CN2665749Y - 电光装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种电光装置，在基板上(above)具备：像素电极；与其连接的薄膜晶体管；从上侧覆盖该薄膜晶体管的至少沟道区域的上侧遮光膜；以及从下侧覆盖该薄膜晶体管的至少沟道区域的下侧遮光膜。上侧遮光膜和下侧遮光膜分别在数据线和扫描线相交叉的交叉区域中，具有在各个像素的开口区域中规定切角的伸出部。两伸出部通过接触孔相互连接。薄膜晶体管的沟道区域被配置在交叉区域内。

Description

电光装置和电子设备
技术领域
本实用新型涉及有源矩阵驱动方式的电光装置和电子设备的技术领域，特别涉及在基板上的层积结构中包括像素开关用的薄膜晶体管(以下称为TFT(Thin Film Transistor))形式的电光装置和具备这样的电光装置的投影机等电子设备的技术领域。
背景技术
在TFT有源矩阵驱动形式的液晶装置、EL(Electro-Luminescence；场致发光)显示装置等电光装置中，如果入射光照射到设置于各像素的像素开关用TFT的沟道区域，则由光产生的激励而产生光漏泄电流，使TFT的特性变化。特别是在投影机的光阀用电光装置的情况下，由于入射光的强度大，所以对TFT的沟道区域和其相邻区域进行入射光的遮光是重要的。
因此，以往在设置于对置基板的各像素中，被构成为通过对有助于显示的光透过或反射的开口区域进行规定的遮光膜，或者通过TFT之上并且由Al(铝)等金属膜构成的数据线，来对相关的沟道区域和其相邻区域进行遮光。而且，在TFT阵列基板上像素开关用TFT的下侧，例如还设置有高熔点金属构成的遮光膜。这样，如果在TFT的下侧也设置遮光膜，则可预先防止来自TFT阵列基板一侧的背面反射光、或在通过棱镜等组合多个电光装置构成一个光学系统的情况下从其他电光装置穿过棱镜等的投射光等的返回光入射到该电光装置的TFT。
但是，根据上述的各种遮光技术，有以下的问题。
即，首先，根据在对置基板上和TFT阵列基板上形成遮光膜的技术，在遮光膜和沟道区域之间，三维地观察，例如通过液晶层、电极、层间绝缘膜等形成相当大的间隙，对于向两者间倾斜入射的光的遮光不充分。特别是在用作投影机的光阀的小型电光装置中，入射光是用透镜将来自光源的光缩小的光束，含有不能忽略的倾斜入射的分量。例如，包含从垂直于基板的方向倾斜10度到15度左右的分量10％左右，所以对这样的倾斜入射光的遮光不充分成为实际问题。
此外，从没有遮光膜的区域侵入到电光装置内的光，由基板或基板上形成的遮光膜的上表面、数据线等反射后，存在这样的反射光或使其再次由基板或遮光膜、数据线等反射的多重反射光最终到达TFT的沟道区域的情况。
特别是为了满足近年来显示图像的高质量化的一般需要，与实现电光装置的高清晰化或像素间距的微细化相适应，与为了显示更明亮的图像而与提高入射光的光亮度相适应，根据上述现有的各种遮光技术，实施充分的遮光更加困难，因TFT晶体管特性的变化而产生闪烁等，存在显示图像的质量下降的问题。
再有，为了提高这样的耐光性，也可考虑简单地扩大遮光膜的形成区域，但在这种方案中，提高各像素的开口率十分困难，存在显示图像变暗的问题。
发明内容
本实用新型鉴于上述问题，以提供耐光性优良、可进行明亮高质量的图像显示的电光装置及具备这样的电光装置的电子设备作为课题。
为了解决上述课题，本实用新型的第1电光装置在基板上(above)具备：像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域的上侧遮光膜；以及从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的下侧遮光膜；其中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜分别在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内；所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜，互相地，在所述伸出部中通过遮光性的导电材料或直接进行连接。
根据本实用新型的第1电光装置，在其工作时，例如在薄膜晶体管的源极上通过数据线来供给图像信号，在薄膜晶体管的栅极上通过扫描线来供给扫描信号。于是，例如通过对连接到薄膜晶体管的漏极的像素电极由薄膜晶体管进行开关控制，可进行有源矩阵驱动方式的驱动。而且，因为构成薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域和其相邻区域，由上侧遮光膜从其上侧覆盖，所以基本上可以阻止相对于基板面来自上方的入射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。进而，因为由下侧遮光膜从其下侧进行覆盖，所以基本上可以阻止相对于基板面来自下方的返回光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。再有，‘返回光’例如指基板的里面反射、从作为光阀使用多个该第1电光装置的多板式投影机中的其它光阀中射出的穿过合成光学系统的光等的，返回到与入射光相反方向上、无助于显示的光。
这里，上侧遮光膜和下侧遮光膜分别在数据线和扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，使得在各像素的开口区域中规定切角。例如，如果以四角形的开口区域为基准，则形成一至四个切角，可规定五角形至八角形的开口区域。然后，将沟道区域配置在有这样的切角的交叉区域内。因此，与不存在这样的伸出部的情况相比，通过分别具有伸出部的上侧遮光膜和下侧遮光膜，可以有效地阻止相对于基板面从上方垂直或倾斜行进的强的入射光和基于该光的内面反射光及多重反射光、相对于基板面从下方垂直或倾斜行进的返回光和基于该光的内面反射光及多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
进而，根据本实用新型，上侧遮光膜和下侧遮光膜，相互地，在伸出部中通过遮光性的导电材料连接或直接连接。因此，配置在交叉区域的沟道区域和其相邻区域从它们的侧方被上侧遮光膜和下侧遮光膜的相互连接的部分局部地包围。即，通过这样从侧方包围、相互连接的部分，可显著地提高对从侧方倾斜比较大的倾斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此外，因为上侧遮光膜和下侧遮光膜相互连接，可以使两者为同电位，例如对于由两者中一方构成的配线，可将另一方作为其冗余配线利用。
这些结果，可提高各像素的开口率，同时通过用相互连接的上侧遮光膜和下侧遮光膜从上下左右包围的立体遮光，可有效地降低薄膜晶体管中的光漏泄电流产生、偏差等引起的显示不匀或闪烁等，最终可显示明亮的高质量的图像。同时，可以实现相互连接的上侧遮光膜和下侧遮光膜的冗余配线，例如通过实现电容线等的低电阻化，也可进一步降低闪烁等。
在本实用新型的第1电光装置的一种方式中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜通过接触孔相互连接；在该接触孔内，形成所述上侧遮光膜或者由所述导电材料形成栓塞。
根据该方式，可以通过接触孔良好地相互电连接上侧遮光膜和下侧遮光膜。而且，通过在设置于伸出部的接触孔内配置的上侧遮光膜或构成栓塞的遮光性的导电材料，可以从它们的侧方局部地包围沟道区域和其相邻区域。
或者在本实用新型的第1电光装置的另一方式中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜通过对应于所述伸出部的轮廓的截面形状的贯通沟相互连接，在该贯通沟内，由所述上侧遮光膜或所述导电材料形成从侧方与所述沟道区域相对的壁。
根据该方式，通过贯通沟将上侧遮光膜和下侧遮光膜良好地电气地相互连接。而且，通过在对应于伸出部轮廓的截面形状的贯通沟内由上侧遮光膜或遮光性的导电材料形成的壁，可将沟道区域和其相邻区域从它们的侧方局部地更宽范围地包围。这样的贯通沟的截面形状例如与伸出部的轮廓大致相同，仅小一圈也可以，或者仅大一圈也可以。这里，越大地形成贯通沟，大致地越提高其遮光性能。
在本实用新型第1电光装置的另一方式中，对于所述交叉区域的各个区域，在其四个角部都设置有所述伸出部；在该四个角部的各个角部中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜相互连接。
根据该方式，通过在设置于伸出部的接触孔、贯通沟等内配置的上侧遮光膜或遮光性导电材料，可将沟道区域和其相邻区域从它们的四周包围，可靠地提高遮光性能。
为了解决上述课题，本实用新型的第2电光装置在基板上(above)具备：像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域的上侧遮光膜；以及从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的下侧遮光膜；其中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜分别在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内；所述扫描线由所述下侧遮光膜构成；所述下侧遮光膜在所述伸出部中通过遮光性的导电材料连接到所述薄膜晶体管的栅极电极膜或直接连接到所述薄膜晶体管的栅极电极膜。
根据本实用新型第2电光装置，与上述第1电光装置的情况同样地进行有源矩阵驱动方式的驱动。而且，因为构成薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域和其相邻区域，通过上侧遮光膜被从其上侧覆盖，所以基本上可阻止相对基板面来自上方的入射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。而且，因为通过下侧遮光膜从其下侧进行覆盖，所以基本上可阻止相对基板面来自下方的返回光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
这里特别是上侧遮光膜和下侧遮光膜分别在数据线和扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在各像素的开口区域中规定切角。之后，将沟道区域配置在具有这样的切角的交叉区域内。因此，通过分别具有伸出部的上侧遮光膜和下侧遮光膜，可有效阻止入射光、返回光及基于它们的内面反射光和多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
进而，根据本实用新型，扫描线由下侧遮光膜构成，而且该下侧遮光膜在伸出部中通过遮光性的导电材料连接到栅电极膜或直接连接到栅电极膜。因此，配置于交叉区域内的沟道区域和其相邻区域从它们的侧方被下侧遮光膜和栅电极膜的相互连接部分局部地包围。即，通过这样从侧方包围、相互连接的部分，显著提高对于从侧方倾斜比较大地斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此外，通过将下侧遮光膜用于扫描线，可简化基板上的层积结构和制造工序。
这些结果，可提高各像素的开口率，同时通过将沟道区域和其相邻区域用上侧遮光膜和下侧遮光膜从上到下包围并且由上侧遮光膜和下侧遮光膜相互连接的部分从左右包围的立体遮光，可有效地降低薄膜晶体管中的光漏泄电流的产生、偏差等引起的显示不匀或闪烁等，最终可显示明亮的高质量的图像。
在本实用新型第2电光装置的一种方式中，所述上侧遮光膜和所述栅极电极膜通过接触孔相互连接；在该接触孔内，形成所述栅极电极膜或者由所述遮光性的导电材料形成栓塞。
根据该方式，可以通过接触孔将下侧遮光膜和栅电极膜良好地相互电连接。而且，通过在设置于伸出部的接触孔内配置的栅电极膜或构成栓塞的遮光性的导电材料，可以将沟道区域和其相邻区域从它们的侧方局部地包围。
在本实用新型第2电光装置的另一方式中，所述下侧遮光膜和所述栅极电极膜通过对应于所述伸出部的轮廓的截面形状的贯通沟相互连接，在该贯通沟内，由所述栅极电极膜或者所述遮光性的导电材料形成从侧方与所述沟道区域相对的壁。
根据该方式，可以通过贯通沟将下侧遮光膜和栅电极膜良好地相互电连接。而且，在对应于伸出部轮廓的截面形状的贯通沟内通过由栅电极膜或遮光性的导电材料形成的壁，可以将沟道区域和其相邻区域从它们的侧方局部地更宽范围地包围。
在本实用新型第2电光装置的另一方式中，对于所述交叉区域的各个区域，在其四个角部都设置有所述伸出部；在该四个角部的各个角部中，所述下侧遮光膜和所述栅极电极膜相互连接。
根据该方式，通过在伸出部中设置的接触孔、贯通沟等内配置的栅电极膜或遮光性的导电材料，可将沟道区域和其相邻区域从它们的四周包围起来，可靠地提高遮光性能。
在本实用新型第2电光装置的另一方式中，所述栅极电极膜沿所述扫描线延长的同时，由形成所述扫描线的冗余配线的另一扫描线的一部分构成。
根据该方式，通过由遮光膜构成的扫描线和包含栅电极膜的另一扫描线构成的冗余结构，可实现扫描线的低电阻化。进而，在扫描线部分断线等情况下，也可以有效地阻止将其作为缺陷而表面化。
在本实用新型第1或第2电光装置的另一方式中，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。
在该方式中，沟道区域被配置在交叉区域的中央，特别是仅仅存在切角的部分，从光通过的各像素的开口区域分离。因此，可高效率地提高对于沟道区域的遮光性能。再有，‘配置在交叉区域的中央’意味着除了在交叉区域中的重心等中心点上与沟道区域的中心点一致的情况以外，还包含沟道区域位于交叉区域内距其边缘多少靠近其中心点侧的情况。
在本实用新型第1或第2电光装置的另一方式中，进一步具备电气连接到所述像素电极的存储电容；所述上侧遮光膜兼作构成所述存储电容的固定电位侧电容电极或包含该固定电位侧电容电极的电容线。
根据该方式，通过存储电容，可将经由薄膜晶体管写入到像素电极的电位与其写入时间相比长期地持续维持。而且，特别是因为上侧遮光膜兼作构成存储电容的固定电位侧电容电极或电容线，所以与分别制作两者的情况比较，可简化基板上的层积结构和制造方法。这样的上侧遮光膜，由金属膜、合金膜、金属硅化物膜等导电性的遮光膜构成即可。
但是，在本实用新型中制作存储电容时，上侧遮光膜也可以兼作存储电容的像素电位侧电容电极。或者，也可以由导电性的遮光膜构成固定电位侧电容电极和像素电位侧电容电极两者。此外，基板上的这些两电容电极的上下配置，哪个在上在下都没关系。
在本实用新型第1或第2电光装置的另一方式中，所述伸出部形成在从所述数据线离开的平面区域；所述存储电容也形成在与所述数据线重叠的平面区域。
根据该方式，因为避开进行上侧遮光膜和下侧遮光膜相互连接的伸出部，有效利用数据线的下面制作存储电容，所以实现在有限的遮光区域内增大存储电容。
在本实用新型第1或第2电光装置的另一方式中，所述上侧遮光膜的伸出部比所述下侧遮光膜的伸出部大一圈。
根据该方式，可以有效地防止比普通返回光强的入射光，穿过上侧遮光膜的旁边，由下侧遮光膜的表面反射，产生内面反射光的情况。
为了解决上述课题，本实用新型第3电光装置在基板上具备：像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；以及从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域，同时至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域的上侧遮光膜；其中，所述上侧遮光膜在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
根据本实用新型第3电光装置，在其工作时，例如通过数据线向薄膜晶体管的源极供给图像信号，通过扫描线向薄膜晶体管的栅极供给扫描信号。于是，例如通过薄膜晶体管来开关控制连接到薄膜晶体管的漏极上的像素电极，进行有源矩阵驱动方式的驱动。而且，因为构成薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域和其相邻区域通过上侧遮光膜被从其上侧覆盖，所以基本可以阻止相对基板面来自上方的入射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
这里，特别是上侧遮光膜在数据线和扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在各像素的开口区域中规定切角。例如，如果以四角形的开口区域为基准，则形成一至四个切角，可规定五角形至八角形的开口区域。然后，将沟道区域配置在有这样的切角的交叉区域内。因此，与不存在这样的伸出部的情况相比，通过具有伸出部的上侧遮光膜，可以有效地阻止相对于基板面从上方垂直或倾斜行进的强的入射光和基于该光的内面反射光及多重反射光等入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
此外，这样的上侧遮光膜至少部分地规定格子状的遮光区域，通过该上侧遮光膜，可以高精度地规定各像素的非开口区域。
这些的结果，可提高各像素的开口率，同时可有效地降低薄膜晶体管中的光漏泄电流的产生、偏差等引起的显示不匀或闪烁等，最终可显示明亮的高质量的图像。
在本实用新型第3电光装置的一种方式中，所述像素电极对应于所述切角具有失去角部的平面形状。
根据该方式，对像素电极也实施切角，其平面形状例如为五边形至八边形。但是，这种电光装置中的像素电极一般例如通过对ITO(Indium TinOxide)膜进行图案形成而形成。因此，由于多少发生图案形成时抗蚀剂残留引起的膜残留，所以在相邻的像素电极间，优选地采用某种程度的间隙。这是因为在相邻接的像素电极间不发生电气短路。之后，这样的膜残留在基底上容易发生段差或凹凸大的区域等。可是，在这种电光装置中基底上段差或凹凸大的区域无非是扫描线和数据线两者叠层的交叉区域。因此，在该方式中，为了在容易产生膜残留的交叉区域中根本性地减少局部膜残留，形成具有取掉对应于该区域内的角的平面形状的像素电极。即，如果是这样的平面形状，在图案形成时，难以发生像素电极间的短路。由此，可使沿从交叉区域离开的数据线的遮光区域部分内、沿扫描线的遮光区域部分内的相邻接的像素电极的间隙变窄而不在两者间引起短路。因此，通过使像素电极间的间隙变窄而不降低良品率，实现像素间距的微细化，可以促进作为本技术领域中基本要求的显示图像的高清晰化。
在本实用新型第3电光装置的另一方式中，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。
在该方式中，沟道区域被配置在交叉区域的中央，特别是仅在存在切角的程度，从光通过的各像素区域分离。因此，可高效率地提高对于沟道区域的遮光性能。再有，‘配置在交叉区域的中央’意味着除了在交叉区域中的重心等中心点上与沟道区域的中心点一致的情况以外，还包含沟道区域位于交叉区域内距其边缘多少靠近其中心点一侧的情况。
在本实用新型第3电光装置的另一方式中，进一步具备电气连接到所述像素电极的存储电容；所述上侧遮光膜兼作构成所述存储电容的固定电位侧电容电极或者包含该固定电位侧电容电极的电容线。
根据该方式，通过存储电容可将经由薄膜晶体管写入像素电极的电位与其写入时间相比长期地维持。之后，特别是因为上侧遮光膜兼作构成存储电容的固定电位侧电容电极或电容线，所以与分别制作两者的情况比较，可简化基板上的层积结构和制造方法。这样的上侧遮光膜，由金属膜、合金膜、金属硅化物膜等导电性的遮光膜构成即可。
但是，在本实用新型中制作存储电容时，上侧遮光膜也可以兼作存储电容的像素电位侧电容电极。或者，也可以由导电性的遮光膜构成固定电位侧电容电极和像素电位侧电容电极两者。此外，基板上的这些两电容电极的上下配置，哪个在上在下都没关系。
或者在本实用新型第3电光装置的另一方式中，进一步具备电气连接到所述像素电极的存储电容；所述存储电容形成在所述遮光区域内，还形成在与所述伸出部重叠的区域。
根据该方式，因为还有效利用各像素的开口区域一侧伸出来的伸出区域的下面来形成存储电容，所以可在有限的遮光区域内增大存储电容。
在本实用新型第3电光装置的另一方式中，进一步具备从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的同时至少部分地规定所述格子状的遮光区域的下侧遮光膜。
根据该方式，因为构成薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域和其相邻区域，由下侧遮光膜被从其下侧覆盖，所以可基本上阻止对基板面来自下方的返回光和因该光引起的内面反射光后多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。这里，‘返回光’例如指基板的里面反射、以及从作为光阀使用多个该电光装置的多板式投影机中的另一光阀射出的穿过合成光学系统的光等的，在与入射光相反方向上返回的、无助于显示的光。
此外，这样的下侧遮光膜至少部分地规定格子状的遮光区域，通过同一基板上形成的上侧遮光膜和下侧遮光膜，可高精度地规定各像素的非开口区域。
在本实用新型第3电光装置的另一方式中，所述下侧遮光膜在所述交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而规定所述切角。
根据该方式，与上侧遮光膜同样，下侧遮光膜在交叉区域中有规定切角的伸出部。因此，与不存在这样的伸出部的情况相比，通过具有伸出部的下侧遮光膜，可有效地阻止对基板面从下方垂直或倾斜行进的返回光和基于它的内面反射光和多重反射光等入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
在该方式中，可以构成为所述下侧遮光膜的平面形状与所述上侧遮光膜的平面形状相比，在所述交叉区域中小一圈。
根据这样的结构，可有效地防止比普通返回光强的入射光，穿过上侧遮光膜的旁边，由下侧遮光膜的表面反射，产生内面反射光的情况。
为了解决上述课题，本实用新型第4电光装置在基板上具备：像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；以及从下侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域，同时至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域的下侧遮光膜；其中，所述下侧遮光膜在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
根据本实用新型第4电光装置，下侧遮光膜在交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在各像素的开口区域中规定切角。因此，与不存在这样的伸出部的情况相比，通过具有伸出部的下侧遮光膜，可有效地阻止对基板面从下方垂直或倾斜行进的返回光和基于该光的内面反射光及多重反射光等入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。
此外，这样的下侧遮光膜至少部分地规定格子状的遮光区域，通过该下侧遮光膜，可高精度地规定各像素的非开口区域。
这些的结果，可提高各像素的开口率，同时可有效地降低由薄膜晶体管中的光漏泄电流的产生、偏差等引起的显示不匀或闪烁，最终显示明亮的高质量的图像。
在本实用新型第4电光装置的一种方式中，所述下侧遮光膜由遮光性的导电膜构成的同时与所述扫描线多处连接并且沿所述扫描线延长，具有作为所述扫描线的冗余配线的功能。
根据该方式，因为由导电性的遮光膜构成的下侧遮光膜具有作为扫描线的冗余配线的功能，所以可实现扫描线的低电阻化，换句话说，可缩小扫描线的形成区域或沿扫描线的遮光区域部分的宽度。因此，可进行更明亮的高质量的图像显示。
在本实用新型第1、第2、第3或第4电光装置的另一方式中，进一步具备通过电光学物质层与所述基板相对配置的对置基板；所述开口区域的四角中，至少在所述电光学物质层的工作不良相对大的一个或多个角中，设置有所述伸出部。
根据该方式，例如液晶层的定向不良那样，对于电光学物质层的工作不良大的角，规定切角。因此，例如在液晶层的定向不良由于与摩擦方向的关系不均等地发生在四角上的情况那样，在工作不良不均等地发生在四角上时，可积极地隐藏该工作不良的区域。因此，通过防止各开口区域的角的光透过等，可有效地提高对比度。同时，因为对于工作不良小的角，进行正常工作或接近正常的工作，所以通过不隐藏该部分而作为开口区域的一部分利用，可抑制因存在伸出部造成的各像素的开口率的下降。
再有，对于一个开口区域，按照工作不良的发生部位和程度，这样的伸出部可设置一个，也可以设置两个或三个。
本实用新型的第1、第2、第3、或第4电光装置的另一方式中，所述像素电极包含在第1周期用于反转驱动的第1像素电极组和在与该第1周期互补的第2周期用于反转驱动的第2像素电极组的同时被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被设置在以所述交叉区域的中央为基准位于所述第1像素电极组一侧的两个角，或位于所述第2像素电极组一侧的两个角上。
根据该方式，在其工作时，存在(i)在反转驱动时，在各时刻以相互相反极性的驱动电压驱动的相邻接的像素电极，以及(ii)在反转驱动时，在各时刻中相互地以相同极性的驱动电压驱动的相邻接的像素电极这两者。如果是例如采用以场单位每行地使驱动电压的极性反转的1H反转驱动方式、以场单位每列地使驱动电压的极性反转的1H反转驱动方式等的反转驱动方式的矩阵驱动型的液晶装置等的第1或第2电光装置，则存在这两者。因此，在属于不同像素电极组的相邻接的像素电极之间，产生横电场。可是，在本方式中，以交叉区域的中央为基准，在位于第1像素电极组一侧的两角或位于第2像素电极组一侧的两角上设置切角。因此，可以由伸出部遮光交叉区域附近的产生横电场的区域，有效地防止横电场造成的不良影响表面化或明显化。这些的结果，可以以高对比度进行明亮的高质量的图像显示。
在本实用新型第1、第2、第3、或第4电光装置的另一方式中，在所述开口区域的四个角分别设置上下左右对称的伸出部。
根据该方式，在开口区域的四角分别设置上下左右对称的伸出部，各像素的开口区域的平面形状与不存在伸出部的情况相比，接近圆形或多边形。其结果，使用接近圆形或多边形的平面形状的开口区域，也可进行减低了各开口区域内光透过区域、工作不良区域等良好的图像显示。特别是在使用圆形或接近圆形的微透镜时，如果采用这样的结构，因为使适当聚光的入射光通过开口区域通过的同时可以遮光没有适当聚光的入射光，所以是十分有效的。
在本实用新型第1、第2、第3、或第4电光装置的另一方式中，在所述基板或与所述基板相对配置的对置基板上，还具备与所述像素电极相对配置的微透镜。
根据该方式，入射光通过微透镜被导入到靠各像素的开口区域的中央。这里，特别是由微透镜适当聚光的有助于显示的入射光应当几乎不到达交叉区域中规定切角的上侧遮光膜的伸出部。因此，通过伸出部，因为可以遮光没有被微透镜适当聚光的光分量，所以维持亮度的同时实现图像质量提高。
再有，上述本实用新型的第1或第2电光装置，例如，可构筑为液晶装置，也可构筑为EL显示装置。
在本实用新型第1或第2电光装置的另一方式中，所述上侧遮光膜至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域。
根据该方式，通过上侧遮光膜，可以高精度规定各像素的非开口区域。特别是与通过对置基板一侧的遮光膜来规定非开口区域的情况相比，因为阻止因两基板贴合时的组装偏移的影响而降低开口率，进而，可以接近薄膜晶体管对其遮光，所以是非常有利的。
再有，也可以构成为通过下侧遮光膜，至少部分地规定沿数据线和扫描线的格子状的遮光区域。
在本实用新型第3或第4电光装置的另一方式中，在平面地看重叠于所述伸出部的区域中，配置所述薄膜晶体管的漏电极。
根据该方式，利用平面地看重叠在所述伸出部的遮光区域，可以设置薄膜晶体管的漏电极，通过漏电极的存在，可构成为不缩小各像素的开口区域。
再有，上述本实用新型的电光装置，例如可构筑为液晶装置，也可以构筑为EL显示装置。
为了解决上述课题，本实用新型的电子设备包括上述本实用新型第1、第2、第3、或第4电光装置(其中，也包括其各种方式)。
因为本实用新型的电子设备具备上述本实用新型第1、第2、第3、或第4电光装置，所以可实现能够进行明亮高质量的图像显示的投射型显示装置、液晶电视、便携电话、电子笔记薄、文字处理机、取景器型或监视直视型的录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。
本实用新型的这样的作用和其他优点从以下说明的实施方式中将变得明显。
附图说明
图1是表示在构成本实用新型实施方式的电光装置中的图像显示区域的矩阵状的多个像素中设置的各种元件、配线等的等效电路的示意图。
图2是形成有第1实施方式的电光装置中的数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图。
图3是图2的A-A’剖面图。
图4是图2的B-B’剖面图。
图5是形成有第2实施方式的电光装置中的数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的平面图。
图6是图5的B-B’剖面图。
图7是第3实施方式的电光装置中的对应于图2的B-B’断面的部位的剖面图。
图8是形成有实施方式的电光装置中的数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图。
图9是图8的A-A’剖面图。
图10是选取表示比较例中的像素电极的平面图案的局部平面图。
图11是选取表示实施方式中的像素电极的平面图案的局部平面图。
图12是表示在实施方式中可采用的像素电极的平面图案的变形方式的局部平面图。
图13是表示在实施方式中可采用的像素电极的平面图案的变形方式的局部平面图。
图14是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图15是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图16是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图17是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图18是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图19是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图20是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图21是表示在实施方式中可采用的对置基板一侧的遮光膜的平面图案的变形方式的局部平面图。
图22从对置基板一侧看实施方式的电光装置中TFT阵列基板和在其上形成的各构成要件的平面图。
图23是图22的H-H’剖面图。
图24是表示作为本实用新型的电子设备实施方式一例的彩色液晶投影机的图式剖面图。
具体实施方式
以下，根据附图来说明本实用新型的实施方式。以下的实施方式是将本实用新型的电光装置应用于液晶装置的方式。
第1实施方式
首先，参照图1至图4来说明本实用新型的电光装置的像素部的结构。图1是在构成电光装置中的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中的各种元件、配线的等效电路。图2是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图。图3是图2的A-A’剖面图，图4是图2的B-B’剖面图。再有，在图3和图4中，为了将各层和各部件在图面上设置为可识别程度的大小，对各层和各部件的每一个采用不同的比例尺。
在图1中，在构成本实施方式的电光装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，将供给图像信号的数据线6a电连接到该TFT30的源极。写入数据线6a的图像信号S1、S2、…、Sn可以依次按线顺序地供给，也可以对于相邻接的多个数据线6a之间，供给每个组。此外，将扫描线3a电连接到TFT30的栅极，构成为以规定的定时对扫描线3a依次线顺序地施加脉冲扫描信号G1、G2、…、Gm。将像素电极9a电连接到TFT30的漏极，通过使作为开关元件的TFT30仅在一定时间关闭其开关，以规定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、…、Sn。通过像素电极9a写入到作为电光学物质一例的液晶上的规定电平的图像信号S1、S2、…、Sn在与对置基板(将后述)上形成的对置电极(将后述)之间保持一定时间。液晶通过因施加的电压电平而变化分子集合的取向、次序等，对光进行调制，可以进行色调显示。如果是常白模式，则按照在像素单位施加的电压来减少对入射光的透过率，如果是常黑模式，则按照在各像素单位施加的电压来增加对入射光的透过率，作为整体，从电光装置射出具有对应于图像信号的对比度的光。这里，为了防止保持的图像信号漏泄，与在像素电极9a和对置电极之间形成的液晶电容并联地附加存储电容70。使存储电容70形成在TFT30的漏极区域和电容线300之间。
在图2中，在电光装置的TFT阵列基板上，矩阵状地设置多个透明的像素电极9a(通过虚线部9a’来表示其轮廓)，分别沿像素电极9a的纵横边界设置数据线6a和扫描线3a。
在半导体层1a中配置扫描线3a使得对置于图中右上的细斜线区域所示的沟道区域1a′，扫描线3a具有作为栅电极的功能。特别是在本实施方式中，扫描线3a宽幅度地形成在成为该栅电极的部分中。这样，分别在扫描线3a和数据线6a的交叉的部位，设置在沟道区域1a′中将扫描线3a作为栅电极相对配置的像素开关用TFT30。
如图2和图3所示，电容线300形成在扫描线3a上。电容线300包含平面地看沿扫描线3a条状延伸的本线部、以及从扫描线3a和数据线6a的交点的该本线部沿数据线6a在图2中上下突出的突出部。
电容线300，例如由包含金属或合金的导电性的遮光膜构成，构成上侧遮光膜的一例的同时具有作为固定电位侧电容电极的功能。电容线300，例如由包含Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种的，金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、层积它们的物质等构成。电容线300也可以包含Al(铝)、Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)等其他金属。或者，电容线300，例如也可以具有层积了导电性的多晶硅膜等构成的第1膜和由包含高熔点金属的金属硅化物膜等构成的第2膜的多层结构。
另一方面，相对于电容线300，通过电介质膜75相对配置的中继层71具有作为存储电容70的像素电位侧电容电极的功能，而且，具有将像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e作为中继连接的中间导电层的功能。
这样，在本实施方式中，通过将连接到TFT30的高浓度漏极区域1e和像素电极9a的作为像素电位侧电容电极的中继层71、以及作为固定电位侧电容电极的电容线300的一部分，以电介质膜75介于中间相对配置，从而构筑存储电容70。
之后，通过将图2中纵方向上分别伸展的数据线6a和图2中横方向上分别伸展的电容线300相交叉形成，在TFT阵列基板10上的TFT30的上侧，构成平面地看格子状的上侧遮光膜，规定各像素的开口区域。
另一方面，在TFT阵列基板10上的TFT30的下侧，格子状地设置下侧遮光膜11a。有关下侧遮光膜11a，也与电容线300同样，由各种金属膜等形成。
特别在本实施方式中，电容线300，在这样的格子状的遮光区域中扫描线3a和数据线6a进行交叉的交叉区域中，具有在各像素的开口区域中规定切角的伸出部401。而且，对应于规定这样的切角的伸出部401，下侧遮光膜11a在该交叉区域中也具有规定各像素开口区域中切角的伸出部411。有关这样的伸出部401和411的结构和作用效果，后面将参照图4详细论述。
另外在图3中，在作为电容电极的中继层71和电容线300之间配置的电介质膜75，例如由膜厚5～200nm左右的比较薄的HTO膜、LTO膜等的氧化硅膜、或氮化硅膜等构成。从增大存储电容70的观点来看，在可充分获得膜的可靠性的限制中，电介质膜75越薄越好。
如图2和图3所示，像素电极9a，通过中继层71进行中继，经由接触孔83和85被电连接到半导体层1a中高浓度漏极区域1e。这样，如果将中继层71用作中继层，则即使层间距离例如增长到2000nm左右，也可以避免用一个接触孔连接两者间的技术上的困难性，并且可用直径比较小的两个以上的串联的接触孔对两者间良好地进行连接，可提高像素开口率，还起到防止接触孔开孔时的蚀刻穿透的作用。
另一方面，数据线6a，通过接触孔81，例如电连接到由多晶硅膜构成的半导体层1a中高浓度源极区域1d。再有，也可以通过中继层对数据线6a和高浓度源极区域1a进行中继连接。
电容线300从配置有像素电极9a的图像显示区域向其周围延伸设置，通过与恒定电位源电连接而设为固定电位。作为这样的恒定电位源，可以是向将用于驱动TFT30的扫描信号供给扫描线3a的扫描线驱动电路(将后述)、控制将图像信号供给数据线6a的采样电路的数据线驱动电路(将后述)提供正电源、负电源的恒定电位源，也可以是向对置基板20的对置电极21提供的恒定电位。
特别是在本实施方式中，这样构成的电容线300和下侧遮光膜11a，通过接触孔601被相互连接，下侧遮光膜11a具有作为电容线300的冗余配线的功能。由此，可以实现电容线300的低电阻化，还可阻止电容线300的局部断线、不良等造成装置整体的不良化。有关这样的接触孔601的结构和作用效果，后面将参照图4详细论述。
此外，通过与电容线300连接，使下侧遮光膜11a下降至固定电位。因此，还可避免下侧遮光膜11a的电位变动对TFT30产生不良影响。
在图2和图3中，电光装置具备透明的TFT阵列基板10、以及与其相对配置的透明的对置基板20。TFT阵列基板10，例如由石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对置基板20，例如由玻璃基板、石英基板等构成。
如图3所示，在TFT阵列基板10，设置像素电极9a，在其上侧设置实施了摩擦处理等规定的取向(定向)处理的取向膜16。像素电极9a例如由ITO(Indium Tin Oxide；氧化铟锡)膜等透明导电性膜构成。而取向膜16例如由聚酰亚胺膜等有机膜构成。
另一方面，在对置基板20中，在遍及其整个面上设置对置电极21，在其下侧设置实施了摩擦处理等规定的定向处理的取向膜22。对置电极21例如由ITO膜等透明导电性膜构成。而取向膜22由聚酰亚胺膜等有机膜构成。
在使这样构成的像素电极9a和对置电极21面对配置的TFT阵列基板10和对置基板20之间，在由后述的密封材料包围的空间中封入作为电光学物质一例的液晶，形成液晶层50。液晶层50，在不施加来自像素电极9a的电场的状态下，由取向膜16和22取得规定的取向状态。液晶层50，例如由混合了一种或多种向列式液晶的液晶构成。密封材料是用于使TFT阵列基板10和对置基板20在其周边贴合在一起的，例如由光固化性树脂、热固化性树脂等构成的粘结剂，混入有用于使两基板间的距离成为固定值的玻璃纤维或玻璃小珠等间隔材料。
而且，在像素开关用TFT30的下面，设置有基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了从下侧遮光膜11a对TFT30进行层间绝缘的功能以外，还具有通过形成在TFT阵列基板10的整个面上，防止TFT阵列基板10的表面研磨时的破裂、以及因清洗后残留的污物等而改变像素开关用TFT30特性的功能。
在图3中，像素开关用TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain；轻掺杂漏极)结构，具备扫描线3a、由来自该扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a′、包含将扫描线3a与半导体层1a绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2、半导体层1a的低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c、半导体层1a的高浓度源极区域1d以及高浓度漏极区域1e。
在扫描线3a上，形成有分别开孔了通向高浓度源极区域1d的接触孔81和通向高浓度漏极区域1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41上形成中继层71和电容线300，在它们之上，形成有分别开孔了接触孔81和接触孔85的第2层间绝缘膜42。
在第2层间绝缘膜42上形成数据线6a，在它们之上，形成有形成了通向中继层71的接触孔85的第3层间绝缘膜43。将像素电极9a设置在这样构成的第3层间绝缘膜43的上面。
这里，参照图4，说明电容线300的伸出部401和下侧遮光膜11a的411及接触孔601的结构。
在图4中，伸出部401和伸出部411，通过接触孔601被相互连接。而且，在接触孔601内，与伸出部401相同由构成电容线300的上述遮光性的各种金属材料等填充。因此，如图2和图4所示，沟道区域1a′和其相邻区域，通过由遮光性材料填充的接触孔601，构筑成被从侧方四周包围的结构。同时，沟道区域1a′和其相邻区域，通过包含伸出部401的电容线300和包含伸出部411的遮光膜11a，构筑为被从上下包围的结构。
根据以上参照图1至图4说明的本实施方式，沟道区域1a′和其相邻区域(即图2和图3所示的低浓度源极区域1b及低浓度漏极区域1c)，从上侧被作为上侧遮光膜的电容线300和数据线6a覆盖。因此，通过作为上侧遮光膜的电容线300和数据线6a，可以提高对于来自垂直于TFT阵列基板10的方向的入射光的遮光。另一方面，沟道区域1a′和其相邻区域从下侧由下侧遮光膜11a覆盖。因此，通过下侧遮光膜11a，可以提高对于TFT阵列基板10的里面反射光、将多个电光装置用作光阀的多板式的投影机中的从其他电光装置射出的穿过合成光学系统的光等的返回光的遮光。
这里，入射光包含对TFT阵列基板10从倾斜方向入射的斜射光。例如，存在包含10％左右入射角从垂直偏移至10度～15度的分量的情况。而且，这样的斜射光被形成在TFT阵列基板10上的下侧遮光膜11a的上面反射，在该电光装置内，生成斜射的内面反射光。并且，这样的斜射内面反射光被该电光装置内的另一界面反射，生成斜射的多重反射光。特别是入射光与返回光相比强很多，基于这样的入射光的斜射的内面反射光和多重反射光也是强的。此外，对于返回光来说，包含从倾斜方向入射的光，也产生基于该光的内面反射光和多重反射光。
可是，特别是在本实施方式中，电容线300，在交叉区域中具有在各像素的开口区域中规定切角的伸出部401(参照图2)。同样，下侧遮光膜11a在交叉区域中具有在各像素开口区域中规定切角的伸出部411(参照图2)。而且，沟道区域1a′被配置在交叉区域内的中央，从入射光通过或返回光入射的各像素的开口区域分离仅仅切角存在的程度。因此，因存在伸出部401和411，使对于沟道区域1a′和其相邻区域的遮光性能得到极大提高。即，与不存在伸出部401和411的情况相比，可以有效地阻止倾斜行进的强的入射光、返回光等、进而基于它们的内面反射光和多重反射光等入射到沟道区域1a′和其相邻区域。
而且，特别是本实施方式中，如图2和图4所示，沟道区域1a′和其相邻区域，通过用遮光性材料填充的接触孔601被从侧方包围。因此，通过由遮光性导电材料填充的接触孔601，可显著提高对从侧方倾斜比较大地倾斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此时优选地，上侧伸出部401比下侧伸出部411大一圈。由此，可以有效防止比普通返回光强大的入射光穿过上侧伸出部401旁边儿并由下侧伸出部411的内面反射，发生内面反射光的情况。
此外，在本实施方式中，特别是通过将下侧遮光膜11a用作电容线300的冗余配线，实现电容线300的低电阻化。
根据以上参照图1至图4说明的本实施方式，通过晶体管特性优良的像素开关用TFT30，降低显示不匀、闪烁等，实现可进行明亮高清晰或高质量的图像显示的电光装置。
再有，如图4所示，在本实施方式中，虽然接触孔601由与作为上侧遮光膜的电容线300相同的材料来填充，但也可以由其他遮光性的导电材料在接触孔601内形成栓塞。
此外，在本实施方式中，如图2所示，在开口区域的四角上分别设置有上下左右对称的伸出部401和411。因此，各像素的开口区域的平面形状，与不存在伸出部401和411的情况比较，接近圆形或多边形。因此，对于TFT30，可以进行对四方采取平衡的遮光，可进行在各开口区域内降低漏光区域、工作不良区域的良好的图像显示。
特别是在将各开口区域的入射光主要聚光成圆形的微透镜设置在该电光装置的对置基板20一侧或TFT阵列基板10一侧时，按照与聚光的光形状的关系，这样对四角进行切角并使各像素的开口区域接近圆形的方式是有利的。更具体地说，如果设置微透镜，则入射光通过微透镜被导入到大致各像素的开口区域的中央。这里，因为由微透镜适当聚光的有助于显示的入射光被聚光，所以几乎不到达伸出部401和411。因此，通过伸出部401和411，可以对没有被微透镜适当聚光的光分量进行遮光。特别是阵列状相邻接的微透镜的边界中相对交叉区域的部分在透镜的性质上聚光特性差。因此，在交叉区域附近存在局部地使遮光区域增加的伸出部401和411，对通过聚光特性差的微透镜部分的光进行遮光，换句话说，从隐藏聚光特性差的微透镜部分的意义来看，也有重要意义。
但是，在本实施方式中，在各像素的开口区域的四角中，也可以对一个、两个或三个角设置伸出部。而且，在本实施方式中，在四角中，也可以对一个、两个或三个角设置接触孔。即使是任何一种情况，与没有设置任何伸出部或没有设置任何接触孔的情况比较，可以期待相应的遮光性能的提高。
特别地，也可以不这样在所有四角上设置伸出部401和411，而在四角中液晶层50的定向不良相对大的一个或多个角上，设置伸出部401、伸出部411等。例如，也可以仅对于在液晶层50的定向不良按照取向膜16和22与摩擦方向的关系成为最显著的角，设置这样的伸出部401、伸出部411等。由此，可以抑制非开口区域过度地扩宽的同时通过隐藏液晶层50的定向不良，可以有效地提高对比度。
再有，例如在采用每行地以场单位使驱动电压的极性反转的1H反转驱动方式、每列地以场单位使驱动电压的极性反转的1S反转驱动方式等的反转驱动方式的情况下，在属于不同的像素电极组的相邻接的像素电极(即施加相反极性的电位的相邻接的像素电极)之间，产生横电场。这样的情况下，不在各像素的所有四角上设置伸出部401和411，而在交叉区域附近的产生横电场的区域中设置伸出部，通过用这些伸出部进行遮光，也可以防止横电场造成的不良影响表面化或明显化。
在以上说明的实施方式中，如图3和图4所示，也可以在对置基板20一侧，在各像素的开口区域以外的区域中格子状或条状地形成遮光膜23。通过采用这样的结构，与上述那样构成上侧遮光膜的电容线300和数据线6a一同通过该对置基板20一侧的遮光膜23，可以更可靠地阻止来自对置基板20一侧的入射光侵入到沟道区域1a′和其相邻区域。而且，对置基板侧的遮光膜23，通过将至少被入射光照射的面用高反射的膜形成，具有防止电光装置的温度上升的作用。再有，这样的对置基板20侧的遮光膜，优选地，平面地看形成在位于由电容线300和数据线6a构成的遮光层的内侧。由此，通过对置基板20侧的遮光膜，获得这样的遮光和防止温度上升而不降低各像素的开口率的效果。
在以上说明的实施方式中，伸出部401和411形成在从数据线6a离开的平面区域中，存储电容70也形成在重叠于数据线6a的平面区域中。因此，有效利用了数据线6a的下面，实现存储电容70的增大。
在以上说明的实施方式中，通过在TFT阵列基板10中挖沟，或在基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42、第3层间绝缘膜43中挖沟，将数据线6a等配线、TFT30等埋入，对沿像素电极9a的基底面中的数据线6a、扫描线3a等的区域中产生的段差进行平坦化处理。或者，通过对第3层间绝缘膜43、第2层间绝缘膜42等的上面的段差用CMP(Chemical Mechanical Polishing；化学机械研磨)处理等进行研磨，或通过使用有机SOG(Spin On Glass)平坦地进行形成，也可以进行该平坦化处理。
再有，接触孔601，例如以直径1μm左右进行开孔就可以，所以通过存在其上侧的第2层间绝缘膜42和第3层间绝缘膜43，使接触孔601引起的段差在像素电极9a的基底面中几乎没有。
第2实施方式
下面参照图5和图6来说明本实用新型的第2实施方式。这里，图5是第2实施方式中形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图，图6是图5的B-B’剖面图。再有，在图6中，为了使各层、各部件等在图面上达到可识别程度的大小，对各层和各部件的每一个比例尺有所不同。
第2实施方式与上述第1实施方式相比，设置贯通沟602，取代接触孔601。其他结构与第1实施方式的情况相同。因此，在第2实施方式的图5和图6中，对于与图1至图4所示的第1实施方式情况相同的结构部件附以相同的参照标号，适当省略它们的说明。
在图5和图6中，第2实施方式的电光装置，具有对应于伸出部401和411轮廓的三角形截面形状的贯通沟602被挖掘至第1层间绝缘膜41和基底绝缘膜12。在其内部填充与作为上侧遮光膜的电容线300相同的材料，将电容线300和下侧遮光膜11a相互连接。特别是通过由该贯通沟602内填充的遮光性导电材料构成并且比接触孔601宽度宽的壁，来构筑从侧方的四周包围沟道区域1a′和其相邻区域的结构。
因此，根据第2实施方式，可通过贯通沟602良好地将电容线300和下侧遮光膜11a相互电连接。而且，通过具有对应于伸出部401和411轮廓的三角形截面形状的壁，可以将沟道区域1a′和其相邻区域从其侧方宽范围地包围。因此，与第1实施方式的情况相比，可进一步提高遮光性能。
再有，这样的贯通沟602的截面形状，例如可以是与伸出部401和411的轮廓大致相同或稍小一圈，或者也可以是稍大一圈。
再有，因为在贯通沟603的情况下，直径也比接触孔601大，例如以几μm左右的宽度挖掘，所以贯通沟602造成的段差有出现在像素电极9a的基底面上的危险。可是，通过将成为贯通沟602的基底的下侧遮光膜11a、基底绝缘膜12或基板10中的面对贯通沟602的区域隆起为凸部，可以缓和该贯通沟602的存在造成的段差。
第3实施方式
下面参照图7来说明本实用新型的第3实施方式。这里，图7是第3实施方式的对应于图2的B-B’截面的部位中的剖面图。再有，在图7中，为了使各层、各部件等在图面上达到可识别程度的大小，对各层和各部件的每个比例尺有所不同。
第3实施方式与上述第1实施方式相比，设置将扫描线3a′连接到下侧遮光膜11a′的接触孔603，取代将电容线300连接到下侧遮光膜11a的接触孔601。而且，下侧遮光膜11a′，其平面图案不是格子状，而构成为沿扫描线3a′的条状。关于其他结构，与第1实施方式相同。因此，在第3实施方式的图7中，对与图1至图4所示的第1实施方式情况相同的结构部件附以相同的参照标号，适当省略它们的说明。
在图7中，第3实施方式的电光装置具有接触孔603从其四周包围沟道区域1a′和其相邻区域的结构。而且，接触孔603被遮光性的导电材料堵塞。因此，通过接触孔603内填充的遮光性的导电材料，可提高对于沟道区域1a′和其相邻区域的遮光性能。
而且，沿扫描线3a′延长的条状的下侧遮光膜11a′，通过经由接触孔603被连接，还具有作为扫描线3a′的冗余配线功能。因此，可实现扫描线3a′的低电阻化。
再有，与第1实施方式的扫描线3a比较，扫描线3a′优选地，将其平面图案中的具有作为栅电极功能的宽幅部分大一圈地形成。由此，可确保设置有接触孔603的区域，可在四个角部没有问题地配置接触孔603。
在第3实施方式中，这样的扫描线3a′除了像素开关用TFT30中的具有作为栅电极膜功能的部分以外，也可除去。即，在该情况下，尽管损失冗余结构，但通过由下侧遮光膜11a′构成的扫描线，得到经由接触孔603向栅电极膜供给扫描信号的结构。
另外，扫描线3a′或栅电极膜也可以由遮光性的导电材料构成。根据这样的结构，即使不由遮光性的导电材料堵塞接触孔603，简单地通过在接触孔603内形成遮光性的扫描线3a′或栅电极膜，也可获得提高对来自上述侧方的光的遮光性能的结构。
此外，在第3实施方式中，也可以采用上述第2实施方式的宽幅的贯通沟来取代接触孔603。
第4实施方式
下面，参照图8至图11说明本实用新型的第4实施方式。这里，图8是形成有数据线、扫描线、像素电极的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的平面图。图9是图8的A-A剖面图。另外，图10是提取比较例的像素电极后，表示其平面图案的局部放大图，图11是提取实施方式的像素电极后，表示其平面图案的局部放大图，再有，在图9中，为了使各层、各部件等达到在图中可识别程度的大小，对各层和各部件的每个比例尺有所不同。
第4实施方式与上述第1实施方式相比，除了在各像素的开口区域中规定切角的伸出部401和伸出部411以外，还设置有伸出部402。而且，设置切角部403，以对应于伸出部402。没有设置接触孔601。其他结构与第1实施方式的情况相同。因此，在第4实施方式的图8至图11中，对与图1至图4所示的第1实施方式情况相同的结构部件附以相同的参照标号，并适当省略它们的说明。
在本实施方式中，特别是中继层71具有伸出部402，使得对置于规定这样的切角的伸出部401也形成电容。进而，有关这样的伸出部401、402及411的结构及作用效果，后面将详述。
电容线300与第1实施方式的情况同样，被设为固定电位。对于下侧遮光膜11a′为了避免其电位变动对TFT30产生不良影响，与电容线300同样，最好从图像显示区域延伸到其周围并连接到恒定电位源。
在本实施方式中，特别是像素电极9a的平面图案不是单一的四边形，而对应于各像素的开口区域的切角，具有四边形的各角被去掉的形状。即，在图9中，具有切角部403，从而对应于电容线300的伸出部401和中继层71的伸出部402。有关像素电极9a的这样的结构及作用效果，后面将参照图10及图11进行详述。
在本实施方式中，在对置基板20，在各像素的开口区域以外的区域中格子状或条状地形成遮光膜23。通过采用这样的结构，如上所述，通过构成上侧遮光膜的电容线300和数据线6a以及其遮光膜23，可以更可靠地阻止来自对置基板20侧的入射光侵入沟道区域1a′和其相邻区域。有关形成在这样的对置基板20上的遮光膜23的平面图案的各种变形方式，将参照图14至图21后述。此外，有关这样的遮光膜23的材料，可以与电容线300同样由各种金属膜等形成，也可以由树脂形成。
再有，在本实施方式中，虽然电容线300具有伸出部401并且下侧遮光膜11a有伸出部411，但也可以仅有其中一方的伸出部。这种情况下，与没有设置任何伸出部的情况比较，可提高遮光性能。
这里，参照图10和图11来说明像素电极9a的角被去掉的平面图案的结构及作用效果。
在图10所示的比较例中，像素电极9b具有四边形的平面图案。因此，在交叉区域和交叉区域以外的遮光区域中，上下左右相邻接的像素电极9b间的间隙是一定的。可是，因为像素电极9b通过对ITO膜等形成图案而形成，所以多少会发生图案形成时的抗蚀剂残留引起的膜残留。特别是在数据线6a和扫描线3a等进行交叉并产生大的段差的交叉区域中，与平坦的部位相比，形成图案困难，容易产生这样的膜残留。因此，即使在交叉区域，也需要扩宽上下左右相邻的像素电极9b间的固定间隙，直至膜残留不引起短路的程度。
相反，在图11所示的本实施方式中，像素电极9a具有包含切角部403的平面图案。而且在限定避免膜残留造成的短路时的间隙的交叉区域中，通过切角部403的存在，像素电极9a本身几乎或完全不存在，所以不需要考虑该区域内的膜残留。即，形成图案时膜残留本来就少，在交叉区域以外的遮光区域内，可缩小像素电极9a间的间隙，直至不发生膜残留造成的短路的程度。因此，仅在以上程度，可以扩宽各像素的开口区域，即可以提高各像素的开口率，此时，还不损失装置良品率或可靠性。此外，即使在推进像素间距的微细化方面也十分有利，可进行高分辨的图像显示。
此外，例如如果将像素电极9a间的间隙设为3μm，则即使采用1μm的位置精度的步式曝光装置(ステツパ)，如果是具有图11所示的切角部403的像素电极9a，仍可比较容易地以充分高的可靠性进行图案形成。
于是，在本实施方式中，由于像素电极9a具有切角部403，所以可进行开口率高的明亮的图像显示。而且，因为对应于切角部403，设置具有遮光性能的伸出部401和伸出部411，所以即使在切角部403中产生光漏泄，也不降低对比度。
另一方面，根据本实施方式，因为存储电容70也制作在规定这样的切角的遮光区域内，所以可增大电容值，同时可高效率地避免使各像素的开口区域狭窄。同样，对于TFT30的漏电极来说，也配置在规定切角的遮光区域内，也可以使各像素的开口区域不狭窄。
如以上参照图8至图11说明的那样，根据本实施方式，通过晶体管特性优良的像素开关用TFT30，可降低显示不匀、闪烁等，可实现进行明亮高清晰或高质量的图像显示的电光装置。
在以上说明的实施方式中，虽然使下侧遮光膜11a在周边区域下降至固定电位、成为浮置电位，但也可以将下侧遮光膜11a在图像显示区域内连接到电容线300而下降到固定电位。这种情况下，可以使下侧遮光膜11a具有作为电容线300的冗余配线的功能，可以实现电容线300的低电阻化。或者，也可以将下侧遮光膜11a沿扫描线3a每一个像素地或每多个像素地与扫描细3a连接，并且以被每个扫描线3a分断的大致条状地形成下侧遮光膜11a。这种情况下，可以使下侧遮光膜11a具有作为扫描线3a的冗余配线的功能，可实现扫描线3a的低电阻化。此外，通过将下侧遮光膜11a用作冗余配线，还可缩小沿电容线300或扫描线3a的遮光区域的宽度。
进而，在以上说明的实施方式中，虽然像素开关用TFT30优选地具有图9所示的LDD结构，但也可以是在低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c中不进行杂质注入的偏移(オフセツト)结构，也可以是将由扫描线3a的一部分构成的栅电极作为掩模，以高浓度注入杂质，自匹配地形成高浓度源极区域和漏极区域的自调整(セルフアライン)式的TFT。
像素电极图案的变形方式
下面，参照图12和图13来说明上述第4实施方式中可采用的像素电极的平面图案。图12和图13分别表示具有本实施方式可采用的平面图案的像素电极，取代图11所示的像素电极9a。再有，在图12和图13中，与图1至图11所示相同的结构部件附以相同的参照标号，并省略其说明。
即，如图12所示，也可以像素电极9c在图中具有位于下侧的两个角被去掉的切角部403。
或者，如图13所示，也可以像素电极9d在图中具有位于上侧的两个角被去掉的切角部403。
即使是图12或图13所示的变形方式，也如上所述，因为可以减少在交叉区域形成图案时的残留膜，所以可以有效地缩小像素电极9a间的间隙。由此，仅在该程度，可以扩宽各像素的开口区域，即提高各像素的开口率，此时，还不损失装置良品率或可靠性。
进而，例如每行地以场单位使驱动电压的极性反转的1H反转驱动方式时，在图12、图13中，在纵向相邻的像素电极9c间或纵向相邻的像素电极9d间产生横电场。另外例如每列地以场单位使驱动电压的极性反转的1S反转驱动方式的情况下，在图12、图13中，在横向相邻的像素电极9c间或纵向相邻的像素电极9d间产生横电场。而且，这样的横电场造成的液晶层50的定向不良，在各像素内的整个区域中均等发生的情况非常少，与面对取向膜16和22的摩擦方向相对应容易在某一角上发生。因此，对于成为这样的定向不良的原因的横电场发生的像素电极间，为了减弱该横电场，也可以如图12或图13所示，选择性地设置切角部403。更具体地说，在各像素内，在产生定向不良的角中，形成切角的结构就可以。其结果，可按高对比度进行明亮的高质量的图像显示。
再有，也可以设置上述伸出部401、伸出部411等，以对应于设置这样的切角部403的角。或者，也可以在没有设置切角部403的角中，也设置上述伸出部401、伸出部411等。
对置基板上的遮光膜图案的变形方式
下面，参照图14至图21来说明上述第4实施方式等中可采用的对置基板20上的遮光膜23的平面图案。图14至图21分别是表示实施方式中可采用的对置基板20一侧的遮光膜23的平面图案的变形方式的局部平面图。再有，在图14至图21中，与图1至图11所示相同的结构部件附以相同标号，并省略其说明。
在上述实施方式中，对置基板20上的遮光膜23是格子状或条状，与由电容线300和数据线6a构成的上侧遮光膜相比，平面形状小一圈，而不规定各像素的非开口区域。即，对于这样的上侧遮光膜，是辅助的遮光膜，主要被设置用于抗热对策。与此相反，在图14至图17的变形方式中，对置基板20上的遮光膜23a～23d，被形成得至少比这样的上侧遮光膜局部地大一圈，被构成为至少部分地规定各像素的非开口区域。而且，在它们的任何一个变形方式中，都在与伸出部401相对的区域中设置有遮光膜。
即，在图14的变形方式中，遮光膜23a，在存在上侧遮光膜(即电容线300和数据线6a)的遮光区域中，仅在交叉区域中被岛状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23a，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近的遮光性能。此外，可以规定交叉区域中的各像素的非开口区域。
在图15的变形方式中，遮光膜23b，在存在上侧遮光膜的遮光区域中，仅在交叉区域和沿扫描线3a的区域中，大致横条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23b，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近和沿扫描线3a的区域中的遮光性能。此外，可规定交叉区域和沿扫描线3a的区域中的各像素的非开口区域。
在图16的变形方式中，遮光膜23c，在存在上侧遮光膜的遮光区域中，仅在交叉区域和沿数据线6a的区域中，大致纵条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23c，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近和沿数据线6a的区域中的遮光性能。此外，可规定交叉区域和沿数据线6a的区域中的各像素的非开口区域。
在图17的变形方式中，遮光膜23d，在存在上侧遮光膜的区域中，大致格子状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23d′则对于像素开关用TFT30，可极大地提高格子状的非开口区域整体的遮光性能。此外，可规定该格子状的非开口区域。
如以上那样，在图14至图17的变形方式中，通过对置基板20上的遮光膜23a～23d，至少部分地规定格子状的非开口区域。与此相反，在图18至图21的变形方式中，对置基板20上的遮光膜23a′～23d′被形成得比这样的上侧遮光膜还小一圈，被构成为不规定非开口区域。而且，在它们的任何一个变形方式中，在与伸出部40相对的区域中，都设置有比其小一圈的遮光膜。
即，在图18的变形方式中，遮光膜23a′，在上侧遮光膜(即电容线300和数据线6a)存在的遮光区域中，仅在交叉区域中被岛状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23a′，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近的遮光性能。而且，因为遮光膜23a′比伸出部401小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板10的机械性的组装偏差造成遮光膜23a′使开口区域变窄的情况。
在图19的变形方式中，遮光膜23b′，在上侧遮光膜存在的遮光区域中，仅在交叉区域和沿扫描线3a的区域中大致横条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23b′，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近和沿扫描线3a的区域中的遮光性能。而且，因为遮光膜23b′比伸出部401和电容线300还小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板10的机械性的组装偏差造成遮光膜23b′使开口区域变窄的情况。
在图20的变形方式中，遮光膜23c′，在上侧遮光膜存在的遮光区域中，仅在交叉区域和沿数据线6a的区域中大致纵条状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23c′，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高交叉区域附近和沿数据线6a的区域的遮光性能。而且，因为遮光膜23c′比伸出部401和数据线6a还小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板10的机械性的组装偏差造成遮光膜23c′使开口区域变窄的情况。
在图21的变形方式中，遮光膜23d′在上侧遮光膜存在的区域中，大致被格子状地设置在对置基板20上。如果使用这样的遮光膜23d′，则对于像素开关用TFT30，可极大地提高格子状的非开口区域整体的遮光性能。而且，因为遮光膜23d′比伸出部401和电容线300及数据线6a还小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造时的TFT阵列基板10和对置基板10的机械性的组装偏差造成遮光膜23d′使开口区域变窄的情况。
如以上参照图14至图21说明的那样，在本实施方式中，关于电容线300、中继层71和下侧遮光膜11a的伸出部、像素电极9a的切角部等，可采用各种方式，可以进行它们的多种多样的组合。之后关于采用任何一种组合，鉴于实际的装置规格，实验性地或经验性地确定最好的组合，并采用该组合。
电光装置的整体结构
下面参照图22和图23来说明如上那样构成的各实施方式中的电光装置的整体结构。再有，图22是从对置基板20一侧观察TFT阵列基板10连同在其上形成的各构成要件的平面图，图23是图22的H-H’剖面图。
在图22中，在TFT阵列基板10之上，沿其边缘设置有密封材料52，在其内侧并行，设置有作为规定图像显示区域10a周边的框的遮光膜53。在密封材料52外侧的区域中，沿TFT阵列基板10的一边设置通过以规定的定时向数据线6a提供图像信号驱动数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，沿相邻于这一边的两边设置通过以规定的定时向扫描线3a供给扫描信号来驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104。如果供给到扫描线3a的扫描信号延迟没有成为问题，则不用说，扫描线驱动电路104仅在单侧也可以。此外，也可以沿图像显示区域10a的边两侧地排列数据线驱动电路101。而且，在TFT阵列基板10的剩余一边，设置用于将设置于图像显示区域10a两侧的扫描线驱动电路104之间连接的多个配线105。此外，在对置基板20的角部的至少一个部位，设置用于在TFT阵列基板10和对置基板20之间获得电导通的导通材料106。然后，如图23所示，具有与图22所示密封材料52大致相同轮廓的对置基板20通过该密封材料52被固定在TFT阵列基板10上。
再有，在TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，还可以形成以规定的定时向多个数据线6a施加图像信号的采样电路、在图像信号之前向多个数据线6a分别供给规定电压水平的预充电信号的预充电电路、用于检查制造中途、出厂等时的该电光装置的质量、缺陷等的检查电路等。
在以上参照图1至图23说明的实施方式中，例如也可以在安装于TAB(Tape Automated bonding；带式自动键合)基板上的驱动用LSI中，通过设置于TFT阵列基板10周边部的各向异性导电膜来进行电气和机械连接，取代将数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设置在TFT阵列基板10上。此外，在对置基板20的投射光入射的一侧和TFT阵列基板10的射出光射出的一侧，例如分别对应于TN(Twisted Nematic；扭转向列)模式、STN(Super Twisted Nematic；超扭转向列)模式、VA(VerticallyAligned；垂直对准)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)模式、常白模式/常黑模式的区别，将偏振膜、相位差膜、偏振板等按规定的方向配置。
以上说明的实施方式的电光装置，为了应用于投影机，将三枚电光装置分别用作RGB用的光阀，在各光阀中，通过各个RGB色分解用的分色镜分解的各色光作为投射光被分别入射。因此，在各实施方式中，在对置基板20上不设置彩色滤光器。但是，在与像素电极9a相对的规定区域中也可以将RGB的彩色滤光器和其保护膜一起形成在对置基板20上。这样的话，对于投影机以外的直视型、反射型等的彩色电光装置，可应用各实施方式的电光装置。或者，也可以在TFT阵列基板10上的RGB相对的像素电极9a下由彩色抗蚀剂等形成彩色滤光器层。这样的话，通过提高入射光的聚光效率，可实现明亮的电光装置。而且，也可以在对置基板20上，通过堆积几层折射率不同的干涉层，利用光的干涉，形成产生RGB色的分色滤光器。利用带有该分色滤光器的对置基板，可实现更明亮的彩色电光装置。
电子设备的实施方式
下面，对于作为将以上详细说明的电光装置用作光阀的电子设备一例的投射型彩色显示装置的实施方式，说明其整体结构，特别是光学的结构。这里，图24是投射型彩色显示装置的图示剖面图。
在图24中，作为本实施方式中投射型彩色显示装置一例的液晶投影机1100，准备三个包含将驱动电路装载在TFT阵列基板上的液晶装置100的液晶模块，将它们分别用作RGB的光阀100R、100G和100B的投影机来构成。在液晶投影机1100中，如果从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发射投射光，则通过三枚反射镜1106和两枚分色镜1108，分成对应于RGB三基色的光分量R、G、B，被分别导入对应于各色的光阀100R、100G和100B。此时，特别是B光通过由入射透镜1122、中继透镜1123和射出透镜1124构成的中继透镜系统1121来导入，以便防止长光路造成的光损失。然后，与由光阀100R、100G和100B分别调制的对应三基色的光分量由分色棱镜1112再次合成后，通过投射透镜1114作为彩色图像投射到屏幕1120上。
本实用新型不限于上述实施方式，在不违反从权利要求和说明书整体获得的本实用新型的主要精神和思想的范围中，可进行适当变更，伴随这样的变更的电光装置和电子设备也包含在本实用新型的技术范围中。
包含2002年5月17日申请的日本专利申请号2002-889521及2002-889522的说明书、专利要求书、附图、及摘要的所有公开内容以完全的方式包含在本说明书中以供参考。

Claims (51)

1.一种电光装置，其特征在于，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；
从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域的上侧遮光膜；以及
从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的下侧遮光膜；
其中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜分别在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内；
所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜，互相地，在所述伸出部中通过遮光性的导电材料或直接进行连接。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜通过接触孔相互连接；
在该接触孔内，形成所述上侧遮光膜或者由所述导电材料形成栓塞。
3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜通过对应于所述伸出部的轮廓的截面形状的贯通沟相互连接，在该贯通沟内，由所述上侧遮光膜或所述导电材料形成从侧方与所述沟道区域相对的壁。
4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，对于所述交叉区域的各个区域，在其四个角部都设置有所述伸出部；
在该四个角部的各个角部中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜相互连接。
5.一种电光装置，其特征在于，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；
从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域的上侧遮光膜；以及
从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的下侧遮光膜；
其中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜分别在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内；
所述扫描线由所述下侧遮光膜构成；
所述下侧遮光膜在所述伸出部中通过遮光性的导电材料连接到所述薄膜晶体管的栅极电极膜或直接连接到所述薄膜晶体管的栅极电极膜。
6.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜和所述栅极电极膜通过接触孔相互连接；
在该接触孔内，形成所述栅极电极膜或者由所述遮光性的导电材料形成栓塞。
7.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述下侧遮光膜和所述栅极电极膜通过对应于所述伸出部的轮廓的截面形状的贯通沟相互连接，在该贯通沟内，由所述栅极电极膜或者所述遮光性的导电材料形成从侧方与所述沟道区域相对的壁。
8.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，对于所述交叉区域的各个区域，在其四个角部都设置有所述伸出部；
在该四个角部的各个角部中，所述下侧遮光膜和所述栅极电极膜相互连接。
9.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述栅极电极膜沿所述扫描线延长的同时，由形成所述扫描线的冗余配线的另一扫描线的一部分构成。
10.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。
11.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。
12.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，进一步具备电气连接到所述像素电极的存储电容；
所述上侧遮光膜兼作构成所述存储电容的固定电位侧电容电极或包含该固定电位侧电容电极的电容线。
13.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，进一步具备电气连接到所述像素电极的存储电容；
所述上侧遮光膜兼作构成所述存储电容的固定电位侧电容电极或包含该固定电位侧电容电极的电容线。
14.根据权利要求12所述的电光装置，其特征在于，所述伸出部形成在从所述数据线离开的平面区域；
所述存储电容也形成在与所述数据线重叠的平面区域。
15.根据权利要求13所述的电光装置，其特征在于，所述伸出部形成在从所述数据线离开的平面区域；
所述存储电容也形成在与所述数据线重叠的平面区域。
16.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜的伸出部比所述下侧遮光膜的伸出部大一圈。
17.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜的伸出部比所述下侧遮光膜的伸出部大一圈。
18.一种电光装置，其特征在于，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；以及
从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域，同时至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域的上侧遮光膜；
其中，所述上侧遮光膜在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
19.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，所述像素电极对应于所述切角具有失去角部的平面形状。
20.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。
21.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，进一步具备电气连接到所述像素电极的存储电容；
所述上侧遮光膜兼作构成所述存储电容的固定电位侧电容电极或者包含该固定电位侧电容电极的电容线。
22.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，进一步具备电气连接到所述像素电极的存储电容；
所述存储电容形成在所述遮光区域内，还形成在与所述伸出部重叠的区域。
23.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，进一步具备从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的同时至少部分地规定所述格子状的遮光区域的下侧遮光膜。
24.根据权利要求23所述的电光装置，其特征在于，所述下侧遮光膜在所述交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而规定所述切角。
25.根据权利要求24所述的电光装置，其特征在于，所述下侧遮光膜的平面形状，与所述上侧遮光膜的平面形状相比，在所述交叉区域中小一圈。
26.一种电光装置，其特征在于，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；以及
从下侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域，同时至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域的下侧遮光膜；
其中，所述下侧遮光膜在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
27.根据权利要求26所述的电光装置，其特征在于，所述下侧遮光膜由遮光性的导电膜构成的同时与所述扫描线多处连接并且沿所述扫描线延长，具有作为所述扫描线的冗余配线的功能。
28.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，进一步具备，通过电光学物质层，与所述基板相对配置的对置基板；
所述开口区域的四角中，至少在所述电光学物质层的工作不良相对大的一个或多个角中，设置有所述伸出部。
29.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，进一步具备，通过电光学物质层，与所述基板相对配置的对置基板；
所述开口区域的四角中，至少在所述电光学物质层的工作不良相对大的一个或多个角中，设置有所述伸出部。
30.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，进一步具备，通过电光学物质层，与所述基板相对配置的对置基板；
所述开口区域的四角中，至少在所述电光学物质层的工作不良相对大的一个或多个角中，设置有所述伸出部。
31.根据权利要求26所述的电光装置，其特征在于，进一步具备，通过电光学物质层，与所述基板相对配置的对置基板；
所述开口区域的四角中，至少在所述电光学物质层的工作不良相对大的一个或多个角中，设置有所述伸出部。
32.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述像素电极包含在第1周期用于反转驱动的第1像素电极组和在与该第1周期互补的第2周期用于反转驱动的第2像素电极组的同时被平面排列在所述第1基板上；
所述伸出部，被设置在以所述交叉区域的中央为基准位于所述第1像素电极组一侧的两个角，或位于所述第2像素电极组一侧的两个角上。
33.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述像素电极包含在第1周期用于反转驱动的第1像素电极组和在与该第1周期互补的第2周期用于反转驱动的第2像素电极组的同时被平面排列在所述第1基板上；
所述伸出部，被设置在以所述交叉区域的中央为基准位于所述第1像素电极组一侧的两个角，或位于所述第2像素电极组一侧的两个角上。
34.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，所述像素电极包含在第1周期用于反转驱动的第1像素电极组和在与该第1周期互补的第2周期用于反转驱动的第2像素电极组的同时被平面排列在所述第1基板上；
所述伸出部，被设置在以所述交叉区域的中央为基准位于所述第1像素电极组一侧的两个角，或位于所述第2像素电极组一侧的两个角上。
35.根据权利要求26所述的电光装置，其特征在于，所述像素电极包含在第1周期用于反转驱动的第1像素电极组和在与该第1周期互补的第2周期用于反转驱动的第2像素电极组的同时被平面排列在所述第1基板上；
所述伸出部，被设置在以所述交叉区域的中央为基准位于所述第1像素电极组一侧的两个角，或位于所述第2像素电极组一侧的两个角上。
36.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在所述开口区域的四个角上分别设置有上下左右对称的伸出部。
37.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，在所述开口区域的四个角上分别设置有上下左右对称的伸出部。
38.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，在所述开口区域的四个角上分别设置有上下左右对称的伸出部。
39.根据权利要求26所述的电光装置，其特征在于，在所述开口区域的四个角上分别设置有上下左右对称的伸出部。
40.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在所述基板或与所述基板相对配置的对置基板上，进一步具备与所述像素电极相对配置的微透镜。
41.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，在所述基板或与所述基板相对配置的对置基板上，进一步具备与所述像素电极相对配置的微透镜。
42.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，在所述基板或与所述基板相对配置的对置基板上，进一步具备与所述像素电极相对配置的微透镜。
43.根据权利要求26所述的电光装置，其特征在于，在所述基板或与所述基板相对配置的对置基板上，进一步具备与所述像素电极相对配置的微透镜。
44.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域。
45.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，所述上侧遮光膜至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域。
46.根据权利要求18所述的电光装置，其特征在于，在平面地看重叠于所述伸出部的区域中，配置有所述薄膜晶体管的漏极电极。
47.根据权利要求26所述的电光装置，其特征在于，在平面地看重叠于所述伸出部的区域中，配置有所述薄膜晶体管的漏极电极。
48.一种电子设备，其特征在于，具备电光装置，该电光装置，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；
从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域的上侧遮光膜；以及
从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的下侧遮光膜；
其中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜分别在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内；
所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜，互相地，在所述伸出部中通过遮光性的导电材料或直接进行连接。
49.一种电子设备，其特征在于，具备电光装置，该电光装置，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；
从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域的上侧遮光膜；以及
从下侧覆盖所述至少沟道区域及其相邻区域的下侧遮光膜；
其中，所述上侧遮光膜和所述下侧遮光膜分别在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内；
所述扫描线由所述下侧遮光膜构成；
所述下侧遮光膜在所述伸出部中通过遮光性的导电材料连接到所述薄膜晶体管的栅极电极膜或者直接连接到所述薄膜晶体管的栅极电极膜。
50.一种电子设备，其特征在于，具备电光装置，该电光装置，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管的同时与所述数据线进行交叉的扫描线；以及
从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域，同时至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域的上侧遮光膜；
其中，所述上侧遮光膜在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
51.一种电子设备，其特征在于，具备电光装置，该电光装置，在基板上具备：
像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；
将扫描信号供给该薄膜晶体管，同时与所述数据线进行交叉的扫描线；以及
从下侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域及其相邻区域，同时至少部分地规定沿所述数据线和所述扫描线的格子状的遮光区域的下侧遮光膜；
其中，所述下侧遮光膜在所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各个像素的开口区域中规定切角；
所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。
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