DE10339985B4 - Optoelectronic component with a transparent contact layer and method for its production - Google Patents

Optoelectronic component with a transparent contact layer and method for its production Download PDF

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Abstract

Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (2), eine erste Kontaktfläche (4), und eine der ersten Hauptfläche (2) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (5) mit einer zweiten Kontaktfläche (6) aufweist, sowie mit einem Trägerkörper (10), der zwei voneinander isolierte elektrische Anschlußbereiche (7, 8) aufweist, wobei der Halbleiterchip (1) mit der ersten Hauptfläche (2) auf dem Trägerkörper (10) befestigt ist und die erste Kontaktfläche (4) mit dem ersten Anschlußbereich (7) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontaktfläche (6) mit einer leitfähigen, transparenten Schicht (14), die auf eine Trägerfolie (15) aufgebracht ist, mit dem zweiten elektrischen Anschlußbereich (8) des Trägerkörpers (10) verbunden ist.The optoelectronic Component with a semiconductor chip (1) having a first main surface (2), a first contact surface (4), and one of the first major surface (2) opposite second main surface (5) with a second contact surface (6), and with a carrier body (10), the two insulated electrical connection areas (7, 8), wherein the semiconductor chip (1) with the first main surface (2) on the carrier body (10) is attached and the first contact surface (4) with the first terminal area (7), characterized in that the second contact surface (6) with a conductive, transparent layer (14), which is applied to a carrier film (15), with the second electrical connection region (8) of the carrier body (10) connected is.

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Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.The The invention relates to an optoelectronic component according to the preamble of claim 1 and a method for its production.

Optoelektronische Bauelemente der genannten Art wie zum Beispiel lichtemittierende Dioden (LEDs) weisen zwei gegenüberliegende Kontaktflächen auf, wobei oftmals die erste Kontaktfläche auf einen elektrisch leitfähigen Träger, beispielsweise auf einen mit einer Metallisierungsschicht versehenen Bereich eines Chipgehäuses, montiert wird. Diese Montage kann beispielsweise mit einer Lötverbindung oder mit einem elektrisch leitfähigen Kleber erfolgen.Optoelectronic Components of the type mentioned, such as light-emitting Diodes (LEDs) have two opposite ones contact surfaces often with the first contact surface on an electrically conductive support, for example on a provided with a metallization region of a Chip package is mounted. This assembly can, for example, with a solder joint or with an electrically conductive Glue done.

Die elektrische Kontaktierung einer gegenüberliegenden zweiten Kontaktfläche eines Halbleiterchips gestaltet sich üblicherweise schwieriger, da diese in der Regel nicht an den vorgesehenen zweiten Anschlußbereich des Trägerkörpers angrenzt. Diese zweite Kontaktierung wird herkömmlicherweise mit einem Bonddraht hergestellt. Zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem Bonddraht und der zur kontaktierenden Chipoberfläche wird ein Bereich der Chipoberfläche mit einer metallischen Schicht, dem sogenannten Bondpad versehen. Diese Metallschicht hat aber den Nachteil, daß sie optisch nicht transparent ist und dadurch ein erheblicher Anteil des im Chip generierten Lichts abgeschattet wird.The electrical contacting of an opposite second contact surface of a Semiconductor chips are usually designed more difficult as these are usually not at the intended second terminal region adjacent the carrier body. These second contact is conventionally made with a bonding wire. For making an electric conductive connection between the bonding wire and the one to be contacted chip surface becomes an area of the chip surface provided with a metallic layer, the so-called bond pad. However, this metal layer has the disadvantage that it is not optically transparent is and therefore a significant proportion of the light generated in the chip is shadowed.

Insbesondere durch Fortschritte bei der Steigerung der internen Konversionseffizienz wird die Herstellung von LEDs mit immer kleineren Halbleiterchips möglich. Eine Reduzierung der Fläche des Bondpads ist jedoch technisch nur beschränkt möglich und erhöht den Herstellungsaufwand. Der relative Anteil der durch die Abschattung des Bondpads nicht effektiv nutzbaren Chipfläche nimmt aber bei unverminderter Fläche des Bondpads unvorteilhaft zu.Especially through advances in increasing internal conversion efficiency is the production of LEDs with smaller and smaller semiconductor chips possible. A reduction of the area However, the bond pad is technically possible only limited and increases the production cost. The relative proportion of the shading of the bondpad is not effectively usable chip area but takes on undiminished area the Bondpads unfavorable.

Aus den Druckschriften DE 100 17 337 A1 , US 2003/0160258 A1 und JP 09283801 A sind jeweils optoelektronische Bauelemente bekannt, bei denen eine Kontaktfläche des Bauelements mittels einer elektrisch leitfähigen transparenten Schicht kontaktiert ist.From the pamphlets DE 100 17 337 A1 . US 2003/0160258 A1 and JP 09283801 A In each case optoelectronic components are known in which a contact surface of the component is contacted by means of an electrically conductive transparent layer.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optoelektronisches Bauelement mit einer verbesserten Kontaktierung mittels einer elektrisch leitfähigen Schicht und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.Of the Invention is based on the object, an optoelectronic component with an improved contacting by means of an electrically conductive layer and to specify a method for its production.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein optoelektronisches Bauelement nach Patentanspruch 1 oder Patentanspruch 4 beziehungsweise durch ein Verfahren nach Patentanspruch 15 oder Patentanspruch 19 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These The object is achieved by a Optoelectronic component according to claim 1 or claim 4 or by a method according to claim 15 or claim 19 solved. Advantageous embodiments and further developments of the invention are Subject of the dependent Claims.

Bei einem optoelektronischen Bauelement mit einem Halbleiterchip, der eine erste Hauptfläche, eine erste Kontaktfläche, und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche mit einer zweiten Kontaktfläche aufweist, sowie mit einem Trägerkörper, der zwei voneinander isolierte elektrische Anschlußbereiche aufweist, wobei der Halbleiterchip mit der ersten Hauptfläche auf dem Trägerkörper befestigt ist und die erste Kontaktfläche mit dem ersten Anschlußbereich verbunden ist, ist gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung vorgesehen, daß die zweite Kontaktfläche mit einer leitfähigen, transparenten Schicht, die auf eine Trägerfolie aufgebracht ist, mit dem zweiten Anschlußbereich des Trägerkörpers verbunden ist.at an optoelectronic component with a semiconductor chip, the a first main surface, one first contact area, and one of the first major surfaces opposing second main surface with a second contact surface has, as well as with a carrier body, the has two mutually insulated electrical connection areas, wherein the Semiconductor chip with the first main surface attached to the carrier body is and the first contact surface connected to the first connection area is, is according to one first embodiment the invention provides that the second contact surface with a conductive, transparent layer, which is applied to a carrier foil, with the second connection area connected to the carrier body is.

Aufgrund der Transparenz der zur Kontaktierung vorgesehenen leitfähigen Schicht kann die zweite Kontaktfläche effektiv zur Ein- beziehungsweise Auskopplung elektromagnetischer Strahlung, die das optoelektronische Bauelement aussendet beziehungsweise empfängt, genutzt werden. Die Abschattung eines Teilbereichs der Chipoberfläche wird vermieden und somit werden Absorptionsverluste im Bereich des Kontakts vorteilhaft reduziert.by virtue of the transparency of the intended for contacting conductive layer can the second contact surface effective for coupling or decoupling electromagnetic Radiation that emits or the optoelectronic component receives be used. The shading of a portion of the chip surface is avoided and thus absorption losses in the contact area advantageously reduced.

Die erste Kontaktfläche des Halbleiterchips kann auf der ersten Hauptfläche angeordnet sein und der Halbleiterchip an dieser Kontaktfläche auf dem ersten Anschlußbereich befestigt sein. Beispielsweise kann die erste Kontaktfläche die Rückseite eines Substrats sein, die bevorzugt mit einer Metallisierung versehen ist und die elektrische Verbindung zum ersten Anschlußbereich des Trägerkörpers mit einer Lötverbindung oder einem elektrisch leitfähigen Kleber erfolgen. Es ist aber auch denkbar, daß sich sowohl die erste als auch die zweite Kontaktfläche auf der zweiten Hauptfläche befinden und beide Kontaktflächen mit voneinander isolierten transparenten Schichten mit jeweils einem Anschlußbereich des Trägerkörpers verbunden sind.The first contact surface of the semiconductor chip may be arranged on the first main surface and the Semiconductor chip at this contact surface on the first connection area be attached. For example, the first contact surface the back a substrate, which preferably provided with a metallization is and the electrical connection to the first connection area of the carrier body with a solder joint or an electrically conductive Glue done. But it is also conceivable that both the first and also the second contact surface on the second main surface located and both contact surfaces with transparent layers isolated from each other with one each terminal region connected to the carrier body are.

Die leitfähige transparente Schicht ist auf eine Trägerfolie, beispielsweise aus Kunststoff, aufgebracht. In diesem Fall dient die Folie als Trägermedium der leitfähigen transparenten Schicht und muß daher selbst nicht elektrisch leitfähig sein. Zum Beispiel kann die leitfähige transparente Schicht mit einem PVD-Beschichtungsverfahren, beispielsweise Sputtern oder Aufdampfen, auf die Trägerfolie aufgebracht sein.The conductive transparent layer is on a carrier foil, for example Plastic, applied. In this case, the film serves as a carrier medium the conductive one transparent layer and therefore must itself not be electrically conductive. For example, the conductive transparent layer with a PVD coating process, such as sputtering or vapor deposition, on the carrier film be upset.

In einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die leitfähige transparente Schicht mittels eines PVD-Beschichtungsverfahrens, beispielsweise Sputtern oder Aufdampfen, zur Herstellung des Kontakts auf eine auf das optoelektronische Bauelement auflaminierte und strukturierte isolierende Kunststofffolie aufgebracht wird.In another embodiment of the invention it is provided that the conductive transparent Layer is applied by means of a PVD coating process, such as sputtering or vapor deposition, for the production of the contact on a laminated on the optoelectronic component and structured insulating plastic film.

Die leitfähige transparente Schicht enthält bevorzugt ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO – transparent conductive Oxide), beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder ein anderes dotiertes Oxid wie zum Beispiel ZnO:Al oder SnO:Sb. Vorzugsweise mit Sputtertechnologie kann mit einem solchen Material sowohl eine zur Kontaktierung vorgesehene Trägerfolie als auch eine auf das optoelektronische Bauelement auflaminierte und strukturierte isolierende Kunststofffolie beschichtet werden.The conductive transparent layer preferably contains a transparent conductive Oxide (TCO - transparent conductive oxides), for example indium tin oxide (ITO) or a another doped oxide such as ZnO: Al or SnO: Sb. Preferably with Sputtering technology can be used with such a material both for a Contacting provided carrier film as well as a laminated on the optoelectronic device and textured insulating plastic film to be coated.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die leitfähige transparente Schicht eine Kunststofffolie, die ein Polymer mit einer ausreichenden elektrischen Leitfähigkeit enthält. In diesem Fall ist eine Beschichtung der Kunststofffolie mit einer leitfähigen Schicht nicht erforderlich.at a further embodiment The invention is the conductive transparent layer of a plastic film containing a polymer with a sufficient electrical conductivity contains. In this case, a coating of the plastic film with a conductive Layer not required.

Neben ihrer Funktion als elektrisch leitfähige Schicht oder als Trägermedium der elektrisch leitfähigen Schicht kann die Trägerfolie auch Partikel zur Konversion der Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung enthalten.Next their function as an electrically conductive layer or as a carrier medium the electrically conductive Layer can be the carrier film also particles for the conversion of the wavelength of electromagnetic radiation contain.

Solche Partikel können beispielsweise auch oder alternativ in einer Vergußmasse enthalten sein, in die der Halbleiterchip vorzugsweise eingebettet ist. Die Vergußmasse schützt den Halbleiterchip vorteilhaft vor Berührungen und vor Umwelteinflüssen, wie beispielsweise Schmutz oder Feuchtigkeit.Such Particles can for example, or alternatively included in a potting compound be, in which the semiconductor chip is preferably embedded. The sealing compound protects the semiconductor chip advantageous against touching and against environmental influences, such as Dirt or moisture.

Als Alternative zur Einbettung in eine Vergußmasse kann auch eine Barrierenschicht zum Schutz vor Umwelteinflüssen auf die Trägerfolie aufgebracht sein. Die Barrierenschicht kann dabei sowohl auf der dem Halbleiterchip abgewandten Seite der Trägerfolie als auch auf der dem Halbleiterchip zugewandten Seite, beispielsweise zwischen der leitfähigen transparenten Schicht und der Trägerfolie, angeordnet sein.When Alternative to embedding in a potting compound may also be a barrier layer for protection against environmental influences on the carrier film be upset. The barrier layer can be used both on the the semiconductor chip side facing away from the carrier film as well as on the Semiconductor chip side facing, for example, between the conductive transparent Layer and the carrier film, arranged be.

Zwischen der zweiten Kontaktfläche des Halbleiterchips und der transparenten leitfähigen Schicht ist gegebenenfalls eine Metallschicht angeordnet, die vorteilhaft weniger als 10 nm dick ist. Eine solch dünne Metallschicht ist dazu geeignet, den elektrischen Kontakt zu verbessern, aber noch ausreichend dünn, daß sie elektromagnetische Strahlung nur geringfügig absorbiert.Between the second contact surface the semiconductor chip and the transparent conductive layer is optional arranged a metal layer, which is advantageously less than 10 nm is thick. Such a thin one Metal layer is suitable for improving the electrical contact, but still thin enough, that she electromagnetic radiation absorbed only slightly.

Die leitfähige transparente Schicht sollte nur mit der zweiten Kontaktfläche des Halbleiterchips und mit dem zweiten Anschlußbereich des Trägerkörpers elektrisch leitend verbunden sein, um Kurzschlüsse zu vermeiden. Dazu werden die nicht zur Kontaktierung mit der leitfähigen transparenten Schicht vorgesehenen Bereiche, insbesondere die Seitenflanken des Halbleiterchips und die Bereiche des ersten Anschlußbereichs, vorteilhaft mit einer isolierenden Schicht versehen. Die isolierende Schicht kann beispielsweise eine Kunststoffschicht sein. Insbesondere kann es sich auch um eine photostrukturierbare Kunststoffschicht (Trockenresist) handeln. Alterna tiv kann die isolierende Schicht auch ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid aufweisen.The conductive transparent layer should only be with the second contact surface of the Semiconductor chips and with the second connection region of the carrier body electrically be conductively connected to avoid short circuits. To do this not for contacting with the conductive transparent layer provided areas, in particular the side edges of the semiconductor chip and the areas of the first terminal area, advantageously with provided an insulating layer. The insulating layer can for example, be a plastic layer. In particular, it can also be a photostructurable plastic layer (dry resist). Alternatively, the insulating layer may also be a silicon oxide or have a silicon nitride.

Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise eine strahlungserzeugende, aktive Schicht enthalten. Die aktive Schicht kann dabei sowohl ein organisches als auch ein anorganisches Halbleitermaterial aufweisen. Im Falle eines anorganischen Halbleitermaterials kann es sich insbesondere um ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial wie zum Beispiel GaAs, GaAlAs, GaP, GaAlP, InGaAs, InGaAlP, GaN oder InGaN handeln.The Optoelectronic component can be, for example, a radiation-generating, active layer included. The active layer can be both a having organic and an inorganic semiconductor material. In the case of an inorganic semiconductor material may be in particular a III-V compound semiconductor material such as GaAs, GaAlAs, GaP, GaAlP, InGaAs, InGaAlP, GaN or InGaN act.

Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ist vorgesehen, daß der Halbleiterchip mit der ersten Hauptfläche auf dem Trägerkörper montiert wird, eine isolierende Schicht aufgebracht wird, die isolierende Schicht strukturiert wird, und eine transparente, elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht wird. Bei einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens befindet sich die elektrisch leitfähige, transparente Schicht auf einer Trägerfolie, vorzugsweise auf einer Kunststofffolie.at a method according to the invention for producing an optoelectronic component according to the preamble of the patent claim 1 is provided that the semiconductor chip with the first major surface mounted on the carrier body Is, an insulating layer is applied, the insulating Layer is structured, and a transparent, electrically conductive layer is applied. In a first embodiment of the method according to the invention is the electrically conductive, transparent layer on a carrier foil, preferably on a plastic film.

Bei dieser Ausführungsform der Erfindung ist die isolierende Schicht vorzugsweise eine Kunststoffschicht, die zum Beispiel durch das Aufsprühen einer Polymerlösung aufgebracht wird.at this embodiment invention, the insulating layer is preferably a plastic layer, which is applied, for example, by spraying a polymer solution becomes.

Bei einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die isolierende Schicht eine Kunststoffschicht, die durch Laminieren aufgebracht wird.at a second embodiment the method according to the invention the insulating layer is a plastic layer applied by lamination becomes.

Die genannten Verfahrensschritte können in verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung in unterschiedlicher Reihenfolge durchgeführt werden.The mentioned method steps can in different embodiments of the invention are carried out in different order.

Zur Strukturierung der isolierenden Schicht sind verschiedene Methoden geeignet. Beispielsweise kann die isolierende Schicht photolithographisch strukturiert werden. Weiterhin ist es möglich, die isolierende Schicht unter Verwendung eines Lasers, beispielsweise mit Laserablation, zu strukturieren. Ebenfalls kann die isolierende Schicht mit mechanischen Methoden oder durch eine Kombination aus mechanischen und thermischen Methoden strukturiert werden. Beispielsweise kann dies durch Fräsen, Stempeln, Walzen oder Prägen erfolgen, wobei die mechanische Bearbeitung insbesondere im Fall einer Kunststoffschicht durch eine Erhitzung der isolierenden Schicht vereinfacht werden kann.Various methods are suitable for structuring the insulating layer. For example, the insulating layer can be photolithographically patterned. Furthermore, it is possible to pattern the insulating layer using a laser, for example with laser ablation. Likewise, the insulating layer can be structured by mechanical methods or by a combination of mechanical and thermal methods. For example, this can be done by milling, stamping, rolling or embossing, the mechanical processing can be simplified in particular in the case of a plastic layer by heating the insulating layer.

Bei der zweiten Ausführungsform der Erfindung kann die leitfähige, transparente Schicht beispielsweise mit einem PVD-Verfahren direkt auf den Halbleiterchip und den Trägerkörper aufgebracht werden.at the second embodiment of the invention, the conductive, transparent layer, for example, with a PVD method directly be applied to the semiconductor chip and the carrier body.

Vorzugsweise befindet sich die leitfähige transparente Schicht auf einer Trägerfolie, die auf den Halbleiterchip und den Trägerkörper auflaminiert wird. Das Aufbringen der Trägerfolie mit der leitfähigen transparenten Schicht auf den Halbleiterchip und den Trägerkörper kann auch mit einem Tiefziehverfahren erfolgen.Preferably is the conductive transparent Layer on a carrier foil, which is laminated onto the semiconductor chip and the carrier body. The Applying the carrier film with the conductive transparent layer on the semiconductor chip and the carrier body can also done with a thermoforming process.

Vorteilhaft wird die Trägerfolie mit der leitfähigen transparenten Schicht vor dem Aufbringen auf den Halbleiterchip strukturiert. Dies kann insbesondere durch das Heraustrennen von Teilbereichen der Folie, beispielsweise durch Ausstanzen, oder durch eine Strukturierung der leitfähigen transparenten Schicht oder das Aufbringen von strukturierten Bereichen einer isolierenden Schicht auf die leitfähige Schicht erfolgen. Diese isolierende Schicht kann beispielsweise ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid enthalten. Durch die Verwendung einer derartig vorstrukturierten Folie kann das vorherige Aufbringen der isolierenden Schicht auf den Halbleiterchip entfallen.Advantageous becomes the carrier film with the conductive transparent layer before application to the semiconductor chip structured. This can in particular by the separation of Partial areas of the film, for example by punching, or by a Structuring the conductive transparent layer or the application of structured areas an insulating layer on the conductive layer. These insulating layer, for example, a silicon oxide or a Contain silicon nitride. By using such a prestructured Foil may be the previous application of the insulating layer the semiconductor chip omitted.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen in Zusammenhang mit den 1 bis 5 näher erläutert.The invention will be described below with reference to embodiments in connection with the 1 to 5 explained in more detail.

Es zeigen:It demonstrate:

1 a, b, c und d schematisch dargestellte Zwischenschritte eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß der Erfindung, 1 a, b, c and d schematically illustrated intermediate steps of an embodiment of a method for producing an optoelectronic component according to the invention,

2 eine schematische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements, 2 a schematic representation of a first embodiment of an optoelectronic device according to the invention,

3 eine schematische Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements, 3 a schematic representation of a second embodiment of an optoelectronic device according to the invention,

4 eine schematische Darstellung eines dritten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements und 4 a schematic representation of a third embodiment of an optoelectronic device according to the invention and

5 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Kunststofffolie, die zur Kontaktierung eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements vorgesehen ist. 5 a schematic representation of an embodiment of a plastic film, which is provided for contacting an optoelectronic device according to the invention.

Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.Same or equivalent elements are in the figures with the same Provided with reference numerals.

In 1a ist ein optoelektronisches Bauelement dargestellt, das einen Halbleiterchip 1 und einen Trägerkörper 10 aufweist. Der Halbleiterchip 1 weist eine erste Hauptfläche 2 mit einer ersten Kontaktfläche 4 und eine zweite Hauptfläche 5 mit einer zweiten Kontaktfläche 6 auf. Die zweite Kontaktfläche 4 kann beispielsweise durch eine dem Trägerkörper 10 zugewandte, vorzugsweise mit einer Metallisierungsschicht 4 versehene Rückseite eines Substrats 3 gebildet werden. Mit der Kontaktfläche 4 ist der Halbleiterchip 1 mittels einer elektrisch leitfähigen Verbindung auf einem ersten Anschlußbereich 7 des Trägerkörpers 10 montiert. Die Montage des Halbleiterchips 1 auf dem Trägerkörper 10 erfolgt beispielsweise mittels einer Lötverbindung oder einem elektrisch leitfähigen Klebstoff.In 1a an optoelectronic component is shown, which is a semiconductor chip 1 and a carrier body 10 having. The semiconductor chip 1 has a first major surface 2 with a first contact surface 4 and a second major surface 5 with a second contact surface 6 on. The second contact surface 4 can for example by a the carrier body 10 facing, preferably with a metallization layer 4 provided back side of a substrate 3 be formed. With the contact surface 4 is the semiconductor chip 1 by means of an electrically conductive connection on a first connection region 7 of the carrier body 10 assembled. The mounting of the semiconductor chip 1 on the carrier body 10 For example, by means of a solder joint or an electrically conductive adhesive.

Der Trägerkörper 10 weist einen zweiten Anschlußbereich 8 auf, der zum Beispiel durch einen isolierenden Bereich 9 vom ersten Anschlußbereich 7 elektrisch isoliert ist. Die Form des Trägerkörpers 10 kann im Rahmen der Erfindung auch von der hier dargestellten Form abweichen. Beispielsweise können die Anschlußbereiche 7, 8 auch durch metallische Leiterbahnen auf einem gemeinsamen Trägerkörper, zum Beispiel aus Kunststoff, gebildet sein. Bei dem optoelektronischen Bauelement kann es sich insbesondere um eine lichtemittierende Diode (LED) handeln, die eine aktive Zone 11 aufweist. Die Kontakt fläche 6 des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise aus einer Kontaktschicht oder -schichtenfolge gebildet werden, die auf die zweite Hauptfläche 5 aufgebracht ist und mit dem Fachmann bekannten Methoden, zum Beispiel mit Photolithographie, strukturiert ist.The carrier body 10 has a second connection area 8th up, for example, by an insulating area 9 from the first connection area 7 is electrically isolated. The shape of the carrier body 10 may also differ from the form shown here in the context of the invention. For example, the connection areas 7 . 8th be formed by metallic interconnects on a common support body, for example made of plastic. The optoelectronic component may, in particular, be a light emitting diode (LED) which is an active zone 11 having. The contact surface 6 of the optoelectronic component may be formed, for example, from a contact layer or layer sequence, which on the second major surface 5 is applied and structured by methods known in the art, for example with photolithography.

In dem in 1b dargestellten Zwischenschritt wurde auf das optoelektronische Bauelement der 1a eine isolierende Schicht 12 aufgebracht. Die isolierende Schicht 12 ist vorzugsweise eine Kunststoffschicht, die zum Beispiel durch Auflaminieren einer Folie oder durch Aufsprühen einer Polymerlösung aufgebracht wird. Das Auflaminieren der isolierenden Schicht 12 in Form einer Kunststofffolie hat den Vorteil, daß dadurch auch die schwierig zu beschichtenden Seitenflanken des Halbleiterchips 1 mit einer gleichmäßig dicken isolierenden Schicht 12 bedeckt werden. Die Kunststofffolie 12 kann insbesondere ein sogenannter Trockenresist, also eine photostrukturierbare Folie, sein.In the in 1b shown intermediate step was applied to the optoelectronic component of 1a an insulating layer 12 applied. The insulating layer 12 is preferably a plastic layer applied, for example, by laminating a film or by spraying a polymer solution. The lamination of the insulating layer 12 in the form of a plastic film has the advantage that thereby also difficult to be coated side edges of the semiconductor chip 1 with a uniformly thick insulating layer 12 to be covered. The plastic film 12 may in particular be a so-called dry resist, that is to say a photostructurable film.

In dem in 1c dargestellten Zwischenschritt eines Verfahrens gemäß der Erfindung wurden Teile der isolierenden Schicht 12 durch eine Strukturierung entfernt. Bei dieser Strukturierung wird zumindest ein Teilbereich 13 des zweiten Anschlußbereichs 8 und die zweite Kontaktfläche 6 an der zweiten Hauptfläche 5 freigelegt. Die Strukturierung kann beispielsweise photolithographisch, mit Laserablation oder mechanischen Methoden, wie zum Beispiel Fräsen, Stempeln, Walzen oder Prägen erfolgen. Die mechanischen Methoden können vorteilhaft auch mit einer thermischen Bearbeitung kombiniert werden, zum Beispiel durch das Erhitzen einer isolierenden Kunststofffolie 12 bis in die Nähe oder über die Glastemperatur, um die mechanische Bearbeitung zu erleichtern.In the in 1c shown intermediate step of a method according to the invention have become parts of the insulating layer 12 removed by structuring. In this structuring, at least a subarea 13 of the second circuit range 8th and the second contact surface 6 at the second major surface 5 exposed. The structuring can be done, for example, photolithographically, with laser ablation or mechanical methods, such as, for example, milling, stamping, rolling or embossing. The mechanical methods can advantageously also be combined with a thermal treatment, for example by heating an insulating plastic film 12 close to or above the glass transition temperature to facilitate machining.

1d zeigt schematisch einen Zwischenschritt, bei dem eine leitfähige transparente Schicht 14 aufgebracht und dadurch die bei der Strukturierung der isolierenden Schicht 12 freigelegten Bereiche elektrisch miteinander verbunden werden. Die leitfähige transparente Schicht 14 kann zum Beispiel auf eine Kunststofffolie 15 aufgebracht sein und zusammen mit dieser auf den Halbleiterchip 1 und den Trägerkörper 10 auflaminiert werden. Die transparente leitfähige Schicht 14 kann beispielsweise eine Indium-Zinn-Oxid-Schicht sein, mit der die Kunststoffschicht 15 auf einer beim Auflaminieren dem Halbleiterchip 1 zugewandten Seite beschichtet ist. Das Beschichten der Kunststofffolie 15 mit der leitfähigen transparenten Schicht kann beispielsweise mittels Sputtern oder Aufdampfen erfolgen. Das Auflaminieren der leitfähigen transparenten Schicht 14 mit einer Kunststofffolie als Trägermedium hat den Vorteil, daß ähnlich wie beim zuvor beschriebenen Auflaminieren der isolierenden Schicht auch die Seitenflanken des Halbleiterchips 1, die schwierig zu beschichten sind, gleichmäßig mit der leitfähigen transparenten Schicht 14 bedeckt werden, und somit eine Unterbrechung der leitfähigen transparenten Schicht 14 vermieden wird. 1d schematically shows an intermediate step in which a conductive transparent layer 14 applied and thereby the structuring of the insulating layer 12 exposed areas are electrically connected to each other. The conductive transparent layer 14 can, for example, on a plastic film 15 be applied and together with this on the semiconductor chip 1 and the carrier body 10 be laminated. The transparent conductive layer 14 For example, it may be an indium tin oxide layer with which the plastic layer 15 on a while laminating the semiconductor chip 1 facing side is coated. Coating the plastic film 15 with the conductive transparent layer can be done for example by sputtering or vapor deposition. The lamination of the conductive transparent layer 14 with a plastic film as a carrier medium has the advantage that, similar to the above-described lamination of the insulating layer and the side edges of the semiconductor chip 1 which are difficult to coat evenly with the conductive transparent layer 14 are covered, and thus an interruption of the conductive transparent layer 14 is avoided.

Im Rahmen der Erfindung ist es aber auch möglich, daß die transparente leitfähige Schicht 12 direkt mit einem PVD-Beschichtungsverfahren auf den Halbleiterchip 1 und den Trägerkörper 10 aufgebracht wird. Dies kann beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen erfolgen.In the context of the invention, it is also possible that the transparent conductive layer 12 directly with a PVD coating process on the semiconductor chip 1 and the carrier body 10 is applied. This can be done for example by sputtering or vapor deposition.

Nach Durchführung des in 1d dargestellten Verfahrensschritts ist das in 2 dargestellte erste Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements entstanden. Die leitfähige transparente Schicht 14 stellt eine elektrische Verbindung zwischen der Kontaktfläche 6 des Halbleiterchips 1 und dem zweiten Anschlußbereich 8 des Trägerkörpers 10 her. Durch die Isolierung der Seitenflanken des Halbleiterchips 1 und des ersten Anschlußbereichs 7 des Trägerkörpers 10 mit der isolierenden Schicht 12 wird ein Kurzschluß vermieden. Die Transparenz der leitfähigen Schicht 14 hat den Vorteil, daß von dem optoelektronischen Bauelement empfangene oder ausgesendete Strahlung nicht abgeschattet wird, wie dies bei einer Kontaktierung mit einem Bonddraht und einem Bondpad der Fall wäre.After performing the in 1d The method step shown is that in 2 illustrated first embodiment of an optoelectronic device according to the invention emerged. The conductive transparent layer 14 provides an electrical connection between the contact surface 6 of the semiconductor chip 1 and the second terminal area 8th of the carrier body 10 ago. By isolating the side edges of the semiconductor chip 1 and the first terminal area 7 of the carrier body 10 with the insulating layer 12 a short circuit is avoided. The transparency of the conductive layer 14 has the advantage that radiation received or emitted by the optoelectronic component is not shaded, as would be the case when contacting with a bonding wire and a bonding pad.

Bei dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel sind Teilbereiche 16, 17 der Oberfläche des Trägerkörpers 10 freigelegt worden. Auf diesen Teilbereichen 16, 17 können beispielsweise Kontakte (nicht dargestellt) angebracht werden, mit denen die elektrische Stromzuführung von außen zu den Anschlußbereichen 7 und 8 erfolgt. Das Freilegen der Teilbereiche 16, 17 kann durch einen Strukturierungsschritt, wie beispielsweise zuvor im Zusammenhang mit der Strukturierung der isolierenden Schicht 12 beschrieben, erfolgen.At the in 3 shown embodiment are sub-areas 16 . 17 the surface of the carrier body 10 been uncovered. On these sections 16 . 17 For example, it is possible to attach contacts (not shown) with which the electrical power supply from the outside to the terminal areas 7 and 8th he follows. The exposure of the subareas 16 . 17 can by a structuring step, such as previously in connection with the structuring of the insulating layer 12 described, done.

Bei dem in 4 dargestellten dritten Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterchip 1 mit der aufgebrachten leitfähigen transparenten Schicht 14 und der Kunststoffschicht 15 in eine Vergußmasse 18 eingeschlossen. Die Vergußmasse 18 dient insbesondere zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor Umwelteinflüssen, wie beispielsweise Schmutz oder Feuchtigkeit. Weiterhin kann die Vergußmasse 18 auch Partikel zur Konversion der Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung enthalten. zum Beispiel könnte ein blau emittierender Halbleiterchip auf der Basis von GaN mit einer YAG:Ce enthaltenden Vergußmasse versehen werden, um Weißlicht zu erzeugen.At the in 4 illustrated third embodiment, the semiconductor chip 1 with the applied conductive transparent layer 14 and the plastic layer 15 in a potting compound 18 locked in. The potting compound 18 is used in particular to protect the optoelectronic device from environmental influences, such as dirt or moisture. Furthermore, the sealing compound 18 also contain particles for the conversion of the wavelength of electromagnetic radiation. For example, a GaN-based blue-emitting semiconductor chip could be provided with a potting compound containing YAG: Ce to produce white light.

In 5 ist ein Ausführungsbeispiel einer Kunststofffolie 15, die als Trägerfolie für die leitfähige transparente Schicht 14 fungiert, dargestellt. Auf der der leitfähigen transparenten Schicht 14 gegenüberliegenden Seite ist die Kunststofffolie 15 mit einer Barrierenschicht 19 versehen, die ähnlich wie die im vorigen Ausführungsbeispiel vorgesehene Vergußmasse 18 zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor Umwelteinflüssen wie Schmutz oder Feuchtigkeit dient. Die Barrierenschicht 19 kann alternativ auch zwischen der Kunststofffolie 15 und der leitfähigen transparenten Schicht 14 angeordnet sein.In 5 is an embodiment of a plastic film 15 used as a carrier film for the conductive transparent layer 14 acts, shown. On the conductive transparent layer 14 opposite side is the plastic film 15 with a barrier layer 19 provided, similar to those provided in the previous embodiment potting compound 18 serves to protect the optoelectronic device from environmental influences such as dirt or moisture. The barrier layer 19 can alternatively also between the plastic film 15 and the conductive transparent layer 14 be arranged.

Die Kunststofffolie 15 kann vorteilhaft auch Partikel zur Konversion elektromagnetischer Strahlung erhalten. Auf der Seite der leitfähigen transparenten Schicht 14 kann zusätzlich auch noch eine Metallschicht 20 aufgebracht sein, die zu einer Verbesserung der elektrischen Leitfähigkeit dient. Um eine ausreichende Transparenz zu gewährleisten, sollte die Metallschicht 20 nicht dicker als 10 nm sein.The plastic film 15 can also advantageously receive particles for the conversion of electromagnetic radiation. On the side of the conductive transparent layer 14 can additionally also a metal layer 20 be applied, which serves to improve the electrical conductivity. To ensure adequate transparency, the metal layer should 20 not thicker than 10 nm.

Weiterhin ist es auch möglich, daß die elektrisch leitfähige Schicht 14 oder die Metallschicht 20 teilweise mit einer isolierenden Schicht 12 abgedeckt sind. Die isolierende Schicht 12 kann beispielsweise ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid enthalten. Durch das Aufbringen und die Strukturierung der isolierenden Schicht 12 auf die mit der leitfähigen transparenten Schicht 14 versehene Kunststofffolie 15 können die zuvor in Zusammenhang mit den 1c und 1d beschriebenen Verfahrensschritte des Aufbringens der isolierenden Schicht 12 auf den Halbleiterchip 1 und den Trägerkörper 10 und die anschließende Strukturierung entfallen. Beim Auflaminieren der Kunststofffolie 15 auf den Halbleiterchip 1 und den Trägerkörper 10 muß in diesem Fall durch eine genaue Po sitionierung sichergestellt werden, daß die isolierenden Bereiche 12 und die mit der leitfähigen transparenten Schicht 14 versehenen, nicht abgedeckten Bereiche auf die dafür vorgesehenen Bereiche des Halbleiterchips 1 und des Trägerkörpers 10 aufgebracht werden.Furthermore, it is also possible that the electrically conductive layer 14 or the metal layer 20 partially with an insulating layer 12 are covered. The insulating layer 12 For example, it may contain a silicon oxide or a silicon nitride. By applying and structuring the insulating layer 12 on the with the conductive trans parent layer 14 provided plastic film 15 can be previously related to the 1c and 1d described method steps of applying the insulating layer 12 on the semiconductor chip 1 and the carrier body 10 and the subsequent structuring omitted. When laminating the plastic film 15 on the semiconductor chip 1 and the carrier body 10 must be ensured in this case by an accurate Po sitioning that the insulating areas 12 and those with the conductive transparent layer 14 provided, uncovered areas on the designated areas of the semiconductor chip 1 and the carrier body 10 be applied.

Claims (27)

Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (2), eine erste Kontaktfläche (4), und eine der ersten Hauptfläche (2) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (5) mit einer zweiten Kontaktfläche (6) aufweist, sowie mit einem Trägerkörper (10), der zwei voneinander isolierte elektrische Anschlußbereiche (7, 8) aufweist, wobei der Halbleiterchip (1) mit der ersten Hauptfläche (2) auf dem Trägerkörper (10) befestigt ist und die erste Kontaktfläche (4) mit dem ersten Anschlußbereich (7) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontaktfläche (6) mit einer leitfähigen, transparenten Schicht (14), die auf eine Trägerfolie (15) aufgebracht ist, mit dem zweiten elektrischen Anschlußbereich (8) des Trägerkörpers (10) verbunden ist.Optoelectronic component with a semiconductor chip ( 1 ), which has a first main surface ( 2 ), a first contact surface ( 4 ), and one of the first main surfaces ( 2 ) opposite second major surface ( 5 ) with a second contact surface ( 6 ), as well as with a carrier body ( 10 ), the two isolated electrical connection areas ( 7 . 8th ), wherein the semiconductor chip ( 1 ) with the first main surface ( 2 ) on the carrier body ( 10 ) and the first contact surface ( 4 ) with the first connection area ( 7 ), characterized in that the second contact surface ( 6 ) with a conductive, transparent layer ( 14 ), which are placed on a carrier foil ( 15 ) is applied, with the second electrical connection area ( 8th ) of the carrier body ( 10 ) connected is. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerfolie (15) eine Kunststofffolie ist.Optoelectronic component according to claim 1, characterized in that the carrier film ( 15 ) is a plastic film. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die leitfähige, transparente Schicht (14) ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO), vorzugsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO), enthält.Optoelectronic component according to claim 1 or 2, characterized in that the conductive, transparent layer ( 14 ) contains a transparent conductive oxide (TCO), preferably indium tin oxide (ITO). Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (2), eine erste Kontaktfläche (4), und eine der ersten Hauptfläche (2) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (5) mit einer zweiten Kontaktfläche (6) aufweist, sowie mit einem Trägerkörper (10), der zwei vonein ander isolierte elektrische Anschlußbereiche (7, 8) aufweist, wobei der Halbleiterchip (1) mit der ersten Hauptfläche (2) auf dem Trägerkörper (10) befestigt ist und die erste Kontaktfläche (4) mit dem ersten Anschlußbereich (7) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontaktfläche (6) mit einer leitfähigen, transparenten Kunststofffolie (14) mit dem zweiten elektrischen Anschlußbereich (8) des Trägerkörpers (10) verbunden ist.Optoelectronic component with a semiconductor chip ( 1 ), which has a first main surface ( 2 ), a first contact surface ( 4 ), and one of the first main surfaces ( 2 ) opposite second major surface ( 5 ) with a second contact surface ( 6 ), as well as with a carrier body ( 10 ), the two vonein other isolated electrical connection areas ( 7 . 8th ), wherein the semiconductor chip ( 1 ) with the first main surface ( 2 ) on the carrier body ( 10 ) and the first contact surface ( 4 ) with the first connection area ( 7 ), characterized in that the second contact surface ( 6 ) with a conductive, transparent plastic film ( 14 ) with the second electrical connection area ( 8th ) of the carrier body ( 10 ) connected is. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Kontaktfläche (4) an der ersten Hauptfläche (2) des Halbleiterchips angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (1) mit der ersten Kontaktfläche (4) mittels einer elektrisch leitenden Verbindung auf dem ersten Anschlußbereich (7) montiert ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the first contact surface ( 4 ) at the first main surface ( 2 ) of the semiconductor chip is arranged, wherein the semiconductor chip ( 1 ) with the first contact surface ( 4 ) by means of an electrically conductive connection on the first connection region ( 7 ) is mounted. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststofffolie (14) oder die Trägerfolie (15) Partikel zur Konversion der Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung enthält.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the plastic film ( 14 ) or the carrier film ( 15 ) Contains particles for converting the wavelength of electromagnetic radiation. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Trägerfolie (15) oder auf die Kunststofffolie (14) eine Barrierenschicht (19) zum Schutz vor Umwelteinflüssen aufgebracht ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, characterized in that on the carrier film ( 15 ) or on the plastic film ( 14 ) a barrier layer ( 19 ) is applied to protect against environmental influences. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (1) in eine Vergußmasse (18) eingebettet ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor chip ( 1 ) in a potting compound ( 18 ) is embedded. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der zweiten Kontaktfläche (6) und der elektrisch leitfähigen, transparenten Schicht (14) oder der leitfähigen, transparenten Kunststofffolie eine Metallschicht (20), die vorzugsweise dünner als 10 nm ist, angeordnet ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, characterized in that between the second contact surface ( 6 ) and the electrically conductive, transparent layer ( 14 ) or the conductive, transparent plastic film a metal layer ( 20 ), which is preferably thinner than 10 nm. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Seitenflanken des Halbleiterchips (1) und/oder dem ersten Anschlußbereich (7) und der leitfähigen, transparenten Schicht (14) oder der leitfähigen, transparenten Kunststofffolie eine isolierende Schicht (12) angeordnet ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, characterized in that between side edges of the semiconductor chip ( 1 ) and / or the first connection area ( 7 ) and the conductive, transparent layer ( 14 ) or the conductive, transparent plastic film an insulating layer ( 12 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (12) eine Kunststoffschicht ist.Optoelectronic component according to claim 10, characterized in that the insulating layer ( 12 ) is a plastic layer. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Kunststoffschicht (12) photostrukturierbar ist.Optoelectronic component according to claim 11, characterized in that the insulating plastic layer ( 12 ) is photostructurable. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (12) ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid enthält.Optoelectronic component according to claim 10, characterized in that the insulating layer ( 12 ) contains a silicon oxide or a silicon nitride. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement eine strahlungserzeugende, aktive (11) Schicht enthält.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the optoelectronic component is a radiation-generating, active ( 11 ) Contains layer. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (2), eine erste Kontaktfläche (4) und eine der ersten Hauptfläche (2) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (5) mit einer zweiten Kontaktfläche (6) aufweist, sowie mit einem Trägerkörper (10), der zwei elektrisch voneinander isolierte Anschlußbereiche (7, 8) aufweist, umfassend die Verfahrensschritte – Montage des Halbleiterchips (1) mit der ersten Hauptfläche (2) auf den Trägerkörper (10), – Aufbringen einer isolierenden Schicht (12), – Strukturierung der isolierenden Schicht (12), – Aufbringen einer transparenten, elektrisch leitfähigen Schicht (14), die sich auf einer Trägerfolie (15) befindet.Method for producing an optoelectronic component with a semiconductor chip ( 1 ), which has a first main surface ( 2 ), a first contact surface ( 4 ) and one of the first main surfaces ( 2 ) opposite second major surface ( 5 ) with a second contact surface ( 6 ), as well as with a carrier body ( 10 ), the two electrically isolated terminal areas ( 7 . 8th ), comprising the method steps - mounting the semiconductor chip ( 1 ) with the first main surface ( 2 ) on the carrier body ( 10 ), - applying an insulating layer ( 12 ), - structuring of the insulating layer ( 12 ), - applying a transparent, electrically conductive layer ( 14 ), which are supported on a carrier film ( 15 ) is located. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (12) eine Kunststoffschicht ist.Method according to claim 15, characterized in that the insulating layer ( 12 ) is a plastic layer. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Kunststoffschicht (12) durch Auflaminieren aufgebracht wird.A method according to claim 16, characterized in that the insulating plastic layer ( 12 ) is applied by lamination. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Kunststoffschicht (12) durch Aufsprühen einer Polymerlösung aufgebracht wird.A method according to claim 16, characterized in that the insulating plastic layer ( 12 ) is applied by spraying a polymer solution. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (2), eine erste Kontaktfläche (4) und eine der ersten Hauptfläche (2) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (5) mit einer zweiten Kontaktfläche (6) aufweist, sowie mit einem Trägerkörper (10), der zwei elektrisch voneinander isolierte Anschlußbereiche (7, 8) aufweist, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte – Montage des Halbleiterchips (1) mit der ersten Hauptfläche (2) auf den Trägerkörper (10), – Auflaminieren einer isolierenden Kunststoffschicht (12), – Strukturierung der isolierenden Kunststoffschicht (12), – Aufbringen einer transparenten, elektrisch leitfähigen Schicht (14).Method for producing an optoelectronic component with a semiconductor chip ( 1 ), which has a first main surface ( 2 ), a first contact surface ( 4 ) and one of the first main surfaces ( 2 ) opposite second major surface ( 5 ) with a second contact surface ( 6 ), as well as with a carrier body ( 10 ), the two electrically isolated terminal areas ( 7 . 8th ), characterized by the method steps - mounting the semiconductor chip ( 1 ) with the first main surface ( 2 ) on the carrier body ( 10 ), - lamination of an insulating plastic layer ( 12 ), - structuring of the insulating plastic layer ( 12 ), - applying a transparent, electrically conductive layer ( 14 ). Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die leitfähige, transparente Schicht (14) mit einem PVD-Verfahren aufgebracht wird.Method according to claim 19, characterized in that the conductive, transparent layer ( 14 ) is applied by a PVD method. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (12) unter Verwendung eines Lasers strukturiert wird.Method according to one of claims 15 to 20, characterized in that the insulating layer ( 12 ) is patterned using a laser. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (12) photolithographisch strukturiert wird.Method according to one of claims 15 to 20, characterized in that the insulating layer ( 12 ) is structured photolithographically. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht (12) mechanisch oder durch eine Kombination aus einer mechanischen und einer thermischen Methode strukturiert wird.Method according to one of claims 15 to 20, characterized in that the insulating layer ( 12 ) is structured mechanically or by a combination of a mechanical and a thermal method. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass sich die leitfähige, transparente Schicht (14) auf einer Trägerfolie (15), vorzugsweise einer Kunststofffolie (15), befindet.Method according to one of claims 19 to 23, characterized in that the conductive, transparent layer ( 14 ) on a carrier film ( 15 ), preferably a plastic film ( 15 ) is located. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerfolie (15) mit der elektrisch leitfähigen, transparenten Schicht (14) auflaminiert wird.A method according to claim 24, characterized in that the carrier film ( 15 ) with the electrically conductive, transparent layer ( 14 ) is laminated. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerfolie (15) mit der elektrisch leitfähigen, transparenten Schicht (14) mit einem Tiefziehverfahren aufgebracht wird.A method according to claim 24, characterized in that the carrier film ( 15 ) with the electrically conductive, transparent layer ( 14 ) is applied by a deep drawing process. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerfolie (15) mit der elektrisch leitfähigen, transparenten Schicht (14) vor dem Aufbringen strukturiert wird.Method according to one of claims 24 to 26, characterized in that the carrier film ( 15 ) with the electrically conductive, transparent layer ( 14 ) is structured before application.
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