DE102005038670A1 - Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (1), das ein Implementationsteil (2) aufweist, das daran befestigt ist, weist ein Trennverfahren für mindestens das Implementationsteil (2) auf dem Halbleitersubstrat (1) entlang einer Trennlinie, ein Platzierungsverfahren für ein Filmteil (5) auf einer gleichen Seite wie das Implementationsteil (2), ein Ausbildungsverfahren einer geänderten Fläche (1c) durch Strahlen eines Laserstrahls (4) auf mindestens einer ersten Seite (1f) des Halbleitersubstrats (1), das das Implementationsteil (2) aufweist, und einer zweiten Seite (1g), die eine Seite ist, die der ersten Seite des Halbleitersubstrats (1) gegenüberliegt, entlang der Trennlinie mit einem Brennpunkt des Laserstrahls (4), die zu einer Substanz in dem Halbleitersubstrat (1) ausgerichtet ist, und ein Trennen/Entfernen mindestens eines Halbleiterchips (1e) an der Trennlinie von dem Halbleitersubstrat (1) auf.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Trennverfahren eines Halbleitersubstrats.
  • In den letzten Jahren sind Halbleitersubstrate herkömmlicher Weise durch eine Diamantenklinge von einem Siliziumwafer oder dergleichen getrennt worden. Das Trennverfahren des Substrats leidet unter Problemen, wie zum Beispiel einem Verlust eines Schneideabschnitts, das heißt eine Klingenbreite geht im Verlauf eines Schneidens verloren, und einem Zerschneiden des Substrats, das eine Ausbeute des Substrats verschlechtert.
  • Ein Verfahren, um mit den zuvor beschriebenen Problemen fertig zu werden, ist in der japanischen Patentanmeldung JP-3408805 offenbart, wie es in den 4A bis 4C gezeigt ist. In diesem Verfahren wird ein Laserlicht verwendet, um durch eine Multiphotonenabsorption mit einem gebündelten Strahl bis zu einer bestimmten Tiefe des Substrats eine geänderte Fläche in dem Halbleitersubstrat auszubilden. Die geänderte Fläche in dem Substrat wird als ein Startpunkt eines Zerteilens verwendet. Das Zerteilen und Trennen des Substrats wird in Folge in der Figur erläutert.
  • Wie es in 4A gezeigt ist, weist eine Rückseite eines Halbleitersubstrats 1 (eine Oberfläche, die kein darauf ausgebildetes Element aufweist) einen Chipbefestigungsfilm 2 (DAF: einen Filmklebstoff) zum Realisieren eines Halbleiterchip 1e auf, der von einem Wafer getrennt ist. Eine der Rückseite gegenüberliegende Seite des Substrats 1 weist einen Zerteilungsfilm 5 (ebenso als eine Zerteilungslage oder ein Zerteilungsband bekannt) zum Halten des Chip 1e nach einem Trennen durch Zerteilen auf. Der DAF 2 und der Zerteilungsfilm 5 bestehen zum Beispiel aus einem Film aus synthetischem Harz mit einem darauf aufgetragenen Klebstoff.
  • Ein Laserstrahl 4 wird mit einem Brennpunkt P auf einen hinteren Abschnitt des Substrats 1 gestrahlt, um einer Zerteilungslinie L1 von außerhalb des Substrats 1 in einem Verfahren eines Vorzerteilungsschritts zu folgen. Auf diese Weise wir eine geänderte Fläche 1c als eine kollektive Form von Rissen um den Brennpunkt P ausgebildet, an dem eine thermische Span nung durch eine Konzentration des Laserstrahls 4 induziert wird. Dann wird die Tiefe des Brennpunkts P geändert, um einen andere geänderte Fläche 1c auszubilden, die der Zerteilungslinie L1 folgt. Als Ergebnis wird mindestens eine Schicht einer geänderten Fläche 1c in dem Substrat 1 ausgebildet. Jede der Zerteilungslinien L1 wird durch die geänderte Fläche 1c auf diese Weise verfolgt, wie es in 4A gezeigt ist. Dann wird der Zerteilungsfilm 5 zu beiden Seiten in Richtungen, die durch Pfeile F2 und F3 in 4B dargestellt sind, gezogen, um einen Schnitt 1b in der geänderten Fläche 1c entlang der Zerteilungslinie L1 als Ergebnis einer Erweiterung des Risses mit einem Anwenden der Scherkraft in dem Substrat 1c auszubilden. Dann wird ein Abschnitt zwischen den Schnitten 1b, 1b durch ein Pressteil 6 in einer Aufwärtsrichtung (als ein Pfeil F4 in der Figur gezeigt) von der Rückseite des Substrats 1 bewegt, um den Halbleiterchip 1e durch Abreißen des DAF 2 zu entfernen (4C).
  • Jedoch lässt ein herkömmliches Verfahren eines Abscherens den DAF 2 in einer unregelmäßigen Form zurück, das heißt eine tatsächliche Abscherlinie geht von einer gedachten Linie L2 weg. In diesem Fall wird sich die Stärke einer Realisierung auf Grund eines unzureichenden Raums eines Klebens verringern, wenn der DAF 2b eine Abmessung aufweist, die kleiner als eine Standardabmessung ist. Weiterhin wird die Realisierung fehlerhaft, wenn ein Rest-DAF 2c, der sich von dem Halbleiterchip 1e ausdehnt (in 4C gezeigt), eine normale Realisierung verhindert. Der Halbleiterchip 1e leidet unter einem gleichartigen Problem, wenn die Realisierung des Chip 1e durch Löten mit einer Metallfolie für die Realisierung unter Verwendung des DAF ersetzt wird. Das heißt, es ist bei der Realisierung des Halbleiterchip problematisch, wenn der DAF oder die Metallfolie nicht geeignet mit dem Halbleiterchip geschnitten wird.
    •
  • Im Hinblick auf die zuvor beschriebenen und andere Probleme ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren eines Trennens eines Halbleiterchip zum sicheren Realisieren eines Halbleiterchip auf einem Gehäuse oder dergleichen durch zweckmäßiges Schneiden eines DAF oder einer Metallfolie auf eine zweckmäßige Abmessung zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Die vorliegende Erfindung ist dazu gedacht, ein Trennverfahren eines Halbleitersubstrats zu schaffen, das ein darauf befestigtes Implementationsteil aufweist. Ein Trennen des Substrats tritt in einer Richtung einer Dicke des Substrats auf, das heißt das Substrat wird durch eine virtuelle Ebene geschnitten, die senkrecht zu dem Substrat ist. Das Trennverfahren beinhaltet ein Verfahren zum Trennen eines Implementationsteils, ein Verfahren zum Platzieren eines Filmteils, ein Verfahren zum Ausbilden einer geänderten Fläche und ein Verfahren zum Trennen eines Substrats. Bei dem Verfahren zum Trennen eines Implementationsteils wird mindestens das Implementationsteil entlang einer Trennlinie geschnitten. Bei dem Verfahren zum Platzieren eines Filmteils wird das Filmteil zum Zusammenhalten des getrennten Implementationsteils auf einer Seite des Substrats platziert, die das Implementationsteil aufweist, das bei dem vorhergehenden Verfahren geschnitten worden ist. Bei dem Verfahren zum Ausbilden einer geänderten Fläche wird eine geänderte Fläche durch einen Laserstrahl ausgebildet, der auf mindestens die Seite des Implementationsteils oder eine gegenüberliegenden Seite des Substrats entlang der Trennlinie gestrahlt wird. Der Laserstrahl bildet die geänderte Fläche durch Bringen eines Lichtfokus des Laserstrahls in das Substrat aus. Die geänderte Fläche wird durch einen Effekt einer Multiphotonenabsorption ausgebildet. Bei dem Verfahren zum Trennen des Substrats wird ein Halbleiterchip durch Trennen entlang der Trennlinie, die in dem zuvor beschriebenen Verfahren vorbereitet worden ist, von dem Substrat getrennt.
  • Bei dem Trennverfahren des Substrats in der vorliegenden Erfindung wird das Substrat durch einen Schnitt, der auf der Seite des Implementationsteils ausgebildet ist, entlang der Trennlinie getrennt. Der Schnitt wird zuerst in dem Implementationsteil ausgebildet, um die Oberfläche und das Innere des Substrats zu erreichen.
  • Weiterhin kann in dem Trennverfahren in der vorliegenden Erfindung das Verfahren zum Platzieren des Films, das zuvor beschrieben worden ist, vor dem Verfahren zum Ausbilden einer geänderten Fläche ausgeführt werden oder kann nach dem Verfahren zum Ausbilden der geänderten Fläche ausgeführt werden. Das heißt dem Verfahren zum Trennen des Implementationsteils kann das Verfahren zum Platzieren des Films oder das Verfahren zum Ausbilden der geänderten Fläche folgen, dem das Verfahren zum Trennen des Substrats folgt. Bei dem Verfahren zum Ausbilden der geänderten Fläche kann der Laserstrahl auf jede Seite des Substrats mindestens zwei mal gestrahlt werden, um die geänderte Fläche entlang der Trennlinie auszubilden. Weiterhin kann der Laserstrahl bei jedem Auftreten einer Strahlung auf die gleiche Seite des Substrats gestrahlt werden und können zwei Laserstrahlen in der gleichen Quelle des Laserstrahls verursacht werden.
  • Das Trennverfahren, das in der vorliegenden Erfindung beschrieben ist, führt das Verfahren zum Trennen des Implementationsteils vor dem Verfahren zum Trennen des Substrats aus. Deshalb wird das Implementationsteil entlang der Trennlinie in einer beabsichtigten Form getrennt, das heißt, das Implementationsteil hält sicher eine beabsichtigte Form zur Realisierung ohne gebrochen zu werden, um kleiner als das Substrat zu sein oder schartig ausgebildet zu sein, um größer als das Substrat zu sein.
  • Auf diese Weise wird das Implementationsteil passend in eine geeignete Abmessung für den Halbleiterchip geschnitten und wird eine fehlerhafte Realisierung des Halbleiterchip verhindert. Weiterhin verhindert das Trennverfahren mit einem Ausbilden der geänderten Fläche durch den Laserstrahl den Verlust des Substrats, der durch die Breite der Schneideklinge und/oder ein Zerkleinern des Substrats in dem Verlauf eines Trennens verursacht wird.
  • Das Trennverfahren in der vorliegenden Erfindung bildet die geänderte Fläche in dem Substrat entlang der Trennlinie aus, die als ein Teilschnitt des Substrats verwendet wird. Deshalb wird die Dicke des Substrats an dem Teilschnitt dünner als der andere Abschnitt des Substrats und wird eine Bestrahlungszeit des Laserstrahls zum Trennen des Substrats kürzer als eine Standardzeit. Weiterhin wird die Kraft, die zu dem Trennen erforderlich ist, kleiner.
  • Das Trennverfahren der vorliegenden Erfindung bestrahlt den Laserstrahl von irgendeiner der zwei Oberflächen des Substrats. Weiterhin können zwei Laserstrahlen gleichzeitig von einer Quelle des Laserstrahl auf beide Seiten des Substrats gestrahlt werden. Auf diese Weise muss das Substrat nicht umgedreht werden, um den Laserstrahl im Verlauf eines Trennens auf beiden Seiten aufzunehmen. Weiterhin kann ein System zum Abstrahlen eines Laserstrahls vereinfacht werden, wenn eine einzelne Quelle des Laserstrahls zwei Laserstrahlen für das Trennverfahren erzeugt, um dadurch verringerte Herstellungskosten, verringerte Wartungskosten und eine verringerte Ausfallrate aufzuweisen. Weiterhin ist die Trennzeit verringert, wenn zwei Schichten von geänderten Flächen entlang der Trennlinie durch zwei Laserstrahlen gleichzeitig erzeugt werden.
    •
  • Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher beschrieben.
  • Es zeigt:
  • 1A bis 1D Querschnittsansichten eines Trennverfahrens eines Halbleitersubstrats gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2A bis 2D Querschnittsansichten eines Trennverfahrens eines Halbleitersubstrats gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 3A bis 3D Querschnittsansichten eines Trennverfahrens eines Halbleitersubstrats gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 4A bis 4C Querschnittsansichten eines Trennverfahrens eines Halbleitersubstrats gemäß einem Verfahren im Stand der Technik.
  • Ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats gemäß der vor liegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
  • Es folgt die Beschreibung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • Die 1A bis 1D zeigen Querschnittsansichten eines Trennverfahrens eines Halbleitersubstrats gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Das Verfahren gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel wird in den folgenden Schritten weiter detailliert dargestellt. Das heißt in dem Schritt, der in 1A gezeigt ist, wird das Halbleitersubstrat 1, das einen DAF 2 bzw. Chipbefestigungsfilm 2 aufweist, der auf einer Rückseite 1g befestigt ist, durch eine Diamantenklinge 3, die sich mit einer schnellen Drehung in eine Richtung dreht, die durch einen kreisförmiges Teil F1 dargestellt ist, entlang einer Trennlinie L1 geschnitten. Die Schneideklinge erreicht eine Tiefe in dem Substrat 1. Jede der Trennlinien L1 wird auf diese Weise ausgebildet. Ein Schnitt 1a wird entlang der Trennlinie L1 in dem Halbleitersubstrat ausgebildet.
  • Dann wird in dem Schritt, der in 1B gezeigt ist, ein Schneidefilm auf einer Rückseite (Implementationsseite) des DAF 2 ausgebildet. Das Halbleitersubstrat 1 wird umgedreht, um einen Laserstrahl 4 aufzunehmen, der auf eine Seite einer Oberfläche 1f gestrahlt wird, um einen Brennpunkt P auf einer Erweiterung des Schnitts 1a in dem Substrat aufzuweisen. Der Brennpunkt P folgt der Trennlinie L1. Der Brennpunkt P des Laserstrahls bildet die geänderte Fläche 1c in dem Substrat 1 durch eine Multiphotonenabsorption aus. Die Tiefe des Brennpunkts P wird geändert, um eine Mehrzahl der geänderten Flächen 1c aufzuweisen, die in dem Substrat 1 innerhalb eines Bereichs einer Dicke geschichtet sind, die durch n in der Figur dargestellt ist. Zum Beispiel wird eine Mehrzahl der geänderten Flächen 1c in einer Richtung einer Dicke aufeinanderfolgend oder an einer Mehrzahl von Stellen durch Ändern des Brennpunkts P ausgebildet, um das Trennen des Substrats 1 einfacher zu machen, wenn die Dicke n verhältnismäßig dick ist.
  • Die Multiphotonenabsorption, die durch eine Absorption von homoge nen und/oder heterogexnen Photonen in einem Material verursacht wird, erzeugt eine optische Beschädigung in einer Nähe des Brennpunkts P in dem Substrat 1. Als Ergebnis wird eine thermische Spannung induziert, um einen Riss um den Brennpunkt P zu verursachen. Der Riss bildet kollektiv die geänderte Fläche 1c aus. Die Intensität des Laserstrahls 4 wird durch eine Spitzenleistungsdichte (W/cm2) an dem Brennpunkt P bestimmt, wenn der Laserstrahl 4 ein Pulsstrahl ist. Zum Beispiel tritt die Multiphotonenabsorption auf, wenn die Spitzenleistungsdichte größer als 1 × 108 (W/cm2) ist und die Pulsbreite kleiner als 1 μs ist. Der Laserstrahl wird zum Beispiel durch einen YAG-(Yttrium-Aluminium-Granat)-Laser erzeugt. Die Wellenlänge des Laserstrahls ist zum Beispiel 1064 nm in einem Infrarotbereich. Dann wird in dem Chip, der in 1C gezeigt ist, der Schnittfilm 5 durch eine Streifenexpansionsvorrichtung oder dergleichen in Richtungen gezogen, die durch Pfeile F2 und F3 dargestellt sind. Auf diese Weise wird die kollektive Form von Rissen in der geänderten Fläche 1c entwickelt, um einen Schnitt 1e entlang der Trennlinie L1 durch ein Anwenden einer Scherkraft auszubilden.
  • Dann wird in dem Schritt, der in 1D gezeigt ist, der Halbleiterchip 1e durch Pressen eines Abschnitts zwischen den Schnitten 1b, 1b mit einem Pressteil 6 von der Rückseite 1g des Abschnitts zu einer oberen Richtung, die durch einen Pfeil F4 dargestellt ist, hoch gehoben.
  • Das Trennverfahren in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist die folgenden Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf. Das heißt der DAF 2 wird zum genauen Ausbilden des DAF 2 vor dem Trennen des Substrats 1 getrennt. Die Form des DAF 2 wird zum Verhindern einer fehlerhaften Realisierung geeignet an die Form des Halbleiterchip 1e angepasst.
  • Weiterhin wird der Laserstrahl 4 verwendet, um die geänderte Fläche 1c entlang der Trennlinie L1 auszubilden, um den Verlust des Substrats zu sparen, der durch die Breite der Schneideklinge verursacht wird, und um ein Verkleinern des Substrats zu verhindern. Deshalb kann die Ausbeute des Halbleiterchip 1e verbessert werden.
  • Weiterhin wird die Trennlinie L1 durch den Schnitt 1a teilweise getrennt und wird die Zeit zum Abstrahlen des Laserstrahls zum Trennen kürzer, da sich die Anzahl von Schichten der geänderten Flächen, die zum Trennen erforderlich sind, verringert.
  • Weiterhin wird der Laserstrahl 4 nicht von der Oberfläche 1f des Halbleitersubstrats 1 absorbiert und wird die Oberfläche 1f des Substrats 1 nicht geschmolzen.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • Die 2A bis 2D zeigen Querschnittsansichten eines Trennverfahrens eines Halbleitersubstrats gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Trennverfahren, das in dem zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben wird, verwendet nicht die Diamantenklinge zum Trennen. Gleiche Teile weisen gleich Bezugszeichen auf, wie sie in dem ersten Ausführungsbeispiel verwendet werden, und Beschreibungen von derartigen Teilen werden weggelassen.
  • In dem Verfahren, das in 2A gezeigt ist, wird der DAF 2 schmelzend von einem Laserstrahl 7, der einen Brennpunkt aufweist, der entlang der Trennlinie L1 auf den DAF 2 gebracht wird, getrennt, der auf die Rückseite 1g gestrahlt wird. Die Intensität des Laserstrahls 7 ist stark genug, um den DAF 2 zu schmelzen und zu trennen.
  • In dem Verfahren, das in 2B gezeigt ist, wird der Zerteilungsfilm 5 auf der Rückseite (Implementationsseite) des DAF 2 befestigt. Dann wird das Halbleitersubstrat 1 umgedreht, um den Laserstrahl 4 von einer Oberseite des Substrats 1 aufzuweisen. Es ist beabsichtigt, dass der Brennpunkt P des Laserstrahls an einem Boden des Substrats ist, um die geänderte Fläche 1c entlang der Trennlinie L1 an der ersten Stelle auszubilden. Eine Position des Brennpunkts P wird zu der Oberfläche nach oben bewegt, um mindestens eine andere Schicht der geänderten Fläche 1c entlang der Trennlinie L1 auszubilden. Die erste Schicht und die zweite Schicht der geänderten Flächen 1c können in dem Substrat 1 verbunden oder nicht verbunden sein. Ein Bezugszeichen 2a stellt einen Spalt zwischen dem DAF 2 dar, der auf einer Oberfläche des Substrats 1 getrennt ist.
  • In dem Verfahren, das in 2C gezeigt ist, wird der Zerteilungsfilm 5 in Richtungen, die durch die Pfeile F2 und F3 dargestellt sind, voneinander weg gezogen. Auf diese Weise wird die kollektive Form von Rissen in der geänderten Fläche 1c entwickelt, um einen Schnitt 1b entlang der Trennlinie L1 durch ein Anwenden einer Scherkraft auszubilden.
  • Dann wird in dem Schritt, der in 2D gezeigt ist, der Halbleiterchip 1e durch Pressen eines Abschnitts zwischen den Schnitten 1b, 1b mit einem Pressteil 6 von der Rückseite 1g des Abschnitts zu einer oberen Richtung hoch gehoben, die durch einen Pfeil F4 dargestellt ist.
  • Das Trennverfahren in dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist auf die folgende Weise Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf. Das heißt, die DAF 2 wird vor dem Trennen des Substrats 1 zum genauen Formen des DAF 2 getrennt. Die Form des DAF 2 wird zum Verhindern einer fehlerhaften Realisierung geeignet an die Form des Halbleiterchip 1e angepasst.
  • Weiterhin wird der Laserstrahl 4 verwendet, um die geänderte Fläche 1c entlang der Trennlinie L1 auszubilden, um den Verlust des Substrats zu sparen, der durch die Breite der Schneideklinge verursacht wird, und um ein Zerkleinern des Substrats zu verhindern. Deshalb wird die Ausbeute des Halbleiterchip 1e verbessert.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • Die 3A bis 3D zeigen Querschnittsansichten eines Trennverfahrens eines Halbleitersubstrats gemäß einem dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In diesem Ausführungsbeispiel wird der DAF 2 durch ein Ausbilden der geänderten Fläche mit dem Laserstrahl von der Oberfläche des Halbleitersubstrats getrennt. Gleiche Teile weisen gleiche Bezugszeichen auf, wie sie in dem zweiten Ausführungsbeispiel verwendet werden, und Beschreibungen von derartigen Teilen werden weggelassen.
  • In dem Verfahren, das in 3A gezeigt ist, wird der Zerteilungsfilm 5 auf dem DAF 2 befestigt. Dann wird der Laserstrahl 7 verwendet, um das Halbleitersubstrat 1 schmelzend zu teilen. Der Laserstrahl 7 wird auf die Oberfläche 1f entlang der Trennlinie L1 mit dem Brennpunkt P gestrahlt, der auf dem DAF 2 ausgerichtet ist. Jede der Trennlinien L1 auf dem DAF 2 wird auf diese Weise getrennt.
  • In dem Verfahren, das in den 2B bis 2D gezeigt ist, wird der Halbleiterchip 1e durch Trennen des Halbleitersubstrats 1 entlang der Trennlinie L1 in dem gleichen Verfahren, wie es in dem zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben worden ist, das in den 2B bis 2D gezeigt ist, hoch gehoben.
  • Das Trennverfahren in dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist auf die folgende Weise Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf. Das heißt der Laserstrahl 7 und der Laserstrahl 4 werden auf die Oberfläche 1f des Halbleitersubstrats 1 gestrahlt. Deshalb muss das Halbleitersubstrat 1 nicht umgedreht werden, wenn zwischen dem Laserstrahl 7 und dem Laserstrahl 4 gewechselt wird. Als Ergebnis wird eine gesamte Trennzeit des Halbleitersubstrats 1 verringert. Bezüglich des Verfahrens zum Ausbilden der geänderten Fläche 1c und des danach ausgeführten Verfahrens wird erwartet, dass das dritte Ausführungsbeispiel den gleichen Effekt aufweist, wie er in dem zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben worden ist.
  • Nachstehend folgt die Beschreibung eines anderen Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsbeispielen von ihr unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnung vollständig beschrieben worden ist, ist es anzumerken, dass verschiedene Änderungen und Ausgestaltungen für Fachleute ersichtlich werden.
  • Zum Beispiel können das Trennen des DAF 2 und das Ausbilden der geänderten Fläche 1c durch unterschiedliche Typen von Laserstrahlen in dem zweiten und dem dritten Ausführungsbeispiel durchgeführt werden. Jedoch kann ein gleicher Typ eines Laserstrahls verwendet werden, um das Substrat 1 zu trennen und die geänderte Fläche 1c auszubilden. Die Laserstrahlenquelle ist auf die zuvor beschriebene Weise vereinfacht, um ein kostenwirksames System zum Trennen eines Substrats aufzuweisen. Wartungskosten des Systems können auf die zuvor beschriebene Weise verringert werden.
  • Weiterhin können die Laserstrahlen 4 und 7 aus der gleichen Laserstrahlenquelle verwendet werden, um eine Mehrzahl der geänderten Flächen in unterschiedlichen Tiefen von der Oberfläche 1f des Substrats 1 auszubilden, wo die Brennpunkte der Strahlen gesteuert werden. Auf diese Weise wird die Trennzeit des Halbleitersubstrats 1 verringert.
  • Weiterhin kann der Schnitt 1a in dem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet werden, bevor die geänderte Fläche 1c ausgebildet wird, oder kann ausgebildet werden, nachdem die geänderte Fläche 1c in dem ersten Ausführungsbeispiel ausgebildet worden ist.
  • Weiterhin kann die geänderte Fläche 1c ausgebildet werden, bevor der DAF 2 getrennt wird, oder kann ausgebildet werden, nachdem der DAF 2 getrennt worden ist.
  • Weiterhin kann der Laserstrahl bewegt werden, um die geänderte Fläche 1c entlang der Trennlinie L1 auszubilden, oder kann stattdessen das Halbleitersubstrat 1 bewegt werden. Sowohl der Laserstrahl als auch das Halbleitersubstrat 1 können gleichzeitig bewegt werden.
  • Weiterhin wird der Laserstrahl auf beide Seiten, das heißt die Oberfläche 1f und die rückseitige Oberfläche 1g, des Halbleitersubstrats gestrahlt, um die geänderte Fläche auszubilden. Die Laserstrahlen von beiden Seiten können gleichzeitig oder in Folge verwendet werden, um die geänderte Fläche 1c auszubilden.
  • Weiterhin verwenden die zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele einen DAF zum Realisieren des Halbleiterchip 1e. Jedoch kann eine Metallfolie verwendet werden, um den Halbleiterchip 1e durch Löten in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zu realisieren.
  • Weiterhin kann das Trennen des Implementationsteils, wie zum Beispiel des DAF 2, der Metallfolie und dergleichen, neben einem Verwenden der Diamantenklinge durch ein scharfkantiges Werkzeug ausgeführt werden.
  • Weiterhin kann ein Feststoff, der eine gekrümmte Oberfläche, das heißt eine sphärische Einheit, aufweist, verwendet werden, um das Halbleitersubstrat 1 zu trennen. Die sphärische Einheit kann verwendet werden, um eine Kraft in Richtungen F2 und F3 zu erzeugen, um das Halbleitersubstrat 1 zu trennen.
  • Es versteht sich, dass derartige Änderungen und Ausgestaltungen innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung sind, wie sie durch die anliegenden Ansprüche definiert ist.

Claims (8)

  1. Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (1), das ein Implementationsteil (2) aufweist, das daran befestigt ist, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Teilen des Implementationsteils (2) auf einer Seite des Halbleitersubstrats (1) von einer Seite zum Befestigen des Implementationsteils (2) des Halbleitersubstrats (1) entlang einer Trennlinie, die durch eine virtuelle Ebene definiert ist, die das Halbleitersubstrat (1) kreuzt; Kombinieren eines Filmteils (5) mit dem Implementationsteil (2) von der Seite zum Befestigen des Implementationsteils (2) des Halbleitersubstrats (1); Ausbilden einer geänderten Fläche (1c) durch eine Multiphotonenabsorption, die durch Strahlen eines Laserstrahls (4) auf mindestens eine erste Seite (1f) des Halbleitersubstrats (1), die das Implementationsteil (2) aufweist, und einer zweiten Seite (1g) induziert wird, die der ersten Seite (1f) gegenüberliegt, entlang der Trennlinie mit einem Brennpunkt des Laserstrahls (4), der zu einer Substanz in dem Halbleitersubstrat (1) ausgerichtet ist; und Trennen und Entfernen mindestens eines Stücks eines Halbleiterchip (1e) an der Trennlinie in dem Halbleitersubstrat (1).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein Abschnitt des Halbleitersubstrats (1) in einem Verfahren eines Schneidens des Implementationsteils (2) dünner gemacht wird.
  3. Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (1), das die Schritte aufweist: Teilen eines Implementationsteils (2) mit einem ersten Laserstrahl (4) entlang einer Trennlinie, die durch eine virtuelle Ebene definiert ist, die das Halbleitersubstrat (1) kreuzt; Ausbilden einer geänderten Fläche (1c) durch Multiphotonenabsorption mit einem zweiten Laserstrahl (4), der auf mindestens eine von zwei Seiten (1f, 1g) des Halbleitersubstrats (1) gestrahlt wird; Kombinieren eines Filmteils (5) mit dem Implementationsteil (2) zum Intakthalten des Halbleitersubstrats (1); und Trennen und Entfernen mindestens eines Stücks eines Halbleiterchip (1e) an der Trennlinie von dem Halbleitersubstrat (1).
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der erste Laserstrahl (4) und der zweite Laserstrahl (4) auf eine gleiche Seite des Halbleitersubstrats (1) gestrahlt werden.
  5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, wobei der erste Laserstrahl (4) und der zweite Laserstrahl (4) in einer einzigen Quelle des Laserstrahls (4) erzeugt werden.
  6. Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (1), das die Schritte aufweist: Teilen eines Implementationsteils (2) mit einem ersten Laserstrahl (4) entlang einer Trennlinie, die durch eine virtuelle Ebene definiert ist, die das Halbleitersubstrat (1) kreuzt; Kombinieren eines Filmteils (5) mit dem Implementationsteil zum Intakthalten des Halbleitersubstrats (1); Ausbilden einer geänderten Fläche (1c) durch Multiphotonenabsorption mit einem zweiten Laserstrahl (4), der auf mindestens eine von zwei Seiten (1f, 1g) des Halbleitersubstrats (1) gestrahlt wird; Trennen und Entfernen mindestens eines Stücks eines Halbleiterchip (1e) an der Trennlinie von dem Halbleitersubstrat (1).
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der erste Laserstrahl (4) und der zweite Laserstrahl (4) auf eine gleiche Seite des Halbleitersubstrats (1) ge strahlt werden.
  8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, wobei der erste Laserstrahl (4) und der zweite Laserstrahl (4) in einer einzigen Quelle des Laserstrahls (4) erzeugt werden.
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