DE10116069C2 - Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einem Verfahren zu seiner Herstellung ge­ mäß der Gattung der unabhängigen Ansprüchen.
Bei der Herstellung von elektronischen Bauteilen mit Halblei­ terchips werden zunehmend Umverdrahtungsplatten eingesetzt, die auf die aktive Oberseite des Halbleiterchips unter Frei­ lassung einer Durchgangsaussparung geklebt werden. Die Durch­ gangsaussparung dient dabei der Bereitstellung eines Bondka­ nals, so dass nach dem Aufkleben Bonddrähte von Kontaktflä­ chen auf dem Halbleiterchip zu Kontaktanschlußflächen auf der Umverdrahtungsplatte gebondet werden können. Nach dem Aufkle­ ben und dem Anbringen von Bondverbindung wird der Bondkanal bzw. die Durchgangsaussparung in der Umverdrahtungsplatte mit einer Kunststoffmasse abgedeckt.
Derartige Anordnungen sind z. B. in der DE 100 02 426 A1 ( Fig. 4), der US 6,175,159 B1 (Fig. 1), der US 6,013,946 ( Fig. 3) und dem Abstract der JP 2000156435 A (Figur) offenbart.
Mit zunehmender Chipgröße entsteht beim Aufbringen der Kunst­ stoffmasse auf den Bondkanal zu dessen Abdeckung ein Problem, indem auf den Querseiten des Bondkanals ein erheblicher Ver­ lust an Kunststoffmasse festzustellen ist, wodurch Bonddrähte bzw. Bondverbindungen in diesem Bereich freigelegt und nicht sicher von Kunststoffmasse bedeckt werden. Bauteile mit der­ artigen Fehlern müssen aussortiert werden, da eine zuverläs­ sige Funktion durch die freiliegenden Bondverbindungen ge­ fährdet ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, diesen Ausschuß zu vermeiden und den Ursachen für das Freilegen der Bondanschlüsse auf den Querseiten des Bondkanals bzw. der Durchgangsaussparung ent­ gegenzuwirken.
Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen An­ sprüche gelöst. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß weist zur Lösung der Aufgabe das elektroni­ sche Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer aktiven Ober­ seite Klebstoffstreifen auf, welche die aktive Oberseite des Halbleiterchips auf der Oberseite einer Umverdrahtungsplatte befestigen. Die Umverdrahtungsplatte weist ihrerseits eine Durchgangsaussparung auf, die Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips freilässt. Dabei bleibt gleich­ zeitig eine Trennfuge zwischen den Klebstoffstreifen, welche die aktive Oberseite des Halbleiterchips mit der Oberseite der Umverdrahtungsplatte verbindet, zurück. Das Volumen der Trennfuge wird bei dieser Erfindung aus einem Kunststoffre­ servoir einer Zusatzaussparung in der Umverdrahtungsplatte mit Kunststoffmasse aufgefüllt. Somit bettet die Kunst­ stoffabdeckung nicht nur die Bondverbindungen in der Durch­ gangsaussparung ein, sondern versorgt zusätzlich ein Kunst­ stoffreservoir in einer Zusatzaussparung zu der Durchgangs­ aussparung in der Umverdrahtungsplatte mit Kunststoffmasse. Der Hohlraum, der aus den beiden Klebstoffstreifen in Form einer Trennfuge und zwischen den Oberseiten von Halbleiter­ chip und Umverdrahtungsplatte gebildet wird, ist somit voll­ ständig von einer Kunststoffmasse aufgefüllt.
Das erfindungsgemäße elektronische Bauteil hat durch das Vor­ sehen einer Zusatzaussparung mit einem Kunststoffreservoir den Vorteil, dass die Bondverbindungen in Kunststoffmasse eingebettet bleiben und lediglich das Kunststoffreservoir in der vorgesehenen Zusatzaussparung für das Auffüllen der Trennfugen teilweise oder ganz verbraucht wird. Damit wird gewährleistet, dass die Kunststoffabdeckung zuverlässig bei diesen elektronischen Bauteilen die Bondverbindungen in Kunststoffmasse einbettet und somit der Ausschuß beim Verpac­ ken derartiger elektronischer Bauteile mit einem Kunststoffgehäuse vermindert werden kann, da ein Freilegen von Bondver­ bindungen unterbleibt.
In einer Ausführungsform der Erfindung weist der Halbleiter­ chip Randseiten sowie eine passive Rückseite gegenüberliegend zur aktiven Oberseite auf, wobei die Kontaktflächen auf der Oberseite eine Strukturanordnung aufweisen, an welche die Durchgangsaussparung der Umverdrahtungsplatte angepaßt ist. Damit ist eindeutig die Durchgangsaussparung lediglich für die Strukturanordnung der Kontaktflächen und somit für das Einbetten der Bondverbindung in Kunststoffmasse vorgesehen und von dem Auffüllen der Trennfugen zwischen den Kleb­ stoffstreifen funktional und räumlich getrennt. So können Bondverbindungen auf den Längsseiten der Durchgangsaussparung vorgesehen werden, die völlig konstante und einheitliche Bonddrahtlängen aufweisen, so dass ein schnelles und zuver­ lässiges Bonden möglich wird.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Durchgangsaussparung mit der Zusatzaussparung kombiniert, in­ dem beispielsweise die Durchgangsaussparung in ihrer Längser­ streckung verlängert ist. Eine derartige zusätzliche Verlän­ gerung, die bonddrahtfrei ist, kann nun mit ihrem Kunst­ stoffreservoir die Trennfugen zwischen den Klebstoffstreifen mit Kunststoffmasse versorgen, ohne dass die Bondverbindungen teilweise freigelegt werden. Derartige Verlängerungen der Durchgangsaussparungen für Bondkanäle können verschiedene Formen annehmen.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Durchgangsaussparung in der Umverdrahtungsplatte Längsseiten mit Bondverbindungen und Querseiten ohne Bondverbindungen auf, wobei die Querseiten jeweils um eine Zusatzaussparung mit einem Kunststoffreservoir erweitert sind. An dieses Kunststoffreservoir schließen sich räumlich die mit Kunst­ stoffmasse gefüllten Trennfugen zwischen den Klebstoffstrei­ fen in Längsrichtung an. Derartige Trennfugen zwischen den Kunststoffstreifen sind fabrikationsbedingt, weil die Kunst­ stoffstreifen beim Herstellen des elektronischen Bauteils aus einem großflächigen Kunststoffband gestanzt werden und Halte­ stege aus Kunststoffbandmaterial das Material der Durchgangs­ aussparung tragen bzw. von den aus dem Kunststoffband herge­ stellten Klebstoffstreifen, die zwischen Halbleiterchip und Umverdrahtungsplatte angeordnet werden, trennen.
In der vorliegenden Ausführungsform könne die Querseiten der Durchgangsaussparung nicht mit Bondverbindung versehen wer­ den, da die Querseiten hier die Zusatzaussparung begrenzen und die Zusatzaussparung mit Kunststoffreservoir frei von Bondverbindungen bleiben muß, damit diese nicht beim Einbet­ ten dr Bondverbindungen in Kunststoffmasse freigelegt werden, wenn die Kunststoffmasse gleichzeitig die Trennfugen zwischen den Klebstoffstreifen auffüllt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Zu­ satzaussparung eine sich in Längsrichtung der Durchgangsaus­ sparung verjüngende Verlängerung der Durchgangsaussparung. Da Versuche gezeigt haben, dass nicht unbedingt die volle Breite der Durchgangsaussparung in Längsrichtung verlängert werden muß, um die gesamte Trennfuge mit Kunststoffmasse aufzufül­ len, hat diese Ausführungsform der Erfindung ein besser ange­ paßtes Kunststoffreservoir, das mit zunehmender Verlängerung der Durchgangsaussparung im Bereich der Zusatzaussparung ein reduziertes Kunststoffreservoir aufweist.
Die Zusatzaussparung kann in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung auch durch eine in Längsrichtung der Durch­ gangsaussparung eingeengte Verlängerung realisiert sein. Da­ bei wird die Verlängerung und die Einengung so bemessen, dass das Kunststoffreservoir gerade noch für das Auffüllen der Trennfugen zwischen den Klebstoffstreifen ausreicht.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgese­ hen, die Zusatzaussparung getrennt von der Durchgangsaussparung anzuordnen. In diesem Fall ergibt sich der Vorteil, dass die Querseiten der Durchgangsaussparung für das Anbringen von Bondverbindungen zur Verfügung stehen. Somit weist die Durch­ gangsaussparung dieser Ausführungsform der Erfindung Längs­ seiten mit Bondverbindungen und Querseiten mit Bondverbindun­ gen auf, während die Zusatzaussparung mit einem Kunststoffre­ servoir im Bereich der Trennfugen getrennt von der Durch­ gangsaussparung angeordnet ist. Dadurch, dass das Kunst­ stoffreservoir im Bereich der Trennfugen mit einer Zusatzaus­ sparung in der Umverdrahtungsplatte vorgesehen ist, wird ge­ währleistet, dass die Trennfugen vollständig mit Kunststoff­ masse aufgefüllt werden, ohne die Kunststoffmasse in der Durchgangsaussparung, die dann einzig und allein dem Einbet­ ten von Bondverbindungen dient, zu verbrauchen. Des weiteren ergibt sich ein Vorteil, wenn die Zusatzaussparung räumlich getrennt von der Durchgangsaussparung angeordnet ist, da nun die Bondverbindungen aus Bonddrähten zusätzlich zu den Längs­ seiten nun auch auf den Querseiten der Durchgangsaussparung einheitliche Bonddrahtlängen aufweisen können. Durch einheit­ liche Bonddrahtlängen sowohl in Längsrichtung als auch in Querrichtung und damit sowohl auf den Längsseiten als auch auf den Querseiten der Durchgangsaussparung kann der Bondvor­ gang zuverlässiger und schneller durchgeführt werden.
Die Klebstoffstreifen selbst sind in einer Ausführungsform der Erfindung doppelseitig klebendes Klebstoffmaterial. Die­ ses doppelseitig klebende Klebstoffmaterial kann durchgängig in seiner vollen Dicke aus einem Klebstoff bestehen. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung bestehen die Kleb­ stoffstreifen aus einem Trägermaterial mit doppelseitiger Klebstoffbeschichtung. Daraus resultiert zum eionen eine er­ hebliche Einsparung an Klebstoff und zum anderen kann das Trägermaterial besser an die Anforderung an das Halbleiter­ chipmaterial und das Umverdrahtungsplattenmaterial angepaßt werden, insbesondere in Bezug auf die unterschiedlichen Aus­ dehnungsverhalten dieser Materialien.
Die Klebstoffstreifen weisen dazu eine Dicke zwischen 40 µm und 200 µm auf. Je größer der Ausdehnungsunterschied zwischen Chipmaterial und Umverdrahtungsplattenmaterial ist, desto dicker werden die Klebstoffstreifen ausgeführt, und mit zu­ nehmender Dicke der Klebstoffstreifen wird zu einer Kombina­ tion aus Trägermaterial und Klebstoffbeschichtung übergegan­ gen. Die Umverdrahtungsplatte weist in einer weiteren Ausfüh­ rungsform der Erfindung eine Dicke von 150 µm bis 350 µm auf. Die Umverdrahtungsplatte hat die Aufgabe, von mikroskopisch kleinen Kontaktanschlußflächen über Leiterbahnen die elektri­ schen Signale und Versorgungsströme des Halbleiterchips auf makroskopische Außenkontaktflächen zu übertragen. In diesem Zusammenhang werden unter mikroskopisch kleinen Dimensionen Strukturen verstanden, die nur unter einem Lichtmikroskop noch meßbar sind, und unter makroskopisch werden Strukturen verstanden, die mit dem bloßen Auge meßbar sind.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Umverdrahtungsplatte eine faserverstärkten Kunststoff­ platte mit einer zu Kontaktanschlußflächen, Umverdrahtungs­ leitungen und Außenkontaktflächen strukturierten Metallka­ schierung aufweist. Diese Ausführungsform hat aufgrund der Faserverstärkung den Vorteil, dass die Umverdrahtungsplatte beim Verpacken des elektronischen Bauteils mit einem Kunst­ stoffgehäuse relativ formstabil dem hohen Spritzdruck stand­ halten kann. Dieser Spritzdruck liegt in der Größenordnung von 8 MPa bis 15 MPa. Die strukturierte Metallkaschierung ist dabei auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte angebracht und mit Lötstopplack vor einem Metallisieren beim Löten der Außenkontakte geschützt. Lediglich die Außenkontaktflächen werden bis zum Anbringen der Außenkontakte sowohl von Löt­ stopplack als auch von Kunststoffmasse freigehalten.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung besteht die Metallkaschierung aus Kupfer oder einer Kupferlegierung. Die­ ses hat den Vorteil, dass die Metallkaschierung galvanisch auf den faserverstärkten Kunststoff der Umverdrahtungsplatte aufgebracht werden kann, und das Kupfer eine relativ preis­ werte Metallkaschierung in Bezug auf die Materialkosten dar­ stellt.
Da Kupferoberflächen leicht oxidieren und deshalb weder für ein Bonden noch für ein Löten besonders geeignet sind, sind die Kontaktanschlußflächen, auf denen Bondverbindungen herzu­ stellen sind, und die Außenkontaktflächen, auf die Außenkon­ takte zu löten sind, mit einer bondbaren bzw. lötbaren Be­ schichtung in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ausgestattet.
Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiterchip, das unter Freilassung von Trennfu­ gen, einer Durchgangsaussparung und einer Zusatzaussparung auf eine Umverdrahtungs­ platte aufgeklebt ist, hat mindestens folgende Verfahrens­ schritte:
  • - Aufbringen zweier Klebstoffstreifen auf eine Umverdrah­ tungsplatte mit einer Durchgangsaussparung und einer Zu­ satzaussparung unter Freilassung der Durchgangsausspa­ rung, der Zusatzaussparung und langgestreckter Trennfu­ gen zwischen den Klebstoffstreifen,
  • - Aufbringen eines Halbleiterchips auf die Klebstoffstrei­ fen unter Positionieren der Kontaktflächen des Halblei­ terchips in der Durchgangsaussparung der Umverdrahtungs­ platte,
  • - Herstellen von Bondverbindungen zwischen den Kontaktflä­ chen auf dem Halbleiterchip und Kontaktanschlußflächen auf der Umverdrahtungsplatte,
  • - Auffüllen der Durchgangsaussparung unter Einbettung der Bondverbindung und Auffüllen der Zusatzaussparung unter Auffüllen der Trennfuge mit einer Kunststoffmasse.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass die Kunststoffmasse der Durchgangsaussparung lediglich die Bondverbindungen ein­ betten muß und nicht zusätzlich die Trennfuge zwischen den Klebstoffstreifen mit Kunststoffmasse aufzufüllen hat. Damit wird ein Verarmen an Kunststoffmasse im Bereich der Durch­ gangsaussparung für die Bondverbindungen vermieden. Für das Auffüllen der Trennfugen zwischen den Klebstoffstreifen wird vielmehr ein Kunststoffreservoir in einer Zusatzaussparung der Umverdrahtungsplatte zur Verfügung gestellt, das minde­ stens teilweise für das Auffüllen verbraucht wird. Damit ist gewährleistet, dass keine Ausfälle beim Verpacken von elek­ tronischen Bauteilen auftreten können, die auf Mangel an Kunststoffmasse im Bereich der Bondverbindungen basieren. Gleichzeitig wird mit dieser Ausführungsform der Erfindung sichergestellt, dass derartige Verfahren auf beliebig langge­ streckte Halbleiterchips anwendbar werden, also, Halbleiter­ chips, deren Längserstreckung wesentlich größer ist als die erforderliche Länge für einen Bondkanal.
Mit zunehmender Miniaturisierung der Schaltungen und mit zu­ nehmender Integration auf den Halbleiterchips sind immer we­ niger Kontaktflächen in den Bondkanälen unterzubringen, so dass die Chiplänge zwar wächst, aber die Bondkanäle selbst nicht wesentlich zunehmen. Dafür nimmt jedoch der Bedarf an Kunststoffmasse für das Auffüllen von Trennfugen zwischen Klebstoffstreifen, die erforderlich sind, um das Halbleiter­ chip auf eine Umverdrahtungsplatte zu kleben, zu. Mit dem er­ findungsgemäßen Verfahren wird das Volumen dieser Trennfugen aus einem zusätzlichen Kunststoffreservoir versorgt, so dass die Kunststoffmasse zum Abdecken des Bondkanals nicht an Kunststoff verarmt.
In einem Durchführungsbeispiel des Verfahrens ist vorgesehen, dass die Klebstoffstreifen aus einem doppelseitigen Kleb­ stoffband ausgestanzt werden. Dabei weist das Klebstoffband nach dem Ausstanzen Haltestege auf, die den Anteil des ausge­ stanzten Klebstoffbandes halten, der zur Freilassung der Durchgangsaussparung und der Zusatzaussparungen erforderlich ist. Die Haltestege entsprechen in ihrer Größe den Trennfu­ gen. Bei diesem Durchführungsbeispiel des Verfahrens ist be­ rücksichtigt, dass die Klebstoffstreifen nicht einzeln angefertigt und auf die Umverdrahtungsplatte aufgelegt werden, sondern dass die Klebstoffstreifen aus einem Klebstoffband unmittelbar auf die Umverdrahtungsplatte aufgepreßt werden unter gleichzeitiger Zurückhaltung der Anteile, die vom Kleb­ stoffband übrig bleiben und nicht auf der Umverdrahtungsplat­ te zu positionieren sind. Diese werden von dünnen Haltestegen gehalten. Diese Haltestege verursachen die Trennfugen zwi­ schen den Klebstoffstreifen und bilden Hohlräume zwischen dem Halbleiterchip und der Umverdrahtungsplatte. Diese Hohlräume wiederum sind beim Auffüllen mit Kunststoffmasse die Ursache der bisherigen Probleme, die nunmehr mit dem erfindungsgemä­ ßen Verfahren, bei dem ein Kunststoffreservoir für die Trenn­ fugen vorgesehen ist, gelöst sind.
Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass beim Auffüllen der Trennfugen mit Kunststoffmasse die flüssige Kunststoffmasse von dem Kunststoffreservoir in den Zusatzaussparungen mittels Kapillarwirkung in den Zwischen­ raum zwischen aktiver Oberseite des Halbleiterchips und Ober­ seite der Umverdrahtungsplatte im Bereich der Trennfugen ein­ gebracht wird. Diese Kapillarwirkung kann nur dann ausgenutzt werden, wenn die Benetzungseigenschaften zwischen der flüssi­ gen Kunststoffmasse und dem Material des Halbleiterchips so­ wie dem Material der Umverdrahtungsplatte dieses zulassen. Im anderen Falle wäre es erforderlich, den Zwischenraum durch einen entsprechend hohen Druck auf die flüssige Kunststoffma­ sse aufzufüllen. In beiden Fällen jedoch ist das Ergebnis dieses Verfahrens ein elektronisches Bauteil, bei dem die Trennfugen mit Kunststoffmasse aufgefüllt sind, ohne dass da­ bei Bondverbindungen freigelegt werden.
Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens wer­ den Bondverbindung auf den Längs- und den Querseiten eines Bondkanals unter Beibehaltung einheitlicher Bonddrahtlängen angebracht. Dieses ist nur möglich, wenn gleichzeitig auf der Umverdrahtungsplatte Zusatzaussparungen so angeordnet sind, dass sie nicht die Durchgangsaussparung für den Bondkanal verlängern, sondern völlig separat von dem Bondkanal im Be­ reich der Trennfugen in die Umverdrahtungsplatte eingebracht sind.
Zusammenfassend ist festzustellen, daß sich Probleme bei den Gehäusen für lange Halbleiterchips mit gleichzeitig kurzen Bondkanälen ergeben, da hier im Package bzw. in der Verpac­ kung fertigungsbedingte Hohlräume entstehen. Diese Hohlräume verbrauchen mit zunehmender Länge der Chips im Verhältnis zu der Länge der Bondkanäle einen erheblichen Anteil an Kunst­ stoffmasse, welche eigentlich zur Abdeckung der Bondkanäle beim Verpacken der Bauteile in Kunststoffgehäuse vorgesehen ist. Deshalb soll die Gestaltung der Bondkanäle in der Weise angepaßt werden, dass die Lage der Chip-Pads bzw. Kontaktflä­ chen auf dem Halbleiterchip, das Routing der Leiterbahnen bzw. den Verlauf der Leiterbahnen sowie die Prozeßführung beim Abdeckprozeß bzw. Verpackungsprozeß und bei dem Via- Bond-Prozeß bzw. dem Prozeß zur Herstellung von Bondverbin­ dungen berücksichtigt wird. Diese Probleme werden mit einer Ausführungsform der Erfindung dadurch gelöst, dass der Bond­ kanal verlängert wird. Die Verlängerung kann einen enger wer­ denden Bondbereich aufweisen, so dass die Bonddrahtverbindun­ gen an schmalen Seiten anbringbar sind, ohne dass sie beim anschließenden Verpackungsvorgang freigelegt werden. Die sich verjüngende oder eingeengte Verlängerung einer Durchgangsaus­ sparung in der Umverdrahtungsplatte fördert somit einen opti­ malen Abdeckvorgang mit Kunststoff durch Schaffung eines zu­ sätzlichen Kunststoffreservoirs im Verlängerungsbereich.
Einerseits entstehen durch die Verjüngung oder Verengung un­ ter gleichzeitiger Verlängerung des Bondkanals verschobene Randbereiche des Bondkanals, die für Bondverbindungen genutzt werden können und andererseits entsteht ein Reservoir an Kunststoff für die durch die Trennfuge zwischen den Kleb­ stoffstreifen entstandenen Hohlräume. Neben einer reinen Ver­ längerung, Einschnürung oder Verjüngung des Bondkanals können auch zusätzliche getrennte Aussparungen in länglicher oder kreisförmiger Form in der Umverdrahtungsplatte bzw. einem Substrat vorgesehen werden, um als Reservoir für die Kunst­ stoffmasse, die für die Hohlräume aufzubringen ist, zu die­ nen. In diesem Fall kann die gesamte Querseite eines Bondka­ nals in vorteilhafter Weise für das Anbringen von Bonddrähten verwendet werden, da nun das Inkapsulat aus einem räumlich getrennten zusätzlichen Reservoir zum Auffüllen der Hohlräume zur Verfügung steht.
Somit liefert die vorliegende Erfindung folgende Vorteile:
  • - ein Bonden auch an den Querseiten des Bondkanals wird zusätzlich möglich, ohne dass diese Bondverbindungen an Kunststoffmasse verarmen;
  • - das Verlängern des Bondkanals kann gleichzeitig für eine verbesserte Prozeßführung beim Printen und Dispensen (mit Kunststoffmasse versehen) bereitgestellt werden;
  • - zusätzliche Aussparungen im Laminat bzw. in der Umver­ drahtungsplatte liefern eine von der Kunststoffabdeckung des Bondkanals unabhängige Füllung von Hohlräumen im elektronischen Bauteil;
  • - Chips mit engeren Bondpitches bzw. Schrittweiten zwi­ schen den Kontaktflächen auf dem Halbleiterchip können sicher gebondet werden, was eine weitere Miniaturisie­ rung fördert,
  • - durch das erfindungsgemäße Design wird eine verbesserte Prozeßführung und eine vergrößerte Package- Zuverlässigkeit möglich;
  • - schließlich sind keine zusätzlichen Prozeßschritte er­ forderlich, da die Zusatzaussparung für eine Kunst­ stoffreserve gleichzeitig mit der Durchgangsaussparung für den Bondkanal in die Umverdrahtungsplatte durch Stanzen oder Fräsen eingebracht werden kann, so dass keine zusätzlichen Kosten für zusätzliche Verfahrens­ schritte erforderlich werden.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite ei­ nes elektronischen Bauteils einer ersten Ausfüh­ rungsform der Erfindung,
Fig. 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die er­ ste Ausführungsform des elektronischen Bauteils entlang der Schnittlinie A-A der Fig. 1,
Fig. 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die er­ ste Ausführungsform des elektronischen Bauteils entlang der Schnittlinie B-B der Fig. 1,
Fig. 4 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite des elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungs­ form der Erfindung,
Fig. 5 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite ei­ nes elektronischen Bauteils einer dritten Ausfüh­ rungsform der Erfindung,
Fig. 6 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite 39 eines elektronischen Bauteils einer vierten Ausfüh­ rungsform der Erfindung,
Fig. 7 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite 39 eines elektronischen Bauteils einer fünften Ausfüh­ rungsform der Erfindung,
Fig. 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die sechste Ausführungsform der Erfindung entlang der Schnittlinie C-C in Fig. 7.
Fig. 1 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite 39 ei­ nes elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung ohne Kunststoffabdeckung auf einer Durchgangsaus­ sparung 5 für einen Bondkanal 22 und einer Zusatzaussparung 11 für ein vorgesehenes Kunststoffreservoir 12 und ohne Au­ ßenkontakte. Die Unterseite 39 des elektronischen Bauteils wird von einer Umverdrahtungsplatte 6 gebildet, die durch die Ränder 35, 36 und 37 begrenzt ist. Die strichpunktierten Li­ nien sind die Ränder von zwei Klebstoffstreifen 3 und 4, und die gestrichelte Linie kennzeichnet den Bereich des Halblei­ terchips 1 mit seinen Rändern 13, 14 und 15. Die aktive Ober­ seite des Halbleiterchips 1 ist in Fig. 1 im Bereich der Durchgangsaussparung 5 zu sehen, da diese Durchgangsausspa­ rung 5 in die Umverdrahtungsplatte 6 eingebracht ist und zur Erleichterung der Darstellung noch keine Kunststoffabdeckung auf der Durchgangsaussparung 5 angebracht ist. Somit wird auf der aktiven Oberseite 2 in der Durchgangsaussparung 5 die An­ ordnung von Kontaktflächen 8 des Halbleiterchips 1 sichtbar. Diese Kontaktflächen 8 sind mikroskopisch klein, so dass sie mit bloßem Auge nicht meßbar sind, und haben Dimensionen, die nur mit einem Lichtmikroskop bestimmbar werden. Diese Kon­ taktflächen 8 in der Durchgangsaussparung 5 sind Bondverbin­ dungen 7 mit Kontaktanschlußflächen 17 auf der Unterseite 44 der Umverdrahtungsplatte 6 verbunden. Auch die Kontaktan­ schlußflächen 17 auf der Umverdrahtungsplatte 6 haben mikro­ skopisch kleine Dimensionen und sind über Umverdrahtungslei­ tungen 18 mit Außenkontaktflächen 19 verbunden, die eine ma­ kroskopische Dimension, d. h. mit bloßem Auge meßbare Dimensi­ on, aufweisen. Auf diesen Außenkontaktflächen 19 können Au­ ßenkontakte angebracht werden, die in dieser Darstellungsform der Fig. 1 weggelassen sind.
Der Halbleiterchip 1 ist mit seiner aktiven Oberseite 2 auf der Umverdrahtungsplatte 6 durch dazwischen angeordnete Kleb­ stoffstreifen 3 und 4 verbunden. Diese Klebstoffstreifen 3 und 4 sind voneinander durch eine Trennfuge 9 getrennt, so dass sich ein zusätzlicher Hohlraum 38 zwischen Halbleiter­ chip 1 und Umverdrahtungsplatte 6 bildet, der durch Kunst­ stoffmaterial beim Abdecken der Durchgangsaussparung 5 mit Zusatzaussparung 11 aufzufüllen ist. Diese Zusatzaussparung 11 ist in der ersten Ausführungsform der Erfindung, wie sie in Fig. 1 gezeigt wird, eine Verlängerung des Bondkanals 22 und bildet somit ein Kunststoffreservoir, das den Hohlraum 38, der durch die Trennfuge 9 gebildet wird, auffüllen kann, ohne dass Bondverbindungen 7 freigelegt werden.
Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird für die Zu­ satzaussparung 11 der Bondkanal 22 in voller Breite verlän­ gert, so dass die Bondverbindungen 7 in den Endbereichen des Bondkanals 2 länger sind als die übrigen Bondverbindungen 7, so dass keine einheitliche Bonddrahtlänge für alle Bondver­ bindungen 7 ausgeführt werden kann. Außerdem kann die Quer­ seite 25 nicht für Bondverbindungen genutzt werden, da im Be­ reich dieser Querseite 25 das Kunststoffreservoir zur Auffül­ lung des Hohlraums 38 vorgesehen ist.
Fig. 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die erste Ausführungsform des elektronischen Bauteils 21 entlang der Schnittlinie A-A der Fig. 1, jedoch bereits mit einer Kunst­ stoffabdeckung 10. Komponenten, welche die gleichen Funktio­ nen wie in Fig. 1 erfüllen, werden mit gleichen Bezugszei­ chen gekennzeichnet und nicht extra erläutert. Der Quer­ schnitt in Fig. 2 entlang der Schnittlinie A-A der Fig. 1 zeigt das Grundkonzept eines elektronischen Bauteils 21 als BOC-Bauteil (Board on Chip). Die Unterseite 39 des elektroni­ schen Bauteils 21 ist gleichzeitig die Unterseite 44 der Um­ verdrahtungsplatte 6, die aus drei Schichten besteht, nämlich einer faserverstärkten Kunststoffplatte 41, einer struktu­ rierten Kupferkaschierung 40 und einer strukturierten Löt­ stoppschicht 42.
Die strukturierte Kupferkaschierung 40 weist, wie in Fig. 1 gezeigt, Kontaktanschlußflächen 17, Umverdrahtungsleitungen 18 und Außenkontaktflächen 19 auf. Die strukturierte Löt­ stoppschicht 42 läßt die Außenkontaktflächen 19 und die Kon­ taktanschlußflächen 17 frei, so dass auf den Außenkontaktflächen ein Außenkontakt 20 als Kontaktball oder Kontakthöcker angebracht werden kann. Auf den freigehaltenen Kontaktan­ schlußflächen 17 können Bondverbindungen 7 angebracht werden, welche die Kontaktanschlußflächen 17 mit Kontaktflächen 8 auf der aktiven Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 verbinden. Die Kunststoffabdeckung 10 schützt die Bondverbindungen 7 vor me­ chanischen und korrosiven Beschädigungen. Der Außenkontakt 20 ist in dieser Ausführungsform der Erfindung höher als die Kunststoffabdeckung 10, um zu gewährleisten, dass der Außen­ kontakt 20 für die Kontaktgabe ausreichende Überhöhung über der Unterseite 39 des elektronischen Bauteils 21 aufweist.
Fig. 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die erste Ausführungsform des elektronischen Bauteils 21 entlang der Schnittlinie A-A der Fig. 1, jedoch bereits mit der Kunst­ stoffabdeckung 10. Komponenten, welche die gleichen Funktio­ nen wie in den Fig. 1 und 2 erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erläutert. Da die Schnittlinie B-B in Fig. 1 entlang der Trennfuge 9 zwi­ schen den Klebstoffstreifen 3 und 4 gelegt ist, sind die Klebstoffstreifen in Fig. 3 nicht sichtbar, dafür aber die Kunststoffmasse 27, die mittels Kapillarwirkung von der Zu­ satzaussparung 11 beim Abdecken der Zusatzaussparung mit Kunststoff von dem Kunststoffreservoir 12 geliefert wird. Das Auffüllen des Hohlraumes 28 zwischen der Umverdrahtungsplatte 6 und dem Halbleiterchip im Bereich der Trennfuge 9 ver­ braucht lediglich einen Teil der Kunststoffmasse 27 des Kunststoffreservoirs 12 und keine Kunststoffmasse der Durch­ gangsaussparung 5, die für die Bondverbindungen 7 vorgesehen ist, so dass sämtliche Bondverbindungen 7 in Kunststoffmasse eingebettet bleiben.
Fig. 4 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite 39 des elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform der Er­ findung. Der Übersichtlichkeit halber ist die Kunststoffab­ deckung wieder wie in Fig. 1 weggelassen. Komponenten, wel­ che die gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erläutert. Der wesentliche Unterschied zwi­ schen der Fig. 1 und der Fig. 4 ist die Formgebung der Zu­ satzaussparung 12. Die Zusatzaussparung 12 ist in der zweiten Ausführungsform der Erfindung eine sich in der Breite verjün­ gende Verlängerung der Durchgangsaussparung 5. Mit dieser sich verjüngenden Verlängerung können die Bondverbindungen am Ende der Durchgangsaussparung 5 mit etwa gleicher, also mit einheitlicher Bonddrahtlänge hergestellt werden, was den Her­ stellungsprozeß verbilligt. Die Wirkung der Zusatzaussparung 11 ist jedoch die gleiche wie in Fig. 1, d. h. die Trennfuge 9 zwischen den Klebstoffstreifen 3 und 4 wird mit Kunststoff­ masse aufgefüllt, wobei gleichzeitig das Kunststoffreservoir 12 in der Zusatzaussparung 11 an Kunststoff verarmt. Die Kon­ taktanschlußflächen 17 und die Außenkontaktflächen 19 sind in dieser Ausführungsform nach Fig. 4 mit einer bondbaren bzw. lötbaren Beschichtung versehen.
Fig. 5 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite 39 ei­ nes elektronischen Bauteils einer dritten Ausführungsform der Erfindung, jedoch ist zur Verdeutlichung der Darstellung die Kunststoffabdeckung weggelassen. Komponenten, welche die gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfül­ len, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erläutert.
Der wesentliche Unterschied zwischen der dritten Ausführungs­ form nach Fig. 5 und den Ausführungsformen 1 und 2 nach den Fig. 1 und 4 ist, dass die Zusatzaussparung in dieser Aus­ führungsform eine in der Breite verengte Verlängerung der Durchgangsaussparung 5 ist. Diese in der Breite verengte Ver­ längerung der Durchgangsaussparung 5, um eine Zusatzausspa­ rung 11 und damit ein Kunststoffreservoir zu schaffen, hat den Vorteil, dass am Ende der Durchgangsaussparung 5 in den Randbereichen Bondverbindungen 7 mit gleicher Bonddrahtlänge angebracht werden können und dennoch die Zusatzaussparung 11 mit ihrem Kunststoffreservoir 12 den Hohlraum 38 der Trennfu­ ge 9 voll mit Kunststoffmasse auffüllen kann.
Fig. 6 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite 39 ei­ nes elektronischen Bauteils einer vierten Ausführungsform der Erfindung, wobei die Kunststoffabdeckung zur Verdeutlichung der Darstellung weggelassen wurde. Komponenten, welche die gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfül­ len, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erläutert.
Der wesentliche Unterschied der vierten Ausführungsform zu den bisherigen Ausführungsformen 1 bis 3 liegt in der Gestal­ tung der Zusatzaussparung 11, die hier nicht nur aus einer Verlängerung der Durchgangsaussparung 5 besteht, wie sie be­ reits in Fig. 4 gezeigt wird, sondern zusätzlich eine Zu­ satzaussparung 30 aufweist. Diese Zusatzaussparung 30 ist un­ mittelbar in der Umverdrahtungsplatte 6 über dem Bereich der Trennfuge 9 zwischen den Klebestreifen 3 und 4 angeordnet und liefert damit ein Kunststoffreservoir, das bei langgestreck­ ten Halbleiterchips 1 mit relativ kurzem Bondkanal 22 von Vorteil ist. Diese getrennte Zusatzaussparung 30 wird dann eingesetzt, wenn Gefahr besteht, dass die Kapillarwirkung in dem Hohlraum nicht ausreicht, den gesamten Hohlraum mit Kunststoffmasse aufzufüllen oder die Gefahr besteht, dass Bondverbindungen beim Eindringen der Kunststoffmasse in den Hohlraum 38 in Mitleidenschaft gezogen werden, d. h., nicht vollständig in Kunststoffmasse eingebettet werden.
Fig. 7 zeigt eine schematische Ansicht der Unterseite 39 eines elektronischen Bauteils einer fünften Ausführungsform der Erfindung, wobei wiederum aus Darstellungsgründen die Kunststoffabdeckung weggelassen wurde. Komponenten, welche die gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren er­ füllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erläutert.
Der wesentliche Unterschied der fünften Ausführungsform der Erfindung gegenüber den vorhergehenden Ausführungsformen der Erfindung ist, dass die Querseite 26 der Durchgangsaussparung 5 auf ihrer vollen Breite für Bondverbindungen 7 mit gleicher Bonddrahtlänge wie auf den Längsseiten 23, 24 genutzt werden kann. Die Nutzung der Querseiten 26 für Bondverbindungen 7 ermöglicht entweder eine Verkleinerung der Bondkanallänge oder eine Vermehrung der Anzahl der Bondverbindungen im Bond­ kanal 22. Eine von der Durchgangsaussparung 5 getrennte Zu­ satzaussparung 30 mit einem entsprechenden Kunststoffreser­ voir, das gleichzeitig mit dem Abdecken der Durchgangsausspa­ rung 5 und dem Einbetten der Bondverbindungen 7 aufgebracht wird, sorgt für eine ausreichende Auffüllung des Hohlraums 38, der durch die Trennfuge 9 zwischen den Kunststoffstreifen 3 und 4 vorhanden ist.
Fig. 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die sech­ ste Ausführungsform der Erfindung entlang der Schnittlinie C- C in Fig. 7, jedoch mit Kunststoffabdeckung der Durchgangs­ aussparung 5 und mit Kunststoffreservoir 12 in der Zusatzaus­ sparung 11 bzw. 30. Diese Zusatzaussparung 30 ist deutlich von der Durchgangsaussparung 5 für die Bondverbindungen ge­ trennt und in diesem Schnittbild wird lediglich eine Bondver­ bindung 7 gezeigt, die in der Längsachse des Halbleiterchips 1 bzw. des elektronischen Bauteils 21 liegt und auf der Schnittlinie C-C der Fig. 7 verläuft. Da ein Teil der Kunst­ stoffmasse 27 des Kunststoffreservoirs 12 durch Kapillarwir­ kung die Hohlräume 38 zwischen Umverdrahtungsplatte 6 und Halbleiterchip 1 im Bereich der Trennfuge 9 auffüllt, ist die Kontur der Oberfläche 43 des Kunststoffreservoirs 12 leicht eingedellt im Vergleich zur Kunststoffabdeckung 10 der Durch­ gangsaussparung 5. Die Dicke der Trennfuge 9 entspricht der Dicke der Klebstoffstreifen, die im Bereich von 40 bis 200 µm liegen und im Beispiel der Fig. 7 bzw. 8 eine Dicke k zwi­ schen 100 und 120 µm aufweist. Die Breite der Haltestege b, wie sie in Fig. 7 zu sehen ist, liegt zwischen 500 und 800 µm, so dass der Hohlraum 38 einen Querschnitt a = b × k aufweist. Die Dicke D des Halbleiterchips liegt zwischen 100 und 800 µm und hat in der Ausführungsform nach Fig. 8 eine Dicke zwischen 350 und 400 µm. Die Dicke d der faserverstärkten Kunststoffplatte, die als Umverdrahtungsplatte 6 eingesetzt wird, liegt in dem Ausführungsbeispiel der Fig. 7 bzw. 8 zwischen 180 und 250 µm. Der Durchmesser des Bonddrahtes 31 liegt zwischen 12 und 30 µm.
Ein derartiges elektronisches Bauteil 21, wie in den Fig. 1 bis 8 gezeigt, wird beispielsweise mit folgenden aufeinan­ derfolgenden Verfahrensschritten hergestellt:
  • - Aufbringen zweier Klebstoffstreifen 3, 4 auf einer Um­ verdrahtungsplatte 6 mit einer Durchgangsaussparung 5 und einer Zusatzaussparung 11 unter Freilassung der Durchgangsaussparung 6, der Zusatzaussparung 11 und langgestreckter Trennfugen 9 zwischen den Kleb­ stoffstreifen 3 und 4;
  • - Aufbringen eines Halbleiterchips 1 auf die Kleb­ stoffstreifen 3 und 4 unter Positionieren der Kontakt­ flächen 8 des Halbleiterchips 1 in der Durchgangsausspa­ rung 5 der Umverdrahtungsplatte 6;
  • - Herstellen von Bondverbindungen 7 zwischen den Kontakt­ flächen 8 auf dem Halbleiterchip 1 und Kontaktanschluß­ flächen 17 auf der Umverdrahtungsplatte 6;
  • - Auffüllen der Durchgangsaussparung 5 unter Einbettung der Bondverbindungen 7 und Auffüllen der Zusatzausspa­ rung 11 unter Auffüllen der Trennfuge 9 mit einer Kunst­ stoffmasse 27.
Dabei erfolgt das Aufbringen zweier Klebstoffstreifen 3 und 4 durch Ausstanzen der Klebstoffstreifen 3 und 4 aus einem dop­ pelseitigen Klebstoffband, wobei das Klebstoffband eine Brei­ te aufweist, die geeignet ist, gleichzeitig mehrere Kleb­ stoffstreifen 3, 4 nebeneinander für eine entsprechend breite Umverdrahtungsplatte für mehrere nebeneinander angeordnete Halbleiterchips 1 herzustellen. Damit die ausgestanzten Aussparungen für die Durchgangsaussparung und die Zusatzausspa­ rung nicht von dem Klebstoffband abfallen und auf die Umver­ drahtungsplatte kommen, sind Haltestege vorgesehen, an denen die Anteile des ausgestanzten Klebebandes für die Freilassung der Durchgangsaussparung und der Zusatzaussparungen hängen. Dabei entsprechen die Haltestege in ihrer Größe den auf der Umverdrahtungsplatte 6 sichtbaren Trennfugen 9.

Claims (22)

1. Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip (1), wo­ bei eine aktive Oberseite (2) des Halbleiterchips (1) mit Klebstoffstreifen (3, 4) auf der aktiven Oberseite (2) des Halbleiterchips (1) befestigt ist unter Freilas­ sung einer Durchgangsaussparung (5) in einer Umverdrah­ tungsplatte (6) für Bondverbindungen (7) zu Kontaktflä­ chen (8) auf der aktiven Oberseite und unter Freilassung langgestreckter Trennfugen (9) zwischen den Kleb­ stoffstreifen (3, 4) auf der Umverdrahtungsplatte (6), und wobei die Umverdrahtungsplatte (6) eine Kunst­ stoffabdeckung (10), welche die Bondverbindungen (7) einbettet und die Trennfugen (9) auffüllt, aufweist, und wobei die Umverdrahtungsplatte (6) angrenzend an die Trennfugen (9) jeweils eine Zusatzaussparung (11) mit einem Kunststoffreservoir (12) aufweist.
2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (1) Randseiten (13, 14, 15), sowie eine passive Rückseite (16) gegenüberliegend zur aktiven Oberseite (2) aufweist, wobei die Kontaktflächen (8) auf der aktiven Oberseite (2) eine Struktur und Anordnung aufweisen, an welche die Durchgangsaussparung (5) der Umverdrahtungsplatte (6) angepaßt ist.
3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktflächen (8) auf dem Halbleiterchip (1) über die Bondverbindungen (7) mit Kontaktanschlußflächen (17) auf der Umverdrahtungsplatte (6) elektrisch verbunden sind, und die Kontaktanschlußflächen (17) über Umver­ drahtungsleitungen (18) und Außenkontaktflächen (19) mit Außenkontakten (20) des elektronischen Bauteils (21) auf der Umverdrahtungsplatte (6) elektrisch verbunden sind.
4. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsaussparung (5) in der Umverdrahtungsplatte (6) ein Bondkanal (22) ist.
5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsaussparung (5) in der Umverdrahtungsplatte (6) die Zusatzaussparung (11) aufweist.
6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsaussparung (5) Längsseiten (23, 24) mit Bondverbindungen (7) und Querseiten (25) ohne Bondver­ bindungen (7) aufweist, wobei die Querseiten (25) je­ weils um eine Zusatzaussparung (11) mit einem Kunst­ stoffreservoir (12) erweitert sind, an die sich räumlich die mit Kunststoffmasse (27) gefüllten Trennfugen (9) in Längsrichtung anschließen.
7. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusatzaussparung (11) eine sich in Längsrichtung der Durchgangsaussparung (5) verjüngende Verlängerung (28) der Durchgangsaussparung (5) ist.
8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusatzaussparung (11) eine in Längsrichtung der Durchgangsaussparung (5) eingeengte Verlängerung (28) der Durchgangsaussparung (5) ist.
9. Elektronisches Bauteil nach einem der An­ sprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusatzaussparung (11) getrennt von der Durchgangs­ aussparung (5) angeordnet ist.
10. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsaussparung (5) Längsseiten (23, 24) mit Bondverbindungen (7) und Querseiten (26) mit Bondverbin­ dungen (7) aufweist und Zusatzaussparungen (30) mit ei­ nem Kunststoffreservoir (12) im Bereich der Trennfugen (9) getrennt von der Durchgangsaussparung angeordnet sind.
11. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Bondverbindungen (7) aus Bonddrähten (31) auf den Längs­ seiten (23, 24) und auf den Querseiten (26) der Durch­ gangsaussparung (5) einheitliche Bonddrahtlängen (32) aufweisen.
12. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstoffstreifen (3, 4) doppelseitig klebendes Klebstoffmaterial aufweisen.
13. Elektronische Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstoffstreifen (3, 4) ein Trägermaterial mit dop­ pelseitiger Klebstoffbeschichtung aufweisen.
14. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstoffstreifen (3, 4) eine Dicke zwischen 40 µm und 200 µm aufweisen.
15. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte (6) eine Dicke von 150 µm bis 350 µm aufweist.
16. Elektronische Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte (6) faserverstärkten Kunststoff mit einer zu Kontaktanschlußflächen (17), Umverdrah­ tungsleitungen (18) und Außenkontaktflächen (20) struk­ turierten Metallkaschierung aufweist.
17. Elektronisches Bauteil nach An­ spruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallkaschierung Kupfer oder eine Kupferlegierung aufweist.
18. Elektronisches Bauteil nach einem der An­ sprüche 3 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktanschlußflächen (17) und die Außenkontaktflä­ chen (19) eine bondbare bzw. lötbare Beschichtung auf­ weisen.
19. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (21) mit einem Halbleiterchip (1), wobei eine aktive Oberseite (2) des Halbleiterchips (1) mit zwei Kleb­ stoffstreifen (3, 4) unter Freilassung einer Durchgangsaussparung (5) in einer Umverdrahtungsplatte (6) für Bondverbindungen (7) zu Kontaktflächen (8) auf dem Halb­ leiterchip (1) und unter Freilassung langgestreckter Trennfugen (9) zwischen den Klebstoffstreifen (3, 4) auf der Umverdrahtungsplatte (6) befestigt ist, und die Um­ verdrahtungsplatte (6) eine Kunststoffabdeckung (8), welche die Bondverbindungen einbettet und die Trennfugen auffüllt, aufweist, und wobei die Umverdrahtungsplatte (6) angrenzend an die Trennfugen (9) jeweils eine Zu­ satzaussparung (11) für ein Kunststoffreservoir (12) aufweist und das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfaßt:
  • - Aufbringen zweier Klebstoffstreifen (3, 4) auf eine Umverdrahtungsplatte (6) mit einer Durchgangsaus­ sparung(5) und einer Zusatzaussparung (11) unter Freilassung der Durchgangsaussparung (6), der Zu­ satzaussparung (11) und langgestreckter Trennfugen (9) zwischen den Klebstoffstreifen (3, 4),
  • - Aufbringen eines Halbleiterchips (1) auf die Kleb­ stoffstreifen (3, 4) unter Positionieren der Kon­ taktflächen (8) des Halbleiterchips (1) in der Durchgangsaussparung (5) der Umverdrahtungsplatte (6),
  • - Herstellen von Bondverbindungen (7) zwischen den Kontaktflächen (8) auf dem Halbleiterchip (1) und Kontaktanschlußflächen (17) auf der Umverdrahtungs­ platte (6),
  • - Auffüllen der Durchgangsaussparung (5) unter Ein­ bettung der Bondverbindungen (7) und der Zusatzaus­ sparung unter Auffüllen der Trennfugen (9) mit ei­ ner Kunststoffmasse (27).
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstoffstreifen (34) aus einem doppelseitigen Klebstoffband ausgestanzt werden, wobei das Klebstoff­ band nach dem Ausstanzen Haltestege aufweist, die den Anteil des ausgestanzten Klebstoffbandes halten, der zur Freilassung der Durchgangsaussparung (5) und der Zu­ satzaussparungen (11) erforderlich ist, und wobei die Haltestege in ihrer Größe den Trennfugen (9) entspre­ chen.
21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass beim Auffüllen der Trennfugen (9) mit Kunststoffmasse (27) die flüssige Kunststoffmasse (27) von dem Kunst­ stoffreservoir (12) in den Zusatzaussparungen (11) mit­ tels Kapillarwirkung in den Zwischenraum (33) zwischen aktiver Oberseite (2) des Halbleiterchips (1) und Ober­ seite (34) der Umverdrahtungsplatte (6) im Bereich der Trennfugen (9) eingebracht wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass Bondverbindungen (7) auf den Längs- (23, 24) und den Querseiten (96) eines Bandkanals (22) unter Beibehaltung einheitlicher Bonddrahtlängen (32) angebracht werden.
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