DE19510449B4 - Retikel - Google Patents

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Abstract

Retikel mit einem Einheitsfeld (21), welches mit einer streifenförmigen Vereinzelungszone (12) und einer Vielzahl von Musterbereichen (13) versehen ist, mit
einem ersten Hauptfeinsteller (14A), der an der rechten Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist,
einem ersten Unterfeinsteller (15A), der an der linken Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist,
einem zweiten Hauptfeinsteller (14B), der an der oberen Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist, und
einem zweiten Unterfeinsteller (15B), der an der unteren Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist, wobei
der erste Hauptfeinsteller (14A) und der erste Unterfeinsteller (15A) auf einer horizontalen Achse liegen und der zweite Hauptfeinsteller (14B) und der zweite Unterfeinsfeller (15B) auf einer vertikalen Achse liegen, wobei die Achsen durch den Mittelpunkt des Einheitsfeldes (21) gehen, und
jeder Haupt- und Unterfeinsteller (14A,15A,14B,15B) aus einer ersten lichtabschirmenden Zone (16,18) mit einer quadratringförmigen Gestalt und einer zweiten lichtabschirmenden Zone (17,19) mit einer quadratförmigen Gestalt besteht,...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Retikel zur Verwendung bei einem fotolithografischen Verfahren und insbesondere ein Retikel, welches die genaue Erfassung eines Rotationsfehlers ermöglicht.
  • Im allgemeinen wird ein Stepper für fotolithografische Verfahren verwendet. Ein gemäss 1 am Stepper montierter Retikel 10 aus einem Quarzsubstrat 1 umfasst eine steifenförmige Vereinzelungszone 2 und eine Vielzahl Musterbereiche 3. Der Retikel 10 wird in Richtung der Pfeile X oder Y in 1 durch den Stepper bewegt. Danach wird eine Belichtung durchgeführt. Die Einheitswegstrecke in Richtung X beträgt X1 und die Einheitswegstrecke in Y Richtung Y1. Der Retikel 10 muss ausgerichtet werden, damit er über einem Chip des Wafers zu liegen kommt. Bei der Bewegung des Retikels 10 in Richtung X oder Y kann ein Rotationsfehler auftreten, wobei der bekannte in 1 gezeigte Retikel keine Erfassung eines solchen Rotationsfehlers ermöglicht.
  • Bekannt ( DE 32 48 382 C2 ) ist ferner ein Retikel mit einem ersten, an der rechten Seite eines Einheitsfeldes ausgebildeten Hauptfeinsteller, einem ersten an der linken Seite des Einheitsfeldes ausgebildete Unterfeinsteller, einem zweiten an der oberen Seite des Einheitsfeldes ausgebildeten Hauptfeinsteller, und einem zweiten an der unteren Seite des Einheitsfeldes ausgebildeten Unterfeinsteller.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Retikel zur genaueren Erfassung und Korrektur eines Rotationsfehlers zu schaffen.
  • Bezüglich der Lösungen dieser Aufgabe wird auf die Patentansprüche 1 und 4 verwiesen.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsformen und der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 in Draufsicht einen Retikel bekannter Ausführung,
  • 2 in Draufsicht einen Retikel gemäss einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • 3A in vergrösserter Draufsicht einen Hauptfeinsteller des Retikel nach 2,
  • 3B in vergrösserter Draufsicht einen Unterfeinsteller des Retikel nach 2,
  • 3C in Draufsicht einen Belichtungszustand eines Wafers unter Verwendung des Retikel gemäss der ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • 4 eine grafische Darstellung zur Erläuterung eines Retikelrotationsfehlers, und
  • 5 in Draufsicht ein Retikel gemäss eines zweiten Ausführungsform der Erfindung.
  • In der Zeichnung tragen gleiche Teile durchgehend die gleichen Bezugszeichen.
  • 2 zeigt einen Retikel 20 gemäss einer Ausführungsform der Erfindung, welche ein Einheitsfeld 21, ein Paar Hauptfeinsteller 14A, 14B und ein Paar Unterfeinsteller 15A, 15B umfasst. Das Hauptfeld 21, bestehend aus einer streifenförmigen Vereinzelungszone 12 und einer Vielzahl von Musterbereichen 13 ist auf einem Quarzsubstrat 11 ausgebildet. Der erste Hauptfeinsteller 14A ist an der Aussenseite am rechten Ende des Einheitsfeldes 21 und der erste Unterfeinsteller 15A an der Aussenseite am linken Ende des Einheitsfeldes 21 ausgebildet. Der zweite Hauptfeinsteller 14A ist an der Aussenseite am oberen Ende des Einheitsfeldes 21 und der zweite Unterfeinsteller 15B an der Aussenseite am unteren Ende des Einheitsfeldes 21 ausgebildet. Jeder Feinsteller kann mittels eines Druckprozesses aus Chrom gebildet werden.
  • Der erste Hauptfeinsteller 14A und der erste Unterfeinsteller 15A liegen auf einer horizontalen Achse, die durch den Mittelpunkt des Einheitsfeldes 21 geht, während der zweite Hauptfeinsteller 14B und der zweite Unterfeinsteller 15B auf einer vertikalen Achse liegen, die durch den Mittelpunkt des Einheitsfeldes 21 geht.
  • Zur Erzielung einer Überlappung der Hauptfeinsteller und Unterfeinsteller wird eine Einheitswegstrecke in Richtung X eines Steppers auf eine Länge entsprechend dem Abstand X2 zwischen dem ersten Hauptfeinsteller 14A und dem ersten Unterfeinsteller 15A und eine Einheitswegstrecke in Richtung Y des Steppers auf eine Länge entsprechend dem Abstand Y2 zwischen dem zweiten Hauptfeinsteller 14B und dem zweiten Unterfeinsteller 15B eingestellt.
  • Wie in 3A gezeigt ist, besteht jeder erste und zweite Hauptfeinsteller 14A, 14B aus einer ersten lichtabschirmenden Zone 16 mit quadratringförmiger Gestalt und einer zweiten lichtabschirmenden Zone 17, die quadratförmige Gestalt hat und an einer zentralen Stelle der ersten lichtabschirmenden Zone 16 vorgesehen ist. Die Länge der inneren Seite der ersten lichtabschirmenden Zone 16 beträgt z.B. etwa 20μm und die Länge einer Seite der zweiten lichtabschirmenden Zone 17 beträgt z.B. etwa 12,5μm.
  • Jeder erste und zweite Unterfeinsteller 15A, 15B hat gemäss 3B die gleiche Gestalt wie die eines Hauptfeinstellers 14A oder 14B mit Ausnahme der Grösse. D.h. die Länge einer Innenseite der ersten lichtabschirmenden Zone 18 mit quadratringförmiger Gestalt des Unterfeinstellers 15A oder 15B ist kleiner als die der ersten lichtabschirmenden Zone 16 des Hauptfeinstellers 14A oder 14B und beträgt z.B. etwa 17,5μm. Die Länge einer Seite der zweiten lichtabschirmenden Zone 19 mit quadratförmiger Konfiguration des zweiten Unterfeinstellers 15A oder 15B ist kleiner als die der zweiten lichtabschirmenden Zone 17 des Hauptfeinsteller 14A oder 14B und beträgt z.B. etwa 10,5μm.
  • 3C zeigt einen Bereich des Wafers im belichteten Zustand, der mit einem Hauptfeinsteller 14A oder 14B nach Beendigung des zweiten Belichtungsprozesses unter Verwendung des Retikels 20 konfrontiert wurde.
  • Ein nicht gezeigter Testwafer mit einer Fotolackschicht wird zunächst unter Verwendung des Retikels 20 belichtet. Die Belichtung des Testwafers erfolgt daher mit einer Gestaltgebung, die derjenigen des ersten Hauptfeinstellers 14A des Retikels 20 entspricht. Dann wird der Retikel 20 in Richtung X um die Wegstrecke X2 zwischen dem ersten Hauptfeinsteller 14A und dem ersten Unterfeinsteller 15A gemäss 2 bewegt und danach unter Verwendung des Retikels 20 erneut belichtet. Ein zentraler Bereich 24 des durch den ersten Hauptfeinsteller 14A belichteten Bereiches wird durch die zweite lichtabschirmende Zone 19 des ersten Unterfeinstellers 15A nicht belichtet.
  • Vorausgehend wurde der Fall beschrieben, dass der Retikel 20 in Richtung X bewegt wurde, doch wird der Retikel 20 auch in Richtung Y bewegt. D.h. der Testwafer wird zunächst dem Licht unter Verwendung des Retikels 20 ausgesetzt. Daher wird der Testwafer mit einer Konfiguration, die derjenigen des zweiten Hauptfeinstellers 14B des Retikels 20 entspricht, belichtet. Dann wird der Retikel 20 in Richtung Y um die Wegstrecke Y2 zwischen dem zweiten Hauptfeinsteller 14B und dem zweiten Unterfeinsteller 15B gemäss 2 bewegt und danach erneut unter Verwendung des Retikels 20 belichtet. Ein zentraler Bereich 24 des durch den zweiten Hauptfeinsteller 14B belichteten Bereiches wird durch die zweite lichtabschirmende Zone 19 des zweiten Unterfeinstellers 15B nicht belichtet.
  • Wie beschrieben, wird ein Bereich des Testwafers wiederholt durch die Hauptfeinsteller 14A, 14B und die Unterfeinsteller 15A und 15B belichtet. Ein Retikelrotationsfehler kann dabei erfasst werden, indem man den Belichtungszustand analysiert (d.h. den Abstand zwischen den unbelichteten Bereichen 22 und 24 nach 3C misst). Ein Korrekturwert kann anhand des Betrages für die Fehlausrichtung erhalten werden. Die Korrektur wird anhand dieses Korrekturwertes durchgeführt. Die Ausrichtung wird dadurch verbessert.
  • 4 ist eine grafische Darstellung des Retikelrotationsfehles, wobei die durchgezogenen Linien die ideale Lage der belichteten Bereiche von den ersten und zweiten Hauptfeinstellern 14A, 14B und den ersten und zweiten Unterfeinsteller 15A und 15B zeigen und die gestrichelten Linien die aufgrund des Retikelrotationsfehlers bedingte Lage der belichteten Bereiche darstellen. In 4 ist θ1 ein Fehlausrichtungswert, bedingt durch den ersten Hauptfeinsteller 14A und den ersten Unterfeinsteller 15A, wenn der Retikel 20 in Richtung X bewegt wurde, und θ2 ein Fehlausrichtungswert, bedingt durch den zweiten Hauptfeinsteller 14B und den zweiten Unterfeinsteller 15B, wenn der Retikel 20 in Richtung Y bewegt wurde. Da diese Fehlausrichtungswerte den den Linsenverzerrungsfehler umfassen, wird der genaue Werte für den Retikelrotationsfehler wie folgt erhalten:
    Figure 00060001
  • Nach der obigen Gleichung wird der Retikelrotationsfehler errechnet und lässt sich eine Fehlausrichtung anhand dieses errechneten Wertes ausgleichen, so dass die Ausrichtung der Fotomaske verbessert werden kann.
  • Die andere Ausführungsform der Erfindung wird nachfolgend beschrieben.
  • 5 ist eine Draufsicht auf einen Retikel gemäss der zweiten Ausführungsform der Erfindung. Der Retikel 50 besteht aus einem Einheitsfeld 51, einem Paar Hauptfeinsteller 14A, 14B und einem Paar Unterfeinsteller 15A, 15B. Das Einheitsfeld 51 umfasst eine streifenförmige Vereinzelungszone 42 und eine Vielzahl von Musterbereiche 43 und ist auf einem Quarzsubstrat 41 ausgebildet. Der erste Hauptfeinsteller 14A ist auf der rechten Streifenzone und der erste Unterfeinsteller 15A auf der linken Streifenzone gebildet. Der zweite Hauptfeinsteller 14B ist auf der oberen Streifenzone und der zweite Unterfeinsteller 15B auf der unteren Streifenzone gebildet. Jeder Feinsteller kann durch einen Druckprozess aus Chrom geschaffen werden.
  • Der erste Hauptfeinsteller 14A und der erste Unterfeinsteller 15A liegen auf einer horizontalen Achse, die durch die Mitte des Einheitsfeldes 51 geht, während der zweite Hauptfeinsteller 14B und zweite Unterfeinsteller 15B auf einer vertikalen Achse liegen, die ebenfalls durch die Mitte des Einheitsfeldes 51 geht.
  • Um eine Überlappung von Hauptfeinsteller 14A, 14B und Unterfeinsteller 15A, 15B zu erhalten, wird eine Einheitswegstrecke in Richtung X eines Steppers auf eine Länge X3 entprechend dem Abstand zwischen dem ersten Hauptfeinsteller 14A und dem ersten Unterfeinsteller 15A eingestellt, und wird eine Einheitswegstrecke in Richtung Y des Steppers mit einer Länge Y3 entsprechend dem Abstand zwischen dem zweiten Hauptfeinsteller 14B und dem zweiten Unterfeinsteller 15B vorgesehen.
  • (X3 in 5 entspricht X1 in 1, Y3 in 5 entspricht Y1 in 1).
  • Die Konfiguration von jedem Hauptfeinsteller 14A, 14B entspricht derjenigen von jedem Hauptfeinsteller 14A, 14B der ersten Ausführungsform nach 3A, und die Konfiguration von jedem Unterfeinsteller 15A, 15B etspricht derjenigen von. jedem Unterfeinsteller 15A, 15B der ersten Ausführungsform nach 3B. Auch ist das Messverfahren für den Rotationsfehler bei dem Retikel 50 gemäss der zweiten Ausführungsform das gleiche wie für die erste Ausführungsform.
  • Wie beschrieben, ermöglicht der erfindungsgemässe Retikel die genaue Erfassung eines Retikelrotationsfehlers, so dass sich die Ausrichtung entsprechend verbessern lässt.

Claims (6)

  1. Retikel mit einem Einheitsfeld (21), welches mit einer streifenförmigen Vereinzelungszone (12) und einer Vielzahl von Musterbereichen (13) versehen ist, mit einem ersten Hauptfeinsteller (14A), der an der rechten Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist, einem ersten Unterfeinsteller (15A), der an der linken Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist, einem zweiten Hauptfeinsteller (14B), der an der oberen Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist, und einem zweiten Unterfeinsteller (15B), der an der unteren Seite des Einheitsfeldes (21) ausgebildet ist, wobei der erste Hauptfeinsteller (14A) und der erste Unterfeinsteller (15A) auf einer horizontalen Achse liegen und der zweite Hauptfeinsteller (14B) und der zweite Unterfeinsfeller (15B) auf einer vertikalen Achse liegen, wobei die Achsen durch den Mittelpunkt des Einheitsfeldes (21) gehen, und jeder Haupt- und Unterfeinsteller (14A,15A,14B,15B) aus einer ersten lichtabschirmenden Zone (16,18) mit einer quadratringförmigen Gestalt und einer zweiten lichtabschirmenden Zone (17,19) mit einer quadratförmigen Gestalt besteht, wobei die zweite lichtabschirmende Zone (17,19) an einem zentralen Bereich der ersten lichtabschirmenden Zone (16,18) ausgebildet ist.
  2. Retikel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge einer Innenseite der ersten lichtabschirmenden Zone (16) von jedem Hauptfeinsteller (14A,14B) grösser als die Länge einer Aussenseite der zweiten lichtabschirmenden Zone (19) von jedem Unterfeinsteller (15A,15B) ist.
  3. Retikel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge einer Seite der zweiten lichtabschirmenden Zone (17) von jedem Hauptfeinsteller (14A,14B) grösser als die Länge einer Seite der zweiten lichtabschirmenden Zone (19) von jedem Unterteinsteller (15A,15B) ist.
  4. Retikel mit einem Einheitsfeld (51), welches mit einer streifenförmigen Vereinzelungszone (42) und einer Vielzahl von Musterbereichen (43) versehen ist, mit einem ersten Hauptfeinsteller (14A), der an einer rechten streifenförmigen Vereinzelungszone (42) ausgebildet ist, einem ersten Unterfeinsteller (15A), der an einer linken streifenförmigen Vereinzelungszone (42) ausgebildet ist, einem zweiten Hauptfeinsteller (14B), ), der an einer oberen streifenförmigen Vereinzelungszone (42) ausgebildet ist, und einem zweiten Unterfeinsteller (15B), der an einer unteren streifenförmigen Vereinzelungszone (42) ausgebildet ist, wobei der erste Hauptfeinsteller (14A) und der erste Unterteinsteller (15A) auf einer horizontalen Achse liegen und der zweite Hauptfeinsteller (14B) und der zweite Unterteinsteller (15B) auf einer vertikalen Achse liegen, wobei die Achsen durch den Mittelpunkt des Einheitsfeldes (51) gehen, und jeder Haupt- und Unterteinsteller (14A,15A,14B,15B) aus einer ersten lichtabschirmenden Zone (16,18) mit einer quadratringförmigen Gestalt und einer zweiten lichtab schirmenden Zone (17,19) mit einer quadratförmigen Gestalt besteht, wobei die zweite lichtabschirmende Zone (17,19) an einem zentralen Bereich der ersten lichtabschirmenden Zone (16,18) ausgebildet ist.
  5. Retikel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge einer Innenseite der ersten lichtabschirmenden Zone (16) von jedem Hauptfeinsteller (14A,14B) grösser als die Länge einer Aussenseite der zweiten lichtabschirmenden Zone (19) von jedem Unterfeinsteller (15A,15B) ist.
  6. Retikel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge einer Seite der zweiten lichtabschirmenden Zone (17) von jedem Hauptfeinsteller (14A,14B) grösser als die Länge einer Seite der zweiten lichtabschirmenden Zone (19) von jedem Unterfeinsteller (15A,15B) ist.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003401A (ko) * 1995-06-20 1997-01-28 김주용 디스톨션 체크용 레티클
JPH10274855A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Mitsubishi Electric Corp レチクルおよびそれによって転写されたパターンならびに補正方法
JPH11102851A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Mitsubishi Electric Corp アライメント補正方法及び半導体装置の製造方法
US6407814B1 (en) * 1997-09-26 2002-06-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for correcting alignment, method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
JP4301584B2 (ja) * 1998-01-14 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ レチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法
US6163972A (en) * 1998-06-04 2000-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for calibrating a wafer blade
US6864589B2 (en) 2001-03-30 2005-03-08 Sharp Laboratories Of America, Inc. X/Y alignment vernier formed on a substrate
TW519689B (en) * 2001-11-07 2003-02-01 United Microelectronics Corp Overlay mark and its application method
CN1924697B (zh) * 2001-11-27 2012-06-20 Hoya株式会社 半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法
US6571485B1 (en) * 2001-11-30 2003-06-03 United Microelectronics Corp. Structure of an overlay mark and its dosimetry application
US20050132589A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-23 Johnson Robert F. Visual alignment aid for handheld tools
US7958643B1 (en) * 2011-01-06 2011-06-14 John Wu Reticle
CN106129270B (zh) * 2016-07-01 2018-06-12 武汉华星光电技术有限公司 监测掩膜板形成图案位置的方法以及基板
CN113703283B (zh) * 2021-09-07 2022-11-15 深圳市龙图光电有限公司 曝光设备正交性检测方法
CN115274528B (zh) * 2022-09-22 2022-12-06 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种芯片倒装键合用标定玻璃片

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3248382C2 (de) * 1981-12-29 1991-07-18 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582009A (en) * 1978-12-14 1980-06-20 Fujitsu Ltd Alignment system for tested printed board
US4520570A (en) * 1983-12-30 1985-06-04 International Business Machines Corporation Piezoelectric x-y-positioner
US4635373A (en) * 1984-09-07 1987-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Wafer conveying apparatus with alignment mechanism
JPS62115165A (ja) * 1985-11-14 1987-05-26 Mitsubishi Electric Corp レチクル
JPS6465848A (en) * 1987-09-04 1989-03-13 Canon Kk Alignment
JPH0752099B2 (ja) * 1988-09-29 1995-06-05 日本アビオニクス株式会社 部品の位置決め方法およびその装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3248382C2 (de) * 1981-12-29 1991-07-18 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp

Also Published As

Publication number Publication date
US5557855A (en) 1996-09-24
CN1115413A (zh) 1996-01-24
CN1088854C (zh) 2002-08-07
DE19510449A1 (de) 1995-09-28

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