CN2687713Y - 电光装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

电光装置，在基板上，具备在一定方向上延长的数据线，交叉于该数据线地延长的扫描线，对应于前述扫描线和前述数据线的交叉区域地配置的像素电极和像素开关用元件，以及含有以连接于前述数据线或从该数据线延伸设置的导电层作为第1电极的电容器。

Description

电光装置和电子设备
技术领域
本实用新型涉及液晶装置、EL(电致发光)装置、电子发射元件(场发射显示器和表面导通电子发射显示器)等的电光装置及其制造方法和电子设备的技术领域。此外，本实用新型还属于电子纸张等电泳器件的技术领域。
背景技术
历来，作为液晶装置等电光装置，例如，具备排列成矩阵状的像素电极，连接于各个该电极的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下适当时称为“TFT”)，连接于各个该TFT，分别平行于行和列方向地设置的扫描线和数据线，通过分别进行对前述扫描线靠扫描线驱动电路的驱动，对前述数据线靠数据线驱动电路的驱动，所谓有源矩阵驱动是可能的这是公知的。
这里，所谓有源矩阵驱动，是指通过把扫描信号供给到前述扫描线来控制前述TFT等开关元件的工作，并且通过把图像信号供给到前述数据线，对对应于靠前述扫描信号来接通的TFT等开关元件的像素电极，进行对应于该图像信号的电场的施加的驱动方法。
在该图像信号的供给方法中，提出了种种方案，例如，有对一根一根的数据线逐次供给图像信号的方法，或把图像信号进行串行-并行变换而对若干根相邻的数据线，在每组中同时供给图像信号的方法。
可是，关于现有技术中的通过数据线的图像信号的供给，存在着以下的问题。也就是说，上面举例表示的图像信号的供给方法当中，如果以每组同时进行图像信号的供给的方法为例来说明，则在该场合，在当前接收图像信号的供给的组(以下称为“供给组”)和与之相邻的组(以下称为“非供给组”)之间，以几乎沿着延长到该位置的数据线的形态，存在着在图像上出现显示不匀这样的问题。
这是恰好存在于在前述供给组与前述非供给组的端分界处的像素电极中，未正确地施加对应于图像信号的电场所致。更详细地说，在该场合，如果数据线周围的电容(例如该数据线的布线电容，或者因该数据线与其他布线和对向电极的重合产生的电容)相当程度地小，则因构成取样电路的薄膜晶体管的栅-漏间的寄生电容的影响，写入数据线的图像信号电位的下推量变得更大，致使数据线中的电位变动加大。于是，带来对应于该数据线地排列的像素电极的电位变动，结果，沿着该数据线的显示不匀成为出现于图像上。
而且，这种问题，如果把电光装置的前述小型化、高精细化这样的一般的要求置为前提，则其解决变得更加困难。这也就是说，虽然为了实现这种小型化、高精细化，构成电光装置的各种构成要素，也就是前述扫描线、数据线、TFT和像素电极等不得不实现更加小型化或窄小化，但是该场合，特别是因为如果数据线窄小化，则附加于数据线的电容变得进一步被削减。因而，数据线中的电位的变动变得更大，前述的那种沿着数据线的显示不匀的发生变得更加显著。
实用新型内容
本实用新型是鉴于上述问题而作成的，其目的在于提供一种能够显示没有沿着数据线的显示不匀的高质量的图像的电光装置。此外，本实用新型的目的在于提供一种具有既实现这种电光装置的小型化、高精细化，依然能够显示没有前述那种显示不匀等的发生的高质量的图像的构成的电光装置。进而，本实用新型的目的还在于提供一种这种电光装置的制造方法，以及提供一种具备该电光装置而成的电子设备。
本实用新型的电光装置，为了解决上述课题，在基板上，具备在一定方向上延长的数据线，与该数据线交叉地延长的扫描线，对应于前述扫描线与前述数据线的交叉区域地配置的像素电极和像素开关用元件，以及包含以连接于前述数据线或从前述数据线延伸设置的导电层为其第1电极的电容器。
如果用本实用新型的电光装置，则通过扫描线控制作为像素开关用元件之一例的薄膜晶体管等的开关工作，并且通过数据线供给图像信号，借此经由薄膜晶体管对像素电极根据该图像信号施加电压成为可能。
而且，在本实用新型中特别是具备包含以连接于数据线或从数据线延伸设置的导电层作为其第1电极的电容器。也就是说，虽然一般所谓电容器设想为具备一对电极与夹持于它们之间的绝缘膜者，但是在本实用新型中，设想成例如，作为构成该对电极的第1电极，属于连接于数据线或从数据线延伸设置的导电层，作为另一方的电极属于对向配置于该导电层的另一个导电层等这样的形态。借此，对例如数据线的布线电容，或者因数据线与其他布线和对向电极的重合产生的电容，通过加到该电容器上，可以实现该数据线周围的电容的适当的确保，因此抑制该数据线应该保有的电位中发生变动成为可能，因而，对根据该变动产生像素电极的电位变动的事态防患于未然成为可能。
通过以上，如果用本实用新型，则极力抑制在背景技术项中所述的那种沿着数据线的显示不匀等的发生成为可能，因而显示更高质量的图像成为可能。
而且，这种作用效果，可以与该电光装置的小型化、高精细化无关地享受。也就是说，假如，即使随着电光装置的小型等，有时数据线被窄小化，在本实用新型中，也因为另外具备“电容器”的缘故。也就是，即使数据线变得多么窄小，也具备补足它们的“电容器”，所以数据线周围的电容的适当的确保是可能的。这样一来，如果用本实用新型，则既能够实现电光装置的小型化、高精细化，但是依然显示前述那种没有显示不匀等的高质量图像成为可能。
再者，在本实用新型中，所谓‘“连接”于数据线的......导电层’，例如，除了如后所述经由迂回层连接于数据线和导电层的场合外，可以设想种种的结构。这里所谓‘连接’，如果具体地举例，可以设想利用接触孔的场合等。
此外，所谓‘从数据线“延伸设置”的导电层’，例如，包含导电层由在与该数据线同一层上所形成的其他构件来构成的场合，或者根据情况，该数据线本身延伸设置构成导电层的场合(也就是说，由与数据线同一材料构成，外观上，构成与该数据线没有明显区别的导电层的场合)等。在后者的场合，可以看成数据线本身的全部或一部分构成‘电容器’的电极。
在本实用新型的电光装置的一种形态中，因为还具备在交叉于前述数据线的方向上延伸的电容器电极用布线，而且，构成前述电容器的另一方的电极包含连接于前述电容器电极用布线的或从前述电容器电极用布线延伸设置的另一个导电层。
如采用该形态，由于具备交差于数据线方向上延伸的电容器电极用布线，而且，在前述电容器的另一方电极包含连接于该电容器电极用布线的或从该电容器电极用布线延伸设置的另外的导电层，所以可形成其结构、制造比较简单，并且可靠性高的电容器。
这是因为，为了在作为布线的一种的电容器电极用布线上，实现必要的电位(例如，如后所述规定的‘固定电位’等)的供给，至少仅设置一处该电容器电极用布线的一部分与供给该电位的电源的电气的连接点就可以了的缘故。该点，如果例如根据各数据线，设置个别的电容器电极，则前述那种电位供给有必要个别地进行，电气的连接点一般就有必要形成多个。在这种形态中，成为制造成品率低的原因(例如，虽然关于某个数据线的电容器正常地工作，但是关于别的数据线的电容器却不工作等)，此外，每个电容器中其特性不同，成为作为总体的可靠性降低的原因。在本形态中，没有遭受这种问题的危险。
在本实用新型电光装置的另一种形态中，前述电容器电极用布线也可以取为固定电位。
如果用该形态，则因为构成电容器的另一方的电极的电容器电极用布线取为固定电位，所以另一个导电层此外也取为固定电位，该电容器可以适当地发挥功能。也就是说，在该电容器中，蓄积与对应于供给到数据线的图像信号的电压与该固定电位的电位差相对应的电荷量成为可能。
也可以构成为在该形态中，还具备对向配置于前述基板的对向基板，与在该对向基板上所形成对向于前述像素电极地配置的对向电极，和配置于该对向基板和前述基板的某一方用来驱动前述扫描线和前述数据线以及前述像素电极的驱动电路，和向前述对向电极供给固定电位的第1电源，以及向前述驱动电路供给固定电位的第2电源，前述电容器电极用布线通过连接于前述第1电源或前述第2电源取为固定电位。
如果用这种构成，则因为成为用来把连接于作为电容器的另一方电极的另一个导电层等的电容器电极用布线取为固定电位的电源，与用来把对向电极取为固定电位的电源(也就是第1电源)，或者用来供给要供给到驱动电路的固定电位的电源(也就是第2电源)被共用的形态，所以可以实现装置构成的简化。
再者，在本形态中，根据情况，还包含第1电源与第2电源为一个共同电源这样的场合。
在本实用新型的电光装置的另一种形态中，前述电容器电极用布线由低电阻材料来构成。
如果用该形态，则因为电容器电极用布线由低电阻材料来构成，所以布线延迟等不成问题。再者，本形态中所谓‘低电阻材料’，例如，可以举出铝等。
在本实用新型的电光装置的另一种形态中，在前述数据线的一端，还具备用来驱动该数据线的数据线驱动电路而成，在前述数据线的另一端侧设有前述电容器。
如果用该形态，则在以数据线为中心的场合中的各种构成要素的配置关系成为最佳的。此外，在本形态中，因为成为在数据线的一端配置数据线驱动电路，在其另一端配置前述电容器，所以图像信号的流动，就成为数据线驱动电路、数据线(和与之相连的像素开关用元件、像素电极)和电容器，实现没有图像信号停滞的向像素电极的传递，并且电容器中的电荷蓄积就利用可以说够用的图像信号来进行。也就是说，如果用本形态，则尽管设置对数据线也可能成为一种障碍物的电容器，但是可以有效地避免真正受到由此而产生的不良影响的事态。
再者，在本形态中，也可以在数据线驱动电路与数据线之间设置取样电路等。
在本实用新型的电光装置的另一种形态中，在前述数据线的一端，还具备用来驱动该数据线的数据线驱动电路而成，在前述数据线的另一端侧还具备用来检查该电光装置的工作的检查电路。
如果用该形态，则靠检查电路，可以进行该电光装置的工作，尤其作为像素开关用元件的薄膜晶体管的工作等的检查。而且，在本形态中，该检查电路可以设在数据线的另一端侧，借此可以最佳地实现基板上的各种要素的布局。
再者，除了本形态，再加上在数据线的另一端侧设置电容器的上述形态的形态中，特别是可以最佳地确定各种要素的布局。
在本实用新型的电光装置的另一种形态中，还具备连接于前述像素电极和像素开关用元件的存储电容器，构成前述电容器的构件的至少一部分，与构成前述存储电容器的构件的至少一部分，在制造工序阶段中在同一的机会中形成。
如果用该形态，则首先，通过具备连接于像素电极和像素开关用元件的存储电容器，可以提高像素电极中的电位保持特性。因而，显示具有高对比度等特质的高质量的图像成为可能。
而且在本形态中，构成前述电容器的构件的至少一部分，与构成前述存储电容器的构件的至少一部分，在制造工序阶段中在同一的机会中形成。借此以具体的例子说明如下。
首先，存储电容器由连接像素开关用元件和像素电极的像素电位侧电容器电极，与与之对向配置，例如取为固定电位的电容器电极，而且夹持于这一对电极间的绝缘膜来构成。另一方面，关于根据本实用新型的‘电容器，，由作为其第1电极连接于数据线或从其延伸设置的导电层，作为其另一方的电极例如连接于前述电容器电极用布线或从其延伸设置的另一个导电层，进而夹持于这一对电极间的绝缘膜来构成。在这种场合，所谓‘构成存储电容器的构件’为像素电位侧电容器电极、电容器电极和绝缘膜，另一方面，所谓‘构成电容器的构件’为数据线、电容器电极用布线和绝缘膜。
而且，后者，与前者的所谓‘至少一部分，在制造工序阶段中的同一的机会中形成’，意味着例如，导电层和像素电位侧电容器电极作为同一膜形成，或者，另一个导电层和固定电位侧电容器电极作为同一膜形成，再或者，‘电容器’的绝缘膜和‘存储电容器’的绝缘膜作为同一膜形成等。再者，所谓作为同一膜形成，是指在电容器和存储电容器中形成共同的前驱膜，并且对此进行图形处理，借此例如导电层与固定电位侧电容器电极根据各自的部位，而且，作为分别具有固有的图形形状者来形成。
这样一来，如果用本形态，则因为在同一的机会中制造两个要素(也就是电容器和存储电容器)，所以与分别制造它们各自的场合相比，就可以实现制造工序的简化，或制造成本的低廉化。此外，如果用根据本形态的结构，则可以以小面积更有效地形成电容器。
与此相关联，在具备前述电容器电极用布线的形态中，也可以前述电容器电极用布线和前述数据线在制造工序阶段中在同一的机会中形成。
如果用这种构成，则因为电容器电极用布线和数据线作为同一膜形成，所以与分别制造它们各自的场合相比，可以实现制造工序的简化，或制造成本的低廉化。
再者，如果用这样的构成，和前述在同一机会中形成电容器和存储电容器的形态合并的形态，则不用说前述的作用效果更有效地实现。
这样一来，在同一机会中形成电容器或其关联的构成与图像显示区域侧的构成(例如，存储电容器、数据线)的形态中，还具备分别连接于前述数据线和前述导电层的迂回层，可以构成为该迂回层在制造工序阶段与前述扫描线在同一的机会中形成。
如果用这种构成，则首先，数据线和导电层间经由迂回层连接。也就是说，数据线和导电层能够作为分开的构件构成，借此，可以由各自的材料分别构成两者。例如，数据线用铝，导电层用多晶硅构成等是可能的。可是，构成前述存储电容器的一对电极的至少一方用的材料，为了充分发挥作为存储电容器的性能等通常按其他固有的目的来选定。例如，为了使该一对电极的至少一方也作为防止对像素开关用的薄膜晶体管的光入射的上侧遮光膜发挥功能，进行由光吸收性上比较优良的多晶硅来构成等。
在以上这种场合，与例如，数据线本身的一部分构成根据本实用新型的电容器的电极等场合相比，在同一机会中形成构成存储电容器的一对电极的至少一方与导电层这样的形态可以更加容易实现。也就是说，如果设置根据本构成的‘迂回层’，则可以更容易实现前述的，在制造工序阶段中在同一机会中形成电容器的构成，与存储电容器的构成的至少一部分这样的形态。
另一方面，在本形态中特别是，迂回层和扫描线在制造工序阶段中在同一机会中形成。因而，如果用本构成，则除了上述外，可以更有效地实现制造工序的简化，或制造成本的低廉化。
再者，在本形态中，该扫描线可以包含构成作为前述像素开关用元件的薄膜晶体管的栅电极。
在该形态中，可以构成为在前述数据线的一端侧具备用来驱动该数据线的数据线驱动电路，在前述数据线的另一端侧还具备用来检查前述电容器和该电光装置的工作的检查电路，前述检查电路经由前述数据线与前述迂回层连接。
如果用这种构成，则可以最佳地确定数据线、电容器以及用来连接数据线和检测电路的布线等的布局。例如，采用在迂回层上夹着层间绝缘膜设置电容器，并且在该电容器上或作为与该电容器同一层，分别形成数据线和检查电路本身以及向它们连接的布线，在迂回层和数据线间以及迂回层和前述布线间，形成用来分别连接两者的接触孔等这样的形态成为可能。在该场合，成为关于电容器的设置不特别需要面积等，成为各种要素的布局更佳地实现。
在本实用新型的电光装置的另一种形态中，前述导电层的要成为前述第1电极的部位，比前述数据线宽幅地形成。
如果用该形态，则可以谋求电容器的电容值的增大。因而，如果用本形态，则成为可以更好地实现数据线周围的电容的确保，除了前述外，还减低像素电极中的电位变动产生的可能性，显示更高质量的图像成为可能。
再者，为了更有效地享受上述作用效果，除了本形态外，前述另一个导电层的要成为前述另一方的电极的部位，比前述数据线宽幅地形成的场合当然就被设想。
在本实用新型的电光装置的另一种形态中，前述数据线存在多条，这些多条的数据线临时区分成针对图像信号的供给对象的多组。
如果用该形态，则例如，把由作为对一个图像信号进行串行-并行变换的结果的，多个构成的图像信号一举供给到数据线成为可能。这样一来，高效的图像信号的发信成为可能。可是，关于位于临时成图像信号的供给对象的‘组’的两端的数据线，容易出现沿着该数据线的图像上的显示不匀，此外，该显示不匀成为以组为单位出现，所以成为更容易辨认者。也就是说，存在着图像质量低下变得显著得‘眼睛看得见’这样的缺点。再者，在该场合，显示不匀‘容易出现’是因为在位于前述组的两端的数据线上存在着与其相相邻，没有图像信号的供给的数据线的缘故，是因为这两个数据线与像素电极的相互关系造成更加容易发生显示不匀的状况的缘故。
然而，在本实用新型中，如上所述通过对数据线附设电容器，即使采用上述这种图像信号的供给形态，也不特别成问题。换句话说，在采用上述这种图像信号的供给形态的场合，与不这样的场合相比，可以说根据本实用新型的电容器的存在意义提高。
再者，所谓‘临时地成为图像信号的供给对象的数据线的组’，根据该图像信号由几个并行信号来构成而确定。例如，如果设想该图像信号为把串行信号串行-并行变换成6个并行信号者，则设想成所谓前述数据线的‘组’是由相相邻的6根数据线构成的组是可能的。
本实用新型的电光装置的制造方法，为了解决上述课题，在制造在基板上具备在一定方向上延长的数据线，交叉于该数据线地延长的扫描线，对应于该扫描线和前述数据线的交叉区域地配置的像素电极和薄膜晶体管，连接于该像素电极和薄膜晶体管的存储电容器以及连接或延伸设置于前述数据线的电容器的电光装置的电光装置的制造方法中，包含作为同一膜形成构成前述电容器的构件的至少一部分，与构成前述存储电容器的构件的至少一部分的同时制造工序。
如果用本实用新型的电光装置的制造方法，则可以比较容易地形成上述的本实用新型的电光装置。而且，在本实用新型中特别是因为包含作为同一膜形成构成电容器的构件的至少一部分，与构成存储电容器的构件的至少一部分的同时制造工序，所以可以谋求制造工序的简化，或制造成本的低廉化等。
在本实用新型的电光装置的制造方法的一种形态中，前述存储电容器由连接于前述像素电极和前述薄膜晶体管的像素电位侧电容器电极，对向配置于该像素电位侧电容器电极的固定电位侧电容器电极，夹持于这两个电极的第1绝缘膜构成，前述电容器由连接或延伸设置于前述数据线的导电层，对向配置于该导电层的另一个导电层，夹持于这两个层中的第2绝缘膜构成，前述同时制造工序包含作为同一膜形成前述像素电位侧电容器电极和前述导电层的工序，作为同一膜形成前述固定电位侧电容器电极和前述另一个导电层的工序和作为同一膜形成前述第1绝缘膜和前述第2绝缘膜的工序当中，至少一道工序。
如果用该形态，则前述同时制造工序成为作为同一膜形成像素电位侧电容器电极和导电层，固定电位侧电容器电极和另一个导电层以及第1绝缘膜和第2绝缘膜中的至少一组。因而，可以谋求与之相应的部分的制造工序的简化，或制造成本的低廉化等。
在本实用新型的电光装置的制造方法的另一个形态中，前述同时制造工序之前，包含作为同一膜形成构成前述薄膜晶体管的栅电极与迂回层的工序，包含形成用来连接前述迂回层与前述数据线的接触孔的工序，和形成用来连接前述迂回层与前述导电层的接触孔的工序。
如果用该形态，则因为前述同时制造工序前形成迂回层，并且该迂回层电气上连接于前述数据线和前述导电层，所以可以比较容易地制造前述的本实用新型的电光装置的各种形态当中具备迂回层的电光装置。而且，在本形态中特别是，因为作为同一膜形成构成薄膜晶体管的栅电极和迂回层，所以就更有效地实现制造工序的简化，或制造成本的低廉化等这样的作用效果。
再者，在本形态中，也可以在与栅电极的形成同时形成扫描线以便包含该栅电极。
此外，在本形态中，因为在同时制造工序之前形成栅电极和迂回层，所以成为该栅电极和迂回层在存储电容器和电容器之下形成。
在本实用新型的电光装置的制造方法的另一种形态中，在前述同时制造工序之后，包含作为同一膜形成前述数据线与在交叉于该数据线的方向上延伸的电容器电极用布线的工序，和形成用来连接前述电容器电极用布线与前述另一个导电层的接触孔的工序。
如果用该形态，则由于成为形成电容器电极用布线，并且该电容器电极用布线与前述另一个导电层电气上连接，所以可以容易地制造前述的本实用新型的电光装置的各种形态当中具备电容器电极用布线的电光装置。而且，在本形态中特别是，因为作为同一膜形成该电容器电极用布线和前述数据线，所以就更有效地实现制造工序的简化，或制造成本的低廉化等这样的作用效果。
再者，在本形态中，因为数据线和电容器电极用布线在前述同时制造工序之后形成，所以成为该数据线和电容器电极用布线在存储电容器和电容器之上形成。
在该形态中特别是，可以该电光装置还具备检查电路而成，包含作为同一膜形成连接于前述检查电路的布线，前述数据线和前述电容器电极用布线的工序，和形成用来连接前述布线和前述迂回层的接触孔的工序。
如果用这种构成，则因为作为同一膜形成连接于检查电路的布线，数据线和电容器电极用布线，所以成为更有效地实现制造工序的简化，或制造成本的低廉化等这样的作用效果。此外，如果用本构成，则迂回层在数据线和前述布线的连接中起很大作用，可以最佳地实现构成由根据本实用新型的制造方法所制造的电光装置的各种要素的布局。
本实用新型的电子设备，为了解决上述课题，具备上述的本实用新型的电光装置(其中包含各种形态)。
如果用本实用新型的电子设备，则因为具备上述的本实用新型的电光装置，所以通过在数据线上附设电容器，可以实现能够显示没有在图像上发生沿着数据线的显示不匀等这样的情况的，高质量的图像的，投射型显示装置(液晶投影机)、液晶电视、便携式电话、电子笔记本、文字处理机、取景器型或监视器直视型录像机、工作站、可视电话、POS终端、触摸屏等各种电子设备。
本实用新型的这种作用和其他优点根据以下说明的实施形态可以明白。
附图说明
图1是表示构成本实用新型的实施形态的电光装置中的图像显示区域的矩阵状的多个像素中所设置的各种元件、布线等的等效电路的电路图。
图2是本实用新型的实施形态的电光装置中的数据线、扫描线、像素电极等所形成的TFT阵列基板的相相邻的多个像素群的俯视图。
图3是图2的A-A′剖视图。
图4是本实用新型的实施形态的电光装置中的电容器所形成的俯视图。
图5是图4的B-B′剖视图。
图6是概念地表示图4和图5中所示的电容器与其周围的其他要素的配置关系的透视图。
图7是图示地表示图像信号供给到数据线的情形的透视图。
图8是与图4同样目的的图，是作为电容器的电极的第1导电层和第2导电层比数据线宽幅地形成的场合中的俯视图。
图9是与图6同样目的的图，是就数据线本身的一部分构成根据本实施形态的电容器的第1电极的场合表示者。
图10是与图6同样目的的图，是就电容器电极用布线本身的一部分构成根据本实施形态的电容器的另一方的电极的场合表示者。
图11是关于图5的剖视图(图中左方)和图3的剖视图当中半导体层1a附近相关部分(图中右方)，按顺序表示制造工序的各工序中的电光装置的叠层结构的工序图(之一)。
图12是关于图5的剖视图(图中左方)和图3的剖视图当中半导体层1a附近相关部分(图中右方)，按顺序表示制造工序的各工序中的电光装置的叠层结构的工序图(之二)。
图13是关于图5的剖视图(图中左方)和图3的剖视图当中半导体层1a附近相关部分(图中右方)，按顺序表示制造工序的各工序中的电光装置的叠层结构的工序图(之三)。
图14是本实用新型的实施形态的电光装置中的从其上所形成的各构成要素并且对向基板一侧观看TFT阵列基板的俯视图。
图15是图14的H-H′剖视图。
图16是表示作为本实用新型的电子设备的实施形态的投射型彩色显示装置之一例的彩色液晶投影机的示意的剖视图。
标号的说明
3a...扫描线6a...数据线9a...像素电极30...TFT 10...TFT阵列基板70...存储电容器71...中继层300...电容线75...介电体膜501、501A...电容器511...第1导电层512...第2导电层503...电容器电极用布线520...迂回层60a...检查电路用布线581、582、583...接触孔
具体实施方式
下面，参照附图就本实用新型的实施形态进行说明。以下的实施形态，是把本实用新型的电光装置运用于液晶装置者。
首先，参照图1至图3就根据本实用新型的实施形态中的电光装置的像素部中的构成进行说明。图1是表示构成电光装置的图像显示区域的矩阵状地形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路的电路图。此外图2是数据线、扫描线、像素电极等形成了的TFT阵列基板的相相邻的多个像素群的俯视图，图3是图2的A-A′剖视图。再者，在图3中，该各层、各构件为达到图上可辨认的程度，各层各部件中用不同的比例。
在图1中，在构成本实施形态中的电光装置的图像显示区域的矩阵状地所形成的多个像素上，分别形成着像素电极9a与用来开关控制该像素电极9a的TFT30，图像信号所供给的数据线6a电气上连接于该TFT30的源。写入数据线6a的图像信号S1、S2、...Sn虽然也可以按该顺序依次供给，但是在本实施形态中特别是，构成为图像信号S1、S2、...Sn被串行-并行展开成N个并行的图像信号，能够从N根图像信号线115对相相邻的N根数据线6a彼此每组地供给。
在作为图像显示区域外的周边区域，数据线6a的一端(图1中的下端)连接着构成取样电路301的开关用电路元件202。作为该开关用电路元件，如图中所示可以是n沟道型TFT，也可以是p沟道型TFT。此外，也可以安排互补型等的TFT(以下把图1中所示的该开关用电路元件202称为‘TFT202’)。在该场合，在该TFT202的漏上，前述数据线6a经由引出布线206连接，在该TFT202的源上，图像信号线115经由引出布线116连接，并且在该TFT202的栅上，连接着连接于数据线驱动电路101的取样电路驱动信号线114。而且，适应图像信号线115上的图像信号S1、S2...Sn从数据线驱动电路101通过取样电路驱动信号线114供给取样信号，构成为靠取样电路301取样，供给各数据线6a。
像这样写入数据线6a的图像信号S1、S2、...Sn可以按该顺序依线供给，也可以对相相邻的多个数据线6a彼此，每组地供给。在本实施形态中，如图1中所示，以6根数据线6a为一组，对此临时地供给图像信号。
而且，在本实施形态中特别是，在这些数据线6a的另一端(图1中的上端)，如图1中所示附设电容器501。该电容器501以连接于数据线6a或从该数据线6a延伸设置的导电层(参照后述的第1导电层511和图4)为第1电极，以连接于在交叉于数据线6a的方向上延伸的维持固定电位的电容器电极用布线503或从该电容器电极用布线503延伸设置的另一个导电层(参照后述的第2导电层512和图4)为另一方的电极，并且在这些之间夹持着绝缘膜而构成。在该电容器501上，如果对各数据线6a供给图像信号S1、S2、...Sn，则成为蓄积对应于与其分别对应的电位，与电容器电极用布线503的固定电位之差的电荷。借此，数据线6a周围处的电容被适当地确保，可以抑制该数据线6a处的不确定的电压变动，进而抑制像素电极9a处的电位变动，因此对图像上发生沿着数据线6a的显示不匀等防患于未然成为可能。再者，有关该电容器501的，更加实际的构成，下文将另行述及。
此外，扫描线3a电气上连接于TFT 30的栅，构成为按规定的定时，把扫描信号G1、G2、...、Gn按该顺序依线脉冲地施加于扫描线3a。像素电极9a电气上连接于TFT 30的漏，通过把作为开关元件的TFT 30闭合其开关一定时间，把从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、...Sn按规定的定时写入。
经由像素电极9a写入作为电光物质之一例的液晶的规恒定电平的图像信号S1、S2、...Sn，在与对向基板上所形成的对向电极之间保持一定时间。液晶根据所施加的电压电平通过分子集合的取向或秩序的变化，对光进行调制，使灰度等级显示成为可能。如果是常白模式，则根据在各像素的单位上所施加的电压对入射光的透过率减少，如是常黑模式，对应于各像素单位上所施加的电压对入射光的透过率增加，作为总体从电光装置出射对应于图像信号的具有对比度的光。
这里为了防止所保持的图像信号泄漏，与在像素电极9a与对向电极之间所形成的液晶电容并列地附加存储电容器70。该存储电容器70并列设置于扫描线3a，包含固定电位侧电容器电极并且包含固定于恒定电位的电容线300。
以下，参照图2和图3，就靠上述数据线6a、扫描线3a、TFT30等的实现上述这种电路工作的电光装置的实际的构成进行说明。
首先，根据本实施形态的电光装置如作为图2的A-A′剖视图的图3中所示，具备透明的TFT阵列基板10，和与之对向配置的透明的对向基板20。TFT阵列基板10由例如石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对向基板20由例如玻璃基板或石英基板构成。
在TFT阵列基板10上，如图3中所示，设有像素电极9a，在其上侧，设有施行了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜16。这当中像素电极9a由例如ITO(氧化铟锡)膜等透明导电膜构成。另一方面，在对向基板20上跨越其整个面地设置对向电极21，在其下侧，设有施行了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜22。这当中对向电极21与上述像素电极9a同样，由例如ITO膜等透明导电膜构成，前述取向膜16和22由例如聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。在像这样对向配置的TFT阵列基板10和对向基板20之间，在由后述的密封材料(参照图14和图15)所围成的空间中封入液晶等电光物质，形成液晶层50。液晶层50，在来自像素电极9a的电场未施加的状态下取为由取向膜16和22规定的取向状态。液晶层50由例如混合一种或多种向列的液晶的电光物质构成。密封材料是由分别粘贴于TFT基板10和对向基板20的周边用的，例如光固化性树脂或热固化性树脂构成的粘接剂，混入用来把两基板间的距离取为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隔体。
另一方面，在图2中，前述像素电极9a在TFT阵列基板10上矩阵状地设置多个(由虚线部9a′示出轮廓)，分别沿着像素电极9a的纵横的边界设有数据线6a和扫描线3a。数据线6a由例如铝膜等金属膜或者合金膜构成，扫描线3a由例如导电性的多晶硅膜等构成。此外，扫描线3a对着半导体层1a当中图中向右上抬的斜线区域中所示的沟道区域1a′配置，该扫描线3a作为栅电极发挥功能。也就是说，在扫描线3a与数据线6a的交叉部位分别设有扫描线3a的主线部作为栅电极对向配置于沟道区域1a′的像素开关用的TFT30。
TFT30，如图3中所示，具有LDD(低掺杂漏)结构，包含作为其构成要素，如上所述作为栅电极发挥功能的扫描线3a，由例如多晶硅膜构成靠来自扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a′，包含绝缘扫描线3a与半导体层1a的栅绝缘膜的绝缘膜2，半导体层1a中的低浓度源区1b和低浓度漏区1c以及高浓度源区1d和高浓度漏区1e。
再者，TFT 30虽然最好是如图3中所示具有LDD结构，但是也可以取为具有在低浓度源区1b和低浓度漏区1c中不掺入杂质的偏移(offset)结构，也可以是以由扫描线3a的一部分构成的栅电极为掩模以高浓度掺入杂质，自匹配地形成高浓度源区和高浓度漏区的自对准型的TFT。此外，虽然在本实施形态中，取为在高浓度源区1d和高浓度漏区1e之间仅配置一个像素开关用TFT30的栅电极的单个栅结构，但是也可以在这些之间配置两个以上的栅。如果像这样用双栅，或者三栅以上来构成TFT，则可以防止沟道与源和漏区的接合部的泄漏电流，可以降低断开时的电流。进而，构成TFT30的半导体层1a可以是非单晶层也可以是单晶层。在单晶层的形成中，可以用粘贴法等公知的方法。通过把半导体层1a取为单晶层，特别是可以谋求周边电路的高性能化。
另一方面，在图3中，存储电容器70，通过作为连接于TFT30的高浓度漏区1e和像素电极9a的像素电位侧电容器电极的中继层71，和作为固定电位侧电容器电极的电容线300的一部分，经由介电体膜75对向配置而形成。如果用该存储电容器70，则显著提高像素电极9a中的电位保持特性成为可能。
中继层71由例如导电性的多晶硅膜构成作为像素电位侧电容器电极发挥功能。但是，中继层71，与后述的电容线300同样，也可以由包含金属或合金的单一层膜或多层膜来构成。中继层71除了作为像素电位侧电容器电极的功能外，具有经由接触孔83和85中继连接像素电极9a与TFT30的高浓度漏区1e的功能。
电容线300由例如包含金属或合金的导电膜构成作为固定电位侧电容器电极发挥功能。该电容线300如果俯视，则如图2中所示，重合于扫描线3a的形成区域而形成。更具体地说电容线300具备沿着扫描线3a延伸的主线部，和图中，从与数据线6a交叉的各部位沿着数据线6a分别向上突出的突出部，以及对应于接触孔85的部位稍微隔开的隔开部。这当中突出部利用扫描线3a上的区域和数据线6a下的区域，贡献于存储电容器70的形成区域的增大。此外，电容线300最好是从像素电极9a所配置的图像显示区域10a向其周围延伸设置，与恒定电位源电气上连接，取为固定电位。作为这种恒定电位源，可以是供给到数据线驱动电路101的正电源或负电源的恒定电位源，也可以是供给到对向基板20的对向电极21的恒定电位。
介电体膜75，如图3中所示，由例如膜厚5～200nm左右的比较薄的HTO(高温氧化)膜，LTO(低温氧化)膜等氧化硅膜，或者氮化硅膜等来构成。从增大存储电容器70的观点来说，只要充分得到膜的可靠性，介电体膜75越薄越好。
在图2和图3中，除了上述外，在TFT30的下侧，设有下侧遮光膜11a。下侧遮光膜11a格子状地形成图形，借此规定各像素的开口区域。再者，开口区域的规定，也由图2中的数据线6a，和与之交叉地形成的电容线300来完成。此外，有关下侧遮光膜11a也是，与前述电容线300的场合同样，为了避免其电位变动对TFT30产生不良影响，从图像显示区域向其周围延伸设置而连接于恒定电位源就可以了。
此外，在TFT30下，设有基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了把下侧遮光膜11a与TFT30层间绝缘的功能外，具有通过在TFT阵列基板10的整个面上形成，防止像素开关用的TFT30的特性因TFT阵列基板10的表面研磨时的粗糙、清洗后残留的污染物等而变化的功能。
另外，在扫描线3a上形成分别开孔通往高浓度源区1d的接触孔81和通往高浓度漏区1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41上，形成中继层71、和电容线300，在这些之上形成分别开孔通往高浓度源区1d的接触孔81和通往中继层71的接触孔85的第2层间绝缘膜42。
再者，在本实施形态中，也可以通过对第1层间绝缘膜41进行大约1000℃的烧结，谋求注入构成半导体层1a或扫描线3a的多晶硅膜的离子的活化。另一方面，也可以通过对第2层间绝缘膜42不进行这种煅烧，谋求在电容线300的界面附近产生的应力的缓和。
另外，在第2层间绝缘膜42上，形成数据线6a，在这些之上形成形成通往中继层71的接触孔85的第3层间绝缘膜43。
第3层间绝缘膜43的表面，通过CMP(化学机械抛光)处理等进行平坦化，减少起因于存在于其下方的各种布线或元件等引起的阶梯的液晶层50的取向不良。
但是，也可以代替像这样对第3层间绝缘膜43施行平坦化处理，或者此外，通过在基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42中的至少一个上挖槽，把数据线6a等布线或TFT 30等埋入，进行平坦化处理。
(关于附设于数据线的电容器的构成)
以下，参照图4至图6就本实施形态中特征的，附设于数据线6a的电容器501的构成，更详细地进行说明。这里图4是表示根据本实施形态的电容器的俯视图，图5是图4的B-B′剖视图。此外，图6是概念地表示根据本实施形态的电容器与其周围的其他元件的配置关系的透视图。再者，在图5和图6中，因为取为在图面上能够辨认各层·各构件的程度的大小，故该各层·各构件等中用不同的比例。此外，在图6中，因为主要目的是表示电容器的配置关系，故对例如介电体膜75或各层间绝缘膜等图5中所图示的要素的若干个来说，省略其图示。
在本实施形态中，电容器501设在图像显示区域10a外，且设在数据线6a的上端一侧。再者，在数据线6a的下端一侧连接着取样电路301和数据线驱动电路101(图4中未画出，参照图1)。
更详细地说，该电容器501，以连接于数据线6a的第1导电层511为第1电极，以在交叉于数据线6a的方向上延伸，维持固定电位的连接于电容器电极用布线503的第2导电层512为另一方的电极，并且在这些之间夹持介电体膜75而构成。
这当中，首先，第1导电层511，如图5和图6中所示，在第1层间绝缘膜41上形成。也就是说，对比图5与图3可以看出，该第1导电层511作为与构成存储电容器70的中继层71同一膜来形成。
此外，该第1导电层511，经由接触孔581和582，从而经由迂回层520与数据线6a相互连接。这里接触孔581开孔成贯通第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42，接触孔582开孔成贯通第1层间绝缘膜41。此外，迂回层520在基底绝缘膜12上形成，对比图5与图3可以看出，与扫描线3a作为同一膜形成。借此，迂回层520具有与数据线6a同一的电位。
进而，在该迂回层520上经由接触孔583连接着检查电路用布线60a。该检查电路用布线60a与数据线6a作为同一膜形成。在该检查电路用布线60a的前端，如图4中所示，连接着检查电路701，该检查电路包含多个TFT702。此外，在该TFT702上，与前述检查电路用布线60a分开，连接着布线703。
另一方面，第2导电层512，如图5和图6中所示，在第1导电层511上所形成的介电体膜75之上，与该第1导电层511对向地形成。该第2导电层512，经由接触孔584连接于在第2层间绝缘膜42上所形成的电容器电极用布线503。
这里电容器电极用布线503与在交叉于数据线6a的方向上延伸的数据线6a作为同一膜形成。也就是说，在数据线6a如上所述包含铝而形成的场合，电容器电极用布线503也成为包含铝而形成。这样一来，如果电容器电极用布线503包含铝等低电阻材料而形成，则其布线延迟等不成问题。
再者，这些第1导电层511和电容器电极用布线503，与前述的检查电路用布线60a三者，如图5中所示，作为同一膜形成。
此外，该电容器电极用布线503通过连接于(未画出)用来把固定电位供给到对向电极21的恒定电位源(本实用新型中属于所谓‘第1电源’)或者用来把固定电位供给到数据线驱动电路101或扫描线驱动电路104的恒定电位源(本实用新型中属于所谓‘第2电源’)，取为固定电位，借此，第2导电层512也取为固定电位。
在本实施形态中，为了像这样把电容器电极用布线503或第2导电层512取为固定电位，利用用来把对向电极21取为固定电位的电源，或者用来供给供给到数据线驱动电路或扫描线驱动电路的固定电位的电源中的某一个是可能的，无论如何，因为没有必要为该电容器电极用布线503或第2导电层512特别设置电源，因此，可以实现装置构成的简化。
最后，作为该电容器501的绝缘层的介电体膜75，从其名称和标号可以看出，与前述存储电容器70的介电体膜75是同一个东西。也就是说，成为介电体膜75在电容器501和存储电容器70中共用的形态。
在成为这种构成的电光装置中，成为收到以下的作用效果。第一，通过在数据线6a上附设电容器501，可以抑制历来可以看到的那种，图像上的沿着数据线6a的显示不匀等的发生。这是因为，通过电容器501的存在，可以适当地确保数据线6a周围的电容，借此可以抑制该数据线6a处的电位的变动，进而可以抑制起因于此的像素电极9a处的电位变动的缘故。
顺便说一下，在对相相邻的多个数据线6a同时实施对数据线6a的图像信号的供给的场合，更加有效地享受这种作用效果成为可能。这也就是说，因为前述这种显示不匀在这种场合表现得更显著，乃至于变得容易辨认的缘故。以下，参照图7说明这种情况。这里图7是图示地表示数据线上图像信号所供给的情形的透视图。再者，在图7中，未画出本来应该表示的接触孔等，仅示出作为说明根据本实施形态的主要的作用效果用的必要的最小限度的构成的数据线6a和像素电极9a。
在该图7中，在根据本实施形态的电光装置中，数据线6a上所供给的图像信号由把一个串行信号通过串行-并行变换所得到的6个并行信号构成。也就是说，图像信号的供给，成为由6根数据线6a构成的每组同时进行。在这种图像信号的供给方法的场合，对属于与当前收到该图像信号的供给的供给组601G相相邻的非供给组602G的数据线6a来说，当然就不供给图像信号。另外，在图7中涂黑的数据线6a，示出为当前接收图像信号供给的数据数，而此外的数据线6a，表示为未接收图像信号供给的数据线(在该图的下一个阶段里，例如供给组601G的右邻(或者左邻)的非供给组602G中的6根数据线6a上成为图像信号被供给等)。
这里，如果着眼于供给组601G，则在对应于位于图中最左端的数据线6a1，和位于图中最右端的数据线6a2的像素电极9a(参照图中标号91)上，处于一般容易产生电位的变动的状况。也就是说，如果该数据线6a1和6a2周围的电容(例如，该数据线的布线电容、或者因该数据线与其他布线及对向电极的重合产生的电容)小到相当程度，则因构成取样电路301的TFT 202的栅·漏间的寄生电容的影响，写入该数据线6a1和6a2的图像信号电位的下推量变得更大，致使这些数据线6a1和6a2处的电位变动变大。于是，带来对应于这些数据线6a1和6a2而排列的像素电极9a的电位变动，结果，就在图像上出现沿着该数据线6a1和6a2的显示不匀。
更具体地说，如下。也就是说，如令写入数据线6a的图像信号电位的下推量为Δ，则有成为
          ΔV＝ΔVd×(CGD/(CGD+CST))
的关系。这里ΔVd是数据线6a1和6a2处的电位变动量，CGD表示构成取样电路301的TFT 202的栅-漏间的寄生电容，CST表示因数据线与其他布线和对向电极21的重合产生的寄生电容。根据此式可以明白，因为如果收窄数据线6a1和6a2的宽度，也就是减小电容CST，则寄生电容CGD的影响变大，故下推量ΔV变大。
此外，因为在数据线6a1和6a2上，存在着与之相相邻地没有图像信号的供给的数据线6a(也就是，图7中位于数据线6a1的左邻的数据线6a和位于数据线6a2的右邻的数据线6a)，所以在该数据线6a与像素电极9a之间就产生不能忽视的寄生电容。因此，在图7中标号91内所示的像素电极9a中，可以说发生容易产生电位变动的状况。
根据以上情况的结果，在该像素电极9a中上就不能施加正确地对应于图像信号的电场。由此，在图7这种场合，就产生在图像上以沿着数据线6a1和6a2的形式出现显示不匀这样的问题。而且，像本例子这样，在根据每6根的数据线6a表现出显示不匀的场合，图像上的辨认变得容易，可以说事态更加严重。
然而，在本实施形态中，如图1、图4或图6中所示，在数据线6a上设有电容器501。因而，在图7中，属于供给组601G的数据线6a，尤其位于其两端的数据线6a1和6a2处的电位的变动受到抑制，成为几乎不产生起因于此的像素电极9a的电位变动。
像以上这样，如果用本实施形态的电光装置，则极力抑制历来所见的那种，沿着数据线6a的显示不匀的发生成为可能。
此外第二，根据本实施形态的电容器501，从图5与图3的对比可以明白，成为与构成存储电容器70的构件，在制造工序阶段中在同一机会中形成。具体地说，如上所述，第1导电层511与中继层71，第2导电层512与电容线300，分别作为同一膜形成。而且，介电体膜75，在电容器501与存储电容器70中被共用。在本实施形态中进而，扫描线3a与迂回层520作为同一膜形成，数据线6a、电容器电极用布线503和检查电路用布线60a作为同一膜形成。
这样一来，在本实施形态中，因为电容器和与之关联的构成，成为与在图像显示区域内所形成的构成(扫描线3a和数据线6a，存储电容器70等)同时形成，因此，可以谋求制造工序的简化，或制造成本的低廉化等。
进而第三，在本实施形态中，因为成为以数据线6a为中心，在其一端连接着取样电路301和数据线驱动电路101等，在另一端连接着电容器501和检查电路301的形态，所以这些各种构成要素的配置关系成为最佳的。特别是，在该场合，向构成电容器501的第1导电层511供给电位，是因为向连接于数据线6a的像素电极9a的电位供给之后，没有蒙受在该电容器501夹在中途的场合可能产生的不良影响的危险。另外，在本实施形态中，因为数据线6a和检查电路701的连接，经由迂回层520来进行，故可以毫不勉强且不需要大面积地实现这些与电容器501的配置关系的确定(参照图5)。
再者，在上述中，虽然电容器501，如图4等中所示，构成为作为一对电极具备具有与数据线6a大致同一的宽度的第1导电层511和第2导电层512，但是本实用新型不限定于这种形态。例如，如成为与图4同样目的的图8中所示，也可以构成作为一对电极具备具有大于数据线6a的宽度的宽度的第1导电层511A和第2导电层512A的电容器501。如果用这种形态，则与上述实施形态相比，其电极面积变得更宽，其电容值相对地增大。或者，因为即使Y方向的距离减小也可以确保电容，故可以把电光装置小型化。因而，如果用这种形态，则更适当地确保数据线6a周围的电容成为可能，除上述外，可以减低数据线6a和像素电极9a处的电位变动的危险性，减低起因于此的沿着数据线6a的图像上的显示不匀的发生的危险性。
此外，在上述中，虽然电容器501构成为作为一对电极具备第1导电层511和第2导电层512，但是本实用新型不限定于这种形态。
例如，如成为与图6同样目的的图9中所示，也可以是通过数据线6a本身延伸设置而形成导电层511E，来形成电容器501E的形态。在该场合，该导电层511E和检查电路用布线60aE由与数据线6a同一材料构成，成为作为外观上，与该数据线6a没有明确区别的东西而形成。换句话说，该导电层511E，可以看成数据线6a本身的一部分构成根据本实用新型的‘电容器’的第1电极。此外，在该场合，也没有设置迂回层520的必要(参照图9中的虚线)。
此外，使图9中所示的形态更进一步，如图10中所示，也可以取为电容器电极用布线503E本身担任前述中所说第2导电层512的角色的构成。在该场合，导电层512E由与电容器电极用布线503E同一材料构成，成为作为外观上，与该电容器电极用布线503E没有明确区别的东西而形成。换句话说，该导电层512E，可以看成电容器电极用布线503E本身的一部分构成根据本实用新型的‘电容器’的另一方的电极。
(电光装置的制造方法)
以下，参照图11至图13就根据本实施形态的电光装置的制造方法进行说明。这里图11至图13是关于图5的剖视图(图中左方)和图3的剖视图当中半导体层1a附近相关部分(图中右方)，依次示出制造工序的各工序中的电光装置的叠层结构的工序图。
首先，如图11的工序(1)中所示，准备石英基板、硬玻璃、硅基板等TFT阵列基板10。这里，最好是在N2(氮气)等惰性气体气氛中在大约900～1300℃的高温下进行退火处理，进行前处理以便在以后所实施的高温工序中TFT阵列基板10上产生的变形很小。接着，关于像这样处理了的TFT阵列基板10的图像显示区域内，通过溅射Ti、Cr、W、Ta、Mo等金属或金属硅化物等金属合金膜，形成100～500nm左右的膜厚，最好是200nm的膜厚的遮光膜。然后，通过光刻和蚀刻，形成平面形状为格子状的下侧遮光膜11a。接着，在下侧遮光膜11a上，通过例如常压或减压CVD法用TEOS(原硅酸盐四乙酯)气体、TEB(硼酸四乙酯)气体、TMOP(磷酸三甲酯)气体等形成由NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等构成的基底绝缘膜12。该基底绝缘膜12的膜厚，取为例如500～2000nm左右。此外，该基底绝缘膜12在图像显示区域内外双方上形成。
接着，在图像显示区域内的基底绝缘膜12上，在大约450～550℃，最好是大约500℃的比较低温环境中，通过用流量大约400～600cc/min的甲硅烷气体、乙硅烷气体等的减压CVD(例如压力大约20～40Pa的CVD)，形成非晶硅膜。此后，通过在氮气气氛中，用600～700℃施行大约1～10小时，最好是4～6小时的退火处理，使p-Si(多晶硅)膜固相生长到成为大约50～200nm的厚度，最好是大约10nm的厚度。作为固相生长的方法，可以是使用RTA的退火处理，也可以是用激元激光器等的激光退火。此时，也可以根据把像素开关用的TFT 30取为n沟道型还是p沟道型，通过少量离子注入V族元素或III族元素的掺杂进行掺杂。然后，通过光刻和蚀刻，形成具有规定图形的半导体层1a。接着，用大约900～1300℃的温度，最好是大约1000℃的温度，对构成TFT30的半导体层1a进行热氧化形成下层栅绝缘膜，根据情况，接着通过减压CVD法等形成上层栅绝缘膜，借此形成由一层或多层的高温氧化硅膜(HTO膜)或氮化硅膜构成的(包含栅绝缘膜的)绝缘膜2。结果半导体层1a成为大约30～150nm的厚度，最好是大约35～50nm的厚度，绝缘膜2的厚度成为大约20～150nm的厚度，最好是大约30～100nm的厚度。
接着，为了控制像素开关用的TFT30的阈值电压Vth，在半导体层1a当中n沟道区域或p沟道区域上，按预先设定的规定量通过离子注入等掺杂硼等杂质。
接着，如图11的工序(2)中所示，通过减压CVD法等淀积多晶硅膜，进而热扩散磷(P)，把该多晶硅膜导电化。也可以代替该热扩散，用在多晶硅膜成膜的同时引入P离子的掺杂硅膜。该多晶硅膜的膜厚，为大约100～500nm的厚度，最好是大约350nm左右。然后，通过光刻和蚀刻，包含TFT30的栅电极部形成规定图形的扫描线3a。此时，在本实施形态中特别是，与该扫描线3a的形成同时，在图像显示区域外，形成迂回层520。也就是说，在前述通过光刻和蚀刻形成规定图形的扫描线3a的同时，还作为同一膜形成具有规定图形(参照图4)的迂回层520。
接着，在前述半导体层1a上，形成低浓度源区1b和低浓度漏区1c，以及高浓度源区1d和高浓度漏区1e。这里，说明取为使TFT 30具有LDD结构的n沟道型的TFT的场合，具体地说首先，为了形成低浓度源区1b和低浓度漏区1c，以扫描线3a(栅电极)为掩模，以低浓度(例如，把P离子取为1～3×1013/cm2的掺杂量)进行掺杂。借此扫描线3a下的半导体层1a成为沟道区域1a′。此时通过扫描线3a起掩模的作用，低浓度源区1b和低浓度漏区1c就自匹配地形成。接着，为了形成高浓度源区1d和高浓度漏区1e在扫描线3a上形成具有宽度比扫描线3a宽的平面图形的抗蚀刻层。然后，以高浓度(例如把P离子取为1～3×1015/cm2的掺杂量)掺杂P等V族元素的杂质。
再者，也可以不像这样分成低浓度与高浓度两个阶段，进行掺杂。例如，也可以不进行低浓度的掺杂，制成偏移结构的TFT，也可以以扫描线3a(栅电极)为掩模，通过用P离子、B离子等的离子注入技术制成自对准型的TFT。通过该杂质的掺杂，扫描线3a进一步低电阻化。
接着，如图11的工序(3)中所示，在扫描线3a上，通过用例如TEOS气体、TEB气体、TMOP气体等的常压或减压CVD法等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜构成的第1层间绝缘膜41。该第1层间绝缘膜41的膜厚，取为例如大约500～2000nm左右。这里最好是，在800℃左右的高温下进行退火处理，提高第1层间绝缘膜41的膜质。
接着，通过对第1层间绝缘膜41的反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干蚀刻，开孔接触孔83。此时，在本实施形态中，在图像显示区域外，还同时开孔接触孔582以便通到前述迂回层520。
接着，如图11的工序(4)中所示，在第1层间绝缘膜41上，通过溅射，形成100～500nm左右的膜厚的多晶硅膜，或者Ti、Cr、W、Ta、Mo等金属或金属硅化物等的金属合金膜。然后，通过光刻和蚀刻形成具有规定图形的中继层71。此时，在本实施形态中特别是，与该中继层71的形成同时，在图像显示区域外，形成第1导电层511。也就是说，成为在前述通过光刻和蚀刻形成规定图形的中继层71的同时，还作为同一膜形成具有规定图形(参照图4)的第1导电层511。
接着，如图12的工序(5)中所示，通过减压CVD法或等离子体CVD法，在中继层71上形成由HTO膜、氮化硅膜、TaOx膜等构成的介电体膜75。该介电体膜75，与绝缘膜2的场合同样，可以由单层膜或多层膜中的某种来构成，一般能够通过在形成TFT栅绝缘膜中用的各种公知技术来形成。然后，由于介电体膜75越薄，则存储电容器70越大，所以，结果，在不产生膜破等缺陷的条件下，如果形成成为膜厚50nm以下的极薄的绝缘膜是有利的。在本实施形态中，该介电体膜75在图像显示区域外也形成。由此，该介电体膜75不仅在中继层71之上，而且在与该中继层71作为同一膜形成的前述第1导电层511之上也形成。
接着，如图12的工序(6)中所示，在介电体膜75上，通过溅射，形成大约100～500nm左右膜厚的Al、Ti、Cr、W、Ta等金属合金膜的金属膜。然后，通过光刻和蚀刻，形成具有规定图形的电容线300。借此，靠该电容线300与前述中继层71和介电体膜75，完成存储电容器70。
而且，在本实施形态中特别是，成为在与该电容线300的形成同时，在图像显示区域外，形成第2导电层512。也就是说，成为在前述通过光刻和蚀刻形成规定图形的电容线300的同时，还作为同一膜形成具有规定图形(参照图4)的第2导电层512。借此，在本实施形态中，成为在完成前述存储电容器70的同时，靠第1导电层511、第2导电层512和介电体膜75还同时完成电容器501。
接着，如图12的工序(7)中所示，通过用例如TEOS气体等的常压或减压CVD法，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等构成的第2层间绝缘膜42。该第2层间绝缘膜42的膜厚，取为例如500～1500nm左右。接着，通过对第2层间绝缘膜42的反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干蚀刻，开孔接触孔81。此时，在本实施形态中，在图像显示区域外，还同时开孔接触孔581和583以便通到前述迂回层520。此外，关于图像显示区域外的第2层间绝缘膜42还开孔接触孔584，以便通到前述第2导电层512。
接着，如图13的工序(8)中所示，在第2层间绝缘膜42的整个面上，通过溅射等，以遮光性的Al等低电阻金属或金属硅化物等为金属膜，淀积大约100～500nm左右的厚度，最好是大约300nm。然后，通过光刻和蚀刻，形成具有规定图形的数据线6a。此时，在本实施形态中特别是，成为在形成该数据线6a的同时，在图像显示区域外，形成与电容器电极用布线503及检查电路701连续的检查电路用布线60a。即，与通过前述的光刻及蚀刻形成规定图形的数据线6a的同时，还作为同一膜形成具有规定图形(参照图4)的电容器电极用布线503和检查电路用布线60a。
接着，如图13的工序(9)中所示，通过用例如TEOS气体等的常压或减压CVD法形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等构成的第3层间绝缘膜43，以便覆盖数据线6a。该第3层间绝缘膜43的膜厚取为例如大约500～1500nm左右。接着，通过对第3层间绝缘膜43的反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干蚀刻，开孔未画出的接触孔85(参照图1至图3)。接着，在第3层间绝缘膜43上，通过溅射处理等，淀积大约50～200nm厚度的ITO膜等透明导电膜。然后，通过光刻和蚀刻，形成像素电极9a。再者，在把该电光装置用作反射型的场合，也可以由Al等反射率高的不透明的材料来形成像素电极9a。
而且最后，在像素电极9a上，涂布聚酰亚胺类的取向膜的涂布液后，通过具有规定的预倾角地，且在规定方向上施行摩擦处理等，形成取向膜16。
另一方面，关于对向基板20，首先准备玻璃基板等，作为边框的遮光膜，溅射例如金属铬后，经过光刻和蚀刻而形成。再者，这些遮光膜没有必要是导电性的，除了Cr、Ni、Al等金属材料外，也可以由把碳或Ti分散于光刻胶的树脂块等材料来形成。
然后，在对向基板20的整个面上通过溅射处理等，淀积大约50～200nm厚度的ITO等透明导电膜，借此形成对向电极21。进而，在对向电极21的整个面上涂布聚酰亚胺类取向膜的涂布液后，通过具有预倾角地，且在规定方向上施行摩擦处理等，形成取向膜22。
最后，如上所述，各层所形成的TFT阵列基板10与对向基板20靠密封材料相互粘贴，使取向膜16和22相对，通过吸真空等，把例如混合多种向列液晶而成的液晶吸入到两基板间的空间，形成规定层厚的液晶层50。
通过以上说明的制造工序，可以制造前述的第1实施形态的电光装置。
像以上说明的这样，在根据本实施形态的电光装置的制造方法中，构成电容器501的构件与构成存储电容器70的构件在制造工序阶段在同一机会中形成。具体地说，如上所述，第1导电层511与中继层71，第2导电层512与电容线300，分别作为同一膜形成。而且，介电体膜75在电容器501与存储电容器70中被共用。在本实施形态中进而，扫描线3a与迂回层520作为同一膜形成，数据线6a、电容器电极用布线503和检查电路用布线60a作为同一膜形成。
这样一来，在本实施形态中，因为电容器501和与之关联的构成，与图像显示区域内所形成的构成(扫描线3a和数据线6a，存储电容器70等)同时形成，因此，可以谋求制造工序的简化，或制造成本的低廉化等。
(电光装置的总体构成)
以下，参照图14和图15说明像以上这样所构成的本实施形态中的电光装置的总体构成。再者，图14是在与在其上所形成的各种构成要素一起从对向基板20一侧观看TFT阵列基板的俯视图，图15是图14的H-H′剖视图。
在图14和图15中，在根据本实施形态的电光装置中，TFT阵列基板10和对向基本20对向配置。在TFT阵列基板10与对向基板20之间，封入液晶层50，TFT阵列基板10与对向基板20靠设在位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封材料52相互粘接。
密封材料52，因为相互粘贴两基板，故由例如紫外线固化树脂、热固化树脂等构成，是靠紫外线、加热等固化者。此外，如果把根据本实施形态的电光装置运用于像投影机用途那样液晶装置以小型进行放大显示的液晶装置，则在该密封材料52中，散布着用来使两基板间的距离(基板间间隙)成为规定值的玻璃纤维、或者玻璃珠等间隙料(隔离料)。或者，如果把该电光装置运用于像液晶显示器或液晶电视那样大型地进行等倍显示的液晶装置，则这种间隙料可以包含于液晶层50中。
在密封材料52的外侧的区域，通过按规定的定时把图像信号供给到数据线6a来驱动该数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端子102沿着TFT阵列基板10的一边设置，通过按规定的定时把扫描信号供给到扫描线3a，驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104沿着相邻于该一边的两边设置。
再者，如果供给到扫描线3a的扫描信号延迟不成问题，则扫描线驱动电路104不用说仅在单侧也可以。此外，也可以把数据线驱动电路101沿着图像显示区域10a的边排列于两侧。
在TFT阵列基板10的剩下一边，设有用来连接设在图像显示区域10a的两侧的扫描线驱动电路104间的多个布线105。此外，在对向基板20的角部的至少一处，设有用来在TFT阵列基板10与对向基板20之间进行导通的导通件106。
在图15中，在TFT阵列基板10上，在像素开关用的TFT或扫描线、数据线等布线形成后的像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对向基板20上，除了对向电极21之外，在最上层部分形成取向膜。此外，液晶50由混合例如一种或多种向列液晶的液晶构成，在这一对取向膜间，取为规定的取向状态。
再者，在TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等外，还可以形成按规定的定时把图像信号施加于多个数据线6a的取样电路，把规恒定电压电平的预充电信号先于图像信号分别供给到多个数据线6a的预充电电路，用来检查制造中途或出品时的该电光装置的质量、缺陷等的检查电路等。
此外，在上述各实施形态中，也可以不是把数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设在TFT阵列基板10上，代之以经由设在TFT阵列基板10的周边部的各向异性导电膜电气上和机械上连接于装设于例如TAB(带式自动键合)基板上的驱动用LSI。此外，在对向基板20的投射光入射的一侧和TFT阵列基板10的出射光出射的一侧，分别根据例如TN(扭曲向列)模式、VA(竖直对准)模式、PDLC(聚合物分散液晶)模式等工作模式，或常白模式·常黑模式的不同，在规定的方向上配置偏振膜、相位差膜、偏振片等。
(电子设备)
接下来，就作为把以上详细说明的电光装置用作光阀的电子设备之一例的投射型彩色显示装置的实施形态，就其总体构成、特别是光学上的构成进行说明。这里，图16是投射型彩色显示装置的示意的剖视图。
在图16中，本实施形态中的作为彩色显示装置之一例的液晶投影机1100，准备三个包含驱动电路搭载于TFT阵列基板上的液晶装置的液晶块，作为分别用作红绿蓝用的光阀100R、100G和100B的投影机而构成。在液晶投影机1100中，如果从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发出投射光，则靠三个反射镜1106和两个分色镜1108，分成对应于红绿蓝三原色的光分量R、G和B，分别引入对应于各色的光阀100R、100G和100B。此时，B光，为了防止长的光路引起的光损失，经由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜系统1121引导。然后，对应于靠光阀100R、100G和100B分别调制的三原色的光分量，靠分光棱镜1112再度合成后，经由投射透镜1114作为图像投射到屏幕1120。
本实用新型不限于上述实施形态，在不脱离从如技术方案和整个说明书读到的宗旨或精神的范围内适当变更是可能的，伴随这种变更的电光装置及其制造方法以及电子设备也包含在本实用新型的技术范围中。

Claims (14)

1.一种电光装置，其特征在于，在基板上，具备：
在一定方向上延长的数据线，
与该数据线交叉地延长的扫描线，
对应于前述扫描线与前述数据线的交叉区域地配置的像素电极和像素开关用元件，以及
包含以连接于前述数据线或从前述数据线延伸设置的导电层为其第1电极的电容器。
2.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，其中还具备在交叉于前述数据线的方向上延伸的电容器电极用布线，
构成前述电容器的第2电极包含连接于前述电容器电极用布线的或从前述电容器电极用布线延伸设置的另一个导电层。
3.如权利要求2中所述的电光装置，其特征在于，前述电容器电极用布线取为固定电位。
4.如权利要求3中所述的电光装置，其特征在于，还具备：
对向地配置于前述基板的对向基板，与在该对向基板上所形成对向于前述像素电极地配置的对向电极，
配置于该对向基板和前述基板的某一方用来驱动前述扫描线和前述数据线以及前述像素电极的驱动电路，
向前述对向电极供给固定电位的第1电源，以及
向前述驱动电路供给固定电位的第2电源，
前述电容器电极用布线通过连接于前述第1电源或前述第2电源取为固定电位。
5.如权利要求2中所述的电光装置，其特征在于，前述电容器电极用布线由低电阻材料构成。
6.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，在前述数据线的一端侧，还具备用来驱动该数据线的数据线驱动电路，
在前述数据线的另一端侧设有前述电容器。
7.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，在前述数据线的一端侧，还具备用来驱动该数据线的数据线驱动电路，
在前述数据线的另一端侧还具备用来检查该电光装置的工作的检查电路。
8.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，还具备连接于前述像素电极和像素开关用元件的存储电容器，
构成前述电容器的构件的至少一部分，与构成前述存储电容器的构件的至少一部分，在制造工序阶段中在同一的机会中形成。
9.如权利要求2中所述的电光装置，其特征在于，前述电容器电极用布线和前述电容器，在制造工序阶段中在同一的机会中形成。
10.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，
还具备分别连接于前述数据线和前述导电层的迂回层，
前述迂回层与前述扫描线在制造工序阶段中在同一的机会中形成。
11.如权利要求10中所述的电光装置，其特征在于，在前述数据线的一端侧还具备用来驱动该数据线的数据线驱动电路，
在前述数据线的另一端侧还具备用来检查前述电容器和该电光装置的工作的检查电路，
前述检查电路经由前述数据线和前述迂回层而连接。
12.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，前述导电层的要成为前述第1电极的部位，比前述数据线宽度宽地形成。
13.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，前述数据线存在多条，
这些多条的数据线临时区分成作为图像信号的供给对象的多组。
14.一种电子设备，其特征在于，具备如权利要求1中所述的电光装置。
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