DE102006028962A1 - Integrierte Halbleiterschaltung, Halbleitersystem und Herstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem Halbleitersubstrat (SUB), mehreren elektrischen Schaltungen (41) und Leistungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) auf dem Halbleitersubstrat, einer Isolationsschicht (I1) auf dem Halbleitersubstrat, einer auf die Isolationsschicht gestapelten ersten leitfähigen Schicht (M1), die über einen ersten Durchkontakt (V1) mit einer ersten der Leistungskontaktstellen verbunden ist, und einer getrennt von der leitfähigen Schicht auf die Isolationsschicht gestapelten zweiten leitfähigen Schicht (M2), die über einen zweiten Durchkontakt (V2) mit einer zweiten der Leistungskontaktstellen (GND_P) verbunden ist, sowie auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren und ein damit ausgerüstetes Halbleitersystem. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist auf die erste und die zweite leitfähige Schicht eine Leistungsbereitstellungseinheit (P) gestapelt, die dafür eingerichtet ist, wenigstens einer der Leistungskontaktstellen Leistung bereitzustellen. DOLLAR A Verwendung z. B. für Notebooks und Mobiltelefone.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen integrierten Halbleiterschaltung und auf ein damit ausgerüstetes Halbleitersystem.
  • Herkömmliche integrierte Halbleiterschaltungen sind immer kleiner geworden, und sie wurden immer höher integriert. Dabei können integrierte Halbleiterschaltungen, die unterschiedliche Funktionen beinhalten, in ein einziges Halbleitersystem integriert werden. Beispielsweise beinhalten in Mobiltelefonen benutzte Halbleitersysteme integrierte Schaltungen mit Hochfrequenz (RF) hoher Leistung, die eine hohe Spannung von z.B. etwa 3 V benötigen, sowie integrierte Speicher- und/oder Logikschaltungen, die eine niedrige Spannung von z.B. 1,2 V benötigen.
  • Die 1 und 2 veranschaulichen herkömmliche Halbleitersysteme 100, 200. Das in 1 gezeigte herkömmliche Halbleitersystem 100 beinhaltet eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen S_IC1 bis S_IC3, die verschiedene Funktionen ausführen, und eine Leistungsversorgung PS, die Spannung an die integrierten Schaltungen S_IC1 bis S_IC3 anlegt. Die Leistungsversorgung PS kann eine selbsterzeugende Leistungsversorgung sein. Das in 2 gezeigte herkömmliche Halbleitersystem 200 beinhaltet eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen S_IC1 bis S_IC3, die unterschiedliche Funktionen ausführen, eine Leistungsversorgung B, die Spannung an die integrierten Schaltungen S_IC1 bis S_IC3 legt, und eine Ladeeinheit C, die der Leistungsversorgung B elektrische Ladung zuführt. Die Leistungsversorgung B, die keine selbsterzeugende Leistungsversorgung ist, kann elektrische Ladung von einer externen Quelle über die Ladeeinheit C empfangen und Spannung an die integrierten Schaltungen S_IC1 bis S_IC3 anlegen.
  • Wie in den 1 und 2 illustriert, empfangen in den herkömmlichen Halbleitersystemen 100, 200 die integrierten Schaltungen S_IC1, S_IC2, S_IC3 Spannung von der gemeinsam genutzten Leistungsversorgung PS bzw. B. Dabei können bei den herkömmlichen Systemen 100, 200 folgende Schwierigkeiten auftreten.
  • Herkömmlicherweise belegen die Leistungsversorgungen PS, B viel Platz innerhalb der Halbleitersysteme 100, 200, was es schwierig macht, noch mehr integrierte Schaltungen in den Halbleitersystemen 100, 200 hinzuzufügen, ohne deren Abmessung zu erhöhen. Entsprechend ist es auch schwierig, die Halbleitersysteme 100, 200 herunterzuskalieren. Da die integrierten Schaltungen S_IC1, S_IC2, S_IC3 eng nebeneinander angeordnet sein können, kann sich zudem die Temperatur innerhalb der herkömmlichen Halbleitersysteme 100, 200 erhöhen.
  • Wie oben erläutert, teilen sich die integrierten Schaltungen S_IC1, S_IC2, S_IC3 in den herkömmlichen Halbleitersystemen 100, 200 die Leistungsversorgung PS, B. Dementsprechend kann eine der integrierten Schaltungen, die am meisten Leistung verbraucht, beispielsweise eine Zentralprozessoreinheit (CPU), die Lebensdauer der betreffenden Leistungsversorgung PS, B begrenzen. Beispielsweise verbraucht in Notebooks oder Mobiltelefonen eine CPU oder eine Sendeempfängereinheit typischerweise am meisten Leistung. In den herkömmlichen Halbleitersystemen 100, 200, wie sie in den 1 und 2 gezeigt sind, stellt die Leistungsversorgung PS, B die Leistung für alle integrierten Schaltungen S_IC1, S_IC2, S_IC3 bereit, so dass alle integrierten Schaltungen S_IC1, S_IC2, S_IC3 im Wesentlichen gleichzeitig ihre Leistung verlieren, wenn die Leistungsversorgung PS, B erschöpft ist.
  • Da außerdem die Leistungsversorgung durch integrierte Schaltungen gemeinsam genutzt wird, die eventuell merkliches Rauschen verursachen, und/oder von integrierten Schaltungen gemeinsam genutzt wird, die gegen Rauschen anfällig sein können, kann die Gesamtleistungsfähigkeit eines Halbleitersystems durch einen integrierten Schaltkreis begrenzt sein, der die schlechtesten Rauscheigenschaften hat.
    •
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer integrierten Halbleiterschaltung der eingangs genannten Art sowie eines zugehörigen Herstellungsverfahrens und eines damit ausgerüsteten Halbleitersystems zugrunde, mit denen sich die oben erwähnten Schwierigkeiten des Standes der Technik reduzieren oder vermeiden lassen und die insbesondere eine vorteilhafte Leistungsversorgung und geringe Abmessungen ermöglichen.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 oder 7, eines Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 12 und eines Halbleitersystems mit den Merkmalen des Anspruchs 15 oder 21. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung stellt eine integrierte Halbleiterschaltung bereit, die eine zugewiesene Leistungsversorgung umfasst. Ein erfindungsgemäßes Halbleitersystem beinhaltet eine Mehrzahl integrierter Halbleiterschaltungen, von denen jede eine zugewiesene Leistungsversorgung umfasst.
  • Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie die zu deren besserem Verständnis oben erläuterten herkömmlichen Ausführungsbeispiele sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
  • 1 eine schematische Blockdarstellung eines ersten herkömmlichen Halbleitersystems,
  • 2 eine schematische Blockdarstellung eines zweiten herkömmlichen Halbleitersystems,
  • 3 eine schematische Blockdarstellung eines erfindungsgemäßen Halbleitersystems,
  • 4A bis 4C Querschnitte zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung gemäß der Erfindung,
  • 5 eine schematische Blockdarstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Halbleitersystems,
  • 6A bis 6C Querschnitte zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung gemäß der Erfindung und
  • 7 eine schematische Blockdarstellung einer erfindungsgemäßen integrierten Halbleiterschaltung.
    •
  • Ein in 3 dargestelltes, erfindungsgemäßes Halbleitersystem 300 beinhaltet eine Mehrzahl von integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1A, S_IC2A, S_IC3A. Letztere können von gleichartiger oder identischer Struktur sein. Beispielhaft wird nachfolgend die Struktur und Betriebsweise der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1A beschrieben, siehe hierzu auch die 4A bis 4C.
  • Wie daraus ersichtlich, beinhaltet die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1A ein Halbleitersubstrat SUB sowie eine Mehrzahl elektrischer Schaltungen 41 und Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P, die auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats SUB vorgesehen bzw. angebracht sind. Des weiteren ist eine Isolationsschicht I1 auf das Halbleitersubstrat SUB gestapelt, und eine Batteriestruktur B1 ist auf der Isolationsschicht I1 gestapelt und legt Spannung an die Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P über Durchkontakte V1, V2 an. Das Halbleitersubstrat SUB und die Isolationsschicht I1 sind gemeinsam mit dem Bezugszeichen S1 bezeichnet. Die Batteriestruktur B1 kann eine Solarenergiebatterie sein und/oder ein Material beinhalten, das selbst eine Spannung erzeugen kann.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung beinhaltet die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1A eigens eine Leistungsbereitstellungseinheit, z.B. einen Spannungsgenerator, die Leistung für die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1A bereitstellt.
  • Da in einer exemplarischen Ausführungsform der Erfindung die integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1A, S_IC2A, S_IC3A keinen gemeinsamen Spannungsgenerator benutzen, kann die Lebensdauer jedes Spannungsgenerators je nach Nutzung der jeweiligen integrierten Halb leiterschaltung variieren. Dementsprechend werden Gesamtrauscheigenschaften des Halbleitersystems 300 gemäß der Erfindung nicht durch die Rauscheigenschaften der jeweiligen integrierten Halbleiterschaltung beeinflusst.
  • Da Spannungsgeneratoreinheiten für jede integrierte Halbleiterschaltung in einem Halbleitersystem gemäß der Erfindung vorgesehen sein können, kann zudem die Abmessung des Halbleitersystems 300 reduziert werden, und/oder es können mehr Halbleiterchips in das Halbleitersystem 300 integriert werden. Die Struktur und Betriebsweise der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1A gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung wird weiter unter Bezugnahme auf die 4A bis 4C erläutert.
  • Die 4A bis 4C veranschaulichen ein Verfahren zur Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1A von 3 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Wie aus den 3 und 4A bis 4C ersichtlich, beinhaltet die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1A das Halbleitersubstrat SUB, wobei auf einer Oberfläche desselben die elektrischen Schaltungen 41 und die Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P vorgesehen sind, die Isolationsschicht I1, die auf das Halbleitersubstrat SUB gestapelt ist, eine erste leitfähige Schicht M1, die über einen Durchkontakt V1 mit einer ersten Leistungskontaktstelle VCC_P verbunden und auf der Isolationsschicht I1 gestapelt ist, eine zweite leitfähige Schicht M2, die über einen Durchkontakt V2 mit einer zweiten Leitungskontaktstelle GND_P verbunden und auf der Isolationsschicht I1 gestapelt und von der ersten leitfähigen Schicht M1 getrennt ist, sowie eine Leistungserzeugungsschicht P, die auf die erste und die zweite leitfähige Schicht M1, M2 gestapelt ist und Spannung erzeugt.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung werden die elektrischen Schaltungen 41 und die Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P auf dem Halbleitersubstrat SUB ausgebildet bzw. angebracht. Die elektrischen Schaltungen 41 können Logikschaltungen sein, die Funktionen der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1A implementieren. Die erste Leistungskontaktstelle VCC_P kann eine Leistungsversorgungskontaktstelle sein, und die zweite Leistungskontaktstelle GND_P kann an ein Massepotential angeschlossen sein.
  • Die Isolationsschicht I1 wird über den elektrischen Schaltungen 41 und den Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P gebildet, siehe 4A. Die über den Durchkontakt V1 mit der ersten Leistungskontaktstelle VCC_P verbundene erste leitfähige Schicht M1 wird auf der Isolationsschicht I1 gebildet, siehe 4B. Die erste leitfähige Schicht M1 und der mit ihr verbundene Durchkontakt V1 können eine erste integrierte Verdrahtungsstruktur bilden. Zur Erzeugung des Durchkontakts V1 und der ersten leitfähigen Schicht M1 auf der Isolationsschicht I1 und damit der ersten integrierten Verdrahtungsstruktur kann irgendein hierfür geeignetes herkömmliches Verfahren benutzt werden, wie dem Fachmann geläufig, was folglich keiner näheren Erläuterung bedarf.
  • Die zweite leitfähige Schicht M2, die mit der zweiten Leistungskontaktstelle GND_P verbunden ist, die ihrerseits über den Durchkontakt V2 an Masse angeschlossen ist, wird getrennt von der ersten leitfähigen Schicht M1 auf der Isolationsschicht I1 gebildet, siehe 4B. Die zweite leitfähige Schicht M2 und der mit ihr verbundene Durchkontakt V2 können eine zweite integrierte Verdrahtung bilden. Die Herstellung des Durchkontakts V2 und der zweiten leitfähigen Schicht M2 auf der Isolationsschicht I1 zur Bildung der zweiten integrierten Verdrahtung kann durch irgendein geeignetes herkömmliches Verfahren erfolgen, wie dem Fachmann geläufig, und bedarf daher hier keiner näheren Erläuterung.
  • Die erste leitfähige Schicht M1 und die zweite leitfähige Schicht M2 können aus leitfähigen metallischen Materialien oder äquivalenten Materialien bestehen.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung ist eine spannungserzeugende, ein- oder mehrlagige Leistungserzeugungsschicht P auf der ersten und zweiten leitfähigen Schicht M1, M2 gebildet, die ein Material beinhalten kann, das eigenspannungserzeugend ist, siehe 4C. Beispielsweise kann die Leistungserzeugungsschicht P eine Solarzelle sein.
  • Die Leistungserzeugungsschicht P erzeugt selbst eine Spannung und legt diese über die erste leitfähige Schicht M1 und den Durchkontakt V1 an die erste Leistungskontaktstelle VCC_P an. Die daran angelegte Spannung kann dazu verwendet werden, die elektrischen Schaltungen 41 der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1A zu betreiben. Die Leistungserzeugungsschicht P kann zusammen mit der ersten und zweiten leitfähigen Schicht M1, M2 eine Batterie B1 bilden, wie in der beispielhaften Ausführungsform der Erfindung gemäß 3 veranschaulicht.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung weist die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1A die oben erläuterte Struktur auf und ermöglicht eine variable Lebensdauer der Leistungserzeugungsschicht P abhängig von Funktionen der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1A.
  • 5 veranschaulicht ein weiteres erfindungsgemäßes Halbleitersystem 500 mit einer Mehrzahl von integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B und einem elektrischen Ladungsgenerator C, der den integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B über eine leitfähige Signalleitung EC elektrische Ladung zuführen kann. Die leitfähige Signalleitung EC kann eine strukturierte Leiterplatte (PCB) sein, die auf einer nicht gezeigten Hauptplatine strukturiert sein kann, wobei darauf die integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B vorgesehen sein können. Alternativ kann eine äquivalente leitfähige Übertragungsleitung benutzt werden.
  • Im Unterschied zu den integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1A, S_IC2A, S_IC3A des Ausführungsbeispiels von 3 empfangen die integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B des Ausführungsbeispiels von 5 elektrische Ladung von einem externen elektrischen Ladungsgenerator C. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung empfangen die integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B elektrische Ladung und speichern diese und erzeugen Spannung. Der elektrische Ladungsgenerator C kann irgendein Bauelement sein, das selbst elektrische Ladung generiert oder elektrische Ladung von einer externen Quelle empfängt und die elektrische Ladung den Leistungskontaktstellen der integrierten Halbleiterschaltung, z.B. S_IC1B, zuführt. Eine Ladeeinheit zum Aufladen mobiler Geräte, beispielsweise von Mobiltelefonen, ist ein solches Beispiel eines elektrischen Ladungsgenerators.
  • Da die integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung von gleichartiger oder identischer Struktur sein können, wird beispielhaft und stellvertretend die Struktur und Betriebsweise der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1B nachfolgend näher erläutert.
  • Gemäß 5 und den 6A bis 6C beinhaltet die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1B ein Halbleitersubstrat SUB mit auf einer Oberfläche desselben vorgesehenen elektrischen Schaltungen 61 und Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P, eine erste Isolationsschicht I1, die auf dem Halbleitersubstrat SUB gestapelt ist, und einen Kondensator CAP1, der auf der ersten Isolationsschicht I1 gestapelt ist. Der Kondensator CAP1 speichert von einer externen Quelle zugeführte elektrische Ladung und legt Spannung an die Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P über Durchkontakte V1, V2, V3 an. Das Halbleitersubstrat SUB und die erste Isolationsschicht I1 sind gemeinsam mit dem Bezugszeichen S1 bezeichnet.
  • In der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1B gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung ist eine Leistungsbereitstellungseinheit, z.B. ein Spannungsgenerator, auf einem Halbleiterchip vorgesehen, wobei die Leistungsbereitstellungseinheit von einer externen Quelle zugeführte elektrische Ladung empfangen und speichern kann und eine Spannung für die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1B erzeugen bzw. anlegen kann. Ein Spannungsgenerator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann ein Kondensator oder eine Kohlenstoffnanoröhre sein.
  • Da sich in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung, wie in 5 gezeigt, die integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B keinen Spannungsgenerator teilen, kann die Lebensdauer jedes Spannungsgenerators gemäß der Nutzung der jeweiligen integrierten Halbleiterschaltung variieren. Dementsprechend werden die Gesamtrauscheigenschaften des Halbleitersystems 500 nicht durch die Rauscheigenschaften der jeweiligen integrierten Halbleiterschaltung innerhalb des Halbleitersystems 500 beeinflusst.
  • Da die Spannungsgeneratoren jeweils in der integrierten Halbleiterschaltung enthalten bzw. angeordnet sind, kann zudem die Abmessung des Halbleitersystems 500 reduziert sein, und/oder es können mehr Halbleiterschaltungen in das Halbleitersystem 500 integriert sein. Die Struktur und Betriebsweise der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1B gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die 5 und 6A bis 6C nachfolgend weitergehend erläutert.
  • Die 6A bis 6C veranschaulichen ein Verfahren zur Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1B von 5 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung, wobei die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1B das Halbleitersubstrat SUB mit den elektrischen Schaltungen 61 und den Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P auf einer Oberfläche desselben, die erste Isolationsschicht I1 gestapelt auf dem Halbleitesubstrat SUB, die erste leitfähige Schicht M1, die über den Durchkontakt V1 mit einer ersten Leistungskontaktstelle VCC_P verbunden und auf der ersten Isolationsschicht I1 gestapelt ist, die zweite leitfähige Schicht M2, die über den Durchkontakt V2 mit einer zweiten Leistungskontaktstelle GND_P verbunden und auf der ersten Isolationsschicht I1 getrennt von der ersten leitfähigen Schicht M1 gestapelt ist, eine zweite Isolationsschicht I2, die auf der ersten leitfähigen Schicht M1 und der zweiten leitfähigen Schicht M2 gestapelt ist, und eine dritte leitfähige Schicht M3 aufweist, die über den Durchkontakt V3 mit der ersten leitfähigen Schicht M1 verbunden und auf der zweiten leitfähigen Schicht M2 gestapelt ist.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung sind die elektrischen Schaltungen 61 und die Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P auf dem Halbleitersubstrat SUB gebildet. Die elektrischen Schaltungen 61 können Logikschaltungen sein, die Funktionen der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1B implementieren. Die erste Leistungskontaktstelle VCC_P kann eine Leistungsversorgungskontaktstelle sein, und die zweite Leistungskontaktstelle GND_P kann mit einem Massepotential verbunden sein.
  • Die erste Isolationsschicht I1 wird auf den elektrischen Schaltungen 61 und den Leistungskontaktstellen VCC_P, GND_P gebildet, siehe 6A. Die mit der ersten Leistungskontaktstelle VCC_P über den Durchkontakt V1 verbundene erste leitfähige Schicht M1 wird auf der ersten Isolationsschicht I1 gebildet, siehe 6B. Die erste leitfähige Schicht M1 und der damit verbundene Durchkontakt V1 können eine erste integrierte Verdrahtungsstruktur bilden. Die Bildung des Durchkontakts V1 und der ersten leitfähigen Schicht M1 auf der ersten Isolationsschicht I1 zwecks Erzeugung der ersten integrierten Verdrahtungsstruktur kann durch irgendein herkömmliches Verfahren erfolgen, wie es dem Fachmann geläufig ist, so dass dies hier keiner näheren Erläuterung bedarf.
  • Die zweite leitfähige Schicht M2, die mit der zweiten Leistungskontaktstelle GND_P über den Durchkontakt V2 verbunden und von der ersten leitfähigen Schicht M1 getrennt ist, wird auf der ersten Isolationsschicht I1 gebildet, wie in 6B gezeigt. Die zweite leitfähige Schicht M2 und der mit ihr verbundene Durchkontakt V2 können eine zweite integrierte Verdrahtungsstruktur bilden. Die Bildung des Durchkontakts V2 und der zweiten leitfähigen Schicht M2 auf der ersten Isolationsschicht I1 zwecks Erzeugung der zweiten integrierten Verdrahtung kann durch irgendein herkömmliches Verfahren erfolgen, wie es dem Fachmann geläufig ist, so dass dies hier keiner näheren Erläuterung bedarf.
  • Die erste leitfähige Schicht M1 und die zweite leitfähige Schicht M2 können aus leitfähigen metallischen Materialien oder äquivalenten Materialien gebildet werden. Das Verfahren zur Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1B gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung, wie in den 6A und 6B gezeigt, kann ähnlich oder identisch zum Verfahren der Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung S_IC1A sein, wie es in den 4A und 4B dargestellt ist. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung wird die zweite Isolationsschicht I2 auf der ersten und zweiten leitfähigen Schicht M1, M2 gebildet, wie in 6C gezeigt. Die dritte leitfähige Schicht M3, die mit der ersten leitfähigen Schicht M1 über den Durchkontakt V3 verbunden ist, wird auf der zweiten Isolationsschicht I2 gebildet. Die dritte leitfähige Schicht M3 und der mit ihr verbundene Durchkontakt V3 können eine dritte integrierte Verdrahtungsstruktur bilden. Die Bildung des Durchkontakts V3 und der dritten leitfähigen Schicht M3 auf der zweiten leitfähigen Schicht I2 zwecks Erzeugung der dritten integrierten Verdrahtungsstruktur kann durch irgendein herkömmliches Verfahren erfolgen, wie es dem Fachmann geläufig ist, so dass dies hier keiner weiteren Erläuterung bedarf. Die dritte leitfähige Schicht M3 kann aus einem leitfähigen metallischen Material oder einem äquivalenten Material bestehen.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die erste bis dritte leitfähige Schicht M1, M2, M3 und die zweite Isolationsschicht I2 zusammen den Kondensator CAP1 gemäß 5 bilden. Dementsprechend können die erste bis dritte leitfähige Schicht M1, M2, M3 und die zweite Isolationsschicht I2 ähnlich oder identisch zur Struktur des Kondensators CAP1 mit einem Isolationsmaterial zwischen zwei aufladbaren Platten strukturiert sein.
  • Der Kondensator CAP1 kann elektrische Ladung von einem elektrischen Ladungsgenerator C empfangen und speichern und eine Spannung erzeugen. Er kann die Spannung an die erste Leistungskontaktstelle VCC_P über die erste leitfähige Schicht M1 und den Durchkontakt V1 anlegen. Eine an die erste Leistungskontaktstelle VCC_P angelegte Spannung kann zum Betreiben der elektrischen Schaltungen 61 benutzt werden.
  • Die integrierte Halbleiterschaltung S_IC1B mit einer erfindungsgemäßen Struktur kann eine Zeitspanne steuern, während der Spannung erzeugt wird, indem die Menge an im Kondensator CAP1 gespeicherter elektrischer Ladung abhängig von einer Funktion der betreffenden integrierten Halbleiterschaltung eingestellt wird.
  • 7 veranschaulicht eine weitere erfindungsgemäße integrierte Halbleiterschaltung 700. In beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung, wie sie in den 3 und 5 gezeigt sind, sind die integrierten Halbleiterschaltungen S_IC1A, S_IC2A, S_IC3A bzw. S_IC1B, S_IC2B, S_IC3B mit Batterien B1, B2, B3 und/oder Kondensatoren CAP1, CAP2, CAP3 als Spannungsgeneratoren vorgesehen. Der Umfang der Erfindung ist jedoch nicht auf die integrierten Halbleiterschaltungen gemäß den 3 und 5 beschränkt. Mit anderen Worten kann die Erfindung auch durch die integrierte Halbleiterschaltung 700 von 7 realisiert sein, bei der ein Spannungsgenerator PG auf einer Mehrzahl von Halbleiterchips S1, S2, S3, S4 gestapelt ist. Der Spannungsgenerator PB bildet so die jeweilige Batterie B1, B2, B3 im Ausführungsbeispiel gemäß 3 bzw. den jeweiligen Kondensator CAP1, CAP2, CAP3 im Ausführungsbeispiel der 5 aus ähnlichem oder identischem Material und mit ähnlichen oder identischen Funktionen. Abgesehen von den Ausführungsbeispielen der 4, 5 und 7 umfasst die Erfindung auch Ausführungsformen, bei denen durch geeignete Modifikationen eine Mehrzahl von Halbleiterchips auf einem Speichermodul montiert ist.
  • Wie oben erläutert, kann erfindungsgemäß auf jeder Halbleiterschaltung ein unabhängiger Spannungsgenerator gestapelt sein, um eine entsprechende integrierte Halbleiterschaltung bzw. ein Halbleitersystem mit einer oder mehreren solchen integrierten Halbleiterschaltungen bereitzustellen. Die Erfindung umfasst außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen integrierten Halbleiterschaltung. Die Lebensdauer des Spannungsgenerators kann abhängig von der Nutzung der jeweiligen Halbleiterschaltung variieren, und die Abmessung des Halbleitersystems kann vergleichsweise gering gehalten werden.

Claims (23)

  1. Integrierte Halbleiterschaltung mit – einem Halbleitersubstrat (SUB), – einer Mehrzahl von elektrischen Schaltungen (41) und einer Mehrzahl von Leistungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) auf dem Halbleitersubstrat, – einer Isolationsschicht (I1) auf dem Halbleitersubstrat, – einer ersten leitfähigen Schicht (M1), die auf die Isolationsschicht gestapelt und über einen ersten Durchkontakt (V1) mit einer ersten der Leistungskontaktstellen (VCC_P) verbunden ist, und – einer zweiten leitfähigen Schicht (M2), die separat von der ersten leitfähigen Schicht auf die Isolationsschicht gestapelt und über einen zweiten Durchkontakt (V2) mit einer zweiten der Leistungskontaktstellen (GND_P) verbunden ist, gekennzeichnet durch – eine Leistungsbereitstellungseinheit (P), die über der ersten und der zweiten leitfähigen Schicht (M1, M2) gestapelt und dafür eingerichtet ist, wenigstens einer der Leitungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) Leistung bereitzustellen.
  2. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitfähige Schicht und der erste Durchkontakt eine erste integrierte Verdrahtungsstruktur bilden und/oder die zweite leitfähige Schicht und der zweite Durchkontakt eine zweite integrierte Verdrahtungsstruktur bilden.
  3. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsbereitstellungseinheit ein spannungserzeugendes Material beinhaltet.
  4. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leistungskontaktstelle eine Leistungsversorgungskontaktstelle ist und/oder die zweite Leistungskontaktstelle mit einem Massepotential verbunden ist.
  5. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsbereitstellungseinheit als eine Batterie ausgebildet ist.
  6. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Batterie eine Solarzelle ist.
  7. Integrierte Halbleiterschaltung mit – einem Halbleitersubstrat (SUB), – einer Mehrzahl elektrischer Schaltungen (41) und einer Mehrzahl von Leistungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) auf dem Halbleitersubstrat, – einer auf das Halbleitesubstrat gestapelten Isolationsschicht (I1), – einer ersten leitfähigen Schicht (M1), die auf die Isolationsschicht gestapelt und über einen ersten Durchkontakt (V1) mit einer ersten der Leistungskontaktstellen (VCC_P) verbunden ist, und – einer zweiten leitfähigen Schicht (M2), die separat von der ersten leitfähigen Schicht auf die Isolationsschicht gestapelt und über einen zweiten Durchkontakt (V2) mit einer zweiten der Leistungskontaktstellen (GND_P) verbunden ist, gekennzeichnet durch – eine auf die erste und zweite leitfähige Schicht (M1, M2) gestapelte zweite Isolationsschicht (I2) und – eine dritte leitfähige Schicht (M3), die auf die zweite Isolationsschicht gestapelt und über einen dritten Durchkontakt (V3) mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist.
  8. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitfähige Schicht und der erste Durchkontakt eine erste integrierte Verdrahtungsstruktur bilden und/oder die zweite leitfähige Schicht und der zweite Durchkontakt eine zweite integrierte Verdrahtungsstruktur bilden und/oder die dritte leitfähige Schicht und der dritte Durchkontakt eine dritte integrierte Verdrahtungsstruktur bilden.
  9. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 7 oder 8, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitfähige Schicht und/oder die zweite leitfähige Schicht zusammen mit der dritten leitfähigen Schicht und der zweiten Isolationsschicht einen Kondensator (CAP1) bilden.
  10. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leistungskontaktstelle eine Leistungsversorgungskontaktstelle ist und/oder die zweite Leistungskontaktstelle mit einem Massepotential verbunden ist.
  11. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 9 oder 10, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator von einer externen Quelle zugeführte elektrische Ladung speichert und Spannung an wenigstens eine der Leistungskontaktstellen anlegt.
  12. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung, bei dem – eine Mehrzahl elektrischer Schaltungen (41) und eine Mehrzahl von Leistungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) auf einem Halbleitersubstrat (SUB) gebildet oder angebracht werden, – eine Isolationsschicht (I1) auf dem Halbleitersubstrat gebildet wird, – auf der Isolationsschicht eine erste leitfähige Schicht (M1) gebildet wird, die über einen ersten Durchkontakt (V1) mit einer ersten der Leitungskontaktstellen (VCC_P) verbunden wird, und – auf der Isolationsschicht eine zweite leitfähige Schicht (M2) getrennt von der ersten leitfähigen Schicht gebildet wird, wobei die zweite leitfähige Schicht über einen zweiten Durchkontakt (V2) mit einer zweiten der Leistungskontaktstellen (GND_P) verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, dass – auf der ersten leitfähigen Schicht (M1) und der zweiten leitfähigen Schicht (M2) eine Leistungsbereitstellungseinheit (P, CAP1) gebildet wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung der Leistungsbereitstellungseinheit eine Schicht aus einem spannungserzeugenden Material gebildet wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, weiter dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung der Leistungsbereitstellungseinheit eine zweite Isolationsschicht (I2) auf der ersten und der zweiten leitfähigen Schicht (M1, M2) gebildet wird und auf der zweiten Isolationsschicht eine dritte leitfähige Schicht (M3) derart gebildet wird, dass die zweite leitfähige Schicht, die dritte leit fähige Schicht und die zweite Isolationsschicht einen Kondensator (CAP1) bilden.
  15. Halbleitersystem mit – wenigstens einem Halbleitersubstrat (SUB), – einer Mehrzahl elektrischer Schaltungen (41) und einer Mehrzahl von Leistungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) auf dem jeweiligen Halbleitersubstrat, – einer Isolationsschicht (I1) auf dem jeweiligen Halbleitersubstrat mit den mehreren elektrischen Schaltungen und den mehreren Leistungskontaktstellen und – wenigstens einer leitfähigen Schicht (M1, M2) auf der Isolationsschicht, gekennzeichnet durch – eine Leistungsbereitstellungseinheit (P), die auf der wenigstens einen leitfähigen Schicht (M1, M2) angeordnet und dafür eingerichtet ist, wenigstens einer der Leistungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) Leistung bereitzustellen.
  16. Halbleitersystem nach Anspruch 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsbereitstellungseinheit als Batterie ausgebildet ist.
  17. Halbeitersystem nach Anspruch 16, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Batterie eine Solarzelle ist.
  18. Halbleitersystem nach Anspruch 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsbereitstellungseinheit ein Kondensator ist.
  19. Halbleitersystem nach Anspruch 18, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator wenigstens eine leitfähige Schicht auf der Isolationsschicht als eine untere Elektrode, eine auf der unteren Elektrode angeordnete dielektrische Schicht und eine auf der dielektrischen Schicht angeordnete obere Elektrode umfasst.
  20. Halbleitersystem nach Anspruch 18 oder 19, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator dafür eingerichtet ist, von einer externen Quelle zugeführte elektrische Ladung zu speichern und mit der gespeicherten elektrischen Ladung die wenigstens eine der Leistungskontaktstellen zu versorgen.
  21. Halbleitersystem, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von integrierten Halbleiterschaltungen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, die jeweils eine Leistungsbereitstellungseinheit beinhalten, die eine vorgebbare Spannung über einen Durchkontakt an eine zugehörige Leistungskontaktstelle abgibt.
  22. Halbleitersystem nach Anspruch 21, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsbereitstellungseinheit der jeweiligen integrierten Halbleiterschaltung einen Kondensator und/oder eine Kohlenstoffnanoröhre beinhaltet, um von einer externen Quelle zugeführte elektrische Ladung zu speichern und damit die Spannung über den Durchkontakt an die zugehörige Leistungskontaktstelle anzulegen.
  23. Halbleitersystem nach Anspruch 21 oder 22, weiter gekennzeichnet durch einen elektrischen Ladungsgenerator, der die Leistungsbereitstellungseinheit mit elektrischer Ladung versorgt.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9379265B2 (en) 2008-09-29 2016-06-28 Sol Chip Ltd. Integrated circuit combination of a target integrated circuit, photovoltaic cells and light sensitive diodes connected to enable a self-sufficient light detector device
US8921967B2 (en) * 2008-09-29 2014-12-30 Sol Chip Ltd. Integrated circuit combination of a target integrated circuit and a plurality of photovoltaic cells connected thereto using the top conductive layer
US8952473B2 (en) 2008-09-29 2015-02-10 Sol Chip Ltd. Integrated circuit combination of a target integrated circuit and a plurality of cells connected thereto using the top conductive layer
KR101855294B1 (ko) * 2010-06-10 2018-05-08 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
US9230940B2 (en) 2013-09-13 2016-01-05 Globalfoundries Inc. Three-dimensional chip stack for self-powered integrated circuit
US10557881B2 (en) 2015-03-27 2020-02-11 Analog Devices Global Electrical overstress reporting
US9871373B2 (en) 2015-03-27 2018-01-16 Analog Devices Global Electrical overstress recording and/or harvesting
US10365322B2 (en) 2016-04-19 2019-07-30 Analog Devices Global Wear-out monitor device
US10338132B2 (en) 2016-04-19 2019-07-02 Analog Devices Global Wear-out monitor device
US11024525B2 (en) 2017-06-12 2021-06-01 Analog Devices International Unlimited Company Diffusion temperature shock monitor
US10730743B2 (en) 2017-11-06 2020-08-04 Analog Devices Global Unlimited Company Gas sensor packages
US11569212B2 (en) 2017-11-09 2023-01-31 International Frontier Technology Laboratory, Inc. Semiconductor device power management system
US11587839B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS584968A (ja) * 1981-06-30 1983-01-12 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS5839061U (ja) * 1981-09-09 1983-03-14 株式会社日立製作所 半導体集積回路
JPS6153758A (ja) * 1984-08-23 1986-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路
US5043533A (en) * 1989-05-08 1991-08-27 Honeywell Inc. Chip package capacitor cover
JPH03283459A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5787174A (en) * 1992-06-17 1998-07-28 Micron Technology, Inc. Remote identification of integrated circuit
US7149095B2 (en) * 1996-12-13 2006-12-12 Tessera, Inc. Stacked microelectronic assemblies
US6329213B1 (en) * 1997-05-01 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming integrated circuits within substrates
AU9451098A (en) * 1997-10-14 1999-05-03 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US6137671A (en) 1998-01-29 2000-10-24 Energenius, Inc. Embedded energy storage device
JP2001051292A (ja) * 1998-06-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体表示装置
TW419810B (en) * 1998-06-18 2001-01-21 Hitachi Ltd Semiconductor device
US6181008B1 (en) 1998-11-12 2001-01-30 Sarnoff Corporation Integrated circuit power supply
SG93278A1 (en) * 1998-12-21 2002-12-17 Mou Shiung Lin Top layers of metal for high performance ics
US6376909B1 (en) 1999-09-02 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Mixed-mode stacked integrated circuit with power supply circuit part of the stack
JP4068781B2 (ja) * 2000-02-28 2008-03-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
US6396137B1 (en) * 2000-03-15 2002-05-28 Kevin Mark Klughart Integrated voltage/current/power regulator/switch system and method
JP3727220B2 (ja) 2000-04-03 2005-12-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6650000B2 (en) 2001-01-16 2003-11-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for forming a battery in an integrated circuit
TW534522U (en) 2001-03-01 2003-05-21 Ying-Wen Bai Microcomputer device with power supply by solar energy cell
KR20030003942A (ko) 2001-07-04 2003-01-14 엘지전자 주식회사 온칩 파워시스템의 이중화된 전원공급장치
JP2003115540A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Fujitsu Ltd 半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法
US7342169B2 (en) * 2001-10-05 2008-03-11 Nextreme Thermal Solutions Phonon-blocking, electron-transmitting low-dimensional structures
US6635970B2 (en) * 2002-02-06 2003-10-21 International Business Machines Corporation Power distribution design method for stacked flip-chip packages
JP2004055873A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置およびその設計方法
WO2005005930A1 (en) 2003-07-09 2005-01-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated senor
KR100535181B1 (ko) * 2003-11-18 2005-12-09 삼성전자주식회사 디커플링 커패시터를 갖는 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법
JP2006303377A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Renesas Technology Corp 半導体装置
CN101916763B (zh) * 2005-09-30 2012-11-14 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法

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Publication number Publication date
KR100618903B1 (ko) 2006-09-01
US20060284302A1 (en) 2006-12-21
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US8093075B2 (en) 2012-01-10
TWI328279B (en) 2010-08-01
US20100123216A1 (en) 2010-05-20
TW200701436A (en) 2007-01-01
JP2006352136A (ja) 2006-12-28

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