DE102005051629A1 - Herstellungsverfahren für Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung - Google Patents

Herstellungsverfahren für Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung Download PDF

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Abstract

Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung mit einem Dünnfilm-Muster über einem Substrat. Das Herstellungsverfahren umfasst das Abscheiden eines hydrophilen Harzes über einem Substrat und das Strukturieren des hydrophilen Harzes, um hydrophile Harz-Muster über denjenigen Bereichen zu formen, außerhalb von welchen Dünnfilm-Muster über dem Substrat geformt werden sollen. Das Herstellungsverfahren umfasst ferner das Abscheiden eines hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Materials über dem Substrat und zwischen den hydrophilen Harz-Mustern und das Entfernen der hydrophilen Harz-Muster, um hydrophobe Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster über dem Substrat zu formen. DOLLAR A Darüber hinaus umfasst das Herstellungsverfahren das Behandeln der hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster, um das Dünnfilm-Muster zu formen.

Description

  • Die Anmeldung beansprucht die Priorität der am 17. Juni 2005 eingereichten koreanischen Patentanmeldung P2005-52666, welche hiermit durch Bezugnahme mitaufgenommen wird.
  • Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung, und insbesondere ein Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung, welches adaptiert ist, die Kosten für die Herstellung der Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung zu reduzieren.
  • Im Allgemeinen steuert eine Flüssigkristall-Anzeigenvorrichtung (=LCD-Vorrichtung) die Licht-Transmission bzw. die Licht-Durchlässigkeit der Flüssigkristalle in Übereinstimmung mit einem Videosignal, wodurch ein Bild dargestellt wird. Hierfür weist die Flüssigkristall-Anzeigenvorrichtung ein Flüssigkristall-Anzeigenpanel, auf bzw. in welchem Flüssigkristall-Zellen in einer Matrix-Form angeordnet sind, und einen Steuerkreis zum Ansteuern des Flüssigkristall-Anzeigenpanels auf.
  • Entsprechend der Richtung des elektrischen Feldes, durch welches die Flüssigkristalle angesteuert werden, werden Flüssigkristall-Anzeigenvorrichtungen in zwei Hauptgruppen unterteilt: auf dem TN-Modus bzw. auf der TN-Technologie (TN = twisted nematic = verdreht nematisch) basierende LCD-Vorrichtungen, bei welchen ein vertikales elektrisches Feld verwendet wird, und auf der IPS-Technologie (IPS = in-plane switching = in-einer-Ebene-Schalten) basierende LCD-Vorrichtungen, bei welchen ein horizontales elektrisches Feld verwendet wird.
  • Die TN-Technologie ist eine Technologie, bei der die Flüssigkristalle mittels eines vertikalen elektrischen Feldes zwischen einer Pixel-Elektrode und einer gemeinsamen Elektrode, welche oberhalb des unteren Substrats bzw. unterhalb des oberen Substrats angeordnet sind, angesteuert werden. Die auf der TN-Technologie basierende Vorrichtung hat den Vorteil eines relativ großen Öffnungs-Verhältnisses, aber den Nachteil eines relativ engen bzw. eingeschränkten Blickwinkels. Demgegenüber ist die IPS-Technologie eine Technologie, bei der die Flüssigkristalle mittels eines horizontalen elektrischen Feldes zwischen der Pixel-Elektrode und der gemeinsamen Elektrode, welche parallel zueinander auf bzw. über dem unteren Substrat angeordnet sind, angesteuert werden. Die Vorrichtung mit IPS-Technologie hat den Vorteil eines relativ weiten Blickwinkels, aber den Nachteil eines relativ geringen Öffnungs-Verhältnisses.
  • 1 ist eine Schnittansicht, welche ein Flüssigkristall-Anzeigenpanel mit TN-Technologie gemäß dem Stand der Technik zeigt. Wie in 1 gezeigt, weist das Flüssigkristall-Anzeigenpanel eine obere Substrat-Anordnung auf, mit einer schwarzen Matrix 54, einem Farbfilter 56, einer gemeinsamen Elektrode 68 und einem oberen Ausrichtungs-Film 58, welche der Reihe nach auf einem oberen Substrat 52 ausgebildet sind. Das Panel weist ferner eine untere Substrat-Anordnung auf, mit einem Dünnfilm-Transistor (im Folgenden mit TFT bezeichnet), einer Pixel-Elektrode 66 und einem unteren Ausrichtungs-Film 88, welche jeweils auf einem unteren Substrat 82 ausgebildet sind. Flüssigkristalle 16 sind in den Innenraum zwischen der oberen Substrat-Anordnung und der unteren Substrat-Anordnung hinein eingebracht.
  • In der oberen Substrat-Anordnung wird durch die schwarze Matrix 54 ein Zell-Bereich definiert, in dem der Farbfilter 56 gebildet werden soll. Die schwarze Matrix 54 unterbindet die Licht-Leckage und absorbiert externes Licht, um den Kontrast zu erhöhen. Der Farbfilter 56 ist in dem Zell-Bereich geformt, welcher durch die schwarze Matrix 54 definiert ist. Der Farbfilter 56 ist in R, G und B gebildet, um ein Farbbild des Flüssigkristall-Anzeigenpanels zu realisieren. Die gemeinsame Elektrode 68 wird zum Steuern der Bewegung der Flüssigkristalle 16 mit einer gemeinsamen elektrischen Spannung beaufschlagt. Im Gegensatz zu der TN-Technologie, bei welcher die gemeinsame Elektrode 68 auf dem oberen Substrat 52 gebildet ist und ein vertikales elektrisches Feld verwendet wird, wird bei der IPS-Technologie ein horizontales elektrisches Feld verwendet und die gemeinsame Elektrode 68 ist in der unteren Substrat-Anordnung geformt bzw. angeordnet.
  • In der unteren Substrat-Anordnung weist der TFT eine Gate-Elektrode 59, welche in Längsrichtung einer Gate-Leitung (nicht gezeigt) auf dem unteren Substrat 82 geformt ist, Halbleiter-Schichten 64 und 97, welche die Gate-Elektrode 59 jeweils überlappen, einen Gate-isolierenden Film 94, welcher die Halbleiter-Schichten 64 bzw. 97 und die Gate-Elektrode 59 voneinander trennt, sowie eine Source-Elektrode 90 und eine Drain-Elektrode 92 auf, welche über den Halbleiter-Schichten 64 und 97 gebildet und getrennt voneinander angeordnet sind. Zusammen mit bzw. entlang der Source-Elektrode 90 und der Drain-Elektrode 92 ist eine Daten-Leitung (nicht gezeigt) geformt. Der TFT liefert ein Pixel-Signal von der Daten-Leitung zu einer Pixel-Elektroden-Leitung in Antwort auf ein Scan-Signal der Gate-Leitung.
  • Die Pixel-Elektrode 66 ist über einem Passivierungs-Film 100 geformt und ist durch ein Kontakt-Loch mit der Drain-Elektrode 92 von dem TFT in Kontakt. Die Pixel-Elektrode 66 ist aus einem transparenten leitfähigen Material mit hoher Licht-Durchlässigkeit geformt. Die obere Ausrichtungs-Schicht 58 und die untere Ausrichtungs-Schicht 88 für die Ausrichtung der Flüssigkristalle sind jeweils mittels eines Polier-Prozesses geformt, welcher an das Ausbreiten eines Ausrichtungs-Materials, wie zum Beispiel Polyimid, auf dem oberen bzw. dem unteren Substrat anschließt.
  • Die Dünnfilm-Muster des Flüssigkristall-Anzeigenpanels, die Gate-Elektrode 59 eingeschlossen, sind mittels eines Photolithographie-Verfahrens unter Verwendung einer Maske geformt. Die 2A bis 2D sind Querschnittsansichten, welche die Schritte des Formens einer Gate-Elektrode unter Verwendung eines Photolithographie-Verfahrens zeigen.
  • Wie in 2A gezeigt, werden ein Gate-Metall 59a und ein Photoresist-Material 60 mittels eines Abscheide-Verfahrens, wie zum Beispiel Sputtern, auf einem unteren Substrat 82 abgeschieden. Eine Maske 61 mit Öffnungen, welche auf diejenigen Bereiche ausgerichtet sind, auf/in denen die Gate-Elektrode 59 geformt bzw. gebildet werden soll, wird auf dem Photoresist-Material 60 angeordnet. Um das in 2B gezeigte Photoresist-Muster 60a zu formen, wird ein Belichtungs- und Entwicklungs-Prozess durchgeführt. Dann wird, wie in 2C gezeigt, ein Ätz-Prozess durchgeführt, um das Gate-Metall 59a zu strukturieren. Abschließend wird, wie in 2D gezeigt, die Gate-Elektrode 59 mittels eines Beseitigungs-Prozesses zum Entfernen des Photoresist-Musters 60a fertiggestellt.
  • Das Photolithographie-Verfahren unter Verwendung der Maske gemäß dem Stand der Technik weist zumindest einen Photoresist-Aufbringungs-Prozess, einen Masken-Ausrichtungs-Prozess, einen Belichtungs- und Entwicklungs-Prozess und einen Ätz-Prozess auf. Folglich ist das Verfahren gemäß dem Stand der Technik kompliziert. Außerdem kann eine wesentliche Menge an Photoresist-Material und Entwicklungs-Lösung während des Prozesses zum Entwickeln des Photoresist-Musters verschwendet werden. Darüber hinaus wird in dem Belichtungs-Prozess des Photolithographie-Verfahrens gemäß dem Stand der Technik eine teure Ausrüstung verwendet.
  • Die Erfindung ist demgemäß auf ein Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung gerichtet, welches im Wesentlichen eines oder mehrere von den Problemen umgeht bzw. löst, die sich infolge der Einschränkungen und Nachteile aus dem Stand der Technik ergeben.
    •
  • Demgemäß ist es ein Ziel der Erfindung, ein Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung zu schaffen, welches adaptiert ist, die Herstellungskosten der Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung zu reduzieren.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden zum Teil aus der Beschreibung ersichtlich oder können bei der Ausführung der Erfindung erlernt werden. Die Ziele und andere Vorteile der Erfindung werden durch die Struktur und das Verfahren, welche insbesondere in der Beschreibung und in den Ansprüchen sowie in der angehängten Zeichnung aufgezeigt sind, realisiert und erlangt.
  • Um diese und anderen Ziele der Erfindung zu erreichen, wird ein Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung mit einem Dünnfilm-Muster über einem Substrat geschaffen, welches die folgenden Schritte aufweist: Aufbringen eines hydrophilen Harzes auf ein Substrat, Strukturieren des hydrophilen Harzes, um hydrophile Harz-Muster über denjenigen Bereichen zu formen, außerhalb denen Dünnfilm-Muster auf dem Substrat geformt werden sollen, Aufbringen eines hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Materials auf dem Substrat und zwischen den hydrophilen Harz-Mustern, Entfernen der hydrophilen Harz-Muster, um hydrophobe Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster auf dem Substrat zu formen und Behandeln der hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster, um das Dünnfilm-Muster zu bilden.
  • Es ist zu verstehen, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung exemplarisch und erklärend sind und dafür vorgesehen sind, eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung bereitzustellen.
    •
  • Die beigefügte Zeichnung, welche aufgenommen wurde, um eine weitere Erläuterung der Erfindung bereitzustellen, und welche in der Beschreibung aufgenommen ist und einen Teil der Beschreibung bildet, zeigt Ausführungsformen der Erfindung und dient zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
  • In der Zeichnung sind:
  • 1 eine Querschnittsansicht, welche ein Füssigkristall-Anzeigenpanel gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • die 2A bis 2B Querschnittsansichten, welche die Schritte des Formens einer Gate-Elektrode unter Verwendung eines Photolithographie-Verfahrens gemäß dem Stand der Technik zeigen und
  • die 3A bis 3G Querschnittsansichten, welche die Schritte des Formens einer Gate-Elektrode gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnung detailliert erläutert. Die 3A bis 3G sind Querschnittsansichten, welche die Schritte des Formens einer Gate-Elektrode gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellen.
  • Wie in 3A gezeigt, wird auf bzw. über der gesamten Oberfläche von einem unteren Substrat 182 mittels eines Beschichtungs-Verfahrens, wie zum Beispiel Rotationsbeschichten oder Düsenbeschichten, ein Polymer-Harz 162 gebildet. Zum Beispiel kann ein hydrophiles Polymer-Harz, welches sich in Wasser löst, als das Polymer-Harz 162 verwendet werden.
  • Wie in 3B gezeigt, wird eine Weich-Form 170, welche Vorsprünge 170b und Nuten 170a aufweist, auf dem Polymer-Harz 162 angeordnet. Die Vorsprünge 170b sind auf diejenigen Bereiche des unteren Substrats 182 ausgerichtet, auf bzw. über welchen Gate-Elektroden geformt werden sollen, und die Nuten 170a sind derart positioniert, dass sie mit den anderen Bereichen des unteren Substrats 182 korrespondieren bzw. diese abzudecken. Die Weich-Form 170 kann hierbei die in der koreanischen Patentanmeldung 2003-0098122 offenbarte Weich-Form sein, welche hiermit durch Bezugnahme mitaufgenommen wird. Die Weich-Form 170 kann aus einem Gummi-Material hergestellt sein, welches eine hohe Elastizität aufweist, wie zum Beispiel Polydimethylsiloxan PDMS, Polyurethan oder quervernetztes Novolak-Harz.
  • Die Weich-Form 170 wird derart angeordnet, dass die Oberfläche eines jeden Vorsprungs 170b der Weich-Form 170 mit dem Polymer-Harz 162 in Kontakt ist. Das Gewicht der Weich-Form 170 übt Druck auf diejenigen Abschnitte/Bereiche von dem Polymer-Harz 162 aus, welche mit den Vorsprüngen 170b in Kontakt sind, und nach einer gegebenen Zeit, zum Beispiel 30 Sekunden bis 10 Minuten, kommen die Vorsprünge 170b mit dem unteren Substrat 182 in Kontakt. Gleichzeitig wird das Polymer-Harz 162 ferner mittels ultravioletter Strahlung weich-gehärtet, oder das Substrat 182 wird bei einer Temperatur von ungefähr 130°C oder weniger gebacken bzw. gehärtet. Die durch den Druck zwischen der Weich-Form 170 und dem unteren Substrat 182 erzeugte Kapillarkraft und die Repulsions- bzw. Abstoßungskraft zwischen der Weich-Form 170 und dem Polymer-Harz 162 führen dazu, dass das Kunst-Harz 162 in die Nuten 170a der Weich-Form 170 hineinbewegt wird. Dies hat zur Folge, dass, wie in 3C gezeigt, Polymer-Harz-Muster 162a in den mit den Nuten 170a der Weich-Form 170 korrespondierenden Bereichen geformt werden.
  • Dann wird, wie in 3D gezeigt, die Weich-Form 170 entfernt, und ein Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material 159a wird auf bzw. über das untere Substrat 182 aufgebracht, dort, wo die Polymer-Harz-Muster 162a geformt werden sollen. Das Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material wird bereitgestellt bzw. zubereitet, indem Basis-Materialien, wie zum Beispiel Aluminium, Kupfer, Chrom, Molybdän, Aluminium/Neodym oder beliebige Legierungen davon, in einem hydrophoben Lösungsmittel gelöst werden, wodurch sich die Basis-Materialien in Pulver-Partikel im Nano-Größenbereich auflösen bzw. zersetzen. Das hydrophobe Lösungsmittel kann Hexan und Toluol aufweisen. Dann wird das Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material 159a auf bzw. über das untere Substrat 182 zwischen die Polymer-Harz-Muster 162a aufgebracht, das heißt in die mit den Vorsprüngen 170b der Weich-Form 170 korrespondierenden Bereiche hinein bzw. in diejenigen Bereiche hinein, in denen bzw. wo die Gate-Elektroden auf dem unteren Subrat 182 geformt werden sollen.
  • Wie in 3E gezeigt, wird Wasser auf das untere Substrat 182 angewandt/aufgebracht, dort, wo die hydrophilen Polymer-Harz-Muster 162a und das Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material 159a geformt sind, um die hydrophilen Polymer-Harz-Muster 162a mittels Lösens derselben in H2O abzulösen bzw. zu entfernen. Das Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material 159a, welches vorher in dem hydrophoben Lösungsmittel gelöst wurde, löst sich nicht in H2O. Folglich werden nur die hydrophilen Polymer-Harz-Muster 162a entfernt, und das Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material 159a verbleibt auf dem unteren Substrat 182, wie in 3F gezeigt.
  • Dann wird, wie in 3G gezeigt, das Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material 159a mittels eines Heiz-Prozesses wärmebehandelt, um einen Strompfad bzw. einen stromleitenden Pfad zwischen dem Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Material 159a zu formen, wodurch die Gate-Elektroden 159 geformt werden.
  • Durch Verwendung der Weich-Form 170, des hydrophilen Polymer-Harzes 162, welches sich in dem hydrophilen Lösungsmittel löst, und des Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Materials 159a, welches sich in dem hydrophoben Lösungsmittel löst, können Dünnfilm-Muster ohne das Durchführen von derartigen Prozessen geformt werden, wie dem Belichtungs- und Entwicklungs-Prozess und dem Ätz-Prozess, welche in dem Photolithographie-Verfahren gemäß dem Stand der Technik benötigt werden, um Dünnfilm-Muster zu formen. Folglich kann das Herstellungsverfahren der Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung vereinfacht werden, und die Vergeudung bzw. der Verbrauch von Photoresist-Materialien und Entwicklungs-Lösung zum Entwickeln der Photoresist-Muster kann reduziert werden. Ferner wird die teure Belichtungs-Ausrüstung nicht benötigt. Dies hat zur Folge, dass die Herstellungskosten für das Flüssigkristall-Anzeigenpanel reduziert werden können.
  • Obgleich in dem obigen bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung detailliert die Verwendung einer Weich-Form beschrieben wurde, um die hydrophilen Polymer-Harz-Muster zu formen, können die hydrophilen Polymer-Harz-Muster auch unter Verwendung einer Hart-Form geformt werden. Die Hart-Form kann zum Beispiel aus Silizium oder Quarz hergestellt sein. Wenn die Hart-Form verwendet wird, wird das hydrophile Polymer-Harz in einem Zustand strukturiert, in welchem die Lösungsmittel-Komponente des hydrophilen Polymer-Harzes, welches über dem Substrat gebildet ist, verdampft wird, das heißt, in dem Zustand, in dem das hydrophile Polymer-Harz aufgedruckt wird. Dann wird das hydrophile Polymer-Harz durch den von Außen aufgebrachten Druck und durch die hohe Temperatur strukturiert. Im Gegensatz dazu wird bei Verwendung der Weich-Form, wie oben detailliert beschrieben, das hydrophile Polymer-Harz mittels Aufbringens von Druck mit Hilfe des Eigengewichts der Weich-Form durch dieselbe strukturiert, was dazu führt, dass die Vorsprungs-Flächen der Weich-Form das Substrat kontaktieren.
  • Ferner wurde in dem obigen bevorzugten Ausführungsbeispiel ein Verfahren zum Formen eines Gate-Musters detailliert beschrieben. Jedoch kann ein ähnlicher Prozess verwendet werden, um andere Dünnfilm-Muster in einer Flüssigkristall-Anzeigenvorrichtung zu formen.
  • Wie oben beschrieben werden bei dem Herstellungsverfahren für die Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung die Dünnfilm-Muster unter Verwendung der Soft-Form bzw. der Hart-Form, des hydrophilen Polymer-Harzes, welches sich in dem hydrophilen Lösungsmittel löst, und des Nano-Pulver-Gate-Elektroden-Materials, welches sich in dem hydrophoben Lösungsmittel löst, strukturiert bzw. gebildet. Mittels dieses Verfahrens können der Belichtungs-, der Entwicklungs- und der Ätz-Prozess eingespart werden, welche in dem Photolithographie-Verfahren gemäß dem Stand der Technik zum Strukturieren bzw. Bilden der Dünnfilm-Muster benötigt werden. Folglich kann das Herstellungsverfahren für die Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung vereinfacht werden, und der Verbrauch von Photoresist-Materialien und Entwicklungs-Lösung zum Entwickeln des Photoresist-Musters kann reduziert werden. Ferner wird die teure Belichtungs-Ausrüstung nicht benötigt. Dies hat zur Folge, dass die Herstellungskosten des Flüssigkristall-Anzeigenpanels reduziert werden können.
  • Es ist ersichtlich, dass vom Fachmann verschiedene Modifikationen und Variationen in dem Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung gemäß der Erfindung vorgenommen werden können, ohne von dem Geist und dem Umfang der Erfindung abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, die Modifikationen und Variationen im wie in den angehängten Ansprüchen bestimmten Umfang mit einzuschließen.

Claims (16)

  1. Herstellungsverfahren für eine Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung mit einem Dünnfilm-Muster auf einem Substrat, aufweisend die Schritte: Aufbringen eines hydrophilen Harzes auf einem Substrat; Strukturieren des hydrophilen Harzes, um hydrophile Harz-Muster über denjenigen Bereichen zu formen, außerhalb denen Dünnfilm-Muster auf dem Substrat geformt werden sollen; Aufbringen eines hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Materials auf dem Substrat und zwischen den hydrophilen Harz-Mustern; Entfernen der hydrophilen Harz-Muster, um hydrophobe Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster auf dem Substrat zu formen und Behandeln der hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster, um das Dünnfilm-Muster zu formen.
  2. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Strukturierens des hydrophilen Harzes die Schritte aufweist: Anordnen einer Weich-Form auf dem hydrophilen Harz, wobei die Weich-Form Vorsprünge aufweist, welche auf diejenigen Bereiche ausgerichtet sind, wo das Dünnfilm-Muster geformt werden soll; Aufbringen von Druck auf die Bereiche des hydrophilen Harzes unter den Vorsprüngen der Weich-Form, um die Vorsprünge der Weich-Form mit einer Schicht, welche unterhalb des hydrophilen Harzes liegt, in Kontakt zu bringen und Entfernen der Weich-Form.
  3. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Schicht, welche unterhalb des hydrophilen Harzes liegt, das Substrat ist.
  4. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 2, wobei der Schritt des Aufbringens von Druck den Schritt des Liegenlassens der Weich-Form auf dem hydrophilen Harz für eine vorbestimmte Zeit aufweist, wobei das Gewicht der Weich-Form den Druck auf das hydrophile Harz ausübt.
  5. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Weich-Form ein Gummi-Material mit einer hohen Elastizität aufweist.
  6. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 5, wobei das Gummi-Material Polydimethylsiloxan PDMS oder Polyuhrethan oder quervernetztes Novolak-Harz aufweist.
  7. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt des Strukturierens des hydrophilen Harzes die Schritte aufweist: Anordnen einer Hart-Form auf dem hydrophilen Harz, wobei die Hart-Form Vorsprünge aufweist, welche auf diejenigen Bereiche ausgerichtet sind, wo das Dünnfilm-Muster geformt werden soll; Aufbringen von Druck auf die Bereiche des hydrophilen Harzes unterhalb der Vorsprünge der Hart-Form, um die Vorsprünge der Hart-Form mit einer Schicht, welche unterhalb des hydrophilen Harzes liegt, in Kontakt zu bringen und Entfernen der Hart-Form.
  8. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 7, wobei die Schicht, welche unterhalb des hydrophilen Harzes liegt, das Substrat ist.
  9. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 7, wobei der Schritt des Aufbringens von Druck den Schritt des Anwendens einer hohen Temperatur aufweist.
  10. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 7, wobei die Hart-Form Silizium oder Quarz aufweist.
  11. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt des Entfernens der hydrophilen Harz-Muster den Schritt des Anwendens von H2O auf das Substrat, die hydrophilen Harz-Muster und die hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster aufweist.
  12. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das hydrophobe Nano-Pulver-Dünnfilm-Material zubereitet wird, indem ein Dünnfilm-Material in einem hydrophoben Lösungsmittel unter Ausbildung von Pulver-Partikeln im Nano-Größenbereich gelöst wird.
  13. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 12, wobei das Dünnfilm-Material zumindest eines von Aluminium, Kupfer, Chrom, Molybdän und Neodym aufweist.
  14. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 12, wobei das hydrophobe Lösungsmittel Hexan und Toluol aufweist.
  15. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das hydrophile Harz ein Polymer-Harz aufweist.
  16. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Behandelns ein Beheizen der hydrophoben Nano-Pulver-Dünnfilm-Muster umfasst, um das Dünnfilm-Muster zu formen.
DE102005051629.7A 2005-06-17 2005-10-27 Herstellungsverfahren für Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung Active DE102005051629B4 (de)

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