DE10038213A1 - Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform - Google Patents

Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform

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Abstract

Eine Strahlungsquelle weist ein Feld von Halbleiterchips auf, die unter einem Feld von in einer hexagonalen Gitterstruktur angeordneten Mikrolinsen (8) angeordnet sind. Die Strahlungsquelle zeichnet sich durch hohe Strahlungsleistung und Strahldichte aus.

Description

Die Erfindung betrifft eine Strahlungsquelle mit einer Viel­ zahl von nebeneinander angeordneten Strahlung emittierenden Halbleiterchips.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer zur Fertigung eines Feldes von Mikrolinsen geeigneten Linsenform.
Strahlungsquellen, wie beispielsweise Lumineszenzdioden, wei­ sen im allgemeinen einen in einen transparenten Linsenkörper eingegossenen Halbleiterchip auf. Es ist auch bekannt, die Strahlungsleistung derartiger Strahlungsquellen durch das Vorsehen einer Vielzahl von Halbleiterchips zu steigern. Der­ artige Strahlungsquellen verfügen üblicherweise über eine Kondensoroptik, die aus einer Linse besteht. Die Strahldichte derartiger Strahlungsquellen ist allerdings häufig unbefrie­ digend, wenn es darauf ankommt, eine leuchtkräftige Strah­ lungsquelle mit geringer räumlicher Ausdehnung zu schaffen.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Strahlungsquelle hoher Strahldich­ te zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in Ab­ strahlrichtung vor den Halbleiterchips ein Feld von ein hexagonales Gitter bildenden Linsen angeordnet ist.
Durch die hexagonale Anordnung der Linsen läßt sich eine hohe Flächendichte der zugeordneten Halbleiterchips erzielen. Dem­ entsprechend hoch ist die Strahldichte der Strahlungsquelle. Da die Linsen üblicherweise von Sphärensegmenten gebildet werden, können für die Linsen Sphärensegmente mit großen Radien gewählt werden. Dadurch kann die Strahlung emittierende aktive Schicht der Halbleiterchips zum großen Teil innerhalb der der jeweiligen Sphäre zugeordneten Weierstrass'schen Ku­ gel angeordnet werden. Dadurch ergibt sich eine hohe Strah­ lungsausbeute bezüglich der einzelnen Halbleiterchips.
Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein ratio­ nelles Verfahren zur Herstellung einer zur Fertigung eines Feldes von Linsen geeigneten Linsenform zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Linsenform an einer von einer hexagonalen Fassung gehaltenen Schar von Kugeln abgeformt wird.
Durch die hexagonale Fassung wird die Schar von Kugeln gewis­ sermaßen von selbst in eine hexagonale Gitterstruktur ge­ bracht, wenn die Kugeln dicht an dicht liegen. Es genügt da­ her dafür zu sorgen, daß die Fassung vollständig mit den ab­ zuformenden Kugeln gefüllt ist.
Weitere zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegen­ stand der abhängigen Ansprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung im einzelnen anhand der beige­ fügten Zeichnung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Aufsicht auf eine mit Halbleiterchips bestück­ te und bereits gebondete Leiterplatte für die Strahlungsquelle gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine vergrößerte Querschnittansicht der Leiterplat­ te aus Fig. 1;
Fig. 3 eine Aufsicht auf ein Feld von Linsen;
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine zur Herstellung einer für die Fertigung eines Mikrolinsenfeldes verwend­ baren Abgußform;
Fig. 5 ein Aufsicht auf die Abgußform aus Fig. 4;
Fig. 6 einen Querschnitt durch eine weitere für die Ferti­ gung der Abgußform verwendete Vorrichtung;
Fig. 7 einen Querschnitt durch die zur Herstellung des Mi­ krolinsenfeldes verwendete Gießvorrichtung; und
Fig. 8 ein Diagramm, das die Strahlungsleistung in Abhän­ gigkeit vom Abstand zwischen der Oberkante des Halbleiterchips und der zugeordneten halbkugelför­ migen Mikrolinse zeigt.
Fig. 1 zeigt eine Aufsicht auf eine Leiterplatte 1, die aus Al2O3 oder Si hergestellt ist. Auf der Leiterplatte 1 sind Anschlußkontakte 2 ausgebildet, von denen Leiterbahnen 3 zu Kontaktstellen 4 führen, an denen Bonddrähte 5 angebracht sind, die unter anderem zu Chipkontaktflächen 6 führen. Auf den Chipkontaktflächen 6 sind Halbleiterchips 7 angebracht und jeweils zeilenweise in Reihe gebondet.
In Fig. 2 ist ein vergrößerter Ausschnitt aus einem Quer­ schnitt durch die mit Mikrolinsen 8 versehene Leiterplatte 1 dargestellt. Man erkennt, daß die Halbleiterchips 7 mit einer Unterseite 9 jeweils an den Chipkontaktflächen 6 angebracht sind. Auf einer Oberseite 10 der Halbleiterchips 7 sind je­ weils die Bonddrähte 5 angebracht, die zu einer benachbarten Chipkontaktfläche 6 oder einer der Kontaktstellen 4 führen.
Die Mikrolinsen 8 sind Halbkugeln mit einem Radius R. Der geometrische Mittelpunkt der Mikrolinsen 8 befindet sich in einem Abstand Δx von der Oberseite der Halbleiterchips 7. Der Abstand Δx ist so gewählt, daß sich jeweils die Strahlung emittierende aktive Schicht der Halbleiterchips 7 wenigstens zur Hälfte innerhalb der Weierstrass'schen Kugel mit Radius R/n befindet, wobei n der Brechungsindex des für die Mikro­ linse 8 verwendeten Materials ist. Die Zentren der Weier­ strass'schen Kugeln decken sich mit den Zentren der Mikrolin­ sen 8. Innerhalb der Weierstrass'schen Kugel erzeugte Strah­ lung kann die Mikrolinse 8 verlassen. Es ist daher von Vor­ teil, wenn jeweils ein möglichst großer Teil der aktiven Schichten der Halbleiterchips 7 innerhalb der Weier­ strass'schen Kugel zu liegen kommt. Es besteht daher ein In­ teresse daran, den Radius der Mikrolinsen 8 möglichst groß zu wählen. Dem steht entgegen, daß dann auch der Abstand zwi­ schen den Halbleiterchips 7 entsprechend groß gewählt werden muß. Ein großer Abstand zwischen den Halbleiterchips 7 hat jedoch eine geringe Strahldichte zur Folge. Man ist daher be­ strebt, den Abstand zwischen den Mikrolinsen 8 so gering wie möglich zu halten. Die in Fig. 3 dargestellte Anordnung der Mikrolinsen 8 in einer hexagonalen Gitterstruktur ist die dichteste mögliche Anordnung der Mikrolinsen 8 und ermög­ licht, eine hohe Strahlungsleistung bei gleichzeitig großer Strahldichte zu erzielen.
Die Mikrolinsen 8 werden zweckmäßigerweise aus Kunstharz ge­ gossen. Das Herstellungsverfahren wird wie folgt durchge­ führt:
Zunächst wird eine erste Formplatte 11 hergestellt, die, wie in Fig. 4 gezeigt, einen zentralen Dorn 12 mit einem in Fig. 5 erkennbaren hexagonalen Querschnitt aufweist. Der Dorn 12 ist auf einem Sockel 13 angeordnet. In der Nähe des Soc­ kels 13 befinden sich Paßstifte 14. Auf der ersten Formplatte 11 ist ferner ein Halterahmen 15 angebracht, der auf seiner Innenseite Vertiefungen 16 aufweist. Der vom Halterahmen 15 begrenzte Innenraum wird mit Silikon gefüllt. Dabei bildet sich ein Silikonrahmen 17, der in seinem Zentrum eine im Querschnitt hexagonale Öffnung aufweist. Der Silikonrahmen 17 greift in die Vertiefungen 16 ein und kann daher auf einfache Weise zusammen mit dem Halterahmen 15 an einer in Fig. 6 dargestellten zweiten Formplatte 19 angebracht werden. Die auch hier vorhandenen Paßstifte 14 dienen der Ausrichtung des Halterahmens 15 und des Silikonrahmens 17 auf der zweiten Formplatte 19. Dadurch kommt der Silikonrahmen 17 so auf der zweiten Formplatte 19 zu liegen, daß die Öffnung 18 des Sili­ konrahmens 17 mit einer Fassung 20 in der zweiten Formplatte 19 fluchtet. Die Fassung 20 nimmt mit ihren Seitenstegen 21 den Raum des Sockels 13 der ersten Formplatte 11 ein. Sie weist ferner ebenfalls einen hexagonalen Querschnitt auf. In die Fassung 20 werden Kügelchen 22 dicht liegend eingebracht. Die Kügelchen 22 weisen einen Radius auf, der im wesentlichen dem Radius der herzustellenden Mikrolinsen 8 entspricht. Da die Fassung 20 einen hexagonalen Querschnitt aufweist, und da die Kügelchen 22 dicht liegen, sind die Kügelchen 22 entspre­ chend einer hexagonalen Gitterstruktur angeordnet.
Anschließend wird die Öffnung 18 mit Silikon gefüllt. Es er­ gibt sich somit die in Fig. 7 dargestellte, in einer Gieß­ vorrichtung 23 dargestellte Mikrolinsenform 24. Die Gießvor­ richtung 23 weist einen Saugstutzen 25 auf, auf dem eine Grundplatte 26 angebracht ist, die die Leiterplatte 1 hält. Zu diesem Zweck ist eine zentrale Saugöffnung 27 vorgesehen, die zur Leiterplatte 1 führt. Oberhalb der Grundplatte 26 be­ findet sich der Halterahmen 15 mit der Mikrolinsenform 24. Beide sind teilweise von einer Preßplatte 28 abgedeckt, die über eine nicht dargestellte Schraubverbindung mit der Grund­ platte 26 verbunden ist und den sicheren Sitz der Mikrolin­ senform 24 auf der Grundplatte 26 gewährleistet.
Die Paßstifte 14 haben in der Mikrolinsenform 24 Durchführun­ gen 29 hinterlassen, die dazu dienen, das Kunstharz in den Hohlraum der Mikrolinsenform 24 oberhalb der Leiterplatte 1 einzubringen.
Es sei angemerkt, daß die Leiterplatte 1 unter der Mikrolin­ senform 24 selbstverständlich bereits mit den Halbleiterchips 3 versehen und fertig gebondet ist.
Abschließend wird durch die Durchführungen Gießharz einge­ füllt. Dadurch wird der Raum zwischen der Mikrolinsenform 24 und der Leiterbahn 3 gefüllt und die Mikrolinsen 8 geformt.
In Fig. 8 schließlich ist ein Diagramm dargestellt, in dem die Strahlungsleistung Φ in einen Raumwinkel mit einem hal­ ben Öffnungswinkel von 60°, also einem Öffnungswinkel von 120° in Abhängigkeit vom Abstand Δx dargestellt ist.
Fig. 8 enthält das Ergebnis von Rechnungen. Die Rechnungen wurden mit einem Halbleiterchip 7 mit der Grundfläche 200 µm × 200 µm und einer Höhe von 250 µm durchgeführt. Es wurde an­ genommen, daß der Halbleiterchip 70% seiner Strahlungslei­ stung aus der Oberseite 10 emittiert. Weitere 30% sollen aus den Seitenflächen des Halbleiterchips 7 austreten. Als Spek­ trum wurde das Spektrum eines Schwarzkörpers bei 2000 K ange­ nommen. Die Rechnungen wurden für zwei Arten von Gießharz durchgeführt, in denen der Halbleiterchip 7 eingebettet ist. Einmal für ein Gießharz mit einem Brechungsindex von n = 1,55, und ein weiteres Gießharz mit einem Brechungsindex von n = 1,87. Die berechneten Kurven 30, 31 und 33 geben je­ weils die Ergebnisse für Mikrolinsen 8 mit den Radien 250 µm, 300 µm und 350 µm bei einem Brechungsindex von n = 1,55 wie­ der. Die Kurven 33, 34 und 35 geben die Ergebnisse für Mikro­ linsen 8 mit den Radien 250 µm, 300 µm und 350 µm bei einem Brechungsindex von n = 1,78 des Gießharzes wieder. Eine Linie 36 veranschaulicht schließlich die zu erwartenden Ergebnisse ohne Mikrolinse 8.
Die Durchmesser der Mikrolinse 8 betrugen 500 µm, 600 µm und 700 µm. Anhand von Fig. 8 wird deutlich, daß die Strahlungs­ leistung in dem erfaßten Raumwinkel bei einem Abstand Δx von 0,1 mm die größten Werte annimmt. Dort ist die Strahlungsleistung in etwa doppelt so groß wie ohne Mikrolinsen 8. Bei diesem Abstand liegt auch ein Großteil der aktiven Schicht des Halbleiterchips 7 innerhalb der Weierstrass'schen Kugel der Mikrolinsen 8.
Die Vorteile der hexagonalen Anordnung der Mikrolinsen 8 er­ geben sich auch aus der folgenden Tabelle 1:
Tabelle 1
Anhand von Tabelle 1 wird deutlich, daß eine Vergrößerung des Radius der Mikrolinsen 8 nicht notwendigerweise zu einer Er­ höhung der auf die Fläche bezogenen Strahlungsleistung führt. Denn aufgrund des größeren Radius der Mikrolinsen 8 wird zwar ein größerer Teil der aktiven Schicht der Halbleiterchips 7 innerhalb der Weierstrass'schen Kugel zu liegen kommen, aber dafür nimmt der Abstand der Halbleiterchips 7 zu, so daß die Leuchtdichte abnimmt.
Aus praktischen Gründen kann es trotzdem von Vorteil sein, wenn für die Mikrolinsen 8 ein Durchmesser von 700 µm gewählt wird, da ansonsten Probleme beim Bonden der Halbleiterchips 7 auf den Chipkontaktflächen 6 und beim Bonden der Bonddrähte 5 auftreten können. Außerdem schrumpfen übliche Vergußharze beim Aushärten, weshalb die ausgehärteten Mikrolinsen ohnehin etwa 6% kleiner sind als die entsprechenden Formen der Mikro­ linsenform 24.
Bezugszeichenliste
1
Leiterplatte
2
Anschlußkontakt
3
Leiterbahn
4
Kontaktstellen
5
Bonddrähte
6
Chipkontaktflächen
7
Halbleiterchips
8
Mikrolinse
9
Unterseite
10
Oberseite
11
Formplatte
12
Dorn
13
Sockel
14
Paßstift
15
Halterahmen
16
Vertiefungen
17
Silikonrahmen
18
Öffnung
19
Zweite Formplatte
20
Fassung
21
Seitenstege
22
Kügelchen
23
Gießvorrichtung
24
Mikrolinsenform
25
Saugstutzen
26
Grundplatte
27
Saugöffnung
28
Preßrahmen
29
Durchführungen
30-35
Kurve
36
Linie

Claims (9)

1. Strahlungsquelle mit einer Vielzahl von nebeneinander an­ geordneten Strahlung emittierenden Halbleiterchips (7), dadurch gekennzeichnet, daß in Abstrahlrichtung vor den Halbleiterchips (7) ein Feld von ein hexagonales Gitter bildenden Linsen (8) ange­ ordnet ist.
2. Strahlungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Linsen (8) von Halbkugeln gebildet sind.
3. Strahlungsquelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Linsen (8) im hexagonal dichtesten Gitter angeord­ net sind.
4. Strahlungsquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Umriß des Gitters eine hexagonale Gestalt auf­ weist.
5. Strahlungsquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterchips (7) zeilenweise gebondet sind.
6. Strahlungsquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Farbgruppen von Halbleiterchips (7) ihr Emissionsmaxi­ ma bei unterschiedlichen Wellenlängen aufweisen.
7. Strahlungsquelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Farbgruppen zeilenweise angeordnet sind.
8. Verfahren zur Herstellung einer zur Fertigung eines Fel­ des von Mikrolinsen (8) geeigneten Linsenform (24), dadurch gekennzeichnet, daß die Linsenform (24) an einer von einer hexagonalen Fassung (21) gehaltenen Schar von dichtliegenden Kugeln (22) abgeformt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Linsenform (24) aus Silikon abgegossen wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009039824A3 (de) * 2007-09-28 2009-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und auskoppellinse für ein optoelektronisches bauelement
US20150108497A1 (en) * 2002-08-29 2015-04-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting elements

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2329756A (en) 1997-09-25 1999-03-31 Univ Bristol Assemblies of light emitting diodes
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
CN1653297B (zh) 2002-05-08 2010-09-29 佛森技术公司 高效固态光源及其使用和制造方法
DE10230103B4 (de) * 2002-07-04 2012-10-31 Tridonic Ag Stromversorgung für Lumineszenzdioden
US8063575B2 (en) 2002-07-04 2011-11-22 Tridonic Jennersdorf Gmbh Current supply for luminescent diodes
KR101047246B1 (ko) 2002-07-25 2011-07-06 조나단 에스. 담 경화용 발광 다이오드를 사용하기 위한 방법 및 장치
AU2003298561A1 (en) 2002-08-23 2004-05-13 Jonathan S. Dahm Method and apparatus for using light emitting diodes
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7300182B2 (en) * 2003-05-05 2007-11-27 Lamina Lighting, Inc. LED light sources for image projection systems
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7819550B2 (en) 2003-10-31 2010-10-26 Phoseon Technology, Inc. Collection optics for led array with offset hemispherical or faceted surfaces
US7964883B2 (en) * 2004-02-26 2011-06-21 Lighting Science Group Corporation Light emitting diode package assembly that emulates the light pattern produced by an incandescent filament bulb
WO2005091392A1 (en) 2004-03-18 2005-09-29 Phoseon Technology, Inc. Micro-reflectors on a substrate for high-density led array
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
CN100594327C (zh) * 2004-06-15 2010-03-17 汉高公司 大功率led电-光学器件组件
US7252408B2 (en) * 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
JP3802910B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
US20090057697A1 (en) * 2004-10-28 2009-03-05 Henkel Corporation Led assembly with led-reflector interconnect
KR101288758B1 (ko) 2004-12-30 2013-07-23 포세온 테크날러지 인코퍼레이티드 산업 공정에서 광원을 사용하는 시스템 및 방법
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4521350B2 (ja) * 2005-10-13 2010-08-11 オリンパス株式会社 レンズアレイ用型、レンズアレイ用型の製造方法
TW200741134A (en) * 2005-12-12 2007-11-01 Koninkl Philips Electronics Nv Optical device for creating an illumination window
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US8115213B2 (en) 2007-02-08 2012-02-14 Phoseon Technology, Inc. Semiconductor light sources, systems, and methods
JP5193490B2 (ja) 2007-04-20 2013-05-08 株式会社ミツトヨ 追尾式レーザ干渉計による測定方法
WO2009041466A1 (ja) * 2007-09-27 2009-04-02 Tokyo Electron Limited アニール装置
JP2009099925A (ja) * 2007-09-27 2009-05-07 Tokyo Electron Ltd アニール装置
TWI384651B (zh) * 2008-08-20 2013-02-01 Au Optronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
KR100998017B1 (ko) * 2009-02-23 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지용 렌즈 및 이를 구비하는 발광소자 패키지
US8653737B2 (en) 2009-04-14 2014-02-18 Phoseon Technology, Inc. Controller for semiconductor lighting device
US8678612B2 (en) 2009-04-14 2014-03-25 Phoseon Technology, Inc. Modular light source
JP5711240B2 (ja) * 2009-09-17 2015-04-30 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 光源モジュール及び発光デバイス
WO2011046887A1 (en) 2009-10-14 2011-04-21 3M Innovative Properties Company Light source
US8465172B2 (en) 2009-12-17 2013-06-18 Phoseon Technology, Inc. Lighting module with diffractive optical element
JP5526876B2 (ja) * 2010-03-09 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及びアニール装置
US8669697B2 (en) 2010-03-11 2014-03-11 Phoseon Technology, Inc. Cooling large arrays with high heat flux densities
DE102010027875A1 (de) 2010-04-16 2011-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US8591078B2 (en) 2010-06-03 2013-11-26 Phoseon Technology, Inc. Microchannel cooler for light emitting diode light fixtures
JPWO2012057163A1 (ja) * 2010-10-26 2014-05-12 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
US9357592B2 (en) 2010-11-18 2016-05-31 Phoseon Technology, Inc. Light source temperature monitor and control
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
US8872137B2 (en) 2011-09-15 2014-10-28 Phoseon Technology, Inc. Dual elliptical reflector with a co-located foci for curing optical fibers
US9126432B2 (en) 2011-09-20 2015-09-08 Phoseon Technology, Inc. Differential Ultraviolet curing using external optical elements
CN103858042B (zh) 2011-10-12 2019-05-28 佛森技术公司 用于固化光纤的多光聚集和具有同位焦点的透镜组合
US8823279B2 (en) 2011-10-27 2014-09-02 Phoseon Technology, Inc. Smart FET circuit
US8931928B2 (en) 2011-11-01 2015-01-13 Phoseon Technology, Inc. Removable window frame for lighting module
US8851715B2 (en) 2012-01-13 2014-10-07 Phoseon Technology, Inc. Lamp ventilation system
US8888336B2 (en) 2012-02-29 2014-11-18 Phoseon Technology, Inc. Air deflectors for heat management in a lighting module
US8678622B2 (en) 2012-04-27 2014-03-25 Phoseon Technology, Inc. Wrap-around window for lighting module
CN103511975A (zh) * 2013-10-25 2014-01-15 浙江晶日照明科技有限公司 一种适用于led洗墙灯的出光器件
CN104566210A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 浚洸光学科技股份有限公司 微结构的排列方法
WO2020225195A1 (en) * 2019-05-09 2020-11-12 Signify Holding B.V. Improved thermal management in laser-based lighting using a truncated ball lens
US11149936B2 (en) * 2020-02-18 2021-10-19 Exposure Illumination Architects, Inc. Uniformly lit planar field of illumination
CN111169058B (zh) * 2020-04-13 2020-07-03 成都菲斯特科技有限公司 菲涅尔透镜模具及其制备方法和菲涅尔透镜的制备方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1203357A (en) * 1968-12-13 1970-08-26 Rlm Res Corp Production of lenticular sheets for integral photography
US4022855A (en) * 1975-03-17 1977-05-10 Eastman Kodak Company Method for making a plastic optical element having a gradient index of refraction
US4165474A (en) * 1977-12-27 1979-08-21 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic displays using uniformly spaced arrays of semi-sphere light-emitting diodes
JPS6179269A (ja) * 1984-09-26 1986-04-22 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 光通信装置
JPS62262023A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPS6332972A (ja) * 1986-07-26 1988-02-12 Mitsubishi Cable Ind Ltd ランプ
DE3827083A1 (de) * 1988-08-10 1990-02-15 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
JPH038204A (ja) 1989-06-05 1991-01-16 Nippon Denyo Kk Ｌｅｄランプ装置
JP2626305B2 (ja) 1991-04-23 1997-07-02 日本ビクター株式会社 蠅の目レンズ板のスタンパの製作方法
JP2900000B2 (ja) 1991-07-12 1999-06-02 タキロン株式会社 発光表示体及びその製造方法
US5439621A (en) * 1993-04-12 1995-08-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making an array of variable focal length microlenses
US5396350A (en) * 1993-11-05 1995-03-07 Alliedsignal Inc. Backlighting apparatus employing an array of microprisms
US5528474A (en) * 1994-07-18 1996-06-18 Grote Industries, Inc. Led array vehicle lamp
JP3818320B2 (ja) 1994-09-09 2006-09-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴイ 相互に或るパターンに配された光学サブ素子を有する光学素子の製造に使用されるモールドを製造する方法、及び斯かる方法を実行するための装置
JP2951858B2 (ja) 1994-10-17 1999-09-20 シャープ株式会社 投影型カラー液晶表示装置
US5600148A (en) 1994-12-30 1997-02-04 Honeywell Inc. Low power infrared scene projector array and method of manufacture
JPH08227603A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Koito Mfg Co Ltd 車輌用表示ランプ
DE19621148A1 (de) * 1996-05-14 1997-12-04 Magna Reflex Holding Gmbh Leuchtelement
JPH1012926A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Toyoda Gosei Co Ltd 全色発光型発光ダイオードランプ及びディスプレイ装置
EP0976589A4 (de) * 1997-03-18 2006-11-08 Acol Technologies S A Lumineszierende diode
JP4171933B2 (ja) * 1997-09-12 2008-10-29 ソニー株式会社 平面型レンズの製造方法
CN1276917A (zh) 1997-09-25 2000-12-13 布里斯托尔大学 光学辐照装置
US6339503B1 (en) * 1998-11-06 2002-01-15 Oni Systems Corp. Optical interconnect using microlens/minilens relay
US6665060B1 (en) * 1999-10-29 2003-12-16 Cytyc Corporation Cytological imaging system and method
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
US6715901B2 (en) * 2002-08-15 2004-04-06 Shi-Hwa Huang Image projector system having a light source that includes at least four light emitting diode modules

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150108497A1 (en) * 2002-08-29 2015-04-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting elements
WO2009039824A3 (de) * 2007-09-28 2009-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und auskoppellinse für ein optoelektronisches bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
CN100517706C (zh) 2009-07-22
JP2007112134A (ja) 2007-05-10
US20070290383A1 (en) 2007-12-20
TW538255B (en) 2003-06-21
CN1447983A (zh) 2003-10-08
US7262437B2 (en) 2007-08-28
EP1320890A2 (de) 2003-06-25
WO2002013231A2 (de) 2002-02-14
CN101219568A (zh) 2008-07-16
JP2004506321A (ja) 2004-02-26
WO2002013231A3 (de) 2002-06-20
US20040026706A1 (en) 2004-02-12

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