DE102004029200B4 - Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung sowie ein Substrat für eine elektronische Schaltung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung sowie ein Substrat für eine elektronische Schaltung Download PDF

Info

Publication number
DE102004029200B4
DE102004029200B4 DE102004029200A DE102004029200A DE102004029200B4 DE 102004029200 B4 DE102004029200 B4 DE 102004029200B4 DE 102004029200 A DE102004029200 A DE 102004029200A DE 102004029200 A DE102004029200 A DE 102004029200A DE 102004029200 B4 DE102004029200 B4 DE 102004029200B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
activation
substrate
region
area
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102004029200A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004029200A1 (de
Inventor
Rory Dickmann
Michael Sommer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102004029200A priority Critical patent/DE102004029200B4/de
Priority to US11/153,811 priority patent/US7468549B2/en
Publication of DE102004029200A1 publication Critical patent/DE102004029200A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004029200B4 publication Critical patent/DE102004029200B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5382—Adaptable interconnections, e.g. for engineering changes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0286—Programmable, customizable or modifiable circuits
    • H05K1/0292—Programmable, customizable or modifiable circuits having a modifiable lay-out, i.e. adapted for engineering changes or repair
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17—Post-manufacturing processes
    • H05K2203/173—Adding connections between adjacent pads or conductors, e.g. for modifying or repairing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam

Abstract

Verfahren zum Herstellen einer elektronische Schaltung mit einem Substrat (1),
mit folgenden Schritten:
– Vorsehen eines ersten und eines zweiten Aktivierungsbereiches (9) in dem Substrat (1), wobei der erste Aktivierungsbereich (9) und der zweite Aktivierungsbereich (9) jeweils mit einer Aktivierungsenergie (E) aktivierbar sind, um den ersten und den zweiten Aktivierungsbereich (9) zu aktivieren, wobei der erste und der zweite Aktivierungsbereich (9) jeweils gestaltet ist, um bei einer Aktivierung seinen elektrischen Widerstand zu verringern;
– Vorsehen eines ersten Leitungsbereiches (10) in dem Substrat (1), so dass der erste Aktivierungsbereich (9) mit dem ersten Leitungsbereich (10) in Kontakt steht;
– Vorsehen eines zweiten Leitungsbereiches in dem Substrat, so dass der zweite Aktivierungsbereich mit dem zweiten Leitungsbereich in Kontakt steht;
wobei ein erster und ein zweiter Aktivierungsbereich (9) gegenüberliegend vorgesehen werden,
– Aktivieren des ersten und des zweiten Aktivierungsbereiches (9), um den Widerstand des jeweiligen Aktivierungsbereichs...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für eine elektronische Schaltung mit einem Substrat. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Substrat für eine elektronische Schaltung.
  • Integrierte Schaltungen werden üblicherweise in Gehäuse eingesetzt. Um die Anschlussflächen der integrierten Schaltungen über Anschlusskontakte des Gehäuses zugänglich zu machen, weisen Gehäuse üblicherweise Verdrahtungseinrichtungen auf, die eine elektrische Verbindung zwischen den Anschlusskontakten und den Anschlussflächen zur Verfügung stellen. Einige Arten von Gehäusen weisen dazu Umverdrahtungsleiterplatten auf, die ein- oder mehrlagig ausgebildet sind und auf deren Oberseite die integrierte Schaltung angeordnet ist und mit darauf befindlichen Leiterbahnen verbunden ist und auf deren Unterseite die Anschlusskontakte vorgesehen sind. Die Verbindung zwischen der integrierten Schaltung und den Anschlusskontakten erfolgt über Leitungsbereiche und/oder Durchkontaktierungen durch die Leiterplatte.
  • Insbesondere bei hochfrequenten Signalen kommt es zu Signalübersprechen und Störungen auf den Signal- und Versorgungsleitungen durch die Leiterplatte. Diese werden üblicherweise durch Vorsehen von geeigneten passiven Bauelementen, wie Widerstände und Kapazitäten, die auf der Systemleiterplatte vorgesehen sind und mit den Anschlusskontakten elektrisch verbunden sind, reduziert. Das Vorsehen von der integrierten Schaltung getrennten Widerständen und Kapazitäten benötigt zusätzlichen Platz auf der Systemleiterplatte. Zudem wird durch das Vorsehen zusätzlicher Bauelemente die Fehlerwahrscheinlichkeit für das Auftreten von Fehlern in dem Gesamtsystem deutlich erhöht.
  • Mehrlagige Leiterplatten für Gehäuse für elektronische Schaltungen werden dort verwendet, wo die integrierte Schaltung mit sehr vielen Anschlusskontakten in Verbindung stehen muss, so dass über Kreuz geführte Leitungen zwischen den Anschlusskontakten und den Anschlussflächen der elektronischen Schaltung nicht zu vermeiden sind. Die mehrlagigen Leiterplatten werden so hergestellt, dass zwischen den Lagen der Leiterplatten die entsprechenden Leiterbahnen eingebracht werden, bevor die Lagen miteinander verbunden werden. Dies stellt einen aufwändigen Prozess dar, wodurch die Gehäuse für solche elektronische Schaltungen sehr teuer werden.
  • Aus der Druckschrift DE 101 44 462 C1 ist ein elektronisches Bauteil bekannt, das ein passives Bauelement aufweist, das mithilfe eines Lasers aktivierbar ist, um das elektronische Bauteil zu justieren.
  • Aus der Druckschrift US 4,888,665 ist ein Schaltkreis bekannt, der Aktivierungsbereiche aufweist, die zwischen jeweils zwei Leitungsabschnitten angeordnet sind und die selektiv durch Anwenden einer Aktivierungsenergie aktiviert werden können.
  • Aus der Druckschrift US 4,214,918 ist bekannt, dass Veränderungen der Kristallstruktur von Silizium durch Laserbestrahlung oder lokaler Erwärmung herbeigeführt werden können, sodass der Widerstandswert des Siliziums sich ändert.
    •
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer elektronische Schaltung zur Verfügung zu stellen, bei dem in einfacher Weise die elektrischen Verbindungen zwischen den Anschlusskontakten und den Anschlussflächen der elektronischen Schaltung realisiert werden können. Es ist weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Substrat für eine elektronische Schaltung zur Verfügung zu stellen, das in einfacher Weise hergestellt werden kann.
  • Diese Aufgaben werden durch das Verfahren nach Anspruch 1 sowie durch das Substrat nach Anspruch 6 gelöst.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer elektronische Schaltung mit einem Substrat vorgesehen. Hierbei werden zunächst Aktivierungsbereiche in das Substrat eingebracht, wobei der Aktivierungsbereich gestaltet ist, um bei einer Aktivierung seinen elektrischen Widerstand zu verringern. Weiterhin wird ein Leitungsbereich und/oder ein passives Bauelement in dem Substrat vorgesehen, so dass der Aktivierungsbereich mit dem Leitungsbereich in Kontakt steht. Wahlweise wird der Aktivierungsbereich aktiviert, um den Widerstand des Aktivierungsbereichs zu ändern, so dass eine elektrische Verbindung durch den Leitungsbereich und den Aktivierungsbereich und/oder das passive Bauelement gebildet wird. Es sind ein erster und ein zweiter Aktivierungsbereich vorgesehen, wobei der erste Aktivierungsbereich mit einer ersten Aktivierungsenergie und der zweite Aktivierungsbereich mit einer zweiten Aktivierungsenergie aktivierbar ist, um den ersten und den zweiten Aktivierungsbereich voneinander unabhängig zu aktivieren. Auf diese Weise können mehrere Aktivierungsbereiche vorgesehen werden, die selektiv aktiviert werden können, um selektiv passive Bauelemente oder elektrische Verbindungen zu bilden. Der erste und der zweite Aktivierungsbereich werden im Wesentlichen gegenüberliegend vorgesehen, wobei der erste Aktivierungsbereich und der zweite Aktivierungsbereich bei ihrer Aktivierung eine Kapazität bilden. Dabei können der erste Aktivierungsbereich und der zweite Aktivierungsbereich jeweils so angeordnet werden, dass der erste Aktivierungsbereich mit einem ersten Leitungsbereich und der zweite Aktivierungsbereich mit einem zweiten Leitungsbereich in Kontakt steht.
  • Das Verfahren bietet die Möglichkeit, ein Substrat zur Verfügung zu stellen, das nach dem Aufbau des Gehäuses durch eine Aktivierung so modifiziert werden kann, dass elektrische Verbindungen und/oder passive Bauelemente gebildet werden können. Dadurch können nach dem Fertigstellen des Gehäuses festgestellte Störungen auf Signalleitungen durch Vorsehen von passiven Bauelementen, wie beispielsweise Widerstände oder Kapazitäten reduziert werden. Ferner können in dem Substrat nach dem Fertigstellen des Gehäuses durch eine nachträgliche Aktivierung wahlweise Verbindungen zwischen zwei Leitungsbereichen geschaffen werden, beispielsweise um den Widerstand einer Verbindungsleitung zu reduzieren, diese umzuleiten oder diese mit einer anderen Anschlussfläche der elektronischen Schaltung kurzzuschließen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann der Aktivierungsbereich mit zwei Leitungsbereichen in Kontakt stehen, wobei beim Aktivieren des Aktivierungsbereichs ein elektrischer Widerstand zwischen den Durchkontaktierungen verringert wird.
  • Es können ein erster und zweiter Leitungsbereich im Wesentlichen gegenüberliegend vorgesehen werden, um eine Kapazität zu bilden, so dass der erste Leitungsbereich mit einem ersten Aktivierungsbereich und/oder der zweite Leitungsbereich mit einem zweiten Aktivierungsbereich in Kontakt steht.
  • Alternativ kann der Aktivierungsbereich im Wesentlichen flächig auf oder zwischen zwei Lagen des Substrats aufgebracht werden, wobei das Aktivieren des Aktivierungsbereichs selektiv durchgeführt wird, so dass ein erster Abschnitt des Aktivierungsbereichs aktiviert und ein zweiter Abschnitt des Aktivierungsbereichs nicht aktiviert wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird das Aktivieren des Aktivierungsbereichs durch ein Bestrahlen des Aktivierungsbereichs mit einem Licht, mit einer elektromagnetischen Strahlung oder mit einer Teilchenstrahlung und/oder durch ein Erwärmen des Aktivierungsbereichs durchgeführt. Das Material des Aktivierungsbereichs ist dabei ein Material, das mit der entsprechenden Aktivierungsenergie, die durch das Bestrahlen oder das Erwärmen zugeführt wird, aktivierbar ist, so dass sich sein elektrischer Widerstand verändert, vorzugsweise verringert.
  • Weiterhin kann vorgesehen sein, dass eine Signalübertragung eines Signals auf einer Signalleitung durchgeführt wird und auftretende Störungen bei der Signalübertragung gemessen werden. Abhängig von den ermittelten Störungen wird das Aktivieren des direkt oder über den Leitungsbereich mit der Signalleitung in Kontakt stehenden Aktivierungsbereichs durchgeführt oder nicht.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Substrat für eine elektronische Schaltung vorgesehen. In dem Substrat ist mindestens ein Leitungsbereich vorgesehen, der innerhalb des Substrats angeordnet ist. In dem Substrat ist ein Aktivierungsbereich eingebracht, der mit dem Leitungsbereich in Kontakt steht, wobei der Aktivierungsbereich so gestaltet ist, dass er bei einer Aktivierung seinen elektrischen Widerstand ändert. Weiterhin sind zwei Aktivierungsbereiche gegenüberliegend angeordnet, um bei einer Aktivierung einen Kondensator zu bilden, bei dem die isolierende Lage das Dielektrikum darstellt.
  • Auf diese Weise wird ein Substrat zur Herstellung eines Gehäuses für eine elektronische Schaltung zur Verfügung gestellt, in dem auf einfache Weise passive Bauelemente durch einen Aktivierungsvorgang implementiert werden können, um Signalstörungen beispielsweise durch Übersprechen von Signalen zwischen benachbarten Signalleitungen zu reduzieren: Weiterhin bietet ein solches Substrat die Möglichkeit, optional nach dem Aufbau des Gehäuses zusätzliche Verbindungen zu der elektronischen Schaltung zu erzeugen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung kann der Leitungsbereich von der Oberfläche kontaktierbar sein.
  • Insbesondere tritt jeder der zwei Aktivierungsbereiche mit einem Leitungsbereich in Kontakt, um den Kondensator bei seiner Aktivierung zwischen den Durchkontaktierungen anzuordnen.
  • Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann der Leitungsbereich ein passives Bauelement bilden, wobei der Aktivierungsbereich bei seiner Aktivierung das passive Bauelement kontaktiert und wobei der Aktivierungsbereich so angeordnet ist, dass er von einer Oberfläche des Substrats kontaktierbar ist.
  • Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Schnittansicht auf ein Gehäuse gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine weitere Schnittansicht einer vergrößerten Darstellung des Substrats mit mehreren Lagen und darin angeordneten Aktivierungsbereichen, und
  • 3 eine dreidimensionale Schnittansicht durch ein erfindungsgemäßes Substrat, in dem ein Kondensator mit Hilfe der Aktivierungsbereiche kontaktiert ist.
    •
  • In 1 ist in einer perspektivischen Ansicht ein FBGA-Gehäuse gezeigt, das ein Substrat 1 aufweist, auf dem ein Chip 2 mit einer integrierten Schaltung (nicht gezeigt) aufgebracht ist. Das Substrat 1 weist eine Oberseite 3 auf, auf der der Chip 2 befestigt wird und eine Unterseite 4, auf der sich Anschlusskontakte 5 z.B. in Form von Lötperlen 5 befinden. Die Lötperlen 5 sind typischerweise in einem Raster so angeordnet, dass sie einen ausreichenden Abstand zueinander zum Aufbringen auf eine Systemleiterplatte (nicht gezeigt) aufweisen. Üblicherweise ist das Raster, in dem die Lötperlen 5 angeordnet sein müssen, durch die Spezifikation des FBGA-Gehäuses vorgegeben.
  • Die Anschlussflächen (nicht gezeigt) des Chips 2 sind mit auf der Oberseite 3 des Substrats angeordneten Verbindungsleitungen 6 Durchgangsverbindungen 7 zugeführt. Die Durchgangsverbindungen bilden durchgängige Bereiche durch das Substrat 1, um eine elektrisch leitende Verbindung 7 zwischen der Oberseite 3 des Substrats 1 und den auf der Unterseite 4 angeordneten Lötperlen 5 zu schaffen.
  • Das Substrat 1 ist aus mehreren Lagen 8 aufgebaut, wobei zwischen den Lagen 8 ein Leitungsbereich 10 bzw. ein passives Bauelement 10 in Form eines Widerstandes oder einer Kapazität angeordnet ist. Das passive Bauelement 10 steht über einen Aktivierungsbereich 9 in Kontakt mit mindestens einer der Durchkontaktierungen 7.
  • Der Aktivierungsbereich 9 kann mit Hilfe einer geeigneten Aktivierung so aktiviert werden, dass sich sein elektrischer Widerstand ändert. Insbesondere verringert sich beim Aktivieren des Aktivierungsbereichs 9 der elektrische Widerstand des Aktivierungsbereichs 9. Aus diesem Grunde ist der Aktivierungsbereich 9 zum Bilden einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem Leitungsbereich 10 und der Durchkontaktierung 7 so angeordnet, dass er mit beiden in Kontakt steht.
  • Der Aktivierungsbereich 9 kann durch Einwirken einer bestimmten Aktivierungsenergie so verändert werden, dass sich sein elektrischer Widerstand dauerhaft ändert. Die Aktivierungsenergie kann dabei durch Bestrahlen mit Licht (sichtbar, infrarot, UV), elektromagnetischer Strahlung (z. B. Mikrowellen) oder mit einer Teilchenstrahlung bzw. durch Erwärmen auf eine bestimmte Temperatur bereitgestellt werden. Das Material für den Aktivierungsbereich ist vorzugsweise ein Material, das im Grundzustand nicht oder schlecht leitend ist und dessen Widerstand sich durch Aktivierung verringert. Selbstverständlich kann das Aktivierungsmaterial auch leitend vorgesehen sein, wobei der Widerstand des Materials durch die Aktivierung ansteigt.
  • Alternativ kann vorgesehen sein, dass der Aktivierungsbereich lediglich als elektrische Verbindungsbereich zum zweier Leitungsbereiche oder von Durchkontaktierungen dient und zwischen den Lagen des Substrats angeordnet ist.
  • In 2 ist ein vergrößerter Ausschnitt aus einem erfindungsgemäßen Substrat dargestellt, der eine Aktivierung mit einer bestimmten Aktivierungsenergie unterzogen wird. Im in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Aktivierungsbereiche als im Wesentlichen senkrecht zur Substratoberfläche verlaufende Bereiche ausgebildet, die auch in Kontakt mit Durchkontaktierungen 7 stehen können, die in dieser Schnittansicht aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt sind. Zwischen den Aktivierungsbereichen 9 sind Leitungsbereiche und/oder passive Bauelemente 10 angeordnet, die beispielsweise einen Widerstand und/oder einen Kondensator umfassen können. Alternativ können die Aktivierungsbereiche 9 auch selbst als Widerstand bzw. als Kondensator wirken, wenn sie in entsprechender Weise aktiviert worden sind.
  • Das Substrat 1 umfasst mehrere Lagen 8, in denen die Aktivierungsbereiche 9 angeordnet sind. Die Aktivierungsbereiche 9 in den verschiedenen Lagen 8 weisen unterschiedliche Aktivierungsenergien E auf, wobei die Aktivierungsbereiche 9 die am nächsten an der Aktivierungsenergiequelle 12 angeordnet sind, die größte Aktivierungsenergie E-L1 aufweisen, während die Aktivierungsbereiche, die am weitesten von der Aktivierungsenergiequelle entfernt sind, die geringste Aktivierungsenergie E-L4 aufweisen. Somit können durch Wahl der Aktivierungsenergie die entsprechenden Aktivierungsbereiche 9 aktiviert werden. Ferner kann die Aktivierungsenergie E selektiv auf die rückseitige Oberfläche 4 des Substrats 1 mit einer bestimmten Aktivierungsenergie eingebracht werden.
  • Auch können die Aktivierungsbereiche so gestaltet sein, dass nur eine bestimmte Aktivierungsenergie, z.B. Licht einer bestimmten Wellenlänge, die Aktivierung bewirkt, während Licht einer größeren oder kleineren Wellenlänge keine Aktivierung bewirkt.
  • Das Substrat 1 weist in der Regel mehrere Lagen auf, um auf einfache Weise die Leitungsbereiche und/oder die passiven Bauelemente 10 darin anzuordnen. Die passiven Bauelemente 10 werden auf eine der Lagen 8 aufgebracht und darauf die nächste Lage aufgebracht, um so das passive Bauelement 10 innerhalb des Substrats in einem bestimmten Bereich anzuordnen.
  • Die Lagen 8 des Substrats 1 können auch insgesamt als Aktivierungsschicht ausgebildet sein, so dass der Aktivierungsbereich durch eine gezielten Aktivierung mit Hilfe einer Maskierung oder eines gezielten Schreibvorgangs, z.B. mit einem Laserstrahl, durchgeführt wird. Dann können die Bereiche, auf die die Aktivierungsenergie 12 aufgetroffen ist, in einen Bereich mit geringem Widerstand geändert werden. Diese Bereiche werden durch geeignete Maskierung der Aktivierungsenergiequelle 12 bzw. durch geeignete Programmierung des Strahlschreibgerätes so angeordnet, dass die im Substrat 1 vorgesehenen passiven Bauelemente 10 durch die aktivierten Aktivierungsbereiche 9 elektrisch kontaktiert werden und dass die aktivierten Aktivierungsbereiche die elektrischen Verbindungen zu einer Durchkontaktierung 7 bereitstellen.
  • In 3 ist dargestellt, wie z.B. ohne das Vorsehen eines elektrischen Bauelements ein Kondensator in dem Substrat angeordnet werden kann. Dazu werden die Oberflächen von zwei aufeinander folgenden Lagen 8 eines Substrats 1 als Aktivierungsbereiche 9 vorgesehen, die selektiv mit Hilfe einer Maske oder eines gezielten Schreibvorgangs aktiviert werden, um in diesen Bereichen zwei übereinander angeordnete Flächen zu schaffen, die durch die dazwischen liegende Lage 8 des Substrats 1 voneinander elektrisch getrennt sind. Die beiden so gebildeten Flächen sind mit verschiedenen Durchkontaktierungen 7, z.B. direkt oder über Leitungsbereiche, verbunden. Die beiden Flächen sind durch die Lage 8 so getrennt, dass die Lage ein Dielektrikum für den durch die Flächen gebildeten Kondensator bildet. Auf diese Weise kann das vorsorgliche Vorsehen von passiven Bauelementen 10 in dem Substrat 1 vermieden oder reduziert werden. Das passive Bauelement 10 wird durch das selektive Aktivieren der einzelnen Aktivierungsschichten gebildet.

Claims (8)

  1. Verfahren zum Herstellen einer elektronische Schaltung mit einem Substrat (1), mit folgenden Schritten: – Vorsehen eines ersten und eines zweiten Aktivierungsbereiches (9) in dem Substrat (1), wobei der erste Aktivierungsbereich (9) und der zweite Aktivierungsbereich (9) jeweils mit einer Aktivierungsenergie (E) aktivierbar sind, um den ersten und den zweiten Aktivierungsbereich (9) zu aktivieren, wobei der erste und der zweite Aktivierungsbereich (9) jeweils gestaltet ist, um bei einer Aktivierung seinen elektrischen Widerstand zu verringern; – Vorsehen eines ersten Leitungsbereiches (10) in dem Substrat (1), so dass der erste Aktivierungsbereich (9) mit dem ersten Leitungsbereich (10) in Kontakt steht; – Vorsehen eines zweiten Leitungsbereiches in dem Substrat, so dass der zweite Aktivierungsbereich mit dem zweiten Leitungsbereich in Kontakt steht; wobei ein erster und ein zweiter Aktivierungsbereich (9) gegenüberliegend vorgesehen werden, – Aktivieren des ersten und des zweiten Aktivierungsbereiches (9), um den Widerstand des jeweiligen Aktivierungsbereichs (9) zu ändern, wobei der erste Aktivierungsbereich (9) und der zweite Aktivierungsbereich (9) nach ihrer Aktivierung eine Kapazität bilden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aktivieren der Aktivierungsbereiche (9) mit Hilfe einer elektromagnetischen Strahlung durchgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei zumindest eines der Aktivierungsbereiche (9) mit zwei Leitungsbereichen (10) in Kon takt steht, wobei beim Aktivieren des Aktivierungsbereichs (9) ein elektrischer Widerstand zwischen den Leitungsbereichen (10) verringert wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei zumindest einer der Aktivierungsbereiche (9) flächig auf oder zwischen zwei Lagen des Substrats (1) aufgebracht wird, wobei das Aktivieren des Aktivierungsbereiches (9) selektiv durchgeführt wird, so dass ein erster Abschnitt des Aktivierungsbereiches (9) aktiviert und ein zweiter Abschnitt des Aktivierungsbereiches nicht aktiviert wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Signalübertragung eines Signals auf einer Signalleitung durchgeführt wird und auftretende Störungen bei der Signalübertragung gemessen werden, wobei abhängig von den ermittelten Störungen das Aktivieren des direkt oder über den Leitungsbereich mit der Signalleitung in Kontakt stehenden Aktivierungsbereiches (9) durchgeführt wird.
  6. Substrat (1) für eine elektronische Schaltung, mit einem ersten Leitungsbereich (10) und mit einem zweiten Leitungsbereich, die innerhalb des Substrats (1) angeordnet sind; mit einem ersten und einem zweiten Aktivierungsbereich in dem Substrat (1), der mit dem Leitungsbereich (10) in Kontakt steht, wobei der erste Aktivierungsbereich (9) und der zweite Aktivierungsbereich (9) jeweils mit einer Aktivierungsenergie (E) aktivierbar sind, um den ersten und den zweiten Aktivierungsbereich (9) zu aktivieren, wobei der Aktivierungsbereich (9) gestaltet ist, um bei einer Aktivierung seinen elektrischen Widerstand zu verringern, wobei der erste und der zweite Aktivierungsbereich (9) einander gegenüberliegend angeordnet sind, um nach ihrer Aktivierung einen Kondensator zu bilden.
  7. Substrat (1) nach Anspruch 6, wobei der Leitungsbereich (10) von einer Oberfläche kontaktierbar ist.
  8. Substrat nach Anspruch 6 oder 7, wobei der erste und der zweite Aktivierungsbereich (9) aus einem Material beschaffen ist, das mit einer elektromagnetischen Strahlung aktivierbar ist.
DE102004029200A 2004-06-16 2004-06-16 Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung sowie ein Substrat für eine elektronische Schaltung Expired - Fee Related DE102004029200B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004029200A DE102004029200B4 (de) 2004-06-16 2004-06-16 Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung sowie ein Substrat für eine elektronische Schaltung
US11/153,811 US7468549B2 (en) 2004-06-16 2005-06-15 Method for producing a package for an electronic circuit and a substrate for a package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004029200A DE102004029200B4 (de) 2004-06-16 2004-06-16 Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung sowie ein Substrat für eine elektronische Schaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004029200A1 DE102004029200A1 (de) 2006-01-12
DE102004029200B4 true DE102004029200B4 (de) 2006-10-19

Family

ID=35501684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004029200A Expired - Fee Related DE102004029200B4 (de) 2004-06-16 2004-06-16 Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung sowie ein Substrat für eine elektronische Schaltung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7468549B2 (de)
DE (1) DE102004029200B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202011105240U1 (de) 2011-08-26 2012-05-23 Herwig Bohrtechnik Schmalkalden Gmbh Vorrichtung für die Anwendung im Trockenbohrverfahren zur Minimierung der Faser- und Partikelemissionen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4214918A (en) * 1978-10-12 1980-07-29 Stanford University Method of forming polycrystalline semiconductor interconnections, resistors and contacts by applying radiation beam
US4888665A (en) * 1988-02-19 1989-12-19 Microelectronics And Computer Technology Corporation Customizable circuitry
DE10144462C1 (de) * 2001-09-10 2002-11-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6021050A (en) * 1998-12-02 2000-02-01 Bourns, Inc. Printed circuit boards with integrated passive components and method for making same
US6975517B1 (en) * 2003-05-30 2005-12-13 Nortel Networks Limited Embedded preemphasis and deemphasis circuits

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4214918A (en) * 1978-10-12 1980-07-29 Stanford University Method of forming polycrystalline semiconductor interconnections, resistors and contacts by applying radiation beam
US4888665A (en) * 1988-02-19 1989-12-19 Microelectronics And Computer Technology Corporation Customizable circuitry
DE10144462C1 (de) * 2001-09-10 2002-11-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202011105240U1 (de) 2011-08-26 2012-05-23 Herwig Bohrtechnik Schmalkalden Gmbh Vorrichtung für die Anwendung im Trockenbohrverfahren zur Minimierung der Faser- und Partikelemissionen

Also Published As

Publication number Publication date
US7468549B2 (en) 2008-12-23
DE102004029200A1 (de) 2006-01-12
US20060006411A1 (en) 2006-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10201781B4 (de) Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben
EP1716595B1 (de) Halbleiterbauteil mit einem stapel aus halbleiterchips und verfahren zur herstellung desselben
DE10002852A1 (de) Abschirmeinrichtung und elektrisches Bauteil mit einer Abschirmeinrichtung
WO2005104226A2 (de) Verfahren zur herstellung von durchkontaktierungen durch eine kunststoffmasse und halbleiterbauteil mit derartigen durchkontaktierungen
EP1186035A1 (de) Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements
DE10250538A1 (de) Elektronisches Bauteil als Multichipmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1620893B1 (de) Verfahren zur herstellung eines nutzens und verfahren zur herstellung elektronischer bauteile mit gestapelten halbleiterchips aus dem nutzen
DE19821857A1 (de) Hochintegrierte elektronische Schaltung, insbesondere zum Einsatz in Herzschrittmachern
DE102005003125A1 (de) Elektrische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung
DE10138958A1 (de) Chip-Scale-Packung, gedruckte Leiterplatte, Elektronikmodul und Leiterplatten-Entwurfsverfahren
DE69723801T2 (de) Herstellungsverfahren einer Kontaktgitter-Halbleiterpackung
DE4446471C2 (de) Verfahren zur Montage eines Chips auf einem flexiblen Schaltungsträger
DE102005013270A1 (de) Schaltungsplatine zum Verbinden einer integrierten Schaltung mit einem Träger und einem IC-BGA-Gehäuse, das dieselbe verwendet
DE102004029200B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung sowie ein Substrat für eine elektronische Schaltung
DE102004037826B4 (de) Halbleitervorrichtung mit miteinander verbundenen Halbleiterbauelementen
DE102008009220A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
DE102007014198A1 (de) Integriertes Bauteil
DE2753236C2 (de) Einbaurahmen für eine gehäuselose integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
DE3810486A1 (de) Verfahren zum herstellen kundenspezifischer elektrischer schaltungen, insbesondere gedruckter schaltungen
EP1684341A2 (de) Elektrische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung
DE10308926B4 (de) Halbleiterchipanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102004042042A1 (de) Speichermodul mit mehreren Speicherchips
DE19719983C2 (de) Montageplatte für Halbleiterbausteine und Verfahren zur Herstellung hiervon
DE102004041888B4 (de) Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit gestapelten Halbleiterbauelementen
DE19962628A1 (de) Halbleiterbautelement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee