DE10018143A1 - DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems - Google Patents
DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen SchichtsystemsInfo
- Publication number
- DE10018143A1 DE10018143A1 DE10018143A DE10018143A DE10018143A1 DE 10018143 A1 DE10018143 A1 DE 10018143A1 DE 10018143 A DE10018143 A DE 10018143A DE 10018143 A DE10018143 A DE 10018143A DE 10018143 A1 DE10018143 A1 DE 10018143A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- carbon
- gas
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
- C23C16/029—Graded interfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/044—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/046—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material with at least one amorphous inorganic material layer, e.g. DLC, a-C:H, a-C:Me, the layer being doped or not
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/048—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material with layers graded in composition or physical properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/42—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C33/00—Parts of bearings; Special methods for making bearings or parts thereof
- F16C33/02—Parts of sliding-contact bearings
- F16C33/04—Brasses; Bushes; Linings
- F16C33/043—Sliding surface consisting mainly of ceramics, cermets or hard carbon, e.g. diamond like carbon [DLC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/252—Glass or ceramic [i.e., fired or glazed clay, cement, etc.] [porcelain, quartz, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Abstract
Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung beschrieben, mit der es möglich ist, ein Schichtsystem für den Verschleißschutz, Korrosionsschutz und zur Verbesserung der Gleiteigenschaften oder dergleichen zu erzeugen, welches eine Haftschicht zur Anordnung auf einem Substrat, eine Übergangsschicht zur Anordnung auf der Haftschicht und eine Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff aufweist, wobei die Haftschicht mindestens ein Element aus der Gruppe umfaßt, die die Elemente der 4., 5. und 6. Nebengruppe und Silizium beinhaltet, wobei die Übergangsschicht Kohlenstoff und mindestens ein Element aus der vorgenannten Gruppe umfaßt und die Deckschicht aus im wesentlichen diamantähnlichem Kohlenstoff besteht, wobei das Schichtsystem eine Härte von wenigstens 15 GPa, vorzugsweise mindestens 20 GPa und eine Haftfestigkeit von wenigstens 3 HF nach VDI 3824 Blatt 4 aufweist. DOLLAR A Zur Herstellung einer derartigen Schicht wird ein Verfahren verwendet, bei dem nach dem Einbringen des Substrats in eine Vakuumkammer und Abpumpen auf ein Vakuum von weniger als 10·-4· mbar, vorzugsweise 10·-5· mbar, zunächst die Substratoberfläche von anhaftenden Verschmutzungen gereinigt wird, während danach ein plasmagestütztes Aufdampfen der Haftschicht erfolgt. Anschließend wird die Übergangsschicht durch gleichzeitiges plasmagestütztes Aufdampfen der Haftschichtkomponenten und Abscheiden von Kohlenstoff aus der Gasphase mittels Plasma-CVD aufgebracht. Das Aufbringen der diamantähnlichen ...
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schichtsystem für den Verschleißschutz,
Korrosionsschutz und zur Verbesserung von Gleiteigenschaften und dergleichen
mit einer Haftschicht zur Anordnung auf einem Substrat, einer Übergangsschicht
zur Anordnung auf der Haftschicht und einer Deckschicht aus diamantähnlichem
Kohlenstoff sowie ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung derartiger
Schichtsysteme.
Trotz der herausragenden Eigenschaften von diamantähnlichen Kohlenstoff
schichten (DLC-Schichten), wie hoher Härte und ausgezeichneter Gleiteigenschaf
ten, und einer langjährigen weltweiten Forschungstätigkeit, konnten bis heute
noch keine reinen DLC-Schichten hergestellt werden, die auch bei grösseren
Schichtdicken (< 1 µm) eine für den industriellen Einsatz in typischen Verschleiß
schutzanwendungen ausreichende Schichthaftung zeigen und eine ausreichende
Leitfähigkeit aufweisen, um auf die mit vielen produktionstechnischen Nachteilen
behafteten Hochfrequenz (HF)-Verfahren zur Herstellung verzichten zu können.
Als typische Verschleißschutzanwendungen seien hier einerseits Anwendungen im
Maschinenbaubereich, wie Schutz vor Gleitverschleiß, Pitting, Kaltverschweißung
etc., insbesondere auf Bauteilen mit gegeneinander bewegten Flächen, wie bei
spielsweise Zahnrädern, Pumpen- und Tassenstössel, Kolbenringe, Injektorenna
deln, komplette Lagersätze oder deren einzelne Bestandteile u. v. a. genannt, sowie
andererseits Anwendungen im Bereich der Materialbearbeitung zum Schutz der
eingesetzten Werkzeuge zur spanenden oder umformenden Bearbeitung sowie bei
Spritzgußformen.
Neben den vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten im Verschleißschutzbereich sei
hier noch ausdrücklich der Korrosionsschutz als weiterer vielversprechender An
wendungsbereich von derartigen DLC-Schichten genannt.
Reine DLC-Schichten können heute auf Grund der hohen Eigenspannungen und
der damit verbundenen problematischen Haftung, insbesondere bei hochbean
spruchten Flächen im Verschleißschutz nur mit geringen, für viele Anwendungen
unzureichenden Schichtdicken abgeschieden werden oder müssen durch zusätzli
chen Einbau von Fremdatomen, wie beispielsweise Silizium, verschiedenen Metal
len und Fluor in ihren Eigenschaften verändert werden. Allerdings war die damit
erreichte Verringerung der Schichteigenspannungen und Verbesserung der Haf
tung immer mit einem deutlichen Härteverlust verbunden, der sich gerade im Ver
schleißschutzbereich oftmals negativ auf die Lebensdauer des jeweils beschichteten
Gegenstands auswirken kann.
Bei heute üblichen plasmagestützten Verfahren zur Herstellung von DLC-
Schichten werden auf Grund des hohen elektrischen Widerstandes harter DLC-
Schichten häufig, um störende Aufladungen während der Beschichtung zu vermei
den, Prozesse mit einem HF-Bias bzw -Plasma (als HF = Hochfrequenz werden im
folgenden alle Frequenzen < 10 MHz verstanden), insbesondere mit der Industrie
frequenz 13,56 MHz, angewandt. Die bekannten Nachteile dieser Technik sind
schwer beherrschbare Störungen elektronisch empfindlicher Prozeßsteuerungs
einheiten (HF-Rückkopplungen, Senderwirkung, . . .), ein erhöhter Aufwand um
HF-Überschläge zu vermeiden, Antennenwirkung der zu beschichtenden Substrate
und ein damit verbundener relativ großer Mindestabstand zwischen dem Beschich
tungsgut, der eine optimale Raum- und Flächennutzung in der Beschichtungskammer
verhindert. So ist bei HF-Verfahren genauestens darauf zu achten, dass
es, beispielsweise durch eine zu hohe Beladungsdichte, falsche Substrat/Halte
rungsabstände etc., nicht zu einer Überlappung von Dunkelräumen kommt, wo
durch schädliche Nebenplasmen entstehen. Derartige Nebenplasmen bilden einer
seits Energiesenken und belasten so zusätzlich die Plasmageneratoren, anderer
seits kommt es durch derartige lokale Plasmakonzentrationen häufig zu einer
thermischen Überhitzung der Substrate und unerwünschter Graphitisierung der
Schicht.
Auf Grund der bei HF-Prozessen berechneten exponentiellen Abhängigkeit der
Substratspannung von der Substratoberfläche
US/UE = CE/CS = (AE/AS)4
wobei U für die Spannung, C für die Kapazität, A für die Oberfläche und die Indi
zes S für Substrat bzw E für die Gegenelektrode stehen, kommt es bei steigender
Substratoberfläche AS zu einem starken Abfall der Substratspannung US begleitet
von einem starken Anstieg der Verlustleistung. Daher kann abhängig von der Lei
stungsfähigkeit der eingesetzten Generatoren nur eine bestimmte Maximalfläche
beschichtet werden kann. Anderenfalls kann entweder nicht genügend Leistung in
das System eingebracht bzw die Potentialdifferenz (Substratspannung) nicht aus
reichend hoch eingestellt werden, um den für gut haftende dichte Schichten not
wendigen Ionplatingeffekt zu erzielen.
Ferner ist auf der Anlagenseite bei HF-Prozessen üblicherweise zusätzlicher appa
rativer Aufwand notwendig, um Generator- und Plasmaimpedanzen durch elektri
sche Netzwerke, wie beispielsweise eine sogenannte Matchbox, während des Pro
zesses dynamisch aneinander anzupassen.
Im folgenden werden kurz verschiedene aus dem Stand der Technik bekannte Ver
fahren bzw Schichtsysteme angeführt.
Die EP 87 836 offenbart ein DLC-Schichtsystem mit einem 0,1-49,1%igen Anteil
metallischer Komponenten, welches beispielsweise mittels kathodischem Sputtern
abgeschieden wird.
Die DE 43 43 354 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen
Ti-haltigen Schichtsystems mit einer Hartstoffschicht aus Titannitriden Titan
karbiden und Titanboriden sowie einer reibmindernden C-haltigen Oberflächen
schicht, wobei der Ti- und N-Anteil in Richtung der Oberfläche fortschreitend ver
ringert wird.
Einen gepulsten Plasmastrahl verwendet das in der US 5 078 848 beschriebene
Verfahren zur Herstellung von DLC-Schichten. Auf Grund der gerichteten Teil
chenstrahlung aus einer Quelle mit geringem Austrittsquerschnitt eignen sich aber
solche Verfahren nur bedingt zur gleichmässigen Beschichtung größerer Flächen.
Verschiedene CVD Verfahren bzw mit solchen Verfahren hergestellte SiDLC/DLC
Mischschichten werden in den folgenden Dokumenten beschrieben:
Die EP-A-651 069 beschreibt ein reibminderndes Verschleißschutzsystem aus 2- 5000 alternierenden DLC und SiDLC-Schichten. Ein Verfahren zur Abscheidung von a-DLC-Schichten mit einer Si-Zwischenschicht und daran anschliessender a- SiC:H-Übergangszone zur Verbesserung der Haftung wird in der ERA-600 533 beschrieben. Auch in der ERA-885 983 und der EP-A-856 592 werden verschiedene Verfahren zur Herstellung solcher Schichten beschrieben. In der EP-A-885 983 bei spielsweise wird das Plasma durch ein DC-beheiztes Filament erzeugt und die Substrate mit negativer Gleichspannung oder MF zwischen 30-1.000 kHz beauf schlagt (als MF = Mittelfrequenz wird im folgenden der Frequenzbereich zwischen 1 und 10.000 kHz verstanden).
Die EP-A-651 069 beschreibt ein reibminderndes Verschleißschutzsystem aus 2- 5000 alternierenden DLC und SiDLC-Schichten. Ein Verfahren zur Abscheidung von a-DLC-Schichten mit einer Si-Zwischenschicht und daran anschliessender a- SiC:H-Übergangszone zur Verbesserung der Haftung wird in der ERA-600 533 beschrieben. Auch in der ERA-885 983 und der EP-A-856 592 werden verschiedene Verfahren zur Herstellung solcher Schichten beschrieben. In der EP-A-885 983 bei spielsweise wird das Plasma durch ein DC-beheiztes Filament erzeugt und die Substrate mit negativer Gleichspannung oder MF zwischen 30-1.000 kHz beauf schlagt (als MF = Mittelfrequenz wird im folgenden der Frequenzbereich zwischen 1 und 10.000 kHz verstanden).
Die US 4 728 529 beschreibt eine Methode zur Abscheidung von DLC unter An
wendung eines HF-Plasmas, bei der die Schichtbildung in einem Druckbereich
zwischen 10-3 und 1 mbar aus einem sauerstofffreien Kohlenwasserstoffplasma,
dem bei Bedarf Edelgas oder Wasserstoff beigemischt wird, erfolgt.
Der in der DE-C-195 13 614 beschriebene Prozeß verwendet eine bipolare
Substratspannung mit einer kürzeren positiven Pulsdauer in einem Druckbereich
zwischen 50-1000 Pa. Damit werden Schichten im Bereich von 10 nm bis 10 µm
und einer Härte zwischen 15-40 GPa abgeschieden.
Ein CVD Verfahren mit unabhängig vom Beschichtungsplasma erzeugter
Substratspannung wird in der DE-A-198 26 259 beschrieben, wobei bevorzugt bi
polare, jedoch auch andere periodische veränderte Substratspannungen angelegt
werden. Dies bedarf jedoch einer relativ aufwendigen, da in zweifacher Ausfüh
rung vorzusehenden, elektrischen Versorgungseinheit zur Durchführung des Ver
fahrens.
Entsprechend ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung relativ dicke DLC-
Schichtsysteme mit hoher Härte und ausgezeichneter Haftfestigkeit zur Verfügung
zu stellen, die ausserdem noch eine genügend hohe Leitfähigkeit besitzen, um oh
ne HF-Bias abgeschieden werden zu können, so daß ein Verfahren und eine Vor
richtung verwendet werden können, die keinen großen Aufwand erfordern und
eine Effektivität für den industriellen Einsatz aufweisen. Entsprechend ist es auch
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein entsprechendes Verfahren und eine Vor
richtung bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die Schicht mit den Merkmalen des Patentan
spruches 1 sowie dem Verfahren nach Patentanspruch 11 und der Vorrichtung ge
mäß Patentanspruch 30. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Un
teransprüche.
Ein erfindungsgemäßes DLC-Schichtsystem wird durch Herstellen einer Schicht
mit folgendem Schichtaufbau erreicht.
Direkt auf dem Substrat befindet sich eine Haftschicht mit mindestens einem
Element aus der Gruppe der Elemente der IV, V und VI Nebengruppe sowie Si.
Bevorzugt wird eine Haftschicht aus den Elementen Cr oder Ti verwendet, die sich
für diesen Zweck als besonders geeignet erwiesen haben.
Daran schliesst sich eine Übergangsschicht an, die vorzugsweise als Gradienten
schicht ausgebildet ist, in deren Verlauf senkrecht zur Substratoberfläche der Me
tallgehalt ab- und der C-Gehalt zunimmt.
Die Übergangsschicht umfaßt im wesentlichen Kohlenstoff und mindestens ein
Element aus der Gruppe der Elemente, die die Haftschicht bilden. Zusätzlich kann
bei einer bevorzugten Ausführungsform Wasserstoff enthalten sein. Darüber hinaus
beinhalten sowohl die Übergangsschicht als auch die Haftschicht unvermeid
bare Verunreinigungen, wie sie beispielsweise durch in die Schicht eingebaute
Atome aus der umgebenden Atmosphäre gegeben sind, beispielsweise die bei der
Herstellung verwendeten Edelgase, wie Argon oder Xenon.
Bei der Ausbildung der Übergangsschicht in Form einer Gradientenschicht kann
der Zuwachs des Kohlenstoffs in Richtung der Deckschicht durch Zunahme gege
benenfalls unterschiedlicher karbidischer Phasen, durch Zunahme des freien
Kohlenstoffs, bzw durch eine Mischung derartiger Phasen mit der metallischen
Phase der Übergangsschicht erfolgen. Die Dicke der Gradienten- bzw Übergangs
schicht kann dabei, wie dem Fachmann bekannt, durch Einstellung geeigneter
Prozeßrampen eingestellt werden. Die Zunahme des C-Gehalt bzw Abnahme der
metallischen Phase kann kontinuierlich oder stufenweise erfolgen, ferner kann
zumindest in einem Teil der Übergangsschicht auch eine Abfolge metallreicher
und C-reicher Einzelschichten zum weiteren Abbau von Schichtspannungen vor
gesehen werden. Durch die erwähnten Ausbildungen der Gradientenschicht wer
den die Materialeigenschaften (beispielsweise E-Modul, Struktur etc.) der Haft-
und der abschließenden DLC-Schicht im wesentlichen kontinuierlich aneinander
angepasst und damit der Gefahr der Rissbildung entlang einer sonst auftretenden
Metall bzw Si/DLC-Grenzfläche entgegengewirkt.
Den Abschluss des Schichtpakets bildet eine im wesentlichen ausschliesslich aus
Kohlenstoff und vorzugsweise Wasserstoff bestehende Schicht, mit einer im Ver
gleich zur Haft- und Übergangsschicht größeren Schichtdicke. Zusätzlich zum
Kohlenstoff und Wasserstoff können auch hier Edelgase, wie Argon oder Xenon
vorkommen. Wesentlich ist hier jedoch, daß auf zusätzliche metallische Elemente
oder Silizium vollständig verzichtet wird.
Die Härte des gesamten DLC-Schichtsystems ist auf einen Wert größer 15 GPa,
bevorzugt größer/gleich 20 GPa eingestellt und eine Haftfestigkeit besser oder
gleich HF 3, bevorzugt besser oder gleich HF 2, insbesondere gleich HF 1 nach
VDI 3824 Blatt 4 wird erreicht. Die Härte wird hierbei über die Knoop Härtemes
sung mit 0,1 N Last, d. h. HK0,1 ermittelt, so daß 20 Gpa 2000 HK0,1 entsprechen.
Der Oberflächenwiderstand der DLC-Schicht liegt zwischen δ = 10-6 Ω und δ = 5 MΩ,
bevorzugt zwischen 1 Ω und 500 kΩ, bei einem Elektrodenabstand von 20 mm.
Gleichzeitig zeichnet sich die vorliegende DLC-Schicht durch die für DLC ty
pische niedrige Reibkoeffizienten, bevorzugt µ ≦ 0.3 im Stift/Scheibetest, aus. Die
Schichtdicken sind insgesamt < 1 µm, vorzugsweise < 2 µm, wobei die Haftschicht
und die Übergangsschicht vorzugsweise Schichtdicken von 0,05 µm bis 1,5 µm,
insbesondere von 0,1 µm bis 0,8 µm aufweisen, während die Deckschicht vorzugs
weise eine Dicke von 0,5 µm bis 20 µm, insbesondere 1 µm bis 10 µm hat.
Der H-Gehalt ist in der Deckschicht vorzugsweise 5 bis 30 Atom%, insbesondere 10
-20 Atom%.
In REM Aufnahmen zeigen erfindungsgemäße abgeschiedene DLC-
Schichtsysteme Bruchflächen, die im Gegensatz zu herkömmlichen DLC-
Schichten, keine glasig-amorphe sondern eine feinkörnige Struktur aufweisen, wo
bei die Korngröße bevorzugt ≦ 300 nm, insbesondere ≦ 100 nm beträgt.
In tribologischen Tests unter hoher Belastung zeigt die Beschichtung eine vielfa
che Lebensdauer gegenüber anderen DLC-Schichten, wie beispielsweise Metallkoh
lenstoff-, insbesonders WC/C-Schichten. So konnte auf einer mit einer DLC-
Schicht versehenen Einspritzdüse für Verbrennungsmotoren im Test nach 1000 h
nur ein geringfügiger Verschleiß festgestellt werden, wohingegen im selben Test
eine mit WC/C beschichtete Düse bereits nach 10 h auf Grund eines hohen Oberflä
chenverschleißes bis in den Grundwerkstoff ausfiel.
Die Schichtrauhigkeit der erfindungsgemäßen DLC-Schicht hat vorzugsweise ei
nen Wert von Ra = 0.01-0.04; wobei Rz nach DIN gemessen < 0.8 bevorzugt < 0.5
ist.
Die Vorteile eines erfindungsgemäßen DLC-Schichtsystems mit obigen Eigenschaf
ten liegen in der erstmals gelungenen Kombination von großen Schichtdicken mit
ausgezeichneter Haftfestigkeit, die noch eine ausreichende Leitfähigkeit aufweisen,
um eine verhältnismässig einfache Prozeßführung in der industriellen Produktion
zu ermöglichen.
Trotz der hohen Härte von < 15 GPa, bevorzugt ≧ 20 GPa zeigt die Schicht auf
Grund ihrer Struktur und der erfindungsgemässen Verfahrensschritte eine deut
lich verbesserte Haftung. Herkömmliche Schichtsysteme benötigen hier eine Do
tierung in der Funktionsschicht (DLC), um die Schichtspannung zu reduzieren,
was aber auch die Härte reduziert.
Auch REM-Bruchbilder der erfindungsgemässen Schicht zeigen im Gegensatz zu
bisher bekannten DLC-Schichten, die die typische Bruchform einer amorphen
spröden Schicht mit teils muscheligen Ausbrüchen besitzen, eine feinkörnige gera
de Bruchfläche. Schichten mit dem oben beschriebenen Eigenschaftsprofil eignen
sich besonders für Anwendungen im Maschinenbau wie zum Beispiel zur Be
schichtung von hochbelasteten Pumpen- bzw Tassenstösseln und Ventiltrieben,
Nocken bzw Nockenwellen wie sie für Kfz-Verbrennungsmotoren und Getriebe
verwendet werden, aber auch für den Schutz von hochbelasteten Zahnrädern,
Plungern, Pumpenspindeln u. a. Bauteilen bei denen eine besonders harte und
glatte Oberfläche mit guten Gleiteigenschaften benötigt wird.
Im Werkzeugbereich können dies Schichten auf Grund ihrer hohen Härte und sehr
glatten Oberfläche vorteilhaft vor allem für Umform- (Pressen, Stanzen, Tiefzie
hen, . . .) und Spritzgusswerzeuge, jedoch auch, mit gewissen Einschränkungen bei
der Bearbeitung von Eisenwerkstoffen, für Schneidwerkzeuge eingesetzt werden,
insbesondere wenn für die Anwendung ein besonders geringer Reibkoeffizient ge
paart mit einer hohen Härte notwendig ist.
Das erfindungsgemässe Verfahren zur Herstellung des DLC-Schichtsystems zeich
net sich weiterhin durch folgende Merkmale aus.
Die zu beschichtenden Teile werden in einer für PVD-Verfahren bekannten Weise
gereinigt und auf einer Halterungsvorrichtung montiert. Im Gegensatz zu HF-
Verfahren können dabei vorteilhafterweise Halterungsvorrichtungen mit - je nach
Teilchengeometrie angepasst - 1, 2 oder auch 3 im wesentlichen parallelen Rotati
onsachsen verwendet werden, wodurch eine grössere Beladungsdichte erzielt wer
den kann. Die Halterungsvorrichtung mit den zu beschichtenden Teilen wird in
die Prozeßkammer einer Beschichtungsanlage gebracht und nach Abpumpen auf
einen Startdruck von weniger als 10-4 mbar, vorzugsweise 10-5 mbar wird die Pro
zeßfolge gestartet.
Der erste Teil des Prozeßes, das Reinigen der Substratoberflächen, wird beispiels
weise als Heizprozess durchgeführt, um die noch an der Oberfläche der Teile an
haftenden flüchtigen Substanzen zu entfernen. Dazu wird bevorzugt ein Edelgas-
Plasma mittels einer Hochstrom/Niedervoltentladung zwischen einem oder mehre
ren, in einer an die Prozesskammer angrenzenden Ionisationskammer angeordne
ten, auf negatives Potential gelegten Filamenten und den auf positives Potential
gelegten Halterungsvorrichtungen mit den Teilen gezündet. Dadurch wird ein in
tensiver Elektronenbeschuß und damit ein Erwärmen der Teile bewirkt. Als be
sonders günstig hat sich dabei die Verwendung eines Ar/H2-Gemisches erwiesen,
da hierbei durch die reduzierende Wirkung des Wasserstoffs gleichzeitig ein Reini
gungseffekt der Teileoberflächen erzielt wird. Die Hoch
strom/Niedervoltbogenentladung kann dabei mit einem statischen oder vorteilhaf
terweise im wesentlichen örtlich variabel bewegten magnetischen Feld geführt
werden. Statt der oben beschrieben Ionisationskammer kann auch eine Hohlka
thode oder eine andere bekannte Ionen- bzw. Elektronenquelle benutzt werden.
Alternativ können natürlich auch andere Heizverfahren wie z. B. Strahlungsheizen
oder induktives Heizen verwendet werden.
Nach Erreichen eines, je nach Grundwerkstoff der Teile festzulegenden Tempera
turniveaus, kann zusätzlich oder alternativ als Reinigungsprozeß ein Ätzprozess
gestartet werden, indem beispielsweise zwischen Ionisationskammer und einer
Hilfsanode ein Niedervoltbogen gezündet wird, und die Ionen mittels einer negati
ven Biasspannung von 50-300 V auf die Teile gezogen werden. Die Ionen bombar
dieren dort die Oberfläche und entfernen restliche Verunreinigungen. Somit wird
eine saubere Oberfläche erzielt. Die Prozessatmosphäre kann neben Edelgasen,
wie z. B. Argon auch Wasserstoff enthalten.
Ferner kann der Ätzprozess auch durch Anlegen einer gepulsten Substratbias
spannung ohne oder mit Unterstützung durch einen, wie soeben beschriebenen
Niedervoltbogen erfolgen, wobei vorzugsweise ein Mittelfrequenzbias im Bereich
von 1 bis 10.000 kHz, insbesondere zwischen 20 und 250 kHz verwendet wird.
Um die Haftung des DLC-Schichtsystems auf dem Substrat zu gewährleisten, wird
eine bevorzugt metallische, insbesondere aus Cr oder Ti bestehende Haftschicht
mit einem bekannten PVD bzw. Plasma-CVD Verfahren, wie beispielsweise mittels
Arcverdampfen, verschiedenen Ionplatingverfahren, bevorzugt jedoch durch ka
thodisches Sputtern mindestens eines Targets aufgedampft. Zur Unterstützung
des Aufdampfens wird am Substrat eine negative Substratbiasspannung angelegt.
Der Ionenbeschuß und die damit bewirkte Schichtverdichtung während des Sput
terprozesses kann zusätzlich durch einen parallel betriebenen Niedervoltbogen
und/oder ein zur Stabilisierung bzw. Intensivierung des Plasmas angelegtes Ma
gnetfeld, und/oder durch das Anlegen einer DC-Biasspannung am Substrat oder
durch das Anlegen eines Mittelfrequenzbias zwischen Substrat und Prozesskam
mer im Bereich von 1 bis 10.000, insbesondere zwischen 20 bis 250 kHz unter
stützt werden.
Die Dicke der Haftschicht wird in bekannter Weise durch eine der jeweiligen Anla
gengeometrie entsprechenden Wahl der Sputter- bzw. Aufdampfzeit und Leistung
eingestellt.
Beispielsweise wird bei vorliegender, wie unten beschriebenen, Anlagengeometrie
Cr für die Dauer von 6 Minuten von zwei vorteilhafterweise gegenüberliegenden
Targets bei einem Druck zwischen 10-4 bis 10-3 mbar, einem Substratbias von Ubias
= -75 V und einer Leistung von ca. 8 kW in einer Ar-Atmosphäre gesputtert.
Nach Aufbringen der Haftschicht wird erfindungsgemäss durch Aufbringen einer
Übergangsschicht ein möglichst fließender Übergang zwischen Haftschicht und
DLC-Schicht sichergestellt.
Das Aufbringen der Übergangsschicht erfolgt so, daß neben dem plasmagestützten
Aufdampfen der Haftschichtkomponenten zeitgleich Kohlenstoff aus der Gasphase
abgeschieden wird. Dies erfogt vorzugsweise über ein Plasma-CVD-Verfahren, bei
dem ein kohlenstoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein Kohlenwasserstoffgas, insbe
sondere Acetylen als Reaktionsgas verwendet wird.
Während des Aufbringens der Übergangsschicht wird am Substrat eine insbeson
dere "gepulste", mittelfrequente Substratbiasspannung angelegt und ein Magnet
feld überlagert.
Zur bevorzugten Ausbildung einer Gradientenschicht wird während des Aufbrin
gens der Übergangsschicht der Anteil der Kohlenstoffabscheidung mit zunehmen
der Dicke der Übergangsschicht schrittweise oder kontinuierlich erhöht, bis letzt
endlich im wesentlichen nur noch eine Kohlenstoffabscheidung stattfindet.
In diesem Prozeßstadium wird dann als Deckschicht die diamantähnliche Kohlen
stoffschicht durch Plasma-CVD-Abscheidung von Kohlenstoff aus der Gasphase
erzeugt, wobei als Reaktionsgas ein kohlenstoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein
Kohlenstoffwassergas, insbesondere Acetylen verwendet wird. Gleichzeitig wird
am Substrat weiterhin eine Substratbiasspannung beibehalten und das überlager
te Magnetfeld aufrechterhalten.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform kann das Reaktionsgas zur Abscheidung
von Kohlenstoff zur Bildung der Übergangsschicht und der Deckschicht aus dia
mantähnlichem Kohlenstoff neben dem kohlenstoffhaltigen Gas zusätzlich Was
serstoff und Edelgas, vorzugsweise Argon oder Xenon, beinhalten. Der eingestellte
Druck in der Prozeßkammer beträgt dabei zwischen 10-4 mbar bis 10-2 mbar.
Während des Abscheidens der Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff ist
es bevorzugt den Anteil des kohlenstoffhaltigen Gases zu erhöhen und den Anteil
an Edelgas, insbesondere Argon zu senken.
Die während der Verfahrensschritte zum Aufdampfen der Haftschicht, Aufbringen
der Übergangsschicht und Abscheiden der Deckschicht am Substrat angelegte
Substratbiasspannung kann insbesondere bei der Bildung der Übergangsschicht
und der Deckschicht eine Wechselspannung (AC), eine mit AC oder Puls überla
gerte Gleichspannung (DC) bzw. modulierte Gleichspannung sein, wie insbesonde
re eine unipolare (negativ) oder bipolare Substratbiasspannung sein, die in einem
Mittelfrequenzbereich von 1 bis 10000 kHz, vorzugsweise 20 bis 250 kHz gepulst
ist. Die Pulsform kann dabei sinusförmig sein oder assymmetrisch, so daß lange
negative und kurze positive Impulszeiten oder große negative und kleine positive
Amplituden angelegt werden.
Darüber hinaus wird vorzugsweise während des gesamten Beschichtungsprozesses
ein longitudinales Magnetfeld mit gleichmäßigen Feldlinienverlauf eingestellt, wo
bei das Magnetfeld seitlich und/oder räumlich, kontinuierlich oder schrittweise
veränderbar ist.
Vorzugsweise wird, falls für das Aufbringen der Haftschicht ein DC-Bias verwen
det wurde, beim Aufbringen der Übergangsschicht, zunächst an die Halterungs
vorrichtung ein Mittelfrequenzgenerator angeschlossen, der seine Spannungsimpulse
(Regelung über Steuerung der eingebrachten Leistung ist ebenfalls möglich,
aber nicht bevorzugt) in Form eines sinus-, oder eines anderen bi- bzw. auch uni
polaren Signalverlaufs abgibt. Der verwendete Frequenzbereich liegt hierbei zwi
schen 1 bis ca. 10.000 kHz, bevorzugt zwischen 20 und 250 kHz, die Amplituden
spannung zwischen 100 und 3.000 V, bevorzugt zwischen 500 und 2.500 V. Vor
zugsweise wird der Wechsel der Substratspannung durch Umschalten eines eigens
zur Abgabe von Gleich- und Mittelfrequenzspannung ausgelegten Generators
durchgeführt. In einer anderen vorteilhaften Ausführungsform wird auch für die
Durchführung des Ätz- und Haftschichtprozesses eine Mittelfrequenzspannung an
die Substrate angelegt. Bei Verwendung einer bipolaren Substratspannung hat es
sich als besonders vorteilhaft erwiesen asymmetrische Impulsformen anzulegen,
beispielsweise kann der positive Impuls entweder kürzer oder mit einer kleineren
Spannung als der negative Impuls angelegt wird, da die Elektronen rascher dem
Feld folgen und auf Grund Ihrer geringen Masse beim Auftreffen vor allem zu ei
ner zusätzlichen Erwärmung der Teile führen, was besonders bei temperaturem
pfindlichen Grundwerkstoffen zu einer Schädigung durch Überhitzung führen
kann. Dieser Gefahr kann auch bei anderen Signalverläufen durch Vorsehen einer
sogenannten "OFF-Time" entgegengewirkt werden, bei der zwischen dem Anlegen
einzelner oder mehrerer Signalperioden mit Leistungsanteil (= "ON-Time") ein
Nullsignal angelegt wird.
Zeitgleich oder mit einer zeitliche Verzögerung nach Anlegen des Mittelfrequenzsi
gnals, bei Verwendung eines DC-Bias zum Aufbringen der Haftschicht, bzw. nach
Aufdampfen der für die Haftschicht gewünschten Schichtdicke bei Verwendung
eines Mittelfrequenzbias, wird ein Kohlenwasserstoffgas, bevorzugt Acetylen mit
einem schrittweise oder bevorzugt kontinuierlich ansteigenden Gasfluss in den
Rezipienten eingelassen. Ebenso zeitgleich oder mit einer gegebenenfalls unter
schiedlichen zeitlichen Verzögerung wird vorzugsweise die Leistung des minde
stens einen metallischen oder Si-Targets schrittweise oder kontinuierlich heunter
gefahren. Bevorzugt wird dabei das Target bis zu einer, je nach erreichtem Koh
lenwasserstofffluß von einem Fachmann leicht zu bestimmenden Mindestleistung
heruntergefahren, bei der noch ein stabiler Betrieb ohne Vergiftungserscheinungen
durch das Reaktivgas möglich ist. Anschließend wird das mindestens eine Tar
get bevorzugt mit einer oder mehreren beweglich angeordneten Blenden gegen die
Prozesskammer abgeschirmt, und abgeschaltet. Diese Maßnahme verhindert weit
gehend eine Belegung des Targets mit einer DLC-Schicht, womit auf ein sonst
notwendiges Freisputtern zwischen einzelnen DLC-Beschichtungschargen verzich
tet werden kann. Bei der nächsten durchzuführenden Charge genügt es ein Hoch
fahren des mindestens einen Targets bei geschlossenen Blenden vorzusehen, um
wieder eine völlig blanke, für das Aufbringen der Haftschicht geeignete Targeto
berfläche zu erzielen.
Ein wesentlicher Beitrag zur Stabilisierung des erfindungsgemäßen DLC-
Beschichtungsprozesses wird durch das Ausbilden eines longitudinalen Magnetfel
des erreicht. Dieses wird - wenn nicht schon im vorhergehenden Prozessschritt
zum Aufbringen der Haftschicht verwendet - im wesentlichen zeitgleich mit dem
Umschalten der Substratspannung auf den Mittelfrequenzgenerator erfolgen. Das
Magnetfeld wird so ausgebildet, dass ein möglichst gleichmäßiger Feldlinienverlauf
in der Prozesskammer gegeben ist. Dazu wird bevorzugt durch zwei im wesentli
chen die Prozesskammer an gegenüberliegenden Seiten begrenzende elektroma
gnetische Spulen Strom so eingeleitet, dass an beiden Spulen ein gleichsinnig ge
richtetes, sich gegenseitig verstärkendes Magnetfeld entsteht. Bei kleineren Kam
merabmessungen kann eine ausreichende Wirkung gegebenenfalls auch mit nur
einer Spule erzielt werden. Damit wird eine annähernd gleichmäßige Verteilung
des Mittelfrequenzplasmas über größere Kammervolumen erreicht. Trotzdem
kann es durch unterschiedliche Geometrien der zu beschichtenden Teile bzw. der
Halterungsvorrichtungen immer noch vereinzelt zur Ausbildung von Nebenplas
men kommen, wenn bestimmte geometrische und elektromagnetische Randbedin
gungen erfüllt sind. Dem kann durch ein zeitlich und räumlich veränderbares Ma
gnetfeld entgegengewirkt werden, indem die Spulenströme miteinander oder be
vorzugt gegeneinander verschoben werden. Beispielsweise wird die erste Spule zu
nächst während 120 Sekunden durch eine stärkere Stromstärke I durchflossen als
die zweite Spule. Während den darauf folgenden 90 Sekunden ist die Stromstärke
invers, d. h. das zweite Magnetfeld ist stärker als das erste Magnetfeld. Diese Magnetfeldeinstellungen
können periodisch, wie beschrieben, stufenweise oder konti
nuierlich vorgenommen werden und damit durch geeignete Wahl der entsprechen
den Spulenströme die Ausbildung von stabilen Nebenplasmen vermieden werden.
Erst durch die Verwendung des Magnetfelds und der dadurch erreichten signifi
kanten Erhöhung der Plasmaintensität ist es im Gegensatz zum Stand der Tech
nik möglich auch in niedrigen Druckbereichen von beispielsweise 10-3 bis 10-2 mbar
einen stabilen CVD-Prozess zur Abscheidung von reinen DLC-Schichten mit hohen
Abscheideraten im Bereich von 0,5 bis 5, bevorzugt zwischen 1-4 µm/h zu erzie
len. Neben dem Substratstrom ist dabei auch die Plasmaintensität direkt propor
tional zur Aktivierung des Magnetfelds. Beide Parameter hängen zusätzlich von
der Größe der angebotenen, mit einem Bias beaufschlagten Flächen ab. Durch die
Anwendung niedriger Prozessdrücke können glattere Schichten, mit einer geringe
ren Anzahl von Wachstumsfehlern sowie geringerer Verunreinigung durch stören
de Fremdelemente, abgeschieden werden.
Die Wachstumsgeschwindigkeit hängt neben den Prozessparametern auch von der
Beladung und der Halterung ab. Insbesonders wirkt sich hierbei aus ob die zu be
schichtenden Teile 1-, 2- oder dreifach drehend, auf Magnethalterungen, oder ge
klemmt bzw. gesteckt befestigt werden. Auch die Gesamtmasse und Plasmadurch
gängigkeit der Halterungen ist von Bedeutung, so werden beispielsweise mit
leichtgebauten Halterungen, z. B. durch Verwendung von Speichentellern, statt
Tellern aus Vollmaterial, höhere Wachstumsgeschwindigkeiten und eine insgesamt
bessere Schichtqualität erzielt.
Zur weiteren Erhöhung des plasmaverstärkenden Magnetfelds können zusätzlich
zu dem longitudinalen, die gesamte Prozesskammer durchdringenden Magnetfeld
(Fernfeld) weitere lokale Magnetfelder - sogenannte Nahfelder - vorgesehen wer
den. Besonders vorteilhaft ist dabei eine Anordnung bei der zusätzlich zu minde
sten einem Magnetronmagnetsystem des mindestens einen Targets weitere bevor
zugt permanente Magnetsysteme an den die Plasmakammer begrenzenden Wänden
angebracht werden, die eine ähnliche oder die gleiche magnetische Wirkung
wie das mindesten eine Magnetronmagnetsystem haben. Dabei kann entweder bei
allen Magnetron- und weiteren Magnetsystemen derselbe Aufbau oder aber bevor
zugt eine Umkehrung der Polungen vorgenommen werden. Dadurch ist es möglich
die einzelnen Nahfelder der Magnet- bzw. Magnetronmagnetsysteme gleichsam als
einen die Prozesskammer umgebenden magnetischen Einschluss auszubilden um
somit eine Absorption der freien Elektronen an den Wänden der Prozesskammer
zu verhindern.
Erst durch eine Kombination der wesentlichen Merkmale des erfinderischen Ver
fahrens ist es möglich, eine wie oben beschriebene Schicht herzustellen. Erst der
Einsatz von durch Magnetfelder stabilisierten Plasmen sowie der abgestimmte
Einsatz der Substratbiasspannung ermöglicht die Verwendung der für übliche
PVD-Prozesse optimierten Halterungen mit hoher Packungsdichte und Prozesssi
cherheit. Das Verfahren zeigt, wie der Ablauf bzw die Kombination von Gleich
strom- und Mittelfrequenzplasmen in optimaler Weise für die Abscheidung einer
DLC-Schicht eingesetzt werden kann.
Weiterhin wird die oben erwähnte Aufgabe durch Bereitstellung einer Vorrichtung
zur Durchführung des Beschichtungsverfahrens nach einem der Ansprüche 10 bis
26 gelöst, wobei die Vorrichtung eine Vakuumkammer mit einem Pumpsystem zur
Erzeugung eines Vakuums in der Vakuumkammer, Substrathalterungen zur Auf
nahme der zu beschichtenden Substrate, mindestens einer Gasversorgungseinheit
zum Zudosieren von Prozeßgas, mindestens eine Verdamper-Vorrichtung zur Be
reitstellung von Beschichtungsmaterial zum Aufdampfen, eine Lichtbogenerzeu
gungseinrichtung zum Zünden eines Gleichspannungsniedervoltbogens, eine Vor
richtung zur Erzeugung einer Substratbiasspannung und mindestens eine oder
mehrere Magnetfelderzeugungseinrichtungen zur Ausbildung eines magnetischen
Fernfelds umfaßt.
Vorzugsweise werden die Magnetfelderzeugungseinrichtungen durch mindestens
eine Helmholtzspule, vorzugsweise ein Paar von Helmholtzspulen gebildet.
Bei der Verwendung von Helmholtzspulen ist das erzeugbare Magnetfeld bzw. die
Magnetflußdichte durch die Stromstärke in den Spulen sowohl örtlich als auch
zeitlich steuerbar.
Weiterhin umfaßt die Vorrichtung eine Vorrichtung zur Erzeugung einer
Substratbiasspannung, die kontinuierlich oder schrittweise die angelegte
Substratbiasspannung verändern kann und entsprechend auch bipolar oder unipo
lar betreibbar ist. Insbesondere ist die Vorrichtung geeignet, eine im Mittelfre
quenzbereich gepulste Substratbiasspannung zu erzeugen.
Die bei der Vorrichtung verwendeten Verdampfvorrichtungen umfassen Sputtert
argets, insbesondere Magnetronsputtertargets, Arcquellen, thermische Verdampfer
und dergleichen. Vorteilhaft dabei ist, daß die Verdampfervorrichtung von der üb
rigen Prozeßkammer beispielsweise durch schwenkbare Blenden abtrennbar ist.
Die Vorrichtung weist vorteilhafterweise eine Substratheizung in Form einer in
duktiven Heizung, Strahlungsheizung oder dergleichen auf, um die Substrate in
einem Heizschritt vor der Beschichtung reinigen zu können. Bevorzugt wird aber
das Zünden eines Plasmas verwendet.
Unter anderem dazu ist in der Vorrichtung eine Niedervoltbogenerzeugungsein
richtung vorgesehen, die eine Ionenquelle mit einem Filament, vorzugsweise ei
nem Refraktärfilament, insbesondere aus Wolfram, Tantal oder dergleichen in ei
ner Ionisationskammer sowie eine Anode und eine Gleichspannungsversorgung
umfaßt. Die Ionenquelle ist hierbei mit dem negativen Pol der Gleichspannungsversorgung
verbunden. Vorzugsweise kann der positive Pol der Gleichspannungs
versorgung wahlweise mit der Anode oder den Substrathalterungen verbunden
sein, so daß ein Niedervoltlichtbogen zwischen Ionenquelle und Anode oder Ionen
quelle und Substraten gezündet werden kann. Auch die Ionenquelle ist ähnlich wie
die Verdampfer-Vorrichtung von der eigentlichen Prozeßkammer abtrennbar, z. B.
durch eine Lochblende, z. B. aus Wolfram, Tantal oder einem ähnlichen Refrak
tärmetall.
Um einen gleichmäßigen Beschichtungsprozeß für alle Seiten der Substrate zu er
möglichen, ist es weiterhin vorgesehen, daß die Substrathalterungen beweglich
sind und sich vorzugsweise um mindestens eine oder mehrere Achsen drehen kön
nen.
Durch die vorteilhafte Kombination der mittelfrequenten Substratspannungsver
sorgung und einer Helmholtz-Spulenanordnung, die auch durch seitlich ange
brachte, zwei gegenüberliegende Targets umfassende Spulen verwirklicht werden
kann, ist es erstmals im industriellen Maßstab möglich auch bei tiefen Drücken ein
stabiles Mittelfrequenzplasma zur Durchführung eines DLC-Prozesses zu nutzen.
Die damit hergestellten Schichten weisen im Gegensatz zu mit anderen Systemen
hergestellten DLC-Schichten stark verbesserte Eigenschaften auf.
Mit vorliegender Beschichtungsanlage und dem oben beschriebenen Verfahren las
sen sich erstmals dicke reine DLC-Schichten mit ausgezeichneter Haftung herstel
len. Zusätzlich kann bei Änderung der Verfahrensparameter auch ein Großteil der
bisher bekannten Plasmaverfahren zur Herstellung von Metallkohlenstoff oder
Mischschichten mit anderen Elementen wie z. B. Silizium oder F und zur Herstel
lung von Mehrlagenschichten oder von einfachen, bekannten, mittels PVD-
und/oder CVD Verfahren abgeschiedene Schichtsystemen durchgeführt werden.
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der Erfindung werden anhand der 3
nachfolgenden detaillierten Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen
anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich. Dabei zeigen die Figuren sämtlich
in rein schematischer Weise in
Fig. 1 eine erfindungsgemäße Vorrichtung im Querschnitt;
Fig. 2 die erfindungsgemäße Vorrichtung der Fig. 1 in Draufsicht;
Fig. 3 Einfluss des Spulenstroms auf den Substratstrom;
Fig. 4 Prozessparameter Gradientenschicht;
Fig. 5 Prozessparameter DLC-Schicht;
Fig. 6 REM-Bruchaufnahme einer erfindungsgemässen DLC-Schicht.
Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Prozesskammer 1 einer
erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage. Die zu beschichtenden Teile 2 sind auf
einer bzw. mehreren Halterungsvorrichtungen 3 montiert, die Mittel zur Erzeu
gung einer zumindest einfachen 4, bei Bedarf auch zweifachen 5 Rotation der Teile
umfasst. In einer besonders vorteilhaften Ausführung werden die Halterungsvor
richtungen 3 auf einem zusätzlich um die Anlagenachse 6 drehbaren Karussell 7
positioniert.
Über Gaseinlässe 8 können die unterschiedliche Prozessgase, insbesondere Ar und
Azetylen, in die Prozeßkammer mittels geeigneter, hier nicht dargestellter Regel
vorrichtungen zugeführt werden.
Ein hochvakuumtauglicher Pumpstand 9 ist an die Kammer angeflanscht.
Eine Ionenquelle 10 ist vorzugsweise im Bereich der Anlagenachse angeordnet, die
an den negativen Ausgang einer Gleichspannungsversorgung 11 angeschlossen ist.
Der positive Pol der Gleichspannungsversorgung 11 kann je nach Prozeßschritt
über einen Schalter 12 an das Karussell 7 bzw. an die Halterungsvorrichtung 3
und die damit elektrisch verbundenen Teile 2 (Heizprozeß) oder an die Hilfsanode
13 (Ätzprozeß, bzw. bei Bedarf auch während der Beschichtungsprozesse) angelegt
werden.
An den Wänden der Prozeßkammer 1 ist mindestens eine Verdampferquelle 14,
bevorzugt ein Magnetron oder ein Lichtbogenverdampfer zum Aufbringen der
Haft- und Gradientenschicht vorgesehen. In einer anderen hier nicht dargestellten
Ausführungsform der Verdampferquelle 14 kann diese als anodisch geschalteter
Tiegel zentral im Boden der Prozeßkammer 1 angebracht sein. Dabei wird das
Verdampfungsgut zur Herstellung der Übergangs- oder Gradientenschicht mittels
Erhitzen durch den Niedervoltbogen 15 in die Gasphase übergeführt.
Ferner ist eine zusätzliche elektrische Spannungsversorgung 16 vorgesehen, mit
deren Hilfe an die Substrate eine periodisch veränderliche Mittelfrequenzspan
nung im Bereich zwischen 1-10.000, bevorzugt zwischen 20 und 250 kHz angelegt
werden kann.
Die elektromagnetischen Spulen 17 zur Erzeugung eines longitudinalen, den
Plasmaraum durchdringenden Magnetfelds sind an gegenüberliegenden Begren
zungswänden der Prozeßkammer 1 angeordnet und werden durch mindestens ei
ne, vorzugsweise zwei getrennte, hier nicht näher dargestellte DC-
Spannungsquellen gleichsinnig gespeist.
Als zusätzliche Maßnahmen zur Verstärkung bzw. gleichmäßigeren Ausformung
des Magnetfelds und damit des MF-Plasmas 18 können an den Seitenwänden 19
der Plasmakammer 1 Magnetsysteme 20 zur Ausbildung mehrerer magnetischer
Nahfelder 21 angebracht werden. Dabei werden vorteilhafterweise gegebenenfalls
unter Einbeziehung des mindestens einen Magnetronmagnetsystems 22, wie bei
spielsweise in Fig. 2 dargestellt, abwechselnd Magnetsysteme mit NSN bzw. SNS
Polung angeordnet und damit ein magnetischer tunnelförmiger, schleifenförmiger
Einschluß des Plasmas in der Prozeßkammer bewirkt.
Bevorzugterweise werden die Magnetsysteme 20 für die Nahfelderzeugung als Ma
gnetronmagnetsysteme ausgebildet.
Die einzelnen Systeme der Beschichtungsanlage werden vorteilhafterweise durch
eine Prozeßsteuerung miteinander in Beziehung gesetzt. Damit ist es möglich, ne
ben den Grundfunktionen einer Vakuumbeschichtungsanlage
(Pumpstandsteuerung, Sicherheitsregelkreise, etc.), die verschiedenen plasmaer
zeugenden Systeme wie Magnetrons mit der hier nicht näher beschriebenen Ma
gnetronversorgung, Ionisationskammer 1 und Hilfsanode 13 bzw Karussell 7 und
Gleichspannungsversorgung 11, sowie Karussell 7 und Mittelfrequenzgenerator
16, sowie die entsprechende Einstellung der Gasflüsse, sowie die Steuerung der
gegebenenfalls unterschiedlichen Spulenströme in flexibler Weise aneinander an
zupassen und für unterschiedliche Prozesse zu optimieren.
Fig. 3 zeigt den Zusammenhang zwischen Substratstrom und Spulenstrom bei
Verwendung von Helmholtzspulen zum Aufbau eines Magnetfeldes. Es zeigt sich,
daß der Substratstrom, und damit die Plasmaintensität direkt proportional zum
Spulenstrom und damit zum Magnetfeldaufbau sind. Dies zeigt deutlich die positi
ve Wirkung eines überlagerten Magnetfeldes.
In Fig. 4 wird beispielhaft der Verlauf einzelner Parameter während des Auf
bringens einer Gradientenschicht dargestellt: Bei sonst gegenüber der Haftschicht
gleich bleibenden Parametern wird der Substratbias von Gleichstrom auf Mittel
frequenz mit einer bevorzugten Amplitudenspannung zwischen 500 und 2500 V
und einer Frequenz zwischen 20 und 250 kHz, umgeschaltet. Nach ca. 2 Minuten
wird eine Acetylenrampe bei 50 sccm gestartet und über ca. 30 Minuten auf 350 sccm
gefahren. Ca. 5 Minuten nach Einschalten des Mittelfrequenzgenerators wird
die Leistung der verwendeten Cr-Targets auf 7 kW, nach weiteren 10 Minuten auf
5 kW zurückgenommen, und dort noch 2 Minuten konstant gehalten. Anschlie
ßend werden Blenden vor die Targets gefahren und diese abgeschaltet, womit die
Abscheidung der im wesentlichen aus Kohlenstoff-, in geringen Mengen Wasser
stoff und noch geringeren Mengen Argonatomen aufgebauten "reinen" DLC-
Schicht beginnt.
Dazu kann im einfachsten Fall der Prozess mit ausgeschalteten Bedampfungsquel
len, im übrigen aber gleichen Paramtern wie bei der vorhergehenden Gradienten
schicht zu Ende geführt werden. Als vorteilhaft hat es sich jedoch erwiesen, im
Laufe der Abscheidung der reinen DLC-Schicht entweder den Kohlenwasser
stoffanteil im Gasfluß zu erhöhen, den Edelgasanteil abzusenken oder besonders
bevorzugt beide Massnahmen gemeinsam durchzuführen. Auch hier kommt wieder
einer, wie oben beschriebenen Ausbildung eines longitudinalen Magnetfeldes eine
besondere Bedeutung zur Erhaltung eines stabilen Plasmas zu.
In den Fig. 4 und 5 wird beispielhaft der Verlauf einzelner Parameter während
des Aufbringens der reinen DLC-Schicht dargestellt: Nach Abschalten der verwen
deten Cr-Targets wird bei gleichbleibend eingestellter Mittelfrequenzversorgung
und gleichbleibendem Argonfluß die während der Gradientenschicht begonnene
Acetylenrampe ca. 10 Minuten gleichförmig bis zu einem Fluß zwischen ca. 200-
400 sccm gesteigert. Anschließend wird der Argonfluß über einen Zeitraum von 5
Minuten kontinuierlich auf einen Fluß zwischen ca. 0-100 sccm zurückgenom
men. Die nächsten 55 Minuten wird der Prozess bei gleichbleibenden Einstellun
gen zu Ende gefahren.
Fig. 6 zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme einer Bruchfläche
eines erfindungsgemäßen DLC-Schichtsystems. Deutlich ist zu erkennen, daß im
Bereich der Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff eine feinkörnige
Struktur vorliegt, so daß die DLC-Schicht einen polikristallinen Charakter auf
weist.
Die Prozeßkammer wird bis auf einen Druck von etwa 10-5 mbar abgepumpt und
die Prozeßfolge gestartet. Als erster Teil des Prozeßes wird ein Heizprozeß durch
geführt, um die zu beschichtenden Substrate auf eine höhere Temperatur zu brin
gen und von flüchtigen Substanzen an der Oberfläche zu befreien. Bei diesem Pro
zeß wird ein Ar-Wasserstoff-Plasma mittels des Niedervoltbogens zwischen der
Ionisationskammer und einer Hilfsanode gezündet. Die folgende Tabelle 1 zeigt die
Prozeßparameter des Heizprozesses:
Die Helmholtzspulen werden zur Aktivierung des Plasmas eingesetzt und werden
zyklisch angesteuert. Der Strom der oberen Spule wird dabei mit einer Perioden
dauer von 1.5 min zwischen 20 und 10 A variiert, der Strom der unteren Spule
wechselt im selben Takt gegengleich zwischen 5 und 20 A.
Dabei erwärmen sich die Substrate und die störenden an der Oberfläche anhaften
den flüchtigen Substanzen werden in die Gasatmosphäre getrieben, wo sie von den
Vakuumpumpen abgesaugt werden.
Wenn eine gleichmäßige Temperatur erreicht ist, wird ein Ätzprozess gestartet,
indem die Ionen aus dem Niedervoltbogen mittels einer negativen Biasspannung
von 150 V auf die Substrate gezogen werden. Die Ausrichtung des Niedervoltbo
gens und Intensität des Plasmas werden dabei von dem in horizontaler Ausrich
tung angebrachten Helmholtzspulenpaar unterstützt. Folgende Tabelle zeigt die
Parameter des Ätzprozesses.
Mit der Aufbringung der Cr-Haftschicht wird begonnen, indem die Cr-Magnetron-
Sputtertargets aktiviert werden. Der Ar-Gasfluß wird auf 115 sccm eingestellt. Die
Cr-Sputter-Targets werden mit einer Leistung von 8 kW angesteuert und die
Substrate werden nun für eine Zeit von 6 min an den Targets vorbei rotiert. Der
sich einstellende Druckbereich liegt dann zwischen 10-3 mbar und 10-4 mbar. Der
Sputterprozeß wird durch die Zuschaltung des Niedervoltbogens und das Anlegen
einer negativen DC-Biasspannung von 75 V am Substrat unterstützt.
Nach der Hälfte der Cr-Sputterzeit wird der Niedervoltbogen abgeschaltet und die
Abscheidung wird für den Rest der Cr-Sputterzeit nur mit Hilfe des vor den Cr-
Targets aktiven Plasmas getätigt.
Nach Ablauf dieser Zeit wird durch Einschalten eines Sinusgenerators ein Plasma
gezündet, Acetylengas mit einem Anfangsdruck von 50 sccm eingelassen und der
Fluss jede Minute um 10 sccm erhöht.
Der Sinus-Plasmagenerator wird dabei bei einer Frequenz von 40 kHz auf eine
Amplitudenspannung von 2400 V eingestellt. Der Generator zündet zwischen den
Substrathalterungen und der Gehäusewand eine Plasmaentladung. Die am Rezi
pienten angebrachten Helmholtzspulen sind dabei beide mit einem konstanten
Stromdurchfluß von 3 A in der unteren Spule und 10 A in der oberen Spule akti
viert. Bei einem Acetylenfluß von 230 sccm werden die Cr-Targets deaktiviert.
Wenn der Fluß des Acetylens den Wert von 350 sccm erreicht hat, wird der Ar
Fluß auf einen Wert von 50 sccm reduziert.
Die Tabelle zeigt die Parameter des Beispieles im Überblick:
Bei diesen Verhältnissen ist eine hohe Abscheiderate gewährleistet und die Ionisie
rung des Plasmas wird mit Hilfe des Ar-Gases aufrechterhalten. Die Abscheiderate
die sich nun im Beschichtungsprozeß einstellt, wird sich im Bereich zwischen 0.5
und 4 um/h belaufen, was auch von der zu beschichtenden Fläche in der Prozeß
kammer abhängt.
Nach Ablauf der Beschichtungszeit wird der Sinus-Generator und der Gasfluß ab
gestellt, und die Substrate der Prozeßkammer entnommen.
Die Eigenschaften der entstehenden Schicht sind der folgenden Tabelle zu ent
nehmen
Prozessbeispiel 2 sieht eine Durchführung ähnlich Beispiel 1 vor. Im Unterschied
zu Beispiel 1 wird das Plasma von einem bipolaren Pulsgenerator erzeugt. Die
Anregungs-Frequenz liegt bei 50 kHz mit einer Amplituden-Spannung von 700 V.
Die Tabelle zeigt die Parameter des 2. Beispiels.
Die erzeugte Beschichtung weist eine Härte von 25 GPa, eine Haftfestigkeit
von HF 1 auf und ergibt einen Reibbeiwert von 0.2.
Prozeßbeispiel 3 sieht eine Durchführung ähnlich Beispiel 1 vor. Im Unterschied
zu Beispiel 1 wir das Plasma von einer uni-polaren Pulsspannung angeregt, die
Parameter des Versuchs zeigt folgende Tabelle.
Die erzeugte Beschichtung weist die in der folgenden Tabelle beschriebenen Eigen
schaften auf.
In Vergleich zu Prozeßbeispiel 1 wurde im Beispiel 4 ein Prozeß ohne Unterstüt
zung durch ein longitudinales Magnetfeld durchgeführt. Der die beiden Spulen
durchfließende Strom wurde auf einen Wert von 0 A reduziert. Die Tabelle zeigt
die Prozessparameter.
Es stellt sich ein Plasma ein, das gegenüber Beispiel 1 erst bei höheren Drücken
als bei Beispiel 1 stabil ist, inhomogen über die Prozesskammer verteilt ist und
von geometrischen Effekten beeinflusst ist. Deshalb kommt es zu einer in der Pro
zeßkammer inhomogenen und wegen der bei dem eingestellten Prozeßdruck ge
genüber Beispiel 1 geringeren Abscheiderate. Bei den angestrebten Prozeßdrücken
war eine Plasmabildung ohne den Einsatz einer zweiten Plasmaquelle wie z. B. ei
nem Target oder dem Zuschalten des Filamentes nicht möglich. Erst durch den
Einsatz der Helmholtzspulen konnte das Plasma in der Prozesskammer stabilisiert
werden und eine homogene Abscheidung über die Höhe der Prozeßkammer er
reicht werden. Ohne den Einsatz der Spulen zündete ein Plasma im Bereich der
Ionisationskammer, wo lokal hohe Temperaturen erzeugt werden und Zerstörung
befürchtet werden muss.
1
Prozesskammer
2
zu beschichtende Teile
3
Halterungsvorrichtung
4
einfache Rotation
5
zweifache Rotation
6
Anlagenachse
7
Karussell
8
Gaseinlass
9
Pumpstand
10
Ionenquelle
11
Gleichspannungsversorgung
12
Schalter
13
Hilfsanode
14
Verdampferquelle
15
Niedervoltbogen
16
Spannungsversorgung
17
elektromagnetischen Spule
18
MF-Plasmas
19
Seitenwand
20
Magnetsysteme
21
Nahfelder
22
Magnetronmagnetsystems
Claims (42)
1. Schichtsystem für den Verschleißschutz, Korrosionsschutz und zur Verbesse
rung der Gleiteigenschaften und dergleichen mit einer Haftschicht zur An
ordnung auf einem Substrat, einer Übergangsschicht zur Anordnung auf der
Haftschicht und einer Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff, da
durch gekennzeichnet, daß die Haftschicht mindestens ein Element aus
der Gruppe umfaßt, die die Elemente der 4., 5., und 6. Nebengruppe und Si
lizium beinhaltet, die Übergangsschicht Kohlenstoff und mindestens ein
Element aus der Gruppe umfaßt, die die Elemente der 4., 5. und 6. Neben
gruppe sowie Silizium beinhaltet, und die Deckschicht im wesentlichen dia
mantähnlichen Kohlenstoff umfaßt, wobei das. Schichtsystem eine Härte von
wenigstens 15 GPa, vorzugsweise mindestens 20 GPa, und eine Haftfestigkeit
von wenigstens 3 HF aufweist.
2. Schichtsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Über
gangsschicht eine kontinuierliche oder stufenweise in der Zusammensetzung
sich ändernde einzelne oder vielschichtige Gradientenschicht ist, und zwar
mit vom Substrat aus zunehmendem Kohlenstoffanteil und abnehmendem
Anteil von mindestens einem Element aus der Gruppe, die die Elemente der
4., 5. und 6. Nebengruppe sowie Silizium beinhaltet.
3. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Deckschicht im Vergleich zur Haftschicht und zur
Übergangsschicht eine größere Dicke aufweist.
4. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Übergangsschicht und/oder Deckschicht zusätzlich
Wasserstoff und unvermeidbare Verunreinigungen umfaßt, wobei die unver
meidbaren Verunreinigungen Edelgase, insbesondere Argon und Xenon um
fassen.
5. Schichtsystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Deck
schicht ausschließlich Kohlenstoff oder Kohlenstoff und Wasserstoff enthält.
6. Schichtsystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Deck
schicht einen Wasserstoffgehalt von 5 bis 30 Atom%, vorzugsweise 10 bis 20
Atom% umfaßt.
7. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß das mindestens eine Element aus der Gruppe, die die
Elemente der 4., 5. und 6. Nebengruppe umfaßt, Titan oder/und Chrom ist.
8. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Haftschicht und die Übergangsschicht jeweils eine
Dicke von 0,05 µm bis 1,5 µm, vorzugsweise von 0,1 µm bis 0,8 µm aufweist.
9. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Deckschicht eine Dicke von 0,5 µm bis 20 µm, vor
zugsweise von 1 µm bis 10 µm aufweist.
10. Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die aus diamantähnlichem Kohlenstoff bestehende
Deckschicht eine feinkörnige Schichtstruktur aufweist.
11. Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems, insbesondere nach einem
der Ansprüche 1 bis 10, auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet,
daß das Verfahren umfaßt:
- a) Einbringen des Substrates in eine Vakuumkammer und Abpumpen bis ein Vakuum mit einem Druck von weniger als 10.4 mbar, vor zugsweise 10-5 mbar erreicht ist.
- b) Reinigen der Substratoberfläche
- c) plasmagestütztes Aufdampfen der Haftschicht auf das Substrat
- d) Aufbringen der Übergangsschicht auf die Haftschicht durch gleichzeitiges plasmagestütztes Aufdampfen der Haftschichtkom ponenten und Abscheiden von Kohlenstoff aus der Gasphase
- e) Aufbringen der diamantähnlichen Kohlenstoffschicht auf die Übergangsschicht durch plasmagestütztes Abscheiden von Kohlen stoff aus der Gasphase,
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Reinigen
der Substratoberfläche einen Heizschritt oder/und Ätzschritt umfaßt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Heiz
schritt durch Strahlungsheizen, induktives Heizen und/oder durch Elektro
nenbeschuß erfolgt.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektro
nenbeschuss durch das Zünden eines Niedervoltlichtbogens und das gleich
zeitige Anlegen einer kontinuierlichen, einer AC- oder AC überlagerten Bias
spannung, wie insbesondere einer gepulsten positiven Substratbiasspannung
bewirkt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Ätz
schritt durch Ionenätzen durchgeführt wird, wobei mit einem Edelgas, vor
zugsweise Argon, und/oder Wasserstoff als Prozeßgas ein Niedervoltlichtbo
gen gezündet wird und an das Substrat eine kontinuierliche negative
Substratbiasspannung angelegt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Ätz
schritt durch Ionenätzen mit einem Edelgas vorzugsweise Argon, und/oder
Wasserstoff als Prozessgas durchgeführt wird, wobei eine AC- oder AC überlagerte
Biasspannung, wie insbesondere eine gepulste, vorzugsweise mittel
frequente Substratbiasspannung angelegt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfen der Haftschicht durch PVD-Verfahren, Plasma-CVD-
Verfahren, insbesondere Arcverdampfung, Ionenplating-Verfahren oder ka
thodisches Sputtern erfolgt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Auf
dampfen der Haftschicht durch eine zusätzliche Niedervoltlichtbogenentla
dung unterstützt wird und an das Substrat eine negative Substratbiasspan
nung angelegt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Auf
dampfen der Haftschicht durch eine zusätzliche gepulste Substratbiasspan
nung, eine AC- oder AC überlagerte Biasspannung, wie insbesondere eine ge
pulste Substratbiasspannung in einem Mittelfrequenzbereich von 1 bis
10.000 kHz, vorzugsweise 20 bis 250 kHz unterstützt wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 19, dadurch gekennzeichnet,
daß für das Zünden eines Plasmas ein Edelgas oder ein Edelgas/Wasserstoff-
Gemisch, vorzugsweise ein Argon/Wasserstoff-Gemisch in die Vakuumkam
mer eingebracht wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 20, dadurch gekennzeichn
et, daß die Übergangsschicht durch zeitgleiches Aufdampfen von minde
stens einem Element aus der Gruppe, die die Elemente aus der 4., 5. und 6.
Nebengruppe und Silizium enthält, nach einem Verfahren gemäß einem der
Ansprüche 17 bis 20 und plasmagestütztes Abscheiden von Kohlenstoff aus
der Gasphase gebildet wird, wobei zusätzlich als Reaktionsgas ein kohlen
stoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein Kohlenwasserstoffgas, insbesondere Ace
tylen verwendet wird.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß mit zuneh
mender Dicke der Übergangsschicht der Anteil der Kohlenstoffabscheidung
schrittweise oder kontinuierlich erhöht wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 22, dadurch gekennzeichnet,
daß die die Deckschicht bildende diamantähnliche Kohlenstoffschicht durch
Plasma-CVD-Abscheidung von Kohlenstoff aus der Gasphase erzeugt wird,
wobei als Reaktionsgas ein kohlenstoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein Koh
lenwasserstoffgas, insbesondere Acetylen verwendet wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 oder 23, dadurch gekennzeich
net, daß das Reaktionsgas zur Abscheidung von Kohlenstoff neben dem
kohlenstoffhaltigen Gas Wasserstoff und/oder Edelgas, vorzugsweise Argon
oder/und Xenon umfaßt.
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß während des
Abscheidens der Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff der Anteil
des kohlenstoffhaltigen Gases erhöht und/oder der Anteil des Edelgases, ins
besondere Argon, gesenkt wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 25, dadurch gekennzeichnet,
daß eine unipolare oder bipolare Substratbiasspannung am Substrat angelegt
wird, die in einem Mittelfrequenzbereich von 1 bis 10000 kHz, vorzugsweise
20 bis 250 kHz gepulst ist.
27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß die
Substratbiasspannung sinusförmig ist oder derart gepulst ist, daß lange ne
gative und kurze positive Impulszeiten oder große negative und geringe posi
tive Amplituden angelegt werden.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 27, dadurch gekennzeichnet,
daß während des Reinigens und/oder des Aufbringens der Haftschicht
und/oder der Übergangsschicht und/oder der Deckschicht aus diamantähnli
chem Kohlenstoff dem Substrat ein longitudinales Magnetfeld mit gleichmä
ßigem Feldlinienverlauf überlagert wird, wobei das Magnetfeld zeitlich
und/oder räumlich kontinuierlich oder schrittweise veränderbar ist.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 28, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufbringen der Haftschicht und/oder Übergangsschicht und/oder
Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff unter einem Druck von 10-4 mbar
bis 10-2 mbar erfolgt.
30. Vorrichtung zur Beschichtung eines oder mehrerer Substrate, insbesondere
zur Durchführung des Beschichtungsverfahrens nach einem der Ansprüche
10 bis 29, mit einer Vakuumkammer (1) mit einem Pumpsystem (9) zur Er
zeugung eines Vakuums in der Vakuumkammer (1), Substrathalterungen (3)
zur Aufnahme der zu beschichtenden Substrate, mindestens einer Gasversor
gungseinheit (8) zum Zudosieren von Prozeßgas, mindestens einer Verdamp
fer-Vorrichtung (14) zur Bereitstellung von Beschichtungsmaterial zum Auf
dampfen, einer Lichtbogenerzeugungseinrichtung (10, 13) zum Zünden eines
Gleichspannungsniedervoltbogens, einer Vorrichtung (16) zur Erzeugung ei
ner Substratbiasspannung und mit mindestens einer oder mehreren Magnet
felderzeugungseinrichtungen (17) zur Ausbildung eines magnetischen Fern
feldes.
31. Vorrichtung nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Ma
gnetfelderzeugungseinrichtung (17) durch mindestens eine Helmholtzspule
gebildet wird.
32. Vorrichtung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Helm
holtzspule bezüglich der erzeugbaren Magnetflußdichte steuerbar ist.
33. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 30 bis 32, dadurch gekennzeich
net, daß die Vorrichtung zur Erzeugung einer Substratbiasspannung so ge
staltet ist, daß die Substratbiasspannung kontinuierlich oder schrittweise be
züglich des Vorzeichens und/oder der Größe der angelegten Substratbias
spannung veränderbar ist und/oder bipolar oder unipolar vorzugsweise mit
einer Frequenz in einem Mittelfrequenzbereich betreibbar ist.
34. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 30 bis 33, dadurch gekennzeich
net, daß die Verdampfer-Vorrichtung (14) Sputtertargets, insbesondere Ma
gnetron-Sputtertargets, Arcquellen, thermische Verdampfer und dergleichen
umfaßt.
35. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 30 bis 34, dadurch gekennzeich
net, daß die Verdampfer-Vorrichtung (14) von der übrigen Prozeßkammer
(1) abtrennbar ist.
36. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 30 bis 35, dadurch gekennzeich
net, daß die Vorrichtung weiterhin eine Substratheizung in Form einer in
duktiven Heizung, Strahlungsheizung oder dergleichen umfaßt.
37. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 30 bis 36, dadurch gekennzeich
net, daß die Lichtbogenerzeugungseinrichtung (10, 13) eine Ionenquelle (10)
und eine Anode (13) sowie eine Gleichspannungsversorgung (11) umfaßt, wo
bei die Ionenquelle (10) mit dem negativen Pol der Gleichspannungsversor
gung (11) verbunden ist.
38. Vorrichtung nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, daß der positi
ve Pol der Gleichspannungsversorgung (11) wahlweise mit der Anode (13)
oder den Substrathalterungen (3) verbindbar ist.
39. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 37 oder 38, dadurch gekennzeich
net, daß die Ionenquelle (10) ein Filament, vorzugsweise ein Refraktärfilament,
insbesondere aus Wolfram, Tantal oder dergleichen umfaßt, das in ei
ner Ionisationskammer angeordnet ist, die durch eine Blende, vorzugsweise
eine Refraktärblende, insbesondere aus Wolfram, Tantal oder dergleichen
von der Prozeßkammer (1) abtrennbar ist.
40. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 30 bis 39, dadurch gekennzeich
net, daß die Substrathalterungen (3) beweglich sind, und zwar vorzugsweise
drehbar um mindestens eine oder mehrere Achsen.
41. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 30 bis 40, dadurch gekennzeich
net, daß zusätzlich Permanentmagnete (20) zur Erzeugung eines magneti
schen Nahfeldes vorgesehen sind.
42. Vorrichtung nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätz
lichen Permanentmagnete (20) ringförmig um die Vakuumkammer (1), be
vorzugt mit einer abwechselnden Polausrichtung ausgeführt sind, sowie ins
besondere als Magnetronelektronenfalle ausgebildet sind.
Priority Applications (21)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10018143A DE10018143C5 (de) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
US09/551,883 US6740393B1 (en) | 2000-04-12 | 2000-04-18 | DLC coating system and process and apparatus for making coating system |
DE50011775T DE50011775D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
ES03014612T ES2244870T3 (es) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Procedimiento y dispositivo para la fabricacion de un sistema de capas dlc. |
PCT/EP2000/013299 WO2001079585A1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
AT03014612T ATE299956T1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines dlc-schichtsystems |
BR0017216-2A BR0017216A (pt) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Sistema de camada de dlc com caracterìsticas de deslizamento melhoradas e processo para a produção desses sistemas de camada |
PT03014612T PT1362931E (pt) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Processo e dispositivo para a fabricacao de um sistema de camadas dlc |
KR1020027013744A KR100762346B1 (ko) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | 디엘씨층 시스템 및 이러한 층 시스템을 제작하기 위한 방법 |
EP03014612.0A EP1362931B2 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
US10/257,678 US7160616B2 (en) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | DLC layer system and method for producing said layer system |
AU28440/01A AU2844001A (en) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc layer system and method for producing said layer system |
JP2001576965A JP4849759B2 (ja) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | 滑り特性が向上したdlc層システム、およびそのような層システムを生成するためのプロセス |
ES00993868T ES2252092T3 (es) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Sistema de capas de dlc y procedimiento para la fabricacion de un sistema de capas de este tipo. |
AT00993868T ATE311483T1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
DE50010785T DE50010785D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
EP00993868A EP1272683B1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
HK03102687A HK1050553A1 (en) | 2000-04-12 | 2003-04-14 | Dlc layer system and method for producing said layer system |
US10/771,331 US20040219294A1 (en) | 2000-04-12 | 2004-02-05 | DLC coating system and process and apparatus for making coating system |
US12/013,003 US7601405B2 (en) | 2000-04-12 | 2008-01-11 | DLC coating system and process and apparatus for making coating system |
US12/543,869 US20100018464A1 (en) | 2000-04-12 | 2009-08-19 | Dlc coating system and process and apparatus for making coating system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10018143A DE10018143C5 (de) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10018143A1 true DE10018143A1 (de) | 2001-10-25 |
DE10018143B4 DE10018143B4 (de) | 2006-05-04 |
DE10018143C5 DE10018143C5 (de) | 2012-09-06 |
Family
ID=7638477
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10018143A Expired - Lifetime DE10018143C5 (de) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
DE50010785T Expired - Lifetime DE50010785D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
DE50011775T Expired - Lifetime DE50011775D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50010785T Expired - Lifetime DE50010785D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
DE50011775T Expired - Lifetime DE50011775D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US6740393B1 (de) |
EP (2) | EP1272683B1 (de) |
JP (1) | JP4849759B2 (de) |
KR (1) | KR100762346B1 (de) |
AT (2) | ATE311483T1 (de) |
AU (1) | AU2844001A (de) |
BR (1) | BR0017216A (de) |
DE (3) | DE10018143C5 (de) |
ES (2) | ES2252092T3 (de) |
HK (1) | HK1050553A1 (de) |
PT (1) | PT1362931E (de) |
WO (1) | WO2001079585A1 (de) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10149588A1 (de) * | 2001-10-08 | 2003-04-10 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren zur Diamantbeschichtung von Substraten |
DE10203730A1 (de) * | 2002-01-30 | 2003-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von metallfreien Kohlenstoffschichten |
WO2005014882A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Nv Bekaert Sa | Substrate covered with an intermediate coating and a hard carbon coating |
WO2005106065A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Dlc hartstoffbeschichtungen auf kupferhaltigen lagerwerkstoffen |
DE102005050358A1 (de) * | 2004-11-12 | 2006-08-17 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vakuumbehandlungsanlage |
DE10305159B4 (de) * | 2002-11-02 | 2006-12-07 | Rowapack Gmbh Verpackungsdesign Und Stanztechnik | Stanzverfahren |
DE102006049974A1 (de) * | 2006-10-24 | 2008-04-30 | Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh | Turbomaschine |
WO2008067969A1 (de) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg | Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen pvd-beschichtung |
WO2008125607A2 (de) * | 2007-04-13 | 2008-10-23 | Stein, Ralf | Verfahren zum aufbringen einer hochfesten beschichtung auf werkstücke und/oder werkstoffe |
DE102008028542A1 (de) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat mittels einer plasmagestützten chemischen Reaktion |
US7887919B2 (en) | 2006-04-27 | 2011-02-15 | Kobe Steel, Ltd. | Amorphous-carbon-based hard multilayer film and hard surface member having the film on surface |
WO2012072225A1 (de) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | Amg Coating Technologies Gmbh | Werkstück mit si-dlc beschichtung und verfahren zur herstellung von beschichtungen |
US8332314B2 (en) | 2008-11-05 | 2012-12-11 | Kent Griffin | Text authorization for mobile payments |
EP2721313B1 (de) | 2011-06-15 | 2017-03-22 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Gleitlager |
US9966234B2 (en) | 2014-07-11 | 2018-05-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming device |
US10378097B2 (en) | 2016-08-10 | 2019-08-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus |
Families Citing this family (171)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3555844B2 (ja) | 1999-04-09 | 2004-08-18 | 三宅 正二郎 | 摺動部材およびその製造方法 |
US7250196B1 (en) * | 1999-10-26 | 2007-07-31 | Basic Resources, Inc. | System and method for plasma plating |
DE10018143C5 (de) * | 2000-04-12 | 2012-09-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
JP2003231203A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-08-19 | Toshiba Corp | 炭素膜被覆部材 |
EP1486695B1 (de) * | 2001-09-27 | 2011-04-06 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Gleitelement mit hohem reibungskoeffizienten |
JP2003206820A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Keihin Corp | 電磁式燃料噴射弁 |
GB0205959D0 (en) * | 2002-03-14 | 2002-04-24 | Teer Coatings Ltd | Apparatus and method for applying diamond-like carbon coatings |
US20030180450A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Kidd Jerry D. | System and method for preventing breaker failure |
MXPA04010516A (es) * | 2002-04-25 | 2004-12-13 | Unaxis Balzers Ag | Sistema de revestimiento estructurado. |
DE10223844B4 (de) * | 2002-05-28 | 2013-04-04 | Danfoss A/S | Wasserhydraulische Maschine |
JP2004138128A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Nissan Motor Co Ltd | 自動車エンジン用摺動部材 |
US6969198B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-11-29 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding mechanism |
DE10256063A1 (de) * | 2002-11-30 | 2004-06-17 | Mahle Gmbh | Verfahren zum Beschichten von Kolbenringen für Verbrennungsmotoren |
US8555921B2 (en) | 2002-12-18 | 2013-10-15 | Vapor Technologies Inc. | Faucet component with coating |
US7866343B2 (en) | 2002-12-18 | 2011-01-11 | Masco Corporation Of Indiana | Faucet |
DE10259174B4 (de) * | 2002-12-18 | 2006-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Verwendung eines tribologisch beanspruchten Bauelements |
US7866342B2 (en) | 2002-12-18 | 2011-01-11 | Vapor Technologies, Inc. | Valve component for faucet |
US8220489B2 (en) | 2002-12-18 | 2012-07-17 | Vapor Technologies Inc. | Faucet with wear-resistant valve component |
SE526481C2 (sv) | 2003-01-13 | 2005-09-20 | Sandvik Intellectual Property | Ythärdat rostfritt stål med förbättrad nötningsbeständighet och låg statisk friktion |
US20060226003A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-10-12 | John Mize | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
EP1598441B1 (de) * | 2003-02-26 | 2018-09-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Film aus amorphem kohlenstoff und herstellungsverfahren dafür |
US20040258547A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-12-23 | Kurt Burger | Pump piston and/or elements sealing the pump piston, in particular a sealing ring of elastomeric material, and a device and method for coating an object of elastomeric material |
RU2240376C1 (ru) * | 2003-05-22 | 2004-11-20 | Ооо "Альбатэк" | Способ формирования сверхтвердого аморфного углеродного покрытия в вакууме |
JP4863152B2 (ja) | 2003-07-31 | 2012-01-25 | 日産自動車株式会社 | 歯車 |
CN101760286B (zh) | 2003-08-06 | 2013-03-20 | 日产自动车株式会社 | 低摩擦滑动机构、低摩擦剂组合物以及减小摩擦的方法 |
JP4973971B2 (ja) | 2003-08-08 | 2012-07-11 | 日産自動車株式会社 | 摺動部材 |
US7771821B2 (en) | 2003-08-21 | 2010-08-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding member and low-friction sliding mechanism using same |
EP1508611B1 (de) | 2003-08-22 | 2019-04-17 | Nissan Motor Co., Ltd. | Getriebe enthaltend eine getriebeölzusammensetzung |
WO2005029538A2 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-31 | Seok Kyun Song | A plasma generating apparatus and an alignment process for liquid crystal displays using the apparatus |
US20050126497A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-16 | Kidd Jerry D. | Platform assembly and method |
US7824498B2 (en) * | 2004-02-24 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Coating for reducing contamination of substrates during processing |
US20050193852A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-08 | Cooper Clark V. | Transmission system with increased power density |
JP4572688B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2010-11-04 | 株式会社豊田中央研究所 | 低摩擦摺動部材 |
JP4543373B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-09-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 非鉄材料の高速切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具の製造方法 |
US7771822B2 (en) * | 2004-07-09 | 2010-08-10 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Conductive material comprising an Me-DLC hard material coating |
JP2006116633A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Osg Corp | 硬質被膜被覆工具、コーティング被膜、および被膜のコーティング方法 |
JP2006138404A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Kobe Steel Ltd | 水系環境下での耐摩耗性に優れた摺動部材 |
EP1698713A1 (de) * | 2005-03-01 | 2006-09-06 | Ceco Ltd | Kratzfester Werkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
US9659758B2 (en) * | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
US9997338B2 (en) * | 2005-03-24 | 2018-06-12 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Method for operating a pulsed arc source |
CN101233598B (zh) | 2005-05-04 | 2013-05-01 | 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫) | 用于等离子体处理设备的等离子体增强器 |
US8033550B2 (en) * | 2005-05-26 | 2011-10-11 | Sulzer Metaplas Gmbh | Piston ring having hard multi-layer coating |
US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
CN1899992A (zh) * | 2005-07-19 | 2007-01-24 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 模仁及其制备方法 |
EP1915472B1 (de) * | 2005-08-18 | 2018-09-05 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Substrat, das mit einer schichtstruktur mit einer beschichtung aus tetraedrischem kohlenstoff und einer weicheren aussenschicht beschichtet ist |
DE502006005651D1 (de) * | 2005-09-10 | 2010-01-28 | Ixetic Hueckeswagen Gmbh | Verschleißfeste Beschichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
CN100482379C (zh) * | 2005-10-27 | 2009-04-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 一种压铸模仁及其制备方法 |
DE102005054132B4 (de) * | 2005-11-14 | 2020-03-26 | Robert Bosch Gmbh | Ventil zum Steuern eines Fluids mit Tribosystem |
US8119240B2 (en) * | 2005-12-02 | 2012-02-21 | United Technologies Corporation | Metal-free diamond-like-carbon coatings |
JP2009519379A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレイション | アモルファス炭素を堆積させる方法 |
JP2007162099A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Toyota Motor Corp | 硬質炭素膜及びその製造方法並びに摺動部材 |
KR100656955B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 이온 임플랜터의 이온 발생 장치 |
JP4735309B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | 耐キャビテーションエロージョン用部材及びその製造方法 |
US9526814B2 (en) * | 2006-02-16 | 2016-12-27 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical balloons and methods of making the same |
JP5030439B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-09-19 | 株式会社リケン | 摺動部材 |
JP2007246996A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tdk Corp | 保護膜及び該保護膜付き内燃機関用部品 |
JP5355382B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2013-11-27 | スルザー メタプラス ゲーエムベーハー | スパッタリング装置 |
JP2009531545A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム | コーティング装置 |
US8273222B2 (en) * | 2006-05-16 | 2012-09-25 | Southwest Research Institute | Apparatus and method for RF plasma enhanced magnetron sputter deposition |
US7939172B2 (en) * | 2006-05-17 | 2011-05-10 | G & H Technologies, Llc | Wear resistant vapor deposited coating, method of coating deposition and applications therefor |
AT503288B1 (de) * | 2006-07-26 | 2007-09-15 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum aufbringen eines beschichtungsmaterials sowie beschichtung für eine metallische oberfläche |
EP1884978B1 (de) * | 2006-08-03 | 2011-10-19 | Creepservice S.à.r.l. | Verfahren zur Beschichtung von Substraten mit diamantähnlichen Kohlenstoffschichten |
DE102006037774A1 (de) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Polysius Ag | Walzen- oder Rollenmühle |
FR2907470B1 (fr) * | 2006-10-20 | 2009-04-17 | Hef Soc Par Actions Simplifiee | Piece en contact glissant, en regime lubrifie, revetue d'une couche mince. |
JP2008163430A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Jtekt Corp | 高耐食性部材およびその製造方法 |
DE102007019994A1 (de) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Transparente Barrierefolie und Verfahren zum Herstellen derselben |
CN101743338B (zh) * | 2007-05-25 | 2013-10-16 | 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫) | 真空处理设备和真空处理方法 |
KR100897323B1 (ko) * | 2007-05-30 | 2009-05-14 | 한국생산기술연구원 | 플라즈마 화학기상증착과 물리기상증착을 복합한 박막 코팅방법 |
JP2008310849A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 保護膜形成法及び保護膜を備えた磁気記録媒体 |
US8105660B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-01-31 | Andrew W Tudhope | Method for producing diamond-like carbon coatings using PECVD and diamondoid precursors on internal surfaces of a hollow component |
US20090029067A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-29 | Sciamanna Steven F | Method for producing amorphous carbon coatings on external surfaces using diamondoid precursors |
US8277617B2 (en) * | 2007-08-14 | 2012-10-02 | Southwest Research Institute | Conformal magnetron sputter deposition |
JP2009127059A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Tokyo Denki Univ | ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法 |
US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
DE102008011921A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Ks Kolbenschmidt Gmbh | Beschichtung von Bauteilen einer Brennkraftmaschine zur Verminderung von Reibung, Verschleiß und Adhäsionsneigung |
DE102008016864B3 (de) * | 2008-04-02 | 2009-10-22 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Kolbenring |
TW200942633A (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-16 | Yu-Hsueh Lin | Method for plating film on surface of drill and structure of film-plated drill |
EP2286001A4 (de) * | 2008-05-13 | 2011-10-19 | Sub One Technology Inc | Verfahren zur beschichtung der innen- und aussenflächen von rohren für thermosolare und andere anwendungen |
JP5244495B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-07-24 | 三菱重工業株式会社 | 回転機械用の部品 |
TWI399451B (zh) * | 2008-09-05 | 2013-06-21 | Yu Hsueh Lin | 傳動機構之表面鍍膜方法 |
DE102008042896A1 (de) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Verfahren zur Beschichtung eines Gleitelements und Gleitelement, insbesondere Kolbenring oder Zylinderlaufbuchse eines Verbrennungsmotors |
US7939367B1 (en) * | 2008-12-18 | 2011-05-10 | Crystallume Corporation | Method for growing an adherent diamond layer atop an interlayer bonded to a compound semiconductor substrate |
JP4755262B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2011-08-24 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 |
JP5222764B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2013-06-26 | 株式会社神戸製鋼所 | 積層皮膜および積層皮膜被覆部材 |
JP5741891B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2015-07-01 | 株式会社ジェイテクト | Dlc膜形成方法 |
JP6040028B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2016-12-07 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ | 耐食性と組合わされたトライボロジー、新種のpvdおよびpacvdコーティング |
DE102009028504C5 (de) * | 2009-08-13 | 2014-10-30 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Kolbenring mit einer Beschichtung |
WO2011060847A1 (de) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Teilspulensystem zur simulation von kreisspulen für vakuumvorrichtungen |
US8715789B2 (en) * | 2009-12-18 | 2014-05-06 | Sub-One Technology, Inc. | Chemical vapor deposition for an interior of a hollow article with high aspect ratio |
TWI466782B (zh) * | 2010-03-03 | 2015-01-01 | Taiyo Chemical Industry Co Ltd | To an immobilization method and a layered product comprising a layer of an amorphous carbon film |
US8747631B2 (en) * | 2010-03-15 | 2014-06-10 | Southwest Research Institute | Apparatus and method utilizing a double glow discharge plasma for sputter cleaning |
WO2011130506A1 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Synthes Usa, Llc | Coating for a cocrmo substrate |
US9169551B2 (en) * | 2010-04-15 | 2015-10-27 | DePuy Synthes Products, Inc. | Coating for a CoCrMo substrate |
EP2385259A1 (de) * | 2010-05-06 | 2011-11-09 | Protec Surface Technologies S.r.L. | Flüssigkeitsbetätigter Betriebszylinder für einen Materialtransportträger |
JP5649333B2 (ja) | 2010-06-01 | 2015-01-07 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材表面のクリーニング方法 |
SG186722A1 (en) * | 2010-06-22 | 2013-02-28 | Oerlikon Trading Ag | Arc deposition source having a defined electric field |
WO2012005325A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 大同メタル工業株式会社 | 摺動部材 |
DE112011102311B4 (de) * | 2010-07-09 | 2023-06-07 | Daido Metal Co., Ltd. | Gleitlager |
JP5665409B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-04 | 株式会社ジェイテクト | 被膜の成膜方法 |
DE102011009347B4 (de) * | 2010-11-29 | 2016-05-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines kohlenstoffhaltigen Schichtsystems sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE102010062114B4 (de) * | 2010-11-29 | 2014-12-11 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer Beschichtung |
CN102108484B (zh) * | 2011-01-18 | 2012-07-04 | 厦门建霖工业有限公司 | 一种双层抗菌镀层的制备方法 |
CN102108485B (zh) * | 2011-01-28 | 2012-03-28 | 厦门建霖工业有限公司 | 塑胶表面抗菌镀层的制备方法 |
BRPI1100176A2 (pt) * | 2011-02-10 | 2013-04-24 | Mahle Metal Leve Sa | componente de motor |
KR20140045340A (ko) * | 2011-02-11 | 2014-04-16 | 스피닉 테크놀러지스 인코퍼레이티드 | 연소 제어 시스템, 회로, 및 방법 |
KR101935067B1 (ko) * | 2011-03-02 | 2019-01-03 | 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘 | 윤활 조건하에서 마찰 어프리케이션들에 의한 마모 및 마찰동작을 개선하기 위해 금속 포함 탄소 레이어로 코팅된 슬라이딩 컴포넌트 |
JP5904537B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2016-04-13 | Ntn株式会社 | 非晶質炭素膜の成膜方法 |
US9909365B2 (en) | 2011-04-29 | 2018-03-06 | Baker Hughes Incorporated | Downhole tools having mechanical joints with enhanced surfaces |
FR2975404B1 (fr) * | 2011-05-19 | 2014-01-24 | Hydromecanique & Frottement | Piece avec revetement dlc et procede d'application du revetement dlc |
US9340854B2 (en) * | 2011-07-13 | 2016-05-17 | Baker Hughes Incorporated | Downhole motor with diamond-like carbon coating on stator and/or rotor and method of making said downhole motor |
JP2011225999A (ja) * | 2011-07-21 | 2011-11-10 | Yamaguchi Prefectural Industrial Technology Institute | プラズマ処理装置及び成膜方法 |
US9347491B2 (en) * | 2011-09-22 | 2016-05-24 | Ntn Corporation | Hard film, hard film formed body, and rolling bearing |
DE102011116576A1 (de) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Bohrer mit Beschichtung |
JP5689051B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2015-03-25 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置 |
AT511605B1 (de) * | 2011-12-12 | 2013-01-15 | High Tech Coatings Gmbh | Kohlenstoffbasierende beschichtung |
KR101382997B1 (ko) * | 2012-02-08 | 2014-04-08 | 현대자동차주식회사 | 코팅층 표면 처리 방법 |
ES2543579T3 (es) | 2012-02-15 | 2015-08-20 | Ihi Hauzer Techno Coating B.V. | Componentes de cojinete y cojinetes aislados frente a corriente |
EP2628817B1 (de) | 2012-02-15 | 2016-11-02 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | Beschichteter Artikel aus Martensitstahl und Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Artikels aus Stahl |
DE102012007763A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Ulrich Schmidt | Modularer Rahmen für Steckdosen und Schalter |
EP2664690B1 (de) | 2012-05-15 | 2015-09-16 | ZhongAo HuiCheng Technology Co. Ltd. | Magnetron-Sputter-Beschichtungsvorrichtung und Herstellungsverfahren für Nano-Mehrschichtfolie |
RU2494172C1 (ru) * | 2012-08-07 | 2013-09-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КНИТУ") | Способ получения износостойкого покрытия |
DE102012214284B4 (de) | 2012-08-10 | 2014-03-13 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer widerstandsfähigen Beschichtung |
US9412569B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-09 | Vapor Technologies, Inc. | Remote arc discharge plasma assisted processes |
US9793098B2 (en) | 2012-09-14 | 2017-10-17 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
US10056237B2 (en) | 2012-09-14 | 2018-08-21 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
KR101439131B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-09-11 | 현대자동차주식회사 | 흡배기 밸브용 코팅재 및 이의 제조방법 |
TWI565353B (zh) * | 2012-10-19 | 2017-01-01 | 逢甲大學 | 可撓性電熱發熱體及其製作方法 |
JP5564099B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-30 | 株式会社リケン | シリンダとピストンリングの組合せ |
JP6076112B2 (ja) * | 2013-02-07 | 2017-02-08 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材の表面のクリーニング方法 |
ES2650379T3 (es) * | 2013-02-21 | 2018-01-18 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Recubrimiento DCL con una capa de entrada |
DE102013007146A1 (de) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC Beschichtung mit Einlaufschicht |
DE102013002911A1 (de) | 2013-02-21 | 2014-08-21 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Dekorative, tiefschwarze Beschichtung |
US9308090B2 (en) | 2013-03-11 | 2016-04-12 | DePuy Synthes Products, Inc. | Coating for a titanium alloy substrate |
JPWO2014148479A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-02-16 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 防汚用の非晶質炭素膜を備える構造体及び防汚用の非晶質炭素膜の形成方法 |
US9657384B2 (en) * | 2013-03-22 | 2017-05-23 | Nittan Valve Co., Ltd. | DLC film coating and coated valve lifter |
KR101860292B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2018-05-21 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 피복 공구 제조 방법 |
JP2014237890A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-12-18 | 国立大学法人電気通信大学 | ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置および形成方法 |
US20150004362A1 (en) * | 2013-07-01 | 2015-01-01 | General Electric Company | Multilayered coatings with diamond-like carbon |
DE102013213454B3 (de) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen - Nürnberg | Werkzeug zum Einsatz beim Aluminiumguss |
KR102240656B1 (ko) * | 2013-07-19 | 2021-04-16 | 외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘 | 성형 공구용 코팅 |
JP6533374B2 (ja) * | 2013-11-06 | 2019-06-19 | Dowaサーモテック株式会社 | Dlc皮膜の成膜方法 |
DE102013225608A1 (de) | 2013-12-11 | 2015-06-11 | Apo Gmbh Massenkleinteilbeschichtung | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kleinteilen mittels Plasma |
EP3135310B1 (de) * | 2014-04-23 | 2020-08-05 | Zhongao Huicheng Technology Co., Ltd. | Künstliche gelenkpfanne, herstellungsverfahren für einen sputterbeschichtungsfilm |
FR3022560B1 (fr) * | 2014-06-18 | 2022-02-25 | Hydromecanique & Frottement | Procede de revetement en carbone dlc du nez des cames d'un arbre a came, arbre a cames ainsi obtenu et installation pour la mise en oeuvre de ce procede |
CN106661716B (zh) * | 2014-08-01 | 2019-01-04 | 日立金属株式会社 | 包覆工具的制造方法 |
US10612123B2 (en) * | 2015-02-04 | 2020-04-07 | The University Of Akron | Duplex surface treatment for titanium alloys |
US10280977B2 (en) | 2015-04-16 | 2019-05-07 | Eagle Industry Co., Ltd | Slide Component |
DE112016002393B4 (de) * | 2015-05-28 | 2023-11-02 | Kyocera Corporation | Schneidwerkzeug |
JP6014941B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2016-10-26 | 地方独立行政法人山口県産業技術センター | プラズマ処理装置及び成膜方法 |
WO2017083369A1 (en) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | National Oilwell DHT, L.P. | Downhole drill bit with coated cutting element |
CN105734527B (zh) * | 2016-03-08 | 2019-01-18 | 仪征亚新科双环活塞环有限公司 | 一种用于活塞环表面的类金刚石镀层、活塞环及制备工艺 |
KR101828508B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2018-03-29 | 제이와이테크놀로지(주) | Dlc 박막 제조 장치 |
DE102016116123B4 (de) * | 2016-08-30 | 2018-07-19 | Federal-Mogul Valvetrain Gmbh | Verschleißarmes Kegelstück |
US10377508B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-08-13 | The Boeing Company | Enhanced tooling for interference-fit fasteners |
WO2019059054A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | 住友電気工業株式会社 | 硬質炭素系被膜の製造方法、及び被膜付き部材 |
US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
KR102055046B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2019-12-12 | 트인로드 주식회사 | Dlc 및 다이아몬드 박막이 이중 코팅된 펀칭공구 및 그 제조방법 |
CN108374154B (zh) * | 2018-02-26 | 2023-06-13 | 温州职业技术学院 | 带有复合磁场的类金刚石涂层制备装置及其应用 |
US10702862B2 (en) * | 2018-04-13 | 2020-07-07 | U.S. Department Of Energy | Superlubricious carbon films derived from natural gas |
FR3082526B1 (fr) * | 2018-06-18 | 2020-09-18 | Hydromecanique & Frottement | Piece revetue par un revetement de carbone amorphe hydrogene sur une sous-couche comportant du chrome, du carbone et du silicium |
FR3082527B1 (fr) * | 2018-06-18 | 2020-09-18 | Hydromecanique & Frottement | Piece revetue par un revetement de carbone amorphe non-hydrogene sur une sous-couche comportant du chrome, du carbone et du silicium |
DE102018125464B4 (de) * | 2018-10-15 | 2022-09-29 | PiKa GbR (Vertretungsberechtigter Gesellschafter: Markus Pittroff, 91278 Pottenstein) | Sägekette zur Holz- und Kunststoffbearbeitung und Verfahren zur Herstellung eines Sägegliedes |
EP3650583A1 (de) | 2018-11-08 | 2020-05-13 | Nanofilm Technologies International Pte Ltd | Ta-c-basiertebeschichtungen mit verbesserter härte |
CN110066982A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-30 | 厦门阿匹斯智能制造系统有限公司 | 一种pvd镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法 |
CN111676452A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-18 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | 一种高效镀超硬膜的方法 |
US11664226B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density carbon films for hardmasks and other patterning applications |
US11664214B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density, nitrogen-doped carbon films for hardmasks and other patterning applications |
CN111748789B (zh) * | 2020-07-10 | 2022-06-24 | 哈尔滨工业大学 | 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯dlc的装置及其方法 |
EP3964356A1 (de) * | 2020-09-03 | 2022-03-09 | Boegli-Gravures SA | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer prägevorrichtung unter verwendung einer ätzmaske |
JP2024507744A (ja) * | 2021-02-09 | 2024-02-21 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト,プフェフィコーン | Picvdコーティングシステムにおけるアークビーム位置監視および位置制御 |
RU2763357C1 (ru) * | 2021-04-13 | 2021-12-28 | Александр Васильевич Вахрушев | Способ получения высококачественных пленок методом механической вибрации подложки |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4126852A1 (de) * | 1991-08-14 | 1993-02-18 | Krupp Widia Gmbh | Werkzeug mit verschleissfester diamantschneide, verfahren zu dessen herstellung sowie dessen verwendung |
EP0600533A1 (de) * | 1992-12-02 | 1994-06-08 | "VLAAMSE INSTELLING VOOR TECHNOLOGISCH ONDERZOEK", afgekort "V.I.T.O.",onderneming van openbaar nut onder de vorm van een n.v. | Verfahren zur Beschichtung von Stahl, Eisen oder ihren Legierungen mit diamant-artigem Kohlenstoff |
DE4343354A1 (de) * | 1993-12-18 | 1995-06-22 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht |
DE19513614C1 (de) * | 1995-04-10 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung |
DE19826259A1 (de) * | 1997-06-16 | 1998-12-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Einrichtung zum Vakuumbeschichten eines Substrates |
Family Cites Families (177)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US50689A (en) * | 1865-10-31 | Improvement in gaging and ullaging casks | ||
US91154A (en) * | 1869-06-08 | Improvement in attaching- handles to picks | ||
US50681A (en) * | 1865-10-31 | Improvement in photographic lenses | ||
US3287630A (en) * | 1964-03-02 | 1966-11-22 | Varian Associates | Apparatus for improving the uniformity of magnetic fields |
US3458426A (en) * | 1966-05-25 | 1969-07-29 | Fabri Tek Inc | Symmetrical sputtering apparatus with plasma confinement |
DD133688A1 (de) † | 1977-08-04 | 1979-01-17 | Klaus Bewilogua | Verfahren zur herstellung diamanthaltiger schichten hoher haftfestigkeit |
US4276570A (en) * | 1979-05-08 | 1981-06-30 | Nancy Burson | Method and apparatus for producing an image of a person's face at a different age |
DE3260505D1 (en) * | 1981-01-23 | 1984-09-13 | Takeda Chemical Industries Ltd | Alicyclic compounds, their production and use |
DE3246361A1 (de) * | 1982-02-27 | 1983-09-08 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Kohlenstoff enthaltende gleitschicht |
US4486286A (en) * | 1982-09-28 | 1984-12-04 | Nerken Research Corp. | Method of depositing a carbon film on a substrate and products obtained thereby |
US4602280A (en) * | 1983-12-05 | 1986-07-22 | Maloomian Laurence G | Weight and/or measurement reduction preview system |
US4698256A (en) * | 1984-04-02 | 1987-10-06 | American Cyanamid Company | Articles coated with adherent diamondlike carbon films |
US4877677A (en) * | 1985-02-19 | 1989-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wear-protected device |
FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
CH664768A5 (de) * | 1985-06-20 | 1988-03-31 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer. |
DD243514B1 (de) * | 1985-12-17 | 1989-04-26 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Hartstoffschichten fuer mechanisch und korrosiv beanspruchte teile |
JPS62188776A (ja) | 1986-01-14 | 1987-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
FR2596775B1 (fr) * | 1986-04-07 | 1992-11-13 | Univ Limoges | Revetement dur multicouches elabore par depot ionique de nitrure de titane, carbonitrure de titane et i-carbone |
JPS63195266A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜がコーティングされた時計 |
KR900008505B1 (ko) * | 1987-02-24 | 1990-11-24 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | 탄소 석출을 위한 마이크로파 강화 cvd 방법 |
DE3706340A1 (de) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 | Winter & Sohn Ernst | Verfahren zum auftragen einer verschleissschutzschicht und danach hergestelltes erzeugnis |
DE3708716C2 (de) * | 1987-03-18 | 1993-11-04 | Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner | Hochfrequenz-ionenquelle |
DE3884653T2 (de) * | 1987-04-03 | 1994-02-03 | Fujitsu Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Diamant. |
JPH0672306B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1994-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US5113493A (en) * | 1987-05-11 | 1992-05-12 | Liberty Life Insurance Co. | Full speed animation system for low-speed computers and method |
JPS63286334A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 積層体およびその製造法 |
KR920002864B1 (ko) * | 1987-07-20 | 1992-04-06 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리방법 및 그 장치 |
ATE65265T1 (de) * | 1987-08-26 | 1991-08-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur aufbringung von schichten auf substraten und vakuumbeschichtungsanlage zur durchfuehrung des verfahrens. |
NL8800345A (nl) * | 1988-02-12 | 1989-09-01 | Philips Nv | Knipeenheid voor een scheerapparaat en scheerapparaat voorzien van deze knipeenheid. |
JP2610469B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1997-05-14 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 |
US5411797A (en) * | 1988-04-18 | 1995-05-02 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanophase diamond films |
ATE115647T1 (de) † | 1988-08-25 | 1994-12-15 | Hauzer Ind Bv | Physikalische dampfniederschlag- doppelbeschichtungsvorrichtung und verfahren. |
US4952273A (en) * | 1988-09-21 | 1990-08-28 | Microscience, Inc. | Plasma generation in electron cyclotron resonance |
US4918031A (en) * | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
US4919974A (en) * | 1989-01-12 | 1990-04-24 | Ford Motor Company | Making diamond composite coated cutting tools |
US4992153A (en) | 1989-04-26 | 1991-02-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Sputter-CVD process for at least partially coating a workpiece |
US5266409A (en) | 1989-04-28 | 1993-11-30 | Digital Equipment Corporation | Hydrogenated carbon compositions |
CZ278295B6 (en) † | 1989-08-14 | 1993-11-17 | Fyzikalni Ustav Avcr | Process of sputtering layers and apparatus for making the same |
DE58909591D1 (de) † | 1989-08-21 | 1996-03-14 | Balzers Hochvakuum | Beschichtetes Werkstück mit einer Mischkristallbeschichtung, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
GB9006073D0 (en) † | 1990-03-17 | 1990-05-16 | D G Teer Coating Services Limi | Magnetron sputter ion plating |
DE69029729T2 (de) * | 1990-08-03 | 1997-05-07 | Fujitsu Ltd | Verfahren zur Abscheidung aus der Gasphase eines Diamantfilmes |
DE4029270C1 (de) * | 1990-09-14 | 1992-04-09 | Balzers Ag, Balzers, Li | |
KR930011413B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
DE4035131C2 (de) * | 1990-11-05 | 1995-09-21 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und Vorrichtung zum gleichmäßigen Erwärmen von Heizgut, insbes. von zu beschichtenden Substraten, in einer Vakuumkammer |
US6692359B1 (en) * | 1991-02-15 | 2004-02-17 | America Online, Inc. | Method of interfacing on a computer network by visual representations of users, method of interacting and computer network |
JPH07109034B2 (ja) * | 1991-04-08 | 1995-11-22 | ワイケイケイ株式会社 | 硬質多層膜形成体およびその製造方法 |
US5147687A (en) * | 1991-05-22 | 1992-09-15 | Diamonex, Inc. | Hot filament CVD of thick, adherent and coherent polycrystalline diamond films |
DE69232403T2 (de) * | 1991-08-06 | 2002-08-22 | Canon Kk | Dreidimensionales Modellverarbeitungsverfahren und -gerät |
US5541003A (en) * | 1991-10-31 | 1996-07-30 | Tdk Corporation | Articles having diamond-like protective thin film |
EP0542628B1 (de) * | 1991-11-12 | 2001-10-10 | Fujitsu Limited | Vorrichtung zur Sprachsynthese |
US5989511A (en) * | 1991-11-25 | 1999-11-23 | The University Of Chicago | Smooth diamond films as low friction, long wear surfaces |
US5555426A (en) * | 1992-01-08 | 1996-09-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for disseminating messages to unspecified users in a data processing system |
US5416899A (en) * | 1992-01-13 | 1995-05-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory based method and apparatus for computer graphics |
US5680481A (en) * | 1992-05-26 | 1997-10-21 | Ricoh Corporation | Facial feature extraction method and apparatus for a neural network acoustic and visual speech recognition system |
US5537662A (en) * | 1992-05-29 | 1996-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Electronic montage composing apparatus |
US5439492A (en) * | 1992-06-11 | 1995-08-08 | General Electric Company | Fine grain diamond workpieces |
US5306408A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-26 | Ism Technologies, Inc. | Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings |
JP3336682B2 (ja) * | 1992-07-02 | 2002-10-21 | 住友電気工業株式会社 | 硬質炭素膜 |
JPH06111287A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US5420801A (en) * | 1992-11-13 | 1995-05-30 | International Business Machines Corporation | System and method for synchronization of multimedia streams |
DE69327774T2 (de) * | 1992-11-18 | 2000-06-21 | Canon Information Syst Inc | Prozessor zur Umwandlung von Daten in Sprache und Ablaufsteuerung hierzu |
US5640590A (en) * | 1992-11-18 | 1997-06-17 | Canon Information Systems, Inc. | Method and apparatus for scripting a text-to-speech-based multimedia presentation |
US5637373A (en) * | 1992-11-19 | 1997-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
US5387178A (en) * | 1992-11-23 | 1995-02-07 | Moses; Gary L. | Multi-stimuli chair |
US5638502A (en) * | 1992-12-25 | 1997-06-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Device for creating a new object image relating to plural object images |
US5249554A (en) * | 1993-01-08 | 1993-10-05 | Ford Motor Company | Powertrain component with adherent film having a graded composition |
US5237967A (en) * | 1993-01-08 | 1993-08-24 | Ford Motor Company | Powertrain component with amorphous hydrogenated carbon film |
US5431963A (en) * | 1993-02-01 | 1995-07-11 | General Electric Company | Method for adhering diamondlike carbon to a substrate |
US5645900A (en) * | 1993-04-22 | 1997-07-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Diamond composite films for protective coatings on metals and method of formation |
SE9301596L (sv) * | 1993-05-10 | 1994-05-24 | Televerket | Anordning för att öka talförståelsen vid översätttning av tal från ett första språk till ett andra språk |
US5860064A (en) * | 1993-05-13 | 1999-01-12 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for automatic generation of vocal emotion in a synthetic text-to-speech system |
US5387288A (en) * | 1993-05-14 | 1995-02-07 | Modular Process Technology Corp. | Apparatus for depositing diamond and refractory materials comprising rotating antenna |
US5626963A (en) * | 1993-07-07 | 1997-05-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same |
DE4421144C2 (de) * | 1993-07-21 | 2003-02-13 | Unaxis Balzers Ag | Beschichtetes Werkzeug mit erhöhter Standzeit |
WO1995004368A1 (en) † | 1993-07-29 | 1995-02-09 | Institute Of Physics Academy Of Sciences Of The Czech Republic | Method and device for magnetron sputtering |
BE1008229A3 (nl) * | 1993-10-29 | 1996-02-20 | Vito | Werkwijze voor het aanbrengen van een tegen slijtage beschermende laag op een substraat. |
US5347306A (en) * | 1993-12-17 | 1994-09-13 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Animated electronic meeting place |
JPH07175710A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Canon Inc | データ管理方法及び装置 |
US5657426A (en) * | 1994-06-10 | 1997-08-12 | Digital Equipment Corporation | Method and apparatus for producing audio-visual synthetic speech |
KR0136632B1 (ko) * | 1994-07-26 | 1998-05-15 | 김은영 | 다이아몬드상 경질 카본 필름이 이중 코팅된 vtr 헤드 드럼과 그 코팅층 형성방법 및 장치 |
US5779925A (en) * | 1994-10-14 | 1998-07-14 | Fujitsu Limited | Plasma processing with less damage |
US20030057662A1 (en) * | 1995-03-09 | 2003-03-27 | Miya | Guide bush and method of forming hard carbon film over the inner surface of the guide bush |
US5688557A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-18 | Lemelson; Jerome H. | Method of depositing synthetic diamond coatings with intermediates bonding layers |
US5647834A (en) * | 1995-06-30 | 1997-07-15 | Ron; Samuel | Speech-based biofeedback method and system |
US5745360A (en) * | 1995-08-14 | 1998-04-28 | International Business Machines Corp. | Dynamic hypertext link converter system and process |
US5712000A (en) † | 1995-10-12 | 1998-01-27 | Hughes Aircraft Company | Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films |
US5818461A (en) * | 1995-12-01 | 1998-10-06 | Lucas Digital, Ltd. | Method and apparatus for creating lifelike digital representations of computer animated objects |
SE519244C2 (sv) * | 1995-12-06 | 2003-02-04 | Telia Ab | Anordning och metod vid talsyntes |
US5880731A (en) * | 1995-12-14 | 1999-03-09 | Microsoft Corporation | Use of avatars with automatic gesturing and bounded interaction in on-line chat session |
FR2743089B1 (fr) * | 1995-12-28 | 1998-04-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de depot d'un revetement par couplage des techniques de depot physique en phase vapeur et de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma, revetement ainsi obtenu et substrat recouvert de ce revetement |
US5781186A (en) * | 1996-02-02 | 1998-07-14 | Lucent Technologies Inc. | Arrangement for specifying presentation of multimedia message components |
US6069622A (en) * | 1996-03-08 | 2000-05-30 | Microsoft Corporation | Method and system for generating comic panels |
DE29615190U1 (de) * | 1996-03-11 | 1996-11-28 | Balzers Verschleissschutz Gmbh | Anlage zur Beschichtung von Werkstücken |
JPH09266096A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法 |
US5923337A (en) * | 1996-04-23 | 1999-07-13 | Image Link Co., Ltd. | Systems and methods for communicating through computer animated images |
JP2947170B2 (ja) * | 1996-05-29 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | 線対称図形整形装置 |
US6233544B1 (en) * | 1996-06-14 | 2001-05-15 | At&T Corp | Method and apparatus for language translation |
US6075905A (en) * | 1996-07-17 | 2000-06-13 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for mosaic image construction |
JPH1082390A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 摺動部材、圧縮機及び回転圧縮機 |
DE19635736C2 (de) * | 1996-09-03 | 2002-03-07 | Saxonia Umformtechnik Gmbh | Diamantähnliche Beschichtung |
EP1067210A3 (de) * | 1996-09-06 | 2002-11-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Verfahren zur Abscheidung eines harten Kohlenstoff-Filmes auf einem Substrat und Klinge für einen elektrischen Rasierer |
US5732232A (en) * | 1996-09-17 | 1998-03-24 | International Business Machines Corp. | Method and apparatus for directing the expression of emotion for a graphical user interface |
US5857099A (en) * | 1996-09-27 | 1999-01-05 | Allvoice Computing Plc | Speech-to-text dictation system with audio message capability |
US6064383A (en) * | 1996-10-04 | 2000-05-16 | Microsoft Corporation | Method and system for selecting an emotional appearance and prosody for a graphical character |
US6343141B1 (en) * | 1996-10-08 | 2002-01-29 | Lucent Technologies Inc. | Skin area detection for video image systems |
JPH10137861A (ja) † | 1996-11-05 | 1998-05-26 | Sky Alum Co Ltd | 絞りしごき加工法 |
US5963217A (en) * | 1996-11-18 | 1999-10-05 | 7Thstreet.Com, Inc. | Network conference system using limited bandwidth to generate locally animated displays |
US6122606A (en) * | 1996-12-10 | 2000-09-19 | Johnson; William J. | System and method for enhancing human communications |
US6011537A (en) * | 1997-01-27 | 2000-01-04 | Slotznick; Benjamin | System for delivering and simultaneously displaying primary and secondary information, and for displaying only the secondary information during interstitial space |
US5942317A (en) * | 1997-01-31 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Hydrogenated carbon thin films |
US6228471B1 (en) * | 1997-02-04 | 2001-05-08 | N.V. Bekaert S.A. | Coating comprising layers of diamond like carbon and diamond like nanocomposite compositions |
US6078700A (en) * | 1997-03-13 | 2000-06-20 | Sarachik; Karen B. | Method and apparatus for location and inspecting a two-dimensional image including co-linear features |
JP3609591B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2005-01-12 | 三洋電機株式会社 | 硬質炭素薄膜及びその製造方法 |
US6066399A (en) | 1997-03-19 | 2000-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
JPH10259482A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜の形成方法 |
JP3378758B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2003-02-17 | 三洋電機株式会社 | 非晶質炭素系被膜の形成方法 |
US5933151A (en) * | 1997-03-26 | 1999-08-03 | Lucent Technologies Inc. | Simulated natural movement of a computer-generated synthesized talking head |
JP3848723B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2006-11-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の実装構造体及びその検査方法 |
US6175857B1 (en) * | 1997-04-30 | 2001-01-16 | Sony Corporation | Method and apparatus for processing attached e-mail data and storage medium for processing program for attached data |
US6014689A (en) * | 1997-06-03 | 2000-01-11 | Smith Micro Software Inc. | E-mail system with a video e-mail player |
DE19825983C2 (de) * | 1997-06-11 | 2002-12-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Diamant- und karbidische Phasen enthaltenden Komposit-Gradienten-Schichten |
US6215505B1 (en) * | 1997-06-20 | 2001-04-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Scheme for interactive video manipulation and display of moving object on background image |
US6018774A (en) * | 1997-07-03 | 2000-01-25 | Yobaby Productions, Llc | Method and system for creating messages including image information |
JP3224760B2 (ja) * | 1997-07-10 | 2001-11-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 音声メールシステム、音声合成装置およびこれらの方法 |
JPH1149506A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-23 | Kyocera Corp | 装飾部材 |
US6075857A (en) * | 1997-09-11 | 2000-06-13 | Ooltewah Manufacturing, Inc. | Motor cycle helmet headset |
DE19740793C2 (de) † | 1997-09-17 | 2003-03-20 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mittels einer Anlage mit Sputterelektroden und Verwendung des Verfahrens |
JPH1192935A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Daido Steel Co Ltd | 耐摩耗性硬質炭素被膜 |
CA2312315A1 (en) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Arsev H. Eraslan | Three-dimensional face identification system |
US6726993B2 (en) † | 1997-12-02 | 2004-04-27 | Teer Coatings Limited | Carbon coatings, method and apparatus for applying them, and articles bearing such coatings |
US6417853B1 (en) * | 1998-02-05 | 2002-07-09 | Pinnacle Systems, Inc. | Region based moving image editing system and method |
US6466213B2 (en) * | 1998-02-13 | 2002-10-15 | Xerox Corporation | Method and apparatus for creating personal autonomous avatars |
US6433784B1 (en) * | 1998-02-26 | 2002-08-13 | Learn2 Corporation | System and method for automatic animation generation |
US6195631B1 (en) * | 1998-04-15 | 2001-02-27 | At&T Corporation | Method and apparatus for automatic construction of hierarchical transduction models for language translation |
US6690830B1 (en) * | 1998-04-29 | 2004-02-10 | I.Q. Bio Metrix, Inc. | Method and apparatus for encoding/decoding image data |
BE1011927A3 (nl) † | 1998-05-20 | 2000-03-07 | Vito | Plasmamethode voor de afzetting van deklagen. |
US6173250B1 (en) * | 1998-06-03 | 2001-01-09 | At&T Corporation | Apparatus and method for speech-text-transmit communication over data networks |
US6405225B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-06-11 | Microsoft Corporation | Integrating email functionality into a word processor by incorporating an email GUI within the word processor |
JP2000008155A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質炭素膜被覆部材 |
US6366949B1 (en) * | 1998-07-30 | 2002-04-02 | Maila Nordic Ab | Method and arrangement relating to communication in a network |
US6230111B1 (en) * | 1998-08-06 | 2001-05-08 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Control system for controlling object using pseudo-emotions and pseudo-personality generated in the object |
US6782431B1 (en) * | 1998-09-30 | 2004-08-24 | International Business Machines Corporation | System and method for dynamic selection of database application code execution on the internet with heterogenous clients |
IT1315446B1 (it) * | 1998-10-02 | 2003-02-11 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento per la creazione di modelli facciali tridimensionali apartire da immagini di volti. |
US6163794A (en) * | 1998-10-23 | 2000-12-19 | General Magic | Network system extensible by users |
US6219638B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Telephone messaging and editing system |
JP2000209425A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-07-28 | Canon Inc | 画像処理装置及び方法並びに記憶媒体 |
KR100311234B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2001-11-02 | 학교법인 인하학원 | 고품위 유도결합 플라즈마 리액터 |
US6385586B1 (en) * | 1999-01-28 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Speech recognition text-based language conversion and text-to-speech in a client-server configuration to enable language translation devices |
US6449634B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-09-10 | Digital Impact, Inc. | Method and system for remotely sensing the file formats processed by an E-mail client |
JP3711411B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2005-11-02 | 沖電気工業株式会社 | 音声合成装置 |
US6553341B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for announcing receipt of an electronic message |
US6393107B1 (en) * | 1999-05-25 | 2002-05-21 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for creating and sending structured voicemail messages |
US7149690B2 (en) * | 1999-09-09 | 2006-12-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for interactive language instruction |
US6522333B1 (en) * | 1999-10-08 | 2003-02-18 | Electronic Arts Inc. | Remote communication through visual representations |
US6384829B1 (en) * | 1999-11-24 | 2002-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Streamlined architecture for embodied conversational characters with reduced message traffic |
US6680934B1 (en) * | 1999-12-02 | 2004-01-20 | Nortel Networks Limited | System, device and method for expediting control flow in a communication system |
DE19960092A1 (de) * | 1999-12-14 | 2001-07-12 | Bosch Gmbh Robert | Beschichtungsverfahren |
US6377925B1 (en) * | 1999-12-16 | 2002-04-23 | Interactive Solutions, Inc. | Electronic translator for assisting communications |
US6766299B1 (en) * | 1999-12-20 | 2004-07-20 | Thrillionaire Productions, Inc. | Speech-controlled animation system |
WO2001061483A2 (en) * | 2000-02-14 | 2001-08-23 | Geophoenix, Inc. | System and method for graphical programming |
US6593539B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-07-15 | George Miley | Apparatus and methods for controlling charged particles |
US6539354B1 (en) * | 2000-03-24 | 2003-03-25 | Fluent Speech Technologies, Inc. | Methods and devices for producing and using synthetic visual speech based on natural coarticulation |
DE10018143C5 (de) * | 2000-04-12 | 2012-09-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
US20020007276A1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-01-17 | Rosenblatt Michael S. | Virtual representatives for use as communications tools |
US6784901B1 (en) * | 2000-05-09 | 2004-08-31 | There | Method, system and computer program product for the delivery of a chat message in a 3D multi-user environment |
US6545682B1 (en) * | 2000-05-24 | 2003-04-08 | There, Inc. | Method and apparatus for creating and customizing avatars using genetic paradigm |
US6453294B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Dynamic destination-determined multimedia avatars for interactive on-line communications |
TW517210B (en) * | 2000-08-31 | 2003-01-11 | Bextech Inc | A method for generating speaking expression variation without distortion in 2D picture using polygon computation |
US6976082B1 (en) * | 2000-11-03 | 2005-12-13 | At&T Corp. | System and method for receiving multi-media messages |
US6990452B1 (en) * | 2000-11-03 | 2006-01-24 | At&T Corp. | Method for sending multi-media messages using emoticons |
US7035803B1 (en) * | 2000-11-03 | 2006-04-25 | At&T Corp. | Method for sending multi-media messages using customizable background images |
US7091976B1 (en) * | 2000-11-03 | 2006-08-15 | At&T Corp. | System and method of customizing animated entities for use in a multi-media communication application |
US7203648B1 (en) * | 2000-11-03 | 2007-04-10 | At&T Corp. | Method for sending multi-media messages with customized audio |
US7085259B2 (en) * | 2001-07-31 | 2006-08-01 | Comverse, Inc. | Animated audio messaging |
US20030046348A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Pinto Albert Gregory | System and method of converting video to bitmap animation for use in electronic mail |
US20030046160A1 (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-06 | Paz-Pujalt Gustavo R. | Animated electronic message and method of producing |
US6919892B1 (en) * | 2002-08-14 | 2005-07-19 | Avaworks, Incorporated | Photo realistic talking head creation system and method |
-
2000
- 2000-04-12 DE DE10018143A patent/DE10018143C5/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-18 US US09/551,883 patent/US6740393B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 DE DE50010785T patent/DE50010785D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 US US10/257,678 patent/US7160616B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 AT AT00993868T patent/ATE311483T1/de active
- 2000-12-27 ES ES00993868T patent/ES2252092T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 AT AT03014612T patent/ATE299956T1/de active
- 2000-12-27 JP JP2001576965A patent/JP4849759B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 KR KR1020027013744A patent/KR100762346B1/ko active IP Right Grant
- 2000-12-27 WO PCT/EP2000/013299 patent/WO2001079585A1/de active IP Right Grant
- 2000-12-27 AU AU28440/01A patent/AU2844001A/en not_active Abandoned
- 2000-12-27 EP EP00993868A patent/EP1272683B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 PT PT03014612T patent/PT1362931E/pt unknown
- 2000-12-27 DE DE50011775T patent/DE50011775D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 ES ES03014612T patent/ES2244870T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 BR BR0017216-2A patent/BR0017216A/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-12-27 EP EP03014612.0A patent/EP1362931B2/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-14 HK HK03102687A patent/HK1050553A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-05 US US10/771,331 patent/US20040219294A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-01-11 US US12/013,003 patent/US7601405B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-19 US US12/543,869 patent/US20100018464A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4126852A1 (de) * | 1991-08-14 | 1993-02-18 | Krupp Widia Gmbh | Werkzeug mit verschleissfester diamantschneide, verfahren zu dessen herstellung sowie dessen verwendung |
EP0600533A1 (de) * | 1992-12-02 | 1994-06-08 | "VLAAMSE INSTELLING VOOR TECHNOLOGISCH ONDERZOEK", afgekort "V.I.T.O.",onderneming van openbaar nut onder de vorm van een n.v. | Verfahren zur Beschichtung von Stahl, Eisen oder ihren Legierungen mit diamant-artigem Kohlenstoff |
DE4343354A1 (de) * | 1993-12-18 | 1995-06-22 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht |
DE19513614C1 (de) * | 1995-04-10 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung |
DE19826259A1 (de) * | 1997-06-16 | 1998-12-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Einrichtung zum Vakuumbeschichten eines Substrates |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10149588A1 (de) * | 2001-10-08 | 2003-04-10 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren zur Diamantbeschichtung von Substraten |
DE10149588B4 (de) * | 2001-10-08 | 2017-09-07 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Verfahren zur Diamantbeschichtung von Substraten |
DE10203730A1 (de) * | 2002-01-30 | 2003-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von metallfreien Kohlenstoffschichten |
DE10203730B4 (de) * | 2002-01-30 | 2010-09-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Abscheidung von metallfreien Kohlenstoffschichten |
DE10305159B4 (de) * | 2002-11-02 | 2006-12-07 | Rowapack Gmbh Verpackungsdesign Und Stanztechnik | Stanzverfahren |
CN100523299C (zh) * | 2003-07-25 | 2009-08-05 | 贝卡尔特股份有限公司 | 覆盖有中间涂层和硬质碳涂层的基材 |
WO2005014882A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Nv Bekaert Sa | Substrate covered with an intermediate coating and a hard carbon coating |
US7927700B2 (en) | 2003-07-25 | 2011-04-19 | Nv Bekaert Sa | Substrate covered with an intermediate coating and a hard carbon coating |
WO2005106065A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Dlc hartstoffbeschichtungen auf kupferhaltigen lagerwerkstoffen |
DE102005050358B4 (de) * | 2004-11-12 | 2012-02-23 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Vakuumbehandlungsanlage |
DE102005050358A1 (de) * | 2004-11-12 | 2006-08-17 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vakuumbehandlungsanlage |
US7905991B2 (en) | 2004-11-12 | 2011-03-15 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Vacuum treatment system |
DE102007010595B4 (de) * | 2006-04-27 | 2013-08-29 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Auf amorphem Kohlenstoff basierende, harte mehrlagige Schicht |
US7887919B2 (en) | 2006-04-27 | 2011-02-15 | Kobe Steel, Ltd. | Amorphous-carbon-based hard multilayer film and hard surface member having the film on surface |
DE102006049974A1 (de) * | 2006-10-24 | 2008-04-30 | Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh | Turbomaschine |
WO2008067969A1 (de) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg | Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen pvd-beschichtung |
WO2008125607A3 (de) * | 2007-04-13 | 2009-05-07 | Stein Ralf | Verfahren zum aufbringen einer hochfesten beschichtung auf werkstücke und/oder werkstoffe |
WO2008125607A2 (de) * | 2007-04-13 | 2008-10-23 | Stein, Ralf | Verfahren zum aufbringen einer hochfesten beschichtung auf werkstücke und/oder werkstoffe |
DE102008028542A1 (de) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat mittels einer plasmagestützten chemischen Reaktion |
DE102008028542B4 (de) * | 2008-06-16 | 2012-07-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat mittels einer plasmagestützten chemischen Reaktion |
US8332314B2 (en) | 2008-11-05 | 2012-12-11 | Kent Griffin | Text authorization for mobile payments |
WO2012072225A1 (de) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | Amg Coating Technologies Gmbh | Werkstück mit si-dlc beschichtung und verfahren zur herstellung von beschichtungen |
EP2721313B1 (de) | 2011-06-15 | 2017-03-22 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Gleitlager |
US9966234B2 (en) | 2014-07-11 | 2018-05-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming device |
US10378097B2 (en) | 2016-08-10 | 2019-08-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2252092T3 (es) | 2006-05-16 |
EP1272683B1 (de) | 2005-11-30 |
US20080311310A1 (en) | 2008-12-18 |
HK1050553A1 (en) | 2003-06-27 |
JP4849759B2 (ja) | 2012-01-11 |
ATE311483T1 (de) | 2005-12-15 |
US20100018464A1 (en) | 2010-01-28 |
US20040038033A1 (en) | 2004-02-26 |
EP1362931B2 (de) | 2019-08-21 |
DE50011775D1 (de) | 2006-01-05 |
ATE299956T1 (de) | 2005-08-15 |
JP2004501793A (ja) | 2004-01-22 |
WO2001079585A1 (de) | 2001-10-25 |
EP1272683A1 (de) | 2003-01-08 |
EP1362931B9 (de) | 2005-10-05 |
KR20030063109A (ko) | 2003-07-28 |
PT1362931E (pt) | 2005-09-30 |
AU2844001A (en) | 2001-10-30 |
US6740393B1 (en) | 2004-05-25 |
DE10018143B4 (de) | 2006-05-04 |
KR100762346B1 (ko) | 2007-10-02 |
US7160616B2 (en) | 2007-01-09 |
US7601405B2 (en) | 2009-10-13 |
BR0017216A (pt) | 2003-06-10 |
ES2244870T3 (es) | 2005-12-16 |
DE10018143C5 (de) | 2012-09-06 |
EP1362931A1 (de) | 2003-11-19 |
EP1362931B1 (de) | 2005-07-20 |
US20040219294A1 (en) | 2004-11-04 |
DE50010785D1 (de) | 2005-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10018143C5 (de) | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems | |
EP1869690B2 (de) | Verfahren zum betreiben einer gepulsten arcquelle | |
EP0990061B1 (de) | Verfahren und einrichtung zum vakuumbeschichten eines substrates | |
EP1863947B1 (de) | Hartstoffschicht | |
EP2148939B1 (de) | Vakuumbehandlungsanlage und vakuumbehandlungsverfahren | |
DE3700633C1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstaends mittels Plasma | |
EP0439561B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten | |
EP2236641B1 (de) | Verfahren zur Vorbehandlung von Substraten fuer PVD Verfahren | |
WO2008155051A1 (de) | Pdv-verfahren und pvd-vorrichtung zur erzeugung von reibungsarmen, verschleissbeständigen funktionsschichten und damit hergestellte beschichtungen | |
EP0867036B1 (de) | Verfahren und einrichtung zur vorbehandlung von substraten | |
WO2008092485A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum beschichten von plattenförmigen oder bandförmigen metallischen substraten | |
EP0791226A1 (de) | Vorrichtung zum beschichten von substraten mit einem materialdampf im unterdruck oder vakuum | |
EP1473382A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur plasmaaktivierten Schichtabscheidung durch Kathodenzerstäubung nach dem Magnetron-Prinzip | |
WO2012072215A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines kohlenstoffhaltigen schichtsystems sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens | |
DD146626A1 (de) | Vorrichtung zum ionengestuetzten beschichten,schichteinbringen und ionenaetzen | |
DE102008003114A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Plasmaaktivierten Verdampfung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: UNAXIS BALZERS AG, BALZERS, LI |
|
8363 | Opposition against the patent | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OC OERLIKON BALZERS AG, BALZERS, LI |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: BOCKHORNI & KOLLEGEN, 80687 MUENCHEN |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OERLIKON TRADING AG, TRUEBBACH, TRUEBBACH, CH |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: DERZEIT KEIN VERTRETER BESTELLT |
|
R034 | Decision of examining division/federal patent court maintaining patent in limited form now final |
Effective date: 20111227 |
|
R206 | Amended patent specification |
Effective date: 20120906 |
|
R071 | Expiry of right |