CN1871745A - 采用自适应功率放大器补偿提供集成负载匹配的方法及设备 - Google Patents

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Abstract

一种RF功率放大器模块可在功率放大器模块与天线之间没有匹配装置的情况下使用。功率放大器模块经过构造，以及进行操作以便在出现严重VSWR负载失配时检测、保护和保持功率放大器的性能，而无需使用外部电路。RF功率放大器模块包括：集成检测电路，用于产生具有表示流过输出功率晶体管的电流的值的第一检测信号以及具有表示输出功率晶体管的输出端出现的电压的值的第二检测信号；以及集成补偿电路，用于控制多个偏置电流和偏置电压信号的产生，以便具有作为第一和第二检测信号的值以及RF功率放大器模块的当前输出功率电平的函数的值。另外还包含集成阻抗匹配电路，它耦合在输出晶体管的输出端与输出节点之间，提供由来自补偿电路的输出信号有选择地控制的可变阻抗。

Description

采用自适应功率放大器补偿提供集成负载匹配的方法及设备
技术领域
一般来说，本发明涉及射频(RF)放大器，以及更具体来说，涉及适合用于移动通信及其它类型的装置的RF功率放大器集成电路和模块。
背景
在采用RF功率放大器(PA)的无线通信装置中，已知的是，严重的电压驻波比(VSWR)负载变化可能暂时或永久地使功率放大器的性能降级。为了避免这个问题，本领域众所周知的是在PA的输出与PA所馈送的天线之间提供隔离器。但是，这种方法要求使用独立元件(隔离器)，其尺寸可能很大，并且还增加了PA构成其中一部分的RF发射机电路的成本和复杂度。
一般来说，RF PA的工作基于调谐负载线。负载线由偏置电压、偏置电流和负载阻抗来定义。经过正确设置，负载线优化PA输出功率晶体管的电压和电流波形以及实现最佳PA效率的预期输出功率。输出匹配网络用于将通常为50欧姆的输出阻抗变换为输出晶体管的最佳负载阻抗。输出匹配网络设计成提供具有预期输出频率的预期阻抗变换比。
在一种典型的无线电发射机中，PA输出之后跟随滤波器和/或开关，之后再跟随天线。天线通常设计成在辐射到自由空间时具有50欧姆输入阻抗，以及天线与PA之间的滤波器和/或开关设计成具有50欧姆输入和输出阻抗。因此，为了提供阻抗匹配，PA的输出阻抗也必须是50欧姆。但是，在便携式手持通信装置中，天线阻抗可能因天线辐射到其中的环境的可变性而与理想的50欧姆值有差异。天线阻抗的这种变化被PA的输出看作失配，并且可能导致RF发射机性能的降级。
负载阻抗的变化(即负载失配)在许多系统、如宽带码分多址(WCDMA)无线通信系统中可能出现严重问题，因为WCDMA系统要求PA呈现良好线性。在WCDMA系统中，PA负载失配可能导致信号失真以及性能降级。最终结果是，在负载失配条件下，严格的WCDMA发射机要求可能变得更难或甚至不可能得到满足。
如上所述，本领域已知的是采用匹配装置、如隔离器或环行器，使PA的输出与天线隔离。这样，PA始终见到标称50欧姆阻抗，而不管天线阻抗的变化，并且避免了信号失真。这种方法的一个缺点是在匹配装置中产生的附加损耗。在发射机通路中添加匹配装置还增加元件数、成本、功耗以及所需电路板面积。所有这些因素都被认为在手持式电池供电的批量生产的通信设备、如蜂窝电话中是不利的。
本领域还已知的是采用反射计和关联电路来防止PA严重负载失配。反射计通过具有长度λ/4的双向耦合器及关联电路来实现。这种技术采用前向和反射电压来检测VSWR失配，以及关联电路则用来补偿功率放大器或周边电路以适应VSWR失配。如同使用匹配装置一样，这种技术增加发射机的损耗、成本和电路板面积。
同样可行的是检测阻抗失配条件，然后修改阻抗匹配网络或PA，从而补偿所检测负载失配条件。自适应可通过调节对PA的驱动、调节PA偏置或者采用二极管将阻抗变换为更适当的形式来进行。
美国专利No.5564086描述保护PA的这样一种传统技术。参照图1，PA 1的输出连接到可变匹配网络2，网络2又经由定向耦合器3连接到天线4。定向耦合器与二极管检测器结合检测失配条件，并且向处理器5提供输出信号，处理器5相应地调节可变匹配网络2。定向耦合器3可用于与前向信号6B无关地对反射信号6A取样，以及因而可确定天线4呈现的阻抗的幅度。可以理解，这种方法包含对RF发射机增加电路和复杂度，因而遭遇到以上所述的缺点。
还已知采用电流检测器来读出PA功率，如美国专利No.5404585、5448770和4859967中所述。还已知结合PA采用电压检测器，如美国专利No.6265939、6002922、5873029、5659253和4041410中所述。另外还已知采用RF检测器来控制PA，如美国专利No.5724003、5432473、5291150、5278994、5150075、4709403、4673886和5564086中所述。
另外还已知，PA系统可具有功率检测和控制，如美国专利No.6188277、5404114、5003271、4859967、4727337和4122400中所述。
在这个方面，另外还可参照美国专利No.5070309，在其中，RF功率放大器具有“接通”和“断开”状态。在“接通”时，PA通常接收和放大输入RF信号，以便提供放大的输出RF信号。输出电路中的RF电流以及RF电压被检测。第一信号从RF电流中提供，并且呈现固定振幅，但是频率和相位与RF电流对应。提供固定振幅的第二信号，其频率和相位与RF电压对应。第一和第二信号进行比较，从而提供具有与第一和第二信号之间的相位差相关的幅度的相位信号。相位信号则与参考进行比较，以及根据比较结果，RF PA可被置于“断开”状态。
美国专利US 6289205 B1描述一种高频功率放大器，它包括用于输出放大的高频信号的输出级以及用于测量高频信号的功率的测量装置。
以上美国专利没有完全解决可能由VSWR负载失配产生的PA问题。
优选实施例的概述
根据这些理论的当前优选实施例，解决上述及其它问题，并且实现其它优点。
本发明提供一种功率放大器，它可在功率放大器与负载、如包括天线的负载之间没有匹配装置、如隔离器或环行器的情况下使用。本发明的理论可适用于其中的功率放大器性能受到负载阻抗变化影响的任何应用，包括RF通信应用和非RF通信应用。
根据本发明构造和操作的功率放大器在出现严重VSWR负载失配时检测、保护和保持功率放大器的性能。
根据本发明的一个方面，RF功率放大器模块包括集成检测电路，用于产生具有表示流过输出功率晶体管的电流的值的第一检测信号，并且还产生具有表示输出功率晶体管的输出端出现的电压的值的第二检测信号。RF功率放大器模块还包括集成补偿电路，用于控制多个偏置电流和偏置电压信号的产生，以便具有作为第一和第二检测信号的值以及RF功率放大器模块的当前输出功率电平的函数的值。
RF功率放大器模块还包括耦合在输出晶体管的输出端与输出节点之间的集成阻抗匹配电路。阻抗匹配电路呈现通过来自补偿电路的输出信号有选择地控制的可变阻抗。
本发明还涉及在输出功率电平范围上操作功率放大器模块的方法。该方法包括：产生具有表示流过输出晶体管的电流的值的第一检测信号以及具有表示输出晶体管的输出端出现的电压的值的第二检测信号；以及通过控制多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号的产生，以便具有作为第一和第二检测信号的值以及功率放大器模块的当前输出功率电平的函数的值，自动对功率放大器模块的输出节点上出现的阻抗变化补偿输出晶体管的负载线。该方法还包括采用来自补偿电路的输出信号来控制功率晶体管的输出端与输出节点之间耦合的阻抗匹配电路的值。
本发明的另一个方面涉及移动无线电话终端，它包括根据本发明构造和操作的天线及功率放大器。
附图简介
通过结合附图阅读以下对优选实施例的详细说明，这些理论的上述及其它方面会更加明显，附图包括：
图1说明具有定向耦合器和输出匹配电路控制的先有技术PA的一个实例；
图2是根据本发明、通过自适应PA补偿具有集成负载匹配的PA的简化框图；
图3是图2的PA的更详细框图；
图4是图2和图3的PA的更详细框图；
图5A和图5B是绘制电压分别对输出功率和负载阻抗的图表，在图5A中说明两个功率检测器在呈现标称50欧姆负载阻抗时具有相似的响应，但在负载阻抗不同于标称50欧姆值时具有不同的响应(图5B)；
图6说明图4的阻抗检测和PA补偿块的操作；
图7是简化示意图，说明图4所示的IDET和VDET功能的一个
实施例；以及
图8是输出匹配电路的简化示意图。
优选实施例的详细说明
参照图2，根据本发明的PA 10包括输入节点10A，用于将输入RF信号(RFIN)耦合到第一放大器级12。PA 10还包括第二最后放大器级14以及以下又称作失配检测电路以及检测和补偿电路、耦合到第二放大器级14的输出端的集成VSWR检测块16。PA 10还包括集成自适应匹配电路18和偏置控制电路20，它们各通过从集成VSWR检测块16输出的一个或多个信号16A来控制。以下对于图4所述的偏置电流发生器20包括第一和第二放大器级偏置电流发生器20A和20B，以及第一和第二放大器级偏置电压发生器20C。PA 10具有输出节点10B，用于通常经由双工器滤波器22的一半将放大的RF信号(RFOUT)耦合到天线24。天线24假定为表示对输出节点10B的可变阻抗，它可能引起不希望地产生VSWR。
在本发明的一个目前优选但非限制性的实施例中，PA 10安装在电池供电的移动无线通信终端100、例如进行工作以便与码分多址(CDMA)空中接口、更优选地与宽带CDMA(WCDMA)空中接口兼容的蜂窝电话中并且构成其中的一部分。
在本发明中，VSWR负载失配检测和自适应PA补偿在PA 10的内部执行。这种技术的一个优点在于，它不需要PA 10外部的任何附加元件，从而消除对于隔离器或环行器或者反射计和/或耦合器的需要，由此节省电路板空间。PA 10输出节点10B与天线馈送之间的传输通路中的损耗也被减小。
在优选实施例中，PA 10经过构造，以便包括内置集成电路，用于执行VSWR失配检测，从而根据所检测信号来控制PA偏置20和输出匹配电路18。通过利用这种技术，PA 10适应变化的负载阻抗，从而在所有操作条件下都保持输出线性。通过检测功率电平，并且相应地调谐偏置控制20和/或输出匹配电路18，本发明还可用来提高PA 10在低功率电平的效率。
PA 10见到的输出阻抗为复数或实数，并且具有可变幅度和/或相位。这种复数阻抗使电压和电流与相位无关地变化。如以下对于图5A和图5B所述，这些信号的关系与负载开关结合用来改变PA 10的性能，即作为天线24呈现的复数负载阻抗的函数来改变PA 10的增益、功率、线性和效率。
本发明的集成VSWR检测块16相对于负载和功率电平的相位及幅度来检测PA 10的AC电流和AC电压。采用这些测量/检测值，得到以下参数：作为功率和相位的函数的VSWR检测；作为功率和相位的函数的功率检测；作为功率和相位的函数的AC电流；作为功率和相位的函数的负载线调节；以及作为功率和相位的函数的PA 10检测。
根据所检测信号，调节负载线，以及将PA 10的性能对于所有相位保持到多达例如9∶1 VSWR比。根据输出VSWR，功率电平补偿可采用PA 10偏置电压/电流由偏置控制块20来执行和/或采用输出匹配电路18来执行。在当前优选实施例中，检测和补偿功能均在PA 10的内部，即，在PA 10封装的输入节点10A与输出节点10B之间。
图3说明PA 10的另一个视图以及第一和第二放大器12、14和功率检测电路的输入及输出信号。偏置控制20输出偏置信号Ibias(偏置电流)和Vbias(偏置电压)。在当前优选但非限制性实施例中，PA 10包括两个功率检测器，它们与PA 10的其它元件一起集成到GaAs异质结双极晶体管(HBT)芯片上。
又参照图4，称作IDET 30的第一功率检测器是基于对第二级14的输入处的AC检测的功率检测器，而称作VDET 32的第二功率检测器基于第二级14的输出端的电压检测。在图5A中可以看到，这两个功率检测器在输出节点10B上呈现标称50欧姆负载阻抗时具有相似响应，但在负载阻抗不同于标称50欧姆值时具有不同的响应，如图5B所示。这个特征使又称作失配检测器16的VSWR检测器能够检测负载失配的存在，以及确定要施加到PA 10上的补偿量。Vref是参考电压，如图3、图4、图5A、图5B和图6所示，它被施加到失配检测器16上，并且用来建立用于失配检测器16进行的比较的参考或门限，下面会参照图6进行更详细说明。Vref电压可在PA 10模块的内部产生，或者可能是外部参考信号。在图4中称作检测和补偿块16的失配检测器16接收来自IDET 30和VDET 32的输入以及Vref信号，并且分别向第一级12和第二级14偏置电流发生器20A和20B输出控制信号，以及向第一和第二级14偏置电压发生器20C输出控制信号。检测和补偿块16还向输出匹配块18输出信号。
现在对于PA输出器件电流和电压检测及PA 10补偿的情况，更详细地描述图4的检测和补偿块16的操作。
检测：
IDET检测器30监测PA输出器件(即图7中表示为以下所述的Q1的输出功率晶体管)的电流。VDET检测器32是连接到输出器件的集电极/漏极的峰值电压检测器。这两个检测器都用于功率检测。当pA 10匹配(50欧姆输出阻抗)时，这两个检测器的响应被校准为相等的(如图5A所示)。另外，功率检测器30、32的输出与内部(或外部)参考电压Vref匹配。Vref的值与来自PA的预期输出功率成正比。也就是说，在正常操作中，Vre1的值随PA输出功率向上和向下变化。
在匹配条件(50欧姆负载阻抗)中，所有电压(图6中表示为IDET、VDET、VREF)都相等。当PA 10输出阻抗改变时，VREF的值保持恒定，但是IDET和VDET的值由于它们受到PA 10的负载阻抗变化的影响而改变。
根据本发明的一个方面，PA 10见到的集电极/漏极阻抗可通过比较这三个信号来确定，因而可对PA 10相应地进行调谐或补偿。
补偿：
PA 10的当前优选实施例包括集成DC/DC转换器，在图4中表示为第一和第二级Vbias发生器20C，用于第一和第二级晶体管集电极/漏极电压调谐。另外，第一和第二级晶体管器件的偏置电流可分别通过集成偏置电流发生器20A和20B进行调谐。图8中更详细说明的输出匹配电路18优选地通过在以高功率工作时的严重阻抗失配的情况下将附加分流元件(经由开关S1的电阻器R1)连接到匹配电路18来进行调谐。
作为非限制性实施例，图8中的输出匹配电路18包括匹配电感器L1和L2、匹配电容器C1和C2、DC阻塞电容器C3、传输线TL2、开关S1以及电阻器R1。通过选择L1、L2、C1、C2、C3和TL2的值，得到端口P1与P2之间的预期阻抗变换。
所有补偿优选地在PA 10封装或模块的内部完成。补偿量取决于功率电平(由Vref的值表示)以及呈现的输出VSWR。当前优选但非限制性实施例中的补偿按照以下方式来完成。又参照图6。
在当前优选但非限制性实施例中，PA 10经过调谐以便在匹配条件(50欧姆输出阻抗)下满足在+24dBm输出功率上的-35dBc相邻信道功率(ACP)和-45dBc备用信道功率(ALT)的WCDMA线性规范。通过低于+15dBm的功率电平，PA 10能够满足达到9∶1输出VSWR的这些线性要求，因而不需要补偿(框A)。
当输出功率(Pout)大于+15dBm(如VREF的值所示)时，VDET和IDET各与VREF进行比较。如果VDET大于VREF(框B)，则PA 10输出器件集电极/漏极阻抗(在以下所述的图7的实例中为Q1)表示为大于标称50欧姆的情况，以及集电极/漏极偏置电压(Vbias)增大以避免RF电压削波(框B1)。如果IDET＞VREF(框C)，则PA 10输出器件集电极/漏极电流表示为大于标称50欧姆的情况。这个条件表示集电极/漏极阻抗过低，并且这通过增加第2级和/或第1级的偏置电流(Ibias)来补偿，如框C1所示。
当功率电平超过+20dBm时(框D)，已经发现上述补偿不足以实现所需线性。在Pout＞+20dBm(框D)和IDET＞VREF(框E)的情况中，输出匹配网络18被调节(框E1)。这可通过将分流电阻器R1连接到输出匹配电路18来实现，如以上对于图8所述。虽然这减少了PA 10的输出功率，但它有利地帮助实现输出器件的集电极/漏极上的正确电压和电流波形，因而保持预期线性。
框A-E所表示的补偿环路可根据需要或者给定应用所要求的频度来执行，使得能够响应改变的VSWR条件而实质上实时地补偿PA10负载线。
本领域的技术人员应当认识到，作为一个实例，图6表示的功能性可通过使用以下部件来实现：简单状态机以及多个电压比较器，用于比较IDET与VREF、VDET与VREF、VREF与一个表示+15dBm而另一个表示+20dBm的两个预定门限电压，加上由比较器输出控制的多个向上/向下计数器，以及多个DAC，将计数器输出转换成相应模拟值，用于对偏置电流发生器20A、20B和偏置电压发生器20C产生信号。单数字位可用来控制开关S1的状态，它有选择地使分流电阻器R1进入阻抗匹配电阻器网络18。
在电抗性失配、即负载阻抗具有负(电容性)或正(电感性)虚部的情况下，补偿可采用与以上所述相同的原理来实现。也就是说，当输出阻抗的相位角使得输出器件的集电极/漏极电压过高(VDET＞VREF)时，则可采用偏置电压(Vbias)补偿。当相位角使得输出器件电流过大(IDET＞VREF)时，则可采用偏置电流补偿(Ibias)，或者在更高的功率电平上(例如Pout＞+20dBm)，可调谐输出匹配网络18。
图7是可用来实现图4的IDET 30和VDET 32的电路的简化示意图。在图7中，输出功率晶体管Q1表示为双极晶体管，但是，在本发明的其它实施例中，它可能是功率FET(因此，以上参考为输出器件漏极，与集电极相对)。来自第一级12的RF输入通过C1电容耦合到Q1的基极，以及耦合到电流镜晶体管Q2的基极。因此，通过Q1的电流由Q2反射，并且由R2和C4进行低通滤波。这提供了与通过输出晶体管Q1的电流成正比的参考电流，并且组成IDET 30的输出。IDET输出电流在需要时可转换为电压。
为了实现VDET 32，Q1的集电极上的AC电压通过D1整流，然后由R1和C3进行低通滤波。具有与Q1的集电极电压成正比的值的低通滤波电压构成VDET 32的输出。
虽然在当前优选实施例中，分开使用IDET(Q1集电极电流Ic)和VDET(Q1集电极电压Vc)值(参见图6)，但是应当理解，这些值也可用于直接确定阻抗，因为阻抗可通过将VDET除以IDET(即Vc/Ic)并且通过忽略商的符号来计算。对于过低的阻抗值，Q1可能汲取过多电流，并且可能击穿。如果阻抗值过高，则放大器将过快饱和，以及输出信号的失真将会产生。
应当理解，本发明相对于先有技术提供许多优点。例如，本发明的使用可消除对(PA 10的)外部附加组件、如隔离器、环行器和/或耦合器的需要，因而克服了图1所示的先有技术电路配置以及类似的先有技术电路中的缺陷。此外，PA 10负载线可实质上实时自适应地被补偿，使PA 10在变化的负载条件下保持所需性能。本发明的使用还使PA 10与天线24之间的损耗最小。通过使用本发明，发射机、如WCDMA发射机的设计得到简化，以及所需印刷电路板面积、成本和所需工作功率被减小。工作功率的减小可产生包括根据本发明的PA 10的WCDMA移动台或蜂窝电话的增加的通话时间。
以上说明作为示范而非限制性实例提供对本发明人当前考虑用于执行本发明的最佳方法和设备的全面及信息描述。但是，通过结合附图及所附权利要求阅读以上说明，相关领域的技术人员会非常清楚各种修改和调整。
仅作为一部分实例，实现IDET 30和VDET 32功能的其它技术的使用也可采用，可使用不同的PA体系结构(例如与所示的两个相对的一个或三个放大器级)，可采用多于或少于两个的Vref门限(例如+15dBm和+20dBm)，和/或Vref门限值可与所述的那些不同，以及可由本领域的技术人员尝试进行图6所示的比较的至少一部分的重新排序。此外，在一些实施例中，输出晶体管Q1可能实际上作为多个并联晶体管来实现，以及在这种情况中，IDET和VDET的值可能适当地缩放。另外，本发明还可与基于WCDMA的系统和/或无线终端之外的系统或终端配合使用。但是，本发明的理论的所有这类及相似修改仍然将落入本发明的范围。
此外，虽然对本文所述的方法及设备提供了某种程度的专一性，但是，本发明可采用更大或更小专一性来实现，取决于用户的需要。此外，本发明的特征的一部分可用来产生良好效果，而无需相应地使用其它特征。因此，以上说明应当看作只是对本发明的原理的说明，而不是对它的限制。

Claims (25)

1.一种可在输出功率电平范围上工作的功率放大器模块，包括具有耦合到所述功率放大器模块的输入节点的输入端以及耦合到所述功率放大器模块的输出节点的输出端的输出晶体管，所述功率放大器模块还包括用于对所述输出节点上出现的阻抗变化自动补偿所述输出晶体管的负载线的电路，所述电路包括用于产生具有表示流过所述输出晶体管的电流的值的第一检测信号以及具有表示所述输出晶体管的输出端出现的电压的值的第二检测信号的检测电路，并且还包括用于控制多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号的产生以便具有作为所述第一和第二检测信号的值以及所述功率放大器模块的当前输出功率电平的函数的值的补偿电路。
2.如权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，还包括耦合在所述输出晶体管的输出端与所述输出节点之间的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路呈现由来自所述补偿电路的输出信号控制的可变阻抗。
3.如权利要求2所述的功率放大器模块，其特征在于，产生来自所述补偿电路的所述输出信号，它具有作为所述第一检测信号的所述值和所述当前输出功率电平的函数的值。
4.如权利要求2所述的功率放大器模块，其特征在于，当所述当前输出功率电平超过预定输出功率电平时，产生来自所述补偿电路的所述输出信号。
5.如权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，当所述当前输出功率电平超过预定输出功率电平时，所述补偿电路对所述多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号中至少一个进行更改。
6.如权利要求2所述的功率放大器模块，其特征在于，当所述当前输出功率电平超过第一预定输出功率电平时，所述补偿电路对所述多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号中至少一个进行更改，以及当所述当前输出功率电平超过大于所述第一预定输出功率电平的第二预定输出功率电平时，产生从所述补偿电路到所述阻抗匹配电路的所述输出信号。
7.如权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，所述补偿电路控制作为所述第一检测信号的值和表示所述当前输出功率电平的信号的值的函数的所述功率放大器偏置电流信号的产生，以及控制作为所述第二检测信号的值和表示所述当前输出功率电平的信号的值的函数的所述功率放大器偏置电压信号的产生。
8.如权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，所述检测电路包括：与所述输出晶体管并联的电流镜，用于产生所述第一检测信号；以及耦合到所述输出晶体管的输出端的整流器，用于产生所述第二检测信号。
9.一种在输出功率电平范围上操作功率放大器模块的方法，包括：
产生具有表示流过输出晶体管的电流的值的第一检测信号以及具有表示所述输出晶体管的输出端出现的电压的值的第二检测信号；以及
通过控制多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号的产生，以便具有作为所述第一和第二检测信号的值以及所述功率放大器模块的当前输出功率电平的函数的值，对所述功率放大器模块的输出节点上出现的阻抗变化自动补偿所述输出晶体管的负载线。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括采用来自所述补偿电路的输出信号来控制在所述功率晶体管的输出端与所述输出节点之间耦合的阻抗匹配电路的值。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括从所述补偿电路产生所述输出信号，它具有作为所述第一检测信号的所述值和所述当前输出功率电平的函数的值。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括比较所述当前输出功率电平与预定输出功率电平；以及仅当所述当前输出功率电平超过所述预定输出功率电平时才从所述补偿电路产生所述输出信号。
13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括比较所述当前输出功率电平与预定输出功率电平；以及如果所述当前输出功率电平超过所述预定输出功率电平，则改变所述多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号中至少一个。
14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：比较所述当前输出功率电平与第一预定输出功率电平；如果所述当前输出功率电平超过所述第一预定输出功率电平，则改变所述多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号中至少一个；比较所述当前输出功率电平与第二预定输出功率电平；以及如果所述当前输出功率电平超过所述第二预定输出功率电平，则从所述补偿电路产生所述输出信号，其中，所述第二预定输出功率电平大于所述第一预定输出功率电平。
15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，产生所述功率放大器偏置电流信号包括比较所述第一检测信号与具有表示所述当前输出功率电平的值的信号，以及产生所述功率放大器偏置电压信号包括比较所述第二检测信号与具有表示所述当前输出功率电平的所述值的所述信号。
16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，产生所述第一检测信号包括镜像反射所述输出晶体管中流动的电流，以及产生所述第二检测信号包括对所述输出晶体管的输出端出现的信号进行整流。
17.一种可在输出功率电平范围上工作的射频(RF)功率放大器模块，包括具有耦合到所述功率放大器模块的输入节点、用于接收要从天线发送的宽带码分多址信号的输入端以及耦合到所述RF功率放大器模块的输出节点的输出端的输出晶体管，所述RF功率放大器模块还包括用于对至少部分因所述天线的RF传播环境的变化而在所述输出节点上出现的阻抗变化自动补偿所述输出晶体管的电路，所述电路包括用于产生具有表示流过所述输出晶体管的电流的值的第一检测信号以及具有表示所述输出晶体管的输出端出现的电压的值的第二检测信号的检测电路，并且还包括用于控制多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号的产生、以便具有分别作为所述第一和第二检测信号的值以及表示所述RF功率放大器模块的当前输出功率电平的信号的值的函数的值的补偿电路，还包括耦合在所述输出晶体管的输出端与所述输出节点之间的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路呈现由来自所述补偿电路的输出信号控制的可变阻抗，其中，产生来自所述补偿电路的所述输出信号，它具有作为所述第一检测信号的值以及表示所述RF功率放大器模块的当前输出功率电平的信号的值的函数的值。
18.如权利要求17所述的RF功率放大器模块，其特征在于，如果所述当前输出功率电平超过第一预定输出功率电平，则所述补偿电路对所述多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号中至少一个进行更改，以及仅当所述当前输出功率电平超过大于所述第一预定输出功率电平的第二预定输出功率电平时，才产生来自所述补偿电路的所述输出信号。
19.如权利要求17所述的RF功率放大器模块，其特征在于，所述检测电路包括：与所述输出晶体管并联的电流镜，用于产生所述第一检测信号；以及耦合到所述输出晶体管的输出端的整流器，用于产生所述第二检测信号。
20.一种包含在封装内的射频(RF)功率放大器，所述RF功率放大器可在由或者施加到所述封装的第一输入端或者在所述封装内部产生的功率控制信号的值所指定的输出功率电平范围上工作，所述RF功率放大器包括具有耦合到所述封装的第二输入端、用于接收输入RF信号的输入端以及耦合到所述封装的输出端、用于输出放大的RF信号的输出端的至少一个输出晶体管，所述RF功率放大器还包括与所述至少一个输出晶体管集成、用于对所述第一输出端出现的阻抗变化自动补偿所述RF放大器的电路，所述电路包括用于产生表示流过所述至少一个输出晶体管的电流以及表示所述至少一个输出晶体管的输出端出现的电压的检测信号的检测电路，以及还包括响应所述检测信号以及响应所述功率控制信号、用于保持所述放大的RF信号的预期输出线性的负载线补偿电路。
21.一种包括天线以及与所述天线耦合的、可在输出功率电平范围上工作的射频(RF)功率放大器模块的移动无线通信终端，所述RF功率放大器模块包括具有耦合到所述功率放大器模块的输入节点、用于接收要从所述天线发送的信号的输入端以及耦合到所述RF功率放大器模块的输出节点的输出端的至少一个输出晶体管，所述RF功率放大器模块还包括用于对至少部分因所述天线的环境变化而在所述输出节点上出现的阻抗变化自动补偿所述输出晶体管的电路，所述自动补偿电路包括用于产生具有表示流过所述至少一个输出晶体管的电流的值的第一检测信号以及具有表示所述至少一个输出晶体管的输出端出现的电压的值的第二检测信号的检测电路，并且还包括用于控制多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号的产生、以便具有分别作为所述第一和第二检测信号的所述值以及还有表示所述RF功率放大器模块的当前输出功率电平的信号的值的函数的值的偏置控制电路，还包括耦合在所述至少一个输出晶体管的输出端与所述输出节点之间的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路呈现由来自所述自动补偿电路的输出信号控制的可变阻抗，其中，产生来自所述自动补偿电路的所述输出信号，它具有作为所述第一检测信号的值以及表示所述RF功率放大器模块的当前输出功率电平的信号的值的函数的值。
22.如权利要求21所述的移动无线通信终端，其特征在于，如果所述当前输出功率电平超过第一预定输出功率电平，则所述自动补偿电路对所述多个功率放大器偏置电流和偏置电压信号中至少一个进行更改，以及如果所述当前输出功率电平超过大于所述第一预定输出功率电平的第二预定输出功率电平，则产生送往所述阻抗匹配电路的所述输出信号。
23.如权利要求21所述的移动无线通信终端，其特征在于，所述检测电路包括与所述至少一个输出晶体管并联的电流镜，用于产生所述第一检测信号。
24.如权利要求21所述的移动无线通信终端，其特征在于，所述检测电路包括与所述至少一个输出晶体管的输出端耦合的整流器，用于产生所述第二检测信号。
25.如权利要求21所述的移动无线通信终端，其特征在于，从所述天线发送的信号包含宽带码分多址信号。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101969296A (zh) * 2010-10-26 2011-02-09 钜泉光电科技(上海)股份有限公司 基于电力线载波通信的阻抗自适应功率放大器电路及其实现方法
CN101567664B (zh) * 2009-06-05 2011-04-20 武汉虹信通信技术有限责任公司 一种通过自适应调整栅压来提高功率放大器效率的方法
CN102100000A (zh) * 2008-07-23 2011-06-15 Nxp股份有限公司 用于射频发射链路的vswr补偿电路
CN102265509A (zh) * 2008-12-31 2011-11-30 Nxp股份有限公司 功率放大器保护
CN102474226A (zh) * 2009-08-03 2012-05-23 高通股份有限公司 多级阻抗匹配
CN102594468A (zh) * 2012-02-28 2012-07-18 桂林电子科技大学 短波频谱感知方法及系统
CN103269208A (zh) * 2013-04-18 2013-08-28 厦门市雷迅科电子科技有限公司 一种低成本高集成度的射频集成电路器件
CN103636121A (zh) * 2011-10-13 2014-03-12 三菱电机株式会社 前端放大器
CN104333335A (zh) * 2014-11-06 2015-02-04 中国电子科技集团公司第十三研究所 自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路
CN108718199A (zh) * 2018-07-24 2018-10-30 广东电网有限责任公司 天线自适应阻抗匹配器和匹配方法
CN108781059A (zh) * 2016-03-11 2018-11-09 英特尔公司 利用强健的am-pm失真自抑制技术的超紧凑多频带发送器
CN108900167A (zh) * 2018-07-11 2018-11-27 广州慧智微电子有限公司 阻抗补偿电路及功率放大补偿电路
CN108933572A (zh) * 2018-07-10 2018-12-04 苏州远创达科技有限公司 一种射频功率放大器多芯片模块
CN109462382A (zh) * 2018-10-26 2019-03-12 京信通信系统（中国）有限公司 功率放大系统、功率测控方法、装置及基站设备
CN110690861A (zh) * 2018-07-05 2020-01-14 三星电机株式会社 具有线性补偿功能的多级功率放大器
CN111355518A (zh) * 2018-12-24 2020-06-30 三星电子株式会社 包括多个天线阵列的电子设备
CN112152660A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 Oppo（重庆）智能科技有限公司 射频电路的控制方法、装置及电子设备
CN113113767A (zh) * 2021-03-22 2021-07-13 宁波大学 一种宽带有源功率放大器集成天线
WO2023016261A1 (zh) * 2021-08-09 2023-02-16 华为技术有限公司 信号处理装置和可调阻抗匹配模块

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8744384B2 (en) 2000-07-20 2014-06-03 Blackberry Limited Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US8064188B2 (en) 2000-07-20 2011-11-22 Paratek Microwave, Inc. Optimized thin film capacitors
TWI271962B (en) * 2003-12-01 2007-01-21 Realtek Semiconductor Corp Network transmission unit with compensation feature
DE102004026133A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Sendeanordnung, Empfangsanordnung, Transceiver sowie Verfahren zum Betreiben einer Sendeanordnung
JP4606843B2 (ja) * 2004-11-01 2011-01-05 京セラ株式会社 無線通信モジュール、通信端末、およびインピーダンス整合方法
US20070149162A1 (en) * 2005-02-24 2007-06-28 Powercast, Llc Pulse transmission method
DE102005061572B4 (de) * 2005-06-28 2008-05-29 Infineon Technologies Ag Leistungsverstärkeranordnung, insbesondere für den Mobilfunk, und Verfahren zum Ermitteln eines Performanceparameters
US8346198B2 (en) * 2005-06-30 2013-01-01 Silicon Laboratories Inc. Low noise amplifier for a radio receiver
US7355476B2 (en) * 2005-06-30 2008-04-08 Silicon Laboratories Inc. Input stage for an amplifier
US9406444B2 (en) 2005-11-14 2016-08-02 Blackberry Limited Thin film capacitors
WO2007060676A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Paragon Communications Ltd. Method and apparatus for reducing current consumption of mimo systems
JP4599286B2 (ja) * 2005-12-19 2010-12-15 株式会社東芝 高周波出力モニタ回路装置
US8325097B2 (en) * 2006-01-14 2012-12-04 Research In Motion Rf, Inc. Adaptively tunable antennas and method of operation therefore
US8125399B2 (en) * 2006-01-14 2012-02-28 Paratek Microwave, Inc. Adaptively tunable antennas incorporating an external probe to monitor radiated power
US7711337B2 (en) 2006-01-14 2010-05-04 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching module (AIMM) control architectures
US7917106B2 (en) * 2006-02-03 2011-03-29 Quantance, Inc. RF power amplifier controller circuit including calibrated phase control loop
US7869542B2 (en) * 2006-02-03 2011-01-11 Quantance, Inc. Phase error de-glitching circuit and method of operating
US8032097B2 (en) * 2006-02-03 2011-10-04 Quantance, Inc. Amplitude error de-glitching circuit and method of operating
US7933570B2 (en) * 2006-02-03 2011-04-26 Quantance, Inc. Power amplifier controller circuit
CN101401261B (zh) * 2006-02-03 2012-11-21 匡坦斯公司 功率放大器控制器电路
US7761065B2 (en) * 2006-02-03 2010-07-20 Quantance, Inc. RF power amplifier controller circuit with compensation for output impedance mismatch
US8095090B2 (en) * 2006-02-03 2012-01-10 Quantance, Inc. RF power amplifier controller circuit
US8204458B2 (en) * 2006-07-13 2012-06-19 Freescale Semiconductor, Inc. Transmitting device and method of tuning the transmitting device
US7642857B2 (en) * 2006-08-21 2010-01-05 Triquint Semiconductor, Inc. Current limit circuit for compensating for output load mismatch of an RF power amplifier
US7977947B1 (en) * 2006-09-13 2011-07-12 Rf Micro Devices, Inc. Low impedance series coupled radio frequency directional power detector
US8280323B2 (en) * 2006-10-11 2012-10-02 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Fuzzy logic control of an RF power amplifier for automatic self-tuning
US7714676B2 (en) 2006-11-08 2010-05-11 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method
US8299867B2 (en) * 2006-11-08 2012-10-30 Research In Motion Rf, Inc. Adaptive impedance matching module
US7535312B2 (en) * 2006-11-08 2009-05-19 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method with improved dynamic range
KR100811162B1 (ko) * 2006-11-15 2008-03-07 삼성전자주식회사 통신장치 및 저잡음 증폭방법
US7991375B2 (en) * 2006-12-06 2011-08-02 Broadcom Corporation RFIC with high power PA
KR100833513B1 (ko) * 2006-12-08 2008-05-29 한국전자통신연구원 센서 노드에 있어서의 임피던스 정합장치 및 그 방법
US7917104B2 (en) * 2007-04-23 2011-03-29 Paratek Microwave, Inc. Techniques for improved adaptive impedance matching
US8213886B2 (en) 2007-05-07 2012-07-03 Paratek Microwave, Inc. Hybrid techniques for antenna retuning utilizing transmit and receive power information
US8606200B2 (en) * 2007-06-26 2013-12-10 Intel Corporation Error vector magnitude control within a linear transmitter
US7911277B2 (en) * 2007-10-16 2011-03-22 Black Sand Technologies, Inc. Adaptively tuned RF power amplifier
US7991363B2 (en) 2007-11-14 2011-08-02 Paratek Microwave, Inc. Tuning matching circuits for transmitter and receiver bands as a function of transmitter metrics
US8412136B2 (en) * 2008-02-12 2013-04-02 Texas Instruments Incorporated Measuring load impedance of an amplifier driving a variable load
US8472910B1 (en) * 2008-07-03 2013-06-25 Rf Micro Devices, Inc. Adaptive impedance translation circuit
WO2010007475A1 (en) 2008-07-17 2010-01-21 Freescale Semiconductor, Inc. System for monitoring and controlling the power of a radio frequency (rf) signal in a short-range rf transmitter
US8644776B1 (en) 2008-08-25 2014-02-04 Peregrine Semiconductor Corporation Systems and methods for providing improved power performance in wireless communication systems
US8022734B1 (en) 2008-08-25 2011-09-20 Peregrine Semiconductor Corporation Low current power detection circuit providing window comparator functionality
CN101677149B (zh) * 2008-09-19 2013-04-24 华为技术有限公司 一种提高天线隔离度的方法、系统及装置
US8072285B2 (en) 2008-09-24 2011-12-06 Paratek Microwave, Inc. Methods for tuning an adaptive impedance matching network with a look-up table
US20100125580A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-20 Westen Peter T Automatic buddy management
US8107903B2 (en) * 2008-11-07 2012-01-31 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency amplification circuit utilizing variable voltage generator
US8723531B2 (en) * 2009-03-12 2014-05-13 Sige Semiconductor, Inc. Integrated VSWR detector for monolithic microwave integrated circuits
DE102009018648B4 (de) * 2009-04-23 2018-11-29 Snaptrack, Inc. Frontendmodul mit Antennentuner
CN101881791B (zh) * 2009-04-30 2015-08-05 日置电机株式会社 电压检测装置
US9143172B2 (en) * 2009-06-03 2015-09-22 Qualcomm Incorporated Tunable matching circuits for power amplifiers
US8963611B2 (en) * 2009-06-19 2015-02-24 Qualcomm Incorporated Power and impedance measurement circuits for a wireless communication device
US8750810B2 (en) * 2009-07-24 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Power amplifier with switched output matching for multi-mode operation
US9559639B2 (en) * 2009-08-19 2017-01-31 Qualcomm Incorporated Protection circuit for power amplifier
US8072272B2 (en) 2009-08-19 2011-12-06 Qualcomm, Incorporated Digital tunable inter-stage matching circuit
US8472888B2 (en) 2009-08-25 2013-06-25 Research In Motion Rf, Inc. Method and apparatus for calibrating a communication device
US9026062B2 (en) * 2009-10-10 2015-05-05 Blackberry Limited Method and apparatus for managing operations of a communication device
JP5293586B2 (ja) * 2009-12-15 2013-09-18 富士通株式会社 非接触型ｉｃカードシステム
US8254862B2 (en) 2009-12-29 2012-08-28 Silicon Laboratories Inc. Configurable radio front end
US8463215B2 (en) 2009-12-29 2013-06-11 Silicon Laboratories Inc. Integrating components in a radio tuner integrated circuit (IC) for a tracking filter
US8803631B2 (en) 2010-03-22 2014-08-12 Blackberry Limited Method and apparatus for adapting a variable impedance network
WO2011133657A2 (en) 2010-04-20 2011-10-27 Paratek Microwave, Inc. Method and apparatus for managing interference in a communication device
US9641146B2 (en) * 2010-05-12 2017-05-02 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for detecting radio frequency power
US20110298280A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-08 Skyworks Solutions, Inc Apparatus and method for variable voltage distribution
US9379454B2 (en) 2010-11-08 2016-06-28 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning antennas in a communication device
US8712340B2 (en) 2011-02-18 2014-04-29 Blackberry Limited Method and apparatus for radio antenna frequency tuning
US8655286B2 (en) 2011-02-25 2014-02-18 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
JP5672098B2 (ja) * 2011-03-18 2015-02-18 富士通株式会社 無線端末装置
US8818309B2 (en) 2011-03-28 2014-08-26 Silicon Laboratories Inc. Providing multiple inductors for a radio tuner
US8626083B2 (en) 2011-05-16 2014-01-07 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8594584B2 (en) 2011-05-16 2013-11-26 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US9769826B2 (en) 2011-08-05 2017-09-19 Blackberry Limited Method and apparatus for band tuning in a communication device
KR101320146B1 (ko) 2011-09-23 2013-10-23 삼성전기주식회사 바이어스 회로를 갖는 전력 증폭기 모듈
US9264077B2 (en) * 2012-05-31 2016-02-16 Blackberry Limited Mobile communications device including an RF transmitter providing impedance fluctuation dampening and related methods
EP2670049A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-04 BlackBerry Limited Mobile communications device including an RF transmitter providing impedance fluctuation dampening and related methods
US8948889B2 (en) 2012-06-01 2015-02-03 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device
US9853363B2 (en) 2012-07-06 2017-12-26 Blackberry Limited Methods and apparatus to control mutual coupling between antennas
US9246223B2 (en) 2012-07-17 2016-01-26 Blackberry Limited Antenna tuning for multiband operation
US9350405B2 (en) 2012-07-19 2016-05-24 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna tuning and power consumption management in a communication device
US9413066B2 (en) 2012-07-19 2016-08-09 Blackberry Limited Method and apparatus for beam forming and antenna tuning in a communication device
US8606198B1 (en) * 2012-07-20 2013-12-10 Triquint Semiconductor, Inc. Directional coupler architecture for radio frequency power amplifier with complex load
US9362891B2 (en) 2012-07-26 2016-06-07 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning a communication device
US10404295B2 (en) 2012-12-21 2019-09-03 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US9374113B2 (en) 2012-12-21 2016-06-21 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
DE102013205295A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Umfeldsensorik und Verfahren zur Anpassung eines Dynamikbereiches eines Empfangsverstärkers
CN103427788B (zh) * 2013-08-02 2016-01-13 无锡市佳信安科技有限公司 自适应驻波调整电路
US9264080B2 (en) 2014-01-31 2016-02-16 Silicon Laboratories Inc. Reducing second order distortion in an amplifier
US9073493B1 (en) 2014-04-10 2015-07-07 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for adjusting view mirror in vehicle
US9438224B2 (en) 2014-06-25 2016-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Devices with signal characteristic dependent control circuitry and methods of operation therefor
US9438319B2 (en) 2014-12-16 2016-09-06 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna selection
US9559731B2 (en) 2015-03-11 2017-01-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Amplifier module
CN106154056A (zh) * 2015-04-23 2016-11-23 深圳富泰宏精密工业有限公司 辐射提示系统及方法
US10419057B2 (en) * 2015-09-22 2019-09-17 Skyworks Solutions, Inc. Modified current mirror circuit for reduction of switching time
EP3375010B1 (en) 2015-11-10 2021-07-21 Signify Holding B.V. Tunable white light source with variable uv component
EP3057229B1 (en) 2015-12-11 2019-11-20 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG A power amplifier, a radio frequency electronic device and a method for operating a power amplifier
US9735743B1 (en) 2016-06-16 2017-08-15 Ccip, Llc Minimizing impedence mismatch effects in a wireless device
US9848342B1 (en) 2016-07-20 2017-12-19 Ccip, Llc Excursion compensation in multipath communication systems having performance requirements parameters
CN108736832A (zh) * 2017-04-14 2018-11-02 天津大学（青岛）海洋工程研究院有限公司 一种新型高效率逆f类功率放大器多次谐波匹配电路
US11609247B2 (en) * 2020-10-21 2023-03-21 Qualcomm Incorporated System and method for active S11 detection in phased array transceivers
TWI784739B (zh) * 2021-10-06 2022-11-21 立積電子股份有限公司 開關裝置
KR20230075311A (ko) * 2021-11-22 2023-05-31 삼성전자주식회사 보호 회로를 구비한 전력 증폭기 모듈을 포함하는 전자 장치 및 방법

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4041410A (en) 1976-04-12 1977-08-09 Harris Corporation RF level detector
US4122400A (en) 1976-11-08 1978-10-24 Rca Corporation Amplifier protection circuit
JPS61210728A (ja) 1985-03-14 1986-09-18 Alps Electric Co Ltd 送信機の出力電力制御装置
US4673886A (en) 1986-02-26 1987-06-16 Motorola, Inc. Adaptively stabilized RF amplifier
US4982435A (en) * 1987-04-17 1991-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Automatic loudness control circuit
US4727337A (en) 1987-04-24 1988-02-23 Motorola, Inc. Protection circuit for RF power amplifiers
US4859967A (en) 1988-11-09 1989-08-22 Harris Corporation RF power amplifier protection
US5003271A (en) 1989-09-12 1991-03-26 Harris Corporation RF power amplifier system having amplifier protection
US5070309A (en) 1991-01-28 1991-12-03 Harris Corporation RF power amplifier having improved amplifier protection
US5278994A (en) 1991-06-03 1994-01-11 Motorola, Inc. Power amplifier saturation detection and correction method and apparatus
US5150075A (en) 1991-06-03 1992-09-22 Motorola, Inc. Power amplifier ramp up method and apparatus
FI92531C (fi) 1991-07-23 1994-11-25 Nokia Mobile Phones Ltd Suurtaajuusilmaisin laajalla dynamiikalla
FI89110C (fi) 1991-09-19 1993-08-10 Nokia Mobile Phones Ltd Effektdetektor
US5448770A (en) 1993-04-05 1995-09-05 Motorola, Inc. Temperature-coefficient controlled radio frequency signal detecting circuitry
US5432473A (en) 1993-07-14 1995-07-11 Nokia Mobile Phones, Limited Dual mode amplifier with bias control
US5564086A (en) 1993-11-29 1996-10-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for enhancing an operating characteristic of a radio transmitter
US5452473A (en) * 1994-02-28 1995-09-19 Qualcomm Incorporated Reverse link, transmit power correction and limitation in a radiotelephone system
US5404114A (en) 1994-06-23 1995-04-04 Rockwell International Corporation Method and apparatus for providing transmitter protection
GB9423158D0 (en) * 1994-11-17 1995-01-04 At & T Global Inf Solution Radio frequency detector circuit
JP2728018B2 (ja) * 1995-04-18 1998-03-18 日本電気株式会社 送信回路
US5724003A (en) 1995-12-29 1998-03-03 Maxim Integrated Products, Inc. Methods and apparatus for signal amplitude control systems
US5898912A (en) * 1996-07-01 1999-04-27 Motorola, Inc. Direct current (DC) offset compensation method and apparatus
US6002922A (en) 1996-12-17 1999-12-14 Motorola, Inc. Method and apparatus for detecting communication signals
FI108177B (fi) 1997-01-03 2001-11-30 Nokia Mobile Phones Ltd Matkaviestinlaitteiden lähetin
US5873029A (en) 1997-02-19 1999-02-16 Motorola, Inc. High dynamic range millimeter wave power detector with temperature compensation
US5880635A (en) 1997-04-16 1999-03-09 Sony Corporation Apparatus for optimizing the performance of a power amplifier
US6008698A (en) 1998-05-18 1999-12-28 Omnipoint Corporation Amplifier with dynamically adaptable supply current
US6188277B1 (en) 1998-08-19 2001-02-13 Harris Corporation Power amplifier having monitoring and circuit protection
US6265939B1 (en) 2000-03-24 2001-07-24 International Business Machines Corporation Linear power detectors and methods for power amplifiers
WO2002015397A2 (en) 2000-08-16 2002-02-21 Maxim Integrated Products, Inc. Low-loss bypass mode of an amplifier with high linearity and matched impedance
US7333778B2 (en) * 2001-03-21 2008-02-19 Ericsson Inc. System and method for current-mode amplitude modulation
US6753734B2 (en) * 2001-06-06 2004-06-22 Anadigics, Inc. Multi-mode amplifier bias circuit
US6566944B1 (en) 2002-02-21 2003-05-20 Ericsson Inc. Current modulator with dynamic amplifier impedance compensation

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102100000A (zh) * 2008-07-23 2011-06-15 Nxp股份有限公司 用于射频发射链路的vswr补偿电路
CN102265509A (zh) * 2008-12-31 2011-11-30 Nxp股份有限公司 功率放大器保护
CN101567664B (zh) * 2009-06-05 2011-04-20 武汉虹信通信技术有限责任公司 一种通过自适应调整栅压来提高功率放大器效率的方法
CN102474226B (zh) * 2009-08-03 2014-12-17 高通股份有限公司 多级阻抗匹配
CN102474226A (zh) * 2009-08-03 2012-05-23 高通股份有限公司 多级阻抗匹配
CN101969296A (zh) * 2010-10-26 2011-02-09 钜泉光电科技(上海)股份有限公司 基于电力线载波通信的阻抗自适应功率放大器电路及其实现方法
CN103636121A (zh) * 2011-10-13 2014-03-12 三菱电机株式会社 前端放大器
CN102594468A (zh) * 2012-02-28 2012-07-18 桂林电子科技大学 短波频谱感知方法及系统
CN103269208B (zh) * 2013-04-18 2016-01-20 厦门市雷迅科电子科技有限公司 一种低成本高集成度的射频集成电路器件
CN103269208A (zh) * 2013-04-18 2013-08-28 厦门市雷迅科电子科技有限公司 一种低成本高集成度的射频集成电路器件
CN104333335A (zh) * 2014-11-06 2015-02-04 中国电子科技集团公司第十三研究所 自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路
US11424722B2 (en) 2016-03-11 2022-08-23 Intel Corporation Ultra compact multi-band transmitter with robust AM-PM distortion self-suppression techniques
US11923809B2 (en) 2016-03-11 2024-03-05 Intel Corporation Ultra compact multi-band transmitter with robust AM-PM distortion self-suppression techniques
CN108781059A (zh) * 2016-03-11 2018-11-09 英特尔公司 利用强健的am-pm失真自抑制技术的超紧凑多频带发送器
CN109728785B (zh) * 2016-03-11 2023-07-25 英特尔公司 利用强健的am-pm失真自抑制技术的超紧凑多频带发送器
CN108781059B (zh) * 2016-03-11 2022-09-27 英特尔公司 利用强健的am-pm失真自抑制技术的超紧凑多频带发送器
CN109728785A (zh) * 2016-03-11 2019-05-07 英特尔公司 利用强健的am-pm失真自抑制技术的超紧凑多频带发送器
CN110690861A (zh) * 2018-07-05 2020-01-14 三星电机株式会社 具有线性补偿功能的多级功率放大器
CN108933572A (zh) * 2018-07-10 2018-12-04 苏州远创达科技有限公司 一种射频功率放大器多芯片模块
CN108900167A (zh) * 2018-07-11 2018-11-27 广州慧智微电子有限公司 阻抗补偿电路及功率放大补偿电路
CN108900167B (zh) * 2018-07-11 2023-08-01 广州慧智微电子股份有限公司 阻抗补偿电路及功率放大补偿电路
CN108718199B (zh) * 2018-07-24 2023-09-15 广东电网有限责任公司 天线自适应阻抗匹配器和匹配方法
CN108718199A (zh) * 2018-07-24 2018-10-30 广东电网有限责任公司 天线自适应阻抗匹配器和匹配方法
CN109462382B (zh) * 2018-10-26 2022-07-29 京信网络系统股份有限公司 功率放大系统、功率测控方法、装置及基站设备
CN109462382A (zh) * 2018-10-26 2019-03-12 京信通信系统（中国）有限公司 功率放大系统、功率测控方法、装置及基站设备
CN111355518A (zh) * 2018-12-24 2020-06-30 三星电子株式会社 包括多个天线阵列的电子设备
CN111355518B (zh) * 2018-12-24 2024-03-01 三星电子株式会社 包括多个天线阵列的电子设备
CN112152660A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 Oppo（重庆）智能科技有限公司 射频电路的控制方法、装置及电子设备
CN113113767A (zh) * 2021-03-22 2021-07-13 宁波大学 一种宽带有源功率放大器集成天线
WO2023016261A1 (zh) * 2021-08-09 2023-02-16 华为技术有限公司 信号处理装置和可调阻抗匹配模块

Also Published As

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KR20060069481A (ko) 2006-06-21
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