DE03008723T1 - Verfahren zur Herstellung einer porösen SiOCH-Schicht - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer porösen SiOCH-Schicht Download PDF

Info

Publication number
DE03008723T1
DE03008723T1 DE2003008723 DE03008723T DE03008723T1 DE 03008723 T1 DE03008723 T1 DE 03008723T1 DE 2003008723 DE2003008723 DE 2003008723 DE 03008723 T DE03008723 T DE 03008723T DE 03008723 T1 DE03008723 T1 DE 03008723T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cyclic
branched
hydrocarbon
saturated
linear
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2003008723
Other languages
English (en)
Inventor
Raymond Nicholas Vrtis
Mark Leonard O'neill
Jean Louise Vincent
Aaron Scott Lukas
Manchao Xiao
John Anthony Thomas Norman
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Air Products and Chemicals Inc
Original Assignee
Air Products and Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=28678849&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE03008723(T1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US10/150,798 external-priority patent/US6846515B2/en
Application filed by Air Products and Chemicals Inc filed Critical Air Products and Chemicals Inc
Publication of DE03008723T1 publication Critical patent/DE03008723T1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02351—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to corpuscular radiation, e.g. exposure to electrons, alpha-particles, protons or ions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31695—Deposition of porous oxides or porous glassy oxides or oxide based porous glass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Abstract

Chemisches Dampfabscheidungsverfahren zur Herstellung eines porösen Glasfilms aus Organosiliciumdioxid der Formel SivOwCxHyFz, in der v + w + x + y + z = 100 %, v 10 bis 35 Atom-% beträgt, w 10 bis 65 Atom-% beträgt, x 5 bis 30 Atom-% beträgt, y 10 bis 50 Atom-% beträgt und z 0 bis 15 Atom-% beträgt, wobei v vorzugsweise 20 bis 30 Atom-% beträgt, w 20 bis 45 Atom-% beträgt, x 5 bis 20 Atom-% beträgt, y 15 bis 40 Atom-% beträgt und z 0 ist; wobei das Verfahren umfasst:
Bereitstellen eines Substrats innerhalb einer Vakuumkammer;
Einführen gasförmiger Reagenzien, die mindestens einen Vorläufer, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem Organosilan und einem Organosiloxan, und ein Porogen umfassen, in die Vakuumkammer;
Aufbringen von Energie auf die gasförmigen Reagenzien in der Vakuumkammer, um eine Reaktion der gasförmigen Reagenzien in Gang zu setzen und einen vorläufigen Film auf...

Claims (45)

  1. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren zur Herstellung eines porösen Glasfilms aus Organosiliciumdioxid der Formel SivOwCxHyFz, in der v + w + x + y + z = 100 %, v 10 bis 35 Atom-% beträgt, w 10 bis 65 Atom-% beträgt, x 5 bis 30 Atom-% beträgt, y 10 bis 50 Atom-% beträgt und z 0 bis 15 Atom-% beträgt, wobei v vorzugsweise 20 bis 30 Atom-% beträgt, w 20 bis 45 Atom-% beträgt, x 5 bis 20 Atom-% beträgt, y 15 bis 40 Atom-% beträgt und z 0 ist; wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Substrats innerhalb einer Vakuumkammer; Einführen gasförmiger Reagenzien, die mindestens einen Vorläufer, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem Organosilan und einem Organosiloxan, und ein Porogen umfassen, in die Vakuumkammer; Aufbringen von Energie auf die gasförmigen Reagenzien in der Vakuumkammer, um eine Reaktion der gasförmigen Reagenzien in Gang zu setzen und einen vorläufigen Film auf das Substrat abzuscheiden, wobei der vorläufige Film das Porogen enthält und wobei der vorläufige Film ohne zugesetzte Oxidantien abgeschieden wird, wenn sich das Porogen von dem mindestens einen Vorläufer unterscheidet; und Entfernen des im Wesentlichen ganzen Porogens aus dem vorläufigen Film, um den porösen Film mit Poren und einer dielektrischen Konstante von weniger als 2,6, vorzugsweise 1,9 zur Verfügung zu stellen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem z 0,5 bis 7 Atom-% beträgt, das mindestens eine Fluorierungsmittel ausgewählt wird aus der Gruppe, bestehend aus SiF4, NF3, F2, COF2, CO2F2 und HF und dazu verwendet wird, F in den porösen Film einzuführen, und im Wesentlichen das ganze F im porösen Film in Si-F-Gruppen an Si gebunden ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Großteil des Wasserstoffs im porösen Film an Kohlenstoff gebunden ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der poröse Film eine Dichte von weniger als 1,5 g/ml aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Poren einen sphärischen Äquivalentdurchmesser von 5 nm oder weniger aufweisen.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem sich das Porogen von dem mindestens einen Vorläufer unterscheidet.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch: (a) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, n 1 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist; (b) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2 und R6 unabhängig voneinander linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind; (c) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1- C4-Kohlenwasserstoff sind; R2 und R6 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind; (d) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2, R6 und R7 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤3 sind; (e) die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist, und t 2 bis 4 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist; (f) die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist und t 1 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist; (g) cyclische Siloxane der Formel (OSiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann; (h) cyclische Silazane der Formel (NR1SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann; oder (i) cyclische Carbosilane der Formel (CR1R3SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind, und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der mindestens eine Vorläufer ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Diethoxymethylsilan, Dimethoxymethylsilan, Diisopropoxymethylsilan, Di-t-butoxymethylsilan, Methyltriethoxysilan, Methyltrimethoxysilan, Methyltriisopropoxysilan, Methyltri-t-butoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Dimethyldiethoxysilan, Dimethyldiisopropoxysilan, Dimethyldi-t-butoxysilan, 1,3,5,7-Tetramethylcyclotatrasiloxan, Octamethylcyclotetrasiloxan und Tetraethoxysilan.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der mindestens eine Vorläufer ein Gemisch aus einem ersten Organosiliciumvorläufer mit zwei oder weniger Si-O-Bindungen mit einem zweiten Organosiliciumvorläufer mit drei oder mehr Si-O-Bindungen ist und das Gemisch so bereitgestellt wird, dass eine chemische Zusammensetzung des porösen Films maßgeschneidert werden kann.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Porogen mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus: (a) mindestens einem cyclischem Kohlenwasserstoff mit einer cyclischen Struktur und der Formel CnH2n, in der n 4 bis 14 beträgt, die Anzahl der Kohlenstoffe in der cyclischen Struktur zwischen 4 und 10 liegt und der mindestens eine cycli sche Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffe enthält, die auf die cyclische Struktur substituiert sind; (b) mindestens einem linearen oder verzweigten, gesättigten, einzeln oder mehrfach ungesättigten Kohlenwasserstoff der allgemeinen Formel CnH(2n+2)-2y, in der n = 2–20 und y = 0–n ist; (c) mindestens einem einzeln oder mehrfach ungesättigten cyclischen Kohlenwasserstoff mit einer cyclischen Struktur und der Formel CnH2n-2x, in der x die Anzahl ungesättigter Stellen ist, n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der cyclischen Struktur zwischen 4 und 10 liegt und der mindestens eine einzeln oder mehrfach ungesättigte cyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffsubstituenten, die auf die cyclische Struktur substituiert sind, aufweist und eine endocyclische Ungesättigtheit oder Ungesättigtheit auf einem der Kohlenwasserstoffsubstituenten enthält; (d) mindestens einem bicyclischen Kohlenwasserstoff mit einer bicyclischer Struktur und der Formel CnH2n-2, in der n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der bicyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine bicyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffe enthält, die auf die bicyclische Struktur substituiert sind; (e) mindestens einem mehrfach ungesättigten bicyclischen Kohlenwasserstoff mit einer bicyclischen Struktur und der Formel CnH2n-(2+2x), in der x die Anzahl der ungesättigten Stellen bezeichnet, n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der bicyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine mehrfach ungesättigte bicyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffsubstituenten aufweist, die auf die bicyclische Struktur substituiert sind, und eine endocyclische Ungesättigtheit oder eine Ungesättigtheit auf einem der Kohlenwasserstoffsubstituenten enthält; und (f) mindestens einem tricyclischen Kohlenwasserstoff mit einer tricyclischen Struktur und der Formel CnH2n-4, in der n 4 bis 14 beträgt, die Anzahl der Kohlenstoffe in der tricyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine tricyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffe aufweist, die auf die cyclische Struktur substituiert sind.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Porogen mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus α-Terpinen, Limonen, Cyclohexan, 1,2,4-Trimethylcyclohexan, 1,5-Dimethyl-1,5-cyclooctadien, Camphen, Adamantan, 1,3-Butadien, substituierten Dienen und Decahydronaphthalin.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der mindestens eine Vorläufer mindestens ein daran gebundenes Porogen aufweist.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die gasförmigen Reagenzien außerdem mindestens einen porogenfreien Vorläufer umfassen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem Organosilan und einem Organosiloxan.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem nach dem Entfernungsschritt eine Methylgruppe zurückbliebt, die an Si befestigt ist, wo vorher das Porogen befestigt war.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch: (a) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff ist; R2 und R3 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 1 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, mit der Maßgabe, dass n + p ≤ 4 ist und dass mindestens eines von R1 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist (b) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind; R2, R4, R5 und R6 unabhängig voneinander linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind und mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (c) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind; R2, R4, R5 und R6 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind und mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder größeren Kohlenstoff als Porogen substituiert ist. (d) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind; R2, R4, R5, R6 und R7 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind und mindestens eines von R1, R3 und R7 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (e) die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff ist; R2 und R3 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist, und t 2 bis 4 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist und dass mindestens eines von R1 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (f) die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff ist; R2 und R3 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist und t 1 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist und dass mindestens eines von R1 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (g) cyclische Siloxane der Formel (OSiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 ist, vorausgesetzt dass mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (h) cyclische Silazane der Formel (NR1SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 ist, vorausgesetzt dass mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; oder (i) cyclische Carbosilane der Formel (CR1R3SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 ist, vorausgesetzt dass mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist.
  16. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der mindestens eine Vorläufer ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus 1-Neohexyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, 1-Neopentyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan, Neopentyldiethoxysilan, Neohexyldiethoxysilan, Neohexyltriethoxysilan, Neopentyltriethoxysilan und Neopentyl-di-t-butoxysilan.
  17. Poröser Glasfilm aus Organosiliciumdioxid, der nach dem Verfahren von Anspruch 1 hergestellt wurde, wobei der Film aus einer einzigen Phase eines Materials der Formel SivOwCxHyFZ besteht, in der v + w + x + y + z = 100 %, v 10 bis 35 Atom-% beträgt, w 10 bis 65 Atom-% beträgt, x 5 bis 30 Atom-% beträgt, y 10 bis 50 Atom-% beträgt und z 0 bis 15 Atom-% beträgt, wobei der Film Poren und eine dielektrische Konstante von weniger als 2,6 aufweist, wobei v vorzugsweise 20 bis 30 Atom-% beträgt, w 20 bis 45 Atom-% beträgt, x 5 bis 25 Atom-% beträgt, y 15 bis 40 Atom-% beträgt und z 0 ist.
  18. Film nach Anspruch 17, bei dem z 0,5 bis 7 Atom-% beträgt und im Wesentlichen das ganze F im porösen Film in Si-F-Gruppen an Si gebunden ist.
  19. Film nach Anspruch 17, bei dem der Großteil des Wasserstoffs an Kohlenstoff gebunden ist.
  20. Neohexyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan.
  21. Trimethylsilylethyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan.
  22. Zusammensetzung, umfassend 1,3,5,7-Tetramethylcyclotetrasiloxan, das mit einem Porogen substituiert ist.
  23. Zusammensetzung, umfassend (A) mindestens einen porogenierten Vorläufer, dargestellt durch (1) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff ist; R2 und R3 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 1 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, mit der Maßgabe, dass n + p ≤ 4 ist und dass mindestens eines von R1 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (2) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind; R2, R4, R5 und R6 unabhängig voneinander linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind und mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert sind; (3) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind; R2, R4, R5 und R6 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind und mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder größeren Kohlenstoff als Porogen substituiert sind. (4) die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind; R2, R4, R5, R6 und R7 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind und mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (5) die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff ist; R2 und R3 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist, und t 2 bis 4 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist und dass mindestens eines von R1 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (6) die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff ist; R2 und R3 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist und t 1 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist und dass mindestens eines von R1 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (7) cyclische Siloxane der Formel (OSiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 ist, vorausgesetzt dass mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; (8) cyclische Silazane der Formel (NR1SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 ist, vorausgesetzt dass mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist; oder (9) cyclische Carbosilane der Formel (CR1R3SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig voneinander H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C12-Kohlenwasserstoff sind, und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 ist, vorausgesetzt dass mindestens eines von R1 und R3 mit einem C3 oder einem größeren Kohlenwasserstoff als Porogen substituiert ist. (B)(1) mindestens einem Vorläufer, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (a) der Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, n 1 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist; (b) der Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2 und R6 unabhängig voneinander linearer o der verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind; (c) der Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2 und R6 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind; (d) der Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-n-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2, R6 und R7 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig voneinander H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind; (e) der Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist, und t 2 bis 4 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist; (f) der Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist und t 1 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist; (g) cyclischen Siloxanen der Formel (OSiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann; (h) cyclischen Silazanen der Formel (NR1SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann; und (i) cyclischen Carbosilanen der Formel (CR1R3SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig voneinander H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind, und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann. (B)(2) einem Porogen, das sich von dem mindestens einen Vorläufer unterscheidet, wobei das Porogen mindestens eines der folgenden ist: (a) mindestens ein cyclischer Kohlenwasserstoff mit einer cyclischen Struktur und der Formel CnH2n, in der n 4 bis 14 beträgt, die Anzahl der Kohlenstoffe in der cyclischen Struktur zwischen 4 und 10 liegt, und der mindestens eine cyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffe enthält, die auf die cyclische Struktur substituiert sind; (b) mindestens ein linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter Kohlenwasserstoff der allgemeinen Formel CnH2n+2)-2y, in der n = 2–20 und y = 0–n ist; (c) mindestens ein einzeln oder mehrfach ungesättigter cyclischer Kohlenwasserstoff mit einer cyclischen Struktur und der Formel CnH2n-2x, in der x die Anzahl ungesättigter Stellen ist, n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der cyclischen Struktur zwischen 4 und 10 liegt und der mindestens eine einzeln oder mehrfach ungesättigte cyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl linearer oder verzweigter Kohlenwasserstoffsubstituenten, die auf die cyclische Struktur substituiert sind, aufweist und eine endocyclische Ungesättigtheit oder Ungesättigtheit auf einem der Kohlenwasserstoffsubstituenten enthält; (d) mindestens ein bicyclischer Kohlenwasserstoff mit einer bicyclischen Struktur und der Formel CnH2n-2, in der n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der bicyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine bicyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffe enthält, die auf die bicyclische Struktur substituiert sind; (e) mindestens ein mehrfach ungesättigter bicyclischer Kohlenwasserstoff mit einer bicyclischen Struktur und der Formel CnH2n-(2+2x), in der x die Anzahl der ungesättigten Stellen bezeichnet, n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der bicyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine mehrfach ungesättigte bicyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffsubstituenten aufweist, die auf die bicyclische Struktur substituiert sind, und eine endocyclische Ungesättigtheit oder eine Ungesättigtheit auf einem der Kohlenwasserstoffsubstituenten enthält; und/oder (f) mindestens ein tricyclischer Kohlenwasserstoff mit einer tricyclischen Struktur und der Formel CnH2n-4, in der n 4 bis 14 beträgt, die Anzahl der Kohlenstoffe in der tricyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine tricyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffe aufweist, die auf die cyclische Struktur substituiert sind.
  24. Zusammensetzung nach Anspruch 23, in der das Porogen mindestens einen cyclischen Kohlenwasserstoff mit einer cyclische Struktur und der Formel CnH2n umfasst, in der n 4 bis 14 beträgt, die Anzahl der Kohlenstoffe in der cyclischen Struktur zwischen 4 und 10 liegt, und der mindestens eine cyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl linearer oder verzweigter Kohlenwasserstoffe enthält, die auf die cyclische Struktur substituiert sind.
  25. Zusammensetzung nach Anspruch 23, in der das Porogen mindestens einen linearen oder verzweigten, gesättigten, einzeln oder mehrfach ungesättigten Kohlenwasserstoff der allgemeinen Formel CnH(2n+2)-2y umfasst, in der n = 2–20 und y = 0–n ist.
  26. Zusammensetzung nach Anspruch 23, in der das Porogen mindestens einen einzeln oder mehrfach ungesättigten cyclischen Kohlenwasserstoff mit einer cyclischen Struktur und der Formel CnH2n-2x umfasst, in der x die Anzahl ungesättigter Stellen ist, n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der cyclischen Struktur zwischen 4 und 10 liegt und der mindestens eine einzeln oder mehrfach ungesättigte cyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl linearer oder verzweigter Kohlenwasserstoffsubstituenten, die auf die cyclische Struktur substituiert sind, aufweist und eine endocyclische Ungesättigtheit oder Ungesättigtheit auf einem der Kohlenwasserstoffsubstituenten enthält.
  27. Zusammensetzung nach Anspruch 23, in der das Porogen mindestens einen bicyclischen Kohlenwasserstoff mit einer bicyclischen Struktur und der Formel CnH2n-2 umfasst, in der n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der bicyclische Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine bicyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl linearer oder verzweigter Kohlenwasserstoffe enthält, die auf die bicyclische Struktur substituiert sind.
  28. Zusammensetzung nach Anspruch 23, in der das Porogen mindestens einen mehrfach ungesättigten bicyclischen Kohlenwasserstoff mit einer bicyclischen Struktur und der Formel CnH2n-(2+2x) umfasst, in der x die Anzahl der ungesättigten Stellen bezeichnet, n 4 bis 14 ist, die Anzahl der Kohlenstoffe in der bicyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine mehrfach ungesättigte bicyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl einfacher oder verzweigter Kohlenwasserstoffsubstituenten aufweist, die auf die bicyclische Struktur substituiert sind, und eine endocyclische Ungesättigtheit oder eine Ungesättigtheit auf einem der Kohlenwasserstoffsubstituenten enthält.
  29. Zusammensetzung nach Anspruch 23, in der das Porogen mindestens einen tricyclischen Kohlenwasserstoff mit einer tricyclischen Struktur und der Formel CnH2n-4 umfasst, in der n 4 bis 14 beträgt, die Anzahl der Kohlenstoffe in der tricyclischen Struktur 4 bis 12 beträgt und der mindestens eine tricyclische Kohlenwasserstoff ggfs. eine Vielzahl linearer oder verzweigter Kohlenwasserstoffe aufweist, die auf die cyclische Struktur substituiert sind.
  30. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, n 1 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist.
  31. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2 und R6 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q < 3 sind.
  32. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2 und R6 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind.
  33. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch die Formel R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q, in der R1 und R3 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind; R2, R6 und R7 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, R4 und R5 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff sind, n 0 bis 3 ist, m 0 bis 3 ist, q 0 bis 3 ist und p 0 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + m ≥ 1, n + p ≤ 3 und m + q ≤ 3 sind.
  34. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist, und t 2 bis 4 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist.
  35. Zusammensetzung nach Anspruch 23, in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch die Formel (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t, in der R1 unabhängig H oder linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff ist; R2 unabhängig linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff ist, R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, aromatischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C6-Kohlenwasserstoff n 1 bis 3 ist, p 0 bis 3 ist und t 1 bis 3 ist, vorausgesetzt, dass n + p ≤ 4 ist.
  36. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch cyclische Siloxane der Formel (OSiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann.
  37. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch cyclische Silazane der Formel (NR1SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann.
  38. Zusammensetzung nach Anspruch 23(B), in der der mindestens eine Vorläufer dargestellt wird durch cyclische Carbosilane der Formel (CR1R3SiR1R3)x, in der R1 und R3 unabhängig H, linearer oder verzweigter, gesättigter, einzeln oder mehrfach ungesättigter, cyclischer, teilweise oder vollständig fluorierter C1-C4-Kohlenwasserstoff sind, und x eine beliebige ganze Zahl von 2 bis 8 sein kann.
  39. Zusammensetzung umfassend mindestens einen porogenierten Vorläufer ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Neohexyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan und Trimethylsilylethyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxan.
  40. Zusammensetzung, umfassend (a)(i) mindestens einen Vorläufer, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Diethoxymethylsilan, Dimethoxymethylsilan, Diisopropoxymethylsilan, Di-t-butoxymethylsilan, Methyltriethoxysilan, Methyltrimethoxysilan, Methyltriisopropoxysilan, Methyltri-t-butoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Dimethyldiethoxysilan, Dimethyldiisopropoxysilan, Dimethyldi-t-butoxysilan, 1,3,5,7-Tetramethylcyclotatrasiloxan, Octamethylcyclotetrasiloxan und Tetraethoxysilan, und (ii) ein Porogen, das sich von dem mindestens einen Vorläufer unterscheidet, wobei das Porogen ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus α-Terpinen, Limonen, Cyclohexan, 1,2,4-Trimethylcyclohexan, 1,5-Dimethyl-1,5-cyclooctadien, Camphen, Adamantan, 1,3-Butadien, substituierten Dienen und Decahydronaphthelin; und/oder (b)(i) mindestens einen Vorläufer ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Trimethylsilan, Tetramethylsilan, Diethoxymethylsilan, Dimethoxymethylsilan, Di-tert-butoxymethylsilan, Methyltriethoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Dimethyldiethoxysilan, Methyltriacetoxysilan, Methyldiacetoxysilan, Methylethoxydisiloxan, Tetramethylcyclotetrasiloxan, Octamethylcyclotetrasiloxan, Dimethyldiacetoxysilan, bis(Trimethoxysilyl)methan, bis(Dimethoxysilyl)methan, Tetraethoxysilan und Triethoxysilan und (ii) ein Porogen, das sich von dem mindestens einen Vorläufer unterscheidet, wobei das Porogen ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus α-Terpinen, γ-Terpinen, Limonen, Dimethylhexadien, Ethylbenzol, Decahydronaphthalin, 2-Caren, 3-Caren, Vinylcyclohexen und Dimethylcyclooctadien.
  41. Verfahren nach Anspruch 1, das außerdem die Behandlung des vorläufigen Films mit mindestens einem Nachbehandlungsmittel umfasst, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Wärmeenergie, Plasmaenergie, Photonenenergie, Elektronenenergie, Mikrowellenenergie und Chemikalien, wobei das mindestens eine Nachbehandlungsmittel im Wesentlichen das gesamte Porogen aus dem vorläufigen Film entfernt, um den porösen Glasfilm aus Organosiliciumdioxid mit Poren und einer dielektrischen Konstante von weniger als 2,6 zur Verfügung zu stellen.
  42. Verfahren nach Anspruch 41, bei dem das mindestens eine Nachbehandlungsmittel eine Eigenschaft des resultierenden porösen Glasfilms aus Organosiliciumdioxid verbessert, und zwar vor, während und/oder nach der Entfernung des im Wesentlichen gesamten Porogens aus dem vorläufigen Film.
  43. Verfahren nach Anspruch 42, bei dem das zusätzliche Nachbehandlungsmittel eine Eigenschaft des resultierenden porösen Gasfilms aus Organosilicumdioxid verbessert und zwar vor, während und/oder nach dem mindestens ein Nachbehandlungsmittel im Wesentlichen das gesamte Porogen aus dem vorläufigen Film entfernt.
  44. Verfahren nach einem der Ansprüche 41 bis 43, bei dem das mindestens eine Nachbehandlungsmittel durch einen Elektronenstrahl zur Verfügung gestellte Elektronenenergie ist.
  45. Verfahren nach Anspruch 41, bei dem das mindestens eine Nachbehandlungsmittel ein superkritisches Fluid ist.
DE2003008723 2002-04-17 2003-04-16 Verfahren zur Herstellung einer porösen SiOCH-Schicht Pending DE03008723T1 (de)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37310402P 2002-04-17 2002-04-17
US373104P 2002-04-17
US150798 2002-05-17
US10/150,798 US6846515B2 (en) 2002-04-17 2002-05-17 Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US409468 2003-04-07
US10/409,468 US7384471B2 (en) 2002-04-17 2003-04-07 Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE03008723T1 true DE03008723T1 (de) 2007-09-20

Family

ID=28678849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2003008723 Pending DE03008723T1 (de) 2002-04-17 2003-04-16 Verfahren zur Herstellung einer porösen SiOCH-Schicht

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7384471B2 (de)
EP (1) EP1354980B1 (de)
JP (2) JP2004006822A (de)
DE (1) DE03008723T1 (de)
TW (1) TWI250222B (de)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6800571B2 (en) 1998-09-29 2004-10-05 Applied Materials Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6541367B1 (en) 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
US6582777B1 (en) * 2000-02-17 2003-06-24 Applied Materials Inc. Electron beam modification of CVD deposited low dielectric constant materials
US7456488B2 (en) * 2002-11-21 2008-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Porogen material
US7423166B2 (en) * 2001-12-13 2008-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films
US7108771B2 (en) * 2001-12-13 2006-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Method for removal of impurities in cyclic siloxanes useful as precursors for low dielectric constant thin films
US6890850B2 (en) 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US6838393B2 (en) 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US8951342B2 (en) * 2002-04-17 2015-02-10 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films
US7384471B2 (en) * 2002-04-17 2008-06-10 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
ATE499458T1 (de) * 2002-04-17 2011-03-15 Air Prod & Chem Verfahren zur herstellung einer porösen sioch- schicht
US9061317B2 (en) 2002-04-17 2015-06-23 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US8293001B2 (en) * 2002-04-17 2012-10-23 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US20080268177A1 (en) * 2002-05-17 2008-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants
US7056560B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-06 Applies Materials Inc. Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
US7060330B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Method for forming ultra low k films using electron beam
EP1504138A2 (de) * 2002-05-08 2005-02-09 Applied Materials, Inc. Verfahren zur härtung von filmen niedriger dielektrizitätskonstante mit einem elektronenstrahl
US6936551B2 (en) 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US7404990B2 (en) * 2002-11-14 2008-07-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
EP1420439B1 (de) * 2002-11-14 2012-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Nicht-thermischer Prozess für die Herstellung poröser Filme mit niedriger Dielektrizitätskonstante
US6914014B2 (en) * 2003-01-13 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method for curing low dielectric constant film using direct current bias
TWI240959B (en) * 2003-03-04 2005-10-01 Air Prod & Chem Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
US7098149B2 (en) * 2003-03-04 2006-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
US20040197474A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Vrtis Raymond Nicholas Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films
US8137764B2 (en) * 2003-05-29 2012-03-20 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancer additives for low dielectric films
TWI238675B (en) * 2004-01-19 2005-08-21 Hitachi Displays Ltd Organic light-emitting display and its manufacture method
US20050161060A1 (en) * 2004-01-23 2005-07-28 Johnson Andrew D. Cleaning CVD chambers following deposition of porogen-containing materials
US7060638B2 (en) * 2004-03-23 2006-06-13 Applied Materials Method of forming low dielectric constant porous films
US7071093B2 (en) 2004-03-26 2006-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated treatment method for obtaining robust low dielectric constant materials
US20050214457A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Deposition of low dielectric constant films by N2O addition
US7049247B2 (en) * 2004-05-03 2006-05-23 International Business Machines Corporation Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made
US7112541B2 (en) * 2004-05-06 2006-09-26 Applied Materials, Inc. In-situ oxide capping after CVD low k deposition
TW200605220A (en) 2004-06-21 2006-02-01 Hitachi Chemical Co Ltd Organic siloxane film, semiconductor device using same, flat panel display and raw material liquid
US7581549B2 (en) * 2004-07-23 2009-09-01 Air Products And Chemicals, Inc. Method for removing carbon-containing residues from a substrate
US7132374B2 (en) * 2004-08-17 2006-11-07 Cecilia Y. Mak Method for depositing porous films
US7223670B2 (en) * 2004-08-20 2007-05-29 International Business Machines Corporation DUV laser annealing and stabilization of SiCOH films
JP4650885B2 (ja) * 2004-09-07 2011-03-16 株式会社神戸製鋼所 多孔質膜の形成方法及びその方法によって形成された多孔質膜
US7332445B2 (en) * 2004-09-28 2008-02-19 Air Products And Chemicals, Inc. Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same
US7491658B2 (en) * 2004-10-13 2009-02-17 International Business Machines Corporation Ultra low k plasma enhanced chemical vapor deposition processes using a single bifunctional precursor containing both a SiCOH matrix functionality and organic porogen functionality
US7229934B2 (en) * 2004-10-18 2007-06-12 International Business Machines Corporation Porous organosilicates with improved mechanical properties
US7727401B2 (en) 2004-11-09 2010-06-01 Air Products And Chemicals, Inc. Selective purification of mono-terpenes for removal of oxygen containing species
DE102005007825B4 (de) 2005-01-10 2015-09-17 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Verfahren zur Herstellung einer reflexionsmindernden Beschichtung, reflexionsmindernde Schicht auf einem transparenten Substrat sowie Verwendung einer derartigen Schicht
US7892648B2 (en) * 2005-01-21 2011-02-22 International Business Machines Corporation SiCOH dielectric material with improved toughness and improved Si-C bonding
FR2887252A1 (fr) * 2005-06-21 2006-12-22 Air Liquide Procede de formation d'un film dielectrique et nouveaux precurseurs pour la mise en oeuvre de ce procede
JP4657859B2 (ja) * 2005-09-09 2011-03-23 ローム株式会社 多孔質薄膜の製造方法、多孔質薄膜およびこれを用いた半導体装置
US7883639B2 (en) * 2005-09-12 2011-02-08 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. Additives to prevent degradation of cyclic alkene derivatives
WO2007047822A2 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Advanced Technology Materials, Inc. Nanoporous low-k films with infiltrated porosity
US7842355B2 (en) * 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
JP4631035B2 (ja) * 2006-03-29 2011-02-16 独立行政法人産業技術総合研究所 シリカ薄膜及びその製造方法
WO2007113104A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Novel pore-forming precursors composition and porous dielectric layers obtained there from
FR2899379B1 (fr) * 2006-03-31 2008-06-06 Air Liquide Nouveaux precurseurs porogenes et couches dielectriques poreuses obtenues a partir de ceux-ci
US8399349B2 (en) * 2006-04-18 2013-03-19 Air Products And Chemicals, Inc. Materials and methods of forming controlled void
US7297376B1 (en) 2006-07-07 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers
US8053375B1 (en) 2006-11-03 2011-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Super-dry reagent compositions for formation of ultra low k films
US7989033B2 (en) * 2007-07-12 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Silicon precursors to make ultra low-K films with high mechanical properties by plasma enhanced chemical vapor deposition
US7998536B2 (en) 2007-07-12 2011-08-16 Applied Materials, Inc. Silicon precursors to make ultra low-K films of K<2.2 with high mechanical properties by plasma enhanced chemical vapor deposition
JP5251156B2 (ja) * 2008-02-12 2013-07-31 Ｊｓｒ株式会社 ケイ素含有膜およびその形成方法
EP2264219A4 (de) * 2008-03-26 2012-09-05 Jsr Corp Material für gasphasenabscheidung, siliciumhaltiger isolierfilm und herstellungsverfahren dafür
JP5404772B2 (ja) * 2008-04-28 2014-02-05 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ツイン重合によって得られるＬｏｗ−ｋ誘電体
US8298965B2 (en) * 2008-09-03 2012-10-30 American Air Liquide, Inc. Volatile precursors for deposition of C-linked SiCOH dielectrics
US8133821B2 (en) 2008-11-18 2012-03-13 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing porous insulating film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US20100151206A1 (en) * 2008-12-11 2010-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material
JP2010212489A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Fujifilm Corp 組成物
JP2010278121A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP5190415B2 (ja) * 2009-06-04 2013-04-24 パナソニック株式会社 半導体装置
US8753986B2 (en) * 2009-12-23 2014-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Low k precursors providing superior integration attributes
US8703625B2 (en) 2010-02-04 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Methods to prepare silicon-containing films
JP2013520030A (ja) 2010-02-17 2013-05-30 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ＳｉＣＯＨＬＯＷ−Ｋ膜の蒸着方法
US8349746B2 (en) * 2010-02-23 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Microelectronic structure including a low k dielectric and a method of controlling carbon distribution in the structure
US20110206857A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Ultra low dielectric materials using hybrid precursors containing silicon with organic functional groups by plasma-enhanced chemical vapor deposition
US8405192B2 (en) * 2010-09-29 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low dielectric constant material
US8441006B2 (en) * 2010-12-23 2013-05-14 Intel Corporation Cyclic carbosilane dielectric films
US8772154B2 (en) * 2011-06-17 2014-07-08 GlobalFoundries, Inc. Integrated circuits including barrier polish stop layers and methods for the manufacture thereof
JP5387627B2 (ja) * 2011-07-28 2014-01-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9978585B2 (en) * 2012-06-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same
WO2014158408A1 (en) * 2013-03-13 2014-10-02 Applied Materials, Inc. Uv curing process to improve mechanical strength and throughput on low-k dielectric films
EP3049193B1 (de) * 2013-09-25 2021-09-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasmapolymerer festkörper (insbesondere plasmapolymere schicht)
US9922818B2 (en) * 2014-06-16 2018-03-20 Versum Materials Us, Llc Alkyl-alkoxysilacyclic compounds
JP6748098B2 (ja) 2015-03-09 2020-08-26 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー 抵抗ランダムアクセスメモリとして使用するための有機ケイ酸ガラス膜の堆積プロセス
KR102624608B1 (ko) 2016-01-19 2024-01-16 삼성전자주식회사 저유전막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US10468244B2 (en) 2016-08-30 2019-11-05 Versum Materials Us, Llc Precursors and flowable CVD methods for making low-K films to fill surface features
US11017998B2 (en) 2016-08-30 2021-05-25 Versum Materials Us, Llc Precursors and flowable CVD methods for making low-K films to fill surface features
US11756786B2 (en) * 2019-01-18 2023-09-12 International Business Machines Corporation Forming high carbon content flowable dielectric film with low processing damage
FI4010441T3 (fi) 2019-08-09 2023-12-07 Merck Patent Gmbh Matalan dielektrisyysvakion omaavan piikalvon valmistuskoostumus ja menetelmä kovetetun kalvon valmistamiseksi ja kalvoa käyttävä elektroninen laite
KR20220061161A (ko) * 2019-09-13 2022-05-12 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 모노알콕시실란 및 디알콕시실란과 이로부터 제조된 고밀도 오가노실리카 필름

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2536013A1 (de) 1975-08-13 1977-03-03 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur verbesserung der haltbarkeit von aus siliciumoxiden bestehenden schutzschichten
US5298624A (en) * 1984-01-16 1994-03-29 Lasker Sigmund E Organometallic diphenyl hydantoin
JPH0264931A (ja) 1988-08-31 1990-03-05 Toshiba Corp 情報記録媒体
JPH03265585A (ja) * 1990-03-15 1991-11-26 Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk 強化セラミックスとその製造方法
US5296624A (en) 1992-11-25 1994-03-22 Huls America, Inc. Preparation of sterically-hindered organosilanes
MY113904A (en) 1995-05-08 2002-06-29 Electron Vision Corp Method for curing spin-on-glass film utilizing electron beam radiation
JP3173426B2 (ja) 1997-06-09 2001-06-04 日本電気株式会社 シリカ絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法
US6051321A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials and method
US6068884A (en) 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
US6054206A (en) * 1998-06-22 2000-04-25 Novellus Systems, Inc. Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films
US6171945B1 (en) 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
JP3888794B2 (ja) 1999-01-27 2007-03-07 松下電器産業株式会社 多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法
JP3084367B1 (ja) 1999-03-17 2000-09-04 キヤノン販売株式会社 層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置
US6207555B1 (en) 1999-03-17 2001-03-27 Electron Vision Corporation Electron beam process during dual damascene processing
US6088884A (en) * 1999-04-27 2000-07-18 Hentz; Christopher A. Jewelry clasp
US6312793B1 (en) * 1999-05-26 2001-11-06 International Business Machines Corporation Multiphase low dielectric constant material
US6204201B1 (en) 1999-06-11 2001-03-20 Electron Vision Corporation Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing
EP1077477B1 (de) 1999-08-17 2008-12-17 Applied Materials, Inc. Oberflächenbehandlung von kohlenstoffdotierten SiO2-Filmen zur Erhöhung der Stabilität während der O2-Veraschung
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6541367B1 (en) * 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
CN1257547C (zh) 2000-08-02 2006-05-24 国际商业机器公司 多相低介电常数材料及其沉积方法与应用
SG137695A1 (en) 2000-10-25 2007-12-28 Ibm Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dieletric in a semiconductor device
US6790789B2 (en) * 2000-10-25 2004-09-14 International Business Machines Corporation Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made
US6583048B2 (en) * 2001-01-17 2003-06-24 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants
SG98468A1 (en) * 2001-01-17 2003-09-19 Air Prod & Chem Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants
TW540118B (en) 2001-03-28 2003-07-01 United Microelectronics Corp Method for increasing the surface wetability of low dielectric constant material
KR100432152B1 (ko) 2001-04-12 2004-05-17 한국화학연구원 다분지형 폴리알킬렌 옥시드 포로젠과 이를 이용한저유전성 절연막
US6716770B2 (en) * 2001-05-23 2004-04-06 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
JP3418383B2 (ja) 2001-05-31 2003-06-23 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7456488B2 (en) 2002-11-21 2008-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Porogen material
US7384471B2 (en) 2002-04-17 2008-06-10 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US6846515B2 (en) * 2002-04-17 2005-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US7056560B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-06 Applies Materials Inc. Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
US7288292B2 (en) 2003-03-18 2007-10-30 International Business Machines Corporation Ultra low k (ULK) SiCOH film and method
JP4344841B2 (ja) 2003-05-30 2009-10-14 独立行政法人産業技術総合研究所 低誘電率絶縁膜の形成方法
KR100554157B1 (ko) 2003-08-21 2006-02-22 학교법인 포항공과대학교 저유전 특성의 유기 실리케이트 고분자 복합체
US20050048795A1 (en) 2003-08-27 2005-03-03 Chung-Chi Ko Method for ultra low-K dielectric deposition
US7049247B2 (en) * 2004-05-03 2006-05-23 International Business Machines Corporation Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made
US7332445B2 (en) 2004-09-28 2008-02-19 Air Products And Chemicals, Inc. Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same
US20070299239A1 (en) 2006-06-27 2007-12-27 Air Products And Chemicals, Inc. Curing Dielectric Films Under A Reducing Atmosphere

Also Published As

Publication number Publication date
EP1354980B1 (de) 2011-02-23
TWI250222B (en) 2006-03-01
US7943195B2 (en) 2011-05-17
US7384471B2 (en) 2008-06-10
JP2007204850A (ja) 2007-08-16
JP4897505B2 (ja) 2012-03-14
JP2004006822A (ja) 2004-01-08
US20080271640A1 (en) 2008-11-06
EP1354980A1 (de) 2003-10-22
US20030232137A1 (en) 2003-12-18
TW200307761A (en) 2003-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE03008723T1 (de) Verfahren zur Herstellung einer porösen SiOCH-Schicht
US7404990B2 (en) Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
US8137764B2 (en) Mechanical enhancer additives for low dielectric films
DE69637166T2 (de) Verfahren zur Härtung eines Wasserstoff-Silsesquioxanharzes mittels Elektronenstrahlen zur Umwandlung in eine Silika enthaltende Keramikbeschichtung
JP2018201037A5 (de)
US7955650B2 (en) Method for forming dielectric film using porogen gas
DE60112354T2 (de) Cvd-synthese von siliziumnitridmaterialien
TWI397606B (zh) 生孔劑、生孔性前驅物及使用其提供具有低介電常數之多孔性有機矽石玻璃膜的方法
US8293001B2 (en) Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
JP4492752B2 (ja) 多孔質絶縁膜の製造方法、多孔質絶縁膜及び半導体装置
US20040197474A1 (en) Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films
JP5711176B2 (ja) 組成物
DE19904311A1 (de) Verfahren zum Aufbringen eines kohlenstoffdotierten Dünnfilms aus Siliciumoxid auf ein Substrat
EP1420439B1 (de) Nicht-thermischer Prozess für die Herstellung poröser Filme mit niedriger Dielektrizitätskonstante
CN109722648B (zh) 硅杂环状化合物和使用其沉积含硅膜的方法
TWI676632B (zh) 烷氧基矽環狀或醯氧基矽環狀化合物及使用其沉積薄膜的方法
JP2002105205A (ja) 有機ケイ素化合物からなる多孔質膜及びその製造方法