DE10125397A1 - Verfahren zum Bohren von Mikrolöchern mit einem Laserstrahl - Google Patents
Verfahren zum Bohren von Mikrolöchern mit einem LaserstrahlInfo
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Abstract
Zum Bohren von Mikrolöchern in einem Mehrschichtsubstrat mit einer ersten und mindestens einer zweiten Metallschicht (11, 12) und mit jeweils einer zwischen zwei Metallschichten angeordneten Dielektrikumsschicht (13) wird ein Festkörperlaser (1) eingesetzt, mit dessen Strahl in einer ersten Stufe die erste Metallschicht (11) und in einer zweiten Stufe die Dielektrikumsschicht (13) bis zur zweiten Metallschicht (12) abgetragen wird. In der ersten Stufe wird der Laserstrahl auf eine Wiederholfrequenz von mindestens 15 kHz eingestellt, auf die erste Metallschicht fokussiert und in einem Kreis entsprechend dem Durchmesser des gewünschten Loches in so vielen Durchgängen bewegt, bis diese Metallschicht durchschnitten ist. Danach wird der Laserstrahl in der zweiten Stufe auf eine vorzugsweise geringere Wiederholfrequenz eingestellt, außer Fokus auf die im Loch freigelegte Dielektrikumsschicht (13) gerichtet und mit einer gegenüber der ersten Stufe höheren Umlaufgeschwindigkeit in einem oder mehreren konzentrischen Kreisen bewegt, bis die Dielektrikumsschicht im Lochbereich abgetragen ist. Die wirksame Energiedichte in der zweiten Stufe wird durch Einstellung der Defokussierung und der Umlaufgeschwindigkeit so gewählt, daß die wirksame Energiedichte unterhalb der Schwelle für eine Abtragung der zweiten Metallschicht liegt.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bohren von Mikrolö
chern in einem Mehrschichtsubstrat mit einer ersten und min
destens einer zweiten Metallschicht und mit jeweils einer
zwischen zwei Metallschichten angeordneten Dielektrikums
schicht durch Bestrahlung mit dem Energiestrahl eines Fest
körperlasers, wobei die Bestrahlung in zwei Stufen derart er
folgt, daß in der ersten Stufe jeweils die erste Metall
schicht und ein Teil der darunterliegenden Dielektrikums
schicht und daß in der zweiten Stufe die Dielektrikumsschicht
sauber bis auf die zweite Metallschicht abgetragen wird.
Im Zuge der Miniaturisierung von elektrischen Schaltungssub
straten ist es zunehmend erforderlich, sowohl Durchgangslö
cher als auch Sacklöcher mit Durchmessern von weniger als 200
µm zu erzeugen, die kaum noch mit mechanischen Bohrern oder
Stanznadeln erzeugt werden können. In diesem Bereich ist es
schon lange üblich, Mikrolöcher mittels Laserbohren herzu
stellen. Allerdings ergibt sich dabei das Problem, daß die
unterschiedlichen Materialien, also Leitermaterialien, wie
Kupfer, einerseits und Dielektrika, wie etwa Polymere mit und
ohne Glasfaserverstärkung, andererseits gänzlich unterschied
liche Anforderungen an die Laserbearbeitung stellen. So ist
es durchaus bekannt, welche Laser in welchem Wellenlängenbe
reich optimal für das Bohren in Metallen oder für das Bohren
in Kunststoffen geeignet sind. Probleme treten dann auf, wenn
Mehrschichtsubstrate mit ein und demselben Laser durchgebohrt
oder zur Herstellung einer leitenden Verbindung zu einer me
tallischen Zwischenlage mit Sacklöchern versehen werden sol
len. Beim Bohren derartiger unterschiedlicher Materialschich
ten können negative thermische Effekte auftreten, wie bei
spielsweise Ablöseeffekte zwischen Metallschichten und Die
lektrikumsschichten, Schädigung des Dielektrikums selbst oder
ein unbeabsichtigtes Durchbohren einer Metallschicht, die mit
einem Sackloch kontaktiert werden soll.
In der US 5 593 606 A ist ein Verfahren zum Bohren von Mi
krolöchern in einem Mehrschichtsubstrat beschrieben, bei dem
mittels eines UV-Lasers mit ein und derselben Dimensionierung
mindestens zwei Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften
vollständig durchgebohrt werden sollen. Wenn allerdings der
Laserstrahl so dimensioniert ist, daß er eine erste Metall
schicht durchbohrt und danach eine Dielektrikumsschicht voll
ständig abträgt, besteht ohne weiteres die Gefahr, daß er an
der zweiten Metallschicht nicht rechtzeitig zum Stehen kommt
und daß dabei die zweite Metallschicht mehr oder weniger mit
angegriffen wird, wenn nicht durch entsprechende Meßeinrich
tungen das Erreichen der gewünschten Bohrtiefe festgestellt
und der Bohrvorgang rechtzeitig gestoppt wird.
Um diesem Problem zu begegnen, wird in der US 5 841 099 ein
zweistufiges Verfahren (beim Bohren von zwei Schichten) vor
geschlagen, wobei der Laser in einer ersten Stufe zum Bohren
einer ersten Metallschicht auf eine höhere Energiedichte ein
gestellt wird und wobei in der zweiten Stufe zum Bohren einer
Dielektrikumsschicht die Energiedichte des Lasers soweit ge
senkt wird, daß die Schwelle zur Verdampfung von Metall un
terschritten wird. Damit kann der Laser aufgrund seiner nied
rigeren Energiedichte eine an die Dielektrikumsschicht an
grenzende zweite Metallschicht nicht mehr durchbohren. Um
diese niedrigere Energiedichte in der zweiten Stufe einzu
stellen, wird dort vorgeschlagen, die Wiederholrate des La
sers zu erhöhen. Allerdings erhält man auf diese Weise keine
optimale Ausnutzung der Laserenergie und keine optimale Bear
beitungsgeschwindigkeit.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, das eingangs
genannte zweistufige Verfahren zum Bohren von Mikrolöchern
mittels eines Lasers so zu gestalten, daß die Mikrolöcher in
guter Qualität und mit möglichst hoher Bearbeitungsgeschwin
digkeit unter optimaler Ausnutzung der Laserleistung erzeugt
werden können.
Erfindungsgemäß wird dieses Ziel erreicht mit einem Verfahren
zum Bohren von Mikrolöchern in einem Mehrschichtsubstrat mit
einer ersten und mindestens einer zweiten Metallschicht und
mit jeweils einer zwischen zwei Metallschichten angeordneten
Dielektrikumsschicht durch Bestrahlung mit dem Energiestrahl
eines Festkörperlasers mit einer Wiederholfrequenz von minde
stens 10 kHz, einer Wellenlänge von weniger als 1100 nm und
einer Pulslänge von weniger als 50 ns, wobei die Bestrahlung
in zwei Stufen derart erfolgt, daß in der ersten Stufe je
weils die erste Metallschicht und ein Teil der darunterlie
genden Dielektrikumsschicht und daß in der zweiten Stufe die
Dielektrikumsschicht sauber bis auf die zweite Metallschicht
abgetragen wird, mit folgenden Schritten:
- - in der ersten Stufe wird der Laserstrahl auf eine Wieder holfrequenz von mindestens 15 kHz eingestellt, auf die er ste Metallschicht fokussiert und mit einer ersten Umlauf geschwindigkeit in einem Kreis entsprechend dem Durchmes ser des gewünschten Loches in so vielen Durchgängen be wegt, bis zumindest die erste Metallschicht durchschnitten ist, wobei die Metallschicht im Lochbereich vollständig entfernt wird und
- - in der zweiten Stufe wird der Laserstrahl auf eine gleiche oder geringere Wiederholrate wie in der ersten Stufe ein gestellt, außer Fokus auf die im Loch freigelegte Dielek trikumsschicht gerichtet und mit einer Umlaufgeschwindig keit, die höher ist als die erste, in einem oder mehreren konzentrischen Kreisen innerhalb des gewünschten Loch durchmessers in so vielen Durchgängen bewegt, bis die Die lektrikumsschicht im Lochbereich abgetragen ist, wobei die Defokussierung und/oder die zweite Geschwindigkeit derart eingestellt werden, daß die wirksame Energiedichte in der zweiten Stufe unterhalb der Schwelle für eine Abtragung der zweiten Metallschicht liegt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird also nicht wie beim
Stand der Technik zur Verringerung der wirksamen Energiedich
te beim Abtragen des Dielektrikums in der zweiten Stufe die
Wiederholfrequenz erhöht, sondern vorzugsweise gesenkt oder
allenfalls auf gleichem Wert gehalten wie in der ersten Stu
fe. Die Verringerung der wirksamen Energiedichte erfolgt
vielmehr durch Defokussierung und damit durch eine Vergröße
rung des Fleckdurchmessers, auf den der Laserstrahl auf
trifft, und außerdem durch eine Erhöhung der Umlaufgeschwin
digkeit, wodurch die Einwirkungszeit der einzelnen Laserim
pulse auf eine bestimmte Fläche verkürzt wird.
Für das Bohren des Loches in der Metallschicht (Kupfer
schicht) in der ersten Stufe genügt in der Regel, daß der La
ser in einem einzigen Kreis entsprechend dem Durchmesser des
gewünschten Loches so oft bewegt wird, bis die Metallschicht
kreisförmig ausgeschnitten ist. Bei Durchmessern bis zu 150
µm löst sich dann der ausgeschnittene Metallkern aufgrund des
Wärmeeffekts von selbst und springt heraus. Bei größeren
Lochdurchmessern kann ein zusätzlicher Impuls zur Erwärmung
auf den freigeschnittenen Metallkern gegeben werden.
Um einen sauberen Lochrand in der Metallschicht zu erzielen,
wird in der ersten Stufe des Laserbohrens eine hohe Überlap
pung (< 50%) der Einzelimpulse, die den Kreis bilden, ange
strebt. Zu diesem Zweck wählt man für diese erste Stufe eine
höhere Wiederholfrequenz von mindestens 15 kHz, vorzugsweise
zwischen 20 und 30 kHz. In diesem Bereich liefern die verfüg
baren Laser zwar nicht mehr die maximale mittlere Leistung.
Doch wird vorzugsweise ein Neodymium-Vanadat-Laser (Nd:VO4-
Laser) verwendet, bei dem der Leistungsabfall bei höheren
Wiederholfrequenzen noch relativ gering ist. So kann bei ei
nem 355 nm-Nd-Vanadat-Laser von 3,5 W mit einem Brennfleck
durchmesser von 12 µm eine lineare Umlaufgeschwindigkeit von
< 175 mm/s erreicht werden. Bei Lasern mit höherer Leistung
können aufgrund höherer Wiederholfrequenzen auch noch höhere
Geschwindigkeiten erreicht werden. Entsprechend gut einsetz
bar ist auch ein Neodym-Vanadat-Laser mit einer Wellenlänge
von 532 nm.
In der zweiten Stufe kann das dielektrische Material durch
Führen des Lasers in mindestens zwei konzentrischen Kreisen
abgetragen werden, wobei in diesem Fall keine Überlappung der
aufeinanderfolgenden Laserpulse erforderlich ist. Hier wird
die Wiederholfrequenz annähernd so gewählt, daß die maximal
verfügbare Laserleistung zum Materialabtrag ausgenutzt wird.
Diese maximale Leistung ergibt sich bekanntlich bei einer et
was geringeren Wiederholfrequenz, beim Nd:VO4-Laser also bei
etwa 10 bis 20 kHz. Die Anpassung der wirksame Energiedichte
auf einen Wert unterhalb der Verdampfungsschwelle für Metall
erfolgt in diesem Fall, wie erwähnt, durch Vergrößerung des
bestrahlten Fleckdurchmessers, also durch eine Defokussierung
bzw. durch eine Veränderung des Vergrößerungsfaktors des Kol
limators. Zusätzlich wird vorzugsweise die Umlaufgeschwindig
keit derart erhöht, daß die einzelnen Pulse nicht mehr nur
auf einen dem Strahldurchmesser entsprechenden Fleck treffen,
sondern ihre Energie durch einen Schmiereffekt auf eine grö
ßere Fläche verteilen.
Bei Verwendung eines Nd-Vanadat-Lasers mit höherer Leistung
ist es auch denkbar, in der zweiten Stufe den Laserstrahl
nicht im Kreis umlaufen zu lassen, sondern den Strahl soweit
aufzuweiten, daß er die gesamte Lochfläche überdeckt. In die
sem Fall wird das Dielektrikum mit einer zentralen Einstel
lung des Strahls abgetragen, wobei das in der ersten Stufe
aus der Metallschicht ausgeschnittene Loch als Maske dient.
Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen an
hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 eine schematisch gezeigte Laseranordnung mit einer
Einstellung für die erste Stufe des erfindungsgemäßen Verfah
rens,
Fig. 2 die Laseranordnung von Fig. 1 mit einer Einstellung
für die zweite Stufe des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 3A bis 3C eine Schnittdarstellung eines Substrats in
verschiedenen Verfahrensstadien beim Bohren eines Mikroloches
in einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfah
rens,
Fig. 4 eine schematische Darstellung der Führung des Laser
strahls in der ersten Stufe des erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Erzeugung des Loches gemäß Fig. 3A und 3B,
Fig. 5 eine schematische Darstellung der Führung des Laser
strahls in der zweiten Stufe des erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Erzeugung des Loches gemäß Fig. 3C,
Fig. 6A bis 6C einen Schnitt durch ein Substrat in verschie
denen Stadien bei der Erzeugung eines Mikroloches in einer
zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 7 eine schematische Darstellung der Laserstrahlführung
zur Erzeugung eines Mikroloches in einer Metallschicht gemäß
Fig. 6A und 6B,
Fig. 8 die schematische Darstellung der Laserstrahlführung
in einer Dielektrikumsschicht zur Erzeugung eines Mikroloches
gemäß Fig. 6C,
Fig. 9 ein Diagramm zur Darstellung der mittleren Ausgangs
leistung verschiedener Halbleiterlaser in Abhängigkeit von
der Wiederholfrequenz und
Fig. 10 ein Diagramm zur Darstellung der mittleren Ausgangs
leistung und der Pulsbreite eines Neodym-Vanadat-Lasers mit
355 nm Wellenlänge in Abhängigkeit von der Pulswiederholfre
quenz.
Die in den Fig. 1 und 2 schematisch und keineswegs maß
stabgerecht gezeigte Anordnung zeigt einen Laser 1 mit einer
Ablenkeinheit 2 und einer optischen Abbildungseinheit 3, über
die ein Laserstrahl 4 auf ein Substrat 10 gerichtet wird.
Dieses Substrat 10 besitzt eine obere, erste Metallschicht
(Kupferschicht) 11 sowie eine zweite Metallschicht 12, zwi
schen denen eine Dielektrikumsschicht 13 angeordnet ist. Die
se Dielektrikumsschicht besteht beispielsweise aus einem Po
lymermaterial wie RCC oder einem glasfaserverstärkerten Poly
mermaterial, wie FR4. Während die Metallschicht, die in der
Regel aus Kupfer besteht, immer die gleiche Energiemenge zur
Bearbeitung bzw. Abtragung (bei gleicher Dicke und gleichem
Volumen) erfordert, hängt die benötigte Energiemenge beim
Dielektrikum stark von dessen Zusammensetzung ab. Erwähnt sei
noch, daß das Substrat 10 auch aus mehr als den genannten
drei Schichten bestehen kann, wobei weitere Metallschichten
jeweils durch Dielektrikumsschichten voneinander getrennt
sind und wahlweise durch entsprechende Bohrungen miteinander
und mit der obersten Metallschicht 11 verbunden werden kön
nen.
Im vorliegenden Beispiel geht es darum, die erste Metall
schicht 11 durch Sacklöcher 14 mit der zweiten Metallschicht
12 zu verbinden, ohne daß die Schicht 12 durchgebohrt wird.
Diese Löcher 14 sollen beispielsweise einen Durchmesser von
etwa 100 bis 120 µm haben. Sie können aber auch größer oder
kleiner sein.
Erfindungsgemäß erfolgt die Bohrung der Löcher in zwei Stu
fen. Fig. 1 zeigt die Anordnung für die erste Stufe, wobei
der Laserstrahl 4 auf einen Brennpunkt F1 auf der Oberfläche
der Schicht 11 fokussiert wird. Die Energie des Laserstrahls
wird dabei auf einen Fleck (Spot) mit einem Durchmesser f1
gerichtet, um die Energie möglichst konzentriert zum Abtrag
der Metallschicht 11 einzusetzen. Dabei wird der Laserstrahl
in einem Kreis mit dem Durchmesser D1 bewegt, wie dies in
Fig. 4 gezeigt ist. Die Umlaufgeschwindigkeit in diesem Kreis
D1 ist so gewählt, daß sich die einzelnen Impulse beispiels
weise mit mehr als 60% überlappen. Auf diese Weise wird ein
glatter Rand aus der Metallschicht geschnitten. Je nach Dicke
der Metallschicht ist eine bestimmte Anzahl von Kreisumläufen
erforderlich, bis diese vollständig durchschnitten ist. Die
Fig. 3A und 3B zeigen den zeitlichen Verlauf dieser Stufe
1 in verschiedenen Stadien. Das Metall wird ringförmig gemäß
Fig. 3A ausgeschnitten, bis die Metallschicht durchtrennt
ist. Danach springt (zumindest bei Lochdurchmessern < 150 µm)
der abgetrennte Kern aufgrund des Wärmeeffekts von selbst
heraus, so daß der Zustand von Fig. 3B entsteht.
Nach dem Durchbohren der Metallschicht 11 wird der Laser ge
mäß Fig. 2 so eingestellt, daß der Brennpunkt F2 außerhalb
des zu bohrenden Lochbereiches liegt, also beispielsweise
s = 2 mm oberhalb der Kupferschicht 12. Im Bereich der zu boh
renden Schicht trifft der Laserstrahl somit auf einen Fleck
mit dem Durchmesser f2. Außerdem wird die Wiederholfrequenz
vorzugsweise verringert, um die maximale Laserenergie zu nut
zen. Der so eingestellte Laserstrahl wird nun wiederum im
Kreis bewegt, und zwar zunächst wieder in einem Kreis mit dem
Durchmesser D1, danach in einem konzentrischen Kreis mit dem
Durchmesser D2. Für normale Lochdurchmesser und Materialstär
ken genügen dabei wenige Umläufe, um auf diese Weise das Die
lektrikumsmaterial bis auf die zweite Metallschicht 12 voll
ständig und sauber abzutragen. Auch wenn bei den Umläufen des
Laserstrahls nicht die gesamte Lochfläche überstrichen wird,
wird doch der Rest des Dielektrikums aufgrund der Wärmeent
wicklung mit verdampft. Je nach den Materialien, Material
stärken und dem gewünschten Lochdurchmesser können natürlich
auch mehr konzentrische Kreise mit dem Laserstrahl ausgeführt
werden. Die Umlaufgeschwindigkeit wird dabei so gewählt, daß
die wirksame Energiedichte unterhalb der Schwelle für die
Verdampfung der zweiten Metallschicht 12 liegt. Es entsteht
schließlich ein Blindloch 14 gemäß Fig. 3C.
Wie anhand der Fig. 1 und 2 erkennbar ist, wird zunächst
für alle Bohrungen 14 die erste Stufe ausgeführt, d. h., daß
für alle vorgesehenen Löcher zunächst die Metallschicht
durchbohrt wird, so daß der Zustand gemäß Fig. 3B erreicht
wird. Danach wird der Laser auf die Stufe 2 eingestellt, und
alle Löcher werden durch Abtragen der Dielektrikumsschicht
fertiggestellt.
Für das in den Fig. 3A bis 3C sowie 4 und 5 dargestellte
Beispiel wurden Bohrungen mit einem Nd:VO4-Laser einer Wel
lenlänge von 355 nm durchgeführt, und zwar mit einem Durch
messer von 110 µm. Dabei wurde unter folgenden Bedingungen
gearbeitet:
Bei dieser Einstellung wurde für die erste Stufe eine Ausbeu
te von 130 Bohrungen pro Sekunde und in der zweiten Stufe ei
ne Ausbeute von 305 Löchern pro Sekunde erzielt.
Ein weiteres Beispiel mit etwas abgewandelter Einstellung sei
anhand der Fig. 6A bis 6C, 7 und 8 erläutert. Wie im vor
hergehenden Beispiel besteht die Metallschicht wiederum aus
Kupfer, während die Dielektrikumsschicht nunmehr aus mit
Glasfaser verstärktem FR4 besteht. Um auch in diesem Fall das
Loch möglichst effektiv zu erzeugen, werden in der Stufe 1
mehr Umläufe des Laserstrahls 4 angewandt, als allein für das
Durchschneiden der Metallschicht 11 notwendig wäre. Auf diese
Weise wird bereits in der ersten Stufe tief in die Dielektri
kumsschicht 12 eingeschnitten, zumindest im Randbereich (
Fig. 6B). Um eine möglichst hohe Laserenergie zur Verfügung zu
haben, wird in diesem Fall die Wiederholfrequenz niedriger
gewählt, nämlich 20 kHz. Dadurch überschneiden sich die ein
zelnen Pulse weniger als im vorhergehenden Beispiel, wie in
Fig. 7 im Vergleich zu Fig. 4 zu sehen ist. Dies wird aber
durch die größere Zahl von Umläufen ausgeglichen, so daß
trotzdem im Kupfer ein glatter Rand entsteht. In der zweiten
Stufe ist der Laser auf die gleiche Wiederholfrequenz von 10
kHz wie im ersten Beispiel eingestellt. Allerdings genügt
hier bereits ein Umlauf des Laserstrahls (in zwei konzentri
schen Kreisen D1 und D2), um den verbleibenden Rest des Die
lektrikums abzutragen. Im einzelnen galten bei diesem Bei
spiel folgende Werte:
Bei diesem zweiten Beispiel konnte für die erste Stufe eine
Ausbeute von 77 Bohrungen pro Sekunde und in der zweiten Stu
fe eine Ausbeute von 543 Bohrungen pro Sekunde erzielt wer
den.
In Fig. 9 sind die Nd:VO4-Laser mit 355 nm bzw. 532 nm den
entsprechenden Nd:YAG-Lasern hinsichtlich ihrer Leistung bei
bestimmten Wiederholfrequenzen gegenübergestellt. Dabei wird
deutlich, daß die Nd:VO4-Laser in ihrer mittleren Leistung
oberhalb von 10 kHz Wiederholfrequenz deutlich ansteigen und
ihr Maximum zwischen 20 und 30 kHz erreichen, während die
Nd:YAG-Laser ihr Maximum bei 5 kHz haben und danach stark ab
fallen. Daraus wird deutlich, daß die Nd:VO4-Laser für das
erfindungsgemäße Verfahren deutliche Vorteile bieten.
Fig. 10 zeigt noch einmal den Verlauf der Leistung zusammen
mit der Pulsbreite in Abhängigkeit von der Wiederholfrequenz
für einen Nd:VO4-Laser mit 355 nm Wellenlänge. Daraus wird
deutlich, daß in dem vorzugsweise benutzten Bereich der Wie
derholfrequenz zwischen 10 und 40 kHz einerseits die mittlere
Ausgangsleistung des Lasers im maximalen Bereich liegt, wäh
rend die Pulsbreite unterhalb von etwa 35 ns liegt.
Claims (11)
1. Verfahren zum Bohren von Mikro-Löchern (14)in einem Mehr
schicht-Substrat (10) mit einer ersten (11) und mindestens
einer zweiten (12) Metallschicht und mit jeweils einer zwi
schen zwei Metallschichten angeordneten Dielektrikumsschicht
(13) durch Bestrahlung mit dem Energiestrahl eines Festkör
perlasers (1) mit einer Wiederholfrequenz von mindestens 10
kHz, einer Wellenlänge von weniger als 1100 nm und einer
Pulslänge von weniger als 50 ns, wobei die Bestrahlung in
zwei Stufen derart erfolgt, daß in der ersten Stufe jeweils
die erste Metallschicht und ein Teil der darunterliegenden
Dielektrikumsschicht und daß in der zweiten Stufe die Dielek
trikumsschicht sauber bis auf die zweite Metallschicht abge
tragen wird, mit folgenden Schritten:
- - in der ersten Stufe wird der Laserstrahl (4) auf eine Wie derholfrequenz von mindestens 50 kHz eingestellt, auf die erste Metallschicht (11) fokussiert und mit einer ersten Umlaufgeschwindigkeit in einem Kreis entsprechend dem Durchmesser (D1) des gewünschten Loches in so vielen Durchgängen bewegt, bis zumindest die erste Metallschicht (11) durchschnitten ist, wobei die Metallschicht im Loch bereich vollständig entfernt wird, und
- - in der zweiten Stufe wird der Laserstrahl (4) auf eine gleiche oder geringere Wiederholrate wie in der ersten Stufe eingestellt, außer Fokus auf die im Loch (14) frei gelegte Dielektrikumsschicht (13) gerichtet und mit einer Umlaufgeschwindigkeit, die höher ist als die erste, in ei nem (D1) oder mehreren (D2) konzentrischen Kreisen inner halb des gewünschten Lochdurchmessers in so vielen Durch gängen bewegt, bis die Dielektrikumsschicht im Lochbereich abgetragen ist, wobei die Defokussierung (s) und die zwei te Geschwindigkeit derart eingestellt werden, daß die wirksame Energiedichte in der zweiten Stufe unterhalb der Schwelle für eine Abtragung der zweiten Metallschicht liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Neody
mium-Vanadat-Laser mit einer Wellenlänge von 355 nm verwendet
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Neody
mium-Vanadat-Laser mit einer Wellenlänge von 532 nm verwendet
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Wie
derholfrequenz in der ersten Stufe zwischen etwa 15 kHz und
etwa 40 kHz und in der zweiten Stufe zwischen etwa 10 kHz und
20 kHz eingestellt wird, wobei die Wiederholfrequenz in der
zweiten Stufe immer gleich oder niedriger ist als in der er
sten Stufe.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Wie
derholfrequenz in beiden Stufen auf 15 kHz eingestellt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Um
laufgeschwindigkeit des Laserstrahls (4) in der ersten Stufe
zwischen 200 und 300 mm/s und in der zweiten Stufe zwischen
200 und 600 mm/s beträgt, in jedem Fall aber höher ist als in
der ersten Stufe.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Um
laufgeschwindigkeit in der zweiten Stufe höher als 600 mm/s
beträgt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß bei einem
gewünschten Lochdurchmesser < 150 µm in der ersten Stufe ein
zusätzlicher Kreis von Laserimpulsen auf den Bereich inner
halb des vom Laserstrahl (4) beschriebenen Kreises (D1) ge
richtet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß zunächst
für alle Löcher eines Bearbeitungsbereiches die erste Stufe
ausgeführt wird, daß dann die Lasereinstellung verändert und
die zweite Stufe für alle Löcher des Bereichs durchgeführt
wird.
10. Verfahren zum Bohren von Mikro-Löchern (14) in einem Mehr
schicht-Substrat (10) mit einer ersten (11) und mindestens
einer zweiten (12) Metallschicht und mit jeweils einer zwi
schen zwei Metallschichten angeordneten Dielektrikumsschicht
(13) durch Bestrahlung mit dem Energiestrahl eines Festkör
perlasers (1) mit einer Wiederholfrequenz von mindestens 10
kHz, einer Wellenlänge von weniger als 1100 nm und einer
Pulslänge von weniger als 50 ns, wobei die Bestrahlung in
zwei Stufen derart erfolgt, daß in der ersten Stufe jeweils
die erste Metallschicht und ein Teil der darunterliegenden
Dielektrikumsschicht und daß in der zweiten Stufe die Dielek
trikumsschicht sauber bis auf die zweite Metallschicht abge
tragen wird, mit folgenden Schritten:
- - in der ersten Stufe wird der Laserstrahl (4) auf eine Wie derholfrequenz von mindestens 50 kHz eingestellt, auf die erste Metallschicht (11) fokussiert und mit einer ersten Umlaufgeschwindigkeit in einem Kreis entsprechend dem Durchmesser (D1) des gewünschten Loches in so vielen Durchgängen bewegt, bis zumindest die erste Metallschicht (11) durchschnitten ist, wobei die Metallschicht im Loch bereich vollständig entfernt wird, und
- - in der zweiten Stufe wird der Laserstrahl auf eine gleiche oder geringere Wiederholfrequenz wie in der ersten Stufe eingestellt, und zentrisch auf die im Loch freigelegte Dielektrikumsschicht gerichtet, wobei der Strahl derart defokussiert wird, daß der von ihm bestrahlte Fleck minde stens so groß ist wie die Fläche des zu bohrenden Loches, derart, daß das in der ersten Stufe ausgeschnittene Loch in der Metallschicht als Maske wirkt.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Neo
dymium-Vanadat-Laser mit einer Wellenlänge von 532 nm verwen
det wird.
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---|---|
DE10125397A1 true DE10125397A1 (de) | 2002-12-19 |
DE10125397B4 DE10125397B4 (de) | 2005-03-03 |
Family
ID=7686026
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10125397A Expired - Fee Related DE10125397B4 (de) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | Verfahren zum Bohren von Mikrolöchern mit einem Laserstrahl |
DE50201577T Expired - Lifetime DE50201577D1 (de) | 2001-05-23 | 2002-05-03 | Verfahren zum bohren von mikrolöchern mit einem laserstrahl |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50201577T Expired - Lifetime DE50201577D1 (de) | 2001-05-23 | 2002-05-03 | Verfahren zum bohren von mikrolöchern mit einem laserstrahl |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6610960B2 (de) |
EP (1) | EP1389405B1 (de) |
JP (1) | JP4422413B2 (de) |
KR (1) | KR20040005981A (de) |
CN (1) | CN1248555C (de) |
DE (2) | DE10125397B4 (de) |
WO (1) | WO2002096167A1 (de) |
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EP1389405A1 (de) | 2004-02-18 |
KR20040005981A (ko) | 2004-01-16 |
JP4422413B2 (ja) | 2010-02-24 |
JP2004526577A (ja) | 2004-09-02 |
DE10125397B4 (de) | 2005-03-03 |
DE50201577D1 (de) | 2004-12-23 |
EP1389405B1 (de) | 2004-11-17 |
WO2002096167A1 (de) | 2002-11-28 |
CN1248555C (zh) | 2006-03-29 |
CN1511433A (zh) | 2004-07-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: HITACHI VIA MECHANICS,LTD., EBINA, KANAGAWA, JP |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: BEETZ & PARTNER PATENTANWAELTE, 80538 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |