CN1930669A - 改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法 - Google Patents

改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1930669A
CN1930669A CNA2005800080664A CN200580008066A CN1930669A CN 1930669 A CN1930669 A CN 1930669A CN A2005800080664 A CNA2005800080664 A CN A2005800080664A CN 200580008066 A CN200580008066 A CN 200580008066A CN 1930669 A CN1930669 A CN 1930669A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organo
oxidizing gas
silicon compound
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800080664A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100483645C (zh
Inventor
利华·李·黄
祖方·黄
迪安·苏格阿托
立群·夏
皮特·韦曼·李
海澈姆·穆萨德
振江·崔
索云·帕克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN1930669A publication Critical patent/CN1930669A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100483645C publication Critical patent/CN100483645C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31633—Deposition of carbon doped silicon oxide, e.g. SiOC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02304—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment formation of intermediate layers, e.g. buffer layers, layers to improve adhesion, lattice match or diffusion barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
    • H01L21/7681—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures involving one or more buried masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76826—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
    • H01L21/76832—Multiple layers

Abstract

本发明提供了在两个低k电介质层之间沉积具有低介电常数的粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：以有机硅化合物与氧化气体的第一比率将有机硅化合物和氧化气体引入处理室；生成氧化气体与有机硅化合物的等离子，以在包含至少硅和碳的阻挡层上形成初始层；以大于有机硅化合物与氧化气体的第一比率的第二比率将有机硅化合物和氧化气体引入处理室；沉积相邻于电介质初始层的第一电介质层。

Description

改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及集成电路的制造，还涉及在衬底上沉积电介质层的工艺以及由该电介质层形成的结构。
背景技术
制造现代半导体器件的主要步骤之一是通过气体化学反应在衬底上形成金属层和电介质层。这样的沉积工艺被称为化学气相沉积或CVD。传统的热CVD工艺将反应性气体供给至发生热致化学反应的衬底表面，从而形成期望的层。
自从半导体器件数十年前问世以来，其几何尺寸显著减小。因此，集成电路通常遵循两年/尺寸减半的规律(通常称为摩尔定律)，即芯片上装有的器件数量每两年翻一倍。现今的制造工厂一般生产特征尺寸为0.35μm甚至0.18μm的器件，而今后的工厂很快将生产几何尺寸更小的器件。
为了进一步减小集成电路上器件的尺寸，使用具有低电阻率的导电材料已成为必须，而且还使用具有低介电常数(介电常数＜4.0)的绝缘体来降低相邻金属线之间的电容耦合。一种这样的低k电介质材料是旋涂玻璃，例如未掺杂的硅玻璃(USG)或掺杂氟的硅玻璃(FSG)，其可在半导体制造工艺中作为填隙层被沉积。另一种低k电介质材料是可在镶嵌特征的制造中用作电介质层的硅的碳氧化物。
一种可接受的导电材料是铜及其合金，其已成为次四分之一微米级互连技术所选择的材料，原因在于铜与铝相比具有更低的电阻率(1.7μΩ-com，而铝为3.1μΩ-com)、更高的电流和更高的载流量。这些特性对于实现高集成度下的较高电流密度以及提高器件速度来说是重要的。此外，铜具有良好的导热性并且可以以十分纯的状态获得。
在半导体器件中使用铜的一个困难是难以对铜进行蚀刻来得到精确的图案。采用传统的形成互连的沉积/蚀刻工艺来蚀刻铜，已经不能令人满意。因此，正在开发制造具有含铜材料和低k电介质材料的互连的新方法。
一种形成垂直和水平互连的方法是通过镶嵌或双镶嵌方法。在镶嵌方法中，一种或多种电介质材料(例如低k电介质材料)被沉积与图案化蚀刻以形成垂直互连(即，过孔)和水平互连(即，线)。然后将导电材料(例如含铜材料)和其他材料(例如用于防止含铜材料扩散进入周围的低k电介质的阻挡层材料)镶嵌在已蚀刻的图案中。然后，去除已蚀刻图案外部(例如衬底表面上)的过量含铜材料和过量阻挡层材料。
然而，当硅氧碳化物层和硅碳化物层被用作镶嵌形成中的低k材料时，在处理过程中发现层间粘附性无法满足要求。某些处理衬底的技术可能施加可增加涂层缺陷(例如层离)的力。例如，在化学机械抛光工艺中，可通过衬底与抛光垫之间的机械研磨来去除过量的含铜材料，并且衬底与抛光垫之间的力可在沉积的低k电介质材料中产生应力，从而导致层离。在另一个实施例中，沉积材料的退火可使低k电介质材料中产生也可造成层离的高热应力。
因此，需要一种改善低k电介质层之间的层间粘附性的工艺。
发明内容
本发明一般性地提供在两个低k电介质层之间沉积具有低介电常数的粘附层的方法。在一个方面，本发明提供处理衬底的方法，该方法包括：将衬底置于处理室中，其中衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；以有机硅化合物与氧化气体的第一比率将有机硅化合物和氧化气体引入处理室；生成氧化气体与有机硅化合物的等离子以在阻挡层上形成初始层；以大于第一比率的有机硅化合物与氧化气体的第二比率将有机硅化合物和氧化气体引入处理室；沉积相邻于电介质初始层的第一电介质层，其中电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
本发明的另一方面提供了处理衬底的方法，该方法包括：将衬底置于处理室中，其中衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；将惰性气体引入处理室中；由单频RF功率源生成第一等离子体以对阻挡层的表面进行改性；以约1∶1的比率将有机硅化合物与氧化气体引入处理室；由双频RF功率源生成第二等离子体以在阻挡层上形成初始层；以大于约10∶1的比率将有机硅化合物与氧化气体引入处理室；沉积相邻于电介质初始层的第一电介质层，其中电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
本发明的另一方面提供了处理衬底的方法，该方法包括：将衬底置于处理室中，其中衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；将氧化气体引入处理室；生成氧化气体的等离子体并且处理阻挡层表面；以第一流率引入有机硅化合物；由氧化气体和有机硅化合物在阻挡层上沉积初始层；以大于第一流率的第二流率引入有机硅化合物；由氧化气体和有机硅化合物沉积相邻于电介质初始层的第一电介质层，其中电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
本发明的另一方面提供了处理衬底的方法，该方法包括：将衬底置于处理室中，其中衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；将氧化气体引入处理室；生成氧化气体的等离子体并且在阻挡层上形成初始层；将有机硅化合物引入处理室；使有机硅化合物与氧化气体反应；沉积相邻于电介质初始层的第一电介质层相邻于电介质初始层，其中电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
附图说明
为了实现上述本发明的各个方面以及详细理解本发明，以下通过参考附图所示的实施方式对本发明进行更具体的描述。
然而应当注意到，附图仅说明了本发明的典型实施方式，因而不应看作是对其范围的限制，本发明可容许其他等同有效的实施方式。
图1为包括本文所述的硅碳化物和硅氧碳化物层的双镶嵌结构的剖面图；
图2A-2H为本发明的双镶嵌沉积工序的一种实施方式的剖面图。
为了更好地理解本发明的方面，参考应保证详细的说明。
具体实施方式
本文所述的本发明的方面是指沉积粘附性电介质材料和/或处理电介质层之间的表面以改善电介质层的粘附性的方法与装置。提高层间粘附性可包括在沉积后续电介质层之前形成电介质初始层。该初始层可包含硅、碳并且可选地包含氧。提高电介质层之间的粘附性的处理包括在后续沉积之前对已沉积的层的表面进行改性，例如，采用惰性气体、氧化气体或二者的等离子体处理。对含硅、碳以及可选地含氧的材料的表面进行处理被认为在沉积材料表面上形成更类似氧化物的表面，从而提高层间粘附性。
双镶嵌结构的沉积
图1示出了采用本文所述的在硅碳化物层上布置硅氧碳化物层的沉积工艺所形成的镶嵌结构。图1和图2A-2H所示的以下结构形成工艺是示例性的，不应被理解或解释为对本发明范围的限制。尽管下述层间粘附工艺是在硅碳化物阻挡层112与电介质层110之间以及低k蚀刻终止层114与层间电介质层118之间使用，但是本发明还可在镶嵌结构或电介质叠层中的任何合适的电介质层之间使用层间粘附工艺。
具有在衬底表面材料105中形成的金属特征107的衬底100被供给至处理室。通常，在衬底表面上沉积第一硅碳化物阻挡层112，以消除衬底与后续沉积材料之间的层间扩散。第一硅碳化物阻挡层112可掺杂氮和/或氧。阻挡层材料的介电常数可达约9，例如4或更小，优选在约2.5与小于约4之间。硅碳化物阻挡层的介电常数可为约5或更小，优选小于约4。通过最小化或排除氮源气体，可在第一硅碳化物阻挡层112上原位沉积无氮硅碳化物覆层(未示出)。可在第一硅碳化物阻挡层112上沉积初始层113，而且在沉积初始层113之前，可使用本文所述的预处理工艺。
氧化有机硅化合物的第一电介质层110被沉积在初始层113上。然后，可用等离子体或电子束工艺对第一电介质层110进行后处理。或者，通过提高本文所述的硅氧碳化物沉积工艺中的氧浓度，可在第一电介质层110上原位沉积硅氧化物覆层(未示出)，从而去除沉积材料中的碳。
然后在第一电介质层110上沉积硅碳化物的蚀刻终止层(或第二阻挡层)114(其可掺杂氮或氧)。可在蚀刻终止层114上沉积无氮硅碳化物覆层。然后，对蚀刻终止层114进行图案化蚀刻以定义接触/过孔116的开口。在后续处理(例如蚀刻或附加的电介质蚀刻)之前，可在层114上形成本文所述的层间粘附层或初始层115，以改善随后沉积的电介质材料的层间粘附。改善的粘附层可包括本文所述的预处理工艺和初始层。可通过本文所述的技术来形成层间粘附表面。然后，在图案化的蚀刻终止层上沉积氧化有机硅烷或有机硅氧烷的第二电介质层118。然后，可对第二电介质层118进行等离子体或电子束处理和/或具有用本文所述的工艺布置于其上的硅氧化物覆盖材料。
然后，通过本领域已知的传统方法来沉积和图案化本领域通常已知的抗蚀剂层122(例如光阻材料UV-5，可从Massachusetts，Marlborough的Shipley Company Inc.购得)，从而定义互连线120。然后进行单个蚀刻工艺来定义下至蚀刻终止层的互连，并且蚀刻由图案化的蚀刻终止层暴露的未保护的电介质以定义接触/过孔。
如图2E所示，根据本发明制造的优选的双镶嵌结构包括等离子体处理或电子束处理暴露的硅氧碳化物层，制造该结构的方法依次示于图2A-2H，这些图是用本发明的工艺步骤进行处理的衬底的剖面图。
如图2A所示，第一硅碳化物阻挡层112被沉积在衬底表面上。第一硅碳化物阻挡层112的硅碳化物材料可掺杂氮和/或氧。尽管并未示出，但可在阻挡层112上沉积无氮硅碳化物或硅氧化物的覆层。通过调节处理气体的组成，可在原位沉积无氮硅碳化物或硅氧化物。
通过等离子体处理第一硅碳化物阻挡层112，随后沉积实际的初始层材料，可以沉积初始层113；以上两个工艺可在原位顺序进行。氦(He)、氩(Ar)、氖(Ne)及其组合可被用于等离子体处理。
惰性气体预处理工艺的实例包括：以约1500sccm的流率向处理室提供氦；保持室压力为约5Torr；保持衬底温度为约350℃；在距衬底表面约450密耳处设置气体分布器；通过在约13.56MHz的高频下施加15秒的约300W的RF功率水平来生成等离子体。
沉积初始层113的实例包括：以500sccm的流率将氧引入处理室；以约500毫克/分钟(mgm)(相当于约39sccm的OMCTS)的流率引入八甲基环四硅氧烷；以约4800sccm的流率引入氦；保持室处于约350℃的衬底温度下；保持室压力为约5Torr；在距衬底表面约350密耳处设置气体分布器；在13.56MHz下施加约500W、在356KHz下施加约150W的RF功率。
通过本文所述的工艺，在初始层113上沉积来自氧化有机硅烷或有机硅氧烷(例如三甲基硅烷和/或八甲基环四硅氧烷)的硅氧碳化物的初始第一电介质层110，依赖于制造的结构尺寸，沉积厚度为约5000至约15000。第一电介质层还可包含其他低k电介质材料，例如低聚物材料(包括paralyne)或低k旋涂玻璃，如未掺杂的硅玻璃(USG)或氟掺杂的硅玻璃(FSG)。然后，可用本文所述的等离子体工艺来处理第一电介质层。
如图2B所示，然后在第一电介质层上沉积可为氮和/或氧掺杂的硅碳化物的低k蚀刻终止层114，沉积厚度约100至约1000。然后，在低k蚀刻终止层114上形成或沉积由本文所述的工艺之一所形成的层间电介质粘附层或表面115(例如电介质初始层)。通过本文所述的用于硅碳化物材料或硅氧碳化物材料的方法，对低k蚀刻终止层114和/或层间电介质粘附层或表面115进行等离子体处理。可如沉积初始层113所述来沉积层115。
然后，如图2C所示，图案化蚀刻低k蚀刻终止层114以定义接触/过孔开口116，并且在要形成接触/过孔的区域暴露第一电介质层110。优选地，通过使用氟、碳和氧离子的常规光刻和蚀刻工艺来对低k蚀刻终止层114进行图案化蚀刻。尽管并未示出，但是在沉积其他材料之前，可在低k蚀刻终止层114和/或层间电介质粘附层或表面115上沉积约100至约500的无氮硅碳化物或硅氧化物覆层。
如图2D所示，在蚀刻低k蚀刻终止层114以图案化接触/过孔以及去除抗蚀剂材料之后，通过本文所述的工艺来沉积来自氧化有机硅烷或有机硅氧烷(例如三甲基硅烷)的硅氧碳化物的第二电介质层118，沉积厚度为约5000至约15000。然后，可通过如处理第一电介质层110所述的等离子体工艺来处理第二电介质层118。
然后，如图2E所示，优选使用传统的光刻工艺在第二电介质层118(或覆层)上沉积抗蚀剂材料122并图案化以定义互连线120。抗蚀剂材料122包括现有技术公知的材料，优选为高活化能的抗蚀剂材料，例如UV-5(可从Massachusetts，Marlborough的Shipley Company Inc.购得)。然后，如图2F所示，用反应性离子蚀刻或其他各向异性蚀刻技术来蚀刻互连和接触/过孔，从而定义金属化结构(即，互连和接触/过孔)。使用氧剥离或其他合适的工艺来去除所有的用于图案化蚀刻终止层114或第二电介质层118的抗蚀剂材料或其他材料。
因此，形成了具有导电材料的金属化结构，导电材料例如是铝、铜、钨或其组合。由于铜的电阻率低(1.7mΩ-cm，而铝为3.1mΩ-cm)，目前的趋势是使用铜来形成更小的特征。优选地，如图2G所示，合适的金属阻挡层124(例如钽氮化物)首先被保形沉积在金属化图案中，以防止铜迁移进入周围的硅和/或电介质材料中。此后，使用化学气相沉积、物理气相沉积、电镀中的任何一种或其组合来沉积铜126以形成导电结构。如图2H所示，一旦此结构被铜或其他导电金属填充，则使用化学机械抛光对其表面进行平坦化。
初始层沉积
在一个方面，可通过在沉积硅氧碳化物层之前沉积初始层来改善层间粘附。可选地，在沉积初始层之前，可以对其下方的电介质层(例如硅碳化物或掺杂的硅碳化物)进行预处理工艺。在气体在预处理步骤和/或沉积步骤之间的转换时，可以不停止施加生成等离子体的RF功率。
以下描述的沉积工艺采用300mm ProducerTM双沉积台处理室，应当作相应的解释，例如，流率是指总流率，而当描述室内的每个沉积站的流率时，应当将流率除以2。此外，应当注意，为了在不同的室中以及对于不同的衬底尺寸(例如200mm)进行等离子体工艺，可以对各个参数进行调整。
本文所述的沉积工艺可以作为一个连续的等离子体工艺来进行，或者包括两个或多个生成的等离子体，例如，每个层沉积步骤均有一个生成的等离子体。本文所述的预处理和沉积工艺可以作为一个连续的等离子体工艺来进行，或者包括两个或更多个生成的等离子体，例如，一个生成的等离子体用于预处理工艺，一个和多个生成的等离子体用于层沉积步骤；或者一个等离子体用于预处理工艺和初始层沉积步骤，第二生成的等离子体用于电介质沉积步骤。
预处理工艺包括用惰性气体、氧化气体或二者对下方的电介质进行等离子体处理。等离子体处理可形成更类似于后续沉积材料的下方电介质材料的表面。例如，氧等离子体可产生更类似氧化物的表面。等离子体处理可在与用于沉积硅氧碳化物材料相同的室中进行。
等离子体处理的一种实施方式包括：以约500sccm至约3000sccm的流率向处理室提供惰性气体，其包括氦、氩、氖、氙、氪或其组合；保持室压力为约3Torr至约12Torr；保持衬底温度为约300℃至约450℃；设置气体分布器或“喷淋头”，其可位于距衬底表面约200密耳至约1000密耳(例如300密耳至500密耳)的位置；通过在高频(例如约13MHz至约14MHz，如13.56MHZ)下施加约0.03W/cm2至约3.2W/cm2的功率密度(对于200mm的衬底，相当于约10W至约1000W的RF功率水平)来生成等离子体。等离子体处理可进行约3秒至约120秒，例如，优选使用约5秒至约40秒。
可通过双频RF功率源来生成等离子体。或者，所有的等离子体生成可远程进行，而将生成的基引入处理室，用于已沉积的材料的等离子体处理或材料层的沉积。
惰性气体预处理工艺的实例包括：已约1500sccm的流率向处理室提供氦；保持室压力为约5Torr；保持衬底温度为约350℃；在距衬底表面约450密耳处设置气体分布器；通过在约13.56MHz的高频下施加15秒的约300W的RF功率水平来生成等离子体。
等离子体预处理工艺可使用氧化气体(例如氧)，可以使用或不使用上述惰性气体。氧化预处理工艺可包括：以约100sccm至约3000sccm的流率向处理室提供氧化气体(例如本文所述的氧或其它氧化气体)；保持室压力为约2Torr至约12Torr；保持衬底温度为约250℃至约450℃；设置气体分布器或“喷淋头”，其可位于距衬底表面约200密耳至约1000密耳(例如300密耳至500密耳)的位置；通过在高频(例如约13MHz至约14MHz，如13.56MHZ)下施加约0.03W/cm2至约3.2W/cm2的功率密度(对于200mm的衬底，相当于约10W至约1000W的RF功率水平)来生成等离子体。等离子体处理可进行约3秒至约120秒，优选使用约5秒至约40秒的等离子体处理。
氧化气体预处理工艺的实例包括：以约750sccm(对于双台ProducerTM等离子体室，为约1500sccm)的流率向处理室提供氧；保持室压力为约5Torr；保持衬底温度为约350℃；在距衬底表面约450密耳处设置气体分布器；通过在约13.56MHz的高频下施加15秒的约300W的RF功率水平来生成等离子体。
可在下方材料(例如可包括氮或氧掺杂的硅碳化物)上沉积初始层以便于沉积后续的电介质层(例如硅氧碳化物层)。
初始层可包括硅氧碳化物层，并可由氧化气体和有机硅材料沉积，其中有机硅化合物如这里所述的化合物。引入处理室的有机硅化合物(mgm)与氧化气体(sccm)的比率可为约1∶2至约10∶1，例如约1∶2至约2∶1，如约1∶2至约1∶1。可在与后续的电介质材料沉积(例如硅氧碳化物沉积)相近或相同的处理条件下沉积初始层。
通过调整处理气体的组成，可在原位顺序沉积初始层和硅氧碳化物层。例如，可通过以约10∶1或更大(例如约10∶1至约20∶1，如约18∶1)的有机硅化合物(mgm)与氧化气体(sccm)的比率将有机硅化合物与氧化气体引入处理室；以及通过在初始层沉积与硅氧碳化物层沉积之间改变有机硅化合物与氧化气体的比率，可使处理在原位发生。氧化气体可包括选自氧、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、氧化亚氮及其组合的氧化化合物，其中氧是优选的。
预处理工艺也可在初始层沉积和/或硅氧碳化物层沉积原位进行。除非另有说明，用于沉积工艺的有机硅化合物与氧化气体的所有的流量比率均以mgm/sccm的单位描述。
一种沉积电介质初始层的实施方式如下所述。该沉积可通过以下方法进行：以约10sccm至约2000sccm的流率将氧化化合物引入处理室；以约100毫克/分钟(mgm)至约5000mgm(对于八甲基环四硅氧烷(OMCTS)，相当于约7sccm至约400sccm)的流率引入有机硅前体，并且可选地，以约1sccm至约10000sccm的流率供给惰性气体；保持室处于约0℃至约500℃的衬底温度；保持室压力为约100mTorr至约100Torr；在距衬底表面约200密耳至约700密耳处设置气体分布器；施加约0.03W/cm2至约1500W/cm2的RF功率，例如约0.03W/cm2至约6.4W/cm2，对于200mm的衬底，施加约10W至约2000W的RF功率水平。
可由双频RF功率源施加第一RF功率和至少第二RF功率，其中，第一RF功率的频率范围为约10MHz至约30MHz，功率范围为约200W至约1000W；第二PF功率的频率范围为约100KHz至约500KHz，功率范围为约1W至约200W。沉积初始层的时间可为约1秒至约60秒，例如约1秒至约5秒，如2秒。
沉积初始层的实例包括：以约500sccm的流率将氧引入处理室；以约500毫克/分钟(mgm)(对于OMCTS，相当于约39sccm)的流率引入八甲基环四硅氧烷；以约4800sccm的流率引入氦；保持室处于约350℃的衬底温度；保持室压力为约5Torr；在距衬底表面约350密耳处设置气体分布器；在13.56MHz下施加约500W、在356KHz下施加约150W的RF功率。此工艺进行约1秒至约5秒，优选约2秒。
在形成初始层的另一种实施方式中，氧等离子体预处理工艺可开始并进行第一时间长度，然后引入有机硅材料，用于沉积初始层。在后续电介质材料沉积(也可原位进行)之前，这允许不间断的氧化等离子体对沉积材料的预处理和后续的初始层沉积。
在一种实施方式中，电介质材料可包括通过以下方法沉积的硅氧碳化物：以约10sccm至约2000sccm的流率将氧化化合物(诸如氧气)引入处理室；以约100毫克/分钟(mgm)至约5000mgm(对于OMCTS，相当于约7sccm至约400sccm)的流率引入有机硅前体，并且可选地，以约1sccm至约10000sccm的流率供给惰性气体；保持室处于约0℃至约500℃的衬底温度；保持室压力为约100mTorr至约100Torr；在距衬底表面约200密耳至约700密耳处设置气体分布器；施加约0.03W/cm2至约1500W/cm2的RF功率(例如约0.03W/cm2至约6.4W/cm2，对于200mm的衬底来说约10W至约2000W的RF功率水平)。可由双频RF功率源施加第一RF功率和至少第二RF功率，其中，第一RF功率的频率范围为约10MHz至约30MHz，功率范围为约200W至约1000W；第二PF功率的频率范围为约100KHz至约500KHz，功率范围为约1W至约200W。
沉积电介质层的实例包括：以160sccm的流率将氧引入处理室；以约2900毫克/分钟(mgm)(对于OMCTS，相当于约226sccm)的流率引入八甲基环四硅氧烷；以约1000sccm的流率引入氦；保持室处于约350℃的衬底温度；保持室压力为约5Torr；在距衬底表面约450密耳处设置气体分布器；在13.56MHz下施加约500W、在356KHz下施加约150W的RF功率。通过调节前体流率和其它处理参数，初始层沉积工艺以及电介质层的沉积可以在原位且连续进行。
实施例
下面的实施例说明了本发明的粘附工艺的各种实施方式，与标准的层积相比，本发明可改善层间粘附。这些实施例在ProducerTm 300mm处理室中进行，该装置包括具有双片石英工艺套件的固态双频RF匹配单元，均由California，Santa Clara的Applied Materials，Inc制造并出售。
测试样品如下制备。按如下方法在硅衬底上沉积电介质叠层。所述衬底包括硅衬底，硅衬底上布置有约1000的氧化物，氧化物上布置有约250的钽，钽上布置有约4500的铜，铜层上布置有约2000的硅碳氮化物，在硅碳氮化物层上沉积约2000的硅氧碳化物。硅碳氮化物沉积和硅氧碳化物沉积可以采用单一连续的等离子体或包括两个或多个生成的等离子体。
通过以下方法来沉积硅氧碳化物层：以160sccm的流率将氧引入处理室；以约2900毫克/分钟(mgm)(对于OMCTS，相当于约226sccm)的流率引入八甲基环四硅氧烷；以约1000sccm的流率引入氦；保持室处于约350℃的衬底温度；保持室压力为约5Torr；在距衬底表面约450密耳处设置气体分布器；在13.56MHz下施加约500W、在356KHz下施加约150W的RF功率。
按如下方法对测试样品进行粘附性测试。在测试样品上沉积约120μm至约150μm的具有已知的层离特性的环氧材料。在环氧材料层上沉积硅层。然后将测试样品在约190℃下烘焙或固化一小时，之后切成1cm见方的样品并用液氮冷却至-170℃。然后观察该样品以确定层离，在给定温度下，层离发生在最薄弱的层间界面处。给定温度下的环氧材料的收缩与造成剥离所需的力有关。根据此观察，可定量计算粘附力。粘附力(GC)基于式 计算，其中h为环氧层厚度，σ为残余应力。测得的上述未处理或未改性的叠层的粘附力GC在约3.01的介电常数下为约3J·m2，层离发生在硅碳氮化物与硅氧碳化物的界面。
对于样品1，在沉积硅氧碳化物层之前，通过以下方法对硅碳氮化物层进行氦等离子体处理：以约1500sccm的流率向处理室提供氦；保持室压力为约5Torr；保持衬底温度为约350℃；在距衬底表面约450密耳处设置气体分布器；通过在约13.56MHz的高频下施加15秒的约300W的RF功率水平来生成等离子体。测得的样品1的氦处理叠层的粘附力GC在约3.03的介电常数下为约3.8J·m2，硅碳氮化物与硅氧碳化物的界面处未发生层离。
对于样品2，在沉积硅氧碳化物层之前，对硅碳氮化物层进行氦等离子体处理和初始层沉积，其中氦等离子体处理方法与样品1相同，初始层沉积方法如下：以500sccm的流率将氧引入处理室；以约500毫克/分钟(mgm)(相当于约39sccm)的流率引入八甲基环四硅氧烷；以约4800sccm的流率引入氦；保持室处于约350℃的衬底温度下；保持室压力为约5Torr；在距衬底表面约350密耳处设置气体分布器；在13.56MHz下施加约500W、在356KHz下施加约150W的RF功率。测得的样品2的氦处理叠层的粘附力GC在约3.06的介电常数下为约5.5J·m2，硅碳氮化物与硅氧碳化物的界面处未发生层离。
层沉积：
硅氧碳化物层
硅氧碳化物层通常包含硅、碳以及约15原子％或更高的氧。本文所述的掺杂氧的硅碳化物包含小于约15原子％的氧。优选的硅氧碳化物层包含对低介电常数和阻挡性质有贡献的硅-氧键和硅-碳键。沉积层的碳含量为约5-30原子％(不包括氢原子)，优选约10-20原子％(不包括氢原子)。整个沉积层可含有C-H或C-F键，从而为硅氧碳化物层提供疏水性。硅氧碳化物层还可含有氢、氮或其组合。
通过氧化有机硅化合物来沉积硅氧碳化物层，有机硅化合物包括本文所述的含氧有机硅化合物和含氮有机硅化合物。在本发明的一个优选方面，通过使含三个或更多烷基的有机硅化合物与含臭氧的氧化气体反应来沉积硅氧碳化物层。如果有机硅化合物包含氧，则可在无氧化剂的条件下沉积硅氧碳化物层。优选的有机硅化合物包括例如：
三甲基硅烷                      (CH3)3-SiH
四甲基硅烷                      (CH3)4-Si
1，1，3，3-四甲基二硅氧烷       (CH3)2-SiH-O-SiH-(CH3)2
六甲基二硅氧烷                  (CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3
2，2-双(1-甲基二硅氧烷基)丙烷   (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-C(CH3)2
1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷      -(-SiHCH3-O-)4-(环状)
八甲基环四硅氧烷                 -(-Si(CH3)2-O-)4-(环状)
1，3，5，7，9-五甲基环五硅氧烷   -(-SiHCH3-O-)5-(环状)
及其氟化衍生物
在沉积硅氧碳化物层过程中，有机硅化合物优选通过与氧(O2)、臭氧(O3)、氧化亚氮(N2O)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水(H2O)或其组合(其中优选氧)反应而被氧化。当臭氧用作氧化气体时，臭氧生成器通常将气体源中的约15wt％的氧转化为臭氧，余下的通常为氧。然而，依赖于所需的臭氧量和所用臭氧生成设备的类型，臭氧浓度可以提高或降低。含有氧的有机硅化合物可被分解以提供氧。在沉积硅氧碳化物层过程中，衬底被保持在约-20℃至约500℃，优选被保持在约170℃至约180℃。
对于硅氧碳化物层的等离子体增强沉积，沉积有机硅材料所用的功率密度为约0.003W/cm2至约6.4W/cm2，即对于200mm的衬底，施加约1W至约2000W的RF功率水平。优选地，RF功率水平为约300W至约1700W。以约0.01MHz至约300MHz的频率提供RF功率。可以连续地或以短周期提供RF功率，其中，功率在所述水平开启，开启周期小于约200Hz，并且开启周期总共占总工作周期的约10％至约50％。在以下更详细描述的衬底处理系统中进行低介电常数层的沉积工艺。硅氧碳化物层的沉积可以连续进行，或者可以有中断，例如更换处理室或提供冷却时间以提高孔隙率。
或者，可以采用双频系统来沉积硅氧碳化物材料。混合双频RF功率源可提供约10MHz至约30MHz范围的高频率(例如约13.56MHz)以及约100KHz至约500KHz范围的低频率(例如约350KHz)。混频RF功率施加的例子可包括第一RF功率和至少第二RF功率，其中，第一RF功率的频率范围为约10MHz至约30MHz，功率范围为约200W至约1000W；第二PF功率的频率范围为约100KHz至约500KHz，功率范围为约1W至约200W。第二RF功率与总混频功率的比率优选小于约0.2至1.0。
在一个方面，环状有机硅化合物和脂族有机硅化合物与足够量的氧化气体反应，以在半导体衬底上沉积低介电常数层，其中环状有机硅化合物包含至少一个硅-碳键。脂族有机硅化合物含有硅-氢键和硅-氧键，优选含有硅-氢键。例如，环状有机硅化合物可以是1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷或八甲基环四硅氧烷，脂族有机硅化合物可以是三甲基硅烷或1，1，3，3-四甲基二硅氧烷。
在另一个方面，环状有机硅化合物与脂族有机硅化合物均含有硅-氢键。例如，在施加RF功率的同时，将1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷与三甲基硅烷或1，1，3，3-四甲基二硅氧烷混合并氧化。
在等离子体增强沉积的一种实施方式中，氧或含氧化合物被分解，以提高沉积层的反应性并且使沉积层获得所需的氧化。RF功率被耦合至沉积室以促进化合物的分解。在化合物进入沉积室之前，也可在微波室内将其分解。
尽管沉积优选发生在单个沉积室中，但是硅氧碳化物层的沉积也可在例如两个或多个沉积室中顺序进行，从而在沉积过程中对层进行冷却，上述沉积室可例如是DxZTM处理室或ProducerTm处理室，二者均可从California，Santa Clara的Applied Materials，Inc购得。此外，通过使用选择性前体以及控制处理参数和处理气体的组成，可以在相同的室内原位沉积且顺序沉积硅氧碳化物层和硅碳化物层。例如，通过在硅碳化物的沉积中使用三甲基硅烷及氨以形成掺杂氮的硅碳化物，随后在硅氧碳化物材料的沉积过程中使用臭氧，可以沉积硅碳化物层和硅氧碳化物层。
硅碳化物层
通过使有机硅化合物反应来沉积硅碳化物层，从而形成含碳-硅键且介电常数小于约4的电介质层。硅碳化物层优选为无定型氢化的硅碳化物。可以在惰性气体、氢气和二者的等离子体中沉积硅碳化物层。硅碳化物电介质层可以是掺杂的硅碳化物层。硅碳化物层可以作为阻挡层沉积在与导电材料或电介质层相邻的位置，或者硅碳化物电介质层可以是沉积在一个或多个电介质层之间的蚀刻终止层。
用于沉积硅碳化物的合适的有机硅化合物的例子优选包括以下结构：
Figure A20058000806600191
其中，R包括有机官能团，包括烷基、烯基、环己烯基、芳基及其官能衍生物。有机前体可具有多于一个的与硅原子连接的R基，本发明可使用具有或不具有Si-H键的有机硅前体。
有机硅化合物包括脂族有机硅化合物、环状有机硅化合物或其组合，其具有至少一个硅-碳键并且结构中可选地包含氧。环状有机硅化合物通常具有包含三个或更多个硅原子的环。脂族有机硅化合物具有包含一个或多个硅原子和一个或多个碳原子的直链或支链结构。可购得的脂族有机硅化合物包括在硅原子之间不含氧的有机硅烷，而对于掺杂氧的硅碳化物层，则包括在两个或更多个硅原子之间含有氧的有机硅氧烷。在本发明中，有机硅化合物的氟化衍生物也可用于沉积硅碳化物和硅氧碳化物层。
合适的脂族和环状有机硅化合物的例子包括例如一种或多种下列化合物：
甲基硅烷                            CH3-SiH3
二甲基硅烷                          (CH3)2-SiH2
三甲基硅烷(TMS)                     (CH3)3-SiH
乙基硅烷                            CH3-CH2-SiH3
二硅烷基甲烷                        SiH3-CH2-SiH3
双(甲基硅烷基)甲烷                  CH3-SiH2-CH2-SiH2-CH3
1，2-二硅烷基乙烷                   SiH3-CH2-CH2-SiH3
1，2-双(甲基硅烷基)乙烷             CH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH3
2，2-二硅烷基丙烷                   SiH3-C(CH3)2-SiH3
1，3，5-三硅烷基-2，4，6-三亚甲基    -(-SiH2CH2-)3-(环状)
以上所列仅为示例性，而不应当理解或解释为限制本发明的范围。
含有机硅化合物的苯基也可用于沉积硅碳化物材料，其通常包括以下结构：
Figure A20058000806600201
其中，R为苯基。例如，合适的含苯基的有机硅化合物通常包括式SiHa(CH3)b(C6H5)c，其中a为0-3，b为0-3，c为1-4，且a+b+c＝4。从此式得出的合适前体的例子包括二苯基硅烷、二甲基苯基硅烷、二苯基甲基硅烷、苯基甲基硅烷及其组合。优选使用的是b为1-3且c为1-3的含苯基的有机硅化合物。最优选的作为阻挡层沉积的有机硅化合物包括具有式SiHa(CH3)b(C6H5)c的有机硅化合物，其中a为1或2、b为1或2且c为1或2的有机硅化合物。优选的前体的例子包括二甲基苯基硅烷和二苯基甲基硅烷。
通常，在包含较具惰性的气体(例如氮(N2))和稀有气体(例如氦和氩)的等离子体中使有机硅化合物反应。沉积的硅碳化物层的介电常数为约5或更小，掺杂的硅碳化物层的介电常数为约3或更小。
在一种实施方式中，通过以约10毫克/分钟(mgm)至约5000毫克/分钟(mgm)的流率将三甲基硅烷供给至等离子体处理室来沉积优选的硅碳化物层。对于不同的有机硅化合物，由于从毫克/分钟到标准立方分米/分钟(sccm)的转换可能存在差异，因此优选使用毫克/分钟。惰性气体(例如氦、氩或其组合)也被以约50sccm至约5000sccm的流率供给至处理室中。室压力被保持在约100mTorr至约15Torr。在沉积过程中，衬底表面温度被保持在约100℃至约450℃。沉积硅碳化物层的工艺的一个例子被2003年3月25日授权的美国专利No.6537733所公开，通过引用将其与本发明的权利要求和说明书一致的部分包含于此。
硅碳化物层也可以是含氧、氮、硼、磷或其组合的掺杂的硅碳化物层。掺杂的硅碳化物通常包含少于约15原子百分比(原子％)或更少的一种或多种掺杂物。掺杂物可用在处理气体中，掺杂物与有机硅化合物的比率为约1∶5或更小，例如约1∶5至约1∶100。
在反应过程中可用氧源或氮源来形成掺杂氧和/或掺杂氮的硅碳化物层。氧源的例子包括氧化气体(例如氧、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、氧化亚氮)和含氧的有机硅前体或其组合，例如一氧化碳与含氧的有机硅前体。掺杂氧的硅碳化物通常包含少于约15原子％的氧，优选约10原子％或更少的氧。
含氧有机硅化合物包括例如：
二甲基二甲氧基硅烷                  (CH3)2-Si-(OCH3)2
1，3-二甲基二硅氧烷                 CH3-SiH2-O-SiH2-CH3
1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(TMDSO)    (CH3)2-SiH-O-SiH-(CH3)2
六甲基二硅氧烷(HMDS)                (CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3
1，3-双(硅烷基亚甲基)二硅氧烷       (SiH3-CH2-SiH2-)2-O
双(1-甲基二硅氧烷基)甲烷            (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-CH2
2，2-双(1-甲基二硅氧烷基)丙烷                (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-C(CH3)2
2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷(TMCTS)            -(-SiHCH3-O-)4-(环状)
八甲基环四硅氧烷(OMCTS)                       -(-Si(CH3)2-O-)4-(环状)
2，4，6，8，10-五甲基环五硅氧烷               -(-SiHCH3-O-)5-(环状)
1，3，5，7-四硅烷基-2，6-二氧-4，8-二亚甲基   -(-SiH2-CH2-SiH2-O-)2-(环状)
六甲基环三硅氧烷                              -(-Si(CH3)2-O-)3-(环状)
1，3-二甲基二硅氧烷                          CH3-SiH2-O-SiH2-CH3
六甲氧基二硅氧烷(HMDOS)                      (CH3O)3-Si-O-Si-(OCH3)3
及其氟化衍生物
掺杂氮的硅碳化物可包含高达20原子％的氮，并可通过添加含氮化合物来沉积，含氮化合物包括例如氨、氮气、氮气和氢气的混合物以及具有Si-N-Si键合基团的化合物，例如硅氮烷。合适的硅氮烷前体包括脂族化合物(例如六甲基二硅氮烷和二乙烯基四甲基二硅氮烷)和环状化合物(例如六甲基环三硅氮烷)。
例如，通过以约50sccm至约10000sccm的流率将氧源和/或氮源或气体掺杂物引入处理室，可以沉积掺杂的硅碳化物层。例如，通过在沉积硅碳化物层时引入氮源(例如氨、氮、氮和氢的混合物，或其组合)，可以沉积含氮的或掺杂氮的硅碳化物层。
通过在沉积过程中将膦(PH3)或硼烷(BH3)或其硼烷衍生物(例如二硼烷(B2H6))引入处理室，可以进行低k硅碳化物层的磷和/或硼掺杂。掺杂物可降低沉积的硅碳化物材料的介电常数。可以以约50sccm至约10000sccm的流率将磷和/或硼掺杂物引入处理室。
处理气体中也可使用有机化合物(例如脂族烃化合物)来提高沉积的硅碳化物材料的碳含量。合适的脂族烃化合物包括具有1至约20个相邻的碳原子的化合物。烃化合物可包含通过单键、双键和三键的任意组合而结合的相邻的碳原子。
沉积含氮硅碳化物层的工艺的例子被2004年7月20日授权的美国专利No.6764958和2003年3月25日授权的美国专利No.6537733所公开，通过引用将其与本发明的权利要求和说明书一致的部分包含于此。沉积含氧硅碳化物层的工艺的例子被2002年7月15日授权的美国专利No.10/196498所公开，通过引用将其与本发明的权利要求和说明书一致的部分包含于此。沉积掺杂硼和/或磷的硅碳化物层的工艺的例子被2004年9月14日授权的美国专利No.6790788所公开，通过引用将其与本发明的权利要求和说明书一致的部分包含于此。
通常，通过与其上沉积硅碳化物层的衬底相距约200mm至约600mm的气体分布板，将有机硅化合物、惰性气体和可选的掺杂物引入处理室。可用单频和双频RF功率源来施加功率。例如，来自13.56MHz的单频RF功率源的功率被供给至室10中，以形成功率密度为约0.003W/cm2至约3.2W/cm2，或者对于200mm的衬底为约1W至约1000W功率水平的等离子体。供给至处理室以生成等离子体的功率密度优选为0.9W/cm2至约2.3W/cm2，或者对于200mm的衬底为约300W至约700W的功率水平。
或者，可采用双频系统来沉积硅碳化物材料。混合RF功率的双频源提供约10MHz至约30MHz(例如约13.56MHz)的高频功率以及约100KHz至约500KHz(例如约350KHz)的低频功率。混频RF功率施加的例子可包括第一RF功率和至少第二RF功率，其中，第一RF功率的频率范围为约10MHz至约30MHz，功率范围为约200W至约1000W；第二PF功率范围的频率为约100KHz至约500KHz，功率范围为约1W至约200W。第二RF功率与总混频功率的比率优选小于约0.2∶1.0。
此外，气体混合物中的硅源与掺杂物的比率应为约1∶1至约100∶1。当在可从California，Santa Clara的Applied Materials，Inc购得的沉积室中对200mm的衬底实施时，上述工艺参数提供了100/min至约3000/min的硅碳化物层沉积速率。
本文所述的沉积硅碳化物层的实施方式用于说明本发明，所述的具体实施方式不应用于限制本发明的范围。本发明还涵盖其他用于沉积硅碳化物层的工艺和材料。
虽然上面所述的涉及本发明的实施方式，但是可以设计本发明的其它和更多的实施方式，而不偏离本发明的基本范围，本发明的基本范围有所附权利要求确定。

Claims (20)

1.一种处理衬底的方法，包括：
将所述衬底置于处理室中，其中所述衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；
以有机硅化合物与氧化气体的第一比率将有所述机硅化合物和所述氧化气体引入所述处理室；
生成所述氧化气体与所述有机硅化合物的等离子，以在所述阻挡层上形成初始层；
以大于所述第一比率的有机硅化合物与氧化气体的第二比率将所述有机硅化合物和所述氧化气体引入所述处理室；以及
沉积相邻于所述电介质初始层的第一电介质层，其中所述电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
2.如权利要求1的方法，其中所述阻挡层还包含氧或氮。
3.如权利要求1的方法，其中所述有机硅化合物选自三甲基硅烷、2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅烷及其组合，并且所述氧化气体选自氧、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、氧化亚氮及其组合。
4.如权利要求1的方法，其中所述沉积所述初始层包括由双频RF功率源生成等离子体。
5.如权利要求1的方法，其中所述沉积所述第一电介质层包括由双频RF功率源生成等离子体。
6.如权利要求1的方法，其中所述有机硅化合物与氧化气体的第一比率包括约1∶1的比率，并且所述有机硅化合物与氧化气体的第二比率包括大于或等于约10∶1的比率。
7.如权利要求1的方法，还包括与所述有机硅化合物和所述氧化气体一起引入惰性气体。
8.如权利要求1的方法，还包括在引入所述氧化气体和所述有机硅化合物之前，将所述阻挡层暴露于惰性气体、氧化气体或两者的等离子体中。
9.一种处理衬底的方法，包括：
将所述衬底置于处理室中，其中所述衬底具有包含硅、氮和碳的阻挡层；
将惰性气体引入所述处理室；
由单频RF功率源生成第一等离子体，以改性所述阻挡层的表面；
以约1∶1的比率将有机硅化合物和氧化气体引入所述处理室；
由双频RF功率源生成第二等离子体，以在所述阻挡层上形成初始层；
以大于或等于约10∶1的比率将所述有机硅化合物和所述氧化气体引入所述处理室；以及
沉积相邻于所述电介质初始层的第一电介质层，其中所述电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
10.如权利要求9的方法，其中所述惰性气体包括氦、氩或其组合。
11.如权利要求9的方法，其中所述有机硅化合物选自三甲基硅烷、2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅烷及其组合，并且所述氧化气体选自氧、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、氧化亚氮及其组合。
12.如权利要求11的方法，其中与所述有机硅化合物一起引入惰性气体。
13.一种处理衬底的方法，包括：
将所述衬底置于处理室中，其中衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；
将氧化气体引入所述处理室；
生成所述氧化气体的等离子体，并且处理所述阻挡层的表面；
以第一流率引入有机硅化合物；
由所述氧化气体和所述有机硅化合物在所述阻挡层上沉积初始层；
以大于所述第一流率的第二流率引入所述有机硅化合物；以及
由所述氧化气体和所述有机硅化合物沉积相邻于所述电介质初始层的第一电介质层，其中所述电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述阻挡层还包含氧或氮。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述有机硅化合物选自三甲基硅烷、2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅烷及其组合，并且所述氧化气体选自氧、臭氧、一氧化碳、二氧化碳、氧化亚氮及其组合。
16.如权利要求13所述的方法，其中所述生成所述氧化气体的等离子体包括由单频RF功率源生成等离子体，并且所述沉积所述初始层包括由双频RF功率源生成等离子体。
17.如权利要求13的方法，其中与所述有机硅化合物一起引入惰性气体。
18.如权利要求13的方法，其中所述沉积所述初始层包括存在的所述有机硅化合物与氧化气体的比率为约1∶1。
19.如权利要求13的方法，其中所述沉积所述第一电介质层包括存在的所述有机硅化合物与氧化气体的比率大于或等于约10∶1。
20.一种处理衬底的方法，包括：
将所述衬底置于处理室中，其中衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；
将氧化气体引入所述处理室；
生成所述氧化气体的等离子体，并且在所述阻挡层上形成初始层；
将有机硅化合物引入所述处理室；
使所述有机硅化合物与所述氧化气体反应；以及
沉积相邻于所述初始层的第一电介质层，其中所述电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
CNB2005800080664A 2004-03-15 2005-03-15 改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法 Expired - Fee Related CN100483645C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/801,190 2004-03-15
US10/801,190 US7030041B2 (en) 2004-03-15 2004-03-15 Adhesion improvement for low k dielectrics

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1930669A true CN1930669A (zh) 2007-03-14
CN100483645C CN100483645C (zh) 2009-04-29

Family

ID=34920831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005800080664A Expired - Fee Related CN100483645C (zh) 2004-03-15 2005-03-15 改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7030041B2 (zh)
KR (1) KR101046467B1 (zh)
CN (1) CN100483645C (zh)
TW (1) TWI285927B (zh)
WO (1) WO2005091348A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102414341A (zh) * 2009-05-04 2012-04-11 波音公司 涂层方法
CN102468228A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
CN105336674A (zh) * 2014-07-28 2016-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构及其形成方法
CN106158729A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US7485570B2 (en) * 2002-10-30 2009-02-03 Fujitsu Limited Silicon oxycarbide, growth method of silicon oxycarbide layer, semiconductor device and manufacture method for semiconductor device
US6967405B1 (en) 2003-09-24 2005-11-22 Yongsik Yu Film for copper diffusion barrier
US7420275B1 (en) 2003-09-24 2008-09-02 Novellus Systems, Inc. Boron-doped SIC copper diffusion barrier films
US7030041B2 (en) * 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics
US7115508B2 (en) * 2004-04-02 2006-10-03 Applied-Materials, Inc. Oxide-like seasoning for dielectric low k films
US7253125B1 (en) 2004-04-16 2007-08-07 Novellus Systems, Inc. Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure
US7282438B1 (en) * 2004-06-15 2007-10-16 Novellus Systems, Inc. Low-k SiC copper diffusion barrier films
US7166544B2 (en) * 2004-09-01 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Method to deposit functionally graded dielectric films via chemical vapor deposition using viscous precursors
US9659769B1 (en) 2004-10-22 2017-05-23 Novellus Systems, Inc. Tensile dielectric films using UV curing
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7510982B1 (en) 2005-01-31 2009-03-31 Novellus Systems, Inc. Creation of porosity in low-k films by photo-disassociation of imbedded nanoparticles
US8889233B1 (en) 2005-04-26 2014-11-18 Novellus Systems, Inc. Method for reducing stress in porous dielectric films
US8454750B1 (en) 2005-04-26 2013-06-04 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8137465B1 (en) 2005-04-26 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers
US8980769B1 (en) 2005-04-26 2015-03-17 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8282768B1 (en) 2005-04-26 2012-10-09 Novellus Systems, Inc. Purging of porogen from UV cure chamber
US7189658B2 (en) * 2005-05-04 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Strengthening the interface between dielectric layers and barrier layers with an oxide layer of varying composition profile
CN100459064C (zh) * 2005-12-12 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 改进低介电常数层的粘附强度的方法
CN100539071C (zh) 2006-02-16 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于形成低介电常数氟掺杂层的方法
US20070287301A1 (en) 2006-03-31 2007-12-13 Huiwen Xu Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics
US8465991B2 (en) 2006-10-30 2013-06-18 Novellus Systems, Inc. Carbon containing low-k dielectric constant recovery using UV treatment
US7851232B2 (en) * 2006-10-30 2010-12-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing
US10037905B2 (en) 2009-11-12 2018-07-31 Novellus Systems, Inc. UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing
US7906174B1 (en) 2006-12-07 2011-03-15 Novellus Systems, Inc. PECVD methods for producing ultra low-k dielectric films using UV treatment
US7915166B1 (en) 2007-02-22 2011-03-29 Novellus Systems, Inc. Diffusion barrier and etch stop films
US8173537B1 (en) 2007-03-29 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Methods for reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction
US8242028B1 (en) 2007-04-03 2012-08-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment of etch stop and hard mask films for selectivity and hermeticity enhancement
US7682989B2 (en) * 2007-05-18 2010-03-23 Texas Instruments Incorporated Formation of a silicon oxide interface layer during silicon carbide etch stop deposition to promote better dielectric stack adhesion
KR100881396B1 (ko) * 2007-06-20 2009-02-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
US8211510B1 (en) 2007-08-31 2012-07-03 Novellus Systems, Inc. Cascaded cure approach to fabricate highly tensile silicon nitride films
US8124522B1 (en) 2008-04-11 2012-02-28 Novellus Systems, Inc. Reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction through the modulation of optical properties
US20100015816A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Kelvin Chan Methods to promote adhesion between barrier layer and porous low-k film deposited from multiple liquid precursors
US9050623B1 (en) 2008-09-12 2015-06-09 Novellus Systems, Inc. Progressive UV cure
DE102008054074B4 (de) * 2008-10-31 2013-02-07 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zum Verringern von Ungleichmäßigkeiten während des chemisch-mechanischen Polierens von Mikrostrukturbauelementen durch Verwenden von CMP-Belägen in einem glasierten Zustand
DE102009012296A1 (de) 2009-03-11 2010-09-16 At&S Technologie & Systemtechnik Ag Verfahren zur Überwachung der Temperatur-Zeit-Belastung mindestens eines Bauteils auf einer Leiterplatte, ein entsprechender Temperatur-Zeit-Indikator und dessen Anwendung
US8247332B2 (en) * 2009-12-04 2012-08-21 Novellus Systems, Inc. Hardmask materials
US8741394B2 (en) 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US8779600B2 (en) * 2012-01-05 2014-07-15 International Business Machines Corporation Interlevel dielectric stack for interconnect structures
US8853831B2 (en) 2012-03-29 2014-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structure and method for forming the same
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US10211310B2 (en) 2012-06-12 2019-02-19 Novellus Systems, Inc. Remote plasma based deposition of SiOC class of films
US9337068B2 (en) 2012-12-18 2016-05-10 Lam Research Corporation Oxygen-containing ceramic hard masks and associated wet-cleans
US10297442B2 (en) 2013-05-31 2019-05-21 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
US11679412B2 (en) 2016-06-13 2023-06-20 Gvd Corporation Methods for plasma depositing polymers comprising cyclic siloxanes and related compositions and articles
US20170358445A1 (en) 2016-06-13 2017-12-14 Gvd Corporation Methods for plasma depositing polymers comprising cyclic siloxanes and related compositions and articles
US9847221B1 (en) 2016-09-29 2017-12-19 Lam Research Corporation Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing
US10002787B2 (en) 2016-11-23 2018-06-19 Lam Research Corporation Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication
US10157844B2 (en) * 2016-11-28 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. FinFET device having oxide layer among interlayer dielectric layer
US9837270B1 (en) 2016-12-16 2017-12-05 Lam Research Corporation Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment
JP6564802B2 (ja) * 2017-03-22 2019-08-21 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US10566411B2 (en) * 2017-12-07 2020-02-18 Globalfoundries Inc. On-chip resistors with direct wiring connections
US11848199B2 (en) 2018-10-19 2023-12-19 Lam Research Corporation Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill
US20220406598A1 (en) * 2021-06-17 2022-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gate structures in transistor devices and methods of forming same

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1147014A (en) 1967-01-27 1969-04-02 Westinghouse Electric Corp Improvements in diffusion masking
US4262631A (en) 1979-10-01 1981-04-21 Kubacki Ronald M Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge
JPS59128281A (ja) 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
JPH07111957B2 (ja) 1984-03-28 1995-11-29 圭弘 浜川 半導体の製法
US4649071A (en) 1984-04-28 1987-03-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Composite material and process for producing the same
US4759947A (en) 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
US5000178A (en) 1986-05-23 1991-03-19 Lti Biomedical, Inc. Shielded electromagnetic transducer
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4951601A (en) 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4872947A (en) 1986-12-19 1989-10-10 Applied Materials, Inc. CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process
US5087959A (en) 1987-03-02 1992-02-11 Microwave Technology, Inc. Protective coating useful as a passivation layer for semiconductor devices
US4895734A (en) 1987-03-31 1990-01-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for forming insulating film used in thin film electroluminescent device
US4894352A (en) 1988-10-26 1990-01-16 Texas Instruments Inc. Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride
US4981724A (en) 1988-10-27 1991-01-01 Hochberg Arthur K Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources
US5011706A (en) 1989-04-12 1991-04-30 Dow Corning Corporation Method of forming coatings containing amorphous silicon carbide
JPH03105974A (ja) 1989-09-19 1991-05-02 Kobe Steel Ltd 多結晶ダイヤ薄膜合成によるシヨツトキー・ダイオードの製作法
EP0449117A3 (en) 1990-03-23 1992-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic polymer and preparation and use thereof
US5242530A (en) 1991-08-05 1993-09-07 International Business Machines Corporation Pulsed gas plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon
US5238866A (en) 1991-09-11 1993-08-24 GmbH & Co. Ingenieurburo Berlin Biotronik Mess- und Therapiegerate Plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing an amorphous semiconductive surface coating
US5224441A (en) 1991-09-27 1993-07-06 The Boc Group, Inc. Apparatus for rapid plasma treatments and method
US5472829A (en) 1991-12-30 1995-12-05 Sony Corporation Method of forming a resist pattern by using an anti-reflective layer
US5472827A (en) 1991-12-30 1995-12-05 Sony Corporation Method of forming a resist pattern using an anti-reflective layer
DE69221152T2 (de) 1992-05-15 1998-02-19 Shinetsu Quartz Prod Vertikale wärmebehandlungsvorrichtung und wärmeisolationsmaterial
US5739579A (en) 1992-06-29 1998-04-14 Intel Corporation Method for forming interconnections for semiconductor fabrication and semiconductor device having such interconnections
US5271972A (en) 1992-08-17 1993-12-21 Applied Materials, Inc. Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity
US5298597A (en) 1992-09-18 1994-03-29 Industrial Technology Research Institute Aqueous preparation of polyamide with catalyst mixture
US5298587A (en) 1992-12-21 1994-03-29 The Dow Chemical Company Protective film for articles and method
US5360491A (en) 1993-04-07 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy β-silicon carbide protective coating and method for fabricating same
US5465680A (en) 1993-07-01 1995-11-14 Dow Corning Corporation Method of forming crystalline silicon carbide coatings
US5468978A (en) 1993-07-07 1995-11-21 Dowben; Peter A. Forming B1-x Cx semiconductor devices by chemical vapor deposition
US5433786A (en) 1993-08-27 1995-07-18 The Dow Chemical Company Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein
JP2899600B2 (ja) 1994-01-25 1999-06-02 キヤノン販売 株式会社 成膜方法
US5565084A (en) 1994-10-11 1996-10-15 Qnix Computer Co., Ltd. Electropolishing methods for etching substrate in self alignment
US5607773A (en) 1994-12-20 1997-03-04 Texas Instruments Incorporated Method of forming a multilevel dielectric
EP0720223B1 (en) 1994-12-30 2003-03-26 STMicroelectronics S.r.l. Process for the production of a semiconductor device having better interface adhesion between dielectric layers
US5818071A (en) 1995-02-02 1998-10-06 Dow Corning Corporation Silicon carbide metal diffusion barrier layer
US5710067A (en) 1995-06-07 1998-01-20 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon oxime film
US6652922B1 (en) * 1995-06-15 2003-11-25 Alliedsignal Inc. Electron-beam processed films for microelectronics structures
US5623160A (en) 1995-09-14 1997-04-22 Liberkowski; Janusz B. Signal-routing or interconnect substrate, structure and apparatus
US5789776A (en) 1995-09-22 1998-08-04 Nvx Corporation Single poly memory cell and array
US5638251A (en) 1995-10-03 1997-06-10 Advanced Refractory Technologies, Inc. Capacitive thin films using diamond-like nanocomposite materials
US5741626A (en) 1996-04-15 1998-04-21 Motorola, Inc. Method for forming a dielectric tantalum nitride layer as an anti-reflective coating (ARC)
US5780163A (en) 1996-06-05 1998-07-14 Dow Corning Corporation Multilayer coating for microelectronic devices
US5869396A (en) 1996-07-15 1999-02-09 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for forming a polycide gate electrode
US5989998A (en) 1996-08-29 1999-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming interlayer insulating film
US5711987A (en) 1996-10-04 1998-01-27 Dow Corning Corporation Electronic coatings
US5730792A (en) 1996-10-04 1998-03-24 Dow Corning Corporation Opaque ceramic coatings
US5776235A (en) 1996-10-04 1998-07-07 Dow Corning Corporation Thick opaque ceramic coatings
US5855681A (en) 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US5789316A (en) 1997-03-10 1998-08-04 Vanguard International Semiconductor Corporation Self-aligned method for forming a narrow via
US6080526A (en) 1997-03-24 2000-06-27 Alliedsignal Inc. Integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation
US5817579A (en) 1997-04-09 1998-10-06 Vanguard International Semiconductor Corporation Two step plasma etch method for forming self aligned contact
US5976979A (en) 1997-06-10 1999-11-02 Industrial Technology Research Institute Sequential oxygen plasma treatment and chemical mechanical polish (CMP) planarizing method for forming planarized low dielectric constant dielectric layer
JPH1116904A (ja) 1997-06-26 1999-01-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US6045877A (en) 1997-07-28 2000-04-04 Massachusetts Institute Of Technology Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films
US5926740A (en) 1997-10-27 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Graded anti-reflective coating for IC lithography
KR19990030660A (ko) 1997-10-02 1999-05-06 윤종용 전자빔을 이용한 반도체장치의 층간 절연막 형성방법
US6051321A (en) 1997-10-24 2000-04-18 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials and method
US6291334B1 (en) 1997-12-19 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Etch stop layer for dual damascene process
US6555476B1 (en) * 1997-12-23 2003-04-29 Texas Instruments Incorporated Silicon carbide as a stop layer in chemical mechanical polishing for isolation dielectric
US6107192A (en) 1997-12-30 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application
US6140226A (en) 1998-01-16 2000-10-31 International Business Machines Corporation Dual damascene processing for semiconductor chip interconnects
US6514880B2 (en) * 1998-02-05 2003-02-04 Asm Japan K.K. Siloxan polymer film on semiconductor substrate and method for forming same
US6383955B1 (en) 1998-02-05 2002-05-07 Asm Japan K.K. Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film
TW437017B (en) 1998-02-05 2001-05-28 Asm Japan Kk Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof
US6432846B1 (en) 1999-02-02 2002-08-13 Asm Japan K.K. Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film
US6340435B1 (en) * 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6287990B1 (en) * 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6303523B2 (en) * 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6413583B1 (en) 1998-02-11 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound
JP3305251B2 (ja) 1998-02-26 2002-07-22 松下電器産業株式会社 配線構造体の形成方法
US6068884A (en) 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
US6159871A (en) 1998-05-29 2000-12-12 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US6060132A (en) 1998-06-15 2000-05-09 Siemens Aktiengesellschaft High density plasma CVD process for making dielectric anti-reflective coatings
US6147009A (en) 1998-06-29 2000-11-14 International Business Machines Corporation Hydrogenated oxidized silicon carbon material
US6316167B1 (en) 2000-01-10 2001-11-13 International Business Machines Corporation Tunabale vapor deposited materials as antireflective coatings, hardmasks and as combined antireflective coating/hardmasks and methods of fabrication thereof and application thereof
US6071809A (en) 1998-09-25 2000-06-06 Rockwell Semiconductor Systems, Inc. Methods for forming high-performing dual-damascene interconnect structures
JP3353743B2 (ja) 1999-05-18 2002-12-03 日本電気株式会社 半導体装置とその製造方法
US6312793B1 (en) 1999-05-26 2001-11-06 International Business Machines Corporation Multiphase low dielectric constant material
US6204201B1 (en) * 1999-06-11 2001-03-20 Electron Vision Corporation Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6251770B1 (en) 1999-06-30 2001-06-26 Lam Research Corp. Dual-damascene dielectric structures and methods for making the same
US6436824B1 (en) 1999-07-02 2002-08-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Low dielectric constant materials for copper damascene
EP1077479A1 (en) 1999-08-17 2001-02-21 Applied Materials, Inc. Post-deposition treatment to enchance properties of Si-O-C low K film
US6593653B2 (en) 1999-09-30 2003-07-15 Novellus Systems, Inc. Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications
US6399489B1 (en) * 1999-11-01 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Barrier layer deposition using HDP-CVD
US6541369B2 (en) * 1999-12-07 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing fixed charges in a semiconductor device
US6350670B1 (en) 1999-12-17 2002-02-26 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a carbon doped oxide insulating layer
US6331494B1 (en) 1999-12-30 2001-12-18 Novellus Systems, Inc. Deposition of low dielectric constant thin film without use of an oxidizer
US6541367B1 (en) * 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
JP3419745B2 (ja) 2000-02-28 2003-06-23 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6362091B1 (en) 2000-03-14 2002-03-26 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a low-k dielectric layer
US6409238B1 (en) 2000-04-26 2002-06-25 Illinois Tool Works Inc. Anti-rattle structure for door handle
US6410462B1 (en) 2000-05-12 2002-06-25 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of making low-K carbon doped silicon oxide
JP3532830B2 (ja) * 2000-05-24 2004-05-31 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP1184508A1 (de) * 2000-08-30 2002-03-06 Star Coating AG Transfermaterial
US6465366B1 (en) 2000-09-12 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers
US6521302B1 (en) * 2000-09-26 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Method of reducing plasma-induced damage
US6441491B1 (en) 2000-10-25 2002-08-27 International Business Machines Corporation Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device containing the same
US6949450B2 (en) * 2000-12-06 2005-09-27 Novellus Systems, Inc. Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber
US6340628B1 (en) 2000-12-12 2002-01-22 Novellus Systems, Inc. Method to deposit SiOCH films with dielectric constant below 3.0
US6583047B2 (en) * 2000-12-26 2003-06-24 Honeywell International, Inc. Method for eliminating reaction between photoresist and OSG
US6514850B2 (en) * 2001-01-31 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Interface with dielectric layer and method of making
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US20020142104A1 (en) * 2001-03-28 2002-10-03 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of organosilicate layers
TW559860B (en) * 2001-05-10 2003-11-01 Toshiba Corp Method for manufacturing semiconductor device
US6532150B2 (en) * 2001-05-31 2003-03-11 American Megatrends, Inc. Disk drive carrier apparatus and associated method
US6486082B1 (en) 2001-06-18 2002-11-26 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film
US6879046B2 (en) * 2001-06-28 2005-04-12 Agere Systems Inc. Split barrier layer including nitrogen-containing portion and oxygen-containing portion
US6541842B2 (en) * 2001-07-02 2003-04-01 Dow Corning Corporation Metal barrier behavior by SiC:H deposition on porous materials
US6570256B2 (en) * 2001-07-20 2003-05-27 International Business Machines Corporation Carbon-graded layer for improved adhesion of low-k dielectrics to silicon substrates
US7816188B2 (en) * 2001-07-30 2010-10-19 Sandisk 3D Llc Process for fabricating a dielectric film using plasma oxidation
AU2002323040A1 (en) * 2001-08-06 2003-02-24 Advanced Technology Material, Inc. Low-k dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same
US6521300B1 (en) * 2001-08-16 2003-02-18 United Microelectronics Corp. Method of a surface treatment in improving adhesion of an organic polymeric low-k dielectric layer
US6887780B2 (en) * 2001-08-31 2005-05-03 Intel Corporation Concentration graded carbon doped oxide
US6605549B2 (en) * 2001-09-29 2003-08-12 Intel Corporation Method for improving nucleation and adhesion of CVD and ALD films deposited onto low-dielectric-constant dielectrics
US6759327B2 (en) * 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
GB0124681D0 (en) * 2001-10-15 2001-12-05 Hewlett Packard Co Method and apparatus for encrypting data
US6528423B1 (en) * 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
JP4152619B2 (ja) * 2001-11-14 2008-09-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
US6649531B2 (en) * 2001-11-26 2003-11-18 International Business Machines Corporation Process for forming a damascene structure
US6890850B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US6844612B1 (en) * 2002-03-12 2005-01-18 Novellus Systems, Inc. Low dielectric constant fluorine-doped silica glass film for use in integrated circuit chips and method of forming the same
US6734533B2 (en) * 2002-05-30 2004-05-11 Intel Corporation Electron-beam treated CDO films
JP3974023B2 (ja) * 2002-06-27 2007-09-12 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP4015510B2 (ja) * 2002-09-09 2007-11-28 日本エー・エス・エム株式会社 半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜及びその製造方法
JP4574145B2 (ja) * 2002-09-13 2010-11-04 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． エアギャップ形成
JP4066332B2 (ja) * 2002-10-10 2008-03-26 日本エー・エス・エム株式会社 シリコンカーバイド膜の製造方法
US20040084774A1 (en) * 2002-11-02 2004-05-06 Bo Li Gas layer formation materials
US7404990B2 (en) * 2002-11-14 2008-07-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
US6913992B2 (en) * 2003-03-07 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of modifying interlayer adhesion
US6737365B1 (en) * 2003-03-24 2004-05-18 Intel Corporation Forming a porous dielectric layer
US7138332B2 (en) * 2003-07-09 2006-11-21 Asm Japan K.K. Method of forming silicon carbide films
KR100541185B1 (ko) * 2003-07-28 2006-01-11 삼성전자주식회사 캡핑막을 포함하는 층간절연막 및 이를 포함하는 금속배선형성 방법
US6849561B1 (en) * 2003-08-18 2005-02-01 Asm Japan K.K. Method of forming low-k films
US6972253B2 (en) * 2003-09-09 2005-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming dielectric barrier layer in damascene structure
US7067437B2 (en) * 2003-09-12 2006-06-27 International Business Machines Corporation Structures with improved interfacial strength of SiCOH dielectrics and method for preparing the same
US7622399B2 (en) * 2003-09-23 2009-11-24 Silecs Oy Method of forming low-k dielectrics using a rapid curing process
US7030041B2 (en) * 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102414341A (zh) * 2009-05-04 2012-04-11 波音公司 涂层方法
CN102468228A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
CN105336674A (zh) * 2014-07-28 2016-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构及其形成方法
CN105336674B (zh) * 2014-07-28 2018-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构及其形成方法
CN106158729A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
CN106158729B (zh) * 2015-04-08 2019-12-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101046467B1 (ko) 2011-07-04
US7459404B2 (en) 2008-12-02
US20050202685A1 (en) 2005-09-15
US7030041B2 (en) 2006-04-18
US20060189162A1 (en) 2006-08-24
WO2005091348A1 (en) 2005-09-29
KR20070004847A (ko) 2007-01-09
CN100483645C (zh) 2009-04-29
TWI285927B (en) 2007-08-21
TW200605221A (en) 2006-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1930669A (zh) 改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法
CN101388359B (zh) 改善低k电介质对导电材料粘附性的方法
US7229911B2 (en) Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
CN100437933C (zh) 改善层间附着的方法
TW201835374A (zh) 使用遠程電漿處理之碳化矽膜的緻密化
CN1950932A (zh) 用于制造在制成的半导体器件和电子器件内用作层内或层间电介质的超低介电常数材料的改进方法
JP2013520841A (ja) プラズマ化学気相堆積による、有機官能基と共にシリコンを含有するハイブリッド前駆体を使用する超低誘電材料
CN1698189A (zh) 改善低介电常数材料的破裂临界值及机械特性的方法
CN1739191A (zh) 无氮介电防反射涂层和硬掩模

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090429

Termination date: 20150315

EXPY Termination of patent right or utility model