DE19613620C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von SubstratenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren
und eine Vorrichtung zum Trocknen von Substraten.
Aus EP 0 385 536 A1 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung
zum Trocknen von Substraten nach einer Behandlung in ei
ner Flüssigkeit bekannt. Bei dem aus dieser Druckschrift
bekannten Verfahren werden Substrate für einige Zeit in
einem Bad, das eine Flüssigkeit enthält, behandelt, und
dann daraus entnommen, und zwar so langsam, daß praktisch
die gesamte Flüssigkeit in dem Bad verbleibt. Dabei wer
den die Substrate von der Flüssigkeit direkt in Kontakt
mit einem Dampf gebracht. Der Dampf kondensiert nicht auf
den Substraten und mischt sich mit der Flüssigkeit, wobei
die Mischung eine geringere Oberflächenspannung als die
Flüssigkeit besitzt. Dieses Verfahren ist jedoch in der
Praxis sehr aufwendig, da Dampf erforderlich ist, dieser
entsorgt werden muß und insbesondere Zuführleitungen und
Auslaßdüsen für den Dampf bereitgestellt werden müssen.
Aus der US 4 722 752 ist eine Vorrichtung und ein Ver
fahren zum Reinigen und Trocknen von scheibenförmigen
Substraten, beispielsweise von Halbleiter-Wafern bekannt,
bei der bzw. bei dem die im Substrat gespeicherte Rest
wärme zur Einstellung eines Oberflächenspannungsgradien
ten ausgenutzt wird. Eine Zufuhr von Wärme von außen zur
Verbesserung oder Beschleunigung des Trocknungsvorgangs
ist nicht vorgesehen.
Die US 4 902 350 zeigt und beschreibt eine Vorrichtung
und ein Verfahren zum Reinigen und Trocknen von Substra
ten, wobei an der Oberfläche der Flüssigkeit dem-Substrat
beim Ausbringen Energie in Form von Ultraschall zugeführt
wird. Die zugeführte Energie dient jedoch nicht der
Trocknung sondern der Reinigung.
Das aus der US 5 368 649 bekannte Wasch- und
Trocknungsverfahren für mechanische oder elektronische
Bauteile sowie Linsen verwendet zur Verbesserung des
Trocknungsverfahrens eine Flüssigkeit, die unter einem
über dem Atmosphärendruck liegenden Druck gehalten wird.
Die Waschflüssigkeit wird über den bei Atmosphärendruck
bestehenden Siedepunkt erhitzt. Für den Trockenvorgang
wird das Werkstück in eine Trocknungskammer gebracht, in
der eine plötzliche Dekompression stattfindet, so daß die
Waschflüssigkeit auf dem Werkstück schnell verdampft.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
anzugeben, bei dem die Substrate während des Herausfah
rens aus dem Fluidbad schnell, mit geringem Aufwand, ohne
Umweltbelastung und ohne Rückstände auf den Substraßen
getrocknet werden können.
Die erfindungsgemäße Aufgabe wird bei einem Verfahren der
eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß beim Ausbrin
gen des Substrate aus einer Flüssigkeit ein sich am Über
gang zwischen der Substratoberfläche und der Flüssig
keitsoberfläche ausbildender Meniskus der Flüssigkeit er
hitzt wird.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Substrate ohne
großen technischen Aufwand, sehr schnell, sehr gründlich
und ohne mechanische Beanspruchung während des Heraus
bringens aus dem Flüssigkeitsbad getrocknet werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
wird zur Erhitzung des Meniskus der Flüssigkeit elektro
magnetische Strahlung verwendet. Diese besitzt den Vor
teil, daß sie sehr leicht erzeugt werden kann, bestimmte Mate
rialien, wie z. B. eine Haube über dem Flüssigkeitsbad,
durchdringt, und sehr leicht auf den Meniskus der Flüs
sigkeit gebündelt werden kann.
Vorzugsweise weist die elektromagnetische Strahlung Mi
krowellen, Infrarotstrahlung und/oder sichtbare Strahlung
auf.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Er
findung werden beim Herausbringen der Substrate aus dem
Flüssigkeitsbad die Substrate direkt mit einem Dampf in
Kontakt gebracht, der nicht auf dem Substrat kondensiert
und der eine Substanz aufweist, die mit der Flüssigkeit
mischbar ist, und, wenn sie mit der Flüssigkeit gemischt
wird, eine Mischung ergibt, die eine geringere Oberflä
chenspannung als die Flüssigkeit besitzt. Durch die Kom
bination des erfindungsgemäßen Verfahrens mit dem aus der
eingangs genannten EP 0 385 536 A1 bekannten Verfahren er
gibt sich für besondere Anwendungsfälle eine zusätzliche
Verbesserung und Beschleunigung der Trocknung der Sub
strate.
Vorteilhafterweise werden die Substrate durch eine mes
serartige Aushubvorrichtung ausgehoben. Die messerartige
Aushubvorrichtung trägt die Substrate, wenn sie aus der
Flüssigkeit herausgehoben werden, und zwar an denjenigen
Stellen der Substrate, die als letztes die Flüssigkeit
verlassen. Tropfen der Flüssigkeit strömen dann über die
messerartige Kante der messerartigen Aushubvorrichtung
von dem Substrat ab, so daß auch beim Austritt des Sub
strats aus dem Flüssigkeitsbad, wenn ein Meniskus nicht
mehr definiert ist, das Trocknungsverfahren mit gleicher
Effizienz fortgesetzt werden kann.
Die Erfindung sowie weitere Vorteile und Ausgestaltungen
derselben wird bzw. werden nachfolgend unter Bezugnahme
auf eine schematische Darstellung des erfindungsgemäßen
Verfahrens erläutert.
Die Figur zeigt eine schematische Schnittdarstellung des
erfindungsgemäßen Trocknungsverfahrens.
Ein Substrat 1, das vorzugsweise ein Halbleiter-Wafer
ist, wird aus dem Flüssigkeitsbad 2 in Richtung des Pfei
les A herausgehoben. Dazu kann beispielsweise eine (nicht
dargestellte) messerartige Aushubvorrichtung vorgesehen
sein. Eine Flüssigkeitsoberfläche 3 des Flüssigkeitsbads
2 weist einen Bereich 4 auf, in dem die Flüssigkeitsober
fläche 3 eben ist. In einem Bereich 5 ist die Flüssig
keitsoberfläche 3 gekrümmt, d. h. es entsteht ein Menis
kus der Flüssigkeitsoberfläche 3, weil die Flüssigkeit am
Halbleiter-Wafer 1 aufgrund von Adhäsionskräfte anhaftet.
Denn die Flüssigkeit benetzt die Oberfläche des Substrats
1, da die von der Substratoberfläche auf die Flüssig
keitsmoleküle wirkenden Anziehungskräfte größer sind als
die der Flüssigkeitsmoleküle untereinander.
Eine schematisch dargestellte Energiequelle 6, die vor
zugsweise ein Laser oder eine Vorrichtung zum Erzeugen
von Mikrowellen, z. B. ein Klystron, ist, ist vorgesehen,
um den Meniskus-Abschnitt 5 der Flüssigkeitsoberfläche 3
lokal mittels einer Fokussiereinrichtung 7, die z. B. eine
Sammellinse ist, zu erhitzen. Durch eine örtliche Erhit
zung im Bereich des Meniskus wird die Oberflächenspannung
im an den Wafer 1 angrenzenden, gekrümmten Meniskusbe
reich 5 gegenüber dem vom Substrat 1 entfernteren ebenen
Bereich 4 der Flüssigkeitsoberfläche 3 verringert. Durch
die unterschiedlichen Oberflächenspannungen entsteht ein
Fluß bzw. eine Strömung von Flüssigkeit von dem Meniskus
5, zum Abschnitt 4 der Flüssigkeitsoberfläche 3 hin, d. h.
von dem Substrat 1 weg. Die Flüssigkeit wird dadurch
vollständig und schnell vom Substrat 1 abgezogen, wodurch
das Substrat 1 ohne weitere Maßnahmen schnell und rück
standsfrei getrocknet wird.
Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Aus
führungsbeispiels beschrieben. Dem Fachmann sind jedoch
zahlreiche Abwandlungen und Ausgestaltungen möglich, ohne
daß dadurch der der Erfindung zugrundeliegende Gedanke
verlassen wird. Beispielsweise könnte anstelle der oben
beschriebenen einseitig angeordneten Energiequelle 6 ent
sprechende Energiequellen auf allen (vier) Seiten des
Substrats 1 angeordnet sein, um die jeweiligen Menisken
lokal zu erhitzen. Die in der Figur schematisch darge
stellte Linse 7 stellt lediglich ein einfaches Symbol für
eine Fokussiereinrichtung dar, und ist insbesondere ein
flächig fokussierendes Element, wie z. B. eine Zylinder
linse, um den gesamten Miniskusbereich zu erhitzen.
Claims (15)
1. Verfahren zum Trocknen von Substraten (1), insbeson
dere von Halbleiter-Wafern, dadurch gekennzeichnet,
daß beim Ausbringen der Substrate (1) aus einer
Flüssigkeit (2) ein sich am Übergang zwischen der
Substratoberfläche und der Flüssigkeitsoberfläche
(4) ausbildender Meniskus (5) der Flüssigkeit (2)
erhitzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Meniskus (5) bestrahlt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Strahlung auf den Meniskus (5) fo
kussiert wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit
elektromagnetischer Strahlung erfolgt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit Mi
krowellen erfolgt.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit In
frarotstrahlung erfolgt.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit
Licht, insbesondere im sichtbaren Wellenlängenbe
reich, erfolgt.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit La
serlicht erfolgt.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß vor und/oder gleichzei
tig mit dem Erhitzen des Meniskus (5) ein sich mit
der Flüssigkeit (2) des Meniskus (5) mischender
Dampf in Kontakt mit dem Meniskus (5) gebracht wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zum Ausbringen der
Substrate (1) eine messerartige Aushubvorrichtung
verwendet wird.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit (2) ein
Spülfluid, insbesondere Wasser, ist.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) ein
Halbleiter-Wafer ist.
13. Vorrichtung zum Trocknen von Substraten (1), insbe
sondere von Halbleiter-Wafern, gekennzeichnet durch
eine Energiequelle (6) zum Erhitzen eines Meniskus
(5), der sich beim Ausbringen der Substrate (1) aus
einer Flüssigkeit (2) am Übergang zwischen der
Substratoberfläche und der Flüssigkeitsoberfläche
(4) ausbildet.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich
net, daß die Energiequelle (6) eine elektromagneti
sche Strahlenquelle, eine Mikrowellenquelle, eine
Lichtquelle und/oder ein Laser ist.
15. Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, gekennzeichnet
durch eine eine Strahlung auf den Meniskus (5) bün
delnde Fokussierungseinrichtung (7).
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19613620A DE19613620C2 (de) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
KR1019980706945A KR100281027B1 (ko) | 1996-04-04 | 1997-03-26 | 기판 건조 방법 및 장치 |
JP9535792A JP3001986B2 (ja) | 1996-04-04 | 1997-03-26 | 基板を乾燥する方法及び装置 |
PCT/EP1997/001537 WO1997038438A1 (de) | 1996-04-04 | 1997-03-26 | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von substraten |
DE59707533T DE59707533D1 (de) | 1996-04-04 | 1997-03-26 | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von substraten |
AT97916392T ATE219291T1 (de) | 1996-04-04 | 1997-03-26 | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von substraten |
EP97916392A EP0956584B1 (de) | 1996-04-04 | 1997-03-26 | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von substraten |
IDP971100A ID17230A (id) | 1996-04-04 | 1997-04-01 | Metode memproses lapisan bawah |
TW086104251A TW389932B (en) | 1996-04-04 | 1997-04-02 | Method of substrate treatment |
US09/114,420 US6539956B1 (en) | 1996-04-04 | 1998-07-10 | Method and device for drying substrates |
US09/267,125 US6128829A (en) | 1996-04-04 | 1999-03-10 | Method for drying substrates |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5772784A (en) * | 1994-11-14 | 1998-06-30 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
DE19613620C2 (de) | 1996-04-04 | 1998-04-16 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
DE19800584C2 (de) * | 1998-01-09 | 2002-06-20 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
US6039059A (en) * | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
US6598314B1 (en) | 2002-01-04 | 2003-07-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of drying wafers |
US7156927B2 (en) * | 2002-04-03 | 2007-01-02 | Fsi International, Inc. | Transition flow treatment process and apparatus |
US20040031167A1 (en) | 2002-06-13 | 2004-02-19 | Stein Nathan D. | Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife |
DE10361075A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-28 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten |
US7582858B2 (en) * | 2004-01-23 | 2009-09-01 | Sri International | Apparatus and method of moving micro-droplets using laser-induced thermal gradients |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
KR100689680B1 (ko) * | 2005-06-16 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 구조물의 처리 방법 및 이를 이용한 반도체커패시터의 제조 방법 |
TWI352628B (en) * | 2006-07-21 | 2011-11-21 | Akrion Technologies Inc | Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr |
US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
US7950407B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
US20110139183A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Katrina Mikhaylichenko | System and method of preventing pattern collapse using low surface tension fluid |
US9522844B2 (en) * | 2014-09-03 | 2016-12-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Low temperature poly-silicon thin film preparation apparatus and method for preparing the same |
CN108831849A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-16 | 清华大学 | 基于热马兰哥尼效应的晶圆干燥装置和干燥方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4722752A (en) * | 1986-06-16 | 1988-02-02 | Robert F. Orr | Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers |
US4902350A (en) * | 1987-09-09 | 1990-02-20 | Robert F. Orr | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
EP0385536A1 (de) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten nach Behandlung in einer Flüssigkeit |
US5368649A (en) * | 1992-06-19 | 1994-11-29 | T.H.I. System Corporation | Washing and drying method |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3733670C1 (de) * | 1987-10-05 | 1988-12-15 | Nukem Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen insbesondere von scheibenfoermigen oxidischen Substraten |
JPH01210092A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sonitsuku Fueroo Kk | 精密洗浄の乾燥方法 |
US4875968A (en) * | 1989-02-02 | 1989-10-24 | Xerox Corporation | Method of fabricating ink jet printheads |
US5357991A (en) * | 1989-03-27 | 1994-10-25 | Semitool, Inc. | Gas phase semiconductor processor with liquid phase mixing |
DE9004934U1 (de) * | 1990-04-30 | 1991-08-29 | Rofin-Sinar Laser Gmbh, 2000 Hamburg, De | |
US5563045A (en) * | 1992-11-13 | 1996-10-08 | Genetics Institute, Inc. | Chimeric procoagulant proteins |
KR950010270B1 (ko) * | 1993-02-03 | 1995-09-12 | 주식회사Lg전자 | 광디스크 픽업장치 |
DE69407809D1 (de) * | 1993-10-08 | 1998-02-12 | Du Pont | Akustische frequenzmischvorrichtungen, die kaliumtitanylphosphat und seine äquivalente verwenden |
US5556479A (en) * | 1994-07-15 | 1996-09-17 | Verteq, Inc. | Method and apparatus for drying semiconductor wafers |
US5505785A (en) * | 1994-07-18 | 1996-04-09 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for cleaning integrated circuit wafers |
US5571337A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
US5772784A (en) * | 1994-11-14 | 1998-06-30 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
US5685086A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-11 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for drying objects using aerosols |
DE19523658A1 (de) * | 1995-06-29 | 1997-01-02 | Bayer Ag | Substituierte N-Methylenthioharnstoffe |
DE19531031C2 (de) | 1995-08-23 | 1997-08-21 | Ictop Entwicklungsgesellschaft | Verfahren zum Trocknen von Silizium |
DE19613620C2 (de) * | 1996-04-04 | 1998-04-16 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
US5909741A (en) * | 1997-06-20 | 1999-06-08 | Ferrell; Gary W. | Chemical bath apparatus |
-
1996
- 1996-04-04 DE DE19613620A patent/DE19613620C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-26 AT AT97916392T patent/ATE219291T1/de active
- 1997-03-26 JP JP9535792A patent/JP3001986B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1997-03-26 DE DE59707533T patent/DE59707533D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-26 WO PCT/EP1997/001537 patent/WO1997038438A1/de active IP Right Grant
- 1997-04-01 ID IDP971100A patent/ID17230A/id unknown
- 1997-04-02 TW TW086104251A patent/TW389932B/zh not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-07-10 US US09/114,420 patent/US6539956B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-10 US US09/267,125 patent/US6128829A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4722752A (en) * | 1986-06-16 | 1988-02-02 | Robert F. Orr | Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers |
US4902350A (en) * | 1987-09-09 | 1990-02-20 | Robert F. Orr | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
EP0385536A1 (de) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten nach Behandlung in einer Flüssigkeit |
US5368649A (en) * | 1992-06-19 | 1994-11-29 | T.H.I. System Corporation | Washing and drying method |
Also Published As
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