DE19521712B4 - Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe - Google Patents

Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe Download PDF

Info

Publication number
DE19521712B4
DE19521712B4 DE19521712A DE19521712A DE19521712B4 DE 19521712 B4 DE19521712 B4 DE 19521712B4 DE 19521712 A DE19521712 A DE 19521712A DE 19521712 A DE19521712 A DE 19521712A DE 19521712 B4 DE19521712 B4 DE 19521712B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
circuit board
detecting
cavity
chip carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19521712A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19521712A1 (de
Inventor
Naohito Kariya Mizuno
Shinichi Hirose
Hiromi Kariya Ariyoshi
Yasuki Shimoyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Publication of DE19521712A1 publication Critical patent/DE19521712A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19521712B4 publication Critical patent/DE19521712B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00Details of instruments
    • G01P1/02Housings
    • G01P1/023Housings for acceleration measuring devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components

Abstract

Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe mit:
einem Hohlraumgehäuse (2; 21; 22; 4; 41; 42; 43), welches an einer Schaltungsplatine (10) befestigt ist und aus einem Chipträger (2; 21; 22) und einer Abdeckung (4; 41; 42; 43) besteht;
einem Sensorchip (3), der innerhalb des Hohlraumgehäuses auf dem Chipträger installiert ist, wobei der Sensorchip einer Kraft in einer Richtung parallel zu der Schaltungsplatine unterworfen wird und ein elektrisches Signal in Übereinstimmung mit der Größe der Kraft ausgibt; wobei
die Schaltungsplatine mit Schaltungselementen gebildet ist, welche auf der Grundlage des elektrischen Signals arbeiten;
das Gehäuse eine ebene Endfläche (B) an einer äußeren Seitenwand davon aufweist;
eine Verdrahtungselektrode (8, 9) zum Ausgeben des elektrischen Signals angebracht ist, die von einer inneren Wand des Hohlraumgehäuses zu der ebenen äußeren Endfläche gezogen ist und den Chipträger durchdringt, wobei die Verdrahtungselektrode mindestens ein flächengebondetes Kontaktstellengebiet (9; 91; 92; 93; 94;...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe, die mit einem Sensorchip versehen ist, welcher der Wirkung einer Kraft unterworfen ist und ein entsprechendes Signal ausgibt. Die Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise in einer Vorrichtung eines Halbleitertyps zum Erfassen einer Beschleunigung verwendet werden, die einer Beschleunigung unterworfen ist und die aufgebrachte Beschleunigung durch Verschiebung eines auf einem Siliziumsubstrat gebildeten Auslegers erfaßt.
  • Eine herkömmliche Struktur einer Vorrichtung zum Erfassen einer Beschleunigung ist in 13A und 13B dargestellt.
  • 13A zeigt eine Seitenquerschnittsansicht der Vorrichtung; ein Gehäuse 100 mit einem Abdeckungsteil 100a ist im Innern mit einer Aushöhlung bzw. einem Hohlteil versehen. Ein Sensorchip zur Erfassung einer Beschleunigung und eine Verarbeitungsschaltung sind innerhalb der Aushöhlung angeordnet. Das Gehäuse 100 besitzt ein weiteres Abdeckungsteil 100b zum Befestigen, welche Schrauben besitzt, und ist mittels Schrauben 102 an einer Befestigungsplatte 103 befestigt. Die Befestigungsplatte 103 besitzt eine L-förmige Gestalt und ist mittels einer Schraube 103a an einer Schaltungsplatine 104 befestigt. Folglich ist das Gehäuse im wesentlichen senkrecht zu der Schaltungsplatine 104 über die Befestigungsplatte 103 mechanisch befestigt.
  • Des weiteren besitzt das Gehäuse einen Anschluß 101, der mit einer in dem Inneren angeordneten elektrischen Schaltung verbunden ist. Der Anschluß 101 ist mit Kontaktstiften bzw. Kontaktzungen als Ausgangsanschluß 105 verbunden, während der Ausgangsanschluß 105 an die Schaltungsplatine 104 gelötet ist und elektrisch mit einer Verdrahtungsleitung an die Schaltungs platine 104 angeschlossen ist. Der Ausgangsanschluß 105 ist durch ein Gußharzteil 106 positioniert und befestigt.
  • 13B zeigt eine Draufsichtstruktur des Gehäuses 100 mit dem abgetrennten Abdeckungsteil 100a. Wie in 13B dargestellt, ist eine aus Chipkomponenten wie einem Sensorchip 108, einem Prozessorchip, einem Widerstand und einem Kondensator zusammengesetzte Verarbeitungsschaltung 109 auf einem Keramiksubstrat 107 innerhalb des Gehäuses 100 gebildet. Diese Verarbeitungsschaltung 109 erfaßt eine Verschiebung infolge einer Beschleunigung des Sensorchips 108 und gibt ein Beschleunigungssignal aus. Dieses Beschleunigungssignal wird über den Anschluß 101 und den Ausgangs-anschluß 105 einer (nicht dargestellten) ECU (Electrical Control Unit) auf der Schaltungsplatine 104 zugeführt und dazu verwendet, z. B. einen Airbag zu steuern.
  • 14 zeigt ein strukturelles Querschnittsschema des oben erwähnten Gehäuses 100. Das Keramiksubstrat 107 ist durch ein Klebemittel an einem Fuß 110 befestigt, und der Sensorchip 108 und die Verarbeitungsschaltung 109 sind auf diesem Keramiksubstrat 107 gebildet. Ein metallisches Abdeckungsteil 100a ist durch Schweißen auf eine Vorderseite des Fußes 100 installiert, wodurch eine Aushöhlung 111 luftdicht abgeschlossen ist. Darüber hinaus ist ein weiteres metallisches Abdeckungsteil 100b zum Zwecke der Befestigung durch Schweißen an eine Rückseite installiert. Damit ist der Sensoranordnung die Form gegeben.
  • Der Anschluß 101 und der Sensorchip 108 und die Verarbeitungsschaltung 109 sind durch Verbindungsleitungen 112 drahtgebondet und elektrisch mit der Außenseite verbunden. Der Anschluß 101 ist hinsichtlich des Fußes 110 durch ein Glas 113 mit niedrigem Schmelzpunkt hermetisch abgeschlossen, und die Abdeckung 100a ist an den Fuß 110 angeschweißt, und das Gehäuse 100 ist im Inneren luftdicht abgeschlossen.
  • Da die in 13A angezeigte Schaltungsplatine 104 auf einer Ebene parallel zu einer Grundplatte einer Kabine für Fahrzeuginsassen installiert ist, ist das Gehäuse über die Befestigungsplatte 103 im wesentlichen senkrecht zu der Schaltungsplatine 104 installiert, so daß der Sensorchip 108 im wesentlichen senkrecht bezüglich der Schaltungsplatine 104 ausgerichtet ist.
  • Bei der oben beschriebenen herkömmlichen Struktur sind das Abdeckungsteil 100a, der Fuß 110 und der Anschluß 101 luftdicht abgeschlossen. Des weiteren wird die Anordnung der Befestigungsplatte 103, die im wesentlichen senkrecht an der Schaltungsplatine 103 befestigt ist, ebenso wie das Abdeckungsteil 100b zum Zwecke der Befestigung und die Schraube 102 zum Festschrauben benötigt, um das Gehäuse 100 im wesentlichen senkrecht bezüglich der Schaltungsplatine 104 anzuschließen. Darüber hinaus werden Durchgangslöcher zum Löten für den Ausgangsanschluß 105 und die Schaltungsplatine 104 benötigt, um die Schaltungsplatine 104 und die Vorrichtung zum Erfassen einer Beschleunigung elektrisch zu verbinden. Ein ähnlich aufgebautes Sensorgehäuse mit einem senkrecht zur Schaltungsplatine angeordneten Sensor ist aus der JP 04131723 A bekannt. Aus der EP 0 557 917 A1 ist ein Hohlraumgehäuse bekannt, dessen Beschleunigungssensoren zum Teil senkrecht zur Schaltungsplatine liegen. Sämtliche o. g. Gehäuse werden auf Platinen gesteckt. Bei den herkömmlichen Vorrichtungen zum Erfassen einer Beschleunigung bzw. eines Drucks tritt die Schwierigkeit auf, daß es eine hohe Anzahl von Komponenten gibt, die in ihrer Struktur groß und komplex sind, und folglich ist die Anzahl von Herstellungsschritten ebenso groß.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine einfache und kompakte Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe zu schaffen, bei welcher eine zuverlässige und stabile elektrische und mechanische Anbringung von senkrecht stehenden Sensorgehäusen möglich ist.
  • Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des Anspruchs 1.
  • Demgemäß ist in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe geschaffen, die ein Hohlraumgehäuse aufweist, das an einer Schaltungsplatine im wesentlichen senkrecht befestigt ist und eine Aushöhlung besitzt, und einen Sensorchip, der innerhalb der Aushöhlung installiert ist, um einer Kraft in einer Richtung parallel zu der Schaltungsplatine unterworfen zu werden, um ein elektrisches Signal entsprechend der Größe der Kraft auszugeben. Des weiteren weist die Vorrichtung zum Erfassen einer elektrischen Größe folgende Merkmale bzw. Komponenten auf: das Hohlraumgehäuse besitzt eine ebene Endfläche bzw. ein ebenes Vorderseitenende an einer äußeren Seite; eine Verdrahtungs- bzw. Verbindungsleitungselektrode zum Ausgeben des elektrischen Signals ist vorgesehen, um von einer Wand der Aushöhlung bzw. des Hohlteils zu dem ebenen Vorderseitenende gezogen zu werden, und durchdringt das Gehäuse; die Verbindungsleitungselektrode besitzt ein Seitenbondierungskontaktstellengebiet auf dem ebenen Vorderseitenende der Gehäuseaußenseite; und das Flächenbondierungskontaktstellengebiet der Verbindungsleitungselektrode ist elektrisch und mechanisch mit der Verbindungsleitung- bzw. Verdrahtung an der Schaltungsplatine verbunden, wenn das Gehäuse an der Schaltungsplatine befestigt ist.
  • Das Gehäuse ist wie folgt strukturiert: ein Anbringungsteil zum Tragen eines Chips, bei welchem ein Teil, auf welchem der Sensorchip installiert ist, ist senkrecht zu dem Vorderseitenende ausgerichtet; und eine Abdeckung ist an einer Installationsseite des Chips bezüglich des Anbringteils installiert, wodurch die Aushöhlung und ein luftdichter Abschluß der Aushöhlung gebildet ist.
  • Das Gehäuse kann derart ausgebildet sein, daß eine Mehrzahl von Isolierungssubstraten an einer diesbezüglichen Anbringung bzw. einem Träger aufgeschichtet sind, um eine entsprechende Gestalt zu bilden.
  • Zusätzlich sind das Flächenbondierungskontaktstellengebiet der an dem Vorderseitenende des Gehäuses vorgesehenen Verbindungsleitungselektrode und die Verbindungsleitung der Schal tungsplatine unter Verwendung eines leitfähigen Bondierungsmittels flächengebondet und elektrisch verbunden.
  • In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist ein Sensorchip vorzugsweise innerhalb einer Aushöhlung eines Gehäuses installiert. Ein elektrisches Signal, das einen Verschiebungszustand des Sensorchips anzeigt, wird an ein äußeres Teil durch die Verdrahtungselektrode ausgegeben, die innerhalb des Gehäuses ebenso wie auf einem ebenen Vorderseitenende gebildet ist. Die Endfläche an der äußeren Seitenwand des Gehäuses ist elektrisch und mechanisch mit einer Schaltungsplatine verbunden, und das Gehäuse ist dabei im wesentlichen senkrecht zu der Schaltungsplatine ausgerichtet, und das elektrische Signal wird der Schaltungsplatine ausgegeben.
  • Da das Gehäuse mit dem ebenen Vorderseitenende elektrisch und mechanisch mit der Schaltungsplatine verbunden und daran befestigt ist, wird folglich eine bei der herkömmlichen Erfassungsvorrichtung benötigte Befestigungsplatte nicht benötigt, und da die elektrischen und mechanischen Verbindungen an einer Stelle gebildet sind, wird eine Struktur erzielt, die im Vergleich zu derjenigen der herkömmlichen Erfassungsvorrichtung einfach ist.
  • Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
  • 1 zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht, die eine erste Ausführungsform in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 2A bis 2E zeigen eine Struktur des in 1 dargestellten Gehäusekörperteils 2, wobei 2A eine obere Ansicht, 2B eine Vorderansicht, 2C eine Bodenansicht, 2D eine Seitenansicht und 2E eine Rückansicht zeigen;
  • 3A bis 3F stellen Verfahrensschritte dar, welche ein Herstellungsverfahren des Gehäusekörperteils 2 zeigen;
  • 4 zeigt eine perspektivische Ansicht, welche sechs Schichten eines Substrats anzeigt, wodurch das Gehäusekörperteil 2 gebildet wird;
  • 5A bis 5E stellen Verfahrensschritte dar, welche ein anderes Herstellungsverfahren des Gehäusekörperteils 2 anzeigen;
  • 6 zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht, welche eine zweite Ausführungsform in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 7 zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht, welche eine dritte Ausführungsform in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung anzeigt;
  • 8 zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht, welche eine vierte Ausführungsform in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 9A bis 9D stellen Verfahrensschritte dar, welche ein Herstellungsverfahren des in 8 dargestellten Gehäusekörperteils 2 anzeigen;
  • 10 zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht, welche eine Ausgestaltung darstellt, die nicht den Gegenstand der vorliegenden Erfindung bildet; hier sind die elektrische Kontaktierung und mechanische Befestigung keine Einheit;
  • 11A zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht, die eine fünfte Ausführungform der vorliegenden Erfindung darstellt, wobei ein Zustand angezeigt wird, bei welchem ein G-Sensor (Beschleunigungssensor) senkrecht an einer Schaltungsplatine befestigt ist; 11B zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht, welche ein Beispiel darstellt, das nicht den Gegenstand der vorliegenden Erfindung bildet, wobei ein Zustand angezeigt wird, bei welchem das Gehäuse und der G-Sensor horizontal an der Schaltungsplatine befestigt sind;
  • 12A bis 12E zeigen eine Struktur des in 11A und 11B dargestellten Gehäusekörperteils 2, wobei 12A eine obere Ansicht, 12B eine Vorderansicht, 12C eine Bodenansicht, 12D eine Seitenansicht und 12E eine Rückansicht zeigen;
  • 13A und 13B zeigen eine herkömmliche Struktur einer Vorrichtung zum Erfassen einer Beschleunigung, wobei 13A eine Querschnittsseitenansicht und 13B eine Grundrißansicht eines Gehäuses 100 mit einem entfernten Abdeckungsteil 100a zeigen; und
  • 14 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des in 13A dargestellten Gehäuses 100.
  • Im folgenden wird eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • 1 zeigt eine strukturelle Querschnittsseitenansicht eines Beschleunigungssensors (hiernach "G-Sensor" bezeichnet) 1 einer Vorrichtung zum Erfassen einer Beschleunigung.
  • Der G-Sensor 1 umfaßt ein Gehäusekörperteil 2, einen Sensorchip 3 und eine Abdeckung 4, wie in 1 dargestellt, und ist senkrecht an einer Schaltungsplatine 10 angebracht. Das Gehäusekörperteil 2 und die Abdeckung 4 bilden ein Gehäuse. Auf der Schaltungsplatine 10 sind andere (nicht dargestellte) Schaltungselemente angebracht.
  • Das Gehäusekörperteil 2 besitzt eine kastenförmige Gestalt mit einer Aushöhlung, die durch Aufeinanderschichten einer Mehrzahl von Schichten eines Isolatorsubstrats z. B. aus Keramik oder Glas gebildet ist, und besitzt eine Aushöhlung bzw. ein Hohlteil 5, um den Sensorchip 3 und weitere Schaltungselemente aufzunehmen. Die Aushöhlung 5 ist durch Bonden und Befe stigen der aus keramischem Material gebildeten Abdeckung 4 auf dem bzw. an dem Gehäusekörperteil 2 z. B. durch ein Lötmetall, ein Glas mit niedrigem Schmelzpunkt oder ein Klebemittel luftdicht verschlossen. Die Abdeckung 4 ist vorgesehen, um den Sensorchip 3 z. B. vor Wasserdampf von außen zu schützen. Die Abdeckung kann ebenso aus einem Isolator wie Glas oder aus Metall anstelle des keramischen Materials gebildet sein.
  • Der Sensorchip 3 ist auf eine innere Oberfläche des Gehäusekörperteils 2 durch ein Chipbondierungsmittel 6 gebondet bzw. daran befestigt. Der Sensorchip 3 besitzt einen Ausleger, der aus einem Gewicht 3a und einem dünnen Teil 3b zusammengesetzt ist, das aus einem monokristallinen Siliziumsubstrat gebildet ist, und die Verschiebung des Gewichts 3a wird durch eine Spannungslehre erfaßt, die an dem dünnen Teil 3b angeordnet ist. Die Spannungslehre ist als bekannte Brückenstruktur gebildet, und eine Beschleunigungserfassung wird von der Verarbeitungsschaltung durchgeführt. Die Verarbeitungsschaltung ist in 1 nicht dargestellt, sie ist jedoch auf einer Oberfläche des Gehäusekörperteils 2 gebildet, auf welchem der Sensorchip 3 gebildet ist.
  • Darüber hinaus sind Verbindungsleitungen 8 und 9 zum externen elektrischen Anschließen an einer inneren und einer äußeren Wand des Gehäusekörperteils 2 gebildet. Die Leitung 8 ist elektrisch durch Verdrahtungsbunden unter Verwendung einer Verbindungsleitung 7 z. B. aus Aluminium oder Gold an Verdrahtungsausgangskontaktstellen angeschlossen, die jeweils an dem Sensorchip 3 und der (nicht dargestellten) Verarbeitungsschaltung angeordnet sind, und ist durch das Innere des Gehäusekörperteils 2 an die Verbindungs- bzw. Verdrahtungsleitung 9, die an dem Vorderseitenende gebildet ist, die obere Oberfläche und die untere Oberfläche des Gehäusekörperteils 2 angeschlossen. Es ist ebenso annehmbar, die Verbindungs- bzw. Verdrahtungsleitung 8 durch Bilden von Durchgangslöchern innerhalb des Substrats wie in der in 7 gezeigten Ausführungsform dargestellt bereitzustellen, was später beschrieben wird.
  • Auf der Schaltungsplatine 10 sind der G-Sensor 1 und (nicht dargestellte) Schaltungselemente, welche z. B. eine ECU bilden, gleichzeitig durch Aufschmelzlöten unter Verwendung eines Bondierungsmittels 12 wie ein Lötmetall oder eine Silberpaste angebracht. Hierbei sind die Verdrahtungsleitung 9, welche auf dem Gehäusekörperteil 2 ausgebildet ist, und eine Verdrahtung 11 (eine mit den oben genannten Schaltungselementen verbundene Schaltungsverdrahtung), die auf der Schaltungsplatine 10 gebildet ist, elektrisch über das Bondierungsmittel derart miteinander verbunden, so daß der G-Sensor 1 mit der Vorderseite nach unten gebondet und im wesentlichen senk-recht zu der Schaltungsplatine 10 befestigt ist. Folglich ist der G-Sensor 1 durch das Bondierungsmittel 12 elektrisch und mechanisch mit der Schaltungsplatine 10 verbunden.
  • Entsprechend der oben beschriebenen Struktur wird der G-Sensor 1 im wesentlichen senkrecht zu der Schaltungsplatine 10 angebracht.
  • Des weiteren unterscheidet sich die oben erwähnte Ausführungsform von einer herkömmlichen Vorrichtung in der Strukturierung des Gehäusekörperteils 2 und der Abdeckung 4 z. B. aus keramischem Material. In dem Fall einer derartigen Struktur können sogar angemessene Rauschgegenmaßnahmen durch Bereitstellen eines Verstärkers zur Rauschunterdruckung in der Verarbeitungsschaltung innerhalb des G-Sensors 1 und ebenso durch Bereitstellen eines Rauschfilters in einer Schaltung auf der Seite der Schaltungsplatine 10 durchgeführt werden.
  • 2A bis 2E zeigen die Struktur des Gehäusekörperteils 2 an. 2A bis 2E zeigen jeweils die obere Oberfläche, die vordere Oberfläche, die untere Oberfläche, die Seitenoberfläche und die Rückseitenoberfläche des Gehäusekörperteils 2 an. Wie in diesen Figuren dargestellt, ist das Hohlteil 5 in dem Gehäusekörperteil 2 gebildet, und der Sensorchip 3 und weitere Schaltungselemente sind auf einer Oberfläche A dieses Hohlteils gebildet.
  • Darüber hinaus ist innerhalb des Gehäusekörperteils 2 eine Verdrahtungsleitung 8 gebildet, und eine Verdrahtungsleitung 9 ist auf der in 2A angezeigten oberen Oberfläche des Gehäusteils 2 gebildet (das Vorderseitenende der Vorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung wird hiernach mit "Oberfläche B" bezeichnet) und auf der vorderen Oberfläche und einem Teil der Rückseitenoberfläche. Die Seite der Oberfläche B ist über das Bondierungsmittel 12 mit der Schaltungsplatine 10 verbunden, und die Verdrahtungsleitung 9 ist elektrisch mit der Verdrahtung 11 auf der Schaltungsplatine 10 verbunden.
  • Das Gehäusekörperteil 2 ist durch Laminieren bzw. Aufschichten von Substraten gebildet, die sich einer Lochung unterzogen haben. Ein diesbezügliches Herstellungsverfahren wird später unter Bezugnahme auf 3A bis 3F beschrieben.
  • Sechs Substratschichten, die aus einem Isolator z. B. aus Keramik oder Glas zusammengesetzt sind, werden bereitgestellt (die Anzahl von Laminierungen ist z. B. durch die Größe des Gehäuses oder den Umfang der Schaltung bestimmt), und es wird bezüglich der oberen drei Schichten wie in 3A gezeigt eine Lochung durchgeführt. Bezüglich dieser drei Substratschichten wird, wie in 3A dargestellt, bezüglich jeder Schicht eine Vielzahl von Lochstanzungen durchgeführt, um gleichzeitig eine Vielzahl von Gehäusekörperteilen zu bilden.
  • Wie in 3B dargestellt, wird demgemäß eine Leiterpaste 13 auf vorbestimmte Stellen gedruckt, und diese wird geschichtet und komprimiert (3C). Als nächstes wird ein Schneiden mit einer Schneidevorrichtung oder ähnlichem wie in 3D dargestellt durchgeführt. Dieses Schneiden wird in die vertikale Richtung von 4 durchgeführt, d. h. in die durch die gestrichelten Linien von 4 angezeigte Richtung.
  • Wie in 3E dargestellt, wird danach eine Leiterpaste 14 auf die Seitenoberfläche, welche zu der Oberfläche B wird, gedruckt, um mit der vorher gebildeten Leiterpaste 13 verbunden zu werden. Danach wird ein Einbrennen durchgeführt, es wird ein Überziehen mit Kupfer oder Nickel oder Gold durchgeführt (3F), es wird ein Schneiden in die horizontale Richtung mit einer Schneidevorrichtung durchgeführt, und es wird ein Gehäusekörperteil 2 gebildet.
  • Die Leiterpasten 13 und 14 dienen der Bildung der Verdrahtungsleitungen 8 und 9.
  • Der Sensorchip 3 und weitere Schaltungselemente werden innerhalb des Hohlteils 5 auf das Gehäusekörperteil 2 gebondet und daran befestigt, und die Abdeckung 4 wird auf die Vorderseitenoberfläche des Gehäusekörperteils 2 gebondet und daran befestigt. Wie in 1 dargestellt, wird danach das Vorderseitenende des Gehäusekörperteils 2 mit der Vorderseite 15 nach unten gebondet, um im wesentlichen senkrecht zu der Schaltungsplatine 10 durch das Bondierungsmittel 12 befestigt zu sein.
  • Der Grad der senkrechten Ausrichtung des G-Sensors 1 und der Schaltungsplatine wird durch die Größengenauigkeit des Gehäusekörperteils 2 bestimmt. Der Grad der Parallelität der Oberfläche A kann auf 0,5° oder darunter bestimmt werden. Der Grad der senkrechten Ausrichtung der Oberfläche B wird durch die Genauigkeit der Schneidevorrichtung oder dergleichen bestimmt, welche die Oberfläche B abtrennt, und kann mit einer Präzision von 0,5° oder weniger maschinell erzielt werden. Folglich kann der G-Sensor 1 im wesentlichen senkrecht zu der Schaltungsplatine mit einer Gesamtverkippung von 1° oder weniger befestigt werden.
  • In Übereinstimmung mit der oben dargestellten Ausführungsform wird nach dem Schneiden der aufgeschichteten Substrate auf das Vorderseitenende eine Leiterpaste 14 gedruckt, wie in 3D und 3E dargestellt, es ist jedoch ebenso akzeptabel, vorher die Leiterpaste unter Verwendung von Durchgangslöchern derart zu bilden, so daß in demselben Schritt ein Vertikal- und Horizontalsubstratschneiden durchgeführt werden kann.
  • Damit sind, wie in 5A dargestellt, Durchgangslöcher 15 in den jeweiligen Substraten durch ein Substratlochen gebildet, und in dem in 5B dargestellten Schritt werden die Durchgangslöcher 15 mit Leiterpaste gefüllt, wobei gleichzeitig ein Drucken der Leiterpaste 13 auf das Substrat ähnlich wie bei 3B durchgeführt wird.
  • Wie in 5C dargestellt, werden danach die jeweiligen Substrate aufgeschichtet und komprimiert und zusammen eingebrannt, und danach wird ein Überziehen durchgeführt, wie in 5D dargestellt. Danach wird mit einer Schneidevorrichtung ein Schneiden durchgeführt, wie in 5E dargestellt. Das Schneiden wird in die vertikale Richtung (die durch gestrichelte Linien in 4 darstellte Richtung) ebenso wie in die horizontale Richtung durchgeführt.
  • Da die Verdrahtungsleitung 9 mit Durchgangslöchern versehen ist, können in demselben Schritt das vertikale und horizontale Schneiden durchgeführt werden, und es kann in einem Vorgang eine große Anzahl von Gehäusekörperteilen 2 hergestellt werden.
  • Im folgenden wird eine zweite Ausführungsform in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird die Struktur des Gehäuses in Bezug auf die eben erwähnte erste Ausführungsform modifiziert. Entsprechend mit der vorliegenden Ausführungsform wird wie in 6 dargestellt ein Substrat 21 einer ebenen Konfiguration verwendet, und eine Aushöhlung bzw. ein Hohlteil existiert an einer Seite einer Abdeckung 41. Die Abdeckung 41 ist ein metallischer Gegenstand mit einer Aushöhlung und ist auf eine Oberflächenseite des Substrats 21 gebondet und daran befestigt. Dadurch ist das Hohlteil 5, das den Sensorchip 3 aufnimmt, gebildet, und dadurch ist das Innere des Hohlteils 5 luftdicht abgeschlossen. Darüber hinaus kann die Dicke in Richtung der Breite durch die Abdeckung 41 der Aushöhlungsform vergrößert werden, und die Stabilität kann durch Bonden auf die Schaltungsplatine 10 verbessert werden.
  • In Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform ist in dem Substrat 21 ein Durchgangsloch gebildet, und es ist in diesem Durchgangsloch eine Verdrahtungsleitung 81 gebildet, um mit der auf dem Vorderseitenende gebildeten Verdrahtungsleitung 9 verbunden zu sein.
  • Darüber hinaus kann die Abdeckung 41 ebenso z. B. aus Keramik oder Glas anstatt aus Metall gebildet sein.
  • Im folgenden wird eine dritte Ausführungsform in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • Die vorliegende Ausführungsform verwendet eine metallische L-förmige Abdeckung 42, wie in 7 dargestellt. Durch Verwendung dieser Abdeckung 42 der L-förmigen Struktur kann die Stabilität des G-Sensors 1 durch Befestigung auf einer Schaltungsplatine 10 verbessert werden, und als Ergebnis kann die Dicke des Gehäusekörperteils 2 verringert werden.
  • Das Gehäusekörperteil 2 wird ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform durch Aufschichten einer Mehrzahl von Isolatorsubstraten gebildet. Eine Verdrahtungsleitung 82 wird durch ein Durchgangsloch innerhalb des Gehäusekörperteils 2 gebildet, und die Verdrahtungsleitung 82 wird mit der auf dem Vorderseitenende gebildeten Verdrahtungsleitung 9 verbunden.
  • Die L-förmige Abdeckung 42 kann ebenso z. B. aus Keramik oder Glas anstelle aus Metall gebildet sein.
  • Im folgenden wird eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • Wie in 8 dargestellt, wird die vorliegende Ausführungsform durch Gußharz ohne Verwendung eines aufgeschichteten Substrats in einem Gehäuseköperteil 2 gebildet. Ein Flüssigkristallpolymer beispielsweise mit einem kleinen Verhältnis der Feuchtigkeit zu der Permeabilität kann als das Harz verwendet werden. Darüber hinaus wird eine Abdeckung 43 ebenso aus Harz unter Berücksichtigung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten mit einem Harzgehäusekörperteil 22 gebildet.
  • Ein Herstellungsverfahren des Harzgehäusekörperteils 22 ist in 9A bis 9D dargestellt. Nachdem das Harz unter Verwendung eines Flüssigkristallpolymers wie in 9A dargestellt und durch Einfugung gegossen bzw. geformt ist, wird ein Durchgangsloch 16 gebildet. Über die gesamten Oberflächen dieses gegossenen Harzes wird ein Überziehen mit Kupfer, Nickel oder Gold durchgeführt, wie es in 9B dargestellt ist, und danach wird, wie in 9C dargestellt, auf allen Oberflächen ein Fotolack gebildet und danach strukturiert. Schließlich wird, wie in 9D dargestellt, ein Ätzen durchgeführt, um eine Verdrahtungsstruktur 91 der gewünschten Gestalt zu erzielen.
  • Um die Luftdichtigkeit innerhalb des Hohlteils 5 bezüglich der Bildung des Durchgangslochs 16 zu erhöhen, wird darüber hinaus ein Bondierungsmittel 17 innerhalb des Durchgangslochs 16 angeordnet, um eine luftdichte Versiegelung durchzuführen.
  • Darüber hinaus kann die Abdeckung 43 ebenso aus Metall anstelle aus Harz gebildet werden, wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient nahe demjenigen des Gehäusekörperteils 22 liegt.
  • Im folgenden wird eine Ausgestaltung dargestellt, welche nicht den Gegenstand der vorliegenden Erfindung bildet, sondern lediglich eine erläuternde Funktion hat.
  • Das vorliegende Beispiel verwendet ein Harzgehäuse 18, in welchem eine Stufe zum Bonden des G-Sensors 1 auf einen unteren Stufenteil des Gehäuses und zum Befestigen daran vorgesehen ist, wie in 10 dargestellt ist. Darüber hinaus wird die Schaltungsplatine 10 an einem oberen Stufenteil des Harzgehäuses 18 befestigt.
  • Für den G-Sensor 1 sind Verdrahtungsleitungen 83 und 92 auf einer oberen Seiten davon gebildet, und der G-Sensor ist elektrisch mit der Schaltungsplatine 10 durch Verdrahtungsbonden mit einer Verdrahtung 19 verbunden.
  • Durch Bildung auf diese Weise können der G-Sensor 1 und die Schaltungsplatine 10 in einer im wesentlichen identischen Ebene gebildet werden. Allerdings bilden die elektrischen Kontakte und die mechanische Befestigung keine Einheit.
  • Bezüglich der dritten bis vierten Ausführungsform gemäß 7 und 8 sowie der Ausgestaltung gemäß 10 ist eine aus Metall oder Harz gebildete Abdeckung vorgesehen, es ist jedoch ebenso eine Bildung z. B. aus Keramik möglich.
  • Im folgenden wird eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • 11A zeigt eine strukturelle Querschnittsansicht eines G-Sensors 1 der vorliegenden fünften Ausführungsform. 11B zeigt ein Beispiel, welches nicht den Gegenstand der vorliegenden Erfindung bildet.
  • Der G-Sensor 1 wird von einem Gehäusekörperteil 2, einem Chipsensor 3 und einer Abdeckung 4 gebildet, wie in 11A dargestellt, und ist senkrecht zu der Schaltungsplatine 10 angebracht. Auf der Schaltungsplatine sind andere Schaltungselemente a und b angebracht.
  • Auf der Schaltungsplatine 10 sind der G-Sensor 1 und Schaltungselemente a und b, die z. B. eine ECU bilden, gleichzeitig durch Aufschmelzlöten eines Bondierungsmittels 12 wie ein Lötmetall, eine Silberpaste oder dergleichen angebracht. Hierbei sind die auf dem Gehäusekörperteil 2 gebildeten Verdrahtungsleitungen 93, 94 oder 95 und die auf der Schaltungsplatine 10 gebildete Verdrahtung 11 (die Schaltungsverdrahtung, die mit den oben erwähnten Schaltungselementen a und b verbunden ist) über das Bondierungsmittel 12 derart miteinander verbunden, so daß der G-Sensor 1 mit der Vorderseite nach unten auf die Schaltungsplatine 10 gebondet ist. Folglich wird der G-Sensor 1 durch das Bondierungsmittel 12 elektrisch und mechanisch mit der Schaltungsplatine 10 verbunden.
  • Wenn die Schaltungsplatine 10 mitsamt dem angebrachten G-Sensor 1 in einer Ebene parallel zu der Grundplatte einer Fahrzeuginsassenkabine installiert wird wie bei den oben beschriebenen verschiedenen Ausführungsformen, wird der G-Sensor in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform senkrecht an der Schaltungsplatine 10 befestigt, wie in 11A dargestellt. Andererseits wird in einem Fall, bei welchem die mit dem G-Sensor 1 versehene Schaltungsplatine innerhalb eines Steuerrades installiert ist, erfordert, daß der G-Sensor 1 in einer horizontalen Richtung an der Schaltungsplatine 10 befestigt wird. Dieses Beispiel ist jedoch nicht Gegenstand der Erfindung, worin der G-Sensor 1 horizontal an der Schaltungsplatine 10 befestigt wird, wodurch der Freiheitsgrad bezüglich der Installierung des G-Sensors 1 sich vergrößert.
  • Aus dem Grund der zusätzlichen Freiheitsgrade sind, wie in 11A und 11B dargestellt, die Verdrahtungsleitungen 93 bis 95 an einer äußeren Umfangsoberfläche des Gehäusekörperteils 2 gebildet und elektrisch mit der Verdrahtung 11 an der Schaltungsplatine 10 durch die Verdrahtungsleitung 93 verbunden. Da die Verdrahtungsleitung 93 auf einer oberen Oberfläche gebildet ist (d. h. auf der Grundoberfläche in dem Installationszustand von 11A) und der unteren Oberfläche des Gehäusekörperteils 2, können in diesem Fall die Verdrahtungsleitung 93 und die Verdrahtung 11 auf der Schaltungsplatine 10 elektrisch verbunden werden, ob sie entweder senkrecht oder horizontal an der Schaltungsplatine 10 befestigt sind, wie jeweils in 11A bzw. 11B dargestellt.
  • Des weiteren ist ein Durchgangsloch innerhalb des Gehäusekörperteils 2 gebildet, und es ist eine Verdrahtungsleitung 84 gebildet. In anderer Hinsicht ist die Struktur ähnlich wie diejenige der ersten Ausführungsform.
  • 12A bis 12E zeigen eine in der Erfindung verwendete Struktur des Gehäusekörperteils 2, wie sie auch in den 11A und 11B offenbart ist. 12A bis 12E zeigen jeweils die obere Oberfläche, die vordere Oberfläche, die untere Oberfläche, die Seitenoberfläche und die Ruckseitenoberfläche des Gehäusekörperteils 2. Wie in diesen Figuren dargestellt, sind die Verdrahtungsleitungen 94 und 95 getrennt von der Verdrahtungsleitung 93 gebildet. Die Verdrahtungsleitungen 93 bis 95 können ohne Abtrennung gebildet sein, jedoch wird eine Abtrennung dieser Verdrahtungen unter Berücksichtigung der Haltbarkeit des Bondierungsmittels 12 bevorzugt.
  • Darüber hinaus können die Verdrahtungsleitungen 94 und 95 als Ersatz- bzw. Dummiverdrahtung ohne Beziehung zur Signalübertragung dienen. Die Signalübertragung erfolgt über die Verdrahtungsleitung 84.
  • Darüber hinaus ist in Übereinstimmung mit den oben dargestellten verschiedenen Ausführungsformen die Prozessorschaltung nicht ausschließlich auf einer Oberfläche identisch zu dem Sensorchip 3 innerhalb des Gehäusekörperteils 2 gebildet, es ist jedoch annehmbar, daß sie integriert mit dem Sensorchip 3 gebildet ist oder an einer äußeren Umfangsoberfläche des Gehäusekörperteils 2 vorgesehen ist. Darüber hinaus ist es annehmbar, daß Signale von dem Sensorchip 3 empfangen werden und eine Signalverarbeitung auf der Seite der Schaltungsplatine 10 durchgeführt wird. In einem dieser Falle bedeutet das elektrische Signal, welches extern von dem Gehäusekörperteil 2 ausgegeben wird, ein elektrisches Signal, das einen Zustand der Verschiebung eines Sensorchips der vorliegenden Erfindung anzeigt.
  • Bei den oben erwähnten Ausführungsformen wurde ein Beschleunigungssensor eines Spannungslehrentyps unter Verwendung von monokristallinem Silizium beschrieben, es ist jedoch darüber hinaus ein Beschleunigungssensor eines Dünnschichtkondensatortyps oder dergleichen unter Verwendung von polykristallinem Silizium ebenso möglich.
  • Des weiteren wird eine Anwendung der vorliegenden Erfindung einer Vorrichtung zum Erfassen einer Beschleunigung beschrieben, es ist jedoch ebenso eine Anwendung in einer anderen Erfassungsvorrichtung möglich, in welchem ein Gehäuse im wesentlichen senkrecht an einer Schaltungsplatine befestigt ist und ein Sensorchip in dem Gehäuse angeordnet ist, um eine Kraft in einer Richtung parallel zu der Schaltungsplatine zu erfassen, beispielsweise eine Anwendung in einem Drucksensor zum Erfassen eines Druckes.
  • Vorstehend ist eine Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe offenbart. Insbesondere ist eine Vorrichtung zum Erfassen einer Beschleunigung offenbart, die einfach hergestellt werden kann und eine kompakte Struktur besitzt.

Claims (8)

  1. Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe mit: einem Hohlraumgehäuse (2; 21; 22; 4; 41; 42; 43), welches an einer Schaltungsplatine (10) befestigt ist und aus einem Chipträger (2; 21; 22) und einer Abdeckung (4; 41; 42; 43) besteht; einem Sensorchip (3), der innerhalb des Hohlraumgehäuses auf dem Chipträger installiert ist, wobei der Sensorchip einer Kraft in einer Richtung parallel zu der Schaltungsplatine unterworfen wird und ein elektrisches Signal in Übereinstimmung mit der Größe der Kraft ausgibt; wobei die Schaltungsplatine mit Schaltungselementen gebildet ist, welche auf der Grundlage des elektrischen Signals arbeiten; das Gehäuse eine ebene Endfläche (B) an einer äußeren Seitenwand davon aufweist; eine Verdrahtungselektrode (8, 9) zum Ausgeben des elektrischen Signals angebracht ist, die von einer inneren Wand des Hohlraumgehäuses zu der ebenen äußeren Endfläche gezogen ist und den Chipträger durchdringt, wobei die Verdrahtungselektrode mindestens ein flächengebondetes Kontaktstellengebiet (9; 91; 92; 93; 94; 95) auf der ebenen äußeren Endfläche an der äußeren Gehäuseseitenwand aufweist; und das flächengebondete Kontaktstellengebiet der Verdrahtungselektrode durch ein Bondierungsmittel (12) elektrisch und mechanisch mit einer Verdrahtung (11) an der Schaltungsplatine derart verbunden ist, daß das Gehäuse im wesentlichen senkrecht an der Schaltungsplatine befestigt ist, so daß der Chipträger und der Sensorchip im wesentlichen senkrecht angeordnet sind.
  2. Vorrichtung zum Erfassen einer elektrischen Größe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung (4; 41; 42; 43) mit dem Chipträger einen luftdichten Abschluß des Hohlraumgehäuses bildet.
  3. Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Chipträger (2; 21; 22) des Gehäuses eine Mehrzahl von übereinandergeschichteten Isolierungssubstraten enthält.
  4. Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die an der ebenen äußeren Endfläche des Gehäuses (2; 21; 22; 4; 41; 42; 43) vorgesehene Verdrahtungselektrode (8, 9) auf die Verdrahtung (11) der Schaltungsplatine (10) mit einem Lötmetall oder einer Silberpaste (12) gebondet ist.
  5. Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse durch einen Chipträger einer ebenen Konfiguration und ein Abdeckungsteil (41) einer Konfiguration mit einer Aushöhlung gebildet ist, welche auf einer Oberfläche des Chipträgers installiert ist, um das Hohlraumgehäuse zu bilden und luftdicht zu schließen.
  6. Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse aus einem Chipträger (2; 21, 22) einer schachtelförmigen Konfiguration mit einer Aushöhlung, in welcher der Sensorchip (3) aufgenommen ist; und einem Abdeckungsteil (4; 41; 42; 43) gebildet ist, das auf der Oberfläche der Aushöhlung des Chipträgers installiert ist, um das Hohlraumgehäuse luftdicht abzuschließen.
  7. Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Abdeckungsteil (42) eine L-förmige Gestalt mit einem ersten und zweiten Teil besitzt und das erste Teil auf einer Gesamtoberfläche der Aushöhlung installiert ist, und das zweite Teil auf einer identischen Oberfläche wie die äußere Endfläche des Hohlraumgehäuses gebildet ist, und wobei die Einrichtung zum Flächenbonden (12) die Endfläche des Gehäuses und den zweiten Teil der Abdeckung mit der Schaltungsplatine (10) verbindet.
  8. Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe nach den vorangegangenen Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensor ein Beschleunigungssensor ist.
DE19521712A 1994-06-15 1995-06-14 Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe Expired - Fee Related DE19521712B4 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6-132996 1994-06-15
JP13299694 1994-06-15
JP7-63730 1995-03-23
JP6373095 1995-03-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19521712A1 DE19521712A1 (de) 1995-12-21
DE19521712B4 true DE19521712B4 (de) 2009-06-18

Family

ID=26404860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19521712A Expired - Fee Related DE19521712B4 (de) 1994-06-15 1995-06-14 Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5554806A (de)
DE (1) DE19521712B4 (de)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69432396T2 (de) 1993-12-27 2004-03-04 Hitachi, Ltd. Beschleunigungsmessaufnehmer
JPH08233848A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体センサ
US6060780A (en) * 1996-02-23 2000-05-09 Denson Corporation Surface mount type unit and transducer assembly using same
JP3423855B2 (ja) * 1996-04-26 2003-07-07 株式会社デンソー 電子部品搭載用構造体および電子部品の実装方法
DE19637079C2 (de) * 1996-09-12 2000-05-25 Telefunken Microelectron Anordnung zur Beschleunigungsmessung
JP3576727B2 (ja) * 1996-12-10 2004-10-13 株式会社デンソー 表面実装型パッケージ
JP3451868B2 (ja) * 1997-01-17 2003-09-29 株式会社デンソー セラミック積層基板の製造方法
US5817941A (en) * 1997-02-11 1998-10-06 Ford Motor Company Method and apparatus for supporting a sensor in a vehicle
JP3345878B2 (ja) * 1997-02-17 2002-11-18 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法
JPH10253652A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Denso Corp センサ装置及びその製造方法並びにその製造に用いられるリードフレーム
US6332359B1 (en) 1997-04-24 2001-12-25 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor
US6070531A (en) * 1997-07-22 2000-06-06 Autoliv Asp, Inc. Application specific integrated circuit package and initiator employing same
US6263735B1 (en) * 1997-09-10 2001-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Acceleration sensor
US6145380A (en) * 1997-12-18 2000-11-14 Alliedsignal Silicon micro-machined accelerometer using integrated electrical and mechanical packaging
AU1917099A (en) * 1997-12-18 1999-07-05 Allied-Signal Inc. Silicon micro-machined accelerometer using integrated electrical and mechanical packaging
WO1999051991A1 (en) * 1998-04-03 1999-10-14 Alliedsignal Inc. Clamshell cover accelerometer
US6433411B1 (en) * 2000-05-22 2002-08-13 Agere Systems Guardian Corp. Packaging micromechanical devices
JP4701505B2 (ja) * 2001-01-29 2011-06-15 パナソニック株式会社 慣性トランスデューサ
JP4174979B2 (ja) * 2001-07-13 2008-11-05 松下電工株式会社 加速度センサ
US6737580B2 (en) * 2001-12-28 2004-05-18 Turck Inc. Control sensor housing with protective laminate
JP2004003886A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Matsushita Electric Works Ltd センサパッケージ
EP1443331A3 (de) * 2003-02-03 2005-10-12 Denso Corporation Messaufnehmer und keramische Verpackung zur Montage von elektronischen Komponenten
JP4207753B2 (ja) * 2003-10-31 2009-01-14 株式会社デンソー 電気回路機器の樹脂筐体構造
JP4506203B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-21 株式会社デンソー 樹脂部材の継手構造、レーザ溶着方法及び電気機器の樹脂筐体
JP2006017524A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Denso Corp 角速度センサ
US7181968B2 (en) * 2004-08-25 2007-02-27 Autoliv Asp, Inc. Configurable accelerometer assembly
US7467552B2 (en) 2005-11-10 2008-12-23 Honeywell International Inc. Miniature package for translation of sensor sense axis
EP1813951A1 (de) * 2006-01-30 2007-08-01 Infineon Technologies SensoNor AS Trägheitsmesseinheit und Verpackungen dafür
TWI327114B (en) * 2006-01-30 2010-07-11 Sanyo Electric Co Pressure sensor installation method, tire and wheel installed with pressure sensor, and tire pressure sensing device
JP2008256570A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Fujitsu Media Device Kk 角速度センサ
JP2009109472A (ja) * 2007-10-10 2009-05-21 Epson Toyocom Corp 電子デバイス及び電子モジュール並びにこれらの製造方法
US20090152653A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Borzabadi Hamid R Surface mount multi-axis electronics package for micro-electrical mechanical systems(MEMS) devices
CN102510995B (zh) * 2010-06-16 2015-03-04 丰田自动车株式会社 复合传感器
US8692366B2 (en) 2010-09-30 2014-04-08 Analog Device, Inc. Apparatus and method for microelectromechanical systems device packaging
DE102010042987A1 (de) * 2010-10-27 2012-05-03 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Schaltung und elektrische Schaltung
US8459112B2 (en) * 2011-06-09 2013-06-11 Honeywell International Inc. Systems and methods for three dimensional sensors
US8836132B2 (en) 2012-04-03 2014-09-16 Analog Devices, Inc. Vertical mount package and wafer level packaging therefor
US9475694B2 (en) 2013-01-14 2016-10-25 Analog Devices Global Two-axis vertical mount package assembly
US10681821B2 (en) * 2014-10-16 2020-06-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Methods and devices for improved space utilization in wafer based modules
JP6464770B2 (ja) * 2015-01-21 2019-02-06 株式会社デンソー 物理量センサおよびその製造方法
CN108778901B (zh) * 2016-03-15 2021-11-26 日立安斯泰莫株式会社 动力转向装置的控制装置
US11647678B2 (en) 2016-08-23 2023-05-09 Analog Devices International Unlimited Company Compact integrated device packages
US10629574B2 (en) 2016-10-27 2020-04-21 Analog Devices, Inc. Compact integrated device packages
US10697800B2 (en) 2016-11-04 2020-06-30 Analog Devices Global Multi-dimensional measurement using magnetic sensors and related systems, methods, and integrated circuits
CN107768323B (zh) * 2017-11-24 2023-12-05 安徽芯动联科微系统股份有限公司 抗高过载电子器件封装管壳
EP3795076B1 (de) 2018-01-31 2023-07-19 Analog Devices, Inc. Elektronische vorrichtungen
WO2019152562A1 (en) * 2018-02-01 2019-08-08 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus for measuring strain and methods for making and using same
KR20230095689A (ko) * 2021-12-22 2023-06-29 삼성전자주식회사 마이크로폰 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3813435A1 (de) * 1988-04-21 1989-11-02 Siemens Ag Bauelement in chip-bauweise zum befestigen auf einer schaltplatte, mit einem elektrischen oder elektronischen funktionskoerper
JPH0272654A (ja) * 1988-09-07 1990-03-12 Fujitsu Ltd Icパッケージ及びその接続構造
JPH04131723A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体圧力センサ
DE4136355A1 (de) * 1991-11-05 1993-05-06 Smt & Hybrid Gmbh, O-8010 Dresden, De Verfahren und anordnung zur dreidimensionalen montage von elektronischen bauteilen und sensoren
EP0557917A1 (de) * 1992-02-27 1993-09-01 VDO Adolf Schindling AG Beschleunigungsgeber
US5253526A (en) * 1990-05-30 1993-10-19 Copal Company Limited Capacitive acceleration sensor with free diaphragm
EP0660119A1 (de) * 1993-12-27 1995-06-28 Hitachi, Ltd. Beschleunigungsmessaufnehmer

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5828754B2 (ja) * 1977-05-19 1983-06-17 株式会社デンソー 圧力−電気変換装置
JPS594868B2 (ja) * 1977-07-01 1984-02-01 株式会社デンソー 半導体装置
JPH0821722B2 (ja) * 1985-10-08 1996-03-04 日本電装株式会社 半導体振動・加速度検出装置
JPH0536992A (ja) * 1991-07-31 1993-02-12 Nippondenso Co Ltd 半導体圧力検出装置
US5233871A (en) * 1991-11-01 1993-08-10 Delco Electronics Corporation Hybrid accelerometer assembly
JPH05231975A (ja) * 1992-02-21 1993-09-07 Yamatake Honeywell Co Ltd 静電容量式圧力センサ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3813435A1 (de) * 1988-04-21 1989-11-02 Siemens Ag Bauelement in chip-bauweise zum befestigen auf einer schaltplatte, mit einem elektrischen oder elektronischen funktionskoerper
JPH0272654A (ja) * 1988-09-07 1990-03-12 Fujitsu Ltd Icパッケージ及びその接続構造
US5253526A (en) * 1990-05-30 1993-10-19 Copal Company Limited Capacitive acceleration sensor with free diaphragm
JPH04131723A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体圧力センサ
DE4136355A1 (de) * 1991-11-05 1993-05-06 Smt & Hybrid Gmbh, O-8010 Dresden, De Verfahren und anordnung zur dreidimensionalen montage von elektronischen bauteilen und sensoren
EP0557917A1 (de) * 1992-02-27 1993-09-01 VDO Adolf Schindling AG Beschleunigungsgeber
EP0660119A1 (de) * 1993-12-27 1995-06-28 Hitachi, Ltd. Beschleunigungsmessaufnehmer

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 02072654 A (Abstract) *
JP 02072654 A (Abstract) JP 04131723 A (Abstract)
JP 04131723 A (Abstract) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE19521712A1 (de) 1995-12-21
US5554806A (en) 1996-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19521712B4 (de) Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe
DE69938582T2 (de) Halbleiterbauelement, seine herstellung, leiterplatte und elektronischer apparat
DE60026331T2 (de) Leiterplatte, halbleiter und herstellung, test und gehäusung desselben und systemplatte und elektronikgerät
DE19541334C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Leiterplatten sowie Leiterplattenanordnung
EP1136936A1 (de) Gehäuse für biometrische Sensorchips
EP0189492B1 (de) Messwandlereinsatz, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung für einen Aufnehmer zur Messung mechanischer Grössen
DE102010062149A1 (de) MEMS-Mikrophonhäusung und MEMS-Mikrophonmodul
EP0351581A1 (de) Hochintegrierte Schaltung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102006031047A1 (de) Halbleitersensor und Herstellungsverfahren dafür
DE112013001580T5 (de) Faltbares Substrat
DE69723801T2 (de) Herstellungsverfahren einer Kontaktgitter-Halbleiterpackung
DE19733891A1 (de) Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4133598C2 (de) Anordnung mit einem auf einem Substrat oberflächenmontierten Chip mit einer integrierten Schaltung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19539178B4 (de) Halbleiterbeschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112006001844B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente und Elektronikkomponente
DE19706983B4 (de) Oberflächenanbringungseinheit und Wandleranordnungen unter Verwendung der Oberflächenanbringungseinheit
EP0712005A2 (de) Piezoelektrischer Beschleunigsaufnehmer
EP0152557A1 (de) Halbleiterbauelement mit höckerartigen, metallischen Anschlusskontakten und Mehrlagenverdrahtung
DE4341662C2 (de) Beschleunigungssensor
DE19755399A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abstützen eines Sensors in einem Fahrzeug
DE10359217A1 (de) Elektrische Durchkontaktierung von HL-Chips
EP1692476B1 (de) Bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102009060217B3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Infrarotlichtdetektors
WO2010046241A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung sowie verfahren zum herstellen einer elektrischen schaltungsanordnung
EP1238444A1 (de) Unlösbare elektrische und mechanische verbindung, kontaktteil für eine unlösbare elektrische und mechanische verbindung und verfahren zur herstellung einer unlösbaren elektrischen und mechanischen verbindung

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: DENSO CORP., KARIYA, AICHI, JP

8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 23/04

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20150101