DE102005033141A1 - Passivierung eines Mehrschichtspiegels für extreme Ultraviolettlithografie - Google Patents

Passivierung eines Mehrschichtspiegels für extreme Ultraviolettlithografie Download PDF

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Abstract

Erläuterrt wird unter anderem eine reflektierende Vorrichtung 100, die zur Verwendung in extremen Ultraviolett- oder weichen Röntgenstrahl-Anwendungen geeignet ist. Die Vorrichtung 100 enthält ein Substrat 110, einen Mehrschichtreflektor 112, der an dem Substrat 110 ausgebildet ist, und eine Deckschicht 114, die an dem Mehrschichtreflektor 112 ausgebildet ist und die ein Oxid enthält, das chemisch inert in einer oxidierenden Umgebung ist. Somit widersteht die Vorrichtung 100 Verunreinigungen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf die Halbleiterherstellung und spezieller auf EUV-Lithografie (Extreme Ultra Violet).
  • Im Allgemeinen verwenden Fotolithografietechniken, die in der Herstellung von Halbleiteranordnungen genutzt werden, ein Abbildungssystem, das Strahlung auf eine Maske richtet, um ein Muster zu bilden. Das Muster wird auf einen Halbleiterwafer projiziert, der mit einem strahlungsempfindlichen bzw. lichtempfindlichen Fotoresist bedeckt ist. Sobald das Fotoresistmaterial bestrahlt ist, kann es entwickelt werden, um überschüssiges Fotoresistmaterial zu beseitigen. Das verbleibende Fotoresistmaterial dient als eine Ätzmaske für einen Ätzprozess, der zum Strukturieren des unterliegenden Halbleiterwafers genutzt wird.
  • Laufende Verbesserungen in der Lithografie haben es erlaubt, die Größe von integrierten Schaltkreisen (IC) auf Halbleiterbasis zu verkleinern, wodurch Anordnungen mit höherer Dichte und besseren Leistungsmerkmalen ermöglicht wurden. Ein vielversprechendes Lithografiesystem verwendet Strahlung in dem extremen Ultraviolett(EUV)wellenlängenbereich. Allgemein verwendet die EUV-Lithografie (EUVL) Strahlung mit Wellenlängen im Bereich von etwa 10 Nanometern bis etwa 15 Nanometern, der zwischen dem Wellenlängenbereich der weichen Röntgenstrahlung und der Vakuumultraviolettstrahlung (VUV) liegt.
  • Allgemein sind EUVL-Abbildungssysteme reflektierende Systeme. EUV-reflektierende Systeme, die als Beleuchtungseinrichtung, Projektionsoptik, reflektierende Optiksysteme, Kondensoroptiksysteme, reflektierende Fotomasken usw. genutzt werden können, nutzen Mehrschicht, Dünnfilmbeschichtungen, die als verteilte Bragg-Reflektoren bekannt sind. Die Mehrschichtbeschichtungen umfassen typisch 40 bis 70 oder mehr, Molybdän/Silizium Doppelschichten, wobei die Doppelschichtendicke etwa die Hälfte der verwendeten entsprechenden EUV-Wellenlänge ist. Alternative Materialien sind beispielsweise Doppelschichten aus Galliumarsenid und Aluminiumarsenid.
  • Während der Verwendung wird jedoch die Oberfläche der EUVreflektierenden Optik, einschließlich der reflektierenden Masken, die auch als optische Elemente betrachtet werden, häufig verunreinigt. Oberflächenoxidation und Kohlenstoffablagerungen sind besonders störend und können die Nutzungsdauer der EUV-reflektierenden Optik derart verkürzen, dass die Nutzung einer EUV-reflektierenden Optik nicht kommerziell praktikabel ist. Kohlenstoffablagerungen treten aufgrund der Absorption von Kohlenwasserstoff enthaltenden Molekülen an der Optikoberfläche aus Restgasen in der Vakuumumgebung auf, oder der Absorption von Kohlenstoff enthaltenden Molekülen, wie z.B. Kohlenmonoxid oder Kohlendioxid, und folgender Photon- oder Sekundärelektronen induzierter Dissoziation und Desorptionsreaktionen. Resistausgasen kann auch zu Kohlenstoffablagerung auf den Spiegelflächen durch Fotodissoziation oder durch Elektronen induzierte Dissoziation von Photonen erzeugten Sekundärelektronen der Kohlenwasserstoffe führen. Die Oberflächenoxidation kann von Restwasserdampf durch Absorption von Wasser und folgende Photon induzierte oder Sekundärelektronen induzierte Dissoziation des Wassers resultieren, wobei der Sauerstoff an der Oberfläche verbleibt und der Wasserstoff desorbiert.
  • Kohlenstoffverunreinigungen können umgekehrt entfernt werden durch das gesteuerte Einlassen eines oxidierenden Gases, wie z.B. H2O. Jedoch müssen die Partialdrücke des Kohlenwasserstoff enthaltenden Gases und der Wasserdampfdruck innerhalb eines sehr kleinen Prozessfensters genau gesteuert werden, das eine Oxidation verhindert, ohne zu viel Kohlenstoff auf der Oberfläche zu hinterlassen. Der Prozess wird weiter kom pliziert, weil EUV-Optiksysteme in einem EUV-Belichtungswerkzeug mit verschiedenen EUV-Intensitäten belichtet werden und das Prozessfenster für jeden Spiegel anders sein kann. Außerdem wird die Oxidation während der EUV-Bestrahlung durch die Erzeugung von hochreaktiven Radikalen, z.B. O, OH, über die Dissoziation von Gasphasenmolekülen durch die intensive EUV-Strahlung über den Spiegelflächen gefördert. Die Erzeugung von Radikalen kann unterschiedlich für unterschiedliche Lichtintensitäten sein und deshalb für unterschiedliche Spiegel.
  • Anstrengungen wurden unternommen, um dieses Oxidationsproblem durch das Zufügen von Deckschichten aus Silizium, Ruthenium und Schichten aus Silizium und Ruthenium, die durch Zufügen von beispielsweise Stickstoff modifiziert sind, über der Oberfläche der EUV-Optikstruktur zu lösen. Jedoch wurde festgestellt, dass diese Deckschichten nicht oxidationsfest waren und keine effektive Barrierenschicht gegen die Diffusion von Oxiden, z.B. O2, O, OH usw. bilden, so dass die Deckschichten von diesen Molekülen und/oder Atomen durchdrungen wurden, die dann den Mehrschichtstapel unter der Deckschicht oxidierten, was Änderungen der optischen Konstanten und der Dicken der einzelnen Schichten verursacht.
    •
  • Deshalb gibt es ein Bedürfnis für eine EUV-Optikstruktur, die einer Verunreinigung durch Kohlenstoff und Oxidation widersteht.
  • Diese und andere Probleme werden durch die Erfindung und ihre Weiterbildungen gelöst bzw. umgangen, wobei generell technische Vorteile erreicht werden. Die Erfindung sieht eine EUVreflektierende Optikstruktur vor, die beispielsweise für die EUV-Lithografie verwendet werden kann.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine reflektierende Vorrichtung angegeben, die für die Nutzung in extremem Ultraviolett oder weichen Röntgenstrahl-Anwendungen geeignet ist. Die reflektierende Vorrichtung enthält ein Substrat mit einem Mehrschichtreflektor. Der Mehrschichtreflektor ist bspw. direkt angrenzend an das Substrat angeordnet oder an einer Schicht bzw. an einem Schichtstapel, die bzw. der zwischen dem Substrat und dem Mehrfachreflektor liegt. Eine Deckschicht ist über dem Mehrschichtreflektor ausgebildet, um Oxidation zu verhindern. Die Deckschicht ist bspw. direkt angrenzend an den Mehrschichtreflektor angeordnet oder an einer Schicht bzw. an einem Schichtstapel, die bzw. der zwischen dem Mehrschichtreflektor und der Deckschicht angeordnet sind. Die Deckschicht enthält ein inertes Oxid, insbesondere ein Metalloxid, wie z.B. Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, Y2O3-stabilisiertes ZrO2 oder ähnliches. Das Oxid ist insbesondere in molekularem Sauerstoff inert.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Ausbilden einer reflektierenden Vorrichtung angegeben, die für die Nutzung in extremem Ultraviolett oder in weichen Röntgenstrahl-Anwendungen geeignet ist. Das Verfahren beinhaltet das Ausbilden einer Deckschicht über einem Mehrlagenreflektor auf bzw. an einem Substrat. Die Deckschicht kann ausgebildet werden durch reaktives Sputtern in einer Sauerstoffumgebung, durch nicht-reaktives Sputtern, bei dem die Materialien direkt von dem entsprechenden Oxidtarget gesputtert werden, durch nicht-reaktives Sputtern der Metallschicht gefolgt von einer vollständigen oder teilweisen Oxidation, z.B. durch natürliche Oxidation, durch Oxidation in sauerstoffhaltigem Plasma bzw. sauerstoffhaltigen Plasmen, durch Oxidation in Ozon (O3) oder ähnlichem, durch Atomlagenabscheidung, z.B. ALCVD (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition), oder ähnlichem.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Strukturieren einer Halbleitervorrichtung angegeben. Das Verfahren verwendet ein EUVL-System mit einer oder mehreren reflektierenden Vorrichtungen, worin mindestens eine der reflektierenden Vorrichtungen eine Deckschicht hat, die über einem Mehrlagenreflektor ausgebildet ist. Die Deckschicht verhindert oder reduziert die Oxidation des Mehrschichtreflektors während des Betriebs.
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und deren Vorteile wird nun Bezug genommen auf die folgenden Beschreibungen gemeinsam mit den anliegenden Zeichnungen, in denen:
  • 1 eine EUV-Optikstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, und
  • 2 ein EUVL-System gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
    •
  • Das Herstellen und Verwenden der vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiele wird im Detail unten diskutiert. Selbstverständlich sind jedoch auch Verallgemeinerungen möglich.
  • Nun bezugnehmend auf 1 wird ein Querschnitt einer EUV-Mehrschichtreflektorvorrichtung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die EUV-Mehrschichtreflektorvorrichtung 100 umfasst ein Substrat 110, einen Mehrschichtreflektor 112 und eine Deckschicht 114. Vorzugsweise ist das Substrat 110 aus einem Material mit einem kleinen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (LTEM – Low Thermal Expansion Material), wie z.B. ULE-Glas (Ultra Low Expansion) der Corning Incorporation. Alternativ können andere Materialien genutzt werden, wie Zerodur®, hergestellt von Schott Glas Technologie oder ähnliche.
  • Der Mehrschichtreflektor 112 enthält abwechselnd Schichten eines Materials mit einer großen Kernladungszahl Z, z.B. größer als 30, und einem Material mit einer kleinen Kernladungszahl Z, z.B. kleiner als 30, wobei beide Materialien nach einem kleinen Absorptionsindex ausgewählt sind und vorzugsweise etwa 40 bis 70 Paare aus wechselnden Schichten vorhanden sind. Bei einem Ausführungsbeispiel ist oder enthält das Material mit der großen Kernladungszahl Z Molybdän, und das Material mit der kleinen Kernladungszahl Z ist oder enthält Silizium. In diesem Ausführungsbeispiel ist es bevorzugt, dass das Paar der Molybdän- und Siliziumschichten eine Dicke im Bereich von etwa 15 Nanometern bis etwa 7,5 Nanometern hat, d.h. etwa die Hälfte der EUV-Wellenlänge von etwa 10 Nanometern bis 15 Nanometern. Somit kann die Dicke des Mehrschichtreflektors 112 im Bereich von etwa 200 Nanometern bis etwa 525 Nanometern liegen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel, bei dem Plasmaquellen verwendet werden, die eine Wellenlänge von etwa 13,5 Nanometern haben, hat jedes Paar von abwechselnden Molybdän- und Siliziumschichten eine Dicke von etwa 6, 8 Nanometern. Es soll angemerkt werden, dass die bevorzugte Dicke abhängig vom Einfallswinkel der EUV-Strahlung auf den speziellen Mehrschichtreflektor ist. Andere Dicken, Materialien und eine andere Anzahl von Schichten können verwendet werden.
  • Die Deckschicht 114 ist bevorzugt ausgebildet aus einer oder mehreren dünnen Schichten eines Materials, das gute Diffusionsbarriereeigenschaften gegen Oxidation des unterliegenden Mehrschichtreflektors hat und das das effektive Entfernen von Kohlenstoffverunreinigungen erlaubt. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht die Deckschicht aus oder enthält Aluminiumoxid Al2O3, mit einer Dicke im Bereich von etwa 1 Nanometer bis etwa 5 Nanometer, welches durch reaktives Sputtern in einer Sauerstoffumgebung gebildet wurde. Geeignete Verfahren zum Ausbilden der Deckschicht schließen ein Gleichstrom- oder Wechselstrommagnetronsputtern oder Ionenstrahlabscheidung ein. Das Erste ist ein Diodensputterverfahren, bei dem magnetische Felder an dem Target (Kathode) eine intensive lokale Plasmadichte hervorrufen und somit große Sputterraten. In Ionenstrahlsputter-Abscheidungssystemen werden Ionenstrahlen von einer gesonderten Ionenquelle schräg auf das entfernte Target gerichtet. Das reaktive Sputtern in beiden Verfahren beinhaltet das Sputtern eines metallischen Targets, im Fall von Al2O3 ist dies metallisches Aluminium. Prozessgase, die verwendet werden können, schließen Argon ein mit einem Zusatz von etwa 10 Prozent bis etwa 20 Prozent Sauerstoff, der mit den aus der Targetoberfläche heraustretenden Aluminiumatomen reagiert. Es wird angestrebt, eine genaue Steuerung des Partialdrucks des Sauerstoffs zu haben, um eine Vergiftung bzw. Oxidation des Targets zu vermeiden, die große Schwankungen der Sputterraten zur Folge hat. Beide Arten von Sputtersystemen enthalten bevorzugt Einzel- oder Mehrfachtargetsystemen, UHV-Design (z.B. kleiner als 10-7 Torr, 10-8 Torr oder sogar 10-9 Torr), Einzelsubstratverfahren, und dynamische oder statische Abscheidungsarten. In dynamischen Systemen wird das Substrat gedreht und/oder entlang eines geraden oder gekrümmten Weges, z.B. unter Verwendung eines Planetensystems, bewegt, um die notwendige Gleichmäßigkeit der Abscheiderate zu erreichen, beispielsweise kleiner als 3 Prozent bzw. kleiner als 3 Sigma. Formplatten können verwendet werden, um die Gleichmäßigkeit zu optimieren. Auf diese Weise wurde festgestellt, ist die Al2O3-Deckschicht unter Verwendung relativ kleiner Prozesstemperaturen herzustellen, z.B. kleiner als etwa 200°C, und hat dennoch geeignete Diffusionsbarriereeigenschaften bis zu etwa 700°C, einer Temperatur, die häufig als oberhalb der maximalen Mehrfachreflektor-Temperaturen liegend betrachtet wird, die während der Herstellung dieser Reflektoren oder während des Betriebs des EUV-Bestrahlungswerkzeugs auftreten.
  • Andere inerte bzw. reaktionsträge Oxide, wie z.B. HfO2, ZrO2, Ta2O5, Y2O3-stabilisiertes ZrO2, und ähnliche, können ebenfalls verwendet werden. Andere Prozesse können ebenfalls verwendet werden, wie z.B. nicht-reaktives Sputtern, bei dem die Materialien direkt von dem entsprechenden Oxidtarget gesputtert werden, nicht-reaktives Sputtern der metallischen Schicht gefolgt von einer vollständigen oder teilweisen Oxidation, z.B. durch natürliche Oxidation, durch Oxidation in sauerstoffhaltigen Plasmen, durch Oxidation in Ozon (O3) oder ähnlichen, Atomlagenabscheidung, z.B. AlCVD (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition) oder ähnliche.
  • Es wurde festgestellt, dass aus diesen Materialien gebildete Deckschichten eine kleine Oberflächenrauhigkeit, beispielsweise kleiner als 0,2 Nanometer, und eine große Dickengleichmäßigkeit liefern, z.B. in der Größenordnung von 10-2 Nanometern bis 5 × 10-2 Nanometern. Dies schafft eine hochreflektierende Oberfläche, mit kleinen Abbildungsfehlern, die für EUVL-Technologien geeignet sind und für Designs einer minimalen Strukturbreite von 50 Nanometern und darunter. Ein Fachmann wird auch einsehen, dass die kleinen Prozesstemperaturen, die zur Ausbildung der Deckschicht verwendet werden, die Interdiffusion bzw. das Ausmaß der Interdiffusion zwischen den Schichten der Reflektorschicht verhindern oder reduzieren.
  • Es wurde festgestellt, dass es ein auf diese Weise hergestellter EUV-Reflektor gestattet, Kohlenstoffverunreinigungen ohne die Probleme von Oxidation zu entfernen. Beispielsweise können die Kohlenstoffverunreinigungen durch Einlassen eines oxidierenden Gases, wie z.B. H2O beseitigt werden. Bisher blieb Sauerstoff von dem Einlass des oxidierenden Gases an der Oberfläche des EUV-Reflektors, durchdrang die Deckschicht, falls eine vorhanden war, und oxidierte die Bragg-Reflektoren, wobei die Leistungsmerkmalcharakteristiken sanken. Im Gegenteil dazu verhindern oder reduzieren die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung das Eindringen von atomarem und molekularem Sauerstoff, wobei die Oberfläche des Bragg-Reflektors geschützt wird. Die Deckschicht verhindert die Oxidation oder reduziert auch das Ausmaß der Oxidation, die an der Oberfläche der Deckschicht auftreten kann.
  • Nun bezugnehmend auf 2 ist ein EUVL-System 200 gezeigt, worin die optischen Systeme EUV-Optiksysteme verwenden, die gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgebildet sind. Das EUVL-System 200 umfasst einen Laser 210 oder eine andere Strahlungsquelle, Kondensorspiegel 212, eine reflektierende Maske 214, Verkleinerungsspiegel 216 und einen Halbleiterwafer 218. Jeder der Spiegel kann einen Spiegel enthalten, der eine Deckschicht hat, die gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt ist. Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können in anderen Abbildungssystemen und Anordnungen verwendet werden.
  • Im Betrieb sammeln und fokussieren die Kondensorspiegel 212 die vom Laser 210 erzeugte Strahlung auf der reflektierenden Maske 214. Die reflektierende Maske 214, die typischerweise abgetastet wird, reflektiert das angestrebte Muster auf die Verkleinerungsspiegel 216. Die Verkleinerungsspiegel 216 verkleinern die Größe des Maskenbildes bzw. der Maske und projizieren das Maskenbild bzw. die Maske mit der angestrebten Größe auf den Halbleiterwafer 218. Wie oben erläutert, bietet die Verwendung der EUV-Optiksysteme gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Deckschicht, die eine Oxidationsbarrierenschicht bietet, die eine Oxidation der unterliegenden Bragg-Reflektoren verhindert, wobei ein besseres Reflektionsvermögen und eine längere Nutzungsdauer geboten werden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung und ihre Vorteile im Detail beschrieben worden sind, sollte klar sein, dass verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abänderungen darin gemacht werden können. Wie ein Fachmann schnell von der Offenbarung der vorliegenden Erfindung aus einsieht, können gemäß der vorliegenden Erfindung auch Prozesse, Maschinen, Herstellung, Zusammensetzungen von Stoffen, Mittel, Verfahren oder Schritte, die gegenwärtig vorhanden sind oder später entwickelt werden, verwendet werden, die im Wesentlichen die gleiche Funktion oder im Wesentlichen das gleiche Ergebnis wie die entsprechenden hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele erreichen.
    • 100
    Mehrschichtspiegelvorrichtung
    110
    Substrat
    112
    Mehrschichtreflektor
    114
    Deckschicht
    200
    EUVL-System
    210
    Laser
    212
    Kondensorspiegel
    214
    reflektierende Maske
    216
    Verkleinerungsspiegel
    218
    Halbleiterwafer

Claims (29)

  1. Eine reflektierende Vorrichtung (100), die zur Nutzung in extremen Ultraviolett oder weichen Röntgenstrahl-Anwendungen geeignet ist, die reflektierende Vorrichtung (100) enthält: ein Substrat (110), einen Mehrschichtreflektor (112), der an dem Substrat (110) ausgebildet ist, und eine Deckschicht (114), die an dem Mehrschichtreflektor (112) ausgebildet ist und die ein Oxid enthält oder aus einem Oxid besteht, das chemisch inert in einer oxidierenden Umgebung ist.
  2. Vorrichtung (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (110) ein Material mit einem kleinen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (LTEM) enthält oder aus einem solchen Material besteht, insbesondere einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten kleiner als 0,10 × 10-6 K-1, vorzugsweise im Temperaturbereich von 0°C bis 50°C.
  3. Vorrichtung (100) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Glas mit einem ultra-kleinen Ausdehnungskoeffizienten (ULE) enthält oder aus einem solchen Glas besteht.
  4. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (110) Zerodur® enthält oder aus Zerodur® besteht.
  5. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Mehrschichtreflektor (112) abwechselnd Schichten aus Material mit einer großen Kernladungszahl und aus Material mit einer kleinen Kernladungszahl enthält oder aus solchen Schichten besteht.
  6. Vorrichtung (100) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Material mit der großen Kernladungszahl Molybdän enthält oder Molybdän ist.
  7. Vorrichtung (100) nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Material mit der kleinen Kernladungszahl Silizium enthält oder Silizium ist.
  8. Vorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Schichtpaar eine Dicke im Bereich von 5 Nanometern bis 7,5 Nanometern hat, insbesondere eine Dicke von 6, 8 Nanometern.
  9. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (114) Aluminiumoxid, Hafniumoxid, Zirkoniumoxid, Tantaloxid, Yttriumoxidstabilisiertes Zirkoniumoxid, eine Kombination daraus enthält oder aus diesen Materialien besteht, insbesondere Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, Y2O3-stabilisiertes ZrO2 oder eine Kombination daraus.
  10. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht eine Vielzahl Schichten enthält.
  11. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (114) eine Dicke im Bereich von 1 Nanometer bis 5 Nanometern hat.
  12. Verfahren zum Ausbilden einer reflektierenden Vorrichtung (100), die für die Nutzung in extremem Ultraviolett oder weichen Röntgenstahl-Anwendungen geeignet ist, das Verfahren enthält die Schritte: Bereitstellen eines Substrats (110) mit einem daran ausgebildeten Mehrschichtreflektor (112), und Ausbilden einer Deckschicht (114) über dem Mehrschichtreflektor (112), wobei die Deckschicht (114) ein Oxid enthält oder aus einem Oxid besteht, das chemisch inert in einer oxidierenden Umgebung ist.
  13. Verfahren zum Strukturieren einer Halbleiteranordnung mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (218), Aufbringen eines Fotoresistmaterials, und Bestrahlen eines Teils des Fotoresistmaterials, wobei die Bestrahlung unter Nutzung einer reflektierenden Vorrichtung (100) durchgeführt wird, die zur Nutzung in extremem Ultraviolett oder weichen Röntgenstrahl-Applikationen geeignet ist, wobei die reflektierende Vorrichtung (100) eine Deckschicht (114) über einem Mehrfachreflektor (112) hat, und wobei die Deckschicht (114) ein Oxid enthält oder aus einem Oxid besteht, das chemisch inert in einer oxidierenden Umgebung ist.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (110) ein Material mit einem kleinen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (LTEM) enthält oder aus einem solchen Material besteht, insbesondere einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten kleiner als 0,10 × 10-6 K-1, vorzugsweise im Temperaturbereich von 0°C bis 50°C.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Glas mit einem ultrakleinen Ausdehnungskoeffizienten (ULE) enthält oder aus einem solchen Glas besteht.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (110) Zerodur® enthält oder aus Zerodur® besteht.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Mehrschichtreflektor (112) abwechselnd Schichten aus Material mit einer großen Kernladungszahl und aus Material mit einer kleinen Kernladungszahl enthält oder aus solchen Schichten besteht.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Material mit der großen Kernladungszahl Molybdän enthält oder Molybdän ist.
  19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Material mit der kleinen Kernladungszahl Silizium enthält oder Silizium ist.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Schichtpaar eine Dicke im Bereich von 5 Nanometern bis 7,5 Nanometern hat, insbesondere eine Dicke von 6, 8 Nanometern.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (114) Aluminiumoxid, Hafniumoxid, Zirkoniumoxid, Tantaloxid, Yttriumoxidstabilisiertes Zirkoniumoxid, eine Kombination daraus enthält oder aus diesen Materialien besteht, insbesondere Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, Y2O3-stabilisiertes ZrO2 oder eine Kombination daraus.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht eine Vielzahl Schichten enthält.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (114) eine Dicke im Bereich von 1 Nanometer bis 5 Nanometern hat.
  24. Verfahren nach Anspruch 12 oder einem vom Anspruch 12 abhängigen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden den Schritt enthält oder aus dem Schritt besteht: Ausführen eines reaktiven Sputterprozesses in einer Sauerstoffatmosphäre unter Verwendung eines metallischen Sputtertargets.
  25. Verfahren nach Anspruch 12 oder einem vom Anspruch 12 abhängigen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden den Schritt enthält oder aus dem Schritt besteht: Ausführen eines nicht-reaktiven Sputterprozesses, wobei das inerte Oxid direkt von einem entsprechenden Oxidtarget gesputtert wird.
  26. Verfahren nach Anspruch 12 oder einem vom Anspruch 12 abhängigen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden den Schritt enthält oder aus dem Schritt besteht: Ausführen eines nicht-reaktiven Sputterprozesses einer metallischen Schicht und vollständige oder teilweise Oxidation der metallischen Schicht.
  27. Verfahren nach Anspruch 12 oder einem vom Anspruch 12 abhängigen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden den Schritt enthält oder aus dem Schritt besteht: Durchführen eines Atomlagenabscheidungsprozesses.
  28. Verfahren zum Reinigen einer Vorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (100) einem oxidierenden Gas ausgesetzt wird.
  29. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass das oxidierende Gas Wasserdampf ist.
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