DE19521489B4 - Kondensatorplatte und Kondensator, je in einer Halbleitervorrichtung gebildet, die Verwendung eines solchen Kondensators als Speicherkondensator einer Halbleitervorrichtung, Verfahren zur Herstellung eines Kondensators und Verwendung eines solchen Verfahrens zur Herstellung von DRAM-Vorrichtungen - Google Patents

Kondensatorplatte und Kondensator, je in einer Halbleitervorrichtung gebildet, die Verwendung eines solchen Kondensators als Speicherkondensator einer Halbleitervorrichtung, Verfahren zur Herstellung eines Kondensators und Verwendung eines solchen Verfahrens zur Herstellung von DRAM-Vorrichtungen Download PDF

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor

Abstract

In einer Halbleitervorrichtung gebildete Kondensatorplatte (71) mit einer Oberfläche aus Silizium mit halbkugelförmiger Körnung und mit einer Titannidtridschicht (72) angrenzend an und erstreckungsgleich mit der Oberfläche aus Silizium mit halbkugelförmiger Körnung, wobei
in einer Öffnung (21) einer oberhalb eines Trägersubstrats (10) planar ausgebildeten Schicht (14) mehrere Siliziumschichten (31, 41, 51) gebildet sind, von denen eine erste Siliziumschicht (31) und eine letzte Siliziumschicht (51) amorphes Silizium aufweisen;
an den Silizium-Korngrenzen zwischen benachbarten Siliziumschichten (31, 41, 51) durch einen eingebrachten Fremdstoff, der aus einer aus Sauerstoff, Kohlenstoff und N2O bestehenden Gruppe ausgewählt ist, Silizium-Grenzflächenschichten (32, 42) gebildet sind;
die mehreren Siliziumschichten (31, 41, 51) in einzelne behälterförmige Strukturen (61) mit je einer freiliegenden inneren und je einer freiliegenden äußeren Oberfläche getrennt sind; und
die freiliegenden inneren und äußeren Oberflächen aus amorphem Silizium in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung umgewandelt sind, das als untere leitfähige Kondensatorplatte (71) dient.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine in einer Halbleitervorrichtung gebildete Kondensatorplatte, auf einen in einer Halbleitervorrichtung gebildeten Kondensator, auf die Verwendung eines solchen Kondensators als Speicherkondensator einer Halbleitervorrichtung, auf die Verwendung eines solchen Kondensators als Speicherkondensator einer DRAM-Vorrichtung, auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators und auf die Verwendung eines solchen Verfahrens zur Herstellung von DRAM-Vorrichtungen.
  • Die vorliegende Erfindung befasst sich mit Halbleiterschaltungs-Speichervorrichtungen und im Spezielleren mit dreidimensionalen Stapelkondensatorgebilden sowie mit Verfahren zur Herstellung solcher Gebilde, die bei solchen Speichervorrichtungen als dynamische RAM-Speicher (DRAMs) mit hoher Dichte verwendbar sind.
  • Bei dynamischen Halbleiter-Speichervorrichtungen ist es wesentlich, daß die Zellenplatten der Speicherknotenkondensatoren trotz parasitärer Kapazitäten und trotz Rauschens, die während des Betriebs der Schaltung auftreten können, groß genug sind, um eine angemessene Ladung oder Kapazität beizubehalten. wie es bei den meisten integrierten Halbleiterschaltungen der Fall ist, nimmt die Speicherdichte mit einer ziemlich konstanten Rate weiter zu. Der Gesichtspunkt der Aufrechterhaltung der Speicherknotenkapazität ist von besonderer Bedeu tung, wenn die Dichte von RAM-Anordnungen für zukünftige Generationen von Speichervorrichtungen weiter erhöht wird.
  • Die Fähigkeit, Speicherzellen dicht zu packen und dabei die erforderlichen Kapazitätsniveaus aufrechtzuerhalten, ist eine Hauptanforderung an die Halbleiterherstellungstechnologien, wenn zukünftige Generationen erweiterter Speicheranordnungsvorrichtungen erfolgreich hergestellt werden sollen.
  • Ein Verfahren zum Aufrechterhalten sowie zum Erhöhen der Speicherknotengröße bei dicht gepackten Speichervorrichtungen besteht in der Verwendung des "Stapelspeicherzellen"-Aufbaus. Bei dieser Technologie werden zwei oder mehr Schichten aus einem leitfähigen Material, wie zum Beispiel polykristallines Silizium (im folgenden kurz Polysilizium genannt), über einer Zugriffsvorrichtung auf einem Siliziumwafer aufgebracht, wobei dielektrische Schichten sandwichartig zwischen den Polysiliziumschichten angeordnet werden. Eine auf diese Art und Weise ausgebildete Zelle ist als Stapelkondensatorzelle (STC) bekannt. Eine derartige Zelle nutzt den Raum über der Zugriffsvorrichtung für Kondensatorplatten, weist eine geringe Soft Error Rate (SER) auf und kann in Verbindung mit zwischen den Platten vorgesehenen isolierenden Schichten hoher Dielektrizitätskonstante eingesetzt werden.
  • Derartige Stapelkondensatorzellen sind bekannt aus JP 6-151751 A und JP 1-222469 A. In beiden Fällen wird als untere Kondensatorplatte eine glatte Schicht aus Polysilizium und als Kondensatordielektrikum eine Schicht aus Tantaloxid verwendet. Um zu verhindern, daß die Polysiliziumschicht beim Aufbringen des Tantaloxids oxidiert, wird vor dem Aufbringen des Tantaloxids auf die Polysiliziumschicht eine Titannitridschicht aufgebracht. Im Fall der JP 1-222469 A wird vor dem Aufbringen einer den zweiten Kondensator bildenden weiteren Polysiliziumschicht auf dem Tantaloxid eine weitere Titannitridschicht gebildet, um auch das Polysilizium der zweiten Kondensatorplatte vor einer durch die Tantaloxidschicht verursachten Oxidation. zu schützen.
  • Es ist jedoch schwierig, mit einem herkömmlichen STC-Kondensator eine ausreichende Speicherkapazität zu erhalten, da der Speicherelektrodenbereich auf die Grenzen seines eigenen Zellenbereichs eingeschränkt ist. Auch wird das Aufrechterhalten guter dielektrischer Durchschlagfestigkeitseigenschaften zwischen Polysiliziumschichten in dem STC-Kondensator zu einem großen Problem, sobald die Dicke des Isolators angemessen dimensioniert ist.
  • Aus der US 5 162 248 A der Anmelderin ist es bekannt, die Kapazität eines STC-Kondensators durch Bildung einer Zelle mit behälterförmiger Struktur zu erhöhen. Aus der Veröffentlichung IEDM 92, Seiten 263 bis 266, und aus der US 5 278 091 A der Anmelderin ist es bekannt, die untere Kondensatorplatte eines STC-Kondensators aus Polysilizium herzustellen, dessen Außenfläche eine halbkugelförmige Körnung aufweist, was die Gesamtoberfläche dieser Kondensatorplatte und damit die Kapazität des Kondensators erhöht. In beiden Fällen wird außerdem eine erste Kondensatorplatte mit behälterförmiger Struktur verwendet, was die Kapazität des Kondensators weiter erhöht.
  • Bei Verwendung von Silizium mit halbkugelförmiger Körnung für die erste oder untere Kondensatorplatte entstehen unter dem anschließend gebildeten Kondensatordielektrikum Verarmungsbereiche, die sich als parasitäre Kapazitäten auswirken und höchst unerwünscht sind.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist es, derartige auf Verarmungsbereiche zurückgehende parasitäre Kapazitäten zu verhindern.
  • Die Erfindung macht eine gemäß Anspruch 1 oder gemäß Anspruch 2 ausgebildete Kondensatorplatte verfügbar, die gemäß Anspruch 3 weitergebildet sein kann. Ein Kondensator, der eine solche Kondensatorplatte enthält, ist in Anspruch 4 angegeben. Die Verwendung eines derartigen Kondensators als Speicherkondensator einer Halbleitervorrichting ist in Anspruch 5 angegeben. Gemäß Anspruch 6 wird ein derartiger Speicherkondensator für eine DRAM-Vorrichtung verwendet.
  • Außerdem macht die Erfindung in den Ansprüchen 7 und 8 angegebene Verfahren zum Herstellen erfindungsgemäßer Kondensatoren verfügbar. Gemäß Anspruch 25 kann ein solches Verfahren zur Herstellung von DRAM-Vorrichtungen verwendet werden.
  • Weiterbildungen dieser Erfindungsgegenstände sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Die Erfindung und Weiterbildungen der Erfindung werden im folgenden anhand der zeichnerischen Darstellungen mehrerer Ausführungbeispiele der Erfindung noch näher beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht eines im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs unter Darstellung eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine zusammengesetzte Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs unter Darstellung der Anfangsschritte eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, wobei ein Polysilizium-Stopfen zwischen zwei Wortleitungen gebildet ist, worauf eine planar ausgebildete Schicht aus Tetraethylorthosilikat-(TEOS-)Oxid sowie die Aufbringung einer Nitridschicht und einer planar ausgebildeten Schicht aus Borophosphosilikatglas (BDSG) folgen;
  • 3A eine Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs der 2 nach der Freilegung des Polysilizium-Stopfens durch eine Kontaktöffnung;
  • 3B eine der 2 ähnliche Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs, nachdem eine Kontaktöffnung das darunterliegende Siliziumsubstrat freilegt (kein PolysiliziumStopfen vorhanden);
  • 4 eine Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs der 3A nach der Aufbringung einer ersten Schicht aus amorphem Silizium, worauf eine kontrollierte Sauerstoffaussetzung erfolgt;
  • 5 eine Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs der 4 nach der Aufbringung einer zweiten Schicht aus amorphem Silizium, worauf eine kontrollierte Sauerstoffaussetzung erfolgt;
  • 6 eine Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs der 5 nach der Aufbringung einer dritten Schicht aus amorphem Silizium, worauf eine kontrollierte Exposition gegenüber Sauerstoff erfolgt;
  • 7 eine Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs der 6 nach der Ausführung eines chemisch-mechanischen Poliervorgangs zur Bildung einzelner Speicherknoten, worauf ein Ätzvorgang zum Entfernen des BPSG erfolgt;
  • 8A eine Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs der 7 nach der Bildung von Silizium mit halbkugelförmiger Körnung, das aus einer Hochvakuum-Wärmebehandlung resultiert;
  • 8B eine der 7 ähnliche Querschnittsansicht einer alternativen Ausführungsform des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs nach der Bildung von Silizium mit halbkugelförmiger Körnung, das aus einer Hochvakuum-Wärmebehandlung resultiert; und
  • 9 eine Querschnittsansicht des im Herstellungsprozeß befindlichen Waferbereichs der 8A nach der Bildung von konformem Zellendielektrikum bzw. Polysilizium.
  • Die vorliegende Erfindung ist darauf gerichtet, den Speicherzellen-Oberflächenbereich in einem Herstellungsverfahren zum Herstellen von hochdichten/großvolumigen DRAMs durch Schaffung gleichmäßiger Speicherzellenstrukturen über einem gegebenen Trägersubstrat zu maximieren. Die im folgenden beschriebenen Verfahrensschritte dienen als Beispiel sowie als bevorzugte Ver fahrensweise zur Ausführung der vorliegenden Erfindung. Dieses Beispiel soll jedoch den breiten Umfang der Erfindung nicht einschränken.
    •
  • 1 ist mit 9 identisch, die ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, das in der nachfolgenden Beschreibung erläutert wird.
  • Wie in 2 gezeigt ist, wird ein Trägersubstrat, wie zum Beispiel ein Siliziumwafer, unter Verwendung herkömmlicher Verfahrensschritte vorbereitet, um einen leitfähig dotierten Polysilizium-Stopfen 13 zu bilden, der sich zwischen benachbarten Wortleitungen befindet und mit einem Diffusionsbereich 10 in Kontakt steht. Planar ausgebildetes Oxid 14 isoliert die Wortleitungen 12 und den Polysilizium-Stopfen 13. Oben auf dem planar ausgebildeten Oxid 14 ist eine dünne Schicht aus Nitrid 15 gebildet. Dieses Nitrid 15 ist wahlweise vorgesehen, wie dies im folgenden noch erläutert wird. Auf dieses Nitrid 15 wird vollflächig eine weitere planar ausgebildete Oxid-Schicht 16 aufgebracht. Der Wafer ist nun bis zu dem Punkt der Bearbeitung einer Anordnung von Speicherzellenkondensatoren bearbeitet worden. Es folgt nun die Kondensatorzellenherstellung.
  • Der Speicherknoten jeder Speicherzelle steht mit dem darunterliegenden Diffusionsbereich 11 über den Polysilizium-Stopfen 13 in Kontakt. Jeder darunterliegende Diffusionsbereich 11 besitzt zwei Speicherknotenanschlüsse, die von einem einzelnen Ziffernleitungskontakt durch Zugriffstransistoren getrennt sind, die durch den aktiven Bereich kreuzende Polysilizium-Wortleitungen 12 gebildet sind. Normalerweise sind die Diffusionsbereiche 11 innerhalb der Anordnung jeweils durch ein dickes Feldoxid voneinander getrennt. Die Diffusionsbereiche 11 und die Polysilizium-Wortleitungen 12 (Steuergates) bilden aktive Feldeffekttransistoren (Feldeffekttransistoren, die als Zugriffstransistoren zu jedem einzelnen Kondensator dienen), die abhängig von ihrer erwünschten Verwendung als NMOS- oder PMOS-Typ-Feldeffekttransistoren dotiert werden können.
  • Wie unter Bezugnahme auf 3A zu sehen ist, ist die Dicke der planar ausgebildeten Oxidschicht 16 von der Höhe abhängig, die für die noch zu bildende Polysilizium-Behälterstruktur erwünscht ist. Die Höhe der resultierenden Polysi liziumstruktur ist einer der Faktoren bei der Bestimmung des erwünschten, resultierenden Kondensatorplatten-Oberflächenbereichs. Eine Kontaktöffnung 21 wird in das Oxid 16, das Nitrid 15 und das Oxid 14 geätzt, wodurch ein Zugang zu dem darunterliegenden Polysilizium-Stopfen 13 ermöglicht ist. Die Kontaktöffnung 21 erlaubt nicht nur einen Zugang zu der darunterliegenden Topographie, sondern sie schafft bei der Kontaktöffnung 21 auch eine Form für eine anschließend plazierte Schicht aus leitfähig dotiertem dünnen Polysilizium. (Alternativ hierzu kann die Kontaktöffnung bis hinab zu dem Diffusionsbereich 11 geätzt werden, da ein Polysilizium-Stopfen nicht vorhanden sein muß, wie dies in 3B gezeigt ist).
  • Wie unter Bezugnahme auf 4 gezeigt ist, wird eine dünne amorphe Siliziumschicht 31 mit einer Dicke von ca. 40 nm (ca. 400 Å) gebildet bzw. aufgebracht, und zwar entweder undotiert oder an Ort und Stelle dotiert mittels eines p-leitenden oder n-leitenden Dotierstoffs, wie zum Beispiel Arsen, Phosphor oder Bor. Am Ende dieses Schrittes werden die Korngrenzen an der Grenzfläche "eingefroren" oder "verriegelt", und zwar entweder durch Einbringung eines Dotier- bzw. Fremdstoffs, wie zum Beispiel Sauerstoff, Kohlenstoff oder N2O usw. oder durch Aussetzen der Siliziumschicht gegenüber einer oxidbildenden Umgebung (O2 oder H2O) oder einer nitridbildenden Umgebung (N2 oder NH3)_ Wenn die Siliziumkörner an dieser Grenzfläche durch eine sehr geringfügige Oxidation "verriegelt" werden, ist es von kritischer Bedeutung, daß diese durch Aufwachsen oder Aufbringen gebildete Oxidschicht nicht zu dick ist und ein Leiten und Ausdiffundieren von Dotierstoffen nicht vollständig blockiert, wenn die erste Schicht undotiert ist (eine Dicke von 0,3 bis 1,2 nm (3–12 Å) aus SiO2 ist bevorzugt). Weiterhin ist bevorzugt, daß die Siliziumschichten an Ort und Stelle in einem System auf der Basis einer raschen thermischen chemischen Abscheidung aus der Dampfphase (RTCVD) aufgebracht werden, jedoch besteht ein alternatives Herstellungsverfahren in der Aufbringung der anfänglichen amorphen Siliziumschicht in einem mit niedrigem Druck arbeitenden chemischen Dampfphasenabscheidungs-(LPCVD-) Reaktor entweder mit Einleitung von verdünntem O2 oder Entfernung der Wafer, um dadurch das Silizium der Atmosphäre auszusetzen und die Wafer entweder direkt wieder einzusetzen oder die Wafer einer Naßbearbeitung unter Verwendung eines verdünnten HF- Tauchbads vor dem Wiedereinsetzen der Wafer zu unterziehen. Durch diese Schritte würde ein Eigenoxid auf der Oberfläche der ersten aufgebrachten Siliziumschicht gebildet. Wie als nächstes in 5 zu sehen ist, wird eine an Ort und Stelle dotierte Siliziumschicht 41 aufgebracht (es ist darauf hinzuweisen, daß es sich bei dieser zweiten oder zentralen Schicht um die einzige Dotierstoffquelle handeln kann, wenn die erste und die dritte Schicht undotiert aufgebracht werden). Als nächstes wird O2 eingeleitet, oder es werden die anderen vorstehend beschriebenen Verfahrensweisen zur Bildung der Grenzflächenschicht 42 verwendet, worauf die dritte Siliziumschicht 51 aufgebracht wird, wie dies in 6 zu sehen ist. Bei der dritten Siliziumschicht könnte es sich um Silizium mit halbkugelförmiger Körnung handeln, das durch den Fachleuten bekannte Verfahrensweisen aufgebracht wird, wie zum Beispiel durch die Verfahrensweise, die in einem Artikel mit dem Titel "A New Cylindrical Capacitor Using Hemispherical Grained Si (HSG-Si) for 256 Mb DRAMs" von Watanabe et al., 1992 IEDM, Seiten 259–262, beschrieben ist, der durch Bezugnahme zu einem Bestandteil der vorliegenden Beschreibung gemacht wird.
  • Wie in 7 gezeigt ist, resultiert eine Stapelkonstruktion 61 aus amorphem Silizium aus einer Planarisierung (Planarisierung durch chemisch-mechanisches Polieren oder Resist-Beschichtung, O2-Plasma und Polysilizium-Ätzung), bis das Oxid 16 freiliegt, wodurch außerdem die jeweiligen benachbarten Speicherknoten-platten über die Halbleiterscheibe hinweg voneinander getrennt werden. Als nächstes erfolgt ein Nassoxid-Rückätzvorgang zum Entfernen des in 6 gezeigten Oxids 16, wobei dieser Ätzvorgang auf der Nitridschicht 15 stoppt. Wie vorstehend erwähnt wurde, ist die Nitridschicht 15 wahlweise vorgesehen, jedoch ist sie auch bevorzugt, da sie ein definitives Ätz-Stoppziel für den Nassoxid-Ätzvorgang schafft. Es besteht jedoch auch die Möglichkeit, überhaupt keine Nitridschicht 15 zu verwenden, da man sich der verschiedenen Ätzraten zwischen den Schichten 16 und 14 bedienen kann, wenn unterschiedliche Materialien verwendet werden. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel handelt es sich zum Beispiel bei der Schicht 14 um TEOS und bei der Schicht 16 um Borophosphosilikatglas (BPSG). Da BPSG im Vergleich zu TEOS eine viel höhere Ätzrate besitzt, kann das BPSG sicher vollständig entfernt werden, während immer noch eine ausreichende verbleibende Dicke des TEOS gewährleistet wird, die eine angemessene Isolierung zu den darunterliegenden Wortleitungen 12 schafft.
  • Unter Bezugnahme auf 8A wird die durch Planarisierung gebildete amorphe Konstruktion 61 einer Hochvakuum-Wärmebehandlung unterzogen, um Silizium mit halbkugelförmiger Körnung (HSG-Silizium) sowohl an der Innenseite als auch an der Außenseite des Gebildes 61 zu bilden. Bei der Hochvakuum-Wärmebehandlung kann eine durch rasche Wärmebehandlung (RTP) unterstützte Erwärmung verwendet werden, um die HSG-Bildung weiter zu fördern. Daraus ergibt sich das HSG-Siliziumgebilde 71, das bei dieser Anwendung eine behälterartige Speicherknotenplatte 71 bildet. Das amorphe Silizium wird dadurch in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung umgewandelt, daß man das Gebilde einer raschen Wärmebehandlung oder einer Hochvakuum-Wärmebehandlung unterzieht, wodurch die Siliziumatome aus der ersten und der letzten Siliziumschicht aufgezehrt werden, während die Siliziumatome jeglicher inneren Siliziumschicht intakt bleiben und nicht in die Silizium-Grenzflächenschichten eindringen. Die behälterförmige Kondensator-Speicherknotenplatte 71 wird dadurch verbessert, daß eine Schicht aus Titannitrid 72 über dem gesamten freiliegenden Silizium mit halbkugelförmiger Körnung gebildet wird (dabei ist bevorzugt, daß die Titannitridschicht 72 durch chemische Dampfphasenabscheidung gebildet wird). Das Vorhandensein von Titannitrid 72 eliminiert die Entstehung eines jeglichen Verarmungsbereichs, der sich tendenziell unter dem anschließend gebildeten Zellendielektrikum bildet, wenn Silizium mit halbkugelförmiger Körnung vorhanden ist.
  • Alternativ hierzu zeigt 8B eine fertiggestellte, behälterartige Kondensator-Speicherknotenplatte 71, die sich in direktem Kontakt mit dem Diffusionsbereich 11 befindet und somit keine Polysilizium-Stopfen-Zwischenverbindung verwendet. Wie in 8A dargestellt ist, wird die behälterartige Kondensator-Speicherknotenplatte 71 durch Bilden einer Schicht aus Titannitrid 72 über dem gesamten freiliegenden Silizium mit halbkugelförmiger Körnung verbessert.
  • Wie in 9 gezeigt ist, wird das Behältergebilde 71 mit einem Kondensatorzellendielektrikum 81 überzogen. Schließlich wird eine dotierte, konforme Polysili ziumschicht 82 vollflächig auf das Zellendielektrikum 81 aufgebracht, wobei die Schicht 82 als gemeinsame Kondensatorzellenplatte für eine gesamte Anordnung von Behältergebilden 71 dient. Ab diesem Punkt wird der Wafer unter Verwendung herkömmlicher Herstellungsschritte fertiggestellt.

Claims (25)

  1. In einer Halbleitervorrichtung gebildete Kondensatorplatte (71) mit einer Oberfläche aus Silizium mit halbkugelförmiger Körnung und mit einer Titannidtridschicht (72) angrenzend an und erstreckungsgleich mit der Oberfläche aus Silizium mit halbkugelförmiger Körnung, wobei in einer Öffnung (21) einer oberhalb eines Trägersubstrats (10) planar ausgebildeten Schicht (14) mehrere Siliziumschichten (31, 41, 51) gebildet sind, von denen eine erste Siliziumschicht (31) und eine letzte Siliziumschicht (51) amorphes Silizium aufweisen; an den Silizium-Korngrenzen zwischen benachbarten Siliziumschichten (31, 41, 51) durch einen eingebrachten Fremdstoff, der aus einer aus Sauerstoff, Kohlenstoff und N2O bestehenden Gruppe ausgewählt ist, Silizium-Grenzflächenschichten (32, 42) gebildet sind; die mehreren Siliziumschichten (31, 41, 51) in einzelne behälterförmige Strukturen (61) mit je einer freiliegenden inneren und je einer freiliegenden äußeren Oberfläche getrennt sind; und die freiliegenden inneren und äußeren Oberflächen aus amorphem Silizium in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung umgewandelt sind, das als untere leitfähige Kondensatorplatte (71) dient.
  2. In einer Halbleitervorrichtung gebildete Kondensatorplatte (71) mit einer Oberfläche aus Silizium mit halbkugelförmiger Körnung und mit einer Titannidtridschicht (72) angrenzend an und erstreckungsgleich mit der Oberfläche aus Silizium mit halbkugelförmiger Körnung, wobei: in einer Öffnung (21) einer oberhalb eines Trägersubstrats (10) planar ausgebildeten Schicht (14) mehrere Siliziumschichten (31, 41, 51) gebildet sind, von de nen eine erste Siliziumschicht (31) und eine letzte Siliziumschicht (51) amorphes Silizium aufweisen; an den Silizium-Korngrenzen zwischen benachbarten Siliziumschichten (31, 41, 51) dadurch, daß jede der Siliziumschichten (31, 41, 51) einem oxidbildenden Umgebungsmaterial oder einem nitridbildenden Umgebungsmaterial ausgesetzt worden ist, Silizium-Grenzflächenschichten (32, 42) gebildet sind; die mehreren Siliziumschichten (31, 41, 51) in einzelne behälterförmige Strukturen (61) mit je einer freiliegenden inneren und je einer freiliegenden äußeren Oberfläche getrennt sind; und die freiliegenden inneren und äußeren Oberflächen aus amorphem Silizium in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung umgewandelt sind, das als untere leitfähige Kondensatorplatte (71) dient.
  3. Kondensatorplatte nach Anspruch 1 oder 2, bei welcher die Titannitridschicht (72) durch chemische Abscheidung aus der Dampfphase gebildet ist.
  4. In einer Halbleitervorrichtung gebildeter Kondensator mit einer ersten Kondensatorplatte (71) nach einem der Ansprüche 1 bis 3; mit einer Isolierschicht (81) angrenzend an und erstreckungsgleich mit der Titannitridschicht (72); und einer zweiten Kondensatorplatte (82) mit einer leitfähig dotierten Polysiliziumschicht oben auf und erstreckungsgleich mit der Isolierschicht (81).
  5. Verwendung eines Kondensators nach Anspruch 4 als Speicherkondensator einer Halbleitervorrichtung.
  6. Verwendung eines Kondensators nach Anspruch 4 als Speicherkondensator einer DRAM-Vorrichtung.
  7. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators auf einem Trägersubstrat (10), bei welchem gebildet werden: eine untere leitfähige Kondensatorplatte (71) mit einer Innenfläche und einer Außenfläche aus Polysilizium mit halbkugelförmiger Körnung; eine Titannitridschicht (72) angrenzend an und erstreckungsgleich mit dem Polysilizium mit halbkugelförmiger Körnung; eine als Kondensatordielektrikum wirkende Isolierschicht (81) angrenzend an und erstreckungsgleich mit der Titannitridschicht (72); und eine obere leitfähige Kondensatorplatte (82) oben auf und erstreckungsgleich mit der Isolierschicht (81); wobei die Bildung des Siliziums mit halbkugelförmiger Körnung folgende Verfahrensschritte umfaßt: in einer oberhalb des Trägersubstrats (10) planar ausgebildeten Schicht (14) wird eine Öffnung (21) gebildet; in der Öffnung (21) werden mehrere Siliziumschichten (31, 41, 51) gebildet, von denen eine erste Siliziumschicht (31) und eine letzte Siliziumschicht (51) amorphes Silizium aufweisen; an den Silizium-Korngrenzen zwischen benachbarten Siliziumschichten (31, 41, 51) werden durch Einbringen eines Fremdstoffs, der aus einer aus Sauerstoff, Kohlenstoff und N2O bestehenden Gruppe ausgewählt ist, Silizium-Grenzflächenschichten (32, 42) gebildet; die mehreren Siliziumschichten (31, 41, 51) werden in einzelne behälterförmige Strukturen (61) mit je einer freiliegenden inneren und je einer freiliegenden äußeren Oberfläche getrennt; und die freiliegenden inneren und äußeren Oberflächen aus amorphem Silizium werden in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung umgewandelt, das als untere leitfähige Kondensatorplatte (71) dient.
  8. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators auf einem Trägersubstrat (10), bei welchem gebildet werden: eine untere leitfähige Kondensatorplatte (71) mit einer Innenfläche und einer Außenfläche aus Polysilizium mit halbkugelförmiger Körnung; eine Titannitridschicht (72) angrenzend an und erstreckungsgleich mit dem Polysilizium mit halbkugelförmiger Körnung; eine als Kondensatordielektrikum wirkende Isolierschicht (81) angrenzend an und erstreckungsgleich mit der Titannitridschicht (72); und eine obere leitfähige Kondensatorplatte (82) oben auf und erstreckungsgleich mit der Isolierschicht (81); wobei die Bildung des Siliziums mit halbkugelförmiger Körnung folgende Verfahrensschritte umfaßt: in einer oberhalb des Trägersubstrats (10) planar ausgebildeten Schicht (14) wird eine Öffnung (21) gebildet; in der Öffnung (21) werden mehrere Siliziumschichten (31, 41, 51) gebildet, von denen eine erste Siliziumschicht (31) und eine letzte Siliziumschicht (51) amorphes Silizium aufweisen; an den Silizium-Korngrenzen zwischen benachbarten Siliziumschichten (31, 41, 51) werden dadurch Silizium-Grenzflächenschichten (32, 42) gebildet, daß jede der Siliziumschichten (31, 41, 51) einem oxidbildenden Umgebungsmaterial oder einem nitridbildenden Umgebungsmaterial ausgesetzt wird; die mehreren Siliziumschichten (31, 41, 51) werden in einzelne behälterförmige Strukturen (61) mit je einer freiliegenden inneren und je einer freiliegenden äußeren Oberfläche getrennt; und die freiliegenden inneren und äußeren Oberflächen aus amorphem Silizium werden in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung umgewandelt, das als untere leitfähige Kondensatorplatte (71) dient.
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei welchem die Titannitridschicht (72) durch chemische Abscheidung aus der Dampfphase aufgebracht wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei welchem als Trägersubstrat (10) ein Siliziumsubstrat verwendet wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, bei welchem vor der Bildung der unteren leitfähigen Kondensatorplatte (71) ein leitfähiger Stopfen (13) zwischen einem Paar benachbarter, paralleler leitfähiger Leitungen (12) gebildet wird, wobei der leitfähige Stopfen (13) eine Verbindung zwischen der unteren leitfähigen Kondensatorplatte (71) und dem Trägersubstrat (10) herstellt.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, bei welchem für den leitfähigen Stopfen (13) leitfähig dotiertes Polysilizium verwendet wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12 bei welchem für die Isolierschicht (81) Nitrid verwendet wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, wobei es sich bei der planar ausgebildeten Isolierschicht (14) um eine Schicht handelt, die aus wenigstens einem Element der Gruppe bestehend aus Tetraethylorthosilikat (TEOS), Borophosphosilikatglas (BPSG) sowie Nitrid oder jeglicher Kombination daraus gebildet ist.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, bei welchem die planar ausgebildete Isolierschicht (14) durch chemisch-mechanisches Polieren planar ausgebildet wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 15, bei welchem die behälterförmigen Gebilde (61) bei der Umwandlung des amorphen Siliziums in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung einer raschen Wärmebehandlung unterzogen werden, durch welche Siliziumatome aus der ersten (31) und der letzten (51) Siliziumschicht aufgezehrt werden, während die Siliziumatome einer inneren Siliziumschicht (41) intakt bleiben und nicht in die Oxidschichten, Nitridschichten oder Carbidschichten (32, 42) eindringen.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 15, bei welchem die behälterförmigen Gebilde (61) bei der Umwandlung des amorphen Siliziums in Silizium mit halbkugelförmiger Körnung einer Hochvakuum-Wärmebehandlung unterzogen werden, wodurch Siliziumatome aus der ersten (31) und der letzten (51) Siliziumschicht aufgezehrt werden, während die Siliziu matome einer inneren Siliziumschicht intakt bleiben und nicht in die Oxidschichten, Nitridschichten oder Carbidschichten (32, 42) eindringen.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 17, bei welchem die mehreren Siliziumschichten (31, 41, 51) eine erste (31), eine zweite (41) und eine dritte (51) Siliziumschicht umfassen.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, bei welchem für die zweite Siliziumschicht (41) leitfähig dotiertes amorphes Silizium verwendet wird.
  20. Verfahren nach Anspruch 18, bei welchem für die zweite Siliziumschicht (41) leitfähig dotiertes Polysilizium verwendet wird.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, bei welchem die erste (31) und die dritte (51) Siliziumschicht zuerst undotiert aufgebracht werden und später durch ein Ausdiffundieren von Dotier-Fremdstoffen dotiert werden, die in der leitfähig dotierten zweiten Siliziumschicht (41) vorhanden sind.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, bei welchem die erste (31) und die dritte (51) Siliziumschicht von Anfang an als dotierte Schichten aufgebracht werden.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, bei welchem die erste Siliziumschicht (31) am Anfang als undotiere Siliziumschicht aufgebracht wird und die dritte Siliziumschicht (51) am Anfang als dotierte Siliziumschicht aufgebracht wird.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, bei welchem die erste Siliziumschicht (31) am Anfang als dotierte Schicht aufgebracht wird und die dritte Siliziumschicht (51) am Anfang als undotierte Schicht aufgebracht wird.
  25. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 7 bis 24 zur Herstellung von DRAM-Vorrichtungen.
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