CN1940728B - 光刻装置和调节器件制造装置的内部空间的方法 - Google Patents

Abstract

一种光刻装置，包括配置成向所述装置的内部空间供给第一气流的至少一个第一气体喷头和配置成向所述装置的内部空间供给第二气流的至少一个第二气体喷头，其中所述气体喷头配置成将第一气流和第二气流至少部分地朝向彼此引导。还提供一种方法，其用于调节器件制造装置的内部空间，其中第一调节气流和第二调节气流被供给到所述内部空间，使得第一调节气流和第二调节气流至少部分地向彼此引导。

Description

光刻装置和调节器件制造装置的内部空间的方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和调节器件制造装置的内部空间的方法。

背景技术

光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并且同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。

气体喷头的应用可以从现有技术了解。例如，在图18中欧洲专利EP0498499示出了光刻装置的一部分。所述装置包括干涉仪光束在其中传播的干涉仪系统和空间。优选地使恒定的、层流气流穿过该空间，以便获得较好的干涉仪系统的精度。可以控制供给气体的纯度和温度。所述气体例如具有纯度级1，其温度变化例如稳定在0.1℃内。

发明内容

期望的是提供一种光刻装置，其中可以改进装置中至少部分内部路径和/或光路的调节。

在本发明的一个方面，提供一种光刻装置，其包括配置成向所述装置的内部空间供给第一气流的至少一个第一气体喷头和配置成向所述装置的内部空间供给第二气流的至少一个第二气体喷头，其中所述气体喷头配置成将第一气流和第二气流至少部分地朝向彼此引导。

此外，在本发明的一个方面，提供一种光刻装置，其包括具有第一侧面和背对所述第一侧面的第二侧面的至少一个装置元件，其中所述装置包括气体喷头系统，其配置成至少部分地朝所述装置元件的第一侧面供给第一气流，以及配置成至少部分地朝所述装置元件的第二侧面供给第二气流。

在本发明的一个方面，提供一种方法，其用于调节器件制造装置的内部空间，其中第一调节气流和第二调节气流被供给到所述内部空间，使得第一调节气流和第二调节气流至少部分地向彼此引导。

此外，在本发明的一个方面，提供一种用于调节器件制造装置的内部空间的方法，其中第一气流至少部分地朝向一装置元件的第一侧面引导，而第二气流至少部分地朝向所述装置元件的第二侧面引导，所述第二侧面背对所述第一侧面。

附图说明

现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，其中：

图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置；

图2示意性地以截面的形式示出了常规气体喷头系统的一部分；

图3示出了根据本发明的一个实施例的气体喷头系统的一部分；

图4示意性地示出了图3的顶视图；

图5是类似于图4的另一个实施例的视图；

图6以截面的形式示出了根据一个实施例的气体喷头系统的排气侧的细节；

图7是另一个实施例的一部分的顶视图；

图8是类似于图3的本发明的另一个实施例；以及

图9示意性地以侧视图的形式示出了该实施例的一部分。

具体实施方式

图1示意性地表示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括：

照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射束B(例如UV辐射或不同类型的辐射)。

支撑结构(例如掩模台)MT，其配置成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数精确定位该构图部件的第一定位装置PM连接。

包括基底台或基底支座(例如晶片台)WT的基底区SZ，所述基底台构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配置成依照某些参数精确定位基底的第二定位装置PW连接。

投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其配置成利用构图部件MA将赋予给辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。

支撑结构可以支撑即承受构图部件的重量。它可以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。掩模支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于期望的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。

这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射束在其截面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给辐射束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。

构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的实例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个实例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸没液体的使用或真空的使用。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。

如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者，该装置可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。

光刻装置可以具有两个(双工作台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多工作台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台或支座上进行准备步骤，而一个或者多个其它台或支座用于曝光。

光刻装置还可以是这样一种类型，其中至少部分基底由具有相对高的折射率的液体如水覆盖，从而填充投影系统和基底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如应用于掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是公知的，其用于增大投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”不表示结构如基底必须浸没在液体中，而是表示液体在曝光期间位于投影系统和基底之间。

参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照射器IL，所述光束输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要连同光束输送系统BD一起可以称作辐射系统。

照射器IL可以包括调节装置AD，其用于调节辐射束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，从而使该光束在其横截面上具有期望的均匀度和强度分布。

辐射束B入射到保持在掩模支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件(如掩模MA)上，并由构图部件进行构图。横向穿过掩模MA后，辐射束B通过投影系统PS，该投影系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在辐射束B的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)来使掩模MA相对于辐射束B的光路精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动，所述长行程模块和短行程模块构成第一定位装置PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT或“基底支座”的移动，其中长行程模块和短行程模块构成第二定位装置PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描装置相对)，掩模台MT可以只与短行程致动装置连接，或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA与基底W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，但是它们也可以设置在各个靶部(这些标记是公知的划线对准标记)之间的空间中。类似地，在其中在掩模MA上提供了超过一个管芯的情况下，可以在各个管芯之间设置掩模对准标记。

所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用：

1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，而赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。

2.在扫描模式中，当赋予辐射束的图案被投影到靶部C时，同步扫描掩模台MT和基底台WT(即单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。

3.在其他模式中，当赋予辐射束的图案被投影到靶部C上时，掩模台MT基本保持不动地支撑可编程构图部件，同时移动或扫描基底台WT。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列型。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。

在一个实施例中，所述装置包括至少一个干涉仪系统IF和至少一个气体喷头，所述气体喷头布置成向所述干涉仪系统IF的至少部分光路OP供给层流的气体。图1-8示意性地示出了所述装置。

图2示出了常规气体喷头系统的一部分，其用于调节所述装置的内部空间，例如所述装置中(参见图1)大体上被光束的平行路径OP横穿的基底区SZ的一部分。在图2中，以截面的方式显示了光束路径OP，其垂直于图纸平面延伸。各个光束例如可以是干涉仪定位系统的干涉仪光束。干涉仪系统例如可以与EP0498499A中描述的系统类似，或者可以不同地进行配置。例如，光路OP可以是在XY平面中或沿不同方向定位基底台或基底支座的干涉仪光束的路径(参见图1)。例如，如上所述的，所述装置包括可沿X和/或Y方向相对投影系统移动的基底支座。干涉仪系统可以是用于提供这种可动基底支座的X和/或Y方向定位的系统。所述X和Y方向可以是正交方向。

如图2所示，所述装置的元件10在光路OP附近(在附图上部)延伸。因此，该元件10占据了光路OP附近的部分空间。该装置元件10例如大体上完全沿光路OP延伸(从垂直于图纸平面的方向观看)。此外，元件10大体上平行于附近的光束光路OP延伸(同样参见图4，关于下面描述的实施例)。例如，该元件10可以是反射镜，例如细长的反射镜，其安装成提供基底支座在横向方向相对光路OP例如Z方向的定位，所述Z方向与所述X和Y方向垂直。此外，该元件10在光路OP附近(图中上部)延伸，其例如是传感器或不同的装置元件。

在常规的装置中，一个气体喷头101紧邻装置元件10延伸，以向内部空间提供相应的已调节气流。该已调节气体例如是惰性气体、气体混合物、空气、或不同的气体。已调节气体可以是纯度级为1的超洁净空气。气体的温度相对稳定，例如稳定在0.1℃内，特别是稳定在0.001℃内。从现有技术可以知道如何提供这种热稳定的气体。

在图2中，气流用箭头g表示。例如，根据所述元件相对光路OP长度的长度，气体喷头101大体上完全沿光路OP延伸(从垂直于图纸的方向观看)，和/或例如大体上完全沿所述装置元件10的长度延伸。此外，作为一个实例，根据光路OP的布置和定向，气体喷头101在投影透镜或投影系统PS和干涉仪“单元”IF之间延伸(参见图1)。例如，气体喷头101不会在背对部分所述干涉仪系统IF的基底支座WS或投影透镜PL一侧上延伸。这样，在本实施例中，气体喷头101大体上在投影透镜PL一侧上延伸。

气体喷头系统可以用于将干涉仪光束的光路OP调节到0.001℃的稳定性。因为装置元件10的位置，所以气体喷头101不能从上面调节光路OP(在图2中)。在常规的系统中，气体喷头101配备有倾斜且发散的叶片111和称为“条板”的弯曲叶片112，从而使气体围绕元件10弯曲而调节光束(与飞机的副翼技术相似)。

图3-4示出了一个实施例，其与图2中所示实施例的不同之处在于：所述装置包括气体喷头系统，其具有配置成向所述装置的内部空间供给大体上为层流的第一气流g1的第一气体喷头1，和配置成向内部空间供给大体上为层流的第二气流g2的第二气体喷头2。第一和第二气流g1、g2例如可以是上述已调节气体。

在图3和4的实施例中，所述装置的元件10至少部分地在第一和第二气体喷头1、2的相对的气体出口侧3、4之间延伸。元件10邻接或定位在被干涉仪光束中大体上平行的部分横穿的区域附近。如图2的实施例中的那样，元件10例如可以是反射镜，所述反射镜用于定位基底支座WT，或者例如是传感器，其用于定位不同的元件。在另一个实施例中，提供所述元件10用于沿Z方向定位基底支座WT(参见图1和图3)。

在本实施例中，所述装置元件具有第一侧面13和第二侧面14。元件10的第二侧面14大体上背对第一侧面13。此外，装置元件10可以包括第三侧面15，其在第一和第二侧面13、14之间延伸。例如，在一个实施例中，第三侧面15包括镜面，以便反射一个或多个定位光束(未示出)。例如，装置元件10大体上为矩形或正方形截面，或者具有不同的形状。

如所示出的，气体喷头系统1、2配置成至少部分地朝装置元件10的第一侧面13供给第一气流g1，以及配置成朝装置元件10的第二侧面14供给第二气流g2。特别地，气体喷头1、2的相对侧3、4配置成供给第一和第二气流。此外，在本实施例中，在使用期间至少部分第一和第二气流g1、g2在装置元件10的第三侧面15的前面彼此会合，特别是用于调节光路OP。此外，可以沿相反方向引导气流g1、g2的其它部分，例如沿装置元件10远离光路OP，如图3清楚所示。

此外，在本实施例中，气体喷头系统的第一和第二气体喷头1、2布置成使得第一气流g1和第二气流g2被至少部分地朝向彼此引导，如图3清楚所示，以及使第一气流g1和第二气流g2朝另一个装置元件10引导，该装置元件在气体喷头1、2之间延伸或者伸展。

两个气体喷头1、2的组件可以彼此隔开。此外，每个气体喷头1、2可以与另一个装置元件10隔开。此外，在一个实施例中，根据光路OP的布置和定向，气体喷头1、2可以在投影透镜或投影系统PS和干涉仪“单元”IF之间延伸(参见图1)。例如，在一个实施例中，气体喷头1、2不会在基底支座WS或投影透镜PL一侧上延伸，所述投影透镜背对部分所述干涉仪系统IF。这样，在本实施例中，气体喷头1、2大体上在投影透镜PL一横向侧上延伸。在另一个实施例中，例如根据干涉仪系统的布置，气体喷头1、2的组件可以在基底支座WS或投影透镜PL的各个侧面上延伸。在这种情况下，气体喷头1、2可以在投影透镜PL的多个横向侧面上延伸，例如在投影透镜PL中相对的横向侧面上延伸。

在图3和4中，两个气体喷头1、2大体上彼此平行地延伸，以及大体上平行于被气流调节的各个平行光路OP地延伸。正如在常规的装置中的那样，在图3-4中，所述装置包括至少一个干涉仪系统，其用于应用一个或多个干涉仪光束定位至少部分所述装置(例如基底支座)，其中第一气体喷头1配置成向被干涉仪光束横过的区域供给至少部分第一气流g1。在图3和4中，第二气体喷头2配置成向所述区域供给至少部分第二气流g2。

每个气体喷头1、2可以多种方式进行布置和配置。例如，每个气体喷头1、2包括一个或多个合适的气体出口侧3、4，以便将层流的气流g1、g2分散到装置中。每个出口侧3、4例如具有多孔材料、合适的气体分配器、单丝织物、一个或多个具有气孔的薄板、或者不同的气体分配器。每个气体喷头出口侧3、4可以包括一层或多层的一种或多种材料。该出口侧3、4可以是或者提供相应的气体喷头1、2的上游气体分配室的壁或壁部。在图3-4的实施例中，在使用期间，气流g1、g2从相应的出口侧3、4大体上垂直地流动。

优选地，每个气体喷头1、2或相应的气体出口侧3、4配置成从在使用中向气体喷头供给的气体中产生大体上均匀的层流气流。向气体喷头3、4供给气体的一个或多个气体源没有示出。在图3-4的实施例中，每个气体喷头1、2包括高速部分HV和上游的低速部分LV。高速部分可以设置在气体喷头1、2的相对侧3、4附近。在本实施例中，通过相对的气体出口侧4a、4b，可以将相对高速(例如大约1m/s或不同的速度)的气体从高速部分喷射到内部空间。视需要地，上游的低速气体喷头部分也可以布置成向内部空间供给气体，如箭头g3、g4所表示的。

特别地，第一和第二气体喷头1、2的相对侧3、4可以布置成使第一气流和第二气流至少朝彼此引导，正如在本实施例中的那样，以及使它们朝元件10的第一和第二侧面13、14引导。例如，在本实施例中，气体喷头的相对侧3、4布置成向内部空间供给相应的发散气流g1、g2。这里，每个气流g1、g2同样至少部分地发散。例如，当在垂直于相应光路OP的虚拟平面如XZ或YZ平面中观看时每个气流g1、g2是发散的。每个发散的气流g1、g2可以达到装置元件10的相应侧面13、14，以及达到定位在装置元件10附近的光路OP。为了提供发散的气流g1、g2，如图3所示，第一和第二气体喷头的相对侧3、4可以简单地为弯曲表面或凸面，并具有如上所述的合适的气体分配器或气体分配材料。例如，每个气体喷头1、2的外侧包括凸起的气体分配边缘或尖端，该边缘或尖端至少面对附近的装置元件10，以及面对在装置元件10的第三侧面15的前面延伸的所述光路OP。相对的气体喷头侧面3、4可以多种方式进行布置，并且例如具有锥形尖端、倾斜的气体通道(参见下文)，或具有不同的结构。可替换地，如图8所示(参见下文)，一个或两个气体喷头配置成提供相应的会聚气流或校准(平行)气流，或以不同的方式提供。

此外，第一和第二气体喷头1、2可以配置成在内部空间中形成至少一个流动涡区(或负压)。在图3、4的实施例中，所述流动涡区可以在所述元件10附近产生。涡区的位置在图3中用虚线的圆圈表示。涡区FW例如可以在所述元件10附近产生，例如在该元件10和所述光路OP之间产生，和/或在元件10的第三侧面的前面产生。涡区FW还可以至少部分地在光路OP中延伸。此外，在一个实施例中，第一和第二气流g1、g2可以引导成使得相应的涡区区域大体上封闭在这些气流g1、g2和装置元件10之间。

在使用图3和4的实施例的过程中，可以调节装置的内部空间，该空间被干涉仪光束横过。在该空间中，可以向内部空间供给第一已调节气流g1和第二已调节气流g2，使得第一已调节气流和第二已调节气流至少部分地向彼此引导，以及朝装置元件10的第一和第二侧面引导。此外，例如，在使用期间，第一和第二气流可以在装置元件10附近汇合，以便调节被干涉仪光束横过的区域。此外，在一个实施例中，在使用期间，第一和第二气流可以在内部空间中形成上述的流动涡区FW或负压。在另一个实例中，例如从装置元件10的中间观看时第一和第二气流大体上相对彼此镜面对称。例如，气流g1、g2的流速大体上相同。可替换地，气流g1、g2可以不同，可以具有不同的流速和/或相对彼此略微不同的流动方向。作为一个实例，第一和第二气体喷头1、2大体上相同，以便提供大体上相似的相应气流(但是具有镜面对称的流动方向)。另一方面，从装置元件10的中间观看时，第一和第二气体喷头1、2可以不同地进行布置，和/或用于提供不对称的气流。

图5和6示出了一个实施例，其与图3和4中所示实施例的不同之处在于，每个气体喷头1′、2′的气体出口侧3′、4′布置成将相应的气流g1、g2以一定角度引导到内部空间中。特别地，在使用期间，气流g1、g2不会从相应的出口侧3′、4′大体上垂直地流动，但是其在该侧上具有小于90°的角度β。此外，每个气流本身还可以是发散的气流，例如图3中所示的那样，当从垂直于光路OP的虚拟平面如XZ平面或YZ平面观看时是发散的。然而，两个气流可以相对彼此至少部分地会聚，或者彼此汇合(同样参见图3)。例如通道9可以用所述喷头出口侧封闭角度β，该角度的范围是大约20°-80°。作为一个实例，所述角度的范围是大约45°-55°。

在图5、6中，气体通道9例如和虚拟(垂直)的YZ平面成所述角度β，所述平面相对所述光路OP垂直地延伸。

各个气体喷头1′、2′可以多种方式进行构造，以便提供相应的倾斜气流。例如，每个气体喷头1′、2′可以包括喷头出口侧3′、4′，其具有多个倾斜的气体通道，如图6详细所示(图6示出了第二气体喷头2′的出口侧4′的一部分)。该喷头出口侧3′、4′包括具有多个倾斜通道9的薄板8，每个通道大体上倾斜地穿过所述薄板延伸。例如，薄板8可以是金属板或合金板，其中通道9可以是激光钻孔的通道、蚀刻的通道和/或利用放电机械加工形成的通道。

在一个实施例中，每个所述气体喷头出口侧3′、4′可以包括具有多个通道9的薄金属板或合金板8，每个通道9相对金属板外表面倾斜地延伸。此外，多个所述通道可以相对彼此大体上平行地延伸。

在一个实施例中，所述薄板8的厚度t(在图6中沿Y方向测量)小于大约1mm。例如，所述厚度t可以是大约0.5mm或更小。此外，所述薄板8可以是金属板或合金板，例如不锈钢、或生长镍或图案上的合金。在这种情况下，可以使用激光钻孔高精度地制造相对小的气体通道9。还可以使用不同的技术来制造气体通道9。此外，薄板8可以由塑料，和/或一种或多种不同的材料构成。除了激光钻孔，还可以应用不同的制造方法来提供所述通道9，例如蚀刻通道，通过放电机械加工来形成通道，和/或使用不同的处理。

气体通道9可以具有多个直径或尺寸。每个所述通道9的直径或宽度D例如小于大约0.2mm。例如，所述直径或宽度可以小于大约0.1mm。当所述通道的直径或宽度是大约0.8mm时可以获得良好的结果。

在一个实施例中，光刻装置包括一可动的基底支座WT。例如，在图5的实施例中，基底支座WT(参见图1)可以沿X方向和相反的方向移动。在这种情况下，在另一个实施例中，气体喷头1′、2′优选布置成以至少部分和基底支座WT的移动方向X相同的方向引导所述层流的气体。如图5所示，例如，所述倾斜的气体通道9可以提供气流，该气流具有包括平行于所述X方向分量的流动方向F，以及可以垂直于相应出口侧3的分量。通过这种方式，当基底支座WT例如远离干涉仪单元IF移动时，气体喷头系统1′、2′可以防止或减少基底支座后面的(另一个)涡区的发生。通过这种方式，可以减小或避免所谓的“第一扫描效应”，其中相对未调节的气体由于基底支座的第一扫描移动而从基底区SZ被吸入到干涉仪光束路径OP。

图7是与图4类似的另一个实施例的一部分的视图。在图7中，两个气体喷头1″、2″具有彼此靠近的端部21、22。该端部例如与另一个装置元件10的端部之一相对地延伸，例如背对投影系统PS和/或基底支座WT(参见图1)的装置元件10的端部。例如，气体喷头1″、2″可以大体上封闭装置元件10的端部。

图8示出了另一个实施例的一部分。图8的实施例与图3所示实施例的不同之处在于，气体喷头201之一中的一个侧面203配置成提供会聚的气流g1。为此，例如，如图8所示，相应气体喷头201的气体出口侧203可以简单地是一个合适的弯曲表面或凸起表面，并具有如上所述的合适的气体分配器或气体分配材料。例如，相应气体喷头201的外侧可以包括凸起的气体分配边缘或尖端，该边缘或尖端至少面对附近的装置元件10，以及面对在装置元件10的第三侧面15的前面延伸的所述光路OP。例如，当在所述虚拟平面中观看时，会聚气流g1是会聚的，所述虚拟平面垂直于相应的光路OP，例如是XZ或YZ平面。

此外在图8的实施例中，气体喷头202的一个侧面204配置成提供校准的气流g2，例如当离开气体喷头202时具有大体上平行的流动分量的气流g2。为此，例如如图8所示，相应气体喷头202的气体出口侧204可以简单地是一个大致平面，并具有如上所述的合适的气体分配器或气体分配材料。这种平的气体出口侧204还可以至少面对附近的装置元件10，以及面对在装置元件10的第三侧面15的前面延伸的所述光路OP。例如，当在所述虚拟平面中观看时，校准气流g2是校准的(或其本身大体上平行)，所述虚拟平面垂直于相应的光路OP，例如是XZ或YZ平面。

此外，在图8的实施例中，每个气体喷头出口侧203、204例如可以具有多孔材料、合适的气体分配器、单丝织物、一个或多个具有气孔的薄板、或者不同的气体分配器。每个气体喷头出口侧203、204可包括一种或多种材料的一个或多个层。所述出口侧203、204可以是或者提供相应的气体喷头201、202的上游气体分配室的壁或壁部。例如，在使用期间，气流g1、g2从相应的出口侧203、204大体上垂直地流动。

相对的气体喷头侧3、4、203、204可以以多种方式进行布置。例如，两个相对的出口侧可以是平的侧面或凹入的侧面。此外，出口侧之一可以是大体上平的或凹入的(如图8)，而相对的气体喷头的相对出口侧可以是凹入的，或者可以配置成提供至少部分发散的气流(如图3)。

此外，图8的实施例例如可以结合图4示出的实施例，特别是关于气流g1、g2的流动方向方面。另一方面，图8的实施例可以结合图5-6的实施例，其中所述气体喷头中之一或两者的气体出口侧203、204可以布置成以一定角度将相应的气流g1、g2引导到内部空间(例如如上所述地通过提供具有倾斜气体通道的相应的气体出口侧203、204)。

在图2-8中所示实施例可以防止或减少已调节的气体喷头系统的气体与“周围”气体的混合，例如减少与较少调节的基底区SZ的气体的混合。这样可以减小已调节的喷头气体与周围气体的混合。因此，气体喷头1、2可以导致对装置中内部(或其部分)的良好调节，特别地可以调节所述干涉仪光束路径OP。例如，可以非常好地防止未调节气体混入下部定位的干涉仪光束，该干涉仪光束距装置元件10相对较远，例如参见图3。这些′下部′干涉仪光束的路径在图2、3、8中用OP_L表示。

喷头1、2可以提供两个气体供给区域，分别在装置元件10的每一侧13、14上。如上所述，每个气体喷头1、2的每个供给部的表面或气体供给侧3、4可以用单丝织物覆盖或具有单丝织物，以便产生具有一定速度的均匀的层流下降流。气体喷头1、2的两个表面3、4例如可以以倾斜的角度朝装置元件10定位，使得低动量且未调节的气体的潜在混合区可以设置在干涉仪路径OP外部，以及使得镜面下方的流动涡区FW最小。之前人们就相信，相对大量的未调节的气体将被吸入到该流动涡区FW中，特别是在装置元件10的外端部，例如在干涉仪部分IF附近和在投影系统PL附近(参见图1)。但是现在，许多实验都令人惊讶地显示出这仅仅会非常少地发生。为了进一步限制未调节气体的进入，气体喷头组件1、2可以大体上封闭相应的装置元件的整个端部(例如图7中的那样)，例如在干涉仪部分一侧。

此外，在投影系统PS附近，基底支座的顶面可以配置成形成压力驻点PSP，例如与气体喷头1、2的横向端部配合。这种压力驻点PSP可以避免或减小未调节的气体进入干涉仪路径OP。如图9所示，其中压力驻点的位置用虚线的圆圈PSP表示。

尽管在本申请中可以具体参考使用该光刻装置制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如涂布显影装置(通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。

尽管在上面可以具体参考在本申请的光学光刻法中使用本发明的实施例，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的外形限定了在基底上形成的图案。构图部件的外形还可以挤压到施加于基底上的抗蚀剂层中，并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，355、248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

该申请使用的术语“透镜”可以表示任何一个各种类型的光学部件或其组合，包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。

尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

上面的描述是为了说明，而不是限制。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。

例如，第一和第二气体喷头可以是独立的气体喷头单元，或者可以是一个气体喷头单元的一部分。此外，第一和第二气体喷头可以是同一气体喷头系统的一部分，或者是不同气体喷头系统的一部分。第一和第二气体喷头可以一起形成气体喷头组件。此外，第一和第二气体喷头可以彼此集成在一起、连接在一起、与同一气体供给源连接或与不同的气体供给源连接。第一和第二气体喷头还可以不同地进行配置。此外，对于本领域技术人员来说很明显的是，可以提供一个或多个其它气体喷头。

Claims (18)

1.一种光刻装置，包括配置成向所述装置的内部空间供给第一层流气流的至少一个第一气体喷头和配置成向所述装置的内部空间供给第二层流气流的至少一个第二气体喷头，其中所述气体喷头配置成将第一层流气流和第二层流气流至少部分地朝向彼此引导；

其中所述装置包括至少一个干涉仪系统，其用于应用一个或多个干涉仪光束定位至少部分所述装置，其中第一气体喷头配置成向被一个或多个干涉仪光束横过的区域供给至少部分第一层流气流；

第二气体喷头配置成向被干涉仪光束横过的区域供给至少部分第二层流气流。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述装置的一个元件至少部分地在第一和第二气体喷头的相对侧之间延伸。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述元件是反射镜。

4.如权利要求2所述的装置，其中所述元件布置在被至少一个干涉仪光束横过的区域附近。

5.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧大体上平行于干涉仪光束的至少一个路径延伸。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述装置包括相对投影系统沿X-/Y-方向移动的基底支座，其中干涉仪系统用于提供可动基底支座的X-和Y-方向的定位。

7.如权利要求3所述的装置，其中所述反射镜用于在Z-方向定位基底支座。

8.如权利要求1所述的装置，其中至少第一和第二气体喷头的相对侧布置成向内部空间供给第一层流气流和第二层流气流。。

9.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧是弯曲表面。

10.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧布置成向内部空间供给会聚或发散的气流。

11.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧是凹面。

12.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧大体上是平面。

13.如权利要求1所述的装置，其中所述装置包括相对投影系统移动的基底支座，至少第一气体喷头布置成沿与基底支座的第一移动方向相同的方向至少部分地引导部分相应的气流。

14.如权利要求2所述的装置，其中至少第一和第二气体喷头配置成在内部空间中形成至少一个流动涡区。

15.如权利要求14所述的装置，其中所述流动涡区在所述元件附近形成。

16.如权利要求1所述的装置，其中至少第一气体喷头包括具有多个倾斜气体通道的喷头出口侧。

17.如权利要求16所述的装置，其中所述喷头出口侧包括具有多个倾斜通道的薄板，每个通道大体上倾斜地穿过所述薄板延伸。

18.如权利要求17所述的装置，其中所述薄板是金属板或合金板，所述通道是激光钻孔的通道、蚀刻的通道和/或通过放电机械加工而制造的通道。

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