DE10329332B4 - Kristallisationsverfahren und Maske zum sequentiellen Querverfestigen sowie Vorrichtung diese benutzend - Google Patents

Kristallisationsverfahren und Maske zum sequentiellen Querverfestigen sowie Vorrichtung diese benutzend Download PDF

Info

Publication number
DE10329332B4
DE10329332B4 DE10329332A DE10329332A DE10329332B4 DE 10329332 B4 DE10329332 B4 DE 10329332B4 DE 10329332 A DE10329332 A DE 10329332A DE 10329332 A DE10329332 A DE 10329332A DE 10329332 B4 DE10329332 B4 DE 10329332B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mask
section
along
silicon layer
middle section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10329332A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10329332A1 (de
Inventor
Yun-Ho Jung
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of DE10329332A1 publication Critical patent/DE10329332A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10329332B4 publication Critical patent/DE10329332B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B23K26/0661—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks disposed on the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/02—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the solid state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
    • H01L21/0268—Shape of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691—Scanning of a beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1012—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with a window or port for visual observation or examination

Abstract

Verfahren zum Bilden einer polykristallinen Siliziumschicht aus einer amorphen Siliziumschicht auf einem Substrat, aufweisend:
Anordnen einer Maske (100) über der amorphen Siliziumschicht, wobei die Maske (100) eine Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102) hat, wobei die Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102) in einer stufenförmigen Anordnung versetzt angeordnet sind und in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung in einem Abstand zueinander getrennt angeordnet sind, wobei die zweite Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei jeder lichtdurchlässige Bereich (102) einen Mittelabschnitt (106) und einen ersten Seitenabschnitt (108a) und einen zweiten Seitenabschnitt (108b) hat, welche einander gegenüberliegenden Seiten des Mittelabschnitts (106) entlang der ersten Richtung benachbart sind, und wobei jeder der Abschnitte eine Länge entlang der ersten Richtung und eine Breite entlang der zweiten Richtung hat, wobei die Breite des ersten Seitenabschnitts (108a) und des zweiten Seitenabschnitts (108b) vom Mittelabschnitt (106) weg entlang der ersten Richtung abnimmt, wobei in der ersten...

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 2002-88532 , eingereicht am 31. Dezember 2002, welche hiermit durch Referenz für alle Zwecke als ob hierin vollständig offengelegt, eingeschlossen ist.
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Kristallisation einer amorphen Siliziumschicht und insbesondere auf eine Maske zum sequentiellen Querverfestigen einer amorphen Siliziumschicht und eine Vorrichtung zur Kristallisation davon.
  • Im Allgemeinen ist Silizium in amorphes Silizium (a-Si) und polykristallines Silizium (p-Si) gemäß der Phase von Silizium klassifiziert. Da amorphes Silizium (a-Si) bei einer tiefen Temperaturen abgeschieden werden kann, um einen dünnen Film auf einem Glassubstrat zu bilden, wird amorphes Silizium (a-Si) gewöhnlich in Schaltvorrichtungen von Flüssigkristallanzeigen (LCDs) benutzt, unter Verwenden des Glassubstrats benutzt wird. Unglücklicherweise haben amorphe Silizium-Dünnfilmtransistoren (a-Si-TFTs) relativ langsame Anzeigeantwortzeiten aufgrund ihrer schlechten elektrischen Eigenschaften, welche ihre Anwendbarkeit für LCDs mit großer Fläche begrenzen.
  • Im Gegensatz dazu haben polykristalline Silizium-Dünnschichttransistoren (p-Si-TFTs) viel schnellere Anzeigeantwortzeiten. Daher ist polykristallines Silizium (p-Si) gut zum Gebrauch in großen LCD-Vorrichtungen, wie Laptopcomputer und an Wänden angebrachte Fernseher, geeignet. Ein dünner Film von polykristallinem Silizium ist zusammengesetzt aus Kristallkörner, welche Korngrenzen haben.
  • Je größer die Körner sind und umso gleichmäßiger die Korngrenzen sind, desto besser ist die Feldeffektmobilität. Daher würde ein Siliziumkristallisationsverfahren, welches große Körner produziert, idealerweise einen Einkristall, vorteilhaft sein.
  • Ein Verfahren zum Umkristallisieren von amorphem Silizium in polykristallines Silizium, ist das sequentielle Querverfestigen (sequential lateral solidification, SLS). Das SLS-Verfahren benutzt die Tatsache, dass Siliziumkörner dazu tendieren, seitwärts von den Grenzbereichen zwischen Silizium mit flüssiger Phase und Silizium mit fester Phase zu wachsen, so dass die sich ergebenden Korngrenzen senkrecht zu den Grenzbereichen sind. Bei dem SLS-Verfahren wird amorphes Silizium kristallisiert, durch Bestrahlen eines bestimmten Bereichs mit einem Laserstrahl durch eine Maske, so dass das geschmolzene Silizium seitwärts gewachsene Siliziumkörner nach der Umkristallisierung bildet. Als Nächstes wird die Maske bewegt und der Laser bestrahlt einen neuen Bereich. Dieses Verfahren wird dann wiederholt, bis der gewünschte Bereich kristallisiert ist.
  • 1 ist eine schematische Ansicht, welche einen Aufbau einer Vorrichtung zum sequentiellen Querverfestigen gemäß dem Stand der Technik zeigt.
  • In 1 weist eine Vorrichtung für ein sequentielles Querverfestigen (SLS) einen Lasergenerator 36, eine erste optische Einheit 40, eine Maskenanordnung 32, eine zweite optische Einheit 42 und eine Stufe 46 auf. Der Lasergenerator 36 erzeugt und emittiert einen Laserstrahl 34. Die Intensität des Laserstrahls 34 kann durch einen Abschwächer (nicht gezeigt) im Pfad des Laserstrahls 34 eingestellt werden. Der Laserstrahl 34 wird dann durch die erste optische Einheit 40 gebündelt und auf die Maskenanordnung 32 gerichtet. Der Laserstrahl 34 wird durch die Maskenanordnung 32 bearbeitet und dann wieder durch die zweite optische Einheit 42 gebündelt. Der gebündelte Laserstrahl 34 wird auf einen bestimmte Bereich eines Substrats 44 auf der Stufe 46 gestrahlt, welche entlang der X-Richtung und Y-Richtung bewegbar ist. Obwohl nicht in 1 gezeigt, wird eine Pufferschicht auf dem Substrat gebildet und eine amorphe Siliziumschicht auf der Pufferschicht gebildet. Ein Dehydrierungsverfahren kann für die amorphe Siliziumschicht vor dem Kristallisierungsverfahren durchgeführt werden.
  • Die Maskenanordnung 32 beinhaltet eine Maske 38, welche einen lichtdurchlässigen Bereich "A" hat, durch welchen der Laserstrahl 34 durchläuft und einen Abschirmbereich "B", welcher den Laserstrahl 34 abschirmt. Entsprechend hängt die bestrahlte Form der amorphen Siliziumschicht von der Maske 38 ab. Da die Größe des Laserstrahls 34 und die Größe der Maske 38 im gegenwärtigen Stand der Technik begrenzt sind, ist es unmöglich die gesamte amorphe Siliziumschicht gleichzeitig zu kristallisieren. Dadurch werden zur Kristallisierung der amorphen Siliziumschicht unter Benutzung der Vorrichtung nach dem SLS-Verfahren die folgenden Schritte wiederholt: der Laserstrahl 34 bestrahlt das Substrat durch die Maske 38; und das Substrat 44 oder die Maskenanordnung 32 bewegen sich einige μm oder einige zehn μm. Dadurch wird in einer Zeit ein Abschnitt der amorphen Siliziumschicht kristallisiert und der Kristallisierungsprozess wird für jeden Abschnitt wiederholt.
  • 2A bis 2C sind schematische Draufsichten, welche Kristallisationszustände einer amorphen Siliziumschicht mittels eines SLS-Verfahren gemäß dem Stand der Technik zeigen. Zum Beispiel wird eine Vorrichtung für das SLS-Verfahren aus 1 benutzt.
  • In 2A bestrahlt ein Laserstrahl 34 (1) eine amorphe Siliziumschicht 52 durch eine Maske 38 (1). Entsprechend wird nur ein erster Bestrahlungsbereich der amorphen Siliziumschicht 52 geschmolzen. Die Bestrahlungsbereiche schließen einen ersten Abschnitt D, einen zweiten Abschnitt E und einen dritten Abschnitt F ein, welche dem lichtdurchlässigen Bereich A (1) der Maske 38 (1) entsprechen. Hier ist die Laserstrahlenergie (1) innerhalb des gesamten Schmelzbereichs, in dem die amorphe Siliziumschicht 52 komplett geschmolzen ist.
  • Nachdem der Laserstrahl 34 (1) zuerst das Substrat bestrahlt hat, wächst ein Siliziumkorn 58a seitwärts von einem Grenzbereich 56 zwischen verflüssigtem Silizium und angrenzendem festen Silizium so dass polykristallines Silizium gebildet. Das Siliziumkorn 58a wächst gegen ein Zentrum des verflüssigten Silizium entlang einer senkrechten Richtung zu dem Grenzbereich 56. Die maximale Distanz des Kornwachstums hängt von verschiedenen Faktoren wie der Energiedichte des Laserstrahls, der Substrattemperatur und dem Zustand der amorphen Siliziumschicht ab. Im Allgemeinen ist die maximale Distanz des Kornwachstums innerhalb eines Bereiches von ungefähr 1 μm bis ungefähr 2 μm. Wenn die Breite des lichtdurchlässigen Bereichs A (1) der Maske 38 (1) größer ist als zweimal die maximale Distanz des Kornwachstums, wird ein Bereich von mikrokristallinem Silizium zwischen den Körner erzeugt, welche von den Grenzbereichen 56 wachsen. Um die Erzeugung eines Bereichs von mikrokristallinem Silizium zu verhindern, sollte die Breite des lichtdurchlässigen Bereichs A (1) der Maske 38 (1) weniger als zweimal die maximale Entfernung des Kornwachstums sein. Polykristallines Silizium, welches dem lichtdurchlässigen Bereich A (1) der Maske 38 (1) entspricht, wird in der amorphen Siliziumschicht 52 durch die erste Bestrahlung mit dem Laserstrahl gebildet.
  • In 2B bestrahlt der Laserstrahl 34 (1) die amorphe Siliziumschicht 52 (2A) ein zweites Mal durch die Maske 38 (1). Der zweite Bestrahlungsbereich des Laserstrahls 34 (1) überlappt teilweise mit dem ersten Bestrahlungsbereich, welcher den ersten Abschnitt D, den zweiten Abschnitt E und den dritten Abschnitt F (2A) aufweist, welcher durch die erste Bestrahlung des Laserstrahls 34 (1) kristallisiert wurde, um, von der Kristallisation durch die erste Bestrahlung mit dem Laserstrahl 34 (1), unabhängiges Kornwachstum zu verhindern. Wenn die maximale Distanz von Kornwachstum innerhalb eines Bereichs von ungefähr 1 μm bis ungefähr 2 μm ist, sollte sich das Substrat 44 (1) oder die Maskenanordnung 32 (1) einer Vorrichtung für das SLS-Verfahren um eine Distanz von weniger als ungefähr 1 μm bewegen. Dementsprechend umfasst der zweite Bestrahlungsbereich einen Anteil des Umfangs des ersten Bestrahlungsbereichs und die, zu einem ersten Bestrahlungsbereich benachbarte, amorphe Siliziumschicht. Das polykristalline Silizium und das amorphe Silizium in dem zweiten Bestrahlungsbereich werden geschmolzen und dann wie oben beschrieben kristallisiert. Das Korn des ersten Bestrahlungsbereichs wächst daher seitwärts weiter im zweiten Bestrahlungsbereich.
  • Wie in 2C gezeigt, wird die amorphe Siliziumschicht 52 (2A) aus einem Abschnitt durch Wiederholen der Bestrahlung und der Bewegung kristallisiert und dadurch die gesamte amorphe Siliziumschicht 52 (2A) kristallisiert.
  • Obwohl das SLS-Verfahren große Körner produziert, ist die Kristallisationsrichtung auf entweder die vertikalen oder die horizontalen Richtungen begrenzt. Weiterhin nimmt die Zeit, die benötigt wird um die Maske um das Substrat zu bewegen, einen bedeutenden Anteil an der gesamten Prozesszeit ein, da sich die Maske oder das Substrat nur um einige μm entlang der Kristallisationsrichtung bewegen. Das vermindert den Herstellungsdurchfluss wesentlich. Daher wird eine Maske vorgeschlagen, welche eine neue Musterform hat.
  • 3 ist eine schematische Draufsicht, welche eine Musterform einer Maske für ein sequentielles Querverfestigungsverfahren gemäß dem Stand der Technik hat.
  • In 3 weist eine Maske 62 für ein sequentielles Querverfestigungsverfahren (SLS), erste bis sechste lichtdurchlässige Bereiche "N1" bis "N6" auf, welche eine gleiche rechteckige Form haben. Die Anzahl der lichtdurchlässigen Bereiche kann mehr oder weniger als sechs sein. Die sechs lichtdurchlässigen Bereiche N1 bis N6 sind entlang horizontaler Richtung H und vertikaler Richtung V angeordnet. Die ersten bis dritten lichtdurchlässigen Bereiche N1 bis N3 sind in einer stufenförmigen Anordnung entlang der horizontalen Richtung H angeordnet. Die vierten bis sechsten lichtdurchlässigen Bereiche N4 bis N6 sind gleichermaßen in einer stufenförmigen Anordnung entlang der horizontalen Richtung H angeordnet. Der erste lichtdurchlässige Bereich N1 und der vierte lichtdurchlässige Bereich N4 sind im Abstand zueinander entlang der vertikalen Richtung V angeordnet. Gleichermaßen sind der zweite lichtdurchlässige Bereich N2 und der fünfte lichtdurchlässige Bereich N5 und der dritte lichtdurchlässige Bereich N3 und der sechste lichtdurchlässige Bereich N6 entlang der vertikalen Richtung V voneinander getrennt angeordnet. Die ersten bis dritten lichtdurchlässigen Bereiche N1 bis N3 treffen sich an ihren Enden. Die vierten bis sechsten lichtdurchlässigen Bereiche N4 bis N6 treffen sich ebenso an ihren Enden. Nach erster Bestrahlung durch den Laserstrahl 34 (1) bewegt sich die Maske 62 oder das Substrat 44 (1) entlang der horizontalen Richtung H um die Länge jedes lichtdurchlässigen Bereichs P.
  • 4A bis 4C sind schematische Draufsichten, welche Kristallisationszustände einer amorphen Siliziumschicht mittels eines sequentiellen Querverfestigungsverfahrens gemäß dem Stand der Technik zeigen.
  • 4A zeigt einen Kristallisationszustand einer amorphen Siliziumschicht 52 nach der ersten Bestrahlung durch den Laserstrahl 34 (1), wobei ein Maske 62 (3) benutzt wird. Erste bis sechste polykristalline Siliziumbereiche M1 bis M6, welche den ersten bis sechsten lichtdurchlässigen Bereichen N1 bis N6 der Maske 62 (3) entsprechen, werden in der amorphen Siliziumschicht 52 gebildet.
  • In 4B zeigen die durchgezogenen Linien die neue Position der Maske 62 (3) nach der ersten Bestrahlung. Die Maske 62 oder das Substrat 44 (1) bewegen sich entlang einer horizontalen Richtung H (3) um eine Länge P (3). (Die Maske 62 bewegt sich in der entgegengesetzten Richtung zu dem Substrat 44.) Nachdem sich die Maske 62 oder das Substrat 44 (1) bewegt hat, bestrahlt der Laserstrahl 34 (1) die amorphe Siliziumschicht 52 ein zweites Mal.
  • 4C zeigt den Kristallisationszustand der amorphen Siliziumschicht 52 nach der zweiten Bestrahlung durch den Laserstrahl 34 (1). Der polykristalline Siliziumbereich ist entlang der horizontalen Richtung H und der vertikalen Richtung V (3) vergrößert.
  • Wie in 4D gezeigt, wird die gesamte amorphe Siliziumschicht 52 (4A bis 4C) durch wiederholtes Strahlen und Bewegen um eine Länge P (3) in eine polykristalline Siliziumschicht 52a kristallisiert.
  • Im Kristallisationsprozess, welcher die Maske 62 (3) benutzt, welche sechs lichtdurchlässige Bereiche N1 bis N6 (3) hat, wird der polykristalline Siliziumbereich sowohl entlang der horizontalen Richtung H, als auch entlang der vertikalen Richtung V (3) erweitert, obwohl sich die Maske 62 (3) entlang der horizontalen Richtung H (3) bewegt. Entsprechend wird die Prozesszeit reduziert und aufgrund der regelmäßigen Bestrahlung und Bewegung, eine gleichförmige polykristalline Siliziumschicht erhalten.
  • Dennoch haben die Maske 62 (3) und das, in 4A bis 4D, dargestellte Kristallisationsverfahren einige Nachteile, wie eine Ungleichmäßigkeit der Kristallisation auf der Grenzlinie zwischen dem ersten bestrahlen Bereich und dem zweiten bestrahlten Bereich. Wie in 4B gezeigt, überlappt der erste lichtdurchlässige Bereich N1 den ersten polykristallinen Siliziumbereich M1 während der zweiten Bestrahlung durch den Laserstrahl nicht, da sich die Maske 62 (3) um eine Länge P (3) bewegt. Wenn der Laserstrahl durch den lichtdurchlässigen Bereich der Maske durchläuft, wird der Laserstrahl aufgrund von Streuung an der Grenze des lichtdurchlässigen Bereichs gestört. Demzufolge reicht die Energie des Laserstrahls nicht zur Kristallisation an der Grenze des lichtdurchlässigen Bereichs aus und die amorphe Siliziumschicht ist an der Grenze des ersten polykristallinen Siliziumbereichs M1 nicht genügend kristallisiert. Da der zweite bestrahlte Bereich den ersten bestrahlten Bereich entlang der vertikalen Richtung V (3) überlappt, wird die ungenügend kristallisierte amorphe Siliziumschicht an der oberen und unteren Grenze umkristallisiert in einer folgenden Bestrahlung durch den Laserstrahl. Dennoch, wird die ungenügend kristallisierte amorphe Siliziumschicht an rechter und linker Grenze, auch in einer folgenden Bestrahlung durch den Laserstrahl, nicht ausgeheilt und umkristallisiert, da der zweite bestrahlte Bereich nicht den ersten bestrahlten Bereich entlang der horizontalen Richtung H (3) überlappt. Folglich hat die amorphe Siliziumschicht an der Grenzlinie K (4B) zwischen dem ersten und zweiten bestrahlten Bereich eine schlechte Kristallisation. Wenn eine Vorrichtung, wie ein Dünnfilmtransistor, an der Grenzlinie K ausgebildet wird, verursacht diese schlechte Kristallisierung an der Grenzlinie K eine Herabsetzung der elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung.
  • Aus der Schrift WO 02/086954 A1 ist ein Querverfestigungsverfahren zum Bestrahlen amorpher Siliziumschichten bekannt, wobei eine Maske mit einer Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche angewendet wird, die in einer ersten Richtung getrennt und stufenförmig angeordnet sind. Hierbei überlappen sich stufenförmig versetzte benachbarte lichtdurchlässige Bereiche jedoch nicht entlang einer zweiten Richtung.
  • US 2002/0179004 A1 offenbart ein Siliziumkristallisationsverfahren, wobei eine Maske lichtdurchlässige Bereiche mit einem Mittelabschnitt und einander gegenüberliegenden Seitenabschnitten aufweist, die sich jeweils nach außen verjüngen.
  • Aus der Patentanmeldung US 2001/0016375 A1 ist ein Verfahren zum Herstellen einer polykristallinen Siliziumschicht bekannt, wobei Silizium in einem Bereich geringer Energiedichte partiell geschmolzen wird und in einem Bereich mit hoher Energiedichte vollständig geschmolzen wird.
  • Dementsprechend ist die Erfindung auf ein sequenzielles Querverfestigungsverfahren gerichtet, welches eines oder mehrere der Probleme aufgrund der Beschränkungen und Nachteile des Standes der Technik im Wesentlichen vermeidet.
  • Ein Vorteil der Erfindung ist die Bereitstellung einer Maske für ein sequenzielles Querverfestigungsverfahren und eines Kristallisationsverfahrens, welches Gleichmäßigkeit der Kristallisation und Produktionsausbeute aufgrund einer Herabsetzung der Prozesszeit verbessert.
  • Zusätzliche Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung erklärt und werden teilweise aus der Beschreibung offensichtlich oder können durch Anwenden der Erfindung gelernt werden. Die Ziele und andere Vorteile der Erfindung werden realisiert und erreicht durch die Struktur, welche besonders in der geschriebenen Beschreibung aufgezeigt sind und Ansprüchen hieraus genauso, wie aus den angefügten Abbildungen.
  • Um diese und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der Erfindung, wie ausgeführt und ausführlich beschrieben, weist ein Verfahren zum Bilden einer polykristallinen Siliziumschicht auf: Anordnen einer Maske über der amorphen Siliziumschicht, wobei die Maske eine Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche hat, wobei die Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche in einer stufenförmigen Anordnung voneinander getrennt in einer ersten Richtung und in einer zweiten Richtung angeordnet sind, wobei die zweite Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei jeder lichtdurchlässige Bereich einen Mittelabschnitt und einen ersten Seitenabschnitt und einen zweiten Seitenabschnitt hat, welche gegenüberliegenden Enden des Mittelabschnitts entlang der ersten Richtung benachbart sind und wobei jeder der Abschnitte eine Länge entlang der ersten Richtung und eine Breite entlang der zweiten Richtung hat und wobei die Breite der ersten Teile und der zweiten Teile vom Mittelabschnitt weg entlang der ersten Richtung abnimmt, und wobei in der ersten Richtung benachbarte lichtdurchlässige Bereiche derartig versetzt angeordnet sind, dass sie einander entlang der zweiten Richtung überlappen; ein erstes Mal mit einem Laserstrahl auf die amorphe Siliziumschicht durch die Maske strahlen, so dass eine Mehrzahl erster bestrahlter Bereiche entsprechend der Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche gebildet wird, wobei jeder erste bestrahlte Bereich einen Mittelabschnitt und einen ersten Seitenabschnitt und einen zweiten Seitenabschnitt auf beiden Seiten des Mittelabschnitts hat; Bewegen des Substrats und der Maske relativ zueinander, so dass der erste Seitenabschnitt jedes lichtdurchlässigen Bereichs sich mit dem Mittelabschnitt jedes ersten bestrahlten Bereichs überlappt; und ein zweites Mal mit dem Laserstrahl auf die amorphe Siliziumschicht durch die Maske strahlen, um entsprechend der Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche eine Mehrzahl zweiter bestrahlter Bereiche zu bilden.
  • In einem anderen Aspekt der Erfindung weist eine Maske einer Laservorrichtung zum Bilden einer polykristallinen Siliziumschicht eine Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche auf, wobei die Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche in einer stufenförmigen Anordnung entlang einer ersten Richtung angeordnet sind und im Abstand zueinander entlang der ersten und einer zweiten Richtung angeordnet sind, wobei jeder lichtdurchlässige Bereich einen Mittelabschnitt und einen ersten Seitenabschnitt und einen zweiten Seitenabschnitt auf beiden Seiten des ersten Mittelteils hat, wobei in der ersten Richtung benachbarte lichtdurchlässige Bereiche derartig versetzt angeordnet sind, dass sie einander entlang der zweiten Richtung überlappen; und einen Abschirmbereich, welcher einen Laserstrahl der Laservorrichtung abschirmt.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der Erfindung weist eine Vorrichtung zum Bilden einer polykristallinen Siliziumschicht aus einer amorphen Siliziumschicht einen Laser, mit dem die amorphe Schicht bestrahlt wird, so dass eine polykristalline Schicht gebildet wird, und eine Maske mit einem Abschirmbereich und einer Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche auf, wobei die Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche in einer stufenförmig versetzten Anordnung entlang einer ersten Richtung angeordnet sind und im Abstand zueinander de entlang der ersten und einer zweiten Richtung angeordnet sind, wobei jeder lichtdurchlässige Bereich einen Mittelabschnitt hat und einen ersten Seitenabschnitt und einen zweiten Seitenabschnitt, die dem Mittelabschnitt an gegenüberliegenden Seiten benachbart sind, wobei in einer ersten Richtung benachbarte lichtdurchlässige Bereiche derartig versetzt angeordnet sind, dass sie einander entlang einer zweiten Richtung überlappen, die im wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist.
  • Es ist selbstverständlich, dass beide, die vorangegangene allgemeine Beschreibung und die folgende detaillierte Beschreibung, beispielhaft und erläuternd sind und sie beabsichtigt sind, um weitere Erklärungen der Erfindung wie beansprucht, bereitzustellen.
  • Die beigefügten Abbildungen, welche enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu verschaffen und in dieser Anwendung aufgenommen sind und einen Teil dieser Beschreibung bilden, stellen Ausführungsbeispiele dieser Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erklärung des Prinzips dieser Erfindung.
  • 1 eine schematische Ansicht, welche eine Anordnung einer Vorrichtung für ein sequenzielles Querverfestigungsverfahren gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • 2A bis 2C sind schematische Draufsichten, welche Kristallisationszustände einer amorphen Siliziumschicht eines sequenziellen Querverfestigungsverfahren gemäß dem Stand der Technik zeigen;
  • 3 ist eine schematische Draufsicht, welche eine Musterform einer Maske für ein sequentielles Querverfestigungsverfahren gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • 4A bis 4C sind schematische Draufsichten, welche Kristallisationszustände einer amorphen Siliziumschicht mittels eines sequenziellen Querverfestigungsverfahren gemäß dem Stand der Technik zeigen;
  • 5A ist eine schematische Draufsicht, welche eine Musterform einer Maske für ein sequenzielles Querverfestigungsverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
  • 5B ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts G von 5A;
  • 5C ist eine schematische Draufsicht, welche einen Zustand einer Laserbestrahlung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
  • 6A ist eine schematische Draufsicht, welche die Musterform einer Maske für ein sequenzielles Querverfestigungsverfahren gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
  • 6B ist eine schematische Ansicht, welche die Positionsbeziehung zwischen einer Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen einer Maske gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt; und
  • 6C ist eine schematische Draufsicht, welche einen Zustand von Laserbestrahlung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • Es wird im Detail auf die Ausführungsbeispiele der Erfindung Bezug genommen, welche in den begleitenden Abbildungen dargestellt sind. Wo immer möglich wird das gleiche Bezugszeichen durchgehend in den Abbildungen benutzt, um die gleichen oder dieselben Teile zu bezeichnen.
  • 5A ist eine schematische Draufsicht, welche eine Musterform einer Maske für ein sequenzielles Querverfestigungsverfahren (SLS) (sequential lateral solidification method) gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • In 5A weist eine Maske 100 für ein SLS-Verfahren eine Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 102 und einen Abschirmbereich 104 auf. Ein Laserstrahl läuft durch die Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 102 und wird abgeschirmt durch den Abschirmbereich 104. Die Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 102 kann so angeordnet sein, dass jeder lichtdurchlässige Bereich 102 eine identische Form hat und kann entlang erster Richtung X1 und zweiter Richtung X2 wiederholt sein, welche im Wesentlichen senkrecht zueinander sein können. Jeder lichtdurchlässige Bereich 102 weist einen Mittelabschnitt 106 und einen ersten Seitenabschnitt 108a und einen zweiten Seitenabschnitt 108b auf beiden Seiten des Mittelabschnitts 106 auf. Der Mittelabschnitt 106 kann im Wesentlichen rechteckige Form haben, welche aus zwei langen Seiten und zwei kurzen Seiten zusammengesetzt ist und der erste Seitenabschnitte 108a und der zweite Seitenabschnitt 108b können eine sich zuspitzende Form haben, bei der die Breite allmählich abnimmt. Jeder lichtdurchlässige Bereich 102 hat als ein Ganzes eine lange, im Wesentlichen sechseckige Form. Der erste Seitenabschnitt 108a und der zweite Seitenabschnitt 108b können auch eine Halbkreisform oder eine Halbellipsenform haben. Die langen Seiten des Mittelabschnitts 106 sind im Wesentlichen parallel zur ersten Richtung X1. In einem folgenden Bewegungsschritt des SLS-Verfahrens bewegt sich die Maske 100 (oder ein Substrat) entlang der ersten Richtung X1, d.h. eine Richtung, die im Wesentlichen parallel zu der langen Seite des Mittelabschnitts 106 ist.
  • Die Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 102 sind in einer stufenförmigen Anordnung entlang der ersten Richtung X1 angeordnet und im Abstand zueinander entlang der ersten und zweiten Richtung X2 getrennt. Zum Beispiel hat ein lichtdurchlässiger Bereich N5 einen rechten benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N3 und einen linken benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N6 entlang der ersten Richtung X1 und einen oberen lichtdurchlässigen Bereich N2 und einen unteren benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N8 entlang der zweiten Richtung X2. Der lichtdurchlässige Bereich N5 und der rechte lichtdurchlässige Bereich N3, sowie der linke benachbarte lichtdurchlässige Bereich N1 sind entlang der ersten Richtung X1 angeordnet, so dass sie eine Stufe aufweisen. Der lichtdurchlässige Bereich N5 und der obere lichtdurchlässige Bereich N2 sowie der untere lichtdurchlässige Bereich N8 sind entlang der zweiten Richtung X2 angeordnet, so dass sie im Wesentlichen parallel zueinander sind und im Abstand zueinander getrennt angeordnet sind.
  • 5B ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils G von 5A. In 5B hat ein lichtdurchlässiger Bereich N1 einen Mittelabschnitt 106 und einen ersten Seitenabschnitt 108a und einen zweiten Seitenabschnitt 108b auf jeder Seite des Mittelabschnitts 106. Der Mittelabschnitt 106 hat im Wesentlichen rechteckige Form mit ersten langen Seiten 106a und zweiten langen Seiten 106b, welche im Wesentlichen parallel zu einer ersten Richtung X1 sind und erste kurze Seiten 106c und zweite kurze Seiten 106d, welche im Wesentlichen parallel zu einer zweiten Richtung X2 sind. Die ersten langen Seiten 106a und die zweiten langen Seiten 106b haben eine erste Länge L1 und die ersten kurzen Seiten 106c und die zweiten kurzen Seiten 106d haben eine zweite Länge L2. Der lichtdurchlässige Bereich N1 und ein unterer benachbarter lichtdurchlässiger Bereich N5 sind entlang der zweiten Richtung X2 angeordnet, so dass sie eine erste Distanz L3 dazwischen haben. Der lichtdurchlässige Bereich N1 und der rechte benachbarte lichtdurchlässige Bereich N3 sind entlang der ersten Richtung X1 angeordnet und die jeweiligen langen Seiten haben eine zweite Distanz L4 zwischen sich entlang der zweiten Richtung X2. Die erste Distanz L3 ist kleiner als die zweite Länge L2. Wenn der erste lichtdurchlässige Bereich N1 und der rechte benachbarte Bereich N3 entlang der ersten Richtung Xi bewegt werden, trifft oder überlappt der rechte benachbarte Bereich N3 den lichtdurchlässigen Bereich N1. Weiterhin ist die zweite Distanz L4 größer als die Hälfte der zweiten Länge L2 und kleiner als die zweite Länge L2. Die erste Distanz L3 entspricht der Breite des Abschirmbereichs 104 zwischen dem lichtdurchlässigen Bereich N1 und einem unteren benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N5. In einem folgenden Schritt des SLS-Verfahrens bewegt sich die Maske einen Schritt gleich oder kleiner als die erste Länge L1 entlang der ersten Richtung X1. Dementsprechend sind die ersten Seitenabschnitte 108a und die zweiten Seitenabschnitte 108b der benachbarten lichtdurchlässigen Bereiche um eine virtuelle Linie im Wesentlichen parallel zu der zweiten Richtung X2 angebracht, so dass die gesamte amorphe Siliziumschicht kristallisiert wird.
  • 5C ist eine schematische Draufsicht, welche den Zustand der Laserbestrahlung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt. Die durchgezogenen Linien zeigen die ersten bestrahlten Bereiche, die Strich-Punkt-Linie zeigt zweite bestrahlte Bereiche und die Punktlinie zeigt dritte bestrahlte Bereiche.
  • In 5C wird eine Mehrzahl von ersten bestrahlten Bereichen durch erstes Strahlen eines Laserstrahls durch eine Maske gebildet. Nachdem die Maske (oder das Substrat) um eine erste Länge L1 (5B) in Richtung X1 bewegt wurde, bestrahlt der Laserstrahl die amorphe Siliziumschicht ein zweites Mal, so dass eine Mehrzahl von zweiten bestrahlten Bereichen gebildet wird. Da die Mehrzahl von zweiten bestrahlten Bereichen den Raum zwischen der Mehrzahl von ersten bestrahlten Bereichen bedeckt, wird ein Abschnitt der amorphen Siliziumschicht mittels der ersten und der zweiten Bestrahlung voll kristallisiert. Zur vereinfachten Darstellung hat die Maske zwei Spalten von lichtdurchlässigen Bereichen in 5C. Folglich bestrahlt der Laserstrahl einen anderen Abschnitt der amorphen Siliziumschicht, nachdem sich die Maske um eine erste Länge L1 (5D) bewegt hat. Die dritte Bestrahlung entspricht der ersten Bestrahlung für einen anderen Abschnitt.
  • Um die Prozesszeit zu verkürzen kann die Maske eingerichtet sein, so dass sie n Spalten (nicht gezeigt) von lichtdurchlässigen Bereichen hat. Nachdem die erste Bestrahlung und die zweite Bestrahlung für einen Abschnitt durchgeführt wurden, bewegt sich die Maske zu einer neuen Position, um einen anderen Abschnitt zu kristallisieren. In der neuen Position überlappen erste Seitenabschnitte der lichtdurchlässigen Bereiche zweite Seitenabschnitte der n-ten Spalte der zweiten bestrahlten Bereiche. Nachdem sich die Maske in eine neue Position bewegt hat, bestrahlt der Laserstrahl die amorphe Siliziumschicht eindrittes Mal für einen anderen Abschnitt. Die gesamte amorphe Siliziumschicht kann durch Wiederholen der Bewegungen und Bestrahlungen kristallisiert werden. Da sich die Maske zum nächsten Abschnitt um eine längere Distanz als die erste Länge L1 (5B) bewegt, entsprechend der Anzahl der Spalten von lichtdurchlässigen Bereichen, kann die Prozesszeit reduziert werden. Weiterhin wird, da die zweiten Seitenabschnitte des ersten bestrahlten Bereichs den Mittelabschnitt jedes zweiten bestrahlten Bereichs (gezeigt in einem Abschnitt K) überlappen, die ungenügend kristallisierte amorphe Siliziumschicht in der zweiten Bestrahlung umkristallisiert. Deshalb wird eine schlechte Kristallisation aufgrund der Ablenkung an Kanten verbessert.
  • 6A ist eine schematische Draufsicht, welche die Musterform einer Maske für ein sequenzielles Querverfestigungsverfahren gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • In 6A weist eine Maske 200 für ein SLS-Verfahren eine Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 202 und einen Abschirmbereich 204 auf. Ein Laserstrahl kann durch die Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 202 laufen und kann durch die Abschirmbereiche 204 abgeschirmt werden. Die Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 202 kann so angeordnet sein, dass jeder lichtdurchlässige Bereich 202 eine identische Form hat und entlang erster Richtungen X1 und zweiter Richtungen X2, welche im Wesentlichen senkrecht zu einander sind, wiederholt werden. Jeder lichtdurchlässige Bereich 202 weist einen Mittelabschnitt 206 und einen ersten Seitenabschnitt 208a und einen zweiten Seitenabschnitt 208b auf beiden Seiten des Mittelabschnitts 206 auf. Der Mittelabschnitt 206 kann eine im Wesentlichen rechteckige Form haben, welche aus zwei langen Seiten und zwei kurzen Seiten zusammengesetzt ist und die ersten Seitenabschnitte 208a und die zweiten Seitenabschnitte 208b können eine sich zuspitzende Form haben, bei der die Breite allmählich abnimmt. Als ein Ganzes kann jeder lichtdurchlässige Bereich 202 eine lange, im Wesentlichen hexagonale Form haben. Der erste Seitenabschnitt 208a und der zweite Seitenabschnitt 208b können auch eine Halbkreisform oder eine Halbellipsenform haben. Die langen Seiten des Mittelabschnitts 206 sind im Wesentlichen parallel zu der ersten Richtung X1. In einem folgenden Bewegungsschritt des SLS-Verfahrens, bewegt sich die Maske 200 (oder ein Substrat) entlang der ersten Richtung X1, d.h. eine Richtung im Wesentlichen parallel zu den langen Seiten des Mittelabschnitts 206.
  • Die Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen 202 kann in einer stufenförmigen Anordnung entlang der ersten Richtung X1 angeordnet sein und im Abstand zueinander entlang der zweiten Richtung X2. Zum Beispiel hat ein lichtdurchlässiger Bereich N5 einen rechten benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N6 und einen linken benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N4 entlang der ersten Richtung X1 und einen oberen benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N2 und einen unteren benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N8 entlang der zweiten Richtung X2. Der lichtdurchlässige Bereich N5 und der rechte benachbarte lichtdurchlässige Bereich N6 und/oder der linke benachbarte lichtdurchlässige Bereich N4 sind angebracht entlang der ersten Richtung X1, so dass sie eine Stufe bilden. Der lichtdurchlässige Bereich N5 und der obere lichtdurchlässige Bereich N2 und/oder der untere lichtdurchlässige Bereich N8 sind angeordnet entlang der zweiten Richtung X2, so dass sie parallel zueinander und im Abstand zueinander angeordnet sind.
  • 6B ist eine schematische Ansicht, welche die positionelle Beziehung zwischen einer Mehrzahl von lichtdurchlässigen Bereichen einer Maske gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • In 6B hat ein lichtdurchlässiger Bereich N1 einen Mittelabschnitt 206 und einen ersten Seitenabschnitt 208a und einen zweiten Seitenabschnitte 208b auf jeder Seite des Mittelabschnitts 206. Der Mittelabschnitt 206 hat eine im Wesentlichen rechteckige Form mit erster langer Seite 206a und zweiter langer Seite 206b, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Richtung X1 sind und erster kurzer Seite 206c und zweiter kurzer Seite 206d, die im Wesentlichen parallel zu einer zweiten Richtung X2 sind. Die erste lange Seite 206a und die zweite lange Seite 206b haben eine erste Länge L1 und die erste kurze Seite 206c und die zweite kurze Seite 206d haben eine zweite Länge L2. Der lichtdurchlässige Bereich N5 und ein unterer benachbarter lichtdurchlässiger Bereich N8 sind angeordnet entlang der zweiten Richtung X2, so dass sie eine erste Distanz L3 zwischen sich aufweisen. Der lichtdurchlässige Bereich N5 und der rechte benachbarte lichtdurchlässige Bereich N6 sind angeordnet entlang der ersten Richtung X1, so dass sie eine zweite Distanz L4 zwischen den langen Seiten von sich aufweisen. Die erste Distanz L3 hängt von der Anzahl der benachbarten lichtdurchlässigen Bereichen N4 bis N6 entlang der ersten Richtung X1 ab. Die erste Distanz L3 ist so bestimmt, dass ein letzter lichtdurchlässiger Bereich N3 einer ersten Reihe einen ersten lichtdurchlässigen Bereich N4 einer zweiten Reihe trifft oder überlappt, wenn die zwei lichtdurchlässigen Bereiche N3 und N4 parallel entlang der ersten Richtung X1 bewegt werden. Die zweite Distanz L4 ist weniger als eine Hälfte der zweiten Länge L2. Die erste Distanz L3 entspricht der Breite des Abschirmbereichs 204 zwischen dem lichtdurchlässigen Bereich N5 und einem unteren benachbarten lichtdurchlässigen Bereich N8. In einem folgenden Schritt des SLS-Verfahrens bewegt sich die Maske eine Stufe gleich oder kleiner als die erste Länge L1 entlang der ersten Richtung X1. Dementsprechend sind die ersten Seitenabschnitte 208a und die zweiten Seitenabschnitte 208b der benachbarten lichtdurchlässigen Bereiche über eine virtuelle Linie im Wesentlichen parallel zu der zweiten Richtung X1 angeordnet, so dass eine ganze amorphe Siliziumschicht kristallisiert wird.
  • 6C ist eine schematische Draufsicht, welche den Zustand der Laserbestrahlung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt. Die durchgezogene Linie zeigt den ersten bestrahlten Bereich, die Strich-Punkt-Linie zeigt den zweiten bestrahlten Bereich, die gepunktete Linie zeigt den dritten bestrahlten Bereich und die Strichpunkt-Punkt-Punkt-Linie zeigt den vierten bestrahlten Bereich.
  • In 6C wird eine Mehrzahl von ersten bestrahlten Bereichen durch erste Bestrahlung eines Laserstrahls durch eine Maske erzeugt. Nachdem sich die Maske (oder das Substrat) um eine erste Distanz L1 (6B) in eine Richtung Xi bewegt hat, bestrahlt der Laserstrahl die amorphe Siliziumschicht ein zweites Mal, so dass eine Mehrzahl von zweiten bestrahlten Bereichen gebildet wird. Nachdem sich die Maske (oder das Substrat) wieder um die erste Distanz L1 (6B) bewegt hat, bestrahlt der Laserstrahl die amorphe Siliziumschicht ein drittes Mal, so dass eine Mehrzahl von dritten bestrahlten Bereichen gebildet wird. Körner im ersten bestrahlten Bereich und im zweiten bestrahlten Bereich wachsen und übrigbleibende Bereiche mit amorphem Silizium werden durch die dritte Bestrahlung kristallisiert. Da die Mehrzahl von zweiten bestrahlten Bereichen und die Mehrzahl von dritten bestrahlten Bereichen einen Raum zwischen der Mehrzahl von ersten bestrahlten Bereichen bedecken, wird ein Abschnitt der amorphen Siliziumschicht durch die erste, die zweite und die dritte Bestrahlung vollständig kristallisiert. Für dieses Beispiel hat die Maske drei Spalten von lichtdurchlässigen Bereichen in 6C. Dementsprechend bestrahlt der Laserstrahl einen anderen Abschnitt der amorphen Siliziumschicht ein viertes Mal, nachdem sich die Maske um die erste Distanz L1 bewegt hat (6B). Die vierte Bestrahlung entspricht der ersten Bestrahlung für einen anderen Abschnitt.
  • Um die Prozesszeit zu verkürzen, kann die Maske eingerichtet sein, so dass sie n Spalten (nicht gezeigt) von lichtdurchlässigen Bereichen hat. Nachdem die erste Bestrahlung, die zweite Bestrahlung und die dritte Bestrahlung für einen Abschnitt durchgeführt sind, bewegt sich die Maske zu einer neuen Position zur Kristallisation eines anderen Abschnitts. In der neuen Position überlappen erste Seitenabschnitte der lichtdurchlässigen Bereiche zweite Seitenabschnitte der n-ten Spalte der dritten bestrahlten Bereiche. Nachdem sich die Maske in die neue Position bewegt hat, bestrahlt der Laserstrahl die amorphe Siliziumschicht ein viertes Mal für einen anderen Abschnitt. Die gesamte amorphe Siliziumschicht kann durch Wiederholung der Bewegungen und Bestrahlungen kristallisiert werden. Da sich die Maske zum nächsten Abschnitt um eine Längere Distanz als die erste Länge L1 (6B) bewegt, entsprechend der Anzahl der Spalten von lichtdurchlässigen Bereichen, kann die Prozesszeit reduziert werden. Außerdem wird, da die zweiten Seitenabschnitte von jedem ersten bestrahlten Bereich die Mittelabschnitte von jedem zweiten bestrahlten Bereich und/oder den Mittelabschnitt von jedem dritten bestrahlten Bereich (gezeigt im einem Abschnitt K) überlappen, die ungenügend kristallisierte amorphe Siliziumschicht in der zweiten und/oder dritten Bestrahlung umkristallisiert werden. Deshalb wird eine schlechte Kristallisierung aufgrund der Streuung an den Kanten verbessert.
  • Infolgedessen werden die, aufgrund der Streuung an den Kanten der Maske, ungenügend kristallisierten Bereiche zur Genüge durch die folgende zweite und dritte Bestrahlung von dem Laserstrahl kristallisiert. Diese Verbesserung der Kristallisierung erzeugt verbesserte elektrische Eigenschaften einer Vorrichtung, welche das polykristalline Silizium benutzt. Außerdem wird, da die Seitenabschnitte eine konische Form haben, die Zuverlässigkeit des Kristallisierungsprozesses verbessert.
  • Es ist offensichtlich für diejenigen, die in der Technik bewandert sind, das verschiedene Modifikationen und Variationen an der Erfindung gemacht werden können, ohne vom Geist oder Schutzbereich der Erfindung abzurücken. Daher ist es beabsichtigt, dass die Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, sofern sie innerhalb des Schutzbereichs der angeführten Ansprüche und ihren Äquivalenten kommen.

Claims (17)

  1. Verfahren zum Bilden einer polykristallinen Siliziumschicht aus einer amorphen Siliziumschicht auf einem Substrat, aufweisend: Anordnen einer Maske (100) über der amorphen Siliziumschicht, wobei die Maske (100) eine Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102) hat, wobei die Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102) in einer stufenförmigen Anordnung versetzt angeordnet sind und in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung in einem Abstand zueinander getrennt angeordnet sind, wobei die zweite Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei jeder lichtdurchlässige Bereich (102) einen Mittelabschnitt (106) und einen ersten Seitenabschnitt (108a) und einen zweiten Seitenabschnitt (108b) hat, welche einander gegenüberliegenden Seiten des Mittelabschnitts (106) entlang der ersten Richtung benachbart sind, und wobei jeder der Abschnitte eine Länge entlang der ersten Richtung und eine Breite entlang der zweiten Richtung hat, wobei die Breite des ersten Seitenabschnitts (108a) und des zweiten Seitenabschnitts (108b) vom Mittelabschnitt (106) weg entlang der ersten Richtung abnimmt, wobei in der ersten Richtung benachbarte lichtdurchlässige Bereiche (102) derartig versetzt angeordnet sind, dass sie einander, gesehen entlang der zweiten Richtung, überlappen; erstes Bestrahlen der amorphen Siliziumschicht durch die Maske (100) mit einem Laserstrahl, so dass eine Mehrzahl erster bestrahlter Bereiche entsprechend der Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche gebildet wird; Bewegen des Substrats und der Maske (100) relativ zueinander, so dass der erste Seitenabschnitt (108a) jedes lichtdurchlässigen Bereichs (102) den Mittelabschnitt (106) jedes ersten bestrahlten Bereichs überlappt; und zweites Bestrahlen der amorphen Siliziumschicht durch die Maske (100) mit dem Laserstrahl, so dass eine Mehrzahl zweiter bestrahlter Bereiche entsprechend der Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (106) gebildet wird.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Mittelabschnitt (106) eine im Wesentlichen konstante Laserenergiedichte entlang der ersten Richtung durchlässt, und wobei jeder der Seitenabschnitte (108a, 108b) eine entlang der ersten Richtung, vom Mittelabschnitt (106) weg, abnehmende Laserenergiedichte durchlässt.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei jeder lichtdurchlässige Bereich (102) eine Laserenergiedichte entlang der ersten Richtung hat, welche im Wesentlichen konstant ist, und welche allmählich bis auf einen Wert in der Nähe der Enden des lichtdurchlässigen Bereichs (102) abnimmt, bei dem die amorphe Siliziumschicht nicht komplett schmilzt; und wobei beim ersten Bestrahlen mit einem Laserstrahl jeder erste bestrahlte Bereich einen vollständig geschmolzenen Abschnitt hat und einen Abschnitt, der aufgrund der Laserenergiedichte, mit welcher die amorphe Siliziumschicht bestrahlt wird, nicht komplett geschmolzen ist.
  4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Maske (100) ferner einen Abschirmbereich (104) hat, welcher den Laserstrahl abschirmt.
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Mittelabschnitt (106) jedes lichtdurchlässigen Bereichs im Wesentlichen rechteckige Form hat und wobei der erste Seitenabschnitt (108a) und der zweite Seitenabschnitt (108b) jedes lichtdurchlässigen Bereichs (102) eine sich zuspitzende Form haben.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei der Mittelabschnitt (106) jedes lichtdurchlässigen Bereichs (102) eine erste lange Seite und eine zweite lange Seite hat, die im Wesentlichen parallel zu der ersten Richtung sind, und eine erste kurze Seite und eine zweite kurze Seite, die im Wesentlichen parallel zu der zweiten Richtung sind, wobei die erste lange Seite und die zweite lange Seite eine erste Länge haben und die erste kurze Seite und die zweite kurze Seite eine zweite Länge haben.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die kürzeste Distanz zwischen einem ersten Seitenabschnitt (108a) und einem benachbarten zweiten Seitenabschnitt (108b) groß genug ist, so dass eine Kristallisierung in einem Bereich, welcher die kürzeste Distanz kreuzt, aufgrund einer kompletten Schmelzung seit Bildung zwischen dem benachbarten ersten und zweiten Endteil, verhindert wird.
  8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei sich das Substrat bewegt und die Maske (100) stationär ist.
  9. Maske für eine Laservorrichtung zum Bilden einer polykristallinen Siliziumschicht, welche aufweist: eine Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102), wobei die Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102) in einer stufenförmigen versetzten Anordnung entlang einer ersten Richtung angeordnet sind und im Abstand zueinander entlang der ersten und einer zweiten Richtung angeordnet sind, jeder lichtdurchlässige Bereich (102) einen Mittelabschnitt (106) und einen ersten Seitenabschnitt (108a) und einen zweiten Seitenabschnitt (108a) auf beiden Seiten des Mittelabschnitts (106) hat, wobei in der ersten Richtung benachbarte lichtdurchlässige Bereiche (102) derartig versetzt angeordnet sind, dass sie einander, entlang der zweiten Richtung gesehen, überlappen; und einen Abschirmbereich (104), welcher einen Laserstrahl der Laservorrichtung abschirmt.
  10. Maske gemäß Anspruch 9, wobei der Mittelabschnitt (106) eine im Wesentlichen konstante Laserenergiedichte entlang der ersten Richtung durchlässt, und jeder der Seitenabschnitte (108a, 108b) entlang der ersten Richtung, von dem Mittelabschnitt (106) weg, eine abnehmende Laserenergiedichte durchlässt.
  11. Maske gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei die erste Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der zweiten Richtung ist.
  12. Maske gemäß Anspruch 11, wobei der Mittelabschnitt (106) jedes lichtdurchlässigen Bereichs (102) eine im Wesentlichen rechteckige Form hat und wobei der erste Seitenabschnitt (108a) und der zweite Seitenabschnitt (108b) jedes lichtdurchlässigen Bereichs (102) eine sich zuspitzende Form haben.
  13. Maske gemäß Anspruch 12, wobei der Mittelabschnitt (106) jedes lichtdurchlässigen Bereichs (102) eine erste lange Seite und eine zweite lange Seite hat, die im Wesentlichen parallel zu der ersten Richtung ist, und eine erste kurze Seite und eine zweite kurze Seite, die im Wesentlichen parallel zu der zweiten Richtung sind, wobei die erste lange Seite und die zweite lange Seite eine erste Länge haben und die erste kurze Seite und die zweite kurze Seite eine zweite Länge haben.
  14. Vorrichtung zum Bilden einer polykristallinen Siliziumschicht aus einer amorphen Siliziumschicht, welche aufweist: einen Laser, mit dem die amorphe Siliziumschicht bestrahlt wird, so dass eine polykristalline Siliziumschicht gebildet wird; und eine Maske (100) mit einem Abschirmbereich (104) und einer Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102), wobei die Mehrzahl lichtdurchlässiger Bereiche (102) in einer stufenförmigen versetzten Anordnung entlang einer ersten Richtung angeordnet sind und im Abstand zueinander entlang der ersten und einer zweiten Richtung angeordnet sind, wobei jeder lichtdurchlässige Bereich (102) einen Mittelabschnitt (106) hat und einen ersten Seitenabschnitt (108a) und einen zweiten Seitenabschnitt (108b), die dem Mittelabschnitt (106) an gegenüberliegenden Seiten benachbart sind, wobei in einer ersten Richtung benachbarte lichtdurchlässige Bereiche (102) derartig versetzt angeordnet sind, dass sie einander entlang einer zweiten Richtung gesehen überlappen, die im wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist.
  15. Vorrichtung gemäß Anspruch 14, wobei der erste Abschnitt (108a) und der zweite Abschnitt (108b) spitz zulaufend sind.
  16. Vorrichtung gemäß Anspruch 14, wobei der erste Abschnitt (108a) und der zweite Abschnitt (108b) dreieckig sind.
  17. Vorrichtung gemäß Anspruch 14, wobei der Mittelabschnitt (106) rechteckig ist.
DE10329332A 2002-12-31 2003-06-30 Kristallisationsverfahren und Maske zum sequentiellen Querverfestigen sowie Vorrichtung diese benutzend Expired - Fee Related DE10329332B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR02-88532 2002-12-31
KR1020020088532A KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2002-12-31 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10329332A1 DE10329332A1 (de) 2004-07-15
DE10329332B4 true DE10329332B4 (de) 2008-01-10

Family

ID=27656471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10329332A Expired - Fee Related DE10329332B4 (de) 2002-12-31 2003-06-30 Kristallisationsverfahren und Maske zum sequentiellen Querverfestigen sowie Vorrichtung diese benutzend

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6867151B2 (de)
JP (1) JP4099767B2 (de)
KR (1) KR100646160B1 (de)
CN (1) CN1277155C (de)
DE (1) DE10329332B4 (de)
FR (1) FR2849530B1 (de)
GB (1) GB2396962B (de)
TW (1) TWI223334B (de)

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6555449B1 (en) 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
US6830993B1 (en) 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
CN1404627A (zh) 2000-10-10 2003-03-19 纽约市哥伦比亚大学托管会 处理薄金属层的方法与设备
KR100400510B1 (ko) * 2000-12-28 2003-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화 장치와 실리콘 결정화 방법
US7758926B2 (en) * 2001-05-30 2010-07-20 Lg Display Co., Ltd. Amorphous silicon deposition for sequential lateral solidification
AU2003258289A1 (en) 2002-08-19 2004-03-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
JP4873858B2 (ja) 2002-08-19 2012-02-08 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク エッジ領域を最小にするために基板のフィルム領域のレーザ結晶化処理方法及び装置並びにそのようなフィルム領域の構造
JP4474108B2 (ja) * 2002-09-02 2010-06-02 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置とその製造方法および製造装置
WO2004075263A2 (en) 2003-02-19 2004-09-02 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for processing a plurality of semiconductor thin films which are crystallized using sequential lateral solidification techniques
KR100956339B1 (ko) * 2003-02-25 2010-05-06 삼성전자주식회사 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법
KR101026796B1 (ko) * 2003-05-13 2011-04-04 삼성전자주식회사 다결정 규소층 및 다결정 규소용 마스크, 그 다결정규소층을 포함하는 표시 장치용 표시판 및 그 제조 방법
WO2005029546A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
US7164152B2 (en) 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
US7318866B2 (en) 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
WO2005029547A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Enhancing the width of polycrystalline grains with mask
WO2005029549A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for facilitating bi-directional growth
TWI359441B (en) 2003-09-16 2012-03-01 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization pr
WO2005034193A2 (en) 2003-09-19 2005-04-14 The Trustees Of Columbia University In The City Ofnew York Single scan irradiation for crystallization of thin films
KR100595455B1 (ko) * 2003-12-24 2006-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 마스크 및 이를 이용한 결정화방법
KR100698056B1 (ko) * 2003-12-26 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 빔 패턴 마스크 및 이를 이용한 결정화 방법
KR100737535B1 (ko) * 2003-12-29 2007-07-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 다결정실리콘막 형성방법
KR100631013B1 (ko) * 2003-12-29 2006-10-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 주기성을 가진 패턴이 형성된 레이저 마스크 및 이를이용한 결정화방법
US7611577B2 (en) * 2004-03-31 2009-11-03 Nec Corporation Semiconductor thin film manufacturing method and device, beam-shaping mask, and thin film transistor
KR100781440B1 (ko) * 2004-07-20 2007-12-03 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 다결정실리콘막 형성방법
KR101316633B1 (ko) * 2004-07-28 2013-10-15 삼성디스플레이 주식회사 다결정 규소용 마스크 및 이의 제조방법과, 이를 이용한박막트랜지스터의 제조방법
DE102004042343B4 (de) * 2004-09-01 2008-01-31 Innovavent Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Modifikation von amorphen Halbleitern mittels Laserstrahlung
US7645337B2 (en) 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
JP2006196539A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Sharp Corp 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置
US8221544B2 (en) 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
TWI298111B (en) * 2005-06-03 2008-06-21 Au Optronics Corp A mask used in a sequential lateral solidification process
TWI313769B (en) * 2005-07-15 2009-08-21 Au Optronics Corp A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method for crystallizing amorphous silicon by using the same
KR101250629B1 (ko) * 2005-08-16 2013-04-03 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 고주파 레이저를 사용하는 박막의 균일한 순차적 측면 고상화를 위한 시스템 및 방법
TWI299431B (en) * 2005-08-23 2008-08-01 Au Optronics Corp A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method thereof
JP2007067020A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Sharp Corp 投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子
JP2007096244A (ja) * 2005-08-29 2007-04-12 Sharp Corp 投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子
JP2007123445A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Sharp Corp レーザビーム投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子
KR101287314B1 (ko) 2005-12-05 2013-07-17 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 막 처리 시스템과 방법, 및 박막
WO2007108157A1 (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha 薄膜トランジスタの製造方法、レーザー結晶化装置及び半導体装置
JP2008053396A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Hitachi Displays Ltd 表示装置の製造方法
US8420456B2 (en) * 2007-06-12 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing for thin film transistor
TW200942935A (en) 2007-09-21 2009-10-16 Univ Columbia Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors and systems and methods for making same
TWI418037B (zh) 2007-09-25 2013-12-01 Univ Columbia 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法
JP5443377B2 (ja) 2007-11-21 2014-03-19 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク エピタキシャルに配向された厚膜を調製するための調製システムおよび方法
WO2009067688A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
US8012861B2 (en) 2007-11-21 2011-09-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
US8569155B2 (en) 2008-02-29 2013-10-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash lamp annealing crystallization for large area thin films
TWI339410B (en) * 2008-07-09 2011-03-21 Au Optronics Corp Mask and fabricating method of a polysilicon layer using the same
WO2010056990A1 (en) 2008-11-14 2010-05-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for the crystallization of thin films
US8183496B2 (en) * 2008-12-30 2012-05-22 Intel Corporation Method of forming a pattern on a work piece, method of shaping a beam of electromagnetic radiation for use in said method, and aperture for shaping a beam of electromagnetic radiation
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
JP5620146B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101127578B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8440581B2 (en) 2009-11-24 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification
US9646831B2 (en) 2009-11-03 2017-05-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Advanced excimer laser annealing for thin films
US9087696B2 (en) 2009-11-03 2015-07-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101135537B1 (ko) * 2010-07-16 2012-04-13 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 조사 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
CN103545460B (zh) 2012-07-10 2017-04-12 三星显示有限公司 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
TW201528379A (zh) * 2013-12-20 2015-07-16 Applied Materials Inc 雙波長退火方法與設備
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN105068375B (zh) * 2015-09-01 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 用于光配向的光罩及光配向方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010016375A1 (en) * 1999-12-31 2001-08-23 Myoung-Su Yang Method of manufacturing a polycrystalline silicon layer
WO2002086954A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-31 The Trustee Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a single-scan, continuous motion sequential lateral solidification
US20020179004A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-05 Yun-Ho Jung Silicon crystallization method

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6373093B2 (en) 1989-04-28 2002-04-16 Nippondenso Corporation Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US6555449B1 (en) * 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
JP3642546B2 (ja) 1997-08-12 2005-04-27 株式会社東芝 多結晶半導体薄膜の製造方法
US5973192A (en) 1997-11-26 1999-10-26 Hampshire Chemical Corp. Thioglycerol derivatives and their use in polysulfide compositions for optical material
KR100292048B1 (ko) 1998-06-09 2001-07-12 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터액정표시장치의제조방법
US6326286B1 (en) 1998-06-09 2001-12-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for crystallizing amorphous silicon layer
KR100327087B1 (ko) 1999-06-28 2002-03-13 구본준, 론 위라하디락사 레이저 어닐링 방법
KR100303142B1 (ko) * 1999-10-29 2001-11-02 구본준, 론 위라하디락사 액정표시패널의 제조방법
KR20010025694A (ko) 2001-01-18 2001-04-06 김성오 플라즈마 중합법을 이용한 2차전지의 제조 및 공정
US20020102821A1 (en) 2001-01-29 2002-08-01 Apostolos Voutsas Mask pattern design to improve quality uniformity in lateral laser crystallized poly-Si films
JP3945805B2 (ja) 2001-02-08 2007-07-18 株式会社東芝 レーザ加工方法、液晶表示装置の製造方法、レーザ加工装置、半導体デバイスの製造方法
KR100405080B1 (ko) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100424593B1 (ko) * 2001-06-07 2004-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법
JP4109026B2 (ja) 2001-07-27 2008-06-25 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 アレイ基板を製造する方法およびフォトマスク
TW582062B (en) * 2001-09-14 2004-04-01 Sony Corp Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010016375A1 (en) * 1999-12-31 2001-08-23 Myoung-Su Yang Method of manufacturing a polycrystalline silicon layer
WO2002086954A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-31 The Trustee Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a single-scan, continuous motion sequential lateral solidification
US20020179004A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-05 Yun-Ho Jung Silicon crystallization method

Also Published As

Publication number Publication date
FR2849530B1 (fr) 2011-10-14
US6867151B2 (en) 2005-03-15
US20080141935A1 (en) 2008-06-19
KR100646160B1 (ko) 2006-11-14
CN1514304A (zh) 2004-07-21
CN1277155C (zh) 2006-09-27
US20040127066A1 (en) 2004-07-01
TWI223334B (en) 2004-11-01
TW200411743A (en) 2004-07-01
FR2849530A1 (fr) 2004-07-02
US7329936B2 (en) 2008-02-12
GB2396962B (en) 2005-08-31
DE10329332A1 (de) 2004-07-15
GB0315076D0 (en) 2003-07-30
GB2396962A (en) 2004-07-07
KR20040062203A (ko) 2004-07-07
US7651567B2 (en) 2010-01-26
JP4099767B2 (ja) 2008-06-11
JP2004214614A (ja) 2004-07-29
US20050124145A1 (en) 2005-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10329332B4 (de) Kristallisationsverfahren und Maske zum sequentiellen Querverfestigen sowie Vorrichtung diese benutzend
DE102004061596B4 (de) Lasermaske und Kristallisationsverfahren unter Verwendung derselben
DE102006057773B4 (de) Matrixsubstrat für eine In-Plane-Switching LCD-Vorrichtung, In-Plane Switching LCD-Vorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004031441B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus kristallinem Silicium, Verfahren zum Herstellen einer aktiven Schicht aus einer solchen Schicht, Verfahren zum Herstellen eines Schaltelements aus einer solchen aktiven Schicht sowie Schaltelement mit einer Schicht aus kristallinem Silicium
DE69720856T2 (de) Laserkristallisation eines amorphen Siliziumfilms für einen TFT
DE112013007720B4 (de) Niedertemperatur-Polysilizium-Dünnfilm, Herstellungsverfahren dafür und Transistoren
DE102004059971B4 (de) Lasermaske und Kristallisationsverfahren unter Verwendung derselber sowie Display und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102018200078B4 (de) Optisches System und Verfahren zum Erzeugen einer Beleuchtungslinie
DE102004024924B4 (de) Verfahren zum Herstellen polykristallinen Siliciums, Verfahren zum Herstellen einer Ausrichtungsmarkierung, sowie Verfahren zum Herstellen eines Schaltelements
DE102005026320A1 (de) Dünnfilm-Transistorschaltung, Verfahren zur Entwicklung von Dünnfilmtransistoren, Entwicklungsprogramm für Dünnfilm- Transistorschaltungen, Aufzeichnungsmedium für das Entwicklungsprogramm, Datenbank für die Entwicklungsbibliothek und Bildschirmgerät
DE112014001688T5 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
DE10228518B4 (de) Verfahren zum Kristallisieren von Polysilicium, Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors unter Verwendung desselben sowie Verfahren zum Herstellen eines zugehörigen Flüssigkristalldisplays
DE112014001676T5 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung und laserbearbeitungsverfahren
DE102005029418A1 (de) Flüssigkristalldisplay und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006034987A1 (de) Flüssigkristall-Linsenvorrichtung
DE102006013213A1 (de) Flüssigkristall-Linse und optische Einrichtung
DE10306550B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Bilden einer Halbleiterdünnschicht
DE10329343B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Farbfiltersubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE102007023223A1 (de) Flüssigkristalldisplay, Substrat für ein solches sowie Verfahren zum Herstellen des Substrats
DE102004028331B4 (de) Verfahren zum Kristallisieren von Silicium
DE102008031937A1 (de) Mehrstrahl-Laservorrichtung
DE102007033752A1 (de) System und Verfahren zur optischen Strahlsteuerung unter Verwendung von Nanodrähten und Verfahren zur Herstellung derselben
DE112014001653T5 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
DE10341467A1 (de) Kristallisationsapparat, Kristallisationsverfahren und Phasenschieber
WO2008148377A2 (de) Verfahren zur selektiven thermischen oberflächenbehandlung eines flächensubstrates

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD., SEOUL, KR

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee