DE102004018639A1 - System und Verfahren zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess - Google Patents

System und Verfahren zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess Download PDF

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess offenbart. Das Verfahren umfasst das Aufbringen von Lötpaste auf das Substrat und das Platzieren von Elektronikkomponenten auf dem Substrat zwecks Bildung einer Substratbaugruppe. Das Verfahren umfasst außerdem das Anordnen der Substratbaugruppe auf einer Palette, die mit Wärmeleitmatrial als Mittel zur Ableitung der Wärme vom Substrat ausgestattet ist. Das Verfahren umfasst außerdem schnelles, lokalisiertes Erwärmen auf eine zum Schmelzen der Lötpaste ausreichenden Schmelztemperatur mithilfe einer Zusatzheizquelle. Das Verfahren umfasst außerdem das Kühlen der Palette an der zweiten Fläche zwecks Verteilung der Wärme vom Substrat, wobei ein Temperaturgradient quer über dem Substrat gebildet wird, während die aufgebrachte Lötpaste einer weiteren schnellen, lokalisierten Erwärmung ausgesetzt wird.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein System und Verfahren zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess.
  • Montageverfahren für Elektronikkomponenten auf steifen und flexiblen Leiterplatten sind im Fachgebiet allgemein bekannt. Normalerweise wird auf die Leiteranschlussstellengebiete auf steifen oder flexiblen Leiterplatten Lötpaste aufgebracht. Dann werden die Komponenten derart platziert, dass sie mit ihren Anschlüssen die Lötpaste an den Anschlussstellengebieten kontaktieren. Danach wird das Substrat relativ hohen Temperaturen zur Aktivierung der Lötpaste ausgesetzt, die schmilzt und anschließend erstarrt, um die Komponenten am Substrat zu befestigen und elektrisch leitend anzuschließen. Das flexible Substrat besteht typischerweise aus Polyimid, das bei hohen Temperaturen eine hohe Stabilität aufweist.
  • Außerdem bestehen die Paletten, die das Substrat während eines vektortransienten Aufschmelzprozesses aufnehmen und abstützen, typischerweise aus unterschiedlichen Materialien, wie z. B. Polymere, zur Absorption der Wärme vom Substrat. Die Hersteller sind gefordert, die Maßnahmen zur Ableitung der Wärme vom Substrat zu verbessern, um Qualitätsverluste und Verwerfungen am Substrat aufgrund der hohen Temperaturen zu verringern. In vielen Situationen erleidet das Substrat aufgrund der hohen Temperaturen zumindest einen gewissen Grad an Verwerfung oder Qualitätsverlust.
  • Obwohl die Lehren des Stands der Technik ihren vorgesehenen Zweck erfüllen, sind wesentliche Verbesserungen erforderlich. Es ist zum Beispiel wünschenswert, eine Verwerfung auf dem Substrat der Leiterplatte zu eliminieren oder zu verringern. In vielen Situationen wird das typischerweise aus Plastwerkstoff wie z. B. Polyethylenterephtalat (PET) bestehende Substrat auf Temperaturen über 250 °C erwärmt. Ohne angemessene Wärmeableitungsmaßnahmen kann das Substrat aufgrund der hohen Temperaturen im Ofen eine Verwerfung oder Krümmung erfahren. Bekanntlich beeinflusst eine Substratverwerfung die mechanischen Genauigkeiten der Leiterplatte, die mechanischen Eigenschaften des Substrats und die Wärmeübertragungsfähigkeiten der Leiterplatte.
  • Deshalb ist ein Aspekt der Erfindung die Bereitstellung eines Systems und Verfahrens zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess.
  • Ein anderer Aspekt der Erfindung ist die Bereitstellung einer wärmeleitenden Palette für einen vektortransienten Aufschmelzprozess eines wärmeempfindlichen flexiblen Substrats, um eine verbesserte Wärmeübertragung quer über das Substrat zu ermöglichen.
  • Ein noch anderer Aspekt der Erfindung ist die Bereitstellung einer Kühlquelle zur Kühlung einer zweiten Fläche der Palette, um die vom Substrat stammende Wärme mithilfe von Kühlung zu verteilen, aufgrund derer quer über dem Substrat ein Temperaturgradient gebildet und zusätzliche Wärmeenergie zum Aufschmelzen des Lots bereitgestellt wird.
  • Eine Ausgestaltung der Erfindung umfasst das Aufbringen von Lötpaste auf das Substrat und das Platzieren von Elektronikkomponenten auf dem Substrat zwecks Bildung einer Substratbaugruppe. Das Verfahren umfasst außerdem das Anordnen der Substratbaugruppe auf einer Palette, die mit Wärmeleitmaterial als Mittel zur Ableitung der Wärme vom Substrat ausgestattet ist. Das Wärmeleitmaterial hat eine erste und eine zweite Fläche, die einander gegenüberliegen. Die erste Fläche ist für die Aufnahme des darauf platzierten Substrats ausgelegt, um die Wärme vom Substrat während des vektortransienten Aufschmelzprozesses zu verteilen. Das Verfahren umfasst außerdem das Vorheizen der Substratbaugruppe auf eine erste erhöhte Temperatur unterhalb einer Erweichungstemperatur der aufgebrachten Lötpaste und Aussetzen der aufgebrachten Lötpaste einer weiteren schnellen, lokalisierten Erwärmung auf eine zum Schmelzen der Lötpaste ausreichenden Schmelztemperatur mithilfe einer Zusatzheizquelle. Das Verfahren umfasst außerdem das Kühlen der Palette an der zweiten Fläche zwecks Verteilung der vom Substrat stammenden Wärme, wobei quer über dem Substrat ein Temperaturgradient gebildet wird, während die aufgebrachte Lötpaste einer weiteren schnellen, lokalisierten Erwärmung ausgesetzt wird.
  • Weitere Ziele und Vorteile der Erfindung sind bei Beachtung der nachfolgenden Beschreibung und beigefügten Patentansprüche und mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen deutlich erkennbar.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine schematische Darstellung eines Apparats zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess entsprechend einer Ausgestaltung der Erfindung.
  • 2 ist eine Schnittdarstellung einer Ausgestaltung einer wärmeleitenden Palette zur Aufnahme des Substrats während des vektortransienten Aufschmelzprozesses.
  • 3 ist eine Draufsicht der wärmeleitenden Palette, die ein flexibles Substrat aufnimmt, an dessen beide freiliegende Flächen Elektronikkomponenten entsprechend einer Ausgestaltung der Erfindung montiert sind.
  • 4 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess zeigt.
  • Ausführliche Beschreibung der Erfindung
  • Ein erfindungsgemäßes System 10 zum Lotaufschmelzen zwecks elektrisch leitenden Verbindens von Elektronikkomponenten mit einem flexiblen oder halbflexiblen Substrat 12 ist in 1 dargestellt. Das Substrat kann aus jedem geeigneten Material, wie z. B. einer PET- oder Polyethylennaphtalen-(PEN-)Schicht, bestehen. Außerdem umfasst das System 10 eine Palette 14, die ein Mittel zur Befestigung der Schaltungskomponenten auf dem flexiblen Substrat 12 ohne Verschlechterung der Substratmaterialeigenschaften bereitstellt. Das System 10 umfasst außerdem einen Aufschmelzofen 13, ein Fördersystem 16, eine Gasdüse 18 und eine Palette 14. Der Aufschmelzofen 13 ist mit einer Vielzahl von Heizern 22 zum Vorwärmen des Substrats 12 auf eine Solltemperatur ausgestattet. Das Fördersystem 16 ist auf herkömmliche Weise zur gemeinsamen Aufnahme von Paletten 14 zwecks deren Bewegung durch den Aufschmelzofen 13 hindurch konfiguriert.
  • Ein System und Verfahren zur Montage von Elektronikkomponenten auf flexiblen Substraten wird im am 3. Oktober 2000 eingereichten US-Patent 60/237,650 und in der am 3. Oktober 2001 eingereichten internationalen Patentanmeldung PCT/US01/31122 beschrieben, die beide hier durch Bezugnahme integriert sind.
  • In dieser Ausgestaltung ist die Palette 14 eine wärmeleitende Palette 14 zum Aufschmelzen der Lötpaste zwecks Verbindens von Elektronikkomponenten 24 mit dem flexiblen Substrat 12 entsprechend der Erfindung. Die Palette 14 besteht aus einem Wärmeleitmaterial, z. B. Aluminium, als Mittel zur Ableitung der Wärme vom Substrat 12. Das Wärmeleitmaterial hat eine erste und eine zweite gegenüberliegende Fläche, wobei die erste Fläche zur Aufnahme des darauf angeordneten Substrats zwecks Verteilung der Wärme vom Substrat während des vektortransienten Aufschmelzprozesses konfiguriert ist. Die Palette 14 ist zur Abstützung des Substrats 12 konfiguriert und kooperiert zum Transport des Substrats 12 durch den Aufschmelzofen 13 mit dem Fördersystem 16. Die Heizer 22 des Aufschmelzofens 13 wärmen das Substrat 12 vor, und die Heißgasdüse 18 stellt eine Zusatzheizung bereit. Die Lötpaste 26 wird auf die auf dem Substrat 12 angeordneten Leiteranschlussstellen 28 gedruckt, auf die die Komponenten 24 platziert werden.
  • Das Fördersystem 16 umfasst außerdem eine Kühlquelle, z. B. eine Kühlgasdüse 20, die angrenzend an die zweite Fläche der Palette 14 und gegenüber der Heißgasdüse 18 angeordnet ist. Die Kühlquelle bietet der Palette zwecks Verteilung der vom Substrat stammenden Wärme Kühlung, durch die ein Temperaturgradient quer über dem Substrat gebildet wird, während zusätzliche Wärmeenergie zum Aufschmelzen des Lots bereitgestellt wird. Es wurde festgestellt, dass das Wärmeleitmaterial, wie z. B. Aluminium, in der Lage ist, sich im Wesentlichen gleichmäßig abzukühlen oder zu erwärmen. Deshalb erfährt größtenteils die gesamte Palette eine Temperaturänderung, wenn Kühlgas über die zweite Fläche der Palette geleitet wird. Durch Einleiten von Kühlgas über die Kühlgasdüse 20 kühlt sich das Wärmeleitmaterial größtenteils gleichmäßig ab, wodurch die Übertragung der Wärme vom Substrat auf die Palette in einer wirksameren Weise gewährleistet ist. Das lässt einen größeren Temperaturgradienten quer über dem Substrat zu.
  • Wie in 3 dargestellt, umfasst die Palette 14 ein Wärmeleitmaterial zur Aufnahme eines Substrats einer Leiterplatte in einem einer Ausgestaltung der Erfindung entsprechenden vektortransienten Aufschmelzprozess. Die Palette 14 umfasst ein Wärmeleitmaterial, z. B. Aluminium, als Mittel zur Ableitung der Wärme vom Substrat 12. In dieser Ausgestaltung kann das Wärmeleitmaterial Kupfer, Aluminium, Stahl oder jedes andere geeignete leitfähige Material umfassen. Die Wärmeleitschicht 30 hat eine erste und zweite gegenüberliegende Fläche 31 bzw. 32. Wie gezeigt, hat die erste Fläche 31 einen Randbereich 33 und ist zur Aufnahme des darauf angeordneten Substrats 12 während des vektortransienten Aufschmelzprozesses des Substrats 12 konfiguriert.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass das die Wärmeleitschicht 30 umfassende Material jedes andere geeignete Material umfassen kann, welches zerstreuende oder leitende Merkmale aufweist, so dass zum Schutz des Substrats vor Qualitätsverlust infolge Wärmeeinwirkung die Wärme vom Substrat abgeleitet werden kann.
  • In den 2 und 3 ist die erfindungsgemäße Palette 14 im Schnitt bzw. in einer Draufsicht dargestellt. Auf der Palette 14 werden Haltestifte 44 bereitgestellt, um das Substrat 12 flach oder eben auf der Palettenfläche 46 zu halten. Die Stifte 44 können zwecks Aufbringung einer Spannkraft auf das Substrat 12 durch Federn 48 vorgespannt oder belastet sein. In einer Ausgestaltung der Erfindung kann ein Bilderrahmen 50 zum Spannen des Substrats 12 auf der Palettenfläche 46 verwendet werden. Wie dargestellt, befestigt und sichert der Bilderrahmen 50 den Umfang des Substrats 12, um die Kanten des Substrats 12 auf der Fläche 46 der Palette zu halten.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung ist das Substrat 12 eine Polyesterschicht mit einer Dicke von 0,003 bis 0,010 inch (entspricht 0,076 bis 0,254 mm). Wie im Fachgebiet allgemein bekannt ist, können (nicht dargestellte) Kupferleiter und (nicht dargestellte) Lötstellen auf beiden Flächen des Substrats ausgebildet sein. Eine geeignete (nicht dargestellte) Lötmaske wird über die Kupferleiter aufgebracht, so dass nur die Anschlussstellenbereiche offen liegen, auf denen die Lötpaste aufgedruckt worden ist. Diese Anschlussstellen weisen eine geeignete Oberflächenbehandlung, wie z. B. eine organische Oberflächenbehandlung, auf, um die Anschlussstellenoberflächen vor Oxidbildung zu schützen. Andere Oberflächenbehandlungsarten, wie z. B. Tauchsilber oder ein galvanischer Zinnüberzug, können zur Verbesserung der Lötfähigkeit der Komponenten 24 auf den Anschlussstellen verwendet werden.
  • Es können Lötpasten mit bleihaltigen Zusammensetzungen und Lötpasten mit bleifreien Zusammensetzungen verwendet werden. Die bleihaltigen Lötpasten haben eine niedrigere Schmelztemperatur von etwa 183 °C bis 200 °C, während die bleifreien Zusammensetzungen Schmelztemperaturen von etwa 220 °C bis 245 °C haben.
  • Im Betrieb, wenn die Palette 14 mit dem darauf befestigten Substrat 12 durch die Vorwärmzonen im Ofen transportiert wird, wird die Lötpaste 26 aktiviert und allmählich auf eine Temperatur knapp unterhalb ihrer Schmelztemperatur erwärmt. Während dieses Prozesses beginnt das Wärmeleitmaterial der Palette Wärme vom Ofen 13 und vom Substrat 12 zu absorbieren, wodurch die Temperatur des Substrats sinkt. Die von der Gasdüse 18 erzeugte Zusatzwärme wird zur Bereitstellung einer fokussierten und konzentrierten Wärmequelle verwendet. Die Heißgasdüse 18 liefert für eine kurze Dauer Wärme an die freiliegende Substratfläche. Vorzugsweise die Lötpaste 26, die Leiteranschlussstellen 28 und die Kupferbereiche des Substrats absorbieren Wärme aufgrund ihres hohen Wärmediffusionsvermögens, während das Substrat 12 durch die Palette 14 und diese ihrerseits durch die Wärmeleitschicht und die Wärmeisolationsschicht auf einer niedrigeren Temperatur gehalten werden.
  • Zur selben Zeit liefert die Kühlgasdüse 20 Kühlgas als Mittel zur Kühlung an die zweite Fläche der Palette. Aufgrund der Natur des Wärmeleitmaterials kühlt die Palette im Wesentlichen gleichmäßig ab, wodurch zusätzliche Wärme quer über die Palette geleitet wird. Das wiederum erhöht die Temperatur quer über dem Substrat, wodurch mehr Wärme durch das Substrat fließen kann und Verziehen oder Qualitätsverlust des Substrats vermieden wird. Auf diese Weise wird eine Erweichung und Schädigung des Substrats 112 während des Aufschmelzprozesses verhindert oder verringert.
  • Nachdem die exponierten Regionen des Substrats unter der Gasdüse 18 vorbeibewegt worden sind, fällt die Temperatur der Elektronikkomponente 24 und des Substrats 12 schnell ab, so dass sich das aktivierte Lot abkühlt und verfestigt. Damit wird eine zuverlässige elektrisch leitende Verbindung zwischen den Leitern oder Anschlussstellen 28 und den Komponenten 24 gebildet.
  • 4 stellt ein Verfahren 110 zum Löten von Elektronikkomponenten eines wärmeempfindlichen flexiblen Substrats mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess dar. Wie gezeigt, umfasst das Verfahren 110 das Aufbringen der Lötpaste in Schritt 112 und das Platzieren der Elektronikkomponenten auf dem Substrat zwecks Bildung einer Substratbaugruppe in Schritt 114. Das Verfahren umfasst außerdem in Schritt 116 das Anordnen der Substratbaugruppe auf einer Palette, die mit einem Wärmeleitmaterial als Mittel zur Ableitung der Wärme vom Substrat ausgestattet ist. In dieser Ausgestaltung hat das Wärmeleitmaterial eine erste und zweite Fläche, die einander gegenüberliegen, wobei das Wärmeleitmaterial Aluminium, eine Aluminiumlegierung oder jedes andere geeignete Wärmeleitmaterial umfasst. Die erste Fläche ist zur Aufnahme des darauf platzierten Substrats ausgelegt, um die Wärme vom Substrat während des vektortransienten Aufschmelzprozesses zu verteilen.
  • Wie gezeigt, umfasst das Verfahren 110 außerdem das Vorwärmen der Substratbaugruppe auf eine erste erhöhte Temperatur unterhalb einer Erweichungstemperatur der aufgebrachten Lötpaste. In dieser Ausgestaltung ist die erste erhöhte Temperatur etwa 90 °C bis 115 °C. Das Verfahren umfasst außerdem den Transport der Palette unter eine Zusatzheizquelle mithilfe einer Fördereinrichtung.
  • Das Verfahren 110 umfasst außerdem den Schritt 120, in dem die aufgebrachte Lötpaste einer weiteren schnellen, lokalisierten Erwärmung auf eine zum Schmelzen der Lötpaste ausreichenden Schmelztemperatur mithilfe einer Zusatzheizquelle ausgesetzt wird. In dieser Ausgestaltung ist die Zusatzheizquelle eine Heißgasdüse 18, mit der heißes Gas auf das Substrat geleitet wird. In dieser Ausgestaltung hat das heiße Gas eine Temperatur von etwa 200 °C bis 450 °C. Die Schmelztemperatur liegt zwischen etwa 180 °C und 260 °C, vorzugsweise bei etwa 220 °C.
  • Gleichzeitig umfasst das Verfahren 110 außerdem in Schritt 122 das Kühlen der Palette an der zweiten Fläche zwecks Verteilung der vom Substrat stammenden Wärme, so dass ein Temperaturgradient quer über dem Substrat gebildet wird, während die aufgebrachte Lötpaste einer weiteren schnellen, lokalisierten Erwärmung ausgesetzt wird. In dieser Ausgestaltung weist die Kühlgasdüse eine Temperatur von etwa 65 °C auf. Die Schmelztemperatur liegt zwischen etwa 180 °C und 260 °C, vorzugsweise bei etwa 220 °C. In dieser Ausgestaltung umfasst der Schritt des Kühlens der Palette das Leiten von Kühlgas auf die zweite Fläche der Palette mithilfe einer Kühlgasdüse. Die Kühlgasdüse hat einen festgelegten Auslassdurchmesser und ist in einem festgelegten Abstand zur zweiten Fläche der Palette positioniert. In dieser Ausgestaltung ist das Verhältnis von festgelegtem Abstand zu festgelegtem Auslassdurchmesser kleiner als 14. Der festgelegte Abstand zur zweiten Fläche der Palette kann zum Beispiel etwa 98 cm und der festgelegte Auslassdurchmesser der Kühlgasdüse kann etwa 7,0 cm betragen. Damit wird ein verbesserter Temperaturgradient quer über dem Substrat gebildet, der bis zu etwa 45 °C betragen kann. Das wird erreicht, weil sich das Wärmeleitmaterial im Wesentlichen gleichmäßig abkühlt, so dass die erste Fläche der Palette in der Lage ist, eine verbesserte Wärmeübertragung vom Substrat zu gewährleisten.
  • Die voranstehende Beschreibung offenbart und beschreibt die Vorzugsausgestaltung der Erfindung. Eine mit dem Fachgebiet vertraute Person wird aus dieser Beschreibung, den zugehörigen Zeichnungen und den Patentansprüchen leicht erkennen, dass Änderungen und Modifikationen an der Erfindung ausgeführt werden können, ohne dass vom wahren Sinn und eindeutigen Geltungsbereich der durch die nachfolgenden Patentansprüche definierten Erfindung abgewichen wird. Die Erfindung ist zur Veranschaulichung beschrieben worden, und es ist selbstverständlich, dass die verwendete Terminologie der Beschreibung und nicht der Beschränkung dient.

Claims (9)

  1. Verfahren zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess, umfassend: – Aufbringen von Lötpaste auf das Substrat; – Platzieren von Elektronikkomponenten auf dem Substrat zwecks Bildung einer Substratbaugruppe; – Anordnen der Substratbaugruppe auf einer Palette, die mit Wärmeleitmaterial als Mittel zur Ableitung der Wärme vom Substrat ausgestattet ist, wobei das Wärmeleitmaterial eine erste und eine zweite Fläche hat, die einander gegenüberliegen, wobei die erste Fläche zur Aufnahme des darauf platzierten Substrats ausgelegt ist, um die Wärme vom Substrat während des vektortransienten Aufschmelzprozesses zu verteilen; – Vorheizen der Substratbaugruppe auf eine erste erhöhte Temperatur unterhalb einer Erweichungstemperatur der aufgebrachten Lötpaste; – Aussetzen der aufgebrachten Lötpaste einer weiteren schnellen, lokalisierten Erwärmung auf eine zum Schmelzen der Lötpaste ausreichenden Schmelztemperatur mithilfe einer Zusatzheizquelle; – Kühlen der Palette an der zweiten Fläche zwecks Verteilung der Wärme vom Substrat, so dass ein Temperaturgradient quer über dem Substrat gebildet wird, während die aufgebrachte Lötpaste einer weiteren schnellen, lokalisierten Erwärmung ausgesetzt ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Kühlens der Palette das Leiten von Kühlgas auf die zweite Fläche der Palette mithilfe einer Kühlgasdüse umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Schritt des Aussetzens das Leiten von heißem Gas auf das Substrat mithilfe einer Heißgasdüse umfasst.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Palette aus einem wärmeleitenden Material besteht.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste erhöhte Temperatur bei etwa 90 °C bis 115 °C liegt.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Schmelztemperatur zwischen etwa 180 °C und 259 °C liegt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Schmelztemperatur bei etwa 220 °C liegt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, außerdem umfassend den Transport der Palette unter eine Zusatzheizquelle mithilfe einer Transporteinrichtung.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Temperaturgradient quer über dem Substrat bis zu etwa 45 °C beträgt.
DE102004018639A 2003-04-10 2004-04-08 System und Verfahren zum Löten von Elektronikkomponenten auf einem wärmeempfindlichen flexiblen Substrat mit Kühlung für einen vektortransienten Aufschmelzprozess Ceased DE102004018639A1 (de)

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