DE10104267B4 - Elektronisches Bauteil mit mindestens einer Isolationslage - Google Patents

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Abstract

Elektronisches Bauteil mit mindestens einer Isolationslage (12), wobei die Isolationslage (12) ein Polymer (13) aus Norbornen-Monomeren (14) aufweist, und das Polymer (13) die Doppelringstruktur (15) des Monomers (14) C7H10 beibehaltend unter Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung (16) zwischen den Kohlenstoffatomen (C) der zweiten und dritten Position (2, 3) des Norbornen-Monomers (14) mittels Homopolymerisation polymerisierte Norbornen-Monomere (14) mit polaren Fluor-Kohlenstoffbindungen (17) aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit mindestens einer Isolationslage gemäß der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
  • Elektronische Bauteile mit mindestens einer Isolationslage weisen neben den rein anorganischen Isolationslagen wie Siliziumdioxydlagen und Siliziumnitritlagen Isolationslagen aus Kunststoffen auf. Diese Kunststoffe haben gegenüber den Isolationslagen aus anorganischen Materialien den Nachteil einer hohen relativen Dielektrizitätskonstante. So können sie nachteilig kapazitive Kopplungseffekte zwischen Leiterbahnen sowie unerwünschte Rauscheffekte nicht ausreichend unterdrücken und mindern die Funktion elektronischer Bauteile.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, die Funktion elektronischer Bauteile mit mindestens einer Isolationslage zu verbessern und Isolationslagen anzugeben, die es ermöglichen, die relative Dielektrizitätskonstante auf die Bedürfnisse und Anforderungen der elektronischen Schaltung eines elektronischen Bauteils anzupassen.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Erfindungsgemäß weist das elektronische Bauteil mit mindestens einer Isolationslage ein Polymer aus Norbornen-Monomeren auf. Das Polymer behält dabei die Doppelringstruktur des Monomers C7H10 unter Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung zwischen den Kohlenstoffatomen der zweiten und dritten Position des Norbornen-Monomers bei.
  • Die mittels Homopolymerisation vernetzten Norbornen-Monomere weisen polare Fluorkohlenstoffverbindungen auf. Ein derartiger Kunststoff auf der Basis von Norbornen-Monomeren, die mittels Homopolymerisation vernetzt wurden, hat den Vorteil, daß die relative Dielektrizitätskonstante auf die Bedürfnisse elektronischer Bauteile, insbesondere der Isolationslagen dieser elektronischen Bauteile zugeschnitten werden kann. Die relative Dielektrizitätskonstante kann beträchtlich durch Fluorierung des Norbornen-Monomers und durch Homopolymerisations-Vernetzung zu einer Isolationslage durch Ersatz von Kohlenwasserstoffbindungen mittels polarer Fluor-Kohlenstoffbindungen zu einer relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante variiert werden. Mit Hilfe fluorierter homopolymerisierter Polymere aus Norbornen-Monomeren sind relative Dielektrizitätskonstanten für Isolationslagen bis hinunter auf den Wert 2,0 erreichbar, sowie innerhalb eines niedrigen Bereichs der relativen Dielektrizitätskonstante zwischen den Werten 2,0 und 4,0 variierbar.
  • Um diese Variation der Dielektrizitätskonstanten zu erreichen, weist in einer Ausführungsform der Erfindung das Polymer aus Norbornen-Monomeren einen Grad der Fluorierung durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen anstelle von Kohlenwasserstoffbindungen von 10% bis 100% auf. Damit ist mindestens jede zehnte Kohlenwasserstoffbindung durch eine polare Fluor-Kohlenstoffverbindung ersetzt worden bis hin zu einem vollständigen Ersatz (100% der Kohlenwasserstoffbindungen durch Fluor-Kohlenstoffbindungen.
  • Mit dieser Variation der Fluorierung kann nicht nur eine Variation der relativen Dielektrizitätskonstante für das Polymer aus Norbornen-Monomeren erreicht werden, sondern es kann zusätzlich die Adhäsionsfähigkeit des Kunststoffes variiert werden von einer stark klebrigen Masse zu einer kaum benetzenden Masse. Der Zusammenhang zwischen Klebrigkeit oder Adhäsionsfähigkeit und Fluorierungsgrad besteht darin, daß an der unteren Grenze von 10% der Fluorierung noch eine ausge zeichnete und intensive Adhäsionsfähigkeit vorhanden ist, während sie bei vollständiger Fluorierung (100% fast vollständig verloren geht).
  • In einem besser an die Erfordernisse einer Isolationslage in einem elektronischen Bauteil angepassten Polymer aus Norbornen-Monomeren weist dieses einen Grad der Fluorierung durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen anstelle von Kohlenwasserstoffbindungen von 30% bis 75% auf. Bei 30% ist noch ein hervorragendes Adhäsionsverhalten für diesen Stoff gesichert, aber bereits eine verminderte relative Dielektrizitätskonstante erreichbar. Diese Dielektrizitätskonstante wird mit zunehmenden Fluorierungsgrad bis 75% weiter vermindert und gleichzeitig nehmen die Adhäsionseigenschaften ab. Jedoch ist bei einem Fluorierungsgrad von 75% die Haftfähigkeit des Kunststoffes an anorganischen Schutz- und Passivierungsschichten aus Siliziumdioxyd und/oder Siliziumnitrit sowie an den freigelegten Metallflächen noch intensiv genug, um für elektronische Bauteile eingesetzt zu werden ohne eine Haftvermittlungsschicht zwischen den anorganischen Lagen bzw. Metalllagen eines Halbleiterchips und den erfindungsgemäßen Isolationslagen einführen zu müssen.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß das Polymer aus Norbornen-Monomeren einen Grad der Fluorierung durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen anstelle von Kohlenwasserstoffbindungen von 50% bis 70% aufweist. Dieses schmale Band für den Fluorierungsgrad kann durch geeignete Mischung von entsprechend vorfluorierten Norbornen-Monomeren und anschließender Homopolymerisation zu vernetzten Norbornen-Monomeren erreicht werden. Dabei liegen sowohl die Herabsetzung der relativen Dielektrizitätskonstante als auch die Klebewirkung einer Isolationslage aus einem fluorierten Polymer aus Norbornen-Monomeren in einem Bereich, der für Isolationslagen in elektronischen Bauteilen von Vorteil ist. Somit kann durch die graduelle Fluorierung des Poly-Norbornens die relative Dielektrizitätskonstante stufenweise reduziert werden.
  • Mit dem Fluorierungsgrad dieser Ausführungsform kann eine relative Dielektrizitätskonstante durch die Dipol-Wirkung der polaren Fluor-Kohlenstoffverbindung bis hinunter zu dem Wert 2,0 abgedeckt und mit einer erforderlichen Haftkraft kombiniert und optimiert werden. Dabei sind Grad und Lage der Fluorierung entscheidend, um die gewünschte Eigenschaft einer niedrigen relativen Dielektrizitätskonstante bzw. einer gleichzeitig hohen Haftung für die Erfordernisse einer Isolationslage in einem elektronischen Bauteil anzupassen.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist deshalb vorgesehen, von zehn möglichen Positionen im Norbornen-Monomer für Wasserstoffatome fünf bis sieben Positionen durch Fluoratome und die verbleibenden drei bis fünf Positionen mit Wasserstoffatomen zu besetzen. Dieser Fluorierungsgrad liegt mit 60% im Bereich der dem letzten Ausführungsform der Erfindung zwischen 50% bis 70%.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß mindestens die zwei Kohlenstoffbindungen der siebten Position in dem Norbornen-Monomer durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen ersetzt sind. Bei den vorhergehenden Ausführungsformen ging es darum, den Fluorierungsgrad den Erfordernissen elektronischer Bauteile anzupassen, indem die Summe der Fluor-Kohlenstoffbindungen und die Summe der Kohlenwasserstoffbindungen in einer festgelegten Bandbreite realisiert werden. Bei dieser weiteren Ausführungsform geht es darum, die Lage der Fluorierung innerhalb der Doppelringstruktur des Monomers zu definieren. In diesem Fall sind die siebten Positionen der Kohlenwasserstoffbindungen des Norbornen-Monomers durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen zu ersetzen. Die siebte Position der Doppelringstruktur des Norbornen-Monomers ist eine exponierte stabile Position, die bei der Homopolymerisation unverändert erhalten bleibt. Sie wird nicht wie die Positionen zwei und drei, die der Kettenbildung durch Auflösung ihrer Doppelbindung dienen, während der Polymerisation variert bzw. verändert.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß sechs Fluoratome auf der ersten, zweiten, dritten, vierten und siebten Position angeordnet werden und vier Wasserstoffatome die fünfte und sechste Position belegen. Die fünfte und sechste Position innerhalb der Doppelringstruktur des Norbornen-Monomers sind ähnlich wie die siebte Position exponierte Positionen, die nicht in der Homopolymerisationsphase involviert sind. Durch derartige Norbornen-Monomere kann ein Fluorierung von 60% erreicht werden, da sechs Fluoratome den Norbornen-Doppelring besetzen.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Lage von acht Fluoratomen die erste, vierte, fünfte, sechste und siebte Position des Norbornen-Doppelringes und nur zwei Wasserstoffatome belegen die zweite und dritte Position. Diese Ausführungsform entspricht einem Fluorierungsgrad von 80%, der damit über den 70% und 75% der vorhergehenden Ausführungsformen liegt. Jedoch kann durch Mischen von Norbornen-Monomeren, bei denen die ersten, zweite, dritte, vierte und siebte Position durch Fluoratome belegt sind, mit Norbornen-Monomeren, bei denen die erste, vierte, fünfte, sechste und siebte Position für Fluoratome belegt sind, jeder beliebige Fluorierungsgrad zwischen 60% und 80% eingestellt werden.
  • Ein derart polymerisierter Kunststoff wird in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung als eine Isolierschicht eingesetzt. Derartige Kunststoffisolierschichten auf Norbornen-Basis werden in einer weitern Ausführungsform der Erfindung in elektronischen Bauteilen für Umverdrahtungsebenen eingesetzt und isolieren Umverdrahtungsleitungen von den Leiterbahnen, die unmittelbar auf einem Halbleiterchip angeordnet sind. Ein Polymer aus Norbornen-Monomeren läßt sich aber auch als Isolationsfolie realisieren, die ebenfalls durch Beschichtung mit einer strukturierten Metalllage für eine Umverdrahtungsfolie in elektronischen Bauteilen zum Einsatz kommen kann. Insbesondere bei den Umverdrahtungsfolien ist eine niedrige relative Dielektrizitätskonstante von großer Bedeutung, da nur durch die Isolationsfolie getrennt zwei Leiterbahnsysteme übereinander liegen, nämlich einmal das Leiterbahnsystem der aktiven Oberseite des Halbleiterchips und auf der anderen Seite der Isolationslage die strukturierte Metallisierung für eine Umverdrahtungsebene. Durch eine minimal eingestellte relative Dielektrizitätskonstante kann somit für das elektronische Bauteil eine verbesserte Entkopplung und ein verbessertes Rauschverhalten erreicht werden. Auch ein Übersprechen oder andere Kopplungseffekte werden damit minimiert.
  • Eine Umverdrahtungschicht oder Umverdrahtungsfolie kann in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung unmittelbar auf einem Halbleiterwafer angeordnet sein. Die Umverdrahtungsfolie oder die Umverdrahtungsschicht auf dem Halbleiterwafer weist Umverdrahtungsleitungen auf. Diese Umverdrahtungsleitungen verbinden Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterwafers mit Außenkontakten auf der Umverdrahtungsschicht oder Umverdrahtungsfolie des elektronischen Bauteils. Polymere aus Norbornen-Monomeren sind prädestiniert, um komplette Halbleiterwafer, die Ausgangsprodukt für mehrere elektronische Bauteile sind, mit einer Isolationslage zu versehen. Nach anschließender Metallisierung und Bilden einer Umverdrahtungsstruktur kann der Halbleiterwafer zum Fertigen elektronischer Bauteile auseinandergesägt werden. Jedes Bauteil trägt nach dem Sägen eine Umverdrahtungsfolie aus einem Polymer des Norbornen-Monomers.
  • Andererseits ist es in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung möglich, jeden einzelnen Halbleiterchip, der aus einem Halbleiterwafer herausgetrennt wurde, mit einer Umverdrahtungsschicht oder einer Umverdrahtungsfolie aus einem Polymer des Norbornen-Monomers auf seiner aktiven Oberseite zu belegen. Handelt es sich dabei um eine Umverdrahtungsfolie, so kann diese auf den Halbleiterchip geklebt werden, während für ein Aufbringen einer Umverdrahtungsschicht ein Siebdruck verfahren durchgeführt werden kann. Die Umverdrahtungsleiterbahnen verbinden dabei Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite eines Halbleiterchips mit Außenkontakten auf der Umverdrahtungsschicht oder Umverdrahtungsfolie.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Umverdrahtungsfolie mehrere Lagen von Umverdrahtungsleiterbahnen aus einem Metall und Isolationslagen aus einem Polymer des Norbornen-Monomers auf. Diese Mehrfach-Umverdrahtungsfolien sind dann erforderlich, wenn die Umverdrahtungsleiterbahnen derart dicht gepackt werden müssen, daß Unterführungen oder Überführungen von Umverdrahtungsleiterbahnen erforderlich werden. Dazu wird durch die Isolationslage aus einem Polymer des Norbornen-Monomers ein Durchkontakt zu den darunterliegenden Umverdrahtungsleiterbahnen hergestellt.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß die relative Dielektrizitätskonstante der Isolationslage aus einem Polymer der Norbornen-Monomere einen Wert zwischen 2,0 und 2,4 aufweist. Gegenüber Polyimiden und anderen Isolationslagen ist das eine wesentliche Verbesserung, denn ein Wert für die relative Dielektrizitätskonstante im Bereich vom 2,0 bis 2,4 ist mit Polyimid oder vergleichbaren Materialien nicht erreichbar.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mindestens einer Isolationslage, wobei die Isolationslage ein Polymer aus Norbornen-Monomeren aufweist, hat folgende Verfahrensschritte:
    • – Fluorieren mindestens eines der Ausgangsprodukte der Synthese von Norbornen-Monomeren,
    • – Herstellen des fluorierten Norbornen-Monomers mittels Dien-Synthese aus den fluorierten Ausgangsprodukten,
    • – Homopolymerisieren der fluorierten Norbornen-Monomere unter erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur und Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung zwischen den Kohlen stoffatomen der zweiten und dritten Positon (2,3) des Norbornen-Monomers zu Polymerketten,
    • – Verarbeiten des Polymers unter Ausnutzung seiner leichten Löslichkeit in organischen Lösungsmitteln zu mindestens einer Isolationslage eines elektronischen Bauteils.
  • Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß durch das Fluorieren des Norbornen-Monomers in einem Bereich des Fluorierungsgrades von 10% bis 100% einerseits eine sehr niedrige relative Dielektrizitätskonstante erreicht werden kann, sofern der Fluorierungsgrad in die Nähe der 100% gesteigert wird. Gleichzeitig kann die Haftfähigkeit des Kunststoffes auf anorganischen Substanzen wie Siliziumdioxyd oder Siliziumnitrit sowie auf Metall den Bedürfnissen für elektronische Bauteile angepaßt werden, sofern der Fluorierungsgrad so niedrig wie möglich gehalten wird. Ein optimaler Fluorierungsgrad für viele Anwendungen liegt deshalb zwischen 50% und 70%.
  • Zur Verarbeitung des Polymers zu Folien oder Schichten kann die leichte Löslichkeit des Polymers in organischen Lösungsmitteln eingesetzt werden, indem das Polymer aus fluorierten Norbornen-Monomeren mit organischen Lösungsmitteln verdünnt wird, um es in Folien unter Verdampfen der Lösungsmittel umzuformen. Damit können sehr dünne Schichten in einer Dicke von wenigen Mikrometern, vorzugsweise 0,3 bis 3 μm, erreicht werden. In einem Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird das verdünnte Polymer auf einen Halbleiterwafer aufgeschleudert oder es wird im Tauchverfahren auf den Halbleiterwafer gebracht.
  • Ein alternatives Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mindestens einer Isolationslage, wobei die Isolationslage ein Polymer aus Norbornen-Monomeren aufweist, hat folgende Verfahrensschritte:
    • – Herstellen des Norbornen-Monomers mittels Dien-Synthese aus Cyclopentadien und Ethylen C2H4,
    • – Fluorieren des Norbornen-Monomers auf einen Fluorierungsgrad zwischen 10% bis 100%,
    • – Homopolymerisieren der Norbornen-Monomere unter erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur und Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung zwischen den Kohlenstoffatomen der zweiten und dritten Positon (2,3) des Norbornen-Monomers zu Polymerketten,
    • – Verarbeiten des Polymers unter Ausnutzung seiner leichten Löslichkeit in organischen Lösungsmitteln zu mindestens einer Isolationslage eines elektronischen Bauteils.
  • Bei diesem Verfahren, einer Fluorierung des Norbornen-Monomers nach seiner Synthese aus Cyclopentadien und Ethylen ist ein Bezug auf eine Lagebestimmung der Fluoratome im Monomer gegenüber dem obigen Verfahren geringfügig eingeschränkt, hat jedoch den Vorteil, daß der Anwender als Ausgangsprodukt synthetisierte Norbornen-Monomere beim Fluorieren einsetzen kann.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils kann weiterhin folgende Verfahrensschritte aufweisen:
    • – Beschichten der Isolationslage aus einem Polymer von Norbornen-Monomeren mit einer Metallschicht,
    • – Strukturieren der Metallschicht zu Umverdrahtungsleiterbahnen mit Kontaktanschlussflächen an einem Ende der Umverdrahtungsleiterbahnen auf der Isolationslage,
    • – Strukturieren der Isolationslage durch Öffnen von mindestens einem Bondkanal, in dem Kontaktflächen einer aktiven Oberseite eines Halbleiterchips freigelegt sind.
  • Mit diesem Verfahren wird in dem Halbleiterbauteil eine Isolationslage für Umverdrahtungsleiterbahnen geschaffen. Diese überwindet mit einer extrem niedrigen relativen Dielektrizitätskonstante die Nachteile bisheriger Kunststoffisolationslagen. Eine verbesserte Entkopplung der Signalführung in der strukturierten Metallschicht auf der Isolationslage aus Poly mer von Norbornen-Monomeren und der strukturierten Metallschicht auf dem Halbleiterchip wird erreicht. Die strukturierte Metallschicht auf dem Halbleiterchip weist auf seiner aktiven Oberseite metallische und Polysiliziumleiterbahnen auf, um Elektroden aktiver und passiver Bauteile einer integrierten Schaltung mit entsprechenden metallischen Kontaktflächen auf den Halbleiterchips zu verbinden. Je niedriger eine relative Dielektrizitätskonstante für eine derartige Polymerschicht von Norbornen-Monomeren realisiert werden kann, um so dünner können die Isolierschichten aufgebracht werden und damit gleichzeitig in vorteilhafter Weise für das elektronische Bauteil eine Verringerung der räumlichen Ausdehnung erreicht werden.
  • Wie oben bereits erwähnt, kann durch Einsetzen entsprechender organischer Lösungsmittel, in denen das Polymer von Norbornen-Monomeren leicht löslich ist, die Isolationslage einer Umverdrahtungsschicht unmittelbar auf einen Halbleiterwafer durch Aufsprühen und/oder Aufschleudern aufgebracht werden. Dieses hat den Vorteil, daß mit einem einzigen Bearbeitungsschritt gleichzeitig mehrere Halbleiterchips mit der Isolationslage aus einem Polymer von Norbornen-Monomeren beschichtet werden kann.
  • Eine Polymerschicht von Norbornen-Monomeren kann in einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens auch dadurch unmittelbar auf einen Halbleiterwafer aufgebracht werden, indem der Halbleiterwafer in eine organische Lösung mit gelöstem Polymer eingetaucht wird. Ein derartiges Tauchverfahren hat den Vorteil, daß mit einer entsprechenden Halterung gleich mehrere hundert Halbleiterwafer mit einer Polymerschicht aus Norbornen-Monomeren beschichtet werden können.
  • Nach Verdampfen des Lösungsmittels verbleibt eine dünne, und falls erforderlich, eine Polymerschicht einer Dicke im Submikrometerbereich auf der Scheibe, die dann mit einer strukturierten Metallschicht als Umverdrahtungsebene zu versehen ist. Eine derartige strukturierte Metallschicht kann mittels Drucktechnik und/oder durch physikalisches Abscheiden des Metalls aus der Gasphase auf die Oberfläche der Isolationslage aufgebracht werden. Bei der physikalischen Abscheidung können mit einem Verfahrensschritt gleichzeitig mehrere Halbleiterwafer mit einer Metallschicht beschichtet werden, die dann anschließend durch entsprechende Photolithographieschritte strukturiert wird.
  • Das Polymer aus Norbornen-Monomeren kann jedoch auch für eine mehrlagige Schicht aus Isolationslagen und zwischengeschalteten Umverdrahtungsleiterbahnen aus strukturierten Metallagen verwendet werden. Dazu werden in den Isolationslagen aus einem Polymer von Norbornen-Monomeren Durchkontakte eingebracht, welche die einzelnen strukturierten Metallagen untereinander oder übereinander verbinden.
  • Bei einem weitere Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird eine strukturierte Isolationslage aus einem Polymer von Norbornen-Monomeren als Lötstoppschicht auf die Umverdrahtungsschicht mit strukturierter Metallschicht aufgebracht. Bei diesem Verfahren werden die Umverdrahtungsleitungen durch die als Lötstoppschicht eingesetzte Polymerschicht aus Norbornen-Monomeren gegen Korrosion und gegen Ausbreitung von Lötmaterial geschützt. Lediglich die Kontaktanschlussflächen der Umverdrahtungsschicht bleiben frei zugänglich. Auf diese frei zugänglichen Kontaktanschlussflächen der Umverdrahtungsschicht werden anschließend Kontaktanschlüsse beispielsweise aus Lotbällen aufgebracht. Diese Polymerschicht aus Norbornen-Monomeren dient dann gleichzeitig als Gehäuseaußenseite des Halbleiterbauteils.
  • Da die obigen Verfahrensschritte sowohl auf einem vereinzelten Halbleiterchips als auch auf einem Halbleiterwafer für mehrere Halbleiterchips durchführbar sind, muß für die Herstellung von elektronischen Bauteilen aus einem Halbleiterwafer dieser abschließend zu Einzelbauteilen getrennt werden.
  • Diese Bauteile können dann unmittelbar an den Kunden geliefert werden oder noch auf der Rückseite oder auf den Randseiten mit einer Kunststoffmasse beschichtet werden.
  • Das Vergießen mit einer Kunststoffmasse wird in einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens noch vor dem Aufbringen von Kontaktanschlüssen auf die Kontaktanschlussflächen durchgeführt, da der Halbleiterchip mit Kontaktanschlussflächen aber ohne Kontaktanschluß eine relativ ebene Auflage beim Spritzgießen der Rückseite des Halbleiterchips und der Randbereiche des Halbleiterchips darstellt. Somit werden bei diesem Verfahren erst nach dem Versehen des Halbleiterchips auf der Rückseite und auf den Randseiten mit einem Kunststoffgehäuse die Kontaktanschlüsse beispielsweise durch einen Lötprozess von Lötbällen auf den Kontaktanschlussflächen aufgebracht.
  • Zusammenfassend ergeben sich hierdurch die erfindungsgemäße Isolationslage aus einem Polymer von Norbornen-Monomeren und Umverdrahtungsebenen mit Polymerschichten, die eine geringe relative Dielektrizitätskonstante aufweisen. Zwar können mit reinem Teflon, einem Polytetrafluorethylen relative Dielektrizitätskonstanten mit Werten unter 2 erreicht werden, jedoch ist Polytetrafluorethylen wegen seiner schlechten Adhäsionseigenschaften für den Einsatz in elektronischen Bauteilen als Isolationslage ungeeignet, da Polytetrafluorethylen als Antihaftmittel bekannt ist und folglich nicht unmittelbar als haftende Isolationslage in elektronischen Bauteilen eingesetzt werden kann. Gut haftende Materialien wie Polyimid oder Polybenzoxazol (PBO) liegen jedoch mit ihren relativen Dielektrizitätskonstanten von ca. 4 in einem Bereich, der Signalkopplungsprobleme und Rauschprobleme mit sich bringt. Durch die graduelle Fluorierung von Polynorbornen kann der Wert der relativen Dielektrizitätskonstante stufenweise reduziert werden. Durch den Fluorierungsgrad kann ein Bereich für die relative Dielektrizitätskonstante abgedeckt werden, der auch den technisch interessanten Teil bis herunter auf 2,0 aufgrund der Dipolwirkung der polaren Fluor-Kohlenstoffbindungen abdecken kann. Diese Eigenschaft kann in Kombination mit der erforderlichen Haftkraft für Isolationslagen in einem elektronischen Bauteil optimiert werden. Durch den Grad und die Lage der Fluorierung kann die gewünschte Eigenschaft, nämlich eine niedrige Dielektrizitätskonstante bzw. eine verbesserte Haftung in dem Anwendungsfall angepasst werden.
  • Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit bezug auf die beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt eine Strukturskizze eines ersten Norbornen-Monomers für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • 2 zeigt eine Strukturskizze eines zweiten Norbornen-Monomers für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
  • 3 zeigt Strukturskizzen von möglichen Ausgangsprodukten einer Norbornen-Monomer-Synthese,
  • 4 zeigt Strukturskizzen von möglichen Ausgangsprodukten zur Synthese eines Norbornen-Monomers der 2,
  • 5 zeigt eine Strukturskizze eines Polymers aus ersten Norbornen-Monomeren für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils der ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • 6 zeigt eine Strukturskizze eines Polymers aus zweiten Norbornen-Monomeren für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils der dritten Ausführungsform der Erfindung,
  • 7 zeigt eine Strukturskizze eines Polymers von Norbornen-Monomeren für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils einer dritten Ausführungsform der Erfindung,
  • 8 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines elektronischen Bauteils mit einer Isolationslage aus einem Polymer aus Norbornen-Monomeren.
  • 1 zeigt eine Strukturskizze eines ersten Norbornen-Monomers 14 für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Das Norbornen-Monomer 14, wie es die 1 zeigt, weist eine Doppelringstruktur 15 auf, die aus zwei Pentaringen zusammengesetzt ist. Diese Doppelringstruktur 15 aus sieben Kohlenstoffatomen weist entsprechend sieben Strukturpositionen 1 bis 7 auf. Dabei ist die siebte Position 7 eine exponierte Position, die sowohl bei der ersten, zweiten, als auch bei der dritten Ausführungsform der Erfindung mit zwei Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 belegt ist, wobei diese polaren Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 bereits eine Erniedrigung der relativen Dielektrizitätskonstante bewirken.
  • Wird nur die siebte Position 7 durch zwei polare Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 belegt, so entspricht dieses bei einer Homopolymerisation auf der Basis dieses Monomers einem Fluorierungsgrad von 20%. Soll dennoch ein Fluorierungsgrad von lediglich 10% erreichbar werden, so wird das Norbornen-Monomer mit einem Fluorierungsgrad von 20% mit einem nichtfluorierten Monomer im Verhältnis 1:1 gemischt. Anschließend wird die Mischung polymerisiert.
  • Das Monomer der 1 weist jedoch einen wesentlich höheren Fluorierungsgrad auf, weil auch die Positionen eins bis vier mit Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 belegt sind, so daß lediglich die Positionen fünf und sechs mit insgesamt vier Kohlenwasserstoffbindungen 18 belegt sind, was einem Fluorierungsgrad von 60% entspricht. Ein Polymer, das durch Homopolymerisation dieses Norbornen-Monomers der 1 gebildet wird, weist wegen der verbliebenen vier Kohlenwasserstoffbindungen 18 eine ausreichende Adhäsionsfähigkeit auf und hat gegenüber einem nicht-fluorierten Norbornen-Monomer den Vorteil, daß die relative Dielektrizitätskonstante einen wesentlich niedrigeren Wert, der weit unter dem Wert 4 von Polyimid oder Polybenzoxazol liegt.
  • Das Norbornen-Monomer der 1 weist zwischen den zweiten und dritten Positionen 2 und 3 der Strukturskizze eine Doppelbindung 6 auf, die eine Homopolymerisation d.h. eine Polymerisation ohne Zusatzstoffe oder Brückenradikale ermöglicht, so daß ein langkettiges Molekül entsteht, das in seiner makroskopischen Eigenschaft als Isolationslage nicht nur eine geringe Dielektrizitätskonstante in einem Bereich von 2 bis 4 vorzugsweise zwischen 2,0 und 2,4 aufweist, sondern auch eine thermoplastische Eigenschaft besitzt. Somit kann die Isolationsschicht durch Erweichen des Polymers oder durch Schmelzen des Polymers auf einen Halbleiterwafer oder auf einen Halbleiterchip aufgebracht werden. Ein mehrfacher Wechsel zwischen festem, erweichtem oder flüssigem Zustand ist bei derartigen kettenförmigen Polymeren oder Thermoplasten möglich und verbessert die Verarbeitbarkeit. Darüber hinaus kann ein Polymer aus diesen Norbornen-Monomeren leicht in organischen Lösungsmitteln gelöst und damit verdünnt werden zu dünnflüssigen Lacken, die in dünner Schicht auf entsprechende Halbleiterchips oder Halbleiterwafer auftragbar sind.
  • 2 zeigt eine Strukturskizze eines zweiten Norbornen-Monomers 14 für einen Isolationslage eines elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleicher Funktion wie in 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht näher erläutert. Der Unterschied zwischen dem Monomer der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform besteht darin, daß die fünfte und sechste Position 5 und 6 ebenfalls fluoriert sind, und dafür die Positionen 2 und 3, zwischen denen die Kohlenstoffdoppelbindung 16 angeordnet ist, lediglich jeweils mit einer Kohlenwasserstoffbindung 18 belegt sind. Auch bei dieser zweiten Ausführungsform ist die siebte Position 7 mit zwei polaren Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 belegt, so daß der Fluorierungsgrad dieses Monomers 80% beträgt. Zwar nehmen die Adhäsionseigenschaften etwas ab, aber dafür kann die Dielektrizitätskonstante weiter abgesenkt werden und kommt in die Nähe von Polytetrafluorethylen (PTFE), das jedoch den Nachteil hat, daß es ein Antihaftmittel darstellt. Ein Antihaftmittel kann jedoch zumindest für Isolationslagen, die einerseits eine gute Haftung auf anorganischen Isolierschichten wie Siliziumdioxyd und Siliziumnitrit aufweisen sollen, und andererseits eine gute Haftung zu Metallschichten ermöglichen sollen, nicht eingesetzt werden. Für die Adhäsionsfähigkeit des Monomers nach 2 sorgen die verbliebenen Kohlenwasserstoffbindungen in den zweiten und dritten Positionen 2 und 3, zwischen denen gleichzeitig eine Kohlendoppelbindung 6 vorhanden ist, welche bei der Homopolymerisation und Bildung von Polymerketten aus diesen Norbornen-Monomeren 14 aufgelöst wird.
  • 3 zeigt Strukturskizzen von möglichen Ausgangsprodukten einer Norbornen-Monomer-Synthese. Komponenten, die eine gleiche Bedeutung, wie in den 1 und 2 haben, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht näher erläutert.
  • 4 zeigt Strukturskizzen von möglichen Ausgangsprodukten zur Synthese eines Norbornen-Monomers der 2 mit einem Fluorierungsgrad von 80%. Komponenten, die eine gleiche Bedeutung, wie in den vorhergehenden Figuren haben, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht näher erläutert. In dieser Ausführungsform werden als Ausgangsprodukte einer Dien-Synthese vollständig fluoriertes Ethylen (C2F4) 36 und teilweise fluoriertes Cyclopentadien (C5H2F4) 37 eingesetzt, bei dem vier von sechs Wasserstoffatomen (H) durch Fluoratome (F) des Penta-Ringes 38 ersetzt sind. Nach der Synthese ergibt sich das Norbornen-Monomer 14 in einer Struktur, wie sie in 2 gezeigt wird, wobei das Norbornen-Monomer 14 zu 80% fluoriert ist.
  • 5 zeigt eine Strukturskizze eines Polymers aus ersten Norbornen-Monomeren 14 für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils der ersten Ausführungsform der Erfindung. Da das Monomer der 1 mit einem Fluorierungsgrad von 60% polare Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 in den Positionen zwei und drei, zwischen denen gleichzeitig eine Kohlenstoffdoppelbindung 16 vorherrscht, aufweist, wird bei der Polymerisation und damit der Auflösung dieser Kohlenstoffdoppelbindung 16 nun an jeder Koppelstelle zwischen zwei Monomeren jeweils eine polare Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 positioniert sein. Dies ergibt eine Kette aus aneinander gereihten Kohlenstoffatomen mit Fluorbindungen, wie es die 3 zeigt.
  • Die Polymerkette 27 kann beliebig verlängert werden, ohne bei der Homopolymerisation Bindemittel oder verbindende Radikale hinzufügen zu müssen, so daß auch keine Silizierung zur Polymerbildung erforderlich wird. Von der zentralen Polymerkette mit Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 sind die Kohlenwasserstoffbindungen 18 dieser Polymerkette weit entfernt, so daß die Polymerkette von Kohlenwasserstoffbindungen 18 umschlossen ist, wodurch eine große Adhäsionsfähigkeit erreicht werden kann. Der Fluorierungsgrad dieses Polymers entspricht dem Fluorierungsgrad des Monomers und weist in dieser ersten Ausführungsform der Erfindung 60% auf.
  • 6 zeigt eine Strukturskizze eines Polymers 13 aus Norbornen-Monomeren 14 der zweiten Ausführungsform der Erfindung für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung ist lediglich die zentrale Polymerisationskette 27 mit Kohlenwasserstoffbindungen 18 belegt. Die räumlich außen liegenden Kohlenstoffatome sind alle mit Fluor-Kohlenstoffbindungen 17 ausgestattet, so daß eine niedrige Dielektrizitätskonstante mit diesem Polymer aus Norbornen-Monomeren erreicht werden kann. Jedoch ist die Haftung stark eingeschränkt, da sich die Kohlenwasserstoffbindungen auf die zentrale Polymerkette 27 konzentrieren und damit in ihrer Wirkung eingeschränkt sind.
  • 7 zeigt eine Strukturskizze eines Polymers von Norbornen-Monomeren 14 für eine Isolationslage eines elektronischen Bauteils einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten, welche die gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht näher erläutert. Ein Polymer 13 der dritten Ausführungsform nach 5 kann dadurch gebildet werden, daß ein Monomer der ersten Ausführungsform der Erfindung mit einem Monomer der zweiten Ausführungsform der Erfindung im Verhältnis 1:1 vor dem Polymerisieren gemischt wird. Durch diese Mischung entsteht eine Anordnung, bei der nicht alle Außenpositionen des Polymers mit Fluor-Kohlenstoffbindungen belegt sind, sondern abwechselnd dazwischen auch Kohlenwasserstoffbindungen auftreten, welche die Adhäsionsfähigkeit der Polymerkette erhöhen. Der Fluorierungsgrad dieses Polymers liegt zwischen dem Polymerisationsgrad der ersten und der zweiten Ausführungsform und weist einen Polymerisationsgrad von 70% auf. Wird für andere Anwendungen ein niedrigerer Polymerisationsgrad gefordert, so kann jederzeit ein größerer Anteil nicht-fluorierter Norbornen-Monomere zugemischt und eingesetzt werden, um den Fluorierungsgrad der gesamten Polymerkette zu vermindern. Sind höhere Fluorierungsgrade als die mit der zweiten Ausführungsform der Erfindung erreichbaren 80% wünschenswert, so muß die aus 4 oder 5 bekannte Polymerkette durch vollständig fluorisierte Monomere ergänzt werden. Der Fluorierungsgrad für ein Polymer kann bis auf 100% gesteigert werden, wenn ausschließlich für die Polymerisation vollständig fluorierte Norbornen-Monomere eingesetzt werden.
  • 8 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines elektronischen Bauteils 11 mit einer Isolationslage 12 aus einem Polymer 13 aus Norbornen-Monomeren.
  • In 8 bezeichnet die Bezugsziffer 20 einen Halbleiterwafer, die Bezugsziffer 21 eine Umverdrahtungsleiterbahn, die Bezugsziffer 22 Kontaktflächen, die Bezugsziffer 23 eine aktive Seite eines Halbleiterchips, die Bezugsziffer 24 Außenkontakte, die Bezugsziffer 25 einen Halbleiterchip, die Bezugsziffer 26 eine Umverdrahtungsfolie, die Bezugsziffer 28 eine Metallschicht, die Bezugsziffer 29 Kontaktanschlussflächen und die Bezugsziffer 30 einen Bondkanal.
  • In der 8 ist auf einem Halbleiterchip 25 eine Isolationslage 12 aus einem Polymer von Norbornen auf die aktive Oberseite 23 des Halbleiterchips 25 aufgebracht. Die aktive Oberseite 23 des Halbleiterchips 25 weist in ihrem Zentrum Kontaktflächen 22 auf, die in einer Reihe innerhalb eines Bondkanals 30 auf der aktiven Oberseite 23 angeordnet sind. Das Kontaktfenster 30 wird zunächst von der Isolationslage 12 aus einem Polymer 13 der Norbornen-Monomere freigehalten, so daß eine elektrische Verbindung 33 zwischen der Kontaktfläche 22 und den Umverdrahtungsleiterbahnen 21 hergestellt werden kann.
  • Die Isolationslage 12 isoliert die nicht gezeigten Leiterbahnen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips 25 von den Umverdrahtungsleiterbahnen 21 auf der Umverdrahtungsfolie 26 oder Umverdrahtungsschicht 19. Eine auf die Umverdrahtungsschicht 19 aufgebrachte Metallschicht 28 ist derart strukturiert, daß sie einzelne Kontaktanschlussflächen 29 aufweist, die für Außenkontakte 24 vorgesehen sind. Zwischen den Kontaktanschlussflächen 29 und den Kontaktflächen 22 besteht eine elektrische Verbindung über die Umverdrahtungsleiterbahnen 21. Aufgrund der niedrigen Dielektrizitätskonstante der Isolationslage aus einem Polymer von Norbornen-Monomeren bei gleichzeitig vorhandenen Adhäsionseigenschaften ist es möglich, ein elektronisches Bauteil, wie es die 6 zeigt, zu schaffen, bei dem Rückkopplungen zwischen den Leiterbahnen auf der aktiven Oberseite 23 des Halbleiterchips 25 mit den Umverdrahtungsleiterbahnen 21 auf der Isolationslage 12 vermieden werden.
    • 1–7
    Positionen der Doppelringstruktur des Norbornen-
    Monomers
    11
    elektronisches Bauteil
    12
    Isolationslage
    13
    Polymer
    14
    Norbornen-Monomer
    15
    Doppelringstruktur
    16
    Kohlenstoffdoppelbindung
    17
    Polare Fluor-Kohlenstoffbindungen
    18
    Kohlenwasserstoffbindungen
    19
    Umverdrahtungsschicht oder Umverdrahtungsfolie
    20
    Halbleiterwafer
    21
    Umverdrahtungsleiterbahnen
    22
    Kontaktflächen
    23
    aktive Seite
    24
    Außenkontakte
    25
    Halbleiterchips
    26
    Umverdrahtungsfolie
    27
    Polymerketten
    28
    Metallschicht
    29
    Kontaktanschlussflächen
    30
    Bondkanal
    31
    Oberfläche der Isolationslage
    32
    Lötstoppschicht
    33
    elektrische Verbindung
    34
    Ethylen C2H4
    35
    fluoriertes Cyclopentadien C5F6
    36
    fluoriertes Ethylen C2F4
    37
    teilweise fluoriertes Cyclopentadien C5H2F4
    38
    Penta-Ring

Claims (23)

  1. Elektronisches Bauteil mit mindestens einer Isolationslage (12), wobei die Isolationslage (12) ein Polymer (13) aus Norbornen-Monomeren (14) aufweist, und das Polymer (13) die Doppelringstruktur (15) des Monomers (14) C7H10 beibehaltend unter Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung (16) zwischen den Kohlenstoffatomen (C) der zweiten und dritten Position (2, 3) des Norbornen-Monomers (14) mittels Homopolymerisation polymerisierte Norbornen-Monomere (14) mit polaren Fluor-Kohlenstoffbindungen (17) aufweist.
  2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer (13) aus Norbornen-Monomeren (14) einen Grad der Fluorierung durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen (17) anstelle von Kohlenwasserstoffbindungen (18) von 10% bis 100% aufweist.
  3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer (13) aus Norbornen-Monomeren (14) einen Grad der Fluorierung durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen (17) anstelle von Kohlenwasserstoffbindungen (18) von 30% bis 75% aufweist.
  4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer (13) aus Norbornen-Monomeren (14) einen Grad der Fluorierung durch polare Fluor-Kohlenstoffbindungen (17) anstelle von Kohlenwasserstoffbindungen (18) von 50% bis 70% aufweist.
  5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass von zehn möglichen Positionen im Norbornen-Monomer (14) für Wasserstoffatome (H) fünf bis sieben durch Fluoratome (F) und die verbleibenden drei bis fünf Positionen mit Wasserstoffatomen (H) besetzt sind.
  6. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens die zwei Kohlenwasserstoffbindungen der siebten Position (7) in dem Norbornen-Monomer (14) durch polare Fluorkohlenstoffbindungen (17) ersetzt sind.
  7. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sechs Fluoratome (F) die ersten, zweite, dritte, vierte und siebte Position (1, 2, 3, 4, 7) der Norbornen-Doppelringstruktur (15) belegen und vier Wasserstoffatome (H) die fünfte und sechste Position (5, 6) belegen.
  8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass acht Fluoratome die erste, vierte, fünfte, sechste und siebte Position (1, 4 , 5, 6, 7) der Norbornen-Doppelringstruktur (15) belegen und zwei Wasserstoffatome (H) die zweite und dritte Position (2, 3) belegen.
  9. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationslage (12) eine Isolationsschicht ist.
  10. Elektronische Bauteil nach Anspruch leugnen, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationslagen (12) eine Isolationsfolie ist.
  11. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationslagen (12) eine Umverdrahtungsschicht (19) oder Umverdrahtungsfolie (26) ist.
  12. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsschicht (19) oder Umverdrahtungsfolie (26) auf einem Halbleiterwafer (20) angeordnet ist und Umverdrahtungsleiterbahnen (21) aufweist, die Kontaktflächen (22) auf einer aktiven Seite (23) eines Halbleiterwafers (20) mit Außenkontakten (24) auf der Umverdrahtungsschicht (19) oder Umverdrahtungsfolie (26) elektrisch verbinden.
  13. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsschicht (19) oder Umverdrahtungsfolie (26) auf einem Halbleiterchip (25) angeordnet ist und Umverdrahtungsleiterbahnen (21) aufweist, die Kontaktflächen (220) auf einer aktiven Seite (23) eines Halbleiterchips (25) mit Außenkontakten (24) auf der Umverdrahtungsschicht (19) oder Umverdrahtungsfolie (26) elektrisch verbinden.
  14. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsfolie (26) mehrere Lagen von Umverdrahtungsleiterbahnen (21) aus einem Metall und Isolationslagen (12) aus einem Polymer (13) des Norbornen-Monomers (14) aufweist.
  15. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die relative Dielektrizitätskonstante der Isolationslage (12) aus einem Polymer (13) der Norbornen-Monomeren (14) einen Wert zwischen 2,0 und 2,4 aufweist.
  16. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, mit mindestens einer Isolationslage (12), wobei die Isolationslage (12) ein Polymer (13) aus Norbornen-Monomeren (14) aufweist, und das Polymer (13) die Doppelringstruktur (15) des Norbornen-Monomers (14) C7H10 beibehaltend unter Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung (16) zwischen den Kohlenstoffatomen (C) der zweiten und dritten Position (2, 3) des Norbornen-Monomers (14) mittels Homopolymerisation vernetzte Norbornen-Monomere mit polaren Fluor-Kohlenstoffbindungen (17) aufweist, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – mindestens teilweises Fluorieren mindestens eines Ausgangsproduktes einer Dien-Synthese von Norbornen-Monomeren, – Herstellen des fluorierten Norbornen-Monomers (14) mittels Dien-Synthese aus den teilweise fluorierten Ausgangsprodukten, – Homopolymerisieren der Norbornen-Monomere (14) unter erhöhtem Druck und erhöhter Termperatur und Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung (16) zwischen den Kohlenstoffatomen (C) der zweiten und dritten Position (2, 3) des Norbornen-Monomers (14) zu Polymerketten, – Verarbeiten des Polymers unter Ausnutzung seiner leichten Löslichkeit in organischen Lösungsmitteln zu mindestens einer Isolationslage (12).
  17. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, mit mindestens einer Isolationslage (12), wobei die Iso lationslage (12) ein Polymer (13) aus Norbornen-Monomeren (14) aufweist, und das Polymer (13) die Doppelringstruktur (15) des Norbornen-Monomers (14) C7H10 beibehaltend unter Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung (16) zwischen den Kohlenstoffatomen (C) der zweiten und dritten Position (2, 3) des Norbornen-Monomers (14) mittels Homopolymerisation vernetzte Norbornen-Monomere mit polaren Fluor-Kohlenstoffbindungen (17) aufweist, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen des Norbornen-Monomers (14) mittels Dien-Synthese aus Cyclopentadien und Ethylen, – Fluorieren des Norbornen-Monomers (14) auf einen Fluorierungsgrad zwischen 10 bis 100%, – Homopolymerisieren der Norbornen-Monomere (14) unter erhöhtem Druck und erhöhter Termperatur und Auflösung der Kohlenstoffdoppelbindung (16) zwischen den Kohlenstoffatomen (C) der zweiten und dritten Position (2, 3) des Norbornen-Monomers (14) zu Polymerketten, – Verarbeiten des Polymers unter Ausnutzung seiner leichten Löslichkeit in organischen Lösungsmitteln zu mindestens einer Isolationslage (12).
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin die Verfahrensschritte aufweist: – Beschichten der Isolationslage (12) aus einem Polymer (13) von Norbornen-Monomeren (14) mit einer Metallschicht (28), – Strukturieren der Metallschicht (28) zu Umverdrahtungsleiterbahnen (21) mit Kontaktanschlußflächen (29) an einem Ende der Umverdrahtungsleiterbahnen (21) auf der Isolationslage (12), – Strukturieren der Isolationslage (12) durch Öffnen von mindestens einem Bondkanal (30), in dem Kontaktflächen (22) einer aktiven Oberseite (23) eines Halbleiterchips (25) freigelegt sind.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationslage (12) aus einem Polymer (13) von Norbornen-Monomeren (14) unmittelbar auf einem Halbleiterwafer (20) durch Aufsprühen und/oder Aufschleudern des in einer organischen Lösung gelösten Polymers (13) auf den Halbleiterwafer (20) aufgebracht wird.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationslage (12) aus einem Polymer (13) von Norbornen-Monomeren (14) unmittelbar auf einem Halbleiterwafer (20) durch Tauchen in eine organische Lösung des gelösten Polymers (13) auf den Halbleiterwafer (20) aufgebracht wird.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (28) mittels physikalischer Abscheidung des Metalls aus der Gasphase auf die Oberfläche der Isolationslage (12) aufgebracht wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass eine mehrlagige Schicht aus Isolationslagen (12) und zu Umverdrahtungsleiterbahnen (21) strukturierten Metalllagen mit Durchkontakten durch die Isolationslagen (12) auf einem Halbleiterwafer (20) aufgebracht werden.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine weitere strukturiert die Isolationslage (12) aus Polymer (13) von Norbornen-Monomeren (14) als Lötstoppschicht (32) auf die Umverdrahtungsschicht (19) mitstrukturierte Metallschicht (28) aufgebracht wird, welche lediglich die Kontaktanschlußflächen (29) der Umverdrahtungsschicht (19) frei zugänglich belässt.
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