DE10002316A1

DE10002316A1 - Photomaske, Verfahren zur Herstellung, Verfahren zum Testen/Reparieren und Verfahren zur Verwendung der Photomaske

Info

Publication number: DE10002316A1
Application number: DE10002316A
Authority: DE
Inventors: Kazuya Kamon
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1999-02-19
Filing date: 2000-01-20
Publication date: 2000-09-07
Also published as: JP4756720B2; JP2000241958A; KR100336031B1; KR20000057825A; US6228542B1

Abstract

Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, die Schwierigkeiten eines auffallenden Ansteigens der Schreibzeit einer Schaltungsstruktur zu überwinden, wenn schräge Linien vorhanden sind, was zu hohen Kosten und einer niedrigen Genauigkeit der sich daraus ergebenden Photomasken führt. Aus diesem Grunde wird eine Abschattungsstruktur, welche auf der Hauptebene einer transparenten Basis gebildet ist, auf der Grundlage von Layoutdaten einer Schaltungsstruktur eines Polygons, das eine schräge Linie enthält, in Polygondaten umgewandelt, wobei eine schräge Linie stufenförmig durch eine Anzahl Np von Rechtecken ausgedrückt wird, welche durch Np = int(W/Rp/m) definiert ist, wobei W die Breite der schrägen Linien, Rp die Auflösung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung und m die Vergrößerung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung darstellen. Die Abschattungsstruktur wird auf der Hauptebene des transparenten Substrats auf der Grundlage von Layoutdaten einer Schaltungsstruktur eines Polygons gebildet, das eine schräge Linie enthält.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Photo maske, welche in dem Herstellungsprozess einer integrierten Halbleiterschaltung oder einer Flüssigkristallanzeige ver wendet wird, und ebenso auf ein Verfahren zum Testen/Reparieren, zur Herstellung und zur der Verwendung der Photomaske.

In den vergangenen Jahren hat sich eine erhöhte Verwen dung von Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtungen eines va riabel geformten bzw. gestalteten Strahlenvektorabtasttyps bei der Herstellung von Photomasken gezeigt.

Fig. 13 zeigt ein schematisches Diagramm einer Elektro nenstrahlbelichtungsvorrichtung eines variablen Formstrahl vektorabtasttyps. Entsprechend Fig. 13 bezeichnet Bezugs zeichen 101 eine Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung ei nes variablen Formstrahlvektorabtasttyps. Bezugszeichen 102 bezeichnet eine LaB₆-Elektronenkanone, Bezugszeichen 103 bezeichnet eine erste Formstrahlblende, Bezugszeichen 104 bezeichnet eine erste Formstrahllinse, Bezugszeichen 105 bezeichnet ein erstes Formstrahlablenksystem, Bezugszeichen 106 bezeichnet eine zweite Formstrahllinse, Bezugszeichen 107 bezeichnet eine zweite Formstrahllinse, Bezugszeichen 108 bezeichnet eine Verkleinerungslinse, Bezugszeichen 109 bezeichnet eine Austastelektrode, Bezugszeichen 110 be zeichnet ein Ablenksystem, Bezugszeichen 111 bezeichnet ei ne Kondensorlinse, und Bezugszeichen 112 bezeichnet ein Schreibfeld.

Bezugszeichen 113 bezeichnet eine variable Formstrahl linse, welche die erste Formstrahlblende 103, die erste Formstrahllinse 104, das erste Formstrahlablenksystem 105, die zweite Formstrahllinse 106 und die zweite Formstrahl linse 107 aufweist. Bezugszeichen 114 bezeichnet eine kon vexe Ablenklinse, welche das Ablenksystem 110 und die Kon densorlinse 111 aufweist. Bezugszeichen 115 bezeichnet eine Photomaske, welche als das zu belichtende bzw. zu bestrah lende Objekt wirkt und welche auf einen (nicht dargestell ten) Objekttisch bzw. eine Plattform gestellt wird.

Wenn wie in Fig. 14A dargestellt die Elektronenstrahl belichtungsvorrichtung eines variablen Formstrahlvektorab tasttyps 101 Schaltungsstrukturen schreibt, wird ein Ver fahren verwendet, durch welches die Layoutdaten für die Schaltungsstruktur in einfache Rechtecke getrennt werden und jedes Rechteck in einer Reihenfolge bestrahlt wird. Als Ergebnis zeigt die Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung eines variablen Formstrahlvektorabtasttyps 101 einen hohen Durchsatz, wenn das Layout der Schaltungsstrukturen einfach ist, im Vergleich mit einem komplizierten Schaltungsstruk turlayout. Dies liegt daran, da ein einfaches Schaltungs strukturlayout sicherstellt, daß die Anzahl von zu bestrah lenden Rechtecken sogar dann klein ist, wenn die zu be strahlende Fläche dieselbe ist.

Des weiteren zeigt die Elektronenstrahlbelichtungsvor richtung eines variablen Formstrahlvektorabtasttyps 101 deutliche Vorteile bezüglich des Durchsatzes im Vergleich mit Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtungen der folgenden Typen:
den Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtungen eines Gaußschen Strahlrasterabtasttyps wie in Fig. 14B darge stellt, welche zur Verwendung eines Verfahrens des Schrei bens einer Schaltungsstruktur durch Abtasten der gesamten Photomaske einschließlich von zu bestrahlenden Abschnitten und nicht zu bestrahlenden Abschnitten mit einem Gaußschen Strahl angepasst sind, oder
der Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung eines Gauß schen Strahlvektorabtasttyps, welche zur Verwendung eines Verfahrens des Schreibens einer Schaltungsstruktur durch Abtasten lediglich jener Abschnitte angepasst ist, welche mit einem Gaußschen Strahl wie in Fig. 14C dargestellt zu bestrahlen sind.

Infolge des Versuchs komplizierte Funktionen in einem kleinen Bereich unterzubringen, was mit hochintegrierten LSI-Schaltungen verbunden ist, nimmt in den letzten Jahren die Tendenz zur Verwendung einer Verdrahtung zu, welche in eine gekrümmte Richtung verläuft, da der Freiheitsgrad mit einer Verdrahtung klein ist, die lediglich quer bzw. über kreuzt verläuft.

Jedoch enthält die Elektronenstrahlbelichtungsvor richtung eines variablen Formstrahlvektorabtasttyps 101 nicht erste und zweite Formstrahlabschnitte, welche ge krümmte Linien ziehen können. Wenn somit die Elektronen strahlbelichtungsvorrichtung eines variablen Formstrahlvek torabtasttyps 101 Schaltungsstrukturen für Polygone, die schräge Linien enthalten, schreibt, werden zuerst wie in Fig. 14A dargestellt Layoutdaten für Schaltungsstrukturen von Polygonen, welche schräge Linien enthalten, in Poly gondaten umgewandelt, deren Gesamtheit durch eine Mehrzahl von Rechtecken gebildet wird und in denen schräge Linien stufenförmig durch eine Mehrzahl von langen dünnen Recht ecken dargestellt werden, welche dieselbe Auflösung wie die Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung 101 besitzen. Mit anderen Worten, die Breite W einer schrägen Linie ist gleich einem ganzzahligen Vielfachen der Auflösung Rw der Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung 101 gesetzt. Layout daten für Polygonschaltungsstrukturen, die schräge Linien enthalten, werden in Polygondaten umgewandelt, deren Ge samtheit aus einer Mehrzahl von Rechtecken gebildet wird und in welchen eine gekrümmte Linie stufenförmig durch eine Anzahl Nw von einzelnen Rechtecken dargestellt wird, die definiert wird durch Nw = W/Rw. Danach werden Polygonschal tungsstrukturen, welche schräge Linien enthalten, durch Be strahlen der Rechtecke, einer zur Zeit, geschrieben.

Wenn die Layoutdaten gerade bzw. gleichmäßig kompri miert werden, können die Rechteckslayoutdaten genau auf ei nem Gitter plaziert werden. Es ist zwar nicht bestimmt, je doch können die Layoutdaten für Polygone, welche schräge Linien enthalten, genau auf einem Gitter plaziert werden. Wenn die Layoutdaten nicht genau auf einem Gitter nach ei ner Schrumpfung plaziert werden können, wird ein Rundungs fehler in den Layoutdaten erzeugt, was zu einer verringer ten Schreibgenauigkeit führt.

Fig. 15 zeigt eine Projektionsbestrahlungsvorrichtung zur Herstellung von Flüssigkristallanzeigen oder von inte grierten Halbleiterschaltungen unter Verwendung einer Pho tomaske, welche unter Verwendung einer Elektronenstrahlbe lichtungsvorrichtung hergestellt wird. Entsprechend Fig. 15 bezeichnet Bezugszeichen 201 eine Projektionsbelichtungs vorrichtung, Bezugszeichen 202 bezeichnet eine Hg-Lampe, welche als Lichtquelle verwendet wird, Bezugszeichen 203 bezeichnet eine erste Linse, Bezugszeichen 204 bezeichnet einen ersten Spiegel, Bezugszeichen 205 bezeichnet eine zweite Linse, Bezugszeichen 206 bezeichnet eine facettenar tige Linse, Bezugszeichen 207 bezeichnet eine zweidimensio nale Lichtquelle, Bezugszeichen 208 bezeichnet eine dritte Linse, Bezugszeichen 209 bezeichnet eine Blende, Bezugszei chen 210 bezeichnet eine vierte Linse, Bezugszeichen 211 bezeichnet einen zweiten Spiegel, Bezugszeichen 212 be zeichnet eine fünfte Linse, Bezugszeichen 213 bezeichnet eine sechste Linse, Bezugszeichen 214 bezeichnet eine facettenartige Linse, und Bezugszeichen 215 bezeichnet eine siebente Linse.

Bezugszeichen 216 bezeichnet eine Photomaske, Bezugs zeichen 217 einen Wafer, welcher als zu belichtendes Objekt wirkt, Bezugszeichen 218 bezeichnet Licht, welches von der Hg-Lampe emittiert wird, und Bezugszeichen 219 bezeichnet abgelenktes Licht, welches von der Photomaske 216 abgelenkt wird.

Die Auflösung Rp der Projektionsbelichtungsvorrichtung 201 wird mit Rp = k1 × λ/Na definiert, wobei λ die Belich tungswellenlänge ist, Na die Anzahl von Linsenblenden ist und k1 eine Prozesskonstante ist. Als Ergebnis können Schatten- bzw. Abschattungsstrukturen nicht genau auf einem Wafer 217 angezeigt werden, welcher als zu belichtendes Ob jekt wirkt, wenn die Breite der Abschattungsstruktur, wel che auf der Hauptebene der Photomaske 216 gebildet wird, unter m × Rp liegt und der Umriß bzw. die Kontur gekräuselt bzw. wellig ist. Beispielsweise wird ein Wafer 218 durch Anbringen einer Photomaske wie in Fig. 16A dargestellt in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung wie in Fig. 15 dar gestellt belichtet. In der Mitte der Photomaske ist eine Abschattungsstruktur vorgesehen, welche ein quadratisches Loch besitzt, wobei ein Rand davon unter m × Rp liegt. In dem obigen Fall ist die Form der Abschattungsstruktur auf dem Wafer 217 die in Fig. 16B dargestellte Form.

Der obige Prozeß wird ausgeführt, wenn schräge Linien gezogen werden, unter Verwendung einer Elektronenstrahlbe lichtungsvorrichtung eines variablen Formstrahlvektortyps. Wenn somit schräge Linien in der Schaltungsstruktur vorhan den sind, ist die Zeitperiode, die zum Schreiben der Schal tungsstrukturen benötigt wird, auffallend verlängert, ver schlechtert sich der Durchsatz der Elektronenstrahlbelich tungsvorrichtung und erhöhen sich die Kosten der Photo maske.

Des weiteren erhöht sich die Zeitperiode für das Schreibergebnis stark, wenn sich die Drift der Plattform der Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung erhöht. Dimensi onsfehler steigen an, und die Genauigkeit der Photomaske verringert sich.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es die oben be schriebenen Schwierigkeiten zu überwinden und mit geringen Kosten eine sehr genaue Photomaske herzustellen.

Insbesondere ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung, ein Verfahren zum Te sten/Reparieren und ein Verfahren zur Verwendung einer der artigen Photomaske vorzusehen.

Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der nebengeordneten unabhängigen Ansprüche.

In einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist eine Photomaske mit einem transparenten Substrat und eine Ab schattungsstruktur vorgesehen, welche Polygonschaltungs strukturen, die schräge Linien enthalten, als Polygone an zeigt, in welchen die schrägen Linien in einer stufenförmi gen Struktur einer Mehrzahl von Rechtecken dargestellt wer den. Die Breite R der Rechtecke liegt in dem Bereich Rw < R < Rp × m (wobei m die Vergrößerung der Belichtungsvorrich tung, Rp die Auflösung der Belichtungsvorrichtung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvorrichtung darstellen).

Da bei der ersten Ausführungsform der Erfindung eine Photomaske mit einem transparenten Substrat und eine Ab schattungsstruktur vorgesehen ist, welche die Polygonschal tungsstrukturen, die schräge Linien enthalten, als Polygone anzeigt, bei welchen die schrägen Linien in stufenförmigen Strukturen einer Mehrzahl von Rechtecken dargestellt wer den, wobei die Breite R der Rechtecke in dem Bereich Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Belichtungs vorrichtung, Rp die Auflösung der Belichtungsvorrichtung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvorrichtung darstel len), wird eine sehr genaue und kostengünstige Photomaske erzielt.

In einer zweiten Ausführungsform der Erfindung ist die Fläche von Polygonen, welche schräge Linien in der Photo maske enthalten, gleich der Fläche von Polygonen, bei wel chen schräge Linien stufenförmig dargestellt werden.

Da bei der zweiten Ausführungsform der Erfindung der Bereich der Polygone, welche schräge Linien in der Photo maske enthalten, gleich der Fläche der Polygone ist, bei welchen schräge Linien stufenförmig dargestellt werden, wenn die Photomaske in einer Belichtungsvorrichtung ange ordnet ist und ein Wafer belichtet wird, ist es möglich ei ne genaue Projektion der Schaltungsstruktur auf dem Wafer zu erhalten.

Entsprechend einer dritten Ausführungsform besitzt der Rand der Photomaske, welcher das Ende der schrägen Linie in einem Polygon kontaktiert, das schräge Linien enthält, eine parallele Beziehung zu dem Rand, welcher eine Position ent sprechend dem Ende der schrägen Linie in einem Polygon be rührt, in welchem schräge Linien stufenförmig dargestellt werden. Da bei der dritten Ausführungsform der Erfindung der Rand der Photomaske, welcher das Ende der schrägen Li nie in einem Polygon, das schräge Linien enthält, eine pa rallele Beziehung zu dem Rand besitzt, welcher eine Posi tion entsprechend dem Ende der schrägen Linie in einem Po lygon berührt, in welchem schräge Linien stufenförmig dar gestellt werden, wenn die Photomaske in einer Belichtungs vorrichtung angeordnet ist und ein Wafer belichtet wird, ist es möglich, eine genaue Projektion der Schaltungsstruk tur auf dem Wafer zu erhalten.

Entsprechend einer vierten Ausführungsform der Erfin dung besitzt der Rand der Photomaske, welcher das Ende der schrägen Linie eines Polygons berührt, welches schräge Li nien enthält, eine orthogonale Beziehung zu dem Rand, wel cher eine Position berührt, die dem Ende einer schrägen Li nie in einem Polygon entspricht, in welchem schräge Linien stufenförmig dargestellt werden.

Da bei der vierten Ausführungsform der Erfindung der Rand der Photomaske, welcher das Ende der schrägen Linie eines Polygons berührt, das schräge Linien enthält, eine orthogonale Beziehung zu dem Rand besitzt, welcher eine Po sition berührt, die dem Ende einer schrägen Linie in einem Polygon entspricht, in welchem schräge Linien stufenförmig dargestellt werden, ist es möglich, wenn die Photomaske in einer Belichtungsvorrichtung angeordnet ist und ein Wafer belichtet wird, eine sehr genaue Projektion der Schaltungs struktur auf dem Wafer zu erlangen.

Wenn bei einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Ränder der Photomaske, welche das Ende einer schrägen Linie in einem Polygon berühren, das schräge Li nien enthält, wechselseitig parallel sind, zeigt die stu fenweise Form, welche eine schräge Linie ausdrückt, eine Punktsymmetrie bezüglich des Mittelpunkts der Linie an, welche der schrägen Linie entspricht.

Da bei der fünften Ausführungsform der vorliegenden Er findung die stufenweise Form, welche die schräge Linie aus drückt, eine Punktsymmetrie bezüglich des Mittelpunkts der Leitung anzeigt, welcher einer schrägen Linie entspricht, ist es möglich, wenn die Ränder der Photomaske, welche das Ende der schrägen Linie in einem Polygon berühren, welches schräge Linien enthält, wechselseitig parallel sind und wenn die Photomaske in einer Belichtungsvorrichtung ange ordnet ist und ein Wafer belichtet wird, eine genaue Pro jektion der Schaltungsstruktur auf dem Wafer zu erlangen.

Wenn bei einer sechsten Ausführungsform der Erfindung die Ränder der Photomaske, welche das Ende einer schrägen Linie in einem Polygon berühren, das gekrümmte Linien ent hält, wechselseitig parallel sind, zeigt die stufenweise Form, welche eine schräge Linie ausdrückt, eine Spiegelsym metrie bezüglich einer vertikalen Halbierenden der Linie an, welche der schrägen Linie entspricht.

Da bei der sechsten Ausführungsform der Erfindung die stufenweise Form, welche eine schräge Linie ausdrückt, eine Spiegelsymmetrie bezüglich einer vertikalen Halbierenden der Linie anzeigt, welche der schrägen Linie entspricht, wenn die Ränder der Photomaske, welche das Ende einer schrägen Linie in einem Polygon berühren, welches schräge Linien enthält, wechselseitig parallel sind, ist es mög lich, wenn die Photomaske in einer Belichtungsvorrichtung angeordnet ist und ein Wafer belichtet wird, eine sehr ge naue Projektion der Schaltungsstruktur auf dem Wafer zu er zielen.

Wenn bei einer siebenten Ausführungsform der Erfindung die Ränder der Photomaske, welche das Ende der schrägen Li nie in einem Polygon berühren, das schräge Linien enthält, wechselseitig orthogonal sind, zeigt die stufenweise Form, welche eine schräge Linie ausdrückt, eine Punktsymmetrie zu einem Mittelpunkt der Linie an, welche der schrägen Linie entspricht.

Da bei der siebenten Ausführungsform der Erfindung die stufenweise Form, welche eine schräge Linie ausdrückt, eine Punktsymmetrie bezüglich eines Mittelpunkts der Linie an zeigt, welche der schrägen Linie entspricht, wenn die Rän der der Photomaske, welche das Ende der schrägen Linie in einem Polygon berühren, das gekrümmte Linien enthält, wech selseitig orthogonal sind, ist es möglich, wenn die Photo maske in einer Belichtungsvorrichtung angeordnet ist und ein Wafer belichtet wird, eine sehr genaue Projektion der Schaltungsstruktur auf dem Wafer zu erzielen.

Wenn entsprechend einer achten Ausführungsform der Er findung die Ränder der Photomaske, welche das Ende einer schrägen Linie in einem Polygon berühren, das schräge Li nien enthält, wechselseitig orthogonal sind, zeigt die stu fenweise Form, welche eine schräge Linie ausdrückt, eine Spiegelsymmetrie bezüglich einer vertikalen Halbierenden der Linie an, welche der schrägen Linie entspricht.

Da bei der achten Ausführungsform der Erfindung die stufenweise Form, welche eine schräge Linie ausdrückt, eine Spiegelsymmetrie bezüglich einer vertikalen Halbierenden der Linie anzeigt, welche der schrägen Linie entspricht, wenn die Ränder der Photomaske, welche das Ende der schrä gen Linie in einem Polygon berühren, das schräge Linien enthält, wechselseitig orthogonal sind, ist es möglich, wenn die Photomaske in einer Belichtungsvorrichtung ange ordnet ist und ein Wafer belichtet wird, eine sehr genaue Projektion der Schaltungsstruktur auf dem Wafer zu erzie len.

Entsprechend einer neunten Ausführungsform der Erfin dung beinhaltet ein Verfahren zur Herstellung der Photo maske einen Schritt des Entwerfens einer Schaltungsstruktur und des Erzeugens von Layoutdaten davon, einen Schritt des Umwandelns der Layoutdaten für eine Schaltungsstruktur ei nes Polygons, welches eine schräge Linie enthält, in Poly gondaten, deren Gesamtheit durch eine Mehrzahl von Recht ecken gebildet wird und in welchem schräge Linien in einer Stufenstruktur durch eine Mehrzahl von Rechtecken ausge drückt werden, einen Schritt des Schreibens einer Schal tungsstruktur auf der Grundlage der Layoutdaten nach der Umwandlung der Schaltungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien enthält, wobei in dem Schritt des Umwandelns der Layoutdaten der Schaltungsstruktur eines Polygons, wel ches eine schräge Linie enthält, die Breite R eines Recht ecks, welches eine schräge Linie ausdrückt, in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Be lichtungsvorrichtung, Rp die Auflösung der Belichtungsvor richtung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvorrichtung darstellen).

Da bei der neunten Ausführungsform der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Photomaske einen Schritt des Entwerfens einer Schaltungsstruktur und des Erzeugens von Layoutdaten davon, einen Schritt des Umwandelns der Layout daten für eine Schaltungsstruktur eines Polygons, welches eine schräge Linie enthält, in Polygondaten, deren Gesamt heit durch eine Mehrzahl von Rechtecken gebildet wird und wobei die schrägen Linien in einer Stufenstruktur durch ei ne Mehrzahl von Rechtecken ausgedrückt werden, und einen Schritt des Schreibens einer Schaltungsstruktur auf der Grundlage der Layoutdaten nach dem Umwandeln der Schal tungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien enthält, aufweist, und des weiteren in dem Schritt des Umwandelns der Layoutdaten der Schaltungsstruktur eines Polygons, das eine schräge Linie enthält, die Breite R eines Rechtecks, welches eine schräge Linie ausdrückt, in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Belich tungsvorrichtung, Rp die Auflösung der Belichtungsvorrich tung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvorrichtung dar stellen) ist es möglich, Photomasken mit hoher Genauigkeit bei niedrigen Kosten herzustellen.

Entsprechend einer zehnten Ausführungsform der Erfin dung wählt ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske ein Verfahren aus, bei welchem die Anzahl von Rechtecken klein ist, wenn viele Arten des Umwandelns von Layoutdaten der Schaltungsstrukturen für Polygone vorliegen, welche schräge Linien enthalten.

Da bei der zehnten Ausführungsform der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske ein Verfahren auswählt, bei welchem die Gesamtzahl von Rechtecken klein ist, wenn viele Arten des Umwandelns von Layoutdaten von Schaltungsstrukturen für Polygone vorhanden sind, welche schräge Linien enthalten, ist es möglich sehr genaue Photo masken bei niedrigen Kosten herzustellen.

Entsprechend einer elften Ausführungsform der Erfindung wählt ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske ein Verfahren aus, bei welchem die Anzahl von winzigen Recht ecken klein ist, wenn viele Arten des Umwandelns von Layoutdaten von Schaltungsstrukturen für Rechtecke vorlie gen, welche schräge Linien enthalten.

Da bei der elften Ausführungsform der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske ein Verfahren auswählt, bei welchem die Gesamtzahl von sehr kleinen Rechtecken klein ist, wenn es viele Arten der Umwandlung von Layoutdaten von Schaltungsstrukturen für Rechtecke gibt, welche schräge Linien enthalten, ist es möglich Pho tomasken mit sehr genauen Abschattungsstrukturen herzustel len.

Entsprechend einer zwölften Ausführungsform der Erfin dung wählt ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske ein Verfahren aus, bei welchem ein sehr kleines Rechteck nicht in dem äußeren Rand des Polygons positioniert ist, welches eine Mehrzahl von Rechtecken aufweist, wenn es viele Arten des Umwandelns von Layoutdaten von Schaltungs strukturen für Rechtecke gibt, welche schräge Linien ent halten.

Da bei der zwölften Ausführungsform der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske ein Verfahren auswählt, bei welchem ein sehr kleines Rechteck nicht in dem äußeren Rand des Polygons positioniert ist, welches ei ne Mehrzahl von Rechtecken aufweist, wenn es viele Arten des Umwandelns von Layoutdaten von Schaltungsstrukturen für Rechtecke gibt, welche schräge Linien enthalten, ist es möglich Photomasken mit sehr genauen Abschattungsstrukturen herzustellen.

Entsprechend einer dreizehnten Ausführungsform beinhal tet ein Verfahren des Testens/Reparierens einer Photomaske das Testen und Reparieren einer Schräge bezüglich von Schaltungsstrukturlayoutdaten, wenn ein Defekt getestet und repariert wird. Ein derartiger Defekt wird an einer Posi tion auf einer Linie erzeugt, welche einer schrägen Linie einer Photomaske entspricht, welche eine transparente Basis bzw. Sockel und eine Abschattungsstruktur aufweist, die ei ne Schaltungsstruktur als Polygon, das schräge Linien ent hält, als Polygon darstellt, in welchem schräge Linien durch eine stufenförmige Struktur einer Mehrzahl von Recht ecken ausgedrückt werden und in welchem die Breite R von Rechtecken, welche eine schräge Linie ausdrücken, in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Belichtungsvorrichtung, Rp die Auflösung der Belich tungsvorrichtung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvor richtung darstellen).

Mit der obigen Anordnung ist es möglich eine verläßli che hochintegrierte Halbleiterschaltung bei geringen Kosten herzustellen.

Entsprechend einer vierzehnten Ausführungsform weist ein Verfahren der Verwendung einer Photomaske den Schritt des Herstellens einer integrierten Halbleiterschaltung un ter Verwendung einer Photomaske auf, welche eine transpa rente Basis bzw. Sockel und eine Abschattungsstruktur auf weist, welche eine Schattungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien enthält, als Polygon darstellt, in welchem schräge Linien durch eine stufenförmige Struktur einer Mehrzahl von Rechtecken ausgedrückt werden, und in welcher die Breite R von Rechtecken, welche eine schräge Linie aus drücken, in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Belichtungsvorrichtung, Rp die Auflö sung der Belichtungsvorrichtung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvorrichtung darstellen).

Da bei der vierzehnten Ausführungsform ein Verfahren zur Verwendung einer Photomaske den Schritt des Herstellens einer integrierten Halbleiterschaltung unter Verwendung ei ner Photomaske aufweist, welche ein transparentes Substrat und eine Abschattungsstruktur aufweist, die eine Schal tungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien enthält, als Polygon darstellt, in welchem schräge Linien durch eine stufenförmige Struktur einer Mehrzahl von Rechtecken ausge drückt werden und in welchem die Breite R von Rechtecken, welche eine schräge Linie ausdrücken, in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Belich tungsvorrichtung, Rp die Auflösung der Belichtungsvorrich tung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvorrichtung dar stellen), ist es möglich eine integrierte Halbleiterschal tung mit hoher Zuverlässigkeit bei geringen Kosten herzu stellen.

Entsprechend einer fünfzehnten Ausführungsform enthält ein Verfahren zur Verwendung einer Photomaske den Schritt des Herstellens einer Flüssigkristallanzeige unter Verwen dung einer Photomaske, welche eine transparente Basis bzw. Sockel und eine Abschattungsstruktur aufweist, welche eine Schaltungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien ent hält, als Polygon darstellt, in welchem schräge Linien durch eine stufenförmige Struktur einer Mehrzahl von Recht ecken ausgedrückt wird und in welchem die Breite R der Rechtecke, welche eine schräge Linie darstellen, in dem Be reich von Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Belichtungsvorrichtung, Rp die Auflösung der Belich tungsvorrichtung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvor richtung darstellen).

Da bei der fünfzehnten Ausführungsform ein Verfahren zur Verwendung einer Photomaske den Schritt des Herstellens einer Flüssigkristallanzeige unter Verwendung einer Photo maske aufweist, welche eine transparente Basis bzw. Sockel und eine Abschattungsstruktur aufweist, welche eine Schal tungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien enthält, als Polygon darstellt, in welchem schräge Linien durch eine stufenförmige Struktur einer Mehrzahl von Rechtecken ausge drückt werden und in welchem die Breite R von Rechtecken, welche eine schräge Linie ausdrücken, in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt (wobei m die Vergrößerung der Belich tungsvorrichtung, Rp die Auflösung der Belichtungsvorrich tung und Rw die Auflösung der Maskenschreibvorrichtung dar stellen), ist es möglich eine integrierte Halbleiterschal tung mit hoher Zuverlässigkeit bei niedrigen Kosten herzu stellen.

Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.

Fig. 1 stellt eine Photomaske einer ersten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung dar.

Fig. 2 zeigt ein Flußdiagramm, welches ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske darstellt.

Fig. 3A bis 3G erläutern eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 4A bis 4G erläutern eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 5A bis 5G erläutern eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 6A bis 6G erläutern eine sechste Ausführungs form der vorliegenden Erfindung.

Fig. 7A bis 7H erläutern eine siebente Ausführungs form der vorliegenden Erfindung.

Fig. 8A bis 8H erläutern eine achte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 9A bis 4H erläutern eine neunte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 10A bis 10H erläutern eine zehnte Ausführungs form der vorliegenden Erfindung.

Fig. 11A und 11B erläutern ein Test-/Reparaturverfahren einer Photomaske.

Fig. 12A bis 12C erläutern ein Verfahren zur Verwen dung einer Photomaske.

Fig. 13 stellt eine Elektronenstrahlbelichtungsvor richtung eines variablen Formstrahlvektorabtasttyps dar.

Fig. 14A bis 14C erläutern ein Belichtungsverfahren ei ner Elektrodenstrahlbelichtungsvorrichtung.

Fig. 15 stellt eine Projektionsbelichtungsvorrichtung dar.

Fig. 16A bis 16B erläutern eine Projektionsbelich tungsvorrichtung.

Im folgenden werden die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erläutert.

Erste Ausführungsform

Fig. 1 stellt eine Photomaske einer ersten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung dar. Entsprechend Fig. 1 bezeichnet Bezugszeichen 1 eine Photomaske, Bezugszeichen 2 bezeichnet ein transparentes Substrat, Bezugszeichen 3a be zeichnet eine Abschattungsstruktur, welche auf einer Haupt ebene der transparenten Basis bzw. Sockel 2 durch Belichten durch eine Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung eines va riablen Formstrahlvektorabtasttyps (Maskenschreibvorrichtung) auf der Grundlage von Layoutda ten für eine quadratische Schaltungsstruktur, welche nicht schräge Linien enthält, gebildet wird, Bezugszeichen 3b be zeichnet eine Abschattungsstruktur, welche auf einer Haupt ebene der transparenten Basis 2 durch Belichtung durch eine elektronische bzw. Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung eines variablen Formstrahlvektorabtasttyps (Maskenschreibvorrichtung) auf der Grundlage von Layoutda ten für eine Polygonschaltungsstruktur gebildet wird, wel che schräge Linien enthält, und Bezugszeichen 4 bezeichnet eine Linie, welche einer schrägen Linie in der Schaltungs struktur eines Polygons entspricht, das eine schräge Linie enthält.

Die Abschattungsstruktur 3b ist auf der Hauptebene der transparenten Basis 2 basierend auf Layoutdaten für eine Polygonschaltungsstruktur gebildet, welche schräge Linien enthält und in Daten für ein Polygon umgewandelt worden ist, in welchem schräge Linien stufenförmig durch eine An zahl Np von Rechtecken dargestellt werden, welche definiert sind durch Np = int(W/Rp/m) + 1, wobei W die Breite einer schrägen Linie, Rp die Auflösung einer Projektionsbelich tungsvorrichtung (Belichtungsvorrichtung), mit welcher eine Photomaske 1 angebracht ist, und m die Übertrageenergie (transcribing power) einer Projektionsbelichtungsvorrich tung darstellen.

Da im allgemeinen Rp × m zehnmal größer als die Auflö sung Rw der Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung ist, ist Np kleiner als Nw. Als Ergebnis ist die Breite R der Recht ecke größer als die Auflösung Rw der Elektronenstrahlbe lichtungsvorrichtung. Des weiteren ergibt sich aus der Gleichung Np = int(W/Rp/m) + 1, dass die Breite R der Rechtecke kleiner als Rp × m ist. D. h. die Breite R der Rechtecke liegt in dem Bereich Rw < R < Rp × m.

Mit anderen Worten, die Abschattungsstruktur 3b stellt die Schaltungsstruktur eines Polygons, das eine schräge Li nie enthält, als Polygon dar, in welchem eine schräge Linie stufenförmig durch eine Mehrzahl von Rechtecken angezeigt ist, wenn die Breite R des Rechtecks in dem Bereich Rw < R < Rp × m liegt.

Als Beispiel ist in Fig. 1 eine schräge Linie in der Schaltungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien ent hält, in einer Stufenstruktur als Rechteck 4x, dessen Brei te R1 in dem Bereich Rw < R1 < Rp × m liegt, und als Recht eck 4y angezeigt, dessen Breite R2 in dem Bereich Rw < R2 < Rp × m liegt.

Wie oben dargestellt wird bei der ersten Ausführungs form der Erfindung eine Abschattungsstruktur 3b in Poly gondaten umgewandelt, wobei schräge Linien stufenförmig durch eine Anzahl Np (< Nm) von Rechtecken ausgedrückt und danach auf der Grundlage von Layoutdaten einer Schaltungs struktur eines Polygons, das eine schräge Linie enthält, gebildet werden. Somit kann im Vergleich mit herkömmlichen Beispielen eine Schaltungsstruktur in einer kurzen Zeit und mit wenig Belichtungen geschrieben werden. Als Ergebnis wird der Durchsatz der Elektronenstrahlbelichtungsvor richtung verbessert, und es können Photomasken bei geringen Kosten erzielt werden. Des weiteren wird der Einfluß einer Drift auf die Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung ver ringert, werden Dimensionierungsfehler der Photomaske ver ringert und somit die Genauigkeit verbessert.

Zweite Ausführungsform

Die zweite Ausführungsform der Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung der in der ersten Ausfüh rungsform erläuterten Photomaske. Fig. 2 zeigt ein Flußdia gramm eines Verfahrens zur Herstellung der Photomaske. Wenn eine Photomaske hergestellt wird, wird zuerst ein Layout von benötigten Schaltungsstrukturen bezüglich der herzu stellenden Vorrichtung unter Verwendung eines CAD-Geräts geschaffen (Schritt ST1).

Danach werden Verdichtungsprozesse auf die Schaltungs struktur angewandt, um die Integration der Schaltungsstruk tur zu verbessern, und es werden Layoutdaten für die Schal tungsstruktur erzeugt (Schritt ST2). Zu dieser Zeit wird eine geeignet schräge Verdrahtung, welche an Entwurfsregeln angepasst ist, verwendet, um eine größere Integration zwi schen einer Anzahl von Schaltungsstrukturen in einem klei nen Gebiet zu erzielen, als es lediglich mit einer Verdrah tung möglich ist, welche in Querrichtungen verläuft.

Danach werden Layoutdaten für Schaltungsstrukturen in ein Standardformat umgewandelt (Schritt ST3).

Danach werden Daten für jede Schicht aus den Layoutda ten der Schaltungsstruktur extrahiert (Schritt ST4). Danach wird ein Gebiet bestimmt, welches die Figurum wandlung in den Layoutdaten der Schaltungsstruktur durch führt (Schritt ST5). Danach werden wiederholte und nicht wiederholte Abschnitte zeitlich in den Layoutdaten der Schaltungsstruktur getrennt (Schritt ST6).

Danach werden wiederholte und nicht wiederholte Ab schnitte in kleine Segmente unterteilt (Schritt ST7). Je doch wird die Teilung von wiederholten Abschnitten durchge führt, wenn der wiederholte Abschnitt größer als das Seg ment ist.

Danach werden Prozesse wie die Berechnung von vorhande nen Figuren zur Aufhebung einer Redundanz bezüglich jedes Segments durchgeführt (Schritt ST8).

Danach werden die Layoutdaten der Schaltungsstrukturen für Polygone, die schräge Linien enthalten, in Daten für Polygone umgewandelt, in welchen schräge Linien stufenför mig durch eine Mehrzahl von Rechtecken dargestellt werden, bei welchen die Gesamtform aus einer Mehrzahl von Recht ecken gebildet wird und die Breite R der Rechtecke, welche schräge Linien ausdrücken, in dem Bereich Rw < R < Rp × m liegt (Schritt ST9). Mit anderen Worten, es werden die Layoutdaten für die Schaltungsstrukturen von Polygonen, welche schräge Linien enthalten, in Polygondaten umgewan delt, welche stufenförmig durch eine Anzahl Np von Recht ecken ausgedrückt werden, die durch Np = int(W/Rp/m + 1) definiert sind, wobei W die Breite der schrägen Linien, Rp die Auflösung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung und m die Vergrößerung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung darstellen.

Danach werden Wiederholungsgebiete Nichtwiederholungs gebieten zugewiesen (Schritt ST10).

Danach werden Layoutdaten für eine Schaltungsstruktur in eine Photomaske einer Elektronenstrahlbelichtungsvor richtung eines variablen Formstrahlvektorabtasttyps umge wandelt (Schritt ST11).

Danach wird eine Schaltungsstruktur durch eine Elektro nenstrahlbelichtungsvorrichtung eines variablen Formstrahl vektorabtasttyps auf der Grundlage von Layoutdaten einer Schaltungsstruktur geschrieben, welche Layoutdaten nach der Umwandlung der Schaltungsstruktur eines Polygons enthält, das schräge Linien enthält (Schritt ST12). Mit anderen Worten, da die Gesamtlayoutdaten nach der Umwandlung der Schaltungsstruktur eines Polygons, das schräge Linien ent hält, durch eine Mehrzahl von Rechtecken gebildet wird, wird die Schaltungsstruktur durch jeweiliges Belichten der artiger Rechtecke durch eine Elektronenstrahlbelichtungs vorrichtung eines variablen Formstrahlvektorabtasttyps ge schrieben.

Wie oben entsprechend der zweiten Ausführungsform der Erfindung dargestellt werden die Layoutdaten der Schal tungsstrukturen für Polygone, die schräge Linien enthalten, in Daten für Polygone umgewandelt, in welchen schräge Li nien stufenförmig durch eine Anzahl Np von Rechtecken dar gestellt werden, die durch Np = int (W/Rp/m) + 1 definiert sind, wobei W die Breite der schrägen Linien, Rb die Auflö sung der Projektionsbelichtungsvorrichtung und m das Ver größerungsverhältnis einer Projektionsbelichtungsvorrich tung darstellen. Somit wird die Anzahl von Belichtungen verringert, und es wird die benötigte Zeit zum Schreiben einer Schaltungsstruktur im Vergleich mit den herkömmlichen Beispielen verringert. Als Ergebnis wird der Durchsatz der Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung verbessert, und es ist möglich eine Photomaske bei niedrigen Kosten herzu stellen.

Des weiteren wird der Einfluss einer Drift auf die Elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung verringert, es wer den Dimensionierungsfehler bei der Photomaske verringert, und als Ergebnis wird die Herstellungsgenauigkeit verbes sert.

Dritte Ausführungsform

Dritte bis sechste Ausführungsformen werden auf der Grundlage eines Beispiels einer Abschattungsstruktur erläu tert, welche durch Layoutdaten einer Schaltungsstruktur für Polygone gebildet wird, die schräge Linien enthalten.

Fig. 3A bis 3G stellen eine dritten Ausführungsform der Erfindung dar. Fig. 3A stellt eine Schaltungsstruktur 5 für ein Polygon dar, das eine schräge Linie enthält. Fig. 3B bis 3G zeigen Abschattungsstrukturen 3b, welche Schaltungsstrukturen 5 für Polygone anzeigen, die in Fig. 3A dargestellte schräge Linien enthalten, d. h. Abschat tungssttrukturen 3b, welche auf der Grundlage von Layoutda ten nach der Umwandlung in Schaltungsstrukturen 5 von Poly gonen gebildet sind, die in Fig. 3A dargestellte schräge Linien enthalten. Die Schaltungsstrukturen 5 werden als Po lygone angezeigt, bei welchen schräge Linien stufenförmig durch eine Mehrzahl von Rechtecken dargestellt sind. Die Breite R der Rechtecke, welche die schrägen Linien darstel len, liegt in dem Bereich Rw < R < Rp × m.

Fig. 3B und 3E stellen den Fall dar, bei welchem die Breite der schrägen Linien 6 in der in Fig. 3A dargestell ten Schaltungsstruktur 5 kleiner als Rp × m ist. Fig. 3C, 3D, 3F und 3G stellen den Fall dar, bei welchem die Breite der schrägen Linien 6 der in Fig. 3A dargestellten Schaltungsstruktur 5 größer als Rp × m ist.

Der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrä gen Linie in der in Fig. 3A dargestellten Schaltungsstruk tur berühren, befinden sich in einer wechselseitig paralle len Beziehung. Der Oberflächenbereich der in Fig. 3B bis 3G dargestellten Abschattungsstruktur 3b ist gleich dem Oberflächenbereich der in Fig. 3A dargestellten Schaltungs struktur. Die Stufenstruktur, welche die Position 4a und die Position 4b verbindet, welche dem Ende der schrägen Li nie in einer in Fig. 3B bis 3G dargestellten Abschat tungsstruktur 3b entsprechen, zeigen eine Punktsymmetrie bezüglich des Mittelpunkts 4c der Linie an, welche der schrägen Linie entspricht. D. h. die in Fig. 3B bis 3G dargestellte Abschattungsstruktur 3b ist eine Abschattungs struktur 3b, welche auf der Grundlage von Layoutdaten einer Schaltungsstruktur 5 gebildet wird, wobei sich der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrägen Linie in der in Fig. 3A dargestellten Schaltungsstruktur berühren, sich in einer wechselseitig parallelen Beziehung befinden. Die Datenbildung basiert auf Layoutdaten nach der Umwandlung einer schrägen Linie in eine Stufenstruktur, welche eine Punktsymmetrie um den Mittelpunkt 4c auf der Linie besitzt, welche einer schrägen Linie entspricht, während der Ober flächenbereich nach der Umwandlung konstant ist. Die Formel wandelt Layoutdaten einer Schaltungsstruktur, in welcher zwei Ränder, die ein Ende der oben erwähnten schrägen Li nien berühren, sich in einer wechselseitigen parallelen Be ziehung befinden, in eine Stufenstruktur um, bei welcher eine schräge Linie eine Punktsymmetrie um den Mittelpunkt auf der Linie besitzt, die einer schrägen Linie entspricht, während der Oberflächenbereich nach der Umwandlung konstant gehalten wird. Die Symmetrie des umgewandelten Abschnitts wird während der Umwandlung aufrechterhalten.

Des weiteren befinden sich die Ränder 8a, 8b, welche die Positionen 4a, 4b berühren, welche den Enden der schrä gen Linie in der in Fig. 3B bis 3D dargestellten Ab schattungsstruktur 3b entsprechen, in einer parallelen Be ziehung zu den Rändern 7a, 7b, welche das Ende der schrägen Linie in der in Fig. 3A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berühren. Die Ränder 8a, 8b, welche die Positionen 4a, 4b berühren, die den Enden der schrägen Linie in der in Fig. 3E bis 3G dargestellten Abschattungsstruktur entspre chen, befinden sich in einer orthogonalen Beziehung zu den Rändern 7a, 7b, welche den Rand der schrägen Linien 6 der in Fig. 3A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berühren. Die Ränder 8a, 8b bilden einen spitzen Winkel mit der Linie 4, welche der schrägen Linien entspricht. Da die Anzahl von schrägen Abschnitten in der Stufenstruktur von Fig. 3B, 3C, 3D kleiner als diejenige der Fig. 3E, 3F und 3G ist, bietet die vorliegende Ausführungsform den Vorteil, dass der Betrag von Daten nach der Umwandlung kleiner ist.

Vierte Ausführungsform

Fig. 4A bis 4G stellen eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Fig. 4A zeigt eine Schal tungsstruktur 5 eines Polygons, das eine schräge Linie ent hält. Fig. 4B bis 4G stellen Abschattungsstrukturen 3b dar, welche Schaltungsstrukturen 5 für Polygone anzeigen, die in Fig. 4A dargestellte schräge Linien enthalten, d. h. Abschattungsstrukturen 3b, die auf der Grundlage von Schal tungsstrukturen 5 von Polygonen, welche in Fig. 4A darge stellte schräge Linien enthalten, als Polygone gebildet sind, bei welchen schräge Linien stufenförmig durch eine Mehrzahl von Rechtecken dargestellt werden. Die Breite R der Rechtecke, welche die schrägen Linien darstellen, liegt in dem Bereich Rw < R < Rp × m.

Fig. 4B und 4E stellen den Fall dar, bei welchem die Breite W der schrägen Linien 6 in der in Fig. 4A darge stellten Schaltungsstruktur 5 kleiner als Rp × m ist. Fig. 4C, 4D, 4F und 4G stellen den Fall dar, bei welchem die Breite W der schrägen Linie 6 in der in Fig. 4A dargestell ten Schaltungsstruktur größer als Rp × m ist.

Der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrä gen Linie der in Fig. 4A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berühren, befinden sich in einer wechselseitig parallelen Beziehung. Der Oberflächenbereich der in Fig. 4B bis 4G dargestellten Schaltungsstruktur 3b ist gleich dem Oberflä chenbereich der in Fig. 4A dargestellten Schaltungsstruktur 5. Die Stufenstruktur, welche die Position 4a und die Posi tion 4b verbindet, welche dem Ende der schrägen Linie in einer in Fig. 4B bis 4G dargestellten Abschattungsstruk tur entsprechen, zeigt eine Spiegelsymmetrie bezüglich der vertikalen Halbierenden 4D der Linie, welche der schrägen Linie entspricht. D. h. die in Fig. 4B bis 4G darge stellte Abschattungsstruktur 3b ist eine Abschattungsstruk tur 3b, welche Layoutdaten einer Schaltungsstruktur bildet, wo der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrä gen Linie der in Fig. 3A dargestellten Schaltungsstruktur berühren, sich in einer wechselseitig parallelen Beziehung befinden. Die Datenbildung gründet sich auf Layoutdaten nach der Umwandlung einer schrägen Linie in eine Stufen struktur, welche eine Spiegelsymmetrie um eine vertikale Halbierende 4d auf der Linie besitzt, welche einer schrägen Linie entspricht, während der Oberflächenbereich nach der Umwandlung konstant gehalten wird.

Des weiteren befindet sich der Rand 8a, welcher die Po sition 4a berührt, die den Enden der schrägen Linie in der in Fig. 4B bis 4D dargestellten Abschattungsstruktur 3b entspricht, in einer parallelen Beziehung zu den Rändern 7a, 7b, welche das Ende der schrägen Linie in der in Fig. 4A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berühren. Der Rand 8b, welcher die Position 4b berührt, die dem Ende der schrägen Linie in der in Fig. 4B bis 4D dargestellten Abschattungsstruktur 3b entspricht, befindet sich in einer orthogonalen Beziehung zu den Rändern, 7a, 7b, welche das Ende der schrägen Linie der in Fig. 4A dargestellten Schal tungsstruktur berühren. Der Rand 8a, welcher die Position 4A berührt, die dem Ende der schrägen Linie der in Fig. 4E bis 4G dargestellten Abschattungsstruktur 3b entspricht, befindet sich in einer orthogonalen Beziehung zu den Rän dern, 7a, 7b, welche das Ende der schräge Linie 6 in der in Fig. 4A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berühren. Der Rand 8b, welcher die Position 4d berührt, die dem Ende der schrägen Linie der in Fig. 4E bis 4G dargestellten Ab schattungsstruktur entspricht, befindet sich in einer pa rallelen Beziehung zu den Rändern 7a, 7b, welche das Ende der schrägen Linie 6 in der in Fig. 4A dargestellten Schal tungsstruktur 5 berühren. Die Ränder 8a, 8b bilden eine spitzen Winkel mit der Linie 4, welche der schrägen Linie entspricht.

Fünfte Ausführungsform

Eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 5A bis 5G erläutert. Fig. 5A stellt eine Schaltungsstruktur eines Polygons dar, das eine schräge Linie enthält. Fig. 5B bis 5G stellen Ab schattungsstrukturen 3b dar, welche Schaltungsstrukturen 5 für Polygone zeigen, die in Fig. 5A dargestellte schräge Linien enthalten, d. h. Abschattungsstrukturen 3b, welche auf der Grundlage von Layoutdaten nach der Umwandlung von Schaltungsstrukturen 5 von Polygonen gebildet sind, die in Fig. 5A dargestellte schräge Linien enthalten. Die Schal tungsstrukturen werden als Polygone gezeigt, in welche schräge Linien stufenweise durch eine Mehrzahl von Recht ecken dargestellten sind. Die Breite R der Rechtecke, wel che die schrägen Linien darstellen, liegt in dem Bereich von Rw < R < Rp × m.

Fig. 5B und 5E stellen den Fall dar, bei welchem die Breite w der schrägen Linien 6 in der in Fig. 5A darge stellten Schaltungsstruktur 5 kleiner als Rp × m ist. Fig. 5C, 5D, 5F und 5G stellen den Fall dar, bei welchem die Breite W der schrägen Linien 6 in der in Fig. 5A darge stellten Schaltungsstruktur 5 größer als Rp × m ist.

Der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrä gen Linie in der in Fig. 5A dargestellten Schaltungsstruk tur 5 berühren, befinden sich in einer wechselseitig paral lelen Beziehung. Der Oberflächenbereich der in Fig. 5B bis 5G dargestellten Abschattungsstruktur 3b ist gleich dem Oberflächenbereich der in Fig. 5A dargestellten Schaltungs struktur. Die Stufenstruktur, welche die Position 4a und die Position 4b verbindet, welche dem Ende der schrägen Li nie in einer in Fig. 5B bis 5G dargestellten Abschat tungsstruktur 3b entspricht, zeigt eine Punktsymmetrie be züglich des Mittelpunkts 4c der Linie, welche der schrägen Linie entspricht. D. h. die in Fig. 5B bis 5G darge stellte Abschattungsstruktur 3b ist eine Abschattungsstruk tur 3b, welche Layoutdaten einer Schaltungsstruktur 5 bil det, wo der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrägen Linie in der in Fig. 5A dargestellten Schaltungs struktur berühren, sich in einer wechselseitig orthogonalen Beziehung befinden. Eine Datenbildung gründet sich auf Layoutdaten nach der Umwandlung einer schrägen Linie in ei ne Stufenstruktur, welche eine Punktsymmetrie bezüglich ei nes Mittelpunkts 4c auf der Linie besitzt, welche einer schrägen Linie entspricht, während der Oberflächenbereich nach der Umwandlung konstant gehalten wird.

Des weiteren befindet sich der Rand 8a, welcher die Po sition 4a berührt, die dem Ende der schrägen Linie in der in Fig. 5B bis 5D dargestellten Abschattungsstruktur 3b entspricht, in einer parallelen Beziehung zu dem Rand 7a, welcher das Ende der schrägen Linie in der in Fig. 5A dar gestellten Schaltungsstruktur 5 berührt. Der Rand 8b, wel cher die Position 4b berührt, welche dem Ende der schrägen Linie in der in Fig. 5B bis 5D dargestellten Abschat tungsstruktur 3b entspricht, befindet sich in einer ortho gonalen Beziehung zu dem Rand 7b, welcher das Ende der schrägen Linie in der in Fig. 5A dargestellten Schaltungs struktur berührt. Der Rand 8a, welcher die Position 4a be rührt, die den Enden der schrägen Linie in der in Fig. 5E bis 5G dargestellten Abschattungsstruktur entspricht, befindet sich in einer orthogonalen Beziehung zu dem Rand 7a, welcher das Ende der schrägen Linie 6 in der in Fig. 5A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berührt. Der Rand 8b, welcher die Position 4b berührt, die dem Ende der schrägen Linie in der in Fig. 5E bis 5G dargestellten Abschat tungsstruktur 3b entspricht, befindet sich in einer paral lelen Beziehung zu dem Rand 7b, welcher das Ende der schrä gen Linie 6 in der in Fig. 5A dargestellten Schaltungs struktur 5 berührt. Die Ränder 8a, 8b bilden einen spitzen Winkel mit der Linie 4, welche der schrägen Linie ent spricht.

Sechste Ausführungsform

Eine sechste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 6A bis 6D erläutert. Fig. 6A stellt eine Schaltungsstruktur 5 eines Polygons dar, das eine schräge Linie enthält. Fig. 6B bis 6G zeigen Ab schattungsstrukturen 3b, welche Schaltungsstrukturen 5 für Polygone zeigen, die in Fig. 6A dargestellte schräge Linien enthalten, d. h. Abschattungsstrukturen 3b, welche auf der Grundlage von Layoutdaten nach der Umwandlung der Schal tungsstrukturen 5 von Polygonen gebildet sind, welche die in Fig. 6A dargestellten schrägen Linien enthalten. Derar tige Strukturen werden als Polygone gezeigt, in welchen schräge Linien stufenförmig durch eine Mehrzahl von Recht ecken dargestellt werden. Die Breite R der Rechtecke, wel che die schrägen Linien darstellen, liegt in dem Bereich von Rw < R < Rp × m.

Fig. 6B und 6E stellen den Fall dar, bei welchem die Breite W der schrägen Linien 6 in der in Fig. 6A darge stellten Schaltungsstruktur 5 kleiner als Rp × m ist. Fig. 6C, 6D, 6F und 6G stellen den Fall dar, bei welchem die Breite W der schrägen Linien 6 in der in Fig. 6A darge stellten Schaltungsstruktur 5 größer als Rp × m ist.

Der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrä gen Linie in der in Fig. 6A dargestellten Schaltungsstruk tur 5 berühren, befinden sich in einer wechselseitig ortho gonalen Beziehung. Der Oberflächenbereich der in Fig. 6B bis 6G dargestellten Abschattungsstruktur 3b ist gleich dem Oberflächenbereich der in Fig. 6A dargestellten Schaltungs struktur. Die Stufenstruktur, welche die Position 4a und die Position 4b verbindet, die dem Ende der schräge Linie in einer in Fig. 6B bis 6G dargestellten Abschattungs struktur 3b entsprechen, zeigen eine Spiegelsymmetrie be züglich der vertikalen Halbierenden 4d der Linie, welche der schrägen Linie entspricht. D. h. die in Fig. 6B bis 6G dargestellte Abschattungsstruktur 3b ist eine Abschat tungsstruktur 3b, welche Layoutdaten einer Schaltungsstruk tur 5 bildet, wo der Rand 7a und der Rand 7b, welche das Ende der schrägen Linie in der in Fig. 6A dargestellten Schaltungsstruktur berühren, sich in einer wechselseitig orthogonalen Beziehung befindet. Eine Datenbildung gründet sich auf Layoutdaten nach der Umwandlung einer schrägen Li nie in eine Schaltungsstruktur, welche eine Spiegelsymme trie um eine vertikale Halbierende 4d auf der Linie setzt, die einer schrägen Linie entspricht, während der Oberflä chenbereich nach der Umwandlung konstant gehalten wird. Die Formel wandelt Layoutdaten einer Schaltungsstruktur um, in welcher sich zwei Ränder, die ein Ende der oben erwähnten schrägen Linie berühren, in einer wechselseitig orthogona len Beziehung befinden, in eine Schaltungsstruktur um, in welcher eine schräge Linie einer Spiegelsymmetrie um eine vertikale Halbierende auf der Linie besitzt, welche einer schrägen Linie entspricht, während der Oberflächenbereich nach der Umwandlung konstant gehalten wird. Somit wird die Symmetrie des umgewandelten Abschnitts aufrechterhalten.

Des weiteren befindet sich der Rand 8a, welcher die Po sition 4a berührt, die dem Ende der schrägen Linie in der in Fig. 6B bis 6D dargestellten Abschattungsstruktur 3b entspricht, in einer parallelen Beziehung zu dem Rand 7a, welcher das Ende der schrägen Linie der in Fig. 6A darge stellten Schaltungsstruktur 5 berührt. Der Rand 8b, welcher die Position 4b berührt, die dem Ende der schrägen Linie der in Fig. 6b bis 6d dargestellten Abschattungsstruktur 3b entspricht, befindet sich in einer parallelen Beziehung zu dem Rand 7b, welcher das Ende der schrägen Linie der in Fig. 6A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berührt. Der Rand 8a, welcher die Position 4a berührt, die dem Ende der schrägen Leitung in der in Fig. 6E bis 6G dargestellten Abschattungsstruktur 3b entspricht, befindet sich in einer orthogonalen Beziehung zu dem Rand 7a, welcher das Ende der schrägen Linie 6 in der in Fig. 6a dargestellten Schal tungsstruktur 5 berührt. Der Rand 8b, welcher die Position 4b berührt, die dem Ende der schrägen Linie der in Fig. 6E bis 6G dargestellten Abschattungsstruktur entspricht, befindet sich in einer orthogonalen Beziehung zu dem Rand 7b, welcher das Ende der schrägen Linie 6 in der in Fig. 6A dargestellten Schaltungsstruktur 5 berührt. Die Ränder 8a, 8b bilden einen spitzen Winkel mit der Linie 4, welche der schrägen Linie entspricht. Da die Anzahl von schrägen Ab schnitten in der Stufenstruktur der Fig. 6B, 6C, 6D kleiner als diejenige der Fig. 6E, 6F und 6G ist, bietet die vorliegende Ausführungsform den Vorteil, das der Betrag von Daten nach der Umwandlung kleiner ist.

Siebente Ausführungsform

Die siebenten bis zehnten Ausführungsformen der vorlie genden Erfindung werden auf der Grundlage eines Beispiels von Layoutdaten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruk tur erläutert, die eine schräge Linie enthält.

Eine siebente Ausführungsform der vorliegenden Erfin dung wird unter Bezugnahme auf Fig. 7A bis 7H erläutert. Fig. 7A bis 7H stellen Layoutdaten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruktur 5 eines Polygons dar, welches eine in Fig. 3A dargestellte schräge Linie enthält. Die Layout daten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruktur 5 eines Polygons, welches eine in Fig. 3a dargestellte schräge Li nie enthält, sind Polygondaten, deren Gesamtheit aus einer Mehrzahl von Rechtecken gebildet ist und welche in einer stufenförmigen Struktur durch eine Mehrzahl von Rechtecken dargestellt werden. Die Breite R der Rechtecke, welche die schrägen Linien darstellen, liegt in dem Bereich von Rw < R < Rp × m. Jedoch stellen die Fig. 7A bis 7H lediglich das Erscheinen aus der Mehrzahl von Rechtecken gebildeten Gesamtheit dar.

Die in Fig. 7A dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 3B dargestellten Abschat tungsstruktur 3b. Die in Fig. 7B dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 3C dargestell ten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 7C und 7D dar gestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 3B dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 7E dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 3E dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 7G und 7H dargestellten Layoutdaten bil den die Grundlage der Bildung der in Fig. 3G dargestellten Abschattungsstruktur 3b.

Im allgemeinen ist die Schreibgenauigkeit von sehr kleinen Rechtecken im Vergleich mit derjenigen von großen Rechtecken schlecht. Wenn des weiteren ein sehr kleines Rechteck auf die Außenseite eines Polygons plaziert wird, verringert sich die Schreibgenauigkeit einer Gesamtform, welche sehr kleine Rechtecke enthält. Wenn sich die Anzahl von Rechtecken verringert, verringert sich ebenfalls der Betrag von Daten nach der Umwandlung.

Wenn die in Fig. 7C dargestellten Layoutdaten mit den Layoutdaten von Fig. 7D verglichen werden, ist die Anzahl von Rechtecken, welche in Fig. 7C dargestellte Layoutdaten aufweisen, gleich der Anzahl von Rechtecken, welche in Fig. 7D dargestellte Layoutdaten aufweisen. Jedoch ist die An zahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 7C darge stellten Layoutdaten größer als die Anzahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 7D dargestellten Layoutdaten. Des weiteren sind die sehr kleinen Rechtecke 9, welche in Fig. 7 dargestellte Layoutdaten aufweisen, auf die Außen seite plaziert. Wenn daher eine Abschattungsstruktur auf der Grundlage von in Fig. 7D dargestellten Layoutdaten ge bildet wird, ist es möglich eine Abschattungsstruktur einer höheren Genauigkeit im Vergleich mit der Abschattungsstruk tur auf der Grundlage der in Fig. 7 dargestellten Layoutda ten zu bilden. Wenn auf dieselbe Weise eine Abschattungs struktur auf der Grundlage von in Fig. 7H dargestellten Layoutdaten gebildet wird, ist es möglich eine Abschat tungsstruktur einer höheren Genauigkeit im Vergleich mit der Abschattungsstruktur auf der Grundlage der in Fig. 7G dargestellten Layoutdaten zu bilden. Insbesondere ist die sehr kleine Figur in den in Fig. 7G dargestellten Layoutda ten kleiner als das sehr kleine Rechteck in den in Fig. 7C dargestellten Layoutdaten und ist darüber hinaus auf die Außenseite plaziert. Somit ist der Vorteil bei einem Ver gleich der Fig. 7G und 7H auffallend.

Achte Ausführungsform

Eine achte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 8A bis 8H erläutert. Fig. 8A bis 8H stellen Layoutdaten nach der Umwandlung ei ner Schaltungsstruktur 5 eines Polygons dar, das eine in Fig. 4A dargestellte schräge Linie enthält. Die Layoutdaten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruktur 5 eines Poly gons, das eine in Fig. 4A dargestellte schräge Linie ent hält, sind Polygondaten, die in ihrer Gesamtheit aus einer Mehrzahl von Rechtecken gebildet und in einer stufenförmi gen Struktur durch eine Mehrzahl von Rechtecken dargestellt werden. Die Breite R der Rechtecke, welche die schrägen Li nien darstellen, liegt in dem Bereich von Rw < R < Rp × m. Jedoch zeigen die Fig. 8A bis 8H lediglich die Erschei nungsform der aus der Mehrzahl von Rechtecken gebildeten Gesamtheit.

Die in Fig. 8A dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 4B dargestellten Abschat tungsstruktur 3b. Die in Fig. 8B dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 4C dargestell ten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 8C und 8D dar gestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 4D dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 8E dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 4E dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 8F dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 4F dargestellten Abschat tungsstruktur 3b. Die in Fig. 8G und 8H dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 4G dargestellten Abschattungsstruktur 3b.

Wenn die in Fig. 8C dargestellten Layoutdaten mit den Layoutdaten von Fig. 8D verglichen werden, ist die Anzahl von Rechtecken, welche die in Fig. 8C dargestellten Layout daten aufweisen gleich der Anzahl von Rechtecken, welche die in Fig. 8D dargestellten Layoutdaten aufweisen. Jedoch ist die Anzahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 8C dargestellten Layoutdaten größer als die Anzahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 8D dargestellten Layoutdaten. Des weiteren sind die sehr kleinen Rechtecke 9, welche die in Fig. 8C dargestellten Layoutdaten aufwei sen, auf die Außenseite plaziert. Wenn daher eine Abschat tungsstruktur auf der Grundlage von in Fig. 8D dargestell ten Layoutdaten gebildet wird, ist es möglich eine Abschat tungsstruktur einer höheren Genauigkeit im Vergleich mit der Abschattungsstruktur auf der Grundlage der in Fig. 8C dargestellten Layoutdaten zu bilden. Wenn auf dieselbe Weise eine Abschattungsstruktur auf der Grundlage von in Fig. 8H dargestellten Layoutdaten gebildet wird, ist es möglich eine Abschattungsstruktur einer höheren Genauigkeit im Vergleich mit der Abschattungsstruktur auf der Grundlage der in Fig. 8G dargestellten Layoutdaten zu bilden. Insbe sondere ist die sehr kleine Figur in den in Fig. 8G darge stellten Layoutdaten kleiner als das sehr kleine Rechteck 9 in den in Fig. 8C dargestellten Layoutdaten und ist des weiteren auf die Außenseite plaziert. Somit ist der Vorteil bei einem Vergleich der Fig. 8G und 8H auffallend.

Neunte Ausführungsform

Eine neunte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 9A bis 9H erläutert. Fig. 9A bis 9H stellen Layoutdaten nach der Umwandlung ei ner Schaltungsstruktur 5 eines Polygons dar, das eine in Fig. 5A dargestellte schräge Linie enthält. Die Layoutdaten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruktur 5 eines Poly gons, welches eine in Fig. 5A dargestellte schräge Linie enthält, sind Polygondaten, deren Gesamtheit aus einer Mehrzahl von Rechtecken gebildet ist und welche in einer stufenförmigen Struktur durch eine Mehrzahl von Rechtecken dargestellt sind. Die Breite R der Rechtecke, welche die schrägen Linien darstellen, liegt in dem Bereich von Rw < R < Rp × m. Jedoch zeigen die Fig. 9A bis 9H lediglich die Erscheinungsform der aus der Mehrzahl von Rechtecken gebil deten Gesamtheit.

Die in Fig. 9A dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage zur Bildung der in Fig. 5B dargestellten Abschat tungsstruktur 3b. Die in Fig. 9B dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 5C dargestell ten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 9C und 9D dar gestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 5D dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 9E dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 5E dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 9F dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 5F dargestellten Abschat tungsstruktur 3b. Die in Fig. 9G und 9H dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 5G dargestellten Abschattungsstruktur 3b.

Wenn die in Fig. 9C dargestellten Layoutdaten mit den Layoutdaten von Fig. 9D verglichen werden, ist die Anzahl von Rechtecken, welche die in Fig. 9C dargestellten Layout daten enthalten, gleich der Anzahl von Rechtecken, welche die in Fig. 9D dargestellten Layoutdaten enthalten. Obwohl jedoch die Anzahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 9C dargestellten Layoutdaten gleich der Anzahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 9D dargestellten Layoutdaten ist, werden mehr sehr kleine Rechtecke 9, als in den in Fig. 9D dargestellten Layoutdaten befindlich sind, auf die Außenseite plaziert. Wenn eine Abschattungs struktur auf der Grundlage von in Fig. 9C dargestellten Layoutdaten gebildet wird, ist es daher möglich eine Ab schattungsstruktur einer höheren Genauigkeit im Vergleich mit der Abschattungsstruktur auf der Grundlage der in Fig. 9D dargestellten Layoutdaten zu bilden. Wenn auf dieselbe Weise eine Abschattungsstruktur auf der Grundlage von in Fig. 9H dargestellten Layoutdaten gebildet wird, ist es möglich eine Abschattungsstruktur einer höheren Genauigkeit im Vergleich mit der Abschattungsstruktur auf der Grundlage der in Fig. 9G dargestellten Layoutdaten zu bilden.

Zehnte Ausführungsform

Eine zehnte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 10A bis 10H erläutert. Fig. 10A bis 10H stellen Layoutdaten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruktur 5 eines Polygons dar, welches eine in Fig. 6A dargestellte schräge Linie enthält. Die Layout daten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruktur 5 eines Polygons, welches eine in Fig. 6A dargestellte schräge Li nie enthält, sind Polygondaten, deren Gesamtheit aus einer Mehrzahl von Rechtecken gebildet wird und welche in einer stufenförmigen Struktur durch eine Mehrzahl von Rechtecken dargestellt werden. Die Breite R der Rechtecke, welche schräge Linien darstellen, liegt in dem Bereich von Rw < R < Rp × m. Jedoch zeigen die Fig. 10A bis 10H lediglich die Erscheinungsform der aus der Mehrzahl der Rechtecke ge bildeten Gesamtheit.

Die in Fig. 10A dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlagen der Bildung der in Fig. 6B dargestellten Ab schattungsstruktur 3b. Die in Fig. 10B dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 6C dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 10C und 10D dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 6D dargestellten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 10E dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 6E dargestellten Abschat tungsstruktur 3b. Die in Fig. 10F dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 6F dargestell ten Abschattungsstruktur 3b. Die in Fig. 10G und 10H dargestellten Layoutdaten bilden die Grundlage der Bildung der in Fig. 6G dargestellten Abschattungsstruktur 3b.

Wenn die in Fig. 10G dargestellten Layoutdaten mit den Layoutdaten von Fig. 10H verglichen werden, ist die Anzahl der Rechtecke, welche die in Fig. 10G dargestellten Layout daten enthalten, gleich der Anzahl von Rechtecken, welche die in Fig. 10H dargestellten Layoutdaten enthalten. Obwohl jedoch die Anzahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 10G dargestellten Layoutdaten gleich der Anzahl von sehr kleinen Rechtecken 9 in den in Fig. 10H dargestellten Layoutdaten ist, werden die sehr kleinen Rechtecke 9, wel che noch kleiner als die in Fig. 10H dargestellten Layout daten sind, auf die Außenseite plaziert. Wenn eine Abschat tungsstruktur auf der Grundlage der in Fig. 10G dargestell ten Layoutdaten gebildet wird, ist es daher möglich, eine Abschattungsstruktur einer, größeren Genauigkeit im Ver gleich mit der Abschattungsstruktur auf der Grundlage der in Fig. 10H dargestellten Layoutdaten zu bilden.

Elfte Ausführungsform

Eine elfte Ausführungsform enthält ein Verfahren zum Testen und Reparieren von Defekten, die in einer Photomaske wie bezüglich der ersten Ausführungsform erläutert vorkom men.

Die elfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 11A bis 11B erläutert. Fig. 11A stellt die Erzeugung eines Defekts 10 an einer Po sition auf einer Leitung 4 dar, welche einer schrägen Linie einer Abschattungsstruktur 3b in einer Photomaske 1 wie be züglich der ersten Ausführungsform erläutert entspricht. Fig. 11B stellt die Erscheinungsform nach dem Testen und Reparieren des Defekts dar.

Wenn normalerweise ein Defekt in einer hergestellten Photomaske unter Bezugnahme auf Schreibdaten gebildet wird, wird ein FIB (Focused Ion Beam) verwendet, um den Defekt zu vergraben, wenn er ein "weißer" Defekt ist. Wenn Defekte "schwarz" sind, werden sie durch eine Leseanwendung vergra ben. Die Reparatur gründet sich auf Schreibdaten. Wenn ein Defekt 10 an einer Position auf einer Linie 4 gebildet wird, welche einer gekrümmten Linie einer Abschattungs struktur 3b in einer Photomaske 1 wie bezüglich der ersten Ausführungsform erläutert entspricht, wird der Defekt nor mal getestet und stufenförmig bzw. schrittweise unter Be zugnahme auf die Schreibdaten repariert.

Jedoch ist die endgültigen Form, welche zur Herstellung unter Verwendung einer Abschattungsstruktur 3b in einer Photomaske 1 wie bezüglich der ersten Ausführungsform er läutert beabsichtigt ist, ein Polygon, das eine gekrümmte Linie enthält, d. h. die Form einer Schaltungsstruktur. Als Ergebnis ergeben sich sogar dann keine Schwierigkeiten, wenn ein Defekt 10, welcher an einer Position auf einer Li nie 4 gebildet wird, welche einer schrägen Linie einer Ab schattungsstruktur 3b entspricht, getestet und hinsichtlich einer Schräge unter Bezugnahme auf Layoutdaten einer Schal tungsstruktur repariert wird.

Wenn wie oben erläutert bei der elften Ausführungsform ein Defekt 10, welcher an einer Position auf einer Linie 4, die einer schrägen Linie einer Abschattungsstruktur 3b ent spricht, getestet und hinsichtlich einer Schräge unter Be zugnahme auf die Layoutdaten einer Schaltungsstruktur repa riert wird, wird der Defekt leicht getestet und repariert, da keine Notwendigkeit besteht, den Defekt in einer Stufen form zu testen und zu reparieren.

Zwölfte Ausführungsform

Eine zwölfte Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Verfahren der Verwendung einer Photomaske wie bezüglich der ersten Ausführungsform der Erfindung erläutert.

Fig. 12A bis 12C stellen ein Verfahren unter Verwen dung der Photomaske dar. Fig. 12A stellt eine Projektions belichtungsvorrichtung 201 dar. Fig. 12B stellt eine Photo maske 1 wie bezüglich der ersten Ausführungsform erläutert dar, welche in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung 201 angebracht ist. Fig. 12C stellt einen Wafer 11 dar, welcher durch eine Projektionsbelichtungsvorrichtung 201 belichtet wird.

Die Abschattungsstruktur 3b zeigt eine Schaltungsstruk tur eines Polygons, welches eine schräge Linie enthält, als Polygon, in welchem eine schräge Linie stufenförmig durch eine Mehrzahl von Rechtecken ausgedrückt wird. Die Höhe ei ner Stufe der Stufenstruktur, d. h. die Breite R des Recht ecks, welches die schräge Linie ausdrückt, liegt in dem Be reich von Rw < R < Rp × m. Wenn ein Wafer 11 unter Verwen dung einer Photomaske 1 wie bezüglich der ersten Ausfüh rungsform erläutert belichtet wird, ist es als Ergebnis nicht möglich, die Form der Abschattungsstruktur 3b genau zu projizieren. Eine Stufenstruktur wird als die schräge Linie projeziert, und eine Abschattungsstruktur 12, welche eine Schaltungsstruktur enthält, ist auf dem Wafer 11 ge bildet.

Wenn eine Flüssigkristallanzeige oder eine integrierte Halbleiterschaltung unter Verwendung einer Photomaske 1 wie bezüglich der ersten Ausführungsform erläutert hergestellt wird, ist es somit möglich, die Flüssigkristallanzeige oder die integrierte Halbleiterschaltung mit hoher Zuverlässig keit bei geringen Kosten herzustellen.

Vorstehend wurden eine Photomaske, ein Verfahren zur Herstellung, ein Verfahren zum Testen/Reparieren und ein Verfahren zur Verwendung der Photomaske offenbart. Die vor liegende Erfindung zielt dabei darauf ab die Schwierigkei ten eines auffallenden Ansteigens der Schreibzeit einer Schaltungsstruktur zu überwinden, wenn schräge Linien vor handen sind, was zu hohen Kosten und einer niedrigen Genau igkeit der sich daraus ergebenden Photomasken führt. Aus diesem Grunde wird eine Abschattungsstruktur 3b, welche auf der Hauptebene einer transparenten Basis 2 gebildet ist, auf der Grundlage von Layoutdaten einer Schaltungsstruktur eines Polygons, das eine schräge Linie enthält, in Poly gondaten umgewandelt, wobei eine schräge Linie stufenförmig durch eine Anzahl Np von Rechtecken ausgedrückt wird, wel che durch Np = int(W/Rp/m) definiert ist, wobei W die Brei te der schrägen Linien, Rp die Auflösung einer Projektions belichtungsvorrichtung und m die Vergrößerung einer Projek tionsbelichtungsvorrichtung darstellen. Die Abschattungs struktur 3b wird auf der Hauptebene des transparenten Substrats 2 auf der Grundlage von Layoutdaten einer Schal tungsstruktur eines Polygons gebildet, das eine schräge Li nie enthält.

Claims

1. Photomaske (1) mit:
einer transparenten Basis (2), und;
einer Abschattungsstruktur (3b), welche eine Schal tungsstruktur (5) eines Polygons, das eine schräge Linie (6) enthält, als Polygon anzeigt, bei welchem die schräge Linie stufenförmig durch eine Mehrzahl von Rechtecken (4x, 4y) ausgedrückt wird, wobei
die Breite R der Rechtecke in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt,
wobei Rw das Auflösungsvermögen einer Maskenschreib vorrichtung, Rp das Auflösungsvermögen einer Projektionsbe lichtungsvorrichtung und m die Vergrößerung einer Projekti onsbelichtungsvorrichtung darstellen.

2. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Oberflächenbereich eines Polygons, das eine schräge Linie enthält, gleich dem Oberflächenbereich eines Polygons ist, bei welchem die schräge Linie stufenförmig ausgedrückt wird.

3. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Rand (7a, 7b), welcher ein Ende (6a, 6b) der schrägen Linie in einem Polygon berührt, welches eine schräge Linie enthält, eine parallele Beziehung zu einem Rand (8a, 8b) besitzt, welcher eine Position (4a, 4b) be rührt, welche einem Ende der schrägen Linie in einem Poly gon entspricht, bei welchem die schräge Linie stufenförmig ausgedrückt wird.

4. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Rand (7a, 7b), welcher ein Ende (6a, 6b) der schrägen Linie in einem Polygon berührt, welches eine schräge Linie enthält, eine orthogonale Beziehung zu einem Rand (8a, 8b) besitzt, welcher eine Position (4a, 4b) be rührt, welche einem Ende der schrägen Linie in einem Poly gon entspricht, in welchem die schräge Linie stufenförmig ausgedrückt wird.

5. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn Ränder (7a, 7b), welche ein Ende (6a, 6b) der schrägen Linie eines Polygons berühren, das eine schräge Linie enthält, sich in einer wechselseitig paral lelen Beziehung befinden, eine Schaltungsstruktur, welche die schräge Linie ausdrückt, eine Punktsymmetrie bezüglich eines Mittelpunkts (4c) einer Linie (4) zeigt, welche der schrägen Linie entspricht.

6. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn Ränder (7a, 7b), welche ein Ende (6a, 6b) der schrägen Linie in einem Polygon berühren, welches eine schräge Linie enthält, sich in einer wechselseitig paralle len Beziehung befinden, eine Stufenstruktur, welche die schräge Linie ausdrückt, eine Spiegelsymmetrie bezüglich einer vertikalen Halbierenden (4d) einer Linie (4) zeigt, welche der schrägen Linie entspricht.

7. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn Ränder (7a, 7b), welche ein Ende (6a, 6b) der schrägen Linie in einem Polygon berühren, welches eine schräge Linie enthält, sich in einer wechselseitig orthogo nalen Beziehung befinden, eine Stufenstruktur, welche die schräge Linie ausdrückt, eine Punktsymmetrie bezüglich ei nes Mittelpunkts (4c) einer Linie (4) zeigt, welche der schrägen Linie entspricht.

8. Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn Ränder (7a, 7b), welche ein Ende (6a, 6b) der schrägen Linie in einem Polygon berühren, welches eine schräge Linie enthält, sich in einer wechselseitig orthogo nalen Beziehung befinden, eine Stufenstruktur, welche die schräge Linie ausdrückt, eine Spiegelsymmetrie bezüglich einer vertikalen Halbierenden (4d) einer Linie (4) zeigt, welche der schrägen Linie entspricht.

9. Verfahren zur Herstellung einer Photomaske (1), mit den Schritten
Entwerfen eines Layouts einer Schaltungsstruktur und Bilden von Layoutdaten,
Umwandeln der Layoutdaten einer Schaltungsstruktur (5) eines Polygons, das eine schräge Linie (6) enthält, in Da ten eines Polygons, bei welchem eine schräge Linie stufen förmig durch eine Mehrzahl von Rechtecken ausgedrückt wird und die Gesamtheit des Polygons durch eine Mehrzahl von Rechtecken gebildet wird,
Schreiben einer Schaltungsstruktur auf der Grundlage der Layoutdaten nach der Umwandlung einer Schaltungsstruk tur eines Polygons, welches die schräge Linie enthält, wo bei die Breite R der Rechtecke in dem Umwandlungsschritt in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt,
wobei Rw die Auflösung einer Maskenschreibvorrichtung, Rp die Auflösung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung und m die Vergrößerung einer Projektionsbelichtungsvorrich tung darstellen.

10. Verfahren zur Herstellung einer Photomaske nach An spruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine niedrige Ge samtzahl von Rechtecken gewählt wird, wenn eine Mehrzahl von Verfahren der Umwandlung von Layoutdaten einer Schal tungsstruktur eines Polygons verfügbar ist, das eine schrä ge Linie enthält.

11. Verfahren zur Herstellung einer Photomaske nach An spruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine geringe Gesamt zahl von sehr kleinen Rechtecken (9) gewählt wird, wenn ei ne Mehrzahl von Verfahren zur Umwandlung von Layoutdaten einer Schaltungsstruktur eines Polygons verfügbar ist, das eine schräge Linie enthält.

12. Verfahren zur Herstellung einer Photomaske nach An spruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verfahren ge wählt wird, bei welchem sehr kleine Rechtecke (9) nicht au ßerhalb eines Polygons angeordnet sind, welches aus einer Mehrzahl von Rechtecken gebildet ist, wenn eine Mehrzahl von Verfahren des Umwandelns von Layoutdaten einer Schal tungsstruktur eines Polygons verfügbar ist, das eine schrä ge Linie enthält.

13. Verfahren zum Testen und Reparieren einer Photomaske (1), bei welchem ein Defekt (10) getestet und repariert wird, wobei der Defekt an einer Position auf einer Linie (4) gebildet wird, welcher der schrägen Linie einer Photo maske entspricht, die Photomaske mit einer transparenten Basis (2) und einer Abschattungsstruktur (3b) versehen ist, welche eine Schaltungsstruktur eines Polygons, das eine schräge Linie enthält, als Polygon anzeigt, bei welchem die gekrümmte Linie stufenförmig durch eine Mehrzahl von Recht ecken ausgedrückt wird, wobei die Breite R der Rechtecke in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt, wobei
das Testen und Reparieren auf einer Kurve unter Bezug nahme auf Layoutdaten der Schaltungsstruktur durchgeführt wird, wobei Rw das Auflösungsvermögen einer Maskenschreib vorrichtung, Rp das Auflösungsvermögen einer Projektionsbe lichtungsvorrichtung und m das Übertragungsverhältnis einer Projektionsbelichtungsvorrichtung darstellen.

14. Verfahren zur Verwendung einer Photomaske (1), mit welchem eine integrierte Halbleiterschaltung unter Verwen dung einer Photomaske hergestellt wird, welche mit einer transparenten Basis (2) und einer Abschattungsstruktur (3b) versehen ist, welche eine Schaltungsstruktur eines Poly gons, das eine schräge Linie enthält, als Polygon anzeigt, bei welchem die schräge Linie stufenförmig durch eine Mehr zahl von Rechtecken ausgedrückt wird, wobei die Breite R der Rechtecke in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt, wo bei Rw das Auflösungsvermögen einer Maskenschreibvorrich tung, Rp das Auflösungsvermögen einer Projektionsbelich tungsvorrichtung und m die Vergrößerung einer Projektions belichtungsvorrichtung darstellen.

15. Verfahren zur Verwendung einer Photomaske (1), mit welchem eine Flüssigkristallanzeige unter Verwendung einer Photomaske hergestellt wird, welche mit einer transparenten Basis (2) und einer Abschattungsstruktur (3b) versehen ist, welche eine Schaltungsstruktur eines Polygons, das eine schräge Linie enthält, als Polygon anzeigt, bei welchem die schräge Linie stufenförmig durch eine Mehrzahl von Recht ecken ausgedrückt wird, wobei die Breite R der Rechtecke in dem Bereich von Rw < R < Rp × m liegt, wobei Rw das Auflö sungsvermögen einer Maskenschreibvorrichtung, Rp das Auflö sungsvermögen einer Projektionsbelichtungsvorrichtung und m die Vergrößerung einer Projektionsbelichtungsvorrichtung darstellen.