DE10036867A1 - Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung - Google Patents
Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtungInfo
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Abstract
Halbleiterwafer werden durch Anordnung der Halbleiterwafer in einem Bearbeitungsbehälter, Ausbilden einer Reinwasserschicht an den Oberflächen der Wafer, Ausbilden einer ozonhaltigen Wasserschicht durch Auflösen von Ozongas in der Reinwasserschicht und Entfernen von Resistschichten, die an den Wafern ausgebildet sind, mittels der ozonhaltigen Wasserschicht gereinigt. Die Reinwasserschicht wird durch Kondensieren von Dampf an den Oberflächen der Wafer ausgebildet. Die Resistschichten, die an den Oberflächen der Wafer ausgebildet sind, werden auch unter Verwendung von Hydroxylradikalen entfernt, die durch Wechselwirkung zwischen Dampf und Ozongas erzeugt werden, die in den Bearbeitungsbehälter zugeführt werden. Somit können die Resistschichten höchstwirksam entfernt werden.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat-
Bearbeitungsverfahren und eine Substrat-
Bearbeitungsvorrichtung zum Bearbeiten von Substraten, wie
z. B. Halbleiterwafern, beispielsweise durch einen
Reinigungsvorgang.
Wenn ein Halbleiterwafer beispielsweise durch einen
photolithographischen Vorgang bearbeitet wird, wird eine
Resistschicht an einer Oberfläche des Wafers ausgebildet, die
Oberfläche des Wafers, die mit der Resistschicht überzogen
ist, wird Licht in einem gewünschten Muster ausgesetzt, und
der Wafer wird einem Entwicklungsvorgang unterworfen, um das
Bild des Musters zu entwickeln, und dann werden unnötige
Abschnitte der Resistschicht entfernt.
Eine Reinigungsvorrichtung wird zum Entfernen der unnötigen
Abschnitte der Resistschicht verwendet. Die
Reinigungsvorrichtung taucht den Wafer in einen
Reinigungstank mit einer chemischen Flüssigkeit namens SPM
(eine aus H2SO4/H2O2 gemischte Flüssigkeit) ein, um die
Abschnitte der Resistschicht zu entfernen. Angesichts des
Umweltschutzes wird gewünscht, die Resistschicht unter
Verwendung von, anstelle einer chemischen Flüssigkeit,
ozonhaltigem Wasser zu entfernen, das leicht durch einen
Flüssigkeitsentsorgungsvorgang entsorgt werden kann. Wenn
ozonhaltiges Wasser verwendet wird, wird der Wafer in einen
Reinigungstank mit ozonhaltigem Wasser eingetaucht, und das
Resist, das die Resistschicht ausbildet, wird in
Kohlendioxid, Wasser, usw. durch eine
Oxidationswechselwirkung zwischen Sauerstoffradikalen, die in
dem ozonhaltigen Wasser enthalten sind, und der Resistschicht
zersetzt.
Normalerweise wird ozonhaltiges Wasser durch Auflösen eines
hochkonzentrierten Ozongases in Reinwasser durch Einblasen
vorbereitet. Das Ozon des ozonhaltigen Wassers, das in dem
Reinigungstank enthalten ist, entweicht von dem ozonhaltigen
Wasser, und die Ozonkonzentration des ozonhaltigen Wassers
verringert sich allmählich mit der Zeit. Da die
Reinigungsfähigkeit des ozonhaltigen Wassers von seiner
Ozonkonzentration abhängt, verringert sich die
Reinigungsfähigkeit des ozonhaltigen Wassers, wenn sich die
Ozonkonzentration verringert, und das ozonhaltige Wasser mit
einer unzureichenden Ozonkonzentration ist oftmals nicht in
der Lage, die Resistschicht zufriedenstellend zu entfernen.
Da die Wechselwirkungsrate zwischen dem Ozon und der
Resistschicht sehr hoch ist, kann nur unzureichendes Ozon zu
der Oberfläche der Resistschicht zugeführt werden, wenn der
Wafer lediglich in das ozonhaltige Wasser eingetaucht wird,
und somit kann die Wechselwirkung zwischen dem Ozon und der
Resistschicht nicht mit einer hohen Rate durchgeführt werden.
Die Wechselwirkung zwischen Ozon und der Resistschicht muss
bei einer hohen Temperatur durchgeführt werden. Deshalb wird
in manchen Fällen ozonhaltiges Wasser mit hoher Temperatur
durch Auflösen von Ozon in Reinwasser mit beispielsweise 80°C
durch Einblasen vorbereitet. Da jedoch die Lösbarkeit von
einem Gas in Reinwasser bei einer hohen Temperatur gering
ist, kann ozonhaltiges Wasser mit hoher Ozonkonzentration
nicht erzeugt werden, und somit kann die Wechselwirkung
zwischen dem Ozon und der Resistschicht nicht bei einer hohen
Reaktionsrate erreicht werden.
Demzufolge ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Substrat-Bearbeitungsverfahren und eine Substrat-
Bearbeitungsvorrichtung zu schaffen, die in der Lage sind,
eine hohe Bearbeitungsfähigkeit bei der Bearbeitung von
Substraten auszuüben.
Um die Aufgabe zu lösen, schafft die vorliegende Erfindung
ein Substrat-Bearbeitungsverfahren mit folgenden Schritten:
Anordnen eines Substrats in einem Bearbeitungsbehälter;
Ausbilden einer Schicht eines Lösungsmittels über einer
Oberfläche des Substrats; und Auflösen eines Betriebsgases in
der Schicht des Lösungsmittels.
Um die Aufgabe zu lösen, schafft die vorliegende Erfindung
ferner ein Substrat-Bearbeitungsverfahren mit folgenden
Schritten: Anordnen eines Substrats in einem
Bearbeitungsbehälter; Zuführen eines Dampfes eines
Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter; Zuführen eines
Betriebs- oder Bearbeitungsgases in den Bearbeitungsbehälter;
Erzeugen einer reaktionsfähigen Substanz durch Wechselwirkung
zwischen dem Dampf des Lösungsmittels und dem Betriebsgas;
und Bearbeiten des Substrats mit der reaktionsfähigen
Substanz.
Der Schritt des Bearbeitens des Wafers mit der
reaktionsfähigen Substanz kann einen Schritt der Ausbildung
einer Schicht des Lösungsmittels über den Oberflächen des
Substrats und einen Schritt des Auflösens des Betriebsgases
in der Flüssigkeitsschicht aufweisen.
Der Schritt der Erzeugung der reaktionsfähigen Substanz durch
Wechselwirkung zwischen dem Dampf des Lösungsmittels und dem
Betriebsgas kann ein Schritt der Ausbildung einer molekularen
Schicht einer Mischung von Molekülen des Lösungsmittels und
denjenigen des Betriebsgases sein.
Die reaktionsfähige Substanz enthält Atome, Moleküle und
Radikale, die reaktionsfähige Substanz, die in einer
Bearbeitungskammer erzeugt wird, wird unmittelbar für die
Bearbeitung des Substrats verwendet, bevor die
reaktionsfähige Substanz verschwindet, und somit ist die
reaktionsfähige Substanz in der Lage, eine hohe
Bearbeitungsfähigkeit auszuüben. Wenn dieses Substrat-
Bearbeitungsverfahren, das die reaktionsfähige Substanz
verwendet, beispielsweise zum Entfernen einer Resistschicht
verwendet wird, die an Substraten ausgebildet ist, kann die
Resistschicht durch Hydroxylradikale in geeigneter Weise in
wasserlösliche Schichten umgewandelt werden, die durch
Wechselwirkung zwischen Dampf, d. h. einem Lösungsmittel, und
Ozongas, d. h. einem Betriebsgas, erzeugt werden. Das
Betriebsgas kann ein beliebiges geeignetes Gas außer Ozongas
sein, z. B. Chlorgas, Fluorgas, Wasserstoffgas, Chlorgas mit
reaktionsfähigen Radikalen, Fluorgas mit Radikalen und
Wasserstoffgas mit Radikalen.
Um die Aufgabe zu lösen, schafft die vorliegende Erfindung
ferner eine Substrat-Bearbeitungsvorrichtung mit einem
Bearbeitungsbehälter, der eine Bearbeitungskammer definiert,
in der Substrate bearbeitet werden, einem Betriebsgas-
Zuführbereich zum Zuführen eines Betriebsgases in die
Bearbeitungskammer in dem Bearbeitungsbehälter, einem
Lösungsmitteldampf-Zuführbereich zum Zuführen eines Dampfes
eines Lösungsmittels in die Bearbeitungskammer des
Bearbeitungsbehälters, und einem Substrat-Halteelement zum
Halten von Substraten in der Bearbeitungskammer in dem
Bearbeitungsbehälter.
Wünschenswerterweise weist die Substrat-
Bearbeitungsvorrichtung ferner ein Substrattemperatur-
Anpassungssystem zum Anpassen der Temperatur des Substrats
auf, das durch das Substrat-Halteelement in dem
Bearbeitungsraum in dem Bearbeitungsbehälter gehalten wird.
Das Substrattemperatur-Anpassungssystem kann eine
Heizeinrichtung sein, die in den Bearbeitungsbehälter
eingearbeitet ist, oder ein Temperaturanpassungs-
Gaszuführsystem zum Zuführen eines Gases mit einer
regulierten Temperatur in den Bearbeitungsraum in dem
Bearbeitungsbehälter.
Fig. 1 ist eine schematische vertikale Schnittansicht
einer Reinigungsvorrichtung bei einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines
Waferschiffchens, das als ein Wafer-Halteelement
dient;
Fig. 3 ist eine Schnittansicht zur Darstellung eines
ersten Schrittes eines Reinigungsverfahrens gemäß
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines
zweiten Schrittes des Reinigungsverfahrens gemäß
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines
dritten Schrittes des Reinigungsverfahrens gemäß
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 ist eine schematische vertikale Schnittansicht
einer Reinigungsvorrichtung einer weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 ist ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit
der Harzentfernungsrate von der Ozonkonzentration;
Fig. 8 ist ein Diagramm zur Darstellung der
Entfernungseigenschaften im Hinblick auf organische
Substanzen eines Vorgangs der Bearbeitung von
Wafern unter Verwendung von Ozon in einer unter
Druck gesetzten Umgebung;
Fig. 9 ist eine schematische vertikale Schnittansicht
einer Reinigungsvorrichtung in einer weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 10 ist eine Schnittansicht zur Darstellung eines
Vorgangs, der durch die Reinigungsvorrichtung, die
in Fig. 9 gezeigt ist, durchzuführen ist;
Fig. 11 ist eine schematische vertikale Schnittansicht
einer Reinigungsvorrichtung in einer noch weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 12 ist eine schematische vertikale Schnittansicht
einer Reinigungsvorrichtung in einer weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 13 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens, das durch
die in Fig. 12 gezeigte Reinigungsvorrichtung
durchzuführen ist;
Fig. 14 ist eine schematische vertikale Schnittansicht
einer Reinigungsvorrichtung in einer weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 15 ist ein Diagramm zur vergleichenden Darstellung der
Entfernungsrate eines Vorgangs der Bearbeitung von
Wafern unter Verwendung von Ozon in einer unter
Druck gesetzten Umgebung und der Entfernungsrate
eines Vorgangs der chemischen Bearbeitung von
Wafern unter Verwendung von SPM;
Fig. 16 ist eine schematische vertikale Schnittansicht
einer Reinigungsvorrichtung in einer weiteren
Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 17 ist eine vergrößerte schematische vertikale
Schnittansicht eines in Fig. 16 gezeigten
Bearbeitungsbehälters;
Fig. 18 ist eine perspektivische Ansicht eines
Körperelements des Bearbeitungsbehälters;
Fig. 19 ist eine perspektivische Ansicht zur Darstellung
des Bodens des Bearbeitungsbehälters;
Fig. 20 ist ein Leitungsdiagramm einer Dampfzuführeinheit;
Fig. 21 ist eine perspektivische Ansicht eines
Dampferzeugers;
Fig. 22 ist eine seitliche Ansicht einer Dampfdüse;
Fig. 23 ist ein Leitungsdiagramm einer Ozongas-
Zuführeinheit;
Fig. 24 ist ein Leitungsdiagramm einer Heißluft-
Zuführeinheit und einer Kühlluft-Zuführeinheit;
Fig. 25 ist eine perspektivische Ansicht eines
Heißlufterzeugers;
Fig. 26 ist eine Schnittansicht eines Gummiheizers, der mit
einem Temperatursensor versehen ist;
Fig. 27 ist eine perspektivische Ansicht des
Dampferzeugers, wobei der Heißlufterzeuger und
Leitungsvorrichtungen in einer Box enthalten sind;
Fig. 28 ist ein Leitungsdiagramm einer Ablasseinheit und
einer Entleereinheit;
Fig. 29 ist eine perspektivische Ansicht eines Ablass-
Sammelrohres;
Fig. 30 ist eine perspektivische Ansicht einer Nebelfalle;
Fig. 31 ist eine perspektivische Ansicht einer Abflussbox;
Fig. 32 ist eine perspektivische Ansicht eines Ablass-
Sammelrohres;
Fig. 33 ist ein Flussdiagramm eines Reinigungsverfahrens,
das durch die in Fig. 16 gezeigte
Reinigungsvorrichtung auszuführen ist;
Fig. 34 ist eine Diagrammansicht zur Erläuterung einer
Ablasseinheit und in einer Modifikation;
Fig. 35 ist ein Leitungsdiagramm einer Modifikation des
Dampferzeugers der in Fig. 16 gezeigten
Reinigungsvorrichtung;
Fig. 36 ist ein Leitungsdiagramm einer Modifikation der
Ozonerzeugungseinheit der in Fig. 16 gezeigten
Reguliervorrichtung;
Fig. 37 ist ein Leitungsdiagramm von Modifikationen der
Heißluft-Zuführeinheit und der Kühlluft-
Zuführeinheit der in Fig. 16 gezeigten
Reinigungsvorrichtung;
Fig. 38 ist eine Diagrammansicht zur Erläuterung der
Abwärtsströmung von Heißluft entlang eines Wafers;
Fig. 39 ist ein Flussdiagramm eines Reinigungsverfahrens,
das durch eine Reinigungsvorrichtung in einer
Modifikation der Reinigungsvorrichtung, die in
Fig. 16 gezeigt ist, durchzuführen ist;
Fig. 40 ist ein Diagramm zur Erläuterung eines
Reinigungsverfahrens, das durch die
Reinigungsvorrichtung in einer Modifikation der in
Fig. 16 gezeigten Reinigungsvorrichtung auszuführen
ist; und
Fig. 41 ist eine Diagrammansicht zur Erläuterung der
Erklärung der Abwärtsströmung der Heißluft entlang
eines Wafers, wenn ein Bearbeitungsbehälter mit
Drallplatten an seiner Innenfläche versehen ist.
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine Reinigungsvorrichtung in einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die
beispielsweise fünfundzwanzig Wafer in einer Ladung reinigen
kann. Die Reinigungsvorrichtung 1 verwendet Ozongas, um
Resistschichten von den Wafern W zu entfernen. Wie die Fig. 1
zeigt, weist die Reinigungsvorrichtung 1 einen
Bearbeitungsbehälter 2 auf, in dem die Wafer W gereinigt
werden. Der Bearbeitungsbehälter 2 weist einen Behälterkörper
3, der eine Kapazität aufweist, die hinreichend ist, um
beispielsweise fünfundzwanzig Wafer W zu enthalten, und eine
obere Abdeckung 4 auf, die abnehmbar an die Oberseite des
Behälterkörpers 3 derart angebracht ist, dass das obere Ende
des Behälterkörpers 3 geöffnet wird. Ein Dichtelement 5, wie
z. B. ein O-Ring, ist zwischen dem oberen Ende des
Behälterkörpers und der oberen Abdeckung, wie gezeigt in
Fig. 1, angeordnet, um den Zwischenraum zwischen dem
Behälterkörper 3 und der oberen Abdeckung 4 abzudichten, so
dass die Atmosphäre in dem Behälterkörper 3 nicht nach außen
ausfließen kann.
Ein Waferschiffchen 6, d. h. ein Wafer-Halteelement ist in dem
Behälterkörper 3 angeordnet, um Wafer W in einer aufrechten
Haltung zu halten. Das Waferschiffchen 6 weist drei
horizontale parallele Halteelemente 6a, 6b und 6c auf. Wie
Fig. 2 zeigt, ist jedes der Halteelemente 6a, 6b und 6c mit
fünfundzwanzig Nuten 7 versehen, die bei gleichen Abständen
ausgebildet sind. Die Halteelemente 6a, 6b und 6c nehmen
untere Umfangsabschnitte von Wafern W in den Nuten 7 auf, um
die Wafer W daran zu halten. Somit kann der Behälterkörper 3
fünfundzwanzig Wafer W enthalten, die bei gleichen Abständen
angeordnet sind. Das Waferschiffchen 6 weist einen Schaft 6d
zum Bewegen der Haltestangen 6a, 6b und 6c nach unten in der
Richtung des Pfeils Z zum Tragen der Wafer W in den
Behälterkörper 3 und zum Bewegen selbiger nach oben in der
Richtung des Pfeils Z zum Tragen der Wafer W aus dem
Behälterkörper 3 auf. Ein festes Waferschiffchen mit
Halteelementen, die fest in dem Bearbeitungsbehälter 2
angeordnet sind, kann anstelle des Waferschiffchens 6
verwendet werden.
Wie wiederum die Fig. 1 zeigt, ist eine Heizeinrichtung 8 an
einen oberen Bereich der Innenfläche des Behälterkörpers 3
derart angeordnet, dass sie die Wafer W, die an dem
Waferschiffchen 6 in dem Behälterkörper 3 gehalten sind,
umgibt. Die Heizeinrichtung wird durch eine Steuerungseinheit
9 gesteuert. Die Steuerungseinheit 9 sorgt für ein
Steuerungssignal, um die Wärmeerzeugungsrate der
Heizeinrichtung anzupassen, so dass die Wafer W, die in dem
Bearbeitungsbehälter 2 angeordnet sind, und die Umgebung oder
Atmosphäre um die Wafer bei einer vorbestimmten Temperatur
bleibt.
Eine Dampf-Zuführeinheit 11 ist in einem unteren Bereich des
Behälterkörpers 3 angeordnet, um Dampf 10 in den
Bearbeitungsbehälter 2 zuzuführen. Die Dampf-Zuführeinheit 11
weist eine heiße Platte 12, die an die Innenfläche der
Seitenwand des Behälterkörpers 3 befestigt ist, eine
Heizeinrichtung 13, die an die untere Fläche der heißen
Platte 12 angebracht ist, und eine Reinwasser-Zuführleitung
14 zum Tropfen von Reinwasser auf die obere Oberfläche der
heißen Platte 12 auf. Die Steuerungseinheit 9 sorgt für ein
Steuerungssignal, um die Wärmeerzeugungsrate der
Heizeinrichtung 13 anzupassen. Das Einlassende der
Reinwasser-Zuführleitung 14 ist mit einer Reinwasser
(destilliertes Wasser)-Quelle (DIW-Quelle) 15 verbunden, und
das Auslassende selbiger ist oberhalb der heißen Platte 12
angeordnet. Eine Strömungs-Steuerungseinrichtung 16 ist in
der Reinwasser-Zuführleitung 14 angeordnet. Die
Steuerungseinheit 9 sorgt für ein Steuerungssignal zur
Steuerung der Strömungs-Steuerungseinrichtung 16, um die
Strömungsrate von Reinwasser in der Reinwasser-Zuführleitung
14 zu regulieren. Wenn Reinwasser durch die Reinwasser-
Zuführleitung 14 auf die heiße Platte 12 getropft wird, die
durch die Heizeinrichtung 13 erwärmt wird, wird Reinwasser in
Dampf verdampft, um das Innere des Bearbeitungsbehälters 2
mit Dampf 10 zu füllen. Das auf die heiße Platte 12 getropfte
und nicht verdampfte Reinwasser wird in dem Boden des
Behälterkörpers 3 gesammelt und durch eine Ablassleitung 17
abgelassen.
Eine Ozongas-Zuführleitung 21 ist mit der oberen Abdeckung 4
verbunden, um Ozongas 20 in den Bearbeitungsbehälter 2
zuzuführen. Die Ozongas-Zuführleitung 21 weist ein
Einlassende auf, das mit einer Ozongasquelle 22 verbunden
ist. Eine Strömungs-Steuerungseinrichtung 23 und eine
UV-Lampe (Ultraviolettlampe) 24 sind in der Ozongas-
Zuführleitung 21 angeordnet. Die Strömungs-
Steuerungseinrichtung 23 ist mit der Steuerungseinheit 9
verbunden. Die Steuerungseinheit 9 sorgt für ein
Steuerungssignal zur Steuerung der Strömungsrate des durch
die Ozongas-Zuführleitung 21 strömenden Ozongases 20, indem
die Strömungs-Steuerungseinrichtung 23 gesteuert wird. Die
UV-Lampe 24 bestrahlt das Ozongas 20, das durch die Ozongas-
Zuführleitung 21 strömt, mit UV-Strahlen, um Ozon zu
aktivieren. Eine Ablassleitung 25 ist mit der oberen
Abdeckung 4 zum Evakuieren des Bearbeitungsbehälters 2
verbunden.
Dampf 10 kondensiert in Reinwasserschichten an den
Oberflächen der Wafer W in der Reinigungsvorrichtung 1. Die
Steuerungseinheit 9 gibt ein Steuerungssignal zu der
Heizeinrichtung 13, um die Wärmeerzeugungsrate der
Heizeinrichtung 13 anzupassen, so dass der Dampf 10
hinreichend erzeugt wird, und gibt ein Steuerungssignal zu
der Heizeinrichtung 8, um die Wafer W bei einer Temperatur
niedriger als derjenigen des Dampfes 10 zu erwärmen. Somit
wird der Unterschied zwischen der Temperatur der Wafer W und
dem Taupunkt des Dampfes 10 gesteuert, um zu bewirken, dass
der Dampf 10 in einem optimalen Zustand an den Oberflächen
der Wafer W kondensiert. Das Ozongas 20 löst sich in den
Reinwasserschichten, die an den Oberflächen der Wafer W
ausgebildet sind, auf, um ozonhaltige Wasserschichten an den
Oberflächen der Wafer W auszubilden. Die Oberflächen der
Wafer W werden mit den ozonhaltigen Wasserschichten
gereinigt. Die Steuerungseinheit 9 führt die folgenden
Steuerungsvorgänge aus. Die Steuerungseinheit 9 gibt ein
Steuerungssignal zu der Strömungs-Steuerungseinrichtung 16,
um die Dicke der Reinwasserschichten durch Anpassen der
Erzeugungsrate des Dampfes 10 anzupassen. Die
Steuerungseinheit 9 gibt ein Steuerungssignal an die
Strömungs-Steuerungseinrichtung 23, um die Strömungsrate des
Ozongases 20 gemäß der Dicke der Reinwasserschicht
anzupassen, so dass ein Zustand, in dem sich das Ozongas 20
nur in den Oberflächenschichten der Reinwasserschicht
auflöst, vermieden wird, und das Ozongas 20 sich sicher in
geeigneter Weise in den gesamten Reinwasserschichten auflöst.
Die Reinigungsvorrichtung 1 ist zusätzlich zu den
vorangegangenen Elementen und Einheiten mit Reinwasser-
Zuführdüsen 26, die Reinwasser gegen die Oberfläche der Wafer
W zum Abspülen ausstoßen, und mit Inertgas-Zuführdüsen 27
versehen, die Stickstoff (N2)-Gas (ein Inertgas) gegen die
Oberfläche der Wafer zum Trocken ausstoßen.
Ein Reinigungsverfahren, das durch die Reinigungsvorrichtung
1 durchgeführt werden kann, wird nachfolgend beschrieben.
Resistschichten 30 sind an Oberflächen der Wafer W, wie
gezeigt in Fig. 3, ausgebildet. Fünfundzwanzig Wafer W,
jeweils mit einer Oberfläche mit den Resistschichten
überzogen, werden in dem Bearbeitungsbehälter 2, wie in
Fig. 1 gezeigt, angeordnet. Die Resistschichten 30 weisen
beispielsweise eine Dicke von 1200 nm auf.
Die Heizeinrichtung 13 wird betrieben, um die heiße Platte 12
bei beispielsweise 120°C zu erwärmen, Reinwasser wird auf die
heiße Platte 12 durch die Reinwasser-Zuführleitung 14 zur
Erzeugung des Dampfes 10 mit 120°C in den
Bearbeitungsbehälter 2 getropft. Ozongas 20 mit einer
Ozonkonzentration von beispielsweise etwa 192 g/m3 (normal)
(etwa 9 Volumenprozent) wird durch die Ozongas-Zuführleitung
21 in den Bearbeitungsbehälter 2 zugeführt. Somit werden der
Dampf 10 bzw. das Ozongas 20 durch getrennte Einrichtungen
zugeführt.
Die Heizeinrichtung 8 wird mit Energie versorgt, um die Wafer
W, die in dem Bearbeitungsbehälter 2 angeordnet sind, bei
einer vorbestimmten Temperatur zu erwärmen. Die vorbestimmte
Temperatur der Wafer W wird derart eingestellt, dass sie
geringer ist als der Taupunkt des Dampfes 20, und derart,
dass sie für ein optimales Reinigungsverfahren unter
Verwendung von Ozon geeignet ist. Da die Temperatur der Wafer
W geringer ist als der Taupunkt des Dampfes 10 kondensiert
der Dampf 10 an den Oberflächen der Wafer W, um
Reinwasserschichten 31 an den Oberflächen der Wafer W, wie
gezeigt in Fig. 4, auszubilden. Das Ozongas 20 löst sich in
den Reinwasserschichten 31 auf.
Somit löst sich das Ozongas 20 in den Reinwasserschichten 31
zur Erzeugung von ozonhaltigen Wasserschichten mit
zahlreichen Sauerstoffradikalen an der Oberfläche der Wafer W
auf. Die Sauerstoffradikale, die an der Oberfläche der Wafer
W erzeugt werden, bewirken eine Oxidationsreaktion, bevor sie
verschwinden, wodurch das Resist, das die Resistschichten
ausbildet, in Carbonsäure, Kohlendioxid, Wasser und
dergleichen zerlegt wird. Dann werden, wie in Fig. 5 gezeigt,
die Resistschichten 30 oxidiert, und das die Resistschicht
bildende Resist wird vollständig durch die ozonhaltigen
Wasserschichten zerlegt, und die Resistschichten 30 werden in
wasserlösliche Schichten 32 verändert. Die wasserlöslichen
Schichten 32 können leicht durch einen nachfolgenden
Abwaschschritt unter Verwendung von Reinwasser entfernt
werden.
Dieses Reinigungsverfahren bildet die Reinwasserschichten 31
an den Oberflächen der Wafer W aus und bewirkt, dass sich das
Ozongas 20 in den Reinwasserschichten 31 auflöst. Nachfolgend
können die Reinwasserschichten 31 in ozonhaltige
Wasserschichten verändert werden, die in der Lage sind, die
Resistschichten 30 zu entfernen. Da die ozonhaltige
Wasserschicht an den Wafern W unmittelbar vor der Reaktion
ausgebildet werden kann, kann eine hohe Bearbeitungsfähigkeit
der ozonhaltigen Wasserschichten für die Entfernung der
Resistschichten 30 verwendet werden, bevor die
Ozonkonzentration derselben mit der Zeit abnimmt. Somit
können die Wafer W mit Oberflächen, die mit den
Resistschichten überzogen sind, wirksam unter Verwendung von
Ozon bearbeitet werden.
Ferner wird, da der Dampf 10 an die Oberflächen der Wafer W
zugeführt wird, die bei einer Temperatur niedriger als dem
Taupunkt des Dampfes 10 gehalten werden, die Kondensation des
Dampfes 10 an den Oberflächen der Wafer W sichergestellt, und
die dünnen Reinwasserschichten 31 können sicher und leicht an
den Oberflächen der Wafer W ausgebildet werden. Die dünnen
Reinwasserschichten 31 können in die ozonhaltigen
Wasserschichten mit hoher Ozonkonzentration verändert werden,
und somit kann das Reinigungsverfahren unter Verwendung von
Ozon schnell ausgeführt werden. Das Ozongas 20 wird
fortlaufend durch die Ozongas-Zuführleitung 21 zugeführt, um
die Reinwasserschichten 31 mit Ozon durch fortlaufendes
Auflösen des Sauerstoffgases 20 in den Reinwasserschichten 31
nachzufüllen. Nachfolgend kann hinreichendes Ozon durch die
dünnen Reinwasserschichten 31 zu den Resistschichten 30
zugeführt werden, um eine hohe Reaktionsrate
aufrechtzuerhalten. Im wünschenswerter Weise werden die
Reinwasserschichten 31 und die ozonhaltigen Wasserschichten
in einer Dicke ausgebildet, die ein wenig größer ist als eine
Tropfenbildungsdicke. Die Wafer W werden bei einer Temperatur
gehalten, die geringer ist als der Taupunkt des Dampfes 10
und wirksam ist für die Unterstützung der aktiven
Oxidationsreaktion, so dass der Reinigungsvorgang unter
Verwendung von Ozon unterstützt werden kann.
Nachdem die Wafer W gereinigt wurden, wird Reinwasser durch
die Reinwasser-Zuführdüsen 26 gegen die Oberflächen der Wafer
W ausgestoßen, um die wasserlöslichen Schichten 31 zum
Abspülen abzuwaschen, und dann wird N2-Gas (Inertgas) durch
die Inertgas-Zuführdüsen 27 zum Entfernen von
Flüssigkeitstropfen von den Wafern W zum Trocknen
ausgespritzt. Nachfolgend wird die obere Abdeckung 4
entfernt, um den Behälterkörper 3 zu öffnen, und die Wafer W
werden aus der Reinigungsvorrichtung 1 genommen. Die Wafer W
können aus der Reinigungsvorrichtung 1, unmittelbar nachdem
die Resistschichten 30 entfernt wurden, entnommen werden, und
die Wafer W können durch eine Abspülvorrichtung und eine
Trocknungsvorrichtung anstelle dessen, dass selbige in der
Reinigungsvorrichtung 1 abgespült und getrocknet werden,
abgespült und getrocknet werden.
Das Reinigungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung
bildet die ozonhaltigen Wasserschichten mit einer hohen
Reinigungsfähigkeit an den Oberflächen der Wafer W
unmittelbar vor dem Reinigen aus. Folglich können die Wafer W
wirksam durch den Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon
bearbeitet werden, und die Resistschichten 30 können
vollständig entfernt werden. Die Reinigungsvorrichtung 1 bei
dieser Ausführungsform der Erfindung ist in der Lage, das
vorangehend erklärte Reinigungsverfahren in geeigneter Weise
durchzuführen.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese praktische
Anwendung der vorangehenden Ausführungsform beschränkt.
Beispielsweise wird bevorzugt, eine kleine Menge von
Katalysatorgas, wie z. B. NOx-Gas, in den Bearbeitungsbehälter
zuzuführen, um die Erzeugung von Sauerstoffradikalen in den
Flüssigkeitsschichten für die Aktivierung der
Oxidationsreaktion zu unterstützen. Obwohl die
Dampfzuführeinheit innerhalb des Bearbeitungsbehälters
angeordnet ist, um Dampf innerhalb der Reinigungsvorrichtung
dieser Ausführungsform zu erzeugen, kann Dampf, der außerhalb
der Reinigungsvorrichtung erzeugt wurde, in den
Bearbeitungsbehälter zugeführt werden. Wenn der Dampf durch
einen äußeren Dampferzeuger zugeführt wird, muss der
Bearbeitungsbehälter nicht die Dampfzuführeinheit darin
enthalten, und somit kann die Reinigungsvorrichtung in eine
kompakte Gestaltung ausgebildet werden.
Eine Reinigungsvorrichtung 40 in einer weiteren
Ausführungsform der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die
Fig. 6 beschrieben, bei der Teile, die ähnlich zu denjenigen
der Reinigungsvorrichtung 1 sind, oder diesen entsprechen,
durch die gleichen Referenznummern bezeichnet sind, und deren
Beschreibung wird zur Vermeidung von Wiederholungen
weggelassen.
Die Reinigungsvorrichtung 1 bei der oben beschriebenen
Ausführungsform lässt das Gas in dem Bearbeitungsbehälter
durch die Ablassleitung 25 frei ab. Wie in Fig. 6 gezeigt
ist, weist die Reinigungsvorrichtung 40 eine Ablassleitung 41
auf, die mit einer Strömungs-Steuerungseinrichtung 42
versehen ist, um den Druck in einem Bearbeitungsbehälter 2 zu
steuern. Die Strömungs-Steuerungseinrichtung 42 wird durch
eine Steuerungseinheit 9 gesteuert. Ein Drucksensor 43 ist
innerhalb des Bearbeitungsbehälters 2 angeordnet. Der
Drucksensor 43 gibt ein Drucksignal zu der Steuerungseinheit
9. Die Steuerungseinheit 9 steuert die Strömungs-
Steuerungseinrichtung 42 auf der Basis des Drucksignals, um
die Strömung des Gases zu steuern, das durch die
Ablassleitung 41 strömt. Eine Ozongasquelle 22 führt das
Ozongas bei einem Zuführdruck von 196 kPa zu. Somit wird das
innere des Bearbeitungsbehälters 2 bei einem vorbestimmten
Überdruck von beispielsweise 196 kPa gehalten.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, weist die Reinigungsvorrichtung 40
einen Betriebsgas-Zuführbereich 44 mit einem Einlassende, das
mit einer Dampfzuführquelle 46 verbunden ist, und einem
Auslassende, das mit dem Boden des Bearbeitungsbehälters 2
verbunden ist, auf. Die Dampf-Zuführeinheit 44 ist mit einer
Strömungs-Steuerungseinrichtung 45 versehen. Die Dampfquelle
46 weist einen Dampferzeugungsbehälter 47, eine Reinwasser-
(destilliertes Wasser-)Quelle 48, eine Reinwasser-
Zuführleitung 49, eine heiße Platte 50, eine Heizeinrichtung
51 und ein Ablassrohr 52 auf. Die Steuerungseinheit 9 steuert
die Strömungs-Steuerungseinrichtung 45 zur Steuerung der
Strömung des Dampfes 10 durch die Dampf-Zuführeinheit 44.
Eine N2-Gas-Zuführleitung 60 ist mit Inertgas-Zuführdüsen 27
verbunden. Die N2-Gas-Zuführleitung 60 ist in eine erste und
zweite Zweigleitung gegabelt. Die erste Zweigleitung ist
durch eine Strömungs-Steuerungseinrichtung 62 mit einem N2-
Gas-Behälter 61 verbunden, der N2-Gas enthält. Die zweite
Zweigleitung ist durch eine Strömungs-Steuerungseinrichtung
64 mit einem heißen N2-Gas-Behälter 63 verbunden, der N2-Gas
enthält, das auf beispielsweise 150°C erwärmt ist. Die
Steuerung 9 steuert die Strömungs-Steuerungseinrichtung 62
und 64 zur Zuführung des N2-Gases oder des heißen N2-Gases zu
den Inertgas-Zuführdüsen 27. Ein Ablassrohr 65 ist mit einem
unteren Teil des Bearbeitungsbehälters 2 verbunden.
Ein Reinigungsverfahren, das durch die Reinigungsvorrichtung
40 durchzuführen ist, wird beschrieben. Wafer W mit einer
gewöhnlichen Temperatur (23°C) werden in dem
Bearbeitungsbehälter 2 angeordnet. Die Heizeinrichtung 8 wird
beispielsweise auf 115°C betrieben, um die Wafer W auf eine
vorbestimmte Temperatur zu erwärmen. Das Ozongas 20 wird bei
einem Zuführdruck von 196 kPa durch die Ozongas-Zuführleitung
21 in den Bearbeitungsbehälter 2 zugeführt, und gleichzeitig
wird das heiße N2-Gas von beispielsweise 150°C durch die
Inertgas-Zuführdüsen 27 gegen die Oberflächen der Wafer W
ausgestoßen. Folglich können die Wafer W unmittelbar auf die
vorbestimmte Temperatur erwärmt werden.
Nachdem die Wafer W auf die vorbestimmte Temperatur erwärmt
wurden, wird die Zuführung des heißen N2-Gases angehalten,
und der Dampf 10 wird durch die Dampf-Zuführeinheit 44 in den
Bearbeitungsbehälter 20 derart zugeführt, dass der Dampf 20
auf die Oberflächen der Wafer W aufgebracht wird. Die
Strömungs-Steuerungseinrichtung 42 der Ablassleitung 41 ist
derart gesteuert, dass sie das Gas bei einer geringen
Ablassrate von dem Bearbeitungsbehälter 2 ablässt, so dass
das Innere des Bearbeitungsbehälters 20 bei 196 kPa gehalten
wird. Die Ozonkonzentration des Ozongases 20 wird in dem
Bearbeitungsbehälter 20 erhöht.
Der Dampf 10 kondensiert an den Oberflächen der Wafer W in
Reinwasserschichten 31. Das Ozongas 20, das in den
Bearbeitungsbehälter 2 zugeführt wird, löst sich in den
Reinwasserschichten 31 zur Ausbildung von ozonhaltigen
Wasserschichten 32. Ein Reinigungsvorgang unter Verwendung
von Ozon kann schnell durch die Wirksamkeit der ozonhaltigen
Wasserschichten durchgeführt werden, die an den Oberflächen
der Wafer W ausgebildet werden.
Wenn der Dampf 10 auf die Wafer W aufgebracht wird, die bei
der gewöhnlichen Temperatur gehalten werden, kondensiert der
Dampf 10 übermäßig an den Oberflächen der Wafer W, und eine
große Anzahl von Wassertropfen bilden sich an den Oberflächen
der Wafer W, weil der Unterschied zwischen der Temperatur der
Wafer W und dem Taupunkt des Dampfes 10 groß ist. Wenn
Reinwasserschichten 31 in einer derart großen Dicke
ausgebildet werden, wird die Bearbeitungsfähigkeit der
Reinigungsvorrichtung 40 verringert werden.
Der Dampf 10 kann in Reinwasserschichten 31 mit geeigneter
Dicke kondensiert werden, indem der Dampf 10 an die
Oberflächen der Wafer W eingeführt wird, nachdem die Wafer
auf die vorbestimmte Temperatur, wie oben erwähnt, erwärmt
wurden. Somit können die dünnen Reinwasserschichten 31 sicher
an den Oberflächen der Wafer W ausgebildet werden, so dass
die Verringerung der Bearbeitungsfähigkeit vermieden werden
kann. Da die Wafer W in einer Umgebung von 196 kPa angeordnet
werden, kann eine vergrößerte Menge des Ozongases 20 in den
Reinwasserschichten 31 aufgelöst werden, so dass die
ozonhaltigen Wasserschichten mit einer sehr hohen
Ozonkonzentration ausgebildet werden können. Folglich kann
die Bearbeitungsfähigkeit weiter verbessert werden.
Nachdem Resistschichten 30 an den Wafern W entfernt wurden,
werden die Wafer W aus dem Bearbeitungsbehälter 2 genommen,
die Wafer W werden nacheinander zu einer Abspülvorrichtung
und einer Trocknungsvorrichtung zum Abspülen und Trocknen
getragen. Die Zuführung des Dampfes 10 und des Ozongases 20
in den Bearbeitungsbehälter 2 wird angehalten. Flüssigkeiten,
die in dem Bearbeitungsbehälter 2 verbleiben, werden durch
das Ablassrohr 65 abgelassen. Die Strömungs-
Steuerungseinrichtung 42 wird vollständig geöffnet, N2-Gas
wird durch die Inertgas-Zuführdüsen 27 in den
Bearbeitungsbehälter 2 für ein N2-Gas-Ausblasen zugeführt.
Nachfolgend wird der Bearbeitungsbehälter 2 von dem Dampf 10
und dem Ozongas 20 ausgeblasen, und das Innere des
Bearbeitungsbehälters wird getrocknet. Nachdem die
bearbeiteten Wafer W von dem Bearbeitungsbehälter 2
herausgenommen wurden, werden Wafer W mit einer gewöhnlichen
Temperatur, die zu bearbeiten sind, in dem nachfolgenden
Bearbeitungszyklus in den Bearbeitungsbehälter 2 getragen.
Wenn die Wafer W mit der gewöhnlichen Temperatur in dem
Bearbeitungsbehälter 2 angeordnet werden, wobei etwas von dem
Dampf 10 in dem Bearbeitungsbehälter 2 verbleibt, werden die
Oberflächen der Wafer W mit einer großen Menge von Reinwasser
genässt. Da die Dampfquelle 46 von dem Bearbeitungsbehälter 2
getrennt ist, kann die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 2
leicht gewechselt werden, und somit können die Oberflächen
der Wafer W trockengehalten werden, bis die Wafer W auf eine
vorbestimmte Temperatur erwärmt werden, und der Dampf in den
Bearbeitungsbehälter 2 zugeführt wird.
Dieses Reinigungsverfahren verkürzt die Zeit, die
erforderlich ist, um die Wafer W auf die vorbestimmte
Temperatur unter Verwendung des heißen N2-Gases zu erwärmen,
und verkürzt die Zeit, die erforderlich ist, um die
ozonhaltigen Wasserschichten 32 durch Zuführen des Ozongases
20 in dem Bearbeitungsbehälter 2 auszubilden, bevor der Dampf
10 in den Bearbeitungsbehälter 2 zugeführt wird. Deshalb kann
der Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon schnell
durchgeführt werden, und die Reinigungsvorrichtung 40 ist in
der Lage, bei einem hohen Durchsatz betrieben zu werden. Da
die Wafer W in der unter Druck gesetzten Umgebung bearbeitet
werden, löst sich Ozon in den Reinwasserschichten 20 in einer
hohen Ozonkonzentration auf. Folglich können die
Resistschichten von den Wafern W bei einer hohen Effizienz
entfernt werden, und die Wirkung des Reinigungsvorganges
unter Verwendung von Ozon kann weiter verbessert werden.
Die Reinigungsvorrichtung 40 führt den Dampf 10 durch die
Dampf-Zuführleitung 44 in den Bearbeitungsbehälter 2 zu.
Deshalb kann der Feuchtigkeitsanteil der Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 2 leicht angepasst werden, und die
Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 2 kann getrocknet
werden. Da die Heizeinrichtung 51 Wärme in der Dampfquelle 46
erzeugt, sind die Wafer W, die in der Bearbeitungskammer 2
angeordnet sind, nicht durch den Wärmeeinfluss der
Heizeinrichtung 51 betroffen. Demzufolge werden die Wafer W
nicht übermäßig über eine erforderliche Temperatur erwärmt,
und somit ist es möglich, beispielsweise eine unerwünschte
Situation zu vermeiden, bei der die Wafer W auf eine
Temperatur höher als dem Taupunkt des Dampfes 10 erwärmt
werden, und der Dampf 10 Schwierigkeiten hat, an den Wafern W
zu kondensieren, die Reinwasserschichten nicht ausgebildet
werden können, und der Reinigungsvorgang unter Verwendung von
Ozon nicht erreicht werden kann. Die Reinigungsvorrichtung 1,
die in Fig. 1 gezeigt ist, sowie die Reinigungsvorrichtung 40
können mit einer Strömungs-Steuerungseinrichtung versehen
sein, die in der Ablassleitung 25 angeordnet ist, und die
Wafer können in einer unter Druck gesetzten Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 2 bearbeitet werden.
Ergebnisse eines Testbetriebs der Reinigungsvorrichtung 40 in
der oben beschriebenen Ausführungsform werden erläutert.
Wafer, die mit einer Schicht eines organischen Materials
(BARC) überzogen waren, wurden einem Reinigungsvorgang
unterworfen. Die Abhängigkeit der Schicht-Entfernungsrate von
der Ozonkonzentration von Ozongas wurde untersucht. Gemessene
Ergebnisse sind in Fig. 7 gezeigt, in der die
Ozonkonzentration (g/m3 (normal)) an der horizontalen Achse
gemessen ist, und die Schicht-Entfernungsrate (nm/s) an der
vertikalen Achse gemessen ist. Wie aus Fig. 7 offensichtlich
ist, vergrößerte sich die Schicht-Entfernungsrate mit einer
Vergrößerung der Ozonkonzentration.
Wafer, die mit einer organischen Schicht überzogen waren,
wurden einem Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon in
einer unter Druck gesetzten Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter unterworfen, um die
Bearbeitungsfähigkeit der Reinigungsvorrichtung 40 zu
untersuchen. Ozongas mit einer Ozonkonzentration von etwa
162 g/m3 (normal) (etwa 7,6 Volumenprozent) wurde verwendet.
Die Bearbeitungszeit betrug drei Minuten, und die
Anfangsdicke der organischen Schicht betrug 67,4 nm. Da die
Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter unter Druck gesetzt ist,
steigt der Kochpunkt des Reinwassers in dem
Bearbeitungsbehälter an. Die Abhängigkeit der Dicke der
Schicht, die nach der Bearbeitung verbleibt, und der
Temperatur des Wafers für die Reinwassertemperatur, d. h.
Dampftemperaturen 80°C, 90°C, 100°C und 120°C, ist in Fig. 8
gezeigt, in der die Temperatur (°C) des Wafers an der
horizontalen Achse gemessen, und die Dicke (nm) der Schicht,
die nach der Bearbeitung verbleibt, an der vertikalen Achse
gemessen ist.
In Fig. 8 steht eine Kurve a für 80°C Reinwassertemperatur,
eine Kurve b ist eine Kurve für 90°C Reinwassertemperatur,
eine Kurve c ist für 100°C Reinwassertemperatur, eine Kurve d
ist für 110°C Reinwassertemperatur, und eine Kurve e ist für
120°C Reinwassertemperatur.
Wie aus den Kurven a bis e in Fig. 8 hervorgeht, ist die
Dicke der verbleibenden Schicht desto kleiner, je höher die
Temperatur des Reinwassers ist. Es ist von dieser Tatsache
bekannt, dass die Leistung im Hinblick auf die Entfernung der
organischen Schicht zufriedenstellend ist, wenn Reinwasser
mit einer hohen Temperatur verwendet wird, die Reaktionsrate
vergrößert sich gemäß der Vergrößerung der Temperatur des
Reinwassers, und der Reinigungsvorgang unter Verwendung von
Ozon wird aktiviert. Es ist anhand der Kurven b, d und e
bekannt, dass die Menge der entfernten organischen Schicht
sich mit der Vergrößerung der Temperatur des Wafers
vergrößert, und der Dampf in geeigneter Weise, und bei einem
Optimum, kondensiert, dünne Reinwasserschichten ausgebildet
werden, wenn die Temperatur der Wafer die Temperatur des
Dampfes annähert, und der Unterschied zwischen den jeweiligen
Temperaturen des Wafers und des Dampfes sich verringert.
Es wird gefolgert, dass, je dünner die Reinwasserschicht, das
Ozongas in der Lage ist, tiefer in die Reinwasserschicht
einzudringen, um eine ozonhaltige Wasserschicht mit hoher
Ozonkonzentration auszubilden, und die organische Schicht
wirksam durch die ozonhaltige Wasserschicht entfernt werden
kann. Es wird ferner gefolgert, dass die ozonhaltige
Wasserschicht mit hoher Ozonkonzentration die Schicht-
Entfernungsrate, wie oben in Zusammenhang mit Fig. 7 erwähnt,
vergrößert hat. Die Menge der entfernten organischen Schicht
verringert sich mit einer Vergrößerung der Wafertemperatur,
wenn die Wafertemperatur sich über 80°C in der Kurve b
vergrößert, über 90°C in der Kurve d, und über 100°C in der
Kurve e. Es wird anhand der Kurven b, d und e gefolgert, dass
es schwierig ist, eine Reinwasserschicht auszubilden, wenn
die Wafertemperatur äußerst nahe an der Temperatur des
Dampfes liegt, und folglich kann der Reinigungsvorgang unter
Verwendung von Ozon nicht unterstützt werden.
Wafer, die mit einer organischen Schicht überzogen waren,
wurden einem Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon und
Reinwasser mit 90°C in einer nicht unter Druck gesetzten
Umgebung unterworfen. Das Ergebnis dieses Vorgangs ist bei
einem Punkt f in Fig. 8 angezeigt. Wenn die gleichen Wafer
dem gleichen Vorgang in einer Umgebung von 196 kPa
unterworfen wurden, verlagerte sich der Punkt f zu einem
Punkt b1 auf der Kurve b; d. h. die Menge der entfernten
organischen Schicht wurde durch die Umgebung um 196 kPa
verdoppelt. Es ist anhand dieser Tatsache bekannt, dass die
unter Druck gesetzte Atmosphäre, in der die Wafer bearbeitet
werden, die Bearbeitungsfähigkeit der ozonhaltigen
Wasserschicht vergrößert.
Da die ozonhaltige Wasserschicht mit einer hohen
Bearbeitungsfähigkeit an den Oberflächen der Wafer
unmittelbar vor Beginn des Reinigungsvorgangs ausgebildet
wird, können die Wafer wirksam bearbeitet werden. Folglich
können Stoffe, die an den Oberflächen der Wafer haften, wie
z. B. organische Substanzen, metallische Substanzen, Teilchen
und natürliche Oxide, vollständig entfernt werden.
Eine Reinigungsvorrichtung 100 in einer weiteren
Ausführungsform der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die
Fig. 9 beschrieben. Die Reinigungsvorrichtung 100 ist in der
Lage, fünfzig Wafer W in einer Ladung zu bearbeiten. Die
Reinigungsvorrichtung 10 ist dafür gedacht, Resistschichten
von den Oberflächen der Wafer W unter Verwendung von Ozongas
zu entfernen.
Wie die Fig. 9 zeigt, weist die Reinigungsvorrichtung einen
Bearbeitungsbehälter 102, in dem Wafer W bearbeitet werden,
ein Waferschiffchen 6, d. h. ein Wafer-Halteelement, zum
Halten der Wafer W in dem Bearbeitungsbehälter 102, eine
Dampfzuführeinheit 105, d. h. ein Lösungsmitteldampf-
Zuführsystem, zum Zuführen von Dampf 104 in den
Bearbeitungsbehälter 102, eine Ozongas-Zuführeinheit 107,
d. h. ein Betriebsgas-Zuführsystem, zum Zuführen von Ozongas
106 in den Bearbeitungsbehälter 102, und eine N2-Gas-
Zuführeinheit 109, d. h. ein Trocknungsgas-Zuführsystem, zum
Zuführen von heißem N2-Gas (Trocknungsgas), in den
Bearbeitungsbehälter 102 auf.
Der Bearbeitungsbehälter 102 weist einen Behälter 110, der in
der Lage ist, beispielsweise fünfzig Wafer W zu enthalten,
und eine entfernbare obere Abdeckung 111 auf, die das offene
obere Ende des Behälterkörpers 110 abdeckt. Ein Lippen-O-Ring
113 ist zwischen dem offenen oberen Ende des Behälterkörpers
110 und der oberen Abdeckung 111, wie gezeigt, angeordnet, um
einen Zwischenraum zwischen dem Behälterkörper 110 und der
oberen Abdeckung 111 abzudichten, so dass die Umgebung in
einer Ozon-Bearbeitungskammer 115, die durch den
Behälterkörper 110 definiert ist, nicht nach außen strömen
kann.
Eine Lampen-Heizeinrichtung 120 ist an der Außenfläche der
oberen Wand der oberen Abdeckung 111 angebracht. Eine
Steuerungseinheit 121 steuert die zu der Lampen-
Heizeinrichtung 120 zugeführte Energie, um die Wärme zu
steuern, die durch die Lampen-Heizeinrichtung 120 erzeugt
wird, damit die Wafer W und die Umgebung, welche die Wafer W
umgibt, auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt werden.
Ablass-Sammelrohre 122 sind in dem Bearbeitungsbehälter 2
angeordnet, um die Umgebung in der Ozon-Bearbeitungskammer
115 anzusaugen, und selbige zur Außenseite abzulassen. Ein
Ablassrohr 123, das mit einem Ablasssystem der Anlage
verbunden ist, ist mit den Ablass-Sammelrohren 122 verbunden.
Das Waferschiffchen 6 ist ähnlich zu demjenigen, das in
Fig. 2 gezeigt ist, und ist in der Lage, beispielsweise
fünfzig Wafer W zu halten, die bei gleichen Abständen in
einer vertikalen Haltung angeordnet sind. Die Dampf-
Zuführeinheit 105 ist in einem Bodenbereich des
Behälterkörpers 110 angeordnet. Die Dampf-Zuführeinheit 105
weist eine heiße Platte 130, die an eine Innenfläche der
Seitenwand des Behälterkörpers 110 befestigt ist, eine
Heizvorrichtung 131, die an die untere Oberfläche der heißen
Platte 130 angebracht ist, und eine Reinwasser-Zuführleitung
132 zum Tropfen von Reinwasser auf die obere Fläche der
heißen Platte 130 auf. Die Steuerungseinheit 121 steuert die
Energiezuführung zu der Heizeinrichtung 131, um die
Wärmeerzeugungsrate der Heizeinrichtung 131 zu steuern. Das
Einlassende der Reinwasser-Zuführleitung 132 ist mit einer
Reinwasser-Quelle 133 verbunden, und das Auslassende selbiger
ist oberhalb der heißen Platte 130 angeordnet. Ein
Abschlussventil 135 und eine Strömungs-Steuerungseinrichtung
136 sind in der Reinwasser-Zuführleitung 132 angeordnet. Die
Steuerungseinheit 121 steuert das Abschlussventil 135 und die
Strömungs-Steuerungseinrichtung 136. Die Steuerungseinheit
121 sorgt für ein Steuerungssignal zum Öffnen oder Schließen
des Abschlussventils 135 und sorgt für ein Steuerungssignal
zur Anpassung der Strömungsrate von Reinwasser durch die
Reinwasser-Zuführleitung 132 durch Steuerung der Öffnung der
Strömungs-Steuerungseinrichtung 136. Wenn Reinwasser durch
die Reinwasser-Zuführleitung 132 auf die erwärmte heiße
Platte 130, die durch die Heizeinrichtung 131 erwärmt wurde,
getropft wird, wird Reinwasser in Dampf 104 verdampft. Das
Innere des Bearbeitungsbehälters 102 ist mit dem Dampf 104
angefüllt. Das auf die heiße Platte 12 getropfte und nicht
verdampfte Reinwasser wird in dem Boden des Behälterkörpers
110 gesammelt und wird durch ein Ablassrohr 137 abgelassen.
Die Ozongas-Zuführeinheit 107 weist eine Ozonquelle 140, die
Ozongas 106 erzeugt und zuführt, eine Ozongas-Zuführleitung
141 zum Tragen des durch die Ozongasquelle 140 erzeugten
Ozongases 106 und Ozongas-Ausspritzdüsen 142 zum Ausspritzen
des Ozongases 106, das durch die Ozongas-Zuführleitung 141
getragen wird, in den Bearbeitungsbehälter 102 auf. Die
Ozongas-Zuführleitung 141 ist mit einem Abschlussventil 143,
einer Strömungs-Steuerungseinrichtung 144 und einer UV-Lampe
145 versehen. Das Abschlussventil 143 und die Strömungs-
Steuerungseinrichtung 144 werden durch die Steuerungseinheit
121 gesteuert. Die Steuerungseinheit 121 sorgt für ein
Steuerungssignal zum Öffnen oder Schließen des
Abschlussventils 143. Die Steuerungseinheit 121 sorgt für ein
Steuerungssignal zur Steuerung der Strömungs-
Steuerungseinrichtung 144 zur Anpassung der Strömungsrate des
Ozongases 106 in der Ozongas-Zuführleitung 141. Die UV-Lampe
145 bestrahlt das Ozongas 106, das durch die Ozongas-
Zuführleitung 141 strömt, mit UV-Strahlen, um Ozon zu
aktivieren.
Die Inertgas-Zuführeinheit 109 weist eine N2-Gas-
Zuführleitung 150 zum Tragen von N2-Gas oder heißem N2-Gas
108 und N2-Gas-Zuführdüsen 151 zum Ausspritzen von N2-Gas
oder heißem N2-Gas 108 auf, das durch die Inertgas-
Zuführleitung 150 zugeführt wird. Das Einlassende der
Inertgas-Zuführleitung 150 ist mit einer Inertgasquelle 160
verbunden. Die Inertgas-Zuführleitung 150 ist mit einem
Abschlussventil 152 und einer Heizeinrichtung 153 zum
Erwärmen des N2-Gases versehen. Das Abschlussventil 152 und
die Heizeinrichtung 153 werden durch die Steuerungseinheit
151 gesteuert. Wenn die Steuerungseinheit 121 das
Abschlussventil 152 öffnet, und die Heizeinrichtung 153
betätigt, wird N2-Gas mit einer gewöhnlichen Temperatur, das
von der Inertgasquelle 160 zugeführt wird, erwärmt, und
heißes N2-Gas 108 kann durch die N2-Gas-Zuführdüsen 151
ausgespritzt werden. Das Waferschiffchen 6 kann schnell durch
das Ausspritzen des heißen N2-Gases 108 gegen das
Waferschiffchen 6 getrocknet werden.
Die Reinigungsvorrichtung 100 bildet eine
Wassermolekülschicht (H2O-Schicht), d. h. eine
Lösungsmittelschicht, über die Oberflächen der Wafer W. Die
Steuerungseinheit 121 setzt die Heizeinrichtung 131 unter
Energie und passt die Wärmeerzeugungsrate der Heizeinrichtung
131 an, so dass hinreichend Dampf 104 erzeugt wird, und setzt
die Lampen-Heizeinrichtung 120 unter Energie, so dass die
Wafer W auf eine Temperatur höher als den Taupunkt des
Dampfes 104 erwärmt werden, um den Unterschied zwischen der
Temperatur der Wafer W und dem Taupunkt des Dampfes 104 in
geeigneter Weise zu steuern. Somit kann eine
Wassermolekülschicht mit hoher Dichte über den Oberflächen
der Wafer W ausgebildet werden. Ozonmoleküle werden in die
Wassermolekülschicht, die an den Oberflächen der Wafer W
ausgebildet ist, gemischt, um eine Ozonwasser-Molekülschicht
mit hoher Ozonkonzentration auszubilden. Somit wird ein
Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon durchgeführt. Die
Steuerungseinheit 121 steuert die Strömungs-
Steuerungseinrichtung 136 zur Anpassung der Rate der
Erzeugung des Dampfes 104, so dass die Wassermolekülschicht
in geeigneter Weise ausgebildet wird. Die Steuerungseinheit
121 steuert die Strömungs-Steuerungseinrichtung 144 zur
Steuerung der Strömungsrate des Ozongases 106 gemäß dem
Ausmaß der Ausbildung der Wassermolekülschicht, so dass sich
das Ozon in geeigneter Weise in der Wassermolekülschicht
auf löst.
Reinwasser-Zuführdüsen 155 sind in der oberen Abdeckung 111
zum Ausspritzen von Reinwasser gegen die Wafer W zum Abspülen
angeordnet. Die Wafer W können durch Ausspritzen von heißem
N2-Gas gegen die Wafer W durch die Inertgas-Zuführdüsen 151
getrocknet werden.
Nachfolgend wird ein Reinigungsverfahren, das durch die
Reinigungsvorrichtung 100 durchgeführt wird, beschrieben. Die
Reinigungsvorrichtung 100 führt den Dampf 104 und das Ozongas
106 in den Bearbeitungsbehälter 102 zu, der die Wafer W
enthält, um die Wafer W durch Hydroxylradikale zu bearbeiten,
die durch die Wechselwirkung zwischen dem Dampf 104 und dem
Ozongas 106 erzeugt werden. Fünfzig Wafer W mit Oberflächen,
die mit Resistschichten 30 überzogen sind, wie in Fig. 3
gezeigt ist, werden in dem Bearbeitungsbehälter 102 jeweils
auf eine Art und Weise angeordnet, wie sie im Zusammenhang
mit der Beschreibung der oben genannten Ausführungsformen
erwähnt wurde. Die Dicke der Resistschichten 30 beträgt
beispielsweise 1200 nm.
Die Heizeinrichtung 131 wird mit Energie versorgt, damit die
heiße Platte 130 auf beispielsweise 120°C erwärmt wird.
Reinwasser wird von der Reinwasser-Zuführleitung 132 auf die
heiße Platte 130 getropft, um den Dampf 104 mit 120°C zu
erzeugen, und der Dampf 104 wird in den Bearbeitungsbehälter
102 zugeführt. Währenddessen wird das Ozongas 106 mit einer
Ozonkonzentration von beispielsweise etwa 192 g/m3 (normal),
d. h. etwa 9 Volumenprozent, durch die Ozongas-Zuführleitung
121 zugeführt, und wird durch die Ozongas-Zuführdüsen 142 in
den Bearbeitungsbehälter 102 ausgespritzt. Somit werden der
Dampf 104 und das Ozongas 106 einzeln zugeführt.
Die Lampen-Heizeinrichtung 120 wird mit Energie versorgt, um
die Wafer W auf eine vorbestimmte Temperatur zu erwärmen, die
in einem Temperaturbereich liegt, die für einen
Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon am besten
geeignet ist, höher als dem Taupunkt des Dampfes 102 und
niedriger als der Temperatur des Dampfes 104. Da die Wafer W
auf die vorbestimmte Temperatur höher als den Taupunkt des
Dampfes 104 erwärmt werden, kondensiert der Dampf 104, wenn
er in die Bearbeitungskammer 102 zugeführt wird, nicht an dem
Wafer W; d. h. der Dampf 104 kondensiert nicht an einer
Reinwasserschicht an den Oberflächen der Wafer W, und eine
Wassermolekülschicht mit hoher Dichte mit Wassermolekülen
(H2O-Molekülen) 161 kann sicher ausgebildet werden.
Ozonmoleküle (O3-Moleküle) 162 werden in die
Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen 161 zur Ausbildung
einer Ozon-Wasser-Molekülschicht mit Wassermolekülen 161 und
Ozonmolekülen 162 gemischt. Die Wassermoleküle 161 und die
Ozonmoleküle 162 wirken in der Ozon-Wasser-Molekülschicht zur
Erzeugung einer großen Menge von reaktiven Substanzen
zusammen, wie z. B. Sauerstoffradikalen und Hydroxylradikalen
(OH-Radikale) in der Umgebung der Oberflächen der Wafer W.
Die Hydroxylradikale, die so an den Oberflächen der Wafer W
erzeugt werden, verschwinden nicht, bewirken unmittelbar eine
Oxidationsreaktion und zerlegen das Resist, das die
Resistschichten 160 bildet, in Carbonsäure, Kohlendioxid,
Wasser und dergleichen. Folglich wird das Resist, das die
Resistschichten 160 bildet, oxidiert und zerlegt, und die
Resistschichten 160 werden in wasserlösliche Schichten 160a
verändert. Die wasserlöslichen Schichten 160a können leicht
durch Abspülen unter Verwendung von Reinwasser entfernt
werden.
Somit bildet dieses Reinigungsverfahren die
Wassermolekülschicht mit hoher Dichte mit Wassermolekülen 161
an den Oberflächen der Wafer W und mischt Ozonmoleküle 162 in
die Wasser-Molekülschicht. Folglich kann die
Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen 161 in die Ozon-
Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen 161 und
Ozonmolekülen 162 verändert werden. Die Ozon-Wasser-
Molekülschicht wird an den Oberflächen der Wafer W
unmittelbar vor der Reaktion ausgebildet, die Ozon-Wasser-
Molekülschicht wird verwendet, bevor sich ihre
Ozonkonzentration mit der Zeit verringert, Hydroxylradikale
werden in der Ozon-Wasser-Molekülschicht erzeugt, und im
Wesentlichen die gesamten erzeugten Hydroxylradikale in dem
Bearbeitungsbehälter 102 werden wirksam für den
Reinigungsvorgang verwendet. Somit zeigt das
Reinigungsverfahren eine hohe Bearbeitungsfähigkeit.
Nachfolgend ist die Reinigungsvorrichtung gemäß der
vorliegenden Erfindung in der Lage, die Wafer W wirksam bei
einer hohen Entfernungsrate zu bearbeiten, die 1,5mal oder
mehr die Bearbeitungsrate beträgt, bei der die herkömmliche
Reinigungsvorrichtung arbeitet.
Da der Dampf 104 zu den Wafern W aufgebracht wird, die auf
eine Temperatur höher als den Taupunkt des Dampfes 104 und
niedriger als die Temperatur des Dampfes 104 erwärmt sind,
kondensiert der Dampf 104 nicht in einer Reinwasserschicht an
den Oberflächen der Wafer. Hydroxylradikale, die in der Ozon-
Wasser-Molekülschicht mit Wassermolekülen 161 und
Ozonmolekülen 162 erzeugt werden, reagieren schneller und
aktiv mit Resistschichten 160, die an den Oberflächen der
Wafer W ausgebildet sind, als Hydroxylradikale, die durch
Auflösen des Ozongases 106 in der Reinwasserschicht erzeugt
werden.
Die Wassermolekülschicht mit hoher Dichte mit Wassermolekülen
161 kann leicht ausgebildet werden. Wenn Ozonmoleküle 162 in
geeigneter Weise mit der hochdichten Wassermolekülschicht mit
Wassermolekülen 161 vermischt werden, tritt eine aktive
Reaktion auf, die Wassermoleküle 161 und die Ozonmoleküle 162
werden vermischt, und eine große Anzahl von Hydroxylradikalen
wird in der Ozon-Wasser-Molekülschicht erzeugt. Die
Auflösungskraft der Reinwasserschicht verringert sich mit
einer Erhöhung der Temperatur, und es ist schwierig, das
Ozongas 106 in einer Reinwasserschicht mit hoher Temperatur
aufzulösen. Andererseits verringert sich die Kapazität der
Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen 161 zum Erhalten von
Ozonmolekülen 162 nicht signifikant, auch wenn die Temperatur
der Wafer W und die Umgebung, welche die Wafer W umgibt, hoch
ist. Der Reinigungsvorgang unter Verwendung der
Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen und Ozonmolekülen
kann in einer Umgebung mit einer Temperatur höher als
derjenigen einer Umgebung durchgeführt werden, bei welcher
der Vorgang unter Verwendung der ozonhaltigen Wasserschicht,
die durch Auflösen des Ozongases 106 in einer
Reinwasserschicht ausgebildet wird, durchgeführt wird. Eine
Umgebung mit einer höheren Temperatur macht die Erzeugung der
Hydroxylradikale und die chemische Wirkung der
Hydroxylradikale aktiver. Folglich kann der Reinigungsvorgang
unter Verwendung von Ozon schnell bei einer hohen
Reaktionsrate durchgeführt werden.
Das Ozongas 106 wird durch die Ozongas-Zuführleitung 161 zur
Zuführung von Ozonmolekülen fortlaufend zu der
Wassermolekülschicht zugeführt. Somit wird die
Wassermolekülschicht mit Ozonmolekülen aufgefüllt, und mit
Hydroxylradikalen, wenn die Ozonmoleküle und die
Hydroxylradikale, die in der Wassermolekülschicht enthalten
sind, verbraucht werden. Folglich können hinreichend neue
Ozonmoleküle und hinreichend neue Hydroxylradikale schnell
zugeführt werden, um die Resistschichten 160 zu bearbeiten,
und somit kann eine hohe Reaktionsrate aufrechterhalten
werden. Vorzugsweise werden die Wassermolekülschicht und die
Ozon-Wasser-Molekülschicht in einer Dichte ausgebildet, die
keine Wassertropfen ausbildet. Der Reinigungsvorgang unter
Verwendung von Ozon kann durch Erwärmen der Wafer W auf eine
Temperatur höher als der Taupunkt des Dampfes 104 und in
einem Temperaturbereich, in dem die Oxidationsreaktion aktiv
voranschreitet, unterstützt werden.
Nachdem die Resistschichten 160 in wasserlösliche Schichten
verändert wurden, wird Reinwasser durch die Reinwasser-
Zuführdüsen 155 gegen die wasserlöslichen Schichten zum
Abspülen eingespritzt, und N2-Gas (Inertgas) wird durch die
Inertgas-Zuführdüsen 161 gegen die Wafer W zum Entfernen von
Wassertropfen von den Wafern W zum Trocknen ausgespritzt.
Nachfolgend werden die Wafer W aus der Reinigungsvorrichtung
100 genommen. Die Wafer W können aus der
Reinigungsvorrichtung 100 genommen werden, nachdem die
Resistschichten 160 entfernt wurden, ohne selbige abzuspülen
und zu trocknen, und die Wafer W können durch eine
Abspülvorrichtung abgespült werden, und durch eine
Trocknungsvorrichtung getrocknet werden. Nachdem die
bearbeiteten Wafer W aus der Reinigungsvorrichtung 100
genommen wurden, werden fünfzig Wafer W, die durch den
nächsten Bearbeitungszyklus zu bearbeiten sind, in die
Reinigungsvorrichtung 100 getragen, und werden dem
Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon unterworfen.
Es ist möglich, dass der Dampf 104 in Wassertropfen an dem
Waferschiffchen 6 kondensiert, oder das Waferschiffchen 6 mit
Wassertropfen genässt wird, wenn die Wafer, die an dem
Waferschiffchen 6 gehalten werden, zu der nächsten
Bearbeitungsvorrichtung übertragen werden, wie z. B. einer
Abspülvorrichtung, nachdem der Reinigungsvorgang unter
Verwendung von Ozon vervollständigt ist. Wenn ein
Waferschiffchen 6, das so mit Wasser benässt ist, zum Halten
der Wafer W, die zu bearbeiten sind, verwendet wird, werden
die Oberflächen der Wafer W mit Wasser genässt. Wie oben
erwähnt, reagieren Wasserstoffradikale, die in der Ozon-
Wasser-Molekülschicht mit Wassermolekülen 161 und
Ozonmolekülen 162 erzeugt werden, effektiver mit den
Resistschichten 160 als diejenigen, die in ozonhaltigen
Wasserschichten erzeugt werden, die durch Auflösen des
Ozongases 106 in der Reinwasserschicht erzeugt werden. Um zu
vermeiden, dass Wafer W, die zu bearbeiten sind, an dem mit
Wasser benässten Waferschiffchen 6 gehalten werden, bringt
die Inertgas-Zuführeinheit 109 heißes N2-Gas 108 auf das
Waferschiffchen 6 auf, um das Waferschiffchen 6 zu trocknen,
bevor fünfzig neue Wafer W an das Waferschiffchen 6 geladen
werden. Folglich werden Wassertropfen, die an dem
Waferschiffchen 6 verbleiben, entfernt, und die Auflösung des
Ozongases 106 in Reinwasserschichten kann vermieden werden.
Somit bildet das Reinigungsverfahren die hochdichte Ozon-
Wasser-Molekülschicht mit Wassermolekülen 161 und
Ozonmolekülen 162 an den Oberflächen der Wafer W unmittelbar
vor der Bearbeitung der Wafer W und verwendet im Wesentlichen
sämtliche Hydroxylradikale, die in der Ozon-Wasser-
Molekülschicht erzeugt werden, bevor die Hydroxylradikalen
verschwinden. Folglich können die Wafer W wirksam durch das
Reinigungsverfahren unter Verwendung von Ozon bearbeitet
werden. Die Hochtemperaturumgebung aktiviert die
Wechselwirkung zwischen den Wassermolekülen 161 und den
Ozonmolekülen 162 zur Unterstützung der Erzeugung von
Hydroxylradikalen und der Reaktion von Hydroxylradikalen mit
den Resistschichten 160 in dem Reinigungsvorgang unter
Verwendung von Ozon. Somit können die Resistschichten 160
vollständig entfernt werden. Die Reinigungsvorrichtung 100,
welche die vorliegende Erfindung verkörpert, ist in der Lage,
das genannte Reinigungsverfahren in geeigneter Weise
durchzuführen.
Bei dem Vorgang der Durchführung des Reinigungsverfahrens
gemäß der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von Ozon
werden verschiedene Reaktionen zusätzlich zu dem Mischen der
Wassermoleküle 161 und der Ozonmoleküle 162 durchgeführt.
Beispielsweise werden der Dampf 104 und das Ozongas 106 in
dem Bearbeitungsbehälter 102 zur Erzeugung eines gemischten
Gases vermischt. Eine große Anzahl von freien
Hydroxylradikalen und ähnlichen werden in dem gemischten Gas
durch thermische Zerlegung und Zusammenstöße erzeugt. Wenn
das gemischte Gas die Resistschichten 160 berührt, die an den
Oberflächen der Wafer W ausgebildet sind, zerlegt das
gemischte Gas ähnlich zu der Ozon-Wasser-Molekülschicht mit
Wassermolekülen 161 und Ozonmolekülen 162 durch
Oxidationsreaktion das Resist, das die Resistschichten 160
ausbildet, in Carbonsäure, Kohlendioxid, Wasser und
dergleichen. Somit werden eine große Anzahl von
Hydroxylradikalen in dem gemischten Gas unmittelbar bevor das
gemischte Gas in Berührung mit den Wafern W kommt, erzeugt,
und die Hydroxylradikalen reagieren unmittelbar mit den
Resistschichten 160 zur Ausübung einer hohen
Bearbeitungsfähigkeit.
Eine Reinigungsvorrichtung 170 in einer noch weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter
Bezugnahme auf die Fig. 11 erklärt, in der Teile, die zu
denjenigen, die in Fig. 9 gezeigt sind, ähnlich sind oder
diesen entsprechen, mit den gleichen Referenzzeichen
bezeichnet sind, und eine Beschreibung derselben ist zur
Vermeidung von Wiederholungen weggelassen.
Bei der in Fig. 9 gezeigten Reinigungsvorrichtung 100 wird
die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 102 durch das
Ablassrohr 123 abgelassen, das mit den Ablass-Sammelrohren
122 verbunden ist. Die Reinigungsvorrichtung 170, die in
Fig. 11 gezeigt ist, weist ein Ablassrohr 123, das mit einem
Bearbeitungsbehälter 102 verbunden ist und mit einer
Strömungs-Steuerungseinrichtung 171 versehen ist, um den
Druck in dem Bearbeitungsbehälter 102 optional anzupassen,
auf. Die Strömungs-Steuerungseinrichtung 171 wird durch eine
Steuerungseinheit 121 gesteuert. Ein Drucksensor 172, der auf
den Bearbeitungsbehälter 102 gesetzt ist, misst den Druck in
dem Bearbeitungsbehälter 102 und gibt ein Drucksignal, das
den Druck in dem Bearbeitungsbehälter 102 darstellt, an die
Steuerungseinheit 121. Die Steuerungseinheit 121 steuert die
Strömungs-Steuerungseinrichtung 171 anhand des Drucks, der
durch den Drucksensor 172 gemessen wurde, um die
Strömungsrate des Gases, das durch das Ablassrohr 123 strömt,
zu regulieren. Eine Ozongasquelle 140 führt Ozongas bei einem
Zuführdruck von 196 kPa zu. Somit wird eine unter Druck
gesetzte Umgebung von 196 kPa in dem Bearbeitungsbehälter 102
aufrechterhalten.
In der Reinigungsvorrichtung 170 wird der Dampf 104 außerhalb
des Bearbeitungsbehälters 102 erzeugt, und der Dampf 104 wird
in den Bearbeitungsbehälter 102 zugeführt. Eine
Dampfzuführeinheit 175 weist eine Dampfquelle 176, die den
Dampf 104 erzeugt, eine Dampf-Zuführleitung 177 zum Tragen
des Dampfes 104 zu dem Bearbeitungsbehälter 102 und Dampf-
Zuführdüsen 178 auf, durch welche der Dampf 104 in den
Bearbeitungsbehälter 102 gespritzt wird. Die Dampfquelle 176
weist ähnlich zu denjenigen bei den vorangehenden
Ausführungsformen eine heiße Platte, eine Heizeinrichtung,
usw. auf. Die Dampf-Zuführleitung 177 ist mit einem
Abschlussventil 179 und einer Strömungs-Steuerungseinrichtung
180 versehen. Die Steuerungseinheit 121 steuert das
Abschlussventil 179 und die Strömungs-Steuerungseinrichtung
180 zum Regulieren der Strömungsrate des Dampfes 104 durch
die Dampf-Zuführleitung 177. Da keine Dampfzuführeinrichtung
in dem Bearbeitungsbehälter 102 angeordnet werden muss, kann
die Reinigungsvorrichtung 170 in eine kompakte Gestaltung
ausgebildet werden.
Eine Bodenabdeckung 181 ist mit dem unteren offenen Ende des
Bearbeitungsbehälters 102 verbunden, wobei eine Dichtung 182
zwischen dem Bearbeitungsbehälter 102 und der Bodenabdeckung
181 eingeschichtet ist. Ein Ablassrohr 183, das mit einem
Abschlussventil 184 versehen ist, ist mit der Bodenabdeckung
181 verbunden.
Das Reinigungsverfahren, das durch die Reinigungsvorrichtung
170 durchgeführt wird, wird nachfolgend beschrieben. Wafer W
mit einer gewöhnlichen Temperatur von beispielsweise 23°C
werden in dem Bearbeitungsbehälter 102 angeordnet. Die Wafer
W werden auf eine vorbestimmte Temperatur durch eine Lampen-
Heizeinrichtung 120 erwärmt, die Wärme von beispielsweise
115°C ausstrahlt. Ozongas 106 mit beispielsweise 196 kPa wird
durch die Ozongas-Zuführeinheit 107 in den
Bearbeitungsbehälter 102 zugeführt. Gleichzeitig wird heißes
N2-Gas 108, mit beispielsweise 150°C, auf die Wafer W durch
eine Inertgas-Zuführeinheit 109 aufgebracht, um die Wafer W
schnell auf die vorbestimmte Temperatur zu erwärmen.
Die Zuführung von heißem N2-Gas wird angehalten, nachdem die
Wafer W auf die vorbestimmte Temperatur erwärmt wurden, und
der Dampf 104 wird durch die Dampfzuführeinheit 175 in den
Bearbeitungsbehälter 102 zugeführt. Die Steuerungseinheit 121
steuert die Strömungs-Steuerungseinrichtung 171, die in dem
Ablassrohr 123 angeordnet ist, um eine Atmosphäre in dem
Bearbeitungsbehälter 102 bei einer geringen Ablassrate
abzulassen, um das Innere des Bearbeitungsbehälters 102 bei
196 kPa zu halten. Ozongas 106 wird somit zugeführt, um die
Ozonkonzentration der Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter
102 zu vergrößern.
Eine hochdichte Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen 161
wird an den Oberflächen der Wafer W, wie vorangehend in
Zusammenhang mit Fig. 10 erwähnt, ausgebildet. Da das Ozongas
106 vorher in den Bearbeitungsbehälter 102 zugeführt wird,
werden Ozonmoleküle 162 unmittelbar in die
Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen 162 gemischt. Somit
kann eine Ozon-Wasser-Molekülschicht ausgebildet werden, und
eine große Anzahl von Hydroxylradikale kann in der Ozon-
Wasser-Molekülschicht erzeugt werden. Die Hydroxylradikale,
die in der Ozon-Wasser-Molekülschicht erzeugt werden,
arbeiten wirksam beim schnellen Durchführen des
Reinigungsvorgangs unter Verwendung von Ozon.
Wenn der Dampf 104 auf die Wafer W aufgebracht wird, die bei
der gewöhnlichen Temperatur gehalten werden, kondensiert der
Dampf 104 an den Oberflächen der Wafer W, und eine große
Anzahl von Wassertropfen bildet sich an den Oberflächen der
Wafer W, weil der Unterschied zwischen der Temperatur der
Wafer W und dem Taupunkt des Dampfes 104 groß ist. Die
Wassertropfen bilden eine dicke Reinwasserschicht an den
Oberflächen der Wafer W, so dass die Bearbeitungsfähigkeit
verringert wird. Da jedoch der Dampf 104 auf die Wafer W nach
dem Erwärmen der Wafer W auf die vorbestimmte Temperatur
aufgebracht wird, kann eine hochdichte Wassermolekülschicht
mit Wassermolekülen 161 sicher ausgebildet werden, und die
Verringerung der Bearbeitungsfähigkeit kann verhindert
werden. Da die Wafer W in der Umgebung mit 196 kPa angeordnet
werden, kann eine vergrößerte Anzahl von Ozonmolekülen 162 in
die Wassermolekülschicht mit Wassermolekülen 161 gemischt
werden, um eine vergrößerte Anzahl von Hydroxylradikalen zu
erzeugen. Der Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon
kann in einer Umgebung mit einer erhöhten Temperatur
durchgeführt werden, was die Bearbeitungsfähigkeit weiter
erhöht.
Nachdem Resistschichten 160, die an den Oberflächen der Wafer
W ausgebildet sind, in wasserlösliche Schichten 160a
verändert wurden, werden die Wafer W aus dem
Bearbeitungsbehälter 102 genommen und zu einer
Abspülvorrichtung und einer Trocknungsvorrichtung für ein
nachfolgendes Abspülen und Trocknen getragen. Währenddessen
wird die Zuführung des Dampfes 104 und des Ozongases 106 in
den Bearbeitungsbehälter 102 angehalten, Flüssigkeiten, die
in dem Bearbeitungsbehälter 102 verbleiben, werden durch das
Ablassrohr 183 abgelassen, und die Strömungs-
Steuerungseinrichtung 171 ist vollständig geöffnet, und N2-
Gas wird durch den Bearbeitungsbehälter 102 durch die
Inertgas-Zuführeinheit geblasen, um den Bearbeitungsbehälter
102 von dem Ozongas 106 auszublasen und das Innere des
Bearbeitungsbehälters 102 zu trocknen. Wie oben erwähnt, wird
ein Waferschiffchen 6 getrocknet. Dann werden Wafer W mit
gewöhnlicher Temperatur, die durch den nächsten
Reinigungszyklus zu bearbeiten sind, in dem
Bearbeitungsbehälter 102 angeordnet. Wenn der Dampf 104 in
dem Bearbeitungsbehälter 102 verbleibt, wird sich eine große
Menge von Wassertropfen an den Wafern W mit gewöhnlicher
Temperatur ausbilden. Da der Bearbeitungsbehälter 102 und die
Dampfquelle 176 voneinander getrennt sind, und die Umgebung
in dem Bearbeitungsbehälter 102 leicht ersetzt werden kann,
kann die Ausbildung von Wassertropfen an den Oberflächen der
Wafer W mit der gewöhnlichen Temperatur, die in dem
Bearbeitungsbehälter 102 angeordnet wurden, verhindert
werden, und die Oberflächen können trockengehalten werden,
bis der Dampf 104 in den Bearbeitungsbehälter 102 zugeführt
wird.
Wie aus der vorangehenden Beschreibung ersichtlich wird,
verwendet das Reinigungsverfahren heißes N2-Gas 108, um die
Wafer W schnell auf eine vorbestimmte Temperatur zu erwärmen,
und führt das Ozongas 106 in den Bearbeitungsbehälter 102 zu,
bevor der Dampf 104 in den Bearbeitungsbehälter 102 zugeführt
wird, um eine Ozon-Wasser-Molekülschicht auszubilden, und
Hydroxylradikale in einer kurzen Zeit zu erzeugen. Folglich
kann der Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon schnell
durchgeführt werden, und der Durchsatz der
Reinigungsvorrichtung kann vergrößert werden. Die Umgebung,
welche die Wafer umgibt, wird unter Druck gesetzt, um die
Menge von Ozonmolekülen 162, die in die Wassermolekülschicht
mit Wassermolekülen 161 gemischt wird, zu erhöhen, und eine
Bearbeitung der Wafer W in einer Umgebung bei einer erhöhten
Temperatur zu ermöglichen. Folglich können die
Resistschichten 160 von den Wafern W bei einer vergrößerten
Entfernungseffizienz entfernt werden, und die Wirkung des
Reinigungsverfahrens unter Verwendung von Ozon kann weiter
verbessert werden.
Die Reinigungsvorrichtung 170 führt den Dampf 104 in den
Bearbeitungsbehälter 2 durch die Dampf-Zuführleitung 177 zu.
Deshalb kann die Menge von Feuchtigkeit, die in dem
Bearbeitungsbehälter 102 enthalten ist, leicht angepasst
werden, und das Innere des Bearbeitungsbehälters 102 kann
getrocknet werden. Die in der Bearbeitungskammer 102
angeordneten Wafer W werden nicht durch den Wärmeeinfluss der
Heizeinrichtung der Dampfquelle 176 beeinflusst. Demzufolge
werden die Wafer W nicht erwärmt, und die Temperatur der
Wafer W erhöht sich nicht übermäßig über eine erforderliche
Temperatur hinaus. Deshalb ist es möglich, beispielsweise
einen unerwünschten Zustand zu vermeiden, bei dem die Wafer W
auf eine übermäßig hohe Temperatur erwärmt werden,
Wassermoleküle 161 Schwierigkeiten haben, an den Oberflächen
der Wafer W zu haften, die Wassermolekülschicht nicht
ausgebildet werden kann, und der Reinigungsvorgang unter
Verwendung von Ozon nicht erreicht werden kann. Die
Reinigungsvorrichtung 170 ist ähnlich zu der
Reinigungsvorrichtung 100, die in Fig. 9 gezeigt ist, in der
Lage, das Waferschiffchen 6 zu trocknen, um die Auflösung des
Ozongases 106 in Wassertropfen zu vermeiden. Das Ablassrohr
123 der Reinigungsvorrichtung 100 kann in ähnlicher Weise wie
das Ablassrohr 123 der Reinigungsvorrichtung 170 mit einer
Strömungs-Steuerungseinrichtung 171 versehen sein, um den
Druck in dem Bearbeitungsbehälter 102 so zu regulieren, dass
die Umgebung, welche die Wafer W umgibt, unter Druck gesetzt
wird.
Eine Reinigungsvorrichtung 190 in einer weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend
unter Bezugnahme auf die Fig. 12 beschrieben. Wie in Fig. 12
gezeigt ist, weist die Reinigungsvorrichtung 190 einen
Bearbeitungsbehälter 102, einen Abspültank 191 und eine
Durchgangseinheit 292 auf, die zwischen dem
Bearbeitungsbehälter 102 und dem Abspültank 191 angeordnet
ist. Die Reinigungsvorrichtung 190 kann einen
Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon und einen
Abspülvorgang durchführen.
Eine Ozongas-Zuführeinheit 107, eine Dampf-Zuführeinheit 175
und eine Inertgas-Zuführeinheit 109 sind mit dem
Bearbeitungsbehälter 102 zur Zuführung des Ozongases 106, des
Dampfes 104 und des N2-Gases oder heißen N2-Gases in eine
Bearbeitungskammer (eine erste Bearbeitungskammer) 115, die
durch den Bearbeitungsbehälter 102 definiert wird, verbunden.
Der Bearbeitungsbehälter 102 weist ein offenes Bodenende auf,
das sich in einen Durchgangsraum 221 öffnet, der in der
Durchgangseinheit 292 ausgebildet ist.
Der Abspültank 191 weist einen inneren Tank 194, der eine
Abspülkammer (eine zweite Bearbeitungskammer) 193 definiert,
einen mittleren Tank 195, der einen oberen Endteil des
inneren Tanks 194 umgibt, und einen äußeren Tank 196 auf, der
einen oberen Endteil des mittleren Tanks 195 umgibt.
Eine Reinwasser-Zuführeinheit 296, d. h. ein
Bearbeitungsflüssigkeits-Zuführsystem, führt Reinwasser
(DIW), d. h. eine Bearbeitungsflüssigkeit, in die Abspülkammer
193 zu. Die Reinwasser-Zuführeinheit 296 weist eine
Reinwasser-Zuführleitung 200 zum Tragen von Reinwasser und
Reinwasser-Zuführdüsen 211 zum Ausspritzen von Reinwasser,
das durch die Reinwasser-Zuführleitung 200 getragen wird, in
die Abspülkammer 193 auf. Die Reinwasser-Zuführleitung 200
weist ein Einlassende auf, das mit einer Reinwasserquelle 210
verbunden ist. Die Reinwasser-Zuführleitung 200 ist mit einem
Abschlussventil 212 und einer Strömungs-Steuerungseinrichtung
213 versehen. Eine Steuerungseinheit 121 steuert das
Abschlussventil 212 und die Strömungs-Steuerungseinrichtung
213.
Das offene obere Ende des inneren Tanks 194 öffnet sich in
den Durchgangsraum 221, der in der Durchgangseinheit 292
ausgebildet ist. Ein Ablassrohr 215, das mit einem
Abschlussventil 216 versehen ist, ist mit einem mittleren
Teil der Bodenwand des inneren Tanks 194 zum Ablassen von
benutztem Reinwasser von der Abspülkammer 193 verbunden. Der
mittlere Tank 195 sammelt Reinwasser, das über den inneren
Tank 194 übergeflossen ist, und lässt selbiges durch ein
Überflussrohr 217 ab, das mit einem Abschlussventil 218
versehen ist und mit seinem Boden verbunden ist. Reinwasser
ist zu sämtlichen Zeitpunkten in dem äußeren Tank 196
enthalten. Der äußere Tank 196 ist mit einer ringförmigen
Dichtungsplatte 219 versehen. Das obere Ende der
Dichtungsplatte 219 ist in nahem Kontakt mit der Bodenfläche
eines Konstruktionselements der Durchgangseinheit 292. Somit
dient der äußere Tank 196 als ein Dichtungselement unter
Verwendung von Reinwasser zum Isolieren des Inneren des
Abspültanks 191 von dem äußeren Raum.
Die Durchgangseinheit 292 ist mit einem Schließer 220 zum
Isolieren der Ozongas-Bearbeitungskammer 115 und der
Abspülkammer 193 voneinander versehen. Der Schließer 220 ist
in der Lage, vertikal und horizontal durch einen Schließer-
Betätigungsmechanismus, der nicht gezeigt ist, bewegt zu
werden. Das Innere der Durchgangseinheit 292 ist im
Wesentlichen in den Durchgangsraum 221 und einen Schließer-
Unterbringungsraum 222 geteilt, in den der Schließer 220
bewegt wird, um den Durchgangsraum 221 zu öffnen. Wenn der
Schließer-Betätigungsmechanismus den Schließer 220 zu dem
Durchgangsraum 221 bewegt, werden die Ozon-Bearbeitungskammer
115 und die Abspülkammer 193 voneinander isoliert. Wenn der
Schließer-Betätigungsmechanismus den Schließer 220 zu dem
Schließer-Unterbringungsraum 222 bewegt, werden die Ozon-
Bearbeitungskammer 115 und die Abspülkammer 193 verbunden.
Inertgas-Zuführdüsen 223 sind in Abschnitte eines Randes
eingebettet, der eine Öffnung in der Bodenwand 292a der
Durchgangseinheit 292 definiert. Ein N2-Gas-Vorhang ist über
der Abspülkammer 193 durch Ausspritzen von N2-Gas durch die
Inertgas-Zuführdüsen 223 ausgebildet. Der Schließer 220 und
der N2-Gas-Vorhang verhindern die Diffusion einer Umgebung in
der Ozon-Bearbeitungskammer 115 in die Abspülkammer 193 und
das Strömen eines Verlustes von der Abspülkammer 193 in die
Ozon-Bearbeitungskammer 115.Die Durchgangseinheit 292 weist einen Ablassteil 225 auf, der
dem Schließer-Unterbringungsraum 222 unterliegt. Ein
Ablassrohr, das mit einem Abschlussventil 227 versehen ist,
ist mit dem Ablassteil 225 verbunden. Auch wenn ein Dampf,
der in dem Abspültank 191 erzeugt wird, in
Flüssigkeitstropfen an der Bodenfläche des Schließers 220
kondensiert, wenn dieser in einer Schließposition angeordnet
ist, können die Flüssigkeitstropfen zur Außenseite durch
einen (nicht gezeigten) Ablassdurchgang, der in der
Durchgangseinheit 292 ausgebildet ist, abgelassen werden.
Wenn der Schließer 220 mit Flüssigkeitstropfen benässt ist
und in einer offenen Position in dem Schließer-
Unterbringungsraum 222 angeordnet ist, tropfen die
Flüssigkeitstropfen auf den Ablassteil 225 und werden durch
das Ablassrohr 226 abgelassen.Ein Waferschiffchen 6 kann vertikal bewegt werden, und zwar
durch einen Hebemechanismus, der nicht gezeigt ist, um die an
dem Waferschiffchen 6 gehaltenen Wafer W zwischen der Ozon-
Bearbeitungskammer 115 und der Abspülkammer 193 zu bewegen.
Die an dem Waferschiffchen 6 gehaltenen und zu einer oberen
Position in der Ozon-Bearbeitungskammer 115 angehobenen Wafer
W sind in Fig. 12 durch durchgezogene Linien angedeutet. Die
an dem Waferschiffchen 6 gehaltenen und zu einer niedrigeren
Position in der Abspülkammer 193 abgesenkten Wafer W sind
durch eine Strich-Zweipunkt-Linie angezeigt. Die
Reinigungsvorrichtung 190 bewegt das Waferschiffchen 6
vertikal, um die Wafer W in entweder der Ozon-
Bearbeitungskammer 115 oder der Abspülkammer 193 anzuordnen.
Die Reinigungsvorrichtung 190 führt einen Reinigungsvorgang
unter Verwendung von Ozon und einen Abspülvorgang fortlaufend
in einem geschlossenen Raum durch.Der Bearbeitungsbehälter 102 und der Abspültank 191 sind in
einem Gehäuse 230 enthalten. Die Auslässe der Ablassrohre
215, 217 und 226 öffnen sich in das Gehäuse 230. Eine
Ablassleitung 231, die mit einem Abschlussventil 232 versehen
ist, ist mit der Bodenwand des Gehäuses 230 verbunden. Die
Ablassleitung 231 ist mit einem Ablasssystem der Anlage
verbunden. Wenn das Abschlussventil 232 geöffnet ist, wird
Reinwasser, das durch die Ablassrohre 215, 217 und 226 in das
Gehäuse 230 abgelassen wird, durch die Ablassleitung 231 in
das Ablasssystem der Anlage abgelassen. Eine Entladeleitung
233 ist mit dem Gehäuse 230 verbunden, um eine Umgebung,
welche den Bearbeitungsbehälter 102 und den Abspültank 191
umgibt, von dem Gehäuse 230 abzulassen. Beispielsweise kann,
wenn ein obere Abdeckung 111 entfernt ist, um Wafer W in oder
aus dem Bearbeitungsbehälter 102 zu tragen, die Diffusion
einer Umgebung in der Ozon-Bearbeitungskammer 115 und Dämpfe,
die in der Abspülkammer 193 erzeugt werden, in dem äußeren
Raum verhindert werden.Ein Waferbearbeitungsverfahren, das durch die
Reinigungsvorrichtung 190 durchgeführt wird, wird nachfolgend
unter Bezugnahme auf ein Flussdiagramm, das in Fig. 13
gezeigt ist, erklärt. Die obere Abdeckung 111 ist entfernt,
und fünfzig Wafer W mit Oberflächen, die jeweils mit
beispielsweise Resistschichten 160 (vgl. Fig. 10) überzogen
sind, werden in Schritt S1 in den Bearbeitungsbehälter 102
der Reinigungsvorrichtung 190 getragen. Die obere Abdeckung
111 wird auf den Bearbeitungsbehälter 102 gelegt, um den
Bearbeitungsbehälter 102 in Schritt S2 zu schließen. Dann
wird der Schließer 220 geschlossen, und ein N2-Gas-Vorhang
wird zum Ausspritzen von N2-Gas durch die Inertgas-
Zuführdüsen 223 zum Isolieren einer Umgebung in der Ozon-
Bearbeitungskammer 115 und einer Umgebung in der Abspülkammer
193 voneinander ausgebildet.Nachfolgend wird ein Reinigungsvorgang unter Verwendung von
Ozon in der Ozon-Bearbeitungskammer 115 in Schritt S3
durchgeführt. Die Wafer W werden auf eine vorbestimmte
Temperatur durch die Lampen-Heizeinrichtung 120 erwärmt. Die
Dampf-Zuführeinheit 175 führt den Dampf 104 in die Ozon-
Bearbeitungskammer 115 zu, um eine Wassermolekülschicht mit
Wassermolekülen 161 an der Oberfläche der Wafer W
auszubilden. Die Ozongas-Zuführeinheit 107 führt das Ozongas
106 in die Ozon-Bearbeitungskammer 115 zu. Folglich werden
Ozonmoleküle 162 in die Wassermolekülschicht gemischt, und
eine große Anzahl von Hydroxylradikalen wird erzeugt, und das
Resist, das die Resistschichten 160 bildet, wird durch die
Oxidationsreaktion vollständig zerlegt, um die
Resistschichten 160 in wasserlösliche Schichten zu verändern.Die Zuführung des Dampfes 104 und des Ozongases 106 wird
angehalten, um das Reinigungsverfahren unter Verwendung von
Ozon anzuhalten. Dann werden die Wafer W zu der Abspülkammer
193 übertragen und werden in Schritt S4 einem Abspülvorgang
unterworfen. Die Reinwasser-Zuführeinheit 296 führt vorher
Reinwasser durch die Reinwasser-Zuführdüsen 211 in die
Abspülkammer 193 zu, um die Abspülkammer 193 mit Reinwasser
anzufüllen. Dann wird der Schließer 220 geöffnet, das
Waferschiffchen 6 wird abgesenkt, um die Wafer W schnell in
der Abspülkammer 193 anzuordnen, wobei die
Reinigungsvorrichtung 190 geschlossen gehalten wird. Somit
können die Wafer W in Reinwasser in einer kurzen Zeitdauer
eingetaucht werden, ohne zu der Umgebung freigelegt zu sein,
und ein Abspülvorgang wird begonnen. Wie oben erwähnt,
können, da die Resistschichten 160 in wasserlösliche
Schichten 160a verändert werden, die wasserlöslichen
Schichten 160a leicht in der Abspülkammer 193 entfernt
werden. Nach der Vollendung des Abspülvorgangs wird das
Waferschiffchen 6 angehoben, um die Wafer W zu der Ozon-
Bearbeitungskammer 115 zu übertragen. Dann wird die obere
Abdeckung 11 in Schritt S5 entfernt, die Wafer W werden aus
dem Bearbeitungsbehälter 102 genommen, und die Wafer W werden
von der Reinigungsvorrichtung 190 in Schritt S6 weggetragen.
Wenn die obere Abdeckung 111 entfernt wird, wird die
Umgebung, die den Bearbeitungsbehälter 102 und den Abspültank
191 umgibt, durch das Gehäuse 230 gesaugt, um die Verteilung
der Umgebung der Ozon-Bearbeitungskammer 115 und der Umgebung
in der Abspülkammer 193 in die Umgebung zu verhindern. Dann
wird N2-Gas mit einer gewöhnlichen Temperatur in die Ozon-
Bearbeitungskammer 115 durch die Inert-Zuführeinheit 109
zugeführt, um die Umgebung in der Ozon-Bearbeitungskammer 115
mit N2-Gas zu ersetzen, und heißes N2-Gas wird auf das
Waferschiffchen 6 aufgebracht, um selbiges als Vorbereitung
für die Bearbeitung weiterer fünfzig Wafer durch den nächsten
Bearbeitungszyklus zu trocknen.Die Wafer W werden von der Reinigungsvorrichtung 190 zu einer
anderen Waferbearbeitungsvorrichtung getragen, die
beispielsweise einen Vorgang zur chemischen Behandlung
mittels Flüssigkeit, einen endgültigen Abspülvorgang und
einen Trocknungsvorgang durchführt. Die Wafer W werden in
einem Abspültank abgespült. Der Vorgang zur chemischen
Bearbeitung mittels einer Flüssigkeit ist beispielsweise ein
SCl-Vorgang (ein Ammoniak-Vorgang), der Ammoniakdampf (NH4OH-
Dampf) und Dampf auf die Wafer W aufbringt, um Teilchen und
organische Unreinheiten von den Oberflächen der Wafer W zu
entfernen. Die andere Waferbearbeitungsvorrichtung führt den
SCl-Vorgang in einem Bearbeitungsbehälter aus, führt den
Abspülvorgang in einem Abspültank aus, und führt den
endgültigen Abspülvorgang und den Trocknungsvorgang in dem
Bearbeitungsbehälter aus. Natürlich können der Vorgang zur
chemischen Behandlung mittels Flüssigkeit, der Abspülvorgang,
der endgültige Abspülvorgang und der Trocknungsvorgang
jeweils durch getrennte Bearbeitungsvorrichtungen
durchgeführt werden, und die Wafer W können nacheinander zu
diesen Vorrichtungen übertragen werden.Die Reinigungsvorrichtung ist in der Lage, nacheinander den
Vorgang unter Verwendung von Ozon und den Abspülvorgang
auszuführen, und kann in eine kleine Konstruktion ausgebildet
werden. Die Wafer W müssen während der Zeit von dem Beginn
des Vorgangs unter Verwendung von Ozon bis zur Vollendung des
Abspülvorgangs nicht aus der Reinigungsvorrichtung 190
entnommen werden. Deshalb kann das Freilegen der Wafer W zu
der Umgebung nach dem Vorgang unter Verwendung von Ozon
vermieden werden. Folglich ist es möglich, die Ausbildung von
Oxidschichten an den Oberflächen der Wafer W durch natürliche
Oxidation zu vermeiden, und ferner eine Härtung und
Veränderung der wasserlöslichen Schichten 160a (vgl. Fig. 10)
in unlösliche Schichten infolge des Freilegens der Wafer W zu
der Umgebung zu vermeiden. Ferner ist es möglich, die
Änderung der verschiedenen Reaktionsprodukte, die an den
Oberflächen der Wafer W durch den Vorgang unter Verwendung
von Ozon in unterschiedliche Substanzen, wie z. B.
Verschmutzungen, infolge des Freiliegens zu der Umgebung
erzeugt werden, zu vermeiden. Folglich kann der Abspülvorgang
in zufriedenstellender Weise erreicht werden. Die Wafer W
können unmittelbar nach der Vollendung des Vorgangs unter
Verwendung von Ozon durch ein schnelles Absenken und Abspülen
der Wafer W dem Abspülvorgang unterworfen werden, und somit
bearbeitet die Reinigungsvorrichtung 190 die Wafer W mit
einem hohen Durchsatz. Der Reinigungsvorrichtung 190 ist
ähnlich zu den Reinigungsvorrichtungen 100 und 170 in der
Lage, das Waferschiffchen 6 zu trocknen.Obwohl die Ozon-Bearbeitungskammer 115 und die Abspülkammer
193 der Reinigungsvorrichtung 190 in vertikaler Anordnung
angeordnet sind, können die Ozon-Bearbeitungskammer 115 und
die Abspülkammer 193 für den gleichen Zweck in horizontaler
Anordnung angeordnet sein.Eine Reinigungsvorrichtung 270 in einer noch weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend
unter Bezugnahme auf Fig. 14 beschrieben. Die
Reinigungsvorrichtung 270 weist ähnlich zu der in Fig. 11
gezeigten Reinigungsvorrichtung 170 eine Ablassleitung 123,
die mit einer Strömungs-Steuerungseinrichtung 171 versehen
ist, und einen Bearbeitungsbehälter 102 auf, der mit einem
Drucksensor 172 versehen ist. Eine Steuerungseinheit 121
steuert die Strömungs-Steuerungseinrichtung 171 auf der Basis
eines Drucksignals, das durch den Drucksensor 172 geschaffen
wird, um die Strömungsrate eines durch die Ablassleitung 123
abgelassenen Gases zu regulieren.Die Umgebung in der Ozon-Bearbeitungskammer 115 der
Reinigungsvorrichtung 270 kann unter Druck gesetzt werden.
Die Reinigungsvorrichtung 270 ist ähnlich wie die
Reinigungsvorrichtung 170 in der Lage, eine vergrößerte Menge
von Ozonmolekülen 162 in eine Wassermolekülschicht von
Wassermolekülen 161 zu mischen, und eine Bearbeitung in einer
Hochtemperaturumgebung zur Verstärkung der
Bearbeitungsfähigkeit zu ermöglichen. Die
Reinigungsvorrichtung 270 ist, ähnlich zu den
Reinigungsvorrichtungen 100, 170 und 190, in der Lage, ein
Waferschiffchen 6 zu trocknen.Eine kleine Menge von Katalysatorgas, wie z. B. NOx-Gas kann
in den Bearbeitungsbehälter zugeführt werden, um die
Erzeugung von Hydroxylradikalen durch Aktivierung der
Oxidationsreaktion zu unterstützen.
BEISPIEL 2
Ergebnisse eines Testbetriebs der Reinigungsvorrichtung 270
in der genannten Ausführungsform werden nun erläutert. Wafer,
die mit einer Schicht aus organischem Material (BARC)
überzogen sind, wurden einem Reinigungsvorgang unterworfen.
Die Abhängigkeit der Schicht-Entfernungsrate von der
Ozonkonzentration des Ozongases wurde untersucht.
Messungsergebnisse waren ähnlich zu denjenigen, die in Fig. 7
gezeigt sind, bei der die Ozonkonzentration (g/m3 (normal))
auf der horizontalen Achse gemessen ist, und die Schicht-
Entfernungsrate (nm/s) auf der vertikalen Achse gemessen ist.
Wie anhand Fig. 7 deutlich wird, wird die Schicht-
Entfernungsrate mit einer Vergrößerung der Ozonkonzentration
vergrößert.Fig. 15 zeigt zum Vergleich die Entfernungsrate, die durch
einen Vorgang unter Verwendung von Ozon erreicht wird, der
zur Bearbeitung von Wafern in einer unter Druck gesetzten
Atmosphäre durchgeführt wird, und eine Entfernungsrate, die
durch eine herkömmliche chemische Flüssigkeitsbearbeitung
unter Verwendung einer chemischen Flüssigkeit namens SPM
(eine H2SO4/H2O2 gemischte Flüssigkeit) erreicht wird. Die
Vorgänge wurden zur Entfernung einer Resistschicht und einer
Schicht aus organischem Material durchgeführt. Die Umgebung
um die Wafer wurde auf 196 kPa unter Druck gesetzt, die Wafer
wurden auf 110°C erwärmt, und Dampf mit 120°C wurde auf die
Wafer aufgebracht. Gemäß Fig. 15 zeigen die Balken g und i
Schicht-Entfernungsraten, die durch den Vorgang unter
Verwendung von Ozon, der in einer unter Druck gesetzten
Umgebung durchgeführt wurde, erreicht werden, und Balken h
und j zeigen Schicht-Entfernungsraten an, die durch die
Bearbeitung durch Behandlung mit chemischer Flüssigkeit unter
Verwendung von SPM erreicht werden. Wie in Fig. 15 gezeigt,
war die Schicht-Entfernungsrate des Vorgangs unter Verwendung
von Ozon, der in der unter Druck gesetzten Umgebung
durchgeführt wurde, um die Resistschicht zu entfernen,
20 nm/s, wie durch den Balken g angezeigt ist, die Schicht-
Entfernungsrate des Bearbeitungsvorgangs mit Behandlung durch
chemische Flüssigkeit unter Verwendung von SPM, die
durchgeführt wurde, um die Resistschicht zu entfernen, betrug
etwa 9,5 nm/s, wie durch den Balken g angezeigt ist, die
Schicht-Entfernungsrate des Vorgangs unter Verwendung von
Ozon, der in der unter Druck gesetzten Umgebung durchgeführt
wurde, um die BARC-Schicht zu entfernen, betrug etwa
0,2 nm/s, wie durch den Balken i angezeigt ist, und die
Schicht-Entfernungsrate des Vorgangs mit Bearbeitung durch
chemische Flüssigkeit unter Verwendung von SPM, der
durchgeführt wurde, um die BARC-Schicht zu entfernen, betrug
etwa 0,05 nm/s, wie durch den Balken j angezeigt ist. Es ist
anhand Fig. 15 bekannt, dass Schichten durch den Vorgang
unter Verwendung von Ozon in einer unter Druck gesetzten
Umgebung bei einer hohen Schicht-Entfernungsrate entfernt
werden können.Da die Reinigungsvorrichtungen, die in den Fig. 11, 12 und 14
gezeigt sind, die reaktive Substanz verwenden, die
unmittelbar vor Beginn des Reinigungsvorganges erzeugt wird,
bevor die reaktive Substanz verschwindet, sind die
Reinigungsvorrichtungen in der Lage, eine hohe
Bearbeitungsfähigkeit aufzuweisen und die Wafer wirksam zu
bearbeiten. Das Reinigungsverfahren der vorliegenden
Erfindung ist in der Lage, in einer Umgebung mit einer
Temperatur höher als diejenige einer Umgebung durchgeführt zu
werden, indem der Reinigungsvorgang, der eine
Arbeitsflüssigkeitsschicht verwendet, die durch Auflösen
eines Betriebsgases in einer Schicht eines Lösungsmittels
ausgebildet wird, durchgeführt wird. Somit ist das
Reinigungsverfahren der vorliegenden Erfindung in der Lage,
Ablagerungen einschließlich organischer Unreinheiten,
metallischer Unreinheiten, Teilchen und Oxidschichten, die
durch natürliche Oxidation ausgebildet werden, von den Wafern
zu entfernen. Da die reaktive Substanz, die in einer
gemischten Gas-Flüssigkeits-Molekülschicht mit Molekülen des
Lösungsmittels und denjenigen des Betriebsgases erzeugt wird,
für die Bearbeitung der Wafer verwendet wird, und der
Lösungsmitteldampf nicht in Flüssigkeitströpfchen an der
Oberfläche der Wafer kondensiert, kann eine
Lösungsmittelmolekülschicht mit hoher Dichte leicht an den
Oberflächen der Wafer ausgebildet werden. Die
Lösungsmittelmoleküle und die Gasmoleküle, die in der Gas-
Lösungsmittel-Molekülschicht enthalten sind, wirken aktiv
zusammen, um eine große Anzahl der reaktiven Substanz zu
erzeugen. Deshalb kann der Vorgang schnell durchgeführt
werden. Da die Fähigkeit der Lösungsmittelmolekülschicht,
Gasmoleküle zu enthalten, nicht signifikant abnimmt, auch
wenn die Temperatur der Umgebung, welche die Wafer umgibt,
hoch ist, kann der Vorgang in einer Hochtemperaturumgebung
durchgeführt werden, um die Erzeugung der reaktiven Substanz
und die Reaktion der reaktiven Substanz mit Substanzen, die
an die Wafer haften, zu unterstützen.Eine Reinigungsvorrichtung 300 in einer praxisnäheren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter
Bezugnahme auf die Fig. 16 erläutert. Wie Fig. 16 zeigt,
weist die Reinigungsvorrichtung 300 einen
Bearbeitungsbehälter 302, in dem Wafer W bearbeitet werden,
eine Dampf-Zuführeinheit 304, d. h. ein Lösungsmitteldampf-
Zuführsystem, zum Zuführen von Dampf 303 in den
Bearbeitungsbehälter 302, eine Ozongas-Zuführeinheit 306,
d. h. ein Betriebsgas-Zuführsystem, zum Zuführen von Ozongas
305 in den Bearbeitungsbehälter 302, eine Heißluft-
Zuführeinheit 307 mit einer Heißluft-Zuführvorrichtung zum
Erwärmen der Wafer W, die in dem Bearbeitungsbehälter 302
angeordnet sind, eine Kühlluft-Zuführeinheit 308, d. h. ein
Kühlgas-Zuführsystem, zum Zuführen von Kühlluft (Gas) in den
Bearbeitungsbehälter 302, ein Ablasssystem 309 zum Ablassen
der Umgebung in den Bearbeitungsbehälter 302, und ein
Entleersystem 310 zum Entleeren von Flüssigkeit von dem
Bearbeitungsbehälter 302 auf.Wie in Fig. 17 gezeigt ist, weist der Bearbeitungsbehälter
302 einen Behälterkörper 311 mit einer Kapazität zum
Enthalten von beispielsweise fünfzig Wafern W, eine obere
Abdeckung 312, die getrennt an das obere Ende des
Behälterkörpers 311 derart verbunden ist, dass das offene
obere Ende des Behälterkörpers 311 abgedeckt wird, und eine
Bodenwand 313 auf, die an das untere Ende des Behälterkörpers
311 verbunden ist. Ein Lippen-O-Ring ist zwischen dem offenen
oberen Ende des Behälterkörpers 311 und der oberen Abdeckung
312 angeordnet, um den Zwischenraum zwischen dem
Behälterkörper 311 und der oberen Abdeckung 312 abzudichten.
Eine Dichtung 315 ist zwischen dem Behälterkörper 311 und der
Bodenwand 313 angeordnet, um den Zwischenraum zwischen dem
Behälterkörper 311 und der Bodenwand 313 abzudichten. Der
Bearbeitungsbehälter 302 ist somit abgedichtet, um das
Ausfließen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 von
dem Bearbeitungsbehälter 302 zu vermeiden. Der Behälterkörper
311, die obere Abdeckung 312 und die Bodenwand 313 werden
durch die Bearbeitung von Platten aus Edelstahl, wie z. B.
SUS 316L gemäß JIS, oder ähnlichem, ausgebildet. Platten mit
der kleinsten zulässigen Dicke werden zur Ausbildung des
Behälterkörpers 311, der oberen Abdeckung 312 und der
Bodenwand 313 verwendet, so dass der Bearbeitungsbehälter 302
eine kleine Wärmekapazität aufweist. Die Innenfläche des
Bearbeitungsbehälters 302 wird durch einen Vorgang zur
Verstärkung des chemischen Widerstandes endbearbeitet, um den
Bearbeitungsbehälter 302 vor einem Betriebsgas zu schützen.Wie Fig. 18 zeigt, ist eine O-Ring-Nut 316 in einem Flansch
ausgebildet, der an dem oberen Ende des Behälterkörpers 311
ausgebildet ist. In den Seitenwänden des Behälterkörpers 311
befinden sich eine Dampfzuführdüse-Aufnahmeöffnung 317, eine
Ozongaszuführdüse-Aufnahmeöffnung 318, Gaszuführdüsen-
Aufnahmeöffnungen 319 und 320, eine Gasprobe-Entnahmeöffnung
321 und eine Ablasssammler-Verbindungsöffnung 322. Eine
Dampf-Zuführdüse 342, eine Ozongas-Zuführdüse 392, Luft-
Zuführdüsen 404 sind in dem Behälterkörper 311 angeordnet und
in die Dampfzuführdüsen-Aufnahmeöffnung 317, die
Ozongaszuführdüsen-Aufnahmeöffnung 318 und die
Luftzuführdüsen-Aufnahmeöffnungen 319 und 320 eingeführt.
Eine Probenentnahmeröhre, die nicht gezeigt ist, ist von
außerhalb zu der Gasprobenentnahmeöffnung 321 verbunden, um
die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 als Probe
entnehmen zu können. Eine erste Ablassleitung 457 erstreckt
sich durch die Ablasssammler-Verbindungsöffnung 322 in den
Bearbeitungsbehälter 302 und ist mit Ablasssammlern 450
verbunden, die in dem Bearbeitungsbehälter 302 angeordnet
sind. Gummi-Heizeinrichtungen 430 sind auf die
Außenseitenflächen des Behälterkörpers 311 aufgebracht.Wie in Fig. 17 gezeigt ist, ist eine Gummi-Heizeinrichtung
431 auf die Außenfläche (die obere Fläche) der oberen
Abdeckung 312 aufgebracht. Die obere Abdeckung 312 ist mit
einem Fenster 323 aus einer Glasplatte versehen, die gegen
Wärme und Chemikalien widerstandsfähig ist, wie z. B. eine
Pyrex-Platte.Wie in den Fig. 17 und 19 gezeigt ist, weist die Bodenwand
313 vier Bereiche 313a, 313b, 313c und 313d auf, die von dem
Umfangsteil in Richtung des mittleren Teiles der Bodenwand
313 abfallen. Eine Ablassleitung 490 ist mit dem mittleren
Teil der Bodenwand 313 verbunden, um Flüssigkeiten von dem
Bearbeitungsbehälter 302 abzulassen. Wenn die Neigung der
Bereiche 313a bis 313d 15° oder größer ist, strömen
Flüssigkeiten sanft in die Ablassleitung 490. Die erste
Ablassleitung 490 ist mit der ersten Ausflussleitung 457
verbunden (vgl. Fig. 17). Flüssigkeiten, die von dem
Bearbeitungsbehälter 302 abgelassen werden, werden in einer
Dunstfalle 451 (vgl. Fig. 17) gesammelt. Eine Gummi-
Heizeinrichtung 432 ist auf die Außenfläche der Bodenwand 313
aufgebracht, wie in Fig. 19 gezeigt ist.Wie in Fig. 17 gezeigt ist, kann ein Waferschiffchen 6, das
ähnlich zu dem in Fig. 2 gezeigten ist, in dem
Bearbeitungsbehälter 302 angeordnet und abgestützt werden.
Das Waferschiffchen 6 weist einen Schaft 6d, der durch
Einführen einer Edelstahlröhre in eine Polypropylenröhre
ausgebildet ist, um chemische Widerstandsfähigkeit und
Festigkeit sicherzustellen, und Halteelemente 6a, 6b und 6c
auf, die jeweils durch Überziehen eines Edelstahlkernes mit
PCTFE (Polychlortrifluorethylen) ausgebildet sind.Der Schaft 6d ist durch die obere Abdeckung 312 derart
ausgedehnt, dass er von dem Bearbeitungsbehälter 302 nach
oben vorsteht. Ein Zwischenraum zwischen dem Schaft 6d und
der oberen Abdeckung 312 wird durch eine Luftgriffdichtung
335 abgedichtet. Luft wird in die Luftgriffdichtung 335 durch
eine nicht gezeigte Luftzuführleitung zugeführt, die mit der
Luftgriffdichtung verbunden ist, um die Luftgriffdichtung 335
auszudehnen. Folglich wird der Zwischenraum zwischen dem
Schaft 6d und der oberen Abdeckung 312 abgedichtet.Wie Fig. 20 zeigt, weist die Dampf-Zuführeinheit 304 eine
Reinwasser-Zuführleitung 340 zum Überführen von Reinwasser
oder destilliertem Wasser (DIW), einen Dampferzeuger 341 zum
Erzeugen des Dampfes 303 durch Verdampfen des Reinwassers,
das zu diesem durch die Reinwasser-Zuführleitung 340
zugeführt wird, eine Dampf-Zuführleitung 342 zum Überführen
des Dampfes 303, der durch den Dampferzeuger 341 erzeugt
wird, und die Dampf-Zuführdüse 343 zum Ausstoßen des Dampfes
303 in den Bearbeitungsbehälter 302 auf.Eine Reinwasserquelle 339 ist mit einem Einlassende der
Reinwasser-Zuführleitung 340 verbunden, um Reinwasser bei
beispielsweise etwa 20 cm3/min (50 cm3/min bei einem Maximum)
zuzuführen. Die Reinwasser-Zuführleitung 340 ist mit einem
Manometer 346, einem Abschlussventil 347, einer Strömungs-
Steuerungseinrichtung 348 und einem Filter 349 versehen, die
nacheinander in dieser Reihenfolge angeordnet sind. Die
Reinwasser-Zuführleitung 340 weist ein Auslassende auf, das
mit dem oberen Teil des Dampferzeugers 341 verbunden ist.Wie in den Fig. 20 und 21 gezeigt ist, weist der
Dampferzeuger 341 einen röhrenförmigen Körper 350, eine
Bodenröhre 352, die mit dem röhrenförmigen Körper 350 durch
Miteinander-Befestigen von Flanschen 351 verbunden ist, eine
Gummi-Heizeinrichtung 353, die auf die äußere Seitenfläche
des röhrenförmigen Körpers 350 aufgebracht ist, und eine
Kartuschen-Heizeinrichtung 354 auf, die in dem röhrenförmigen
Körper 350 koaxial mit letzterem angeordnet ist.Ein Temperatursensor 355 ist an dem röhrenförmigen Körper 350
angebracht, um die Temperatur in dem röhrenförmigen Körper
350 zu messen. Der Temperatursensor 355 gibt ein
Temperatursignal, das eine Temperatur in dem röhrenförmigen
Körper 350 repräsentiert, an eine Steuerungseinheit 356. Der
Temperatursensor 355 ist beispielsweise ein Thermoelement der
K-Art.Die Gummi-Heizeinrichtung 353 wird durch die
Steuerungseinheit 356 gesteuert. Die Gummi-Heizeinrichtung
353 ist mit einem Temperatursensor 357 und einem
Überhitzungs-Überwachungssensor 358 versehen. Der
Temperatursensor 357 und der Überhitzungs-Überwachungssensor
sind mit der Steuerungseinheit 356 verbunden. Die
Steuerungseinheit 356 empfängt ein Temperatursignal, das die
Temperatur der Gummi-Heizeinrichtung 353 repräsentiert, von
dem Temperatursensor 357 und steuert die Gummi-
Heizeinrichtung 353 auf der Basis des Temperatursignals. Die
Steuerungseinheit 356 nimmt ein Temperatursignal von dem
Überhitzungs-Überwachungssensor 358 zur Überwachung des
Zustandes der Gummi-Heizeinrichtung 353 derart, dass die
Gummi-Heizeinrichtung 353 den röhrenförmigen Körper 350 nicht
überhitzen kann, auf. Die Gummi-Heizeinrichtung 353 weist
einen hohen Ausstoß pro Oberflächeneinheit auf. Der
Temperatursensor 357 und der Überhitzungs-Überwachungssensor
358 sind beispielsweise Thermoelemente der K-Art. Die Gummi-
Heizeinrichtung 353 ist mit einem Wärmeisolierungselement
überzogen, das nicht gezeigt ist, um den Wärmeeinfluss der
Gummi-Heizeinrichtung 353 auf die Umgebungen zu verhindern.
Das Wärmeisolierungselement wird aus einem
wärmewiderstandsfähigen Material gebildet, das Wärme mit
einer hohen Temperatur von nicht weniger als 200°C
widersteht, wie z. B. Silicongummi.Die Kartuschen-Heizeinrichtung 354 weist eine Heizröhre 360
und mehrere Heizscheiben 361 auf, die an die
Außenseitenfläche der Heizröhre 360 angebracht sind. Die
Kartuschen-Heizeinrichtung 354 wird durch die
Steuerungseinheit 356 gesteuert. Reinwasser, das durch die
Reinwasser-Zuführleitung 340 in den röhrenförmigen Körper 350
zugeführt wird, tropft auf die Heizröhre 360 und die
Heizscheiben 361 und wird in Dampf 303 umgewandelt. Ein
Temperatursensor 362 und ein Überhitzungs-Überwachungssensor
363 sind an die Kartuschen-Heizeinrichtung 354 angebracht und
mit der Steuerungseinheit 356 verbunden. Die Kartuschen-
Heizeinrichtung 354 wird ähnlich zu der Gummi-Heizeinrichtung
353 in geeigneter Weise durch die Steuerungseinheit 356
gesteuert.Eine Reinwasser-Ablassleitung 356 ist an die Bodenleitung 352
und eine Dampf-Ablassleitung 380 (vgl. Fig. 20) verbunden.
Reinwasser, das durch den Dampferzeuger 341 nicht in Dampf
verwandelt wird, wird durch die Reinwasser-Ablassleitung 356
und die Dampf-Ablassleitung 380 in eine Dunstfalle 451
abgelassen. Die Reinwasser-Ablassleitung 365 ist mit einem
Strömungssteuerungsventil 366 versehen, um die Reinwasser-
Ablassrate in geeigneter Weise zu steuern.Wie in Fig. 20 gezeigt ist, ist der Dampferzeuger 341 mit
einer Messröhre 367 verbunden, um eine Sichtinspektion des
Niveaus des Reinwassers in den röhrenförmigen Körper 350 zu
ermöglichen. Die Messröhre 367 weist ein Ende, das mit der
Reinwasser-Ablassleitung 365 verbunden ist, und das andere
Ende, das mit einem oberen Teil des röhrenförmigen Körpers
350 verbunden ist, auf. Ein Oberes-Grenzniveau-Sensor 368 ist
mit der Messröhre 367 verbunden. Der Oberes-Grenzniveau-
Sensor 368 ist mit der Steuerungseinheit 356 verbunden. Wenn
die Erzeugungsrate von Reinwasser, das nicht in Dampf
umgewandelt werden konnte, die Ablassfähigkeit der
Reinwasser-Ablassleitung 365 übersteigt, d. h. die
Ablassfähigkeit der Dunstfalle 351, wird Reinwasser in dem
Dampferzeuger 341 angesammelt, und das Niveau des Reinwassers
steigt an. Nach dem Erreichen des Niveaus des Reinwassers in
dem röhrenförmigen Körper 350 bei einem oberen Grenzniveau
gibt der Oberes-Grenzniveau-Sensor 368 ein Alarmsignal an die
Steuerungseinheit 356. Die Messröhre 367 ist mit der
Reinwasser-Ablassleitung 365 durch eine Verbindungsleitung
369 verbunden, die mit einem Sicherheitsventil 370 versehen
ist. Das Sicherheitsventil 370 ermöglicht dem Reinwasser, von
dem röhrenförmigen Körper 350 bei einem Druck ein wenig
oberhalb eines vorbestimmten Arbeitsniveaus des
röhrenförmigen Körpers 350 zu entweichen. Obwohl der Dampf
303 bei dieser Ausführungsform durch Tropfen von Reinwasser
von der Reinwasser-Zuführleitung 340 erzeugt wird, kann der
Dampf 303 durch Erwärmen von Reinwasser durch die Kartuschen-
Heizeinrichtung 365 erzeugt werden, das in dem röhrenförmigen
Körper 350 untergebracht ist. Reinwasser kann in dem
röhrenförmigen Körper 350 durch Verschließen des
Strömungssteuerungsventils 366 untergebracht werden. Nach der
Erfassung des Ansteigens des Wasserniveaus in dem
röhrenförmigen Körper 350 auf das obere Grenzniveau gibt der
Oberes-Grenzniveau-Sensor 368 ein Signal an die
Steuerungseinheit 356, und die Steuerungseinheit 356 steuert
eine Energiequelle zur Zuführung von Energie zu der Gummi-
Heizeinrichtung 353 und der Kartuschen-Heizeinrichtung 354.Die Dampf-Zuführleitung 342 ist an einen oberen Teil des
Dampferzeugers 341 verbunden, und ist mit einem
Abschlussventil 375 versehen. Eine Platten-Heizeinrichtung
376 ist mit dem Abschlussventil 375 kombiniert. Die Platten-
Heizeinrichtung 376 wird durch die Steuerungseinheit 356 für
die Wärmeerzeugung gesteuert. Eine maximale
Erwärmungstemperatur, die durch die Platten-Heizeinrichtung
376 erreicht werden kann, liegt beispielsweise bei 150°C. Ein
Temperatursensor 377 und ein Überhitzungs-Überwachungssensor
378 sind mit der Platten-Heizeinrichtung 376 verbunden. Der
Temperatursensor 377 und der Überhitzungs-Überwachungssensor
378 sind mit der Steuerungseinheit 356 verbunden. Der
Erwärmungsbetrieb der Platten-Heizeinrichtung 376 wird durch
die Steuerungseinheit 356 gesteuert.Die Dampf-Ablassleitung 380, die mit einem Abschlussventil
381 versehen ist, ist mit der Dampf-Zuführleitung 342
verbunden. Das Abschlussventil 381 wird offengehalten, bis
die Temperatur und der Dampferzeugungsbetrieb des
Dampferzeugers 341 stabilisiert sind, um den Dampf 303 in die
Dunstfalle 451 abzulassen.Eine Band-Heizeinrichtung 382 ist mit der Dampf-Zuführleitung
342 kombiniert. Die Band-Heizeinrichtung 382 wird durch die
Steuerungseinheit 356 für die Wärmeerzeugung gesteuert. Eine
Erwärmungstemperatur, die durch die Band-Heizeinrichtung 382
erreicht werden kann, liegt im Bereich von beispielsweise 90
bis 120°C. Ein Temperatursensor 383 und Überhitzungs-
Überwachungssensor 384 sind mit der Band-Heizeinrichtung 382
verbunden. Der Temperatursensor 383 und der Überhitzungs-
Überwachungssensor 383 sind mit der Steuerungseinheit 356
verbunden. Die Band-Heizeinrichtung 382 wird durch die
Steuerungseinheit 356 für die Wärmeerzeugung gesteuert. Die
Platten-Heizeinrichtung 376 und die Band-Heizeinrichtung 382
erwärmen den Dampf 303, der durch die Dampf-Zuführleitung 342
getragen wird, um die Kondensation des Dampfes 303 in der
Dampf-Zuführleitung 342 zu verhindern.Wie in Fig. 22 gezeigt ist, weist die Dampf-Zuführdüse 343
eine innere Röhre 385 und eine äußere Röhre 386 auf, welche
die innere Röhre 385 koaxial umgibt. Ein Bereich der in die
äußere Röhre 386 eingeführten inneren Röhre 385 ist
beispielsweise mit fünf Öffnungen 387, die bei gleichen
Abständen angeordnet sind, und mit einer Öffnung 388 mit
einem Durchmesser von 0,8 mm an seinem Ende versehen. Die
äußere Röhre 386 ist bei gleichen Abständen, die
beispielsweise den Teilungen der Wafer W, die in den
Bearbeitungsbehälter 302 gehalten werden, wie z. B. 3,175 mm,
gleich sind, mit Öffnungen 389 versehen. Die Anzahl der
Öffnungen 389 ist beispielsweise sechsundfünfzig. Die
Position der Öffnungen 387 der inneren Röhre 385 und
diejenige der Öffnungen 389 der äußeren Röhre 386 sind
diametral entgegengesetzt zueinander. Dampf 303, der durch
die innere Röhre 385 getragen wird, wird gleichmäßig in der
äußeren Röhre 386 verteilt, und gleichmäßig durch die
Öffnungen 389 der äußeren Röhre 386 ausgestoßen.Die Dampf-Zuführdüse 343 ist in die Dampfzuführdüsen-
Aufnahmeöffnung 317 (Fig. 18) derart eingeführt, dass sie um
ihre horizontale Achse in einem Winkelbereich von 90° drehbar
ist, wie durch die Pfeile θ in Fig. 22 angezeigt ist. Somit
ist die Dampfausstoßrichtung der Dampf-Zuführdüse 343 in
einem Winkelbereich von 90° variabel. Bei dieser
Ausführungsform ist die Dampf-Zuführdüse 343 in einer
Position eingestellt, um den Dampf 303 nach oben in den
Bearbeitungsbehälter 302 auszustoßen, und folglich strömt der
nach oben ausgestoßene Dampf 303 auf die Wafer W nach unten.Wie in Fig. 23 gezeigt ist, weist die Ozongas-Zuführeinheit
306 einen Ozonerzeuger 390, der Ozongas 305 erzeugt, eine
Ozongas-Zuführleitung 391 zum Tragen des Ozongases 305, das
durch den Ozonerzeuger 390 erzeugt wird, und die Ozongas-
Zuführdüse 392 zum Ausstoßen des Ozongases 305, das durch die
Ozongas-Zuführleitung 391 getragen wird, in den
Bearbeitungsbehälter 302, auf. Das durch den Ozonerzeuger 390
erzeugte Ozongas 305 weist eine Ozonkonzentration von etwa
141 g/m3 (normal), d. h. etwa 6,6 Volumenprozent auf. Das
Ozongas 305 wird durch die Ozongas-Zuführleitung 391 bei
einer Strömungsrate von etwa 40 l/min zugeführt. Die Ozongas-
Zuführleitung 391 ist mit einem Abschlussventil 393 versehen.Die Ozongas-Zuführdüse 392 ist in der Konstruktion ähnlich
wie die Dampf-Zuführdüse 343, und somit wird eine
Beschreibung derselben weggelassen. Die Ozongas-Zuführdüse
392 ist die Ozongasausstoßdüsen-Aufnahmeöffnung 318 derart
eingeführt, dass sie um ihre Horizontalachse in einem
Winkelbereich von 90° drehbar ist. Somit ist die Ozongas-
Ausstoßrichtung der Ozongas-Zuführdüse 392 variabel. Bei
dieser Ausführungsform ist die Ozongas-Zuführdüse 392 in
einer Position eingestellt, um das Ozongas in dem
Bearbeitungsbehälter 302 nach oben auszustoßen. Folglich
strömt das nach oben ausgestoßene Ozongas 305 nach unten auf
die Wafer W. Das Ozongas 305 und der Dampf 303 werden in
einem oberen Bereich des Inneren des Bearbeitungsbehälters
302 in ein gemischtes Gas gemischt, und das gemischte Gas
strömt auf die Wafer W nach unten.Wie Fig. 24 zeigt, weist die Heißluft-Zuführeinheit 307 eine
Luft-Zuführleitung 400 zum Tragen der Luft, einen
Heißlufterzeuger 401, der die zu diesem durch die Luft-
Zuführleitung 400 zugeführte Luft aufheizt, um Heißluft 403
zu erzeugen, eine Heißluft-Zuführleitung 402 zum Tragen der
durch den Heißlufterzeuger 401 erzeugten Heißluft 403 und
Luft-Zuführdüsen 404 zum Ausstoßen der Heißluft 403 in
Richtung der Wafer W auf.Das Einlassende der Luft-Zuführleitung 400 ist mit einer
Luftquelle 406 verbunden, die kühle Luft bei einer
Strömungsrate von beispielsweise 500 l/min zuführt. Die Luft-
Zuführleitung 400 ist mit einem Manometer 411, einem
Abschlussventil 412, einer Strömungs-Steuerungseinrichtung
413 und einem Filter 414 versehen, die nacheinander in dieser
Reihenfolge angeordnet sind. Das Auslassende der Luft-
Zuführeinheit 400 ist mit einem unteren Teil des
Heißlufterzeugers 401 verbunden.Wie in Fig. 24 und 25 gezeigt ist, weist der Heißlufterzeuger
401 einen röhrenförmigen Körper 415, eine Gummi-
Heizeinrichtung 416, die auf eine Außenseitenfläche des
röhrenförmigen Körpers 415 aufgebracht ist, und eine
Kartuschen-Heizeinrichtung 417 auf, die in den röhrenförmigen
Körper 415 eingeführt ist. Die Gummi-Heizeinrichtung 416 wird
durch die Steuerungseinheit 356 für die Wärmeerzeugung
gesteuert. Ein Temperatursensor 407 und Überhitzungs-
Überwachungssensor 408 sind mit der Gummi-Heizeinrichtung 416
verbunden. Der Temperatursensor 407 und der Überhitzungs-
Überwachungssensor 408 sind mit der Steuerungseinheit 356
verbunden. Die Steuerungseinheit 356 steuert die Gummi-
Heizeinrichtung 416 in geeigneter Weise für das Erwärmen. Die
Gummi-Heizeinrichtung 416 ist mit einem
Wärmeisolationselement (das nicht gezeigt ist) überzogen.Die Kartuschen-Heizeinrichtung 417 ist mit der
Steuerungseinheit 356 verbunden und wird durch diese für die
Erwärmung gesteuert. Kühle Luft, die durch die Luft-
Zuführleitung 400 in den röhrenförmigen Körper 415 zugeführt
wird, wird durch die Kartuschen-Heizeinrichtung 417 erwärmt.
Ein Temperatursensor 419 und ein Überhitzungs-
Überwachungssensor 420 sind an die Kartuschen-Heizeinrichtung
417 angebracht und mit der Steuerungseinheit 356 verbunden.
Die Steuerungseinheit 356 steuert die Kartuschen-
Heizeinrichtung 417 in geeigneter Weise für das Erwärmen.Die Heißluft-Zuführleitung 402 ist mit dem oberen Teil des
Heißlufterzeugers 401 verbunden. Eine Band-Heizeinrichtung
421 ist mit der Heißluft-Zuführleitung 402 kombiniert. Die
Band-Heizeinrichtung 421 wird durch die Steuerungseinheit 356
für die Wärmeerzeugung gesteuert. Eine Erwärmungstemperatur,
die durch die Band-Heizeinrichtung 421 erreicht werden kann,
liegt im Bereich von beispielsweise 100 bis 200°C. Ein
Temperatursensor 422 und Überhitzungs-Überwachungssensor 423
sind mit der Band-Heizeinrichtung 421 verbunden. Der
Temperatursensor 422 und der Überhitzungs-Überwachungssensor
423 sind mit der Steuerungseinheit 356 verbunden. Die Band-
Heizeinrichtung 421 wird durch die Steuerungseinheit 356 für
die Wärmeerzeugung gesteuert. Die Band-Heizeinrichtung 421
erwärmt die Heißluft-Zuführleitung 402, um das Abfallen der
Temperatur der Heißluft 403 zu verhindern, die durch die
Heißluft-Zuführleitung 402 zugeführt wird.Die Luft-Zuführdüsen 404 sind in der Konstruktion ähnlich zu
der Dampf-Zuführdüse 343 und der Ozongas-Zuführdüse 392, und
somit wird eine Beschreibung derselben weggelassen. Die Luft-
Zuführdüsen 404 sind in die Gaszuführdüsen-Aufnahmeöffnungen
319 und 320 derart eingeführt, dass sie um ihre horizontalen
Achsen in einem Winkelbereich von 90° drehbar sind. Somit
sind die Luftausstoßrichtungen der Luft-Zuführdüsen 404
variabel. Die Luftausstoßrichtungen der Luft-Zuführdüsen 404
sind nicht fest. Wenn die Heißluft 403 ausgespritzt wird,
werden die Luft-Zuführdüsen abwechselnd in entgegengesetzte
Richtungen gedreht, um die Heißluft 403 gleichmäßig über
sämtliche Wafer W auszuspritzen.Wie in den Fig. 17, 18 und 19 gezeigt ist, weist die
Heißluft-Zuführeinheit 307 die Gummi-Heizeinrichtungen 430,
431 und 432 auf. Die Gummi-Heizeinrichtungen 430, 431 und 432
werden für die Wärmeerzeugung durch die Steuerungseinheit 356
gesteuert. Wie in den Fig. 18 und 19 gezeigt ist, sind die
vier Gummi-Heizeinrichtungen 430 an die äußeren Seitenflächen
des Behälterkörpers 311 angebracht und in Reihe verbunden.
Die Gummi-Heizeinrichtungen 430 weisen eine
Wärmeerzeugungskapazität auf, die in der Lage ist, den
Behälterkörper 311 mit einer Wärmekapazität in zwanzig
Minuten auf 120°C zu erwärmen. In einem normalen
Betriebszustand beträgt die Temperatur der Wärme, die durch
die Gummi-Heizeinrichtungen 430 erzeugt wird, 80°C. Wie in
Fig. 26 gezeigt ist, ist ein Temperatursensor 433 mit
Schrauben 434 an die Gummi-Heizeinrichtung 430 befestigt. Die
Steuerungseinheit 356 ist mit dem Temperatursensor 433 zur
Steuerung der Gummi-Heizeinrichtungen 430 für die
Wärmeerzeugung verbunden. Wie in Fig. 18 gezeigt ist, ist
jede Gummi-Heizeinrichtung 430 mit einem
Wärmeisolationselement 435 überzogen. Das
Wärmeisolationselement 435 wird mit einer Abdeckung 436 an
die Außenfläche der Gummi-Heizeinrichtung 430 gehalten. Das
Wärmeisolationselement 435 ist aus einem
Wärmeisolationsmaterial ausgebildet, das Wärme von 150°C oder
oberhalb widersteht, wie z. B. Silicongummi. Die Abdeckung 436
ist eine Platte aus Edelstahl oder ähnlichem.Die Außenfläche der Gummi-Heizeinrichtung 431 ist mit einem
nicht gezeigten Isolationselement abgedeckt, so dass Wärme,
die durch die Gummi-Heizeinrichtung 431 erzeugt wird, nicht
in die Umgebung dissipieren kann. Siliconschwamm ist ein
bevorzugtes Material für das Wärmeisolationselement. Wie in
Fig. 19 gezeigt ist, ist die Gummi-Heizeinrichtung 432 auf
die Außenfläche (die untere Fläche) der Bodenwand 313
aufgebracht. Die erste Ablassleitung 490 ist durch eine
Öffnung 437 geführt, die in der Gummi-Heizeinrichtung 432
ausgebildet ist. Die Gummi-Heizeinrichtung 432 ist mit einer
Wärmeisolationsabdeckung 438 abgedeckt, die mit einer Öffnung
539 versehen ist. Die Wärmeisolationsabdeckung 438 ist eine
1,5 mm dicke Edelstahlplatte.Wie Fig. 27 zeigt, sind der Dampferzeuger 341, der
Heißlufterzeuger 401 und die zugeordneten Leitungen in einer
Box 440 eingeschlossen, um diese Komponenten in einen
begrenzten Raum einzubauen und Wartungsarbeiten zu
erleichtern. Die Box 440 ist durch Bearbeiten von
Edelstahlplatten ausgebildet und ist mit einem
Isolationselement ausgekleidet, um die Dissipation von Wärme
von der Box 440 in die Umgebung zu verhindern.Wie die Fig. 24 zeigt, weist die Kühlluft-Zuführeinheit 308
eine Kühlluft-Zuführleitung 445 auf. Die Kühlluft-
Zuführleitung 445 weist ein Ende, das mit einem Teil der
Luft-Zuführleitung 400 zwischen dem Manometer 411 und dem
Abschlussventil 412 verbunden ist, und das andere Ende, das
mit der Heißluft-Zuführleitung 402 verbunden ist, auf. Die
Kühlluft-Zuführleitung 445 ist mit einem Abschlussventil 446,
einer Strömungs-Steuerungseinrichtung 447 und einem Filter
448 versehen, die nacheinander in dieser Reihenfolge
angeordnet sind. Wenn Kühlluft zu dem Bearbeitungsbehälter
302 zugeführt wird, ist das Abschlussventil 412 geschlossen,
das Abschlussventil 446 ist geöffnet, und eine
Energiezuführung zu der Band-Heizeinrichtung 421 wird
angehalten. Kühlluft, die durch die Luftquelle 406 zugeführt
wird, strömt durch die Luft-Zuführeinheit 308 unter Umgehung
des Heißlufterzeugers 401, und strömt durch die Heißluft-
Zuführleitung 402 und die Luft-Zuführdüsen 404 in den
Bearbeitungsbehälter 302. Die Luftquelle 406 wird sowohl zur
Zuführung von Heißluft als auch zur Zuführung von Kühlluft
verwendet, und die Luft-Zuführdüsen 404 werden bei dieser
Ausführungsform sowohl zum Ausspritzen von Heißluft als auch
zum Ausspritzen von Kühlluft verwendet. Die Kühlluft-
Zuführeinheit 308 kann mit einer getrennten Luftquelle und
getrennten Luft-Zuführdüsen versehen sein.Wie in Fig. 28 gezeigt ist, weist eine Ablasseinheit 309 die
Ablasssammler 450, die in dem Bearbeitungsbehälter 302
angeordnet sind, die Dunstfalle 451, einen Ozonzerstörer 452,
eine Abflussbox 453 mit dem Bearbeitungsbehälter 302 derart,
dass die Umgebung um den Bearbeitungsbehälter 302 darin
eingeschlossen wird, und einen Ablasssammler 454 auf, der
Gase sammelt und ablässt, die von dem Bearbeitungsbehälter
302, der Abflussbox 453 und anderen Teilen der
Reinigungsvorrichtung 300 abgelassen werden.Wie die Fig. 29 zeigt, weist jeder der Ablasssammler 450 eine
obere Wand, die mit einem Schlitz 455 versehen ist, und eine
Seitenwand auf, die mit mehreren Öffnungen 456 mit
beispielsweise 10 mm im Durchmesser versehen ist, und die bei
gleichen Abständen von beispielsweise 30 mm angeordnet sind.
Die erste Ablassleitung 457 ist mit den Ablasssammlern 450
verbunden. Die erste Ablassleitung 457 erstreckt sich durch
die Ablasssammler-Verbindungsöffnung 322 (vgl. Fig. 18) in
den Bearbeitungsbehälter 302. Das Auslassende der ersten
Ablassleitung 457 ist mit der Dunstfalle 451 verbunden. Die
Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 wird durch die
Schlitze 455 und die Öffnungen 456 der Ablasssammler 450 in
die Ablasssammler 450 gesaugt und wird in die Dunstfalle 451
abgelassen. Die Ablasssammler 450 sind aus Edelstahlplatten
mit Oberflächen ausgebildet, die für eine Verstärkung des
chemischen Widerstandes behandelt sind.Die Dunstfalle kühlt den Dampf 303, der von dem Dampferzeuger
341 abgelassen wird, und das Gas, das von dem
Bearbeitungsbehälter 302 abgelassen wird, um selbiges zu
kondensieren, trennt Gase von Flüssigkeiten und lässt die
Gase und die Flüssigkeiten getrennt ab. Wie Fig. 28 und 29
zeigen, ist die Dunstfalle 451 allgemein in eine Kühleinheit
(eine Gas-Flüssigkeits-Trenneinheit) 460 und eine
Ablasseinheit 461 getrennt. Die Dampf-Ablassleitung 480 und
die erste Ablassleitung 457 sind mit einem oberen Teil der
Dunstfalle 451 verbunden. Eine erste Röhre 462 und eine
zweite Röhre 463 erstrecken sich durch die Kühleinheit 460
der Dunstfalle 451. Die erste Röhre 462 ist mit der Dampf-
Ablassleitung 380 verbunden, und die zweite Röhre 463 ist mit
der ersten Ablassleitung 457 verbunden. Die Röhren 462 und
463 öffnen sich in die Ablasseinheit 461. Die Röhren 462 und
463 sind in einer Spiralform in der Kühleinheit 460 gewunden.
Die Komponenten der Dunstfalle 451 und die Röhren 462 und 463
sind aus korrosionswiderstandsfähigem Material, wie z. B. PFA
(einem Copolymer aus Perfluoralcoxyalkan und
Perphloroalkylvinyläther), ausgebildet.Eine Kühlwasser-Zuführleitung 465 zum Tragen von Kühlwasser
und eine Kühlwasser-Ablassleitung 466 sind mit der
Kühleinheit 460 verbunden. Wie in Fig. 28 gezeigt ist, ist
die Kühlwasser-Zuführleitung 465 mit einem
Strömungssteuerungsventil 467 versehen, und die Kühlwasser-
Ablassleitung 466 ist mit einem Strömungssteuerungsventil 468
versehen.
Eine zweite Ablassleitung 470 zum Ablassen von Gasen ist mit
der Ablasseinheit 461 verbunden. Da die Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 das Ozongas 305 enthält, ist die
zweite Ablassleitung 470 mit dem Ozonzerstörer 452 versehen.
Der Ozonzerstörer 452 zerstört das Ozongas mit einer hohen
Ozonkonzentration, das in dem Gas enthalten ist, das durch
die zweite Ablassleitung 470 abgelassen wird, durch eine
katalytische Reaktion.Kühlwasser wird durch die Kühlwasser-Zuführleitung 465 in die
Kühleinheit 460 der Dunstfalle 451 zugeführt. Der Dampf 305
und das Reinwasser, das von dem Dampferzeuger 341 abgelassen
wird, strömen durch die Dampf-Ablassleitung 380 in die
Dunstfalle 451. Das Reinwasser strömt durch die erste Röhre
462 in die Ablasseinheit 461. Der Dampf wird gekühlt und
durch das Kühlwasser kondensiert, während selbiger durch die
erste Röhre 462 strömt. Da die erste Röhre 462 in eine
Spiralform gewickelt ist, benötigt der Dampf eine
hinreichende Zeit zum Abkühlen durch das Kühlwasser, um durch
die erste Röhre 462 zu strömen. Wassertropfen, die durch die
Kondensation des Dampfes ausgebildet werden, tropfen in die
Ablasseinheit 461. Flüssigkeitstropfen und das Gas, das von
dem Bearbeitungsbehälter 302 abgelassen wird, strömen durch
die erste Ablassleitung 457 in die Dunstfalle 451. Die
Flüssigkeitstropfen, die von dem Bearbeitungsbehälter 302
abgelassen werden, strömen durch die zweite Röhre 463 in die
Ablasseinheit 461. Das von dem Bearbeitungsbehälter 302
abgelassene Gas wird gekühlt und durch das Kühlwasser
kondensiert, während selbiges durch die zweite Röhre 463
strömt. Das Gas benötigt eine hinreichende Zeit zum Kühlen,
um durch die zweite Röhre 463 zu strömen. Somit kann das von
dem Bearbeitungsbehälter 302 abgelassene Gas
zufriedenstellend in Ozongas und Flüssigkeitstropfen getrennt
werden. Das in der Ablasseinheit 461 gesammelte Gas wird
durch die zweite Ablassleitung 470 abgelassen. Ozon, das in
dem von der Ablasseinheit 461 abgelassenen Gas enthalten ist,
wird durch den Ozonzerstörer 452 zerstört. Bevorzugt wird das
Kühlwasser fortlaufend durch die Kühlwasser-Zuführleitung 465
zugeführt, und wird durch die Kühlwasser-Ablassleitung 466
zum Auffüllen der Kühleinheit 460 zu sämtlichen Zeitpunkten
abgelassen.Wie Fig. 31 zeigt, weist die Abflussbox 453 ein Gehäuse 480
auf, welches den Bearbeitungsbehälter 302 enthält. Eine
Ablassröhre 481 ist mit dem Gehäuse 480 der Abflussbox 453
verbunden. Die Abflussbox 535 ist evakuiert, um das
Ausfließen der Umgebung mit dem Ozongas nach außerhalb der
Reinigungsvorrichtung 300 zu verhindern, wenn der
Bearbeitungsbehälter 302 geöffnet wird. Die Abflussbox ist
beispielsweise aus PVC (Polyvinylchlorid) ausgebildet.Wie in den Fig. 28 und 32 gezeigt ist, sind die zweite
Ablassleitung 470 und das Ablassrohr 481 mit dem
Ablasssammler 454 verbunden. Mehrere Röhren 482 zum Saugen
der Umgebung in einem Raum hinter der Reinigungsvorrichtung
300 in den Ablasssammler 454 sind für eine doppelte
Verhinderung der Diffusion des Ozongases vorgesehen. Der
Ablasssammler 454 ist mit einem Säure-Ablasssystem der Anlage
verbunden. Abgelassene Gase und Flüssigkeiten werden in dem
Ablasssammler 454 gesammelt, bevor sie in das Ausstoßsystem
abgelassen werden. Somit wird die Diffusion des Ozongases
verhindert, und die abgelassenen Gase werden streng
gesteuert.Wie in den Fig. 28 und 30 gezeigt ist, weist das Ablasssystem
310 eine erste Ablassleitung 490, die mit dem Bodenteil des
Bearbeitungsbehälters 302 verbunden ist, und eine zweite
Ablassleitung 491 auf, die mit dem Bodenteil der
Ablasseinheit 461 verbunden ist. Die erste Ablussleitung 490
ist mit einem Abschlussventil 492 versehen. Wie oben erwähnt,
ist die erste Ablassleitung 490 mit der ersten Ablassleitung
457 verbunden, um für Flüssigkeitstropfen, die in dem
Bearbeitungsbehälter 302 gebildet werden, zu bewirken, dass
diese in die erste Ablassleitung 457 strömen. Die zweite
Ablassleitung 491 ist mit einem Abschlussventil 493 versehen.
Manchmal verbleibt Ozon in dem Ablass. Deshalb ist die zweite
Ablassleitung 491 mit einem Säure-Ablasssystem der Anlage
verbunden. Das Ablasssystem 310 ist mit einem Unteres-
Grenzniveau-Sensor 494, einem Ablassniveausensor 495 und
einem Oberes-Grenzniveau-Sensor 496 versehen, die vertikal
nach oben in dieser Ordnung angeordnet sind. Die Sensoren
494, 495 und 496 sind mit der Steuerungseinheit 356
verbunden.Wie oben erwähnt, strömen Flüssigkeitstropfen, die in dem
Bearbeitungsbehälter 302 erzeugt werden, durch die erste
Ablassleitung 490 und die erste Ablassleitung 457 in die
Dampffalle 451. Nachdem eine bestimmte Menge der Flüssigkeit
in der Ablasseinheit 461 gesammelt wurde, wird die
Flüssigkeit durch die Ablassleitung 491 abgelassen; d. h. das
Abschlussventil 493 wird geschlossen gehalten, zumindest bis
das Niveau der in der Ablasseinheit 461 gesammelten
Flüssigkeit das Niveau des Unteres-Grenzniveau-Sensors 494
erreicht. Wenn das Abschlussventil 493 geöffnet wird, während
nur ein wenig Flüssigkeit in der Ablasseinheit 461 gesammelt
ist, wird die Ablasseinheit 461 unmittelbar leer, und Ozongas
wird durch die zweite Ablassleitung 491 in das Säure-
Ablasssystem der Anlage entladen. Da das Säure-Ablasssystem
der Anlage nicht dafür gestaltet ist, mit Gas umzugehen, wird
Ozongas, das für den menschlichen Körper schädlich ist, in
die Umgebung austreten. Wenn das Niveau der gesammelten
Flüssigkeitstropfen unterhalb des Niveaus des Unteres-
Grenzniveau-Sensors 494 fällt, wird das Abschlussventil 493
geschlossen, um zu verhindern, dass die Ablasseinheit 461
leer wird, so dass der Ausfluss von Ozongas in die Umgebung
verhindert werden kann. Nach dem Ansteigen des Niveaus der
gesammelten Flüssigkeit auf das Niveau des
Ablassniveausensors 495, gibt der Ablassniveausensor 495 ein
Signal an die Steuerungseinheit 356, und die
Steuerungseinheit 356 öffnet das Abschlussventil 493, um das
Ablassen der gesammelten Flüssigkeit zu beginnen. Nach dem
Ansteigen des Niveaus der gesammelten Flüssigkeit auf das
Niveau des Oberes-Grenzniveau-Sensors 496 gibt der Oberes-
Grenzniveau-Sensor 496 ein Warnsignal an die
Steuerungseinheit 356. Natürlich werden Reinwasser, das von
dem Dampferzeuger 341 abgelassen wird, und Wassertropfen, die
durch die Kondensation von Dampf erzeugt werden, durch die
zweite Ablassleitung 491 abgelassen.Wie in Fig. 17 gezeigt ist, ist der Bearbeitungsbehälter 302
mit einem Innentemperatur-Überwachungssensor 497 versehen, um
die Temperatur in dem Bearbeitungsbehälter 302 zu messen. Der
Innentemperatur-Überwachungssensor 497 ist oberhalb des
Ablasssammlers 450 angeordnet, so dass selbiger nicht mit den
Wafern W und dem Waferschiffchen 6 in Konflikt kommt und in
der Lage sein kann, die Temperatur an einer Stelle in der
Nähe des Reaktionsraumes zu messen.Ein Reinigungsverfahren, das durch die Reinigungsvorrichtung
300 durchzuführen ist, wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3
bis 5 und das Flussdiagramm, das in Fig. 33 gezeigt ist,
erläutert. Beispielsweise fünfundzwanzig Wafer W, die jeweils
eine Oberfläche aufweisen, die mit beispielsweise einer
Resistschicht 30 überzogen ist, werden in den
Bearbeitungsbehälter 302 gestellt (Beginn des
Reinigungsverfahrens).Nachfolgend führt die Luft-Zuführeinheit 307 Heißluft zu und
stößt selbige durch die Luft-Zuführdüsen 404 in den
Bearbeitungsbehälter 302 aus, und die Gummi-Heizeinrichtungen
430, 431 und 432 werden mit Energie versorgt, um die Wafer W
auf eine vorbestimmte Temperatur in Schritt S1 zu erwärmen.
Die vorbestimmte Temperatur der Wafer W ist geringer als der
Taupunkt des Dampfes 303, der in den Bearbeitungsbehälter 302
zugeführt wird, und liegt in einem Temperaturbereich, der für
eine zweckmäßige Bearbeitung der Wafer W geeignet ist.
Die Steuerungseinheit 356 steuert die jeweiligen
Wärmeerzeugungsraten der Gummi-Heizeinrichtungen 430, 431 und
432, der Gummi-Heizeinrichtung 416 und des Heißlufterzeugers
401 sowie der Kartuschen-Heizeinrichtung 417, um eine
Wärmeumgebung von beispielsweise 80°C zu erzeugen, die für
die Erwärmung der Wafer W in dem Bearbeitungsbehälter 302
geeignet ist, und für den Heißlufterzeuger 401 zu
verursachen, dass er die Heißluft 403 mit einer geeigneten
Temperatur erzeugt. Die Luft-Zuführdüsen 404 werden
abwechselnd in entgegengesetzten Richtungen in einer
vertikalen Ebene gedreht, um die Heißluft 403 abwechselnd
nach oben und unten auszustoßen, so dass die Heißluft 403
gleichmäßig auf den Wafer W aufgebracht wird, um die Wafer
gleichmäßig zu erwärmen. Da die Heißluft 403 unmittelbar auf
die Wafer W aufgebracht wird, können die Wafer W schnell auf
die vorbestimmte Temperatur erwärmt werden.Nach dem Vorbeigehen einer vorbestimmten Erwärmungszeit wird
das Ausstoßen der Heißluft 403 angehalten, und dann der Dampf
303 in den Bearbeitungsbehälter 302 durch die Dampf-
Zuführeinheit 304 in Schritt S2 zugeführt. Die
Steuerungseinheit 356 steuert die Temperatur des Dampfes 303
und die Dampferzeugungsrate der Kartuschen-Heizeinrichtung
354. Die Dampf-Zuführdüse 343 ist derart eingestellt, dass
sie den Dampf 303 in Richtung eines oberen Bereichs in den
Bearbeitungsbehälter 302 ausstößt. Der Dampf 303, der in den
Bearbeitungsbehälter 302 ausgestoßen wird, strömt von dem
oberen Bereich in den Bearbeitungsbehälter 302 nach unten,
und folglich kann der Dampf 303 zufriedenstellend auf die
Wafer W aufgebracht werden.Da die Wafer W auf die Temperatur niedriger als dem Taupunkt
des Dampfes 303 erwärmt werden, wird der Dampf 303 in
geeigneter Weise an den Oberflächen der Wafer W kondensiert,
und eine dünne Reinwasserschicht 31 kann an den Oberflächen
eines jedes Wafers W, wie gezeigt in Fig. 4, ausgebildet
werden. Dann wird das Ozongas 305 in den Bearbeitungsbehälter
302 durch die Ozongas-Zuführeinheit 306 über die Ozongas-
Zuführdüse 392 zugeführt. Das Ozongas 305 wird in Richtung
des oberen Bereichs in den Bearbeitungsbehälter 302
ausgestoßen und strömt von dem oberen Bereich nach unten.
Somit kann das Ozongas 305 zufriedenstellend auf die Wafer W
aufgebracht werden.Somit löst sich das Ozongas 305 in den Reinwasserschichten
31, um ozonhaltige Wasserschichten mit zahlreichen
Sauerstoffradikalen und Wasserstoffradikalen an den
Oberflächen der Wafer W zu erzeugen. Die Sauerstoffradikale
und die Wasserstoffradikale, die an den Oberflächen der Wafer
W erzeugt werden, bewirken eines Oxidationsreaktion, bevor
selbige verschwinden, wodurch das Resist, das die
Resistschicht 30 bildet, in Carbonsäure, Kohlendioxid, Wasser
und dergleichen zerlegt wird. Dann werden, wie in Fig. 5
gezeigt ist, die Resistschichten 30 oxidiert, und das Resist,
das die Resistschicht bildet, wird vollständig durch die
ozonhaltigen Wasserschichten zerlegt, und die Resistschichten
30 werden in wasserlösliche Schichten 32 verändert. Die
wasserlöslichen Schichten 32 können leicht durch einen
nachfolgenden Abspülschritt unter Verwendung von Reinwasser
entfernt werden.Nachdem eine vorbestimmte Bearbeitungszeit vergangen ist,
werden die Zuführung des Dampfes 303 und des Ozongases 305
angehalten, und Kühlluft wird durch die Luft-Zuführdüse 404
in den Bearbeitungsbehälter 302 in Schritt S3 eingespritzt.
Folglich wird das Innere des Bearbeitungsbehälters 302 auf
eine gewöhnliche Temperatur gekühlt, um einen sicheren
Zustand zum Arbeiten sicherzustellen. Dann wird die obere
Abdeckung 312 entfernt, und die Wafer W werden zum Vollenden
des Vorgangs aus dem Bearbeitungsbehälter 302 entnommen. Da
die Umgebung um den Bearbeitungsbehälter 302 durch die
Abflussbox 453 evakuiert ist, verteilt sich das Ozongas 305
nicht in die Umgebung, wenn der Bearbeitungsbehälter 302
geöffnet wird.
Nachfolgend werden die Wafer W zu einer Spülvorrichtung
geliefert, um die Wafer W mit Reinwasser abzuspülen. Da die
Resistschichten 30 (vgl. Fig. 3) in wasserlösliche Schichten
32 verändert wurden, können die wasserlöslichen Schichten 32
leicht durch Spülen von den Wafern W entfernt werden. Dann
werden die Wafer W zu einer Trocknungsvorrichtung
übergeführt, um die sauberen Wafer W zu trocknen.Der Dampf 303 kondensiert übermäßig, wenn die Temperatur der
Wafer W übermäßig geringer als der Taupunkt des Dampfes 303
ist, und eine große Menge von Wassertropfen bildet sich an
den Oberflächen der Wafer W. Bei dieser Ausführungsform
steuert die Steuerungseinheit 356 die Heißluft-Zuführeinheit
307 zum Erwärmen der Wafer W auf die vorbestimmte Temperatur
und steuert die Dampf-Zuführeinheit 304 zum Zuführen des
Dampfes 303 mit der vorbestimmten Temperatur bei einer
vorbestimmten Strömungsrate, so dass die Temperatur der Wafer
W um einen optimalen Unterschied geringer als der Taupunkt
des Dampfes 303 ist. Folglich kondensiert der Dampf 303
zweckmäßig in dünnen Reinwasserschichten an den Wafern W. Das
Ozongas 305 ist in der Lage, sich gleichmäßig in den dünnen
Reinwasserschichten aufzulösen, und eine Bedingung, bei der
das Ozongas 305 nur in einer Oberflächenschicht von dicken
Reinwasserschichten gelöst wird, kann vermieden werden. Da
die Heißluft-Zuführeinheit 307 die Wafer W auf die Temperatur
geringer als dem Taupunkt des Dampfes 303 und in einem
Temperaturbereich, der für eine aktive Oxidationsreaktion
geeignet ist, erwärmt, kann der Vorgang unter Verwendung von
Ozon unterstützt werden.Da der Dampf 303 in den Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt
wird, nachdem die Wafer W auf die vorbestimmte Temperatur
erwärmt wurden, wird eine Bedingung, bei welcher der Dampf
303 auf die Wafer W mit einer gewöhnlichen Temperatur
aufgebracht wird, und eine große Menge Reinwassertropfen sich
an den Wafern W bildet, vermieden, die Ausbildung der dünnen
Reinwasserschichten kann sichergestellt werden, die
Verringerung der Bearbeitungsfähigkeit kann verhindert
werden, und die Reinwasserschichten können schnell und leicht
ausgebildet werden.Die Dampf-Zuführeinheit 304 führt den Dampf 30 fortlaufend
zu, und die Ozongas-Zuführeinheit 306 führt das Ozongas 305
fortlaufend während des Reinigungsvorganges zu. Folglich löst
das Ozongas 305 sich fortlaufend in den Reinwasserschichten.
Somit wird die dünne Reinwasserschicht mit Ozon nachgefüllt,
wenn Ozon für die Reaktion verbraucht wird, und hinreichendes
Ozon wird schnell auf die Resistschicht durch die dünne
Reinwasserschicht aufgebracht, um eine hohe Reaktionsrate
aufrechtzuerhalten. Somit kann der Reinigungsvorgang aktiv
durchgeführt werden. Vorzugsweise werden die
Reinwasserschicht und die Ozonwasserschicht in einer Dicke
ausgebildet, die keine Wassertröpfchen ausbildet.Nachdem die Wafer W aus der Reinigungsvorrichtung 300
entnommen wurden, werden Flüssigkeiten von dem
Bearbeitungsbehälter 302 durch die erste Ablassleitung 490
abgelassen, und die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302
wird durch die Ablasssammler 450 abgelassen. Dann führt die
Kühlluft-Zuführeinheit 308 Kühlluft in den
Bearbeitungsbehälter 302 zu, um den Bearbeitungsbehälter 302
von Ozongas 305 und dem Dampf 303 auszublasen. Nach einem
dadurch erreichten Trocknen des Inneren des
Bearbeitungsbehälters 302 werden Wafer W mit einer
gewöhnlichen Temperatur, die durch den nächsten
Reinigungszyklus zu reinigen sind, in den
Bearbeitungsbehälter 302 getragen. Nachdem die Dampf-
Zuführeinheit 304 von dem Bearbeitungsbehälter 302 getrennt
ist, bleibt der Dampf 303 nicht in dem Bearbeitungsbehälter
302, der Feuchtigkeitsanteil der Umgebung in dem
Reinigungsbehälter 302 kann angepasst werden, und das Innere
des Reinigungsbehälters kann leicht getrocknet werden.
Folglich ist es möglich, die Kondensation des Dampfes 303,
der in dem Bearbeitungsbehälter 302 verbleibt, in zahlreiche
Wassertropfen an den Wafern W mit einer gewöhnlichen
Temperatur, die gereinigt werden sollen, durch den nächsten
Reinigungszyklus zu verhindern. Die Wafer W, die in dem
Bearbeitungsbehälter 302 angeordnet sind, werden durch die
Wärme der Kartuschen-Heizeinrichtung 354 der Dampf-
Zuführeinheit 304 nicht betroffen, und somit werden die Wafer
W nicht übermäßig über eine gewünschte Temperatur erwärmt.
Deshalb ist es möglich, beispielsweise einen unerwünschten
Zustand zu verhindern, bei dem die Wafer W auf eine übermäßig
hohe Temperatur oberhalb des Taupunktes des Dampfes 303
erwärmt werden, der Dampf 303 hat Schwierigkeiten beim
Kondensieren an den Oberflächen der Wafer W,
Reinwasserschichten können nicht an den Oberflächen der Wafer
W ausgebildet werden, und ein Reinigungsvorgang unter
Verwendung von Ozon kann nicht erreicht werden.Die vorliegende Erfindung ist bei seiner praktischen
Anwendung nicht auf die vorangehende Ausführungsform
beschränkt, und zahlreiche Modifikationen sind möglich.
Beispielsweise können der Dampf 303 und das Ozongas 305
gleichzeitig in den Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt
werden, anstelle des Zuführens von Ozongas 305 nach dem
Zuführen des Dampfes in den Bearbeitungsbehälter 302. Wenn
der Dampf 303 und das Ozongas 305 gleichzeitig in den
Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt werden, werden der Dampf
303 und das Ozongas 305 in einem oberen Bereich des Inneren
des Bearbeitungsbehälters 302 gemischt, um ein gemischtes Gas
aus Dampf und Ozon zu erzeugen, das eine große Menge von
Sauerstoff- und Wasserstoffradikalen enthält. Wenn das
gemischte Gas aus Dampf und Ozon die Wafer W berührt,
bewirken die Radikale, ähnlich zu den ozonhaltigen
Wasserschichten, eine Oxidationsreaktion, wodurch das Resist,
das die Resistschichten bildet, in Carbonsäure, Kohlendioxid,
Wasser und dergleichen zerlegt wird. Somit werden die
Radikale, die in dem gemischten Gas aus Dampf und Ozon
erzeugt werden, unmittelbar verwendet und reagieren direkt
mit den Resistschichten, bevor selbige verschwinden, und
somit ist das gemischte Gas aus Dampf und Ozon in der Lage,
eine hohe Reinigungsfähigkeit aufzuweisen. Das gemischte Gas
aus Dampf und Ozon kann derart zugeführt werden, dass es von
einem oberen Bereich des Inneren des Bearbeitungsbehälters
302 nach unten strömt. Wenn das gemischte Gas aus Dampf und
Ozon so zugeführt wird, kann das gemischte Gas aus Dampf und
Ozon hinreichend und gleichmäßig auf die Wafer W aufgebracht
werden, was die Reinigungsfähigkeit des gemischten Gases aus
Dampf und Ozon weiterverbessert. Da das Dampf-Ozon-Gas
fortlaufend in dem oberen Bereich des Inneren des
Bearbeitungsbehälters 302 erzeugt wird, und das gemischte Gas
aus Dampf und Ozon schnell auf die Wafer W aufgebracht wird,
kann der Reinigungsvorgang aktiv durchgeführt werden. Das
gemischte Gas aus Dampf und Ozon kondensiert in geeigneter
Weise an den Oberflächen der Wafer W, und ozonhaltige
Wasserschichten mit einer großen Anzahl von Sauerstoff- und
Wasserstoffradikalen können unmittelbar an den Oberflächen
der Wafer W ausgebildet werden. Deshalb können die
Resistschichten hinreichend oxidiert, zerlegt und in
wasserlösliche Schichten umgewandelt werden.Obwohl die Ablasseinheit 309 dieser Ausführungsform die
Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 durch die
Ablasssammler 450 und die erste Ablassleitung 457 ablässt,
kann die Ablassrate, bei der die Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 durch die erste Ablassleitung 457
abgelassen wird, angepasst werden. Eine Ablasseinheit 510,
die in Fig. 34 gezeigt ist, kann anstelle der Ablasseinheit
309 verwendet werden. Wie in Fig. 34 gezeigt ist, weist die
Ablasseinheit 510 eine erste Ablassleitung 457 auf, die mit
einem Strömungssteuerungsventil 511 versehen ist. Das
Strömungssteuerungsventil 511 wird durch die
Steuerungseinheit 356 gesteuert. Der Bearbeitungsbehälter 302
ist mit einem Drucksensor 512 versehen, der mit der
Steuerungseinheit 356 verbunden ist. Die Steuerungseinheit
356 steuert die Öffnung des Strömungssteuerungsventils 511
auf Basis eines Signals, das dieser durch den Drucksensor 512
gegeben wird.Während des Reinigungsvorgangs wird die Öffnung des
Strömungssteuerungsventils 511 derart angepasst, dass die
Strömungsrate des Gases, das durch die erstes Ablassleitung
457 strömt, derart angepasst wird, dass der Druck der
Umgebung in den Bearbeitungsbehälter 302 auf beispielsweise
196 kPa angepasst wird, um die Ozonkonzentration der Umgebung
in dem Bearbeitungsbehälter 302 so zu erhöhen, dass die
Auflösung des Ozongases 305 in den Reinwasserschichten
verbessert wird. Somit können Reinwasserschichten mit einer
sehr hohen Ozonkonzentration an den Wafern W ausgebildet
werden, was die Bearbeitungsfähigkeit weiter erhöht.Es wird bevorzugt, eine kleine Menge von Katalysatorgas, wie
z. B. NOx-Gas, in den Bearbeitungsbehälter 302 zuzuführen, um
die Erzeugung der Sauerstoffradikalen in den
Flüssigkeitsschichten für die Aktivierung der
Oxidationsreaktion zu unterstützen.Die unter Bezugnahme auf die Fig. 16 bis 34 beschriebene
Reinigungsvorrichtung ist in der Lage, in geeigneter Weise
Dampf an den Wafern W in dünnen Reinwasserschichten zu
kondensieren, das Ozongas in den Reinwasserschichten
aufzulösen, um Flüssigkeitsschichten mit einer hohen
Bearbeitungsfähigkeit an den Wafern W unmittelbar vor
Verwendung der Flüssigkeitsschicht zu bilden.Die Fig. 35 bis 37 zeigen Modifikationen von Komponenten der
Reinigungsvorrichtung, die vorangehend unter Bezugnahme auf
die Fig. 16 bis 34 beschrieben wurde. Fig. 35 zeigt eine
Dampf-Zuführeinheit in einer Modifikation der in Fig. 20
gezeigten Dampf-Zuführeinheit 304. Die Dampf-Zuführeinheit
304, die in Fig. 35 gezeigt ist, unterscheidet sich von der
in Fig. 20 gezeigten dahingehend, dass ein Temperatursensor
657 zwischen dem Abschlussventil 376 in der Dampf-
Zuführleitung 342 und dem Abschlussventil 381 angeordnet ist.
Der Temperatursensor 657 misst die Temperatur des durch den
Dampferzeuger 341 erzeugten Dampfes, das Abschlussventil 381
wird offengehalten, um Dampf in die Dampffalle 451
abzulassen, bis der Betriebszustand des Dampferzeugers 341
stabilisiert wird.Fig. 36 zeigt Modifikationen der Heißluft-Zuführeinheit und
der Kühlluft-Zuführeinheit, die in Fig. 24 gezeigt sind. Eine
Heißluft-Zuführeinheit und eine Kühlluft-Zuführeinheit, die
in Fig. 36 gezeigt sind, unterscheiden sich von der in
Fig. 24 gezeigten Heißluft-Zuführeinheit und der Kühlluft-
Zuführeinheit dahingehend, dass die Kühlluft-Zuführleitung
445 mit einem Temperatursensor 694 versehen ist. Wenn Luft in
den Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt wird, wird das
Abschlussventil 412 geschlossen, und das Abschlussventil 446
wird geöffnet. Luft, die von der Luftquelle 406 zugeführt
wird, strömt durch die Kühlluft-Zuführleitung 445 unter
Umgehung des Heißlufterzeugers 401 in die Heißluft-
Zuführleitung 402 und wird durch die Heißluftdüsen 404 in den
Bearbeitungsbehälter 302 ausgestoßen. Eine Luftablassleitung
695, die mit einem Abschlussventil 696 versehen ist, ist mit
der Kühlluft-Zuführleitung 445 zum Ablassen von Luft in den
Ablasssammler 454 verbunden.Wie in Fig. 38 gezeigt ist, stoßen die Luft-Zuführdüsen 404
Luft nach oben entlang der Innenfläche des
Bearbeitungsbehälters 302 aus. Heiße Luft 403, die durch die
Luft-Zuführdüsen 404 ausgestoßen wird, strömt in Richtung
eines oberen Bereichs des Inneren des Bearbeitungsbehälters
302 entlang der Innenfläche des Bearbeitungsbehälters 302,
und strömt dann nach unten in Richtung der Wafer W, um die
Wafer W gleichmäßig zu erwärmen.Fig. 37 zeigt ein Ablasseinheit 309 in einer Modifikation der
in Fig. 28 gezeigten Ablasseinheit 309. Die in Fig. 37
gezeigte Ablasseinheit unterscheidet sich von der in Fig. 28
gezeigten dahingehend, dass die erste Ablassleitung 457, d. h.
eine Gasablassleitung zum Ablassen des Dampfes und des in den
Bearbeitungsbehälter 302 zugeführten Ozongases von dem
Bearbeitungsbehälter 302, mit einem Dreiwegeventil 707
versehen ist, und eine Heißluft-Ablassleitung 708 ist mit dem
Dreiwegeventil 707 verbunden. Der Ablasssammler 454, der mit
der zweiten Ablassleitung 417 verbunden ist, die mit der
Ablasseinheit 461 der Dampffalle 451 verbunden ist, ist mit
einer Ozonkonzentration-Messvorrichtung 717 zum Messen der
Ozonkonzentration des in dem Ablasssammler 454 abgelassenen
Gases versehen. Die Ozonentfernungsfähigkeit des
Ozonzerstörers 452 wird anhand der durch die
Ozonkonzentration-Messvorrichtung 717 gemessenen
Ozonkonzentration eingeschätzt. Somit wird die
Ozonentfernungsfähigkeit des Ozonzerstörers 452 überwacht, um
das Ablassen eines Gases zu verhindern, das eine hohe
Ozonkonzentration infolge einer Fehlfunktion des
Ozonzerstörers 452 aufweist.Ein Reinigungsverfahren, das durch die Reinigungsvorrichtung
300 mit den vorangehenden Modifikationen durchgeführt wird,
wird nachfolgend beschrieben. Zunächst wird das
Dreiwegeventil 707 (vgl. Fig. 37) derart eingestellt, dass
der Bearbeitungsbehälter 302 mit der Heißluft-Ablassleitung
308 verbunden wird, und dann wird die Heißluft 403 in den
Bearbeitungsbehälter 302 zum Erwärmen der Wafer W
ausgestoßen. Da die Heißluft 403 für den menschlichen Körper
keine Schäden verursacht, muss keine besondere
Enfernungsvorrichtung für schädliche Substanzen in der
Heißluft-Ablassleitung 708 angeordnet werden. Deshalb besteht
die Heißluft-Ablassleitung 708 nur aus Röhren, um einen
Druckverlust in der Heißluft 403, die durch die Heißluft-
Ablassleitung 708 strömt, auf das geringstmögliche Ausmaß zu
verringern.Wenn die Wafer W unter Verwendung des Dampfes 303 und des
Ozongases 305 bearbeitet werden, und wenn die Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 nach dem Vollenden des
Reinigungsvorgangs ausgeblasen wird, wird das Dreiwegeventil
707 derart eingestellt, dass es den Bearbeitungsbehälter 302
mit der Dampffalle 451 (460, 461) verbindet, um den Dampf 303
und das Ozongas 305 von dem Bearbeitungsbehälter 302 durch
die Ablasssammler 405 und die erste Ablassleitung 457 in die
Ablasseinheit 461 der Dampffalle 451 abzulassen. Da
Kühlwasser durch die Kühlwasser-Zuführleitung 465 der
Kühleinheit 460 der Dampffalle 451 zugeführt wird, wird der
von dem Bearbeitungsbehälter 302 in die Dampffalle 451
abgelassene Dampf 303 gekühlt, und es wird bewirkt, dass
dieser in Wassertröpfchen kondensiert, und die
Wassertröpfchen werden in der Ablasseinheit 461 gesammelt.
Das Ozongas 305 strömt in die Ablasseinheit 461. Das von dem
Bearbeitungsbehälter 302 abgelassene Gas wird somit in das
Ozongas und Wassertröpfchen geteilt. Der Ozonzerstörer 452
entfernt Ozon von dem in die Ablasseinheit 461 der Dampffalle
451 abgelassenen Gas, während das Gas durch die Gas-
Ablassleitung 470 strömt, um ein schadloses Gas nach außen
abzulassen. Wenn die Wafer W unter Verwendung des Dampfes und
des Ozongases bearbeitet werden, kann eine unter Druck
gesetzte Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 erzeugt
werden, indem die Stellung des Dreiwegeventils 707, des
Abschlussventils 492 und eines Strömungssteuerungsventils
gesteuert werden, das in der Gas-Ablassleitung 457 angeordnet
ist.Dampf und Reinwasser, das von dem Dampferzeuger 341
abgelassen wird, strömen durch die Dampf-Ablassleitung 380 in
die Ablasseinheit 461 der Dampffalle 451; das Wasser tropft
in die Ablasseinheit 461, der Dampf wird gekühlt und
kondensiert in Wassertröpfchen, während selbiger durch die
Kühleinheit 460 strömt, und die Wassertropfen tropfen in die
Ablasseinheit 461.Das durch die Reinigungsvorrichtung 300 durchzuführende
Reinigungsverfahren wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 4
und 5, ein in Fig. 39 gezeigtes Flussdiagramm und ein in
Fig. 40 gezeigtes Diagramm erläutert. Für eine vorbestimmte
Temperatur, auf die in der nachfolgenden Beschreibung Bezug
genommen wird, wird angenommen, dass sie in einem Bereich von
beispielsweise 80 bis 120°C liegt.Wie in Fig. 3 gezeigt ist, werden fünfzig Wafer W, die
jeweils mit einer Resistschicht 30 versehen sind, durch einen
Übertragungsmechanismus, der nicht gezeigt ist, zu dem
Waferschiffchen 6 übertragen. Das Waferschiffchen 6, das die
Wafer W hält, wird in dem Bearbeitungsbehälter 302
angeordnet, und die obere Abdeckung 312 wird auf den
Bearbeitungsbehälter 302 gelegt. Dann setzt die
Steuerungseinheit 356 die Gummi-Heizeinrichtungen 430, 431
und 432 unter Energie, um die Wände des Bearbeitungsbehälters
302 derart zu erwärmen, dass die Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 auf 80°C erwärmt wird. Währenddessen
wird Luft, die auf eine Temperatur im Bereich von
beispielsweise 200 bis 300°C erwärmt ist, durch die Luft-
Zuführdüsen 404 in die Bearbeitungskammer 302 bei einer
Ausstoßrate von beispielsweise 100 l/min ausgestoßen, um die
Wafer W in Schritt S1 (vgl. Fig. 39) für eine Zeitdauer
zwischen den Zeiten T1 und T2 (vgl. Fig. 40) zu erwärmen.
Wünschenswerterweise werden die Gummi-Heizeinrichtungen 430,
431, 432 unter Energie gesetzt, um die Wände des
Bearbeitungsbehälters 302 vor dem Tragen der Wafer W in den
Bearbeitungsbehälter 302 zu erwärmen.Wie in Fig. 38 gezeigt ist, stoßen die Luft-Zuführdüsen 404
Heißluft 304 nach oben entlang der Innenflächen des
Bearbeitungsbehälters 302 aus. Die durch die Luft-Zuführdüsen
404 ausgestoßene Heißluft 403 strömt in Richtung eines oberen
Bereichs des Inneren des Bearbeitungsbehälters 302 entlang
der Innenflächen des Bearbeitungsbehälters 302, und strömt
dann nach unten in Richtung eines Bodenbereichs des Inneren
des Bearbeitungsbehälters 302, wobei die Wafer W erwärmt
werden. Somit können die Wafer W schnell und gleichmäßig
erwärmt werden. Die Heißluft 403 wird durch Konvektion in dem
Bearbeitungsbehälter 302 zirkuliert. Sämtliche fünfzig Wafer
W können durch das Zirkulieren der Heißluft 403 gleichmäßig
auf 80°C erwärmt werden.Da die Wafer W intensiv mit der Heißluft 403 erwärmt werden
können, können die Wafer W in einer kurzen Erwärmungszeit von
beispielsweise zwei Minuten auf eine vorbestimmte Temperatur
erwärmt werden. Wenn die Wafer W schnell auf die vorbestimmte
Temperatur durch Verwendung lediglich der Gummi-
Heizeinrichtungen 430, 431 und 432 erwärmt werden, werden die
Wände des Bearbeitungsbehälters 302 auf eine übermäßig hohe
Temperatur oberhalb der vorbestimmten Temperatur erwärmt. Da
die Wände des Bearbeitungsbehälters 302 eine große
Wärmekapazität aufweisen, braucht es eine lange Zeit, um die
Wände des Bearbeitungsbehälters 302, die auf eine übermäßig
hohe Temperatur erwärmt wurden, auf die vorbestimmte
Temperatur zu stabilisieren. Somit verhindert die Verwendung
der Heißluft 403 zum Erwärmen der Wafer W eine Erwärmung der
Wände des Bearbeitungsbehälters 302 auf eine übermäßig hohe
Temperatur und vermeidet Zeit und Arbeit, die für die
Stabilisierung der Temperatur des Bearbeitungsbehälters 302
erforderlich ist.Während des Wafererwärmungsvorgangs ist das Dreiwegeventil
707 (vgl. Fig. 37) derart eingestellt, dass es den
Bearbeitungsbehälter 302 mit der Heißluft-Ablassleitung 708
verbindet, um die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302
nach außen durch die Heißluft-Ablassleitung 708 abzulassen.
Wie oben erwähnt, muss die Heißluft in dem
Bearbeitungsbehälter 302 bei 100 l/min zugeführt werden, um
die Wafer schnell zu erwärmen. Der Druck in dem
Bearbeitungsbehälter 302 steigt nicht übermäßig an, auch wenn
die Heißluft bei einer derart hohen Strömungsrate in den
Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt wird, weil die Umgebung in
dem Bearbeitungsbehälter 302 durch die Heißluft-Ablassleitung
708 abgelassen wird. Folglich ist es möglich, einen
gefährlichen Unfall, wie z. B. einen Bruch des Fensters 323
(vgl. Fig. 17) der oberen Abdeckung 312, zu vermeiden.Die Zuführung der Heißluft 403 wird angehalten, nachdem die
Wafer W auf 80°C erwärmt wurden, der Bearbeitungsbehälter 302
wird, wie er ist, für beispielsweise eine Minute, d. h. ein
Zeitintervall zwischen den Zeiten T2 und T3 in Fig. 40
gelassen, um die Temperatur der Wafer W in Schritt S2 (vgl.
Fig. 39) zu stabilisieren. Die Steuerungseinheit 356 versorgt
die Gummi-Heizeinrichtungen 430, 431 und 432 weiterhin mit
Energie, um die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 auf
80°C zu halten, nachdem die Zuführung der Heißluft 403
angehalten wurde. In dem Zeitintervall zwischen den Zeiten T2
und T3 wird die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302,
welche die Wafer W umgibt, gleichmäßig auf der vorbestimmten
Temperatur aufrechterhalten, um die Temperaturverteilung in
der Oberfläche eines jeden Wafers W zu verbessern. Die
Heißluft 403 wird durch die Heißluft-Ablassleitung 708
abgelassen. Da Luft eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist,
wird die Energie der Heißluft 403 nicht in dem
Bearbeitungsbehälter 302 gesammelt, und wird unmittelbar nach
außerhalb dissipiert, und somit werden die Wafer W nicht
übermäßig erwärmt, wenn die Zuführung der Heißluft 403
angehalten wird. Da die Heißluft 403 zum Erwärmen der Wafer W
verwendet wird, werden die Wafer W nicht auf Temperaturen
über die vorbestimmte Temperatur hinaus erwärmt, und die
Wafer W können schnell erwärmt werden.In Schritt S3 werden Dampf 303 und Ozongas 305 in den
Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt, um die Wafer W dem
Reinigungsvorgang unter Verwendung von Ozon für fünf Minuten
zwischen den Zeiten T3 und T4 gemäß Fig. 40 zu unterwerfen.
Wie vorangehend in der Beschreibung, die in Zusammenhang mit
Fig. 10 gegeben wurde, erwähnt, wird eine Ozon-Wasser-
Molekülschicht mit Wassermolekülen 161 und Ozonmolekülen 162
an der Oberfläche eines jeden Wafers W ausgebildet. Die
Wassermoleküle 161 und die Ozonmoleküle 162 wirken in der
Ozon-Wasser-Molekülschicht zusammen, um eine große Menge von
reaktiven Substanzen, wie z. B. Sauerstoffradikale und
Hydroxylradikale, zu erzeugen. Die Hydroxylradikale, die
somit an den Oberflächen der Wafer W erzeugt werden,
verschwinden nicht, sie verursachen unmittelbar eine
Oxidationsreaktion und zerlegen das Resist, das die
Resistschichten bildet, in Carbonsäure, Kohlendioxid, Wasser
und dergleichen. Folglich wird das Resist, das die
Resistschichten bildet, vollständig oxidiert und zerlegt, und
die Resistschichten werden in wasserlösliche Schichten
verändert. Die wasserlöslichen Schichten können leicht durch
Abspülen unter Verwendung von Reinwasser entfernt werden.
Während des Vorgangs unter Verwendung von Ozon kann das
Dreiwegeventil 707 derart eingestellt sein, dass es den
Bearbeitungsbehälter 302 mit der Heißluft-Ablassleitung 708
verbindet, um die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302
abzulassen.Nachfolgend wird in Schritt S4 (vgl. Fig. 39) die Zuführung
des Dampfes 309 und des Ozongases 305 angehalten, und der
Bearbeitungsbehälter 302 wird von Ozon für zwei Minuten nach
der Zeit T4 (vgl. Fig. 40) ausgeblasen. Das Dreiwegeventil
707 ist derart eingestellt, dass es den Bearbeitungsbehälter
302 mit der ersten Ablassleitung 457 verbindet, Luft mit
gewöhnlicher Temperatur wird durch die Luft-Zuführdüsen 404
in den Bearbeitungsbehälter 302 ausgestoßen, um den
Bearbeitungsbehälter 302 von dem Dampf und dem Ozongas 305
auszublasen. Die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302,
die von dem Bearbeitungsbehälter 302 abgelassen wird, wird
durch die Kühleinheit 460 der Dampffalle 451 gekühlt, um den
Dampf 303 in Reinwasser zu kondensieren. Das Reinwasser
tropft in die Ablasseinheit 461. Das Ozongas 305 wird durch
die Ablasseinheit 461 der Dampffalle 451 und die zweite
Ablassleitung 470 abgelassen. Der Ozonzerstörer 452 entfernt
Ozon von dem in die Ablasseinheit 461 der Dampffalle 451
abgelassenen Gas, während das Gas durch die Gas-Ablassleitung
470 strömt, um ein schadloses Gas nach außen abzulassen.
Somit dauert ein Reinigungszyklus, d. h. die Schritte S1 bis
S4 eines Reinigungsvorgangs 10 Minuten. Das Abschlussventil
492 wird geöffnet, um die Flüssigkeit, die in dem
Bearbeitungsbehälter 302 gesammelt ist, durch die erste
Ablassleitung 490 abzulassen. Der Dampf 303 und das Ozongas
305 können von dem Bearbeitungsbehälter 302 durch Evakuieren
anstelle von Ausblasen entfernt werden.Dann wird die obere Abdeckung 312 entfernt, und die Wafer W
werden aus dem Bearbeitungsbehälter 302 entnommen, um den
Reinigungsvorgang zu vollenden. Die Wafer W werden durch
einen Wafertragemechanismus zu einer Abspülvorrichtung
getragen, und die Wafer W werden mit Reinwasser abgespült. Da
die Resistschichten der Wafer W in wasserlösliche Schichten
verändert wurden, können die wasserlöslichen Schichten leicht
von dem Wafer W durch die Abspülvorrichtung entfernt werden.
Dann werden die Wafer W von der Abspülvorrichtung durch den
Wafertragemechanismus zu einer Trocknungsvorrichtung
getragen, um die Wafer W einem Trocknungsvorgang zu
unterwerfen.Die Wafer W können durch Erwärmen der Wände des
Bearbeitungsbehälters 302 und der Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 schnell auf 80°C erwärmt werden. Das
Erwärmen der Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 wird
angehalten, und die Wände des Bearbeitungsbehälters 302
werden weiterhin erwärmt, nachdem die Temperatur der Wafer W
80°C erreicht hat, um die übermäßige Erwärmung der Wafer W zu
vermeiden, und die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302
und der Wafer W auf 80°C aufrechtzuerhalten. Nach dem
Verstreichen einer vorbestimmten Zeit, die erforderlich ist,
um die Temperaturverteilung in dem Bearbeitungsbehälter 302
gleichmäßig zu machen, werden der Dampf 303 und das Ozongas
305 in den Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt, und der
Vorgang unter Verwendung von Ozon wird durchgeführt.
Dieses Reinigungsverfahren erwärmt die Wände des
Bearbeitungsbehälters 302 und die Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 durch die Gummi-Heizeinrichtungen
430, 431 und 432, und erwärmt die Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 und die Wafer W durch die Heißluft-
Zuführeinheit 307 unter Verwendung von Heißluft anstelle von
Erwärmen der Wände des Bearbeitungsbehälters 302, der
Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 und der Wafer W
durch eine einzige Heizeinrichtung. Deshalb ist das
Reinigungsverfahren in der Lage, die Wafer W schnell auf 80°C
zu erwärmen, eine hinreichende Bearbeitungszeit kann
verwendet werden, ohne den Durchsatz zu verringern, und der
Ertrag und die Produktivität können verbessert werden.Da Heißluft für den menschlichen Körper schadlos ist, muss
die Heißluft-Ablassleitung 708 nicht mit irgendeiner
Vorrichtung versehen sein, die einen Druckverlust verursacht,
wie z. B. einem Ozonzerstörer. Das Ozongas wird durch die
erste Ablassleitung 457, und die zweite Ablassleitung 470
abgelassen, die mit dem Ozonzerstörer 452 versehen ist, und
die Heißluft wird durch die Heißluft-Ablassleitung 708
abgelassen. Deshalb kann das Ozongas sicher abgelassen
werden, und die Heißluft, die zum Erwärmen der Wafer
verwendet wird, kann schnell abgelassen werden. Wenn die
Heißluft durch die zweite Ablassleitung 470 bei einer hohen
Ablassrate abgelassen wird, muss der Ozonzerstörer 452 in
großen Abmessungen ausgebildet werden, um einen Druckverlust
zu vermeiden, was die Herstellungskosten der
Reinigungsvorrichtung erhöht. Da die Heißluft durch die
Heißluft-Ablassleitung 708 abgelassen wird, kann der
Ozonzerstörer 452 in mi 05506 00070 552 001000280000000200012000285910539500040 0002010036867 00004 05387nimale Abmessungen ausgebildet werden,
die nur für das Entfernen von Ozon erforderlich sind, was die
Herstellungskosten der Reinigungsvorrichtung auf einem
niedrigen Niveau hält.Die Luft-Zuführdüsen 404 sind derart angeordnet, dass die
Heißluft 403 entlang der Innenfläche des
Bearbeitungsbehälters 302 nach oben und nach unten in
Richtung der Wafer W strömt, und der Bearbeitungsbehälter 302
wird gelassen, wie er ist, und zwar für die vorbestimmte Zeit
zum Stabilisieren der Temperatur der Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 auf 80°C. Folglich wird die Umgebung
in dem Bearbeitungsbehälter 302 gleichmäßig auf der
vorbestimmten Temperatur aufrechterhalten, auch wenn fünfzig
Wafer in dem Bearbeitungsbehälter 302 angeordnet sind, um die
Temperaturverteilung in der Oberfläche eines jeden Wafers W
zu verbessern, und der Vorgang unter Verwendung von Ozon kann
in zweckmäßiger Weise durchgeführt werden.Die vorliegende Erfindung ist nicht auf ihre Anwendung auf
die vorangehenden Ausführungsformen beschränkt, und
verschiedene Modifikationen sind hierbei möglich.
Beispielsweise kann eine kleine Menge von Luft in den
Bearbeitungsbehälter 302 zugeführt werden, um die Umgebung in
dem Bearbeitungsbehälter 302 umzurühren, wenn die Umgebung in
dem Bearbeitungsbehälter 302 gleichmäßig gemacht wird. Die
Zuführung von Luft in den Bearbeitungsbehälter 302 zum
Umrühren der Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302
verbessert die Gleichmäßigkeit der Temperaturverteilung in
dem Bearbeitungsbehälter 302. Die Umgebung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 kann durch eine Umrührmaschine, wie
z. B. ein Gebläserad, umgerührt werden. Der
Bearbeitungsbehälter 302 kann intern mit einem Lüftungsrad
versehen sein, und das Lüftungsrad kann derart betrieben
werden, dass die Temperaturverteilung in dem
Bearbeitungsbehälter 302 gleichmäßig gemacht wird, wenn die
Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter 302 stabilisiert wird.Der Bearbeitungsbehälter 302 kann an seiner Innenfläche mit
Prallplatten 740, wie gezeigt in Fig. 41, versehen sein, um
die Heißluft 403 zu verteilen. Die Prallplatten 740 verteilen
die Heißluft 403, die nach oben durch die Luft-Zuführdüsen
404 in den Bearbeitungsbehälter 302 gespritzt wird, so dass
die Heißluft gleichmäßiger auf die Wafer W aufgebracht werden
kann.Ein Gas mit einer geeigneten spezifischen Wärme, wie z. B.
Argongas oder Heliumgas, oder ein Inertgas, wie z. B.
Stickstoffgas, kann anstelle der Heißluft verwendet werden.
Eine Lampen-Heizeinrichtung oder ähnliches kann anstelle der
Heißluft-Zuführeinheit 307 verwendet werden, um die Zeit zu
verkürzen, die erforderlich ist, um die Wafer W durch
Aufbringen von Energie in intensiver Art und Weise auf die
Wafer W auf die vorbestimmte Temperatur zu erwärmen.Obwohl die Erfindung auf das Entfernen der Resistschichten
von den Wafern unter Verwendung von Ozongas beschrieben
wurde, ist die vorliegende Erfindung auf die Entfernung von
anderen Schichten als Resistschichten anwendbar.
Beispielsweise ist die vorliegende Erfindung auf die
Entfernung einer organischen Schicht, wie z. B. einer BARC
(bottom antireflective coating; Bodenantireflektiv-Überzug)
anwendbar, der unter der Resistschicht zur Verbesserung einer
Auflösung ausgebildet ist. Die vorliegende Erfindung kann auf
die Entfernung verschiedener Ablagerungen angewendet werden,
die an die Oberflächen von Wafern haften, und zwar durch
Verwendung eines anderen Betriebsgases als Ozongas.Beispielsweise können metallische Unreinheiten und Teilchen
von Wafern unter Verwendung von Chlorradikalen entfernt
werden, die in einer Salzsäureschicht (HCl-Schicht) erzeugt
werden, die an den Oberflächen der Wafer W durch Auflösen von
Chlorgas (Cl2-Gas) in Reinwasserschichten ausgebildet wird.
Teilchen und Oxidschichten, die durch natürliche Oxidation
ausgebildet werden, können von Wafern unter Verwendung von
Fluorradikalen entfernt werden, die in einer
Flusssäureschicht (HF-Schicht) erzeugt werden, die an den
Oberflächen der Wafer W durch Auflösen von Fluorgas (F2) in
Reinwasserschichten erzeugt wird.
Radikale können in einem Betriebsgas durch Anregen des
Betriebsgases erzeugt werden. Ozongas mit
Sauerstoffradikalen, Chlorgas mit Chlorradikalen,
Wasserstoffgas mit Wasserstoffradikalen und Fluorgas mit
Fluorradikalen kann verwendet werden, um den
Reinigungsvorgang zu unterstützen.Die vorliegende Erfindung ist nicht nur auf die Reinigung von
Wafern anwendbar, sondern sie ist auch auf das Aufbringen
einer vorbestimmten Bearbeitungsflüssigkeit auf die
Oberflächen der Wafer anwendbar. Die vorliegende Erfindung
ist nicht nur auf ein Ladungs-Bearbeitungssystem anwendbar,
das mehrere Wafer in einer Ladung bearbeitet, sondern auch
auf ein Einzelwafer-Bearbeitungssystem, das die Wafer
nacheinander bearbeitet. Die Objekte, die zu bearbeiten sind,
sind nicht auf Wafer beschränkt, und können LCD-Substrate,
CDs, Leiterplatten, keramische Substrate oder ähnliches sein.
Claims (50)
1. Substrat-Bearbeitungsverfahren mit folgenden Schritten:
Anordnen eines Substrats in einem Bearbeitungsbehälter;
Ausbilden einer Schicht eines Lösungsmittels über einer Oberfläche des Substrats; und
Auflösen eines Betriebsgases in der Schicht des Lösungsmittels.
Anordnen eines Substrats in einem Bearbeitungsbehälter;
Ausbilden einer Schicht eines Lösungsmittels über einer Oberfläche des Substrats; und
Auflösen eines Betriebsgases in der Schicht des Lösungsmittels.
2. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, ferner
mit folgendem Schritt:
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels in dem Bearbeitungsbehälter.
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels in dem Bearbeitungsbehälter.
3. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, ferner
mit folgendem Schritt:
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels außerhalb des Bearbeitungsbehälters.
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels außerhalb des Bearbeitungsbehälters.
4. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, ferner
mit folgendem Schritt:
Ausblasen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter vor dem Schritt des Anordnens eines Substrats in dem Bearbeitungsbehälter.
Ausblasen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter vor dem Schritt des Anordnens eines Substrats in dem Bearbeitungsbehälter.
5. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, ferner
mit folgendem Schritt:
Zuführen eines heißen Gases in den Bearbeitungsbehälter zur Anpassung einer Temperatur des Substrats, während die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter ausgeblasen wird.
Zuführen eines heißen Gases in den Bearbeitungsbehälter zur Anpassung einer Temperatur des Substrats, während die Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter ausgeblasen wird.
6. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei
das Lösungsmittel Wasser ist, und das Betriebsgas
Ozongas ist.
7. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei
der Schritt des Ausbildens einer Schicht aus
Lösungsmittel über einer Oberfläche des Substrats
folgenden Schritt aufweist:
Kondensieren eines Dampfes des Lösungsmittels an einer Oberfläche des Substrats.
Kondensieren eines Dampfes des Lösungsmittels an einer Oberfläche des Substrats.
8. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 7, wobei
der Schritt des Kondensierens eines Dampfes des
Lösungsmittels auf der Oberfläche des Substrats
folgenden Schritt aufweist:
Anpassen einer Temperatur des Substrats auf eine Temperatur geringer als dem Taupunkt des Dampfes des Lösungsmittels.
Anpassen einer Temperatur des Substrats auf eine Temperatur geringer als dem Taupunkt des Dampfes des Lösungsmittels.
9. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 8, ferner
mit folgendem Schritt:
Zuführen des Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter nach dem Schritt der Anpassung einer Temperatur des Substrats.
Zuführen des Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter nach dem Schritt der Anpassung einer Temperatur des Substrats.
10. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 8, ferner
mit folgendem Schritt:
Zuführen des Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter vor dem Schritt des Anpassens einer Temperatur des Substrats.
Zuführen des Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter vor dem Schritt des Anpassens einer Temperatur des Substrats.
11. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 9, wobei
der Schritt des Anpassens einer Temperatur des Substrats
folgenden Schritt aufweist:
Erwärmen des Substrats.
Erwärmen des Substrats.
12. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 11 (13),
wobei der Schritt des Erwärmens des Substrats folgenden
Schritt aufweist:
Zuführen eines heißen Gases in den Bearbeitungsbehälter.
Zuführen eines heißen Gases in den Bearbeitungsbehälter.
13. Substrat-Bearbeitungsverfahren mit folgenden Schritten:
Anordnen eines Substrats in einem Bearbeitungsbehälter;
Zuführen eines Dampfes eines Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter;
Zuführen eines Betriebsgases in den Bearbeitungsbehälter;
Erzeugen einer reaktiven Substanz durch Wechselwirkung zwischen dem Dampf des Lösungsmittels und dem Betriebsgas; und
Bearbeiten des Substrats mit der reaktiven Substanz.
Anordnen eines Substrats in einem Bearbeitungsbehälter;
Zuführen eines Dampfes eines Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter;
Zuführen eines Betriebsgases in den Bearbeitungsbehälter;
Erzeugen einer reaktiven Substanz durch Wechselwirkung zwischen dem Dampf des Lösungsmittels und dem Betriebsgas; und
Bearbeiten des Substrats mit der reaktiven Substanz.
14. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Unter-Druck-Setzen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter.
Unter-Druck-Setzen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter.
15. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels in dem Bearbeitungsbehälter.
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels in dem Bearbeitungsbehälter.
16. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels außerhalb des Bearbeitungsbehälters.
Erzeugen eines Dampfes des Lösungsmittels außerhalb des Bearbeitungsbehälters.
17. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, wobei
der Schritt des Erzeugens einer reaktiven Substanz durch
Wechselwirkung zwischen dem Dampf des Lösungsmittels und
dem Betriebsgas den folgenden Schritt aufweist:
Ausbilden einer gemischten Molekülschicht einer Mischung von Molekülen des Lösungsmittels und von Molekülen des Betriebsgases.
Ausbilden einer gemischten Molekülschicht einer Mischung von Molekülen des Lösungsmittels und von Molekülen des Betriebsgases.
18. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Anpassen einer Temperatur des Substrats auf eine Temperatur höher als dem Taupunkt des Dampfes des Lösungsmittels und niedriger als eine Temperatur des Dampfes des Lösungsmittels.
Anpassen einer Temperatur des Substrats auf eine Temperatur höher als dem Taupunkt des Dampfes des Lösungsmittels und niedriger als eine Temperatur des Dampfes des Lösungsmittels.
19. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Anpassen der Temperatur des Substrats auf eine vorbestimmte Temperatur vor dem Schritt der Zuführung eines Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter.
Anpassen der Temperatur des Substrats auf eine vorbestimmte Temperatur vor dem Schritt der Zuführung eines Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter.
20. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 19, wobei
der Schritt des Anpassens der Temperatur des Substrats
auf eine vorbestimmte Temperatur folgenden Schritt
aufweist:
Zuführen eines Gases einer gewünschten Temperatur in den Bearbeitungsbehälter.
Zuführen eines Gases einer gewünschten Temperatur in den Bearbeitungsbehälter.
21. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, wobei
der Schritt des Zuführens eines Betriebsgases in den
Bearbeitungsbehälter vor dem Schritt des Zuführens eines
Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter
durchgeführt wird.
22. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, wobei
das Lösungsmittel Wasser ist, und das Betriebsgas
Ozongas ist.
23. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 18, wobei
der Schritt des Zuführens eines Dampfes des
Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter vor dem
Schritt der Anpassung einer Temperatur des Substrats
durchgeführt wird.
24. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Ausblasen einer Umgebung in den Bearbeitungsbehälter vor dem Schritt des Anordnens des Substrats in dem Bearbeitungsbehälter.
Ausblasen einer Umgebung in den Bearbeitungsbehälter vor dem Schritt des Anordnens des Substrats in dem Bearbeitungsbehälter.
25. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Zuführen eines heißen Gases in den Bearbeitungsbehälter zum Anpassen einer Temperatur des Substrats, während die Umgebung des Bearbeitungsbehälters ausgeblasen wird.
Zuführen eines heißen Gases in den Bearbeitungsbehälter zum Anpassen einer Temperatur des Substrats, während die Umgebung des Bearbeitungsbehälters ausgeblasen wird.
26. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgendem Schritt:
Anpassen einer Temperatur einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter auf eine vorbestimmte Temperatur;
Anpassen einer Temperatur des Substrats auf eine vorbestimmte Temperatur; und
Stabilisieren der Umgebung auf die vorbestimmte Temperatur;
wobei die genannten Schritte vor den Schritten der Zuführung eines Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter und des Zuführens eines Betriebsgases in den Bearbeitungsbehälter durchgeführt werden.
Anpassen einer Temperatur einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter auf eine vorbestimmte Temperatur;
Anpassen einer Temperatur des Substrats auf eine vorbestimmte Temperatur; und
Stabilisieren der Umgebung auf die vorbestimmte Temperatur;
wobei die genannten Schritte vor den Schritten der Zuführung eines Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter und des Zuführens eines Betriebsgases in den Bearbeitungsbehälter durchgeführt werden.
27. Substrat-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 13, ferner
mit folgenden Schritten:
Erwärmen des Bearbeitungsbehälters;
Erwärmen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter; und
Anhalten des Erwärmens der Umgebung;
wobei die Schritte der Zuführung eines Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter und der Zuführung eines Betriebsgases in den Bearbeitungsbehälter nach dem Verstreichen einer vorbestimmten Zeit nach Vollendung des Schrittes des Anhaltens der Erwärmung der Umgebung durchgeführt werden.
Erwärmen des Bearbeitungsbehälters;
Erwärmen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter; und
Anhalten des Erwärmens der Umgebung;
wobei die Schritte der Zuführung eines Dampfes des Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter und der Zuführung eines Betriebsgases in den Bearbeitungsbehälter nach dem Verstreichen einer vorbestimmten Zeit nach Vollendung des Schrittes des Anhaltens der Erwärmung der Umgebung durchgeführt werden.
28. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung mit:
einem Bearbeitungsbehälter, der eine Bearbeitungskammer definiert, in der Substrate bearbeitet werden;
einem Betriebsgas-Zuführbereich zum Zuführen eines Betriebsgases in die Bearbeitungskammer in dem Bearbeitungsbehälter;
einem Lösungsmitteldampf-Zuführbereich zum Zuführen eines Dampfes eines Lösungsmittels in die Bearbeitungskammer des Bearbeitungsbehälters; und
einem Substrat-Halteelement zum Halten von Substraten in der Bearbeitungskammer des Bearbeitungsbehälters.
einem Bearbeitungsbehälter, der eine Bearbeitungskammer definiert, in der Substrate bearbeitet werden;
einem Betriebsgas-Zuführbereich zum Zuführen eines Betriebsgases in die Bearbeitungskammer in dem Bearbeitungsbehälter;
einem Lösungsmitteldampf-Zuführbereich zum Zuführen eines Dampfes eines Lösungsmittels in die Bearbeitungskammer des Bearbeitungsbehälters; und
einem Substrat-Halteelement zum Halten von Substraten in der Bearbeitungskammer des Bearbeitungsbehälters.
29. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28,
ferner mit:
einer Substrattemperatur-Steuerungseinrichtung zum Anpassen einer Temperatur der durch das Substrat- Halteelement in der Bearbeitungskammer gehaltenen Substrate.
einer Substrattemperatur-Steuerungseinrichtung zum Anpassen einer Temperatur der durch das Substrat- Halteelement in der Bearbeitungskammer gehaltenen Substrate.
30. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 29, wobei
die Substrattemperatur-Steuerungseinrichtung Folgendes
aufweist:
eine Heizeinrichtung, die in den Bearbeitungsbehälter eingearbeitet ist.
eine Heizeinrichtung, die in den Bearbeitungsbehälter eingearbeitet ist.
31. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 29, wobei
die Substrattemperatur-Steuerungseinrichtung Folgendes
aufweist:
einen Temperaturanpassungs-Gaszuführbereich zum Zuführen eines Gases einer regulierten Temperatur in die Bearbeitungskammer.
einen Temperaturanpassungs-Gaszuführbereich zum Zuführen eines Gases einer regulierten Temperatur in die Bearbeitungskammer.
32. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 31,
ferner mit:
einer ersten Ablassleitung zum Ablassen des Betriebsgases und des Dampfes des Lösungsmittels, die in den Bearbeitungsbehälter zugeführt wurden, aus dem Bearbeitungsbehälter; und
einer zweiten Ablassleitung zum Ablassen des Gases mit regulierter Temperatur, das in den Bearbeitungsbehälter zugeführt wurde, aus dem Bearbeitungsbehälter.
einer ersten Ablassleitung zum Ablassen des Betriebsgases und des Dampfes des Lösungsmittels, die in den Bearbeitungsbehälter zugeführt wurden, aus dem Bearbeitungsbehälter; und
einer zweiten Ablassleitung zum Ablassen des Gases mit regulierter Temperatur, das in den Bearbeitungsbehälter zugeführt wurde, aus dem Bearbeitungsbehälter.
33. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 31, wobei
der Temperaturanpassungs-Gaszuführbereich Folgendes
aufweist:
eine Gas-Zuführdüse, durch die ein Temperaturanpassungsgas in den Bearbeitungsbehälter ausgestoßen wird.
eine Gas-Zuführdüse, durch die ein Temperaturanpassungsgas in den Bearbeitungsbehälter ausgestoßen wird.
34. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 33, wobei
die Gas-Zuführdüse derart anpassbar ist, dass eine
Gasausstoßrichtung der Gas-Zuführdüse verändert wird.
35. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 33,
ferner mit:
Ablenkungsplatten zum Ablenken eines Gases, das durch die Gas-Zuführdüsen ausgestoßen wird.
Ablenkungsplatten zum Ablenken eines Gases, das durch die Gas-Zuführdüsen ausgestoßen wird.
36. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28, wobei
der Lösungsmitteldampf-Zuführbereich eine
Lösungsmitteldampf-Zuführdüse zum Ausstoßen eines
Dampfes eines Lösungsmittels in den Bearbeitungsbehälter
aufweist.
37. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 36, wobei
die Lösungsmitteldampf-Zuführdüse derart anpassbar ist,
dass eine Lösungsmitteldampf-Ausstoßrichtung der
Lösungsmitteldampf-Zuführdüse verändert wird.
38. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 34, wobei
der Betriebsgas-Zuführbereich Betriebsgas-Zuführdüsen
zum Ausstoßen eines Betriebsgases in den
Bearbeitungsbehälter aufweist.
39. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 37, wobei
die Betriebsgas-Zuführdüse derart anpassbar ist, dass
eine Betriebsgas-Ausstoßrichtung der Betriebsgas-
Zuführdüse verändert wird.
40. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28, wobei
der Lösungsmitteldampf-Zuführbereich einen
Lösungsmitteldampf-Erzeuger aufweist, der in dem
Bearbeitungsbehälter angeordnet ist.
41. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28, wobei
der Lösungsmitteldampf-Zuführbereich einen
Lösungsmitteldampf-Erzeuger aufweist, der außerhalb des
Bearbeitungsbehälters angeordnet ist.
42. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 41,
ferner mit:
einer Flüssigkeitsfalle, die außerhalb des Bearbeitungsbehälters angeordnet ist, zum Kondensieren eines Fluids, das durch den Lösungsmitteldampf- Zuführbereich erzeugt wird und eines Fluids, das von dem Bearbeitungsbehälter abgelassen wird, um Flüssigkeiten, die in den Fluiden enthalten sind, von Gasen, die in den Fluiden enthalten sind, zu trennen.
einer Flüssigkeitsfalle, die außerhalb des Bearbeitungsbehälters angeordnet ist, zum Kondensieren eines Fluids, das durch den Lösungsmitteldampf- Zuführbereich erzeugt wird und eines Fluids, das von dem Bearbeitungsbehälter abgelassen wird, um Flüssigkeiten, die in den Fluiden enthalten sind, von Gasen, die in den Fluiden enthalten sind, zu trennen.
43. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28,
ferner mit:
einer Ablassleitung zum Ablassen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter von dem Bearbeitungsbehälter mit einer Ablassraten-Anpasseinrichtung zum Anpassen einer Ablassrate der Umgebung.
einer Ablassleitung zum Ablassen einer Umgebung in dem Bearbeitungsbehälter von dem Bearbeitungsbehälter mit einer Ablassraten-Anpasseinrichtung zum Anpassen einer Ablassrate der Umgebung.
44. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28,
ferner mit:
einem Trocknungsgas-Zuführsystem zum Zuführen eines Trocknungsgases in den Bearbeitungsbehälter.
einem Trocknungsgas-Zuführsystem zum Zuführen eines Trocknungsgases in den Bearbeitungsbehälter.
45. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28,
ferner mit:
einem Bearbeitungsflüssigkeits-Zuführsystem zum Zuführen einer Bearbeitungsflüssigkeit in den Bearbeitungsbehälter.
einem Bearbeitungsflüssigkeits-Zuführsystem zum Zuführen einer Bearbeitungsflüssigkeit in den Bearbeitungsbehälter.
46. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 28,
ferner mit:
einem zweiten Behälter, der an den Bearbeitungsbehälter benachbart vorgesehen ist und eine zweite Bearbeitungskammer definiert; und
einem Bearbeitungsflüssigkeits-Zuführsystem zum Zuführen einer Bearbeitungsflüssigkeit in die zweite Bearbeitungskammer.
einem zweiten Behälter, der an den Bearbeitungsbehälter benachbart vorgesehen ist und eine zweite Bearbeitungskammer definiert; und
einem Bearbeitungsflüssigkeits-Zuführsystem zum Zuführen einer Bearbeitungsflüssigkeit in die zweite Bearbeitungskammer.
47. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 46,
ferner mit:
einem Schließer, der zwischen dem Bearbeitungsbehälter und dem zweiten Behälter zum Trennen des Bearbeitungsbehälters und des zweiten Behälters voneinander angeordnet ist, und um zuzulassen, dass der Bearbeitungsbehälter und der zweite Behälter miteinander in Verbindung stehen.
einem Schließer, der zwischen dem Bearbeitungsbehälter und dem zweiten Behälter zum Trennen des Bearbeitungsbehälters und des zweiten Behälters voneinander angeordnet ist, und um zuzulassen, dass der Bearbeitungsbehälter und der zweite Behälter miteinander in Verbindung stehen.
48. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 46, wobei
der zweite Behälter unterhalb des Bearbeitungsbehälters
angeordnet ist, und ein Schließer vorgesehen ist, um den
Bearbeitungsbehälter und den zweiten Behälter bezüglich
einer vertikalen Richtung öffenbar zu teilen.
49. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 46,
ferner mit einem Substrat-Tragesystem zum Tragen des
Substrat-Halteelements zwischen dem Bearbeitungsbehälter
und dem zweiten Behälter.
50. Substrat-Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 46,
ferner mit:
einer Diffusionsverhinderungsbox, die unterhalb des Bearbeitungsbehälters und des zweiten Behälters angeordnet ist, um eine Diffusion abgelassener Gase und abgelassener Flüssigkeiten zu verhindern.
einer Diffusionsverhinderungsbox, die unterhalb des Bearbeitungsbehälters und des zweiten Behälters angeordnet ist, um eine Diffusion abgelassener Gase und abgelassener Flüssigkeiten zu verhindern.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7896973B2 (en) * | 2000-12-28 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4014127B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2007-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP4678665B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2003224102A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2004128251A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Elpida Memory Inc | 塗布機及び塗布方法 |
US20040140365A1 (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
WO2004084730A2 (de) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Kaltenbach & Voigt Gmbh & Co. Kg | Intraoraler röntgensensor |
KR100568104B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2006-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 세정 장치 및 세정 방법 |
TWI233168B (en) * | 2003-09-01 | 2005-05-21 | Macronix Int Co Ltd | Method of cleaning surface of wafer by hydroxyl radical of deionized water |
KR100728547B1 (ko) * | 2003-12-18 | 2007-06-15 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독가능한기록 매체 |
WO2005100637A1 (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Tokyo Electron Limited | 液処理装置および液処理方法 |
US20060011475A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Hung-Hsiang Lin | In-situ monitoring and controlling system for chemical vessels or tanks |
US7780787B2 (en) * | 2004-08-11 | 2010-08-24 | First Solar, Inc. | Apparatus and method for depositing a material on a substrate |
US7718012B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-05-18 | Infineon Technologies Ag | Method of degasification in semiconductor cleaning |
KR100780290B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2007-11-28 | 한국기계연구원 | 포토레지스트 제거 공정구현 설비 |
KR100924336B1 (ko) * | 2007-04-02 | 2009-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 헤이즈를 억제하는 포토마스크 제조 방법 |
EP2187709B1 (de) * | 2007-09-10 | 2018-03-21 | Ulvac, Inc. | Dampfemissionsvorrichtung, vorrichtung zur ablagerung eines organischen dünnfilmdampfs und verfahren zur ablagerung eines organischen dünnfilmdampfs |
US8001942B2 (en) | 2007-10-31 | 2011-08-23 | GM Global Technology Operations LLC | High pressure piston pump actuating system using automotive starter system |
KR100904452B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2009-06-24 | 세메스 주식회사 | 오존수혼합액 공급장치 및 방법, 그리고 이를 구비하는기판 처리 설비 |
US20090197424A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US8142571B2 (en) * | 2008-05-15 | 2012-03-27 | Fsi International, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafer using water vapor containing environment |
WO2009139816A1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Fsi International, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafer using water vapor containing environment |
US20100124410A1 (en) * | 2008-11-18 | 2010-05-20 | Fsi International, Inc. | System for supplying water vapor in semiconductor wafer treatment |
US9181097B2 (en) * | 2009-02-19 | 2015-11-10 | Sundew Technologies, Llc | Apparatus and methods for safely providing hazardous reactants |
US20110232588A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Msp Corporation | Integrated system for vapor generation and thin film deposition |
JP5599754B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
JP5604371B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2014-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
CN103021905B (zh) * | 2011-07-20 | 2016-12-21 | 显示器生产服务株式会社 | 基板处理装置 |
US8784572B2 (en) | 2011-10-19 | 2014-07-22 | Intermolecular, Inc. | Method for cleaning platinum residues on a semiconductor substrate |
US8466058B2 (en) * | 2011-11-14 | 2013-06-18 | Intermolecular, Inc. | Process to remove Ni and Pt residues for NiPtSi applications using chlorine gas |
JP5541274B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2013219312A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法および基板処理装置 |
US8871108B2 (en) | 2013-01-22 | 2014-10-28 | Tel Fsi, Inc. | Process for removing carbon material from substrates |
CN103994637B (zh) * | 2014-05-22 | 2016-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板干燥装置及基板干燥方法 |
CN105344634A (zh) * | 2015-09-08 | 2016-02-24 | 宁国市南方耐磨材料有限公司 | 一种耐磨钢球清洗装置 |
CN106076905A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-11-09 | 周兆平 | 一种耐磨钢球的清洗装置及其操作方法 |
KR101961326B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2019-07-18 | 세메스 주식회사 | 기판을 처리하는 장치의 부품 세정 방법 및 장치 |
JP7092478B2 (ja) | 2017-09-15 | 2022-06-28 | 株式会社Screenホールディングス | レジスト除去方法およびレジスト除去装置 |
JP6986917B2 (ja) * | 2017-10-04 | 2021-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
CN114247685B (zh) * | 2021-12-17 | 2022-12-20 | 张家港声芯电子科技有限公司 | 一种芯片清洗装置及清洗方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4341592A (en) * | 1975-08-04 | 1982-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment |
US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
AU7961391A (en) * | 1990-05-15 | 1991-12-10 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particle volatilization |
JPH05109686A (ja) | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Nippon Steel Corp | シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置 |
AU4506993A (en) * | 1992-07-04 | 1994-01-31 | Christopher David Dobson | A method of treating a semiconductor wafer |
JP3347814B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2002-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
JP2857688B2 (ja) | 1993-09-09 | 1999-02-17 | サンケン電気株式会社 | 電子部品の製造方法 |
US5863348A (en) * | 1993-12-22 | 1999-01-26 | International Business Machines Corporation | Programmable method for cleaning semiconductor elements |
JPH0817815A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板の処理方法、分析方法及び製造方法 |
JPH08115895A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 基板の洗浄方法 |
US5967156A (en) * | 1994-11-07 | 1999-10-19 | Krytek Corporation | Processing a surface |
JPH08236497A (ja) * | 1995-03-01 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの洗浄・乾燥方法およびその装置 |
TW310452B (de) | 1995-12-07 | 1997-07-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
KR980012044A (ko) | 1996-03-01 | 1998-04-30 | 히가시 데츠로 | 기판건조장치 및 기판건조방법 |
US5710079A (en) * | 1996-05-24 | 1998-01-20 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for forming dielectric films |
JPH10144650A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体材料の洗浄装置 |
US6701941B1 (en) * | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
US6158449A (en) * | 1997-07-17 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Limited | Cleaning and drying method and apparatus |
US5884640A (en) * | 1997-08-07 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for drying substrates |
DE19801360A1 (de) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiter-Oberflächen |
US6242165B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-06-05 | Micron Technology, Inc. | Supercritical compositions for removal of organic material and methods of using same |
JP3680577B2 (ja) | 1998-09-17 | 2005-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | レジスト除去洗浄方法及び装置 |
JP2000147793A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置 |
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-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7896973B2 (en) * | 2000-12-28 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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Publication number | Publication date |
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