DE10197124B4 - Mehrstufiger elektrischer Kondensator und dafür geeignetes Herstellungsverfahren - Google Patents

Mehrstufiger elektrischer Kondensator und dafür geeignetes Herstellungsverfahren Download PDF

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Abstract

Mehrstufiger elektrischer Mehrschichtkondensator mit
einer ersten Kapazitätsstufe (302), die mehrere erste Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) umfasst, die voneinander durch dielektrische Schichten getrennt sind;
einer ersten Anzahl erster Durchkontaktierungen (330), die sich von einer Oberseite des Kondensators (300) durch die mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) erstrecken, wobei einige der ersten Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit jeder Zweiten der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen und wobei andere der ersten Durchkontaktierungen (330) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen;
einer mit der ersten Kapazitätsstufe elektrisch verbundenen zweiten Kapazitätsstufe (304), die mehrere zweite Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) umfasst; und
einer zweiten Anzahl zweiter Durchkontaktierungen, (332) die sich durch die mehreren zweiten Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) erstrecken, wobei einige der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren zweiten...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen mehrstufigen elektrischen Mehrschichtkondensator.
  • Elektronische Schaltungen und insbesondere Schaltungen für Computer und Messgeräte sind in den letzten Jahren immer leistungsstärker und schneller geworden. Da die Schaltungsfrequenzen immer weiter zunehmen, wird mit ihren zugehörigen Hochfrequenztransienten das Rauschen in der Netz- und Masseleitung zunehmend ein , Problem. Wie allgemein bekannt, kann dieses Rauschen beispielsweise infolge induktiver und kapazitiver Parazitäten entstehen. Um solch ein Rauschen zu reduzieren, werden oft Kondensatoren verwendet, die auch als Entkopplungskondensatoren bekannt sind, um ein stabiles Signal oder eine stabile Leistungsversorgung für die Schaltung zur Verfügung zu stellen.
  • Kondensatoren werden ferner verwendet, um Überspannungen oder Spannungsüberschreitungen zu dämpfen, wenn ein elektronisches Geräte (wie beispielsweise ein Prozessor) abgeschaltet wird, und um den Spannungsabfall zu dämpfen, wenn das Gerät eingeschaltet wird. Beispielsweise kann ein Prozessor, der anfängt, eine Berechnung durchzuführen, sehr schnell mehr Strom benötigen als von der Kapazität auf dem Chip zur Verfügung gestellt werden kann. Um solch einen Strom zur Verfügung zu stellen und um den mit dem angestiegenen Lastwiderstand verbundenen Spannungsabfall zu dämpfen, sollten nicht auf dem Chip befindliche Kapazitäten verfügbar sein, um auf den Strombedarf innerhalb eines ausreichenden Zeitintervalls reagieren zu können. Wenn für den Prozessor nicht ausreichend Strom zur Verfügung steht oder wenn die Reaktionszeit der Kapazität zu langsam ist, kann die Chipversorgungsspannung [die voltage) auf ein Niveau einbrechen, das die Leistung des Prozessors beeinträchtigt.
  • Aus EP 0 917 165 A2 ist ein Mehrschichtkondensator bekannt.
  • Die EP 1 115 129 A2 offenbart einen Mehrschichtkondensator.
  • US 5757611 offenbart ein elektronisches Package mit vergrabenen passiven Komponenten.
  • Um die Wirksamkeit des Kondensators zu steigern, werden im Allgemeinen Entkopplungskondensatoren und Kondensatoren, um Überspannungen oder Spannungsabfälle zu dämpfen, so nahe wie möglich an einem Chiplastwiderstand [die load] oder Hot-Spot angeordnet. Oft sind die Entkopplungskondensatoren oberflächlich auf der Chipseite oder der Lötaugen- bzw. der Anschlussseite des Bausteins befestigt, auf der der Chip befestigt ist. Die 1 zeigt einen Querschnitt eines Schaltungsbausteins 102, der gemäß dem Stand der Technik chipseitige Kondensatoren 106 und lötaugenseitige Kondensatoren 108 besitzt. Die chipseitigen Kondensatoren 106 sind, wie ihr Name bereits sagt, auf der selben Seite des Bausteins wie der Schaltungschip 104 befestigt. Im Gegensatz dazu sind die lötaugenseitigen Kondensatoren 108 auf der gegenüberliegen Seite des Bausteins, wie der Chip 104 befestigt.
  • Die 2 zeigt elektrische Schaltung, die die elektrischen Eigenschaften der in der 1 dargestellten Kondensatoren nachbildet. Die Schaltung zeigt einen Chiplastwiderstand 202, der, um richtig zu funktionieren, eine Kapazität oder Rauschdämpfung benötigen kann. Einige der Kapazitäten können mit Kapazität versorgt werden, die durch den Kondensator 204, der sich auf dem Chip [die] befindet, nachgebildet ist. Andere Kapazitäten müssen jedoch außerhalb des Chips bereitgestellt werden, wie durch den außerhalb des Chips befindlichen Kondensator 206 modelliert ist. Der nicht auf dem Chip befindliche Kondensator könnte beispielsweise der chipseitige Kondensator 106 und/oder der lötaugenseitige Kondensator 108 gemäß der 1 sein. Der nicht auf dem Chip befindliche Kondensator 206 kann genauer als ein in Serie mit einigen Widerständen und Induktivitäten geschalteter Kondensator modelliert werden. Der einfachen Darstellbarkeit halber ist der nicht auf dem Chip befindliche Kondensator 206 jedoch als ein einfacher Kondensator modelliert.
  • Infolge der Randbedingungen bei der Herstellung würde der nicht auf dem Chip befindliche Kondensator 206 selbstverständlich einige, jedoch geringe Entfernungen von dem Chiplastwiderstand 202 entfernt angeordnet sein. Folglich besteht zwischen dem Chiplastwiderstand und dem nicht auf dem Chip befindlichen Kondensator 206 eine gewisse Induktivität, die durch die Induktionsspule 208 nachgebildet ist. Da die Induktionsspule 208 dazu neigt, die Reaktionszeit des nicht auf dem Chip befindlichen Kondensators 206 zu verlangsamen, ist es wünschenswert, die elektrische Entfernung zwischen dem nicht auf dem Chip befindlichen Kondensator 206 und dem Chiplastwiderstand 202 zu minimieren, somit also die Induktivität der Spule 208 zu reduzieren. Dies kann erzielt werden, indem der nicht auf dem Chip befindliche Kondensator 206 elektrisch so nahe wie möglich bei dem Chiplastwiderstand angeordnet wird.
  • Die chipseitigen Kondensatoren 106 sind mit Bezug wieder auf die 1 um den Umfang des Chips 104 herum angeordnet und stellen für unterschiedliche Punkte auf dem Chip über elektrische Verbindungen/Leiterzüge und Durchkontaktierungen (nicht dargestellt) und Ebenen in dem Baustein 102 Kapazitäten zur Verfügung. Da die chipseitigen Kondensatoren 106 um den Umfang des Chips herum angeordnet sind, kann die Weglänge zwischen einem Hot-Spot und einem Kondensator 106 eine verhältnismäßig hohe Induktivitätseigenschaft zwischen dem Hot-Spot und dem Kondensator 106 zur Folge haben.
  • Im Gegensatz dazu können die lötaugenseitigen Kondensatoren 108 direkt unterhalb des Chips 104 und somit direkt unterhalb einiger leistungsintensiver Bereiche des Chips befestigt werden. In einigen Fällen können somit lötaugenseitige Kondensatoren 108 elektrisch näher bei den leistungsintensiven Bereichen des Chips als die chipseitigen Kondensatoren 106 angeordnet werden, was einen geringeren Induktivitätsweg zwischen dem Hot-Spot des Chips und den Kondensatoren 108 zur Folge hat. Der Baustein umfasst jedoch auch Anschlüsse (nicht dargestellt), wie beispielsweise Kontaktstifte oder Lötaugen, die auf seiner Lötaugenseite angeordnet sind. In einigen Fällen würde die Anordnung von lötaugenseitigen Kondensatoren 108 auf der Lötaugenseite des Bausteins mit diesen Anschlüssen interferieren.
  • Somit ist die Verwendung von lötaugenseitigen Kondensatoren 108 für das Induktionsproblem nicht immer eine brauchbare Lösung.
  • Neben den oben beschriebenen Induktionsaufgaben wurden durch die Entwicklung der Industrie, die Vorrichtungsgrößen und Packungsdichten immer weiter zu optimieren, zusätzliche Aufgaben aufgeworfen. Wegen dieser Entwicklung wird der Betrag nutzbarer Bausteinfläche, die für oberflächenmontierte Kondensatoren zur Verfügung steht, immer geringer und geringer.
    •
  • Da elektronische Vorrichtungen immer mehr Einzug halten, besteht bei verringerten Induktionslevels für das Entkoppeln ein zunehmender Bedarf an höheren Kapazitätslevels, Spannungsdämpfung und Versorgung mit Ladung. Außerdem besteht ein Bedarf an Kapazitätslösungen, die nicht mit den Bausteinanschlüssen interferieren und die die Industrie nicht auf bestimmte Vorrichtungsgrößen oder Packungsdichten begrenzt. Dementsprechend besteht bei der Herstellung und beim Betrieb von elektronischen Vorrichtungen und deren Bausteinen ein technischer Bedarf nach alternativen Kapazitätslösungen.
    •
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele und Figuren näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 zeigt einen Querschnitt eines Schaltungsbausteins mit chipseitigen und lötaugenseitigen Kondensatoren gemäß dem Stand der Technik;
  • 2 zeigt eine elektrische Schaltung, die die elektrischen Eigenschaften der in der 1 dargestellten Kondensatoren nachbildet;
  • 3 zeigt einen Querschnitt eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 zeigt eine elektrische Schaltung, die die elektrischen Eigenschaften des in der 3 dargestellten Kondensators nachbildet;
  • 5 zeigt eine Draufsicht einer leitenden Elektroden-Schicht einer Versorgungsspannungs- oder Masseebene für eine erste Stufe eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 6 zeigt eine Draufsicht einer leitenden Elektroden-Schicht einer Versorgungsspannung- oder Masseebene für eine zweite Stufe eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 7 zeigt eine Draufsicht einer leitenden Elektroden-Schicht einer Versorgungsspannung – oder Masseebene für eine dritte Stufe eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 8 zeigt ein Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 9-11 sind schematische Querschnitte, die die unterschiedlichen Herstellungsstadien eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 12 zeigt einen Querschnitt eines in einem elektronischen Schaltungsbaustein integrierten Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 13 zeigt einen Querschnitt eines in einem elektronischen Schaltungsbaustein integrierten Kondensators gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 14 zeigt eine Draufsicht eines elektronischen Schaltungsbausteins, der einen integrierten Kondensator mit mehreren Kapazitätsstufen gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfasst;
  • 15 zeigt ein Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens eines integrierten Kondensators mit mehreren Kapazitätsstufen in einem Gehäuse gemäß einer Ausführung der vorliegenden Erfindung;
  • 16 zeigt einen Schaltungsbaustein, eine Zwischenschicht, einen Sockel und eine Leiterplatte, wobei jedes dieser Teile einen oder mehrere befestigte, eingebaute und/oder integrierte Kondensatoren gemäß unterschiedlichen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen könnten; und
  • 17 zeigt ein elektronisches Universalsystem gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Verschiedene Ausführungsformen der Erfindung stellen einen mehrstufigen elektrischen Mehrschichtkondensator zur Verfügung, der verwendet werden kann, um einem Lastwiderstand zusätzliche Ladung, Entkopplungskapazität und Spannungsdämpfung bei geringem Induktionsniveau zur Verfügung zu stellen. Jede Stufe stellt Kapazität bei einer unterschiedlichen Induktion zur Verfügung und umfasst mehrere Elektroden-Schichten, die durch mehrere Schichten dielektrischen Materials voneinander getrennt sind.
  • Der mehrstufige elektrische Mehrschichtkondensator umfasst eine erste Kapazitätsstufe, die mehrere erste Elektroden-Schichten umfasst, die voneinander durch dielektrische Schichten getrennt sind. Der mehrstufige elektrische Mehrschichtkondensator umfasst eine erste Anzahl erster Durchkontaktierungen, die sich von einer Oberseite des Kondensators durch die mehreren ersten Elektroden-Schichten erstrecken, wobei einige der ersten Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren ersten Elektroden-Schichten herstellen und wobei andere der ersten Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren ersten Elektroden-Schichten herstellen.
  • Der mehrstufige elektrische Mehrschichtkondensator umfasst eine mit der ersten Kapazitätsstufe elektrisch verbundene zweite Kapazitätsstufe, die mehrere zweite Elektroden- Schichten umfasst und eine zweite Anzahl zweiter Durchkontaktierungen, die sich durch die mehreren zweiten Elektroden-Schichten erstrecken, wobei einige der zweiten Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren zweiten Elektroden-Schichten herstellen und wobei andere der zweiten Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren zweiten Elektroden-Schichten herstellen, wobei ein Wert der Kapazität der ersten Kapazitätsstufe von einem Wert der Kapazität der zweiten Kapazitätsstufe unterschiedlich ist.
  • In einer Ausführungsform sind die Stufen in vertikaler Richtung gestapelt und über Durchkontaktierungen, die sich durch einige oder alle Stufen hindurch erstrecken, elektrisch miteinander verbunden. In einer anderen Ausführungsform sind eine oder mehrere Stufen in einem mittleren Bereich des Kondensators angeordnet und eine oder mehrere andere Stufen sind in einem Umfangsbereich des Kondensators angeordnet. In dieser Ausführungsform sind die mittleren Stufen und die Umfangsstufen mittels einer oder mehrerer zusätzlicher Elektroden-Schichten elektrisch miteinander verbunden. Die Kondensatoren der unterschiedlichen Ausführungsformen können als separate Vorrichtungen verwendet werden, die auf oder in einem Gehäuse (beispielsweise einem Baustein, einer Zwischenschicht, einem Sockel oder einer Leiterplatte) befestigt werden können oder sie können ganz innerhalb des Gehäuses hergestellt werden.
  • Die 3 zeigt einen Querschnitt eines mehrstufigen Kondensators 300 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In verschiedenen Ausführungsformen kann der Kondensator 300 ein Keramikkondensator, Aluminiumoxidkondensator oder ein Kondensator sein, der mit Hilfe geradezu jeder anderen Technologie herstellt ist, wie es dem Fachmann anhand der hier gegebenen Beschreibung klar ersichtlich werden würde.
  • In einer Ausführungsform ist der Kondensator eine separate Vorrichtung, die elektrisch mit einer Schaltung, mit der Chipseite oder der Lötaugenseite eines elektronischen Schaltungsbausteins oder einer Zwischenschicht, einem Sockel oder einer Leiterplatte verbunden werden kann. Der Kondensator 300 könnte ebenfalls als separate Vorrichtung innerhalb eines Bausteins, einer Zwischenschicht, eines Sockels oder einer Leiterplatte eingebaut werden. In einer anderen Ausführungsform, die in Verbindung mit den 12 – 15 beschrieben werden, kann der Kondensator 300 innerhalb eines Bausteins, einer Zwischenschicht, eines Sockels oder einer Leiterplatte hergestellt werden.
  • In einer Ausführungsform umfasst der Kondensator 300 zwei oder mehr Kapazitätsstufen 302, 304, 306. Jede Stufe 302, 304, 306 umfasst mehrere Elektroden-Schichten 311-325. In der gezeigten Anordnung umfasst die obere Stufe 302 Elektroden-Schichten 311-315, die mittlere Stufe 304 umfasst Elektroden-Schichten 316-320 und die untere Stufe 306 umfasst Elektroden-Schichten 321-325. Jede Elektroden-Schicht 311-325 ist durch eine dielektrische Schicht getrennt und jeder Satz benachbarter Elektroden-Schichten und dazwischenliegender dielektrischer Schichten bilden eine parallelen Kondensator. Somit bilden z.B. die Elektroden-Schichten 311 und 312 ebenso wie die Elektroden-Schichten 313 und 314, etc. einen parallelen Plattenkondensator.
  • Die Stufen 302, 304, 306 und die Elektroden-Schichten 311-325 sind elektrisch miteinander über leitfähige Durchkontaktierungen verbunden, die im Folgenden als" Durchkontaktierungen" bezeichnet werden, die sich an der Oberseite des Kondensators nach unten erstrecken. Einige der Durchkontaktierungen 330, 332, 334, die mit einer Stufe verbunden sind, stellen Kontakt zu jeder zweiten Elektroden-Schicht der Stufe her, während andere Durchkontaktierungen 330, 332, 334, die mit der Stufe verbunden sind, elektrischen Kontakt mit den restlichen Elektroden-Schichten der Stufe herstellen.
  • So können die Elektroden-Schichten abwechselnd mit Versorgungsspannung und Masse (beispielsweise Vcc und Vss) verbunden sein, wodurch eine kapazitive Ladung über jedes Paar benachbarter Elektroden-Schichten zur Verfügung gestellt wird. Somit können die Elektroden-Schichten 311, 313, 315, 317, 319, 321, 323 und 325 mit Versorgungsspannung verbunden sein und die Elektroden-Schichten 312, 314, 316, 318, 320, 322 und 324 können mit der Masse verbunden sein, oder umgekehrt. In einer Ausführungsform erstrecken sich die Durchkontaktierungen 334 bis zu der Unterseite des Kondensators. Demzufolge können elektrische Verbindungen durch die oberen Anschlüsse 340 und/oder die unteren Anschlüsse 342 hergestellt werden. In einer anderen Ausführungsform könnten Verbindungen ebenfalls über seitlich begrenzende Anschlüsse (nicht gezeigt) hergestellt werden, die elektrischen Kontakt mit den Elektroden-Schichten entlang der vertikalen Seiten des Kondensators 300 herstellen.
  • In der in der 3 dargestellten Ausführungsform sind die Stufen 302, 304, 306 in vertikaler Richtung gestapelt. Somit sind die Stufen 304 und 306 im Wesentlichen unterhalb der Stufe 302 angeordnet. Demzufolge erstrecken sich die Durchkontaktierungen 332, die sich durch die mittlere Stufe 304 erstrecken, ebenfalls durch die Elektroden-Schichten 311-315 der oberen Stufe 302 und stellen elektrischen Kontakt mit jeder zweiten Elektroden-Schicht der oberen Stufe 302 her. Außerdem erstrecken sich die Durchkontaktierungen 334, die sich durch die untere Stufe 306 hindurch erstrecken, auch durch Elektroden-Schichten 311-320 der oberen und mittleren Stufen 302, 304 und stellen elektrischen Kontakt mit jeder zweiten Elektroden-Schicht in der oberen und mittleren Stufe 302, 304 her. In einer anderen Ausführungsform könnten einige aller Durchkontaktierungen 332, 334, die sich durch die mittlere und untere Stufe 304, 306 hindurch erstrecken, von den Elektroden-Schichten der oberen und mittleren Stufe 302, 304 isoliert sein.
  • Obwohl in der 3 drei Kapazitätsstufen 302, 304, 306 dargestellt sind, könnten in verschiedenen Ausführungsformen mehr oder weniger Stufen implementiert werden. Außerdem könnte, obwohl wie dargestellt, jede Stufe 302, 304, 306 fünf Elektroden-Schichten besitzt, jede Stufe mehr oder weniger Elektroden-Schichten umfassen. Obwohl die Elektroden-Schichten 311-325 und die Stufen 302, 304, 306 als zueinander benachbart dargestellt sind, könnten die unterschiedlichen Elektroden-Schichten 311-325 und/oder die Stufen 302, 304, 306 außerdem auch durch ein oder mehrere Signalträger oder andere Schichten voneinander getrennt sein. Auch die Anzahl der Durchkontaktierungen 330, 332, 334, die jede Stufe 302, 304, 306 miteinander verbinden, und die Anzahl der oberen Anschlüsse und/oder der unteren Anschlüsse 332 könnte sich von der in der 3 dargestellten Anzahl unterscheiden.
  • Die Anzahl der Durchkontaktierungen 330, 332, 334, die die Elektroden-Schichten 311-325 innerhalb jeder Stufe 302, 304, 306 verbinden und durchdringen, beeinflussen die Induktivität und die Kapazität der Stufe. Grundsätzlich ist die Induktivität und die Kapazität jeder Stufe abhängig von der Anzahl der Durchkontaktierungen.
  • Die Kapazität jeder Stufe 302, 304, 306 ist von der Fläche der leitenden Elektroden-Schichten 311-325, die die Stufe umfasst, und von der Dicke der dielektrischen Schicht zwischen den Sätzen leitfähiger Elektroden-Schichten 311-325 abhängig. Wie in Verbindung mit den 5-7 genauer erläutert werden wird, besitzen die Elektroden-Schichten 311-315 in der oberen Stufe 302 mehrere Durchkontaktierungs-Durchgangsöffnungen, die es den Durchkontaktierungen 330, 332, 334 ermöglichen, zu den unteren Elektroden-Schichten durchzudringen. Jede Durchkontaktierungs-Durchgangsöffnung, die durch eine Elektroden-Schicht 311-315 hindurchdringt, vermindert den leitfähigen Bereich der Elektroden-Schicht. In einer Ausführungsform besitzt die obere Stufe 302 eine größere Anzahl an durchkontaktierungen 330, 332, 334, die ihre Elektroden-Schichten 311-315 verbindet und durch sie hindurchdringt. Die mittlere Stufe 304 besitzt weniger Durchkontaktierungen 332, 334, die ihre Elektroden-Schichten 316-320 verbindet und durch sie hindurchdringt und die untere Stufe 306 besitzt noch weniger Durchkontaktierungen 334, die ihre Elektroden-Schichten 321-325 miteinander verbindet und durch sie hindurchdringt. Somit sind die leitfähigen Bereiche der Elektroden-Schichten 311-315 der oberen Stufe die Kleinsten der drei Stufen und die leitfähigen Bereiche der Elektroden-Schichten 321-325 der unteren Stufe sind die Größten der drei Stufen. Dementsprechend besitzt die obere Stufe 302 die geringste Induktivität und Kapazität der drei Stufen 302, 303, 304 und die untere Stufe 306 besitzt die größte Induktivität und Kapazität der drei Stufen 302, 304, 306.
  • Neben der Tatsache, umgekehrt proportional zu der Anzahl der Durchkontaktierungen zu sein, die die Stufen verbinden und durchdringen, ist die Induktivität jeder Stufe 302, 304, 306 zum Abstand der Stufe von dem Lastwiderstand proportional. Da der Lastwiderstand mit der Oberseite des Kondensators verbunden werden wird, ist in einer Ausführungsform die obere Stufe 302 dem Lastwiderstand am nächsten, die mittlere Stufe 304 ist weiter von dem Lastwiderstand entfernt und die untere Stufe 306 ist am weitesten von dem Lastwiderstand entfernt. Dementsprechend besitzt die obere Stufe bezüglich des Lastwiderstands die geringste Induktivität, die mittlere Stufe 304 besitzt mehr Induktivität und die untere Stufe 306 besitzt die größte Induktivität.
  • Wegen der oben beschriebenen Induktivitäts- und Kapazitätseigenschaften kann eine Stufe als Satz aus Schichten definiert werden, die spezifische Induktivitäts- und Kapazitätswerte besitzen. Diese Konzepte werden unter Verwendung einer Modellierung der elektrischen Eigenschaften des Kondensators 300 weiter erläutert.
  • Die 4 zeigt eine elektrische Schaltung, die die elektrischen Eigenschaften des in 3 dargestellten Kondensators nachbildet. Die Schaltung zeigt einen Chiplastwiderstand 402, der, um richtig zu funktionieren, Kapazität oder Rauschdämpfung benötigt. Einige der Kapazitäten können durch die auf dem Chip angeordnete Kapazität 404 bereitgestellt werden. Zusätzliche Kapazität wird außerhalb des Chips durch den Kondensator 406 bereitgestellt. Dies ist ein Kondensator, der in einer Ausführungsform eine Struktur, wie die in der 3 gezeigte, aufweist.
  • Der Kondensator 406 ist in Form von drei zueinander parallel geschalteten Kondensatoren 408, 410, 412 modelliert, wobei jeder von dem Chiplastwiderstand 402 durch eine gewisse Induktivität 402, 4022, 424 getrennt ist. Jeder der Kondensatoren 408, 410, 412 könnte genauer als ein mit einem gewissen Widerstand und Induktivität in Serie geschalteter Kondensator modelliert werden. Der einfachen Darstellbarkeit halber sind die Kondensatoren 408, 410, 412 jedoch als einfache Kondensatoren modelliert.
  • Mit Bezug auf die 3 repräsentiert der Kondensator 408 ebenfalls die obere Stufe 302, der Kondensator 410 repräsentiert die mittlere Stufe 304 und der Kondensator 412 repräsentiert die untere Stufe 306. Wegen der bereits oben dargelegten Gründe besitzt der Kondensator 408 die geringste Kapazität; er besitzt aber auch die geringste Induktivität 320 zum Lastwiderstand 402. Der Kondensator 410 besitzt eine höhere Kapazität und eine höhere Induktivität 422 zum Lastwiderstand 402. Schließlich besitzt der Kondensator 412 die höchste Kapazität und die höchste Induktivität 424 zum Lastwiderstand 402.
  • Die Induktivitäten 420, 422, 424 haben einen Einfluss auf die Reaktionszeit der Kondensatoren 408, 410, 412. Wenn Hochfrequenztransienten oder ein Spannungsabfall erfolgt, wird der Kondensator 408 (beispielsweise Stufe 302, 3) somit als erstes reagieren, da dieser die geringste Induktivität zum Chiplastwiderstand 402 besitzt. Obwohl der von dem Kondensator 408 bereitgestellte Betrag an Kapazität relativ gering ist, sollte dessen Ausführung so sein, dass der Kondensator 408 genügend Kapazität für Hochfrequenztransienten mit der höchst zu erwartenden Frequenz zur Verfügung stellen wird. Bei niedrigeren Frequenzen wird zusätzliche Kapazität von dem Kondensator 410 (beispielsweise Stufe 304, 3) und dann dem Kondensator 412 (beispielsweise Stufe 306, 3) bereitgestellt. Obwohl die Induktivität zu diesen Kondensatoren 410, 412 mit einer niedrigeren Reaktionszeit höher ist, ist die gesamte, für den Chiplastwiderstand 402 verfügbare Kapazität, größer als sie sein würde, wenn nur ein Kondensator 408 zur Verfügung stehen würde.
  • Mit Bezug auf die 3 und wie bereits zuvor erwähnt, ist die Anzahl der Durchkontaktierungen 330, 332, 334, die mit den Elektroden-Schichten 311-325 in jeder Stufe 302, 304, 306 verbunden sind, umgekehrt proportional zu der Induktivität und der Kapazität der Stufe. Außerdem besitzt die obere Stufe 302 die meisten Durchkontaktierungen 330, 332, 334, die ihre Elektroden-Schichten 311-315 miteinander verbinden, die mittlere Stufe 304 besitzt weniger Durchkontaktierungspunkte 332, 334, und die untere Stufe 306 besitzt am wenigsten Durchkontaktierungen 334. Somit besitzen die Elektroden-Schichten 311-325 in jeder folgenden Stufe 302, 304, 306 weniger und weniger Durchkontaktierungsöffnungen, wie in Verbindung mit den 5 bis 7 beschrieben wird.
  • Die 5 ist eine Draufsicht einer Versorgungsspannungs- oder eine Masseebene einer leitfähigen Elektroden-Schicht 500 (beispielsweise eine der Elektroden-Schichten 311 bis 315, 3) einer erste Stufe (beispielsweise Stufe 302, 3) eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Elektroden-Schicht 500 umfasst leitfähiges Material 502, durch das Öffnungen 504 geformt sind.
  • Wenn die Elektroden-Schicht 500 in einen Kondensator (beispielsweise Kondensator 300, 3) integriert ist, erstrecken sich einige Durchkontaktierungen (beispielsweise Durchkontaktierungen 330, 332, 334, 3) durch die Löcher 504, ohne elektrischen Kontakt mit dem leitfähigen Material 502 herzustellen. Diese Durchkontaktierungen, die hier als "isolierte Durchkontaktierungen" bezeichnet werden, besitzen einen Durchmesser, der geringer als die Öffnungen 504 ist und die Durchkontaktierungen stellen elektrischen Kontakt mit anderen Elektroden-Schichten her (nicht dargestellt), die sich direkt oberhalb und/oder direkt unterhalb der Elektroden-Schicht 500 befinden. In dem Bereich zwischen den Öffnungen 504 sind durch das leitfähige Material andere Durchkontaktierungen geformt. Diese hier als "Kontakt-Durchkontaktierungen" bezeichneten Durchkontaktierungen, stellen Kontakt mit der Elektroden-Schicht 500 her, jedoch nicht mit den Elektroden-Schichten (nicht dargestellt), die sich direkt oberhalb und/oder direkt unterhalb der Elektroden-Schicht 500 befinden. Wenn die Elektroden-Schicht 500 mit Masse verbunden ist, würden dementsprechend mehrere Kontakt-Durchkontaktierungen durch das leitfähige Material 502 geformt werden und mehrere isolierte Durchkontaktierungen würden sich durch die Öffnungen 504 hindurch erstrecken.
  • Da benachbarte Elektroden-Schichten jeweils mit Versorgungsspannung und Masse verbunden sind, ist in einer Ausführungsform die Struktur des leitfähigen Materials 502 für jede folgende Schicht innerhalb einer Stufe versetzt. Anders ausgedrückt würden die Öffnungen benachbarter Schichten einer Schicht direkt oberhalb oder direkt unterhalb der Elektroden-Schicht 500 mit dem leitfähigen Materiakl 502 zusammenfallen und leitfähiges Material benachbarter Elektroden-Schichten würde mit Öffnungen 504 zusammenfallen. So würde eine einzelne Durchkontaktierung, die sich durch beide Schichten erstreckt, von einer der Schichten isoliert sein und mit der benachbarten Schicht in elektrischem Kontakt stehen.
  • In einer Ausführungsform liegt der Lochabstand, d.h. die Entfernung von Mittelpunkt zu Mittelpunkt, in einem Bereich von 200 × 10–6 m bis 500 × 10–6 m, obwohl der Lochabstand in anderen Ausführungsformen zwischen den Öffnungen 504 größer oder kleiner sein könnte. Wenn der Lochabstand zwischen den Löchern 504 gering ist, ist im Allgemeinen die Induktivität geringer, jedoch ist auch die Kapazität geringer. Wenn der Lochabstand zwischen den Löchern 504 groß ist, ist die Kapazität größer, ebenso aber auch die Induktivität. Der Lochabstand zwischen den Löchern 504 könnte genauso gut in Abhängigkeit von der Art des Kondensators (beispielsweise Keramik, Aluminiumoxid, etc.) größer oder kleiner sein.
  • Wie in der 3 dargestellt, besitzt jede folgende niedrigere Stufe 302, 304, 306 weniger und weniger Durchkontaktierngen 330, 332, 334, die mit ihren Elektroden-Schichten 311 bis 325 verbunden sind. Demzufolge besitzen die Elektroden-Schichten 311 bis 325 für jede folgende niedrigere Stufe 302, 304, 306 weniger und weniger Öffnungen. Dies ist in den 6 und 7 dargestellt.
  • Die 6 zeigt gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Draufsicht einer Versorgungsspannungs- oder Masseebene einer leitfähigen Elektroden-Schicht 600 für eine zweite Stufe (beispielsweise Stufe 304, 3) eines mehrstufigen Kondensators. Die Elektroden-Schicht 600 umfasst leitfähiges Material 602, durch das Öffnungen 604 geformt sind. Ähnlich wie bei der Elektroden-Schicht 500 (5) erstrecken sich isolierte Durchkontaktierungen durch die Öffnungen 604 und durch das leitfähige Material 602 sind zwischen den Öffnungen 604 Kontakt-Durchkontaktierungen geformt. Auf diese Art und Weise können benachbarte Elektroden-Schichten innerhalb der Stufe jeweils mit Versorgungsspannung und Masse verbunden sein und einen parallelen Plattenkondensator bilden.
  • Wenn man die Elektroden-Schicht 600 der Elektroden-Schicht 500 (5) gegenüberstellt, wird offensichtlich, dass die Elektroden-Schicht 600 wesentlich weniger Öffnungen 604 durch ihr leitfähiges Material 602 aufweist. Da die Elektroden-Schicht 600 mehr leitfähige Oberfläche besitzt, können, wenn die Elektroden-Schicht 600 und eine benachbarte Elektroden-Schicht (nicht dargestellt) verwendet werden, um einen parallelen Plattenkondensator zu bilden, diese mehr Ladung speichern als ein Kondensator, der aus einer Elektroden-Schicht 500 und einer benachbarten Elektroden-Schicht gebildet ist.
  • Die 7 zeigt eine Draufsicht einer Versorgungsspannungs- und einer Massenebene einer leitfähigen Elektroden-Schicht 700 für eine dritte Stufe (beispielsweise Stufe 306, 3) eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Elektroden-Schicht 700 umfasst leitfähiges Material 702, durch das Öffnungen 704 geformt sind. Ähnlich wie bei den Elektroden-Schichten 500 (5) und 600 (6) erstrecken sich isolierte Durchkontaktierungen durch die Öffnungen 704 und Kontakt-Durchkontaktierungen sind durch das leitfähige Material zwischen den Öffnungen 704 geformt. Auf diese Art und Weise können benachbarte Elektroden-Schichten jeweils mit Versorgungsspannung und Masse verbunden sein und einen parallelen Plattenkondensator bilden.
  • Wenn man die Elektroden-Schicht 700 den Elektroden-Schichten 500 (5) und 600 ( 6) gegenüber stellt, wird offensichtlich, dass die Elektroden-Schicht 700 wesentlich weniger Öffnungen durch ihr leitfähiges Material 702 besitzt. Da die Elektroden-Schicht 700 mehr leitfähige Oberfläche besitzt, können, wenn die Elektroden-Schicht 700 und eine benachbarte Elektroden-Schicht (nicht dargestellt) verwendet werden, um einen parallelen Plattenkondensator zu bilden, diese mehr Ladung speichern, als Kondensatoren, die aus einer Elektroden-Schicht 500 und einer benachbarten Elektroden-Schicht oder aus einer Elektroden-Schicht 600 und einer benachbarten Elektroden-Schicht gebildet werden.
  • Obwohl in den 5 bis 7 jede Öffnungsreihe versetzt zu benachbarten Öffnungsreihen dargestellt ist, könnten in anderen Ausführungsformen die Öffnungen in einer ausgerichteten Gitterstruktur oder in anderen Mustern angeordnet sein. Außerdem dient die Anzahl der in den 5 bis 7 dargestellten Öffnungen lediglich Illustrationszwecken und es könnten mehr oder weniger Öffnungen in verschiedenen Ausführungsformen verwendet werden.
  • Als separate Vorrichtung könnte der Kondensator 300 auf einem elektronischen Schaltungsbaustein (entweder auf der Lötaugenseite oder auf der Chipseite), einer Zwischenschicht, einem Sockel oder einer Leiterplatte befestigt werden. Die Befestigungsart, mit der der Kondensator an dem Baustein, der Zwischenschicht, dem Sockel oder der Leiterplatte befestigt wird, würde von der Technologie abhängen, die verwendet wird, um den Kondensator zu bauen. Der Kondensator 300 könnte in einem keramischen, organischen Dielektrikum oder einer anderen Art von Gehäuse unter Verwendung von Oberflächenbefestigung, Bonddraht und/oder anderen Technologien verpackt werden. Verfahren zum Bestücken eines separaten Kondensators, wie beispielsweise des Kondensators 300 sind dem Fachmann allseits bekannt und deshalb hier nicht im Detail erläutert. In einigen Ausführungsformen könnte der Kondensator 300 als separates Bauelement ohne Gehäuse verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform ermöglichen es obere Anschlüsse 340 und untere Anschlüsse 342 dem Kondensator 300 zwischen einer Schaltung und einem Baustein oder Sockel, befestigt zu werden. In solch einer Ausführungsform können die oberen Anschlüsse 340 elektrisch und mechanisch mit einer Unterseite einer Organic-Land-Grid-Array (OLGA) -artigen oder einer Flip-Chip-Pin-Grid-Array (FCPGA) -artigen Schaltung unter Verwendung von Lötverbindungen verbunden werden. Die unteren Anschlüsse 342 können dann elektrisch und mechanisch mit den oberen Anschlüssen eines Land-Grid-Array-Sockels (LGA) verbunden werden.
  • In einer anderen Ausführungsform könnte der Kondensator 300 innerhalb einer Art Gehäuse, wie beispielsweise einem Baustein, einer Zwischenschicht, einem Sockel oder einer Leiterplatte eingebettet sein. In solch einer Ausführungsform ist in dem Gehäuse ein Hohlraum gebildet und der Kondensator 300 ist in den Hohlraum eingepasst. Der Hohlraum würde dann gefüllt werden und zusätzliche Schichten könnten über dem Kondensator 300 aufgebaut werden. Der Kondensator 300 ist elektrisch mit den oberen Anschlüssen und/oder den unteren Anschlüssen, und/oder anderen Elektroden-Schichten des Gehäuses unter Verwendung von Mikro-Durchkontaktierungen verbunden.
  • In noch einer weiteren alternativen Ausführungsform könnte der Kondensator 300 innerhalb eines Gehäuses eingebettet werden, indem der Kondensator 300 an einer Elektroden-Schicht befestigt wird, Schichten über dem Kondensator 300 aufgebaut werden und indem Durchkontaktierungen gebildet werden, um den Kondensator 300 mit den oberen Anschlüssen und/oder den unteren Anschlüssen und/oder anderen Schichten innerhalb des Gehäuses elektrisch zu verbinden. Wie später noch detaillierter beschrieben wird, kann der Kondensator 300 in zahlreichen anderen Anordnungen und unter Verwendung verschiedener anderer Verbindungstechniken in anderen Ausführungsformen innerhalb einer Schaltung, eines Bausteins, einer Zwischenschicht, eines Sockels oder einer Leiterplatte integriert, darin eingebettet oder damit verbunden werden.
  • Die 8 zeigt ein Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens eines mehrstufiger Kondensators (beispielsweise Kondensator 300, 3) gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die 8 sollte in Verbindung mit den 9 bis 11 betrachtet werden, die schematische Querschnitte darstellen und die unterschiedlichen Herstellungsstadien eines mehrstufigen Kondensators gemäß einer Ausführung der vorliegenden Erfindung zeigen. In verschiedenen Ausführungsformen könnte der mehrstufige Kondensator (beispielsweise Kondensator 300, 3) unter Verwendung von keramischen Mehrschicht-, organischen oder Dünnschichtverfahren gebildet werden. Der einfachen Beschreibung halber ist in Verbindung mit der 8 ein Verfahren zum Bilden eines keramischen Mehrschichtkondensators, begleitet von Beschreibungen von Variationen, die sich auf organische oder Dünnschichtverfahren beziehen, beschrieben. Da die speziellen Herstellungsverfahren, die in all diesen Technologien verwendet werden, dem Fachmann allseits bekannt sind, sind spezielle Details dieser Herstellungsverfahren in dieser Beschreibung nicht beinhaltet.
  • Das Verfahren beginnt in Block 802 mit dem Herstellen einer Mehrschichtstruktur (beispielsweise Struktur 900, 9). Die Struktur 900 umfasst mehrere Kapazitätsstufen 902, 904, 906, wobei jede Stufe mehrere Elektroden-Schichten 910, 912, 814 besitzt, die durch dielektrisches Material getrennt sind. Obwohl in der 9 drei Stufen 902, 904, 906 und fünfzehn Elektroden-Schichten 910, 912, 914 dargestellt sind, könnten in der Struktur 900 in anderen Ausführungsformen mehr oder weniger Stufen und/oder Elektroden-Schichten umfasst sein.
  • In einer Ausführungsform ist die Struktur unter Verwendung eines keramischen Mehrschichtverfahrens gebildet. Grundsätzlich sind die leitfähigen Schichten 910, 912 und 914 im Siebdruck auf einzelnen keramischen Schichten hergestellt. Diese Schichten werden dann ausgerichtet, zusammengestapelt und in Stellung gehalten und bilden so die Struktur 900.
  • In einer anderen Ausführungsform in der die Struktur 900 unter Verwendung von organischen oder Dünnschichttechnologien gebildet wird, wird die Struktur 900 unter Verwendung eines Aufbauverfahrens gebildet. Das Aufbauverfahren umfasst grundsätzlich das aufeinanderfolgende Bilden und Strukturieren der Schichten aus dielektrischen und leitfähigen Materialien auf der Oberfläche jeder anderen Schicht.
  • Die leitfähigen Elektroden-Schichten 910, 912, 914 könnten in verschiedenen Ausführungsformen aus verschiedenen leitfähigen Materialien, wie beispielsweise Dick- oder Dünnschichtnickel, Kupfer, gesputterten Leitern oder Schichten mit Aluminiumabdeckungen gebildet werden, obwohl andere geeignete leitfähige Materialien ebenfalls verwendet werden könnten. Die dielektrischen Materialien zwischen den Elektroden-Schichten 910, 912, 914 könnten beispielsweise in verschiedenen Ausführungsformen Bariumtitanatkeramik, Polymerschichten oder Aluminiumoxidschichten sein, obwohl andere dielektrische Materialien ebenso verwendet werden könnten. In einer Ausführungsform besitzt das dielektrische Material einen sehr hohen Dielektrizitätskonstante im Bereich zwischen 2000 bis 5000, obwohl ebenso dielektrische Materialien mit einer höheren oder geringeren Dielektrizitätskonstanten verwendet werden könnten. Außerdem sind in einer Ausführungsform die dielektrischen Schichten sehr dünn. Beispielsweise könnten die dielektrischen Schichten in einem Bereich zwischen 1 × 10–6 m bis 30 × 10–6 m liegen, obwohl die Schichten in anderen Ausführungsformen dicker oder dünner sein könnten.
  • In Block 804 werden die Durchkontaktierungsöffnungen (beispielsweise Öffnungen 1002, 1004, 1006, 10) durch die Oberseite 1010 der Struktur gebildet. Wenn Keramikmehrschichttechnologien verwendet werden, werden die Durchkontaktierungsöffnungen 1002, 1004, 1006 durch die gestapelte Anordnung der keramischen und leitfähigen Schichten hindurch gebildet. In einer anderen Ausführungsform werden die Durchkontaktierungsöffnungen 1002, 1004, 1006 in jeder keramischen Schicht gebildet, bevor die Schichten ausgerichtet und gestapelt werden. Dementsprechend wären die Blocks 802, 804 kombinierte Prozesse. In alternativen Ausführungsformen, in denen organische oder Dünnschichtaufbautechnologien verwendet werden, werden die Durchkontaktierungsöffnungen 1002, 1004, 1006 nach oder während des Aufbauens der Schichten gebildet.
  • Die Durchkontaktierungsdurchgangsöffnungen könnten in verschiedenen Ausführungsformen unter Verwendung von Laserbohrern, mechanischem Bohrern und/oder mechanischem Pressen oder Stanzen gebildet werden. Die Durchkontaktierungsöffnungen 1002, 1004, 1006 bilden zwischen den Schichten verschiedener Stufen 902, 904, 906 und der Oberseite der Struktur Öffnungen. In einer Ausführungsform bilden einige der Öffnungen 1006 ebenfalls Öffnungen an der Unterseite 1012 der Struktur. Beispielsweise bilden die Öffnungen 1002 Öffnungen für einige Elektroden-Schichten 910 der Stufe 902, die Öffnungen 1004 bilden Öffnungen für einige Elektroden-Schichten 910, 912 der Stufen 902 und 904 und die Öffnungen 1006 bilden Öffnungen für einige Elektroden-Schichten 910, 912, 914 der Stufen 902, 904 und 906. In einer Ausführungsform erstrecken sich die Öffnungen 1006 bis zur Unterseite des Kondensators, so dass möglicherweise elektrische Anschlüsse an den Durchkontaktierungen an der Unterseite herstellt werden können.
  • Wie zuvor beschrieben, bilden die Öffnungen 1002, 1004, 1006 Öffnungen für jede andere Elektroden-Schicht 910, 912, 914. Auf diese Art und Weise kann jede andere Elektroden-Schicht verbunden werden, und zwar mit Versorgungsspannung oder Masse, und somit kapazitive Ladung über die dielektrischen Materialien, die die Elektroden-Schichten 910, 912, 914 voneinander trennen, zur Verfügung zu stellen.
  • In Block 806 wird leitfähiges Durchkontaktierungsmaterial in den Durchkontktierungsöffnungen abgelagert, das leitfähige Durchkontaktierungen (1102, 1104, 1106, 11) an der Ober- und Unterseite der Struktur bildet. In einer Ausführungsform, in der keramische Mehrschichttechnologien verwendet werden, werden die Durchkontaktierungsöffnungen mit einer Paste [frit paste] aus Metall und Glas gefüllt, die in Block 808 mit dem Keramik in einem gemeinsamen Einbrennprozess eingebrannt wird. In den anderen Ausführungsformen werden die Durchkontaktierungsöffnungen mit einem metallischen Material gesputtert abgelagert oder galvanisiert. In noch anderen Ausführungsformen, in denen die Durchkontaktierungen während eines Aufbauprozesses gebildet werden, können die Durchkontaktierungsöffnungen während des Aufbauens der Schichten gefüllt werden. In diesen Ausführungsformen wären die Blocks 802, 804 und 808 kombinierte Prozesse. In verschiedenen Ausführungsformen könnte das Durchkontaktierungsmaterial oder Verbindungskontaktmaterial Kupfer, Nickel oder andere geeignete Leiter umfassen.
  • Nachdem die Kondensatorstruktur und die Durchkontaktierungen oder Verbindungskontakte fertiggestellt sind, werden in Block 810 auf der Ober- und Unterseite des Kondensators Anschlüsse (beispielsweise Anschlüsse 340, 342, 3) gebildet. In einer Ausführungsform werden die Anschlüsse aus einem Material gebildet, das sich zum Fließlöten eignet, oder aus einem Material, das geeignet ist, behandelt zu werden, nachdem der Kondensator auf einem Substrat oder innerhalb eines Gehäuses, wie beispielsweise einem Baustein, einer Zwischenschicht, einem Sockel oder einer Leiterplatte eingebettet ist.
  • In einer Ausführungsform werden mehrere Kondensatoren gleichzeitig gebildet. Nachdem die Kondensatoren gebildet sind, werden sie daher in Block 812 separiert. Das Trennen der Kondensatoren kann beispielsweise unter Verwendung einer Lasersäge oder einer mechanischen Säge erfolgen. In einer anderen Ausführungsform wird jeder Kondensator einzeln gebildet und ein Trennen ist nicht erforderlich. Nach dem Trennen der Kondensatoren ist das Verfahren beendet.
  • Obwohl es nicht immer notwendig oder wünschenswert ist, die Kondensatoren mit einem Gehäuse zu umgeben (zu verpacken) nachdem sie hergestellt und getrennt sind, kann in einigen Fällen ein Verpackungsprozess wünschenswert sein. Das Verpacken jedes Kondensators kann unter Verwendung von Verfahren erfolgen, die dem Fachmann allseits bekannt sind. Beispielsweise kann der Kondensator unter Verwendung von geformtem Kunststoff, gepresstem Keramik, laminiertem Keramik/Plastik oder anderen Technologien verpackt werden, die dem Fachmann bekannt sind. In einigen Anwendungen, in denen der Kondensator innerhalb eines Gehäuses eingebettet oder direkt an einer Schaltung befestigt ist, könnte es unerwünscht sein, den Kondensator zu verpacken. In derartigen Fällen wird das Verpacken nicht durchgeführt. Wie bereits beschrieben, könnte der in 3 dargestellte Kondensator in einer separaten Vorrichtung implementiert werden, die innerhalb eines Gehäuses, wie beispielsweise einem IC (Baustein), Sockel, Zwischenschicht oder Leiterplatte angebracht oder eingebettet ist. In anderen Ausführungsformen könnte der Kondensator innerhalb solch eines Gehäuses während der Herstellung des Gehäuses integriert werden.
  • Die 12 zeigt einen Querschnitt eines Kondensators, der gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung innerhalb eines elektronischen Schaltungsbausteins 1202 integriert ist. Der Baustein 1202 umfasst innerhalb seiner Schichten einen integrierten Kondensator, der aus zwei Kapazitätsstufen 1210, 1212 gebildet ist, die hier als "Mittelstufen" bezeichnet werden. Jede Stufe 1210, 1212 umfasst mehrere Elektroden-Schichten 1220, 1222, wobei jede Elektroden-Schicht durch dielektrisches Material getrennt ist.
  • Der integrierte Kondensator ist elektrisch mit anderen Bausteinschichten und/oder der Ober- und Unterseite des Bausteins 1202 unter Verwendung von Durchkontaktierungen 1230, 1232 verbunden, die hier als " Durchkontaktierungen" bezeichnet werden. Die Durchkontaktierungen 1230 sind elektrisch mit den Elektroden-Schichten 1220 der oberen Stufe 1210 verbunden und die Durchkontaktierungen 1230 sind elektrisch mit den Elektroden-Schichten 1220, 1222 der oberen und unteren Stufe 1210, 1212 verbunden.
  • In einer Ausführungsform existieren zwischen der Schaltung 1240 und der oberen Stufe 1210 eine oder mehrere strukturierte, leitfähige Übergangsschichten 1250. Für die Umwandlung der Lochabstände zwischen dem Lochabstand (d.h. der Abstand von Mitte zu Mitte) der Durchkontaktierungen 1230, 1232 und dem Lochabstand der chipseitigen Anschlüsse 1242 sind Übergangsschichten 1250 bereitgestellt. Die Übertragungsschichten 1250 könnten auch zur Lochabstandumwandlung für andere Lötaugen- und Chipbumplochabstände in anderen Stufen verwendet werden. In einer anderen Ausführungsform, in der der Lochabstand der Durchkontaktierungen 1230, 1232 und der Lochabstand der Chip-Kontakte 1242 dichter beieinander liegen können, könnten die Übergangsschichten 1250 eliminiert oder für andere Zwecke verwendet werden. In noch einer anderen Ausführungsform können zwei oder mehr Schichten einer oberen Stufe 1210 einer eingebetteten Kondensatorstruktur verwendet werden, um die Umwandlung der Lochabstände zu gewährleisten und somit den Bedarf nach Übergangsschichten 1250 eliminieren. Der Baustein 1202 umfasst auch Signaldurchkontaktierungen 1260, die Signale zwischen der Schaltung 1240 und einer oder mehreren zusätzlichen Elektroden-Schichten 1270 des Bausteins 1202 transportieren. Diese zusätzlichen Elektroden-Schichten 1270, die auch als Fan-Out-Schichten bezeichnet werden, ermöglichen es den Signalen, die von den Signaldurchkontaktierungen 1260 transportiert werden, auf die Lötaugen 1272 und die Anschlüsse 1280 auf der Unterseite (d.h. der Lötaugenseite) des Bausteins 1202 übertragen zu werden. Die Fan-Out-Schichten 1270 gewährleisten ebenfalls die Zuleitung von Versorgungsspannung und Masse von den Lötaugen 1272 und den Anschlüssen 1280 zu den Stufen 1212, 1210 der Mehrschichtkondensatorstruktur. Anders ausgedrückt gewährleisten die Fan-Out-Schichten 1270 die Umwandlung des Lochabstandes zwischen dem Lochabstand der lötaugenseitigen Lötaugen 1272 und den Lochabständen der chipseitigen Löthöcker (Chipbumps) 1242 und/oder der Durchkontaktierungen 1232, die mit der untersten Stufe 1212 zusammenhängen. Beispielsweise könnten die Fan-Out-Schichten 1270 die Umwandlung der Lochabstände von 450 × 10–6 m für die lötaugenseitigen Lötaugen 1272 auf 150 × 10–6 m für die Chipbumps 1242 gewährleisten.
  • In einer anderen Ausführungsform können in den Stufen 1210, 1212 einige oder alle der gewünschten Lochabstandumwandlungen für Versorgungsspannung und Masse durch die entsprechende Auslegung der Lochabstände der Durchkontaktierungen erreicht werden. Mit Bezug wieder auf die 5 bis 7 ist es offensichtlich, dass der Lochabstand der Durchkontaktierungen in der oberen Stufe (5) geringer ist als der Lochabstand der Durchkontaktierungen in den unteren Stufen (6 und 7). Wenn eine bestimmte Lochabstandumwandlung für Versorgungsspannung und Masse erwünscht ist, kann diese Lochabstandumwandlung deshalb ganz oder teilweise durch die Auslegung bestimmter Lochabstände zwischen den Durchkontaktierungen in der oberen und der unteren Stufe erzielt werden.
  • Als Beispiel sei angenommen, dass der Lochabstand der chipseitigen Löthöcker (Chipbumps) [die bumps] 150 × 10–6 m und der Lochabstand der lötaugenseitigen Lötaugen 450 × 10–6 m beträgt. In solche einem Falle könnte die obere Stufe 1210 einen Lochabstand von 150 × 10–6 m besitzen und die untere Stufe 1212 könnte einen Durchkontaktierungslochabstand von 450 × 10–6 m besitzen. In anderen Ausführungsformen, wenn mehr als zwei Kapazitätsstufen implementiert sind, können die Durchkontaktierungslochabstände schrittweise von der oberen Stufe zu der unteren Stufe zunehmen, bis die gewünschte Lochabstandumwandlung erreicht ist.
  • Obwohl es wünschenswert sein kann, die gesamte Lochabstandumwandlung für Versorgungsspannung und Masse durch schrittweise Zunahme der Durchkontaktierungslochabstände in darunter folgenden Stufen zu bewerkstelligen, kann es ebenso wünschenswert sein, nur einen Teil der Lochabstandumwandlung unter Verwendung der Lochabstandvariationen zwischen den Stufen zu bewerkstelligen. Unter Verwendung des obigen Beispiels, in dem der Chiplochabstand 150 × 10–6 m und der lötaugenseitige Lötaugenlochabstand 450 × 10–6 m beträgt, könnten die Stufen 1210, 1212 verwendet werden, um den Lochabstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einen gewissen Mittelwert, wie beispielsweise 300 × 10–6 m umzuwandeln. Die Lochabstandumwandlung von 300 × 10–6 m auf 450 × 10–6 m würde, wie zuvor beschrieben, dann unter Verwendung von Fan-Out-Schichten 1270 erzielt werden.
  • Die elektrischen Eigenschaften der integrierten Kondensatorstruktur sind oben im Detail in Verbindung mit den 3 bis 7 beschrieben worden. Grundsätzlich stellt die Struktur zwei zusätzliche Entkopplungskapazitätslevels für eine Schaltung 140, die an dem Baustein 1202 angebracht ist, zur Verfügung. Die obere Stufe 1210 stellt ein niedrigeres Kapazitätslevel bei einer sehr geringer Induktivität zur Verfügung und die untere Stufe 1212 stellt ein höheres Kapazitätslevel bei einer höheren Induktivität zur Verfügung.
  • In einigen Fällen kann es wünschenswert sein, der Schaltung sogar noch mehr Entkopplungskapazitätsstufen mit geringer Induktivität zur Verfügung zu stellen. Alternativ kann es wünschenswert sein, eine oder mehrere Kapazitätsstufen unterhalb des Zentrums der Schaltung zu besitzen und eine oder mehr zusätzliche Kapazitätsstufen in Bereichen zu besitzen, die sich nicht unterhalb der Schaltung befinden.
  • Eine Ausführungsform, die solche zusätzlichen Kapazitäten zur Verfügung stellt, ist in der 13 dargestellt, die einen Querschnitt eines Kondensators darstellt, der gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung innerhalb eines elektronischen Schaltungsbausteins 1302 integriert ist. Der in der 13 dargestellte Baustein ist dem in der 12 dargestellten Baustein 1202 dahingehend ähnlich, dass dieser Baustein 1302 zumindest eine mittlere Kapazitätsstufe 1310, 1312 umfasst, die unterhalb der Schaltung 1340 angeordnet und mit dem Baustein 1302 verbunden ist. Außerdem umfasst der Baustein 1302 eine oder mehrere Übergangsschichten 1350, Fan-Out-Schichten 1370, Durchkontaktierungen 1330 und Signaldurchkontaktierungen 1360.
  • Abweichend von der in 12 dargestellten Ausführungsform umfasst die in der 13 dargestellte Ausführungsform jedoch auch eine oder mehrere zusätzliche Kapazitätsstufen 1380, die in Bausteinbereichen angeordnet sind, die sich nicht unterhalb der Schaltung 1340 befinden. Diese zusätzlichen Stufen 1318, die hier als periphere Stufen bezeichnet werden, umfassen zumindest zwei Elektroden-Schichten 1382. In einer Ausführungsform ist jede zweite Elektroden-Schicht 1382 abwechselnd mit Versorgungsspannung und Masse verbunden, wodurch kapazitive Ladung über die Elektroden-Schichten erzeugt wird.
  • Die Verbindungen zwischen den mittleren Stufen 1310, 1312 und den peripheren Stufen 1380 werden gemäß einer Ausführungsform aus Fan-Out-Schichten 1370 hergestellt, die im Wesentlichen unterhalb der mittleren Stufen 1310, 1312 und der peripheren Stufen 1380 angeordnet sind. In einer anderen Ausführungsform könnten die mittleren Stufen 1310, 1312 und die peripheren Stufen 1380 mittels Übergangsschichten 1350 verbunden sein, die zwischen der Schaltung 1340 und den Stufen 1310, 1312 und 1380 angeordnet sind. Obwohl dadurch der elektrische Abstand, und somit die Induktivität zwischen den peripheren Stufen 1380 und der Schaltung 1340 herabgesetzt werden könnte, könnten dadurch auch zusätzliche Übergangsschichten erforderlich werden. Diese zusätzlichen Übergangsschichten (nicht dargestellt) würden den elektrischen Abstand und somit auch die Induktivität zwischen der Schaltung 1340 und den mittleren Stufen 1310, 1312 erhöhen.
  • Gemäß noch einer weiteren Ausführungsform können zwei oder mehr Elektroden-Schichten einer Stufe 1310, 1312, 1330 verwendet werden, um die mittleren Stufen 1310, 1312 und die peripheren Stufen 1380 zu verbinden und somit den Bedarf nach Fan-Out-Schichten 1370 zur Gewährleistung dieser Verbindung eliminieren. Wie in Verbindung mit der 12 erläutert wurde, könnten in einer Ausführungsform Fan-Out-Schichten ebenfalls zur Lochabstand- Umwandlung zwischen dem Lochabstand der Chipbumps 1342 und dem Lochabstand der lötaugenseitigen Lötaugen 1372 verwendet werden. In einer Ausführungsform kann, wie bereits zuvor beschrieben, die Lochabstandumwandlung (gleichbedeutend mit der Anpassung an unterschiedliche Anschlussbelegungen) für Versorgungsspannung und Masse ganz oder teilweise durch die Auslegung der Lochabstände der Durchkontaktierungen 1330 der Kondensatorstruktur gewährleistet werden.
  • Da die peripheren Stufen 1380 nicht so nahe an der Schaltung 1340 liegen, können sie nur langsamer auf den Bedarf nach erhöhter Kapazität reagieren als die mittleren Stufen 1310, 1312. Jedoch werden die peripheren Stufen 1380 den Betrag zusätzlicher Entkopplungskapazitäten erhöhen, der von den mittleren Stufen 1310, 1312 zur Verfügung gestellt wird.
  • Die Bausteine 1202, 1302, die in den 12 und 13 dargestellt sind, könnten unter Verwendung verschiedener Technologien und Materialien hergestellt werden, die dem Fachmann allseits bekannt sind. Beispielsweise könnten die Bausteine 1202, 1302 unter Verwendung von Mehrschichtkeramik-, organischen Materialien Dünnschicht- oder anderen Verpackungstechnologien hergestellt werden. Außerdem könnten die Schaltungen unter Verwendung verschiedener Verbindungstechnologien, wie beispielsweise Oberflächenbefestigung, Bonddraht und/oder anderer Technologien mit dem Baustein verbunden werden. Außerdem könnten die Bausteine 1202, 1302 mittels Durchkontaktmontage oder Oberflächenmontage mit der nächst niedrigeren Elektroden-Schicht verbunden werden (beispielsweise einer Zwischenschicht, einem Sockel oder einer Leiterplatte).
  • Obwohl in den 12 und 13 zwei Stufen 1210, 1212, 1310, 1312 innerer Kapazität, eine Stufe äußerer Kapazität 1380, zwei Übergangsschichten 1250, 1350 und drei Fan-Out-Schichten 1270, 1370 dargestellt sind, könnten mehr oder weniger Stufen, Übergangsschichten und/oder Fan-Out-Schichten in verschiedenen Ausführungsformen implementiert werden. Wie beispielsweise zuvor beschrieben, könnte die Funktionalität der Übergangsschichten 1250, 1350 und/oder der Fan-Out-Schichten 1270, 1370 anstatt dessen unter Verwendung der Elektroden-Schichten der Kondensatorstufen 1210, 1212, 1310, 1312 implementiert werden, was die Übergangs- und/oder die Fan-Out-Schichten überflüssig machen würde. Außerdem könnte die Anzahl der Elektroden-Schichten 1220, 1222, 1320, 1322, 1382, die in jeder Stufe umfasst ist, größer oder kleiner als in den 12 und 13 dargestellt sein. Letztendlich könnte die Anzahl der Kondensator- und Signaldurchkontaktierungen 1230, 1232, 1330, 1332, 1334, die jede Elektroden-Schicht miteinander verbinden und die Anzahl und die Orientierung der chipseitigen Anschlüsse 1242, 1342 und die lötaugenseitigen Anschlüsse 1280, 1380 sich von der in den 12 und 13 dargestellten Anzahlen unterscheiden.
  • Die 14 zeigt eine Draufsicht einer integrierten Schaltung (IC) (eines elektronischen Schaltungsbausteins) 1400, der gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen integrierten Kondensator mit mehreren Kapazitätsstufen umfasst. Der Baustein 1400 umfasst einen mittleren Bereich 1404, der im Wesentlichen unterhalb und in der Mitte einer Schaltung angeordnet ist, die an dem Baustein 1400 befestigt wird. Innerhalb dieses Bereichs 1404 ist ein mittlerer Kondensator aus einer oder mehreren Kapazitätsschichten (beispielsweise Elektroden-Schichten 1310, 1312, 13) gebildet.
  • Der Baustein 1400 umfasst ferner einen zweiten Bereich 1406. In einer Ausführungsform befindet sich der zweite Bereich 1406 ebenfalls im Wesentlichen unterhalb einer Schaltung, jedoch außerhalb des Umfangs des mittleren Bereichs 1404. Der zweite Bereich 1406 umfasst Signaldurchkontaktierungen (beispielsweise Durchkontaktierungen 1360, 13) und Abschnitte verschiedener leitfähiger Elektroden-Schichten.
  • Letztlich umfasst der Baustein 1400 einen peripheren Bereich 1408, der sich nicht unterhalb einer Schaltung befindet, die an den Bausteinen 1400 befestigt wird. In einer Ausführungsform umfasst der periphere Bereich 1408 eine oder mehrere periphere Kondensatoren, die aus einer oder mehreren Kapazitätsschichten (beispielsweise Elektroden-Schicht 1380, 13) gebildet sind. Der mittlere Kondensator innerhalb des mittleren Bereichs 1404 und der periphere Kondensator innerhalb des peripheren Bereichs 1408 sind in einer Ausführungsform durch Fan-Out-Schichten (beispielsweise Elektroden-Schichten 1370, 13) elektrisch miteinander verbunden. In einer anderen Ausführungsform ist der mittlere Kondensator und der periphere Kondensator durch zwei oder mehr Kondensatorschichten elektrisch miteinander verbunden, wodurch Fan-Out-Schichten überflüssig werden.
  • Obwohl der in den 13 und 14 dargestellte Kondensator als in einem Gehäuse integriert beschrieben ist, könnte der Kondensator ebenfalls als separate Vorrichtung implementiert werden. Somit würden die verschiedenen Signaldurchkontaktierungen (beispielsweise Durchkontaktierungen 1360, 13) eliminiert werden und der Bereich (beispielsweise der zweite Bereich 1406), in dem Signaldurchkontaktierungen vorhanden sind, könnte größenmäßig reduziert oder eliminiert werden. Außerdem könnte die Vorrichtung mit anderen Schaltungen verbunden werden.
  • Die 15 zeigt gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens für einen integrierten Kondensator mit mehreren Kapazitätsschichten in einem Gehäuse. In verschiedenen Ausführungsformen könnte das Gehäuse und der integrierte Kondensator unter Verwendung keramischer Mehrschicht-, organischer oder Dünnschichtverfahren gebildet werden. Der einfachen Beschreibung halber wird in Verbindung mit der 15 ein Verfahren zum Bilden eines keramischen Mehrschichtgehäuses begleitet von Beschreibungen von Variationen beschrieben, die sich auf organische oder Dünnschicht-Verfahren beziehen. Da die spezifischen Herstellungsverfahren, die in all diesen Technologien verwendet werden, dem Fachmann allseits bekannt sind, sind spezifische Details dieser Herstellungsverfahren in dieser Beschreibung nicht umfasst.
  • Das Verfahren beginnt in Block 1502 mit dem Herstellen einer Mehrschicht-Kondensatorstruktur (beispielsweise Strukturen 1202, 1302, 12 und 13) als integrierter Abschnitt eines Gehäuses (beispielsweise eines Bausteins, Zwischenschicht, Sockels oder Leiterplatte). Die Struktur umfasst mehrere Kapazitätsstufen, wobei jede Stufe mehrere Elektroden-Schichten umfasst, die durch dielektrisches Material voneinander getrennt sind. In einer Ausführungsform ist ein mittlerer Kondensator, der eine oder mehrere Stufen umfasst, im Wesentlichen unterhalb eines mittleren Bereichs gebildet, in dem eine Schaltung (oder eine andere Vorrichtung) befestigt wird und ein peripherer Kondensator, der eine oder eine mehrere Stufen besitzt, ist unterhalb eines peripheren Bereichs gebildet, in dem keine Schaltung befestigt wird.
  • In einer Ausführungsform wird das Gehäuse und die Kondensatorstruktur unter Verwendung keramischer Mehrschichtverfahren gebildet. Grundsätzlich sind die leitfähigen Elektroden-Schichten im Siebdruckverfahren in einzelnen keramischen Schichten hergestellt. Diese Schichten werden dann ausgerichtet, zusammengestapelt, und zusammengehalten und bilden das Mehrschichtgehäuse und die Kondensatorstruktur.
  • In einer anderen Ausführungsform, in der das Gehäuse und die Kondensatorstruktur unter Verwendung organischer oder Dünnschichttechnologien gebildet wird, wird ein Aufbauprozess angewendet. Der Aufbauprozess umfasst grundsätzlich das fortlaufende Formen und Strukturieren von Schichten aus dielektrischen und leitfähigen Materialien auf der Oberseite der jeweils anderen Schicht.
  • Das Gehäuse und die Kondensatorstruktur könnten unter Verwendung verschiedener Technologien und Materialien hergestellt werden, die dem Fachmann allseits bekannt sind. Beispielsweise könnte das Gehäuse und die Kondensatorstruktur eine Mehrschichtkeramik (beispielsweise gepresstes Keramik, High Temperature Cofired Ceramic (HTCC), Low Temperature Cofired Ceramic (LTCC) oder ein keramisches Ball Grid Array), ein Gehäuse aus einem organischen Material oder einer dünnen Schicht (beispielsweise ein vorgefertigtes Kunststoffgehäuse oder ein Kunststoff, mit dem der Kondensator nachträglich umgeben wird, laminierter Kunststoff oder plastic Ball Grid Array) oder eine andere Art von Gehäuse (beispielweise tape Ball Grid Array, Chip Scale Package, Edge molded Ball Grid Array, Flip Chip Ball Grid Array oder eine andere Gehäuseform) sein.
  • Die verschiedenen leitfähigen Elektroden-Schichten könnten in verschiedenen Ausführungsformen aus unterschiedlichen Materialien, wie beispielsweise Dick- oder Dünnschichtnickel, Kupfer, gesputterten Leitern oder mit Aluminium bedeckten Elektroden-Schichten gebildet sein, obwohl andere geeignete, leitfähige Materialien ebenso verwendet werden könnten. Die dielektrischen Materialien zwischen den Elektroden-Schichten könnten in verschiedenen Ausführungsformen beispielsweise Bariumtitanatkeramik, polymere Schichten oder Aluminiumoxid-Schichten sein, obwohl andere dielektrische Materialien ebenfalls verwendet werden könnten. In einer Ausführungsform besitzt das dielektrische Material eine sehr hohe Dielektrizitätskonstante im Bereich zwischen 2000 bis 5000, obwohl ebenso dielektrische Materialien mit geringeren oder höheren Dielektrizitätskonstanten verwendet werden könnten. Außerdem sind in einer Ausführungsform die dielektrischen Schichten sehr dünn. Beispielsweise könnten die dielektrischen Schichten in einem Bereich von 1 × 10–6 m-30 × 10–6 m liegen, obwohl in anderen Ausführungsformen die Schichten dicker oder dünner sein könnten.
  • In Block 1504 werden Durchkontaktierungsöffnungen durch die Oberfläche des Gehäuses gebildet. Wenn keramische Mehrschichttechnologien verwendet werden, werden die Durchkontaktierungsöffnungen durch die gestapelte Anordnung der keramischen und leitfähigen Schichten hindurch gebildet. In einer anderen Ausführungsform werden die Durchkontaktierungsöffnungen in jeder keramischen Schicht gebildet, bevor sie ausgerichtet und gestapelt werden. Dementsprechend wären die Blocks 1502 und 1504 kombinierte Prozesse. In einer anderen Ausführungsform, in der organische oder Dünnschichtaufbauverfahren verwendet werden, werden die Durchkontaktierungsöffnungen nach oder während des Aufbauens der Schichten gebildet. Die Durchkontaktierungsöffnungen könnten in unterschiedlichen Ausführungsformen mittels Laserbohrens, mechanischem Bohren oder mechanischem Pressen oder Stanzen gebildet werden. Die Durchkontaktierungsöffnungen bilden Öffnungen zwischen einer oder mehreren Stufen des mittleren Kondensators und der Oberfläche des Gehäuses.
  • In einer Ausführungsform bildet jede Durchkontaktierungsöffnung eine Öffnung zu jeder zweiten Elektroden-Schicht des mittleren Kondensators. Auf diese Art und Weise ist jede zweite Elektroden-Schicht angeschlossen, und zwar mit Versorgungsspannung und Masse, wodurch kapazitive Ladung über die dielektrischen Materialien, die die Elektroden-Schichten voneinander trennen, zur Verfügung gestellt wird.
  • In Block 1506 wird leitfähiges Durchkontaktierungsmaterial in den Durchkontaktierungsöffnungen abgelagert, das leitfähige Durchkontaktierungen mit der Oberseite des Gehäuses bildet. In einer Ausführungsform, in der keramische Mehrschichtverfahren verwendet werden, werden die Durchkontaktierungsöffnungen mit einer Metall- und Glasfrittenmasse gefüllt, die zusammen mit dem Keramik eingebrannt ist. In anderen Ausführungsformen werden die Durchkontaktierungsöffnungen mit einem metallischen Material gesputtert oder galvanisiert. In noch einer anderen Ausführungsform, in der die Durchkontaktierungen während eines Aufbauprozesses gebildet werden, können die Durchkontaktierungsöffnungen während des Aufbauens der Schichten gefüllt werden. In diesen Ausführungsformen wären die Blocks 1502, 1504 kombinierte Prozesse. In verschiedenen Ausführungsformen könnte das Durchkontaktierungsmaterial Kupfer, Nickel oder andere geeignete Leiter umfassen.
  • Die Gehäuseherstellung ist dann in Block 1508 abgeschlossen. In einer Ausführungsform, die organische oder Dünnschichttechnologien verwendet, kann der Abschluss der Gehäuseherstellung das Aufbauen zusätzlicher Schichten aus leitfähigen und/oder dielektrischen Materialien erfordern. Außerdem ist die Gehäuseherstellung durch die Bereitstellung von Anschlüssen zu einer Schaltung und/oder der nächsten Ebene einer Zwischenverbindung vollendet. Beispielsweise könnte das Gehäuse mit einer Schaltung unter Verwendung von Bonddraht oder Oberflächenbefestigungstechnologien verbunden werden. Außerdem könnte das Gehäuse mittels Durchkontaktmontage oder Oberflächenmontage an der nächsten Ebene einer Zwischenverbindung befestigt werden. Nachdem die Gehäuseherstellung vollendet ist, ist das Verfahren abgeschlossen.
  • Die in Verbindung mit der 15 beschriebene Struktur könnte in verschiedenen Ausführungsformen in verschiedenen unterschiedlichen Gehäusetypen, wie beispielsweise einem Baustein, einer Zwischenschicht, einem Sockel oder einer Leiterplatte integriert werden. Die Art und Weise, mit der die Struktur in spezielle Gehäuse eingebettet wird, hängt von der verwendeten Gehäuseherstellungstechnologie ab.
  • Wie bereits zuvor beschrieben wurde, kann eine Kondensatorstruktur, wie die in den 3, 12 und 13 beschriebenen, innerhalb eines Schaltungsbausteins, einer Zwischenschicht, eines Sockels und/oder einer Leiterplatte integriert, darauf befestigt oder darin eingebettet werden. Die 16 zeigt einen Schaltungsbaustein 1604, eine Zwischenschicht 1606, einen Sockel 1608 und eine Leiterplatte 1610, von denen jedes dieser Bauteile einen oder mehrere befestigte, eingebettete und/oder integrierte Kondensatoren gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen könnte.
  • Beginnend von der Oberseite der 16 wird eine Schaltung 1602 von dem Schaltungsbaustein 1604 aufgenommen. Die Schaltung 1602 umfasst eine oder mehrere Schaltungen, die elektrisch mit dem Schaltungsbaustein 1604 über Anschlüsse (nicht dargestellt) verbunden sind.
  • Die Schaltung 1602 könnte eine beliebige Schaltung sein. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Schaltung 1602 ein Mikroprozessor, obwohl die Schaltung 1602 eine Speichervorrichtung, eine anwendungsspezifische Schaltung, ein Signalprozessor oder in anderen Ausführungsformen eine andere Art Vorrichtung sein könnte. In dem dargestellten Beispiel ist die Schaltung 1602 eine Schaltung vom Typ "Flip Chip", was bedeutet, dass sich die Eingangs-/Ausgangsanschlüsse an dem Chip an jeder Stelle seiner Oberfläche befinden können. Nachdem der Chip für die Befestigung an dem Schaltungsbaustein 1604 vorbereitet wurde, wird er umgedreht und mittels Lötbumps oder Kugeln an passenden Lötaugen auf der Oberfläche des Schaltungsbausteins 1604 befestigt. Alternativ könnte die Schaltung 1602 drahtgebondet werden, wobei die Eingangs-/Ausgangsansehlüsse mit dem Schaltungsbaustein 1604 unter Verwendung von Bonddrähten zu der Oberseite des Schaltungsbausteins 1604 verbunden werden.
  • Eine oder mehrere der Schaltungen innerhalb der Schaltung 1602 agieren als Lastwiderstand, der Kapazität, Rauschunterdrückung und/oder Spannungsdämpfung erforderlich machen kann. Ein gewisser Anteil dieser Kapazität wird in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch den Kondensator 1603, der innerhalb des Bausteins 1604 integriert, darauf befestigt oder darin eingebettet ist, bereitgestellt.
  • Auf diese Art und Weise werden der Schaltung 1602 ein oder mehrere Levels zusätzlicher Kapazitäten zur Verfügung gestellt, wodurch bei Bedarf ebenfalls Spannungsdämpfung und Rauschunterdrückung zur Verfügung gestellt wird. Die geringe Nähe dieser nicht auf dem Chip befindlichen Kapazitätsquellen bedeutet, dass jede Quelle einen relativ geringen Induktionsweg zu dem Chip besitzt. In anderen Ausführungsformen sind die Kondensatoren 1607, 1609, 1611 innerhalb der Zwischenschicht 1606, des Sockels 1608, der Leiterplatte 1610 oder einer Kombination davon integriert, darin eingebettet oder darauf befestigt.
  • Der Schaltungsbaustein 1604 ist mit der Zwischenschicht 1606 unter Verwendung von Lötverbindungen wie beispielsweise Ball-Grid-Array-Verbindungen 1612 gekoppelt. In anderen Ausführungsformen könnte der Schaltungsbaustein 1604 elektrisch und physikalisch mit der Zwischenschicht 1606 unter Verwendung einer Kontaktstift- oder einer andersartigen Verbindung verbunden sein.
  • Die Zwischenschicht 1606 ist mit der Leiterplatte 1610 über einen Sockel 1608 auf der Leiterplatte 1610 gekoppelt. In den dargestellten Beispielen umfasst die Zwischenschicht 1606 Kontaktstifte 1614, die mit zusätzlichen Kontaktstiftöffnungen in dem Sockel 1608 zusammenpassen. Alternativ könnte die Zwischenschicht 1606 elektrisch und physikalisch mit der Leiterplatte 1610 unter Verwendung gelöteter Verbindungen, wie beispielsweise Ball-Grid-Array-Verbindungen verbunden sein. In noch einer anderen alternativen Ausführungsform könnte der Schaltungsbaustein 1604 direkt mit dem Sockel 1608 und/oder der Leiterplatte 1610 ohne Verwendung einer Zwischenschicht verbunden sein. In solch einer Ausführungsform könnte der Schaltungsbaustein 1604 und die Leiterplatte 1610 elektrisch und physikalisch unter Verwendung von Ball-Grid-Array- oder Kontaktstiftverbindungen verbunden sein. In anderen Ausführungsformen könnten auch andere Arten zum Verbinden des Schaltungsbausteins 1604 und der Leiterplatte 1610 verwendet werden.
  • Die Leiterplatte 1610 könnte beispielsweise ein Motherboard eines Computersystems sein. Als solches fungiert sie als Mittel, um die Schaltung 1602 mit Versorgungsspannung, Masse und Signalen zu versorgen. Diese Versorgungsspannungs-, Massen- und andere Signale werden über, auf oder innerhalb der Leiterplatte 1610, Sockel 1608, Kontaktstiften 1614, Zwischenschicht 1606 und Schaltungsbaustein 1608 über elektrische Verbindungen oder Ebenen (nicht dargestellt) bereitgestellt.
  • Die oben in Verbindung mit verschiedenen Ausführungsformen beschriebene Ausgestaltung könnte Teil eines elektronischen Universalsystems bilden. Die 17 zeigt ein elektronisches Universalsystem 1700 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das System 1700 könnte beispielsweise ein Computer, eine drahtlose oder verdrahtete Kommunikationsvorrichtung (beispielsweise ein Telefon, ein Modem, ein Mobiltelefon, ein Pager, ein Radio, etc.) ein Fernseher, ein Monitor oder eigentlich jedes andersartige elektronische System sein. Das elektronische System ist auf einer oder mehreren Leiterplatten untergebracht und umfasst einen Mikroprozessor 1704, einen Schaltungsbaustein 1706, eine Zwischenschicht 1708, einen Sockel 1709, einen Bus 1710, eine Stromversorgung 1711, einen Signalprozessor 1712 und einen Speicher 1714. Der Schaltungsbaustein 1706, die Zwischenschicht 1708, der Sockel 1709 und/oder die Leiterplatte umfassen einen oder mehrere Kondensatoren, die gemäß verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung in diesen Bauteilen integriert, darauf befestigt, oder darin eingebettet sind. Der Schaltungsbaustein 1706, die Zwischenschicht 1708 und der Sockel 1709 koppeln den Mikroprozessor 1706 an den Bus 1710, um Strom und Kommunikationssignale zwischen dem Mikroprozessor 1704 und an den Bus 1710 gekoppelten Vorrichtungen auszutauschen. In einer Ausführungsform koppelt der Bus 1710 den Mikroprozessor 1704 an den Speicher 1714, die Stromversorgung 1711 und den Signalprozessor 1712. Es sollte jedoch erkannt werden, dass in anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung der Mikroprozessor 1704 an den Speicher 1714, die Stromversorgung 1711 und den Signalprozessor 1712 mittels verschiedener Busse gekoppelt werden kann.
  • Es wurden verschiedene Ausführungsformen einer Kondensatorstruktur und Verfahren zur Herstellung dieser Struktur zusammen mit einer Beschreibung der Eingliederung der Kondensatorstruktur innerhalb eines elektronischen Universalsystems beschrieben. Während die vorangegangenen Abmessungs- und Bereichsbeispiele als typisch erachtet werden, sind die verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung nicht auf diese Dimensionen oder Bereiche beschränkt. Es wird erkannt, dass die Industrie dazu tendiert, die Vorrichtungsabmessungen wegen der damit verbundenen Kosten und Leistungsvorteile zu verringern.
  • In der vorhergehenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen wird auf die zugehörigen Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und die zu Zwecken der Darstellung spezifischer, bevorzugter Ausführungsformen, gemäß derer die Erfindung ausgeführt werden kann, gezeigt sind.
  • Beispielsweise können zwischen, über, zwischen oder unter den Schichten und Stufen, die die Kondensatorstruktur bilden und in den Figuren dargestellt sind, zusätzliche Elektroden-Schichten und Zwischenverbindungen vorhanden sein, um Signale, Strom und Masse zu transportieren.

Claims (35)

  1. Mehrstufiger elektrischer Mehrschichtkondensator mit einer ersten Kapazitätsstufe (302), die mehrere erste Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) umfasst, die voneinander durch dielektrische Schichten getrennt sind; einer ersten Anzahl erster Durchkontaktierungen (330), die sich von einer Oberseite des Kondensators (300) durch die mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) erstrecken, wobei einige der ersten Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit jeder Zweiten der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen und wobei andere der ersten Durchkontaktierungen (330) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen; einer mit der ersten Kapazitätsstufe elektrisch verbundenen zweiten Kapazitätsstufe (304), die mehrere zweite Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) umfasst; und einer zweiten Anzahl zweiter Durchkontaktierungen, (332) die sich durch die mehreren zweiten Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) erstrecken, wobei einige der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren zweiten Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) herstellen und wobei andere der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren zweiten Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) herstellen; wobei ein Wert der Kapazität der ersten Kapazitätsstufe (302) von einem Wert der Kapazität der zweiten Kapazitätsstufe (304) unterschiedlich ist.
  2. Kondensator gemäß Anspruch 1, wobei die zweite Kapazitätsstufe (304) unterhalb der ersten Kapazitätsstufe (302) angeordnet ist, und wobei die zweiten Durchkontaktierungen (332) sich durch die mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) erstrecken, wobei einige der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen und wobei andere der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit dem Rest der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen.
  3. Kondensator gemäß Anspruch 2, wobei die erste Anzahl erster Durchkontaktierungen (330) von der zweiten Anzahl zweiter Durchkontaktierungen (332) unterschiedlich ist.
  4. Kondensator gemäß Anspruch 3, wobei die erste Anzahl erster Durchkontaktierungen (330) größer als die zweite Anzahl zweiter Durchkontaktierungen (332) ist.
  5. Kondensator gemäß Anspruch 2, wobei die zweiten Durchkontaktierungen (342) sich zu einer Unterseite des Kondensators (300) erstrecken, so dass elektrische Verbindungen mit den zweiten Durchkontaktierungen (342) an der Unterseite hergestellt werden können.
  6. Kondensator gemäß Anspruch 1, ferner umfassend: zumindest eine zwischen der ersten Kapazitätsstufe (302) und der zweiten Kapazitätsstufe (304) elektrisch verbundene, dritte Kapazitätsstufe (306), die mehrere zusätzliche Elektroden-Schichten (321, 322, 323, 324, 325) umfasst; und zusätzliche Durchkontaktierungen (334), die sich durch die mehreren zusätzlichen Elektroden-Schichten (321, 322, 323, 324, 325) erstrecken, wobei einige der zusätzlichen Durchkontaktierungen (334) elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren zusätzlichen Elektroden-Schichten (321, 322, 323, 324, 325) herstellen und wobei andere der zusätzlichen Durchkontaktierungen (334) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren zusätzlichen Elektroden-Schichten (321, 322, 323, 324, 325) herstellen.
  7. Kondensator gemäß Anspruch 1, wobei die erste Kapazitätsstufe (1310, 1312) in einem mittleren Bereich des Kondensators und wobei die zweite Kapazitätsstufe (1380) in einem Umfangsbereich des Kondensators angeordnet ist.
  8. Kondensator gemäß Anspruch 1, wobei die dielektrischen Schichten aus Keramik hergestellt sind.
  9. Kondensator gemäß Anspruch 1, wobei die erste Kapazitätsstufe und die zweite Kapazitätsstufe innerhalb eines gemeinsamen Hauptkörpers (1302) integriert sind.
  10. Kondensator gemäß Anspruch 9, wobei die erste Kapazitätsstufe (1310, 1312) in einem mittleren Bereich des gemeinsamen Hauptkörpers (1302) und die zweite Kapazitätsstufe (1380) in einem Umfangsbereich des gemeinsamen Hauptkörpers (1302) angeordnet ist.
  11. Kondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner aufweisend ein Gehäuse.
  12. Kondensator gemäß Anspruch 11, wobei die erste Kapazitätsstufe (1310, 1312) in einem mittleren Bereich des Gehäuses und die zweite Kapazitätsstufe (1380) in einem Umfangsbereich des Gehäuses angeordnet ist.
  13. Kondensator gemäß Anspruch 12, wobei das Gehäuse ein ist, wobei eine Schaltung (1340) über dem mittleren Bereich anbringbar ist, und wobei die Schaltung nicht über dem Umfangsbereich anbringbar ist.
  14. Kondensator gemäß Anspruch 11, wobei die erste Kapazitätsstufe (1310, 1312) und die zweite Kapazitätsstufe (1380) elektrisch über eine oder mehrere Elektroden-Schichten (1382) gekoppelt sind.
  15. Kondensator gemäß Anspruch 14, wobei eine oder mehrere zusätzliche Elektroden-Schichten (1370) unterhalb der ersten (1310, 1312) und der zweiten Stufe (1380) angeordnet sind.
  16. Kondensator gemäß Anspruch 11, ferner umfassend: zumindest eine zwischen der ersten Kapazitätsstufe (1310, 1312) und der zweiten Kapazitätsstufe (1380) elektrisch verbundene, zusätzliche zweite Kapazitätsstufe, die mehrere zusätzliche Elektroden-Schichten umfasst; und zusätzliche Durchkontaktierungen, die sich durch die mehreren zusätzlichen Elektroden-Schichten erstrecken, wobei einige der zusätzlichen Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren zusätzlichen Elektroden-Schichten herstellen und wobei andere der zusätzlichen Durchkontaktierungen elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren zusätzlichen Elektroden-Schichten herstellen.
  17. Kondensator gemäß Anspruch 11, wobei die zweite Kapazitätsstufe (304) unterhalb der ersten Kapazitätsstufe (302) angeordnet ist und wobei die zweiten Durchkontaktierungen (332) sich durch die mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) hindurcherstrecken, wobei einige der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen und wobei andere der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen.
  18. Kondensator gemäß Anspruch 17, wobei die erste Stufe, die zweite Stufe, die erste Anzahl erster Durchkontaktierungen (330) und die zweite Anzahl erster Durchkontaktierungen (330) in einem separaten Kondensator umfasst sind, der innerhalb des Gehäuses eingebettet ist.
  19. Kondensator gemäß Anspruch 17, wobei die erste Stufe, die zweite Stufe, die erste Anzahl erster Durchkontaktierungen (330) und die zweite Anzahl erster Durchkontaktierungen (330) in einem separaten Kondensator umfasst sind, der auf dem Gehäuse befestigt ist.
  20. Kondensator gemäß Anspruch 17, wobei ein erster Abstand der ersten Durchkontaktierungen (1230) geringer ist als ein zweiter Abstand zweiter Durchkontaktierungen (1232).
  21. Kondensator gemäß Anspruch 11, wobei das Gehäuse eines aus der Gruppe, bestehend aus einem IC-Gehäuse (1706), einer Zwischenschicht (1708), einem Sockel (1709) und einer Leiterplatte (1610) ist.
  22. Kondensator gemäß Anspruch 11, wobei das Gehäuse ein Keramikgehäuse ist.
  23. Kondensator gemäß Anspruch 11, wobei das Gehäuse ein Kunststoff-Gehäuse ist.
  24. Schaltungs-Anordnung mit einem Kondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 23.
  25. Schaltungs-Anordnung gemäß Anspruch 24, wobei die Schaltungs-Anordnung ausgebildet ist, einen Abstand der Durchkontaktierungen anzupassen.
  26. Schaltungs-Anordnung gemäß Anspruch 24, wobei die Schaltungs-Anordnung ausgewählt ist aus der Gruppe eines ICs (1706), einer Zwischenschicht (1708) und eines Sockels (1709).
  27. Herstellungsverfahren für einen mehrstufigen elektrischen Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 23, wobei das Verfahren umfasst: Herstellen einer Mehrschichtstruktur, die eine erste Kapazitätsstufe (302) und eine mit der ersten Kapazitätsstufe (302) elektrisch verbundene zweite Kapazitätsstufe (304) umfasst, wobei die erste Stufe (302) mehrere erste Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) besitzt, die durch dielektrische Schichten voneinander getrennt sind, und wobei die zweite Stufe (304) mehrere zweite Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) besitzt; wobei ein Wert der Kapazität der ersten Kapazitätsstufe (302) von einem Wert der Kapazität der zweiten Kapazitätsstufe (304) unterschiedlich ist; Bilden einer ersten Anzahl erster Durchkontaktierungen (330), die sich von der Oberseite des Kondensators durch die mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) erstrecken, wobei einige der ersten Durchkontaktierungen (330) elektrischen Kontakt mit jeder anderen der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen, und wobei andere der ersten Durchkontaktierungen (330) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen; und Bilden einer zweiten Anzahl zweiter Durchkontaktierungen (332), die sich durch die mehreren zweiten Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) erstrecken, wobei einige der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren zweiten Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) erstrecken, und wobei andere der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren zweiten Elektroden-Schichten (316, 317, 318, 319, 320) herstellen.
  28. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei das Herstellen der Mehrschichtstruktur Herstellen der zweiten Kapazitätsstufe (304) unterhalb der ersten Kapazitätsstufe (302) umfasst und wobei das Bilden der zweiten Anzahl zweiter Durchkontaktierungen (332) das Bilden der zweiten Durchkontaktierungen (332) umfasst, um sich durch die mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) hindurchzuerstrecken, wobei einige der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit jeder zweiten der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen, und wobei andere der zweiten Durchkontaktierungen (332) elektrischen Kontakt mit einem Rest der mehreren ersten Elektroden-Schichten (311, 312, 313, 314, 315) herstellen.
  29. Verfahren gemäß Anspruch 28, wobei das Formen der zweiten Durchkontaktierungen (332) Erstrecken der zweiten Durchkontaktierungen (332) zu einer Unterseite des Kondensators (300) umfasst, so dass elektrischer Kontakt zu den zweiten Durchkontaktierungen (332) an der Unterseite hergestellt werden kann.
  30. Verfahren gemäß Anspruch 28, ferner umfassend das versehen der Mehrschichtstruktur mit einem Gehäuse.
  31. Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei das Herstellen der Mehrschichtstruktur Herstellen der ersten Kapazitätsstufe (1310, 1312) in einem mittleren Bereich des Kondensators (1302) und Herstellen der zweiten Kapazitätsstufe (1380) in einem Umfangsbereich des Kondensators umfasst.
  32. Verfahren gemäß Anspruch 31, wobei das Herstellen der Mehrschichtstruktur Herstellen der Mehrschichtstruktur als integrierten Abschnitt eines Gehäuses umfasst.
  33. Verfahren gemäß Anspruch 32, wobei das Herstellen der Mehrschichtstruktur als integrierter Abschnitt des Gehäuses Herstellen der Mehrschichtstruktur als integrierter Abschnitt eines Schaltungsbausteins umfasst, wobei eine Schaltung über dem mittleren Bereich anbringbar ist und die Schaltung nicht über dem Umfangsbereich anbringbar ist.
  34. Verwendung eines Kondensators gemäß einem der Ansprüche 1 bis 23 in einem elektronischen System.
  35. Verwendung gemäß Anspruch 34, wobei das elektronische System ausgewählt aus der Gruppe eines Computers, eines Kommunikationsgerätes, eines Monitors, eines Messgeräts und eines Unterhaltungsgeräts ist.
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Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US6970362B1 (en) * 2000-07-31 2005-11-29 Intel Corporation Electronic assemblies and systems comprising interposer with embedded capacitors
US6775150B1 (en) * 2000-08-30 2004-08-10 Intel Corporation Electronic assembly comprising ceramic/organic hybrid substrate with embedded capacitors and methods of manufacture
US6515222B2 (en) * 2001-02-05 2003-02-04 Motorola, Inc. Printed circuit board arrangement
US6815739B2 (en) * 2001-05-18 2004-11-09 Corporation For National Research Initiatives Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates
US7385286B2 (en) * 2001-06-05 2008-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor module
US6636416B2 (en) * 2001-06-14 2003-10-21 Intel Corporation Electronic assembly with laterally connected capacitors and manufacturing method
US6873185B2 (en) 2002-06-19 2005-03-29 Viasic, Inc. Logic array devices having complex macro-cell architecture and methods facilitating use of same
US20040022038A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-05 Intel Corporation Electronic package with back side, cavity mounted capacitors and method of fabrication therefor
CN100437850C (zh) * 2002-10-30 2008-11-26 京瓷株式会社 电容器，布线基板，退耦电路以及高频电路
JP2006179956A (ja) * 2002-10-30 2006-07-06 Kyocera Corp コンデンサの製造方法
JP2006222442A (ja) * 2002-10-30 2006-08-24 Kyocera Corp コンデンサ、及び配線基板
US6819543B2 (en) * 2002-12-31 2004-11-16 Intel Corporation Multilayer capacitor with multiple plates per layer
US6753595B1 (en) * 2003-01-14 2004-06-22 Silicon Integrated Systems Corp Substrates for semiconductor devices with shielding for NC contacts
US7327554B2 (en) * 2003-03-19 2008-02-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Assembly of semiconductor device, interposer and substrate
DE10313891A1 (de) * 2003-03-27 2004-10-14 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
US6785118B1 (en) 2003-03-31 2004-08-31 Intel Corporation Multiple electrode capacitor
CN1768559B (zh) * 2003-04-07 2011-12-07 揖斐电株式会社 多层印刷电路板
CN1771601A (zh) * 2003-04-07 2006-05-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有集成的分布式退耦电容器的电子封装结构
JP4246543B2 (ja) * 2003-05-13 2009-04-02 日本特殊陶業株式会社 積層電子部品の製造方法
CN1317923C (zh) * 2003-09-29 2007-05-23 财团法人工业技术研究院 一种具内藏电容的基板结构
US6881895B1 (en) 2003-09-30 2005-04-19 National Semiconductor Corporation Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
US6873228B1 (en) 2003-09-30 2005-03-29 National Semiconductor Corporation Buried self-resonant bypass capacitors within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
US6872962B1 (en) 2003-09-30 2005-03-29 National Semiconductor Corporation Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
EP1673142A2 (de) 2003-10-06 2006-06-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Vorrichtung und verfahren zum kapseln eines kondensators
US8569142B2 (en) * 2003-11-28 2013-10-29 Blackberry Limited Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same
JP2005191562A (ja) * 2003-12-05 2005-07-14 Ngk Spark Plug Co Ltd コンデンサとその製造方法
US7335966B2 (en) * 2004-02-26 2008-02-26 Triad Semiconductor, Inc. Configurable integrated circuit capacitor array using via mask layers
EP1738412A1 (de) * 2004-04-02 2007-01-03 Triad Semiconductor, Inc. Kontaktloch-konfigurierbare architektur für die anpassung von analogen schaltkreisen in einem halbleiterbauelement
US20050225955A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-layer printed circuit boards
US7095108B2 (en) * 2004-05-05 2006-08-22 Intel Corporation Array capacitors in interposers, and methods of using same
JP2005340647A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd インターポーザ基板、半導体パッケージ及び半導体装置並びにそれらの製造方法
JP4597585B2 (ja) * 2004-06-04 2010-12-15 日本特殊陶業株式会社 積層電子部品及びその製造方法
JP4079120B2 (ja) * 2004-06-04 2008-04-23 株式会社村田製作所 積層型セラミックコンデンサの製造方法
US7183651B1 (en) * 2004-06-15 2007-02-27 Storage Technology Corporation Power plane decoupling
US20050285281A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Simmons Asher L Pad-limited integrated circuit
US7501698B2 (en) * 2004-10-26 2009-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and system for an improved power distribution network for use with a semiconductor device
US7149072B2 (en) * 2004-11-04 2006-12-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayered chip capacitor array
KR100674823B1 (ko) 2004-12-07 2007-01-26 삼성전기주식회사 적층형 캐패시터 어레이의 배선접속구조
US7334208B1 (en) 2004-11-09 2008-02-19 Viasic, Inc. Customization of structured ASIC devices using pre-process extraction of routing information
KR100714608B1 (ko) 2004-12-03 2007-05-07 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
US7613007B2 (en) * 2004-12-21 2009-11-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Power core devices
US20060158828A1 (en) * 2004-12-21 2006-07-20 Amey Daniel I Jr Power core devices and methods of making thereof
TWI295089B (en) * 2004-12-28 2008-03-21 Ngk Spark Plug Co Wiring substrate and the manufacturing method of the same
GB2439862A (en) 2005-03-01 2008-01-09 X2Y Attenuators Llc Conditioner with coplanar conductors
WO2006096589A2 (en) * 2005-03-05 2006-09-14 Innovation Engineering Llc Electronically variable capacitor array
US7372126B2 (en) * 2005-03-31 2008-05-13 Intel Corporation Organic substrates with embedded thin-film capacitors, methods of making same, and systems containing same
JP4757587B2 (ja) * 2005-09-21 2011-08-24 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ、及び、その製造方法
US7701052B2 (en) * 2005-10-21 2010-04-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Power core devices
JP4911036B2 (ja) * 2005-12-01 2012-04-04 株式会社村田製作所 積層コンデンサおよびその実装構造
US7692284B2 (en) * 2005-12-12 2010-04-06 Intel Corporation Package using array capacitor core
KR100761860B1 (ko) * 2006-09-20 2007-09-28 삼성전자주식회사 와이어 본딩 모니터링이 가능한 인터포저 칩을 갖는 적층반도체 패키지 및 이의 제조방법
FI20065692L (fi) * 2006-11-02 2008-05-03 Waertsilae Finland Oy Menetelmä kiinteäoksidipolttokennon käyttämiseksi
US20080239685A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Tadahiko Kawabe Capacitor built-in wiring board
US7902662B2 (en) 2007-04-02 2011-03-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Power core devices and methods of making thereof
US8493744B2 (en) * 2007-04-03 2013-07-23 Tdk Corporation Surface mount devices with minimum lead inductance and methods of manufacturing the same
US7589394B2 (en) * 2007-04-10 2009-09-15 Ibiden Co., Ltd. Interposer
US7969712B2 (en) * 2007-04-19 2011-06-28 Oracle America, Inc. Power integrity circuits with EMI benefits
KR100851065B1 (ko) * 2007-04-30 2008-08-12 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
JP2009027044A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Taiyo Yuden Co Ltd 積層コンデンサ及びコンデンサ内蔵配線基板
US7692309B2 (en) * 2007-09-06 2010-04-06 Viasic, Inc. Configuring structured ASIC fabric using two non-adjacent via layers
US8227894B2 (en) * 2007-11-21 2012-07-24 Industrial Technology Research Institute Stepwise capacitor structure and substrate employing the same
US20090128993A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Industrial Technology Reaserch Institute Multi-tier capacitor structure, fabrication method thereof and semiconductor substrate employing the same
CN101458994B (zh) * 2007-12-10 2012-09-26 财团法人工业技术研究院 阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板
JP4502006B2 (ja) * 2007-12-28 2010-07-14 Ｔｄｋ株式会社 貫通型積層コンデンサアレイ
US8125761B2 (en) * 2008-02-22 2012-02-28 Industrial Technology Research Institute Capacitor devices with co-coupling electrode planes
US8395902B2 (en) * 2008-05-21 2013-03-12 International Business Machines Corporation Modular chip stack and packaging technology with voltage segmentation, regulation, integrated decoupling capacitance and cooling structure and process
US20100073894A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 Russell Mortensen Coreless substrate, method of manufacturing same, and package for microelectronic device incorporating same
US20100108369A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Alexander Tom Printed Circuit Boards, Printed Circuit Board Capacitors, Electronic Filters, Capacitor Forming Methods, and Articles of Manufacture
US8094429B2 (en) * 2009-06-22 2012-01-10 Industrial Technology Research Institute Multilayer capacitors and methods for making the same
KR101067178B1 (ko) * 2009-09-04 2011-09-22 삼성전기주식회사 칩형 전기이중층 커패시터 및 그 패키지 구조
US9450556B2 (en) * 2009-10-16 2016-09-20 Avx Corporation Thin film surface mount components
TWI381512B (zh) * 2009-11-12 2013-01-01 Powertech Technology Inc 多晶片堆疊結構
KR20120017245A (ko) * 2010-08-18 2012-02-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 이의 제조방법
US8717773B2 (en) * 2011-03-04 2014-05-06 General Electric Company Multi-plate board embedded capacitor and methods for fabricating the same
US9406738B2 (en) 2011-07-20 2016-08-02 Xilinx, Inc. Inductive structure formed using through silicon vias
US9330823B1 (en) 2011-12-19 2016-05-03 Xilinx, Inc. Integrated circuit structure with inductor in silicon interposer
JP5919009B2 (ja) * 2012-02-03 2016-05-18 太陽誘電株式会社 ポーラスコンデンサ及びその製造方法
US8767408B2 (en) 2012-02-08 2014-07-01 Apple Inc. Three dimensional passive multi-component structures
US9337138B1 (en) * 2012-03-09 2016-05-10 Xilinx, Inc. Capacitors within an interposer coupled to supply and ground planes of a substrate
US8643141B2 (en) * 2012-04-16 2014-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Capacitor array layout arrangement for high matching methodology
CN102655055A (zh) * 2012-04-23 2012-09-05 苏州达方电子有限公司 制造积层电容器的方法
US20130334657A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Planar interdigitated capacitor structures and methods of forming the same
US9035194B2 (en) * 2012-10-30 2015-05-19 Intel Corporation Circuit board with integrated passive devices
US9299498B2 (en) * 2012-11-15 2016-03-29 Eulex Corp. Miniature wire-bondable capacitor
US20140167900A1 (en) 2012-12-14 2014-06-19 Gregorio R. Murtagian Surface-mount inductor structures for forming one or more inductors with substrate traces
US9595526B2 (en) * 2013-08-09 2017-03-14 Apple Inc. Multi-die fine grain integrated voltage regulation
US9093295B2 (en) 2013-11-13 2015-07-28 Qualcomm Incorporated Embedded sheet capacitor
US9642261B2 (en) * 2014-01-24 2017-05-02 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Composite electronic structure with partially exposed and protruding copper termination posts
US10068181B1 (en) 2015-04-27 2018-09-04 Rigetti & Co, Inc. Microwave integrated quantum circuits with cap wafer and methods for making the same
US10892105B2 (en) 2017-01-31 2021-01-12 International Business Machines Corporation Multi-layer capacitor package
US11443898B2 (en) * 2017-04-10 2022-09-13 Presidio Components. Inc. Multilayer broadband ceramic capacitor with internal air gap capacitance
CN117133545A (zh) * 2017-05-15 2023-11-28 京瓷Avx元器件公司 多层电容器和包括其的电路板
US11121301B1 (en) 2017-06-19 2021-09-14 Rigetti & Co, Inc. Microwave integrated quantum circuits with cap wafers and their methods of manufacture
CN107591256B (zh) * 2017-07-14 2019-07-19 电子科技大学 一种大容量梯度板式阵列电容芯片及其制备方法
WO2019107130A1 (ja) * 2017-11-30 2019-06-06 株式会社村田製作所 キャパシタ
JP2021082786A (ja) * 2019-11-22 2021-05-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
GB2590643B (en) * 2019-12-20 2022-08-03 Graphcore Ltd Method of manufacturing a computer device
US11024551B1 (en) 2020-01-07 2021-06-01 International Business Machines Corporation Metal replacement vertical interconnections for buried capacitance
CN113410053A (zh) * 2021-06-18 2021-09-17 安徽安努奇科技有限公司 一种电容器
CN115705959A (zh) * 2021-08-17 2023-02-17 比亚迪股份有限公司 母线电容及汽车

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757611A (en) * 1996-04-12 1998-05-26 Norhtrop Grumman Corporation Electronic package having buried passive components
EP0917165A2 (de) * 1997-11-14 1999-05-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vielschichtkondensator
EP1115129A2 (de) * 1999-12-28 2001-07-11 TDK Corporation Vielschichtkondensator

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2507379A1 (fr) * 1981-06-05 1982-12-10 Europ Composants Electron Bloc de condensateurs en serie et multiplicateur de tension utilisant un tel bloc de condensateurs
US4729061A (en) * 1985-04-29 1988-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Chip on board package for integrated circuit devices using printed circuit boards and means for conveying the heat to the opposite side of the package from the chip mounting side to permit the heat to dissipate therefrom
US5874770A (en) * 1996-10-10 1999-02-23 General Electric Company Flexible interconnect film including resistor and capacitor layers
US5880925A (en) * 1997-06-27 1999-03-09 Avx Corporation Surface mount multilayer capacitor
US5939782A (en) * 1998-03-03 1999-08-17 Sun Microsystems, Inc. Package construction for integrated circuit chip with bypass capacitor
KR100268424B1 (ko) * 1998-08-07 2000-10-16 윤종용 반도체 장치의 배선 형성 방법
JP3337018B2 (ja) * 1999-11-19 2002-10-21 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
US6414835B1 (en) * 2000-03-01 2002-07-02 Medtronic, Inc. Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device
US6346743B1 (en) * 2000-06-30 2002-02-12 Intel Corp. Embedded capacitor assembly in a package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757611A (en) * 1996-04-12 1998-05-26 Norhtrop Grumman Corporation Electronic package having buried passive components
EP0917165A2 (de) * 1997-11-14 1999-05-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vielschichtkondensator
EP1115129A2 (de) * 1999-12-28 2001-07-11 TDK Corporation Vielschichtkondensator

Also Published As

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