DE10358556A1 - Ausbildung selbstjustierender Kontakte unter Verwendung von Doppelten-SiN-Abstandschichten - Google Patents
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Abstract
Ein Verfahren zum Herstellen eines selbstjustierenden Kontakts in einer integrierten Schaltung beinhaltet das Definieren von ersten Abstandsschichten über den Seitenwänden eines Paars von Wortleitungsstapeln. Eine Oxidschicht wird über den Oberseiten der Wortleitungsstapel, den ersten Abstandsschichten und einer Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats abgeschieden. Die Oxidschicht wird von den ersten Abstandsschichten entfernt, wodurch eine verbleibende Oxidschicht ausgebildet wird, die die Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats bedeckt. Zweite Abstandsschichten werden über den ersten Abstandsschichten ausgebildet und bedecken jeweilige Teile der verbleibenden Oxidschicht. Die verbleibende Oxidschicht wird entfernt, um dadurch unterschnittene Gebiete auszubilden. Die unterschnittenen Gebiete werden während der Ausbildung des Kontakts mit Kontaktmaterial im wesentlichen gefüllt.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein integrierte Schaltungen und insbesondere eine integrierte Schaltung mit einer verbesserten selbstjustierenden Kontaktstruktur und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
- Integrierte Schaltungen (ICs) oder Chips erfordern Kontakte oder Kontaktgebiete, die aus einem elektrisch leitenden Material wie etwa einem Metall oder einer Legierung hergestellt werden. Über die Kontakte kann ein Strom zwischen einem der Teil der Schaltung, wie einem Drain- oder Sourcegebiet, und einem anderen Teil der Schaltung und/oder der Außenwelt fließen. Ein Kontakt weist wünschenswerterweise einen relativ geringen elektrischen Widerstand auf.
- Der Wunsch des Verbrauchers nach kleinen, tragbaren und integrierten elektronischen Geräten zwingt die Designer, ständig zu versuchen, die Dichte der ICs zu vergrößern und ihre Größe zu reduzieren und auf einem einzelnen IC mehrere Funktionen zu integrieren. Dementsprechend trachten die Designer danach, die Größe der einzelnen Strukturelemente in einem IC zu reduzieren bzw. sie zu schrumpfen, einschließlich der Kontaktgebiete. Mit der Abnahme der Größe (d.h. der Fläche) eines Kontaktgebiets steigt jedoch unerwünschterweise sein spezifischer Widerstand.
- Um Kontakte in derart dichten ICs auszubilden, wird anstelle von Masken- oder Fotolackprozessen ein Verfahren verwendet, das die Topographie des IC selbst ausnützt. Ein derartiges Verfahren wird als ein Verfahren zur Ausbildung selbstjustierender Kontakte bezeichnet. Bei dem Verfahren zur Ausbil dung selbstjustierender Kontakte werden Abstandsschichten, die aus einem isolierenden Material wie etwa Siliziumnitrid ausgebildet sind, auf den Seitenwänden eines Stapels einer Gateelektrode oder von Wortleitungen abgeschieden. Die Abstandsschichten isolieren die Gateelektrode gegenüber der leitenden Schicht, die danach zur Ausbildung eines Kontakts abgeschieden wird. Die Dicke dieser Abstandsschichten ist eine kritische Kenngröße. Eine Abstandsschicht mit einer Dicke, die geringer als erwünscht ist, isoliert möglicherweise die Gateelektrode nicht adäquat gegenüber dem Kontakt, wohingegen eine Abstandsschicht mit einer Dicke, die größer ist als erwünscht, die verfügbare Fläche für den Kontakt reduziert, wodurch der Widerstand des Kontakts unerwünschterweise zunimmt.
- Die Dicke einer Abstandsschicht ist in der Regel am größten in der Nähe der Oberfläche des Siliziumwafers und am kleinsten in den oberen Ecken der Struktur der Gateelektrode (d.h. von der Oberfläche des Siliziumwafers am weitesten entfernt). Die Dicke der Abstandsschicht in den oberen Ecken der Struktur der Gateelektrode muss auf einem Minimum gehalten werden, um die Bildung eines Kurzschlusses der Gateelektrode zum Kontakt zu verhindern. Das Aufrechterhalten der Dicke der Abstandsschichten in den oberen Ecken der Gateelektrode führt jedoch zu einer Abstandsschicht, die in der Nähe der Oberfläche des Siliziumwafers dicker ist als erforderlich. Die vergrößerte Dicke in der Nähe der Siliziumoberfläche verbraucht Fläche, die ansonsten von dem Kontakt belegt werden könnte, und reduziert dadurch die für den Kontakt verfügbare Fläche. Somit wird der Widerstand des Kontakts unerwünschterweise vergrößert.
- Was in der Technik benötigt wird, ist deshalb eine integrierte Schaltung mit Abstandsschichten mit einer gewünschten Dicke in der Nähe der oberen Ecke der Gateelektrode und mit einer reduzierten Dicke in der Nähe der Siliziumoberfläche und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
- Was außerdem in der Technik benötigt wird, ist ein integrierte Schaltung mit einer vergrößerten Kontaktfläche (und somit reduziertem Kontaktwiderstand) und dennoch mit einer ausreichenden Isolierung in den oberen Ecken der Gateelektrode und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
- KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen eines selbstjustierenden Kontakts mit reduziertem Kontaktwiderstand in einer integrierten Schaltung bereit.
- Die Erfindung umfasst in einer ihrer Formen ein Verfahren, bei dem erste Abstandsschichten über den Seitenwänden eines Paars von Wortleitungsstapeln definiert werden. Eine Oxidschicht wird über den Oberseiten der Wortleitungsstapel abgeschieden, wobei die ersten Abstandsschichten und eine Oberfläche des Substrats zwischen den ersten Abstandsschichten angeordnet sind. Die Oxidschicht wird von den ersten Abstandsschichten entfernt, wodurch eine verbleibende Oxidschicht entsteht, die die Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats bedeckt. Zweite Abstandsschichten werden über den ersten Abstandsschichten ausgebildet und bedecken jeweilige Teile der verbleibenden Oxidschicht. Die verbleibende Oxidschicht wird entfernt, um dadurch unterschnittene Gebiete auszubilden. Die unterschnittenen Gebiete werden während der Ausbildung des Kontakts im wesentlichen mit Kontaktmaterial gefüllt.
- Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die Kontaktfläche vergrößert und der Widerstand des Kontakts relativ zu herkömmlichen Kontakten verringert wird.
- Die obenerwähnten und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, wie sie erreicht werden, ergibt sich und lässt sich besser verstehen unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung einer Ausführungsform der Erfindung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen. Es zeigen:
-
1 bis10 Querschnittsansichten einer Ausführungsform einer integrierten Schaltung der vorliegenden Erfindung, wobei jede einen spezifischen Schritt bei einer Ausführungsform eines Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. - Entsprechende Bezugszeichen bezeichnen in den verschiedenen Ansichten entsprechende Teile. Die hier dargelegten Exemplifizierungen veranschaulichen eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung in einer Form, und derartige Exemplifizierungen sollen nicht so ausgelegt werden, als würden sie den Schutzbereich auf irgendeine Weise beschränken.
- AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen und insbesondere auf
1 wird nunmehr eine teilweise hergestellte oder anfängliche Struktur einer Ausführungsform einer integrierten Schaltung der vorliegenden Erfindung gezeigt. Eine integrierte Schaltung (IC)10 , wie etwa eine Schaltung für ein DRAM (dynamischer Speicher mit direktem Zugriff) wird auf dem Substrat12 ausgebildet und enthält Gate- oder Wortleitungsstapel20 , die unter Verwendung herkömmlicher Prozesse und Techniken hergestellt worden sind. - Das Ausführungsbeispiel des IC
10 enthält insbesondere Gate- oder Wortleitungsstapel20 mit jeweiligen Polysiliziumschichten22 , die etwa durch chemische Dampfabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD) mit einer typischen Dicke zwischen etwa 200 und etwa 1500 Angström (A) auf einem Substrat12 abgeschieden worden sind. Die Gatestapel20 enthalten weiterhin eine Schicht einer Wortleitung24 , die in der Regel eine Schicht aus Wolframsilizid (WSi) oder Wolfram plus Wolframnitrid (W/Wn) ist, die auf der Polysiliziumschicht22 etwa durch chemische Dampfabscheidung oder Sputtern abgeschieden wird und eine typische Dicke zwischen etwa 200 und etwa 1500 A aufweist. Eine Kappenschicht26 wird über der Wortleitung24 angeordnet, und es handelt sich bei ihr in der Regel um eine Schicht aus Siliziumnitrid (SiN), die beispielsweise durch LPCVD abgeschieden worden ist und eine typische Dicke zwischen etwa 1000 und 2500 A aufweist. So werden Gatestapel20 ausgebildet, die jeweils eine jeweilige innere Seitenwand20a enthalten. - In der vorausgegangenen Beschreibung des IC
10 sind nur die Strukturen des IC10 ausführlich aufgeführt, die für eine weitere Beschreibung der vorliegenden Erfindung relevant und erforderlich sind, und sie soll deshalb keine weiteren Aspekte der Herstellung des IC10 wie etwa die Herstellung des Kondensatorelements, die vor oder nach der Ausbildung der Gatestapel20 erfolgen kann, einschließen. - Unter Bezugnahme auf
2 kann man nunmehr sehen, dass eine erste Isolierschicht, wie etwa eine Schicht aus Siliziumnitrid, derart abgeschieden und geätzt worden ist, dass erste Abstandsschichten28 ausgebildet werden. Insbesondere wird die erste Isolier- oder Siliziumnitrid-Schicht beispielsweise über LPCVD bis auf eine typische Dicke zwischen etwa 100 und etwa 300 A abgeschieden. Diese Schicht wird dann geätzt, um das Material von überall außer von den inneren Seitenwänden20a der Gatestapel20 zu entfernen und dadurch erste Abstandsschichten28 zu definieren, die auf den inneren Seitenwänden20a der Gatestapel20 angeordnet sind und sich vom Substrat12 zur Oberseite der Gatestapel20 erstrecken. Die ersten Abstandsschichten28 bedecken jeweils einen entsprechenden Teil des Substrats12 , der gleich ihrer jeweiligen Dicke an der Oberfläche des Substrats12 ist. Die ersten Abstandsschichten28 bedecken jedoch nicht denjenigen Teil des Substrats12 , der zwischen den Gatestapeln20 und in einer Entfernung von einem entsprechenden Gatestapel20 angeordnet ist, der die Dicke der ersten Abstandsschichten28 übersteigt. Mit anderen Worten bedecken die ersten Abstandsschichten28 nur einen relativ kleinen Teil der zwischen den Gatestapeln20 angeordneten Oberfläche des Substrats12 . - Es sei besonders angemerkt, dass entsprechende und im wesentlichen ähnliche Abstandsschichten außerdem über den äußeren Seitenwänden der Gatestapel
20 ausgebildet werden, obwohl dies nicht in den Figuren gezeigt ist. - Wie in
3 gezeigt, wird eine Oxidschicht30 über und zwischen den Gatestrukturen20 und über den ersten Abstandsschichten28 abgeschieden. Die Oxidschicht30 wird unter Verwendung einer Technik abgeschieden, wie etwa einer Technik zur Abscheidung eines Plasmas bei hoher Dichte (HDP), die eine ungleichförmige Abscheidung der Oxidschicht30 erzeugt. Insbesondere wird die Oxidschicht30 so abgeschieden, dass sie in dem über den ersten Abstandsschichten28 liegenden Bereich dünner und so gut wie überall sonst dicker ist. Die Oxidschicht30 weist eine typische Dicke zwischen etwa 200 und etwa 1000 A, bevorzugt zwischen 200 und etwa 600 A, auf. Wie in4 gezeigt, wird die Oxidschicht30 , etwa durch eine chemische Ätzung mit Fluorwasserstoff zurückgeätzt, um restliches Oxid über den inneren Seitenwänden20a der Gatestapel20 und/oder von den ersten Abstandsschichten28 zu entfernen. Es sei angemerkt, dass die Oxidschicht30 nach dem Rückätzen auf und/oder über einem wesentlichen Teil der Kappenschicht26 des Gatestapels20 und dem zwischen den ersten Abstandsschichten28 der Gatestapel20 angeordneten Teil des Substrats12 angeordnet bleibt, wenn auch mit einer etwas reduzierten Dicke. - Nach dem Rückätzen der Oxidschicht
30 wird eine zweite Isolierschicht34 , wie etwa Siliziumnitrid, über und zwischen den Gatestapeln20 abgeschieden. Genauer gesagt und wie am besten in5 gezeigt, wird die zweite Isolier- oder SiN-Schicht34 beispielsweise durch LPCVD bis zu einer typischen Dicke zwischen etwa 100 und etwa 300 A abgeschieden. Die zweite SiN-Schicht34 wird dann, wie am besten in6 gezeigt, etwa über eine standardmäßige Nitridätzung von allen mit Ausnahme der ersten Abstandsschichten28 der Gatestapel20 entfernt, wodurch die zweiten Abstandsschichten38 definiert werden, die über und/oder auf den ersten Abstandsschichten28 angeordnet sind. Eine reaktive Innenätzung (RIE) wird dann durchgeführt, bei der Teile30a und30b der Oxidschicht30 , die "unter" den zweiten SiN-Abstandsschichten38 liegen und zwischen den zweiten Abstandsschichten38 und dem Substrat12 angeordnet sind, ungestört zurücklässt, aber diejenigen Teile der zweiten SiN-Schicht34 und der Oxidschicht30 entfernt, die in dem Bereich zwischen den zweiten SiN-Abstandsschichten38 auf dem Substrat12 angeordnet waren. Im Interesse der Klarheit werden Teile30a und30b der Oxidschicht30 im weiteren als Oxid-Abstandsschichten30a und30b bezeichnet. - Dann wird eine Linerschicht
42 , wie etwa SiN, beispielsweise durch LPCVD über der bisher gezeigten und beschriebenen Struktur abgeschieden, wie in7 gezeigt. Die SiN-Linerschicht42 weist eine Dicke zwischen etwa 100 und etwa 300 Å auf. Über der SiN-Schicht42 wird etwa durch chemische Dampfabscheidung eine Schicht aus mit Bor-/Phosphor dotiertem Silicatglas (BPSG)44 abgeschieden, das eine Dicke zwischen etwa 2000 bis etwa 10000 Å aufweist, wie in8 gezeigt. Zum Verdichten der BPSG-Schicht44 wird eine Temperung durchgeführt und eine chemisch/mechanische Planarisierung vorgenommen, um die Oberfläche der BPSG-Schicht44 zu planarisieren. Dann erfolgt die herkömmliche Bearbeitung, um den IC10 für das Ätzen eines Kontakts vorzubereiten. - Danach wird eine Ätzung eines Bitleitungskontakts vorgenommen. Wie in
9 gezeigt, werden die SiN-Linerschicht42 und die BPSG-Schicht44 durch eine Ätzung für selbstjustierende Kontakte geätzt, d.h. eine gegenüber SiN selektive O-xidätzung. Nach der SiN-selektiven Ätzung wird eine kurze nasse Oxidätzung wie etwa eine chemische Ätzung mit Fluorwasserstoff durchgeführt, um sicherzustellen, dass die Oxid-Abstandsschichten30a und30b unter den zweiten SiN-Abstandsschichten38 entfernt sind. Die Struktur des IC10 nach dieser Nassätzung ist in9 gezeigt. - Es sei insbesondere angemerkt, dass durch das Entfernen der Oxid-Abstandsschichten
30a und30b unterschnittene Gebiete U1 und U2 zurückbleiben. Die unterschnittenen Gebiete U1 und U2 weisen eine Höhe H zwischen etwa 200 und etwa 1000 Å und bevorzugt zwischen 200 und etwa 600 Å auf. Somit sind die Böden der zweiten SiN-Abstandsschichten38 , d.h. diejenigen Teile davon, die sich in der Nähe des Substrats12 befinden, um die gleiche Höhe von Substrat12 beabstandet, d.h. um eine Entfernung von 200 bis etwa 1000 Å und bevorzugt zwischen 200 und etwa 600 Å, und zwar aufgrund der Tatsache, dass unterschnittene Gebiete durch das Entfernen der Oxidschicht30 gebildet werden, die eine Dicke zwischen etwa 200 und etwa 1000 Å und bevorzugt zwischen 200 und etwa 600 Å aufweist. Analog weisen die unterschnittenen Gebiete eine Tiefe D zwischen etwa 100 und etwa 300 Å oder ungefähr genauso groß wie die Dicke der zweiten Abstandsschicht38 auf. - Dann wird das Material des Bitleitungskontakts
46 abgeschieden, wie in10 gezeigt. Insbesondere wird Bitleitungskontaktmaterial46 , wie etwa Polysilizium oder Wolfram, über chemische Dampfabscheidung (CVD) abgeschieden, so dass die relativ kleinen unterschnittenen Gebiete U1 und U2, d.h. die unterschnittenen Gebiete, die nach dem Entfernen der Oxid-Abstandsschichten30a und30b durch Nassätzen zurückbleiben, ausreichend mit dem Material des Bitleitungskontakts46 gefüllt werden. Das Auffüllen der unterschnittenen Gebiete U1 und U2 trägt zu einer Reduzierung des gesamten Kontaktwiderstands des fertiggestellten, allgemein in10 mit100 bezeichneten, selbstjustierenden Kontakts bei. - Wenngleich die vorliegende Erfindung so beschrieben worden ist, dass sie ein bevorzugtes Design aufweist, kann die vorliegende Erfindung innerhalb des Gedankens und Umfangs dieser Offenbarung weiter modifiziert werden. Die vorliegende Anmeldung soll deshalb alle Abwandlungen, Verwendungen oder Adaptierungen der vorliegenden Erfindung unter Verwendung der hier offenbarten allgemeinen Prinzipien abdecken. Zudem soll die vorliegende Anmeldung alle derartigen Abweichungen von der vorliegenden Offenbarung abdecken, die innerhalb der bekannten oder üblichen Praxis in der Technik liegen, auf die sich die vorliegende Erfindung bezieht, und die in die Grenzen der beigefügten Ansprüche fallen.
Claims (24)
- Selbstjustierende Kontaktstruktur in einer integrierten Schaltung, wobei die integrierte Schaltung ein Substrat und mindestens einen darauf ausgebildeten Wortleitungsstapel aufweist, wobei der Wortleitungsstapel Seitenwände aufweist, wobei die selbstjustierende Kontaktstruktur umfasst: eine erste Abstandsschicht aus isolierendem Material, die auf den Seitenwänden angeordnet ist und über einem Teil des Substrats liegt; eine zweite Abstandsschicht aus isolierendem Material, die auf der ersten Abstandsschicht und über den Seitenwänden angeordnet ist, wobei die zweite Abstandsschicht um eine vorbestimmte Entfernung von dem Substrat beabstandet ist, wobei unterschnittene Gebiete durch die ersten und zweiten Abstandsschichten und das Substrat definiert werden; und Kontaktmaterial, das auf dem Substrat und den zweiten Abstandsschichten angeordnet ist, wobei das Kontaktmaterial die unterschnittenen Gebiete im wesentlichen vollständig füllt.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten Abstandsschichten Siliziumnitrid umfassen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei die ersten und zweiten Abstandsschichten eine mittlere Dicke zwischen etwa 200 und etwa 1000 Angström aufweisen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die ersten und zweiten Abstands schichten eine mittlere Dicke zwischen etwa 200 und etwa 600 Angström aufweisen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Kontaktmaterial Polysilizium umfasst.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die unterschnittenen Gebiete eine Höhe zwischen etwa 200 und etwa 1000 Angström aufweisen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die unterschnittenen Gebiete eine Tiefe zwischen etwa 100 bis etwa 300 Angström aufweisen.
- Integrierte Schaltung mit einem Substrat, wobei die integrierte Schaltung umfasst: eine ersten und zweiten Wortleitungsstapel, die auf dem Substrat angeordnet sind, wobei die Wortleitungsstapel jeweilige Seitenwände aufweisen; eine erste Abstandsschicht aus isolierendem Material, die auf den Seitenwänden angeordnet ist und über einem Teil des Substrats liegt; eine zweite Abstandsschicht aus isolierendem Material, die auf der ersten Abstandsschicht und über den Seitenwänden angeordnet ist, wobei die zweite Abstandsschicht um eine vorbestimmte Entfernung von dem Substrat beabstandet ist, wobei unterschnittene Gebiete durch die ersten und zweiten Abstandsschichten und das Substrat definiert werden; und Kontaktmaterial, das auf dem Substrat und den zweiten Abstandsschichten angeordnet ist, wobei das Kontaktmaterial die unterschnittenen Gebiete im wesentlichen vollständig füllt.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach Anspruch 8, wobei die ersten und zweiten Abstandsschichten Siliziumnitrid umfassen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach Anspruch 8 oder 9, wobei die ersten und zweiten Abstandsschichten eine mittlere Dicke zwischen etwa 200 und etwa 1000 Angström aufweisen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die ersten und zweiten Abstandsschichten eine mittlere Dicke zwischen etwa 200 und etwa 600 Angström aufweisen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei das Kontaktmaterial Polysilizium umfasst.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei die unterschnittenen Gebiete eine Höhe zwischen etwa 200 und etwa 1000 Angström aufweisen.
- Selbstjustierende Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die unterschnittenen Gebiete eine Tiefe zwischen etwa 100 bis etwa 300 Angström aufweisen.
- Verfahren zum Herstellen eines selbstjustierenden Kontakts in einer integrierten Schaltung, wobei die integrierte Schaltung ein Substrat, mindestens ein auf dem Substrat angeordnetes Paar von Wortleitungsstapeln mit jeweiligen Oberseiten und Seitenwänden aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Definieren erster Abstandsschichten über den Seitenwänden; Abscheiden einer Oxidschicht über der Oberseite der Wortleitungsstapel, den ersten Abstandsschichten und einer Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrat; Entfernen der Oxidschicht von den ersten Abstandsschichten, wodurch eine verbleibende Oxidschicht gebildet wird, die die Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats ausbildet; Definieren zweiter Abstandsschichten über den ersten Abstandsschichten, wobei die zweiten Abstandsschichten jeweilige Teile der verbleibenden Oxidschicht bedecken; Entfernen der verbleibenden Oxidschicht, um dadurch unterschnittene Gebiete auszubilden; und Abscheiden von Kontaktmaterial auf die Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats, so dass die unterschnittenen Gebiete mit dem Kontaktmaterial im wesentlichen gefüllt werden.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Schritt des Definierens der ersten Abstandsschichten umfasst: Abscheiden einer ersten Isolierschicht über dem Paar von Wortleitungsstapeln und eine Oberfläche des zwischen den Wortleitungsstapeln angeordneten Substrats; und Ätzen der ersten Isolierschicht, um die über den Seitenwänden angeordneten ersten Abstandsschichten zu definieren.
- Verfahren nach Anspruch 16, wobei die erste Isolierschicht eine Schicht aus Siliziumnitrid umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei die erste Isolierschicht eine mittlere Dicke zwischen etwa 100 und etwa 300 Angström aufweist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei der Schritt des Abscheidens einer Oxidschicht das Abscheiden der Oxidschicht unter Verwendung eines Plasmas hoher Dichte umfasst, um dadurch die Oxidschicht ungleichförmig abzuscheiden und eine relativ dünne Schicht aus Oxid auf den Seitenwänden auszubilden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, wobei die Oxidschicht eine mittlere Dicke zwischen etwa 200 und etwa 1000 Angström aufweist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, wobei die Oxidschicht eine mittlere Dicke zwischen etwa 200 und etwa 600 Angström aufweist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 21, wobei der Schritt des Entfernens der Oxidschicht eine Nassrückätzung unter Verwendung einer chemischen Ätzung mit Fluorwasserstoff umfasst.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 22, wobei der Schritt des Definierens der zweiten Abstandsschicht umfasst: Abscheiden einer zweiten Isolierschicht über der verbleibenden Oxidschicht und den ersten Abstandsschichten und Ätzen der zweiten Isolierschicht, um die zweiten Abstandsschichten zu definieren, wobei die zweiten Abstandsschichten über den ersten Abstandsschichten und über entsprechenden Stücken des Teils der verbleibenden Oxidschicht angeordnet sind, die auf der Oberfläche des Substrats zwischen den ersten Abstandsschichten angeordnet sind.
- Verfahren zum Reduzieren des Kontaktwiderstands in einem selbstjustierenden Kontakt einer integrierten Schaltung, wobei die integrierte Schaltung ein Substrat, mindestens ein auf dem Substrat angeordnetes Paar von Wortleitungsstapeln mit jeweiligen Seitenwänden aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Definieren erster Abstandsschichten über den Seitenwänden; Abscheiden einer Oxidschicht über der Oberseite der Wortleitungsstapel, den ersten Abstandsschichten und einer Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats; Entfernen der Oxidschicht von den ersten Abstandsschichten, wodurch eine verbleibende Oxidschicht gebildet wird, die die Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats ausbildet; Definieren zweiter Abstandsschichten über den ersten Abstandsschichten, wobei die zweiten Abstandsschichten jeweilige Teile der verbleibenden Oxidschicht bedecken; Entfernen der verbleibenden Oxidschicht, um dadurch unterschnittene Gebiete auszubilden; und Abscheiden von Kontaktmaterial auf die Oberfläche des zwischen den ersten Abstandsschichten angeordneten Substrats, so dass die unterschnittenen Gebiete mit dem Kontaktmaterial im wesentlichen gefüllt werden.
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