DE10122678A1 - Maskendatenkorrekturvorrichtung, Fouriertransformationsvorrichtung, Vorrichtung zur höheren Abtastung, Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung, Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer Musterstruktur - Google Patents
Maskendatenkorrekturvorrichtung, Fouriertransformationsvorrichtung, Vorrichtung zur höheren Abtastung, Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung, Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer MusterstrukturInfo
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Abstract
Es wird eine Maskendatenkorrekturvorrichtung bereitgestellt, die durch eine wirksame Verwendung der hierarchischen Struktur von Layoutdaten die Effizienz der Verarbeitung unter Erhaltung einer hohen Genauigkeit erhöhen kann. Ein Fouriertransformationsteil (421) führt eine Fouriertransformation von durch die Layoutdaten definierten Grundelemente aus, um Fourierbilder der Grundelemente zu erhalten. Ein Syntheseteil (422) überlagert, basierend auf der hierarchischen Struktur, die Fourierbilder der Grundelemente im Fourierbereich, um ein Fourierbild der gesamten Grafik zu erhalten. Ein Raumfilterteil (423) unterzieht das Fourierbild der gesamten Grafik einer Raumfilterverarbeitung, die einer bei einem Herstellungsprozeß erwarteten Störung entspricht. Ein Invers-Fouriertransformationsteil (424) führt eine inverse Fouriertransformation des Fourierbilds nach der Raumfilterverarbeitung aus, um das die Störung widerspiegelnde inverse Fourierbild zu erhalten. Die durch die Layoutdaten definierte Grafik wird mit der Grafik verglichen, von der das inverse Fourierbild transformiert wurde, und wird in einer derartigen Richtung korrigiert, daß die Störung unterdrückt wird, und daraufhin als Maskendaten ausgegeben.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine
Maskendatenkorrekturvorrichtung, eine
Fouriertransformationsvorrichtung, eine Vorrichtung zur
höheren Abtastung, eine Vorrichtung zur niedrigeren
Abtastung, ein Verfahren zur Herstellung einer
Übertragungsmaske und ein Verfahren zur Herstellung einer
Vorrichtung mit einer Musterstruktur. Insbesondere betrifft
die Erfindung Verbesserungen bei der Erhöhung der Effizienz
unter Erhaltung der Genauigkeit.
In den letzten Jahren war der Fortschritt der Verkleinerung
bei großintegrierten Schaltungen (LSI) gewaltig. Dies ist
auf die Entwicklung der Mikrolithografietechnologie
zurückzuführen. Besonders die Lichtübertragungstechnologie
stand aufgrund eines hohen Durchsatzes durch eine
Massenbelichtung, eine über 100 Jahre kontinuierlich
entwickelte Leistung der optischen Technologie und
dergleichen nach wie vor im Mittelpunkt der
Mikrolithografietechnologie.
Da nun die Herstellungsgröße von Mikromustern kleiner als
die Wellenlänge eines Belichtungslichts ist, ist es jedoch
wichtig, die Beschränkung der Lichtübertragungstechnologie
zu begründen und die Beschränkung der Auflösung und
Tiefenschärfe zu überwinden. Zur Ausführung einer
derartigen Analyse rufen nun ein Verfahren zur Ausführung
einer Berechnung eines optischen Bilds und ein Verfahren
zur Korrektur einer aus dem berechneten optischen Bild
erzeugten Störung Interesse hervor. Fig. 32 zeigt ein
Flußdiagramm, das als ein spezielles Beispiel eine Prozedur
eines Maskendatenkorrekturverfahrens veranschaulicht, das
von dem gegenwärtigen Erfinder erfunden wurde und in der
japanischen Offenlegungsschrift Nr. 8-297692 (1996) (auf
die nachstehend als "Literatur I" Bezug genommen ist)
offenbart ist.
Dieses Verfahren ist in der Literatur I vollständig
beschrieben und ist in dem Bereich der Technik allgemein
bekannt, und es wird somit nachstehend kurz erörtert. Wenn
ein Prozeß S90 dieses Verfahrens begonnen wird, werden ein
Schaltungsentwurf und ein Layoutentwurf ausgeführt (S91,
S92), und anfänglich werden Layoutdaten in einem
Aufzeichnungsträger gespeichert (S93). Die Layoutdaten
definieren die Form und hierarchische Struktur von
Grundelementen einer Grafik mit einer hierarchischen
Struktur. Die Layoutdaten werden daraufhin erweitert (S94),
und es wird eine Prozeßbedingung eingegeben (S95). Danach
werden Zellen bzw. Maschen (meshes) erzeugt (S96), und es
wird eine Bildberechnung ausgeführt (S97). Bei einem
Vergleich des Ergebnisses der Bildberechnung mit den
Layoutdaten wird eine Grafikkorrektur ausgeführt (S98), und
es werden das Ergebnis darstellende Korrekturdaten
ausgegeben (S99), wodurch der Prozeß S90 abgeschlossen
wird.
Wenn diese Verfahren verwendet werden, sollte auch der
durch eine Aberration eines optischen Systems verursachten
Beeinträchtigung eines optischen Bilds Beachtung geschenkt
werden. Diese von dem gegenwärtigen Erfinder erfundenen
Verfahren sind in der japanischen Offenlegungsschrift
Nr.9-167731 (1997) (auf die nachstehend als "Literatur II"
Bezug genommen ist) oder Nr. 10-335224 (1998) (auf die
nachstehend als "Literatur III" Bezug genommen ist)
vollständig beschrieben. In einigen Fällen kann eine
weitreichende Korrelation (long range correlation) eines
Vollbereichsniveaus (full shot level) ein Problem
verursachen.
Zur Ausführung einer derartigen Auswertung oder Optimierung
ist es erforderlich, die Konsistenz zwischen dem Ergebnis
der Berechnung und dem Ergebnis eines Experiments bei
optischen Bildern hinsichtlich verschiedener Fälle zu
überprüfen. Die Berechnung eines optischen Bilds erfordert
jedoch üblicherweise ein großes Berechnungsausmaß, da es
z. B. erforderlich ist, daß eine Maskengrafik einer
Fouriertransformation unterzogen wird, gefolgt von einer
inversen Fouriertransformation. Somit wurden zahlreiche
Vorschläge zur Ausführung einer Fouriertransformation mit
hoher Geschwindigkeit dargelegt. Die nachstehenden
Verfahren sind allgemein bekannt.
- 1. FFT (Fast Fourier Transformation bzw. Schnelle Fouriertransformation), die z. B. in "Waveform Data Processing for Scientific Instrumentation" von Shigeo Minami, CQ publishing company offenbart ist;
- 2. OCA (Optical Coherent Approximation bzw. Optische kohärente Näherung), die z. B. in Y. C. Pali und T. Kailath, J. OP Soc. Am A, Band 11 (1994) 2438 offenbart ist;
- 3. Irregular intervals Fourier transformation bzw. Fouriertransformation mit irregulären Intervallen, die z. B. in E. Barouch, B. Bradie, U. Hollerbach und S. A. Orszag, J. Vac. Sci. and Technol. B8 (1990) 1432; E. Barouch, B. Bradie, U. Hollerbach und S. A. Orszag, Proc. SPIE Band 1465 (1991) 254; und E. Barouch, U. Hollerbach, S. A. Orszag, B. Bradie und M. Peckcrar, IEEE Electron Device Lett., EDL- 12 (1991) 513 offenbart ist;
- 4. Partial coherent approximation bzw. Partielle kohärente Näherung, die z. B. in M. Yeung, Proc. Kodak Microelectronics Seminar INTERFACE '85 (KTI Chemicals, Inc., San Diego, 1986) S. 115; und M. Yeung, Proc. SPIE Band 922 (1988) 149 offenbart ist; und
- 5. Massively parallel operation bzw. Massiv parallele Arbeitsweise, die z. B. in K. Kamon, W. Wakamiya, H. Nagata, K. Moriizumi, T. Miyamoito, Y. Myoi und M. Tanaka, Proc. SPIE Band 2512 (1995) 491; T. Hanawa, K. Kamon, A. Nakae, S. Nakao und K. Moriizumi, Proc. SPIE Band 2726 (1996) 640; und A. Nakae, K. Kamon, T. Hanawa, K. Moriizumi und S. Nakao, Jpn. J. Appl. Phys. Band 35 (1996) 6395 offenbart ist.
Durch diese Verfahren wurde in jüngster Zeit eine
bemerkenswert hohe Geschwindigkeit erreicht. Diese
Verfahren, von denen jedes sehr wirksam ist, haben merklich
zu der Innovation der Mikrolithografietechnologie
beigetragen. Eine Vollbereichsberechnung (full shot
calculation) von LSI kann jedoch aus nachstehend erörterten
Gründen selbst mit einer Kombination dieser Verfahren nicht
zufriedenstellend ausgeführt werden. Beispielsweise ist in
dem Fall eines in der Entwicklung befindlichen DRAM von 1G
(Gigabit) eine gewaltige Anzahl von Transistoren von 1G zur
Bildung einer regelmäßigen Speicheranordnung längslaufend
und querlaufend dicht angeordnet. Ferner weist selbst eine
Logikvorrichtung einen derartigen Aufbau auf, daß viele RAM
geringer Größe enthalten sind. Darüber hinaus wird
angenommen, daß LSI in der Zukunft weiter einer hohen
Integration unterzogen werden.
Bekanntermaßen wird üblicherweise ein derartiges Verfahren
verwendet, daß Grafikdaten nach einer zeitlichen flachen
Erweiterung verarbeitet werden (z. B. "dracula" von Cadence
Corp.). Wohingegen zur Handhabung einer großen Anzahl von
Grafiken in jüngster Zeit eine Vorrichtung entwickelt
wurde, bei der Operationen wie beispielsweise eine
Layoutverifikation unter Verwendung der hierarchischen
Struktur von Grafikdaten ausgeführt werden (z. B. "hercules"
von Arant Corp.; "caliber" von Menter Corp.; und "clover"
von Lucent Corp.). Wie es in Fig. 33 gezeigt ist, wird bei
diesen Vorrichtungen eine Hochgeschwindigkeitsverarbeitung
erreicht, indem einige Daten bei Zellen 91 gesammelt werden
und eine Grafikoperation ausgeführt wird, während die
relative Anordnung der Zellen und der hierarchischen
Struktur erhalten werden. In Fig. 33 ist eine Vielzahl von
Zellen 91 in einem Bilderzeugungsbereich 93 angeordnet, und
ein Grafikgrundelement 92 ist in den Zellen 91 angeordnet.
Da diese Vorrichtungen eine einfache Operation und einen
einfachen Vergleich zwischen Grafiken mit hoher
Geschwindigkeit ausführen können, sind sie zur Verwendung
bei einer Entwurfsregelüberprüfung, einer Logikoperation
zwischen einfachen Grafiken oder einer Größenbestimmung
geeignet.
Wenn jedoch ein gewisser Grafikeinfluß oder eine
Korrelation weit über eine Vielzahl von Zellen ausgeübt
wird, ist es erforderlich, jede Elementzelle zu erweitern.
Somit ist nicht nur bekannt, daß keine
Hochgeschwindigkeitsdatenverarbeitung erreicht werden kann,
sondern auch, daß die Verarbeitungskapazität in einigen
Fällen gesenkt wird.
Bei der Anwendung auf die Berechnung eines optischen Bilds
erstreckt sich ein gewisser Grafikeinfluß in der
Kohärenzlänge eines optischen Systems. In einigen Fällen
erstreckt sich ein Mikroladungseffekt (micro loading
effect) bei einem trockenen Ätzen oder ein
Nachbarschaftseffekt bei einem Maskenzeichnen bis etwa 10 µm.
Es ist daher erforderlich, den Zustand bzw. das Ausmaß
zu berechnen, in dem Grafikelemente sich gegenseitig
beeinträchtigen oder beeinflussen. Man kann sagen, daß eine
derartige Korrelationszustandsberechnung für eine Vielfalt
von Prozeßsimulationen einschließlich der Lithografie
ziemlich wesentlich ist. Da die vorstehend angeführte
optische Kohärenz oder verschiedene Nachbarschaftseffekte
sich üblicherweise über eine Vielzahl von Zellen
erstrecken, war es bekanntermaßen erforderlich, alle Zellen
für die Auswertung zu erweitern. Folglich ist es selbst
dann, wenn die hierarchischen Daten bei einer
Nachbarschaftskorrekturberechnung verwendet werden,
schließlich erforderlich, alle Zellen zu erweitern. Dadurch
wird es unmöglich, die Wirksamkeit der hierarchischen
Verarbeitung genügend zu zeigen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die
Nachteile des Stands der Technik zu überwinden, indem eine
Maskendatenkorrekturvorrichtung, eine
Fouriertransformationsvorrichtung, eine Vorrichtung zur
höheren Abtastung, eine Vorrichtung zur niedrigeren
Abtastung, ein Verfahren zur Herstellung einer
Übertragungsmaske und ein Verfahren zur Herstellung einer
Vorrichtung mit einer Musterstruktur bereitgestellt werden,
die jeweils zur Erhöhung der Verarbeitungseffizienz unter
Erhaltung einer hohen Genauigkeit durch die wirksame
Verwendung der hierarchischen Struktur von Layoutdaten in
der Lage sind.
Gemäß einer ersten Ausgestaltung der Erfindung umfaßt eine
Maskendatenkorrekturvorrichtung, bei der basierend auf die
Form von Grundelementen einer Grafik mit einer
hierarchischen Struktur und die hierarchische Struktur
definierenden Layoutdaten sowie auf einer
Herstellungsprozeßbedingung die Musterform einer bei dem
Herstellungsprozeß verwendeten Übertragungsmaske
ausdrückende Maskendaten auf eine derartige Weise erzeugt
werden, daß eine bei dem Herstellungsprozeß erwartete
Störung unterdrückt wird: einen Fouriertransformationsteil
zum Erhalten von Fourierbildern der Grundelemente durch
eine Ausführung einer Fouriertransformation der
Grundelemente; einen Syntheseteil zum Erhalten eines
Fourierbilds der Grafik durch eine Synthese der
Fourierbilder der Grundelemente im Fourierbereich basierend
auf der hierarchischen Struktur; einen Raumfilterteil, der
das Fourierbild der Grafik einer der Störung entsprechenden
Raumfilterverarbeitung unterzieht; einen Invers-
Fouriertransformationsteil, der das Fourierbild nach der
Raumfilterverarbeitung einer inversen Fouriertransformation
unterzieht, um dadurch das die Störung widerspiegelnde
inverse Fourierbild zu erhalten; einen
Grafiktransformationsteil zur Transformation des inversen
Fourierbilds in eine Grafik; und einen Grafikkorrekturteil
zur Korrektur der durch die Layoutdaten definierten Grafik
in einer derartigen Richtung, daß die Störung unterdrückt
wird, indem die von dem Grafiktransformationsteil
ausgegebene Grafik mit der durch die Layoutdaten
definierten Grafik verglichen wird, und zur Ausgabe des
Ergebnisses als die Maskendaten.
Gemäß einer zweiten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß der ersten
Ausgestaltung dadurch gekennzeichnet, daß die Störung eine
bei einer Erzeugung der Übertragungsmaske durch ein auf den
Maskendaten basierendes Elektronenstrahlzeichnen
verursachte Zeichenstörung umfaßt.
Gemäß einer dritten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß der ersten oder
zweiten Ausgestaltung dadurch gekennzeichnet, daß die
Störung eine bei einer Ausführung einer Übertragung unter
Verwendung der basierend auf den Maskendaten erzeugten
Übertragungsmaske bei einem Übertragungsbild verursachte
Übertragungsstörung umfaßt.
Gemäß einer vierten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß der ersten, zweiten
oder dritten Ausgestaltung dadurch gekennzeichnet, daß die
Störung eine bei einer Ausführung eines selektiven Ätzens
unter Verwendung eines durch eine Übertragung der basierend
auf den Maskendaten erzeugten Übertragungsmaske erzeugten
Resistmusters bei einem Ätzmuster verursachte Ätzstörung
umfaßt.
Gemäß einer fünften Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten bis
vierten Ausgestaltungen dadurch gekennzeichnet, daß die
Störung eine bei einer Ausführung einer Polierverarbeitung
bei einer aufgebrachten Schicht nach einer Ausführung eines
selektiven Ätzens mit einem durch eine Übertragung der
basierend auf den Maskendaten erzeugten Übertragungsmaske
erzeugten Resistmuster bei einem polierten Muster
verursachte Polierstörung umfaßt.
Gemäß einer sechsten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten bis
vierten Ausgestaltungen dadurch gekennzeichnet, daß die
Störung eine bei einer Ausführung einer Rückätzverarbeitung
bei einer aufgebrachten Schicht nach einer Ausführung eines
selektiven Ätzens mit einem durch eine Übertragung der
basierend auf den Maskendaten erzeugten Übertragungsmaske
erzeugten Resistmuster bei dem dem Rückätzen unterzogenen
Muster verursachte Rückätzstörung umfaßt.
Gemäß einer siebten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten bis
sechsten Ausgestaltungen dadurch gekennzeichnet, daß der
Fouriertransformationsteil umfaßt: einen
Grafikteilungsteil, der das Grundelement in eine Gruppe von
Elementgrafiken in der Form eines Dreiecks, Vierecks oder
Kreises teilt; und einen
Elementgrafikfouriertransformationsteil zur Ausführung
einer Fouriertransformation pro Elementgrafik der Gruppe
von Elementgrafiken, um dadurch ihre jeweiligen
Fourierbilder zu erhalten.
Gemäß einer achten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß der siebten
Ausgestaltung dadurch gekennzeichnet, daß der
Elementgrafikfouriertransformationsteil eine
Integralberechnung unter Verwendung einer primitiven
Funktion analytisch ausführt, wenn zum Erhalten des
Fourierbilds eine Berechnung von Raumfrequenzkomponenten
ausgeführt wird.
Gemäß einer neunten Ausgestaltung der Erfindung umfaßt die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten bis
achten Ausgestaltungen einen Maschenerzeugungsteil zur
Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs im Realbereich und
dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in dem
Bilderzeugungsbereich, wobei der Maschenerzeugungsteil
umfaßt: einen Minimalkorrelationsabstandsberechnungsteil
zur Berechnung eines Minimalkorrelationsabstands bei dem
Herstellungsprozeß basierend auf der
Herstellungsprozeßbedingung; und einen
Maschenanzahloptimierungsteil zur Bestimmung der Anzahl der
Maschen entlang zwei sich in dem Bilderzeugungsbereich
kreuzenden Richtungen derart, daß die Maschenausdehnung die
größte in dem den Minimalkorrelationsabstand nicht
übersteigenden Spektrum ist und die Anzahl der Maschen eine
positive Ganzzahl ist.
Gemäß einer zehnten Ausgestaltung der Erfindung ist die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß der neunten
Ausgestaltung dadurch gekennzeichnet, daß der
Maschenanzahloptimierungsteil die positive Ganzzahl auf
eine positive Ganzzahl n beschränkt, die durch n = 2i3j5k (i,
j und k sind jeweils Null oder eine positive Ganzzahl)
definiert ist, und der Fouriertransformationsteil die
Fouriertransformation unter Verwendung der schnellen
Fouriertransformation ausführt.
Gemäß einer elften Ausgestaltung der Erfindung umfaßt die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten bis
achten Ausgestaltungen: einen Maschenerzeugungsteil zur
Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs im Realbereich und
dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in dem
Bilderzeugungsbereich; einen Maschenhinzufügungsteil zur
Hinzufügung einer neuen Masche in den nach der
Raumfilterverarbeitung erhaltenen Bilddaten; und einen
Neue-Masche-Dateneinstellungsteil zur Einstellung des Werts
1 von Null in den Bilddaten auf der hinzugefügten Masche und
zur Ausgabe des Ergebnisses zusammen mit den Bilddaten vor
der Hinzufügung der Masche daraufhin, und wobei der Invers-
Fouriertransformationsteil die inverse
Fouriertransformation der von dem Neue-Masche
Dateneinstellungsteil ausgegebenen Bilddaten ausführt.
Gemäß einer zwölften Ausgestaltung der Erfindung umfaßt die
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten bis
achten Ausgestaltungen: einen Maschenerzeugungsteil zur
Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs im Realbereich und
dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in dem
Bilderzeugungsbereich; und einen Maschenentfernungsteil zur
Entfernung einiger der Maschen aus den nach der
Raumfilterverarbeitung erhaltenen Bilddaten, und wobei der
Invers-Fouriertransformationsteil die inverse
Fouriertransformation der von dem Maschenentfernungsteil
ausgegebenen Bilddaten ausführt.
Gemäß einer dreizehnten Ausgestaltung umfaßt ein Verfahren
zur Herstellung einer Übertragungsmaske die Schritte: (a)
Erzeugen von Maskendaten unter Verwendung der
Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten bis
zwölften Ausgestaltungen; und (b) Erzeugen einer
Übertragungsmaske unter Verwendung der in dem Schritt (a)
erzeugten Maskendaten.
Gemäß einer vierzehnten Ausgestaltung umfaßt ein Verfahren
zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer Musterstruktur
die Schritte: (a) Erzeugen von Maskendaten unter Verwendung
der Maskendatenkorrekturvorrichtung gemäß einer der ersten
bis zwölften Ausgestaltungen; (b) Erzeugen einer
Übertragungsmaske unter Verwendung der in dem Schritt (a)
erzeugten Maskendaten; (c) Ausbilden eines Resists auf der
Oberfläche eines Materials einer herzustellenden
Vorrichtung; (d) Übertragen der in dem Schritt (b)
erzeugten Übertragungsmaske auf den Resist; (e)
Strukturieren des Resists in der in dem Schritt (d)
übertragenen Musterform; und (f) Ausführen einer selektiven
Verarbeitung des Materials unter Verwendung des gemusterten
Resists als eine Abschirmung.
Gemäß einer fünfzehnten Ausgestaltung umfaßt eine eine
Grafik mit einer hierarchischen Struktur einer
Fouriertransformation unterziehende
Fouriertransformationsvorrichtung: einen Grafikteilungsteil
zur Teilung eines Grundelements der hierarchischen Struktur
in eine Gruppe von Elementgrafiken in der Form eines
Dreiecks, Vierecks oder Kreises; einen
Elementgrafikfouriertransformationsteil, in dem eine
Fouriertransformation pro Elementgrafik der Gruppe von
Elementgrafiken ausgeführt wird, um dadurch ihre jeweiligen
Fourierbilder zu erhalten; und einen Syntheseteil zum
Erhalten eines Fourierbilds der Grafik durch eine Synthese
des Fourierbilds des Grundelements im Fourierbereich
basierend auf der hierarchischen Struktur.
Gemäß einer sechzehnten Ausgestaltung umfaßt eine diskrete
Daten einer höheren Abtastung unterziehende Vorrichtung zur
höheren Abtastung: einen Fouriertransformationsteil zur
Transformation der diskreten Daten in einen Satz von
Frequenzkomponenten durch eine Ausführung einer
Fouriertransformation der im eindimensionalen oder
mehrdimensionalen Raum definierten diskreten Daten; einen
Maschenhinzufügungsteil zur Gestaltung des Satzes von
Frequenzkomponenten zu Daten auf in dem Fourierbereich der
gleichen Dimension wie der vorstehend angeführten einen
Dimension oder mehr Dimensionen eingestellten Maschen und
zur Hinzufügung einer neuen Masche in dem Fourierbereich;
einen Neue-Masche-Dateneinstellungsteil zur Einstellung des
Werts von Null in den Daten auf der hinzugefügten Masche
und zur Ausgabe des Ergebnisses zusammen mit den Daten auf
den Maschen vor der Hinzufügung; und einen Invers-
Fouriertransformationsteil, der eine inverse
Fouriertransformation der von dem Neue-Masche
Dateneinstellungsteil ausgegebenen Daten ausführt.
Gemäß einer siebzehnten Ausgestaltung umfaßt eine diskrete
Daten einer niedrigeren Abtastung unterziehende Vorrichtung
zur niedrigeren Abtastung: einen Fouriertransformationsteil
zur Transformation der diskreten Daten in einen Satz von
Frequenzkomponenten durch eine Ausführung einer
Fouriertransformation der im eindimensionalen oder
mehrdimensionalen Raum definierten diskreten Daten; einen
Maschenentfernungsteil zur Gestaltung des Satzes von
Frequenzkomponenten zu Daten auf in dem Fourierbereich der
gleichen Dimension wie der vorstehend angeführten einen
Dimension oder mehr Dimensionen eingestellten Maschen und
zur Ausgabe des Ergebnisses nach einer Entfernung eines
Teils der Maschen in dem Fourierbereich; und einen Invers-
Fouriertransformationsteil, der eine inverse
Fouriertransformation der von dem Maschenentfernungsteil
ausgegebenen Daten ausführt.
Bei der Vorrichtung gemäß der ersten Ausgestaltung der
Erfindung kann das Fourierbild der gesamten Grafik erhalten
werden, indem die Fourierbilder von Grundelementen
basierend auf der hierarchischen Struktur synthetisiert
werden. Dadurch können Maskendaten, bei denen eine große
Anzahl von Grundelementen in einer Grafik enthalten ist,
unter Erhaltung der Genauigkeit mit hoher Effizienz
korrigiert werden.
Bei der Vorrichtung gemäß der zweiten Ausgestaltung der
Erfindung wird eine Korrektur derart ausgeführt, daß eine
Störung einschließlich einer Zeichenstörung unterdrückt
wird, um dadurch Maskendaten zu erhalten, die zur
Unterdrückung der sich auf der Übertragungsmaske zeigenden
Zeichenstörung in der Lage sind.
Bei der Vorrichtung gemäß der dritten Ausgestaltung der
Erfindung wird eine Korrektur derart ausgeführt, daß eine
Störung einschließlich einer Übertragungsstörung
unterdrückt wird, um dadurch Maskendaten zu erhalten, die
zur Unterdrückung der sich auf dem Übertragungsbild
zeigenden Übertragungsstörung in der Lage sind.
Bei der Vorrichtung gemäß der vierten Ausgestaltung der
Erfindung wird eine Korrektur derart ausgeführt, daß eine
Störung einschließlich einer Ätzstörung unterdrückt wird,
um dadurch Maskendaten zu erhalten, die zur Unterdrückung
der sich auf dem Ätzmuster zeigenden Ätzstörung in der Lage
sind.
Bei der Vorrichtung gemäß der fünften Ausgestaltung der
Erfindung wird eine Korrektur derart ausgeführt, daß eine
Störung einschließlich einer Polierstörung unterdrückt
wird, um dadurch Maskendaten zu erhalten, die zur
Unterdrückung der sich auf dem polierten Muster zeigenden
Polierstörung in der Lage sind.
Bei der Vorrichtung gemäß der sechsten Ausgestaltung der
Erfindung wird eine Korrektur derart ausgeführt, daß eine
Störung einschließlich einer Rückätzstörung unterdrückt
wird, um dadurch Maskendaten zu erhalten, die zur
Unterdrückung der sich auf dem Muster nach dem Rückätzen
zeigenden Rückätzstörung in der Lage sind.
Bei der Vorrichtung gemäß der siebten Ausgestaltung der
Erfindung wird das Fourierbild der gesamten Grafik
erhalten, indem das Grundelement in die Gruppe von
Elementgrafiken geteilt wird, von denen jede die Form eines
Dreiecks, Vierecks oder Kreises aufweist; eine
Fouriertransformation pro Elementgrafik ausgeführt wird;
und die so erhaltenen Ergebnisse überlagert werden. Daher
kann selbst dann, wenn das Grundelement eine komplizierte
Form aufweist, eine Fouriertransformation für die gesamte
Grafik ohne eine Beeinträchtigung der Genauigkeit in kurzer
Zeit erreicht werden. Folglich können die Maskendaten ohne
eine Beeinträchtigung der Genauigkeit mit höherer Effizienz
korrigiert werden.
Bei der Vorrichtung gemäß der achten Ausgestaltung der
Erfindung wird unter Nutzung der Tatsache, daß ein
Grundelement in eine Gruppe von Elementgrafiken von
einfacher Form geteilt wird, bei der Berechnung von
Raumfrequenzkomponenten eine Berechnung eines bestimmten
Integrals unter Verwendung einer primitiven Funktion
analytisch ausgeführt. Dadurch wird die Genauigkeit der
Fouriertransformation weiter verbessert, während die für
die Berechnung benötigte Zeit weiter verringert wird.
Bei der Vorrichtung gemäß der neunten Ausgestaltung wird
die Anzahl der Maschen optimiert. Daher ist die
Maskendatenkorrektur mit hoher Genauigkeit erreichbar, ohne
die verschwenderische Berechnungszeit zu benötigen.
Bei der Vorrichtung gemäß der zehnten Ausgestaltung der
Erfindung wird die Anzahl der Maschen auf eine für die
schnelle Fouriertransformation angemessene Anzahl
beschränkt, und die Fouriertransformation wird unter
Verwendung der schnellen Fouriertransformation ausgeführt.
Dadurch wird die Effizienz der Berechnung ohne eine
Beeinträchtigung der Genauigkeit erhöht.
Bei der Vorrichtung gemäß der elften Ausgestaltung der
Erfindung wird eine die gesamte Grafik widerspiegelnde
Interpolation ausgeführt, da eine höhere Abtastung im
Fourierbereich ausgeführt wird. Daher werden korrigierte
Maskendaten bereitgestellt, die glatt und natürlich sind
und nicht lediglich durch eine lineare Interpolation oder
dergleichen verfügbar sind.
Bei der Vorrichtung gemäß der zwölften Ausgestaltung der
Erfindung wird eine die gesamte Grafik widerspiegelnde
Interpolation ausgeführt, da eine niedrigere Abtastung im
Fourierbereich ausgeführt wird. Obwohl die Anzahl der
Maschen verringert wird, werden daher korrigierte
Maskendaten bereitgestellt, die glatt und natürlich sind
und nicht lediglich durch eine lineare Interpolation oder
dergleichen verfügbar sind.
Bei dem Verfahren gemäß der dreizehnten Ausgestaltung der
Erfindung werden unter Verwendung der
Maskendatenkorrekturvorrichtung der vorliegenden Erfindung
Maskendaten erzeugt, und es wird unter Verwendung der
Maskendaten eine Übertragungsmaske erzeugt. Dadurch kann
eine Übertragungsmaske von hoher Genauigkeit mit hoher
Effizienz erhalten werden.
Bei dem Verfahren gemäß der vierzehnten Ausgestaltung der
Erfindung werden unter Verwendung der
Maskendatenkorrekturvorrichtung der vorliegenden Erfindung
Maskendaten erzeugt, und es wird unter Verwendung der
Maskendaten eine Übertragungsmaske erzeugt, und ferner wird
die Übertragungsmaske verwendet, wenn eine Übertragung auf
einen Resist, eine Strukturierung des Resists und eine
selektive Verarbeitung ausgeführt werden. Dadurch kann eine
Vorrichtung mit einer Musterstruktur von hoher Genauigkeit
mit hoher Effizienz erhalten werden.
Bei der Vorrichtung gemäß der fünfzehnten Ausgestaltung der
Erfindung wird das Fourierbild der gesamten Grafik
erhalten, indem das Grundelement in eine Gruppe von
Elementgrafiken geteilt wird, von denen jede die Form eines
Dreiecks, Vierecks oder Kreises aufweist; eine
Fouriertransformation pro Elementgrafik ausgeführt wird;
und die so erhaltenen Ergebnisse überlagert werden. Daher
kann selbst dann, wenn das Grundelement eine komplizierte
Form aufweist, eine Fouriertransformation für die gesamte
Grafik ohne eine Beeinträchtigung der Genauigkeit in kurzer
Zeit erreicht werden.
Bei der Vorrichtung gemäß der sechzehnten Ausgestaltung der
Erfindung wird eine die gesamte Grafik widerspiegelnde
Interpolation ausgeführt, da eine höhere Abtastung im
Fourierbereich ausgeführt wird. Daher werden nach der
höheren Abtastung Daten bereitgestellt, die glatt und
natürlich sind und nicht lediglich durch eine lineare
Interpolation oder dergleichen verfügbar sind.
Bei der Vorrichtung gemäß der siebzehnten Ausgestaltung der
Erfindung wird eine die gesamte Grafik widerspiegelnde
Interpolation ausgeführt, da eine niedrigere Abtastung im
Fourierbereich ausgeführt wird. Obwohl die Anzahl der
Maschen verringert wird, werden daher nach der niedrigeren
Abtastung Daten bereitgestellt, die glatt und natürlich
sind und nicht lediglich durch eine lineare Interpolation
oder dergleichen verfügbar sind.
Diese und weitere Ziele, Merkmale, Ausgestaltungen und
Vorteile der vorliegenden Erfindung sind aus der
nachstehenden ausführlichen Beschreibung der Erfindung in
Verbindung mit der beigefügten Zeichnung ersichtlich.
Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild von verschiedenen
Herstellungsvorrichtungen gemäß bevorzugten
Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
einer Bildberechnungseinheit gemäß Fig. 1 veranschaulicht;
Fig. 3 zeigt ein Flußdiagramm, das einen durch die
verschiedenen Herstellungsvorrichtungen gemäß Fig. 1
ausgeführten Herstellungsprozeß veranschaulicht;
Fig. 4A bis 4C zeigen erläuternde grafische Darstellungen
eines Prozesses gemäß einem ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiel;
Fig. 5A, 5B und 6 zeigen erläuternde grafische
Darstellungen der Arbeitsweise einer
Bildberechnungseinheit;
Fig. 7 zeigt eine erläuternde grafische Darstellung der
Arbeitsweise einer Grafikkorrekturvorrichtung;
Fig. 8 zeigt eine teilweise weggebrochene perspektivische
Ansicht von einem Aufbau einer Maskenerzeugungsvorrichtung;
Fig. 9 zeigt eine erläuternde grafische Darstellung, die
einen Aufbau einer Lichtübertragungsvorrichtung
veranschaulicht;
Fig. 10A bis 10F zeigen grafische Darstellungen, die eine
Sequenz von Schritten bei einem Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung veranschaulichen;
Fig. 11 zeigt eine Draufsicht, die einen Aufbau einer CMP-
Vorrichtung veranschaulicht;
Fig. 12 zeigt eine grafische Darstellung, die einen Schritt
bei einem Verfahren zur Herstellung einer
Halbleitervorrichtung veranschaulicht;
Fig. 13 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
eines Fouriertransformationsteils veranschaulicht;
Fig. 14 zeigt ein Flußdiagramm, das den durch den
3 Fouriertransformationsteil ausgeführten Prozeß
veranschaulicht;
Fig. 15, 16 und 17 zeigen Betriebsdiagramme des durch den
Fouriertransformationsteil ausgeführten Prozesses;
Fig. 18 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
eines Elementgrafikfouriertransformationsteils und einer
Syntheseeinheit veranschaulicht;
Fig. 19 zeigt ein Flußdiagramm, das den durch den
Elementgrafikfouriertransformationsteil und die
Syntheseeinheit ausgeführten Prozeß veranschaulicht;
Fig. 20 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
einer Maschenerzeugungseinheit veranschaulicht;
Fig. 21 zeigt ein Flußdiagramm, das den durch die
Maschenerzeugungseinheit ausgeführten Prozeß
veranschaulicht;
Fig. 22 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
einer Einheit zur höheren Abtastung veranschaulicht;
Fig. 23 zeigt ein Flußdiagramm, das den durch die Einheit
zur höheren Abtastung ausgeführten Prozeß veranschaulicht;
Fig. 24A bis 24C zeigen Betriebsdiagramme, die den durch
die Einheit zur höheren Abtastung ausgeführten Prozeß
veranschaulichen;
Fig. 25 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
einer Einheit zur niedrigeren Abtastung veranschaulicht;
Fig. 26 zeigt ein Flußdiagramm, das den durch die Einheit
zur niedrigeren Abtastung ausgeführten Prozeß
veranschaulicht;
Fig. 27A bis 27C zeigen Betriebsdiagramme, die den durch
die Einheit zur niedrigeren Abtastung ausgeführten Prozeß
veranschaulichen;
Fig. 28 zeigt ein Blockschaltbild, das einen Aufbau einer
Einheit zur höheren Abtastung veranschaulicht;
Fig. 29 zeigt ein Flußdiagramm, das den durch die Einheit
zur höheren Abtastung ausgeführten Prozeß veranschaulicht;
Fig. 30 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
einer Einheit zur niedrigeren Abtastung veranschaulicht;
Fig. 31 zeigt ein Flußdiagramm, das den durch die Einheit
zur niedrigeren Abtastung ausgeführten Prozeß
veranschaulicht;
Fig. 32 zeigt ein Flußdiagramm, das eine Prozedur eines
bekannten Maskendatenkorrekturverfahrens veranschaulicht;
und
Fig. 33 zeigt eine erläuternde grafische Darstellung, die
eine bei dem bekannten Maskendatenkorrekturverfahren
verwendete hierarchische Struktur veranschaulicht.
Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild, das Aufbauten von
verschiedenen Herstellungsvorrichtungen veranschaulicht,
die einen Herstellungsprozeß gemäß einem ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiel von dem Schaltungsentwurf bis zum
Erzeugnisversand einer herzustellenden Vorrichtung (z. B.
einer Halbleitervorrichtung oder einer
Flüssigkristallanzeigevorrichtung) ausführen. Fig. 2 zeigt
ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau einer
Bildberechnungseinheit 42 gemäß Fig. 1 veranschaulicht.
Fig. 3 zeigt ein Flußdiagramm, das eine unter Verwendung
der verschiedenen Herstellungsvorrichtungen gemäß Fig. 1
ausgeführte Herstellungsprozedur veranschaulicht.
Mit Bezug auf Fig. 1 bis 3 sind im folgenden eine
Vorrichtung und ein Verfahren gemäß einem ersten
bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben. Andere
Komponenten als die Bildberechnungseinheit 42 gemäß Fig. 1
und andere Schritte als ein Bildberechnungsschritt (S24)
sind per se bekannt. Daher ist eine vollständige
Beschreibung davon weggelassen, und sie sind kurz
dargestellt. Obwohl die nachstehende Beschreibung
hauptsächlich für einen Fall ausgebildet ist, in dem es
sich bei einer herzustellenden Vorrichtung um eine
Halbleitervorrichtung handelt, ist die Erfindung nicht
darauf beschränkt.
Wenn ein Herstellungsprozeß einer herzustellenden
Vorrichtung begonnen wird, werden durch eine
Vorlagengrafikerzeugungsvorrichtung 30 eine Vorlagengrafik
ausdrückende Layoutdaten erzeugt (S1). Dabei meint der
Ausdruck "Vorlagengrafik" die Grafik, bevor sie einer
Grafikkorrektur (S3) unterzogen wird, die mit der Grafik
nach der Grafikkorrektur verglichen wird. Bei der
Vorlagengrafikerzeugungsvorrichtung 30 wird anfänglich
basierend auf einer durch eine Bedienungsperson von außen
bereitgestellten Entwurfsbedingung ein Schaltungsentwurf
(S11) durch eine Schaltungsentwurfseinheit 31 ausgeführt.
Der Schaltungsentwurf wird derart ausgeführt, daß eine zu
entwerfende Schaltung eine gewünschte Funktion und Leistung
erreichen kann.
Basierend auf den Daten der so entworfenen Schaltung und
der Entwurfsbedingung von außen wird ein Layoutentwurf
(S12) durch eine Layoutentwurfseinheit 32 ausgeführt. Im
einzelnen werden Layoutdaten erzeugt, die die Musterform
einer Übertragungsmaske zur Realisierung der entworfenen
Schaltung auf einem Halbleitersubstrat definieren. Die
erzeugten Layoutdaten werden in einem
Layoutdatenspeicherträger 33 gespeichert (S13).
Bei einer großintegrierten Schaltung ist eine Vielzahl von
Grundelementen häufig in den Schaltungselementen in der
Form einer regelmäßigen Anordnung wie beispielsweise einer
regelmäßigen Speicherzellenanordnung angeordnet. Durch eine
Speicherung derartiger Schaltungslayoutdaten in einem
Format von "Grundelement + hierarchische Struktur" kann zur
Erhöhung der Effizienz Speicherkapazität eines
Speicherträgers gespart werden. Folglich werden die
Layoutdaten der großintegrierten Schaltung als Daten zur
Definition der Form und hierarchischen Struktur von
Grundelementen einer Grafik mit einer hierarchischen
Struktur gespeichert.
Fig. 4A, 4B und 4C zeigen grafische Darstellungen, die eine
hierarchische Struktur bei Layoutdaten veranschaulichen.
Gemäß Fig. 4A sind ein Speicher 2, eine Ein-Ausgabe-
Schnittstelle 3 und eine Logikschaltung 4 in einem
Halbleiterchip 1 angeordnet. Gemäß Fig. 4B sind eine
Peripherieschaltung 5 und eine regelmäßige
Speicheranordnung 6 in dem Speicher 2 angeordnet, und eine
Vielzahl von Speicherzellen (MC) 7 ist in Matrixform in der
regelmäßigen Speicheranordnung 6 angeordnet. Gemäß Fig. 4C
sind Grundelemente 10, 11 und 12, bei denen sich um in der
hierarchischen Struktur an unterster Stelle befindliche
Grafiken handelt, in den Speicherzellen 7 angeordnet.
Wenn keine Grafikkorrektur ausgeführt wird (S1a), werden
die Layoutdaten direkt als Maskendaten zur Erzeugung einer
Übertragungsmaske verwendet. Im Gegensatz dazu werden eine
Bilderzeugung (S2) und eine Grafikkorrektur (S3) in einer
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 ausgeführt, wenn eine
Grafikkorrektur ausgeführt wird (S1a). Die Bilderzeugung
(S2) wird durch eine Bilderzeugungsvorrichtung 40
ausgeführt, und die Grafikkorrektur (S3) wird durch eine
Grafikkorrekturvorrichtung S0 ausgeführt.
Bei der Bilderzeugung (S2) werden anfänglich die
Layoutdaten mit einer hierarchischen Struktur von dem
Layoutdatenspeicherträger 33 eingegeben (S21), und eine
Prozeßbedingung (d. h., eine sich auf einen
Herstellungsprozeß beziehende Bedingung) wird von außen
eingegeben (S22). Die Prozeßbedingung definiert z. B. ein
Zeichenverfahren einer Übertragungsmaske (z. B.
Elektronenstrahlzeichnen, Laserzeichnen, die Art einer
reflexvermindernden Maske und die Art eines
Phasenverschiebungsverfahrens), die optischen Parameter
einer Belichtungsvorrichtung (z. B. Wellenlänge, numerische
Apertur, numerisches Aperturverhältnis σ und die Art der
Überauflösung), eine sich auf einen Resist beziehende
Bedingung (z. B. Vorbacken, PEB, negativpositiv,
Novolaktyp, chemisch verstärkter Typ und trockene/nasse
Entwicklung) und eine Ätzbedingung (z. B. trocken/naß).
Daraufhin wird durch eine Maschenerzeugungseinheit 41 ein
Bilderzeugungsbereich (d. h., ein zur Auswertung berechneter
Bereich) im Realbereich (real space) und Fourierbereich
eingestellt, und Maschen werden in dem
Bilderzeugungsbereich eingestellt (S23). Im einzelnen
werden ein dem Bilderzeugungsbereich des Realbereichs
entsprechender Speicherbereich und ein dem
Bilderzeugungsbereich des Fourierbereichs entsprechender
Speicherbereich in einem (nicht gezeigten) Speicherträger
zugeordnet.
Eine Bildberechnung wird durch die Bildberechnungseinheit
42 ausgeführt (S24). Bei der Bildberechnung (S24) werden
anfänglich die durch die Layoutdaten definierten
Grundelemente in einem Fouriertransformationsteil 421
(siehe Fig. 2) einer Fouriertransformation unterzogen, um
dadurch Fourierbilder der Grundelemente zu erhalten. In
einem Syntheseteil 422 werden die Fourierbilder der
Grundelemente basierend auf der durch die Layoutdaten
definierten hierarchischen Struktur im Fourierbereich
überlagert, um dadurch das Fourierbild der gesamten Grafik
des Bilderzeugungsbereichs zu erhalten (S242).
Ein Raumfilterteil 423 unterzieht das Fourierbild der
gesamten Grafik einer Raumfilterverarbeitung, die einer bei
dem Herstellungsprozeß geschätzten Störung entspricht. Die
Störung wird basierend auf der Prozeßbedingung geschätzt.
Wie es im folgenden bei einem zweiten bevorzugten
Ausführungsbeispiel vollständig beschrieben ist, finden bei
den jeweiligen Schritten des Herstellungsprozesses
verschiedene Störungen E1 bis E5 statt. Die
Bedienungsperson kann von außen anweisen, welche dieser
Störungen widerzuspiegeln ist, wie es in Fig. 1 gezeigt
ist.
Die Raumfilterverarbeitung entsprechend verschiedenen
Störungen ist per se bekannt. Wenn z. B. der Einfluß der
numerischen Apertur eines optischen Systems berücksichtigt
wird, wird vorzugsweise eine kreisförmige
Tiefpaßfilterverarbeitung ausgeführt. Wenn eine
Richtungsabhängigkeit bei den
Herstellungsvorrichtungseigenschaften berücksichtigt wird,
wird vorzugsweise eine elliptische Filterverarbeitung
ausgeführt.
Anschließend unterzieht ein Invers-
Fouriertransformationsteil 424 das Fourierbild nach der
Raumfilterverarbeitung einer inversen
Fouriertransformation, um dadurch das die Störung
widerspiegelnde inverse Fourierbild zu erhalten. D. h., das
die Störung widerspiegelnde inverse Fourierbild wird von
der Bildberechnungseinheit 42 ausgegeben.
Fig. 5A, 5B und 6 zeigen erläuternde grafische
Darstellungen, die die Arbeitsweisen der
Maschenerzeugungseinheit 41 und der Bildberechnungseinheit
42 veranschaulichen, wie sie vorstehend beschrieben sind.
Bei dem in Fig. 5A und 5B veranschaulichten Beispiel wird
ein Bilderzeugungsbereich L in dem in Fig. 4A, 4B und 4C
veranschaulichten Speicher 2 eingestellt. Durch die
Maschenerzeugungseinheit 41 erzeugte Maschen 20 werden in
dem Bilderzeugungsbereich L im Realraum eingestellt, wie es
in Fig. 5A veranschaulicht ist. Wenn keine
Raumfilterverarbeitung ausgeführt wird, d. h. wenn keine
Störung widergespiegelt wird, stellt sich das von der
Bildberechnungseinheit 42 ausgegebene inverse Fourierbild
z. B. wie in Fig. 5B veranschaulicht dar. In Fig. 5B ist das
inverse Fourierbild des in Fig. 4C gezeichneten
Grundelements 12 gezeigt.
Die in Fig. 4C veranschaulichten Grundelemente 10, 11 und
12 sind bei den Layoutdaten als Grafikdaten beschrieben.
Bei den Grafikdaten sind die Formen der Grundelemente 10,
11 und 12 jeweils in einem Satz von Koordinatenwerten von
z. B. ihren jeweiligen Winkeln bzw. Ecken beschrieben.
Demgegenüber erzeugt der Fouriertransformationsteil 421 ein
Fourierbild als Bilddaten auf im Fourierbereich
eingestellten Maschen, wie es in dem Bereich der Technik
allgemein bekannt ist.
Der Invers-Fouriertransformationsteil 424 erzeugt das
inverse Fourierbild als Bilddaten auf den im Realbereich
eingestellten Maschen 20, wie es in Fig. 5B veranschaulicht
ist. Fig. 5B veranschaulicht die numerischen Werte der
Bilddaten pro Zelle der Maschen 20. Bei dem Beispiel gemäß
Fig. 5B wird der Zelle dort, wo das Grundelement 12
vorhanden ist, der numerische Wert von 0 zugewiesen, und
der numerische Wert von 1 wird der Zelle dort zugewiesen,
wo kein Grundelement 12 vorhanden ist. D. h., der numerische
Wert in dem Spektrum von 0 bis 1 wird abhängig von dem
Verhältnis des Vorhandenseins zugewiesen.
Da bei dem Beispiel gemäß Fig. 5B keine Störung
widergespiegelt wird, ist die Form des durch das inverse
Fourierbild dargestellten Grundelements 12 die gleiche, wie
die des durch die Layoutdaten dargestellten Grundelements
12 (siehe Fig. 4C). Wenn eine Raumfilterverarbeitung
ausgeführt wird, d. h. wenn eine Störung widergespiegelt
wird, stellt sich das von der Bildberechnungseinheit 42
ausgegebene inverse Fourierbild im Gegensatz dazu z. B. wie
in Fig. 6 veranschaulicht dar.
Zu Fig. 1, 2 und 3 zurückkehrend wird das inverse
Fourierbild, bei dem es sich um von der
Bildberechnungseinheit 42 ausgegebene Bilddaten handelt,
durch eine Grafiktransformationseinheit 43 in das dem
Format der Layoutdaten ähnelnde Format für Grafikdaten
transformiert (S25). In der Grafikkorrekturvorrichtung 50
wird die von der Grafiktransformationseinheit 43
ausgegebene Grafik mit der durch die Layoutdaten
definierten Grafik verglichen, wodurch letztere in einer
derartigen Richtung korrigiert wird, daß die Störung
unterdrückt wird, und daraufhin als Maskendaten ausgegeben
wird (S3).
Verbesserungen bei der Gesamtprozeßmarge können z. B. auf
die nachstehende Weise erreicht werden, daß eine
Untergrößenbestimmung bzw. Bestimmung einer Größe unter
Normalgröße für den Teil ausgeführt wird, von dem basierend
auf dem Ergebnis der Berechnung in der
Bildberechnungseinheit 42 erwartet wird, daß er in einer
großen Größe fertiggestellt wird, wohingegen eine
Übergrößenbestimmung bzw. Bestimmung einer Größe über
Normalgröße für den Teil ausgeführt wird, von dem erwartet
wird, daß er in einer kleinen Größe fertiggestellt wird.
Fig. 7 zeigt eine grafische Darstellung, die die Form eines
Grundelements 12b nach einer Korrektur veranschaulicht. Was
das Beispiel gemäß Fig. 7 betrifft, stellt sich die Form
des Grundelements 12 ohne eine Störung wie in Fig. 5B
veranschaulicht dar, und die Form des Grundelements 12a bei
Berücksichtigung einer Störung stellt sich wie in Fig. 6
veranschaulicht dar. Daher wird zur Unterdrückung oder
Beseitigung der Störung eine Grafikkorrektur ausgeführt,
wie es in Fig. 7 gezeigt ist. Da der Aufbau und die
Arbeitsweise der Grafikkorrekturvorrichtung 50 in der
Literatur I vollständig offenbart sind und es sich um
bekannte Verfahren handelt, ist eine ausführliche
Beschreibung davon somit weggelassen.
Eine Maskenerzeugungsvorrichtung 61 erzeugt basierend auf
von der Grafikkorrekturvorrichtung 50 ausgegebenen
Maskendaten eine Übertragungsmaske (S4). Eine
Lichtübertragungsvorrichtung 62 überträgt die
Übertragungsmaske auf einen auf der Oberfläche eines
Halbleitersubstrats, bei dem es sich um ein Material der
Halbleitervorrichtung handelt, ausgebildeten Resist (S5).
Wie es in dem Bereich der Technik allgemein bekannt ist,
ist der sich ergebende Resist in der übertragenen
Musterform strukturiert bzw. gemustert. Eine
Substratätzvorrichtung 63 führt ein selektives Ätzen des
Halbleitersubstrats unter Verwendung des gemusterten
Resists als eine Abschirmung aus (S6). Eine CMP-Vorrichtung
und eine Rückätzvorrichtung 64 führen jeweils eine CMP-
(chemisches mechanisches Polieren) und eine
Rückätzverarbeitung bei einer nach dem selektiven Ätzen auf
dem Halbleitersubstrat aufgebrachten Schicht aus (S7). Nach
dem Durchlaufen der vorstehenden verschiedenen Prozesse
wird die Halbleitervorrichtung als ein Erzeugnis
fertiggestellt.
Somit wird bei der Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 gemäß
dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel das Fourierbild
der gesamten Grafik erhalten, indem die Fourierbilder ihrer
jeweiligen Grundelemente basierend auf der hierarchischen
Struktur synthetisiert werden. Daher kann eine Korrektur
für Maskendaten, bei denen eine große Anzahl von
Grundelementen in einer Grafik enthalten ist, unter
Erhaltung der Genauigkeit mit hoher Effizienz erreicht
werden.
Ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel erörtert
verschiedene Störungen bei einem Herstellungsprozeß, die
bei der Bildberechnungseinheit 42 widergespiegelt werden.
Als ein spezielles Beispiel ist im folgenden der Fall
beschrieben, daß es sich bei einer herzustellenden
Vorrichtung um eine Halbleitervorrichtung handelt. Es ist
zu beachten, daß selbst bei einem Herstellungsprozeß für
andere Vorrichtungen wie beispielsweise eine
Flüssigkristallanzeigevorrichtung ähnliche Störungen
angenommen und bei der Bildberechnungseinheit 42
widergespiegelt werden können. Ein Verfahren zur
Widerspiegelung dieser Störungen bei dem Raumfilterteil 423
und ein Verfahren zur Unterdrückung dieser Störungen in der
Grafikkorrekturvorrichtung 50 sind per se allgemein
bekannt.
Fig. 8 zeigt eine teilweise weggebrochene perspektivische
Ansicht, die einen bekannten Aufbau der
Maskenerzeugungsvorrichtung 61 veranschaulicht. Ein durch
eine LaB6-Elektronenkanone 610 erzeugter Elektronenstrahl
geht durch eine erste Formgebungsapertur 611, eine erste
Formgebungslinse 612, eine erste
Formgebungsablenkvorrichtung 613, eine zweite
Formgebungslinse 614, eine zweite Formgebungsapertur 615,
eine Verkleinerungslinse 616 und eine Austastelektrode 617,
die insgesamt einen variabel geformten Linsenteil 61a
bilden. Der Elektronenstrahl geht daraufhin durch eine
Ablenkvorrichtung 618 und eine Verkleinerungslinse 619, die
einen konvergierenden und ablenkenden Linsenteil 61b
bilden, und wird bei einem einzelnen Punkt auf einer
Übertragungsmaske 60 konvergiert. Basierend auf den in die
Maskenerzeugungsvorrichtung 61 eingegebenen Maskendaten
wird eine durch die Maskendaten dargestellte Grafik auf die
Übertragungsmaske 60 gezeichnet.
Zu dieser Zeit tritt eine Zeichenstörung E1 (siehe Fig. 3)
zwischen der durch die Maskendaten dargestellten Grafik und
der auf die Übertragungsmaske 60 gezeichneten Grafik auf.
Die auf die Übertragungsmaske 60 gezeichnete Grafik
entspricht einem Verteilungsbild der gespeicherten Energie
des Elektronenstrahls. Wenn ein Laserstrahl anstelle des
Elektronenstrahls verwendet wird, entspricht eine zu
zeichnende Grafik einem Verteilungsbild der gespeicherten
Energie des Laserstrahls. Die
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 kann unter Verwendung
des Verteilungsbilds von derartiger gespeicherter Energie
eine Nachbarschaftskorrektur ausführen, wodurch die
Zeichenstörung E1 unterdrückt oder aufgehoben wird.
Fig. 9 zeigt eine erläuternde grafische Darstellung, die
einen bekannten Aufbau der Lichtübertragungsvorrichtung 62
veranschaulicht. Bei der vorliegenden Beschreibung stellt
das bei der Übertragung der Übertragungsmaske verwendete
"Licht" weit eine elektromagnetische Welle dar, z. B. ist
dabei ultraviolettes Licht enthalten. Bei einer Lampe 620
erzeugtes Licht geht durch einen Spiegel 621, eine Linse
622, eine Mehrlinsenvorrichtung (fly eye) 623, eine Linse
622a, eine Sekundärlichtquellenplatte 625, eine Linse 622b,
einen Spiegel 621a, eine Linse 622c, eine Übertragungsmaske
60, eine Linse 622d, eine Pupillenoberfläche 626 und eine
Linse 622e, und das Licht wird daraufhin auf die Oberfläche
eines Halbleitersubstrats (Halbleiterwafer) 100 geworfen.
Dadurch wird die Grafik der Übertragungsmaske 60 auf die
Oberfläche des Halbleitersubstrats 100 übertragen. Zu
dieser Zeit tritt eine Übertragungsstörung E2 (siehe Fig.
3) zwischen der auf die Übertragungsmaske 60 gezeichneten
Grafik und dem Übertragungsbild auf der Oberfläche des
Halbleitersubstrats 100 auf. Die
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 kann unter Verwendung
eines optischen Bilds eine Lichtnachbarschaftskorrektur
ausführen, wodurch die Übertragungsstörung E2 unterdrückt
oder aufgehoben wird.
Fig. 10A bis 10F zeigen grafische Darstellungen, die eine
Sequenz von Schritten bei einem Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung veranschaulichen. Bei diesem
Herstellungsprozeß wird anfänglich ein Halbleitersubstrat
100 bereitgestellt (Fig. 10A), und ein Resist 101 wird auf
die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 100 aufgetragen
(Fig. 10B). Anschließend wird unter Verwendung der
Lichtübertragungsvorrichtung 62 die Grafik einer
Übertragungsmaske auf den Resist 101 übertragen, gefolgt
von einer Entwicklung, die zu einem Resistmuster 102 führt
(Fig. 10C).
Unter Verwendung des Resistmusters 102 als eine Abschirmung
wird die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 100 einem
selektiven Ätzen unterzogen (Fig. 10D). Auf dem erhaltenen
Ätzmuster tritt eine sich aus dem Übertragungsbild
ergebende Ätzstörung E3 (siehe Fig. 3) auf. Die
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 kann unter Verwendung
eines Mikroladungseffektbilds bei dem Ätzen eine
Nachbarschaftskorrektur ausführen, wodurch die Ätzstörung
E3 unterdrückt oder aufgehoben wird.
Anschließend wird zum derartigen Aufbringen einer Schicht
104, daß das geätzte Halbleitersubstrat 100 bedeckt wird,
ein isotropes Aufbringen ausgeführt (Fig. 10E). Dem
Ätzmuster entsprechende Unregelmäßigkeiten werden auf der
Oberfläche der Schicht 104 ausgebildet, wie es in Fig. 10E
gezeigt ist. Daraufhin wird die Schicht 104 mittels CMP
poliert, bis die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats
100 offenliegt (Fig. 10F).
Fig. 11 zeigt eine Draufsicht, die einen bekannten Aufbau
der CMP-Vorrichtung 64 zur Ausführung des CMP
veranschaulicht. Die Halbleitersubstrate 100 sind auf einem
Drehtisch 640 angebracht, und jedes Halbleitersubstrat 100
dreht sich auf seiner Achse auf dem Tisch 640. In Fig. 11
ist ein Chiperzeugungsbereich 110 der Halbleitersubstrate
100 als Rechteck gezeichnet. Ein (nicht gezeigtes)
Poliertuch ist an einem Ort über dem Tisch 640 angebracht,
und das Poliertuch wird gegen jede der Hauptoberflächen der
Halbleitersubstrate 100 gedrückt. Durch zwei
Drehbetriebsarten der Drehung des Tischs 640 und des
Kreiselns bzw. der Drehung der Halbleitersubstrate 100 wird
jede Hauptoberfläche der Halbleitersubstrate 100 mittels
der mechanischen Reibung mit dem Poliertuch und dem
chemischen Prozeß von Chemikalien poliert.
Zu Fig. 10F zurückkehrend tritt eine Polierstörung E4 auf
einem Film 105 mit einem Poliermuster entlang einer
Normalen der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 100
auf, falls eine Ungleichmäßigkeit bei der Ätzmusterdichte
vorhanden ist. Die Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 kann
unter Verwendung des Polierbilds eine CMP-Korrektur
ausführen, wodurch die Polierstörung E4 unterdrückt oder
aufgehoben wird.
Fig. 12 zeigt eine grafische Darstellung, die den Schritt
der Ausführung einer Rückätzverarbeitung anstelle des CMP
nach dem Schritt gemäß Fig. 10E veranschaulicht. Dieser
Schritt verursacht eine Rückätzstörung E5 auf dem
Rückätzmuster des Films 105 entlang einer Normalen der
Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 100. Die
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 kann unter Verwendung
des Rückätzbilds eine Korrektur ausführen, wodurch die
Rückätzstörung E5 unterdrückt oder aufgehoben wird.
Fig. 13 zeigt ein Blockschaltbild, das einen bevorzugten
inneren Aufbau des Fouriertransformationsteils 421
veranschaulicht. Fig. 14 zeigt ein Flußdiagramm, das einen
bevorzugten inneren Ablauf der durch den
Fouriertransformationsteil 421 ausgeführten
Fouriertransformation (S241) veranschaulicht. Der in Fig.
13 gezeigte Fouriertransformationsteil 421 umfaßt einen
Grafikteilungsteil 4211 und eine
Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212. Der
Grafikteilungsteil 4211 umfaßt einen Dreieckteilungsteil
4213, einen Viereckteilungsteil 4214 und einen
Kreisteilungsteil 4215. Layoutdaten werden in diese
Teilungsteile 4213, 4214 und 4215 eingegeben.
Wenn die Fouriertransformation (S241) begonnen wird, teilt
der Dreieckteilungsteil 4213 ein durch die Layoutdaten
definiertes Grundelement in ein Dreieck oder mehr Dreiecke
(S2411). Beispielsweise wird mit Bezug auf ein in Fig. 15
gezeigtes Grundelement 10 ein rechtes Dreieck 10a von dem
Grundelement 10 getrennt, wie es in Fig. 16 gezeigt ist,
und ein rechtwinkliges Polygon 10b wird somit
übriggelassen.
Der Viereckteilungsteil 4214 teilt ein Grundelement in ein
Viereck oder mehr Vierecke (S2412). Beispielsweise werden
in Fig. 17 gezeigte Vierecke 10c und 10d von dem
rechtwinkligen Polygon 10b gemäß Fig. 16 getrennt.
Entsprechend kann ganz gleich, um ein wie kompliziertes
Polygon es sich dabei handelt, jedes Grundelement in eine
Ansammlung von einfachen Dreiecken und Vierecken geteilt
werden.
Wenn das durch die Layoutdaten definierte Grundelement auch
einen Kreis umfaßt, wird der Kreisteil durch den
Kreisteilungsteil 4215 weiter geteilt (S2413). Auf diese
Weise wird das Grundelement in eine Ansammlung von
Elementgrafiken geteilt, die die Form eines Dreiecks,
Vierecks oder Kreises aufweisen.
In der Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212 wird
eine Fouriertransformation pro Elementgrafik in der aus den
so geteilten Elementgrafiken zusammengesetzten Gruppe
ausgeführt, um dadurch ihre jeweiligen Fourierbilder zu
erhalten (S2414). Da ein Dreieck, Viereck und Kreis jeweils
eine einfache Form darstellen, kann die
Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212 die
Fouriertransformation durch eine einfache Berechnung leicht
und schnell ausführen. Die in der
Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212 erhaltenen
Fourierbilder der Elementgrafiken werden durch den
Syntheseteil 422 (siehe Fig. 2) zu einem Grafikfourierbild
des gesamten Bilderzeugungsbereichs synthetisiert.
Somit wird gemäß dem dritten bevorzugten
Ausführungsbeispiel das Fourierbild relativ zu der Grafik
des gesamten Bilderzeugungsbereichs erhalten, indem das
Grundelement in die Gruppe von Elementgrafiken geteilt
wird, bei denen es sich jeweils um ein Dreieck, ein Viereck
oder einen Kreis handelt; eine Fouriertransformation pro
Elementgrafik ausgeführt wird; und die so erhaltenen
Ergebnisse überlagert werden. Daher kann selbst dann, wenn
das Grundelement eine komplizierte Form aufweist, eine
Fouriertransformation für die Grafik des gesamten
Bilderzeugungsbereichs ohne eine Beeinträchtigung der
Genauigkeit in kurzer Zeit erreicht werden. In der
Fouriertransformation ist keine Näherungsberechnung
enthalten, und sie kann somit das genaue Fourierbild
erhalten, bei dem es sich nicht um eine Näherung handelt.
Ferner kann der Fouriertransformationsteil 421 gemäß dem
dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel zusätzlich zu der
Anwendung auf die Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 auch
durch eine Kombination mit dem Syntheseteil 422 für eine
Vielfalt von Gebieten als Fouriertransformationsvorrichtung
verwendet werden, durch die das Fourierbild relativ zu im
allgemeinen komplizierten Grafiken leicht und schnell
erhalten werden kann.
Fig. 18 zeigt ein Blockschaltbild, das einen bevorzugten
inneren Aufbau der
Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212 und des
Syntheseteils 422 veranschaulicht. Fig. 19 zeigt ein
Flußdiagramm, das einen bevorzugten inneren Ablauf der
Verarbeitung (S2414) durch die
Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212 und der
Verarbeitung (S242) durch den Syntheseteil 422
veranschaulicht. Die
Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212 umfaßt drei
Raumfrequenzkomponentenberechnungsteile 42121, 42122 und
42123, die die entsprechende Elementgrafikform berechnen.
Von dem Grafikteilungsteil 4211 (siehe Fig. 13) ausgegebene
Elementgrafikdaten werden in diese Berechnungsteile 42121,
42122 und 42123 eingegeben. Der Syntheseteil 422 umfaßt
einen ersten und zweiten Syntheseteil 4221 und 4222.
Wenn Elementgrafikdaten in die
Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212 eingegeben
werden (S24141), führen die drei
Raumfrequenzkomponentenberechnungsteile 42121, 42122 und
42123 eine Fouriertransformation von Dreiecken, Vierecken
bzw. Kreisen in der Elementgrafik aus, um dadurch ihre
jeweiligen Fourierbilder (d. h., einen Satz von
Raumfrequenzkomponenten) zu erhalten (S24142, S24143,
S24144). Jede Raumfrequenzkomponente kann erhalten werden,
indem eine Fourierintegration entlang der x- und y-Richtung
im Realraum ausgeführt wird.
Der erste Syntheseteil 4221 überlagert die Fourierbilder
pro Elementgrafik gemäß der hierarchischen Struktur
(S2421). Dadurch kann das Fourierbild relativ zu der
Elementgrafik des gesamten Bilderzeugungsbereichs pro
Elementgrafik erhalten werden. Der zweite Syntheseteil 4222
überlagert die in dem ersten Syntheseteil 4221 erhaltenen
Fourierbilder pro Elementgrafik (S2422). Falls die
Verarbeitung für die Grafik des gesamten
Bilderzeugungsbereichs nicht abgeschlossen ist (S2422),
kehrt die Prozedur zu dem Schritt S24142 zurück. Falls sie
abgeschlossen ist (S2423), wird das Fourierbild relativ zu
der Grafik des gesamten Bilderzeugungsbereichs erhalten
(S2424).
Bei der vorstehenden Prozedur wird der durch die
Fourierintegration für Elementgrafiken berechnete Satz von
Raumfrequenzkomponenten gemäß der hierarchischen Struktur
wiederholt verwendet. Daher werden die Anzahl von
Fourierintegrationen und die Anzahl von Operationen von
trigonometrischer Funktion beträchtlich verringert, und die
Verarbeitungskapazität der Fouriertransformation wird
deutlich erhöht. Selbst ein großes Ausmaß von Daten kann in
einer brauchbaren Berechnungszeit verarbeitet werden.
Darüber hinaus ist die Genauigkeit der Berechnung hoch, da
eine derartige hierarchische Verarbeitung keine Näherung
umfaßt und es sich dabei um die genaue Berechnung handelt.
Es wurde bestätigt, daß das erhaltene Ergebnis vollkommen
gleich wie das in dem Fall, daß nach der Erweiterung der
hierarchischen Struktur eine Fourierintegration jeder
Grafik ausgeführt wird, erhaltene Ergebnis war. Ferner
wurde verifiziert, daß keine Beeinträchtigung der
Genauigkeit der Berechnung vorhanden war.
Ein bekanntes Verfahren zur Überlagerung im Realraum leidet
unter den nachstehenden Nachteilen: (i) Vorwärts- oder
Rückwärtszerstreuung des Elektronenstrahls; (ii) optischer
Interferenzeffekt; (iii) Mikroladungseffekt; und (iv)
Schwierigkeiten bei der genauen Einbringung eines
Deformationseffekts eines Poliertuchs usw. mit einem
jeweils langen Korrelationsabstand. Wohingegen bei den
vorstehenden bevorzugten Ausführungsbeispielen eine
Überlagerung im Fourierbereich durchgeführt wird und es
somit leicht ist, diese Effekte mit einem langen
Korrelationsabstand genau widerzuspiegeln.
Wenn die Elementgrafikfouriertransformationseinheit 4212
gemäß dem dritten oder vierten bevorzugten
Ausführungsbeispiel die Raumfrequenzkomponenten einer
Elementgrafik berechnet, kann sie einen derartigen üblichen
Weg bei der Fouriertransformation verwenden, daß die
numerische Integration ausgeführt wird, nachdem die
Elementgrafik zu einer Bitmap bzw. Bitmaske erweitert ist.
Vorzugsweise kann sie durch die wirksame Nutzung der
Tatsache, daß es sich bei der der Fouriertransformation zu
unterziehenden Grafik um ein einfaches Dreieck, ein
einfaches Viereck oder einen einfachen Kreis handelt, einen
derartigen Weg zur analytischen Berechnung des bestimmten
Integrals verwenden, daß sie eine primitive Funktion F(x)
des Fourierintegrals aus der nachstehenden Gleichung (1)
findet:
Dadurch ist eine schnelle Berechnung erreichbar, während
die Genauigkeit der Fouriertransformation erhöht wird.
Fig. 20 zeigt ein Blockschaltbild, das einen bevorzugten
inneren Aufbau der Maschenerzeugungseinheit 41
veranschaulicht. Fig. 21 zeigt ein Flußdiagramm, das einen
bevorzugten inneren Ablauf der Maschenerzeugung (S23) durch
die Maschenerzeugungseinheit 41 veranschaulicht. Wenn die
Maschenerzeugung (S23) durch die in Fig. 20 gezeigte
Maschenerzeugungseinheit 41 begonnen wird, berechnet ein
Minimalkorrelationsabstandsberechnungsteil 411 basierend
auf der Herstellungsprozeßbedingung einen
Minimalkorrelationsabstand bei dem Herstellungsprozeß
(S231). Beispielsweise entspricht in dem Fall eines
optischen Systems der Minimalkorrelationsabstand einer
Minimalauflösung R, und R ist durch R = λ/4NA gegeben, wobei
es sich bei λ um die Wellenlänge des Belichtungslichts und
bei NA um die numerische Apertur einer Projektionslinse
handelt.
Anschließend wird durch einen
Bilderzeugungsbereichseinstellungsteil 412 ein
Bilderzeugungsbereich L (siehe Fig. 5A) eingestellt (S232).
Eine optimale Anzahl der Maschen wird durch einen
Maschenanzahloptimierungsteil 413 bestimmt. Im einzelnen
wird als eine optimale Anzahl der Maschen die Anzahl der
Maschen entlang zwei sich in dem Bilderzeugungsbereich
kreuzenden Richtungen derart bestimmt, daß die
Maschenausdehnung die größte in dem den
Minimalkorrelationsabstand nicht übersteigenden Spektrum
ist und die Anzahl der Maschen eine positive Ganzzahl ist.
Es wird noch mehr vorgezogen, sie derart zu bestimmen, daß
die Maschenausdehnung die größte in dem den
Minimalkorrelationsabstand nicht übersteigenden Spektrum
ist und die Anzahl der Maschen n durch n = 2i3j5k (i, j und k
sind jeweils Null oder eine positive Ganzzahl) definiert
ist (S234, S235). Die letztere Art und Weise ermöglicht es,
die schnelle Fouriertransformation (FFT) zu nutzen, die mit
einem Vielfachen von 2, 3 oder 5 verwendet werden kann.
Als ein spezifischer Fall der vorstehend angeführten
Bedingung wird zur Erfüllung von n = 2i (i ist eine positive
Ganzzahl) eine anfängliche Teilungszahl n0 derart bestimmt,
daß sie die nachstehende Gleichung (2) erfüllt:
n0 = ceil(L/R) (2)
n0 = ceil(L/R) (2)
wobei es sich bei ceil um eine aufrundende, Ganzzahlen
ausbildende Funktion handelt.
Daraufhin wird bei einer Bestimmung der Anzahl der Maschen
n durch die nachstehende Gleichung (3):
n = 2ceil(logn/log2) (3)
die Anzahl der Maschen n eine Potenzierung von 2. Dies ist
auch bei der Nutzung der schnellen Fouriertransformation
(FFT) vorteilhaft.
Ein Maschenerzeugungsteil 414 erzeugt Maschen gemäß der
durch den Maschenanzahloptimierungsteil 413 bestimmten
Anzahl der Maschen (S233).
Somit kann bei dem sechsten bevorzugten Ausführungsbeispiel
eine minimale Anzahl von Maschen eingestellt werden, und es
kann somit die verschwenderische Berechnung zur Erzeugung
einer höheren Anzahl von Maschen als erforderlich von dem
Standpunkt der Genauigkeit der Berechnung her weglassen
werden. Dies ermöglicht es, eine schnelle Verarbeitung zu
erreichen, während die hohe Genauigkeit der Berechnung
erhalten wird.
Wenn unter Verwendung einer minimalen Anzahl von Maschen
für die Genauigkeit der Berechnung gemäß dem sechsten
bevorzugten Ausführungsbeispiel eine Berechnung ausgeführt
wird und das Ergebnis angezeigt wird, stellt es sich in
einigen Fällen für das Auge des Betrachters als grob dar.
Bei diesem Ereignis wird es empfohlen, eine höhere
Abtastung (up sampling) auszuführen, d. h. häufiger
abzutasten. Fig. 22 zeigt ein Blockschaltbild, das einen
inneren Aufbau einer Einheit zur höheren Abtastung 44
veranschaulicht, die für die höhere Abtastung zwischen den
Raumfilterteil 423 und den Invers-
Fouriertransformationsteil 424 in Fig. 2 zwischengeschaltet
wird. Die Einheit zur höheren Abtastung 44 umfaßt einen
Maschenhinzufügungsteil 441 und einen Neue-Masche-
Dateneinstellungsteil 442. Fig. 23 zeigt ein Flußdiagramm,
das eine durch die Einheit zur höheren Abtastung 44
ausgeführte Prozedur veranschaulicht.
Der Maschenhinzufügungsteil 441 fügt eine neue Masche zu
von dem Raumfilterteil 423 eingegebenen Bilddaten hinzu
(S261). Der Neue-Masche-Dateneinstellungsteil 442 stellt
den Wert von Null in den Bilddaten auf der hinzugefügten
Masche ein und gibt das Ergebnis zusammen mit den Bilddaten
vor der Hinzufügung der Masche zu dem Invers-
Fouriertransformationsteil 424 aus (S262).
Fig. 24A, 24B und 24C zeigen erläuternde grafische
Darstellungen, die durch den Maschenhinzufügungsteil 441
und den Neue-Masche-Dateneinstellungsteil 442 ausgeführte
Prozesse veranschaulichen. Das Fourierbild F im
Fourierbereich (siehe Fig. 24A) wird durch eine inverse
Fouriertransformation in dem Invers-
Fouriertransformationsteil 424 in das inverse Fourierbild R
im Realbereich transformiert (siehe Fig. 24B). Im Gegensatz
dazu wird bei einer Hinzufügung einer Masche im
Fourierbereich und einer Bereitstellung des Wert von Null
für die Bilddaten auf der hinzugefügten Masche (siehe Fig.
24A) sein inverses Bild R feiner als das Bild gemäß Fig.
24B, wie es in Fig. 24 C gezeigt ist.
Beispielsweise ist in dem Fall, daß neue Maschen im
Fourierbereich hinzugefügt werden und die Anzahl der
Maschen in zwei Dimensionen auf 2 × 2-mal erhöht wird, eine
höhere Abtastung auf 2 × 2-mal Maschen in zwei Dimensionen zu
der Zeit abgeschlossen, zu der die inverse
Fouriertransformation zum Realbereich hin ausgeführt wird.
Allgemein kann das Verhältnis der Erhöhung der Anzahl der
Maschen beliebig eingestellt werden. Es ist jedoch
wünschenswert, ein derartiges Verhältnis einzustellen, bei
dem die FFT verwendet werden kann, z. B. 2 × 2-mal.
Somit kann gemäß dem siebten bevorzugten
Ausführungsbeispiel eine höhere Abtastung im Fourierbereich
ausgeführt werden, wobei jeder interpolierte Punkt das
gesamte Bild widerspiegelt. Dies realisiert eine
Interpolation glatter und natürlicher als eine lediglich
lineare Interpolation und stellt somit den Vorteil bereit,
daß die Genauigkeit der Interpolation hoch ist.
Im Gegensatz zu dem siebten bevorzugten Ausführungsbeispiel
kann in dem Fall, daß die Anzahl der zu berechnenden
Maschen größer als die Anzahl der Maschen einer
Anzeigevorrichtung ist, durch eine Ausführung einer
niedrigeren Abtastung die Geschwindigkeit der Anzeige ohne
eine Beeinträchtigung der Bildqualität erhöht werden. Fig.
25 zeigt ein Blockschaltbild, das einen inneren Aufbau
einer Einheit zur niedrigeren Abtastung 45 zur Erreichung
des vorstehenden Ziels veranschaulicht, die zwischen den
Raumfilterteil 423 und den Invers-
Fouriertransformationsteil 424 in Fig. 2 zwischengeschaltet
wird. Die Einheit zur niedrigeren Abtastung 45 umfaßt einen
Maschenentfernungsteil 451. Fig. 26 zeigt ein Flußdiagramm,
das eine durch die Einheit zur niedrigeren Abtastung 45
ausgeführte Prozedur veranschaulicht.
Der Maschenentfernungsteil 451 entfernt einige der Maschen
aus von dem Raumfilterteil 423 eingegebenen Bilddaten
(S271). Die sich ergebenden Bilddaten werden zu dem Invers-
Fouriertransformationsteil 424 ausgegeben.
Fig. 27A, 27B und 27C zeigen erläuternde grafische
Darstellungen, die durch den Maschenentfernungsteil 451
ausgeführte Prozesse veranschaulichen. Das Fourierbild F im
Fourierbereich (siehe Fig. 27A) wird durch eine inverse
Fouriertransformation in dem Invers-
Fouriertransformationsteil 424 in das inverse Fourierbild R
im Realbereich transformiert (siehe Fig. 27B). Im Gegensatz
dazu wird bei einer Entfernung einiger der Maschen im
Fourierbereich (siehe Fig. 27A) sein inverses Bild R grober
als das Bild gemäß Fig. 27B, wie es in Fig. 27C gezeigt
ist.
Beispielsweise ist in dem Fall, daß Hochfrequenzkomponenten
um das Fourierbild F im Fourierbereich vorhanden sind und
die Anzahl der Maschen in zwei Dimensionen auf 1/2 × 1/2-mal
verringert wird, eine niedrigere Abtastung auf 1/2 × 1/2-mal
Maschen in zwei Dimensionen zu der Zeit abgeschlossen, zu
der die inverse Fouriertransformation in den Realbereich
ausgeführt wird. Allgemein kann das Verhältnis der
Verringerung der Anzahl der Maschen beliebig eingestellt
werden. Es ist jedoch wünschenswert, ein derartiges
Verhältnis einzustellen, bei dem die FFT verwendet werden
kann, z. B. 1/2 × 1/2-mal.
Somit kann gemäß dem achten bevorzugten Ausführungsbeispiel
eine niedrigere Abtastung im Fourierbereich ausgeführt
werden, wobei jeder interpolierte Punkt das gesamte Bild
widerspiegelt. Dies realisiert eine Interpolation glatter
und natürlicher als eine lediglich lineare Interpolation.
Außerdem wird zur Verbesserung der
Vorrichtungsbetreibbarkeit die Geschwindigkeit der Anzeige
des Ergebnisses der Berechnung erhöht.
Unter Verwendung der mit der
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 gemäß dem ersten bis
achten bevorzugten Ausführungsbeispiel korrigierten
Maskendaten kann eine Übertragungsmaske erhalten werden,
die preiswert und von hoher Genauigkeit ist. Bei der
Herstellung einer Halbleitervorrichtung wie beispielsweise
einer integrierten Halbleiterschaltung kann die Verwendung
einer derartigen spezifischen Übertragungsmaske eine
Halbleitervorrichtung bereitstellen, die preiswert und von
hoher Zuverlässigkeit ist. Dies gilt ohne eine Beschränkung
auf Halbleitervorrichtungen für andere Vorrichtungen mit
einer Musterstruktur (z. B.
Flüssigkristallanzeigevorrichtungen). Ein Verfahren zur
Herstellung dieser Vorrichtungen ist unter Bezugnahme auf
Fig. 10A bis 10F und Fig. 11 bei dem zweiten bevorzugten
Ausführungsbeispiel vollständig beschrieben, und eine
weitere Beschreibung davon ist somit weggelassen. Wie es in
Fig. 3 gezeigt ist, werden üblicherweise nach einem
Durchlaufen der in Fig. 10A bis 10F oder Fig. 11
veranschaulichten Schritte S5 bis S7 zusätzliche Prozesse
über mehrere Schritte ausgeführt, um eine Vorrichtung mit
einer Musterstruktur, z. B. eine Halbleitervorrichtung oder
eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, als ein Erzeugnis
fertigzustellen.
Die Einheit zur höheren Abtastung 44 gemäß dem siebten
bevorzugten Ausführungsbeispiel kann als eine von der
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 unabhängige Vorrichtung
zur höheren Abtastung konfiguriert werden, indem der
Fouriertransformationsteil und der Invers-
Fouriertransformationsteil hinzugefügt werden. Ähnlich kann
die Einheit zur niedrigeren Abtastung 45 als eine von der
Maskendatenkorrekturvorrichtung 29 unabhängige Vorrichtung
zur niedrigeren Abtastung konfiguriert werden, indem der
Fouriertransformationsteil und der Invers-
Fouriertransformationsteil hinzugefügt werden. Ein zehntes
bevorzugtes Ausführungsbeispiel ist auf die so
konfigurierte Vorrichtung zur höheren Abtastung und
Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung gerichtet.
Fig. 28 zeigt ein Blockschaltbild, das einen Aufbau einer
Einheit zur höheren Abtastung 80 gemäß dem zehnten
bevorzugten Ausführungsbeispiel veranschaulicht. Fig. 29
zeigt ein Flußdiagramm, das eine Prozedur eines Schritts
(S8) bei der Einheit zur höheren Abtastung 80
veranschaulicht. Die Einheit 80 empfängt anfänglich im
eindimensionalen oder mehrdimensionalen Raum definierte
diskrete Daten (S81). Ein Fouriertransformationsteil 81
führt eine Fouriertransformation der empfangenen diskreten
Daten aus (S82), wodurch die diskreten Daten in einen Satz
von Frequenzkomponenten transformiert werden. In einem
Maschenhinzufügungsteil 82 wird der Satz von
Frequenzkomponenten als ein Satz von Daten auf in dem
Fourierbereich der gleichen Dimension wie der vorstehend
angeführten einen Dimension oder mehr Dimensionen
eingestellten Maschen betrachtet, um dadurch eine neue
Masche in dem Fourierbereich hinzuzufügen (S83).
Ein Neue-Masche-Dateneinstellungsteil 83 stellt den Wert
von Null in den Daten auf der hinzugefügten Masche ein und
gibt das Ergebnis zusammen mit den Daten auf der Masche vor
der Hinzufügung aus (S84). Ein Invers-
Fouriertransformationsteil 84 führt eine inverse
Fouriertransformation der Daten von dem Neue-Masche-
Dateneinstellungsteil 83 aus, um höher abgetastete Daten zu
erhalten (S85), und gibt daraufhin die erhaltenen höher
abgetasteten Daten aus (S86).
Da die höhere Abtastung in der Einheit zur höheren
Abtastung 80 im Fourierbereich ausgeführt wird, wird eine
Interpolation ausgeführt, die den gesamten Satz von
diskreten Daten widerspiegelt. Dadurch sind die Daten nach
der Verarbeitung zur höheren Abtastung glatt und natürlich,
was nicht lediglich durch eine lineare Interpolation oder
dergleichen erreicht werden kann.
Fig. 30 zeigt ein Blockschaltbild, das einen Aufbau einer
Einheit zur niedrigeren Abtastung 90 gemäß dem zehnten
bevorzugten Ausführungsbeispiel veranschaulicht. Fig. 31
zeigt ein Flußdiagramm, das eine Prozedur eines in der
Einheit zur niedrigeren Abtastung 90 ausgeführten Schritts
(S9) veranschaulicht. Die Einheit 90 empfängt anfänglich im
eindimensionalen oder mehrdimensionalen Raum definierte
diskrete Daten (S81). Der Fouriertransformationsteil 81
führt eine Fouriertransformation der empfangenen diskreten
Daten aus (S82), wodurch die diskreten Daten in einen Satz
von Frequenzkomponenten transformiert werden.
Ein Maschenentfernungsteil 85, der den Satz von
Frequenzkomponenten als einen Satz von Daten auf in dem
Fourierbereich der gleichen Dimension wie der vorstehend
angeführten einen Dimension oder mehr Dimensionen
eingestellten Maschen betrachtet, entfernt einige der
Maschen in dem Fourierbereich und gibt die sich ergebenden
Daten aus (S87). Der Invers-Fouriertransformationsteil 84
führt eine inverse Fouriertransformation der Daten von dem
Maschenentfernungsteil 85 aus, um dadurch niedriger
abgetastete Daten zu erhalten (S85), und gibt daraufhin die
erhaltenen niedriger abgetasteten Daten aus (S86).
Da die niedrigere Abtastung in der Einheit zur niedrigeren
Abtastung 90 im Fourierbereich ausgeführt wird, wird eine
Interpolation ausgeführt, die den gesamten Satz von
diskreten Daten widerspiegelt. Obwohl die Anzahl der
Abtastungen verringert wird, sind dadurch die Daten nach
der niedrigeren Abtastung glatt und natürlich, was nicht
lediglich durch eine lineare Interpolation oder dergleichen
erreicht werden kann.
Während die Erfindung ausführlich gezeigt und beschrieben
ist, ist die vorstehende Beschreibung in allen
Ausgestaltungen veranschaulichend und nicht einschränkend.
Es ist daher selbstverständlich, daß verschiedene
Modifikationen im Rahmen des Inhalts und Schutzbereichs der
beigefügten Patentansprüche möglich sind.
Es wird eine Maskendatenkorrekturvorrichtung
bereitgestellt, die durch eine wirksame Verwendung der
hierarchischen Struktur von Layoutdaten die Effizienz der
Verarbeitung unter Erhaltung einer hohen Genauigkeit
erhöhen kann. Ein Fouriertransformationsteil (421) führt
eine Fouriertransformation von durch die Layoutdaten
definierten Grundelementen aus, um Fourierbilder der
Grundelemente zu erhalten. Ein Syntheseteil (422)
überlagert basierend auf der hierarchischen Struktur die
Fourierbilder der Grundelemente im Fourierbereich, um ein
Fourierbild der gesamten Grafik zu erhalten. Ein
Raumfilterteil (423) unterzieht das Fourierbild der
gesamten Grafik einer Raumfilterverarbeitung, die einer bei
einem Herstellungsprozeß erwarteten Störung entspricht. Ein
Invers-Fouriertransformationsteil (424) führt eine inverse
Fouriertransformation des Fourierbilds nach der
Raumfilterverarbeitung aus, um das die Störung
widerspiegelnde inverse Fourierbild zu erhalten. Die durch
die Layoutdaten definierte Grafik wird mit der Grafik
verglichen, von der das inverse Fourierbild transformiert
wurde, und wird in einer derartigen Richtung korrigiert,
daß die Störung unterdrückt wird, und daraufhin als
Maskendaten ausgegeben.
Claims (15)
1. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29), bei der basierend
auf die Form von Grundelementen (10, 11, 12) einer Grafik
mit einer hierarchischen Struktur und die hierarchische
Struktur definierenden Layoutdaten sowie auf einer
Herstellungsprozeßbedingung die Musterform einer bei dem
Herstellungsprozeß verwendeten Übertragungsmaske (60)
ausdrückende Maskendaten auf eine derartige Weise erzeugt
werden, daß eine bei dem Herstellungsprozeß erwartete
Störung (E1-E5) unterdrückt wird, mit:
einem Fouriertransformationsteil (421) zum Erhalten von Fourierbildern (F) der Grundelemente (10, 11, 12) durch eine Ausführung einer Fouriertransformation der Grundelemente (10, 11, 12);
einem Syntheseteil (422) zum Erhalten eines Fourierbilds (F) der Grafik durch eine Synthese der Fourierbilder (F) der Grundelemente (10, 11, 12) im Fourierbereich basierend auf der hierarchischen Struktur; einem Raumfilterteil (423), der das Fourierbild (F) der Grafik einer der Störung (E1-E5) entsprechenden Raumfilterverarbeitung unterzieht;
einem Invers-Fouriertransformationsteil (424), der das Fourierbild (F) nach der Raumfilterverarbeitung einer inversen Fouriertransformation unterzieht, um dadurch das die Störung (E1-E5) widerspiegelnde inverse Fourierbild (R) zu erhalten;
einem Grafiktransformationsteil (43) zur Transformation des inversen Fourierbilds (R) in eine Grafik; und
einem Grafikkorrekturteil (50) zur Korrektur der durch die Layoutdaten definierten Grafik in einer derartigen Richtung, daß die Störung (E1-E5) unterdrückt wird, indem die von dem Grafiktransformationsteil. (43) ausgegebene Grafik mit der durch die Layoutdaten definierten Grafik verglichen wird, und zur Ausgabe des Ergebnisses als die Maskendaten.
einem Fouriertransformationsteil (421) zum Erhalten von Fourierbildern (F) der Grundelemente (10, 11, 12) durch eine Ausführung einer Fouriertransformation der Grundelemente (10, 11, 12);
einem Syntheseteil (422) zum Erhalten eines Fourierbilds (F) der Grafik durch eine Synthese der Fourierbilder (F) der Grundelemente (10, 11, 12) im Fourierbereich basierend auf der hierarchischen Struktur; einem Raumfilterteil (423), der das Fourierbild (F) der Grafik einer der Störung (E1-E5) entsprechenden Raumfilterverarbeitung unterzieht;
einem Invers-Fouriertransformationsteil (424), der das Fourierbild (F) nach der Raumfilterverarbeitung einer inversen Fouriertransformation unterzieht, um dadurch das die Störung (E1-E5) widerspiegelnde inverse Fourierbild (R) zu erhalten;
einem Grafiktransformationsteil (43) zur Transformation des inversen Fourierbilds (R) in eine Grafik; und
einem Grafikkorrekturteil (50) zur Korrektur der durch die Layoutdaten definierten Grafik in einer derartigen Richtung, daß die Störung (E1-E5) unterdrückt wird, indem die von dem Grafiktransformationsteil. (43) ausgegebene Grafik mit der durch die Layoutdaten definierten Grafik verglichen wird, und zur Ausgabe des Ergebnisses als die Maskendaten.
2. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach Anspruch 1,
wobei
die Störung (E1-E5) eine bei einer Erzeugung der
Übertragungsmaske (60) durch ein auf den Maskendaten
basierendes Elektronenstrahlzeichnen verursachte
Zeichenstörung (E1) umfaßt.
3. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach Anspruch 1
oder 2, wobei
die Störung (E1-E5) eine bei einer Ausführung einer
Übertragung unter Verwendung der basierend auf den
Maskendaten erzeugten Übertragungsmaske (60) bei einem
Übertragungsbild verursachte Übertragungsstörung (E2)
umfaßt.
4. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, wobei
die Störung (E1-E5) eine bei einer Ausführung eines
selektiven Ätzens unter Verwendung eines durch eine
Übertragung der basierend auf den Maskendaten erzeugten
Übertragungsmaske (60) erzeugten Resistmusters (102) bei
einem Ätzmuster verursachte Ätzstörung (E3) umfaßt.
5. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, wobei
die Störung (E1-E5) eine bei einer Ausführung einer
Polierverarbeitung bei einer aufgebrachten Schicht (104)
nach einer Ausführung eines selektiven Ätzens mit einem
durch eine Übertragung der basierend auf den Maskendaten
erzeugten Übertragungsmaske (60) erzeugten Resistmuster
(102) bei einem polierten Muster verursachte Polierstörung
(E4) umfaßt.
6. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, wobei
die Störung (E1-E5) eine bei einer Ausführung einer
Rückätzverarbeitung bei einer aufgebrachten Schicht (104)
nach einer Ausführung eines selektiven Ätzens mit einem
durch eine Übertragung der basierend auf den Maskendaten
erzeugten Übertragungsmaske (60) erzeugten Resistmuster
(102) bei dem dem Rückätzen unterzogenen Muster verursachte
Rückätzstörung (E5) umfaßt.
7. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der
Ansprüche 1 bis 6, wobei
der Fouriertransformationsteil (421) umfaßt:
einen Grafikteilungsteil (4211), der das Grundelement (10, 11, 12) in eine Gruppe von Elementgrafiken in der Form eines Dreiecks (10a), Vierecks (10c, 10d) oder Kreises teilt; und
einen Elementgrafikfouriertransformationsteil (4212) zur Ausführung einer Fouriertransformation pro Elementgrafik der Gruppe von Elementgrafiken (10a, 10c, 10d), um dadurch ihre jeweiligen Fourierbilder (F) zu erhalten.
einen Grafikteilungsteil (4211), der das Grundelement (10, 11, 12) in eine Gruppe von Elementgrafiken in der Form eines Dreiecks (10a), Vierecks (10c, 10d) oder Kreises teilt; und
einen Elementgrafikfouriertransformationsteil (4212) zur Ausführung einer Fouriertransformation pro Elementgrafik der Gruppe von Elementgrafiken (10a, 10c, 10d), um dadurch ihre jeweiligen Fourierbilder (F) zu erhalten.
8. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach Anspruch 7,
wobei
der Elementgrafikfouriertransformationsteil (4212)
eine Integralberechnung unter Verwendung einer primitiven
Funktion (F(x)) analytisch ausführt, wenn zum Erhalten des
Fourierbilds (F) eine Berechnung von
Raumfrequenzkomponenten ausgeführt wird.
9. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der
Ansprüche 1 bis 8 mit einem Maschenerzeugungsteil (41) zur
Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs (L) im Realbereich
und dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in
dem Bilderzeugungsbereich, wobei
der Maschenerzeugungsteil (41) umfaßt:
einen Minimalkorrelationsabstandsberechnungsteil (411) zur Berechnung eines Minimalkorrelationsabstands bei dem Herstellungsprozeß basierend auf der Herstellungsprozeßbedingung; und
einen Maschenanzahloptimierungsteil (413) zur Bestimmung der Anzahl der Maschen entlang zwei sich in dem Bilderzeugungsbereich (L) kreuzenden Richtungen derart, daß die Maschenausdehnung die größte in dem den Minimalkorrelationsabstand nicht übersteigenden Spektrum ist und die Anzahl der Maschen eine positive Ganzzahl ist.
einen Minimalkorrelationsabstandsberechnungsteil (411) zur Berechnung eines Minimalkorrelationsabstands bei dem Herstellungsprozeß basierend auf der Herstellungsprozeßbedingung; und
einen Maschenanzahloptimierungsteil (413) zur Bestimmung der Anzahl der Maschen entlang zwei sich in dem Bilderzeugungsbereich (L) kreuzenden Richtungen derart, daß die Maschenausdehnung die größte in dem den Minimalkorrelationsabstand nicht übersteigenden Spektrum ist und die Anzahl der Maschen eine positive Ganzzahl ist.
10. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach Anspruch 9,
wobei
der Maschenanzahloptimierungsteil (413) die positive Ganzzahl auf eine positive Ganzzahl n beschränkt, die durch n = 2i3j5k (i, j und k sind jeweils Null oder eine positive Ganzzahl) definiert ist; und
der Fouriertransformationsteil (421) die Fouriertransformation unter Verwendung der schnellen Fouriertransformation ausführt.
der Maschenanzahloptimierungsteil (413) die positive Ganzzahl auf eine positive Ganzzahl n beschränkt, die durch n = 2i3j5k (i, j und k sind jeweils Null oder eine positive Ganzzahl) definiert ist; und
der Fouriertransformationsteil (421) die Fouriertransformation unter Verwendung der schnellen Fouriertransformation ausführt.
11. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der
Ansprüche 1 bis 8 mit:
einem Maschenerzeugungsteil (41) zur Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs (L) im Realbereich und dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in dem Bilderzeugungsbereich (L);
einem Maschenhinzufügungsteil (441) zur Hinzufügung einer neuen Masche in den nach der Raumfilterverarbeitung erhaltenen Bilddaten; und
einem Neue-Masche-Dateneinstellungsteil (442) zur Einstellung des Werts von Null in den Bilddaten auf der hinzugefügten Masche und zur Ausgabe des Ergebnisses zusammen mit den Bilddaten vor der Hinzufügung der Masche daraufhin, und
wobei der Invers-Fouriertransformationsteil (424) die inverse Fouriertransformation der von dem Neue-Masche- Dateneinstellungsteil (442) ausgegebenen Bilddaten ausführt.
einem Maschenerzeugungsteil (41) zur Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs (L) im Realbereich und dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in dem Bilderzeugungsbereich (L);
einem Maschenhinzufügungsteil (441) zur Hinzufügung einer neuen Masche in den nach der Raumfilterverarbeitung erhaltenen Bilddaten; und
einem Neue-Masche-Dateneinstellungsteil (442) zur Einstellung des Werts von Null in den Bilddaten auf der hinzugefügten Masche und zur Ausgabe des Ergebnisses zusammen mit den Bilddaten vor der Hinzufügung der Masche daraufhin, und
wobei der Invers-Fouriertransformationsteil (424) die inverse Fouriertransformation der von dem Neue-Masche- Dateneinstellungsteil (442) ausgegebenen Bilddaten ausführt.
12. Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der
Ansprüche 1 bis 8 mit:
einem Maschenerzeugungsteil (41) zur Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs (L) im Realbereich und dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in dem Bilderzeugungsbereich (L); und
einem Maschenentfernungsteil (451) zur Entfernung einiger der Maschen aus den nach der Raumfilterverarbeitung erhaltenen Bilddaten, und
wobei der Invers-Fouriertransformationsteil (424) die inverse Fouriertransformation der von dem Maschenentfernungsteil (451) ausgegebenen Bilddaten ausführt.
einem Maschenerzeugungsteil (41) zur Einstellung eines Bilderzeugungsbereichs (L) im Realbereich und dem Fourierbereich und zur Einstellung von Maschen in dem Bilderzeugungsbereich (L); und
einem Maschenentfernungsteil (451) zur Entfernung einiger der Maschen aus den nach der Raumfilterverarbeitung erhaltenen Bilddaten, und
wobei der Invers-Fouriertransformationsteil (424) die inverse Fouriertransformation der von dem Maschenentfernungsteil (451) ausgegebenen Bilddaten ausführt.
13. Vorrichtung zur höheren Abtastung (80), die diskrete
Daten einer höheren Abtastung unterzieht, mit:
einem Fouriertransformationsteil (81) zur Transformation der diskreten Daten in einen Satz von Frequenzkomponenten durch eine Ausführung einer Fouriertransformation der im eindimensionalen oder mehrdimensionalen Raum definierten diskreten Daten;
einem Maschenhinzufügungsteil (82) zur Gestaltung des Satzes von Frequenzkomponenten zu Daten auf in dem Fourierbereich der gleichen Dimension wie der einen Dimension oder mehr Dimensionen eingestellten Maschen und zur Hinzufügung einer neuen Masche in dem Fourierbereich;
einem Neue-Masche-Dateneinstellungsteil (83) zur Einstellung des Werts von Null in den Daten auf der hinzugefügten Masche und zur Ausgabe des Ergebnisses zusammen mit den Daten auf den Maschen vor der Hinzufügung; und
einem Invers-Fouriertransformationsteil (84), der eine inverse Fouriertransformation der von dem Neue-Masche- Dateneinstellungsteil (83) ausgegebenen Daten ausführt.
einem Fouriertransformationsteil (81) zur Transformation der diskreten Daten in einen Satz von Frequenzkomponenten durch eine Ausführung einer Fouriertransformation der im eindimensionalen oder mehrdimensionalen Raum definierten diskreten Daten;
einem Maschenhinzufügungsteil (82) zur Gestaltung des Satzes von Frequenzkomponenten zu Daten auf in dem Fourierbereich der gleichen Dimension wie der einen Dimension oder mehr Dimensionen eingestellten Maschen und zur Hinzufügung einer neuen Masche in dem Fourierbereich;
einem Neue-Masche-Dateneinstellungsteil (83) zur Einstellung des Werts von Null in den Daten auf der hinzugefügten Masche und zur Ausgabe des Ergebnisses zusammen mit den Daten auf den Maschen vor der Hinzufügung; und
einem Invers-Fouriertransformationsteil (84), der eine inverse Fouriertransformation der von dem Neue-Masche- Dateneinstellungsteil (83) ausgegebenen Daten ausführt.
14. Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung (90), die
diskrete Daten einer niedrigeren Abtastung unterzieht, mit:
einem Fouriertransformationsteil (81) zur Transformation der diskreten Daten in einen Satz von Frequenzkomponenten durch eine Ausführung einer Fouriertransformation der im eindimensionalen oder mehrdimensionalen Raum definierten diskreten Daten;
einem Maschenentfernungsteil (85) zur Gestaltung des Satzes von Frequenzkomponenten zu Daten auf in dem Fourierbereich der gleichen Dimension wie der einen Dimension oder mehr Dimensionen eingestellten Maschen und zur Ausgabe des Ergebnisses nach einer Entfernung eines Teils der Maschen in dem Fourierbereich; und
einem Invers-Fouriertransformationsteil (84), der eine inverse Fouriertransformation der von dem Maschenentfernungsteil (85) ausgegebenen Daten ausführt.
einem Fouriertransformationsteil (81) zur Transformation der diskreten Daten in einen Satz von Frequenzkomponenten durch eine Ausführung einer Fouriertransformation der im eindimensionalen oder mehrdimensionalen Raum definierten diskreten Daten;
einem Maschenentfernungsteil (85) zur Gestaltung des Satzes von Frequenzkomponenten zu Daten auf in dem Fourierbereich der gleichen Dimension wie der einen Dimension oder mehr Dimensionen eingestellten Maschen und zur Ausgabe des Ergebnisses nach einer Entfernung eines Teils der Maschen in dem Fourierbereich; und
einem Invers-Fouriertransformationsteil (84), der eine inverse Fouriertransformation der von dem Maschenentfernungsteil (85) ausgegebenen Daten ausführt.
15. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer
Musterstruktur mit den Schritten:
- a) Erzeugen von Maskendaten unter Verwendung der Maskendatenkorrekturvorrichtung (29) nach einem der Ansprüche 1 bis 12;
- b) Erzeugen einer Übertragungsmaske (60) unter Verwendung der in dem Schritt (a) erzeugten Maskendaten;
- c) Ausbilden eines Resists (101) auf der Oberfläche eines Materials (100) einer herzustellenden Vorrichtung;
- d) Übertragen der in dem Schritt (b) erzeugten Übertragungsmaske (60) auf den Resist (101);
- e) Strukturieren des Resists (101) in der in dem Schritt (d) übertragenen Musterform; und
- f) Ausführen einer selektiven Verarbeitung des Materials unter Verwendung des gemusterten Resists (102) als eine Abschirmung.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10355264A1 (de) * | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verbesserung eines Simulationsmodells der photolithographischen Projektion |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020123866A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-09-05 | Lin Benjamin Szu-Min | Optical proximity correction algorithm for pattern transfer |
JP4156221B2 (ja) * | 2001-10-11 | 2008-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 光学構造体 |
US7233887B2 (en) * | 2002-01-18 | 2007-06-19 | Smith Bruce W | Method of photomask correction and its optimization using localized frequency analysis |
US7457736B2 (en) * | 2002-11-21 | 2008-11-25 | Synopsys, Inc. | Automated creation of metrology recipes |
US7315636B2 (en) * | 2003-09-18 | 2008-01-01 | Accuray, Inc. | Generation of reconstructed images |
JP4562374B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2010-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 転写用マスクデータ補正装置 |
KR100846633B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2008-07-16 | 삼성전자주식회사 | 패턴 결함 검출 방법 및 장치 |
US7923815B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | DRAM having deep trench capacitors with lightly doped buried plates |
JP5159501B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8392009B2 (en) * | 2009-03-31 | 2013-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Advanced process control with novel sampling policy |
CN111580359B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-06-18 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种用于超分辨光刻精密掩模的智能校正装置控制系统 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3245882B2 (ja) * | 1990-10-24 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法、および投影露光装置 |
JP3343919B2 (ja) * | 1991-08-22 | 2002-11-11 | 株式会社ニコン | マスク及び回路素子製造方法並びに露光方法 |
JP2658679B2 (ja) * | 1991-10-21 | 1997-09-30 | 三菱電機株式会社 | 位相シフトマスク設計データ検証装置 |
JPH06163351A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置 |
JPH06204112A (ja) * | 1992-12-30 | 1994-07-22 | Sony Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2531114B2 (ja) * | 1993-10-29 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | 光強度分布解析方法 |
JP3418768B2 (ja) | 1994-04-18 | 2003-06-23 | 大日本印刷株式会社 | 集積回路マスクパターンデータの演算処理方法 |
JPH08297692A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法 |
JPH09167731A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置、収差評価用マスクパタン、収差量評価方法、収差除去フィルター及び半導体装置の製造方法 |
JPH10282635A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Sony Corp | パターンデータ補正方法、電子線描画方法、フォトマスク及びその作製方法、露光方法、半導体装置及びその製造方法、並びにパターンデータ補正装置 |
US6078738A (en) * | 1997-05-08 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization |
JP3784136B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2006-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 投影露光装置および投影露光方法 |
JPH11110585A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 三次元画像表示装置およびそのデータ削減方法 |
US6091845A (en) * | 1998-02-24 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Inspection technique of photomask |
JPH11272724A (ja) | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 階層データの演算処理方法及び演算処理装置 |
US6263299B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-07-17 | Lsi Logic Corporation | Geometric aerial image simulation |
US6171731B1 (en) * | 1999-01-20 | 2001-01-09 | Lsi Logic Corporation | Hybrid aerial image simulation |
US6496597B1 (en) * | 1999-03-03 | 2002-12-17 | Autodesk Canada Inc. | Generating image data |
JP4580134B2 (ja) * | 2000-01-20 | 2010-11-10 | エルエスアイ コーポレーション | 幾何学的エアリアルイメージシミュレーション |
-
2000
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- 2001-04-06 TW TW090108272A patent/TW492070B/zh not_active IP Right Cessation
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10355264A1 (de) * | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verbesserung eines Simulationsmodells der photolithographischen Projektion |
DE10355264B4 (de) * | 2003-11-26 | 2008-08-14 | Qimonda Ag | Verfahren zur Verbesserung eines Simulationsmodells der photolithographischen Projektion |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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