CN1883041A - 自动对准镶嵌栅极 - Google Patents

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Abstract

一种用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(200)的方法包含形成鳍区域、源极区域及漏极区域于衬底上、形成鳍(310)于该鳍区域内及形成掩模(320)于该鳍区域内。该方法更包含蚀刻该掩模(320)以暴露出该金属氧化物半导体场效应晶体管(200)的沟道区域(330)、蚀刻该鳍(310)以薄化在该沟道区域(330)内的该鳍(310)的宽度、形成栅极于该鳍(310)的上方及形成接触至该栅极、该源极区域及该漏极区域。

Description

自动对准镶嵌栅极
技术领域
本发明一般系关于半导体组件，并且尤其系关于具有自动对准的镶嵌栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)组件及制作该组件方法。
背景技术
组件尺寸的缩小已经成为驱动集成电路在效能上改善及在成本上缩减的主要因素。由于结合栅极氧化物厚度及源极/漏极(source/drain，S/D)接合面深度的限制，现有块体金属氧化物半导体场效应晶体管组件缩小至0.1微米制程阶段以下可能是困难的，尽管并非不可能。新的组件结构及新的材料因此可能需要以改善场效应晶体管效能。
双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管为可成功存在平面化的金属氧化物半导体场效应晶体管的可能组件代表。在双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管中，使用两个栅极控制该沟道明显抑制短沟道效应。鳍式场效应晶体管为包含形成在垂直鳍内的沟道的双栅极结构。虽然是双栅极结构，该鳍式场效应晶体管在布局及制造技术中类似于既存的平面化金属氧化物半导体场效应晶体管。相较于其它双栅极结构，该鳍式场效应晶体管亦提供沟道长度的范围、互补型金属氧化物半导体兼容性及大封装密度。
发明内容
符合本发明的原理实现系提供包含具有自动对准的栅极掩模所形成的镶嵌栅极的鳍式场效应晶体管装置及用于制造这些装置的方法。
在符合本发明的原理的其中一项目的中，用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法包含在衬底上图案化鳍(310)区域、源极区域及漏极区域、在该鳍(310)区域内形成鳍(310)及在该鳍(310)区域内形成掩模。该方法更包含蚀刻该掩模以暴露该金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道区域、在该沟道区域内蚀刻该鳍(310)以薄化该鳍(310)的宽度、在该鳍上方形成栅极及形成接触至该栅极、该源极及该漏极区域。
在符合本发明的原理的另一个目的中，用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管的方法包含在衬底上形成鳍(310)；在该衬底上形成掩模；蚀刻该掩模以暴露该金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道区域；在该沟道区域内薄化该鳍(310)的宽度；以及在该鳍之上形成栅极，其中该栅极在该鳍的每一端上延伸。
在符合本发明的原理的再一项目的中，金属氧化物半导体场效应晶体管包含具有形成在衬底上宽度大约100埃至400埃的鳍(310)、形成在该鳍的侧边表面的栅电介质及形成遮盖该鳍的栅电极。
附图说明
以下为表示本发明的实施例的图式的简单说明。
图1说明依据符合本发明原理的实施例的用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的例示性的程序；
图2A至图6C说明依据在图1中所描述的程序制造金属氧化物半导体场效应晶体管的例示上视及横截面图；
图7A至图7C说明依据符合本发明原理的另一项实现用于形成间隔物的制程；
图8A至图8C说明用于去除鳍(310)侧壁损害的例示性的制程；以及
图9说明用于改善鳍式场效应晶体管组件的迁移率的例示性的制程。
具体实施方式
下文符合本发明的实现的详细描述参考附加图式。在不同的图式中的该相同的图标标号将定义相同或类似的组件。而且，下文详细描述并非限定本发明。取而代之，本发明的范畴藉由该附加的权利要求书及本身的等同所定义。
符合本发明原理的实现提供包含自动对准的镶嵌栅极的鳍式场效应晶体管组件及用于制造这些组件的方法。此类鳍式场效应晶体管组件具有某些优点。例如，仅有该鳍(310)的主动区域是在该最小沟道长度处，该最小沟道长度减少源极/漏极电阻。该栅极亦自动对准于该最小沟道区域，该最小沟道区域显著地减少该组件的寄生的源极/漏极电阻。在传统的鳍式场效应晶体管方法中，为了栅极至鳍(310)产生的遮盖公差，该狭窄沟道通常为明显地较长于该栅极长度。而且，该栅极图案化是在平面衬底上完成(例如，抛光的镶嵌材料)，由于先进的微影技术倾向极低的聚焦深度，该平面衬底会增加的微影余隙。而且，因为光阻涂布是在平坦表面上，由于在形态表面(意即CD Swing)上光阻厚度改变而造成的临界尺寸变动可以避免。例示性的金属氧化物半导体场效应晶体管
图1说明依据符合本发明的原理实现用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的例示性程序。图2A至图6C说明依据图1所描述的程序所制造的金属氧化物半导体场效应晶体管例示性上视及横截面图。
参考图1及图2A至2C，加工程序可以开始于半导体组件200。如同在图2A及图2B的横截面图所显示，半导体组件200可以包含绝缘层硅(silicon on insulator，SOI)结构，该绝缘层硅结构包含硅衬底210、掩埋氧化物层220及在该掩埋氧化物层220上的硅层230。掩埋氧化物层220及硅层230可以习知方式形成在衬底210之上。掩埋氧化物层220的厚度可例如从约1,000埃至6,000埃硅层230的厚度可例如约400埃至1,500埃的范围。由于增加的厚度导致增加该组件的厚度(意即更多的电流沿着该鳍(310)的侧壁流动并且因此具有较高的驱动电流(在金属氧化物半导体效晶体管中I∝W/L))，该硅材厚度可以尽可能地厚。在习知的鳍式场效应晶体管装置中通常很难使用厚的硅材厚度，由于该使用亦导致在该栅极微影步骤中的较大的阶梯差及较差的微影余隙。
可被了解的是硅层230是使用于形成该鳍。在另一个实现中，衬底210及硅层230可以包含其它半导体材料，诸如锗，或者半导体材料的组合，诸如硅一锗。掩埋氧化物层220可以包含氧化硅或其它形式的介电材料。
氮化硅或其它形式的材料可以形成在硅层230之上并且可以负责作为用于后续加工的底部抗反射涂布(bottom antireflective coating，BARC)240，如同在图2A及2B所示。底部抗反射涂布层240的厚度可以从大约150埃至350埃的范围。光阻250或类似的物质可以沉积及图案化以促使较大的鳍(310)区域及该源极与漏极区域(步骤110)的形成，如同在图2A至图2C中所显示。光阻250可以沉积至范围约1,000埃至4,000埃的厚度。图2C显示图2A及2B的半导体组件200之上视图。在图2A中该横截面采取沿着在图2C中的线段X并且在图2B中的横截面为采取沿着在图2C中的线段Y。
硅层230可以经由蚀刻以形成鳍(310)310(步骤120)，如同在图3A及3B中所显示。例如，并未位在光阻250下方的硅层230部分可被蚀刻至掩埋氧化物层220终止蚀刻。光阻250接着可以去除。鳍(310)310的宽度，如同在图3B中所显示，可以从大约500埃至800埃的范围。
镶嵌掩模可以形成在鳍(310)310(步骤130)的区域内，如同在图3A至3C所示。例如，镶嵌材料320，诸如氧化硅、氮化硅、氢氧碳化硅(SiCOH)等等，可以沉积在半导体组件200的上方至范围从大约800埃至2,200埃的厚度(以涵括鳍(310)310及底部抗反射涂布240)并且接着使用已知技术抛光，如同在图3A及3B所示。镶嵌材料320可以负责作为用于后续加工的底部抗反射涂布。镶嵌材料320接着可以使用栅极掩模而蚀刻以暴露出沟道区域330于该栅极开孔内，如同在图3A至3C中所显示。沟道区域330的宽度，如同在图3C所示，范围可以从大约300埃至500埃。使用以暴露出沟道区域330的栅极掩模可以使用对于熟习此项技术的人士已知的先进的微影及图案化技术而产生。
鳍(310)310的宽度接着可以缩减(步骤140)，如同在图4A至4C所示。可以使用一个或一个以上的蚀刻技术以在沟道区域330内侧向蚀刻鳍(310)310。例如，可使用热氧化并且接续稀释氢氟酸浸泡。其它形式的蚀刻可以交替地使用。例如，硅可以在下行氟电浆下蚀刻，其中在氟类型下该硅蚀刻对于氧化物的化学选择性是非常高的，或者在溴化氢下依据电浆化学的侧向硅蚀刻可以使用。
所去除的硅材的量每一侧范围可以从大约100埃至200埃，如同在图4B所示。鳍(310)310的最终宽度范围可以从大约100埃至400埃。底部抗反射涂布240符合本发明的原理在实现上可能残留，如同在图4B所示。在其它实现中，底部抗反射涂布240可以去除。图4C说明鳍(310)310在沟道区域330内已经变薄后的半导体组件200的上视图。
栅极接着可以形成(步骤150)，如同在图5A至5C中所示。例如，栅极介电材料510可以使用已知的技术而沉积或热生长在该鳍(310)310的侧向表面上，如同在图5B所示。栅极介电材料510可以包含习知的介电材料，诸如氧化物(例如二氧化硅)、氮氧化硅或高介电常(高K值)材料，诸如HfO2。在其它实现中，氮化硅或其它材料可以使用以形成该栅电介质。栅极介电材料510可以形成范围从大约10埃至20埃的厚度。
栅电极材料520接着可以在半导体组件200的上方沉积及抛光，如同在图5A及图5B所示。栅电极材料520可以抛光(例如经由化学机械抛光(chemical-mechanical polishing，CMP))以去除在镶嵌材料320上方的任何的栅极材料，如同在图5A及图5B中所示。许多材料可以使用于栅电极材料520。例如，栅电极材料520可以包含多晶硅或其它形式的传导材料，诸如锗或硅及锗的组合，或者诸如钨、氮化钨、氮化钽、氮化钛等的金属。栅电极材料520可以形成范围从大约700埃至2,100埃的厚度，如同在图5B所示，该厚度可以大约于镶嵌材料320(某些镶嵌材料320可能因为抛光而损失)的厚度。图5C显示在栅电极520形成后半导体200的上视图。在图5C中该虚线表示鳍(310)310的变薄的部分。栅极介电层510为了简化起见并无显示于图5C中。
源极、漏极及栅极接触接着可形成(步骤160)，如同在图6A至图6C中所示。例如在其中一个实现中，较大的接触区域可在该栅极的两侧的鳍(310)310的上方开孔，如同在图6A中所示。源极及漏极接触区域610及620可以藉由蚀刻穿越位在鳍(310)310上方的镶嵌材料320的额外的部分并且亦去除底部抗反射涂布240而开孔。栅极接触区域630亦可以形成在栅电极520之上。对于这些接触区域610至630成为大于鳍(310)310及该源极/漏极的实际尺寸是可能的。
硅化物，诸如硅化钴(CoSi2)或硅化镍(NiSi)，接着可以在这些开孔内产生。该硅化钴或硅化镍硅化物只在具有多晶硅(意即栅极)或硅(意即源极/漏极)及所有鳍(310)区域(宽的鳍)为暴露的处而产生。只要在当藉由该现今工业所使用的典型的自动对准硅化技术完成时，该未反应的钴或镍(任何未具有硅之处)可以底切蚀刻去除。
在另一个实现中，镶嵌材料320及底部抗反射涂布240可以从鳍(310)310的顶部及该源极/漏极而去除。接着，侧壁间隔物可以形成在该栅极及鳍(310)310的侧壁上。接着，硅化金属，诸如钴或镍，可以沉积以在任何该顶部处暴露出具有硅或多晶硅的位置形成自动对准的硅化物(意即在该栅极之上及该暴露的鳍(310)沟道之上)。
因此，该最终的半导体组件200可以包含形成在鳍(310)310的两端上的自动对准的镶嵌栅极。在该沟道区域内的鳍(310)310是变薄的，如同在图6C中的虚线所示。
依据符合本发明的原理的另一项实现，间隔物可以用于该镶嵌栅极的转移而形成以使得该栅极长度较小。图7A至7C说明依据符合本发明的原理的另一项实现的用于形成间隔物的例示性的程序。如同在图7A至7C中所说明，硬质掩模710可以开孔(图7A)、间隔物720可以形成(图7B)及该镶嵌栅极的转移可以在该开孔内执行(图7C)。为了形成小的栅极长度组件，在该镶嵌栅极开孔内部的该间隔物形成可以使小的间隔的图案化变得容易(如同上文所提及)。该间隔物技术比单独地藉由光学微影收缩所能获得的间隔物能够形成更小的间隔物。
在另一个实现中，镶嵌栅极收缩技术，诸如在共同申请中所描述的技术，一般指定的申请案名称为“使用反向清除及氧化物抛光的鳍式场效应晶体管栅极形成”(序号10/459,589)(目录号H1122)，申请日为2003年6月12目、“使用虚设栅极反向清除的鳍式场效应晶体管栅极形成”(序号10/320,536)(目录号H1121)，申请日为2002年12月17日及“在较大的形态表面上用于蚀刻鳍式场效应晶体管栅极的蚀刻终止层”(序号10/632,989)(目录号H1172)，申请日2003年08月04日，该申请案在此参照并入。
在再一个实现中，金属栅电极可以取代上文所描述的该多晶硅镶嵌制程而使用。
其它实现
在该技艺中需要去除在加工期间可能在鳍(310)的侧边表面(意即侧壁)上产生的受损。图8A至图8C说明用于去除鳍(310)侧壁受损的例示性的程序。半导体组件800可以包含形成在衬底830之上的鳍(310)层810及遮盖层820，如同在图8A所示。鳍(310)层810可以包含半导体材料，诸如硅或锗，或者半导体材料的组合。遮盖层820例如可以包含氮化硅材料或在该制造程序期间能够保护鳍(310)层810的某些种类的材料。
鳍(310)层810及遮盖层820可以使用习知的干蚀刻技术而蚀刻以形成鳍(310)840，如同在图8B所示。习知的湿式蚀刻技术接着可以使用以去除鳍(310)侧壁受损，如同在图8C所示。在该湿式蚀刻期间，鳍(310)840的宽度每一侧可以薄化接近20埃至40埃。由于当湿式蚀刻时很难获得硅对二氧化硅的良好的选择性，硅的湿式蚀刻亦可以造成某些埋藏的氧化物损失。
在该技术中对于改善鳍式场效应晶体管组件的迁移率亦有需求。图9说明用于改善鳍式场效应晶体管组件的迁移率的例示性的程序。晶粒接着材料可以形成在封装上，如同在图9所示。该晶粒接着材料可以经由选择以在该鳍式场效应晶体管沟道内产生应力(应变)。晶粒接着可以连接至该晶粒接着材料，如同在图9所示。在该硅材鳍式场效应晶体管沟道内所产生的张应力可能造成增加的电洞迁移率，该电洞迁移率能显著地帮助改善P型金属氧化物半导体鳍式场效应晶体管效能。该晶粒接着材料及制程可以使得在该硅层内的该残留应力是张应力。例如，若在该(热的)晶粒连接/焊接/凸块制程之该封装材料收缩并未如同硅层快速，则当冷却至较低的温度时该硅层可以处于张应力状态。
结论
符合本发明原理的实现提供包含具有自动对准的栅极掩模所形成的镶嵌栅极的鳍式场效应晶体管组件及用于制造这些组件的方法。这些鳍式场效应晶体管组件具有某些优点。例如，仅该鳍(310)的主动区域是在该最小沟道长度处、该栅极是自动对准于该最小沟道及该栅极图案化是在平面的衬底上执行(例如抛光的镶嵌材料)。
本发明的例示性的实施例的前文描述提供说明及图式描述，但是并非意在限定本发明于所详尽揭示的该明确的形式。依据上文的教导，可能的修正及变化是可能的可藉由上述教导或可以从本发明的实施中获得。
例如，在上文的描述中，各种特定的细节在此提出，诸如特定的材料、结构、化学成分、制程等等，以提供符合本发明的实现的全部的了解。然而，这些实现及其它实现可以实施而不需诉诸在此所特别提出的细节。在其它例子中，已知的加工结构并未作详细描述，藉以避免模糊本发明的呈现。在实施本发明中，习知的沉积、光学微影及蚀刻技术可以使用，并且因此，此类技术的细节并未在此详细提出。
虽然一系列步骤参考图1已经作描述，该步骤的顺序可以在符合本发明的其它实现中作改变。再者，非关联的步骤可以平行地实现。
在本申请案的描述中所使用的组件、步骤或知识对于本发明不应该解释为关键或必要的，除非明显地在此提及。而且，如同在此所使用的，该冠词“a”是意在包含一个或一个以上的项目。其中意指仅一个(one)项目时，将使用该名词“一个(one)”或类似的用语。本发明的范畴是藉由该权利要求书及宣称的等同物所定义。

Claims (12)

1.一种用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(200)的方法，包括下列步骤：
形成鳍(310)于衬底上；
形成掩模(320)于该衬底上；
蚀刻该掩模(320)以暴露出该MOSFET(200)的沟道区域(330)；
薄化在该沟道区域(330)内的该鳍(310)的宽度；以及
形成栅极于该鳍(310)的上方，该栅极延伸于该鳍(310)的每一端上。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
图案化鳍区域、源极区域及漏极区域。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：
形成硅化物材料于该衬底上；以及
经由该硅化物材料形成栅极接触、源极接触及漏极接触。
4.如权利要求1所述的方法，其中该形成掩模的步骤包含：
沉积镶嵌材料于该衬底上。
5.如权利要求4所述的方法，其中该形成栅极的步骤包含：
蚀刻该镶嵌材料以形成栅极区域，
形成栅电介质(510)于该鳍(310)的侧表面上，以及
沉积栅电极材料(520)以至少部分地填充该栅极区域。
6.如权利要求1所述的方法，其中该薄化鳍(310)的宽度的步骤包含：
从该鳍(310)宽度的每一端去除大约100埃至200埃。
7.一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(200)，其特征为：
鳍(310)，形成于衬底上并且具有大约100埃至400埃的宽度；
栅电介质(510)，形成在该鳍(310)的侧表面上；以及
栅电极(520)，形成遮盖该鳍(310)。
8.如权利要求7所述的MOSFET(200)，其中该栅电极(520)包括形成在该鳍(310)的第一及第二各端上的第一及第二栅极区域，该第一及第二栅极区域彼此对准；以及
其中该MOSFET(200)进一步包括：
源极区域；以及
漏极区域。
9.一种用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(200)的方法，包括下列步骤：
图案化鳍区域、源极区域及漏极区域于衬底上；
形成鳍(310)于该鳍区域内；
形成掩模(320)于该鳍区域内；
蚀刻该掩模(320)以暴露出该MOSFET(200)的沟道区域(330)；
蚀刻该鳍(310)以薄化在该沟道区域(330)内的该鳍(310)的宽度；
形成栅极于该鳍(310)的上方；以及
形成接触(610-630)至该栅极、该源极区域及该漏极区域。
10.如权利要求9所述的方法，其中该形成掩模(320)的步骤包含：
沉积镶嵌材料(320)于该衬底的上方。
11.如权利要求10所述的方法，其中该形成栅极的步骤包含：
蚀刻该镶嵌材料(320)以形成栅极区域，
形成栅电介质(510)于该鳍(310)的侧表面上，以及
沉积栅电极材料(520)以至少部分地填充该栅极区域。
12.如权利要求9所述的方法，其中该蚀刻鳍(310)的步骤包含：从该鳍(310)宽度的每一端去除大约100埃至200埃。
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