DE10320707B4 - Verbesserter Resonator mit Keimschicht - Google Patents
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Abstract
einen Keimschichtabschnitt (40);
eine untere Elektrode (16);
einen piezoelektrischen Abschnitt (18) auf der unteren Elektrode (16); und
eine obere Elektrode (20) auf dem piezoelektrischen Abschnitt (18),
wobei
die untere Elektrode (16) auf dem Keimschichtabschnitt (40) ausgebildet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf akustische Resonatoren und insbesondere auf Resonatoren, die als Filter für Elektronikschaltungen verwendet werden können.
- Der Bedarf, die Kosten und die Größe von Elektronikausrüstung zu reduzieren, hat zu einem andauernden Bedarf nach immer kleineren elektronischen Filterelementen geführt. Unterhaltungselektronik, wie z. B. Mobiltelephone und Miniaturradios, stellen harte Einschränkungen für sowohl die Größe als auch die Kosten der darin enthaltenen Komponenten auf. Ferner verwenden viele derartige Bauelemente Elektronikfilter, die auf genaue Frequenzen abgestimmt sein müssen. Filter wählen die Frequenzkomponenten elektrischer Signale, die innerhalb eines erwünschten Frequenzbereichs liegen, für ein Durchlassen aus, während die Frequenzkomponenten, die außerhalb des erwünschten Frequenzbereichs liegen, beseitigt oder gedämpft werden.
- Eine Klasse elektronischer Filter, die das Potential zum Erfüllen dieser Bedarfe aufweist, ist aus akustischen Dünnfilmvolumenresonatoren (FBARs) aufgebaut. Diese Bauelemente verwenden Volumenlongitudinalschallwellen in einem piezoelektrischen (PZ) Dünnfilmmaterial. Bei einer einfachen Konfiguration ist eine Schicht eines PZ-Materials sandwichartig zwischen zwei Metallelektroden angeordnet. Die Sandwichstruktur ist vorzugsweise in Luft aufgehängt. Eine Musterkonfiguration einer Vorrichtung
10 , die einen Resonator12 (z. B. einen FBAR) aufweist, ist in den1A und1B dargestellt.1A stellt eine Draufsicht der Vorrichtung10 dar, während1B eine Seitenansicht der Vorrichtung10 entlang einer Linie A-A aus1A darstellt. Der Resonator12 ist über einem Substrat14 hergestellt. Auf das Substrat14 aufgebracht und geätzt sind in dieser Reihen folge eine untere Elektrodenschicht15 , eine piezoelektrische Schicht17 und eine obere Elektrodenschicht19 . Abschnitte (wie durch Klammern12 angezeigt) dieser Schichten –15 ,17 und19 – die sich überlappen und über einem Hohlraum22 hergestellt sind, bilden den Resonator12 . Diese Abschnitte werden als eine untere Elektrode16 , ein piezoelektrischer Abschnitt18 und eine obere Elektrode20 bezeichnet. In dem Resonator12 umgeben die untere Elektrode16 und die obere Elektrode20 den PZ-Abschnitt18 sandwichartig. Die Elektroden14 und20 sind Leiter, während der PZ-Abschnitt18 üblicherweise ein Kristall, wie z. B. Aluminiumnitrid (AlN), ist. - Wenn ein elektrisches Feld zwischen den Metallelektroden
16 und20 angelegt ist, wandelt der PZ-Abschnitt18 einen Teil der elektrischen Energie in mechanische Energie in der Form mechanischer Wellen um. Die mechanischen Wellen breiten sich in der gleichen Richtung wie das elektrische Feld aus und werden an der Elektrode/Luft-Grenzfläche abreflektiert. - Bei einer Resonanzfrequenz wirkt der Resonator
12 als ein elektronischer Resonator. Die Resonanzfrequenz ist die Frequenz, für die die halbe Wellenlänge der mechanischen Wellen, die sich in dem Bauelement ausbreiten, durch viele Faktoren, einschließlich der Gesamtdicke des Resonators12 , für eine bestimmte Phasengeschwindigkeit der mechanischen Welle in dem Material bestimmt wird. Da die Geschwindigkeit der mechanischen Welle vier Größenordnungen kleiner als die Lichtgeschwindigkeit ist, kann der resultierende Resonator ziemlich kompakt sein. Resonatoren für Anwendungen in dem GHz-Bereich können mit physischen Abmessungen in der Größenordnung von weniger als 100 μm in einer Querausdehnung und einigen Mikrometern in einer Gesamtdicke aufgebaut sein. In einer Implementierung z. B. wird der Resonator12 unter Verwendung bekannter Halbleiterherstellungsverfahren hergestellt und wird mit elektronischen Komponenten und anderen Resonatoren kombiniert, um elektronische Filter für elektrische Signale zu bilden. - Die Verwendung und die Herstellungstechnologien für verschiedene Entwürfe von FBARs für elektronische Filter sind in der Technik bekannt und eine Anzahl von Patenten wurde erteilt. Das
US-Patent Nr. 6,262,637 , erteilt an Paul D. Bradley u. a., z. B. offenbart einen Duplexer, der akustische Dünnfilmvolumenresonatoren (FBARs) beinhaltet. Verschiede Verfahren zur Herstellung von FBARs wurden ebenso patentiert, wie z. B. dasUS-Patent Nr. 6,060,818 , erteilt an Richard C. Ruby u. a., das verschiedene Strukturen und Verfahren zur Herstellung von Resonatoren umfaßt, und dasUS-Patent Nr. 6,239,536 , erteilt an Kenneth M. Lakin, das ein Verfahren zur Herstellung eingeschlossener Dünnfilmresonatoren offenbart. -
EP 1 124 328 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Resonators, einen derartigen Resonator sowie ein den Resonator aufweisendes Elektrogerät. Auf ein Substrat aus mehreren dielektrischen Schichten sind schichtweise eine beispielsweise Molybdän aufweisende Haftschicht, eine untere Pt-Elektrode, eine piezoelektrische Schicht und eine obere Pt-Elektrode aufgebracht. Die untere Elektrode weist eine Keimschicht auf, die das kristalline Wachstum der piezoelektrischen Schicht fördert. Die piezoelektrische Schicht ist aus einen Material mit einer Wurzitstruktur, z. B. ZnO, AlN oder CdS, hergestellt. Die untere Elektrode und die Keimschicht können auch als separate, nacheinander aufgebrachte Schichten ausgebildet sein. Dazu ist die untere Elektrode als Al-Schicht ausgebildet, auf der die Pt-Keimschicht ausgebildet ist. Alternativ können die Haftschicht und die untere Elektrode als eine gemeinsame, beispielsweise Molybdän aufweisende Schicht hergestellt sein, auf die die Keimschicht aufgebracht ist. - Der andauernde Drang, die Qualität und Zuverlässigkeit der FBARs zu erhöhen, stellt jedoch Herausforderungen dar, die eine noch bessere Resonatorqualität, noch bessere Entwürfe und Herstellungsverfahren erfordern. Eine derartige Herausforderung besteht z. B. darin, eine Anfälligkeit der FBARs gegenüber Beschädigungen von elektrostatischen Entladungen und Spannungsspitzen von umgebenden Schaltungen zu beseitigen oder zu lindern. Eine weitere Herausforderung besteht darin, eine Anfälligkeit des Resonators gegenüber Frequenzdrifts aufgrund einer Interaktion mit seiner Umgebung, wie z. B. Luft oder Feuchtigkeit, zu beseitigen oder zu lindern.
- Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Resonator, ein elektronisches Filter oder ein Verfahren zu schaffen, die den Anforderungen modernster Technologien genügen.
- Diese Aufgabe wird durch einen Resonator gemäß Anspruch 1, ein elektronisches Filter gemäß Anspruch 7 oder ein Verfahren gemäß Anspruch 8 gelöst.
- Diese und weitere technologische Herausforderungen werden durch die vorliegende Erfindung erfüllt. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Resonator, der auf einem Substrat hergestellt ist, eine Keimschicht auf, auf der eine untere Elektrode, ein piezoelektrischer Abschnitt und eine obere Elektrode hergestellt sind. Die Keimschicht ermöglicht es, daß der piezoelektrische Abschnitt sogar mit einer höheren Qualität hergestellt werden kann.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein elektronisches Filter einen Resonator auf, der auf einem Substrat hergestellt ist. Der Resonator umfaßt einen Keimschichtabschnitt, der aus Aluminiumnitrid hergestellt ist und eine Dicke in einem Bereich von etwa 10 × 10–10 m (10 Angström oder einem Nanometer) bis etwa 10.000 × 10–10 m (einem Mikrometer) aufweist. Bei Experimenten wurde die Keimschicht, die eine Dicke innerhalb eines Bereichs von 100 × 10–10 m bis 400 × 10–10 m aufweist, erfolgreich implementiert. Der Resonator umfaßt ferner eine untere Elektrode auf dem Keimschichtabschnitt, wobei die untere Schicht aus Molybdän hergestellt ist. Der piezoelektrische Abschnitt ist auf der unteren Elektrode, wobei der piezoelektrische Abschnitt aus Aluminiumnitrid hergestellt ist. Schließlich ist eine obere Elektrode auf dem piezoelektrischen Abschnitt, wobei die obere Elektrode aus Molybdän hergestellt ist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellung eines Resonators offenbart. Als erstes wird eine Keimschicht auf einem Substrat hergestellt. Als nächstes wird eine untere Elektrode auf der Keimschicht hergestellt. Dann wird ein piezoelektrischer Abschnitt auf der unteren Elektrode hergestellt. Schließlich wird eine obere Elektrode auf dem piezoelektrischen Abschnitt hergestellt.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1A eine Draufsicht einer Vorrichtung, die einen Resonator umfaßt, gemäß dem Stand der Technik; -
1B eine Seitenansicht der Vorrichtung aus1A entlang einer Linie A-A; -
2A eine Draufsicht einer Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
2B eine Seitenansicht der Vorrichtung aus2A entlang einer Linie B-B; -
3A eine Draufsicht einer Vorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
3B eine Seitenansicht der Vorrichtung aus3A entlang einer Linie C-C; -
4A eine Draufsicht einer Vorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
4B eine Seitenansicht der Vorrichtung aus4A entlang einer Linie D-D; und -
4C ein schematisches Diagramm, das teilweise eine Schaltung, die unter Verwendung der Vorrichtung aus4A gebildet werden kann, darstellt. - Wie in den Zeichnungen zu Darstellungszwecken gezeigt ist, ist die vorliegende Erfindung in einem Resonator ausgeführt, der eine Keimschicht aufweist, um die Qualität eines piezoelektrischen (PZ-)Abschnitts zu verbessern. Aufgrund der Keimschicht kann der PZ-Abschnitt hergestellt werden, der Charakteristika aufweist, die verglichen mit einem PZ-Abschnitt, der ohne die Keimschicht hergestellt ist, näher an einem Einkristall sind. Ein PZ-Abschnitt mit höherer Qualität führt zu einem Resonator mit höherer Qualität und so einer Filterschaltung mit höherer Qualität.
-
2A stellt eine Draufsicht einer Vorrichtung30 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar.2B ist eine Seitenansicht der Vorrichtung30 aus2A entlang einer Linie B-B. Abschnitte der Vorrichtung30 in den2A und2B gleichen diejenigen der Vorrichtung10 der1A und1B . Aus Bequemlichkeit sind Abschnitten der Vorrichtung30 in den2A und2B , die Abschnitten der Vorrichtung10 der1A und1B ähneln, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen und unterschiedlichen Abschnitten sind unterschiedliche Bezugszeichen zugewiesen. Bezug nehmend auf die2A und2B umfaßt die Vorrichtung30 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung einen Resonator32 , der auf einem Substrat14 hergestellt ist. Die Vorrichtung30 ist zuerst durch ein Ätzen eines Hohlraums34 in das Substrat14 und ein Füllen desselben mit einem geeigneten Opfermaterial, wie z. B. Phosphorsilikatglas (PSG), hergestellt. Dann wird das Substrat14 , das nun den gefüllten Hohlraum34 umfaßt, unter Verwendung bekannter Verfahren, wie z. B. eines chemisch-mechanischen Polierens, planarisiert. Der Hohlraum34 kann einen Evakuierungstunnelabschnitt34a umfassen, der mit einem Evakuierungsdurchgangsloch35 ausgerichtet ist, wodurch das Opfermaterial später evakuiert wird. - Als nächstes wird eine dünne Keimschicht
38 auf dem planarisierten Substrat14 hergestellt. Üblicherweise wird die Keimschicht38 auf das planarisierte Substrat14 aufgeschleudert. Die Keimschicht38 kann unter Verwendung von Aluminiumnitrid (AlN) oder einem anderen ähnlichen kristallinen Material, wie z. B. Aluminiumoxynitrid (ALON), Sili ziumdioxid (SiO2), Siliziumnitrid (Si3N4) oder Siliziumkarbid (SiC), hergestellt werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Keimschicht38 in dem Bereich von etwa 10 × 10–10 m (oder einem Nanometer) bis 10.000 × 10–10 m (oder einem Mikrometer) dick. Techniken und die Prozesse der Herstellung einer Keimschicht sind in der Technik bekannt. Die weithin bekannte und verwendete Aufschleudertechnik kann z. B. zu diesem Zweck verwendet werden. - Dann können über der Keimschicht
38 die folgenden Schichten in dieser Reihenfolge aufgebracht werden: eine untere Elektrodenschicht15 , eine piezoelektrische Schicht17 und eine obere Elektrodenschicht19 . Abschnitte (wie durch Klammern32 angezeigt) dieser Schichten –36 ,15 ,17 und19 – die sich überlappen und über dem Hohlraum34 angeordnet sind, bilden den Resonator32 . Diese Abschnitte werden als ein Keimschichtabschnitt40 , eine untere Elektrode16 , ein piezoelektrischer Abschnitt18 und eine obere Elektrode20 bezeichnet. Die untere Elektrode16 und die obere Elektrode20 umgeben den PZ-Abschnitt18 sandwichförmig. - Die Elektroden
14 und20 sind Leiter, wie z. B. Molybdän, und sind in einem Musterausführungsbeispiel in einem Bereich von 0,3 μm bis 0,5 μm dick. Der PZ-Abschnitt18 ist üblicherweise aus einem Kristall, wie z. B. Aluminiumnitrid (AlN), hergestellt und ist in dem Musterausführungsbeispiel in einem Bereich von 0,5 μm bis 1,0 μm dick. Von der Draufsicht des Resonators32 in2A kann der Resonator etwa 150 μm breit mal 100 μm lang sein. Natürlich können diese Messungen abhängig von einer Anzahl von Faktoren, wie z. B., jedoch ohne Einschränkung, der erwünschten Resonanzfrequenz, den verwendeten Materialien, dem verwendeten Herstellungsprozeß usw., stark variieren. Der dargestellte Resonator32 , der diese Maße aufweist, kann nützlich bei Filtern in der Umgebung von 1,92 GHz sein. Natürlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Größen oder Frequenzbereiche eingeschränkt. - Die Herstellung der Keimschicht
38 sorgt für eine bessere Unterschicht, auf der die PZ-Schicht17 hergestellt werden kann. Folglich kann mit der Keimschicht38 eine PZ-Schicht17 mit höherer Qualität hergestellt werden, was zu einem Resonator32 mit höherer Qualität führt. Tatsächlich ist bei dem vorliegenden Musterausführungsbeispiel das Material, das für die Keimschicht38 und die PZ-Schicht17 verwendet wird, das gleiche Material, nämlich AlN. Dies ist so, da die Keimschicht38 die Keimbildung einer glatteren einheitlicheren unteren Elektrodenschicht15 herbeiführt (nukleiert), was wiederum ein Material mit noch nähere Einkristallqualität für die PZ-Schicht17 fördert. So wird die piezoelektrische Kopplungskonstante der PZ-Schicht17 verbessert. Die verbesserte piezoelektrische Kopplungskonstante ermöglicht es, daß elektrische Filter mit breiterer Bandbreite mit dem Resonator32 gebildet werden und ergibt außerdem besser produzierbare Ergebnisse, da sie sich dem theoretischen maximalen Wert für AlN-Material nah annähert. -
3A stellt eine Draufsicht einer Vorrichtung50 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar.3B ist eine Seitenansicht der Vorrichtung50 aus3A entlang einer Linie C-C. Abschnitte der Vorrichtung50 in den3A und3B ähneln denjenigen der Vorrichtung30 der2A und2B . Aus Bequemlichkeit sind Abschnitten der Vorrichtung50 in den3A und3B , die Abschnitten der Vorrichtung30 der2A und2B ähneln, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen und unterschiedlichen Abschnitten sind unterschiedliche Bezugszeichen zugewiesen. - Bezug nehmend auf die
3A und3B umfaßt die Vorrichtung50 der vorliegenden Erfindung einen Resonator52 , der auf einem Substrat14 hergestellt ist. Die Vorrichtung50 wird ähnlich wie die Vorrichtung30 der2A und2B und so, wie hierin oben erläutert ist, hergestellt. Dies bedeutet, daß eine untere Elektrodenschicht15 , ein piezoelektrische Schicht17 und eine obere Elektrodenschicht19 über einem Substrat14 , das einen Hohlraum34 aufweist, hergestellt werden. Wahlweise wird eine Keimschicht38 zwischen dem Substrat14 , das den Hohlraum34 umfaßt, und der unteren Elektrodenschicht15 hergestellt. Details dieser Schichten sind oben erläutert. Der Resonator52 weist Abschnitte (wie durch Klammern52 angezeigt) dieser Schichten auf –36 ,15 ,17 und19 – die sich überlappen und über dem Hohlraum34 angeordnet sind. Diese Abschnitte werden als ein Keimschichtabschnitt40 , eine untere Elektrode16 , ein piezoelektrischer Abschnitt18 und eine obere Elektrode20 bezeichnet. Schließlich wird eine Schutzschicht54 unmittelbar über der oberen Elektrode20 hergestellt. Die Schutzschicht54 bedeckt zumindest die obere Elektrode20 und kann, wie dies dargestellt ist, einen größeren Bereich als die obere Elektrode20 bedecken. Ferner ist ein Abschnitt der Schutzschicht54 , der über dem Hohlraum34 angeordnet ist, auch ein Teil des Resonators52 . Dies bedeutet, daß ein Abschnitt der Schutzschicht54 Masse zu dem Resonator52 beiträgt und mit allen anderen Teilen –40 ,16 ,18 und20 – des Resonators52 schwingt. - Die Schutzschicht
54 stabilisiert chemisch und reduziert die Tendenz eines Materials, auf der Oberfläche der oberen Elektrode20 zu adsorbieren. Adsorbiertes Material kann die Resonanzfrequenz des Resonators32 verändern. Die Dicke kann außerdem eingestellt sein, um den elektrischen Qualitätsfaktor (q) des Resonators32 zu optimieren. - Ohne die Schutzschicht
54 ist die Resonanzfrequenz des Resonators52 relativ anfälliger gegenüber einem Driften mit der Zeit. Dies ist so, da die obere Elektrode20 , ein leitfähiges Material, aufgrund einer Aussetzung gegenüber Luft und möglicherweise Feuchtigkeit oxidieren kann. Die Oxidation der oberen Elektrode20 verändert die Masse der oberen Elektrode20 , wodurch die Resonanzfrequenz verändert wird. Um das Resonanzfrequenzdriftproblem zu reduzieren oder zu minimieren, ist die Schutzschicht54 üblicherweise unter Verwendung eines inerten Materials hergestellt, das weniger anfällig für eine Reaktion mit der Umgebung ist, wie z. B. Aluminiumoxynitrid (ALON), Siliziumdioxid (SiO2), Siliziumnitrid (Si3N4) oder Siliziumkarbid (SiC). Bei Experimenten wurde die Schutzschicht54 , die eine Dicke von 30 × 10–10 m bis 2 Mikrometer aufweist, hergestellt. Die Schutzschicht54 kann ein AlN-Material umfassen, das auch für die piezoelektrische Schicht17 verwendet werden kann. - Hier verbessert der Keimschichtabschnitt
40 nicht nur die kristalline Qualität des Resonators52 , sondern dient auch als eine Schutzunterschicht, die die untere Elektrode16 vor einer Reaktion mit Luft und möglicherweise Feuchtigkeit aus der Umgebung schützt, die die untere Elektrode16 über das Evakuierungsdurchgangsloch35 erreicht. -
4A stellt eine Draufsicht einer Vorrichtung60 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar.4B ist eine Seitenansicht der Vorrichtung60 aus4A entlang einer Linie D-D.4C ist eine einfache Schematik, die teilweise eine Ersatzschaltung darstellt, die unter Verwendung der Vorrichtung60 gebildet werden kann. Abschnitte der Vorrichtung60 in den4A ,4B und4C ähneln denjenigen der Vorrichtung10 aus1A und1B und der Vorrichtung30 der2A und2B . Aus Bequemlichkeit sind Abschnitten der Vorrichtung60 in den4A ,4B und4C , die Abschnitten der Vorrichtung10 der1A und1B und Abschnitten der Vorrichtung30 der2A und2B ähneln, die gleichen Bezugszeichen zugewiesen und unterschiedlichen Abschnitten sind unterschiedliche Bezugszeichen zugewiesen. - Bezug nehmend auf die
4A ,4B und4C ist die Vorrichtung60 ähnlich wie die Vorrichtung10 der1A und1B und so, wie oben erläutert ist, hergestellt. Dies bedeutet, daß eine untere Elektrodenschicht15 , eine piezoelektrische Schicht17 und eine obere Elektrodenschicht19 über einem Substrat14 , das einen Hohlraum22 aufweist, hergestellt sind. Diese Schichten sind auf eine ähnliche Weise wie die Vorrichtung30 der2A und2B hergestellt und die De tails dieser Schichten sind oben erläutert. Der Resonator12 , vorzugsweise ein Dünnfilmresonator, wie z. B. ein FBAR, weist Abschnitte (durch Klammern12 angezeigt) dieser Schichten –15 ,17 und19 – auf, die sich überlappen und über dem Hohlraum22 angeordnet sind. Diese Abschnitte werden als eine untere Elektrode16 , ein piezoelektrischer Abschnitt18 und eine obere Elektrode20 bezeichnet. - Die Vorrichtung
60 umfaßt zumindest eine Verbindungsanschlußfläche. In den4A und4B dargestellt sind eine erste Verbindungsanschlußfläche62 und eine zweite Verbindungsanschlußfläche64 . Die erste Verbindungsanschlußfläche62 ist mit dem Resonator12 durch seine obere Elektrodenschicht19 verbunden. Die erste Verbindungsanschlußfläche62 steht in Kontakt mit dem Halbleitersubstrat14 , wodurch eine Schottky-Übergang-Diode63 gebildet wird. Betriebscharakteristika derartiger Dioden sind in der Technik bekannt. - Ebenso dargestellt ist eine zweite Verbindungsanschlußfläche
64 , die mit dem Resonator12 durch seine untere Elektrodenschicht15 verbunden ist. Die zweite Verbindungsanschlußfläche64 ist dargestellt, um einen Kontakt mit dem Substrat14 an zwei Stellen herzustellen, wodurch zwei Schottky-Diodenkontakte65 gebildet werden. Tatsächlich kann eine Verbindungsanschlußfläche hergestellt sein, um in Kombination mit dem Substrat14 eine Mehrzahl von Diodenkontakten für den Schutz des Resonators, mit dem dieselbe verbunden ist, zu bilden. Die Kontakte65 von einer einzelnen Anschlußfläche64 bilden elektrisch eine einzelne Schottky-Diode. - Die Verbindungsanschlußflächen
62 ,64 sind üblicherweise unter Verwendung leitfähiger Metalle, wie z. B. Gold, Nickel, Chrom, anderer geeigneter Materialien oder einer Kombination derselben hergestellt. -
4C kann verwendet werden, um die Operationen der Filterschaltung72 , die den Resonator12 aufweist, zu be schreiben. Normalerweise fließt kein Strom durch die Dioden63 und65 , da die Diode63 in einer Richtung als eine offene Schaltung wirkt, während die Diode65 als eine geschlossene Schaltung in der entgegengesetzten Richtung wirkt. Wenn jedoch eine elektrostatische Spannungsspitze in den Resonator12 über seine Verbindungsanschlußfläche64 (vielleicht von einer Antenne66 ) eingeführt wird, bricht die Diode63 durch. Wenn die Diode63 durchbricht, ist dieselbe wirksam eine geschlossene Kurzschlußschaltung und ermöglicht es, daß die Spannungsspitze auf das Substrat14 und schließlich auf Masse68 übertragen wird, wodurch der Resonator12 vor der Spannungsspitze geschützt wird. Die andere Diode65 wirkt ähnlich, um den Resonator12 vor Spannungsspitzen von anderen Elektronikschaltungen70 , die mit dem Filter72 verbunden sind, zu schützen. Dies bedeutet, daß zwei Metallanschlußflächen, z. B. die Anschlußflächen62 und64 , die mit elektrisch entgegengesetzten Seiten des Resonators12 verbunden sind, die auf einem Halbleitersubstrat hergestellt sind, eine elektrische Schaltung von zwei antiparallelen (back-to-back) Schottky-Dioden erzeugen, die es ermöglichen, daß elektrostatische Hochspannungsentladungen unschädlich in das Substrat dissipieren, anstelle die piezoelektrische Schicht, z. B. die PZ-Schicht17 , irreversibel durchzubrechen, die die obere und die untere Elektrode, z. B. die Elektroden16 und20 , voneinander trennt. Ein elektronisches schematisches Diagramm aus4C stellt eine derartige Verbindung dar. - Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel kann eine einzelne Vorrichtung einen Resonator umfassen, der alle oben erläuterten Merkmale aufweist, einschließlich der Keimschicht
38 und der Schutzschicht54 , die in den2A ,2B ,3A und3B dargestellt ist, und der Verbindungsanschlußflächen62 und64 (die Schottky-Dioden63 und65 bilden), die in den4A und4B dargestellt sind. Bei dem alternativen Ausführungsbeispiel können die Anschlußflächen62 und64 auf der Keimschicht38 mit mehreren Mikrometern Überhang über und über die obere Elektrodenschicht19 und die untere Elektrodenschicht15 hinaus gebildet sein.
Claims (13)
- Resonator (
32 ), der auf einem Substrat (14 ) hergestellt ist, wobei der Resonator (32 ) folgende Merkmale aufweist: einen Keimschichtabschnitt (40 ); eine untere Elektrode (16 ); einen piezoelektrischen Abschnitt (18 ) auf der unteren Elektrode (16 ); und eine obere Elektrode (20 ) auf dem piezoelektrischen Abschnitt (18 ), wobei die untere Elektrode (16 ) auf dem Keimschichtabschnitt (40 ) ausgebildet ist. - Resonator (
32 ) gemäß Anspruch 1, bei dem der Keimschichtabschnitt (40 ) Aluminiumnitrid aufweist. - Resonator (
32 ) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem der Keimschichtabschnitt (40 ) eine Dicke in einem Bereich von 10 × 10–10 m bis 10.000 × 10–10 m aufweist. - Resonator (
32 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Keimschichtabschnitt (40 ) und der piezoelektrische Abschnitt (18 ) das gleiche Material aufweisen. - Resonator (
32 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Keimschichtabschnitt (40 ) und der piezoelektrische Abschnitt (18 ) Aluminiumnitrid aufweisen und die untere Elektrode (16 ) und die obere Elektrode (20 ) Molybdän aufweisen. - Resonator (
32 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Resonator (32 ) über einem Hohlraum (34 ) im Substrat (14 ) hergestellt ist. - Elektronisches Filter, das einen Resonator (
32 ) aufweist, der auf einem Substrat (14 ) hergestellt ist, wobei der Resonator (32 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 ausgebildet ist. - Verfahren zum Herstellen eines Resonators (
32 ), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (14 ); Herstellen einer Keimschicht (38 ) auf dem Substrat (14 ); Herstellen einer unteren Elektrode (16 ) auf der Keimschicht (38 ); Herstellen eines piezoelektrischen Abschnitts (18 ) auf der unteren Elektrode (16 ); und Herstellen einer oberen Elektrode (20 ) auf dem piezoelektrischen Abschnitt (18 ). - Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem die Keimschicht (
40 ) Aluminiumnitrid aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 8 oder 9, bei dem die Keimschicht (
40 ) eine Dicke in einem Bereich von 10 × 10–10 m bis 10.000 × 10–10 m aufweist. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem die Keimschicht (
40 ) und der piezoelektrische Abschnitt (18 ) das gleiche Material aufweisen. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, bei dem die Keimschicht (
40 ) und der piezoelektrische Abschnitt (18 ) Aluminiumnitrid aufweisen und die untere Elektrode (16 ) und die obere Elektrode (20 ) Molybdän aufweisen. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, bei dem der Resonator (
32 ) über einem Hohlraum (34 ) im Substrat (14 ) hergestellt wird.
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