DE19616212A1 - Prüfsondenstation mit zusätzlich zum thermischen Aufspannisolator aufgebrachter Leiterschicht - Google Patents
Prüfsondenstation mit zusätzlich zum thermischen Aufspannisolator aufgebrachter LeiterschichtInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Prüfsondenstationen, die
insbesondere geeignet sind zur Durchführung von hochgenauen
Niederstrom- und Niederspannungsmessungen elektronischer Vor
richtungen, und insbesondere elektronischer Vorrichtungen,
die auf einem Wafer ausgebildet sind. In näheren Einzelheiten
betrifft die vorliegende Erfindung zusätzliche Schichten, die
zusammen mit einem temperaturgesteuerten Spannfutter inner
halb einer solchen Prüfsondenstation benutzt werden.
Integrierte Schaltungsvorrichtungen werden in der Regel nach
bekannten Techniken in und auf einem einzigen Wafer aus Halb
leitermaterial gefertigt. Vor dem Abschneiden der einzelnen
integrierten Schaltungsvorrichtungen vom einzelnen Wafer zum
Einkapseln werden in der Regel vorgegebene Prüffolgen auf den
einzelnen Schaltkreisen auf dem Wafer durchgeführt um fest zu
stellen, ob jede einzelne Vorrichtung ordnungsgemäß funktio
niert. Eine Sondenkarte, die eine Vielzahl Elektroden auf
weist, die so konfiguriert sind, daß sie mit der betreffenden
Geometrie der integrierten Schaltungsvorrichtung, die auf dem
Wafer hergestellt wurde, übereinstimmt, kann zusammen mit
einer Prüfsondenstation zur Überprüfung der Schaltung benutzt
werden. Der Wafer und die Sondenkarte bewegen sich relativ
zueinander, bis alle integrierten Schaltungsvorrichtungen auf
dem Wafer durchgetestet sind.
Schwindt et al., US-Patent Nr.
5,345,170, Harwood et al., US-Patent Nr. 5,266,889, und
Schwindt et al., US-Patentanmeldung Nr. 08/100,494, einge
reicht am 12. August 1993, offenbaren Beispiele für Prüf
sondenstationen, mit denen die vorliegende Erfindung ein
gesetzt werden kann, und sind hier durch Querverweis mit
eingeschlossen. Alternativ können auch einzeln positionier
bare Sonden benutzt werden, um Wafer und sonstige Typen zu
prüfender Vorrichtungen mit Hilfe einer Prüfsondenstation zu
testen.
Viele integrierte Schaltungsvorrichtungen sind so konstru
iert, daß sie nicht bei Zimmertemperatur arbeiten. Um eine
Vorrichtungsprüfung auf Nichtzimmertemperaturen einzustellen,
müssen temperaturgesteuerte Spannvorrichtungen, im allge
meinen als thermische Spannvorrichtungen bezeichnet, ein
gesetzt werden. Eine Konstruktion einer thermischen Spann
vorrichtung beinhaltet eine Basis mit inneren Hohlräumen, um
darin kalte Flüssigkeiten zirkulieren zu lassen, damit die
Temperatur der thermischen Spannvorrichtung unter die Um
gebungstemperatur abgesenkt wird. Auf der Oberfläche der
Basis sind mehrfache Heiz-Kühlelemente und eine leitenden
obere Fläche angeordnet. Die Heiz-Kühlelemente, in der Regel
Peltier-Vorrichtungen, regeln die Temperatur der oberen
Fläche durch Verändern der Stromstärke und -polarität. Wenn
die gewünschte Temperatur über einem vorgegebenen Wert, z. B.
über der Umgebungstemperatur, liegt, dann regeln die Heiz-
Kühlelemente die Temperatur. Wenn die gewünschte Temperatur
unter der vorgegebenen Temperatur, z. B. der Umgebungstempe
ratur, liegt, dann regeln die Heiz-Kühlelemente zusammen mit
dem Flüssigkeitsfluß in der Basis die Temperatur, wenn eine
signifikante Kühlung gewünscht wird. Die thermische Spann
vorrichtung kann einen Temperaturfühler beinhalten, der an
oder in der Nähe der thermischen Spannvorrichtung angeordnet
ist, um die Temperatur zu erfassen. Als Reaktion auf das
Erfassen der Temperatur wird die Stärke und die Polarität des
Stroms, der an die Heiz-Kühlelemente gelegt wird, automatisch
verändert, um eine in etwa konstante Temperatur beizubehal
ten. Wenn z. B. die Temperatur des thermischen Spannfutters zu
tief ist, wird die an die Heiz-Kühlelemente gelegte Strom
stärke erhöht, um die Temperatur zu steigern. Wenn im Gegen
satz dazu die Temperatur der thermischen Spannvorrichtung zu
hoch ist, wird die an die Heiz-Kühlelementen gelegte Strom
stärke gesenkt und die Polarität umgekehrt, um die Temperatur
zu senken.
Der Wafer mit seinen integrierten Schaltungsvorrichtungen
wird oben auf die thermische Spannvorrichtung aufgebracht, um
Tests der Schaltungsvorrichtungen bei unterschiedlichen Tem
peraturen durchzuführen. Bei Niederspannungs- und Nieder
strommessungen wird jedoch ein starkes, unzulässig hohes
Rauschen beobachtet, wenn die thermische Spannvorrichtung
eingesetzt wird. Das Temperatursteuersystem bringt inhärent
die Stärke des an die Heiz-Kühlelemente gelegten Stroms zum
Schwanken, um die gewünschte Temperatur konstant zu halten.
Die Fluktuationen der Stromstärke und -polarität, die an die
Heiz-Kühlelemente gelegt wird, und die in der Regel klein
sind und von Natur aus sehr schnell wechseln, erzeugen
Schwankungen der elektromagnetischen Felder, die von den
Heiz-Kühlelementen und der ihnen zugeordneten elektrischen
Verdrahtung erzeugt werden. Die herkömmliche Ansicht ist, daß
die wechselnden elektromagnetischen Felder, die durch die
Stromschwankungen in den Heiz-Kühlelementen und ihrer zuge
ordneten Verdrahtung erzeugt werden, irgendwie elektro
magnetisch mit der Oberfläche gekoppelt sind, auf die der
Wafer gelegt wird. Diese Schlußfolgerung wird weiter gestützt
durch das Rauschen, das bei den Messungen beobachtet wird,
und das anscheinend die gleichen relativen Größenordnungen
und Zeit folgen aufweist, wie die Schwankungen der Stromstärke
des an die Heiz-Kühlelemente gelegten Stroms. Dementsprechend
ist die herkömmliche Ansicht, daß die wechselnden elektro
magnetischen Felder die primäre Quelle des Rauschens sind,
das zwischen dem Wafer und der thermischen Spannvorrichtung
bei den Messungen zu beobachten ist. Es ist nun höchst er
wünscht, das Rauschen zu minimieren um genauere Messungen
durchführen zu können.
Ein Weg, das von den elektromagnetischen Feldern erzeugte
Rauschen zu reduzieren, war das Abschirmen des Wafers gegen
die elektromagnetischen Felder durch zusätzlich auf die
leitende Oberfläche der thermischen Spannvorrichtung auf
gebrachte Schichten. Diese zusätzlichen Schichten beinhal
teten eine Stapelstruktur von drei Schichten, einschließlich
eines Paars Isolierschichten, die jeweils auf den zwei Seiten
einer dazwischengelegten Kupferschicht aufgebracht wurden.
Eine leitende, tragende Schicht zum Tragen der geprüften Vor
richtung wird oben auf die genannten drei Schichten aufge
bracht. Alle vier Schichten sind mit Teflonschrauben an der
thermischen Spannvorrichtung befestigt, haften jedoch nicht
aneinander. Die Kupferschicht ist an den Schutzleiter eines
Triaxialkabels angeschlossen, die thermische Spannvorrichtung
ist an die Abschirmung gelegt, und die Trageschicht wird an
den mittleren Leiter angeschlossen. Die zusätzlichen Schich
ten und insbesondere die geerdete thermische Spannvorrichtung
bewirken eine Abschirmung der Testvorrichtung gegen die
elektromagnetischen Felder. Eine Reduktion des Rauschens
wurde beobachtet; jedoch bleiben noch immer signifikante
Rauschhöhen bestehen.
Eine andere Konstruktion beim Versuch einer verbesserten Ab
schirmung der Testvorrichtung war der Ersatz der Dreischicht-
Stapelstruktur durch eine Kupferfolienschicht, die in Poly
amid gekapselt war. Die Folie wird an den Schutzleiter ange
schlossen und die Trageschicht wird an den mittleren Leiter
angeschlossen. Eine weitere Verringerung der Rauschhöhe im
Vergleich zu der obigen Struktur wurde beobachtet, jedoch
bleiben noch immer beträchtliche Rauschhöhen bestehen.
Noch eine weitere Konstruktion beinhaltete den Ersatz der
drei Stapelschichten durch eine Keramikschicht. Die thermi
sche Spannvorrichtung wird an den Schutzleiter angeschlossen
und die Trageschicht wird an den mittleren Leiter ange
schlossen. Das Fehlen einer dazwischengelegten Leiterschicht
scheint jedoch die Abschirmwirkung gegen die elektromagneti
schen Felder zu schwächen und führt zu starkem Rauschen.
Noch eine andere, alternative Konstruktion beinhaltete den
Ersatz der drei Stapelschichten durch eine Kupferfolien
schicht, die zwischen eine Isolierschicht und eine keramische
Schicht gelegt wurde. Die drei Stapelschichten haften nicht
aneinander. Die Folie wird an den Schutzleiter angeschlossen,
die thermische Spannvorrichtung wird an die Abschirmung an
geschlossen, und die Trageschicht wird an den mittleren
Leiter angeschlossen. Bei den Tests schien diese Konstruktion
eine Verbesserung gegenüber allen obigen Konstruktionen zur
Abschirmung der Testvorrichtung gegen die elektromagnetischen
Felder zu sein. Jedoch ist das beobachtete Rauschen noch
immer unzulässig hoch für Niederstrom- und Niederspannungs
messungen.
Erwünscht ist daher eine Struktur mit zusätzlichen Schichten
zum Einsatz bei einer temperaturgesteuerten Spannvorrichtung,
um das bei Niederstrom- und Niederspannungsmessungen beobach
tete Rauschen signifikant zu reduzieren.
Die vorliegende Erfindung überwindet die obigen Nachteile des
Standes der Technik durch Vorsehen einer Prüfsondenstation,
die für Messungen bei niedrigem Rauschpegel geeignet ist und
die eine Spannvorrichtung zum Halten einer zu prüfenden Vor
richtung und eine Auflagefläche für die zu prüfende Vorrich
tung beinhaltet. Die Prüfsondenstation hat Mittel zum Steuern
der Temperatur in der Nähe der zu prüfenden Vorrichtung durch
Erfassen der Temperatur und, als Reaktion auf dieses Er
fassen, alternatives Erhöhen oder Senken der Temperatur.
Wenigstens zwei Schichten, einschließlich einer ersten elek
trisch leitenden Schicht, die an einer Isolierschicht haftet,
wird zwischen der tragenden Fläche und der Spannvorrichtung
angeordnet. Die elektrische Leiterschicht ist elektrisch
entweder an die Spannvorrichtung oder an die tragende Fläche
angeschlossen.
Im Gegensatz zur herkömmlichen Ansicht, nämlich daß die von
den Heiz-Kühlelementen und der zugehörigen elektrischen Ver
drahtung erzeugten elektromagnetischen Felder die Ursache der
gemessenen Rauschhöhen sind, haben die Erfinder entdeckt, daß
eine Hauptursache für das Rauschen eine viel subtilere Ur
sache hat, nämlich die Wärmedehnung und Kontraktion zwischen
aneinanderliegenden leitenden und isolierenden Schichten, die
zu Reibungen zwischen den aneinanderliegenden Schichten
führen. Diese Reibung bewirkt den Aufbau von Ladungen, die
als reibungselektrische Ströme bekannt sind und die von den
Erfindern als eine signifikante Ursache für das Rauschen bei
Niederspannungs- und Niederstrommessungen unter kontrollier
ten Temperaturbedingungen auftritt. Durch Haften der elek
trisch leitenden Schichten an der Isolierschicht und elek
trische Verbindung der Leiterschicht entweder mit der Spann
vorrichtung oder mit der tragenden Fläche führt die Aus
dehnung und Kontraktion der Spannvorrichtung oder der
tragenden Fläche nicht zu reibungselektrischen Strömen
zwischen der Isolierschicht und der leitenden Fläche.
In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung bilden die wenigstens zwei Schichten eine Sandwich
struktur von mindestens drei Schichten, einschließlich einer
ersten elektrisch leitenden Schicht, die auf einer Seite
einer Isolierschicht haftet, und eine zweite elektrisch
leitende Schicht, die auf der anderen Seite der Isolier
schicht haftet. Die dreilagige Sandwichschicht wird zwischen
der tragenden Fläche und der Spannvorrichtung angeordnet.
Vorzugsweise sind die erste und die zweite Leiterschicht
elektrisch mit der Spannvorrichtung bzw. mit der tragenden
Fläche verbunden. Dementsprechend wird die Ausdehnung und die
Kontraktion entweder der Spannvorrichtung oder der tragenden
Fläche auf beiden Seiten der Isolierschicht keine reibungs
elektrischen Ströme erzeugen.
Die vorstehenden, und noch weitere Aufgaben, Merkmale und
Vorteile der Erfindung werden leichter verständlich durch
Überlegung der nachstehenden in Einzelheiten gehenden Be
schreibung der Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnungen.
Die einzige Figur ist eine teilweise schematische Schnitt
ansicht einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung, die zusätzliche Schichten zum Einsatz mit einer
Prüfsondenstation zeigt, die eine temperaturgesteuerte Spann
vorrichtung beinhaltet.
Im direkten Gegensatz zur herkömmlichen Auffassung, daß das
gesamte durch eine temperaturgesteuerte Spannvorrichtung ver
ursachte Rauschen ein Ergebnis der Veränderungen der elektro
magnetischen Felder von den Heiz-Kühlelementen und der zu
gehörigen elektrischen Verdrahtung ist, die ihrerseits ein
Ergebnis der Stromstärkenschwankungen in der Rückkopplungs
schleife der Heiz-Kühlelemente ist, haben die Erfinder
herausgefunden, daß eine bloße Abschirmung das Rauschen bei
Niederspannungs- und Niederstrommessungen nicht hinreichend
reduziert. Die Erfinder haben gefunden, daß das Rauschen
nicht nur ein Ergebnis der offensichtlichen Magnetfeld
schwankungen aus den Heiz-Kühlelementen und der zugeordneten
elektrischen Verdrahtung ist, sondern auch das Ergebnis einer
viel subtileren Wirkung, nämlich der Wärmeeigenschaften der
temperaturgesteuerten Spannvorrichtung und der zusätzlich
aufgelegten Schichten ist. Dementsprechend wird der Versuch,
die Wirksamkeit der von den zusätzlichen Schichten bewirkten
Abschirmung zu verfeinern das Rauschen keineswegs signifikant
weiter reduzieren und ist ein fehlgeleitetes Bemühen. Die
thermischen Eigenschaften des Leitermaterials, wie z. B. der
leitenden Spannfläche, erweitern und reduzieren sich ent
sprechend, wenn die Temperatur der Spannvorrichtung erhöht
und vermindert wird. Die Erhöhung und Verminderung der Tempe
ratur der Spannvorrichtung ergibt sich aus dem Bestreben der
Heiz-Kühlelemente, die Temperatur konstant zu halten.
Es wird angenommen, daß die Ausdehnung und Kontraktion sowohl
in der horizontalen Ebene der Spannvorrichtungsfläche statt
findet, wodurch sich die Oberfläche vergrößert bzw. ver
kleinert, als auch in der vertikalen Achse der Spannvorrich
tung, wodurch sich die Dicke der Spannvorrichtung vergrößert
bzw. verkleinert. Ferner sind die Heiz-Kühlelemente diskrete
Elemente und dementsprechend nicht gleichmäßig innerhalb der
thermischen Spannvorrichtung verteilt. Die ungleiche Ver
teilung der Heiz-Kühlelemente führt zu einer Wärmedehnung und
-kontraktion der Spannfläche und der Dicke in ungleichmäßiger
Form und hat somit ein Verdrehen und Wölben der Spannvorrich
tung zur Folge. Dieses Verdrehen und Wölben bewirkt eine ver
änderliche Kapazität zwischen der thermischen Spannvorrich
tung und der zu prüfenden Vorrichtung. Das kollektive Ergeb
nis der thermischen Wirkungen ist zunächst, daß Ausdehnen und
Kontraktion der Spannvorrichtung zu einer relativen Bewegung
und Reibung bei zusätzlich aufgelegten Schichten führt, und
zweitens, daß das Verdrehen und Wölben bewirkt, daß die
Kapazität ungleichmäßig wird.
Reibungselektrische Ströme werden verursacht durch Ladungen,
die infolge Reibung zwischen einem Leiter und einem Isolator
entstehen. Die freien Elektronen werden vom Leiter abgerieben
und rufen ein Ladungsungleichgewicht hervor, das den Strom
fluß bewirkt. Ein typisches Beispiel dafür sind elektrische
Ströme, die dadurch erzeugt werden, daß sich Isolatoren und
Leiter in einem Koaxialkabel aneinander reiben. Ein "rausch
armes" Kabel reduziert diesen Effekt weitgehend, indem in der
Regel ein Innenisolator aus Polyethylen benutzt wird, der
unter der äußeren Abschirmung mit Graphit beschichtet ist.
Das Graphit wirkt wie ein Schmiermittel und ein leitender
äquipotentialer Zylinder zum Ausgleichen der Ladungen und
Minimierung der Ladung, die durch Reibungseffekte bei Kabel
bewegungen erzeugt werden. Reibungselektrische Ströme werden
herkömmlicherweise in Bezug auf das physikalische Biegen von
Materialien, wie z. B. Koaxialkabel, betrachtet. Die Zeit,
während der das physikalische Biegen der Koaxialkabel er
folgt, ist verhältnismäßig lang, das heißt niederfrequent.
Die Erfinder haben nun festgestellt, daß das gleiche
Phänomen, nämlich reibungselektrische Ströme, eine Haupt
ursache für das Rauschen bei den Messungen ist, wenn tempe
raturgesteuerte Spannvorrichtungen benutzt werden, als
Ergebnis temperaturbewirkter Bewegungen, die mit Hochfrequenz
ablaufen.
Bisherige Konstruktionen mit zusätzlichen Schichten auf der
Oberfläche der Spannvorrichtung haben die thermischen Effekte
und insbesondere die reibungselektrischen Ströme nicht be
rücksichtigt. Dementsprechend werden diese zusätzlichen
Schichten mit einer Schnittstelle zwischen der leitenden
Spannvorrichtungsoberfläche und einer Isolierschicht als
nächster Schicht hergestellt. Die durch die Wärmeausdehnung
und -kontraktion verursachte Reibung zwischen der leitenden
Spannvorrichtungsfläche und der Isolierschicht erzeugt
reibungselektrische Ströme. Die reibungselektrischen Ströme
sind durch jede dazwischenliegende Schicht kapazitiv mit der
tragenden Fläche gekoppelt und machen sich als Rauschen bei
den Messungen in der zur prüfenden Vorrichtung bemerkbar.
Ferner waren in einigen Konstruktionen auf dem Stand der
Technik eine Isolierschicht sandwichartig zwischen Leiter
schichten eingelegt, die nicht aneinander hafteten. Die
Temperaturveränderungen der dazwischengelegten Leiterschicht
führen zu einer Ausdehnung und Kontraktion gegenüber den
anliegenden Isolierschichten und erzeugen ebenfalls reibungs
elektrische Ströme. Zusätzlich wird eine Isolierschicht, die
sich gegenüber einer anliegenden leitenden tragenden Fläche
ausdehnt und zusammenzieht, ebenfalls reibungselektrische
Ströme generieren. Mit anderen Worten, jede Ausdehnung und
Kontraktion, z. B. Reibung an Schnittstellen zwischen Isolier
schichten und Leiterschichten erzeugt als Ergebnis dieser
zusätzlichen Schichten weitere reibungselektrische Ströme und
erhöht somit das bei den Messungen beobachtete Rauschen. Die
als Ergebnis der Reibung an der Schnittstelle zwischen
Isolierschicht und Leiterschicht auftretenden reibungselek
trischen Ströme müssen reduziert oder irgendwie ausgeschaltet
werden.
Um die bei der Verwendung einer temperaturgesteuerten Spann
vorrichtung, die in der Regel eine leitende obere Fläche
aufweist, erzeugten reibungselektrischen Ströme signifikant
zu reduzieren, wird gemäß der bevorzugten Ausführungsform,
die in der einzigen Figur dargestellt wird, ein anderer Satz
zusätzlicher Schichten benutzt.
Eine elektrisch isolierende
Schicht 10 wird auf einer Fläche 15 mit einem elektrisch
leitenden Material 20 aufgebracht. Der bevorzugte elektrische
Isolator ist ein 0,17 Zoll dickes Bornitrid, obwohl auch
andere Isolierstoffe benutzt werden können, z. B. Saphir. Das
elektrisch leitende Material, d. h. die Schicht 20, besteht
vorzugsweise aus einem 500-800 Å dicken Titan-Wolfram (10%
Titan und 90% Wolfram) mit einer weiteren Schicht aus 1000-
1500 Å dickem Gold auf dem Titan-Wolfram zwecks zusätzlicher
Haltbarkeit. Beide leitenden Materialien werden mit jedem
beliebigen geeigneten Verfahren vorzugsweise über die gesamte
Fläche 15 des Isolators 10 verteilt und haften somit auf der
Oberfläche. Alternativ dazu kann das leitende Material 20
auch eine Folie aus leitendem Material sein, die wenigstens
zu einem größeren Teil ihrer Fläche auf jede geeignete Weise
auf dem Isolator 10 haftet. Die Wirkung des Haftens des
Leitermaterials 20 auf dem Isolator 10 ist, daß jede Bewegung
zwischen dem Leitermaterial 20 und dem Isolator 10 ausge
schlossen wird, was das Entstehen reibungselektrischer
Strömen zwischen ihren Oberflächen ausschließt. Die Schnitt
stelle zwischen dem Leitermaterial 20 und der leitenden
thermischen Spannvorrichtung 50 ist leitend und leitet daher
augenblicklich jede Ladung, die sich durch die Wärmedehnung
und -bewegung der thermischen Spannvorrichtung 50 relativ zum
leitenden Material 20 aufbaut, augenblicklich ab und elimi
niert somit die Notwendigkeit einer Haftung zwischen diesen
beiden Elementen.
Alternativ kann das leitende Material 20 auch ein pulver
förmiges Leitermaterial wie z. B. Graphit sein. Beim Befesti
gen der zusätzlichen Schichten an der thermischen Spannvor
richtung 50 imprägniert der Graphit den Isolator 10 im
gewissen Maß und wird wenigstens teilweise an der Oberfläche
15 des Isolators 20 ausreichend haften, um reibungselektri
sche Ströme an dieser Schnittstelle zu reduzieren oder
auszuschließen.
Ein weiteres elektrisch leitendes Material d. h. eine Schicht
30 wird vorzugsweise auf die andere Oberfläche 25 der
Isolierschicht 10 aufgetragen. Das leitende Material 30 ist
vorzugsweise das gleiche wie das leitende Material 20. Das
elektrisch leitende Material 30 verhindert ferner den Aufbau
von Ladungen zwischen der Isolierschicht 10 und einer
leitenden tragenden Fläche 40, die eine tragende Oberfläche
45 aufweist, um eine zu prüfende Vorrichtung 60, wie z. B.
einen Wafer oder eine sonstige Vorrichtung, aufzunehmen. Die
tragende Schicht ist vorzugsweise 0,25 Zoll dicker Nickel
oder goldplattiertes Aluminium. Als Alternative kann die
tragende Oberfläche 45 auch die obere Fläche 35 des leitenden
Materials 30 sein, in welchem Fall die Schicht 40 entfällt;
oder als weitere Alternative kann die tragende Schicht 40
direkt auf der Isolierschicht 10 haftend aufgetragen werden,
in welchem Fall dann die Schicht 30 entfällt. Auch die
Schicht 20 könnte entfallen, wobei dann die Spannvorrichtung
50 direkt auf der Isolierschicht 10 haften würde.
Alle zusätzlichen Schichten 10, 20, 30 und 40 werden vorzugs
weise durch ein herkömmliches Vakuumaufdampfsystem an ihrem
Ort gesichert, alternativ können jedoch auch Schrauben oder
etwaige sonstigen Befestigungsmethoden benutzt werden. Der
Schutzleiter 70 ist mit der thermischen Spannvorrichtung 50
verbunden und der Mittelleiter 80 liegt an der tragenden
Schicht 40. Vorzugsweise weisen sowohl die Isolierschicht 10
als auch die leitenden Materialien 20 und 30 periphere Kanten
auf, die im freien Raum enden und sich gleichweit erstrecken,
und so eine zusammenhaftende Sandwichstruktur bilden, die
leicht zwischen die Elemente 40 und 50 einer vorhandenen
Spannvorrichtung eingesetzt werden kann.
Das zusammen mit den obigen Merkmalen benutzte Temperatur
steuersystem kann ein beliebiges aus einer ganzen Reihe
unterschiedlicher Typen sein. Zum Beispiel kann zur Steuerung
der Temperatur in der Umgebung der zu prüfenden Vorrichtung
60 über oder unter der Umgebungstemperatur ein elektrisches
System, wie es in der Figur dargestellt wird, diese Tempera
tur mit dem Fühler 81 erfassen und kontinuierlich ein Tempe
ratursignal an einen Komparator 82 geben, der das erfaßte
Temperatursignal mit einem Eingang von der Leitung 83 her
vergleicht, der repräsentativ für die vom Anwender gewünschte
einstellbare Temperatur ist. Der Komparator kann dann den
Strom aus einer Stromquelle 84 zu den elektrischen Heiz-
Kühlelementen 86, 87, 88 steuern, dabei den Strom verstärken,
wenn die erfaßte Temperatur unter die gewünschte, einge
stellte Temperatur absinkt, bzw. den Strom vermindern und
umpolen, wenn die erfaßte Temperatur über die gewünschte,
eingestellte Temperatur ansteigt. Ein solches elektrisches
System kann mit oder ohne ein zugeordnetes Flüssigkeitskühl
system in der Aufspannvorrichtung 50 benutzt werden, in Ab
hängigkeit von den gewünschten Temperaturhöhen. Als Alter
native kann auch ein Temperatursteuersystem ohne elektrische
Heiz-Kühlelemente eingesetzt werden durch Steuern der Tempe
ratur eines Gases oder einer Flüssigkeit, die durch die
thermische Spannvorrichtung 50 strömen, als Reaktion auf die
vom Temperaturfühler 81 erfaßte Temperatur. Eine weitere
Alternative ist das Einrichten einer Temperatursteuerung,
unabhängig von der Spannvorrichtung 50, durch Steuern der
Temperatur eines Gases, das als Reaktion auf die vom Tempera
turfühler 81 erfaßte Temperatur auf die Umgebung der zu prü
fenden Vorrichtung geblasen wird. Beispiele für diese letzte
ren Systemtypen werden gezeigt im US-Patent Nr. 4,426,619 von
Demand und US-Patent Nr. 4,734,872 von Eager et al., auf die
hier durch Querverweis Bezug genommen wird.
Den Ausdrücken und Bezeichnungen, die in der obigen Beschrei
bung verwendet werden, kommt nur ein beschreibender und
keinesfalls ein ausschließender Charakter zu und es ist
keinesfalls beabsichtigt, durch die Anwendung dieser Aus
drücke und Bezeichnungen gleichwertige Merkmale ganz oder
teilweise auszuschließen, dabei gilt, daß der Umfang der
Erfindung nur durch die nachstehenden Ansprüche definiert und
eingeschränkt wird.
Claims (18)
1. Eine Prüfsondenstation, die für rauscharme Messungen
geeignet ist, enthaltend:
- (a) eine Spannvorrichtung zum Halten einer zu prüfenden Vor richtung;
- (b) Mittel zum Steuern der Temperatur in der Nähe der zu prüfenden Vorrichtung durch Erfassen der Temperatur und, als Reaktion auf dieses Erfassen, alternativ Erhöhen oder Senken der Temperatur;
- (c) eine Auflagefläche für die zu prüfende Vorrichtung;
- (d) wenigstens zwei Schichten, einschließlich einer ersten elektrisch leitenden Schicht, die an einer Isolierschicht haftet; und
- (e) wobei die elektrisch leitende Schicht elektrisch entweder an die Spannvorrichtung oder die tragende Fläche ange schlossen ist und diese mindestens zwei Schichten zwischen der tragenden Fläche und der Spannvorrichtung angeordnet sind.
2. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 1, bei der die
tragende Fläche eine Oberfläche der elektrisch leitenden
Schicht ist.
3. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 1, bei der die
Spannvorrichtung elektrisch leitend ist.
4. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 1, bei der die
tragende Fläche elektrisch leitend ist.
5. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 1, bei der die
wenigstens zwei Schichten entsprechende einander gegenüber
liegende Bereiche aufweisen, wobei die Schichten über einen
größeren Teil dieser einander gegenüberliegenden Bereiche
aneinander haften.
6. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 1, einschließlich
einer weiteren elektrisch leitenden Schicht, die an der
Isolierschicht haftet und elektrisch mit der anderen, der
Spannvorrichtung bzw. der tragenden Fläche, verbunden ist.
7. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 1, bei der die
Isolierschicht eine periphere Kante, und die elektrisch
leitende Schicht eine periphere Kante aufweisen, wobei diese
peripheren Kanten in den freien Raum enden.
8. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 7, bei der die
peripheren Kanten im wesentlichen miteinander die gleiche
Ausdehnung aufweisen.
9. Eine Prüfsondenstation, die für rauscharme Messungen
geeignet ist, und die aufweist:
- (a) eine Spannvorrichtung zum Halten einer zu prüfenden Vorrichtung;
- (b) Mittel zum Steuern der Temperatur in der Nähe der zu prüfenden Vorrichtung durch Erfassen der Temperatur und, als Reaktion auf dieses Erfassen, alternativ Erhöhen oder Senken der Temperatur;
- (c) eine tragende Fläche für die zu prüfende Vorrichtung;
- (d) eine Sandwichstruktur von mindestens drei Schichten ein schließlich einer ersten elektrisch leitenden Schicht, die an einer Seite einer Isolierschicht haftet, und einer zweiten elektrisch leitenden Schicht, die auf der ent gegengesetzten Seite der Isolierschicht haftet; und
- (e) die Sandwichstruktur bestehend aus mindestens drei Schichten, die zwischen der tragenden Fläche und der Spannvorrichtung angeordnet ist.
10. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 9, bei der die
tragende Fläche dir Oberfläche einer derselben, der ersten
elektrisch leitenden Schicht und der zweiten elektrisch
leitenden Schicht ist.
11. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 9, bei der die
Spannvorrichtung elektrisch leitend ist.
12. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 9, bei der die
tragende Fläche elektrisch leitend ist.
13. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 9, bei der die
wenigstens drei Schichten entsprechend einander gegenüber
liegende Bereiche aufweisen, wobei die erste und die zweite
elektrisch leitende Schicht über wenigstens einen größeren
Teil dieser einander gegenüberliegenden Bereiche an der
Isolierschicht haften.
14. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 9, bei der die
Isolierschicht eine periphere Kante, und die erste und die
zweite elektrisch leitende Schicht jeweils eine periphere
Kante aufweisen, wobei alle diese peripheren Kanten in den
freien Raum enden.
15. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 14, bei der die
peripheren Kanten im wesentlichen miteinander die gleiche
Ausdehnung aufweisen.
16. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 9, bei der die
erste elektrisch leitende Schicht mit der Spannvorrichtung
elektrisch leitend verbunden ist.
17. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 9, bei der die
erste elektrisch leitende Schicht mit der tragenden Fläche
elektrisch leitend verbunden ist.
18. Die Prüfsondenstation gemäß Anspruch 17, bei der die
zweite elektrisch leitende Schicht mit der Spannvorrichtung
elektrisch leitend verbunden ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29623213U DE29623213U1 (de) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | Prüfsondenstation mit zusätzlich zum thermischen Aufspannisolator angebrachter Leiterschicht |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/431,104 US5610529A (en) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | Probe station having conductive coating added to thermal chuck insulator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE19616212A1 true DE19616212A1 (de) | 1996-10-31 |
DE19616212C2 DE19616212C2 (de) | 2002-03-14 |
Family
ID=23710473
Family Applications (1)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6445202B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
US6559668B1 (en) | 1997-06-10 | 2003-05-06 | Cascade Microtech, Inc | Low-current pogo probe card |
CN102152969A (zh) * | 2009-12-28 | 2011-08-17 | 精工爱普生株式会社 | 非接触保持体及非接触保持柄 |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5561377A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
US6232789B1 (en) * | 1997-05-28 | 2001-05-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probe holder for low current measurements |
US5729150A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US6075376A (en) | 1997-12-01 | 2000-06-13 | Schwindt; Randy J. | Low-current probe card |
US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
TW480645B (en) * | 1997-02-24 | 2002-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for inspecting semiconductor integrated circuits, and contactor incorporated in the apparatus |
JP3172760B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | バキュームコンタクタ |
US6002263A (en) * | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
US6329831B1 (en) * | 1997-08-08 | 2001-12-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for reliability testing of integrated circuit structures and devices |
US6091060A (en) * | 1997-12-31 | 2000-07-18 | Temptronic Corporation | Power and control system for a workpiece chuck |
US6073681A (en) | 1997-12-31 | 2000-06-13 | Temptronic Corporation | Workpiece chuck |
US6866094B2 (en) * | 1997-12-31 | 2005-03-15 | Temptronic Corporation | Temperature-controlled chuck with recovery of circulating temperature control fluid |
US6019164A (en) * | 1997-12-31 | 2000-02-01 | Temptronic Corporation | Workpiece chuck |
US6415858B1 (en) | 1997-12-31 | 2002-07-09 | Temptronic Corporation | Temperature control system for a workpiece chuck |
US6328096B1 (en) * | 1997-12-31 | 2001-12-11 | Temptronic Corporation | Workpiece chuck |
US6256882B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6583638B2 (en) | 1999-01-26 | 2003-06-24 | Trio-Tech International | Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system |
JP4376370B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2009-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 高速測定対応プローブ装置 |
US6700397B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-03-02 | The Micromanipulator Company, Inc. | Triaxial probe assembly |
US6424141B1 (en) | 2000-07-13 | 2002-07-23 | The Micromanipulator Company, Inc. | Wafer probe station |
US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
DE10122036B4 (de) * | 2001-05-07 | 2009-12-24 | Karl Suss Dresden Gmbh | Substrathaltevorrichtung für Prober zum Testen von Schaltungsanordnungen auf scheibenförmigen Substraten |
AU2002327490A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-30 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7352258B2 (en) * | 2002-03-28 | 2008-04-01 | Cascade Microtech, Inc. | Waveguide adapter for probe assembly having a detachable bias tee |
US7734439B2 (en) * | 2002-06-24 | 2010-06-08 | Mattson Technology, Inc. | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US7129731B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-10-31 | Thermal Corp. | Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing |
US20050067147A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-31 | Thayer John Gilbert | Loop thermosyphon for cooling semiconductors during burn-in testing |
US20050067146A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-31 | Thayer John Gilbert | Two phase cooling system method for burn-in testing |
US7013956B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Thermal Corp. | Heat pipe evaporator with porous valve |
US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
US7187188B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
DE202004021093U1 (de) | 2003-12-24 | 2006-09-28 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler |
WO2005121824A2 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Cascade Microtech, Inc. | Thermal optical chuck |
KR20070058522A (ko) | 2004-09-13 | 2007-06-08 | 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 | 양측 프루빙 구조 |
US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
DE102005014513B4 (de) * | 2005-03-30 | 2011-05-12 | Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren eines Substrats, sowie Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung |
US20070030019A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Micron Technology, Inc. | Power sink for IC temperature control |
JP4525571B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2010-08-18 | 住友電気工業株式会社 | ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ |
US7869184B2 (en) * | 2005-11-30 | 2011-01-11 | Lam Research Corporation | Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck |
US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
KR20080053768A (ko) * | 2006-12-11 | 2008-06-16 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 척, 이를 구비하는 웨이퍼의 전기적 특성을테스트하는 장치 및 테스트하는 방법 |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
WO2010059247A2 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
JP6013250B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
WO2015179387A1 (en) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | Brewer Science Inc. | Multi-size adaptable spin chuck system |
CN105867464B (zh) * | 2016-05-30 | 2017-09-15 | 中国工程物理研究院总体工程研究所 | 一种变加速度环境试验用热加载装置及热加载方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4567432A (en) * | 1983-06-09 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for testing integrated circuits |
EP0314481A1 (de) * | 1987-10-28 | 1989-05-03 | Irish Transformers Limited | Gerät zur Temperaturregelung eines elektronischen Bausteins während der Prüfung |
DE4109908A1 (de) * | 1991-03-26 | 1992-10-01 | Erich Reitinger | Anordnung zur pruefung von halbleiter-wafern oder dergleichen |
US5434512A (en) * | 1992-06-11 | 1995-07-18 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
DE9406227U1 (de) * | 1994-04-14 | 1995-08-31 | Meyer Fa Rud Otto | Temperaturwechsel-Prüfeinrichtung |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3289046A (en) * | 1964-05-19 | 1966-11-29 | Gen Electric | Component chip mounted on substrate with heater pads therebetween |
US3710251A (en) * | 1971-04-07 | 1973-01-09 | Collins Radio Co | Microelectric heat exchanger pedestal |
US4115736A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Probe station |
JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
US4426619A (en) * | 1981-06-03 | 1984-01-17 | Temptronic Corporation | Electrical testing system including plastic window test chamber and method of using same |
US4491173A (en) * | 1982-05-28 | 1985-01-01 | Temptronic Corporation | Rotatable inspection table |
US4691831A (en) * | 1984-06-25 | 1987-09-08 | Takeda Riken Co., Ltd. | IC test equipment |
US4856904A (en) * | 1985-01-21 | 1989-08-15 | Nikon Corporation | Wafer inspecting apparatus |
US4734872A (en) * | 1985-04-30 | 1988-03-29 | Temptronic Corporation | Temperature control for device under test |
US4777434A (en) * | 1985-10-03 | 1988-10-11 | Amp Incorporated | Microelectronic burn-in system |
US4757255A (en) * | 1986-03-03 | 1988-07-12 | National Semiconductor Corporation | Environmental box for automated wafer probing |
US4784213A (en) * | 1986-04-08 | 1988-11-15 | Temptronic Corporation | Mixing valve air source |
US4759712A (en) * | 1986-10-17 | 1988-07-26 | Temptronic Corporation | Device for applying controlled temperature stimuli to nerve sensitive tissue |
US4845426A (en) * | 1987-05-20 | 1989-07-04 | Signatone Corporation | Temperature conditioner for tests of unpackaged semiconductors |
US5084671A (en) * | 1987-09-02 | 1992-01-28 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
MY103847A (en) * | 1988-03-15 | 1993-09-30 | Yamaichi Electric Mfg | Laminated board for testing electronic components |
US4968931A (en) * | 1989-11-03 | 1990-11-06 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for burning in integrated circuit wafers |
US5077523A (en) * | 1989-11-03 | 1991-12-31 | John H. Blanz Company, Inc. | Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards |
US5001423A (en) * | 1990-01-24 | 1991-03-19 | International Business Machines Corporation | Dry interface thermal chuck temperature control system for semiconductor wafer testing |
US5325052A (en) * | 1990-11-30 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Probe apparatus |
US5164661A (en) * | 1991-05-31 | 1992-11-17 | Ej Systems, Inc. | Thermal control system for a semi-conductor burn-in |
US5210485A (en) * | 1991-07-26 | 1993-05-11 | International Business Machines Corporation | Probe for wafer burn-in test system |
US5279975A (en) * | 1992-02-07 | 1994-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method of testing individual dies on semiconductor wafers prior to singulation |
US5266889A (en) * | 1992-05-29 | 1993-11-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station with integrated environment control enclosure |
-
1995
- 1995-04-28 US US08/431,104 patent/US5610529A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-18 JP JP09685396A patent/JP3351956B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-23 DE DE19616212A patent/DE19616212C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-29 KR KR1019960013452A patent/KR100257667B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4567432A (en) * | 1983-06-09 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for testing integrated circuits |
EP0314481A1 (de) * | 1987-10-28 | 1989-05-03 | Irish Transformers Limited | Gerät zur Temperaturregelung eines elektronischen Bausteins während der Prüfung |
DE4109908A1 (de) * | 1991-03-26 | 1992-10-01 | Erich Reitinger | Anordnung zur pruefung von halbleiter-wafern oder dergleichen |
US5434512A (en) * | 1992-06-11 | 1995-07-18 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
US5457398A (en) * | 1992-06-11 | 1995-10-10 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having full guarding |
US5532609A (en) * | 1992-06-11 | 1996-07-02 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
DE9406227U1 (de) * | 1994-04-14 | 1995-08-31 | Meyer Fa Rud Otto | Temperaturwechsel-Prüfeinrichtung |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6559668B1 (en) | 1997-06-10 | 2003-05-06 | Cascade Microtech, Inc | Low-current pogo probe card |
US6822467B2 (en) | 1997-06-10 | 2004-11-23 | Cascade Microtech, Inc | Low-current pogo probe card |
US6445202B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
US6512391B2 (en) | 1999-06-30 | 2003-01-28 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
US6642732B2 (en) | 1999-06-30 | 2003-11-04 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
CN102152969A (zh) * | 2009-12-28 | 2011-08-17 | 精工爱普生株式会社 | 非接触保持体及非接触保持柄 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5610529A (en) | 1997-03-11 |
JP3351956B2 (ja) | 2002-12-03 |
JPH08321530A (ja) | 1996-12-03 |
KR100257667B1 (ko) | 2000-06-01 |
KR960038395A (ko) | 1996-11-21 |
DE19616212C2 (de) | 2002-03-14 |
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