DE10217073B4 - Miniatur-Halbleitergehäuse für optoelektronische Bauelemente - Google Patents

Miniatur-Halbleitergehäuse für optoelektronische Bauelemente Download PDF

Info

Publication number
DE10217073B4
DE10217073B4 DE10217073A DE10217073A DE10217073B4 DE 10217073 B4 DE10217073 B4 DE 10217073B4 DE 10217073 A DE10217073 A DE 10217073A DE 10217073 A DE10217073 A DE 10217073A DE 10217073 B4 DE10217073 B4 DE 10217073B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
chip
semiconductor device
optical
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10217073A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10217073A1 (de
Inventor
Peter Deane
Paul Mazotti William
Thanh Nguyen Luu
Ken Pham
Carlton Roberts Bruce
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Semiconductor Corp
Original Assignee
National Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Semiconductor Corp filed Critical National Semiconductor Corp
Publication of DE10217073A1 publication Critical patent/DE10217073A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10217073B4 publication Critical patent/DE10217073B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Abstract

Halbleiterbauelement, aufweisend: ein Halbleiterbauelementgehäuse (14; 402; 500) mit einem Leiterrahmen ohne Anschlußbeine, LLP, und mit einem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506), wobei das Halbleiterbauelementgehäuse eine Vielzahl von elektrischen Kontakten (15; 404) aufweist, die mit dem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506) verbunden sind und innerhalb des Umfangs des Halbleiterbauelementgehäuses (14; 402; 500) an der Unterseite des Halbleiterbauelementgehäuses (14: 402; 500) freiliegen; mindestens einer aufwärts verbindenden Verbindungseinrichtung (30), die mit dem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506) elektrisch verbunden ist, wobei die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) eine Aufwärtsverbindungs-Kontaktfläche aufweist; wobei die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) ein Lötkontakthügel ist, und einem Kunststoffmaterial, das zumindest einen Teil des ersten Halbleiterchips (17; 502, 504, 506) und der aufwärts verbindenden Verbindungseinrichtung (30) bedeckt, so daß die Aufwärtsverbindungs-Kontaktfläche durch das Kunststoffmaterial freiliegt, und ein zweites Bauelement (302; 408), das an dem Halbleiterbauelementgehäuse (14; 402; 500) über die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) befestigt und mit dem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506) über die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) elektrisch verbunden ist, wobei das zweite Bauelement (302; 408) ein optisches Bauelement mit mindestens einer Lichtemissionsvorrichtung (306; 410), mindestens einem optischen Detektor (308; 412) und einem Körper (304) zum Halten der mindestens einen Lichtemissionsvorrichtung (306; 410) und des mindestens einen optischen Detektors (308; 412) ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen optoelektronische Bauelemente und insbesondere den Einsatz von Gehäusen mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine mit optoelektronischen Bauelementen.
  • Die meisten Computer- und Datenübertragungsnetzwerke beruhen heute auf einer Kupferverdrahtung, um Daten zwischen Knoten in dem Netzwerk zu übertragen. Da die über den Kupferdraht übertragenen Daten und die innerhalb der Knoten verarbeiteten Daten beide in Form von elektrischen Signalen dargestellt werden, ist die Übertragung von Daten an der Knoten-Kupferdraht-Schnittstelle problemlos. Ausser vielleicht einer Pegelumsetzung und einer Signalverstärkung ist keine andere Signalverarbeitung für Daten erforderlich, die über den Kupferdraht übertragen werden, damit sie durch den Knoten decodiert werden. Der Nachteil bei der Verwendung eines Kupferdrahts ist seine relativ niedrige Bandbreite. Die Fähigkeit von Kupfer, Daten zu übertragen, ist im Vergleich zu anderen Medien wie z. B. einer Faseroptik signifikant begrenzt. Folglich verwenden viele der Computer- und Datenübertragungsnetzwerke, die heute aufgebaut werden, einschliesslich des Internets, eine faseroptische Verkabelung anstelle eines Kupferdrahts.
  • Bei der faseroptischen Verkabelung werden Daten unter Verwendung von Lichtsignalen und nicht elektrischen Signalen übertragen. Eine logische Eins kann beispielsweise durch einen Lichtimpuls mit einer speziellen Dauer dargestellt werden und eine logische Null kann durch die Abwesenheit eines Lichtimpulses für dieselbe Dauer dargestellt werden. Ausserdem ist es auch möglich, gleichzeitig mehrere Lichtfarben über einen einzelnen Strang einer optischen Faser zu übertragen, wobei jede Lichtfarbe einen anderen Datenstrom darstellt. Da Licht in einer Faser weniger gedämpft wird als Elektronen, die sich durch Kupfer bewegen, und mehrere Datenströme gleichzeitig übertragen werden können, ist die Bandbreite einer optischen Faser signifikant grösser als von Kupfer.
  • Obwohl eine faseroptische Verkabelung zum Übertragen von Daten sehr effizient ist, ist die Verwendung von Lichtsignalen zur Verarbeitung von Daten noch sehr schwierig. Daten werden typischerweise übertragen und an verschiedenen Speicherstellen gespeichert, bevor, während und nachdem sie in einem Computer verarbeitet werden. Es besteht noch keine effiziente Art und Weise, Lichtsignale, die Daten darstellen, zu ”speichern”. Netzwerke werden daher für die absehbare Zukunft wahrscheinlich weiterhin eine Faseroptik zur Übertragung von Daten zwischen Knoten und Siliziumchips zum Verarbeiten der Daten innerhalb der Knoten verwenden. Die Schnittstelle zwischen dem faseroptischen Kabel und den Knoten, die die Daten verarbeiten, ist daher problematisch, da Signale zwischen der elektrischen und der Lichtdomäne umgewandelt werden müssen.
  • Faseroptische Sendeempfänger, die Lichtsignale von einem faseroptischen Kabel in elektrische Signale umwandeln und umgekehrt, werden als Schnittstelle zwischen einer faseroptischen Leitung und einem Computerknoten verwendet. Ein typischer Sendeempfänger umfasst ein Substrat, in das Substrat geätzte Nuten, um die einzelnen faseroptischen Stränge aufzunehmen, ein oder mehrere Halbleiterbauelemente, die auf dem Substrat montiert sind, einen oder mehrere diskrete optische Detektoren zum Umwandeln von Lichtsignalen, die über die faseroptischen Kabel empfangen werden, in elektrische Signale, und einen oder mehrere diskrete optische Strahler zum Umwandeln von elektrischen Signalen von den Halbleiterbauelementen in Lichtsignale. Eine Anzahl von faseroptischen Sendeempfängern sind von Hewlett Packard, AMP, Sumitomo, Nortel und Siemens kommerziell erhältlich. Das Problem bei all diesen faseroptischen Sendeempfängern besteht darin, dass sie teuer und schwierig herzustellen sind. Bei jedem Sendeempfänger müssen die Halbleiterbauelemente, Strahler und optischen Detektoren einzeln auf dem Substrat montiert werden, was ein kostenaufwendiger und zeitaufwendiger Prozess ist. Dies begrenzt die Anwendungen, in denen eine herkömmliche Kupferverwendung gegen optische Zwischenverbindungen ausgetauscht werden könnte. Ferner beeinflusst die Verwendung von diskreten Strahlern und optischen Detektoren die Leistung des Sendeempfängers nachteilig, da elektrische parasitäre Effekte zwischen diskreten Komponenten Quellen für elektrische Dämpfung von Signalen zwischen den Chips bei Geschwindigkeiten von Gigabit pro Sekunde sind, die im allgemeinen bei solchen Sendeempfängern verwendet werden, und mehr Leistung zum Ansteuern dieser Leiterbahnen verbraucht wird, als für ein integriertes Bauelement erforderlich wäre. Der Formfaktor des optischen Sendeempfängers auf der Leiterplatte ist relativ gross und erleichtert daher die optische Verbindbarkeit zwischen den Leiterplatten und zwischen den Chips nicht. Derzeitige optoelektronische Gehäuse weisen auch relativ grosse Formfaktoren auf.
  • Ein kostengünstiges Halbleiterbauelement, das einen kleinen Formfaktor aufweist und das eine richtige Verbindung zwischen einem Chip und einer externen Faseroptik bereitstellt, ist daher erforderlich.
  • Die US 6,170,996 B1 offenbart ein optisches Modul, das ein Leadframe mit einer Vielzahl von Anschlussbeinen aufweist. Ein Substrat ist auf dem Leadframe angebracht und ein optisches Element ist auf dem Substrat angebracht, um eine Konversion zwischen Licht und Elektrizität durchzuführen. Das Optische Element ist in einem ersten Harz eingebettet.
  • Die US 5,035,483 A offenbart ferner eine oberflächenmontierbare optische Komponente mit einem Sender und/oder Empfänger. Die optische Komponente weist zumindest zwei Flächen und zwei elektrische Kontakte auf jeder der zumindest zwei Flächen auf, so dass die optische Komponente optional auf jeder der beiden Flächen befestigbar ist.
  • Die US 6,204,553 B1 offenbart ferner ein Leadframe für ein Halbleiter-Package. Das Leadframe umfasst ein Die-Pad und eine Vielzahl von Anschlussbeinen. Eine Oberfläche des Die-Pads hält einen Siliziumchip, während die andere Fläche eine Mehrzahl ringförmiger Furchen um das gleiche geometrischen Zentrum aufweist.
  • Die US 5,719,979 A offenbart ein Halbleitermodul mit einem optischen Halbleiterelement, einer optischen Faser, einem monokristallinen Substrat, einem luftdichten Abdichtungselement und einer Verstärkungsplatte. Das optische Halbleiterelement und die optische Faser sind auf dem monokristallinen Substrat befestigt. Ferner ist ein IC auf dem Substrat angeordnet, der mit dem optischen Halbleiterelement über einen Bonddraht verbunden ist.
  • Die US 5,802,229 A offenbart ein faseroptisches Übertragungssystem. Insbesondere ist ein Verbindungssystem beschrieben, um eine optische Faser mit einer Strahlungsquelle zu verbinden, so dass eine optische Kommunikation dazwischen hergestellt wird.
  • Die US 5,361,318 A offenbart ein optisches Teilmodul mit zumindest einer optischen Verbindung. Darüber hinaus ist ein Leadframe vorgesehen, auf dem ICs und optische Betriebselemente angeordnet sind. Der elektronische Schaltungsbereich und die Kontakte der optischen Betriebselemente sind durch Drähte elektrisch miteinander verbunden.
  • Darüber hinaus offenbart die US 6,135,644 A ein optisches Halbleitermodul mit einem Gehäuse, das Mittel zur optischen Kopplung aufweist. Das optische Halbleitermodul weist ferner eine Vielzahl von Verbindungskontakten auf, die auf der Oberfläche eines Leiters auf einem PCB befestigt werden können.
  • Ferner offenbart die DE 198 45 316 A1 ein stapelbares BGA-Halbleiterchipgehäuse, das eine Mehrzahl leitender Kugel aufweist, die an vorbestimmten Teilen der Oberseite angebracht sind. Signale, die von einem in dem Gehäuse enthaltenen Halbleiterchip über dessen Kontaktflächen ausgegeben werden, können über die leitenden Kugeln nach außen übertragen werden.
  • Außerdem offenbart die DE 196 26 083 A1 ein Sensorbauelement mit einem Chipträger, der eine annähernd ebene Chipträgerfläche aufweist. Auf der Chipträgerfläche ist ein erster Halbleiterchip mit einem ersten Sensor befestigt. Unmittelbar auf der Hauptoberfläche des ersten Halbleiterchips ist ferner ein zweiter Halbleiterchip mit einem integriert ausgebildeten zweiten Sensor befestigt.
  • Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen kompakteren Aufbau eines Halbleiterbauelements zu ermöglichen, welches sowohl einen Halbleiterchip als auch ein optisches Bauelement aufweist, wobei gleichzeitig eine Instandhaltung des Halbleiterbauelements vereinfacht wird. Diese Aufgabe wird durch das Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft den Einsatz eines Gehäuses mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine als Halbleiterbauelement-Gehäusekomponente eines optoelektronischen Kombinationsbauelements. Gehäuse mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine, LLPs, weisen sehr kleine Formfaktoren auf, die ermöglichen, dass ein optoelektronisches Bauelement auch einen kleinen Gesamtformfaktor aufweist. Ein optoelektronisches Bauelement gemäss einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst ein Halbleiterbauelementgehäuse mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine mit elektrischen Kontaktflächen, die sich auf der oberen Oberfläche des Halbleiterbauelementgehäuses mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine befinden, und eine optische Baugruppe, die mindestens eine Lichtemissionsvorrichtung und mindestens einen optischen Detektor aufweist. Die optische Baugruppe ist auf der oberen Oberfläche des Halbleiterbauelementgehäuses derart angeordnet, dass die Lichtemissionsvorrichtung und der optische Detektor mit den elektrischen Kontaktflächen des Halbleitergehäuses elektrisch verbunden sind. Bei alternativen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung enthält das Halbleiterbauelementgehäuse mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine mehr als einen Halbleiterchip. Das Konzept des Gehäuses mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine kann in optoelektronischen Bauelementen verwendet werden, die als Sendeempfänger, Sender oder Empfänger dienen können.
  • Diese und weitere Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden Beschreibung der Erfindung und den zugehörigen Figuren genauer dargestellt, welche anhand eines Beispiels die Prinzipien der Erfindung erläutern.
  • Die Erfindung kann zusammen mit weiteren Vorteilen derselben am besten durch Bezugnahme auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen verstanden werden, in welchen gilt
  • 1A ist eine Draufsicht auf einen Leiterrahmenstreifen, der sich zur Verwendung beim Ausbilden von Gehäusen mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine eignet.
  • 1B ist eine vergrösserte Draufsicht auf ein Ende des Leiterrahmenstreifens von 1A, welche eine Matrix von Bauelementbereichen darstellt.
  • 2 ist eine nicht erfindungsgemäße Querschnittsseitenansicht eines Gehäuses mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine.
  • 3A stellt eine perspektivische Ansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäss einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar.
  • 3B stellt das optoelektronische Bauelement von 3A in einer Querschnitts-Seitendraufsicht dar.
  • 4A stellt ein optoelektronisches Bauelement gemäss einem alternativen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar.
  • 4B stellt das optoelektronische Bauelement von 4A entlang der Linie 4B-4B dar.
  • 5 stellt eine perspektivische Ansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels eines LLP dar, das als Teil eines optoelektronischen Bauelements verwendet wird, wobei das LLP mehr als einen Halbleiterchip enthält.
  • 6 stellt eine Vorderdraufsicht auf eine OSA mit mehreren Laserlichtstrahlern und mehreren Detektoren dar.
  • 7 stellt eine perspektivische Ansicht eines optoelektronischen Bauelements dar, das innerhalb einer Hülsenvorrichtung gemäss einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung befestigt ist.
  • 8 stellt eine Querschnittsansicht von 7 entlang der Linie 8-8 dar.
  • Die vorliegende Erfindung wird nun mit Bezug auf einige bevorzugte Ausführungsbeispiele derselben, welche in den zugehörigen Zeichnungen dargestellt sind, im einzelnen beschrieben. In der folgenden Beschreibung werden zahlreiche spezielle Einzelheiten dargelegt, um ein umfassendes Verständnis der vorliegenden Erfindung bereitzustellen. In anderen Fällen wurden gut bekannte Vorgänge nicht im einzelnen beschrieben, um die vorliegende Erfindung nicht unnötig unklar zu machen.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft den Einsatz eines Gehäuses mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine als Halbleiterbauelement-Gehäusekomponente eines optoelektronischen Moduls. Ein optoelektronisches Modul ist die Kombination eines optischen und eines Halbleiterbauelements. Gehäuse mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine (LLPs) weisen sehr kleine Formfaktoren auf, die ermöglichen, dass ein optoelektronisches Modul ebenfalls einen kleinen Gesamtformfaktor aufweist.
  • Ein Gehäuse mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine (LLP) zieht den Einsatz eines Metall-(typischerweise Kupfer)Substrats bei der Ausbildung eines Chipmaßstabsgehäuses (CSP) in Betracht. Wie in den 1A und 1B dargestellt, kann in Gehäusen mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine ein Leiterrahmenstreifen oder eine Leiterrahmenplatte 10 aus Kupfer strukturiert sein, um eine Vielzahl von Anordnungen oder Matrizes 11 von Halbleiterbauelementbereichen 12 festzulegen. Jeder Bauelementbereich 12 umfasst eine Chipanschlusskontaktstelle 13 und eine Vielzahl von Kontakten 15, die um ihre zugehörige Chipanschlusskontaktstelle 13 angeordnet sind. Sehr feine Verbindungsstreben 16 werden verwendet, um die Chipanschlusskontaktstellen 13 und Kontakte 15 abzustützen.
  • 2 stellt eine nicht erfindungsgemäße Querschnittsansicht eines resultierenden Gehäuses 14 mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine dar. Die Chipanschlusskontaktstelle 13 trägt einen Chip 17, der mit seinen zugehörigen Kontakten 15 durch Bondrähte 18 elektrisch verbunden ist. Eine geformte Kappe 20 verkappt den Chip 17 und die Bonddrähte 18 und füllt die Spalte zwischen der Chipanschlusskontaktstelle 13 und den Kontakten 15, wodurch sie zum Halten der Kontakte 15 an der Stelle dient. Es sollte zu erkennen sein, dass während der Vereinzelung der einzelnen Gehäuse 14 die Verbindungsstreben 16 geschnitten werden und daher die einzigen Materialien, die die Kontakte 15 an der Stelle halten, das Kunststoffmaterial ist. Der resultierende verkappte Chip kann dann auf der Oberfläche einer Leiterplatte oder eines anderen Substrats unter Verwendung von herkömmlichen Oberflächenmontage-Leiterplattenmontageverfahren montiert werden.
  • 3A stellt eine perspektivische Ansicht eines optoelektronischen Bauelements 300 gemäss einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar. Das optoelektronische Bauelement 300 umfasst ein Bauelement 302 einer optischen Baugruppe (OSA), das auf einem Halbleiterbauelementgehäuse 14 mit einem Leiterrahmen ohne Anschlussbeine montiert ist.
  • 3B stellt das optoelektronische Bauelement 300 von 3A in einer Querschnitts-Seitendraufsicht dar. Das LLP 14 umfasst eine Chipanschlusskontaktstelle 13, die einen Halbleiterchip 17 trägt. Der Halbleiterchip 17 ist derart drahtgebondet, dass Drähte 18 die Kontaktflecke (nicht dargestellt) des Chips 17 mit den elektrischen Kontakten 15 verbinden. Ausserdem weist das LLP 14 aufwärts verbindende elektrische Wege 30 auf, die mit elektrischen Kontaktflecken auf der oberen Oberfläche des Chips 17 verbunden sind. Die aufwärts verbindenden Wege 30 liegen durch die obere Oberfläche der geformten Kappe 20 frei. Die aufwärts verbindenden Wege 30 sehen die elektrische Verbindung zwischen dem Chip 17 und der OSA 302 vor. Die aufwärts verbindenden Wege 30 sind aus Lötkugelmaterialgebilden ausgebildet.
  • Das Ausführungsbeispiel der OSA 302 in 3A und 3B zeigt, dass die OSA 302 einen Körper 304, einen Strahler 306 und einen optischen Detektor 308 und optische Fasern 310 aufweist. Der Körper 304 kann aus Kunststoff oder irgendeinem anderen Material ausgebildet werden, das leichtgewichtig ist und zum Tragen von Strahlern und Detektoren geeignet ist. Wünschenswerte Eigenschaften für den Körper 304 sind Wärmestabilität, ein niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient und eine Fertigungsfähigkeit mit hoher Präzision. Der Strahler 306 und der Detektor 308 sind üblicherweise bekannte Bauelemente, die zum Senden bzw. Empfangen von Lichtsignalen verwendet werden, die durch die Fasern 310 hindurchtreten. Der Strahler 306 und der Detektor 308 sind jeweils mit einem biegsamen Schaltungsband 312 elektrisch verbunden, das ein biegsames Band mit eingebetteten Leiterbahnen ist. Das biegsame Schaltungsband 312 umwickelt die Seite und die untere Oberfläche der OSA 302, so dass der Strahler 306 und der Detektor 308 mit dem Chip 17 verbunden werden können. Die Leiterbahnen auf dem Band 312 sind mit den aufwärts verbindenden Wegen 30 durch leitende Lötkugeln 314 verbunden. Die leitenden Lötkugeln 314 sehen elektrische Wege und ein Verfahren zum Bonden der OSA 302 an das LLP 14 vor. Um die Bindung zwischen der OSA 302 und dem LLP 14 zu verstärken, wird ein Fugenfüllmaterial 316 in den Abstandsspalt zwischen der OSA 302 und dem LLP 14 eingespritzt. Das Fugenfüllmaterial 316 sieht auch einen Weg für die Wärmeableitung zwischen der OSA 302 und dem LLP 14 vor. Man beachte, dass bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Körper 304 und das biegsame Schaltungsband 312 zu einer Funktionseinheit integriert sein können, die entweder aus einer präzise spritzgegossenen Keramik oder gefüllten wärmehärtbaren Kunststoffen, gefolgt von Strukturierung und Metallisierung hergestellt werden kann.
  • Die Verwendung von LLPs ist vorteilhaft, da das optoelektronische Bauelement für verschiedene Anwendungen hergestellt werden kann. Dies kann unter Verwendung von LLPs mit verschiedenen Zahlen von elektrischen Kontakten 15 durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann der Bereich von elektrischen Kontakten 15 von 44 bis 50 bis 52 und einer beliebigen Anzahl dazwischen variieren. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann die Anzahl von elektrischen Kontakten 15 entweder geringer als 44 oder höher als 52 sein.
  • Bei einigen Ausführungsbeispielen wird das optoelektronische Gehäuse der vorliegenden Erfindung für Sendeempfängeranwendungen mit 10 Gbps verwendet. Diese Ausführungsbeispiele können auf Anwendungen mit 40 bis 100 Gbps WDM (Wellenlängenmultiplex) erweitert werden.
  • Die Chipanschlusskontaktstelle 13, die auf der unteren Oberfläche des LLP 14 freiliegt, erleichtert die thermische Leitfähigkeit vom LLP 14 zu beispielsweise einer Leiterplatte, mit der das LLP verbunden ist. Wärme kann beispielsweise direkt vom Gehäuse zur Masseebene oder zum Kupferkern, der in typischen Mutterleiterplatten verwendet wird, geleitet werden. Keine externen Ableiter oder anderen Vorrichtungen sind für die Wärmeableitung erforderlich. Bei einigen Ausführungsbeispielen des LLP 14 ist keine Chipanschlusskontaktstelle enthalten, so dass der Chip 17 auf der unteren Oberfläche des LLP 14 freiliegt. In diesem Fall kann Wärme vom Chip 17 direkt zu einer Leiterplatte strömen, ohne durch eine Chipanschlusskontaktstelle zu strömen.
  • Das LLP 14 kann durch Anordnen von Lötmittel auf den elektrischen Kontakten 15 und der Chipanschlusskontaktstelle 13 an einer Leiterplatte befestigt werden. Das Lötmaterial ermöglicht, dass Wärme von den elektrischen Kontakten 15 und der Chipanschlusskontaktstelle 13 zur Leiterplatte strömt.
  • Wärme kann beispielsweise direkt vom Gehäuse zur Masseebene oder zum Kupferkern, der in typischen Mutterleiterplatten verwendet wird, geleitet werden. Aufgrund der Oberflächenspannung des Lötmaterials unterstützt die Selbstjustierung während des Aufschmelzprozesses für das Lötmaterial die Ausrichtung des optoelektronischen Bauelements auf einer Leiterplatte. Dies ist vorteilhaft, da weniger hochentwickelte Ausrichtungsmechanismen erforderlich sind, um die korrekte Positionierung der optoelektronischen Bauelemente auf einer Leiterplatte sicherzustellen, was zu geringeren Herstellungskosten führt.
  • Die LLP-Implementierung in optoelektronischen Gehäusen ist vorteilhaft, da die Grösse des optoelektronischen Gehäuses verringert werden kann. Bei einigen Ausführungsbeispielen ist die Grösse von LLPs ungefähr 0,9 mm +/– 0,1 mm in der Höhe und 7 × 7, 9 × 9,5 und 9,5 × 9,5 mm für die LLP-Entwürfe 44L, 50L bzw. 52L. Der kleine Formfaktor der LLPs ermöglicht, dass eine höhere Anzahl der optoelektronischen Gehäuse nebeneinander angeordnet wird, so dass eine hohe Sendedichte erzielt werden kann. Eine hohe Sendedichte bedeutet, dass eine hohe Anzahl von optischen Bauelementen innerhalb einer gegebenen Menge an Platz auf einer Leiterplatte angeordnet werden kann. Der kleine Formfaktor des optoelektronischen Bauelements ermöglicht auch, dass ein Sendeempfängerbauelement mehrere Laser und Detektoren enthält, so dass ein Mehrkanal-Sendeempfänger ausgebildet werden kann.
  • 4A stellt ein optoelektronisches Bauelement 400 gemäss einem alternativen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar. Das Bauelement 400 weist ein LLP 402 auf, das elektrische Kontakte 404 aufweist, die langgestreckt sind, so dass sie sich über die Seitenflächen 406 des LLP 402 hinaus erstrecken. Die langgestreckten elektrischen Kontakte 406 sind insofern nützlich, als sie gleichzeitig auf eine Leiterplatte gepresst werden können als Verfahren zum Befestigen des optoelektronischen Bauelements 400. Eine Heissstab-Pressmaschine kann beispielsweise gleichzeitig die langgestreckten Kontakte 404 entlang einer Kante des LLP 402 pressen. Die Heissstabpresse kann auch so geformt sein, dass sie gleichzeitig die langgestreckten Kontakte 404 an mehr als einer Kante des LLP 402 presst.
  • Das Heissstabpressen der langgestreckten Kontakte 404 ist eine sehr schnelle Weise zum Befestigen des optoelektronischen Bauelements auf einer Leiterplatte. Da nicht das gesamte optoelektronische Gehäuse einem Heizprozess unterzogen wird, wie es beispielsweise erforderlich ist, wenn eine Lötbefestigung, wie in 3B gezeigt, gehärtet wird, wird das Bauelement auch nicht dem Risiko eines Wärmeschadens ausgesetzt. Beim Heissstabpressen wird die Chipanschlusskontaktstelle typischerweise mit thermisch leitendem, stark gefüllten Epoxy an die Mutterleiterplatte gebondet.
  • 4A und 4B stellen ein anderes Ausführungsbeispiel einer OSA 408 dar, wobei kein biegsames Schaltungsband, wie in 3A und 3B gezeigt, verwendet wird. In diesem Fall befinden sich ein Strahler 410 und ein optischer Detektor 412 auf der unteren Oberfläche der OSA 408. Spiegel 414 sind angeordnet, um. Lichtsignale zu und von den optischen Fasern 416 zu reflektieren. Der Strahler 410 und der Detektor 412 sind über die Unterseite der OSA 408 mit den Lötkugeln 314 verbunden.
  • 7 stellt eine perspektivische Ansicht eines optoelektronischen Bauelements 400 dar, das innerhalb einer Hülsenvorrichtung 1100 gemäss einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung angeordnet ist. 8 stellt eine Querschnittsansicht des optoelektronischen Bauelements 400 entlang der Linie 8-8 dar. Die Hülsenvorrichtung 1100 dient zum Verstärken der Verbindung zwischen der optischen Faser 416, der OSA 408 und dem LLP 402. Da sich drei Kanten des LLP 402 von den Kanten der Hülsenvorrichtung 1100 erstrecken, kann Heissstabpressen entlang der drei freiliegenden Kanten durchgeführt werden, um das optoelektronische Bauelement 400 an einer Leiterplatte zu befestigen. Die Füsse 1112 der Hülsenvorrichtung 1100 werden auch an der Leiterplatte befestigt, um die Verbindung zwischen dem optoelektronischen Bauelement und der Leiterplatte weiter zu verstärken.
  • Lange Anschlussdrahtlängen ermöglichen das Drahtbonden von kleinen Chips innerhalb der grossen Kontaktstelle. Die Wahl der Verwendung eines Polyimidrings zum Aufrechterhalten der Anschlussdraht-Coplanarität zum Handhaben und Drahtbonden ist möglich.
  • 5 stellt eine perspektivische Ansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels eines LLP 500 dar, das als Teil eines optoelektronischen Bauelements verwendet wird. Das LLP 500 enthält mehrere Halbleiterchips 502, 504 und 506. Die elektrischen Wege, die mit jedem der Chips 502, 504 und 506 verbunden sind und zur oberen Oberfläche des LLP-Gehäuses führen, sind nicht dargestellt, um die Chips deutlicher zu zeigen. Der Deutlichkeit halber ist auch nur eine Darstellung der geformten Kappe des LLP 500 in einer gestrichelten Linie gezeigt. Die Verwendung von mehreren und separaten Chips ist insofern vorteilhaft, als eine Störung oder Nebensprechen zwischen den verschiedenen Schaltungsarten innerhalb eines einzelnen Chips vermieden werden kann. Innerhalb eines einzelnen Chips kann beispielsweise die Schaltung für die Takt- und Datenrückgewinnungs-(CDR)Einheit, die Parallel-Serien-Umsetzer/Serien-Parallel-Umsetzer-Einheit, den Lasertreiber und den Transimpedanzverstärker (TIA) eine elektromagnetische Störung verursachen, die die Leistung der anderen Schaltungen unterbricht. Wenn, wie im LLP 500, jedoch die separaten Schaltungsarten innerhalb separater Chips (Chip 502, 504 und 506) verkörpert werden, ist jeder Chip 502, 504 und 506 vom anderen beabstandet, um potentielles Nebensprechen zwischen den Chips wesentlich zu verringern. Jeder Chip ist auf einer jeweiligen Chipanschlusskontaktstelle 508, 510 und 512 montiert, so dass jeder Chip vom anderen elektrisch isoliert ist. Die Zerlegung der Schaltung in separate Chips erhöht die Leistung von optoelektronischen Bauelementen. Bei alternativen Ausführungsbeispielen ist es möglich, mehrere Chips auf einer einzelnen Chipanschlusskontaktstelle anzuordnen.
  • Im LLP 500 ist der Chip 502 ein CDR, der Chip 504 ist ein Lasertreiber und der Chip 506 ist ein TIA. Verschiedene Zahlen und Kombinationen von Chiparten können innerhalb eines einzelnen LLP-Gehäuse-Formfaktors angeordnet werden. Die Anzahl und Kombination von Chips hängt von den speziellen Anwendungsanforderungen ab. Die Zerlegung der Schaltung in separate Chips erleichtert auch die Konstruktion eines Mehrkanal-Sendeempfängers, wobei ein einzelnes optoelektronisches Gehäuse mehrere Laser und mehrere Detektoren enthält. Die Verringerung des Nebensprechens in solchen Bauelementen ist entscheidend, da eine grosse Anzahl von verschiedenen Schaltungen beteiligt ist. 6 stellt eine Vorderdraufsicht auf eine OSA 600 mit mehreren Laserlichtstrahlern 602 und mehreren Detektoren 604 dar. Die OSA 600 kann wie in 5 mit einer LLP-CSA mit einzelnen und getrennten Chips verbunden werden.

Claims (5)

  1. Halbleiterbauelement, aufweisend: ein Halbleiterbauelementgehäuse (14; 402; 500) mit einem Leiterrahmen ohne Anschlußbeine, LLP, und mit einem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506), wobei das Halbleiterbauelementgehäuse eine Vielzahl von elektrischen Kontakten (15; 404) aufweist, die mit dem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506) verbunden sind und innerhalb des Umfangs des Halbleiterbauelementgehäuses (14; 402; 500) an der Unterseite des Halbleiterbauelementgehäuses (14: 402; 500) freiliegen; mindestens einer aufwärts verbindenden Verbindungseinrichtung (30), die mit dem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506) elektrisch verbunden ist, wobei die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) eine Aufwärtsverbindungs-Kontaktfläche aufweist; wobei die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) ein Lötkontakthügel ist, und einem Kunststoffmaterial, das zumindest einen Teil des ersten Halbleiterchips (17; 502, 504, 506) und der aufwärts verbindenden Verbindungseinrichtung (30) bedeckt, so daß die Aufwärtsverbindungs-Kontaktfläche durch das Kunststoffmaterial freiliegt, und ein zweites Bauelement (302; 408), das an dem Halbleiterbauelementgehäuse (14; 402; 500) über die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) befestigt und mit dem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506) über die aufwärts verbindende Verbindungseinrichtung (30) elektrisch verbunden ist, wobei das zweite Bauelement (302; 408) ein optisches Bauelement mit mindestens einer Lichtemissionsvorrichtung (306; 410), mindestens einem optischen Detektor (308; 412) und einem Körper (304) zum Halten der mindestens einen Lichtemissionsvorrichtung (306; 410) und des mindestens einen optischen Detektors (308; 412) ist.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das zweite Bauelement (302; 408) mindestens einen elektrischen Kontakt aufweist, der auf einer Oberfläche des zweiten Bauelements (302; 408) ausgebildet ist und der mit der aufwärts verbindenden Verbindungseinrichtung (30) des Halbleiterbauelementgehäuses (14; 402; 500) elektrisch verbunden ist, wobei das zweite Bauelement (302; 408) mit dem ersten Halbleiterchip (17; 502, 504, 506) in elektrischer Verbindung steht.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei der mindestens eine elektrische Kontakt ein Lötkontakthügel ist.
  4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Aufwärtsverbindungs-Kontaktfläche flach und bündig mit einer Oberfläche des Kunststoffmaterials ist.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der erste Chip (17; 502, 504, 506) an einer Chipanschlußkontaktstelle befestigt ist, wobei die Chipanschlußkontaktstelle teilweise mit dem Kunststoffmaterial bedeckt ist.
DE10217073A 2001-08-03 2002-04-17 Miniatur-Halbleitergehäuse für optoelektronische Bauelemente Expired - Fee Related DE10217073B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US922358 1986-10-23
US09/922,358 US6624507B1 (en) 2000-05-09 2001-08-03 Miniature semiconductor package for opto-electronic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10217073A1 DE10217073A1 (de) 2003-02-20
DE10217073B4 true DE10217073B4 (de) 2013-09-26

Family

ID=25446925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10217073A Expired - Fee Related DE10217073B4 (de) 2001-08-03 2002-04-17 Miniatur-Halbleitergehäuse für optoelektronische Bauelemente

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6624507B1 (de)
DE (1) DE10217073B4 (de)
TW (1) TW552652B (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248614B1 (en) * 1999-03-19 2001-06-19 International Business Machines Corporation Flip-chip package with optimized encapsulant adhesion and method
US6642613B1 (en) * 2000-05-09 2003-11-04 National Semiconductor Corporation Techniques for joining an opto-electronic module to a semiconductor package
US6916121B2 (en) 2001-08-03 2005-07-12 National Semiconductor Corporation Optical sub-assembly for optoelectronic modules
US7269027B2 (en) * 2001-08-03 2007-09-11 National Semiconductor Corporation Ceramic optical sub-assembly for optoelectronic modules
US7023705B2 (en) * 2001-08-03 2006-04-04 National Semiconductor Corporation Ceramic optical sub-assembly for optoelectronic modules
US6973225B2 (en) * 2001-09-24 2005-12-06 National Semiconductor Corporation Techniques for attaching rotated photonic devices to an optical sub-assembly in an optoelectronic package
US20060255446A1 (en) 2001-10-26 2006-11-16 Staktek Group, L.P. Stacked modules and method
US7656678B2 (en) 2001-10-26 2010-02-02 Entorian Technologies, Lp Stacked module systems
US6939058B2 (en) * 2002-02-12 2005-09-06 Microalign Technologies, Inc. Optical module for high-speed bidirectional transceiver
US6989122B1 (en) * 2002-10-17 2006-01-24 National Semiconductor Corporation Techniques for manufacturing flash-free contacts on a semiconductor package
US7156562B2 (en) 2003-07-15 2007-01-02 National Semiconductor Corporation Opto-electronic module form factor having adjustable optical plane height
US7033861B1 (en) * 2005-05-18 2006-04-25 Staktek Group L.P. Stacked module systems and method
CN101213663B (zh) * 2005-06-30 2010-05-19 费查尔德半导体有限公司 半导体管芯封装及其制作方法
US7745944B2 (en) 2005-08-31 2010-06-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices having intermediate contacts for connection to interposer substrates, and associated methods of packaging microelectronic devices with intermediate contacts
US7417310B2 (en) 2006-11-02 2008-08-26 Entorian Technologies, Lp Circuit module having force resistant construction
US20110024627A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. Proximity Sensor with Ceramic Housing and Light Barrier
KR101197092B1 (ko) * 2011-11-24 2012-11-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지의 제조 방법
TWI611530B (zh) * 2016-10-14 2018-01-11 鈺橋半導體股份有限公司 具有散熱座之散熱增益型面朝面半導體組體及製作方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5035483A (en) * 1989-05-31 1991-07-30 Siemens Aktiengesellschaft Surface-mountable opto-component
US5361318A (en) * 1990-03-13 1994-11-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module having dimensional accuracy
DE19626083A1 (de) * 1996-06-28 1998-01-02 Siemens Ag Auf der Bestückungsoberfläche einer Leiterplatte montierbares Sensor-Bauelement
US5719979A (en) * 1994-09-28 1998-02-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor module and method for manufacturing the same
US5802229A (en) * 1995-10-31 1998-09-01 Indigo, Medical, Inc. Fiber optic radiation transmisson system connector for an optical fiber and methods of usine same
DE19845316A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Lg Semicon Co Ltd Stapelbares Ball-Grid-Array-Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
US6135644A (en) * 1998-02-24 2000-10-24 Fujitsu Limited Structures for optical semiconductor module, optical connector, and shape adapting optical connector
US6170996B1 (en) * 1998-10-02 2001-01-09 Fujitsu Limited Optical module encapsulated with resin and manufacturing method therefor
US6204553B1 (en) * 1999-08-10 2001-03-20 Walsin Advanced Electronics Ltd. Lead frame structure

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60202956A (ja) 1984-03-28 1985-10-14 Hitachi Ltd 回路モジユ−ル
US5011246A (en) 1989-05-19 1991-04-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Housing for an opto-electronic device
US5139969A (en) 1990-05-30 1992-08-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making resin molded semiconductor device
US5019673A (en) 1990-08-22 1991-05-28 Motorola, Inc. Flip-chip package for integrated circuits
US5352926A (en) 1993-01-04 1994-10-04 Motorola, Inc. Flip chip package and method of making
JPH0730051A (ja) 1993-07-09 1995-01-31 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5487124A (en) 1994-06-30 1996-01-23 The Whitaker Corporation Bidirectional wavelength division multiplex transceiver module
JP3475306B2 (ja) 1994-10-26 2003-12-08 大日本印刷株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US5717533A (en) 1995-01-13 1998-02-10 Methode Electronics Inc. Removable optoelectronic module
US5608262A (en) 1995-02-24 1997-03-04 Lucent Technologies Inc. Packaging multi-chip modules without wire-bond interconnection
US5677566A (en) 1995-05-08 1997-10-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor chip package
KR100214463B1 (ko) * 1995-12-06 1999-08-02 구본준 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법
KR0184076B1 (ko) * 1995-11-28 1999-03-20 김광호 상하 접속 수단이 패키지 내부에 형성되어 있는 3차원 적층형 패키지
US5723369A (en) 1996-03-14 1998-03-03 Lsi Logic Corporation Method of flip chip assembly
US5726079A (en) 1996-06-19 1998-03-10 International Business Machines Corporation Thermally enhanced flip chip package and method of forming
KR100214561B1 (ko) 1997-03-14 1999-08-02 구본준 버틈 리드 패키지
US5790384A (en) 1997-06-26 1998-08-04 International Business Machines Corporation Bare die multiple dies for direct attach
US5949135A (en) 1997-07-15 1999-09-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Module mounted with semiconductor device
US5798567A (en) 1997-08-21 1998-08-25 Hewlett-Packard Company Ball grid array integrated circuit package which employs a flip chip integrated circuit and decoupling capacitors
KR100246366B1 (ko) 1997-12-04 2000-03-15 김영환 에리어 어레이형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JPH11204679A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
KR100293815B1 (ko) * 1998-06-30 2001-07-12 박종섭 스택형 패키지
US6281568B1 (en) * 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
JP3876088B2 (ja) 1999-01-29 2007-01-31 ローム株式会社 半導体チップおよびマルチチップ型半導体装置
US6258630B1 (en) 1999-02-04 2001-07-10 Nec Corporation Resin-sealed semiconductor device having island for mounting semiconductor element coupled to heat spreader
US6318909B1 (en) 1999-02-11 2001-11-20 Agilent Technologies, Inc. Integrated packaging system for optical communications devices that provides automatic alignment with optical fibers
JP2001127246A (ja) 1999-10-29 2001-05-11 Fujitsu Ltd 半導体装置
US6305848B1 (en) 2000-06-19 2001-10-23 Corona Optical Systems, Inc. High density optoelectronic transceiver module

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5035483A (en) * 1989-05-31 1991-07-30 Siemens Aktiengesellschaft Surface-mountable opto-component
US5361318A (en) * 1990-03-13 1994-11-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module having dimensional accuracy
US5719979A (en) * 1994-09-28 1998-02-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor module and method for manufacturing the same
US5802229A (en) * 1995-10-31 1998-09-01 Indigo, Medical, Inc. Fiber optic radiation transmisson system connector for an optical fiber and methods of usine same
DE19626083A1 (de) * 1996-06-28 1998-01-02 Siemens Ag Auf der Bestückungsoberfläche einer Leiterplatte montierbares Sensor-Bauelement
US6135644A (en) * 1998-02-24 2000-10-24 Fujitsu Limited Structures for optical semiconductor module, optical connector, and shape adapting optical connector
DE19845316A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Lg Semicon Co Ltd Stapelbares Ball-Grid-Array-Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
US6170996B1 (en) * 1998-10-02 2001-01-09 Fujitsu Limited Optical module encapsulated with resin and manufacturing method therefor
US6204553B1 (en) * 1999-08-10 2001-03-20 Walsin Advanced Electronics Ltd. Lead frame structure

Also Published As

Publication number Publication date
US6624507B1 (en) 2003-09-23
TW552652B (en) 2003-09-11
DE10217073A1 (de) 2003-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10217073B4 (de) Miniatur-Halbleitergehäuse für optoelektronische Bauelemente
DE10223850B4 (de) Verfahren zum Verbinden eines optoelektrischen Moduls mit einem Halbleitergehäuse
EP1174745B1 (de) Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul
DE69923894T2 (de) Optische Baugruppe zum faseroptischen Senden und Empfangen von Daten
DE4307239C2 (de) Lichtübertragungsmodul
DE10065034B4 (de) Faseroptikanschluß und Verfahren zum Benutzen desselben
DE69937726T2 (de) Optisches Modul
DE60102214T2 (de) Unter Spannung anschliessbares und mit Glasfasersteckern versehenes opto-elektronisches Sende- und Empfangsmodul
DE3390103C2 (de)
DE102005034649B4 (de) Optische Halbleitervorrichtung, optischer Verbinder und damit ausgerüstete elektronische Einrichtung
DE102011006591A1 (de) Optoelektronisches Transceivermodulsystem
DE10021564A1 (de) Oben-Kontakt-VCSEL mit Monitor
EP0055376A2 (de) Anschlussteil für das lösbare Verbinden eines Halbleiterchips mit ihm
DE3822312A1 (de) Halbleiter-lasermodul vom dual-in-line-gehaeusetyp
DE60119194T2 (de) Leiterplattenanordnung
DE10032796A1 (de) Optomodul
DE68929527T2 (de) Optische Übertragungsvorrichtung
DE102011005251A1 (de) Optoelektronische Transistorkontur (Transistor Outline, TO)-Hülsensockelbaugruppe, welche eine Konfiguration aufweist, die die Wärmedissipation verbessert und einen thermischen Widerstand reduziert
DE10128578A1 (de) Optische Vorrichtung und ihr Herstellungsverfahren
DE10301510B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Verkleinerten Chippakets
DE4106721A1 (de) Anordnung zur ankopplung von lichtwellenleiterenden an empfangselemente
DE102010031023B4 (de) Parallele optische Kommunikationsvorrichtungen mit schweißbaren Einsätzen, sowie zugehörige Verfahren zum Festmachen
DE60320613T2 (de) Optische Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren, optisches Modul, und optisches Transmissionssystem
DE10227544B4 (de) Vorrichtung zur optischen Datenübertragung
DE102010000697A1 (de) Faseroptisches Transceiver (FOT) Modul und Verfahren zur Herstellung eines FOT Moduls

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative

Representative=s name: ZELLER, ANDREAS, DE

R020 Patent grant now final

Effective date: 20131228

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0031020300

Ipc: H01L0031000000

Effective date: 20140213

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee