是，功率管理系统没有考虑到可能影响跨不同系统的应用性能的变化。

发明内容

本发明的一个实施例可以包括用于维持集成电路性能的系统。该系统可以包括工作功率极限求值器(evaluator)，其确定工作功率极限作为与影响集成电路的性能的变化相关的至少一个性能因子的函数。该系统还可以包括功率管理系统，其根据工作功率极限和集成电路的实际功率改变集成电路的功率以保持基本上恒定的性能。

另一个实施例可以包括集成电路。该集成电路可以包括参数存储装置，其存储基于至少一个固有性能的制造测试参数和集成电路中制造变化中的至少一个，以及功率管理系统，其基于集成电路的实际功率和来源于至少一个制造测试参数以及至少一个可操作的条件的工作功率极限改变集成电路的功率，以维持对给定系统的基本上恒定的性能。

还有另一个实施例可以包括用于集成电路的功率管理系统。该系统可以包括用于维持功率低于指定的功率极限的装置，和用于根据影响集成电路的性能的变化调节指定的功率极限以维持基本恒定性能的装置。

还有另一个实施例可以包括用于维持集成电路的性能的方法。该方法可以包括描述影响性能的集成电路的至少一个变化的特征，根据特征描述和指定的功率极限确定工作功率极限，和根据确定的工作功率极限调整集成电路的实际功率。

附图说明

图1说明了用于维持集成电路性能的系统的实施例的方框图。

图2说明了工作功率求值器的实施例的方框图。

图3说明了用于确定多个制造测试参数的测试器的实施例的方框图。

图4说明了集成电路的实施例的方框图。

图5说明了用于维持性能的方法的实施例。

图6说明了用于确定制造测试参数的方法的实施例。

图7说明了用于维持性能的方法的另一个实施例。

具体实施方式

该公开的内容通常涉及用于维持应用功率管理的集成电路的性能(例如，频率)的系统和方法。在一些实施例中，该系统和方法确定工作功率极限作为影响性能的集成电路的至少一个变化的特征的函数。在一些实施例中，对于多个给定的设计，例如对于给定应用上的的集成电路，可以维持基本恒定的性能。

图1说明了用于维持集成电路的性能的系统10。系统10可以在集成电路(IC)芯片或者管芯，例如VLSI芯片(例如微处理器、应用专用集成电路(ASIC))或类似的器件上实现。系统10包括动态地管理与集成电路芯片或者管芯相关的功率的功率管理系统12。功率管理系统12通过动态地改变集成电路或者管芯的频率和电源电压管理功率。通过对集成电路芯片或者管芯的系统时钟产生频率控制信号，功率管理系统12可以改变频率。通过对系统功率供应或者功率调节器产生电压供应控制信号，功率管理系统12可以改变电源电压。通过周期性地比较集成电路芯片或者管芯的工作功率极限P_WORK和实际功耗P_AcTUAL，功率管理系统12应用功率管理算法以保持实际的功耗处于工作功率极限或者低于工作功率极限。

对于给定芯片，例如，不管固有性能、制造变化和可操作的条件通过维持基本恒定的频率，将工作功率极限P_WORK动态地调整到低于指定的最大允许功率极限，以提供性能的可重复性。工作功率极限P_WORK来源于至少一个因子，该因子是关于给定应用跨越给定设计的不同集成电路芯片的性能变化的函数。例如，在给定的功率极限处，应用处理器以运行给定软件程序的工作站与应用相同设计的处理器的类似工作站可以不同地进行。对于通过电压和/或频率比例动态管理功率的处理器，存在很多使得性能的可重复性困难的因素。例如，由于芯片中的电路(例如晶体管)的阈值以下的泄漏是依赖于温度的，所以电路的功耗和运行频率随温度变化。因此，通过改变电压和/或频率管理功率的系统将提供跨越不同温度的不同电压和/或频率以保持芯片在指定的功率极限内。

另外，对于运行的相同频率，制造变化导致芯片消耗不同的功率量。这就是泄漏功率，并且由于每个芯片中硅固有的变化导致切换功率可以随着给定设计的每个芯片变化。例如，在2.5千兆赫(GHz)的最大频率处集成电路设计可以具有保证100瓦特的最大功率的性能规范。然而，在2.5GHz处第一芯片可能消耗90瓦特的功率，然而在2.5GHz处第二芯片可能消耗99瓦特的功率。因此，如果功率极限降低(例如被用户)到90瓦特，第二芯片将必须降低它的频率以将功率降低到90瓦特，然而第一芯片将不降低，因为与第一芯片固有相关的硅比与第二芯片相关的硅消耗更少的功率。

回过来参考图1，系统10包括功率测量系统14和温度测量系统16。功率测量系统14提供对由集成电路消耗的实际功率P_ACTUAL的测量。功率测量系统14可以应用多种不同的技术以提供对由集成电路消耗的实际功率P_ACTIAL的测量。例如，实际功率测量可以基于关系式：P＝C*V^2-F+L(V，T)，其中C是集成电路的切换电容，V是电源电压，F是系统时钟的频率以及L(V，T)是作为电压和温度的函数的设备的泄漏功率。可替换地，可以基于从电源P＝V*I得到的电流(I)和电压(V)测量实际功率测量。温度测量系统16测量集成电路的运行温度。温度测量系统16可以应用多种不同的技术提供对集成电路的运行温度的测量。例如，温度测量系统16可以采用晶体管速度来代替温度，或者采用二极管的电压降用于确定温度。

系统10还包括工作功率求值器18。由于制造变化和与不同集成电路有关的不同的固有特征，工作功率求值器18确定工作功率极限P_WORK，它是能够改变跨越给定设计的不同集成电路的一个或多个性能因子的函数。一个或多个因子可以包括最大的性能因子。由于给定设计的不同芯片的固有特征，最大的性能因子可以调节在最高温度和最大频率时功耗中的变化。一个或多个因子可以包括温度因子。由于给定设计的不同芯片运行温度的变化导致温度因子可以调节功耗中的变化。一个或多个因子可以包括与功率极限设置值有关的功率极限因子，该功率极限设置小于用于给定设计的最大允许功率极限。通过芯片或者系统的用户可以初始化最大功率极限设置值中的变化。对于给定设计的不同芯片，在给定的性能水平，功率极限因子可以调节功耗中的变化。

根据多个参数确定一个或多个因子。例如，多个参数包括实际运行温度测量(TEMP)、最大功率指定极限(P_MAX)和功率极限设置(P_LIMIT)。多个参数还包括多个制造测试参数(TEST PARAMETERS)。多个制造参数是基于改变运行条件下在制造测试时给定的集成电路的性能特征。例如，性能特征可以基于给定运行条件组的设备固有功耗。另外，性能特征可以基于在给定运行条件组的设备切换功率与总功率的比率和/或泄漏功率与总功率的比率。在制造测试时，多个制造测试参数可以被确定并存储在与该系统有关的存储装置中。多个制造测试参数、实际运行温度测量、最大功率指定极限值和功率极限设置可以实时的应用，以动态地修改系统10的工作功率极限值P_WORK。

图2说明了用于确定与集成电路或者管芯有关的功率管理系统的工作功率极限的工作功率求值器30。工作功率求值器30包括一组性能因子32。根据多个参数该组性能因子32提供对功率管理系统的工作功率极限的调节。多个参数可以包括定义与给定的集成电路有关的固有特征的运行条件参数、用户定义的参数、部分指定的参数和制造测试参数。该组性能因子32包括最大性能因子(F1)34、温度因子(F2)36和功率极限因子(F3)38。

最大性能因子(F1)34基于计算最高温度和最大频率时的给定集成电路的功耗P_BASE，并通过功率极限设置值定标基础功耗。下面是用于计算最大性能因子的方程的一个说明的例子：

F1＝(P_LIMIT/P_MAX)*(P_BASB/P_MAX) 方程1

其中P_BASE是在指定的活动因子(activity factor)(AF_SPEc)处的最高温度和最大频率时的功耗，P_LIMIT是由用户设置的功率极限设置值以及P_MAX是在最高温度和最大频率时给定集成电路设计的最大允许功耗。可以理解的是，由于切换功率随着软件变化，所以切换功率可以表达成用于集成电路的一小部分最大切换功率作为活动因子AF。指定的活动因子(AF_SPEC)可以是在集成电路上执行的代表最普通应用的活动因子。最大性能因子34提供在最大性能时实际功耗与最大性能时最大允许功耗的比率，如果提供了一个，通过功率极限设置值按比例减小该比值。因此，如果在最大性能时第一芯片具有等于最大允许功耗的功耗，并将功率极限设置值设置为最大允许功耗，最大性能因子是一且不调节工作功率。然而如果在最大性能时第二芯片具有低于最大允许功耗和/或提供低于最大允许功耗的功率极限设置的功耗，那么基于F1调节工作功率极限，因为在比第一芯片低的功率时第二芯片提供基本上类似的性能(例如频率)。因此，以在最大允许功率和低于最大允许功率时的功耗运行的不同集成电路可以提供基本上类似的性能。

温度因子(F2)36基于估计温度变化对给定的集成电路的功耗的影响。尤其是，温度因子36涉及基于由于温度变化导致的泄漏功耗中的变化而修改工作功率极限P_WORK，因为芯片中的电路(例如晶体管)的阈值以下的泄漏基本上是由温度决定的。因此，温度对于其泄漏功率大的设备的影响大于具有低泄漏功率的设备。温度因子36基于调节作为温度的函数的泄漏功率提供对工作功率极限P_WORK的调整，然而切换功率基本上不受温度变化的影响。因此，与具有较低的泄漏对总功率的比率的芯片相比，具有较高的泄漏对总功率的比率的芯片由于温度降低导致的工作功率极限P_WORK降低得更多，以便从两芯片提供基本上相同的性能。因此，相对于总功率具有较低的泄漏功率的芯片比具有较高泄漏功率的芯片需要更高的工作功率极限，以产生基本上类似的频率，因为比切换功率更多的功耗归因于泄漏功率。

温度因子(F2)还考虑低于设计的最大允许功率的功率极限设置的影响。因此，因子F2调节工作功率极限以补偿由于例如由用户改变的功率极限设置导致的温度变化(其导致改变泄漏功率)。也就是说，当运行在较低功率时集成电路将运行在较低的温度。下面是用于计算温度因子(F2)的方程的一个说明的例子：

F2＝(TP+(1-TP)*MIN(测量的温度+Rja(P_MAX-P_LIMIT，T_MAX)/T_MAX)²方程2

其中T，是温度参数，Rja是从接点到外界的热电阻，其是定义管芯的每瓦温度变化的系统设计的结果，P_MAX是设计的最大允许功率，P_LIMIT是功率极限设定以及T_MAX是最高温度，其中保证(并测试)集成电路的正常性能。温度参数T_P经验地源自给定设计的多个芯片。温度参数T_P在函数上与功率参数P_P相关，其是在最高温度时超过芯片的总功率的切换功率，因此1-P_P等于超过总功率的泄漏功率。温度参数T_P还考虑到对与集成电路设计有关的驱动阻抗(driVe fight)和端子电阻的补偿。如上所述，1-T_P的关系是相关的泄漏比，因此，泄漏百分比调节成测量的温度的函数。

通过确定最大频率和最高温度时的总功率(P_MAXFREQ)和确定最大频率和最高温度一半时的总功率(P_MAXFREQ/2)，可以确定制造测试时的功率参数P_P。由于泄漏功率不因频率变化而变化，以及切换功率具有随频率线性的关系，所以切换功率可以确定如下：

P_LEAKAGE-P_BASE-2*(P_MAXPREQ-_PMAXPREQ/2) 方程3

P_SWITCHING＝P_BASB-P_LEAKACE 方程4

P_P=P_SWITCHING/P_BASE 方程5

功率极限因子(F3)38基于估计低于最大频率和最高温度时的最大功率的用户设置的功率极限的影响。功率极限因子38补偿低于最大允许功率极限的功率极限设置。例如，与具有较低的切换功率成分对泄漏功率成分之比的芯片相比，较低的功率极限将对具有较高的切换功率成分对泄漏功率成分之比的芯片具有更大的影响。对于方程3-5假定已经定义活动因子(AF_SPEC)以确定切换功率和基础功率。活动因子AF_SPEC可以是表示在集成电路上执行的最普通的应用的活动因子。如上所述，活动因子是由给定的应用或者软件消耗的最大切换功率的一部分。

因此，根据调节作为功率极限的函数的切换功率功率极限因子38为工作功率极限P_WORK提供调节。因此，与具有较低的切换功率对总功率的比率的芯片相比，对于具有较高的切换功率对总功率的比率的芯片，工作功率极限P_WORK降低得更多，以便从两芯片提供基本相同的性能。因此，与具有较高切换功率与总功率的比率的芯片相比，具有较低切换功率与总功率的比率的芯片需要更高的工作功率极限，以便在给定功率极限设置时产生基本类似的频率。

功率极限因子38还考虑最大频率时的固有基础功率和最大功率对最大允许功率的影响。因此，因子F3调节工作功率极限P_WORK以对给定集成电路设计补偿运行在最大规范时的给定集成电路的功耗中的固有差异。下面是用于计算功率极限因子(F3)的方程的一个说明的例子：

F3＝MIN((.5+.5(P_EASE/P_MAX))*(1-L_P)*(1-P_LIMIT/P_MAX))，1)方程6

其中L_P是泄漏参数，P_MAX是设计的最大允许功率，P_LIMIT是功率极限设置，P_BASE是在其中保证集成电路的正确性能的AF_SPEC、最高温度和最大频率时的功耗。泄漏参数L_P经验地源自给定设计的多个芯片。泄漏参数L_P在函数上与功率参数P_P相关。功率参数P_P是在最高温度时超过总功率的切换功率，因此，1-P_P等于超过总功率的泄漏功率。泄漏参数还考虑到对与集成电路设计有关的驱动阻抗和端子电阻的补偿。如上所述，1-L_P的关系是相关的切换功率比率，因此，切换功率百分比调节成功率极限设置的函数。

图3说明了用于确定与给定的集成电路或者管芯有关的多个制造测试参数的测试器50。测试器50包括加热器54、控制装置58、功率测量系统56和参数确定部件60。测试器50通过加热器54可以对集成电路52实施加热到用于测试的所需温度。控制装置58可以实施控制运行条件，例如集成电路52的运行频率和/或电源电压。可替换地，控制装置58可以实施对集成电路52编程以通过例如集成电路52的通信引脚上的界面控制集成电路52的运行条件。功率测量系统56确定在一个或多个运行的和外界的条件下集成电路52的实际功耗。可替换地，控制装置58或功率测量系统56可以通过例如集成电路52的通信引脚上的界面实施从集成电路52的补偿功率测量。

参数确定部件60根据在不同运行和外界条件下的功率测量P_MBAS确定制造测试参数。例如，通过测量在集成电路52的最大频率、AF_SPEC和最高温度时的功率消耗，参数确定部件60确定基础功率P_BASE。通过确定集成电路的切换功率与总功率的比率，参数确定部件60计算功率参数P_P。通过确定最大频率和最高温度时的总功率(P_MAXFREQ)和确定最大频率和最高温度一半时的总功率(P_MAXFREQ/2)，可以确定功率参数P_P。由于泄漏功率不因频率的变化而变化，以及切换功率具有与频率的线性关系，所以可以用上述的方程3-5确定切换功率。

然后功率参数P_P用作泄漏参数表62和温度参数表64中的索引。泄漏参数表62包括多个对应的泄漏参数L_P值以及温度参数表64包括与基于经验结果确定的功率参数P_P有关的多个对应的温度参数T_P。为了简单，泄漏参数表62和温度参数表64可以集成到一个表中。表I说明了包括功率参数值和相关的温度参数值以及泄漏参数值的示例表。

表I

P_P T_P L_P

0.86 0.86 0

0.84 0.86 0

0.80 0.86 .05

0.75 0.84 .12

0.66 0.80 .25

0.55 0.74 .3

0.42 0.64 .4

0.35 0.58 .5

泄漏参数L_P和集成电路的泄漏比有关，而1-L_P和集成电路的切换比有关。温度参数TP和集成电路的切换比有关，而1-T_p和集成电路的泄漏比有关。温度参数T_P和泄漏参数L_P也考虑到对与集成电路设计有关的驱动阻抗和端子电阻的补偿。测试器50或者一些其它设备可以将制造测试参数(例如P_BASB、P_P、L_P、T_P)存储在集成电路52上的存储装置(例如ROM、电子熔断器)中，用于在正常运行中供工作功率求值器和功率管理系统使用。

图4说明了促进可重复的性能的集成电路70。集成电路70包括功率管理系统72，该功率管理系统72包括功率管理算法，以通过周期性地将集成电路芯片或者管芯的工作功率极限与实际功耗P_ACTUAL相比较，以保持实际功耗为工作功率极限或者低于工作功率极限。通过动态地改变集成电路或者管芯的频率和电源电压，功率管理系统72管理与集成电路芯片或者管芯有关的功率。功率管理系统72产生频率控制信号(FRBQ CONTROL)提供给压控振荡器(VCO)82，其起到集成电路70的系统时钟的作用。VCO82在由功率管理系统72设置的频率处提供时钟信号给集成电路70的核心74。功率管理系统72产生电源电压控制信号(SUPPLY CONTROL)给通过电源引脚接收电源(PS)的功率的系统电源或者功率调节器84，并给集成电路70的核心74提供电源电压V_SUPPLY。

对于给定的应用而不管固有的特征、制造变化和可运行的条件，例如，通过在给定的活动因子处保持基本恒定的频率，将工作功率极限动态地调整到低于用于集成电路70的指定最大允许功率极限，以提供性能的重复性。工作功率极限源自至少一个因素，该因素是给定设计的跨越不同集成电路芯片的给定应用上的性能变化的函数。

集成电路70包括功率测量系统78和温度测量系统80。功率测量系统78提供由集成电路70消耗的实际功率P_ACTUAL的测量。温度测量系统80测量集成电路70的运行温度。功率测量系统72也是可操作的，以通过例如集成电路70的引脚接收功率极限设置P_LIMIT。功率极限设置P_LIMIT将最大允许功率P_MAX降低到用户定义的功率极限。

功率管理系统72确定工作功率极限，其是能跨越因制造变化和与不同集成电路有关的不同固有特征导致的给定设计的不同集成电路而改变的一个或多个性能因子的函数。一个或多个因子可以包括最大性能因子、温度因子和功率极限因子。一个或多个因子调节因制造变化、不同的固有特征和变化的运行条件导致的性能的变化。根据多个参数确定一个或多个因子。例如，多个参数包括实际运行温度测量(TEMP)、最大功率指定极限P_MAX和功率极限设置(P_LIMIT)。多个参数还包括存储在集成电路70上的参数存储装置76(例如ROM、电子熔断器)中的多个制造测试参数(例如P_BASB、P_P、L_P、T_P)，用于在正常运行中供功率管理系统72使用。

在变化的运行条件下，多个制造参数是基于在制造测试时给定集成电路的性能特征的。例如，性能特征可以基于给定运行条件组时的设备的固有功耗。另外，性能特征可以基于在给定运行条件组时设备的切换功率与总功率的比率和/或泄漏功率与总功率的比率。多个制造测试参数(例如，P_BASE、P_P、L_P、T_P)、实际运行温度测量(TEMP)、最大的功率指定极限(P_MAX)和功率极限设置(P_LIMIT)可以实时的应用以动态地修改集成电路70的工作功率极限。

考虑到上述的结构和上述的功能性特征，参考图5-7将更好地理解某些方法。应当可以理解和意识到的是，在其它实施例中所述的功能可以以不同的顺序发生和/或可以同时具有其它的功能。而且，并不需要全部所述的特征来实现方法。

图5说明了用于维持集成电路的性能的方法。该方法开始于100，其中为功率管理系统开始一个周期。然后该方法进行到110以测量集成电路的实际功耗。通过存在于集成电路上的功率测试系统，或者通过测量由向集成电路提供功率的电源电压得到的实际功率可以测量实际的功耗。在120，测量集成电路的运行温度。多种不同的温度测量设备可以存在于集成电路上。在130，读出功率极限设置。通过用户可以将功率极限设置提供给集成电路。通过集成电路上的引脚或者引脚组可以编程或者设置功率极限设置。可以理解的是，缺省功率极限设置是最大频率和最高温度时的集成电路的最大允许功率规格。然后该方法进行到140。

在140，根据至少一个性能因子确定工作功率极限。至少一个性能因子考虑到制造变化和可以跨越给定设计的不同集成电路而改变的不同固有特征。对于给定设计的不同芯片，一个或者多个因子可以包括调节在最高温度和最大频率时的功耗中的变化的最大性能因子。对于给定设计的不同芯片，一个或多个因子可以包括调节因运行温度改变导致的功耗中的变化的温度因子。对于给定的设计，一个或多个因子可以包括与小于最大允许功率极限的功率极限设置有关的功率极限因子。对于给定设计的不同芯片，功率极限因子可以调节在给出的性能水平时功耗中的变化。然后该方法进行到150。

在150，该方法比较工作功率极限和实际测量的功率。在160，该方法判断工作功率极限是否大于实际测量的功率。如果工作功率极限不大于实际测量的功率(否)，那么该方法进行到170。在170，调节功率以提供低于工作功率极限的实际功率。然后该方法进行到180。如果在160工作功率极限大于实际测量的功率(是)，那么该方法进行到180。在180，该方法判断是否获得所需的性能(例如，基本上恒定的频率)。如果没有获得所需的性能(否)，那么该方法进行到190。在190，调节功率以获得所需的性能。然后该方法返回到160。如果获得了所需的性能(是)，那么该方法返回到100直到开始下一个周期。

图6说明了用于确定制造测试参数的方法。在200，将集成电路设置成在指定活动因子(AF_APEC)处的最高频率和最高温度。在210，在指定的活动因子(AF_APEC)处测量最大频率和最高温度的功率以确定基础功率。然后该方法进行到220。在220，将集成电路设置成最高温度和一半的最大频率。然后该方法进行到230以测量功率。在240，功率参数源自基础频率和最高温度和一半的最大频率时测量的功率。功率参数是切换功率和总功率的比，并可以源自最大频率和1/2最大频率的功率的差乘以2，因为切换功率中的变化是和频率成线性并可以为0频率内插。在250，根据经验的结果从功率参数可以确定温度参数和泄漏参数，以确定功率参数和温度参数以及泄漏参数之间的关系。在260，将制造测试参数存储在集成电路的存储装置中。

图7说明了用于维持集成电路的性能的另一种方法。在300，描述了影响性能的集成电路的至少一个变化的特征。在310，根据特征描述和指定的功率极限确定工作功率极限。在320，根据确定的工作功率极限调节集成电路的实际功率。

上面已经描述的是本发明的例子。当然，为了描述本发明它不可能描述每一个可想象的部件或者方法的组合，但是本领域的普通技术人员将可以知道本发明的其它组合和改变是可能的。因此，本发明旨在涵盖所有的落在所附的权利要求的精神和范围内的这些改变、修改和变化。

Claims

1.一种用于维持集成电路（70）的性能的系统（10），该系统包括：

工作功率极限求值器（18，32），其确定工作功率极限作为与影响集成电路（70）的性能的变化有关的至少一个性能因子的函数；和

功率管理系统（12，72），其根据工作功率极限和集成电路（70）的实际功率改变集成电路（70）的功率以维持恒定的性能，

其中工作功率极限动态地被调整到低于指定的最大允许功率极限，

其中至少一个性能因子是基于集成电路（70）的固有特征、集成电路（70）的制造变化和集成电路（70）的运行条件中的至少一个的参数的函数。

2.如权利要求1的系统，其中至少一个性能因子是最大性能因子、温度因子和功率极限设置因子中的至少一个。

3.如权利要求1的系统，其中至少一个运行条件参数是集成电路（70）的温度、集成电路（70）的最大允许功耗和集成电路（70）的功率极限设置中的至少一个。

4.如权利要求1的系统，其中至少一个性能因子是基于至少一个制造测试参数的。

5.如权利要求4的系统，其中至少一个制造测试参数是固有基础功率、泄漏参数和温度参数中的至少一个，该固有基础功率是在指定的活动因子的最大频率和最高温度处的实际功率的量度，该泄漏参数在函数上与泄漏功率对基础功率的比率相关，该温度参数在函数上与切换功率对基础功率的比率相关。

6.如权利要求1的系统，其中至少一个性能因子补偿固有特征和对于给定应用改变集成电路（70）的性能的制造变化中的至少一个。

7.如权利要求1的系统，其中根据由制造变化和集成电路（70）的固有特征导致的性能变化，工作功率极限求值器（18，32）调节工作功率极限，以对给定设计的多个集成电路上的给定应用提供恒定的性能。

8.如权利要求1的系统，还包括温度测量系统（16，80），其向工作功率极限求值器（18，32）提供集成电路（70）的运行温度，该工作功率极限求值器（18，32）确定调节由于温度变化导致的性能变化的温度因子。

9.如权利要求1的系统，还包括向功率管理系统（12，72）提供实际功率测量的功率测量系统（14，56，78）。