DE10130942A1

DE10130942A1 - Magnetplatte, die einen ersten Kohlenstoffüberzug mit hohem SP3-Gehalt und einen zweiten Kohlenstoffüberzug mit niedrigem SP3-Gehalt aufweist

Info

Publication number: DE10130942A1
Application number: DE10130942A
Authority: DE
Inventors: Eric Woo Hock Yong; Tsutomu Tom Yamashita; Ching Jackie Tsoi; Wen Liu; Shigeto Hashimoto; Bruce Lairson
Original assignee: Komag Inc
Current assignee: WD Media LLC
Priority date: 2000-06-27
Filing date: 2001-06-27
Publication date: 2002-01-10
Also published as: JP4769376B2; JP2002063717A; US20040137207A1; US6565719B1; US20030027019A1; US6682807B2; US6855232B2

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen einer Magnetplatte, das das Bilden von ersten und zweiten Kohlenstoff-Schutzschichten auf einer Magnetschicht umfaßt. Die erste Kohlenstoff-Schutzschicht ist überwiegend SP3-Kohlenstoff. Die zweite Kohlenstoff-Schutzschicht umfaßt etwa 50% oder weniger SP3-Kohlenstoff. Die zweite Kohlenstoff-Schutzschicht ist sehr dünn, z. B. zwischen 0,1 und 1,0 nm Dicke. Eine Gleitmittelschicht (z. B. eine Perfluorpolyether-Gleitmittelschicht) wird auf die zweite Kohlenstoff-Schutzschicht aufgebracht. Die zweite Kohlenstoff-Schutzschicht erleichtert ein verbessertes Zusammenwirken zwischen Gleitmittel und der Platte.

Description

Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von Magnetplatten, die Kohlenstoff- Schutzüberzüge umfassen, und die resultierenden Magnetplatten.

Fig. 1 veranschaulicht im Querschnitt eine Magnetplatte 10 in einem Plattenlaufwerk 12. Die Magnetplatte 10 umfaßt ein Substrat 14 (z. B. Glas, Glaskeramik oder NiP- platiertes Aluminium), eine Unterschicht 16 (z. B. Cr, eine Cr-Legierung, NiP, NiPAl oder ein anderes geeignetes Material), eine Magnetschicht 18 (z. B. eine Co-Legierung) und einen Schutzüberzug 20 (z. B. Wasserstoff-dotierter Kohlenstoff, Stickstoff-dotierter Kohlenstoff oder Kohlenstoff, der sowohl mit Wasserstoff als auch mit Stickstoff dotiert ist). Eine Gleitmittelschicht 22 (z. B. Perfluorpolyether) ist auf den Schutzüberzug 20 aufgebracht.

Die Magnetplatte 10 ist auf einer Spindel angeordnet, die durch einen Motor 24 gedreht wird. Ein Lese-Schreibkopf 26, der an einer Aufhängung 28 angeordnet ist, "fliegt" über der sich drehenden Platte. Der Kopf 26 umfaßt einen Schieber, der einen harten Al₂O₃-TiC-Körper 30 mit einem Lese-Schreibelement 32, das an der Hinterkante desselben gebildet ist, einschließt. Ein Kohlenstoffüberzug 34 ist auf der Bodenfläche (der luftseitigen Fläche) des Kopfes 26 für tribologische Zwecke gebildet.

Die Magnetschicht 18 erfüllt die Funktion der Datenspeicherung. Der Überzug 20 erfüllt mehrere Funktionen:

a) Er verhindert die Korrosion der Magnetschicht 18.
b) Er ist hart und verhindert eine mechanische Schädigung der Magnetschicht 18.
c) Er zeigt eine geringe statische und dynamische Reibung.
d) Er hält die Gleitmittelschicht 22 auf der Platte 10.
e) Er verhindert einen Verschleiß der Platte 10.

Die Industrie hat viel Zeit und Anstrengung dem Versuch gewidmet, geeignete Kohlenstoff-Filme zu bilden, die auf Magnetplatten als Schutzschichten abgeschieden werden sollen. Beispielsweise diskutiert F. K. King, "Datapoint Thin Film Media", IEEE Trans. Magn., Juli 1982, das Sputtern von Kohlenstoff auf eine Magnetplatte. Das US-Patent 5,045,165, erteilt für Yamashita, diskutiert das Sputtern eines Wasserstoff-dotierten Kohlenstoff-Films auf eine Magnetplatte, um Verschleiß und Korrosion zu verhindern. Yamashita lehrt, daß der Wasserstoff die Verschleißbeständigkeit des Kohlenstoffs erhöht. Die europäische Patentanmeldung EP 0 547 820 diskutiert das Sputtern eines Stickstoff-dotierten Kohlenstoff-Films auf eine Magnetplatte. Die '820-Anmeldung gibt an, daß der Stickstoff die Spannung im Kohlenstoff verringert und die Wahrscheinlichkeit verringert, daß der Kohlenstoff sich von der Platte ablöst. Das US-Patent 5,837,357 diskutiert eine Magnetplatte, die einen Wasserstoff-dotierten Kohlenstoff-Film, der durch einen Stickstoff-dotierten Kohlenstoff-Film abgedeckt ist, umfaßt. Das US-Patent 5,232,570 diskutiert auch das Sputtern von Kohlenstoff auf die Magnetplatte in Gegenwart von Stickstoff. Andere Druckschriften, die auf Kohlenstoffüberzüge für Magnetplatten gerichtet sind, umfassen das US-Patent 5,855,746 und die PCT-Patentanmeldung WO 99/03099. Diese Liste ist jedoch keinesfalls erschöpfend.

Die Kohlenstoffüberzüge für Magnetplatten werden typischerweise durch Sputtern gebildet. Aufgrund des Weges, auf dem diese gebildet werden, umfassen diese überwiegend SP2-Kohlenstoff. Die Industrie hat solche Kohlenstoff-Filme für viele Jahre verwendet und besitzt eine beträchtliche Erfahrung mit diesen Filmen. Somit sind verschiedenartige Typen von Gleitmitteln entwickelt worden, welche auf Filme mit überwiegend SP2-Kohlenstoff aufgebracht werden können, damit diese Filme eine niedrige Reibung und Haftreibung zeigen. (Wie hier verwendet, bedeutet der Begriff "überwiegend SP2-Kohlenstoff", daß von den Kohlenstoffbindungen in dem Film die meisten dieser Bindungen SP2 sind, denn irgendeine andere Art von Bindung. Ebenso bedeutet "überwiegend SP3-Kohlenstoff", daß von den Kohlenstoffbindungen in dem Film mehr SP3 sind, denn irgendein anderer Bindungstyp).

Kürzlich hat Komag (der Zessionar der vorliegenden Erfindung) einen neuen Typ von Kohlenstoffüberzug entwickelt, der mehr als 70% SP3-Kohlenstoff umfaßt. Diese Art von Kohlenstoffüberzug wird von Wen Hong Liu et al. in der US-Patentanmeldung 09/298,107, eingereicht am 22. April 1999, beschrieben, die hiermit durch Bezugnahme aufgenommen ist. Der '107-Kohlenstoff wird abgeschieden, indem man eine neuartige Spannungswellenform auf Kohlenstoff Sputtertargets anwendet. Man hat entdeckt, daß dieser Kohlenstoffüberzug äußerst hart und kratzbeständig ist.

Es gibt andere Typen von Kohlenstoffüberzügen, die hohe SP3-Gehalte aufweisen. Insbesondere kann man einen Kohlenstoff-Film unter Verwendung von chemischer Dampfabscheidung, Ionenstrahlabscheidung, Kathodenbogenabscheidung bilden. Weiler et al., "Deposition of Tetrahedral Hydrogenated Amorphous Carbon Using a Novel Electron Cyclotron Wave Resonance Reactor", Applied Physics Letters, Bd. 72, Nr. 11, 16. März 1998, diskutiert die Ionenstrahlabscheidung von Kohlenstoff. Kang, et al., "Evaluation of the Ion Bombardment Energy for Growing Diamondlike Carbon in an Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition", J. Vac. Sci. Technol. A. 16(4), Juli/August 1998, diskutiert die Verwendung von chemischer Dampfabscheidung, um einen Kohlenstoff-Film zu bilden. J. Robertson, "Ultrathin Carbon Overcoats for Magnetic Storage Technology", TRIB-Bd. 9, Proceedings of the Symposium on Interface Technology Towards 100 GBit/in², ASME 1999, diskutiert die Kathodenbogenabscheidung. Andere Druckschriften umfassen das US-Patent 5,476,691, Brown, "Vacuum Arc Ion Sources", Rev. Sci. Instrum. 65(10), Oktober 1994, Sanders, et al., "Coating Technology Based on the Vacuum Arc - a Review", IEEE Transactions on Plasma Science, Bd. 18, Nr. 6, 1990; und Anders et al., Mechanical Properties of Amorphous Hard Carbon Films Prepared by Cathodic Arc Deposition", Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Bd. 383, 1995. Die japanische Offenlegungsschrift 62-183022 diskutiert das Verwenden eines Plasma-CVD- Verfahrens, um einen Kohlenstoff-Film auf einer Magnetplatte herzustellen. Die Weiler-, Kang-, Robertson-, die '691-Patent-, Brown-, Sanders-, Anders- und die 62- 183022-Druckschriften sind hiermit durch Bezugnahme aufgenommen.

Der SP3-Kohlenstoff hat eine Atomstruktur, die sich von der des SP2-Kohlenstoffs unterscheidet. Folglich kann das Verhalten von SP2-Kohlenstoff sehr verschieden von dem des SP3-Kohlenstoff sein - manchmal in einem nicht vorhersagbaren großen Ausmaß.

Wie zuvor erwähnt, enthält das Magnetplatten-Laufwerk 12 eine Magnetplatte 10 mit einem Kohlenstoff-Schutzüberzug 22 und Gleitmittel 24, die auf die Platte aufgebracht sind. Das Plattensubstrat 14 ist texturiert, um die Reibung und Haftreibung zwischen Platte 12 und dem Lese-Schreibkopf 26 zu minimieren. Die Platte/Lese-Schreibkopf- Grenzfläche stellt ein fein geregeltes tribologisches System dar, das ausgelegt ist, um statische und dynamische Reibung sowie Verschleiß zu minimieren. Die Texturierung der Scheibe, die Zusammensetzung, die Abscheidungsbedingungen und die Struktur der Kohlenstoff-Schutzüberzüge 22 und 34, die weiteren Elemente, die zu den Kohlenstoff- Schutzüberzügen zugegeben werden, die Arten von Gleitmitteln, die Additive in den Gleitmitteln, das Gleitmittel-Aufbringungsverfahren und verwandte Parameter werden basierend auf einer ausgedehnten Forschung bestimmt, um sicherzustellen, daß das Plattenlaufwerk eine große Anzahl von An/Aus(Kontakt-Start-Stop, oder "CSS" (contact-start-stop))-Zyklen überlebt. Das Ändern von einem Element in diesem tribologischen System kann das Verhalten des gesamten Systems verändern. Wenn man beispielsweise einen herkömmlichen Typ von überwiegend SP2-Kohlenstoff mit einem anderen Typ von Kohlenstoff, z. B. einem überwiegend SP3-Kohlenstoff, ersetzen würde, kann dies das Verhalten des tribologischen Systems vollständig ändern.

Lediglich als Beispiel erwähnt, man hat entdeckt, daß, wenn man versucht, den '107- Typ Kohlenstoff und ein Perfluorpolyether-Gleitmittel, wie beispielsweise Z-dol (hergestellt von Montedison Co. aus Italien), das mit einem X1P-Additiv gemischt ist, die erhaltenen Platten aus nicht gut verstandenen Gründen dazu neigen, in Gleittesten nicht zu bestehen. Dies ist besonders interessant und unerwartet, da die Gleitmitteldicke nur etwa 3 nm beträgt, wohingegen der Gleittest bei einer Gleithöhe von etwa 1 Mikrozoll oder etwa 25 nm durchgeführt wird. Es ist somit höchst unerwartet, daß das Gleitmittel mit dem Kohlenstoff-Film auf eine solche Weise interagieren könnte, die einen Fehler in einem Gleittest verursacht, bei dem die Gleithöhe das Achtfache der Gleitmitteldicke beträgt.

Von bestimmten Formen von hohem SP3-Kohlenstoff, der mittels chemischer Dampfabscheidung gebildet wird, hat man gefunden, daß er andere Probleme zeigt, d. h. eine Empfindlichkeit gegenüber bestimmten Arten von Verschmutzungen.

Ein Verfahren in Übereinstimmung mit der Erfindung umfaßt ein Abscheiden von ersten und zweiten Kohlenstoffschichten auf einer Magnetplatte und nachfolgendem Aufbringen eines Gleitmittels auf die Magnetplatte. Bei einer Ausführungsform ist die erste Kohlenstoffschicht vorwiegend SP3-Kohlenstoff. Die erste Schicht kann 70% oder mehr SP3-Bindung enthalten. Die zweite Schicht umfaßt weniger als oder gleich 50% SP3-Bindung. Die zweite Schicht kann äußerst dünn sein, z. B. eine Flash-Schicht mit einer Dicke zwischen 0,1 und 1 nm. Das Gleitmittel kann ein Perfluorpolyether- Gleitmittel sein.

Von Bedeutung ist, daß die Schutzschicht mit hohem SP3-Gehalt äußerst hart ist und verschleiß- sowie kratzbeständig ist. Weil die zweite Schutzschicht so dünn ist, trägt diese nicht wesentlich zu der Trennung von dem Magnetfilm in der Platte und dem Lese-Schreibkopf bei.

Man hat weiter entdeckt, daß, obgleich die zweite Schutzschicht äußerst dünn ist, die Eigenschaften der zweiten Schutzschicht die Art und Weise steuern, in der das Gleitmittel mit der Platte zusammenwirkt. Insbesondere bindet, obgleich die zweite Kohlenstoffschicht nur 0,1 bis 1 nm dick ist, das Gleitmittel mit der und adhäriert an die zweite(n) Kohlenstoffschicht auf die gleiche Weise wie das Gleitmittel mit dem Kohlenstoff auf einer herkömmlichen Magnetplatte zusammenwirken würde. Die zweite Kohlenstoffschicht kann irgendwelche schädlichen Effekte maskieren, die der hohe SP3-Gehalt der ersten Kohlenstoffschicht anderenfalls bei Wechselwirkung der Platte mit dem Gleitmittel haben würde.

Wie zuvor erwähnt, haben die ersten und zweiten Kohlenstoffschichten unterschiedliche Strukturen. Weit die erste Kohlenstoffschicht überwiegend SP3-Bindungen enthält, weist diese eine Dichte auf, die größer als etwa 2,1 g/cc, und typischerweise etwa 2,5 g/cc, ist. Im Unterschied dazu weist die zweite Kohlenstoffschicht eine geringere Dichte, z. B. weniger als etwa 2,1 g/cc, und typischerweise 1,8 g/cc, auf.

Die erste Kohlenstoffschicht weist einen Brechungsindex auf, der größer als 2,0 ist, und typischerweise etwa 2,1. Die zweite Kohlenstoffschicht weist einen geringeren Brechungsindex als die erste Kohlenstoffschicht auf, der weniger als etwa 2,0 und typischerweise etwa 1,8 ist.

Bei einer Ausführungsform hat die erste Kohlenstoffschicht eine geringere Oberflächen energie als die zweite Kohlenstoffschicht. (Ein Weg, die Oberflächenenergie zu messen, erfolgt durch den Wasserkontakt-Energietest. Die Differenz bei dem Wasserkontaktwinkel zwischen den ersten und zweiten Kohlenstoffschichten kann größer als 3 Grad sein und bei einer Ausführungsform größer als etwa 5 Grad. Der Unterschied beim Wasserkontaktwinkel beträgt typischerweise weniger als etwa 8 Grad.)

In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein neuer Typ von Kohlenstoffüberzug in das Herstellungsverfahren für eine Magnetplatte eingebracht, ohne daß die umfassende Optimierung und das umfassende Reengineering erforderlich ist, das normalerweise erfolgt, wenn man eine Änderung an einem der Elemente des tribologischen Systems der Platte und des Lese-Schreibkopfs durchführt. In Übereinstimmung mit diesem Aspekt der Erfindung umfaßt ein Verfahren zum Herstellen einer Magnetplatte ursprünglich die Schritte:

a) Bereitstellen einer Struktur, die ein Substrat mit einer Magnetschicht darauf umfaßt;
b) Abscheiden eines ersten Kohlenstoffüberzugs auf der Magnetschicht (z. B. eines überwiegend SP2-Kohlenstoff-Überzugs, der durch Sputtern gebildet wird); und
c) Aufbringen einer Gleitmittelschicht auf dem Schutzüberzug.

Ein Verfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung umfaßt das Ersetzen des Schritts des Abscheidens des ersten Kohlenstoffüberzugs durch den Schritt des Bereitstellens eines Kohlenstoffüberzugs mit Eigenschaften, die verschieden sind von denen des ersten Überzugs (z. B. eines Überzugs mit überwiegend SP3-Kohlenstoff), gefolgt von dem Schritt eines Abscheidens einer sehr dünnen Schicht von Kohlenstoff unter Verwendung der gleichen oder im wesentlichen gleichen Abscheidungsbedingungen wie derjenigen, die verwendet wurden, um den ersten Kohlenstoffüberzug zu bilden. Die Prozeßgaszusammensetzung, der Druck und die Fließgeschwindigkeit sind beispielsweise die gleichen oder im wesentlichen die gleichen. Die Substratvorspannung und Temperatur können die gleichen oder im wesentlichen die gleichen sein. Somit wirkt die obere Oberfläche der Magnetscheibe, die die sehr dünne Kohlenstoffschicht umfaßt, mit dem Gleitmittel auf die im wesentlichen gleiche Weise wie die zuvor erwähnte erste Kohlenstoffschicht zusammen. Daher ist es nicht notwendig, ein wesentliches Testen und Engineering durchzuführen, die anderenfalls durchgeführt werden müßte, wenn man einfach den ersten Kohlenstoffüberzug mit einem überwiegend SP3-Kohlenstoff-Überzug ersetzt.

Der überwiegend SP3-Kohlenstoff-Überzug kann unter Verwendung des Verfahrens des '107-Patents gebildet werden oder kann durch CVD oder Kathodenbogenabscheidung abgeschieden werden.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 veranschaulicht im Querschnitt ein Magnetplatten-Laufwerk, das in Überein stimmung mit dem Stand der Technik konstruiert ist.

Fig. 2 veranschaulicht im Querschnitt eine Magnetplatte, die in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung konstruiert ist.

Fig. 3 veranschaulicht eine Spannungs- und Stromwellenform, die verwendet werden, um einen Kohlenstoffilm auf eine Magnetplatte zu sputtern.

Ein Verfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung umfaßt die folgenden Schritte. Zuerst wird ein Substrat 100 (Fig. 2) bereitgestellt. Das Substrat kann Glas, Glaskeramik, NiP-platiertes Aluminium oder ein anderes Substratmaterial sein. Das Substrat 100 wird dann texturiert, z. B. unter Verwendung von mechanischen, Laser- oder chemischen Verfahren. (Solche Verfahren sind im Stand der Technik gut bekannt.)

Eine oder mehrere Unterschichten 102 (z. B. Cr, eine Cr-Legierung, NiP, NiAl oder ein anderes Material) wird, beispielsweise durch Sputtern, auf dem Substrat 100 abgeschieden. Die Unterschicht 102 kann etwa 10 bis 30 nm dick sein.

Eine oder mehrere Magnetlegierungsschichten 104 (z. B. eine Co- oder Fe-Legierung) wird, beispielsweise durch Sputtern, auf der Unterschicht 102 abgeschieden. Die Magnetschicht 104 kann etwa 15 nm dick sein. Bei einer Ausführungsform werden die Unterschicht 102 und die Magnetlegierungsschicht 104 unter Verwendung des Verfahrens und der Materialien, die in der US-Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 08/874,753, nunmehr US-Patent Nr. 6,150,015, beschrieben sind, eingereicht von Bertero et al. am 4. Dezember 1997, und hiermit durch Bezugnahme aufgenommen, gebildet.

Ein erster Überzug 108a mit einem relativ hohen SP3-Gehalt wird auf der Magnet legierungsschicht 104 abgeschieden. Der Überzug 108a ist hart und weist beispielsweise etwa 70% oder mehr SP3-Kohlenstoff und typischerweise etwa 80% oder mehr SP3- Kohlenstoff auf, wie beispielsweise durch das Reflexionsenergieverlust-Spektrometer- (REELS, reflection energy loss spectrometer)-Verfahren gemessen. (Das REELS- Verfahren wird von Hsiao-chu Tsai et al. in "Structure and Properties of Sputtered Carbon Overcoats on Rigid Magnetic Media Disks", J. Vac. Sci. Technol. A6(4), Juli/August 1988, hiermit unter Bezugnahme aufgenommen, beschrieben.) Der Überzug 108a minimiert den Verschleiß, die mechanische Beschädigung und die Korrosion der Scheibe. Der Überzug 108a ist typischerweise etwa 2 bis 5 nm dick. Bei einer Ausführungsform wird der Überzug 108a unter Verwendung des Sputterverfahrens, das in der US-Patentanmeldung 09/298,107, nunmehr das US-Patent 6,086,730, eingereicht von Wen Hong Lieu et al. am 22. April 1999, beschrieben ist, gebildet. Bei einer weiteren Ausführungsform kann die Schicht 108a durch chemische Dampfabscheidung (CVD) oder plasmaverstärkte chemische Dampfabscheidung (PECVD) gebildet werden. Während der PECVD wird ein Kohlenwasserstoffgas, wie beispielsweise Ethylen oder Acetylen, in die Bedampfungskammer eingebracht und man läßt es, z. B. durch die Beaufschlagung der Kammer mit elektrischer Energie, zersetzen. Dieses führt zu der Abscheidung von Wasserstoff-dotiertem Kohlenstoff-Film auf der Magnetplatte.

Der Überzug 108a kann durch andere Verfahren gebildet werden, z. B. kathodische Bogenabscheidung oder Ionenstrahlabscheidung (IBD, ion beam deposition), wie beispielsweise wie in den oben aufgenommenen Druckschriften beschrieben.

Ein zweiter Überzug 108b wird auf dem ersten Überzug 108a gebildet und deckt den ersten Überzug 108a kontinuierlich ab, beispielsweise durch Sputtern. Der zweite Überzug 108b ist eine äußerst dünne "Flash"-Schicht, beispielsweise 0,1 bis 1,0 nm dick. (Wie zuvor erwähnt, wirkt diese Flash-Schicht 108b mit einer nachfolgend abgeschiedenen Gleitmittelschicht zusammen. Wie hier verwendet, bedeutet der Begriff "Flash"-Schicht eine Schicht von ausreichender Dicke, um mit der Gleitmittelschicht angemessen zusammenzuwirken, so daß das Gleitmittel ordentlich funktioniert, aber nicht wesentlich dicker als das.) Der Überzug 108b weist einen viel geringeren SP3- Gehalt als der Überzug 108a auf, beispielsweise weniger als oder gleich etwa 50%. Bei einer Ausführungsform liegt der SP3-Gehalt zwischen 40 und 50%. Aufgrund des Unterschieds bei den Strukturen der Überzüge 108a und 108b, haben diese verschiedene Eigenschaften. Bei einer Ausführungsform hat der Kohlenstoff 108a eine Dichte von etwa 2,5 Gramm/cc, wie durch XRR (Röntgenstrahlreflexion) gemessen. Der Kohlenstoff 108b hat eine Dichte von 1,8 Gramm/cc. Der Kohlenstoff 108a weist einen Brechungsindex von 2,1 auf, wie mittels eines Ellipsometers gemessen, wohingegen der Kohlenstoff 108b einen Brechungsindex von 1,9 aufweist.

Bei einer Ausführungsform wird der Kohlenstoff 108b durch Sputtern unter Verwendung eines Prozeßgases, das ein Inertgas, wie beispielsweise Argon, das mit Stickstoff gemischt ist, umfaßt, gebildet. (Wahlweise kann in dem Prozeßgas Wasserstoff enthalten sein.) Der Gasdruck liegt zwischen 2 und 10 mTorr, typischerweise zwischen 4 und 9 mTorr, und bevorzugt zwischen 6 bis 9 mTorr. Die Argon-Flußrate beträgt 50 bis 90 SCCM, und die Stickstoff-Flußrate beträgt 4 bis 10 SCCM. Bei einigen Ausführungsformen wird eine Vorspannung an das Substrat angelegt, aber bei anderen Ausführungsformen wird eine Vorspannung nicht an das Substrat angelegt. Die Leistungsdichte beträgt 1 bis 2 W/cm². Bei einer Ausführungsform kann die Spannung, die an das Sputter-Target angelegt wird, -500 bis -700 Volt betragen. Diese Spannung kann als Pulse angelegt werden. Die Abscheidungsrate der Kohlenstoffschicht 108b beträgt typischerweise wesentlich weniger als die Abscheidungsrate für die Kohlenstoffschicht 108a. Insbesondere liegt die Abscheidungsrate für die Kohlenstoffschicht 108a zwischen 0,1 und 2 nm/Sekunde, und bevorzugt zwischen 0,5 und 1 nm/Sekunde.

Nachdem die Kohlenstoffschicht 108b gebildet ist, wird eine Gleitmittelschicht 110 auf die Scheibe aufgebracht. Das Gleitmittel kann ein Perfluorpolyether-Gleitmittel sein. Ein Beispiel für ein solches Gleitmittel ist Fomblin Z-dol, verkauft von Montedison Co., Italien. Ein Additiv kann zu diesem Gleitmittel zugegeben werden. Ein Beispiel für ein solches Additiv ist Polyphenoxycyclotriphosphazen, das im US-Patent 5,587,217 beschrieben ist, erteilt für Chao et al., das hiermit unter Bezugnahme aufgenommen ist. Ein Additiv, das unter dem Handelsnamen X1P, hergestellt von Dow Chemical Corp., Midland, Michigan, verkauft wird, kann verwendet werden. Das Gleitmittel kann auf die Platte durch Eintauchen der Platte in ein Bad, das Zimmertemperatur aufweist, das eine Mischung des Fomblin Z-dol und X1P umfaßt, aufgebracht werden. Die Geschwindigkeit, mit der die Platte in das Gleitmittelbad eingetaucht wird, kann 1 bis 2 mm/Minute betragen. Wahlweise kann nach dem Eintauchverfahren das Gleitmittel einem Backprozeß unterworfen werden. Die Dicke des Gleitmittels und des Additivs auf der Platte beträgt etwa 3,2 nm, von der etwa 3 nm Z-dol ist und 0,2 nm X1P ist, wie durch das FTIR-Verfahren gemessen.

Bildung einer Kohlenstoffschicht 108a durch Sputtern

Wie zuvor erwähnt, kann die Kohlenstoffschicht 108a unter Verwendung des in der '107-Anmeldung (US-Patent 6,086,730) beschriebenen Verfahrens gebildet werden. Bei einer Ausführungsform dieses Verfahrens wird ein Graphit-Sputtertarget verwendet. Das Prozeßgas umfaßt Argon, Wasserstoff und Stickstoff. Der Argongasfluß beträgt 50 bis 70 SCCM, der Stickstoffgasfluß beträgt 0,5 bis 2,0 SCCM und der Wasserstoffgasfluß beträgt 15 bis 30 SCCM. Die Leistungsdichte beträgt etwa 1 kW/100 cm², d. h. etwa 10 W/cm². Die Vorspannungsversorgung für das Substrat beträgt minus 100 bis minus 200 Volt. Das Magnetron-Sputtern kann angewendet werden. Wahlweise kann das Substrat erwärmt werden. Bei einer Ausführungsform kann eine Sputtervorrichtung, wie beispielsweise eine Anelva-C-3010-Sputtervorrichtung, verwendet werden. Eine andere Vorrichtung, wie beispielsweise eine Ulvac- Sputtermaschine, kann auch verwendet werden. Eine Energieversorgung, z. B. eine RPG Modell Pulsenergieversorgung, hergestellt von ENI Inc., Rochester, New York, kann verwendet werden.

Wie in dem '730-Patent beschrieben, kann eine einzigartige Spannungswellenform an das Sputtertarget angelegt werden. Diese Wellenform umfaßt einen anfänglichen positiven Potentialbereich, z. B. einen Bereich, der etwa 300 Volt sein kann. Danach wird eine negative Spannung an das Target angelegt. Der negative Bereich der Wellenform umfaßt typischerweise einen negativen Puls, dem eine konstante (steady- state) negative Spannung folgt. Der negative Puls ist typischerweise 25% oder mehr größer beim Betrag als der konstante (steady-state) negative Wert. Bei einer Ausführungsform kann der negative Puls zwei- oder dreimal den Betrag der konstanten (steady-state) negativen Spannung haben. Man nimmt an, daß der große negative Ausschlag in der Spannung, die an das Target angelegt wird, vorübergehend eine hohe Abscheidungsrate verursacht und die Kohlenstoffatome können eine viel höhere Energie haben, als sie es während eines herkömmlichen Sputterns haben würden. Man nimmt an, daß diese Spannungswellenform bewirkt, daß der neuartige Schutzüberzug einen größeren SP3-Gehalt aufweist und eine größere Härte zeigt als typische gesputterte Kohlenstoff-Filme. Die Wellenform, die an das Sputtertarget angelegt wird, kann eine Frequenz zwischen etwa 50 kHz und 250 kHz haben.

Fig. 3 veranschaulicht eine Ausführungsform einer Spannungslinie 200, die an ein Sputtertarget, wie es im '730-Patent beschrieben ist, angelegt wird. Die Linie 200 hat einen positiven Peak 201 von etwa 450 Volt, welcher sich nachfolgend auf etwa positiv 150 Volt für etwa 2 µs einstellt. Nachfolgend wird ein großes, negatives Potential angelegt, wenn die Energieversorgung versucht, das Target zu betreiben. Das große, anfängliche, negative Potential (Negativpeak 202) beträgt etwa 1000 Volt bei dieser Ausführungsform. Die Spannung stellt sich dann auf etwa 600 negative Volt ein und hält ein Niveau oder eine konstante (steady state) Spannung 203, bis die Energie abgeschaltet wird und der positive Ausschlag wieder beginnt. Bei einer Ausführungsform ist die Amplitude des Negativpeaks 202 grob proportional zur Pulsbreite. Somit kann der Betrag der negativen Potentialspitze, die das Target aufnimmt, eingestellt werden, um die gewünschten Filmeigenschaften zu erhalten.

Die entsprechende Stromwellenform 210 ist in Fig. 3 unterhalb der Spannungskurve überlagert. Dies zeigt, daß es große Stromschwankungen 211 gibt, wenn die Energie abgeschaltet wird, wenn die Energieversorgung 450 positive Volt an das Target abgibt. Während des großen, negativen 1000 Volt-Ausschlags wird der Strom zu dem Target jedoch konstant bei grob etwa 4 Amp. gehalten. Man wird verstehen, daß dieses charakteristische Verhalten der Wellenform nicht nur eine Funktion der Energieversorgung selbst ist, sondern auch von dem Material, das gesputtert wird, dem Kathodendesign und auch von den Verfahrensbedingungen in der Vakuumkammer abhängt. Der Fachmann wird verstehen, daß es wünschenswert sein kann, die Einstellungen der Energieversorgung (z. B. Frequenz, Pulsbreite und Energie) als auch das Verfahren (z. B. Gaszusammensetzung und Druck) einzustellen, um die Wellenformen, die in Fig. 3 gezeigt sind, und andere Ausführungsformen der Erfindung zu erhalten.

Bei einer Ausführungsform wirkt die Energieversorgung als Stromversorgung, wenn die Spannung negativ wird, z. B. zum Zeitpunkt des großen negativen Spannungsausschlags. Bei einer Ausführungsform kann der negative Spannungspeak auch eine Größe haben, die 50% oder mehr größer als eine kontinuierliche DC-Spannung ist, die an das Target angelegt werden würde, um die gleiche Sputterrate zu erhalten.

Bildung einer Kohlenstoffschicht 108a durch CVD

Bei einer Ausführungsform wird die Kohlenstoffschicht 108a durch CVD (typischerweise plasmaverstärktes CVD oder PECVD) gebildet, indem man 1000 Watt an die CVD-Vorrichtung mit einer Substratvorspannung von 300 V und einem C₂H₄(Ethylen)-Prozeßgas, das mit einer Geschwindigkeit von 150 SCCM fließt, anlegt. Der Druck in der Bedampfungskammer beträgt typischerweise zwischen 20 und 40 mTorr. Die Verfahrenszeit beträgt etwa 5 Sekunden und führt zu 5 nm an überwiegend SP3-Kohlenstoff. Das Substrat wird bei diesem besonderen Beispiel eines CVD- Verfahrens nicht erwärmt. Die Details für dieses Verfahren sind lediglich beispielhaft. Andere Kohlenstoff-haltige Prozeßgase und andere Parameter können auch verwendet werden.

Abwandlung eines bereits bestehenden Herstellungsverfahrens

Wie oben erwähnt, kann ein Lese-Schreibkopf und eine Magnetplatte aus einem sorgfältig konstruierten tribologischen System, das ausgelegt ist, um die Reibung und Haftreibung zwischen dem Lese-Schreibkopf und der Platte zu minimieren, den Verschleiß verringern und die Anzahl von Kontakt-Start-Stop(CSS)-Zyklen, die das Plattenlaufwerk überleben kann, maximieren. Ein großer Anteil an Konstruktionsbemühung ist erforderlich, um diese Ziele zu erreichen. Diese Konstruktionsbemühung umfaßt:

a) Bereitstellen einer geeigneten Plattentextur mit Textureigenschaften von geeigneter Größe, Form und Flächendichte.
b) Bereitstellen einer geeigneten Schutzüberzugszusammensetzung (sowohl auf der Platte als auch auf dem Lese-Schreibkopf). Dieses erfordert das Entwickeln einer geeigneten Zusammensetzung, Dicke und Morphologie und Auswählen eines Abscheidungsverfahrens für den Überzug (z. B. CVD, Sputtern, Kathodenbogenabscheidung oder IBD). Dieses erfordert auch das Bestimmen einer geeigneten Prozeßgaszusammensetzung, einer Fließrate für jede Komponente des Prozeßgases, eines Prozeßgasdruckes, einer Substratvorspannung und Substrattemperatur.
c) Bereitstellen einer Gleitmittelzusammensetzung, Dicke und eines Aufbringungs verfahrens. Dies erfordert auch das Auswählen von Additiven für das Gleitmittel (einschließlich des Auswählens der Konzentration der Additive) und das Entwickeln von geeigneten Gleitmittel-Aufbringungsparametern. (Für ein Eintauchverfahren umfaßt dies beispielsweise das Auswählen der Geschwindigkeit, mit welcher die Platte in das Gleitmittelbad eingetaucht und aus dem Gleitmittelbad entnommen wird und die Badtemperatur.)

Das Ersetzen einer Art eines Schutzüberzugs auf der Platte durch einen anderen Schutzüberzug kann eine schädliche Wirkung auf den Rest des tribologischen Systems haben. Das Bereitstellen eines neuen Kohlenstoffüberzugs auf der Platte kann beispielsweise bewirken, daß die Platte nicht ordentlich mit dem Gleitmittel zusammenwirkt.

In Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Ändern eines Magnetplatten-Herstellungsverfahrens bereitgestellt. Das Verfahren umfaßt ursprünglich einen oder mehrere der Schritte:

a) Bereitstellen eines Substrats (z. B. ein Glassubstrat, Glaskeramiksubstrat, ein NiP-beschichtetes Aluminiumsubstrat oder ein anderes geeignetes Substratmaterial);
b) Bereitstellen einer Unterschicht auf dem Substrat (z. B. Cr, eine Cr- Legierung, NiP, NiAl oder eine andere geeignete Unterschicht, die durch Sputtern abgeschieden wird);
c) Bereitstellen einer Magnetschicht auf der Unterschicht (z. B. eine gesputterte Co- oder Fe-Legierung);
d) Bereitstellen eines anfänglichen. Schutzüberzugs auf dem Substrat (z. B. einen Kohlenstoff-Film, der in Gegenwart von Stickstoff und/oder Wasserstoff gesputtert ist);
e) Aufbringen eines Gleitmittels auf den Schutzüberzug (z. B. ein Perfluor polyether-Gleitmittel, aufgebracht durch Eintauchen).

Lediglich als Beispiel erwähnt, das in der oben aufgenommenen '753-Bertero- Anmeldung beschriebene Verfahren kann verwendet werden, um die Unterschicht und Magnetschicht zu bilden. Der Schutzüberzug kann durch Sputtern unter Verwendung der gleichen Sputterbedingungen, wie diejenigen, die für die Kohlenstoffschicht 108b oben beschrieben wurden, gebildet werden. (Bei einer solchen Ausführungsform ist die an die Abscheidungskammer angelegte Leistung typischerweise größer als die oben erwähnten 1 bis 2 W/cm², um eine geeignet hohe Abscheidungsrate zu erhalten.) Das Gleitmittel kann die oben erwähnte Z-dol-X1P-Mischung sein, die durch Eintauchen aufgebracht wird, mit einer Gesamtdicke von etwa 32 nm.

In Übereinstimmung mit diesem Verfahren kann der Schritt des Abscheidens des Schutzüberzugs ersetzt werden durch den Schritt:

a) Abscheiden eines ersten, überwiegend SP3-Kohlenstoff-Überzugs auf der Magnetschicht; und
b) Abscheiden eines zweiten Kohlenstoffüberzugs auf dem ersten Kohlen stoffüberzug.

Der erste überwiegend SP3-Kohlenstoff-Überzug kann unter Verwendung der Abscheidungsverfahren und -bedingungen, die oben für die Kohlenstoffschicht 108b beschrieben sind, abgeschieden werden. Der erste Kohlenstoffüberzug kann etwa 2 bis 5 nm dick sein. Der zweite Kohlenstoffüberzug kann durch Sputtern unter Verwenden der gleichen oder im wesentlichen gleichen Bedingungen (z. B. der gleichen oder im wesentlichen gleichen Prozeßgaszusammensetzung, Flußraten für die verschiedenartigen Komponenten des Prozeßgases und des Prozeßgasdrucks) wie für den ursprünglichen Schutzüberzug, der ersetzt wird, abgeschieden werden. Die Substratvorspannung und/oder Substrattemperatur kann auch die gleiche oder im wesentlichen die gleiche während der Abscheidung sein. (Typischerweise beträgt die Leistung, die an die Sputtervorrichtung während der Abscheidung des zweiten Kohlenstoff-Schutzüberzugs angelegt wird, weniger als die Leistung, die verwendet wird, um den ursprünglichen Schutzüberzug abzuscheiden. Dieses ermöglicht eine langsamere Abscheidungsrate für den zweiten Kohlenstoff-Schutzüberzug.) Von Bedeutung ist, daß der zweite Kohlenstoff-Schutzüberzug die gleiche oder im wesentlichen die gleiche Zusammensetzung (einschließlich des gleichen oder im wesentlichen des gleichen Wasserstoff- und/oder Stickstoffgehalts) und/oder Morphologie (z. B. SP2- und SP3- Gehalt) wie der ursprüngliche Schutzüberzug hat. Der zweite Kohlenstoff- Schutzüberzug wirkt weiter mit der Gleitmittelschicht auf die gleiche oder im wesentlichen die gleiche Weise wie der ursprüngliche Schutzüberzug zusammen. Somit maskiert, obgleich der ursprüngliche Schutzüberzug durch eine duale Schichtstruktur ersetzt wird, die überwiegend SP3-Kohlenstoff mit einer Struktur umfaßt, die von der des ursprünglichen Schutzüberzugs abweicht, der zweite Kohlenstoff-Schutzüberzug diesen überwiegend SP3-Kohlenstoff und stellt eine kontinuierliche Kohlenstoff- Oberfläche bereit, die sich auf die gleiche Weise wie der ursprüngliche Schutzüberzug verhält und mit dem Gleitmittel und/oder weiteren Komponenten des Systems (z. B. Textur, Schieberoberfläche, etc.) auf die gleiche Weise wie der ursprüngliche Schutzüberzug zusammenwirkt. Somit kann man den ursprünglichen Schutzüberzug durch diesen neuen, überwiegenden SP3-Kohlenstoff ersetzen, ohne daß man sich bei einem beträchtlichen Reengineeren des Kopf-Platte-tribologischen Systems engagieren muß.

Gewerbliche Anwendbarkeit

Eine Platte, die unter Verwendung eines Verfahrens in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung konstruiert ist, wird typischerweise in ein Plattenlaufwerk eingebaut. Diese Platte wird mit einem Motor über eine Spindel gekoppelt. Der Motor dreht die Platte schnell, während ein Lese-Schreibkopf über dem Plattenlaufwerk "fliegt". Der Lese-Schreibkopf wird durch eine Aufhängung an Ort und Stelle gehalten.

Während die Erfindung im Hinblick auf spezifische Ausführungsformen beschrieben wurde, erkennt der Fachmann, daß Änderungen in der Form und bei Details gemacht werden können, ohne daß man den Geist und Umfang der Erfindung verläßt. Beispielsweise kann das Prozeßgas, das verwendet wird, um die Schicht 108b zu bilden, zwischen 0 und 20% Stickstoff, 0 und 20% Wasserstoff zusätzlich zu einem Inertgas umfassen. Bei einigen Ausführungsformen liegt der SP3-Gehalt der Schicht 108b zwischen 30 und 60%, aber noch deutlich weniger als der SP3-Gehalt der Schicht 108a. Die verschiedenartigen Schichten (102 bis 110) können auf einer oder beiden Seiten des Substrats 100 gebildet werden. Folglich liegen sämtliche dieser Änderungen innerhalb der vorliegenden Erfindung.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer Magnetplatte, das die Schritte umfaßt:
Abscheiden einer ersten Kohlenstoffschicht auf der Platte, wobei die erste Kohlenstoffschicht überwiegend SP3-Kohlenstoff umfaßt; und
Abscheiden einer zweiten Kohlenstoffschicht auf der Platte, wobei die zweite Kohlenstoffschicht etwa 60% oder weniger SP3-Kohlenstoff umfaßt, wobei der SP3- Gehalt der zweiten Kohlenstoffschicht geringer ist als der SP3-Gehalt der ersten Kohlenstoffschicht.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die zweite Kohlenstoffschicht weniger als etwa 50% SP3-Kohlenstoff umfaßt.

3. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei die zweite Kohlenstoffschicht mehr als etwa 30% SP3-Kohlenstoff umfaßt.

4. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die zweite Kohlenstoffschicht eine Dicke von weniger als oder gleich etwa 1 nm aufweist.

5. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die zweite Kohlenstoffschicht zwischen 0,1 und 1 nm dick ist.

6. Verfahren gemäß Anspruch 1, das weiter den Schritt des Aufbringens einer Gleitmittelschicht auf die zweite Kohlenstoffschicht umfaßt.

7. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die zweite Kohlenstoffschicht durch Sputtern gebildet wird und die erste Kohlenstoffschicht mittels CVD, PECVD, IBD oder Kathodenbogenabscheidung gebildet wird.

8. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten Kohlenstoffschichten durch Sputtern gebildet werden.

9. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei das Abscheiden der ersten Kohlenstoffschicht umfaßt: Anlegen einer Spannung an ein Sputtertarget, wobei das Sputtertarget Kohlenstoff umfaßt, wobei die Spannung durch eine Energieversorgung in der Form von Pulsen angelegt wird, wobei die Pulse wenigstens einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich umfassen, wobei die Spannung, die während des zweiten Bereichs angelegt wird, negativer ist als die, die während des ersten Bereichs angelegt wird, wobei ein erster Unterbereich des zweiten Bereichs negativer ist als ein zweiter Unterbereich des zweiten Bereichs.

10. Eine Magnetplatte, die umfaßt:
ein Substrat;
eine Magnetschicht, die auf dem Substrat gebildet ist;
eine erste Kohlenstoffschicht, die auf der Magnetschicht gebildet ist, wobei die erste Kohlenstoffschicht überwiegend SP3-Kohlenstoff umfaßt; und
eine zweite Kohlenstoffschicht, die auf der ersten Kohlenstoffschicht gebildet ist, wobei die zweite Kohlenstoffschicht etwa 60% oder weniger SP3-Kohlenstoff umfaßt, wobei der SP3-Gehalt der zweiten Kohlenstoffschicht geringer ist als der SP3-Gehalt der ersten Kohlenstoffschicht.

11. Platte gemäß Anspruch 10, wobei die zweite Kohlenstoffschicht weniger als 50% SP3-Kohlenstoff umfaßt.

12. Platte gemäß Anspruch 10, wobei die zweite Kohlenstoffschicht eine Flash- Kohlenstoffschicht ist. .

13. Platte gemäß Anspruch 12, wobei die zweite Kohlenstoffschicht zwischen 0,1 und 1,0 nm dick ist.

14. Verfahren zum Modifizieren eines Herstellungsprozesses, wobei der Herstellungsprozeß das Bereitstellen eines auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf einer Magnetplatte unter Verwendung eines Parametersatzes umfaßt, wobei das Verfahren das Modifizieren des Prozesses umfaßt, so daß anstelle des Bereitstellens des auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf der Magnetplatte unter Verwendung des Parametersatzes die folgenden Schritte durchgeführt werden:
Abscheiden einer ersten Kohlenstoffschicht auf der Magnetplatte, wobei die erste Kohlenstoffschicht einen SP3-Gehalt von wenigstens etwa 70% aufweist; und
Abscheiden einer zweiten Kohlenstoffschicht unter Verwendung im wesentlichen dieses Parametersatzes, wobei die zweite Kohlenstoffschicht weniger als oder gleich etwa 1,0 nm dick ist.

15. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die erste Kohlenstoffschicht eine Dicke zwischen 2 und 5 nm aufweist.

16. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Abscheiden der zweiten Kohlenstoffschicht ein Sputtern der zweiten Kohlenstoffschicht in einer Sputterkammer umfaßt und die Parameter die Zusammensetzung und den Druck des Gases in der Sputterkammer umfassen.

17. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die Parameter die Substrattemperatur und die Vorspannung umfassen.

18. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die zweite Kohlenstoffschicht eine Dicke von größer als oder gleich etwa 0,1 nm aufweist.

19. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die erste Kohlenstoffschicht wenigstens ein Material, das aus der Gruppe, die aus Stickstoff und Wasserstoff besteht, ausgewählt wird, umfaßt.

20. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die zweite Kohlenstoffschicht wenigstens ein Material, das aus der Gruppe, die aus Stickstoff und Wasserstoff besteht, ausgewählt wird, umfaßt.

21. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die zweite Kohlenstoffschicht weniger als 60% SP3-Kohlenstoff umfaßt.

22. Verfahren zum Modifizieren eines Herstellungsprozesses, wobei der Herstellungsprozeß das Bereitstellen eines auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf einer Magnetplatte unter Verwendung eines Parametersatzes umfaßt, wobei das Verfahren das Modifizieren des Prozesses umfaßt, so daß anstelle des Bereitstellens des auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf der Magnetplatte unter Verwendung des Parametersatzes die folgenden Schritte durchgeführt werden:
Abscheiden einer ersten Kohlenstoffschicht auf der Magnetplatte, wobei die erste Kohlenstoffschicht überwiegend SP3-Kohlenstoff umfaßt; und
Abscheiden einer Flash-Schicht aus Kohlenstoff unter Verwendung des Parametersatzes.

23. Verfahren gemäß Anspruch 22, wobei die erste Kohlenstoffschicht etwa 70% oder mehr SP3-Kohlenstoff umfaßt.

24. Verfahren gemäß Anspruch 22, wobei die Flash-Schicht eine Dicke von weniger als etwa 1 nm aufweist.

25. Verfahren gemäß Anspruch 22, wobei die Flash-Schicht wenigstens ein Material, das aus der Gruppe, die aus Wasserstoff und Stickstoff besteht, ausgewählt wird, umfaßt.

26. Verfahren gemäß Anspruch 22, wobei die erste Kohlenstoffschicht wenigstens ein Material, das aus der Gruppe, die aus Wasserstoff und Stickstoff besteht, ausgewählt wird, umfaßt.

27. Verfahren zum Modifizieren eines Herstellungsprozesses, wobei der Herstellungsprozeß das Bereitstellen eines auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf einer Magnetplatte umfaßt, wobei das Verfahren das Modifizieren des Prozesses umfaßt, so daß anstelle des Bereitstellens des auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf der Magnetplatte die folgenden Schritte durchgeführt werden:
Abscheiden einer ersten Kohlenstoffschicht auf der Magnetplatte, wobei die erste Kohlenstoffschicht überwiegend SP3-Kohlenstoff umfaßt; und
Abscheiden einer zweiten Kohlenstoffschicht, die mit Gleitmittel mit im wesentlichen der gleichen Wirksamkeit wie der Schutzüberzug zusammenwirkt.

28. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die erste Kohlenstoffschicht einen SP3- Gehalt von etwa 70% oder mehr aufweist.

29. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die zweite Schicht weniger als etwa 1 nm dick ist.

30. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die zweite Kohlenstoffschicht im wesentlichen den gleichen SP3-Gehalt wie der Schutzüberzug aufweist.

31. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die zweite Kohlenstoffschicht im wesentlichen die gleiche Dichte und den gleichen Brechungsindex wie der Schutzüberzug aufweist.

32. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die zweite Kohlenstoffschicht im wesentlichen die gleiche Oberflächenenergie wie der Schutzüberzug aufweist.

33. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die zweite Kohlenstoffschicht im wesentlichen die gleichen chemischen Eigenschaften wie der Schutzüberzug aufweist.

34. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die zweite Kohlenstoffschicht wenigstens ein Material, das aus der Gruppe, die aus Wasserstoff und Stickstoff besteht, ausgewählt wird, umfaßt.

35. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die erste Kohlenstoffschicht wenigstens ein Material, das aus der Gruppe, die aus Wasserstoff und Stickstoff besteht, ausgewählt wird, umfaßt.

36. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die zweite Kohlenstoffschicht eine Flash- Schicht ist.

37. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei ohne die zweite Kohlenstoffschicht das Zusammenwirken zwischen der Gleitmittelschicht auf der ersten Kohlenstoffschicht so sein würde, daß dies dazu neigt, daß die Platte einen Gleithöhe-Test nicht besteht, und wobei die zweite Kohlenstoffschicht es der Magnetplatte ermöglicht, den Gleithöhe-Test zu bestehen.

38. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei der Gleithöhe-Test die Platte bei einer Höhe von etwa 1 Mikrozoll testet.

39. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei die erste Kohlenstoffschicht einen größeren SP3-Gehalt aufweist als die zweite Kohlenstoffschicht.

40. Verfahren zum Modifizieren eines Herstellungsprozesses, wobei der Herstellungsprozeß das Bereitstellen eines auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf einer Magnetplatte umfaßt, wobei der auf Kohlenstoff basierende Schutzüberzug eine Komponente einer Kopf-Platte-Grenzfläche umfaßt, wobei das Verfahren das Modifizieren des Prozesses umfaßt, so daß anstelle des Bereitstellens des auf Kohlenstoff basierenden Schutzüberzugs auf der Magnetplatte die folgenden Schritte durchgeführt werden:
Abscheiden einer ersten Kohlenstoffschicht auf der Magnetplatte, wobei die erste Kohlenstoffschicht überwiegend SP3-Kohlenstoff umfaßt; und
Abscheiden einer zweiten Kohlenstoffschicht, die mit wenigstens einer zweiten Komponente der Kopf-Platte-Grenzfläche mit im wesentlichen der gleichen Wirksamkeit wie der Schutzüberzug zusammenwirkt.

41. Verfahren gemäß Anspruch 39, wobei die zweite Komponente der Kopf-Platte- Grenzfläche eins oder mehrere umfaßt von: ein Gleitmittel, das auf der zweiten Kohlenstoffschicht aufgebracht ist, eine Textur, die auf der Platte gebildet ist, und einen Schieber, der ein Schreibelement darauf aufweist.

42. Magnetplatte, die gemäß dem Verfahren gemäß Anspruch 1 hergestellt ist.

43. Magnetplattenlaufwerk, das die Platte gemäß Anspruch 42 umfaßt.