DE102004019346A1 - Screen for an irradiating device for projecting a pattern into a photo-sensitive layer comprises a substrate having a surface containing a reflecting element and a control unit for adjusting the reflection properties of the element - Google Patents

Screen for an irradiating device for projecting a pattern into a photo-sensitive layer comprises a substrate having a surface containing a reflecting element and a control unit for adjusting the reflection properties of the element Download PDF

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Abstract

Screen (1) comprises a substrate (40) having a surface (44) containing a reflecting element (41) for the reflection of an incident light beam (100) and a control unit (48) for adjusting the reflection properties of the element and connected to the element in the surface of the substrate of the screen. An independent claim is also included for a process for controlling the screen. Preferred Features: The surface of the substrate has a matrix-like arrangement with elements whose reflection properties can be adjusted by the control unit.

Description

Die Erfindung betrifft eine Blende für einen Belichtungsapparat zur Projektion eines Musters in eine photoempfindliche Schicht, die in einer Bildebene des Belichtungsapparates eingebracht ist, sowie ein Verfahren zum Steuern der Blende bei einer Belichtung zur Durchführung einer Belichtung der photoempfindlichen Schicht in dem Belichtungsapparat. Die Erfindung betrifft insbesondere auch die Belichtung eines mit einer photoempfindlichen Schicht bedeckten Halbleitersubstrats zur Herstellung integrierter Schaltungen.The The invention relates to a diaphragm for an exposure apparatus for projecting a pattern into a photosensitive one Layer introduced in an image plane of the exposure apparatus and a method of controlling the aperture in an exposure to carry out an exposure of the photosensitive layer in the exposure apparatus. The In particular, the invention also relates to the exposure of one with a Photosensitive layer-covered semiconductor substrate for the production integrated circuits.

Zur Strukturierung einzelner Ebenen einer integrierten Schaltung werden in der Halbleiterfertigung Belichtungsapparate eingesetzt. Mit ihnen werden jeweils Photomasken bestrahlt, auf denen das auf das Halbleitersubstrat zu übertragende Muster gebildet ist. Das Halbleitersubstrat ist üblicherweise mit einer photoempfindlichen Schicht bedeckt, die im Bereich der in dem Muster gebildeten Öffnungen belichtet wird und im Bereich der in dem Muster auf der Maske gebildeten opaken Flächen unbelichtet bleibt. Die photoempfindliche Schicht wird anschließend entwickelt und dabei in Abhängigkeit von der Belichtung entfernt. Die in der nun entwickelten Schicht gebildeten Öffnungen werden in eine unterliegende Schicht beispielsweise in einem Ätzvorgang übertragen. Die auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Schicht- oder Lackmasken können auch zur lokalen Implantation, chemischen Umwandlung der Oberfläche etc. genutzt werden.to Structuring individual levels of an integrated circuit used in semiconductor manufacturing exposure equipment. With you In each case photomasks are irradiated, on which on the semiconductor substrate to be transferred Pattern is formed. The semiconductor substrate is usually provided with a photosensitive Layer covered in the region of the openings formed in the pattern is exposed and formed in the area of in the pattern on the mask opaque surfaces remains unexposed. The photosensitive layer is then developed and in dependence removed from the exposure. The in the now developed layer formed openings are transferred to an underlying layer, for example, in an etching process. The layer or resist masks formed on the semiconductor substrate can also for local implantation, chemical transformation of the surface etc. be used.

Der Aufbau eines solchen Belichtungsapparates kann grundsätzlich unterteilt werden in: eine Strahlungsquelle, eine Illuminatoroptik, die Photomaske, eine Projektionsoptik und die Bildebene, welche das Halbleitersubstrat aufnimmt. Dabei wird das von der Strahlungsquelle erzeugte Licht monochromatisiert und in Richtung auf die Illuminatoroptik gebündelt. Die Strahlungsquelle ist in der Regel innerhalb eines Ellipsoidalspiegels angeordnet.Of the Structure of such an exposure apparatus can basically be divided are in: a radiation source, an illuminator optics, the photomask, a projection optics and the image plane which the semiconductor substrate receives. At this time, the light generated by the radiation source becomes monochromatized and bundled in the direction of the illuminator optics. The Radiation source is usually within an ellipsoidal mirror arranged.

Die Illuminatoroptik umfasst eine Anzahl von Kondenserlinsen, Umlenkspiegeln und Blenden, die den Strahlengang in dem Belichtungsapparat definieren. Zur Homogenisierung der Lichtverteilung über das Bildfeld ist darin oftmals auch eine sogenannte Fly-Eye-Lens, eine facettenartige Linse mit einer Vielzahl von fokussierenden Linsenelementen, vorgesehen.The Illuminator optics include a number of Kondenserlinsen, deflecting mirrors and apertures defining the beam path in the exposure apparatus. To homogenize the light distribution over the image field is in it often a so-called fly-eye lens, a faceted lens with a plurality of focusing lens elements, provided.

Der den Strahlengang in der Illuminatoroptik durchlaufende Lichtstrahl fällt nach dem Passieren einer letzten Kondenserlinse als paralleles Strahlenbündel auf die Photomaske und wird dort an den darauf das Muster bildenden Strukturen in verschiedene Ordnungen gebeugt. Der Ablenkwinkel der die verschiedenen Beugungsordnungen repräsentierenden Teilstrahlen hängt von der Dichte der Strukturen auf der Maske ab.Of the the beam path in the illuminator optics continuous light beam falls behind passing a last condenser lens as a parallel beam the photomask, where it will form the pattern on it Structures bent in different orders. The deflection angle of the different diffraction orders representing partial beams depends on the density of the structures on the mask.

Die Teilstrahlen durchlaufen nun weiter die Projektionsoptik, die ein kontrastreiches und hochaufgelöstes Abbild des Musters in der Bildebene erzeugt, in welcher die photoempfindliche Schicht des Halbleitersubstrats positioniert ist. In der Projektionsoptik ist eine Aperturblende vorgesehen, mit welcher die Numerische Apertur eingestellt und somit die Auflösung variiert werden kann.The Sub-beams now go through further the projection optics, the one high-contrast and high-resolution Image of the pattern generated in the image plane, in which the photosensitive Layer of the semiconductor substrate is positioned. In the projection optics an aperture stop is provided with which the numerical aperture adjusted and thus the resolution can be varied.

Aus der Druckschrift US 6,704,092 B2 ist ein Belichtungsapparat bekannt, der auf der oben beschriebenen Grundstruktur basiert. Eine der Blenden ist dabei an einer definierten Position in dem Strahlengang relativ zu den Kondenserlinsen angeordnet. In dieser Position ist die Intensitätsverteilung des von der Strahlungsquelle erzeugten Lichtes innerhalb einer Ebene senkrecht zur optischen Achse des Strahlengangs mit derjenigen Intensitätsverteilung, die in der entsprechenden Ebene am Ort des Musters auf der Photomaske entsteht, gerade durch eine Fourier-Transformation verknüpft. Im trivialen Fall einer homogenen Verteilung des Lichts am Ort der Maske entspricht dieser eine Fourier-Transformierte mit einer nahezu punktförmigen Verteilung am Ortes der Blende. Im folgenden wird der Ort dieser Blende auch als Fourier-Ebene bezeichnet.From the publication US 6,704,092 B2 For example, an exposure apparatus based on the above-described basic structure is known. One of the diaphragms is arranged at a defined position in the beam path relative to the Kondenserlinsen. In this position, the intensity distribution of the light generated by the radiation source within a plane perpendicular to the optical axis of the beam path with the intensity distribution that arises in the corresponding plane at the location of the pattern on the photomask, just linked by a Fourier transform. In the trivial case of a homogeneous distribution of the light at the location of the mask, this corresponds to a Fourier transform with a nearly punctiform distribution at the location of the diaphragm. In the following, the location of this aperture is also referred to as Fourier level.

Eine Optimierung des Abbildungsverhaltens wird erreicht, indem bestimmte Ausformungen der Blende bereitgestellt und in den Belichtungsapparat eingesetzt werden. Bekannt ist z.B. eine Dipolblende, die zwei runde Öffnungen vorsieht, die symmetrisch in einem Abstand von der optischen Achse angeordnet sind. In der genannten Druckschrift US 6,704,092 B2 wird eine Modifikation der in der Fourier-Ebene erhaltenen Intensitätsverteilung erzielt, indem ein speziell dieser Blende zugeordnetes Beugungsgitter (diffraction grating) in den Strahlengang eingebracht wird. Das Beugungsgitter spaltet den von der Strahlungsquelle stammenden Strahl in zwei Teilstrahlen auf, die von der optischen Achse abgelenkt werden. Sie werden von einer der Kondenserlinsen in die Fourier-Ebene fokussiert, wo sie abseits der optischen Achse auf die Dipol-Lochblende fallen.An optimization of the imaging behavior is achieved by providing certain shapes of the diaphragm and inserted into the exposure apparatus. As is known, for example, a dipole aperture, which provides two round openings, which are arranged symmetrically at a distance from the optical axis. In the cited document US 6,704,092 B2 a modification of the intensity distribution obtained in the Fourier plane is achieved by introducing into the beam path a diffraction grating specifically associated with this diaphragm. The diffraction grating splits the beam originating from the radiation source into two partial beams, which are deflected by the optical axis. They are focused by one of the condensing lenses in the Fourier plane, where they fall off the optical axis on the dipole pinhole.

Auf das Muster der Photomaske fallen dann unter unterschiedlichen, schrägen Winkeln zwei Teilstrahlen ein. Der schräge Einfall bietet den Vorteil, dass bei geringer Numerischer Apertur die 0-te und die +1-te Beugungsordnung zum Luftbild, das in der Bildebene der Projektionsoptik entsteht, beitragen, während die –1-te Beugungsordnung durch einen hohen Ablenkwinkel in der Aperturblende ausgefiltert wird. Dies führt zu einem schärferen Intensitätskontrast.On the pattern of the photomask then fall at different oblique angles two partial beams. The weird idea offers the advantage that at low numerical aperture the 0th and the + 1th diffraction order to the aerial image, that in the image plane the projection optics arise contribute, while the -1-th diffraction order through a high deflection angle in the aperture diaphragm is filtered out. this leads to to a sharper Intensity contrast.

Auf diese Weise lassen sich verschiedene Blendentypen realisieren, die jede für sich ein bestimmtes Abbildungsverhalten in Abhängigkeit von dem auf der Photomaske gebildeten Muster erzielen sollen. Bei der Dipol- oder der gleichfalls bekannten Quadrupolbeuchtung sind z.B. die Winkel, mit denen die Öffnungen innerhalb der Blenden- bzw. Fourier-Ebene angeordnet sind, mit den entsprechenden Winkeln von Strukturen, z.B. Orientierungen von Linien-Spalten-Mustern, auf der Maske abgestimmt. So können in durch das Muster vorgegebenen Vorzugsrichtungen erhöhte Auflösungen erzielt werden.On In this way, different types of aperture can be realized, the each for a certain imaging behavior as a function of that on the photomask should achieve formed patterns. At the dipole or the same known quadrupole illumination are e.g. the angles with which the openings are arranged within the diaphragm or Fourier plane, with the corresponding angles of structures, e.g. Orientations of line-column patterns, matched on the mask. So can achieved in the preferred directions given by the pattern increased resolutions become.

Herkömmlich verwendete Blenden sind als Plättchen realisiert, in denen Öffnungen vorgesehen sind, die Licht einer gewünschten Intensitätsverteilung in der Fourier-Ebene passieren lassen. Geringe Variationen sind möglich, wenn einzelne Teile der Plättchen beweglich zueinander eingerichtet sind, so dass die Größe und Form der jeweiligen Öffnung angepasst werden kann. Solche Lösungen sind jedoch sehr umständlich und können Ursachen weiterer Störungen wie z.B. Kontamination aufgrund reibender Teile in den Belichtungsapparaten darstellen.Conventionally used Apertures are as platelets realized in which openings are provided, the light of a desired intensity distribution let happen in the Fourier plane. Small variations are possible, if individual parts of the platelets movable to each other, so that the size and shape the respective opening can be adjusted. Such solutions However, they are very complicated and can Causes of further disturbances such as. Contamination due to rubbing parts in the exposure apparatus represent.

Eine geeignete Blende wird für ein vorgegebenes Muster, das mittels einer Photomaske auf ein Halbleitersubstrat zu übertragen ist, ausgewählt, indem beispielsweise eine numerische Simulation der optischen Projektion ausgeführt wird. Bei einer solchen Simulation werden für jede Einstellung von opti schen Parametern (Fokus, Dosis, Numerische Apertur, Vergrößerung, Linsenabstände, etc.) in dem Strahlengang Lichtbeiträge von einzelnen Flächen in der Fourier-Ebene zu dem in der Bildebene entstehenden Luftbild bestimmt. Durch eine Optimierung des Luftbildes unter Variation der Lichtbeiträge einzelner Flächen erhält man eine „optimale Verteilungsfunktion" von Lichtbeiträgen in der Fourier-Ebene.A suitable aperture is for a predetermined pattern, which by means of a photomask on a semiconductor substrate transferred to is, selected, by, for example, a numerical simulation of the optical projection accomplished becomes. In such a simulation of each setting of optical rule Parameters (focus, dose, numerical aperture, magnification, Lens distances, etc.) in the beam path light contributions of individual areas in the Fourier plane determined to the aerial image resulting in the image plane. By optimizing the aerial image while varying the light contributions of individual surfaces receives one an "optimal Distribution function "from light contributions in the Fourier plane.

Es ist das Ziel, mit einer derart bestimmten optimalen Verteilungsfunktion möglichst nahe an ein kommerziell erhältliches Blendenplättchen mit Öffnungen heranzukommen. Das heißt, die Auswahl der in ein Belichtungsapparat in der Illuminatoroptik verwendbaren Blenden ist beschränkt und geht infolge dessen als einschränkende Nebenbedingung in die Simulation ein. Es können somit nicht immer die optimalen Einstellungen für ein abzubildendes Muster gefunden werden im Vergleich zu dem, was theoretisch unter einer freien Wahl der Blendenöffnungen möglich wäre.It is the goal with such an optimal distribution function preferably close to a commercially available one shade plate with openings get hold. This means, the selection of an illuminator in the illuminator optics usable aperture is limited and as a result it enters the simulation as a limiting constraint one. It can thus not always the optimal settings for a pattern to be imaged found be compared to what is theoretically under a free choice the apertures would be possible.

Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, die Flexibilität bei der Auswahl von Blenden für die Übertragung eines Musters von einer Maske in eine photoempfindliche Schicht zu erhöhen. Es ist vor allem eine Aufgabe der Erfindung, die Qualität der Abbildung zu verbessern und die Auflösung zu erhöhen. Es ist weiter eine Aufgabe der Erfindung, die Handhabung der Umstellung von Blenden für nachfolgend zu belichtende Photomasken zu vereinfachen und so den Durchsatz zu erhöhen.It is therefore the object of the invention, the flexibility in the Selection of apertures for the transfer a pattern of a mask in a photosensitive layer to increase. It is above all an object of the invention, the quality of the figure to improve and the resolution to increase. It is another object of the invention, the handling of the conversion of apertures for to simplify to be exposed photomasks and so the Increase throughput.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine Blende für einen Belichtungsapparat zur Projektion eines Musters in eine photoempfindliche Schicht, die in einer Bildebene des Belichtungsapparates eingebracht ist, umfassend:

  • – ein Substrat mit einer Oberfläche für die Reflexion eines einfallenden Lichtstrahls, in welcher wenigstens ein Element angeordnet ist, das eine Reflektionseigenschaft aufweist, die über eine elektrische Verbindung mit dem Element von außen veränderbar ist,
  • – eine Steuereinheit zum Einstellen der Reflexionseigenschaft des Elementes von außen, wobei die Steuereinheit mit dem Element in der Oberfläche des Substrates der Blende elektrisch verbunden ist.
The object is achieved by a shutter for an exposure apparatus for projecting a pattern into a photosensitive layer incorporated in an image plane of the exposure apparatus, comprising:
  • A substrate having a surface for reflection of an incident light beam, in which at least one element is arranged, which has a reflection property, which is changeable from outside via an electrical connection to the element,
  • - A control unit for adjusting the reflection property of the element from the outside, wherein the control unit is electrically connected to the element in the surface of the substrate of the diaphragm.

Die Aufgabe wird des Weiteren gelöst durch einen Belichtungsapparat mit den Merkmalen des Anspruchs 6 und durch ein Verfahren zum Steuern der Blende in dem Belichtungsapparat mit den Merkmalen des Anspruchs 12.The Task is further solved by an exposure apparatus having the features of claim 6 and a method of controlling the aperture in the exposure apparatus with the features of claim 12.

Die Auswahl herkömmlich erhältlicher Blendenplättchen mit transparenten Öffnungen stellt grundsätzlich immer nur einen Kompromiss zwischen dem Aufwand, eine neue, noch besser zur simulierten Verteilungsfunktion passendere Blende anzufordern und herzustellen, und dem hinzunehmenden Verlust and Qualität der Abbildung dar.The Selection conventional available shade plate with transparent openings basically only a compromise between the effort, a new, yet better request the simulated distribution function more suitable aperture and manufacture, and the loss and quality of the picture represents.

Die Erfindung sieht hingegen vor, ein Substrat in den Strahlengang zu bringen, dessen Reflexionseigenschaften mittels einer Steuereinheit lokal unterschiedlich eingestellt werden können. Das Substrat weist Elemente auf, die jeweils unabhängig voneinander steuerbar sind. Gesteuert werden können deren Reflexionseigenschaften in bezug auf die Richtung des Strahlengangs, insbesondere deren Reflexionsgrad.The In contrast, the invention provides for a substrate in the beam path bring its reflection properties by means of a control unit can be set locally differently. The substrate has elements on, each independently are controllable from each other. Can be controlled their reflection properties with respect to the direction of the beam path, in particular its reflectance.

Im Unterschied zu den herkömmlichen Blendenplättchen, bei denen Flächen mit einer gewünschten hohen Intensitätsverteilung in der Fourier-Ebene durch transparente Öffnungen repräsen tiert werden, werden bei der Erfindung diese Flächen durch Einstellen eines hohen Reflexionsgrades bei den betreffenden Elementen gebildet. Es handelt sich demnach bei der erfindungsgemäßen Blende primär um ein reflektierendes Substrat, wobei nicht ausgeschlossen ist, dass aktuell nicht reflektierende Elemente das einfallende Licht – anstatt es zu absorbieren – einfach transmittieren lassen.in the Difference to the conventional ones Shade plate, where surfaces with a desired high intensity distribution represented in the Fourier plane through transparent openings be in the invention, these surfaces by adjusting a high reflectance formed at the respective elements. It is therefore at the aperture according to the invention primarily to a reflective substrate, which is not excluded that current non-reflective elements the incident light - instead to absorb it - easy can be transmitted.

Gemäß einer Ausgestaltung sind die Elemente in der Oberfläche des Substrates der Blende matrixförmig angeordnet, wobei es lediglich darauf ankommt, dass einzelne Elemente aufgrund ihrer Koordinatenposition durch die Steuereinheit ansteuerbar sind. So kann etwa eine gewünschte Intensitätsverteilung, die in einer Simulation durch Optimierung bestimmt wurde, in eine Karte der Reflexionseigenschaften über der Elementmatrix umgewandelt werden. Auf diese Weise lassen sich ohne großen Aufwand beliebige Reflexionsmuster in der Oberfläche des Substrates bilden. Die softwaremäßige Aufgabe der Umrechnung aus dem Simulationsergebnis und der hardwaremäßigen Ansteuerung der Elemente in dem Substrat können getrennt von zwei Teilvorrichtungen der Steuereinheit oder gemeinsam erledigt werden.According to one Embodiment, the elements are arranged in the form of a matrix in the surface of the substrate of the diaphragm, it is only important that individual elements due their coordinate position can be controlled by the control unit. Such as a desired Intensity distribution, which was determined in a simulation by optimization, in one Map of reflection properties over the element matrix converted become. In this way, any reflection pattern can be easily created in the surface of the Form substrates. The software task of the Conversion from the simulation result and the hardware control of the elements in the substrate separated from two sub-devices of the control unit or in common be done.

Limitiert wird die Übereinstimmung von optimierten Simulationsergebnis, d.h. der gewünschten Intensitätsverteilung, und der von der Steuereinheit einstellbaren Reflexionskarte durch das Kontrastverhältnis und die durch die maximale Elementdichte begrenzte Auflösung.limited becomes the match optimized simulation result, i. the desired intensity distribution, and adjustable by the control unit reflection card the contrast ratio and the resolution limited by the maximum element density.

Von der Firma Sony wurde in völlig anderem Zusammenhang, nämlich im Bereich der Videoanwendungen, eine Technologie vorgeschlagen, die eine Anzeigevorrichtung mit einem Kontrastverhältnis von 3000 : 1 (hell/reflektierend : dunkel/absorbie rend) und einem Pixelabstand von 0.35 μm aufweist (Pressemitteilung Sony: „Sony Develops Silicon Crystal Display Technology for Full HD Video Applications", datiert vom 27.02.2003, im Internet am 21.03.2004 einsehbar unter http://www.lcdprojectorbulbs.com/lcdprojectorbulbspressrelease.asp_Q_prid_E_57).From The company Sony was completely in other context, namely in the field of video applications, a technology proposed a display device with a contrast ratio of 3000: 1 (light / reflective: dark / absorb) and one pixel pitch of 0.35 μm (Sony press release: "Sony Develops Silicon Crystal Display Technology for Full HD Video Applications ", dated 27.02.2003, on the Internet on 21.03.2004 available at http://www.lcdprojectorbulbs.com/lcdprojectorbulbspressrelease.asp_Q_prid_E_57).

Bei dieser Technologie handelt es sich um eine Siliziumkristall-Reflektionsanzeigevorrichtung. Es wird dabei eine anorganische Justierschicht anstatt eines organischen Polyimidfilms, wie er etwa in LCD-Anzeigevorrichtungen eingesetzt wird, verwendet. LCD-Anzeigevorrichtungen degradieren bei hochenergetischer Strahlung, welches bei den Siliziumkristall-Reflektionsanzeigevorrichtungen nicht der Fall ist. Es wurde von den Erfindern herausgefunden, dass sich die Technologie insofern auch für den Einsatz in Belichtungsapparaten bei der Halbleiterherstellung eignet.at This technology is a silicon crystal reflection display device. It is an inorganic Justierschicht instead of an organic Polyimide film, such as used in LCD display devices is used. LCD displays degrade at high energy Radiation, which in the silicon crystal reflection display devices not the case. It has been found by the inventors that the technology is also suitable for use in exposure apparatuses in semiconductor manufacturing.

Insbesondere ist das mit dieser Technologie erzielbare Kontrastverhältnis und die Auflösung kompatibel mit den Anforderungen an eine Blende im Belichtungsapparat.Especially is the contrast ratio achievable with this technology and the resolution compatible with the requirements for a shutter in the exposure apparatus.

Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen sind den abhängigen Ansprüchen zu entnehmen.Especially advantageous embodiments are the dependent claims remove.

Die Erfindung soll nun anhand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe einer Zeichnung näher erläutert werden. Darin zeigen:The Invention will now be described with reference to an embodiment with the aid of a Drawing closer explained become. Show:

1 eine Auswahl von Blenden mit Blendenplättchen nach dem Stand der Technik: a) konventionelle Rundblende, b) annulare Blende, c) Quadrupolblende, d) Dipolblende; 1 a selection of prior art apertures with apertures: a) conventional round aperture, b) annuloid aperture, c) quadrupole aperture, d) dipole aperture;

2 die Funktionsweise einer herkömmlichen Blende anhand des Beispiels aus 1b); 2 the operation of a conventional aperture based on the example 1b );

3 die Funktionsweise eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Blende; 3 the operation of an embodiment of an aperture according to the invention;

4 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Belichtungsapparates. 4 An embodiment of an exposure apparatus according to the invention.

In 1 ist eine Anzahl von Blenden 1114 verschiedenen Typs gezeigt, so wie sie herkömmlich verwendet werden. 1a zeigt eine konventionelle Rundblende mit einem Blendplättchen 30, in dem eine runde Öffnung 20 gebildet ist. Aufgrund eines vergleichsweise höher erzielbaren Schärfekontrast wird zum Zweck der Schrägbelichtung oftmals auch eine in 1b gezeigte annulare Blende 12 eingesetzt. Sie umfasst zwei Teilplättchen, ein Rundblendenplättchen 31 und ein zentrales kreisförmiges Plättchen 32, dessen Befestigung an dem äußeren Plättchen der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt ist. Durch die Teilplättchen wird eine ringförmige transparente Öffnung 21 gebildet.In 1 is a number of apertures 11 - 14 of various types as commonly used. 1a shows a conventional round aperture with a Blendplättchen 30 in which a round opening 20 is formed. Due to a comparatively higher achievable sharpness contrast is often for the purpose of oblique exposure in 1b shown annular aperture 12 used. It comprises two partial platelets, a round platelet 31 and a central circular plate 32 , whose attachment to the outer plate is not shown for clarity. Through the partial platelets is an annular transparent opening 21 educated.

Die 1c und 1d zeigen eine Quadrupolblende 13 bzw. eine Dipolblende 14. Sie umfassen Blendplättchen 33 bzw. 34 und von der optischen Achse beabstandete Öffnungen 2227. Die optischen Achsen entsprechen in den 1c und 1d den Mittelpunkten der runden Blendplättchen.The 1c and 1d show a quadrupole screen 13 or a dipole aperture 14 , They include glare platelets 33 respectively. 34 and openings spaced from the optical axis 22 - 27 , The optical axes correspond in the 1c and 1d the centers of the round Blendplättchen.

Die in 1 gezeigten Blenden 1114 werden je nach Anwendung durch gegenseitigen Austausch unter Öffnung des Belichtungsapparates oder etwa durch Drehung einer Scheibe, auf welcher sie gemeinsam angeordnet sind, ausgewechselt.In the 1 shown aperture 11 - 14 Depending on the application by mutual exchange under opening of the exposure apparatus or about by rotation of a disc on which they are arranged together replaced.

2 zeigt die Funktionsweise einer herkömmlichen Blende. Die annulare Blende 12 ist in der Ebene 50 angeordnet, die dadurch definiert ist, dass eine in dieser Ebene 50 vorhandene Intensitätsverteilung aufgrund der Linsenanordnung gerade eine Fourier-Transformierte der am Ort der Photomaske 96 entstehenden Intensitätsverteilung darstellt. 2 shows the operation of a conventional aperture. The annulare aperture 12 is in the plane 50 arranged, which is defined by one in this plane 50 existing intensity distribution due to the lens array just a Fourier transform the at the location of the photomask 96 represents the resulting intensity distribution.

Ein Lichtstrahl 100 der Strahlungsquelle 70 wird auf die Blende 12 gelenkt. Nur das in der Fourier-Ebene 50 auf die ringförmige Öffnung 21 der Blende 12 treffende Licht 21' kann die Blende 12 passieren und als Lichtstrahl 101 weiter in Richtung auf die Photomaske 96 kondensiert werden. Durch die Blendplättchen 31, 32 werden Lichtanteile 31', 32' ausgefiltert. Die auf der rechten Seite der 2 und 3 dargestellten Ebenen bezeichnen keinen Gegenstand des Belichtungsapparates sondern besitzen nur illustrativen Charakter.A ray of light 100 the radiation source 70 is on the aperture 12 directed. Only in the Fourier level 50 on the annular opening 21 of the cover 12 striking light 21 ' can the aperture 12 happen and as a ray of light 101 continue towards the photomask 96 be condensed. Through the Blendplättchen 31 . 32 become lights 31 ' . 32 ' filtered out. The one on the right side of the 2 and 3 Layers shown do not designate an object of the exposure apparatus but have only an illustrative character.

In 3 ist die Funktionsweise eines Ausführungsbeispiels der Erfindung aufgezeigt. Die erfindungsgemäße Blende 1 umfasst eine Steuereinheit 48, hier nur vereinfacht als Laptop dargestellt, und ein reflektierendes Substrat 40. Das Substrat 40 besitzt eine Oberfläche 44, in dem Elemente 41, 42 angeordnet sind.In 3 the operation of an embodiment of the invention is shown. The diaphragm according to the invention 1 includes a control unit 48 , here simply illustrated as a laptop, and a reflective substrate 40 , The substrate 40 has a surface 44 in which elements 41 . 42 are arranged.

Vorzugsweise ist das Substrat eine Siliziumkristall-Reflektionsanzeigevorrichtung (Silicon Crystal Reflective Device, Abkürzung: SXRD). Die Elemente 41, 42 entsprechen einer matrixförmigen Anordnung von Pixeln in der Oberfläche der Vorrichtung. Das Substrat ist in Größe und Form angepasst und mit einer Halterung (nicht gezeigt) versehen worden, so dass es in einem Belichtungsapparat installiert werden kann.Preferably, the substrate is a Silicon Crystal Reflective Device (abbreviation: SXRD). The Elements 41 . 42 correspond to a matrix arrangement of pixels in the surface of the device. The substrate has been adapted in size and shape and provided with a holder (not shown) so that it can be installed in an exposure apparatus.

Die Steuereinheit 48 ist über eine Steuerleitung mit dem Substrat verbunden, so dass jedes der Elemente 41, 42 einzeln und unabhängig voneinander angesteuert werden kann. Es ist natürlich auch möglich, Gruppen von Elementen gemeinsam anzusteuern, jedoch so, dass ein Reflexionsmuster mit einer hinreichenden Auflösung auf dem Substrat erzeugt werden kann.The control unit 48 is connected to the substrate via a control line, so that each of the elements 41 . 42 individually and independently of each other can be controlled. Of course, it is also possible to drive groups of elements together, but so that a reflection pattern with a sufficient resolution can be generated on the substrate.

In der Steuereinheit 48 ist eine aus einer Simulation erhaltene Intensitätsverteilung 91 geladen worden. Sie ist schematisch auf dem Bildschirm des Laptops der Steuereinheit 48 dargestellt. Diese kann mehr oder weniger kontinuierliche Intensitätswerte oder auch nur binäre Werte je Bildfeldpunkt aufweisen. Beispielsweise mit einem Softwareprogramm wird die Verteilung in eine Reflexionsverteilung für die Elemente 41, 42 in der Oberfläche 44 des Substrates 40 der Blende 1 umgerechnet.In the control unit 48 is an intensity distribution obtained from a simulation 91 been loaded. It is schematic on the screen of the laptop of the control unit 48 shown. This can have more or less continuous intensity values or only binary values per image field point. For example, with a software program, the distribution becomes a reflection distribution for the elements 41 . 42 in the surface 44 of the substrate 40 the aperture 1 converted.

Die Elemente 41 bekommen einen niedrigen Reflexionsgrad, die Elemente 42 bekommen einen hohen Reflexionsgrad von der Steuereinheit 48 zugewiesen. Über die Steuerleitung werden sie elektronisch eingestellt. Der gewünschte Blendentyp ist als Blendenmuster auf der Oberfläche 44 in Form einer Reflexionsverteilung 51 (hell, reflektierend), 61, 62 (dunkel, absorbierend) eingestellt.The Elements 41 get a low reflectance, the elements 42 get a high reflectance from the control unit 48 assigned. They are set electronically via the control line. The desired aperture type is an aperture pattern on the surface 44 in the form of a reflection distribution 51 (bright, reflective), 61 . 62 (dark, absorbent).

Eine Strahlungsquelle erzeugt einen Lichtstrahl 100, der auf die Oberfläche 44 vorzugsweise senkrecht oder wenigstens unter einem großen Winkel einfällt. Nur ein Teil 51', der auf den ringförmig ausgebildeten Abschnitt 51 mit reflektierenden Elementen 42 fällt, verbleibt als Lichtstrahl 101 im Strahlengang.A radiation source generates a light beam 100 that is on the surface 44 preferably perpendicular or at least incident at a large angle. Just a part 51 ' standing on the ring-shaped section 51 with reflective elements 42 falls, remains as a ray of light 101 in the beam path.

4 zeigt den Aufbau eines erfindungsgemäßen Belichtungsapparates 2. Die Strahlungsquelle 70 erzeugt einen monochromatischen Lichtstrahl 100, der durch einen Ellipsoidalspiegel 72 in die Illuminatoroptik des Apparates 2 eingespeist wird. Die Illuminatoroptik wird durch die Teile mit den Bezugszeichen 72 bis 94 ohne Anspruch auf vollständige Darstellung zusammengesetzt. 4 shows the structure of an exposure apparatus according to the invention 2 , The radiation source 70 produces a monochromatic light beam 100 by an ellipsoidal mirror 72 into the illuminator optics of the apparatus 2 is fed. The illuminator optics is indicated by the parts with the reference numerals 72 to 94 composed without claim to complete representation.

Der Lichtstrahl passiert eine erste Kondenserlinse 74 und eine Fly-Eye-Lens 76. Deren Eingangsebene ist konjugiert zu der Ebene, in welcher sich das Muster der Photomaske befindet. Deren Ausgangsebene bzw. diejenige ihrer Facetten stellt dagegen eine Fourier-transformierte zu der Maskenebene dar. In dieser Ebene ist ein erster Aperturstop 78 der Illuminatoroptik vorgesehen. Nach dem Durchstrahlen einer zweiten 80 und einer dritten 82 Kondenserlinse trifft der Lichtstrahl 100 auf einen halbdurchlässigen Umlenkspiegel 84. Von diesem wird der Lichtstrahl fokussiert auf das Substrat 40 der Blende 1 geworfen. Die Blende 1 ist in der Fourier-Ebene 50 angeordnet, die über eine Fourier-Transformation mit einer Intensitätsverteilung am Ort des Musters 98 der Photomaske 96 in Beziehung steht.The light beam passes through a first condenser lens 74 and a fly-eye lens 76 , Its input plane is conjugate to the plane in which the pattern of the photomask is located. On the other hand, its output plane or that of its facets represents a Fourier-transformed to the mask plane. In this plane, there is a first aperture stop 78 the illuminator optics provided. After passing through a second 80 and a third 82 Condenser lens meets the light beam 100 on a semipermeable deflection mirror 84 , From this, the light beam is focused on the substrate 40 the aperture 1 thrown. The aperture 1 is in the Fourier plane 50 arranged, via a Fourier transform with an intensity distribution at the location of the pattern 98 the photomask 96 in relationship.

Nach dem in 3 beschriebenen Verfahren ist dort ein Reflexionsmuster, das einen Blendentyp repräsentiert, in der Oberfläche gebildet worden. Ein um die absorbierten Teile gefilteter Lichtstrahl 101 wird von Elementen 42 der Oberfläche zu dem halbdurchlässigen Spiegel 84 zurückreflektiert und passiert diesen. Über eine vierte Kondenserlinse 86, eine Reticle-Blende 88, eine fünfte Kondenserlinse 90, einen Umlenkspiegel 92 und eine sechste Kondenserlinse 94 trifft der Lichtstrahl auf die Photomaske 96.After the in 3 described method there is a reflection pattern, which represents a type of aperture, has been formed in the surface. A light beam filtered around the absorbed parts 101 becomes of elements 42 the surface to the semi-transparent mirror 84 reflected back and passes this. Via a fourth condenser lens 86 , a reticle aperture 88 , a fifth condenser lens 90 , a deflecting mirror 92 and a sixth condenser lens 94 the light beam hits the photomask 96 ,

Durch die Bildung eines annularen Reflexionsmusters müssen weitere Massnahmen im gezeigten Strahlengang getroffen werden, etwa die Einbeziehung eines aufweitenden oder aufspaltenden Beugungsgitters. Der Übersichtlichkeit halber sind diese in 4 nicht dargestellt. Der auf dem Gebiet der lithographischen Projektion kundige Fachmann ist mit seinem Fachmann durchaus in der Lage, die entsprechenden Details beim Nachbau des in 4 dargestellten Apparates einzufügen. Desgleichen ist der Gang des Lichtstrahls 100, 101 vereinfacht dargestellt, insbesondere ist der schräge Lichteinfall in der Darstellung zur Übersichtlichkeit in 4 ausgelassen.Due to the formation of an annular reflection pattern, further measures must be taken in the beam path shown, such as the inclusion of an expanding or splitting diffraction grating. For the sake of clarity, these are in 4 not shown. The skilled person skilled in the field of lithographic projection, with his skilled person, is perfectly able to provide the corresponding details when imitating the in 4 insert inserted apparatus. Likewise is the passage of the ray of light 100 . 101 shown in simplified form, in particular, the oblique incidence of light in the illustration for clarity in 4 omitted.

Durch eine Projektionsoptik 112 wird die somit bestrahlte Photomaske 96 bzw. das aus Strukturen 110 gebildete Muster 98 auf einem Halbleitersubstrat 116, das auf einer Substrathalterung 118 abgelegt ist, abgebildet. Abhängig von abzubildenden Muster 98 kann dabei auch die Numerische Apertur mittels einer Aperturblende 114, die in einer Fourier-Ebene des Musters 98 in der Projektionsoptik angeordnet ist, eingestellt werden.Through a projection optics 112 becomes the thus irradiated photomask 96 or that of structures 110 formed patterns 98 on a semiconductor sub strat 116 standing on a substrate holder 118 is stored, pictured. Depending on the pattern to be imaged 98 can also be the numerical aperture by means of an aperture diaphragm 114 placed in a Fourier plane of the pattern 98 is arranged in the projection optics.

Eine Steuereinheit 122 des Belichtungsapparates 2 kontrolliert in Abhängigkeit von der Anforderung eines fabrikweiten Fertigungsplanungssystems den Ladevorgang der Photomaske 96 mit dem Muster 98 durch eine Reticle-Ladevorrichtung 120. In einer Bibliothek 124 ist eine aus einer Simulation 126 der Abbildung des Musters 98 hervorgegangene, optimierte Intensitätsverteilung 91 für die Fourier-Ebene 50 abgelegt worden. Mit dem Laden der Photomaske wird die Verteilung 91 aus der Bibliothek 124 gelesen und in den Speicher 128 der Steuereinheit 48 geladen. Die Steuereinheit berechnet daraus das Reflexionsmuster, nach dem die Reflexionseigenschaften der Ele mente in Abhängigkeit von ihrer Position auf der Oberfläche 44 des Substrates einzustellen sind. Erst wenn dieses Reflexionsmuster in der Blende 1 eingestellt ist, wird die Belichtung vollzogen.A control unit 122 of the exposure apparatus 2 controls the charging process of the photomask depending on the requirement of a factory-wide production planning system 96 with the pattern 98 through a reticle loader 120 , In a library 124 is one from a simulation 126 the picture of the pattern 98 emerged, optimized intensity distribution 91 for the Fourier plane 50 been filed. With the loading of the photomask becomes the distribution 91 from the library 124 read and in the memory 128 the control unit 48 loaded. From this, the control unit calculates the reflection pattern according to which the reflection properties of the elements as a function of their position on the surface 44 of the substrate are to be adjusted. Only when this reflection pattern in the aperture 1 is set, the exposure is completed.

Es wird somit ein aufwendiger Blendenwechsel vermieden und es kann ein sehr genau an die gewünschte Intensitätsverteilung in der Fourier-Ebene angepasster Blendentyp softwaregesteuert eingestellt werden, ohne dass dabei Kompromisse einzugehen sind.It Thus, a complex aperture change is avoided and it can a very exact to the desired intensity distribution adjusted in the Fourier plane type of aperture software controlled without compromise.

11
Blendecover
22
Belichtungsapparatexposure apparatus
11–1411-14
konventionelle Blendenconventional dazzle
21–2721-27
Öffnungen in konventionellen Blendenopenings in conventional apertures
31–3431-34
Blendenplättchen (starr)Aperture plate (rigid)
4040
Substrat (SXRD)substratum (SXRD)
4141
Element (aktuell absorbierend)element (currently absorbing)
4242
Element (aktuell reflektierend)element (currently reflective)
4444
Oberfläche des SubstratesSurface of the substrate
4646
Steuerleitungcontrol line
4848
Steuereinheit (Blende)control unit (Cover)
5050
Fourier-Ebene (zu Ebene mit Muster auf der Maske)Fourier plane (to level with pattern on the mask)
5151
reflektierende Flächenreflective surfaces
61,6261.62
absorbierende Flächenabsorbing surfaces
7070
Strahlungsquelleradiation source
72–9472-94
IlluminatoroptikIlluminatoroptik
9191
Intensitätsverteilung, optimiert in SimulationIntensity distribution, optimized in simulation
9696
Photomaskephotomask
9898
Muster auf Photomasketemplate on photomask
100,101100,101
Lichtstrahlray of light
112112
Projektionsoptikprojection optics
114114
Aperturblende in Projektionsoptikaperture in projection optics
116116
Halbleitersubstrat mit photoempfindlicher SchichtSemiconductor substrate with photosensitive layer
118118
Substrathalterungsubstrate holder
120120
Ladevorrichtungloader
122122
Steuereinheit (Belichtungsapparat)control unit (Exposure apparatus)
124124
Bibliothek optimierter VerteilungenLibrary optimized distributions
126126
numerische Simulationnumerical simulation
128128
SpeicherStorage

Claims (13)

Blende (1) für einen Belichtungsapparat (2) zur Projektion eines Musters in eine photoempfindliche Schicht auf einem Halbleitersubstrat (116), das in einer Bildebene des Belichtungsapparates (2) eingebracht ist, umfassend: – ein Substrat (40) mit einer Oberfläche (44) für die Reflexion eines einfallenden Lichtstrahls (100), in welcher wenigstens ein Element (41) angeordnet ist, das eine Reflektionseigenschaft aufweist, die über eine elektrische Verbindung mit dem Element (41) veränderbar ist, – eine Steuereinheit (48) zum Einstellen der Reflexionseigenschaft des Elementes (41), wobei die Steuereinheit (48) mit dem Element (41) in der Oberfläche (44) des Substrates (40) der Blende (1) elektrisch verbunden ist.Cover ( 1 ) for an exposure apparatus ( 2 ) for projecting a pattern into a photosensitive layer on a semiconductor substrate ( 116 ), which in an image plane of the exposure apparatus ( 2 ), comprising: - a substrate ( 40 ) with a surface ( 44 ) for the reflection of an incident light beam ( 100 ) in which at least one element ( 41 ), which has a reflection property, which is connected via an electrical connection to the element ( 41 ) is changeable, - a control unit ( 48 ) for adjusting the reflection property of the element ( 41 ), the control unit ( 48 ) with the element ( 41 ) in the surface ( 44 ) of the substrate ( 40 ) the aperture ( 1 ) is electrically connected. Blende (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (44) des Substrates (40) eine matrixförmige Anordnung mit einer Vielzahl von Elementen (41, 42) aufweist, deren Reflexionseigenschaft sich jeweils unabhängig voneinander durch die Steuereinheit (48) einstellen lässt.Cover ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the surface ( 44 ) of the substrate ( 40 ) a matrix-like arrangement with a plurality of elements ( 41 . 42 ) whose reflection property is in each case independently of one another by the control unit ( 48 ). Blende nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass an dem Element (41) oder den Elementen (41, 42) jeweils durch die Steuereinheit (48) ein maximaler und ein minimaler Reflexionsgrad einstellbar ist und ein Kontrastverhältnis zwischen dem maximalen und dem minimalen Reflexionsgrad mehr als den Faktor 2000 : 1 beträgt.Aperture according to claim 1 or 2, characterized in that on the element ( 41 ) or the elements ( 41 . 42 ) by the control unit ( 48 ) a maximum and a minimum reflectance is adjustable and a contrast ratio between the maximum and the minimum reflectance is more than the factor 2000: 1. Blende nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (44) des Substrates (40) mit dem Element (41) oder den Elementen (41, 42) eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung ist.Aperture according to one of claims 1 to 3, characterized in that the surface ( 44 ) of the substrate ( 40 ) with the element ( 41 ) or the elements ( 41 . 42 ) is a liquid crystal display device. Blende nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung eine Siliziumkristall-Reflektions-Anzeigevorrichtung ist.Aperture according to claim 4, characterized in that the liquid crystal display device a Silicon crystal reflection display device is. Belichtungsapparat (2) mit einer Blende (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, umfassend: – eine Strahlungsquelle (70) zur Erzeugung eines Lichtstrahls (100), – eine Illuminatoroptik (7294) zur Bündelung des erzeugten Lichtstrahls (100, 101) in Richtung auf eine in den Strahlengang des Lichtstrahls (100, 101) eingebrachte Photomaske (96), – eine Projektionsoptik (112) zur Fokussierung des an Strukturen (110) auf der Photomaske (96) gebeugten Lichtstrahls (101) in eine photoempfindliche Schicht auf einem Halbleitersubstrat (116), das in die Bildebene der Projektionsoptik (112) eingebracht ist, – wobei die Blende (1) zwischen der Strahlungsquelle (70) und der Photomaske (96) im Bereich der Illuminatoroptik (7294) angeordnet ist.Exposure apparatus ( 2 ) with an aperture ( 1 ) according to one of claims 1 to 5, comprising: - a radiation source ( 70 ) for generating a light beam ( 100 ), - an illuminator optics ( 72 - 94 ) for focusing the generated light beam ( 100 . 101 ) towards one in the beam path of the light beam ( 100 . 101 ) introduced photomask ( 96 ), - a projection optics ( 112 ) for focusing on structures ( 110 ) on the photomask ( 96 ) diffracted light beam ( 101 ) in a photosensitive layer on a semiconductor substrate ( 116 ) projected into the image plane of the projection optics ( 112 ), wherein the diaphragm ( 1 ) between the radiation source ( 70 ) and the photomask ( 96 ) in the field of illuminator optics ( 72 - 94 ) is arranged. Belichtungsapparat (2) nach Anspruch 6, bei dem – die Illuminatoroptik (7294) wenigstens zwei Kondenserlinsen (82, 86) aufweist, – die Oberfläche (44) des Substrates (40) der Blende (1) in einer Ebene (50) in einem Strahlengang des Belichtungsapparates (2) angeordnet ist, wobei der Strahlengang von der Strahlungsquelle (70) durch die Illuminatoroptik (7294) über die Photomaske (96) durch die Projektionsoptik (112) bis zu der Bildebene reicht, – die Ebene (50) zwischen den zwei Kondenserlinsen (82, 86) in dem Strahlengang derart angeordnet ist, dass eine im Falle einer Belichtung in der Ebene (50) entstehende Intensitätsverteilung gerade über eine Fourier-Transformation mit einer innerhalb einer weiteren Ebene entstehenden Intensitätsverteilung zusammenhängt, in welcher die Photomaske (96) eingebracht ist.Exposure apparatus ( 2 ) according to claim 6, wherein - the illuminator optics ( 72 - 94 ) at least two Kondenserlinsen ( 82 . 86 ), - the surface ( 44 ) of the substrate ( 40 ) the aperture ( 1 ) in one level ( 50 ) in a beam path of the exposure apparatus ( 2 ), wherein the beam path from the radiation source ( 70 ) by the illuminator optics ( 72 - 94 ) via the photomask ( 96 ) through the projection optics ( 112 ) reaches to the picture plane, - the plane ( 50 ) between the two Kondenserlinsen ( 82 . 86 ) is arranged in the beam path such that in the case of an exposure in the plane ( 50 ) intensity distribution is just related via a Fourier transformation with a resulting within another level intensity distribution, in which the photomask ( 96 ) is introduced. Belichtungsapparat (2) nach Anspruch 6 oder 7, bei dem der von der Strahlungsquelle (70) erzeugte Lichtstrahl (100) in der Illuminationsoptik (7294) einen halbdurchlässigen Spiegel (84) passiert und von diesem im wesentlichen senkrecht auf das Substrat (40) fällt und wieder reflektiert wird.Exposure apparatus ( 2 ) according to claim 6 or 7, wherein the radiation source ( 70 ) generated light beam ( 100 ) in the illumination optics ( 72 - 94 ) a semitransparent mirror ( 84 ) and from this substantially perpendicular to the substrate ( 40 ) falls and is reflected again. Belichtungsapparat (2) nach einem der Ansprüche 6 – 8, bei dem ein Speicher (124, 128) vorgesehen ist, in dem Verteilungsfunktionen für die Reflexionseigenschaften der einzelnen Elemente über die Oberfläche (44) des Substrates (40) hinweg abgespeichert sind.Exposure apparatus ( 2 ) according to one of claims 6 - 8, wherein a memory ( 124 . 128 ) is provided in the distribution functions for the reflection properties of the individual elements over the surface ( 44 ) of the substrate ( 40 ) are stored away. Belichtungsapparat (2) nach Anspruch 9, bei dem die Steuereinheit (48) zum Einstellen der Reflexionseigenschaften mit dem Speicher (124, 128) verbunden ist.Exposure apparatus ( 2 ) according to claim 9, wherein the control unit ( 48 ) for adjusting the reflection properties with the memory ( 124 . 128 ) connected is. Belichtungsapparat (2) nach Anspruch 10, bei dem – eine Steuereinheit (122) für die Durchführung einer Belichtung vorgesehen ist, die über Informationen über das Muster (98) einer zu belichtenden Photomaske (96) verfügt, und – bei dem die Steuereinheit (48) zum Einstellen der Reflexionseigenschaften mit der Steuereinheit (122) zur Durchführung der Belichtung miteinander verbunden sind.Exposure apparatus ( 2 ) according to claim 10, wherein - a control unit ( 122 ) is intended to carry out an exposure, which is informed by information about the pattern ( 98 ) of a photomask to be exposed ( 96 ), and - in which the control unit ( 48 ) for adjusting the reflection characteristics with the control unit ( 122 ) are connected to each other to perform the exposure. Verfahren zum Steuern der Blende (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 in dem Belichtungsapparat (2) nach einem der Ansprüche 9 – 11 zur Belichtung einer photoempfindlichen Schicht, die in der Bildebene des Belichtungsapparates (2) angeordnet ist, umfassend die Schritte: – Bereitstellen einer Photomaske (96) mit einem Muster in dem Belichtungsapparat (2), – Laden einer Verteilungsfunktion (91) für die Reflexionseigenschaften durch die Steuereinheit zum Einstellen der Reflexionseigenschaften aus dem Speicher (124, 128) in Abhängigkeit von dem Muster (98) der Photomaske (96), – Einstellen der Reflexionseigenschaften der Elemente (41, 42) in der Oberfläche (44) des Substrates (40) der Blende (1) gemäß der geladenen Verteilungsfunktion (91) durch die Steuereinheit (48) zum Einstellen der Reflexionseigenschaften, – Durchführen einer Belichtung der photoempfindlichen Schicht mit dem Muster (98) der Photomaske (96).Method for controlling the diaphragm ( 1 ) according to one of claims 1 to 5 in the exposure apparatus ( 2 ) according to any one of claims 9 - 11 for the exposure of a photosensitive layer, which in the image plane of the exposure apparatus ( 2 ), comprising the steps of: - providing a photomask ( 96 ) with a pattern in the exposure apparatus ( 2 ), - load a distribution function ( 91 ) for the reflection characteristics by the control unit for adjusting the reflection characteristics from the memory ( 124 . 128 ) depending on the pattern ( 98 ) of the photomask ( 96 ), - adjusting the reflection properties of the elements ( 41 . 42 ) in the surface ( 44 ) of the substrate ( 40 ) the aperture ( 1 ) according to the loaded distribution function ( 91 ) by the control unit ( 48 ) for adjusting the reflection properties, - performing an exposure of the photosensitive layer with the pattern ( 98 ) of the photomask ( 96 ). Verfahren nach Anspruch 12, bei dem vor dem Bereitstellen der Photomaske (96) anhand des Musters (98) eine Simulation (126) zur Bestimmung der Verteilungsfunktion (91) durchgeführt und die bestimmte Verteilungsfunktion (91) in dem Speicher (124, 128) gespeichert wird.The method of claim 12, wherein prior to providing the photomask ( 96 ) based on the pattern ( 98 ) a simulation ( 126 ) for determining the distribution function ( 91 ) and the particular distribution function ( 91 ) in the memory ( 124 . 128 ) is stored.
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Title
Pressemitteilung Sony: "Sony Develops Silicon Crystal Display Technology For Full H.D Video Applications", 27. Feb. 2003, Internet-Adresse http://www.lcdprojectorbulbs.com/lcdprojectorbulbs -pressrelease.asp-Q_prid_E_57
Pressemitteilung Sony: "Sony Develops Silicon Crystal Display Technology For Full H.D Video Applications", 27. Feb. 2003, Internet-Adresse http://www.lcdprojectorbulbs.com/lcdprojectorbulbs-pressrelease.asp-Q_prid_E_57 *

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