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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf eine integrierte Schaltung sowie eine zugehörige gehäuste integrierte
Schaltung und insbesondere auf eine integrierte Schaltung mit verbesserter
Testbarkeit.
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Für
die Qualitätssicherung
bei der Fertigung von integrierten Halbleiterschaltungen sowie von
gehäusten
bzw. montierten integrierten Schaltungen ist ein wichtiger Testschritt
die Bestimmung funktionierender noch unvereinzelter Chips auf einem
Halbleiterwafer sowie der endgültige
Test der fertig in einem Gehäuse
verpackten Halbleiterbausteine. Die Testkosten für diese integrierten Halbleiterschaltungen bzw.
Chips sowie für
die endmontierten gehäusten
integrierten Schaltungen machen einen wesentlichen Anteil der Gesamtkosten
in der Halbleiterfertigung aus.
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Hierbei verursacht insbesondere die
stetig steigende Integrationsdichte von integrierten Halbleiterschaltungen
eine Reihe von Problemen bei der Realisierung eines kostengünstigen,
schnellen und zuverlässigen
Produktionstests. Dies liegt einerseits daran, dass die Anzahl der
internen Bauelemente einer integrierten Halbleiterschaltung deutlich
schneller ansteigt als die Anzahl der an einem Gehäuse vorhandenen
Anschlusspins. Dies führt
zu einem Problem insbesondere der Beobachtbarkeit. Weiterhin steigen
die typischen Systemfrequenzen, so dass ein Test unter Betriebsbedingungen
immer kostenintensivere Hochleistungstester erfordert. Ebenso steigt häufig die
Taktfrequenz nicht in gleichem Maße wie z.B. eine Anzahl von
Speicherzellen eines im System integrierten Speichers. Dies bedeutet
bei gleichen Test-Algorithmen eine absolut steigende Testzeit und damit
steigende Testkosten pro Produkt.
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Ebenso stellt die Konsistente Übertragung der
Testergebnisse in derzeit unterschiedlichen Standards eine logistische
Herausforderung dar, insbesondere bei der Nutzung von verschiedenen
Subkontraktoren für
z.B. eine getrennte Wafer-Fertigung und Montage.
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Eine Reduktion von Testzeit und Test-
sowie Logistik-Kosten kann also am effektivsten durch einen kombinierten
Ansatz unter Einbeziehung von Schaltungs-Design, Testkonzept, Tester
und Montage-Aufbau und Logistik erreicht werden.
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Ein derartiges verbessertes Testverfahren
ist beispielsweise aus der Druckschrift
EP 1 178 323 bekannt, wobei zu testende
integrierte Schaltungen jeweils integrierte Selbsttesteinheiten
(sogenannte BISTs) aufweisen und das Durchführen des Selbsttests zu einem
früheren
Zeitpunkt durchgeführt
wird als das Auslesen der Testergebnisse des Selbsttests.
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1 zeigt
eine vereinfachte Draufsicht eines Halbleiterwafers W mit einer
Vielzahl von darauf ausgebildeten integrierten Halbleiterschaltungen
IC gemäß diesen
herkömmlichen
Verfahren. Bereits auf Waferebene werden hierbei alle integrierten
Schaltungen IC auf einem Halbleiterwafer W mit einer Spannungsversorgung
versorgt, so dass die in der Vielzahl von integrierten Schaltungen
IC ausgebildeten Selbsttesteinheiten bereits zu diesem Zeitpunkt einen
Selbsttest zeitgleich durchführen
können.
Auf diese Weise muss lediglich die erhaltene Testinformation bzw.
das Testergebnis beispielsweise mittels einzelner Kontaktierung
ausgelesen werden, wobei defekte integrierte Schaltungen IC anschließend unter
Verwendung dieser Testergebnisse bei einer Funktionsstörung in üblicher
Weise markiert werden.
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Ein übliches Markierverfahren ist
hierbei das sogenannte "Inken", wobei funktionsgestörte integrierte
Schaltungen mit einem Tintenpunkt versehen werden, der anschließend als
Aus wahlkriterium von nachgeschalteten Montageeinheiten zu einem
Verwerfen entsprechend markierter Bausteine führt.
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Nachteilig ist hierbei jedoch, dass
insbesondere bei Verwendung von sogenannten Selbsttesteinheiten
(BIST, Built In Self Test) die Testergebnisse in einem Speicher
gespeichert werden müssen. Dies
kann einerseits in flüchtigen
elektrisch auslesbaren Speichern oder in nicht-flüchtigen
elektrisch auslesbaren Speichern erfolgen, wobei die flüchtigen Speicher
eine andauernde Stromversorgung benötigen, andererseits nichtflüchtige Speicher
erhöhte Herstellungskosten
verursachen und zusätzliche
gegenüber
einer Standardversorgungsspannung erhöhte Spannungen benötigen.
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Daher hat sich der ausschließliche Einsatz von
BIST-Verfahren bzw. Selbsttestverfahren insbesondere beim Wafertest
trotz des potentiell hohen Kostenvorteils immer noch nicht im breiten
Umfang durchgesetzt, da nach dem Selbsttest jede integrierte Halbleiterschaltung
bzw. jeder Chip IC erneut mit einem Tester kontaktiert und das Ergebnis
anschließend
ausgewertet werden muss. Da jedoch diese Handling- und Kontaktierzeiten
einen hohen Anteil an der Testzeit und damit an den Testkosten haben,
reduzieren sich die Vorteile dieser Selbsttest-Verfahren (BIST-Verfahren)
erheblich.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe
zugrunde, eine integrierte Schaltung sowie eine zugehörige gehäuste integrierte
Schaltung zu schaffen, die eine Testbarkeit weiter verbessert und
insbesondere die Testkosten verringert.
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Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe hinsichtlich
der integrierten Schaltung durch die Merkmale des Patentanspruchs
1 und hinsichtlich der gehäusten
integrierten Schaltung durch die Merkmale der Patentansprüche 12 und
16 gelöst.
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Insbesondere durch Verwendung einer
integrierten Selbstmarkierungsvorrichtung zum Erzeugen einer Markierung
in Abhän gigkeit
von einem von einer Testvorrichtung ermittelten Testergebniss, kann eine üblicherweise
von einer externen Markiervorrichtung aufgebrachte Markierung erstmalig
selbsttätig
von der integrierten Schaltung erzeugt werden.
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Vorzugsweise besitzt die integrierte
Selbstmarkierungsvorrichtung ein Markierelement zur Realisierung
der Markierung und eine Markierelement-Aktivierungseinheit zum Aktivieren
des Markierelementes, wodurch man einerseits eine sehr einfache
Realisierung der Markierung erhält
und andererseits bereits existierende Systeme zum Erkennen der Markierungen
weiter verwenden kann.
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Vorzugsweise stellt die Markierung
eine nicht-flüchtige
Markierung dar, wobei das Markierelement ein optisches Markierelement
zur Realisierung einer optisch auslesbaren Markierung, ein magnetisches
Markierelement zur Realisierung einer magnetisch auslesbaren Markierung
und/oder ein elektrisches Markierelement zur Realisierung einer
elektrisch auslesbaren Markierung darstellt. In den ersten beiden
Fällen
können
die Markierungen berührungslos,
d.h. ohne Kontaktierung erfasst werden, wodurch sich ein wesentlicher
Zeitvorteil ergibt.
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Vorzugsweise besitzt die Testvorrichtung eine
integrierte Selbsttesteinheit, wodurch die Testzeit insbesondere
in Verbindung mit den eingangs genannten Testverfahren wesentlich
verringert werden kann. In gleicher Weise kann jedoch auch zusätzlich oder
alternativ eine externe Testeinheit als Testvorrichtung verwendet
werden, wodurch sich komplexere Testergebnisse auswerten lassen.
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Ferner kann die integrierte Selbstmarkierungsvorrichtung
eine Vielzahl von Teil-Selbstmarkierungsvorrichtungen zum Erzeugen
von Teil-Markierungen in Abhängigkeit
von Teil-Testergebnissen der integrierten Funktionsschaltung aufweisen,
wodurch sich eine sogar Klassifizierung der getesteten integrierten
Schaltungen realisieren lässt.
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Ferner kann die integrierte Schaltung nicht-flüchtige Speicherelemente
zum Zwischenspeichern der Testergebnisse aufweisen, wodurch sogenannte
mehrstufige Tests, wie z.B. ein Wafertest und ein anschließender Produkttest
unterschiedlich konfigurierbar sind.
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Hinsichtlich der gehäusten integrierten Schaltung
ist die integrierte Schaltung vorzugsweise in einem Gehäuse gepackt,
das zumindest im Bereich der Selbstmarkierungsvorrichtung ein Material aufweist,
welches das Auslesen der Markierung der integrierten Schaltung ermöglicht.
Auf diese Weise können
nicht nur auf Waferebene sondern auch auf Produktebene Markierungen
für eine
montierte integrierte Schaltung selbsttätig und unter Verwendung derselben
Selbstmarkierungsvorrichtung erzeugt werden.
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Das Gehäuse ist hierbei beispielsweise
optisch transparent oder weist im. Bereich der Selbstmarkierungsvorrichtung
ein Sichtfenster auf.
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Alternativ oder zusätzlich kann
die gehäuste integrierte
Schaltung jedoch auch eine im Gehäuse ausgebildete Gehäuse-Selbstmarkierungsvorrichtung
zum Erzeugen einer getrennten Gehäuse-Markierung in Abhängigkeit
von einem Testergebnis aufweisen, wobei die Gehäuse-Selbstmarkierungsvorrichtung
wiederum einen gleichen Aufbau aufweist wie die integrierte Selbstmarkierungsvorrichtung
der integrierten Schaltung. Auf diese Weise können Gehäusetests weiter verbessert
werden.
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In den weiteren Unteransprüchen sind
weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gekennzeichnet.
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Die Erfindung wird nachstehend an
Hand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben.
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Es zeigen:
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1 eine
vereinfachte Draufsicht eines Halbleiterwafers mit integrierten
Schaltungen zur Veranschaulichung eines herkömmlichen Testverfahrens;
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2 eine
vereinfachte Blockdarstellung einer integrierten Schaltung mit Selbstmarkierungsvorrichtung
gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel;
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3 eine
vereinfachte Blockdarstellung einer integrierten Schaltung mit Selbstmarkierungsvorrichtung
gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel;
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4A bis 4C eine vereinfachte Draufsicht bzw.
vereinfachte Schnittansichten einer temperatursensitiven Selbstmarkierungsvorrichtung;
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5A und 5B eine vereinfachte Draufsicht und
eine vereinfachte Schnittansicht einer feldsensitiven Selbstmarkierungsvorrichtung;
und
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6 eine
vereinfachte Draufsicht einer gehäusten integrierten Schaltung.
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2 zeigt
eine vereinfachte Blockdarstellung einer integrierten Schaltung
gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel,
wie sie beispielsweise auf einem Halbleiterwafer W gemäß 1 gemeinsam mit weiteren
integrierten Schaltungen IC vorliegen kann. Sie kann jedoch in gleicher
Weise auch bereits als vereinzelter Halbleiterbaustein bzw. integrierte Schaltung
IC vorliegen, wie dies beispielsweise nach einem Sägen der
Fall ist.
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Gemäß 2 weist die integrierte Schaltung IC
eine zu testende integrierte Funktionsschaltung 1 sowie
eine Testschnittstelle TI zum Verbinden der Funktionsschaltung 1 mit
einer Testvorrichtung auf, die zumindest aus einer integrierten
Selbsttesteinheit 3A (BIST, Built In Self Test) besteht,
wie sie üblicherweise
zum Durchführen
eines Selbsttests in integrierten Schaltungen ausgebildet wird. Über eine
externe Testschnittstelle ETI kann beispielsweise diese Selbsttesteinheit 3A angesteuert
oder mit zusätzlichen
Daten während
eines Selbsttestvorgangs versorgt werden. Die Testschnittstelle
TI überträgt hierbei
von der Testvorrichtung zu sendende Stimulus-Daten sowie von der
Funktionsschaltung gesendete Antwort-Daten.
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Die Testvorrichtung in Form der Selbsttesteinheit 3A führt demzufolge
einen Funktionstest der integrierten Funktionsschaltung 1 zur
Ermittlung eines Testergebnisses durch, wobei die Funktionsschaltung
beispielsweise eine Haupt-Logikschaltung darstellt und das Testergebnis
ein einfaches "pass/fail"-Ergebnis ist.
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Darüber hinaus besitzt die integrierte
Schaltung IC gemäß 2 nunmehr eine sogenannte
integrierte Selbstmarkierungsvorrichtung 2 (SMV), die eine
Markierung in Abhängigkeit
vom ermittelten Testergebnis der Testvorrichtung bzw. der Selbsttesteinheit 3A erzeugt.
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Optional kann das ermittelte Testergebnis über eine
zusätzliche
strichliert dargestellte Schnittstelle TO (Testoutput) auch nach
außen
gegeben werden, wodurch eine zusätzliche
elektrische Auswertung des Testergebnisses möglich ist.
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Aufgrund der integrierten Selbstmarkierungsvorrichtung 2,
die in Abhängigkeit
vom Testergebnis eine Markierung vorzugsweise an der Oberfläche der
integrierten Halbleiterschaltung erzeugt, entfällt somit die Notwendigkeit
einer erneuten Kontaktierung nach dem Durchführen des Selbsttests, um die
Testergebnisse auszulesen, auszuwerten und in Abhängigkeit
von den ermittelten Testergebnissen sowie der gerade kontaktierten
Halbleiterschaltung eine Markierung vorzunehmen.
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Insbesondere bei dem eingangs erwähnten Testverfahren,
wobei eine Vielzahl von integrierten Schaltungen IC bereits auf
Waferebene einen Selbsttest gleichzeitig durchführen, erhält man eine weitere Parallelisierung
durch die zeitgleiche Ausbildung von Markierungen für die einzelnen
integrierten Schaltungen IC. Sowohl die Testzeit als auch die Testkosten lassen
sich dadurch wesentlich verringern.
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3 zeigt
eine vereinfachte Blockdarstellung einer integrierten Schaltung
gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel,
wobei gleiche Bezugszeichen gleiche oder entsprechende Elemente
bezeichnen und auf eine wiederholte Beschreibung nachfolgend verzichtet
wird.
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Gemäß 3 lässt
sich die vorstehende Erfindung auch auf externe Testverfahren ausweiten, wobei
die Testvorrichtung nunmehr nicht länger eine integrierte Selbsttesteinheit 3A,
sondern lediglich einen externen Tester 3B aufweist, der
wiederum über die
Testschnittstelle TI mit der zu testenden Funktionsschaltung 1 in
Verbindung steht. Die Testschnittstelle TI überträgt hierbei wiederum von der
Testvorrichtung zu sendende Stimulus-Daten sowie von der Funktionsschaltung
gesendete Antwort-Daten.
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Wiederum wird von der externen Testeinheit 3B auf
der Grundlage dieser Stimulus- und Antwort-Daten ein Testergebnis
ermittelt und über
eine Testergebnisschnittstelle der integrierten Schaltung und insbesondere
der darin integrierten Selbstmarkierungsvorrichtung 2 zugeführt. Wiederum
erzeugt die integrierte Selbstmarkierungsvorrichtung 2 in
Abhängigkeit
von diesem Testergebnis eine Markierung an der integrierten Schaltung
IC.
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Gemäß diesem zweiten Ausführungsbeispiel wird
der tatsächlichen
Entwicklung Rechnung getragen, bei der trotz Zunahme des BIST- bzw.
Selbsttestanteils bei verwendeten Testverfahren immer noch integrierte
Halbleiterschaltungen IC sinnvollerweise mit externen Testeinheiten 3B und
zugehörigen
externen Testverfahren geprüft
werden.
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Gemäß einem nicht dargestellten
dritten Ausführungsbeispiel
ist darüber
hinaus eine Kombination der in 2 dargestellten
internen Selbsttesteinheit 3A mit der in 3 dargestellten externen Testeinheit 3B möglich und
sinnvoll, wobei Teile der Funktionsschaltung 1 bzw. der
integrierten Schaltung IC von einer externen Testeinheit 3B und
andere Teile der integrierten Schaltung IC von einer integrierten Selbsttesteinheit 3A geprüft werden.
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Insbesondere bei Verwendung von Selbsttesteinheiten 3A bietet
sich jedoch die Anwendung des eingangs beschriebenen Paralleltestkonzepts
gemäß 1 an.
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4A bis 4C zeigen eine vereinfachte Draufsicht
sowie vereinfachte Schnittansichten einer temperatursensitiven integrierten
Selbstmarkierungsvorrichtung, wie sie beispielsweise in einer integrierten
Schaltung IC gemäß 2 oder 3 ausgebildet werden kann.
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4A zeigt
eine vereinfachte Draufsicht einer integrierten Selbstmarkierungsvorrichtung 2 gemäß einer
ersten Ausführungsform,
wie sie beispielsweise an der Oberfläche einer integrierten Schaltung IC
bzw. in den obersten Schichten einer integrierten Schaltung IC ausgebildet
werden kann.
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Gemäß 4A besteht die integrierte Selbstmarkierungsvorrichtung 2 aus
einem thermosensitiven Markierelement M zur Realisierung der eigentlichen
Markierung sowie aus einer Markierelement-Aktivierungseinheit zum
Aktivieren des Markierelementes M. Gemäß 9A handelt
es sich bei der Markierelement-Aktivierungseinheit um eine sogenannte
thermische Markierelement-Aktivierungseinheit, da das temperaturempfindliche
Markierelement M mittels thermischer Energie bzw. aufgrund einer
Temperaturänderung
aktiviert wird.
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Beispielsweise besitzt eine derartige
thermische Markierelement-Aktivierungseinheit Anschlusselektroden 4,
die über
eine elektrisch leitende Leiterbahn bzw. eine Widerstandsstruktur
R miteinander in Verbindung stehen.
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4B zeigt
eine vereinfachte Schnittansicht entlang eines Schnitts A-B von 4A, wobei gleiche Bezugszeichen
gleiche oder entsprechende Elemente bezeichnen und auf eine wiederholte
Beschreibung nachfolgend verzichtet wird.
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Gemäß 4B ist die thermische Markierelement-Aktivierungseinheit
im Wesentlichen als mäanderförmiger Leiterbahnbereich
in einer obersten Leiterbahn- bzw. Metallisierungsebene einer integrierten
Halbeiterschaltung IC ausgebildet und über eine letzte Isolations-
bzw. Passivierungsschicht I vom Markierelement M getrennt bzw. beabstandet.
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Im einfachsten Fall besteht demzufolge
die thermische Markierelement-Aktivierungseinheit aus einer elektrisch
leitenden Leiterbahn R, die sich in unmittelbarer Nähe zum Markierelement
M befindet und durch Stromzufuhr erwärmt wird. Zum Anlegen des Testergebnisses
an die Anschlusselektroden 4 wird beispielsweise für eine defekte
integrierte Halbleiterschaltung IC ein hoher Strom in die Leiterbahn
R eingeprägt,
wodurch sich eine thermische Erwärmung
in Abhängigkeit
vom Widerstand der Leiterbahn bzw. des Widerstandselementes R ergibt. Überschreitet die
Temperatur T im Bereich des Markierelementes M aufgrund dieser Erwärmung eine Übergangstemperatur
Tü des
Markierelementes, bei dem das Markierelement M von einem ersten
Zustand in einen zweiten Zustand übergeht, so erzeugt diese Zustandsänderung
im Markierelement M die gewünschte
Markierung der integrierten Halbleiterschaltung IC.
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4C zeigt
eine vereinfachte Schnittansicht entlang eines Schnitts A-B gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der thermosensitiven Selbstmarkierungsvorrichtung 2, wobei
gleiche Bezugszeichen gleiche oder entsprechende Elemente bezeichnen und
auf eine wiederholte Beschreibung nachfolgend verzichtet wird.
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Gemäß 4C kann demzufolge im Bereich der Markierelement-Aktivierungseinheit
bzw. des Widerstandselementes R eine Passivierungsöffnung O (in 4A gestrichelt dargestellt)
ausgebildet werden, wobei das Markierelement M unmittelbar oder mit
einer sehr dünnen
Isolationsschicht auf der Leiterbahn bzw. dem Widerstandselement
R ausgebildet wird. Auf diese Weise erhält man eine erhöhte thermische
Kopplung zwischen dem die Temperaturerhöhung verursachenden Widerstandselement
R und dem Markierelement M.
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Zum Ausbilden einer derartigen Öffnung können herkömmliche Ätzverfahren
in Abhängigkeit
von einer jeweils verwendeten Isolier- bzw. Passivierungsschicht
I verwendet werden..
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Zur Realisierung einer derartigen
thermischen integrierten Selbstmarkierungsvorrichtung werden beispielsweise
nach einem üblichen
Herstellungsprozess beispielsweise zur Realisierung einer CMOS-Schaltung
in der obersten Metallisierungsebene die Widerstandselemente R mit
herkömmlichen Verfahren
beispielsweise fotolithografisch strukturiert und abschließend ein
Tropfen einer als Markierelement M geeigneten Substanz aufgebracht.
Zur Auftragung des Markierelementes M können beispielsweise Tintenstrahldruckverfahren,
chemische Abscheideverfahren (CVD, Chemical Vapor Deposition), Sputtern
(PVD, Physical Vapor Deposition) usw. durchgeführt werden, wobei lediglich
auf eine ausreichende thermische Kopplung an die Widerstandsstruktur
R zu achten ist.
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Als Substanz bzw. Material für das Markierelement
M sind beispielsweise alle thermo-sensitiven Farbstoffe geeignet,
welche einen Farbwechsel bei einer Übergangstemperatur Tü durchlaufen.
Beispielsweise kann als Markierelement M ein Calkogenidfilm, wie
er von Giacomel "Eraseable
optical memory employing a marman effect phase-change erasing in
a calkoge nide film" 1988,
beschrieben ist. Eine derartige Schicht bzw. ein derartiges Material zeigt
bei einer Übergangstemperatur
Tü =
200°C einen
Phasenübergang
von einer schwachreflektiven Phase zu einer hochreflektiven kristallinen
Phase. Dieser Wechsel kann optisch ausgewertet werden, wobei beispielsweise
Laserdetektoren oder CCD-Kameras verwendet werden.
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In gleicher Weise sind jedoch auch
Flüssigkristalle
(LC, Liquid Cristal) sowie weitere Substanzen als optische Markierelemente
zur Realisierung einer optisch auslesbaren Markierung geeignet.
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Bei diesen optischen Markierelementen
können
demzufolge einfache sogenannte "pass/fail"-Informationen unmittelbar
angezeigt werden, weshalb die Selbstmarkierungsvorrichtung 2 die üblicherweise
notwendigen "Ink-Prozess"-Arbeitsschritte
und – Anlagen
ersetzt. Die vom Markierelement M erzeugte Markierung kann hierbei
von bereits vorhandenen Auswertesystemen ausgewertet werden und
somit ohne zusätzliche
Kosten in bereits existierende Herstellungsprozesse integriert werden.
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Alternativ zum vorstehend beschriebenen optischen
Markierelement zur Realisierung einer optisch auslesbaren Markierung
können
in gleicher Weise jedoch auch magnetische Markierelemente zur Realisierung
einer magnetisch auslesbaren Markierung in Verbindung mit der thermischen
Markierelement-Aktivierungseinheit
gemäß 4A bis 4C verwendet werden.
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Folglich wird an die Stelle eines
optischen Markierelementes gemäß dieser
Ausführungsform ein
magnetisches Markierelement M entweder gemäß 4B durch eine Passivierungsschicht I
beabstandet in der Nähe
der Widerstandsstruktur R oder gemäß 4C unmittelbar bzw. über eine sehr dünne nicht
dargestellte Isolationsschicht auf der Widerstandsstruktur R ausgebildet.
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Derartige magnetische Markierelemente sind
beispielsweise ferromagnetische Substanzen bzw. Materialien, die
in vormagnetisierter Form auf die Isolierschicht I oder unmittelbar
auf die Widerstandsstruktur R aufgebracht werden. Die magnetischen
Markierelemente M nutzen hierbei die Eigenschaften von vormagnetisierten
ferromagnetischen Substanzen aus, wobei durch Erhitzung über eine Übergangstemperatur
Tü ihre
statische Magnetisierung aufgehoben wird und sie paramagnetisch
werden.
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Geeignete Materialien für derartige
magnetische Markierelemente M sind beispielsweise Nickel (Tü(Ni)
= 649 K), Gadolinium (Tü(Gd) = 302 K) und verschiedene
Legierungen.
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Zum Auslesen der magnetischen Markierung wird
im Gegensatz zum optischen Auslesen beispielsweise mittels Laser
oder mittels einer CCD-Kamera mit nachfolgender Bildverarbeitung
und Mustererkennung beispielsweise eine über dem Markierelement M schwebende
Spule bzw. ein Feldsensor eingesetzt, wie er von Festplattenlaufwerken
bekannt ist. Vorteilhaft ist hierbei wiederum das berührungslose
Ausleseverfahren, welches schnell und materialschonend ist sowie
die unsichtbarkeit der Markierung.
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Ferner kann als magnetisches Material
für das
Markierelement M auch das aus MRAM-Speichern bekannte "giant-Magnetoresistance"-Material gewählt werden,
wobei die Ansteuerung des Materials in gleicher Weise wie bei MRAM-Speichern
erfolgt.
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Ferner können als elektrische Markierelemente
M beispielsweise Leiterbahn-Fuses, Dielektrikum-Antifuses usw. verwendet
werden, wobei derartige elektrisch auslesbare Markierelemente den Nachteil
einer Kontaktierung aufweisen.
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5A und 5B zeigen eine vereinfachte Draufsicht
sowie eine vereinfachte Schnittansicht einer feldsensitiven integ rierten
Selbstmarkierungsvorrichtung, wobei gleiche Bezugszeichen wiederum gleiche
oder entsprechende Elemente wie in 4A bis 4C bezeichnen und auf eine
wiederholte Beschreibung nachfolgend verzichtet wird.
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Gemäß 5A und 5B ist
eine E-feld aktivierte integrierte Selbstmarkierungsvorrichtung 2 dargestellt,
wobei die Aktivierung des feldsensitiven Markierelementes M nunmehr
nicht über
eine Temperaturveränderung,
sondern über
eine Veränderung eines
elektrischen Feldes herbeigeführt
wird.
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Gemäß 5A besteht demzufolge die Markierelement-Aktivierungseinheit
aus einer ersten Elektrode E1 und einer davon beabstandeten zweiten
Elektrode E2, die wiederum jeweils mit den Anschlusselektroden 4 verbunden
sind. Bei Anliegen einer Spannung bzw. eines positiven Testergebnisses wird
demzufolge in den beispielsweise kammförmig verschachtelten Elektroden
E1 und E2 ein elektrisches Feld E erzeugt, welches im E-Feld aktivierbaren
Markierelement M eine Veränderung
hervorruft.
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Gemäß 5B werden die Elektroden E1 und E2 wiederum
in einer obersten Leiterbahnebene bzw. Metallisierungsebene ausgebildet,
wobei sie beispielsweise die in 5A dargestellte Kamm-Struktur
aufweisen. Wiederum kann das Markierelement M über eine Isolierschicht bzw.
Passivierungsschicht I von der Markierelement-Aktivierungseinheit
bzw. den Elektroden E1 und E2 getrennt bzw. beabstandet sein, wobei
sie sich jedoch vorzugsweise unmittelbar auf den Elektroden E1 und
E2 aufgebracht ist oder lediglich durch eine sehr dünne (nicht dargestellte)
Isolationschicht getrennt wird.
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Als Materialien für derartige E-Feld aktivierbare
bzw. feldsensitive Markierelemente M können beispielsweise die aus
Flüssigkristallanzeigen
bekannten Flüssigkristalle
(LC, Liquid Crystal) und dergleichen verwendet werden.
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Als weitere E-feldsensitive Materialien
können
beispielsweise elektrophoretische Substanzen (electronic ink) verwendet
werden, wie sie beispielsweise von Smith "Electrostatic discharge indicator" 1999 und Comiskey "Method of manufacturing
of a discrete electronic device" 1999
beschrieben sind.
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Obwohl beim eingangs genannten Testverfahren
insbesondere während
eines Selbsttestvorgangs eine Stromversorgung vorhanden ist, werden als
Materialien für
die Markierelemente M vorzugsweise Materialien verwendet, die eine
nicht-flüchtige Markierung
hinterlassen, d.h. nach dem Wechsel der optischen oder magnetischen
oder elektrischen Eigenschaften auch bei fehlender Stromversorgung kein
Rückgang
in den Ursprungszustand erfolgt. Auf diese Weise können auch
von einer Stromversorgung abgeschaltete integrierte Schaltungen
ihre Markierungen irreversibel beibehalten.
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Darüberhinaus kann auch eine Vielzahl
von Teil-Selbstmarkierungsvorrichtungen zum Erzeugen von Teil-Markierungen
in Abhängigkeit
von Teil-Testergebnissen der integrierten Funktionsschaltung in der
integrierten Schaltung IC ausgebildet sein. Genauer gesagt können eine
Vielzahl der vorstehend beschriebenen Selbstmarkierungsvorrichtungen 2, wie
sie in 4 und 5 dargestellt sind, vorzugsweise an
der Oberfläche
der integrierten Schaltung IC ausgebildet werden, wodurch man die
Möglichkeit
einer Klassifizierung erhält.
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Genauer gesagt kann dadurch beispielsweise
eine optische oder magnetische Anzeige von Baustein-Geschwindigkeitsklassen
selbsttätig
realisiert werden. In gleicher Weise können jedoch auch Speichergrößen oder
Audio-Qualitätsklassen
einer integrierten Schaltung optisch oder magnetisch angezeigt werden.
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Ferner können zusätzlich zu den vorstehend beschriegenen
(vorzugsweise nicht-flüchtigen)
Markierelementen M elektrisch auslesbare nicht-flüchtige Speicher
in Form von EEPROMs, FlashPROMs, magnetischen RAMs (MRAM), ferroelektrischen
RAMs (FRAM), Calkogenidspeicherv (Ovonics) usw. verwendet werden,
wodurch insbesondere bei Verwendung von Selbsttesteinheiten (BIST)
die aus vorherigen Testläufen
gewonnenen Testergebnisse zwischengespeichert werden können und
so beispielsweise ein mehrstufiger Test wie zuerst ein Wafertest und
anschließend
ein Produkttest unterschiedlich konfigurierbar ist.
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Wiederum kann hierbei jedem Test
ein eigenes (Teil-) Markierelement M zugeordnet werden, welches
erst im „richtigen" Testabschnitt aktiviert wird.
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6 zeigt
eine vereinfachte Draufsicht einer gehäusten integrierten Schaltung,
wobei gleiche Bezugszeichen gleiche oder entsprechende Elemente
wie in 1 bis 5 bezeichnen und auf eine
wiederholte Beschreibung nachfolgend verzichtet wird.
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Ein weiterer Vorteil der vorliegenden
Erfindung ergibt sich demzufolge auch für die Verwendung in einem Produkttest
bzw. für
den Einsatz in endmontierten Gehäusen.
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Gemäß 6 ist die erfindungsgemäße integrierte
Schaltung IC beispielsweise in einem Produktgehäuse 5 verpackt, welches
eine Vielzahl von Anschlusspins 7 aufweist. Demzufolge
kann die integrierte Selbstmarkierungsvorrichtung 2 auch
für einen
Produkttest bzw. Gehäusetest
verwendet werden, wobei nach der Endmontage bzw. dem Verpacken im
Gehäuse
5 wiederum ein externer und/oder Selbsttest durchgeführt wird.
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Die interne Testschnittstelle TI
bzw. externe Testschnittstelle ETI der integrierten Schaltung IC wird
hierbei an speziell dafür
vorgesehene Anschlusspins 7 des Produktgehäuses 5 angeschaltet, wodurch
auch die endmontierte bzw. gehäuste
integrierte Schaltung IC einem Funktionstest unterzogen werden kann.
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Bei Verwendung von magnetischen Markierelementen
bzw. elektrischen Markierelementen können hierbei sogar die üblichen
Kunststoffmaterialien zum Ausbilden des Produktgehäuses 5 verwendet werden.
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Sind jedoch optische Markierelemente
in der Selbstmarkierungsvorrichtung 2 im Einsatz, so sollte das
Gehäuse 5 zumindest
im Bereich 6 der Selbstmarkierungsvorrichtung 2 ein
Material aufweisen, welches das Auslesen der Markierung der integrierten
Schaltung IC ermöglicht.
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Beispielsweise werden demzufolge
optisch transparente Kunststoffgehäuse verwendet oder ein Fenster 6 aus
optisch transparentem Material im Gehäuse 5 im Bereich der
Selbstmarkierungsvorrichtung 2 ausgebildet.
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In gleicher Weise sollte bei Verwendung
von magnetischen Markierelementen das Gehäuse 5 zumindest im
Bereich 6 der Selbstmarkierungsvorrichtung 2 für derartige
magnetische Felder durchlässig sein.
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Gemäß einem nicht dargestellten
weiteren Ausführungsbeispiel
kann jedoch auch die gehäuste integrierte
Schaltung eine der Selbstmarkierungsvorrichtung 2 der integrierten
Schaltung IC vergleichbare Gehäuse-Selbstmarkierungsvorrichtung
aufweisen, die vorzugsweise an einem Oberflächenbereich des Gehäuses 5 ausgebildet
ist und zum Erzeugen einer Gehäuse-Markierung
in Abhängigkeit
von einem Testergebnis geeignet ist.
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Der Aufbau dieser Gehäuse-Selbstmarkierungsvorrichtung
entspricht hierbei im Wesentlichen dem Aufbau der vorstehend beschriebenen
Selbstmarkierungsvorrichtung 2, weshalb auf eine wiederholte
Beschreibung nachfolgend verzichtet wird.
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Die Erfindung wurde vorstehend an
Hand spezieller Materialien zur Realisierung der jeweiligen Markierelemente
beschrieben. Sie ist jedoch nicht darauf beschränkt und umfasst in glei cher
Weise alternative Materialien, die in gleicher Weise als Markierelemente
geeignet sind.
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In gleicher Weise bezieht sich die
Erfindung nicht nur auf thermische und feldsensitive Selbstmarkierungsvorrichtungen,
sondern entsprechende alternative Selbstmarkierungsvorrichtungen.
Demzufolge ist die Erfindung nicht auf die beschriebenen temperaturempfindlichen
und feldempfindlichen Materialien beschränkt sondern umfasst in gleicher
Weise alternative Materialien, die in gleicher Weise als Markierelemente
geeignet sind.
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- 1
- Funktionsschaltung
- 2
- Selbstmarkierungsvorrichtung
- 3A,
3B
- Testvorrichtung
- 4
- Anschlusselektroden
- 5
- Produktgehäuse
- 6
- Fenster
- 7
- Anschlusspins
- IC
- Integrierte
Schaltung
- TI,
ETI
- Testschnittstelle
- TO
- Testausgang
- W
- Halbleiterwafer
- M
- Markierelement
- R
- Widerstandsstruktur
- E1,
E2
- Elektrodenstruktur
- 0
- Passivierungsöffnung
- I
- Passivierungsschicht