CN1969060B - 具有快速气体切换能力的气体分配系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于向腔室、诸如等离子处理设备的等离子处理腔室中供应不同气体组分的气体分配系统。气体分配系统可包括气体供应部件、流动控制部件和开关部件。气体供应部件提供第一和第二气体、通常为气体混合物至流动控制部件，流动控制部件控制第一和第二气体到腔室的流动。腔室可包括多个区域，而流动控制部件可以所需的气体流动速率供应第一和第二气体至多个区域。气体分配系统可连续供应第一和第二气体至开关部件，而开关部件可操作地切换第一和第二气体流动，使得第一和第二处理气体中的一种被供应至腔室，而另一种气体被供应至旁通管线，并然后切换气体流动。开关部件优选包括快速开关阀门，其可操作地快速地打开和关闭从而允许第一和第二气体的快速切换，优选在任一种气体流动时不出现不期望的压力波动或流动不稳定性。

Description

具有快速气体切换能力的气体分配系统
背景技术
在等离子处理设备中处理半导体结构，其中等离子处理设备包括等离子处理腔室、供应处理气体到腔室中的气体源、以及由处理气体产生等离子体的能量源。半导体结构在这样的设备中通过下列技术被处理，这些技术包括干法刻蚀处理、沉积处理、诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积，或金属、介电和半导体材料的等离子增强化学气相沉积(PECVD)、和光刻胶剥离处理。不同处理气体用于这些处理技术，以及处理半导体结构的不同材料。
发明内容
本发明提供了一种可操作地向真空腔室、诸如等离子处理腔室供应所选择的气体的气体分配系统。气体可以是刻蚀气体组分和/或沉积气体组分。优选实施例的气体分配系统可提供快速气体切换能力，这允许系统在短时间内在供应到真空腔室的不同气体之间切换，优选不出现不期望的任何气体的压力波动(pressure surge)或流动不稳定性。某些优选实施例的气体分配系统可向真空腔室内部不同区域提供所选择的气流，包括不同气体化学成分和/或流动速率。
一个优选实施例的气体分配系统包括用于与第一气体管线(gasline)流体连通的第一气体通道和第二气体通道，和用于与第二气体管线流体连通的第三气体通道和第四气体通道。第一和第三气体通道用于供应气体至真空腔室内部，而第二和第四气体通道用于供应气体至旁通管线(by-pass line)。第一、第二、第三和第四快速开关阀门分别沿第一、第二、第三和第四气体通道设置。第一和第四快速开关阀门适于接收信号以在第二和第三快速开关阀门关闭时打开，从而经第一气体管线和第一及第三气体通道向真空腔室供应第一气体，同时经第二气体管线和第二及第四气体通道向旁通管线供应第二气体。第二和第三快速开关阀门适于接收信号以在第一和第四快速开关阀门关闭时打开，从而经第二气体管线和第三气体通道向真空腔室供应第二气体，同时经第一气体管线和第二气体通道向旁通管线供应第一气体。
本发明提供了用于供应气体至等离子处理腔室的气体分配系统的另一优选实施例，其中等离子处理腔室包括具有彼此流动隔离的内部和外部区域的气体分配元件，其包括适于与第一处理气体源、内部区域和旁通管线流体连通的第一气体通道；适于与第一处理气体源、外部区域和旁通管线流体连通的第二气体通道；适于与第二处理气体源、内部区域和旁通管线流体连通的第三气体通道；和适于与第二处理气体源、外部区域和旁通管线流体连通的第四气体通道。气体分配系统包括快速开关阀门，其适于接收信号以打开和关闭，以便(i)经第一和第二气体通道向内部和外部区域供应第一处理气体，而第二处理气体经第三和第四气体通道被供应到旁通管线，和(ii)改变第一和第二处理气体的流动，从而经第三和第四气体通道供应第二处理气体至内部区域和外部区域，而第一处理气体经第一和第二气体通道供应到旁通管线。
本发明提供了用于供应气体至等离子处理腔室的气体分配系统的另一优选实施例，其中等离子处理腔室包括具有彼此流动隔离的内部区域和外部区域的气体分配元件，其包括具有多个第一气体通道的气体开关部件，其中每个第一气体通道适于(i)与至少一个第一气体通道和/或至少一个第二气体通道流体连通，和(ii)与气体分配元件的内部区域、气体分配元件的外部区域和旁通管线中至少一个流体连通。气体开关部件也包括快速开关阀门装置，其适于接收信号以(iii)打开第一组快速开关阀门并关闭第二组快速开关阀门，以便供应第一处理气体至内部和外部区域，而第二处理气体经第一组第一气体通道被转向到旁通管线，和(iv)关闭第一组快速开关阀门并打开第二组快速开关阀门，从而切换第一和第二处理气体流，以供应第二处理气体至内部区域和外部区域，而第一处理气体经第二组第一气体通道转向到旁通管线。
本发明提供了在等离子处理腔室中处理半导体结构的方法的一个优选实施例，其包括a)供应第一处理气体至等离子处理腔室，同时将第二处理气体转向到旁通管线，其中等离子处理腔室包含包括至少一个层的半导体衬底，并且图案化光刻胶掩膜覆盖该层；b)激励第一处理气体从而产生第一等离子体，并且(i)刻蚀该层中至少一个特征或(ii)在掩膜上形成聚合物沉积；(c)切换第一和第二处理气体流，从而第二处理气体被供应到等离子处理腔室，同时将第一处理气体转向至旁通管线，第一处理气体在小于约1秒钟、或小于约200毫秒的时间里在等离子处理腔室的等离子体限制区域中被第二处理气体基本取代；d)激励第二处理气体从而产生第二等离子体，并且(iii)在该层中刻蚀至少一个特征，或(iv)在该层和掩膜上形成沉积；e)切换第一和第二处理气体流，使得第一处理气体被供应到等离子处理腔室，而将第二处理气体转向至旁通管线，其中第二处理气体在小于约1秒钟，或小于约200毫秒的时间里在等离子处理腔室的等离子体限制区域中被第一处理气体基本取代；和f)对衬底重复步骤a)-e)多次。
附图说明
图1是等离子处理设备的一个示例性实施例的剖视图，其可与气体分配系统的优选实施例一起使用。
图2示出气体分配系统的一个优选实施例。
图3描绘气体分配系统的气体供应部件的一个优选实施例。
图4描绘气体分配系统的流动控制部件的一个优选实施例。
图5描绘气体分配系统的气体开关部件的第一优选实施例。
图6描绘气体分配系统的气体开关部件的第二优选实施例。
图7描绘气体分配系统的气体开关部件的第三优选实施例。
具体实施方式
用于处理半导体材料、诸如在半导体衬底、例如硅晶片上所形成的半导体器件的等离子处理设备，包括等离子处理腔室和向等离子处理腔室供应处理气体的气体分配系统。气体分配系统可在等离子体处理过程中在衬底表面上分配气体至单个区域或多个区域。气体分配系统可包括流动控制器，以控制到这些区域的相同或不同处理气体、或气体混合物的流动速率(flow rate)，从而允许在处理中调节气体流动和气体组分在衬底上的均匀性。
虽然多区域气体分配系统相比于单区域系统可提供改进的流动控制，但可能需要为这样的系统提供允许其中气体组分和/或气体流动可在短时间内改变的衬底处理操作的结构。
提供了一种用于供应不同气体组分和/或流动比率(flow ratio)到腔室的气体分配系统。在一个优选实施例中，气体分配系统适于与真空腔室、诸如等离子处理设备的等离子处理腔室的内部流体连通，并提供在处理操作过程中供应不同气体化学成分和/或气体流动速率至真空腔室的能力。等离子处理设备可以是低密度、中等密度或高密度等离子体反应器，其包括使用RF能量、微波能量、磁场等产生等离子体的能量源。例如，高密度等离子体可以在变压器耦合等离子体(TCPTM)反应器中产生，也被称为感应耦合等离子体反应器、电子回旋共振共振(ECR)等离子体反应器、电容性放电等。优选实施例的气体分配系统可与其一起使用的示例性等离子体反应器包括ExelanTM等离子体反应器，诸如2300ExelanTM等离子体反应器，其可从位于加利福尼亚州Fremont的Lam Research Corporation得到。在等离子刻蚀处理过程中，多个频率可被应用到包括电极和静电吸盘的衬底支撑件上。可替换地，在双频率等离子体反应器中，不同频率可被应用到衬底支撑件和与衬底隔开的电极上，诸如喷头电极。
气体分配系统的一个优选实施例可经单个区域或多个区域、优选至少靠近待处理衬底的暴露表面的气体分配元件的内部区域和外部区域，供应第一气体到真空腔室的内部，诸如等离子处理腔室。内部和外部区域在等离子处理腔室中彼此径向隔开，并优选流动隔离。气体分配系统可同时将与第一气体不同的第二气体转向至真空腔室旁通管线。旁通管线可与真空泵等流体连通。在一个优选实施例中，第一气体是第一处理气体，而第二气体是另一处理气体。例如，第一气体可以是第一刻蚀气体化学成分或沉积气体化学成分，而第二气体可以是另一刻蚀气体化学成分或沉积气体化学成分。气体分配系统可同时分别提供第一气体的不同受控流动速率至内部区域和外部区域，而第二气体被转向到旁通管线，反之亦然。通过将一种气体转向至旁通管线，供应到真空腔室的气体的切换可在短时间内实现。
气体分配系统包括开关装置，其允许在短时间内在供应到真空腔室内部的第一和第二气体之间实现气体转换或气体切换，其中真空腔室包括单个区域或包括多个区域。对于多区域系统，气体分配系统可以供应第一气体到内部和外部区域，同时第二气体被转向到旁通管线，然后在短时间内切换气体分配，使得第二气体被供应到内部区域和外部区域，同时第一气体被转向到旁通管线。气体分配系统可替换地可以供应第一和第二气体到真空腔室的内部，其中每种气体被供应一个期望的时间段，从而允许在使用不同气体化学物质的不同处理操作之间快速切换，例如处理半导体器件的方法的交替步骤。在一个优选实施例中，该方法步骤可以是不同的刻蚀步骤，例如更快的刻蚀步骤，诸如主刻蚀(main etch)，和相对慢的刻蚀步骤，诸如过刻蚀(overetch)步骤；刻蚀步骤和材料沉积步骤；或不同材料沉积步骤，其在衬底上沉积不同材料。
在气体分配系统的一个优选实施例中，真空腔室内限定区域、优选为等离子体限制区域中气体成分容积可由在短时间内引入到真空腔室中的另一气体成分取代(即冲走)。这样的气体置换优选地可以通过在气体分配系统中提供具有快速切换能力的阀门，而在小于约1秒、更优选在小于约200毫秒的时间里实现。对于处理200毫米或300毫米晶片的等离子处理腔室，等离子体限制区域可具有约1/2升到约4升的气体容积。等离子体限制区域可以通过限制环堆叠来限定，诸如在共同所有的美国专利No.5534751中所公开的，该专利被完整包括在此以供参考。
图1描绘示例性半导体材料等离子处理设备10，其中气体分配系统100的实施例可与其一起使用。设备10包括具有内部空间的真空腔室或等离子处理腔室12，该内部空间包含衬底支撑件14，在等离子处理过程中衬底16就支撑于衬底支撑件14上。衬底支撑件14包括夹持装置，优选为静电吸盘18，其在处理过程中可操作地将衬底16夹紧在衬底支撑件14上。衬底可被焦环(focus rings)和/或缘环(edgerings)、底座延伸件(ground extensions)或其它部件包围，诸如共同所有的美国专利申请No.US 2003/0029567中所公开的那些部件，该申请全部内容包括在此以供参考。
在一个优选实施例，等离子处理腔室12包括等离子体限制区域，其具有约1/2升到约4升、优选约1升到约3升的容积。例如，等离子处理腔室12可包括限制环结构、诸如在共同所有的美国专利No.5534751中所公开的那样，以便限制等离子体限制区域，该专利全部内容包括在此以供参考。气体分配系统可在小于约1秒、优选小于约200毫秒的时间段中以另一气体取代等离子体限制区域中的这种容积的气体，而没有显著反扩散。限制机构可限制从等离子体容积到等离子体容积外部的等离子处理腔室12内部的部分的流体流通。
衬底16可包括基体材料，诸如硅晶片；基体材料上待处理、例如刻蚀的材料的中间层；中间层上的掩膜层。中间层可以是导电的、介电的或半导体的材料。掩膜层可以是图案化光刻胶材料，其具有开口图案，用于在中间层和/或一个或多个其它层中刻蚀期望的特征，例如孔、通孔和/或沟槽。根据在基体材料上所形成的半导体器件的类型，衬底可包括在基体层和掩膜层之间的导电的、介电的或半导体的材料的附加层。
可被处理的示例性介电材料是例如搀杂的氧化硅，诸如含氟氧化硅(fluorinated silicon oxide)；未搀杂的氧化硅，诸如二氧化硅；旋涂玻璃(spin-on glass)；硅酸盐玻璃；搀杂的或未搀杂的热二氧化硅；搀杂或未搀杂的TEOS沉积的氧化硅。这样的介电材料可位于导电的或半导体的层之上，诸如多晶硅；金属，诸如铝、铜、钛、钨、钼和它们的合金；氮化物，诸如氮化钛；以及金属硅化物，诸如硅化钛、硅化钨和硅化钼。
图1中所示的示例性等离子处理设备10包括喷头电极组件，其具有形成等离子体腔室壁的支撑板20，和连接到支撑板的喷头22。挡板组件位于喷头22和支撑板20之间，以均匀地将处理气体分配到喷头的背部28。挡板组件可包括一个或多个挡板。在该实施例中，挡板组件包括挡板30A、30B和30C。敞开的充气室(plenum)48A、48B和48C被限定在挡板30A、30B和30C之间；以及挡板30C和喷头22之间。挡板30A、30B和30C以及喷头22包括将处理气体流通进入等离子处理腔室12内部的通道。
在该实施例中，板20和挡板30A之间的充气室及挡板30A、30B和30C之间的充气室48A、48B和48C被密封件38a、38b、38c和38d，诸如O形圈划分为内部区域42和外部区域46。内部区域42和外部区域46可通过气体分配系统100供应以具有不同气体化学成分和/或流动速率的处理气体，优选在控制器500的控制下。气体被从内部区域气体供应源40供应到内部区域42，并且气体被从外部区域气体供应源44供应到环行通道44a然后进入外部区域46。处理气体流过挡板30A、30B和30C和喷头22中的通道并进入等离子处理腔室12的内部。处理气体在等离子处理腔室12中通过功率源、诸如RF源驱动电极22、或驱动衬底支撑件14中电极的功率源激励为等离子状态。在不同气体成分被供应到等离子处理腔室12时，施加到电极22的RF功率可改变，优选在小于约1秒、更优选小于200毫米的时间内。
在另一优选实施例中，等离子处理设备10可包括将处理气体注入等离子处理腔室中的气体注入系统。例如，气体注入系统可具有在共同所有的美国专利申请No.09/788365、美国专利申请No.10/024208、美国专利No.6013155、或美国专利No.6270862中所公开的配置，这些专利(申请)的全部内容被包括在此以供参考。
图2示出一个优选实施例，其中气体分配系统100包括彼此流体连通的气体供应部件200、流动控制部件300、和气体开关部件400。气体分配系统100优选还包括控制器500(图1)，其被以控制通信方式连接，以控制气体供应部件200、流动控制部件300和气体开关部件400的操作。
在气体分配系统100中，气体供应部件200可经相应的第一和第二气体管线235、245向流动控制部件300供应不同气体，诸如第一和第二处理气体。第一和第二气体可具有彼此不同的组分和/或气体流动速率。
流动控制部件300可操作地控制可供应到开关部件400的不同气体的流动速率，并可选地调整组分。流动控制部件300可分别经气体通道324、326和364、366提供第一和第二气体的不同流动速率和/或化学成分至开关部件400。此外，对于内部区域42和外部区域46，供应到等离子处理腔室12的第一气体和/或第二气体的流动速率和/或化学成分(同时另一种气体被转向到旁通管线50，该旁通管线可以与真空泵送系统、诸如涡轮泵和低真空泵之间流体连通)。因此，流动控制部件300可在衬底16上提供期望的气体流和/或气体化学成分，从而增强衬底处理的均匀性。
在气体分配系统100中，开关部件400在短时间内可操作地从第一气体切换到第二气体，从而允许在单个区域或多个区域、例如内部区域42和外部区域46中第一气体被第二气体置换，同时将第一气体转向至旁通管线，或反之。气体开关部件400优选地可在第一气体和第二气体之间切换，而不出现这两种气体的流动中的不期望的压力波动和流动不稳定性。如果需要，气体分配系统100可维持流过等离子处理腔室12的第一和第二气体的基本恒定的连续容积流动速率。
图3示出气体分配系统100的气体供应部件200的一个优选实施例。气体供应部件200优选地连接到控制器500，以控制流动控制部件的操作，诸如阀门和流动控制器，从而允许可由气体供应部件200供应的两种或多种气体组分的控制。在该实施例中，气体供应部件200包括多个气体源202、204、206、208、210、212、214和216，每个气体源都与第一气体管线235和第二气体管线245流体连通。这样，气体供应部件200可供应多种所需的不同气体混合物至等离子处理腔室12。包括在气体分配系统100中的气体源的数量不局限于任何特定数量的气体源，但优选包括至少两个不同气体源。例如，气体供应部件200可包括多于或少于图3所示实施例中所包含的8种气体源。例如，气体供应部件200可包括两个、三个、四个、五个、十个、十二个、十六个或更多气体源。可通过相应气体源提供的不同气体包括单种气体，诸如O2、Ar、H2、Cl2、N2等，以及气态碳氟化合物和/或氟代烃(fluorohydrocarbon)化合物，诸如CF4、CH3F等。在一个优选实施例中，等离子处理腔室是刻蚀腔室，且气体源202-216可供应Ar、O2、N2、Cl2、CH3、CF4、C4F8和CH3F或CHF3(以任意合适的顺序)。各气体源202-216供应的特定气体可基于在等离子处理腔室12中要执行的期望处理来选择，例如特定的干法刻蚀和/或材料沉积处理。气体供应部件200对于可被提供用于执行刻蚀处理和/或材料沉积处理的气体的选择可提供广泛的多功能性。
气体供应部件200优选也包括至少一个调节气体(tuning gas)源，以调节气体组分。调节气体可以是，例如O2、惰性气体，诸如氩，或反应气体(reactive gas)，诸如碳氟化合物或氟代烃气体，例如C4F8。在图3所示的实施例中，气体供应部件200包括第一调节气体源218和第二调节气体源219。如下面所述，第一调节气体源218和第二调节气体源219可供应调节气体，以调节供应到气体开关部件400的第一和/或第二气体的组分。
在图3所示的气体供应部件200的实施例中，流动控制装置240优选地被设置在分别与气体源202、204、206、208、210、212、214和216流体连通的气体通道222、224、226、228、230、232、234和236的每个中，并且也被设置在分别与第一调节气体源218和第二调节气体源219流体连通的气体通道242、244中。流动控制装置240可操作地控制由相关气体源202-216和218、219所供应的气体的流动。流动控制装置240优选是质量流动控制器(MFC：mass flowcontroller)。
在图3所示的实施例中，阀门250、252沿气体通道位于每个气体源202-216下游。阀门250、252可以选择性地打开或关闭，优选在控制器500的控制下，从而允许不同气体混合物流到第一气体管线235和/或第二气体管线245。例如，通过打开与一个或多个气体源202-216关联的阀门252(同时其余与其他气体源202-216关联的阀门252关闭)，第一气体混合物可供应到第一气体管线235。相似地，通过打开与一个或多个其它气体源202-216关联的阀门250(同时其余与其它气体源202-216关联的阀门250关闭)，第二气体混合物可供应到第二气体管线245。因此，第一和第二气体的不同混合物和质量流动比率(mass flow rate)可通过气体供应部件200的受控操作而被提供给第一气体管线235和第二气体管线245。
在一个优选实施例中，气体供应部件200可操作地分别经第一气体管线235和第二气体管线345提供第一和第二气体的连续流动。第一气体或第二气体流入等离子处理腔室12，而其它气体被转向到旁通管线。旁通管线可连接到真空泵等。通过连续流动第一和第二气体，气体分配系统100可实现气体流动的快速切换。
图4示出气体分配系统100的流动控制部件300的一个优选实施例。流动控制部件300包括与来自气体供应部件200的第一气体管线235流体连通的第一流动控制部件305、和与来自气体供应部件200的第二气体管线245流体连通的第二流动控制部件315。流动控制部件300可操作地控制分别供应到内部区域42和外部区域46的第一气体的比率，同时第二气体被转向到旁通管线，并控制分别供应到内部区域42和外部区域46的第二气体的比率，同时第一气体被转向到旁通管线。第一流动控制部件305将在第一气体管线235引入的第一气体流分成第一气体的两个独立出口流，而第二流动控制部件315将在第二气体管线245引入的第二气体流分成第二气体的两个独立出口流。第一流动控制部件305包括经开关系统400分别与内部区域42和外部区域46流体连通的第一和第二气体通道324、326，而第二流动控制部件315包括经开关系统400分别与内部区域42和外部区域46流体连通的第一和第二气体通道364、366。
在一个优选实施例中，第一流动控制部件305和第二流动控制部件315每个都包括至少两个限流器(flow restrictor)。每个限流器优选具有固定的限制尺寸，以便气体流过它。限流器优选是孔口。限流器限制气流并在孔口上游和附近的气体通道区域中保持近似恒定的气体压力。第一流动控制部件305和第二流动控制部件315中每个都优选包括孔口网络，例如两个、三个、四个、五个或更多孔口，每个孔口优选具有不同的横截面限制尺寸，例如不同的直径或不同的横截面面积。孔口的限制尺寸小于气体分配系统100的气流路径的其它部分的横截面面积。孔口优选是音速孔(sonic orifice)。在流动控制部件300中气流优选以临界流态(critical flow regime)操作，使得给定孔口的流导(flow conductance)由其限制尺寸和上游压力唯一确定。随着孔口的流导增加，实现穿过孔口的给定流动速率的孔口上压力降降低。
在图4所示的实施例中，第一和第二流动控制部件305、315每个都包括五个孔口330、332、334、336和338。例如，孔口330、332、334、336和338可分别具有1、2、4、8和16的相对的限制尺寸，例如直径。因此，当气流穿过所有5个孔口330-338时，四个孔口330-336具有与单个孔口338近似相同的总流导。可替换地，四个孔口330-336中至多3个可以打开以提供孔口330-336的总流导与孔口338的流导的不同比率，以便供应不同比率的第一气流和第二气流至内部区域42和外部区域46。
另一实施例可包括不同数量的孔口，例如总共两个孔口；包括孔口338和取代多个孔口330-338的第二孔口。第二孔口优选具有与孔口338相同的限制尺寸。在这样的实施例中，供应到内部区域42和外部区域46的第一气体和/或第二气体的流动比率约为1∶1。
阀门320优选位于各个孔口330-338的上游，以控制第一气体和第二气体到孔口的流动。例如，在第一流动控制部件305和/或第二流动控制部件315中，一个或多个阀门320可被打开以允许第一气体和/或第二气体流动到一个或多个相关孔口330-336，同时其它阀门320被打开以允许第一气体和/或第二气体流到孔口338。
在第一流动控制部件305中，孔口330-336与气体通道322流体连通。气体通道322被分成第一和第二气体通道324、326，其与气体开关部件流体连通。一对阀门320位于第一和第二通道324、326中，以控制流过第一流动控制部件305的一个或多个孔口330-336的第一气体到内部区域42和/或外部区域46的流动。在一个可替换实施例中，一对沿气体通道324、326设置的阀门320可由单个，四向阀门取代。
在第一流动控制部件305中，孔口338沿气体通道319设置。气体通道319被分成气体通道331、333，其分别与第一和第二气体通道324、326流体连通。一对阀门320位于气体通道331、333中，以控制经孔口338流进第一和第二气体通道324、326的第一气体的流动。在一个可替换实施例中，这对沿气体通道331、333设置的阀门320可用单个的四向阀门取代。
在第二流动控制部件315中，一对阀门320沿第一和第二气体通道364、366设置，从而控制经孔口330-336中一个或多个流进等离子处理腔室的内部区域42和外部区域46的第二气体的流动。在一个可替换实施例中，这对沿气体通道364、366设置的阀门320可用单个的四向阀门取代。
在第二流动控制部件315中，孔口338沿气体通道359设置。气体通道359被分成气体通道372、374，其分别与第一和第二气体通道364、366流体连通。一对阀门320位于气体通道372、374中，从而控制经孔口338流进第一和/或第二气体通道364、366的第二气体的流动。在一个可替换实施例中，这对沿气体通道372、374设置的阀门320可用单个的四向阀门取代。
孔口330-338被包括在流动控制部件300中，从而当气体分配系统100将流进等离子处理腔室12中的气体从第一气体改为第二气体时防止气流中压力波动和流动的不稳定性，反之也一样。
在图4所示的实施例中，第一调节气体源218的气体通道242(图3)被设置，以供应第一调节气体至第一流动控制部件305的第一气体通道324和/或第二气体通道326，从而调节第一气体组分。第二调节气体源219的气体通道244(图3)被设置，以供应第二调节气体至第二流动控制部件315的第一气体通道364和/或第二气体通道366，从而调节第二气体组分。第一和第二调节气体可以是相同的也可以是不同的调节气体。
流动控制装置340、优选为MFC被沿气体通道242设置。阀门320沿气体通道337、339设置，以分别控制第一调节气体到气体通道326、324的流动。在一个可替换实施例中，这对沿气体通道337、339设置的阀门320可以用单个的四向阀门取代。
流动控制装置340、优选为MFC被沿气体通道244设置。阀门320沿气体通道376、378设置，以分别控制第二调节气体到气体通道366、364的流动。在一个可替换实施例中，这对沿气体通道376、378设置的阀门320可以用单个四向阀门取代。
在图4所示的流动控制部件300的实施例中，第一流动控制部件305和第二流动控制部件315包括以相同配置设置的相同元件。然而，在气体分配系统100的其他优选实施例中，第一和第二流动控制部件305、315彼此具有不同元件和/或不同配置。例如，第一和第二流动控制部件305、315可彼此包括不同元件和/或不同配置。例如，第一和第二流动控制部件305、315可彼此包括不同数量的孔口和/或具有不同限制尺寸的孔口。
在气体分配系统100中，气体开关系统400与流动控制部件300、并与真空腔室内部和旁通管线流体连通，其中第一和第二气体流进旁通管线。气体开关系统400的第一优选实施例在图5中示出。气体开关系统400可交替供应第一和第二气体至等离子处理腔室12的内部区域42和外部区域46。气体开关系统400与第一流动控制部件305的第一气体通道324和第二气体通道326流体连通，并与第二流动控制部件315的第一气体通道364和第二气体通道366流体连通。沿每个气体通道324、326、364和366设置孔口430，以在第一和第二气体切换期间防止不期望的压力波动。
第一流动控制部件305的第一气体通道324被分成气体通道448、450；第一流动控制部件305的第二气体通道326被分成气体通道442、444；第二流动控制部件315的第一气体通道364被分成气体通道452、454；第二流动控制部件315的第二气体通道366被分成气体通道456、458。在该实施例中，气体通道442与等离子体腔室12的外部区域46流体连通，气体通道448与等离子体腔室12的内部区域42流体连通，气体通道444提供旁通管线。气体通道456与气体通道442流体连通而到达外部区域46。气体通道452与气体通道448流体连通而到达内部区域42。气体通道450、454和458与气体通道444流体连通而连到旁通管线。
阀门440沿气体通道442、444、448、450、452、454、456和458中每一个而设置。在一个可替换实施例中，沿气体通道442、444；448、450；452、454；和456、458设置的每一对阀门440可用单个四向阀门取代。阀门440可选择性地打开或关闭，优选在控制器500的控制下，从而供应第一和第二气体至腔室，同时将其它气体转向至旁通管线。
例如，为了供应第一气体至等离子处理腔室12的内部区域42和外部区域46并将第二气体转向至旁通管线，沿气体通道442、448和454、458的阀门440打开，同时沿气体通道444、450和452、456的阀门440关闭。为了切换气流以便第二气体被供应到等离子处理腔室12的内部区域42和外部区域46，同时第一气体被转向到旁通管线，沿气体通道444、450和452、456的阀门440打开，同时沿气体通道442、448和454、458的阀门440关闭。换句话说，第一组阀门440打开而第二组阀门440关闭，从而供应第一气体至等离子处理腔室12，并且然后该第一组阀门关闭而该第二组阀门440打开，从而改变气流以供应第二气体至等离子处理腔室。
在气体开关系统400中，阀门440是快速开关阀门。如这里所用，术语“快速开关阀门”指可以在接收来自控制器500的打开或关闭信号后在短时间、优选小于约100毫秒、更优选小于约50毫秒内打开或关闭的阀门。阀门440优选是通过接收来自控制器500的打开或关闭信号而电子控制和致动的。可用在气体开关系统400中的合适的“快速开关阀门”是型号为FSR-SD-71-6.35的阀门，可从位于美国加利福尼亚的Santa Clara的Fujikin得到。
因此，气体开关系统400可供应第一气体例如至真空腔室的内部，同时将第二气体转向至旁通管线，然后优选在控制器500的控制下，快速切换这些气流并供应第二气体至真空腔室，同时将第一气体转向至旁通管线。第一气体或第二气体在气体被切换之前被供应至真空腔室的时间量可通过控制器500控制。相关孔口430和阀门440之间的气体通道324、326、364和366的容积优选小于约10cm3。如上所述，气体分配系统可与包括等离子体限制区域的等离子处理腔室一起使用，从而在小于约1秒、更优选小于约200毫秒的时间段内置换约1/2升到约4升的气体容积，从而稳定系统。
按照第二优选实施例的气体开关系统1400在图6中绘出。在气体开关系统1400中，阀门440和位于阀门440下游的孔口430沿气体通道442-458中每个而设置。否则，气体开关系统1400可具有与气体开关系统400相同的配置。在气体切换过程中，孔口430防止不期望的压力波动。在一个可替换实施例中，沿气体通道442、444；448、450；452、454；和456、458的每对阀门440可用单个的四向阀门取代。
按照第三优选实施例的气体开关系统2400在图7中描绘。在该实施例中，气体开关系统2400与第一气体通道405和第二气体通道415流体连通。第一和第二气体通道405、415可以例如分别是流动控制部件的第一气体出口和第二气体出口，这里的流动控制部件与图4所示的流动控制部件300不同，不包括内部和外部区域气体出口。孔口430沿第一气体通道405和第二气体通道415中每个而设置。第一气体通道405被分成气体通道422、424，而第二气体通道445被分成气体通道426、428。气体通道422和426与真空腔室的内部流体连通，且气体通道424和428与旁通管线流体连通。阀门440沿气体通道422、424和426、428中每个而设置。在一个可替换实施例中，沿气体通道422、424；和426、428的每对阀门440可以用单个的四向阀门取代。
例如，为了供应第一气体至真空腔室并同时将第二气体引导到旁通管线，沿流体通道422和428的阀门440被打开，且沿气体通道424和426的阀门被440关闭。为了切换气流以便第二气体被供应到真空腔室且第一气体被转向到旁通管线，沿流体通道424和426的阀门440打开，且沿流体通道422和428的阀门440关闭。
在气体开关系统的另一优选实施例中，可通过除去设置在阀门440上游的第一气体通道405和第二气体通道415中的孔口430、并在每个气体通道422、424、426和428中在相关阀门440下游设置孔口而修改图7中所示的实施例。
气体分配系统100的优选实施例可用于向等离子处理腔室12供应不同气体化学成分和/或流动速率，以执行不同的刻蚀和/或沉积处理。例如，气体分配系统100可供应处理气体至等离子处理腔室，以在被覆盖的掩膜、诸如UV光刻胶掩膜保护的氧化硅、诸如SiO2层中刻蚀特征。SiO2层可在具有200mm或300mm直径的半导体晶片、诸如硅晶片上形成。特征可以是例如通孔(via)和/或沟槽。在这样的刻蚀处理中，期望在掩膜的某些部分上沉积聚合物以修复掩膜中的条纹、例如裂缝或缝隙(即，填充条纹)，使得在SiO2中所刻蚀的特征具有它们的期望形状，例如通孔具有圆横截面。如果条纹没有被修复，则它们最终到达掩膜下的层，并实际上在刻蚀过程中被转移到该层。而且，聚合物可以沉积在特征的侧壁上。
然而，已经确定，在所刻蚀特征的侧壁和基底上所沉积的聚合物的厚度影响刻蚀速率。在各向异性刻蚀处理中，特征的底部上所沉积的聚合物在刻蚀过程中基本被除去。然而，如果侧壁和/或基底上的聚合物变得太厚，则SiO2的刻蚀速率减小，且可能完全停止。如果变得太厚，则聚合物也可能剥落表面。因此，用于在掩膜和特征上形成聚合物沉积的气体混合物被供应到等离子处理腔室的时间量优选被控制，从而控制在SiO2层上形成的聚合物沉沉积的厚度，同时也提供掩膜的足够的修复和保护。在SiO2层的刻蚀过程中，周期性地从掩膜上除去聚合物。因此，聚合物优选在SiO2层的刻蚀周期之间在掩膜上被沉积，从而确保实现掩膜的充分修复和保护。
通过控制在特征上所沉积的聚合物的厚度，并修复和保护掩膜，气体分配系统100可用于供应处理气体至等离子处理腔室中，以刻蚀由覆盖的掩膜、例如UV光刻胶掩膜所保护的SiO2层。气体分配系统100的气体开关系统可操作地允许用于刻蚀SiO2的第一处理气体在第一时间段中被供应到等离子处理腔室，而用于形成聚合物沉积的第二气体混合物被转向到旁通管线，并且然后快速切换气流，使得第二气体混合物被供应到等离子处理腔室，以形成聚合物沉积，而第一气体混合物被供应到旁通管线。优选地，供应到等离子处理腔室的等离子体限制区域的第一气体混合物在小于约1秒、更优选小于约200毫秒的时间段内至少基本上被第二气体混合物置换。等离子体限制区域优选具有约1/2升到约4升的容积。
用于刻蚀SiO2的第一气体混合物可包含例如碳氟化合物，诸如C4F8、O2和氩。C4F8/O2/氩的流动比率可以是例如20/10/500sccm。用于形成聚合物沉积的第二气体混合物可包含例如氟代烃种(fluorohydrocarbon species)，诸如CH3F和氩。C3FH/氩的流动比率可以是例如15/500sccm。第二气体混合物可选也可包括O2。对于用于处理200mm或300mm晶片的电容耦合等离子体刻蚀反应器，腔室压力可以是例如70-90mTorr。每次第一气体混合物被引入等离子处理腔室时，优选流入约5秒到约20秒(同时第二气体被转向到旁通管线)，而每次第二气体混合物被引入等离子处理腔室时，优选流入约1秒到约3秒(同时第一气体被转向到旁通管线)。在刻蚀衬底上的SiO2时，刻蚀周期和/或聚合物沉积周期的长度可在优选时间段内增加或减小。聚合物沉积在刻蚀处理过程中优选达到小于约100埃的最大厚度。在刻蚀过程中，聚合物可沉积在掩膜上，以修复条纹并提供掩膜保护。因此，掩膜中开口的形状优选可在刻蚀处理过程中保持。
本发明已经参考优选实施例被描述。然而，对本领域技术人员来说，显然可以不同于上述的特定形式实施本发明，而不偏离本发明的精神。优选实施例是说明性的并且不能认为是任何形式上的限制。本发明的范畴由权利要求限定，而非前述说明，且所有落入权利要求范围内的变化和等价物都包括在此。

Claims (16)

1.一种用于供应气体至等离子处理腔室的气体分配系统，其中所述等离子处理腔室包括具有彼此流动隔离的内部和外部区域的喷头电极组件，所述气体分配系统包括：
适用于与第一处理气体源、所述等离子处理腔室的喷头电极组件的内部区域和旁通管线流体连通的第一气体通道；
适用于与所述第一处理气体源、所述等离子处理腔室的喷头电极组件的外部区域和所述旁通管线流体连通的第二气体通道；
适用于与第二处理气体源、所述内部区域和所述旁通管线流体连通的第三气体通道；
适用于与所述第二处理气体源、所述外部区域和所述旁通管线流体连通的第四气体通道；
其中，所述第一、第二、第三和第四气体通道中的每一个都被分成两个独立的气体通道；
所述第一气体通道的两个独立的气体通道中的一个与所述内部区域流体连通，另一个与所述旁通管线流体连通；
所述第二气体通道的两个独立的气体通道中的一个与所述外部区域流体连通，另一个与所述旁通管线流体连通；
所述第三气体通道的两个独立的气体通道中的一个与所述内部区域流体连通，另一个与所述旁通管线流体连通；
所述第四气体通道的两个独立的气体通道中的一个与所述外部区域流体连通，另一个与所述旁通管线流体连通；
多个快速开关阀门，包括：
沿所述第一气体通道的两个独立的气体通道中的每一个设置的第一组快速开关阀门；
沿所述第二气体通道的两个独立的气体通道中的每一个设置的第二组快速开关阀门；
沿所述第三气体通道的两个独立的气体通道中的每一个设置的第三组快速开关阀门；
沿所述第四气体通道的两个独立的气体通道中的每一个设置的第四组快速开关阀门；
控制器，其通过控制通信方式与所述多个快速开关阀门连接，所述多个快速开关阀门被可操作地连接以接收来自所述控制器的信号以打开或关闭，从而使得（i）所述第一处理气体经所述第一和第二气体通道供应至内部和外部区域，同时第二处理气体经所述第三和第四气体通道供应至所述旁通管线，和（ii）改变第一和第二处理气体的流动，使得第二处理气体经所述第三和第四气体通道供应至所述内部和外部区域，同时第一处理气体经第一和第二气体通道供应至所述旁通管线。
2.如权利要求1所述的气体分配系统，进一步包括分别沿所述第一、第二、第三和第四气体通道设置的至少一个第一限流器、至少一个第二限流器、至少一个第三限流器和至少一个第四限流器，所述第一、第二、第三和第四限流器用于在所述第一、第二、第三和第四限流器上游和附近的第一、第二、第三和第四气体通道的区域中维持近似恒定的气压。
3.如权利要求1所述的气体分配系统，其中所述快速开关阀门可在接收信号后在小于100毫秒的时间段内打开和/或关闭。
4.如权利要求1所述的气体分配系统，其中所述快速开关阀门可在接收信号后在小于50毫秒的时间段内打开和/或关闭。
5.一种等离子处理设备，包括：
等离子处理腔室，包括具有内部区域和外部区域的喷头电极组件和等离子限制区域，且该等离子限制区域的容积为1/2升到4升；和
如权利要求1的气体分配系统，其与所述喷头电极组件的内部和外部区域流体连通；
其中所述气体分配系统可操作地在小于1秒的时间段内基本将等离子限制区中的第一处理气体或第二处理气体用所述第一处理气体或第二处理气体中另一种处理气体置换。
6.根据权利要求5所述的等离子处理设备，其中所述气体分配系统可操作地在小于200毫秒的时间段内基本将等离子限制区中的第一处理气体或第二处理气体用所述第一处理气体或第二处理气体中另一种处理气体置换。
7.一种用于供应处理气体至等离子处理腔室的气体分配系统，其中所述等离子处理腔室包括具有彼此流动隔离的内部和外部区域的喷头电极组件，所述气体分配系统包括：
流动控制部件，包括：
至少一个第一气体通道，适用于与第一气体管线流体连通，其中所述第一气体管线与至少一个第一处理气体源流体连通；
至少一个第一阀门，可操作地允许所述第一处理气体被从所述第一气体管线供应至所述至少一个第一气体通道；
至少一个第二气体通道，适用于与第二气体管线流体连通，其中所述第二气体管线与至少一个第二处理气体源流体连通；
至少一个第二阀门，可操作地允许所述第二处理气体被从所述第二气体管线供应至所述至少一个第二气体通道；
气体开关部件，包括：
多个第一气体通道，其中每个该气体开关部件的第一气体通道（i）用于与所述流动控制部件中的所述至少一个第一气体通道和/或所述流动控制部件中的所述至少一个第二气体通道流体连通，和（ii）用于与等离子处理腔室的喷头电极组件的内部区域、等离子处理腔室的喷头电极组件的外部区域和旁通管线中至少一个流体连通；以及
多个快速开关阀门，用于接收信号，以（iii）打开第一组快速开关阀门并关闭第二组快速开关阀门，从而经第一组所述第一气体通道供应第一处理气体至所述内部和外部区域，同时第二处理气体被转向到所述旁通管线，和（iv）关闭所述第一组快速开关阀门并打开所述第二组快速开关阀门，从而改变第一和第二处理气体流动，以便经第二组所述第一气体通道供应所述第二处理气体至所述内部区域和外部区域，同时所述第一处理气体被转向到所述旁通管线。
8.如权利要求7所述的气体分配系统，进一步包括控制器，其可操作地控制所述第一和第二组快速开关阀门的打开和关闭。
9.如权利要求7所述的气体分配系统，进一步包括气体供应部件，包括：
所述第一气体管线，适用于与多个所述第一处理气体源流体连通；
所述第二气体管线，适用于与多个所述第二处理气体源流体连通；
至少一个第三阀门，可操作地允许供应所述第一处理气体至所述第一和第二气体管线中至少一个；以及
至少一个第四阀门，可操作地允许供应所述第二处理气体至所述第一和第二气体管线中至少一个。
10.如权利要求7所述的气体分配系统，其中所述流动控制部件包括分别与所述流动控制部件中的所述第一和第二气体通道流体连通的至少一个第一限流器和至少一个第二限流器，所述第一和第二限流器用于在所述第一和第二限制器的上游和附近区城中保持近似恒定的气压。
11.如权利要求10所述的气体分配系统，其中所述至少一个第一限流器包括至少两个第一限制器，所述至少一个第二限流器包括一个第二限制器，且至少一个第一限制器具有与所述第二限流器不同的流导。
12.如权利要求11所述的气体分配系统，其中所述第一限流器的总流导近似等于所述第二限流器的流导。
13.如权利要求7所述的气体分配系统，其中所述流动控制部件中的所述第一和第二气体通道用于与至少一个调节气体源流体连通，其中所述调节气体源可操作地供应调节气体至所述流动控制部件中的所述第一和第二气体通道中至少一个。
14.如权利要求7所述的气体分配系统，其中所述气体开关部件包括沿该气体开关部件中的每个所述第一气体通道设置在相应快速开关阀门上游的限流器，所述限流器用于在所述限流器上游和附近的、该气体开关部件中的每个所述第一气体通道的区城中保持近似恒定的气压。
15.如权利要求7所述的气体分配系统，其中所述快速开关阀门可以在接收信号后在小于100毫秒的时间段内打开和/或关闭。
16.如权利要求7所述的气体分配系统，其中所述快速开关阀门可以在接收信号后在小于50毫秒的时间段内打开和/或关闭。
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Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200580013773.2A Active CN1969060B (zh) 2004-04-30 2005-04-22 具有快速气体切换能力的气体分配系统

Country Status (8)

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US (2) US7708859B2 (zh)
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JP (2) JP5709344B2 (zh)
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TW (1) TWI389192B (zh)
WO (1) WO2005112093A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107221493A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221494A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法

Families Citing this family (564)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070066038A1 (en) * 2004-04-30 2007-03-22 Lam Research Corporation Fast gas switching plasma processing apparatus
JP4550507B2 (ja) * 2004-07-26 2010-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20070021935A1 (en) 2005-07-12 2007-01-25 Larson Dean J Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber
US20070045239A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for processing a microfeature workpiece using a plasma
US8088248B2 (en) * 2006-01-11 2012-01-03 Lam Research Corporation Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system
JP2007211326A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nec Electronics Corp 成膜装置および成膜方法
JP4782585B2 (ja) * 2006-02-28 2011-09-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング装置及び方法
US20070224708A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Sowmya Krishnan Mass pulse sensor and process-gas system and method
US7932181B2 (en) * 2006-06-20 2011-04-26 Lam Research Corporation Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement
KR101217522B1 (ko) * 2006-09-07 2013-01-02 주식회사 원익아이피에스 유량조절블럭을 구비한 샤워헤드
JP4928893B2 (ja) * 2006-10-03 2012-05-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法。
US8043430B2 (en) 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
US20080152823A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Self-limiting plating method
US7794530B2 (en) * 2006-12-22 2010-09-14 Lam Research Corporation Electroless deposition of cobalt alloys
US7521358B2 (en) * 2006-12-26 2009-04-21 Lam Research Corporation Process integration scheme to lower overall dielectric constant in BEoL interconnect structures
US7846497B2 (en) * 2007-02-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8074677B2 (en) * 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8216418B2 (en) * 2007-06-13 2012-07-10 Lam Research Corporation Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings
US8202393B2 (en) * 2007-08-29 2012-06-19 Lam Research Corporation Alternate gas delivery and evacuation system for plasma processing apparatuses
KR20090022557A (ko) * 2007-08-31 2009-03-04 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 및 그를 이용한절연막 형성 방법
US8187414B2 (en) 2007-10-12 2012-05-29 Lam Research Corporation Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers
CN101457351B (zh) * 2007-12-12 2012-03-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 气体分配系统和应用该气体分配系统的半导体处理设备
US8187413B2 (en) * 2008-03-18 2012-05-29 Lam Research Corporation Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket
US20090236447A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas injection in process chamber
US8721836B2 (en) * 2008-04-22 2014-05-13 Micron Technology, Inc. Plasma processing with preionized and predissociated tuning gases and associated systems and methods
US20090286397A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Lam Research Corporation Selective inductive double patterning
JP5378706B2 (ja) * 2008-05-22 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそれに用いられる処理ガス供給装置
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US20110264250A1 (en) * 2008-12-15 2011-10-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, substrate processing method and storage medium storing program
DE102009011622B4 (de) * 2009-03-04 2018-10-25 Siltronic Ag Epitaxierte Siliciumscheibe und Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Siliciumscheibe
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2013522472A (ja) * 2010-03-19 2013-06-13 ジーティーエイティー・コーポレーション 多結晶シリコン堆積のためのシステム及び方法
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
US8707754B2 (en) 2010-04-30 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for calibrating flow controllers in substrate processing systems
US20110265883A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing flow splitting errors using orifice ratio conductance control
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8133349B1 (en) 2010-11-03 2012-03-13 Lam Research Corporation Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8931512B2 (en) * 2011-03-07 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Gas delivery system and method of use thereof
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9245717B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Lam Research Corporation Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor
US8562785B2 (en) 2011-05-31 2013-10-22 Lam Research Corporation Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US9305810B2 (en) 2011-06-30 2016-04-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fast gas exchange, fast gas switching, and programmable gas delivery
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8728239B2 (en) * 2011-07-29 2014-05-20 Asm America, Inc. Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow
US8378293B1 (en) * 2011-09-09 2013-02-19 Agilent Technologies, Inc. In-situ conditioning in mass spectrometer systems
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9679751B2 (en) 2012-03-15 2017-06-13 Lam Research Corporation Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching
JP5937385B2 (ja) * 2012-03-16 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のガス供給方法、ガス供給システム及び半導体製造装置
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9437400B2 (en) 2012-05-02 2016-09-06 Lam Research Corporation Insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus
DE102012210332A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ald-beschichtungsanlage
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US8911826B2 (en) * 2012-08-02 2014-12-16 Asm Ip Holding B.V. Method of parallel shift operation of multiple reactors
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
CN102832096B (zh) * 2012-09-20 2015-11-25 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于真空处理装置的气体供应装置及其气体供应及切换方法
US9132436B2 (en) * 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9157730B2 (en) 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9146007B2 (en) * 2012-11-27 2015-09-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of work pieces and flow control system for use in same
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
KR20140087215A (ko) * 2012-12-28 2014-07-09 주식회사 윈텔 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치
US9090972B2 (en) 2012-12-31 2015-07-28 Lam Research Corporation Gas supply systems for substrate processing chambers and methods therefor
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9488315B2 (en) 2013-03-15 2016-11-08 Applied Materials, Inc. Gas distribution apparatus for directional and proportional delivery of process gas to a process chamber
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
JP6107327B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9275869B2 (en) 2013-08-02 2016-03-01 Lam Research Corporation Fast-gas switching for etching
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
WO2015026491A1 (en) 2013-08-19 2015-02-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for impurity layered epitaxy
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
JP6267491B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-24 株式会社堀場エステック 流体切換装置
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US10391526B2 (en) 2013-12-12 2019-08-27 Lam Research Corporation Electrostatic chuck cleaning fixture
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
CN104752137A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 中微半导体设备(上海)有限公司 一种气体供应装置及其等离子体反应装置
KR101560623B1 (ko) * 2014-01-03 2015-10-15 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
JP6219179B2 (ja) * 2014-01-20 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
JP6158111B2 (ja) * 2014-02-12 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法及び半導体製造装置
JP6396699B2 (ja) 2014-02-24 2018-09-26 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
KR102451499B1 (ko) * 2014-05-16 2022-10-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 샤워헤드 설계
CN103994328B (zh) * 2014-05-20 2016-08-24 山西太钢不锈钢股份有限公司 煤气吹扫安全置换装置
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US10249511B2 (en) * 2014-06-27 2019-04-02 Lam Research Corporation Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus
KR20160012302A (ko) * 2014-07-23 2016-02-03 삼성전자주식회사 기판 제조 방법 및 그에 사용되는 기판 제조 장치
JP6499835B2 (ja) * 2014-07-24 2019-04-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
JP6346849B2 (ja) * 2014-08-20 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
JP6315809B2 (ja) 2014-08-28 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
JP6305314B2 (ja) * 2014-10-29 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置およびシャワーヘッド
CN105590825A (zh) * 2014-11-03 2016-05-18 中微半导体设备(上海)有限公司 气体输送装置及等离子体处理装置
JP6334369B2 (ja) 2014-11-11 2018-05-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
JP6320282B2 (ja) 2014-12-05 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10100407B2 (en) * 2014-12-19 2018-10-16 Lam Research Corporation Hardware and process for film uniformity improvement
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
CN105810581B (zh) 2015-01-16 2019-12-10 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法
JP6504827B2 (ja) 2015-01-16 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN105810579B (zh) 2015-01-16 2019-12-06 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法
TW201634738A (zh) * 2015-01-22 2016-10-01 應用材料股份有限公司 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
JP2016157793A (ja) 2015-02-24 2016-09-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6550278B2 (ja) 2015-06-24 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9620376B2 (en) * 2015-08-19 2017-04-11 Lam Research Corporation Self limiting lateral atomic layer etch
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10256075B2 (en) 2016-01-22 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
JP6592400B2 (ja) 2016-05-19 2019-10-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6606464B2 (ja) 2016-05-20 2019-11-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6689674B2 (ja) * 2016-05-30 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10684159B2 (en) * 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
KR101924689B1 (ko) * 2016-07-15 2019-02-28 연세대학교 산학협력단 이차원 나노 물질의 처리 장치 및 방법
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US9852924B1 (en) * 2016-08-24 2017-12-26 Lam Research Corporation Line edge roughness improvement with sidewall sputtering
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10604841B2 (en) * 2016-12-14 2020-03-31 Lam Research Corporation Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
JP7122102B2 (ja) 2017-11-08 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム及びガス供給方法
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) * 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
US11077401B2 (en) * 2018-05-16 2021-08-03 Highvac Corporation Separated gas stream point of use abatement device
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7296699B2 (ja) * 2018-07-02 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、プラズマ処理装置およびガス供給システムの制御方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102641752B1 (ko) * 2018-11-21 2024-03-04 삼성전자주식회사 가스 주입 모듈, 기판 처리 장치, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
WO2020231557A1 (en) * 2019-05-15 2020-11-19 Applied Materials, Inc. Dynamic multi zone flow control for a processing system
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7068230B2 (ja) 2019-05-22 2022-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP6851510B2 (ja) 2019-06-20 2021-03-31 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
DE102019130303A1 (de) * 2019-11-11 2021-05-12 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Behältern
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
JP2021082127A (ja) * 2019-11-21 2021-05-27 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、プラズマ処理装置及びガス供給システムの制御方法
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112951696B (zh) * 2019-12-10 2024-04-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备及其气体挡板结构、等离子体处理方法
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
CN112095088B (zh) * 2020-07-29 2023-05-16 苏州迈正科技有限公司 一种快速切换镀膜工艺气体的方法及设备
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US20220367297A1 (en) * 2021-05-13 2022-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor processing tool and methods of operation
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN116288262A (zh) * 2021-12-14 2023-06-23 拓荆科技股份有限公司 一种气体切换系统及其相关半导体制程方法
CN115341194B (zh) * 2022-07-05 2024-02-23 华灿光电(苏州）有限公司 提高微型发光二极管发光一致性的生长方法
CN117305819A (zh) * 2022-07-29 2023-12-29 北京北方华创微电子装备有限公司 一种特种气体安全控制装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5769950A (en) * 1985-07-23 1998-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming deposited film
WO2004017368A2 (en) * 2002-08-16 2004-02-26 Unaxis Usa, Inc. Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discreet gas switching method

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62143427A (ja) * 1985-12-18 1987-06-26 Hitachi Ltd 処理ガス供給装置
US4980204A (en) 1987-11-27 1990-12-25 Fujitsu Limited Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate
US5252178A (en) 1992-06-24 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Multi-zone plasma processing method and apparatus
US5534751A (en) 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
JPH0945624A (ja) 1995-07-27 1997-02-14 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の熱処理装置
TW279240B (en) 1995-08-30 1996-06-21 Applied Materials Inc Parallel-plate icp source/rf bias electrode head
AU3145197A (en) 1996-06-28 1998-01-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for high density plasma chemical vapor deposition
US6013155A (en) 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US5846883A (en) 1996-07-10 1998-12-08 Cvc, Inc. Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US6174377B1 (en) * 1997-03-03 2001-01-16 Genus, Inc. Processing chamber for atomic layer deposition processes
GB9709659D0 (en) 1997-05-13 1997-07-02 Surface Tech Sys Ltd Method and apparatus for etching a workpiece
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US5972430A (en) 1997-11-26 1999-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Digital chemical vapor deposition (CVD) method for forming a multi-component oxide layer
GB9904925D0 (en) 1999-03-04 1999-04-28 Surface Tech Sys Ltd Gas delivery system
US6211092B1 (en) 1998-07-09 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Counterbore dielectric plasma etch process particularly useful for dual damascene
US6257980B1 (en) * 1998-12-24 2001-07-10 B.I.S., L.L.C. Method and apparatus for identifying a winner in a bingo game
US6230651B1 (en) 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
JP2000306884A (ja) 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6210482B1 (en) 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
US20010047756A1 (en) * 1999-05-17 2001-12-06 Bartholomew Lawrence Duane Gas distribution system
US6245192B1 (en) 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6421127B1 (en) * 1999-07-19 2002-07-16 American Air Liquide, Inc. Method and system for preventing deposition on an optical component in a spectroscopic sensor
KR100327346B1 (ko) * 1999-07-20 2002-03-06 윤종용 선택적 폴리머 증착을 이용한 플라즈마 식각방법 및 이를이용한 콘택홀 형성방법
FR2797997B1 (fr) * 1999-08-26 2002-04-05 Cit Alcatel Procede et dispositif pour le traitement de substrat sous vide par plasma
JP4487338B2 (ja) * 1999-08-31 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置及び成膜処理方法
JP2001257198A (ja) 2000-03-13 2001-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法
JP3736322B2 (ja) * 2000-04-26 2006-01-18 昭和電工株式会社 気相成長装置
JP2001316816A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 基板冷却装置
KR100332313B1 (ko) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 Ａｌｄ 박막증착장치 및 증착방법
US6569774B1 (en) * 2000-08-31 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch
US6333272B1 (en) * 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP2002129337A (ja) * 2000-10-24 2002-05-09 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置
KR100397889B1 (ko) * 2001-01-18 2003-09-19 삼성전자주식회사 개스공급장치의 잔류개스 제거장치
US6620733B2 (en) 2001-02-12 2003-09-16 Lam Research Corporation Use of hydrocarbon addition for the elimination of micromasking during etching of organic low-k dielectrics
US20020144655A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Chiang Tony P. Gas valve system for a reactor
US6418954B1 (en) * 2001-04-17 2002-07-16 Mks Instruments, Inc. System and method for dividing flow
US6984288B2 (en) 2001-08-08 2006-01-10 Lam Research Corporation Plasma processor in plasma confinement region within a vacuum chamber
FR2834382B1 (fr) * 2002-01-03 2005-03-18 Cit Alcatel Procede et dispositif de gravure anisotrope du silicium a haut facteur d'aspect
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US7547635B2 (en) * 2002-06-14 2009-06-16 Lam Research Corporation Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics
FR2842387B1 (fr) 2002-07-11 2005-07-08 Cit Alcatel Chemisage chauffant pour reacteur de gravure plasma, procede de gravure pour sa mise en oeuvre
US20040050326A1 (en) * 2002-09-12 2004-03-18 Thilderkvist Karin Anna Lena Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system
US6649469B1 (en) 2002-10-11 2003-11-18 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors
DE10247913A1 (de) * 2002-10-14 2004-04-22 Robert Bosch Gmbh Plasmaanlage und Verfahren zum anisotropen Einätzen von Strukturen in ein Substrat
US7169231B2 (en) * 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US7296532B2 (en) * 2002-12-18 2007-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Bypass gas feed system and method to improve reactant gas flow and film deposition
US6916746B1 (en) * 2003-04-09 2005-07-12 Lam Research Corporation Method for plasma etching using periodic modulation of gas chemistry
US7144521B2 (en) 2003-08-22 2006-12-05 Lam Research Corporation High aspect ratio etch using modulation of RF powers of various frequencies
US7354631B2 (en) * 2003-11-06 2008-04-08 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus and methods
US20050211668A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Lam Research Corporation Methods of processing a substrate with minimal scalloping
JP4515950B2 (ja) 2005-03-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法およびコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5769950A (en) * 1985-07-23 1998-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming deposited film
WO2004017368A2 (en) * 2002-08-16 2004-02-26 Unaxis Usa, Inc. Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discreet gas switching method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107221493A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221494A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221493B (zh) * 2016-03-22 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
CN107221494B (zh) * 2016-03-22 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法

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